JP2001292002A - フィルタ、デュプレクサおよび通信装置 - Google Patents
フィルタ、デュプレクサおよび通信装置Info
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- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/213—Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies
- H01P1/2135—Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies using strip line filters
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 誘電体基板に電極パターンを形成して成る共
振器部分を縮小化し、全体の小型化を容易にし、且つ無
負荷Ｑを高めたフィルタ、デュプレクサおよびそれらを
用いた通信装置を提供する。 【解決手段】 それぞれ開放端を有する中心電極２ａ，
２ｂとその両側部に沿って延びる周囲電極３を誘電体基
板１の上面に形成し、誘電体基板１の下面に、上記中心
電極および周囲電極にそれぞれ対向する中心電極４ａ，
４ｂおよび周囲電極５を形成する。
振器部分を縮小化し、全体の小型化を容易にし、且つ無
負荷Ｑを高めたフィルタ、デュプレクサおよびそれらを
用いた通信装置を提供する。 【解決手段】 それぞれ開放端を有する中心電極２ａ，
２ｂとその両側部に沿って延びる周囲電極３を誘電体基
板１の上面に形成し、誘電体基板１の下面に、上記中心
電極および周囲電極にそれぞれ対向する中心電極４ａ，
４ｂおよび周囲電極５を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、誘電体基板に電
極パターンを設けて構成したフィルタ、デュプレクサお
よびそれらを用いた通信装置に関するものである。
極パターンを設けて構成したフィルタ、デュプレクサお
よびそれらを用いた通信装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２２に従来のコプレーナ共振器による
フィルタの構成例を示す。図２２において（Ａ）は誘電
体基板の上面図、（Ｂ）は下面図、（Ｃ）は側面図であ
る。誘電体基板１の上面には開放端を有する中心電極２
ａ，２ｂおよびこれらの中心電極の両側部に沿った周囲
電極３をそれぞれ形成している。図中の矢印は電界分布
を示している。このような構造により、中心電極２ａと
周囲電極３とが一方のコプレーナ共振器として作用し、
中心電極２ｂと周囲電極３とが他方のコプレーナ共振器
として作用する。さらに、この２つのコプレーナ共振器
同士が電磁界結合して２段の共振器からなるフィルタと
して作用する。
フィルタの構成例を示す。図２２において（Ａ）は誘電
体基板の上面図、（Ｂ）は下面図、（Ｃ）は側面図であ
る。誘電体基板１の上面には開放端を有する中心電極２
ａ，２ｂおよびこれらの中心電極の両側部に沿った周囲
電極３をそれぞれ形成している。図中の矢印は電界分布
を示している。このような構造により、中心電極２ａと
周囲電極３とが一方のコプレーナ共振器として作用し、
中心電極２ｂと周囲電極３とが他方のコプレーナ共振器
として作用する。さらに、この２つのコプレーナ共振器
同士が電磁界結合して２段の共振器からなるフィルタと
して作用する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一般に、コプレーナ共
振器によるフィルタは、誘電体基板の単一平面で共振器
の短絡部を構成できるため、１／４波長共振器による小
型化が可能であるが、共振モードの電磁界分布が誘電体
基板外に比較的大きく漏れるため、すなわち実効誘電率
が低いため、小型化には限界があった。
振器によるフィルタは、誘電体基板の単一平面で共振器
の短絡部を構成できるため、１／４波長共振器による小
型化が可能であるが、共振モードの電磁界分布が誘電体
基板外に比較的大きく漏れるため、すなわち実効誘電率
が低いため、小型化には限界があった。
【０００４】また、図２２に示したように、中心電極か
ら両側の周囲電極へ電界が向かうため、中心電極の縁端
に電界が集中する。その結果、高い無負荷Ｑが得られな
いという問題があった。
ら両側の周囲電極へ電界が向かうため、中心電極の縁端
に電界が集中する。その結果、高い無負荷Ｑが得られな
いという問題があった。
【０００５】この発明の目的は、全体の小型化を容易に
し、且つ無負荷Ｑを高めたフィルタ、デュプレクサおよ
びそれらを用いた通信装置を提供することにある。
し、且つ無負荷Ｑを高めたフィルタ、デュプレクサおよ
びそれらを用いた通信装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明のフィルタは、
それぞれ開放端を有する中心電極パターンと、該中心電
極パターンの側部に沿った周囲電極とを、誘電体基板の
上面に複数組平行に配置するとともに、該誘電体基板の
下面に、前記中心電極と周囲電極にそれぞれ対向する中
心電極と周囲電極とを形成することによって構成する。
それぞれ開放端を有する中心電極パターンと、該中心電
極パターンの側部に沿った周囲電極とを、誘電体基板の
上面に複数組平行に配置するとともに、該誘電体基板の
下面に、前記中心電極と周囲電極にそれぞれ対向する中
心電極と周囲電極とを形成することによって構成する。
【０００７】後に示す実施形態で明かとなるように、誘
電体基板の上下面の中心電極パターン部分は互いに電磁
界的に結合してリング共振器のように作用し、共振周波
数が低下する。その分、所定の共振周波数を得るための
電極パターン寸法および誘電体基板の寸法を縮小化す
る。
電体基板の上下面の中心電極パターン部分は互いに電磁
界的に結合してリング共振器のように作用し、共振周波
数が低下する。その分、所定の共振周波数を得るための
電極パターン寸法および誘電体基板の寸法を縮小化す
る。
【０００８】さらに、共振モードの電磁界が誘電体基板
を挟んで上下面方向に向かうことにより、縁端効果によ
る無負荷Ｑ（以下、Ｑｏという。）の劣化を改善し、高
いＱｏを得る。
を挟んで上下面方向に向かうことにより、縁端効果によ
る無負荷Ｑ（以下、Ｑｏという。）の劣化を改善し、高
いＱｏを得る。
【０００９】また、この発明のフィルタは、誘電体基板
上面または下面の中心電極と中心電極の側部の周囲電極
との間に線路を設け、中心電極の端部を入出力部とす
る。この構造により、周囲電極の不連続部をワイヤーや
エアブリッジで接続したり、静電容量をとるための部品
を不要とし、誘電体基板上面の電極パターンだけで信号
の入出力部を構成できるようにし、製造を容易にする。
上面または下面の中心電極と中心電極の側部の周囲電極
との間に線路を設け、中心電極の端部を入出力部とす
る。この構造により、周囲電極の不連続部をワイヤーや
エアブリッジで接続したり、静電容量をとるための部品
を不要とし、誘電体基板上面の電極パターンだけで信号
の入出力部を構成できるようにし、製造を容易にする。
【００１０】また、この発明のフィルタは、誘電体基板
の上面および下面における周囲電極同士を導通させるヴ
ィアホールを形成する。これにより、スプリアス応答を
抑制する。
の上面および下面における周囲電極同士を導通させるヴ
ィアホールを形成する。これにより、スプリアス応答を
抑制する。
【００１１】この発明のデュプレクサは、送信信号入力
ポートと送受共用入出力ポートとの間、および該送受共
用入出力ポートとの間に、上記構成のフィルタを、送信
フィルタおよび受信フィルタとしてそれぞれ設けること
によって構成する。これにより、全体に小型で且つＱｏ
が高く、挿入損失が低い特性を得る。
ポートと送受共用入出力ポートとの間、および該送受共
用入出力ポートとの間に、上記構成のフィルタを、送信
フィルタおよび受信フィルタとしてそれぞれ設けること
によって構成する。これにより、全体に小型で且つＱｏ
が高く、挿入損失が低い特性を得る。
【００１２】この発明の通信装置は、上記のフィルタま
たはデュプレクサを、例えば高周波回路部において送信
信号または受信信号の処理部分に用いることによって、
小型且つ電力利用効率の高い特性を得る。
たはデュプレクサを、例えば高周波回路部において送信
信号または受信信号の処理部分に用いることによって、
小型且つ電力利用効率の高い特性を得る。
【００１３】
【発明の実施の形態】第１の実施形態に係るフィルタの
構成を図１に示す。図１において（Ａ）は上面図、
（Ｂ）は下面のパターンを上面から透視したように表し
た図、（Ｃ）はＡ−Ａ′部分の断面図である。誘電体基
板１の上面には、それぞれ線路幅がＷ１で開放端を有す
る互いに平行な中心電極２ａ，２ｂと、これらの中心電
極の両側部に沿って周囲電極３を形成している。また、
中心電極２ａ，２ｂの所定箇所から外側へ延びる入出力
電極６ａ，６ｂを形成している。この入出力電極６ａ，
６ｂと周囲電極３とによってそれぞれコプレーナ線路を
構成している。
構成を図１に示す。図１において（Ａ）は上面図、
（Ｂ）は下面のパターンを上面から透視したように表し
た図、（Ｃ）はＡ−Ａ′部分の断面図である。誘電体基
板１の上面には、それぞれ線路幅がＷ１で開放端を有す
る互いに平行な中心電極２ａ，２ｂと、これらの中心電
極の両側部に沿って周囲電極３を形成している。また、
中心電極２ａ，２ｂの所定箇所から外側へ延びる入出力
電極６ａ，６ｂを形成している。この入出力電極６ａ，
６ｂと周囲電極３とによってそれぞれコプレーナ線路を
構成している。
【００１４】誘電体基板１の下面には、上面の中心電極
２ａ，２ｂおよび周囲電極３にそれぞれ対向する位置
に、中心電極４ａ，４ｂおよび周囲電極５を形成してい
る。但し、この例では誘電体基板１の上面の中心電極２
ａ，２ｂの短絡端と下面側の中心電極４ａ，４ｂの短絡
端を逆方向に向けて電極パターンを形成し、中心電極２
ａ，２ｂと４ａ，４ｂとが重なる部分の長さをＬ１とし
ている。
２ａ，２ｂおよび周囲電極３にそれぞれ対向する位置
に、中心電極４ａ，４ｂおよび周囲電極５を形成してい
る。但し、この例では誘電体基板１の上面の中心電極２
ａ，２ｂの短絡端と下面側の中心電極４ａ，４ｂの短絡
端を逆方向に向けて電極パターンを形成し、中心電極２
ａ，２ｂと４ａ，４ｂとが重なる部分の長さをＬ１とし
ている。
【００１５】なお、入出力電極６ａ，６ｂの両側の周囲
電極間をワイヤ７ａ，７ｂで接続しているが、この部分
はエアーブリッジで接続してもよい。このような構造に
より、入出力電極６ａ，６ｂの両側のグランド電位を等
しくして、入出力電極部分をコプレーナ線路として安定
動作させる。
電極間をワイヤ７ａ，７ｂで接続しているが、この部分
はエアーブリッジで接続してもよい。このような構造に
より、入出力電極６ａ，６ｂの両側のグランド電位を等
しくして、入出力電極部分をコプレーナ線路として安定
動作させる。
【００１６】図２は他の構成例を示すものである。図１
の例では、誘電体基板１の上下面の周囲電極３，５を独
立させていたが、図２に示すように、誘電体基板１の側
面に上下の周囲電極間を接続する側面電極９を形成して
もよい。この構造により、誘電体基板の上下面における
周囲電極の電位が等しくなり、安定した共振モードが得
られる。
の例では、誘電体基板１の上下面の周囲電極３，５を独
立させていたが、図２に示すように、誘電体基板１の側
面に上下の周囲電極間を接続する側面電極９を形成して
もよい。この構造により、誘電体基板の上下面における
周囲電極の電位が等しくなり、安定した共振モードが得
られる。
【００１７】図３・図４は図１または図２に示したフィ
ルタの電界分布の例を示す図である。図３は偶モードに
おける電界分布、図４は奇モードにおける電界分布をそ
れぞれ示している。図２２に示した従来のコプレーナ共
振器によるフィルタに比べて明かなように、従来のコプ
レーナ共振器では、中心電極と両側のグランド電極との
間に電界が向くが、この発明に係る共振器は、主として
誘電体基板の上下面方向に電界が向く。そのため、中心
電極２ａ，２ｂ，４ａ，４ｂの縁端部の電界集中が緩和
されて、縁端効果によるＱｏの劣化が抑えられる。
ルタの電界分布の例を示す図である。図３は偶モードに
おける電界分布、図４は奇モードにおける電界分布をそ
れぞれ示している。図２２に示した従来のコプレーナ共
振器によるフィルタに比べて明かなように、従来のコプ
レーナ共振器では、中心電極と両側のグランド電極との
間に電界が向くが、この発明に係る共振器は、主として
誘電体基板の上下面方向に電界が向く。そのため、中心
電極２ａ，２ｂ，４ａ，４ｂの縁端部の電界集中が緩和
されて、縁端効果によるＱｏの劣化が抑えられる。
【００１８】また、誘電体基板の上下の中心電極部分が
互いに結合してリング共振器のように作用するため、従
来のコプレーナ共振器を構成した場合に比べて共振周波
数は低くなる。すなわち、ここで、上面と下面の隣り合
う２つの中心導体は、コ字形を成し、それぞれが半波長
共振器として作用する。この上面と下面の半波長共振器
の開放端は、上下方向の電界で結合し、恰もリング共振
器のように作用する。このとき、コプレーナ線路を構成
する場合に比べて、実効誘電率が高く、且つ線路長が長
いため、共振周波数が低下する。
互いに結合してリング共振器のように作用するため、従
来のコプレーナ共振器を構成した場合に比べて共振周波
数は低くなる。すなわち、ここで、上面と下面の隣り合
う２つの中心導体は、コ字形を成し、それぞれが半波長
共振器として作用する。この上面と下面の半波長共振器
の開放端は、上下方向の電界で結合し、恰もリング共振
器のように作用する。このとき、コプレーナ線路を構成
する場合に比べて、実効誘電率が高く、且つ線路長が長
いため、共振周波数が低下する。
【００１９】次に、第２の実施形態に係るフィルタの構
成を図５に示す。（Ａ）は上面図、（Ｂ）は下面図、
（Ｃ）はＡ−Ａ′部分の断面図である。第１の実施形態
では誘電体基板１の上面と下面における中心電極の短絡
端を互いに対向する方向にしたが、図５に示す例では、
誘電体基板１の上下面における中心電極の短絡端の方向
を同一にしている。この場合にも、誘電体基板を挟む上
下方向に電界が向くため、高いＱｏが得られる。
成を図５に示す。（Ａ）は上面図、（Ｂ）は下面図、
（Ｃ）はＡ−Ａ′部分の断面図である。第１の実施形態
では誘電体基板１の上面と下面における中心電極の短絡
端を互いに対向する方向にしたが、図５に示す例では、
誘電体基板１の上下面における中心電極の短絡端の方向
を同一にしている。この場合にも、誘電体基板を挟む上
下方向に電界が向くため、高いＱｏが得られる。
【００２０】図６は第３の実施形態に係るフィルタの構
成図である。この例では、誘電体基板１の上面に中心電
極２ａ，２ｂを設け、それらの中心電極の一方の側に沿
って延びる周囲電極３を形成している。同様に誘電体基
板１の下面に中心電極４ａ，４ｂを形成し、それらの一
方の側に沿って延びる周囲電極５を形成している。この
ような構造であっても、誘電体基板の上下方向に電界が
向かう共振モードとなる。但し、誘電体基板の平面方向
に並ぶ中心電極間に周囲電極が存在しないため、中心電
極２ａ，４ａおよび周囲電極３，５による１段目の共振
器と、中心電極２ｂ，４ｂおよび周囲電極３，５による
２段目の共振器とを強く結合させることができる。
成図である。この例では、誘電体基板１の上面に中心電
極２ａ，２ｂを設け、それらの中心電極の一方の側に沿
って延びる周囲電極３を形成している。同様に誘電体基
板１の下面に中心電極４ａ，４ｂを形成し、それらの一
方の側に沿って延びる周囲電極５を形成している。この
ような構造であっても、誘電体基板の上下方向に電界が
向かう共振モードとなる。但し、誘電体基板の平面方向
に並ぶ中心電極間に周囲電極が存在しないため、中心電
極２ａ，４ａおよび周囲電極３，５による１段目の共振
器と、中心電極２ｂ，４ｂおよび周囲電極３，５による
２段目の共振器とを強く結合させることができる。
【００２１】図７は第４の実施形態に係るフィルタの構
成図である。この例では、誘電体基板１の上面には中心
電極２ａ，２ｂの両側部に沿って延びる周囲電極３を形
成し、下面には中心電極４ａ，４ｂのそれぞれの一方の
側部に沿って延びる周囲電極５を形成している。この構
造により第１・第２の実施形態のフィルタと、図６に示
した第３のフィルタとの中間的な結合度で、１段目と２
段目の共振器を結合させることができる。
成図である。この例では、誘電体基板１の上面には中心
電極２ａ，２ｂの両側部に沿って延びる周囲電極３を形
成し、下面には中心電極４ａ，４ｂのそれぞれの一方の
側部に沿って延びる周囲電極５を形成している。この構
造により第１・第２の実施形態のフィルタと、図６に示
した第３のフィルタとの中間的な結合度で、１段目と２
段目の共振器を結合させることができる。
【００２２】次に第５の実施形態に係るフィルタの構成
を図８および図９を参照して説明する。図８に示すよう
に、誘電体基板１の上面には中心電極２ａ，２ｂおよび
周囲電極３を形成するとともに、中心電極２ａ，２ｂと
それらの両側の周囲電極３との間を結ぶ線路８ａ，８ｂ
を形成している。
を図８および図９を参照して説明する。図８に示すよう
に、誘電体基板１の上面には中心電極２ａ，２ｂおよび
周囲電極３を形成するとともに、中心電極２ａ，２ｂと
それらの両側の周囲電極３との間を結ぶ線路８ａ，８ｂ
を形成している。
【００２３】図９はその線路部分の拡大図である。この
ように中心電極２ａとその両側の周囲電極３との間に、
線路幅Ｗ２のメアンダライン状の線路８ａを形成してい
る。もう一方の線路８ｂについても同様である。これら
の線路８ａ，８ｂは、上記線路８ａ，８ｂのインダクタ
ンスによって外部結合をとることができ、中心電極２
ａ，２ｂの開放端ではない側の端部を入出力部として用
いる。
ように中心電極２ａとその両側の周囲電極３との間に、
線路幅Ｗ２のメアンダライン状の線路８ａを形成してい
る。もう一方の線路８ｂについても同様である。これら
の線路８ａ，８ｂは、上記線路８ａ，８ｂのインダクタ
ンスによって外部結合をとることができ、中心電極２
ａ，２ｂの開放端ではない側の端部を入出力部として用
いる。
【００２４】この構造によれば、図１などに示した、い
わゆるタップ接続の場合の周囲電極の不連続部を接続す
るためのワイヤやエアーブリッジなどが不要となり、誘
電体基板上の電極パターンのみによって外部結合構造を
とることができるので、その製造が容易となる。
わゆるタップ接続の場合の周囲電極の不連続部を接続す
るためのワイヤやエアーブリッジなどが不要となり、誘
電体基板上の電極パターンのみによって外部結合構造を
とることができるので、その製造が容易となる。
【００２５】図１０は図８に示したフィルタの通過特性
および反射特性を示している。このように、中心電極と
周囲電極間を線路で接続して外部結合をとるようにして
も、通過域において低反射低挿入損失特性が得られる。
および反射特性を示している。このように、中心電極と
周囲電極間を線路で接続して外部結合をとるようにして
も、通過域において低反射低挿入損失特性が得られる。
【００２６】図１１は第６の実施形態に係るフィルタの
構成図である。図８に示した例では、誘電体基板１の上
面の一方端から信号の入出力を行うようにしたが、この
図１１に示す例では、誘電体基板１の上面の中心電極２
ａとその両側の周囲電極３との間に線路８ａを設け、誘
電体基板下面の中心電極４ｂとその両側の周囲電極５と
の間に線路８ｂを設けている。これにより、誘電体基板
の上下面で、且つ対向する方向に信号の入出力を行うこ
とになり、入出力間のアイソレーションを大きく確保す
ることができる。
構成図である。図８に示した例では、誘電体基板１の上
面の一方端から信号の入出力を行うようにしたが、この
図１１に示す例では、誘電体基板１の上面の中心電極２
ａとその両側の周囲電極３との間に線路８ａを設け、誘
電体基板下面の中心電極４ｂとその両側の周囲電極５と
の間に線路８ｂを設けている。これにより、誘電体基板
の上下面で、且つ対向する方向に信号の入出力を行うこ
とになり、入出力間のアイソレーションを大きく確保す
ることができる。
【００２７】図１４は図８および図１１に示したフィル
タにおける線路８ａ，８ｂ部分の長さＬ２に対する外部
Ｑ（Ｑｅ）の関係を示している。ここで、誘電体基板の
長さＷ＝５．２ｍｍ、幅Ｄ＝２．５ｍｍ、厚さＴ＝０．
２ｍｍ、中心電極の線路幅Ｗ１＝０．３ｍｍ、線路８
ａ，８ｂの幅Ｗ２＝０．０３ｍｍ、誘電体基板上下面の
中心電極の重なる長さＬ１＝３．５ｍｍとしている。こ
のように中心電極とその両側の周囲電極間を結ぶ線路の
長さＬ２によってＱｅを大きく変えることができ、これ
により所定の外部結合に定めることができる。
タにおける線路８ａ，８ｂ部分の長さＬ２に対する外部
Ｑ（Ｑｅ）の関係を示している。ここで、誘電体基板の
長さＷ＝５．２ｍｍ、幅Ｄ＝２．５ｍｍ、厚さＴ＝０．
２ｍｍ、中心電極の線路幅Ｗ１＝０．３ｍｍ、線路８
ａ，８ｂの幅Ｗ２＝０．０３ｍｍ、誘電体基板上下面の
中心電極の重なる長さＬ１＝３．５ｍｍとしている。こ
のように中心電極とその両側の周囲電極間を結ぶ線路の
長さＬ２によってＱｅを大きく変えることができ、これ
により所定の外部結合に定めることができる。
【００２８】図１２は第７の実施形態に係るフィルタの
構成図である。これは、図８に示した線路８ａ，８ｂの
長さを最も短くした例である。すなわち中心電極２ａ，
２ｂの所定箇所とその両側の周囲電極３との間に最短距
離で線路８ａ，８ｂを形成している。
構成図である。これは、図８に示した線路８ａ，８ｂの
長さを最も短くした例である。すなわち中心電極２ａ，
２ｂの所定箇所とその両側の周囲電極３との間に最短距
離で線路８ａ，８ｂを形成している。
【００２９】図１３の（Ａ）は、図１２に示した誘電体
基板上下面の中心電極の重なる長さＬ１と中心周波数Ｆ
ｏとの関係を示している。ここで、誘電体基板の長さＷ
＝５．２ｍｍ、幅Ｄ＝２．５ｍｍ、厚さＴ＝０．２ｍ
ｍ、線路８ａ，８ｂの幅Ｗ２＝０．１ｍｍ、線路８ａ，
８ｂ部分の長さＬ２＝０．１ｍｍとし、中心電極の線路
幅Ｗ１をパラメータとしている。このように誘電体基板
上下面の中心電極の重なる長さＬ１によってフィルタの
中心周波数Ｆｏを定めることができる。
基板上下面の中心電極の重なる長さＬ１と中心周波数Ｆ
ｏとの関係を示している。ここで、誘電体基板の長さＷ
＝５．２ｍｍ、幅Ｄ＝２．５ｍｍ、厚さＴ＝０．２ｍ
ｍ、線路８ａ，８ｂの幅Ｗ２＝０．１ｍｍ、線路８ａ，
８ｂ部分の長さＬ２＝０．１ｍｍとし、中心電極の線路
幅Ｗ１をパラメータとしている。このように誘電体基板
上下面の中心電極の重なる長さＬ１によってフィルタの
中心周波数Ｆｏを定めることができる。
【００３０】また図１３の（Ｂ）は、中心電極２ａ，２
ｂ，４ａ，４ｂの幅Ｗ１に対する共振器間の結合係数Ｋ
の関係を示している。ここでＷ，Ｄ，Ｔ，Ｗ２，Ｌ２に
ついては（Ａ）の場合と同一条件とし、誘電体基板上下
面の中心電極の重なる長さＬ１をパラメータとしてい
る。このように中心電極の重なる長さＬ１と中心電極の
線路幅Ｗ１とによって共振器間の結合係数を定めること
ができる。この図１３の例では、Ｌ２＝０．１ｍｍとし
て、外部結合を最も弱くして、外部結合による影響を無
視できるようにしている。
ｂ，４ａ，４ｂの幅Ｗ１に対する共振器間の結合係数Ｋ
の関係を示している。ここでＷ，Ｄ，Ｔ，Ｗ２，Ｌ２に
ついては（Ａ）の場合と同一条件とし、誘電体基板上下
面の中心電極の重なる長さＬ１をパラメータとしてい
る。このように中心電極の重なる長さＬ１と中心電極の
線路幅Ｗ１とによって共振器間の結合係数を定めること
ができる。この図１３の例では、Ｌ２＝０．１ｍｍとし
て、外部結合を最も弱くして、外部結合による影響を無
視できるようにしている。
【００３１】図１５は図１２に示したフィルタの通過特
性を示す図である。また同図には、図１２に示した誘電
体基板の下面側に電極を設けない従来のコプレーナ共振
器によるフィルタの特性も合わせて示している。ここで
実線が実施形態によるもの、破線が従来構造によるもの
である。
性を示す図である。また同図には、図１２に示した誘電
体基板の下面側に電極を設けない従来のコプレーナ共振
器によるフィルタの特性も合わせて示している。ここで
実線が実施形態によるもの、破線が従来構造によるもの
である。
【００３２】また、ここで２つのフィルタの特性を表１
に示す。
に示す。
【００３３】 〔表１〕 ───────────────────────────────── タイプ モード ｆeven，ｆodd 中心周波数 Ｑｏodd 平均Ｑｏ [MHz] [MHz] Ｑｏeven ───────────────────────────────── 実施形態 Odd 2312.76 2479.42 61.06 61.32 Even 2646.07 61.58 ───────────────────────────────── 従来例 Even 4389.60 4545.50 56.01 46.23 Odd 4701.39 36.45 ───────────────────────────────── このように、中心電極の長さが同じである場合に、従来
のコプレーナ共振器によるフィルタに比べて中心周波数
が大きく低下する。同時にＱｏが大きく増大する。した
がって、所望の中心周波数を得るための線路長が短くな
り、フィルタ全体の小型化が図れる。またＱｏの増大に
より低損失特性が得られる。なお、図１５では実線の方
が破線より挿入損失が大きくなっているが、これは、外
部結合Ｑｅによる影響であり、Ｑｏによるものではな
い。
のコプレーナ共振器によるフィルタに比べて中心周波数
が大きく低下する。同時にＱｏが大きく増大する。した
がって、所望の中心周波数を得るための線路長が短くな
り、フィルタ全体の小型化が図れる。またＱｏの増大に
より低損失特性が得られる。なお、図１５では実線の方
が破線より挿入損失が大きくなっているが、これは、外
部結合Ｑｅによる影響であり、Ｑｏによるものではな
い。
【００３４】次に、第８の実施形態に係るデュプレクサ
の構成例を図１６に示す。（Ａ）は上面図、（Ｂ）は下
面図である。誘電体基板１の上面には中心電極２ａ，２
ｂ，２ｃ，２ｄと、それらの両側に沿って延びる周囲電
極３を形成している。誘電体基板１の下面には、上記中
心電極２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄに対向する位置に中心電
極４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄをそれぞれ形成するととも
に、それらの両側に沿って延びる周囲電極５を形成して
いる。
の構成例を図１６に示す。（Ａ）は上面図、（Ｂ）は下
面図である。誘電体基板１の上面には中心電極２ａ，２
ｂ，２ｃ，２ｄと、それらの両側に沿って延びる周囲電
極３を形成している。誘電体基板１の下面には、上記中
心電極２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄに対向する位置に中心電
極４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄをそれぞれ形成するととも
に、それらの両側に沿って延びる周囲電極５を形成して
いる。
【００３５】また誘電体基板１の上面には、４つの中心
電極の所定箇所から垂直に延びる入出力電極６ａ，６
ｂ，６ｃ，６ｄを形成し、これらの入出力電極の両側の
周囲電極間をワイヤによってそれぞれ接続している。さ
らに、一端がアンテナポートＡＮＴ、他端が周囲電極３
につながる入出力電極１０を形成し、この入出力電極１
０の所定箇所に入出力電極６ｂ，６ｃを導通させてい
る。
電極の所定箇所から垂直に延びる入出力電極６ａ，６
ｂ，６ｃ，６ｄを形成し、これらの入出力電極の両側の
周囲電極間をワイヤによってそれぞれ接続している。さ
らに、一端がアンテナポートＡＮＴ、他端が周囲電極３
につながる入出力電極１０を形成し、この入出力電極１
０の所定箇所に入出力電極６ｂ，６ｃを導通させてい
る。
【００３６】図１６に示した中心電極２ａ，２ｂ，４
ａ，４ｂおよび周囲電極３，５による２段の共振器は送
信フィルタとして用い、中心電極２ｃ，２ｄ，４ｃ，４
ｄおよび周囲電極３，５による２段の共振器は受信フィ
ルタとして用いる。これにより、入出力電極６ａを送信
信号入力ポートＴＸ、入出力電極６ｄを受信信号出力ポ
ートＲＸとするアンテナ共用器を構成する。
ａ，４ｂおよび周囲電極３，５による２段の共振器は送
信フィルタとして用い、中心電極２ｃ，２ｄ，４ｃ，４
ｄおよび周囲電極３，５による２段の共振器は受信フィ
ルタとして用いる。これにより、入出力電極６ａを送信
信号入力ポートＴＸ、入出力電極６ｄを受信信号出力ポ
ートＲＸとするアンテナ共用器を構成する。
【００３７】なお、図１６の例では送信フィルタ部と受
信フィルタ部とで誘電体基板下面側の周囲電極５，５を
分離したことにより、両フィルタ間のアイソレーション
を高めることができる。
信フィルタ部とで誘電体基板下面側の周囲電極５，５を
分離したことにより、両フィルタ間のアイソレーション
を高めることができる。
【００３８】次に第９の実施形態に係るフィルタの構成
を図１７および図１８を参照して説明する。この例で
は、図１７に示すように、誘電体基板１の上面に、それ
ぞれ開放端を有する互いに平行な中心電極２ａ，２ｂ
と、これらの中心電極の両側部に沿って周囲電極３を形
成している。
を図１７および図１８を参照して説明する。この例で
は、図１７に示すように、誘電体基板１の上面に、それ
ぞれ開放端を有する互いに平行な中心電極２ａ，２ｂ
と、これらの中心電極の両側部に沿って周囲電極３を形
成している。
【００３９】誘電体基板１の下面には、上面の中心電極
２ａ，２ｂおよび周囲電極３にそれぞれ対向する位置
に、中心電極４ａ，４ｂおよび周囲電極５を形成してい
る。但し、誘電体基板１の上面の中心電極２ａ，２ｂの
短絡端と下面側の中心電極４ａ，４ｂの短絡端を互いに
逆方向に向けて電極パターンを形成している。上面の中
心電極２ａ，２ｂの長さはＬ３、下面の中心電極４ａ，
４ｂの長さはＬ３’としている。また、誘電体基板１の
上面に、中心電極２ａ，２ｂとそれらの両側の周囲電極
３との間を結ぶ線路８ａ，８ｂを形成している。これら
の線路８ａ，８ｂは、Ｌ３より短い長さＬ２にわたって
メアンダライン状に形成している。この構造により、線
路８ａ，８ｂのインダクタンスによって外部結合をと
り、中心電極２ａ，２ｂの開放端ではない側の端部を入
出力部としている。
２ａ，２ｂおよび周囲電極３にそれぞれ対向する位置
に、中心電極４ａ，４ｂおよび周囲電極５を形成してい
る。但し、誘電体基板１の上面の中心電極２ａ，２ｂの
短絡端と下面側の中心電極４ａ，４ｂの短絡端を互いに
逆方向に向けて電極パターンを形成している。上面の中
心電極２ａ，２ｂの長さはＬ３、下面の中心電極４ａ，
４ｂの長さはＬ３’としている。また、誘電体基板１の
上面に、中心電極２ａ，２ｂとそれらの両側の周囲電極
３との間を結ぶ線路８ａ，８ｂを形成している。これら
の線路８ａ，８ｂは、Ｌ３より短い長さＬ２にわたって
メアンダライン状に形成している。この構造により、線
路８ａ，８ｂのインダクタンスによって外部結合をと
り、中心電極２ａ，２ｂの開放端ではない側の端部を入
出力部としている。
【００４０】誘電体基板１の周囲には、上下面の周囲電
極同士を導通させる複数のヴィアホール１１を形成して
いる。また、中心電極２ａ，２ｂの間に配置した周囲電
極と中心電極４ａ，４ｂの間に配置した周囲電極との間
を導通させるヴィアホール１２を誘電体基板の略中央部
に形成している。
極同士を導通させる複数のヴィアホール１１を形成して
いる。また、中心電極２ａ，２ｂの間に配置した周囲電
極と中心電極４ａ，４ｂの間に配置した周囲電極との間
を導通させるヴィアホール１２を誘電体基板の略中央部
に形成している。
【００４１】このように誘電体基板上下面の周囲電極同
士をヴィアホール１１，１２で導通させることによっ
て、誘電体基板の上下面の電極パターンに起因するスプ
リアス応答が抑制できる。特に、誘電体基板中央部に位
置するヴイアホール１２は、中心電極間に挟まれる、誘
電体基板中央部の周囲電極に起因するスプリアス応答を
抑制するのに効果がある。
士をヴィアホール１１，１２で導通させることによっ
て、誘電体基板の上下面の電極パターンに起因するスプ
リアス応答が抑制できる。特に、誘電体基板中央部に位
置するヴイアホール１２は、中心電極間に挟まれる、誘
電体基板中央部の周囲電極に起因するスプリアス応答を
抑制するのに効果がある。
【００４２】上記ヴィアホールは、誘電体セラミック
基板のウエハー状態で、フィルタとして切り出すべきチ
ップの周辺部に孔を形成する。孔の内部に電極を形成
する。ダイシングにより個々のチップに分割する。と
いう工程で作製する。
基板のウエハー状態で、フィルタとして切り出すべきチ
ップの周辺部に孔を形成する。孔の内部に電極を形成
する。ダイシングにより個々のチップに分割する。と
いう工程で作製する。
【００４３】上記ヴィアホールの孔は、炭酸ガスレーザ
・ＹＡＧレーザなどレーザ加工機や、超音波加工機など
により焼成後のセラミック基板を加工する方法や、セラ
ミックグリーンシートへ穴加工を施した後に焼成する方
法で作成する。
・ＹＡＧレーザなどレーザ加工機や、超音波加工機など
により焼成後のセラミック基板を加工する方法や、セラ
ミックグリーンシートへ穴加工を施した後に焼成する方
法で作成する。
【００４４】なお、図１７に示したように、誘電体基板
上面の中心電極２ａ，２ｂの長さＬ３を短くし、下面の
中心電極４ａ，４ｂの長さＬ３’を長くしたことによ
り、フィルタのメインの周波数を変化させずに、スプリ
アス応答となるλ／４ＣＰＷ（１／４波長で共振するコ
プレーナウェーブガイド）に似た電界分布をもつスプリ
アス応答を、十分に高い周波数へ飛ばすことが可能とな
る。これは、フィルタのメインの共振モードが、誘電体
基板の両面電極に依存しているのに対して、λ／４ＣＰ
Ｗフィルタに似た電界分布をもつスプリアスが誘電体基
板の上面にだけに強く依存しているためである。
上面の中心電極２ａ，２ｂの長さＬ３を短くし、下面の
中心電極４ａ，４ｂの長さＬ３’を長くしたことによ
り、フィルタのメインの周波数を変化させずに、スプリ
アス応答となるλ／４ＣＰＷ（１／４波長で共振するコ
プレーナウェーブガイド）に似た電界分布をもつスプリ
アス応答を、十分に高い周波数へ飛ばすことが可能とな
る。これは、フィルタのメインの共振モードが、誘電体
基板の両面電極に依存しているのに対して、λ／４ＣＰ
Ｗフィルタに似た電界分布をもつスプリアスが誘電体基
板の上面にだけに強く依存しているためである。
【００４５】図１８は、図１７に示したヴィアホールに
よりスプリアス抑制したフィルタと、ヴィアホールを形
成していない通常のフィルタについて、通過特性と反射
特性の比較を示すものである。ここで、Ｓ２１は通過特
性、Ｓ１１は反射特性であり、(original filter) はヴ
ィアホールを形成していない通常のフィルタであるこ
と、(modified filter) はヴィアホールによりスプリア
ス抑制したフィルタであることをそれぞれ示している。
この図より、スプリアス特性が大幅に改善されているこ
とがわかる。このフィルタの中心周波数Ｆ０の２倍（２
Ｆ０）での減衰量は２４．２ｄＢ、３倍（３Ｆ０）での
減衰量は２９．６ｄＢであり、十分なスプリアス応答の
抑制ができている。
よりスプリアス抑制したフィルタと、ヴィアホールを形
成していない通常のフィルタについて、通過特性と反射
特性の比較を示すものである。ここで、Ｓ２１は通過特
性、Ｓ１１は反射特性であり、(original filter) はヴ
ィアホールを形成していない通常のフィルタであるこ
と、(modified filter) はヴィアホールによりスプリア
ス抑制したフィルタであることをそれぞれ示している。
この図より、スプリアス特性が大幅に改善されているこ
とがわかる。このフィルタの中心周波数Ｆ０の２倍（２
Ｆ０）での減衰量は２４．２ｄＢ、３倍（３Ｆ０）での
減衰量は２９．６ｄＢであり、十分なスプリアス応答の
抑制ができている。
【００４６】次に、第１０の実施形態に係るフィルタの
構成を図１９および図２０を参照して説明する。第９の
実施形態では、２段の共振器から成るフィルタを構成し
たが、同様にして３段以上の共振器を備えたフィルタが
構成できる。一般に、減衰特性はフィルタの段数を増や
すことによって改善できる。しかしながら、３段の共振
器から成るフィルタの通過特性は、スプリアス応答がフ
ィルタ帯域の高域側近傍に発生するために、減衰特性を
改善することができなかった。この第１０の実施形態で
は、３段の共振器を形成し、且つスプリアスを抑制する
ことによって、減衰特性の改善を行っている。
構成を図１９および図２０を参照して説明する。第９の
実施形態では、２段の共振器から成るフィルタを構成し
たが、同様にして３段以上の共振器を備えたフィルタが
構成できる。一般に、減衰特性はフィルタの段数を増や
すことによって改善できる。しかしながら、３段の共振
器から成るフィルタの通過特性は、スプリアス応答がフ
ィルタ帯域の高域側近傍に発生するために、減衰特性を
改善することができなかった。この第１０の実施形態で
は、３段の共振器を形成し、且つスプリアスを抑制する
ことによって、減衰特性の改善を行っている。
【００４７】図１９に示すように、誘電体基板１の上面
には、それぞれ開放端を有する互いに平行な中心電極２
ａ，２ｂ，２ｃと、これらの中心電極の両側部に沿って
周囲電極３を形成している。誘電体基板１の下面には、
上面の中心電極２ａ，２ｂ，２ｃおよび周囲電極３にそ
れぞれ対向する位置に、中心電極４ａ，４ｂ，４ｃおよ
び周囲電極５を形成している。この例では、上面の中心
電極２ａ，２ｂ，２ｃの長さをＬ３、下面の中心電極２
ａ，２ｃの長さをＬ３’、２ｂの長さをＬ３”として、
上下の中心電極同士の重なる長さを、１・３段目と２段
目とで異ならせている。また、誘電体基板１の上面に、
中心電極２ａ，２ｃとそれらの両側の周囲電極３との間
を結ぶミアンダ状の線路８ａ，８ｂを形成している。
には、それぞれ開放端を有する互いに平行な中心電極２
ａ，２ｂ，２ｃと、これらの中心電極の両側部に沿って
周囲電極３を形成している。誘電体基板１の下面には、
上面の中心電極２ａ，２ｂ，２ｃおよび周囲電極３にそ
れぞれ対向する位置に、中心電極４ａ，４ｂ，４ｃおよ
び周囲電極５を形成している。この例では、上面の中心
電極２ａ，２ｂ，２ｃの長さをＬ３、下面の中心電極２
ａ，２ｃの長さをＬ３’、２ｂの長さをＬ３”として、
上下の中心電極同士の重なる長さを、１・３段目と２段
目とで異ならせている。また、誘電体基板１の上面に、
中心電極２ａ，２ｃとそれらの両側の周囲電極３との間
を結ぶミアンダ状の線路８ａ，８ｂを形成している。
【００４８】誘電体基板１の周囲には、上下面の周囲電
極同士を導通させる複数のヴィアホール１１を形成して
いる。このように誘電体基板上下面の周囲電極同士をヴ
ィアホール１１で導通させることによって、誘電体基板
の上下面の電極パターンに起因するスプリアス応答を抑
制する。
極同士を導通させる複数のヴィアホール１１を形成して
いる。このように誘電体基板上下面の周囲電極同士をヴ
ィアホール１１で導通させることによって、誘電体基板
の上下面の電極パターンに起因するスプリアス応答を抑
制する。
【００４９】なお、フィルタの外部結合は、線路８ａ，
８ｂの折り返し数によって、最適化する。
８ｂの折り返し数によって、最適化する。
【００５０】図２０は、図１９に示したヴィアホールに
よりスプリアス抑制したフィルタと、ヴィアホールを形
成していない通常のフィルタについて、通過特性と反射
特性の比較を示すものである。ここで、Ｓ２１は通過特
性、Ｓ１１は反射特性であり、(original filter) はヴ
ィアホールを形成していない通常のフィルタであるこ
と、(modified filter) はヴィアホールによりスプリア
ス抑制したフィルタであることをそれぞれ示している。
この図より、２段の共振器から成るフィルタの場合と同
様に、ヴィアホールを形成したフィルタでは、スプリア
ス特性が大幅に改善されている。このフィルタの中心周
波数Ｆ０の２倍（２Ｆ０）での減衰量は３１．２ｄＢ、
３倍（３Ｆ０）での減衰量は３８．４ｄＢであり、十分
なスプリアス応答の抑制ができている。このように、３
段の共振器によるフィルタでありながら、スプリアス特
性を改善したことにより、このフィルタは様々な応用が
可能になる。
よりスプリアス抑制したフィルタと、ヴィアホールを形
成していない通常のフィルタについて、通過特性と反射
特性の比較を示すものである。ここで、Ｓ２１は通過特
性、Ｓ１１は反射特性であり、(original filter) はヴ
ィアホールを形成していない通常のフィルタであるこ
と、(modified filter) はヴィアホールによりスプリア
ス抑制したフィルタであることをそれぞれ示している。
この図より、２段の共振器から成るフィルタの場合と同
様に、ヴィアホールを形成したフィルタでは、スプリア
ス特性が大幅に改善されている。このフィルタの中心周
波数Ｆ０の２倍（２Ｆ０）での減衰量は３１．２ｄＢ、
３倍（３Ｆ０）での減衰量は３８．４ｄＢであり、十分
なスプリアス応答の抑制ができている。このように、３
段の共振器によるフィルタでありながら、スプリアス特
性を改善したことにより、このフィルタは様々な応用が
可能になる。
【００５１】次に、第１１の実施形態に係る通信装置の
構成例を図２１に示すブロック図を参照して説明する。
図２１においてＡＮＴは送受信アンテナ、ＤＰＸはデュ
プレクサ、ＢＰＦａ，ＢＰＦｂ，ＢＰＦｃはそれぞれ帯
域通過フィルタ、ＡＭＰａ，ＡＭＰｂはそれぞれ増幅回
路、ＭＩＸａ，ＭＩＸｂはそれぞれミキサ、ＯＳＣはオ
シレータ、ＤＩＶは分周器（シンセサイザー）である。
ＶＣＯは送信信号（送信データ）に応じた信号により発
振周波数を変調する電圧制御発振器である。
構成例を図２１に示すブロック図を参照して説明する。
図２１においてＡＮＴは送受信アンテナ、ＤＰＸはデュ
プレクサ、ＢＰＦａ，ＢＰＦｂ，ＢＰＦｃはそれぞれ帯
域通過フィルタ、ＡＭＰａ，ＡＭＰｂはそれぞれ増幅回
路、ＭＩＸａ，ＭＩＸｂはそれぞれミキサ、ＯＳＣはオ
シレータ、ＤＩＶは分周器（シンセサイザー）である。
ＶＣＯは送信信号（送信データ）に応じた信号により発
振周波数を変調する電圧制御発振器である。
【００５２】ＭＩＸａはＤＩＶから出力される周波数信
号を変調信号で変調し、ＢＰＦａは送信周波数の帯域の
みを通過させ、ＡＭＰａはこれを電力増幅してＤＰＸを
介しＡＮＴより送信する。ＡＭＰｂはＤＰＸから出力さ
れる受信信号を増幅する。ＢＰＦｂはその増幅信号のう
ち受信周波数帯域のみを通過させる。ＭＩＸｂはＢＰＦ
ｃより出力される周波数信号と受信信号とをミキシング
して中間周波信号ＩＦを出力する。
号を変調信号で変調し、ＢＰＦａは送信周波数の帯域の
みを通過させ、ＡＭＰａはこれを電力増幅してＤＰＸを
介しＡＮＴより送信する。ＡＭＰｂはＤＰＸから出力さ
れる受信信号を増幅する。ＢＰＦｂはその増幅信号のう
ち受信周波数帯域のみを通過させる。ＭＩＸｂはＢＰＦ
ｃより出力される周波数信号と受信信号とをミキシング
して中間周波信号ＩＦを出力する。
【００５３】図２１に示したデュプレクサＤＰＸ部分に
は第８の実施形態として示したデュプレクサを用いる。
また帯域通過フィルタＢＰＦａ，ＢＰＦｂ，ＢＰＦｃに
は、第１〜第７の実施形態として示した誘電体フィルタ
を用いる。このようにして、所望の周波数帯域を低挿入
損失で通過させる小型のフィルタまたはデュプレクサを
用いることにより、高周波回路特性に優れた小型の通信
装置が得られる。
は第８の実施形態として示したデュプレクサを用いる。
また帯域通過フィルタＢＰＦａ，ＢＰＦｂ，ＢＰＦｃに
は、第１〜第７の実施形態として示した誘電体フィルタ
を用いる。このようにして、所望の周波数帯域を低挿入
損失で通過させる小型のフィルタまたはデュプレクサを
用いることにより、高周波回路特性に優れた小型の通信
装置が得られる。
【００５４】
【発明の効果】この発明によれば、所定の共振周波数を
得るための電極パターン寸法および誘電体基板の寸法が
縮小化でき、さらに、共振器の無負荷Ｑが高くなるた
め、挿入損失の低いフィルタ特性が得られる。
得るための電極パターン寸法および誘電体基板の寸法が
縮小化でき、さらに、共振器の無負荷Ｑが高くなるた
め、挿入損失の低いフィルタ特性が得られる。
【００５５】また、この発明によれば、周囲電極の不連
続部をワイヤーやエアブリッジで接続したり、静電容量
をとるための部品が不要となり、誘電体基板上面の電極
パターンだけで信号の入出力が行えるようになり、製造
が容易となる。
続部をワイヤーやエアブリッジで接続したり、静電容量
をとるための部品が不要となり、誘電体基板上面の電極
パターンだけで信号の入出力が行えるようになり、製造
が容易となる。
【００５６】また、この発明によれば、誘電体基板の上
面および下面における周囲電極同士をヴィアホールで導
通させることにより、スプリアス応答が抑制され、優れ
た通過特性および反射特性が得られる。
面および下面における周囲電極同士をヴィアホールで導
通させることにより、スプリアス応答が抑制され、優れ
た通過特性および反射特性が得られる。
【００５７】また、この発明によれば、上記のフィルタ
またはデュプレクサを例えば高周波回路部において送信
信号または受信信号の処理部分に用いることによって、
小型且つ電力利用効率の高い特性が得られる。
またはデュプレクサを例えば高周波回路部において送信
信号または受信信号の処理部分に用いることによって、
小型且つ電力利用効率の高い特性が得られる。
【図１】第１の実施形態に係るフィルタの構成を示す図
【図２】同フィルタの他の構成例を示す図
【図３】同フィルタの共振モードを電界分布で示した図
【図４】同フィルタの共振モードを電界分布で示した図
【図５】第２の実施形態に係るフィルタの構成図
【図６】第３の実施形態に係るフィルタの構成図
【図７】第４の実施形態に係るフィルタの構成図
【図８】第５の実施形態に係るフィルタの構成図
【図９】同フィルタの部分拡大図
【図１０】同フィルタの通過特性および反射特性を示す
図
図
【図１１】第６の実施形態に係るフィルタの構成図
【図１２】第７の実施形態に係るフィルタの構成図
【図１３】同フィルタの各部の寸法と特性変化の例を示
す図
す図
【図１４】線路部の長さＬ２とＱｅとの関係を示す図
【図１５】同フィルタおよび従来のフィルタの通過特性
の比較例を示す図
の比較例を示す図
【図１６】第８の実施形態に係るデュプレクサの構成図
【図１７】第９の実施形態に係るフィルタの構成図
【図１８】同フィルタの特性例を示す図
【図１９】第１０の実施形態に係るフィルタの構成図
【図２０】同フィルタの特性例を示す図
【図２１】第１１の実施形態に係る通信装置の構成を示
すブロック図
すブロック図
【図２２】従来のフィルタの構成図
１−誘電体基板 ２，４−中心電極 ３，５−周囲電極 ６−入出力電極 ７−ワイヤ ８−線路 ９−側面電極 １０−入出力電極 １１，１２−ヴィアホール
Claims (5)
- 【請求項１】 それぞれ開放端を有する中心電極パター
ンと、該中心電極パターンの側部に沿った周囲電極と
を、誘電体基板の上面に複数組平行に配置するととも
に、該誘電体基板の下面に、前記中心電極と周囲電極に
それぞれ対向する中心電極と周囲電極とを形成して成る
フィルタ。 - 【請求項２】 前記誘電体基板上面または下面の中心電
極と該中心電極の側部の周囲電極との間に線路を設け、
前記中心電極の端部を入出力部とした請求項１に記載の
フィルタ。 - 【請求項３】 前記誘電体基板の上面および下面におけ
る前記周囲電極同士を導通させるヴィアホールを形成し
た請求項１または２に記載のフィルタ。 - 【請求項４】 送信信号入力ポートと送受共用入出力ポ
ートとの間、および該送受共用入出力ポートと受信信号
出力ポートとの間に、請求項１〜３のうちいずれかに記
載のフィルタを、送信フィルタおよび受信フィルタとし
てそれぞれ設けて成るデュプレクサ。 - 【請求項５】 請求項１〜３のうちいずれかに記載のフ
ィルタまたは請求項４に記載のデュプレクサを設けて成
る通信装置。
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