JP2001279011A - Method for forming film on plastic substrate - Google Patents
Method for forming film on plastic substrateInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電子材料分野等に
おいて有用なプラスチック基板上への成膜方法に関し、
さらに詳しくは、無機膜を有するプラスチック基板の製
造方法に関する。The present invention relates to a method for forming a film on a plastic substrate useful in the field of electronic materials and the like.
More specifically, the present invention relates to a method for manufacturing a plastic substrate having an inorganic film.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、電子材料分野の中でも特に携帯用
機器の分野において、軽い、割れないなどの理由で、プ
ラスチック化が進んでいる。中でも液晶表示用基板は、
汎用的には耐熱性、寸法安定性、ガスバリヤー性等に優
れるガラスが用いられているが、プラスチックに置き換
えようと様々な試みがなされている。例えば、特開昭5
9−204545号公報のようにポリメチルメタクリレ
ート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、また
はポリエチレンテレフタレート等の一般的な熱可塑性樹
脂上に、SiOxアンダーコート膜、ITO(Indi
um tin oxide)膜の順序に有する電極基板
が提案されている。このように、プラスチック基板に酸
化錫膜やITO膜等の電極膜を、真空蒸着、スパッタリ
ング法、イオンプレーティング法等により成膜するのが
一般的であるが、低抵抗な膜を得るためには加熱下での
成膜が必要であり、基材との熱膨張率の違いによって発
生する反り等が問題となっている。また、基板にガスバ
リヤー性を持たせるためにSiO2等の無機膜を設けて
いる場合、電極膜の応力によってクラック等が発生する
おそれもある。この問題を解決するために、特開平5−
66411号公報に記載されている基板のコート層の一
方を厚くする方法や、特開平7−175055号公報に
記載されている、基板の両面に透明導電膜を施し、後で
剥離する方法が提案されているが、工程の増加は避けら
れず、生産性から考えて好ましくない。また、特開平7
−64067号公報に見られるような樹脂基板を予め曲
率をかけて製造する方法等が提案されているが、最終的
に基板に歪みが残っていることになり、生産性を考えて
も好ましくない。2. Description of the Related Art In recent years, in the field of electronic materials, particularly in the field of portable equipment, plasticization has been promoted for reasons such as lightness and cracking. Among them, substrates for liquid crystal displays
Generally, glass having excellent heat resistance, dimensional stability, gas barrier properties, and the like is used, but various attempts have been made to replace it with plastic. For example, JP
9-204545 Patent polymethylmethacrylate as publication, polycarbonate, polyethersulfone, or on general thermoplastic resins such as polyethylene terephthalate,, SiO x undercoat film, ITO (Indi
An electrode substrate having an order of um tin oxide) has been proposed. As described above, an electrode film such as a tin oxide film or an ITO film is generally formed on a plastic substrate by vacuum evaporation, sputtering, ion plating, or the like. Requires film formation under heating, and there is a problem such as warpage caused by a difference in thermal expansion coefficient with the base material. Further, when an inorganic film such as SiO 2 is provided on the substrate to provide gas barrier properties, cracks and the like may occur due to stress of the electrode film. To solve this problem, Japanese Unexamined Patent Publication No.
A method of thickening one of the coat layers of a substrate described in JP-A-66411 or a method of applying a transparent conductive film to both surfaces of a substrate and peeling it later described in JP-A-7-175055 are proposed. However, an increase in the number of steps is inevitable, which is not preferable in terms of productivity. Also, Japanese Patent Application Laid-Open
Japanese Patent Application Laid-Open No. 64067/1994 proposes a method of manufacturing a resin substrate by applying a curvature in advance. However, distortion is finally left on the substrate, which is not preferable in terms of productivity. .
【0003】また、低温下で電極膜を成膜する試み等も
なされているが、このような電極基板において、低抵
抗、耐薬品性、密着性等の要求特性を十分に満足できる
ものは未だ知られていない。Attempts have also been made to form an electrode film at a low temperature, but none of such electrode substrates can sufficiently satisfy the required characteristics such as low resistance, chemical resistance and adhesion. unknown.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、プラスチッ
ク基板上に無機膜等を成膜する際に、成膜応力からくる
反り、クラック等の発生をおさえることを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to suppress the occurrence of warpage, cracks and the like caused by film forming stress when forming an inorganic film or the like on a plastic substrate.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するため鋭意検討した結果、プラスチック基板上
に、該基板と熱膨張係数の異なる膜を成膜する方法にお
いて、成膜した後常温で平坦になるような曲率に基板を
曲げて成膜することによって、応力歪み、成膜後の反り
が抑えられることを見出し、本発明を完成するに到った
ものである。Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have made intensive studies to solve the above-mentioned problems, and as a result, have formed a film having a different thermal expansion coefficient from a plastic substrate on a plastic substrate. The inventors have found that by forming a film by bending the substrate to have a curvature such that the substrate becomes flat at room temperature, stress distortion and warpage after film formation can be suppressed, and the present invention has been completed.
【0006】すなわち、本発明は、 プラスチック基板上に、該基板と熱膨張係数の異なる
薄膜を成膜する方法において、成膜後常温で平坦になる
ような曲率に基板を曲げて成膜することを特徴とする、
プラスチック基板の成膜方法、 薄膜が金属酸化物膜よりなる透明導電膜であることを
特徴とする、に記載のプラスチック基板の成膜方法、 プラスチック基板が、予め該基板上に無機ガスバリヤ
ー膜を有していることを特徴とする、またはに記載
のプラスチック基板の成膜方法、 該プラスチック基板が、予め基板上に液相析出法にて
成膜されるSiO2膜を有していることを特徴とする、
〜のいずれかに記載のプラスチック基板の成膜方
法、 プラスチック基板が、1分子中に、下記一般式(1)
(化3)で表される官能基と、下記一般式(2)または
(3)(化3)で表される官能基とを兼備する単量体
(A)を重合してなる樹脂(樹脂−a)、That is, the present invention provides a method for forming a thin film having a different thermal expansion coefficient from a plastic substrate on a plastic substrate, wherein the film is formed by bending the substrate to have a curvature such that it becomes flat at room temperature after the formation. Characterized by
A method of forming a plastic substrate, wherein the thin film is a transparent conductive film made of a metal oxide film, wherein the plastic substrate has an inorganic gas barrier film formed on the substrate in advance. The method for forming a plastic substrate according to any one of claims 1 to 3, wherein the plastic substrate has a SiO 2 film formed in advance by a liquid phase deposition method on the substrate. Features,
The method for forming a plastic substrate according to any one of the above, wherein the plastic substrate has the following general formula (1) in one molecule:
Resin (resin) obtained by polymerizing a monomer (A) having both a functional group represented by the following formula (2) and a functional group represented by the following general formula (2) or (3): -A),
【0007】[0007]
【化3】 Embedded image
【0008】(上式中、R1は水素原子またはメチル基
を表し、Xは酸素原子または硫黄原子を表す。) または、単量体(A)と、下記式(4)、(5)および
(6)(化4)で表される官能基群から選ばれる少なく
とも1種の官能基をm個(mは1〜6の整数を表す)有
する単量体(B)とを共重合してなる樹脂(樹脂−b)
である請求項1〜4のいずれかに記載のプラスチック基
板の成膜方法、に関するものである。(In the above formula, R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group, and X represents an oxygen atom or a sulfur atom.) Alternatively, the monomer (A) and the following formulas (4), (5) and (6) By copolymerizing a monomer (B) having m (m is an integer of 1 to 6) at least one kind of functional group selected from the functional group group represented by (Chem. 4) Resin (resin-b)
A method for forming a film on a plastic substrate according to any one of claims 1 to 4.
【0009】[0009]
【化4】 Embedded image
【0010】[0010]
【発明の実施の形態】本発明のプラスチック基板の成膜
方法は、基板に予め曲率をかけた状態で薄膜を成膜する
ことにより、成膜後の基板の反りを解消するものであ
る。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The method for forming a plastic substrate of the present invention eliminates the warpage of the formed substrate by forming a thin film in a state where the substrate has a predetermined curvature.
【0011】本発明におけるプラスチック基板として
は、任意の樹脂が使用でき、好ましくは、透明樹脂基板
であることが望ましい。例えば、アクリル樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂、ポリエステル、ポリエーテルスルホン
等が挙げられる。中でも耐熱性、リターデーション等の
点から三次元架橋型樹脂、例えば架橋型アクリル系樹脂
等が好ましい。As the plastic substrate in the present invention, any resin can be used, and it is preferable that the plastic substrate is a transparent resin substrate. For example, acrylic resin, polycarbonate resin, polyester, polyether sulfone and the like can be mentioned. Among them, a three-dimensional cross-linkable resin, for example, a cross-linked acrylic resin is preferable from the viewpoint of heat resistance, retardation and the like.
【0012】本発明で用いる三次元架橋構造の樹脂とし
ては、より好ましくは、前記の(樹脂−a)または(樹
脂−b)である。(樹脂−a)は、一分子中に、前記一
般式(1)で表される官能基と、前記一般式(2)また
は(3)で表される官能基とを兼備する単量体(A)
と、前記式(4)、(5)および(6)で表される官能
基群から選ばれた少なくとも一種の官能基をm個(mは
1〜6の整数を表す)有する単量体(B)とを共重合し
てなる樹脂である。これらの(樹脂−a)および(樹脂
−b)は、特開平2−84406号公報、特開平3−1
48042号公報、特開平3−478172号公報、特
開平3−725132号公報、特開平3−179015
号公報、および特開平4−266927号公報等に記載
の方法により製造することができる。The resin having a three-dimensional crosslinked structure used in the present invention is more preferably the above-mentioned (resin-a) or (resin-b). (Resin-a) is a monomer having both a functional group represented by the general formula (1) and a functional group represented by the general formula (2) or (3) in one molecule. A)
And a monomer having m (where m is an integer of 1 to 6) at least one functional group selected from the functional group group represented by the formulas (4), (5) and (6) And B). These (Resin-a) and (Resin-b) are disclosed in JP-A-2-84406, JP-A-3-3-1.
48042, JP-A-3-478172, JP-A-3-725132, JP-A-3-179015
And JP-A-4-266927.
【0013】1分子中に前記一般式(1)で表される官
能基と、一般式(2)または(3)で表される官能基と
を兼備する単量体(A)としては、例えば、イソプロペ
ニル−α,α−ジメチルベンジルイソシアネートと、1
分子中に少なくとも水酸基又はメルカプト基のいずれか
の官能基と一般式(2)または(3)で表される官能基
とを兼備する化合物(化合物P)との反応により得られ
るものである。化合物Pとしては、 1. エポキシ基又はチイラン基をアクリル酸又はメタク
リル酸で開環させて得られる化合物類、例えば、ヒドロ
キシエチルアクリレート、ヒドロキシエチルメタクリレ
ート、ヒドロキシプロピルアクリレート、ヒドロキシプ
ロピルメタクリレート、1,4−ブチレングリコールモ
ノアクリレート、1,4−ブチレングリコールモノメタ
クリレート、グリセロール−1,2−ジアクリレート、
グリセロール−1,2−ジメタクリレート、グリセロー
ル−1,3−ジアクリレート、グリセロール−1,3−
ジメタクリレート、グリセロール−1−アクリレート−
3−メタクリレート、 2. フェニルグリシジルエーテル類のアクリル酸又はメ
タクリル酸の開環反応物、例えば、3−フェノキシ−2
−ヒドロキシプロピルアクリレート、3−フェノキシ−
2−ヒドロキシプロピルメタクリレート、2,4−ジブ
ロモフェノキシ−2−ヒドロキシプロピルアクリレー
ト、2,4−ジブロモフェノキシ−2−ヒドロキシプロ
ピルメタクリレート、 3. ビスフェノールA−ジグリシジルエーテルのアクリ
ル酸又はメタクリル酸の開環反応物、 4. ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエ
リスリトールトリメタクリレート、 5. ビニルベンジルアルコール、ビニルチオベンジルア
ルコール、 6. ビス(アクリロイルオキシエチル)イソシアヌレー
ト、ビス(メタクリロイルオキシエチル)イソシアヌレ
ート等が挙げられる。The monomer (A) having both the functional group represented by the general formula (1) and the functional group represented by the general formula (2) or (3) in one molecule includes, for example, , Isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl isocyanate and 1
It is obtained by reacting a compound (compound P) having at least either a hydroxyl group or a mercapto group in the molecule and a functional group represented by the general formula (2) or (3). Examples of the compound P include: 1. Compounds obtained by opening a ring of an epoxy group or a thiirane group with acrylic acid or methacrylic acid, for example, hydroxyethyl acrylate, hydroxyethyl methacrylate, hydroxypropyl acrylate, hydroxypropyl methacrylate, 1,4- Butylene glycol monoacrylate, 1,4-butylene glycol monomethacrylate, glycerol-1,2-diacrylate,
Glycerol-1,2-dimethacrylate, glycerol-1,3-diacrylate, glycerol-1,3-
Dimethacrylate, glycerol-1-acrylate-
3-methacrylate, 2. Ring-opening reaction product of acrylic acid or methacrylic acid of phenylglycidyl ethers, for example, 3-phenoxy-2
-Hydroxypropyl acrylate, 3-phenoxy-
2-hydroxypropyl methacrylate, 2,4-dibromophenoxy-2-hydroxypropyl acrylate, 2,4-dibromophenoxy-2-hydroxypropyl methacrylate, 3. Ring opening reaction of acrylic acid or methacrylic acid of bisphenol A-diglycidyl ether Pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, 5. vinylbenzyl alcohol, vinylthiobenzyl alcohol, 6. bis (acryloyloxyethyl) isocyanurate, bis (methacryloyloxyethyl) isocyanurate, and the like.
【0014】すなわち、単量体Aは、カルバミン酸エス
テル又はチオカルバミン酸エステルであり、例えば、イ
ソプロペニル−α,α−ジメチルベンジルイソシアネー
トのイソシアネート基を、化合物Pの水酸基またはメル
カプト基との反応によって得られる。この反応において
は、合成反応が進み易いように、ジブチルスズジラウレ
ートやジメチルスズジクロライド等のスズ化合物、又は
モルフォリン、ジメチルアミノベンゼン等のアミン類を
加えて行なっても良い。なお、後の重合の際のラジカル
反応での着色を防ぐためには、スズ化合物を選択するこ
とが好ましい。又、反応の際に溶媒を用いた場合は、合
成反応の後に溶媒を留去し、精製あるいは精製せずに単
量体(A)を得る。That is, the monomer A is a carbamate or a thiocarbamate, for example, by reacting an isocyanate group of isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl isocyanate with a hydroxyl group or a mercapto group of the compound P. can get. In this reaction, a tin compound such as dibutyltin dilaurate or dimethyltin dichloride, or an amine such as morpholine or dimethylaminobenzene may be added so that the synthesis reaction proceeds easily. Note that it is preferable to select a tin compound in order to prevent coloring due to a radical reaction at the time of subsequent polymerization. When a solvent is used during the reaction, the solvent is distilled off after the synthesis reaction, and the monomer (A) is obtained without purification or without purification.
【0015】単量体(A)としては、具体的には、N−
(3−イソプロペニル−α,α−ジメチルベンジル)−
2−アクリロイルオキシエチルカルバメート、N−(3
−イソプロペニル−α,α−ジメチルベンジル)−2−
メタクリロイルオキシエチルカルバメート、N−(4−
イソプロペニル−α,α−ジメチルベンジル)−2−ア
クリロイルオキシエチルカルバメート、N−(4−イソ
プロペニル−α,α−ジメチルベンジル)−2−メタク
リロイルオキシエチルカルバメート、N−(3−イソプ
ロペニル−α,α−ジメチルベンジル)−1−アクリロ
イルオキシプロパン−2−イルカルバメート、N−(3
−イソプロペニル−α,α−ジメチルベンジル)−1−
メタクリロイルオキシプロパン−2−イルカルバメー
ト、N−(4−イソプロペニル−α,α−ジメチルベン
ジル)−1−アクリロイルオキシプロパン−2−イルカ
ルバメート、N−(3−イソプロペニル−α,α−ジメ
チルベンジル)−1,3−ジアクリロイルオキシプロパ
ン−2−イルカルバメート、N−(3−イソプロペニル
−α,α−ジメチルベンジル)−1,3−ジメタクリロ
イルオキシプロパン−2−イルカルバメート、N−(3
−イソプロペニル−α,α−ジメチルベンジル)−1−
アクリロイルオキシ−3−メタクリロイルオキシプロパ
ン−2−イルカルバメート、N−(4−イソプロペニル
−α,α−ジメチルベンジル)−1,3−ジアクリロイ
ルオキシプロパン−2−イルカルバメート、N−(3−
イソプロペニル−α,α−ジメチルベンジル)−2,2
−ジアクリロイルオキシメチル−3−アクリロイルオキ
シプロピルカルバメート、N−(4−イソプロペニル−
α,α−ジメチルベンジル)−2,2−ジメタクリロイ
ルオキシメチル−3−メタクリロイルオキシプロピルカ
ルバメート等が挙げられる。また、イソシアネート化合
物とメルカプト基との反応によるものとしては、上記の
カルバメートがチオカルバメートになった化合物が挙げ
られる。As the monomer (A), specifically, N-
(3-isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl)-
2-acryloyloxyethyl carbamate, N- (3
-Isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl) -2-
Methacryloyloxyethyl carbamate, N- (4-
Isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl) -2-acryloyloxyethyl carbamate, N- (4-isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl) -2-methacryloyloxyethyl carbamate, N- (3-isopropenyl-α , Α-dimethylbenzyl) -1-acryloyloxypropan-2-ylcarbamate, N- (3
-Isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl) -1-
Methacryloyloxypropan-2-ylcarbamate, N- (4-isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl) -1-acryloyloxypropan-2-ylcarbamate, N- (3-isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl) ) -1,3-Diacryloyloxypropan-2-ylcarbamate, N- (3-isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl) -1,3-dimethacryloyloxypropan-2-ylcarbamate, N- (3
-Isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl) -1-
Acryloyloxy-3-methacryloyloxypropan-2-ylcarbamate, N- (4-isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl) -1,3-diacryloyloxypropan-2-ylcarbamate, N- (3-
Isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl) -2,2
-Diacryloyloxymethyl-3-acryloyloxypropylcarbamate, N- (4-isopropenyl-
α, α-dimethylbenzyl) -2,2-dimethacryloyloxymethyl-3-methacryloyloxypropylcarbamate. In addition, as a compound obtained by a reaction between an isocyanate compound and a mercapto group, a compound in which the above carbamate is converted to a thiocarbamate is used.
【0016】単量体(B)は、前記の式(4)、(5)
および(6)で表される官能基群から選ばれる少なくと
も一種の官能基をm個(mは1〜6の整数を表す)有す
るものであり、アクリル酸、メタクリル酸のエステル、
または、スチレンの誘導体である。The monomer (B) is represented by the above formula (4) or (5)
And m (where m represents an integer of 1 to 6) at least one kind of functional group selected from the functional group group represented by (6), and an ester of acrylic acid or methacrylic acid;
Alternatively, it is a derivative of styrene.
【0017】m=1のものとしては、例えば、メチルア
クリレート、メチルメタクリレート、エチルアクリレー
ト、エチルメタクリレート、プロピルアクリレート、プ
ロピルメタクリレート、イソプロピルアクリレート、イ
ソプロピルメタクリレート、シクロヘキシルアクリレー
ト、シクロヘキシルメタクリレート、ベンジルアクリレ
ート、ベンジルメタクリレート、メトキシエチルアクリ
レート、メトキシエチルメタクリレート、2−ヒドロキ
シエチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルメタクリ
レート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、2−ヒ
ドロキシプロピルメタクリレート、1,4−ブチレング
リコールモノアクリレート、1,4−ブチレングリコー
ルモノメタクリレート、グリシジルアクリレート、グリ
シジルメタクリレート、スチレン、メチルスチレン、ク
ロロスチレン、ブロモスチレン、クロロメチルスチレ
ン、メトキシスチレン等が挙げられる。Examples of m = 1 include methyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl acrylate, ethyl methacrylate, propyl acrylate, propyl methacrylate, isopropyl acrylate, isopropyl methacrylate, cyclohexyl acrylate, cyclohexyl methacrylate, benzyl acrylate, benzyl methacrylate, methoxy Ethyl acrylate, methoxyethyl methacrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, 1,4-butylene glycol monoacrylate, 1,4-butylene glycol monomethacrylate, glycidyl Acrylate, glycidyl methacrylate DOO, styrene, methyl styrene, chlorostyrene, bromostyrene, chloromethylstyrene, methoxystyrene, and the like.
【0018】m≧2のものとしては、例えば、エチレン
グリコールジアクリレート、エチレングリコールメタク
リレート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエ
チレングリコールジメタクリレート、プロピレングリコ
ールジアクリレート、プロピレングリコールジメタクリ
レート、ジプロピレングリコールジアクリレート、ジプ
ロピレングリコールジメタクリレート、2,2−ビス
(4−アクリロイルオキシエトキシフェニル)プロパ
ン、2,2−ビス(4−メタクリロイルオキシエトキシ
フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−アクリロイル
オキシジエトキシフェニル)プロパン、2,2−ビス
(4−メタクリロイルオキシジエトキシフェニル)プロ
パン、2,2−ビス(4−アクリロイルオキシプロピロ
イルフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−メタクリ
ロイルオキシプロピロイルフェニル)プロパン、1,3
−ブタンジオールジアクリレート、1,3−ブタンジオ
ールジメタクリレート、1,4−ブタンジオールジアク
リレート、1,4−ブタンジオールジメタクリレート、
1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、1,6−ヘ
キサンジオールジメタクリレート、ネオペンチルグリコ
ールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジメタク
リレート、ヒドロキシビバリン酸ネオペンチルグリコー
ルエステルジアクリレート、スピログリコールジアクリ
レート、スピログリコールジメタクリレート、エポキシ
アクリレート、エポキシメタクリレート、2−プロペノ
イックアシッド〔2−(1,1−ジメチル−2−〔(1
−オキソ−2−プロペニル)オキシ)エチル〕−5−エ
チル−1,3−ジオキサン−5−イル〕メチルエステ
ル、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメ
チロールプロパントリメタクリレート、ペンタエリスリ
トールトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリメ
タクリレート、ビス(アクリロイルオキシエチル)ヒド
ロキシエチルイソシアヌレート、ビス(メタクリロイル
オキシエチル)ヒドロキシエチルイソシアヌレート、ト
リス(アクリロイルオキシエチル)ヒドロキシエチルイ
ソシアヌレート、トリス(メタクリロイルオキシエチ
ル)ヒドロキシエチルイソシアヌレート、ペタエリスリ
トールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテト
ラメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアク
リレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレー
ト、メチルトリ(アクリロイルオキシエトキシ)シラ
ン、グリセロールジアクリレート、グリセロールジメタ
クリレート、ジブロムネオペンチルグリコールジアクリ
レート、ジビニルベンゼン、ウレタンアクリレート類、
ウレタンメタクリレート類、1,1,3,3,5,5−
ヘキサ(アクリロイルオキシ)シクロトリホスファゼ
ン、1,1,3,3,5,5−ヘキサ(メタクリロイル
オキシ)シクロトリホスファゼン、1,1,3,3,
5,5−ヘキサ(アクリロイルエチレンジオキシ)シク
ロトリホスファゼン等が挙げられる。Examples of those having m ≧ 2 include ethylene glycol diacrylate, ethylene glycol methacrylate, diethylene glycol diacrylate, diethylene glycol dimethacrylate, propylene glycol diacrylate, propylene glycol dimethacrylate, dipropylene glycol diacrylate, and dipropylene glycol diacrylate. Methacrylate, 2,2-bis (4-acryloyloxyethoxyphenyl) propane, 2,2-bis (4-methacryloyloxyethoxyphenyl) propane, 2,2-bis (4-acryloyloxydiethoxyphenyl) propane, 2, 2-bis (4-methacryloyloxydiethoxyphenyl) propane, 2,2-bis (4-acryloyloxypropyroylphenyl) propane 2,2-bis (4-methacryloyloxy propylonitrile yl) propane, 1,3
-Butanediol diacrylate, 1,3-butanediol dimethacrylate, 1,4-butanediol diacrylate, 1,4-butanediol dimethacrylate,
1,6-hexanediol diacrylate, 1,6-hexanediol dimethacrylate, neopentyl glycol diacrylate, neopentyl glycol dimethacrylate, hydroxypentivalate neopentyl glycol ester diacrylate, spiro glycol diacrylate, spiro glycol dimethacrylate , Epoxy acrylate, epoxy methacrylate, 2-propenoic acid [2- (1,1-dimethyl-2-[(1
-Oxo-2-propenyl) oxy) ethyl] -5-ethyl-1,3-dioxan-5-yl] methyl ester, trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol trimethacrylate Bis (acryloyloxyethyl) hydroxyethyl isocyanurate, bis (methacryloyloxyethyl) hydroxyethyl isocyanurate, tris (acryloyloxyethyl) hydroxyethyl isocyanurate, tris (methacryloyloxyethyl) hydroxyethyl isocyanurate, petaerythritol tetraacrylate, Pentaerythritol tetramethacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, dipentae Sri Tall hexa methacrylate, methyl tri (acryloyloxyethoxy) silane, glycerol diacrylate, glycerol dimethacrylate, dibromo neopentyl glycol diacrylate, divinylbenzene, urethane acrylates,
Urethane methacrylates, 1,1,3,3,5,5-
Hexa (acryloyloxy) cyclotriphosphazene, 1,1,3,3,5,5-hexa (methacryloyloxy) cyclotriphosphazene, 1,1,3,3
5,5-hexa (acryloylethylenedioxy) cyclotriphosphazene and the like.
【0019】単量体(A)は、単独で重合可能な単量体
であり、単独重合させることにより(樹脂−a)が得ら
れる。また、単量体(A)と単量体(B)とを共重合さ
せることにより(樹脂−b)が得られる。この共重合に
おける単量体(A)と単量体(B)との単量体の比率
は、各単量体の有する官能基の種類及び単量体の構造な
どにより一概には決められないが、単量体(A)中のイ
ソプロペニルフェニル基1当量に対して、単量体(A)
中の式(2)または(3)で表される官能基、および、
単量体(B)中の式(4)、(5)または(6)で表さ
れる官能基群の総和が0.5当量〜10当量の範囲であ
ることが好ましい。The monomer (A) is a monomer that can be polymerized alone, and (Resin-a) can be obtained by homopolymerization. Further, (Resin-b) can be obtained by copolymerizing the monomer (A) and the monomer (B). The ratio of the monomers (A) and (B) in this copolymerization cannot be determined unconditionally depending on the type of the functional group of each monomer and the structure of the monomer. Is the monomer (A) based on 1 equivalent of the isopropenylphenyl group in the monomer (A).
A functional group represented by the formula (2) or (3), and
It is preferable that the total of the functional groups represented by the formula (4), (5) or (6) in the monomer (B) is in the range of 0.5 equivalent to 10 equivalent.
【0020】次に、本発明の三次元架橋樹脂基板の製造
法について述べる。本発明の三次元架橋樹脂基板は、好
ましくは、前記の単量体(A)、または単量体(A)と
(B)の混合物を、注型重合用鋳型の空間部に注入し、
重合硬化させることによって得られる透明な三次元架橋
構造の樹脂である。本発明で用いる樹脂の重合はラジカ
ル重合であり、熱重合のみならず、紫外線やγ線を用い
た重合も可能であり、更にこれらを組み合わせて重合を
行うこともできるが、熱重合法が簡便で特に好ましい。
熱重合を行う際のラジカル重合開始剤は特に限定され
ず、公知のベンゾイルパーオキサイド、p−クロロベン
ゾイルパーオキサイド、ジイソプロピルパーオキシカー
ボネート、ジ−2−エチルヘキシルパーオキシカーボネ
ート、t−ブチルパーオキシピバレート等の過酸化物、
アゾビスイソブチロニトリル等のアゾ化合物が使用でき
る。その使用量は単量体の総量に対し、0.01重量%
〜5重量%である。熱重合における加熱温度は、50℃
〜200℃であり、加熱時間は1時間〜8時間である。Next, a method for producing the three-dimensionally crosslinked resin substrate of the present invention will be described. Preferably, the three-dimensional crosslinked resin substrate of the present invention is obtained by injecting the monomer (A) or a mixture of the monomers (A) and (B) into a space of a casting polymerization mold.
It is a resin having a transparent three-dimensional crosslinked structure obtained by polymerization and curing. Polymerization of the resin used in the present invention is radical polymerization, not only thermal polymerization, but also polymerization using ultraviolet rays or γ-rays is possible, and polymerization can be performed by further combining them. Is particularly preferred.
The radical polymerization initiator when performing the thermal polymerization is not particularly limited, and known benzoyl peroxide, p-chlorobenzoyl peroxide, diisopropylperoxycarbonate, di-2-ethylhexylperoxycarbonate, t-butylperoxypivalate Peroxides, such as
An azo compound such as azobisisobutyronitrile can be used. The amount used is 0.01% by weight based on the total amount of the monomers.
~ 5% by weight. Heating temperature in thermal polymerization is 50 ° C
To 200 ° C., and the heating time is 1 hour to 8 hours.
【0021】紫外線硬化による場合の光増感剤について
も特に限定されず、公知のベンゾイン化合物、ベンゾイ
ンメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、2−ヒ
ドロキシ−2−ベンゾインプロパン、アゾビスイソビチ
ロニトリル、ベンジルジメチルケタール、ジフェニルジ
スルフィド等が使用でき、その使用量は単量体の総量に
対し、0.01重量%〜5重量%である。γ線などの放
射線を使用する場合は、一般的には重合開始剤などは必
ずしも必要ではない。The photosensitizer in the case of curing by ultraviolet rays is not particularly limited, and is a known benzoin compound, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, 2-hydroxy-2-benzoin propane, azobisisobityronitrile, benzyldimethyl. Ketal, diphenyl disulfide and the like can be used, and the amount used is 0.01% by weight to 5% by weight based on the total amount of the monomers. When radiation such as γ-rays is used, generally, a polymerization initiator or the like is not necessarily required.
【0022】重合前のモノマー液には、本発明の透明樹
脂基板が、経時的に着色したり、劣化することを防止す
るために、また、帯電を防止するために、予め酸化防止
剤、または帯電防止剤などを加えることができる。更に
必要に応じて、他の反応性モノマーを適宜加えてもよ
い。このようにして調整したモノマー液は、必要に応じ
て、脱泡処理を施して重合に備える。In order to prevent the transparent resin substrate of the present invention from being colored or degraded with time and to prevent electrification, an antioxidant or An antistatic agent or the like can be added. Further, if necessary, other reactive monomers may be appropriately added. The monomer liquid thus adjusted is subjected to a defoaming treatment, if necessary, to prepare for polymerization.
【0023】本発明の透明樹脂基板の製造に際して使用
する注型重合用鋳型とは、ガラス、金属、FRP等から
選ばれた板材2枚と、軟質塩化ビニル、エラストマー、
シリコーンゴムまたはテフロン(登録商標)等のシート
状またはチューブ状のガスケット、及びそれらを固定す
るための固定具からなるものである。表面精度に優れた
樹脂板を得るためには、ガラス板やFRP板では表面研
磨されたものが、また、金属板ではメッキ処理が施され
たものが好適である。尚、熱重合の場合には熱による変
質や寸法安定性に欠けるものであってはならないから、
この点にも留意して板材を選択する。固定具は、どのよ
うな形態のものでも良いが、文具用バインダークリップ
などが簡便に利用できる。The casting polymerization mold used in the production of the transparent resin substrate of the present invention includes two plate members selected from glass, metal, FRP and the like, soft vinyl chloride, elastomer,
It comprises a sheet or tube-like gasket such as silicone rubber or Teflon (registered trademark) or the like, and a fixture for fixing them. In order to obtain a resin plate having excellent surface accuracy, a glass plate or an FRP plate preferably has a polished surface, and a metal plate has a plated surface. In the case of thermal polymerization, it should not be one that lacks heat-induced deterioration or dimensional stability.
The plate material is selected in consideration of this point. The fixing tool may be in any form, but a stationery binder clip or the like can be easily used.
【0024】本発明の透明樹脂基板の製造においては、
必ずしも離型剤を必要とはしない。しかし、比較的薄
く、かつ、大型の透明樹脂基板の製造の場合には、より
スムーズに、より良好に離型させるために、離型剤を用
いることができる。この際、離型剤としては、外部離型
剤、内部離型剤のいずれのものも使用できるが、成型工
程の合理化の観点からは、内部離型剤であることが好ま
しい。内部離型剤は、シリコン系、ワックス系、脂肪酸
金属石鹸系、フッ素系、酸性リン酸エステル系等の通常
用いられる内部離型剤から選択することができる。その
使用量は、離型剤の種類や樹脂のモノマーの種類によ
り、一概には決められないが、通常は、単量体の総量に
対し、0.02重量%〜0.3重量%である。0.02
重量%以下では、離型剤の効果は望めず、また0.3重
量%以上を用いても離型性に変わりはない。過剰の使用
は、モノマーのポットライフの低下、樹脂物性の変化等
をもたらす傾向があり、好ましくはない。より好ましい
内部離型剤は、離型性能が特に良く、安価で取扱い易い
酸性リン酸エステル系である。内部離型剤を用いる場合
には、ラジカル開始剤や、その他の添加剤を加える時に
同時に添加する。In the production of the transparent resin substrate of the present invention,
It does not necessarily require a release agent. However, in the case of manufacturing a relatively thin and large transparent resin substrate, a release agent can be used in order to release the mold more smoothly and better. At this time, any of an external release agent and an internal release agent can be used as the release agent, but from the viewpoint of rationalization of the molding process, the internal release agent is preferable. The internal release agent can be selected from commonly used internal release agents such as a silicone type, a wax type, a fatty acid metal soap type, a fluorine type, and an acidic phosphate ester type. The amount used is not generally determined by the type of the release agent or the type of the monomer of the resin, but is usually 0.02% by weight to 0.3% by weight based on the total amount of the monomers. . 0.02
If the content is less than 0.3% by weight, the effect of the release agent cannot be expected, and if the content is more than 0.3% by weight, the releasability is not changed. Excessive use tends to cause a decrease in the pot life of the monomer, a change in the resin properties, and the like, and is not preferred. A more preferred internal release agent is an acidic phosphate ester system which has particularly good release performance and is inexpensive and easy to handle. When an internal release agent is used, it is added at the same time as the radical initiator and other additives are added.
【0025】本発明に用いられるプラスチック基板の厚
みは、通常0.1〜2mm、好ましくは0.2〜1.5
mmであり、更に好ましくは0.3〜1.1mmが適当
である。基板が0.1mm未満である場合には、剛性が
ないため扱いが難しく、また、2mmより厚い場合に
は、曲率をかけるに際してかなりの力が必要となり、生
産性が悪くなる。本発明の薄膜を形成する方法として
は、公知の成膜法、例えばスプレー法、塗布法、真空処
理法など公知の方法が利用できる。ここで真空処理法と
は概ね真空下で金属などの薄膜を形成する方法であっ
て、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティ
ング法、プラズマCVD法、イオンクラスタービーム
法、イオン蒸着薄膜形成法等の方法を用いることが出来
る。さらにこれらの中で、スパッタリング法、イオンプ
レーティング法が好ましく用いられる。本発明の成膜方
法は、これらの方法で成膜を施す際に、成膜後に基板が
平坦になるような曲率に基板を曲げて行うことを特徴と
する。図1に、基板に曲率をかけて成膜する一例を示
す。図1の透明樹脂基板1は、無機ガスバリヤー膜2な
どの各種膜が両面、または片面に施してあっても構わな
い。この基板を、基板保持用治具(ホルダー)3によっ
て所望の曲率に曲げ、図の上部より基板と熱膨張係数の
異なる薄膜を成膜することにより、本発明の薄膜が成膜
されたプラスチック基板が得られる。この場合の曲率と
は、薄膜の成膜温度、基板と薄膜の熱膨張率等によって
決まるものであり、特に限定されるものではない。ま
た、本発明のプラスチック基板の上に設ける基板と熱膨
張係数の異なる薄膜の材料としては、特に限定されるも
のではない。慣用の透明導電層の材料、例えば、金属酸
化物を用いる場合に本発明の方法が有効に用いられる。
具体的には、SnO2、CdO、ZnO、CTO系(C
dSnO3、Cd2SnO4、CdSnO4)、In2
O3、CdIn2O4等が挙げられる。好ましくは、上
記の金属酸化物に、Sn、Sb、F及びAlから選ばれ
る1種または2種以上を添加した複合(ドープ)相であ
る。その中でも好ましいのは、Snを添加したIn2O
3(ITO)、Sbを添加したSnO2、Fを添加した
SnO2等であり、特にITOが好ましく用いられる。
ITO中に含まれる錫の量は、特に限定されないが、イ
ンジウム100に対し0〜25重量部、好ましくは5〜
18重量部が適当である。尚、これらの透明金属酸化物
に微量の不純物が含まれていても構わない。The thickness of the plastic substrate used in the present invention is usually 0.1 to 2 mm, preferably 0.2 to 1.5 mm.
mm, and more preferably 0.3 to 1.1 mm. When the substrate is less than 0.1 mm, it is difficult to handle because of lack of rigidity. When the substrate is thicker than 2 mm, a considerable force is required to apply a curvature, and productivity is deteriorated. As a method of forming the thin film of the present invention, a known film forming method, for example, a known method such as a spray method, a coating method, and a vacuum processing method can be used. Here, the vacuum processing method is a method of forming a thin film of a metal or the like generally under a vacuum, such as a vacuum evaporation method, a sputtering method, an ion plating method, a plasma CVD method, an ion cluster beam method, and an ion deposition thin film formation method. Can be used. Of these, a sputtering method and an ion plating method are preferably used. The film forming method of the present invention is characterized in that, when film formation is performed by these methods, the substrate is bent to have a curvature such that the substrate becomes flat after the film formation. FIG. 1 shows an example of forming a film on a substrate with a curvature. The transparent resin substrate 1 in FIG. 1 may be provided with various films such as an inorganic gas barrier film 2 on both sides or one side. This substrate is bent to a desired curvature by a substrate holding jig (holder) 3, and a thin film having a different thermal expansion coefficient from that of the substrate is formed from the upper part of the figure. Is obtained. The curvature in this case is determined by the temperature at which the thin film is formed, the coefficient of thermal expansion between the substrate and the thin film, and is not particularly limited. The material of the thin film having a different coefficient of thermal expansion from the substrate provided on the plastic substrate of the present invention is not particularly limited. The method of the present invention is effectively used when a material for a conventional transparent conductive layer, for example, a metal oxide is used.
Specifically, SnO 2 , CdO, ZnO, CTO-based (C
dSnO 3 , Cd 2 SnO 4 , CdSnO 4 ), In 2
O 3 and CdIn 2 O 4 are exemplified. Preferably, it is a composite (doped) phase in which one or more selected from Sn, Sb, F and Al are added to the above metal oxide. Among them, In 2 O to which Sn is added is preferable.
3 (ITO), a SnO 2 or the like with the addition of SnO 2, F added with Sb, are particularly ITO is preferable.
The amount of tin contained in the ITO is not particularly limited, but is 0 to 25 parts by weight, preferably 5 to 5 parts by weight, based on indium 100.
18 parts by weight is suitable. Note that these transparent metal oxides may contain a trace amount of impurities.
【0026】これらの薄膜の厚みは、目的や材質に応じ
て任意の厚みにすることができるが、上記金属酸化物の
場合、100〜4000Å、好ましくは200〜300
0Å、更に好ましくは300〜2000Åである。尚、
金属酸化物膜の厚みが100Å以下の場合は十分な導電
性が得られず、さらに透明導電膜としての耐擦傷性が十
分でない。また、4000Å以上の膜厚は、その必要が
ないばかりでなく製造コストのアップにつながり、更に
光の干渉により透明性が低下したり、着色するなど好ま
しくない結果を引き起こす。The thickness of these thin films can be arbitrarily set according to the purpose and material. In the case of the above-mentioned metal oxide, the thickness is 100 to 4000 °, preferably 200 to 300 °.
0 °, more preferably 300 to 2000 °. still,
When the thickness of the metal oxide film is 100 ° or less, sufficient conductivity cannot be obtained, and the scratch resistance as a transparent conductive film is not sufficient. On the other hand, a film thickness of 4000 ° or more not only eliminates the necessity, but also leads to an increase in manufacturing cost, and further causes undesired results such as a decrease in transparency and coloring due to light interference.
【0027】また、本発明の目的を損なわない限りにお
いては、樹脂基板の両面または片面に、一層以上の層が
予め設けてあっても構わない。例えば、基板と透明電極
層との密着性の改善や、基板と透明金属酸化物膜との熱
膨張率の差によって生じるクラックを防止する目的で、
プライマー層を用いる場合もある。このような例として
は、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエステル系
樹脂、ポリアミド系樹脂、ウレタン系樹脂、フェノール
系樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂、エチレン−
ビニルアルコール系重合体、アクリロニトリル−ブタジ
エン系樹脂(例えばABS系樹脂)および塩化ビニル−
酢酸ビニル系樹脂系重合体から選択される少なくとも1
種の樹脂が挙げられ、この中でも、シリコーン樹脂が好
ましく、樹脂と金属酸化物膜の中間的な熱膨張率を有す
るシリコーン系ハードコート材が特に好ましい。シリコ
ーン系ハードコート材は、通常、プラスチックに耐擦傷
性を付与する目的で用いられるものであり、一般に、下
記一般式(7)で示される有機ケイ素化合物、およびそ
の加水分解物、 RnSi(OR’)4−n (7) (R、R’は炭素数1〜10の有機基、nは1〜4の整
数)を主成分とし、必要に応じてコロイド状に分散した
金属酸化物微粒子、硬化触媒、および有機溶剤等を混合
して調製し、塗布、硬化することにより得られるもので
ある。また、これらのシリコーン系樹脂を主成分とする
被膜形成成分には、その特性を損なわない範囲であれ
ば、アクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、エポキシ系
樹脂、メラミン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリビ
ニルアルコール系樹脂、尿素樹脂、ポリカーボネート系
樹脂などを添加することも可能である。As long as the object of the present invention is not impaired, one or more layers may be provided on both sides or one side of the resin substrate in advance. For example, for the purpose of improving the adhesion between the substrate and the transparent electrode layer, and preventing cracks caused by the difference in the coefficient of thermal expansion between the substrate and the transparent metal oxide film,
In some cases, a primer layer is used. Examples of such a resin include an acrylic resin, an epoxy resin, a polyester resin, a polyamide resin, a urethane resin, a phenol resin, a fluorine resin, a silicone resin, and an ethylene resin.
Vinyl alcohol-based polymer, acrylonitrile-butadiene-based resin (for example, ABS-based resin) and vinyl chloride-
At least one selected from vinyl acetate resin-based polymers
Types of resins, among which silicone resins are preferred, and silicone-based hard coat materials having an intermediate coefficient of thermal expansion between the resin and the metal oxide film are particularly preferred. The silicone-based hard coat material is generally used for the purpose of imparting abrasion resistance to plastic, and is generally an organosilicon compound represented by the following general formula (7), and a hydrolyzate thereof, R n Si ( OR ′) 4-n (7) Metal oxide fine particles containing (R, R ′ being an organic group having 1 to 10 carbon atoms, n being an integer of 1 to 4) as a main component and being dispersed in a colloidal form as required. , A curing catalyst, an organic solvent and the like are mixed, prepared, applied, and cured. In addition, these film-forming components containing a silicone-based resin as a main component include acrylic resins, polyurethane-based resins, epoxy-based resins, melamine-based resins, polyolefin-based resins, and polyvinyl alcohol as long as their properties are not impaired. It is also possible to add a base resin, a urea resin, a polycarbonate base resin or the like.
【0028】シリコーン系ハードコートは、通常の塗布
方法、すなわち、ディップコート、スピンコート、スプ
レーコート、ロールコート、バーコート、フローコー
ト、刷毛塗り等を用いて塗布する。このような方法でコ
ーティングした後、通常50℃〜250℃、好ましくは
100℃〜200℃の範囲で焼成される。尚、塗布前に
基板にアルカリ処理、プラズマ処理、ヤスリがけ等の表
面処理をしておくと、基板との密着性が更に向上する。The silicone hard coat is applied by a usual coating method, that is, dip coating, spin coating, spray coating, roll coating, bar coating, flow coating, brush coating, or the like. After coating by such a method, it is fired usually in the range of 50C to 250C, preferably 100C to 200C. If the substrate is subjected to a surface treatment such as an alkali treatment, a plasma treatment, and a sanding process before the application, the adhesion to the substrate is further improved.
【0029】また、ガスバリヤー性を付与する目的で、
ガスバリヤー層を設ける場合もある。ガスバリヤー層と
しては、特に限定されるものではないが、SiOxやS
iN x膜等の無機ガスバリヤー膜がガスバリヤー性の面
から好ましい。形成方法としては、PVD(スパッタ法
等)、CVD、ゾルーゲル法、ポリシラザン系塗料の塗
布−焼成等の方法で形成されるセラミックス系コーティ
ング法、液相析出法等が知られており、本発明の方法で
の成膜も可能であるが、より良好なバリヤー性を得るた
めには両面に設けてある方が好ましく、工程数から、ゾ
ルーゲル法やセラミックス系コーティング法、液相析出
法等により、予め歪みの無いように設けておくことが好
ましい。液相析出法は、飽和珪弗化水素酸水溶液に基板
を浸漬することによって、基板上にSiO2が析出して
くる方法であり、ガスバリヤー膜として有用である他、
反射防止膜や絶縁膜としても用いられる。この方法は、
常温成膜が可能なため歪みがほとんどなく、両面同時に
成膜できることから生産性も良いものである。しかしな
がら、緻密な膜が生成するため、上から金属酸化物を加
熱下で成膜する際に特にクラックが発生しやすいことか
ら、本発明の成膜方法を用いることが有効である。Further, for the purpose of imparting gas barrier properties,
In some cases, a gas barrier layer is provided. With gas barrier layer
Although not particularly limited, SiO 2xAnd S
iN xInorganic gas barrier film such as a film has gas barrier properties
Is preferred. PVD (sputtering method)
Etc.), CVD, sol-gel method, coating of polysilazane paint
Ceramics-based coatings formed by cloth-firing etc.
Are known, such as a liquid deposition method and a liquid phase deposition method.
Is possible, but better barrier properties can be obtained.
It is preferable to provide it on both sides to reduce the number of processes.
Rugel method, ceramic coating method, liquid phase deposition
It is preferable to provide them in advance without distortion by a method or the like.
Good. In the liquid phase deposition method, the substrate is placed in an aqueous solution of saturated hydrofluoric acid.
Is immersed in the SiO.sub.2 on the substrate.2Is deposited
Is useful as a gas barrier membrane,
It is also used as an antireflection film and an insulating film. This method
Room-temperature film formation is possible, so there is almost no distortion, and both sides are simultaneously
Productivity is good because a film can be formed. But
However, since a dense film is formed, metal oxide is added from above.
Are cracks particularly likely to occur when film is formed under heat?
Therefore, it is effective to use the film forming method of the present invention.
【0030】これらのような層は、必要に応じて、組み
合わせて用いることも可能であり、また、面によって違
う組み合わせにすることも可能である。These layers can be used in combination as needed, or can be combined differently depending on the surface.
【0031】[0031]
【実施例】以下、本発明について更に具体的に実施例を
示して詳しく述べるが、本発明はこれらによって特に限
定されるものではない。尚、実施例中の測定値は、次の
方法によるものである。 電気抵抗率:四探針法で測定し、換算してシート抵抗率
を求めた。 可視光透過率:JIS−R−3106法に則って測定し
た。 イ)外観:肉眼観察で、クラック、面荒れその他の塗膜
の欠点のないものを(○)、その他のものを(×)とし
た。 ロ)基板の反り)10cm角の基板を平坦な台の上に載
せ、1mm以上のすきまのできないものを(○)、その
他のものを(×)とした。 ハ)密着性:碁盤目剥離試験を行い、剥がれずに残って
いる薄膜の碁盤目の数を数え、剥がれなかったものを
(100/100)、全てはがれてしまったものを(0
/100)、一部に剥離が見られたものを(n/10
0)として表記した。EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the present invention is not particularly limited thereto. In addition, the measured value in an Example is based on the following method. Electric resistivity: Measured by a four-probe method and converted to obtain sheet resistivity. Visible light transmittance: measured according to JIS-R-3106 method. A) Appearance: When observed with the naked eye, those having no cracks, rough surfaces or other defects in the coating film were evaluated as ((), and the others were evaluated as (x). B) Warpage of the substrate) A substrate of 10 cm square was placed on a flat table, and a substrate with no clearance of 1 mm or more was marked with (○), and the others were marked with (x). C) Adhesion: A cross-cut peeling test was performed, and the number of cross-cuts of the thin film remaining without peeling was counted, and those that did not peel off were counted (100/100), and those that were completely peeled off were evaluated as (0/100).
/ 100), and those with partial peeling were observed (n / 10
0).
【0032】〔プラスチック基板(三次元架橋樹脂板)
の製造〕 ・樹脂板1:3−イソプロペニル−α,α−ジメチルベ
ンジルイソシアネート30.2 重量部とトリス(アク
リロイルオキシエチル)イソシアヌレート43.2重量
部を混合 した後、ジブチルスズジラウレート0.02
重量部を添加し、内温を60℃に保ち、こ れに2−ヒ
ドロキシエチルアクリレート19.5重量部を徐々に加
えてから、同温度で 2時間反応を行った後、トリエチ
レングリコールジアクリレート12.5重量部を混合
した。得られたモノマーに、t−ブチルパーオキシ−2
−エチルヘキサノエート1.1 6重量部を添加し、混
合しながら脱泡を行った。次いで、脱法したモノマー液
を、200mm×300mm寸法のガラス板2枚を空間
距離が0.4mmになるようにシリコンゴムのシート状
ガスケットで調製した鋳型の空間部に注入し、その後、
熱風炉に入れてから60℃から180℃までの昇温加熱
で3時間重合を行って、厚さ0.4mmの透明樹脂板1
を得た。得られた樹脂のガラス転移温度は300℃であ
り、曲げ弾性率は440kgf/mm2 、可視光透過
率は90.2%であった。[Plastic substrate (three-dimensional crosslinked resin plate)
Production of Resin] 1: Resin plate 1: After mixing 30.2 parts by weight of 3-isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl isocyanate and 43.2 parts by weight of tris (acryloyloxyethyl) isocyanurate, dibutyltin dilaurate 0.02 was mixed.
After adding 19.5 parts by weight of 2-hydroxyethyl acrylate, the mixture was reacted at the same temperature for 2 hours, and then triethylene glycol diacrylate was added. Mix 12.5 parts by weight
did. T-butyl peroxy-2 was added to the obtained monomer.
-Ethyl hexanoate (1.16 parts by weight) was added, and the mixture was defoamed while mixing. Next, the de-processed monomer liquid is poured into a space of a mold prepared by using a silicon rubber sheet gasket so that two glass plates having a size of 200 mm × 300 mm have a space distance of 0.4 mm.
After placing in a hot air oven, polymerization was performed for 3 hours by heating at a temperature of 60 ° C. to 180 ° C., and a transparent resin plate 1 having a thickness of 0.4 mm was obtained.
I got The glass transition temperature of the obtained resin was 300 ° C., the flexural modulus was 440 kgf / mm 2 , and the visible light transmittance was 90.2%.
【0033】・樹脂板2:3−イソプロペニル−α,α
−ジメチルベンジルイソシアネート45.6重量部とエ
チレングリコール4.7重量部に、反応触媒としてジブ
チルスズジラウレート0.02重量部を添加し、内温を
40℃に保ちながら、1時間反応を行い、次いで、この
反応液に、2−ヒドロキシエチルメタクリレート9.8
重量部を加え、内温を50℃に保ちながら2時間反応を
行った。その後、この反応液にペンタエリスリトールテ
トラアクリレート39.9重量部を加えてよくかき混
ぜ、さらに、t−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキサ
ノエート0.100重量部を添加してよくかき混ぜた
後、脱泡を行った。得られたモノマー液を、樹脂板1の
場合と同様に重合し、厚さ0.4mmの透明樹脂板2を
得た。得られた樹脂のガラス転移温度は210℃であ
り、曲げ弾性率は463kgf/mm2、可視光透過率
は90.1%であった。Resin plate 2: 3-isopropenyl-α, α
To 45.6 parts by weight of dimethylbenzyl isocyanate and 4.7 parts by weight of ethylene glycol, 0.02 parts by weight of dibutyltin dilaurate was added as a reaction catalyst, and the reaction was carried out for 1 hour while maintaining the internal temperature at 40 ° C. To this reaction solution was added 9.8 of 2-hydroxyethyl methacrylate.
The reaction was carried out for 2 hours while maintaining the internal temperature at 50 ° C. Thereafter, 39.9 parts by weight of pentaerythritol tetraacrylate was added to the reaction solution, and the mixture was stirred well. Further, 0.100 part by weight of t-butylperoxy-2-ethylhexanoate was added, and the mixture was stirred well. Foam went. The obtained monomer liquid was polymerized in the same manner as in the case of the resin plate 1 to obtain a transparent resin plate 2 having a thickness of 0.4 mm. The glass transition temperature of the obtained resin was 210 ° C., the flexural modulus was 463 kgf / mm 2 , and the visible light transmittance was 90.1%.
【0034】・樹脂板3:3−イソプロペニル−α,α
−ジメチルベンジルイソシアネート30.2重量部に、
トリス(アクリロイルオキシエチル)イソシアヌレート
42.3重量部を混合し、内温を50℃に保ちながら3
0分撹拌する。次に、ジブチルスズジラウレート0.0
2重量部と2−ヒドロキシエチルメタクリレート19.
5重量部を加え、内温を50℃に保ちながら5時間反応
を行った。その後、反応液に、t−ブチルパーオキシ−
2−エチルヘキサノエート0.100重量部、イルガキ
ュアー651(チバガイギー社製)0.2重量部、酸性
リン酸エステル系内部離型剤(商品名:Zelec U
N、デュ・ポン社製)0.2重量部を混合した後、脱泡
した。このモノマーを実施例1と同様の鋳型に注入し、
鋳型の上下より30cmの距離から80W/cmのメタ
ルハライドランプを240秒間照射し、厚さ0.4mm
の透明樹脂板3を得た。得られた樹脂のガラス転移温度
は280℃であり、曲げ弾性率は444kgf/m
m2、可視光透過率は91.0%であった。Resin plate 3: 3-isopropenyl-α, α
-30.2 parts by weight of dimethylbenzyl isocyanate,
Mix 42.3 parts by weight of tris (acryloyloxyethyl) isocyanurate, and maintain the internal temperature at 50 ° C.
Stir for 0 minutes. Next, dibutyltin dilaurate 0.0
2 parts by weight and 2-hydroxyethyl methacrylate
5 parts by weight were added, and the reaction was carried out for 5 hours while maintaining the internal temperature at 50 ° C. Then, t-butyl peroxy-
0.100 parts by weight of 2-ethylhexanoate, 0.2 parts by weight of Irgacure 651 (manufactured by Ciba Geigy), internal release agent of acidic phosphate ester type (trade name: Zelec U)
N, manufactured by Du Pont) and then defoamed. This monomer was poured into the same mold as in Example 1,
A metal halide lamp of 80 W / cm is irradiated for 240 seconds from a distance of 30 cm from above and below the mold to a thickness of 0.4 mm.
Was obtained. The glass transition temperature of the obtained resin is 280 ° C., and the flexural modulus is 444 kgf / m.
m 2 , and the visible light transmittance was 91.0%.
【0035】〔シリコーン系ハードコート液(プライマ
ー層)の調整〕 ・γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン10
6.2重量部を10℃に保ち、撹拌しながら、0.01
%塩酸水溶液24.3重量部を徐々に滴下した。滴下終
了後、冷却を中止してシラン加水分解物を得た。この溶
液に、メタノール分散コロイド状シリカ(日産化学
(株)製品”メタノールシリカゾル”固形分30%、平
均粒子径13±1mμ)125.4重量部を撹拌しなが
ら加えた後、メタノール43.5重量部、ジエチレング
リコールジメチルエーテル12.5重量部、シリコーン
系界面活性剤0.4重量部を加え、更にアルミニウムア
セチルアセトネート3.8重量部を加え、充分撹拌して
プライマー用組成物1を調整した。・ビニルトリエトキ
シシラン18重量部にイソプロピルアルコール178.
2重量部を加え、攪拌しながら、0.01%塩酸水溶液
1.28重量部を徐々に滴下した。滴下終了後、室温下
で1時間攪拌してプライマー用組成物2を調製した。[Preparation of Silicone Hard Coat Solution (Primer Layer)] γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane 10
6.2 parts by weight kept at 10 ° C.
24.3 parts by weight of a 2% aqueous hydrochloric acid solution were gradually added dropwise. After the completion of the dropwise addition, the cooling was stopped to obtain a silane hydrolyzate. To this solution, 125.4 parts by weight of methanol-dispersed colloidal silica (“Methanol Silica Sol” manufactured by Nissan Chemical Co., Ltd., solid content: 30%, average particle diameter: 13 ± 1 μm) was added with stirring, and then 43.5 parts by weight of methanol Parts, 12.5 parts by weight of diethylene glycol dimethyl ether and 0.4 parts by weight of a silicone surfactant, 3.8 parts by weight of aluminum acetylacetonate were further added, and the mixture was sufficiently stirred to prepare a composition 1 for a primer. 178. Isopropyl alcohol in 18 parts by weight of vinyltriethoxysilane.
2 parts by weight were added, and while stirring, 1.28 parts by weight of a 0.01% aqueous hydrochloric acid solution was gradually added dropwise. After completion of the dropwise addition, the mixture was stirred at room temperature for 1 hour to prepare a composition 2 for a primer.
【0036】(実施例1)厚さ0.4mmの前記樹脂板
1の片面に、厚み700ÅのITO(錫含有量:5%)
膜を、成膜後に基板が平坦になるようにITO側を凹に
して固定し、100℃下でスパッタリング法により形成
した。得られた透明電極基板の可視光透過率は、89.
5%であり、電気抵抗は、約100Ω/□であった。こ
の塗膜の外観、基板の反り、密着性を、前述の検査方法
に従って測定し、その結果を(表1)に示した。(Example 1) On one side of the resin plate 1 having a thickness of 0.4 mm, ITO (thin content: 5%) having a thickness of 700 ° was provided.
The film was fixed by making the ITO side concave so that the substrate became flat after the film formation, and was formed at 100 ° C. by a sputtering method. The visible light transmittance of the obtained transparent electrode substrate was 89.
5%, and the electric resistance was about 100Ω / □. The appearance of the coating film, the warpage of the substrate, and the adhesion were measured according to the above-mentioned inspection methods, and the results are shown in Table 1.
【0037】(実施例2)厚さ0.4mmの前記樹脂板
1の片面に、エポキシ系オーバーコート剤(AC510
0、日産化学工業社製)を、スピンコーターを用いて塗
布(1000rpm、20秒)し、150℃で30分加
熱処理を行い、厚さ2μmのプライマー層を得た。この
コートの上に、厚み1300ÅのITO(錫含有量:5
%)膜を成膜後に基板が平坦になるようにITO側を凹
にして固定し、120℃下でスパッタリング法により形
成した。得られた透明電極基板の可視光透過率は、8
7.5%であり、電気抵抗は、約30Ω/□であった。
この基板について、実施例1と同様の検査を行った結果
を(表1)に示す。Example 2 An epoxy overcoating agent (AC510) was applied to one side of the resin plate 1 having a thickness of 0.4 mm.
0, manufactured by Nissan Chemical Industry Co., Ltd.) using a spin coater (1000 rpm, 20 seconds) and heat treatment at 150 ° C. for 30 minutes to obtain a 2 μm thick primer layer. On top of this coat, a 1300 mm thick ITO (tin content: 5
%) After forming the film, the ITO side was concaved and fixed so that the substrate became flat, and formed at 120 ° C. by a sputtering method. The visible light transmittance of the obtained transparent electrode substrate is 8
7.5%, and the electric resistance was about 30Ω / □.
Table 1 shows the results of the same inspection as in Example 1 performed on this substrate.
【0038】(実施例3)厚さ0.4mmの前記樹脂板
2の両面に、前記プライマー用組成物1をスピンコータ
ーを用いて塗布(700rpm、15秒)し、室温にて
30分風乾させた後、120℃で60分加熱処理を行
い、厚さ3μmのプライマー層を得た。得られた基板の
両面に、ペルヒドロポリシラザン(20%キシレン溶
液:東燃社製)を、スピンコーターを用いて塗布(20
00rpm、20秒)し、大気雰囲気下180℃で1時
間加熱した後、1%HCl水溶液に浸漬し、厚さ200
0ÅのSiO2塗膜を得た。この基板の片面に、厚み1
300ÅのITO膜を、成膜後に基板が平坦になるよう
にITO側を凹にして固定し、高周波イオンプレーティ
ング法により形成した。得られた基板の可視光透過率
は、89%であり、電気抵抗は30Ω/□であった。こ
の基板について、実施例1と同様の検査を行った結果を
(表1)に示す。(Example 3) The primer composition 1 was applied to both surfaces of the resin plate 2 having a thickness of 0.4 mm using a spin coater (700 rpm, 15 seconds) and air-dried at room temperature for 30 minutes. After that, heat treatment was performed at 120 ° C. for 60 minutes to obtain a primer layer having a thickness of 3 μm. On both surfaces of the obtained substrate, perhydropolysilazane (20% xylene solution: manufactured by Tonen Co.) was applied using a spin coater (20).
00 rpm, 20 seconds), heated at 180 ° C. for 1 hour in the air atmosphere, immersed in 1% HCl aqueous solution, and
A 0 ° SiO 2 coating was obtained. One side of this substrate has a thickness of 1
An ITO film of 300 ° was fixed by making the ITO side concave so that the substrate became flat after the film formation, and was formed by a high-frequency ion plating method. The visible light transmittance of the obtained substrate was 89%, and the electric resistance was 30 Ω / □. Table 1 shows the results of the same inspection as in Example 1 performed on this substrate.
【0039】(実施例4)厚さ0.4mmの前記樹脂板
3の両面に、スパッタリング法を用いて厚み500Åの
SiO2膜を形成し、続いてこの基板の片面に、厚み2
600ÅのITO膜を、成膜後に基板が平坦になるよう
にITO側を凹にして固定し、200℃下でスパッタリ
ング法により形成した。得られた基板の可視光透過率
は、88%であり、電気抵抗は、10Ω/□であった。
この基板について、実施例1と同様の検査を行った結果
を(表1)に示す。(Example 4) An SiO 2 film having a thickness of 500 ° was formed on both surfaces of the resin plate 3 having a thickness of 0.4 mm by sputtering, and then a film having a thickness of 2 mm was formed on one surface of the substrate.
An ITO film of 600 ° was fixed by making the ITO side concave so that the substrate became flat after the film formation, and was formed at 200 ° C. by a sputtering method. The visible light transmittance of the obtained substrate was 88%, and the electric resistance was 10 Ω / □.
Table 1 shows the results of the same inspection as in Example 1 performed on this substrate.
【0040】(実施例5)厚み50μmのポリカーボネ
ートフィルムの両面に、スパッタリング法を用いて厚み
500ÅのSiO2膜を形成し、続いてこの基板の片面
に、厚み700ÅのITO(錫含有量:5%)膜を、成
膜後に基板が平坦になるようにITO側を凹にして固定
し、スパッタリング法により形成した。得られた透明導
電性フィルムの可視光透過率は82%であり、電気抵抗
は、約200Ω/□であった。この基板について、実施
例1と同様の検査を行った結果を(表1)に示す。Example 5 A SiO 2 film having a thickness of 500 ° was formed on both sides of a polycarbonate film having a thickness of 50 μm by a sputtering method. Subsequently, ITO (thin content: 700) having a thickness of 700 ° was formed on one surface of the substrate. %) A film was fixed by making the ITO side concave so that the substrate became flat after the film formation, and formed by a sputtering method. The visible light transmittance of the obtained transparent conductive film was 82%, and the electric resistance was about 200 Ω / □. Table 1 shows the results of the same inspection as in Example 1 performed on this substrate.
【0041】(実施例6)厚さ0.4mmの前記樹脂板
2の両面に、前記プライマー用組成物2をスピンコータ
ーを用いて塗布(2000rpm、15秒)し、室温に
て5分風乾させた後、200℃で5分加熱処理を行い、
厚さ10nmのプライマー層を得た。得られた基板を、
飽和フッ化珪素酸水溶液に40分間浸漬し、厚さ400
ÅのSiO 2塗膜を得た。この基板の片面に、厚み13
00ÅのITO膜を、成膜後に基板が平坦になるように
ITO側を凹にして固定し、高周波イオンプレーティン
グ法により形成した。得られた基板の可視光透過率は、
89%であり、電気抵抗は30Ω/□であった。この基
板について、実施例1と同様の検査を行った結果を(表
1)に示す。Example 6 The resin plate having a thickness of 0.4 mm
The primer composition 2 was coated on both sides of
(2000 rpm, 15 seconds)
After air drying for 5 minutes, heat treatment at 200 ° C for 5 minutes,
A 10 nm-thick primer layer was obtained. The obtained substrate is
Immersed in saturated aqueous solution of silicon fluoride for 40 minutes,
SiO SiO 2A coating was obtained. One side of this substrate has a thickness of 13
The ITO film of 00Å is formed so that the substrate becomes flat after the formation.
Make the ITO side concave and fix it.
It was formed by a rubbing method. The visible light transmittance of the obtained substrate is
89%, and the electrical resistance was 30Ω / □. This group
The results of the same inspection as in Example 1 were performed on the plate (Table 1).
Shown in 1).
【0042】(比較例1)ITO膜の成膜を、基板をま
っすぐに固定したまま行ったほかは、すべて実施例4と
同様に基板の成膜を行った。得られた基板の可視光透過
率は、88%であり、電気抵抗は、10Ωであった。こ
の基板について、実施例1と同様の検査を行った結果を
(表1)に示す。Comparative Example 1 A substrate was formed in the same manner as in Example 4 except that the ITO film was formed while keeping the substrate straight. The visible light transmittance of the obtained substrate was 88%, and the electric resistance was 10Ω. Table 1 shows the results of the same inspection as in Example 1 performed on this substrate.
【0043】(比較例2)厚さ0.2mmのPETフィ
ルムに、エポキシ系オーバーコート剤(AC5100、
日産化学工業社製)を塗布(1000rpm、20秒)
し、110℃で30分加熱処理を行い、厚さ4μmのプ
ライマー層を得た。得られた基板の片面に、スパッタリ
ング法を用いて、厚さ500ÅのSiO2膜を成膜し、
更に、厚み600ÅのITO(錫含有量:5%)膜を、
基板をまっすぐに固定したまま形成した。得られた透明
導電性フィルムの可視光透過率は82%であり、電気抵
抗は、約200Ω/□であった。この基板について、実
施例1と同様の検査を行った。その結果を(表1)に示
した。Comparative Example 2 A 0.2 mm thick PET film was coated with an epoxy overcoating agent (AC5100,
Nissan Chemical Industry Co., Ltd.) (1000 rpm, 20 seconds)
Then, a heat treatment was performed at 110 ° C. for 30 minutes to obtain a primer layer having a thickness of 4 μm. On one surface of the obtained substrate, an SiO 2 film having a thickness of 500 ° was formed by a sputtering method,
Furthermore, an ITO (tin content: 5%) film having a thickness of 600
The substrate was formed while being fixed straight. The visible light transmittance of the obtained transparent conductive film was 82%, and the electric resistance was about 200 Ω / □. The same inspection as in Example 1 was performed on this substrate. The results are shown in (Table 1).
【0044】(比較例3)樹脂板2と同様のモノマー
を、ITO成膜後に基板が平坦になるように曲率のつけ
て製造し、厚さ0.4mmの透明樹脂基板を得た。この
基板の両面に前記プライマー用組成物2をディップコー
ターを用いて塗布し、室温にて5分風乾させた後、20
0℃で5分加熱処理を行い、厚さ10nmのプライマー
層を得た。得られた基板を、飽和フッ化珪素酸水溶液に
40分間浸漬し、厚さ400ÅのSiO2塗膜を得た。
この基板の凹面に、厚み1300ÅのITO膜を、基板
に力がかからないように保持して高周波イオンプレーテ
ィング法により形成した。得られた基板の可視光透過率
は89%であり、電気抵抗は30Ω/□であった。この
基板について、実施例1と同様の検査を行った結果を
(表1)に示す。(Comparative Example 3) The same monomer as that for the resin plate 2 was produced with a curvature so that the substrate became flat after the ITO film formation, and a transparent resin substrate having a thickness of 0.4 mm was obtained. The primer composition 2 was applied to both surfaces of the substrate using a dip coater, and air-dried at room temperature for 5 minutes.
Heat treatment was performed at 0 ° C. for 5 minutes to obtain a primer layer having a thickness of 10 nm. The obtained substrate was immersed in a saturated silicon fluoride aqueous solution for 40 minutes to obtain a 400 ° thick SiO 2 coating film.
An ITO film having a thickness of 1300 ° was formed on the concave surface of the substrate by a high-frequency ion plating method while holding the substrate without applying a force. The visible light transmittance of the obtained substrate was 89%, and the electric resistance was 30 Ω / □. Table 1 shows the results of the same inspection as in Example 1 performed on this substrate.
【0045】[0045]
【表1】 [Table 1]
【0046】以上のようにして作製した実施例1〜6、
比較例1〜3のプラスチック基板の試験結果(表1)よ
り、実施例は比較例に比べて反りがなく、密着性がよい
ものが得られることが分かる。Examples 1 to 6 produced as described above,
From the test results (Table 1) of the plastic substrates of Comparative Examples 1 to 3, it can be seen that Examples have less warpage and better adhesion than Comparative Examples.
【0047】[0047]
【発明の効果】本発明のプラスチック基板の成膜方法に
よって成膜された基板は、反りがないため後工程が容易
であり、残留歪みの少ない透明電極付き基板を得ること
ができる。The substrate formed by the method for forming a plastic substrate of the present invention has no warpage, so that the post-process is easy, and a substrate with a transparent electrode with little residual distortion can be obtained.
【図1】本発明の一実施態様を示す断面図FIG. 1 is a sectional view showing one embodiment of the present invention.
1 透明樹脂基板 2 無機ガスバリヤー膜 3 基板保持用治具 Reference Signs List 1 transparent resin substrate 2 inorganic gas barrier film 3 substrate holding jig
フロントページの続き Fターム(参考) 2H090 JB03 JC07 LA01 4F006 AA22 AA35 AA36 AB74 BA07 CA08 DA01 EA01 4F100 AA00C AA17B AA20B AA33 AK01A AK12A AK25A AK51 AL01A AL06 AT00A BA03 BA07 BA10B EH31 EH66 GB41 JB01 JD02C JG01B JL04 JL11 JM02B JN01B 4K029 AA11 BA45 BA48 BC09 CA03 CA05 FA07 JA01 Continued on the front page F-term (reference) 2H090 JB03 JC07 LA01 4F006 AA22 AA35 AA36 AB74 BA07 CA08 DA01 EA01 4F100 AA00C AA17B AA20B AA33 AK01A AK12A AK25A AK51 AL01A AL06 AT00A BA03 BA07 J11B01 J01B01 J02B10 BA48 BC09 CA03 CA05 FA07 JA01
Claims (5)
係数の異なる薄膜を成膜する方法において、成膜後常温
で平坦になるような曲率に基板を曲げて成膜することを
特徴とする、プラスチック基板の成膜方法。1. A method for forming a thin film having a different coefficient of thermal expansion from a plastic substrate on a plastic substrate, wherein the film is formed by bending the substrate to have a curvature such that it becomes flat at room temperature after the film is formed. , Plastic substrate film formation method.
であることを特徴とする、請求項1に記載のプラスチッ
ク基板の成膜方法。2. The method according to claim 1, wherein the thin film is a transparent conductive film made of a metal oxide film.
機ガスバリヤー膜を有していることを特徴とする、請求
項1または2に記載のプラスチック基板の成膜方法。3. The method for forming a plastic substrate according to claim 1, wherein the plastic substrate has an inorganic gas barrier film on the substrate in advance.
相析出法にて成膜されるSiO2膜を有していることを
特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載のプラスチ
ック基板の成膜方法。4. The plastic according to claim 1, wherein the plastic substrate has an SiO 2 film formed on the substrate in advance by a liquid phase deposition method. Substrate deposition method.
一般式(1)(化1)で表される官能基と、下記一般式
(2)または(3)(化1)で表される官能基とを兼備
する単量体(A)を重合してなる樹脂(樹脂−a)、 【化1】 (上式中、R1は水素原子またはメチル基を表し、Xは
酸素原子または硫黄原子を表す。) または、単量体(A)と、下記式(4)、(5)および
(6)(化2)で表される官能基群から選ばれる少なく
とも1種の官能基をm個(mは1〜6の整数を表す)有
する単量体(B)とを共重合してなる樹脂(樹脂−b)
である請求項1〜4のいずれかに記載のプラスチック基
板の成膜方法。 【化2】 5. A plastic substrate comprising, in one molecule, a functional group represented by the following general formula (1) and a general formula (2) or (3): A resin (resin-a) obtained by polymerizing a monomer (A) having a functional group; (In the above formula, R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group, and X represents an oxygen atom or a sulfur atom.) Alternatively, the monomer (A) and the following formulas (4), (5) and (6) A resin obtained by copolymerizing a monomer (B) having m (m is an integer of 1 to 6) at least one kind of functional group selected from the group of functional groups represented by (Formula 2) Resin-b)
The method for forming a plastic substrate according to claim 1, wherein: Embedded image
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