JP2001297726A - 高輝度ｘ線源 - Google Patents
高輝度ｘ線源Info
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- JP2001297726A JP2001297726A JP2000108847A JP2000108847A JP2001297726A JP 2001297726 A JP2001297726 A JP 2001297726A JP 2000108847 A JP2000108847 A JP 2000108847A JP 2000108847 A JP2000108847 A JP 2000108847A JP 2001297726 A JP2001297726 A JP 2001297726A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】簡易に高輝度Ｘ線ビームが得られるＸ線源を提
供する。 【解決手段】電子線源１と、電子線３が照射される一次
ターゲット４を備え、一次ターゲットの電子線照射位置
に対してＸ線を取り出す方向と反対側に、一次ターゲッ
トを構成する物質と同じ物質からなる二次ターゲット７
を備えるＸ線源。
供する。 【解決手段】電子線源１と、電子線３が照射される一次
ターゲット４を備え、一次ターゲットの電子線照射位置
に対してＸ線を取り出す方向と反対側に、一次ターゲッ
トを構成する物質と同じ物質からなる二次ターゲット７
を備えるＸ線源。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、鉄鋼業、半導体産
業等の工業分野において広く活用されているＸ線回折装
置や蛍光Ｘ線分析装置等において、測定、分析を簡易に
かつ高感度で行うことを可能にする高輝度Ｘ線源に関す
る。
業等の工業分野において広く活用されているＸ線回折装
置や蛍光Ｘ線分析装置等において、測定、分析を簡易に
かつ高感度で行うことを可能にする高輝度Ｘ線源に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来から、材料評価にＸ線を用いる方法
は、真空中での電子線照射による方法よりも簡易な方法
として多用されてきた。しかし、Ｘ線は電子線に比べて
物質透過能が高いことに起因して集光が困難であり、Ｘ
線を微少部分析や高感度分析に用いるには自ずと限界が
あった。例えば、真空中で電子線をターゲットに照射し
てＸ線を発生させるＸ線源では、輝度（Ｘ線強度）を上
げるためには電圧、電流（出力）を上げなければならな
いが、ターゲットの冷却には限界があるので、出力を上
げ過ぎるとターゲットが溶解するおそれがある。
は、真空中での電子線照射による方法よりも簡易な方法
として多用されてきた。しかし、Ｘ線は電子線に比べて
物質透過能が高いことに起因して集光が困難であり、Ｘ
線を微少部分析や高感度分析に用いるには自ずと限界が
あった。例えば、真空中で電子線をターゲットに照射し
てＸ線を発生させるＸ線源では、輝度（Ｘ線強度）を上
げるためには電圧、電流（出力）を上げなければならな
いが、ターゲットの冷却には限界があるので、出力を上
げ過ぎるとターゲットが溶解するおそれがある。
【０００３】そこで、最近、放射光施設の普及に伴い、
ビームラインからの高輝度Ｘ線ビームの高感度分析への
適用が試みられている。しかし、放射光施設の建設およ
び維持に膨大な費用がかかり、その使用料も高価になら
ざるを得ない。
ビームラインからの高輝度Ｘ線ビームの高感度分析への
適用が試みられている。しかし、放射光施設の建設およ
び維持に膨大な費用がかかり、その使用料も高価になら
ざるを得ない。
【０００４】これに対し、特開平11− 23800号公報で、
Ｘ線源のターゲットを湾曲させ、湾曲面から放出された
Ｘ線を同様に湾曲させた全反射ミラーで集光し、輝度の
高いＸ線ビームを得る方法が提案されている。しかし、
この方法では、湾曲した全反射ミラーの制作に精密加工
が必要とされることに加え、全反射ミラーの使用により
Ｘ線源そのものが大きくなるため、その操作性が問題と
なる。
Ｘ線源のターゲットを湾曲させ、湾曲面から放出された
Ｘ線を同様に湾曲させた全反射ミラーで集光し、輝度の
高いＸ線ビームを得る方法が提案されている。しかし、
この方法では、湾曲した全反射ミラーの制作に精密加工
が必要とされることに加え、全反射ミラーの使用により
Ｘ線源そのものが大きくなるため、その操作性が問題と
なる。
【０００５】一方、従来から、蛍光Ｘ線分析の分野にお
いては、試料中の特定元素を選択的に励起するため、試
料に単色Ｘ線を照射する方法が採られることがある。Ｘ
線を単色化するには、分光結晶を用いる方法の他に、Ｘ
線源から発生するＸ線から連続Ｘ線を除去する一次Ｘ線
フィルター法や、Ｘ線源からのＸ線を二次ターゲットに
照射し、二次ターゲットから特性Ｘ線を発生させる二次
ターゲット法が用いられている。
いては、試料中の特定元素を選択的に励起するため、試
料に単色Ｘ線を照射する方法が採られることがある。Ｘ
線を単色化するには、分光結晶を用いる方法の他に、Ｘ
線源から発生するＸ線から連続Ｘ線を除去する一次Ｘ線
フィルター法や、Ｘ線源からのＸ線を二次ターゲットに
照射し、二次ターゲットから特性Ｘ線を発生させる二次
ターゲット法が用いられている。
【０００６】しかし、分光結晶を用いる方法では、分光
結晶による吸収効果のため、利用したいＸ線の強度が低
下する。また、一次Ｘ線フィルター法では、ターゲット
と同じ元素のフィルターを用いることが多いが、フィル
ターによる吸収効果から、必ずしも利用したい特性Ｘ線
の強度を増すことはできない。二次ターゲット法におい
ては、二次ターゲットから発生する特性Ｘ線強度のみに
依存することとなるため、蛍光効率が問題となり、やは
り強度は低下する。このように、上記一次Ｘ線フィルタ
ー法、二次ターゲット法では、もともとのＸ線源からの
特性Ｘ線強度に比べ、高い強度の特性Ｘ線を得ることは
できない。
結晶による吸収効果のため、利用したいＸ線の強度が低
下する。また、一次Ｘ線フィルター法では、ターゲット
と同じ元素のフィルターを用いることが多いが、フィル
ターによる吸収効果から、必ずしも利用したい特性Ｘ線
の強度を増すことはできない。二次ターゲット法におい
ては、二次ターゲットから発生する特性Ｘ線強度のみに
依存することとなるため、蛍光効率が問題となり、やは
り強度は低下する。このように、上記一次Ｘ線フィルタ
ー法、二次ターゲット法では、もともとのＸ線源からの
特性Ｘ線強度に比べ、高い強度の特性Ｘ線を得ることは
できない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような状
況に鑑みなされたもので、Ｘ線回折装置や蛍光Ｘ線分析
装置等において、簡易に高輝度Ｘ線ビームが得られるＸ
線源を提供することを目的とする。
況に鑑みなされたもので、Ｘ線回折装置や蛍光Ｘ線分析
装置等において、簡易に高輝度Ｘ線ビームが得られるＸ
線源を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、下記の
高輝度Ｘ線源にある。電子線源と、電子線が照射される
ターゲットを備えるＸ線源であって、前記ターゲットの
電子線照射位置に対してＸ線を取り出す方向と反対側
に、前記ターゲットを構成する物質と同じ物質からなる
二次ターゲットを備える高輝度Ｘ線源。前記の「Ｘ線を
取り出す方向と反対側」とは、ターゲットの電子線照射
位置に対してＸ線の取り出し部（後述する図１に示すＸ
線取り出し窓）側の反対側を意味する。前記の二次ター
ゲットが、挿入、取り外しが可能な機構を有するもので
あれば、Ｘ線源としての汎用性が高く、好適である。
高輝度Ｘ線源にある。電子線源と、電子線が照射される
ターゲットを備えるＸ線源であって、前記ターゲットの
電子線照射位置に対してＸ線を取り出す方向と反対側
に、前記ターゲットを構成する物質と同じ物質からなる
二次ターゲットを備える高輝度Ｘ線源。前記の「Ｘ線を
取り出す方向と反対側」とは、ターゲットの電子線照射
位置に対してＸ線の取り出し部（後述する図１に示すＸ
線取り出し窓）側の反対側を意味する。前記の二次ター
ゲットが、挿入、取り外しが可能な機構を有するもので
あれば、Ｘ線源としての汎用性が高く、好適である。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の高輝度Ｘ線源につ
いて、図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明
の高輝度Ｘ線源の一例で、低出力型の封入管型ターゲッ
トを備えるＸ線源の構成を示す図である。（ａ）はポイ
ント取り出し方式のものであり、（ｂ）はライン取り出
し方式のものである。
いて、図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明
の高輝度Ｘ線源の一例で、低出力型の封入管型ターゲッ
トを備えるＸ線源の構成を示す図である。（ａ）はポイ
ント取り出し方式のものであり、（ｂ）はライン取り出
し方式のものである。
【００１０】図１に示すように、Ｘ線源は、下方部を残
して周囲がウェーネルト２で囲まれた電子線源１と、電
子線３が照射されるターゲット４（このターゲットを、
以下、「一次ターゲット」という）を備え、さらに、一
次ターゲット４表面の電子線３が照射される位置に対し
てＸ線を取り出す方向（この方向側部分を、「一次ター
ゲットの前部」、または単に「前部」ともいう）とは反
対の方向（この方向側部分を、「一次ターゲットの後
部」、または単に「後部」ともいう）、すなわち前記電
子線３が照射される位置からＸ線取り出し窓６へ向かう
一次ターゲットからのＸ線ビーム５の進行方向と逆の方
向に、一次ターゲットを構成する物質と同じ物質からな
る二次ターゲット７を備えている。なお、前記の「ポイ
ント取り出し方式」とは、Ｘ線源からＸ線を取り出す方
法を模式的に示す図５において、一次ターゲット４の電
子線３が照射された部分（斜線を施した部分）から放出
されるＸ線をコリメーターコーンと呼ばれるピンホール
型のＸ線束絞り治具を用いて取り出す方式であり、「ラ
イン取り出し方式」とは、ある程度幅をもったラインと
して取り出す方式である。
して周囲がウェーネルト２で囲まれた電子線源１と、電
子線３が照射されるターゲット４（このターゲットを、
以下、「一次ターゲット」という）を備え、さらに、一
次ターゲット４表面の電子線３が照射される位置に対し
てＸ線を取り出す方向（この方向側部分を、「一次ター
ゲットの前部」、または単に「前部」ともいう）とは反
対の方向（この方向側部分を、「一次ターゲットの後
部」、または単に「後部」ともいう）、すなわち前記電
子線３が照射される位置からＸ線取り出し窓６へ向かう
一次ターゲットからのＸ線ビーム５の進行方向と逆の方
向に、一次ターゲットを構成する物質と同じ物質からな
る二次ターゲット７を備えている。なお、前記の「ポイ
ント取り出し方式」とは、Ｘ線源からＸ線を取り出す方
法を模式的に示す図５において、一次ターゲット４の電
子線３が照射された部分（斜線を施した部分）から放出
されるＸ線をコリメーターコーンと呼ばれるピンホール
型のＸ線束絞り治具を用いて取り出す方式であり、「ラ
イン取り出し方式」とは、ある程度幅をもったラインと
して取り出す方式である。
【００１１】このように、一次ターゲット４の後部に二
次ターゲット７を設けるのは、一次ターゲット４に電子
線３が照射されて発生した後部方向へ向かう連続Ｘ線を
二次ターゲット７で吸収させ、蛍光効果で二次ターゲッ
トから特性Ｘ線を発生させるためである。
次ターゲット７を設けるのは、一次ターゲット４に電子
線３が照射されて発生した後部方向へ向かう連続Ｘ線を
二次ターゲット７で吸収させ、蛍光効果で二次ターゲッ
トから特性Ｘ線を発生させるためである。
【００１２】通常のＸ線源では、ターゲットに電子線が
照射され、ターゲットから空間全体に放射状に放出され
るＸ線のうち前部方向（Ｘ線取り出し方向）のＸ線のみ
が利用され、後部方向のＸ線は利用されていない。そこ
で、前記図１に示したＸ線源を用いることによって、後
部方向へ向かう連続Ｘ線を二次ターゲット７で吸収さ
せ、特性Ｘ線を発生させ、この特性Ｘ線（空間全体に放
射状に放出される）のうち前部方向（Ｘ線取り出し方
向）へ向かう特性Ｘ線ビーム８を一次ターゲット４から
前部方向へ向かうＸ線ビーム５と合わせ、利用するので
ある。これによって、Ｘ線を高輝度化することができ
る。
照射され、ターゲットから空間全体に放射状に放出され
るＸ線のうち前部方向（Ｘ線取り出し方向）のＸ線のみ
が利用され、後部方向のＸ線は利用されていない。そこ
で、前記図１に示したＸ線源を用いることによって、後
部方向へ向かう連続Ｘ線を二次ターゲット７で吸収さ
せ、特性Ｘ線を発生させ、この特性Ｘ線（空間全体に放
射状に放出される）のうち前部方向（Ｘ線取り出し方
向）へ向かう特性Ｘ線ビーム８を一次ターゲット４から
前部方向へ向かうＸ線ビーム５と合わせ、利用するので
ある。これによって、Ｘ線を高輝度化することができ
る。
【００１３】図２は、本発明の高輝度Ｘ線源における上
記の高輝度化の原理を模式的に示す図である。（ａ）に
示した後部方向では、一次ターゲットから放出されたＸ
線（連続Ｘ線および特性Ｘ線（Ｋα、Ｋβ））が二次タ
ーゲットを励起し、二次ターゲットから特性Ｘ線（Ｋ
α、Ｋβ）を発生させる。一方、（ｂ）に示した前部方
向では、（ａ）で図示したＸ線と同じＸ線（連続Ｘ線お
よび特性Ｘ線（Ｋα、Ｋβ））が発生している。これら
のＸ線をそれぞれ取り出し方向へ導くと（すなわち、図
１に示した例で、Ｘ線取り出し窓６の方向へ向かうＸ線
のみを取り出すと）、一次ターゲットから発生するＸ線
と、二次ターゲットから発生するＸ線とが加算され、特
性Ｘ線（Ｋα、Ｋβ）の強度が強められた輝度の高いＸ
線を得ることができる。
記の高輝度化の原理を模式的に示す図である。（ａ）に
示した後部方向では、一次ターゲットから放出されたＸ
線（連続Ｘ線および特性Ｘ線（Ｋα、Ｋβ））が二次タ
ーゲットを励起し、二次ターゲットから特性Ｘ線（Ｋ
α、Ｋβ）を発生させる。一方、（ｂ）に示した前部方
向では、（ａ）で図示したＸ線と同じＸ線（連続Ｘ線お
よび特性Ｘ線（Ｋα、Ｋβ））が発生している。これら
のＸ線をそれぞれ取り出し方向へ導くと（すなわち、図
１に示した例で、Ｘ線取り出し窓６の方向へ向かうＸ線
のみを取り出すと）、一次ターゲットから発生するＸ線
と、二次ターゲットから発生するＸ線とが加算され、特
性Ｘ線（Ｋα、Ｋβ）の強度が強められた輝度の高いＸ
線を得ることができる。
【００１４】二次ターゲットを一次ターゲットの電子線
照射位置に対してＸ線を取り出す方向と反対側に位置さ
せるのは、図１に示すように、一次ターゲット４から放
出され、Ｘ線取り出し方向へ向かうＸ線ビーム５（図１
の実線）と、二次ターゲット７から放出され、Ｘ線取り
出し方向へ向かう特性Ｘ線ビーム８（図１の破線）とが
できるだけ重なり合うようにするためである。それによ
って、一次ターゲットからのＸ線と、二次ターゲットか
らの特性Ｘ線を重ね合わせたときの特性Ｘ線の集光状態
を良好に維持することができる。
照射位置に対してＸ線を取り出す方向と反対側に位置さ
せるのは、図１に示すように、一次ターゲット４から放
出され、Ｘ線取り出し方向へ向かうＸ線ビーム５（図１
の実線）と、二次ターゲット７から放出され、Ｘ線取り
出し方向へ向かう特性Ｘ線ビーム８（図１の破線）とが
できるだけ重なり合うようにするためである。それによ
って、一次ターゲットからのＸ線と、二次ターゲットか
らの特性Ｘ線を重ね合わせたときの特性Ｘ線の集光状態
を良好に維持することができる。
【００１５】したがって、二次ターゲットは、前記電子
線照射位置とＸ線の取り出し部を結ぶ直線上の一次ター
ゲットの後部に、厳密に言えば、一次ターゲットから放
出されたＸ線が二次ターゲットに到達できる程度に前記
直線から上方へずれた、電子線照射面よりわずかに上方
の位置に設けられているのが望ましい。
線照射位置とＸ線の取り出し部を結ぶ直線上の一次ター
ゲットの後部に、厳密に言えば、一次ターゲットから放
出されたＸ線が二次ターゲットに到達できる程度に前記
直線から上方へずれた、電子線照射面よりわずかに上方
の位置に設けられているのが望ましい。
【００１６】このようにして得られるＸ線は、真空中で
Ｘ線取り出し窓６を介さずに試料に照射してもよいし、
取り出し方向に設けられたＸ線取り出し窓６（通常、ベ
リリウムが用いられる）を介してＸ線源の外部に導き、
試料に照射してもよい。
Ｘ線取り出し窓６を介さずに試料に照射してもよいし、
取り出し方向に設けられたＸ線取り出し窓６（通常、ベ
リリウムが用いられる）を介してＸ線源の外部に導き、
試料に照射してもよい。
【００１７】二次ターゲットを構成する物質を一次ター
ゲットのそれと同じ物質にするのは、利用したい特性Ｘ
線の波長（エネルギー）を同一にするためである。な
お、一次ターゲットとしては、通常、Cu、Co、Fe、Ｗ等
が用いられ、したがって二次ターゲットもこれらの物質
からなるターゲットが使用される。
ゲットのそれと同じ物質にするのは、利用したい特性Ｘ
線の波長（エネルギー）を同一にするためである。な
お、一次ターゲットとしては、通常、Cu、Co、Fe、Ｗ等
が用いられ、したがって二次ターゲットもこれらの物質
からなるターゲットが使用される。
【００１８】二次ターゲットの形状は、低出力型の封入
管型ターゲットを使用する場合も高出力型の回転ターゲ
ット（回転対陰極）を使用する場合も、一次ターゲット
の形状を考慮して、一次ターゲットから放出されるＸ線
を受ける面を平坦ではなく、尖らせた形状としてもよ
く、同様の効果が得られる。
管型ターゲットを使用する場合も高出力型の回転ターゲ
ット（回転対陰極）を使用する場合も、一次ターゲット
の形状を考慮して、一次ターゲットから放出されるＸ線
を受ける面を平坦ではなく、尖らせた形状としてもよ
く、同様の効果が得られる。
【００１９】また、二次ターゲットの取り付け位置（前
記の電子線照射位置に対してどの程度後方に設置する
か）は、通常は、電子線照射位置から後方へ 1〜40mmと
するのが望ましい。ただし、後述する実施例で示すよう
に、Ｘ線の集光状態が問題となるような測定の場合は、
1〜20mmとするのが望ましい。
記の電子線照射位置に対してどの程度後方に設置する
か）は、通常は、電子線照射位置から後方へ 1〜40mmと
するのが望ましい。ただし、後述する実施例で示すよう
に、Ｘ線の集光状態が問題となるような測定の場合は、
1〜20mmとするのが望ましい。
【００２０】一方、Ｘ線発生装置では、後部にもＸ線取
り出し方向を有し、同一または別の目的で後部から放出
されるＸ線を利用する場合がある。したがって、前記二
次ターゲットが、挿入、取り外しが可能な機構を有する
ものであれば、Ｘ線源としての汎用性が高く、好適であ
る。ただし、後部から取り出されるＸ線の利用が必要と
されない場合のＸ線源では、一次ターゲットと二次ター
ゲットが一体化されたものであってもよい。
り出し方向を有し、同一または別の目的で後部から放出
されるＸ線を利用する場合がある。したがって、前記二
次ターゲットが、挿入、取り外しが可能な機構を有する
ものであれば、Ｘ線源としての汎用性が高く、好適であ
る。ただし、後部から取り出されるＸ線の利用が必要と
されない場合のＸ線源では、一次ターゲットと二次ター
ゲットが一体化されたものであってもよい。
【００２１】また、二次ターゲットは、一次ターゲット
と同様、特性Ｘ線の吸収によって加熱する場合があるの
で、二次ターゲットに水冷式等の冷却機構が付加されて
いるのが好ましい。
と同様、特性Ｘ線の吸収によって加熱する場合があるの
で、二次ターゲットに水冷式等の冷却機構が付加されて
いるのが好ましい。
【００２２】
【実施例】図３に示す構成（要部構成）を有するＸ線回
折装置を使用し、表１に示す条件でＸ線強度を測定し
た。図３の符号９が本発明のＸ線源であり、符号10がＸ
線検出器を含むゴニオメーター部である。なお、ゴニオ
メーターの半径は 185mmである。
折装置を使用し、表１に示す条件でＸ線強度を測定し
た。図３の符号９が本発明のＸ線源であり、符号10がＸ
線検出器を含むゴニオメーター部である。なお、ゴニオ
メーターの半径は 185mmである。
【００２３】
【表１】 図３において、本発明のＸ線源９で発生したＸ線ビーム
５、８（符号５は一次ターゲットから放出されたＸ線ビ
ームであり、符号８は二次ターゲットから放出されたＸ
線ビームである）は、発散スリットDSを経て分光結晶(S
i(111)単結晶)Ｓで回折され、受光スリットRSおよび散
乱スリットSSを通過してＸ線検出器（シンチレーション
カウンター）Ｄに達し、その強度が測定される。Ｘ線源
からのＸ線の強度を直接測定せず、Si(111) 単結晶を用
いたのは、連続Ｘ線を除く特性Ｘ線（CuＫα）の強度の
みを測定するためである。
５、８（符号５は一次ターゲットから放出されたＸ線ビ
ームであり、符号８は二次ターゲットから放出されたＸ
線ビームである）は、発散スリットDSを経て分光結晶(S
i(111)単結晶)Ｓで回折され、受光スリットRSおよび散
乱スリットSSを通過してＸ線検出器（シンチレーション
カウンター）Ｄに達し、その強度が測定される。Ｘ線源
からのＸ線の強度を直接測定せず、Si(111) 単結晶を用
いたのは、連続Ｘ線を除く特性Ｘ線（CuＫα）の強度の
みを測定するためである。
【００２４】Si(111) 単結晶からの回折Ｘ線ピークの測
定においては、回折角 2θをピーク位置（28.4°）に固
定し、入射角θのみを走査する方法でプロファイルをと
り、ピーク積分強度およびピーク半価幅を求めた。な
お、Ｘ線検出器に付随する波高分析器等は同一条件と
し、一次ターゲットの電子線照射位置から二次ターゲッ
トの先端までの距離Ｌ（図３参照）のみを変えて測定し
た。なお、比較のために、一次ターゲットのみの場合の
ピーク積分強度およびピーク半価幅を求め、それに対す
る比で上記測定結果を評価した。
定においては、回折角 2θをピーク位置（28.4°）に固
定し、入射角θのみを走査する方法でプロファイルをと
り、ピーク積分強度およびピーク半価幅を求めた。な
お、Ｘ線検出器に付随する波高分析器等は同一条件と
し、一次ターゲットの電子線照射位置から二次ターゲッ
トの先端までの距離Ｌ（図３参照）のみを変えて測定し
た。なお、比較のために、一次ターゲットのみの場合の
ピーク積分強度およびピーク半価幅を求め、それに対す
る比で上記測定結果を評価した。
【００２５】図４に測定結果（回折Ｘ線ピーク強度比お
よびピーク半価幅比）を示す。図示したように、一次タ
ーゲットの電子線照射位置から二次ターゲットの先端ま
での距離Ｌが40mm以下であれば、通常の 1.1倍以上の高
輝度Ｘ線ビームを得ることが可能であった。ただし、Ｌ
が20mmを超えるとSi(111) 単結晶からの回折Ｘ線ピーク
の半価幅に広がりが生じた。これは、一次ターゲットの
電子線照射位置と二次ターゲットの特性Ｘ線発生位置の
ずれに起因する焦点ずれによって生じたものと考えられ
る。したがって、単に特性Ｘ線強度の増大を期待する場
合はＬを40mm以下、Ｘ線の集光状態が問題となるような
測定の場合はＬを20mm以下とすることが望ましい。
よびピーク半価幅比）を示す。図示したように、一次タ
ーゲットの電子線照射位置から二次ターゲットの先端ま
での距離Ｌが40mm以下であれば、通常の 1.1倍以上の高
輝度Ｘ線ビームを得ることが可能であった。ただし、Ｌ
が20mmを超えるとSi(111) 単結晶からの回折Ｘ線ピーク
の半価幅に広がりが生じた。これは、一次ターゲットの
電子線照射位置と二次ターゲットの特性Ｘ線発生位置の
ずれに起因する焦点ずれによって生じたものと考えられ
る。したがって、単に特性Ｘ線強度の増大を期待する場
合はＬを40mm以下、Ｘ線の集光状態が問題となるような
測定の場合はＬを20mm以下とすることが望ましい。
【００２６】
【発明の効果】本発明のＸ線源を用いれば、高輝度Ｘ線
ビームを簡易に得ることができ、Ｘ線回折装置や蛍光Ｘ
線分析装置等において、高感度な分析が可能になる。
ビームを簡易に得ることができ、Ｘ線回折装置や蛍光Ｘ
線分析装置等において、高感度な分析が可能になる。
【図１】本発明の高輝度Ｘ線源の一例で、封入管型ター
ゲットを備えるＸ線源の構成を示す図で、（ａ）はポイ
ント取り出し方式、（ｂ）はライン取り出し方式を示す
図である。
ゲットを備えるＸ線源の構成を示す図で、（ａ）はポイ
ント取り出し方式、（ｂ）はライン取り出し方式を示す
図である。
【図２】本発明の高輝度Ｘ線源における高輝度化の原理
を模式的に示す図である。
を模式的に示す図である。
【図３】実施例で用いたＸ線回折装置の要部の構成を示
す図である。
す図である。
【図４】実施例の結果で、一次ターゲットの電子線照射
位置から二次ターゲットまでの距離Ｌを変化させた場合
の Si(111)単結晶からの回折Ｘ線ピーク強度とピーク半
価幅を示す図である。
位置から二次ターゲットまでの距離Ｌを変化させた場合
の Si(111)単結晶からの回折Ｘ線ピーク強度とピーク半
価幅を示す図である。
【図５】Ｘ線源からＸ線を取り出す方法を模式的に示す
図である。
図である。
１：電子線源 ２：ウェーネルト ３：電子線 ４：一次ターゲット ５：Ｘ線ビーム ６：Ｘ線取り出し窓 ７：二次ターゲット ８：特性Ｘ線ビーム ９：Ｘ線源 10：ゴニオメーター部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０１Ｎ 23/223 Ｈ０５Ｇ 1/00 Ｅ
Claims (1)
- 【請求項１】電子線源と、電子線が照射されるターゲッ
トを備えるＸ線源であって、前記ターゲットの電子線照
射位置に対してＸ線を取り出す方向と反対側に、前記タ
ーゲットを構成する物質と同じ物質からなる二次ターゲ
ットを備えることを特徴とする高輝度Ｘ線源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000108847A JP2001297726A (ja) | 2000-04-11 | 2000-04-11 | 高輝度ｘ線源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000108847A JP2001297726A (ja) | 2000-04-11 | 2000-04-11 | 高輝度ｘ線源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001297726A true JP2001297726A (ja) | 2001-10-26 |
Family
ID=18621623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000108847A Pending JP2001297726A (ja) | 2000-04-11 | 2000-04-11 | 高輝度ｘ線源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001297726A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007203074A (ja) * | 2006-02-01 | 2007-08-16 | Siemens Ag | 投影または断層撮影による位相コントラスト画像の作成方法 |
-
2000
- 2000-04-11 JP JP2000108847A patent/JP2001297726A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007203074A (ja) * | 2006-02-01 | 2007-08-16 | Siemens Ag | 投影または断層撮影による位相コントラスト画像の作成方法 |
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