JP2001274225A - Treatment apparatus - Google Patents

Treatment apparatus

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JP2001274225A
JP2001274225A JP2000084566A JP2000084566A JP2001274225A JP 2001274225 A JP2001274225 A JP 2001274225A JP 2000084566 A JP2000084566 A JP 2000084566A JP 2000084566 A JP2000084566 A JP 2000084566A JP 2001274225 A JP2001274225 A JP 2001274225A
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JP
Japan
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elevating member
wafer
plate
heating
substrate
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Application number
JP2000084566A
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Japanese (ja)
Inventor
Hidekazu Shirakawa
英一 白川
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Publication date
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  • Coating Apparatus (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a treatment apparatus for heating or cooling, whose height can be reduced. SOLUTION: The treatment apparatus for heating or cooling a wafer W to a substrate temperature is provided with a plate 51 for heating or cooling the wafer W in treatment position on its surface or near its surface, lifting and lowering members 56 whose extremities 56 can protrude from or be embedded into the surface of the plate 51 and whose based ends 56b are movable in approximately the horizontal direction and which lift and lower the wafer W between the treating position and the transfer position upward by its extremities 56a and a horizontal movement mechanism 81, which moves the base ends of the lifting and lowering members 56 in approximately the horizontal direction.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハ等の基板に塗布・現像処理を施して半導体装置等を製
造する際に用いられる、基板を加熱または冷却する処理
装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing apparatus for heating or cooling a substrate, such as a semiconductor wafer or the like, which is used when a substrate such as a semiconductor wafer is coated and developed to manufacture a semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体デバイスのフォトリソグラフィー
工程においては、半導体ウエハにレジストを塗布し、こ
れにより形成されたレジスト膜を所定の回路パターンに
応じて露光し、この露光パターンを現像処理することに
よりレジスト膜に回路パターンが形成される。
2. Description of the Related Art In a photolithography process of a semiconductor device, a resist is applied to a semiconductor wafer, a resist film formed by the resist is exposed according to a predetermined circuit pattern, and the exposed pattern is developed to develop a resist. A circuit pattern is formed on the film.

【0003】このようなフォトリソグラフィー工程にお
いては、レジスト塗布後の加熱処理(プリベーク)、露
光後の加熱処理(ポストエクスポージャーベーク)、現
像後の加熱処理(ポストベーク)等、種々の加熱処理が
行われている。
In such a photolithography process, various heat treatments such as a heat treatment after resist application (pre-bake), a heat treatment after exposure (post-exposure bake), and a heat treatment after development (post-bake) are performed. Have been done.

【0004】これらの加熱処理は、通常、筐体内にヒー
ターによって加熱される加熱プレート(ホットプレー
ト)を配置してなるホットプレートユニットにより行わ
れる。このホットプレートユニットにおいては、半導体
ウエハを加熱プレートに直接載置して加熱するか、また
は加熱プレートに設けられたプロキシミティーピン上に
載置して加熱プレートに近接した状態で加熱処理してい
る。このような処理位置へ半導体ウエハを設置する際、
または処理位置から半導体ウエハを搬送する際には、一
般的に、加熱プレートに設けられた複数の昇降ピンを用
いる。すなわち、半導体ウエハを処理位置に設置するた
めには、昇降ピンを加熱プレートの上方へ突出した状態
で搬送装置から半導体ウエハを受け取り、その後昇降ピ
ンを降下させる。また、加熱処理が終了後は、昇降ピン
を上昇させて半導体ウエハを持ち上げ搬送装置により半
導体ウエハを搬送する。
[0004] These heat treatments are usually performed by a hot plate unit in which a heating plate (hot plate) heated by a heater is arranged in a housing. In this hot plate unit, the semiconductor wafer is directly placed on the heating plate and heated, or the semiconductor wafer is placed on proximity pins provided on the heating plate and heated in a state close to the heating plate. . When placing a semiconductor wafer at such a processing position,
Alternatively, when transporting a semiconductor wafer from a processing position, generally, a plurality of lifting pins provided on a heating plate are used. That is, in order to place the semiconductor wafer at the processing position, the semiconductor wafer is received from the transfer device with the lifting pins protruding above the heating plate, and then the lifting pins are lowered. After the completion of the heat treatment, the lifting pins are raised to lift the semiconductor wafer, and the semiconductor wafer is transferred by the transfer device.

【0005】これら複数の昇降ピンは、加熱プレートを
貫通して設けられ、加熱プレートの下方のプレートに取
り付けられており、このプレートをシリンダにより昇降
させることにより昇降される。
[0005] The plurality of elevating pins are provided to penetrate the heating plate and are attached to a plate below the heating plate. The plate is moved up and down by a cylinder.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところで、近時、半導
体製造装置の一層の小型化が要求されている。また、半
導体デバイスの微細化、高密度化に伴い、ウエハのレジ
スト塗布・現像における加熱処理、特にポストエクスポ
ージャベーク処理を高精度で行う必要があるため、それ
に対応可能なように1つのシステムにより多くのホット
プレートユニットを搭載することが望まれている。この
ようなことから、ホットプレートユニットの高さをでき
るだけ低くすることが求められている。
Recently, there has been a demand for further miniaturization of semiconductor manufacturing equipment. In addition, with the miniaturization and high density of semiconductor devices, it is necessary to perform high-precision heat treatment in resist coating and development of wafers, especially post-exposure bake treatment. It is desired to mount many hot plate units. For this reason, it is required to reduce the height of the hot plate unit as much as possible.

【0007】しかしながら、上述のように昇降ピンをシ
リンダーにより昇降させる場合には、ユニットの高さと
しては、加熱プレートの厚さおよび加熱プレートの加熱
空間の高さの他に、加熱プレート下方に昇降ピンの昇降
ストロークのマージン分が必要であり、このためユニッ
ト高さの低減には自ずから限界がある。このような問題
は、半導体ウエハを冷却するクーリングユニットにおい
ても同様に存在する。
However, when the elevating pin is raised and lowered by the cylinder as described above, the height of the unit is determined by the height of the heating plate and the height of the heating space of the heating plate. A margin for the elevating stroke of the pin is required, and there is naturally a limit in reducing the unit height. Such a problem similarly exists in a cooling unit for cooling a semiconductor wafer.

【0008】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、装置高さを低減することができる、加熱また
は冷却を行う処理装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a heating or cooling processing apparatus capable of reducing the height of the apparatus.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、第1発明は、基板を所定温度に加熱処理または冷却
処理する処理装置であって、その表面上のまたは表面に
近接した処理位置にて基板を加熱または冷却するプレー
トと、先端部が前記プレートの表面に対して突没可能
で、かつ基端部が略水平方向に移動可能に構成され、先
端部により基板を処理位置とその上方の搬送位置との間
で昇降させる昇降部材と、前記昇降部材の基端部を略水
平方向に移動させる水平移動機構とを具備することを特
徴とする処理装置を提供する。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus for heating or cooling a substrate to a predetermined temperature, wherein the processing position is on or near the surface. A plate that heats or cools the substrate at the front end is configured to be able to protrude and retract with respect to the surface of the plate, and the base end is movable in a substantially horizontal direction. Provided is a processing apparatus, comprising: a lifting member that moves up and down to an upper transport position; and a horizontal movement mechanism that moves a base end of the lifting member in a substantially horizontal direction.

【0010】第2発明は、基板を所定温度に加熱処理ま
たは冷却処理する処理装置であって、その表面上のまた
は表面に近接した処理位置にて基板を加熱または冷却す
るプレートと、前記プレートに収容され、その先端部が
プレートの表面に対して突没可能に設けられ、先端部に
より基板を処理位置とその上方の搬送位置との間で昇降
させる昇降部材と、前記昇降部材を移動させ、その先端
部を突没させる移動機構とを具備することを特徴とする
処理装置を提供する。
A second invention is a processing apparatus for heating or cooling a substrate to a predetermined temperature, comprising: a plate for heating or cooling the substrate at a processing position on or near the surface thereof; It is housed, and its tip is provided so as to be able to protrude and retract with respect to the surface of the plate, and the elevating member for elevating and lowering the substrate between the processing position and the transport position above the tip by moving the elevating member, And a moving mechanism for protruding and retracting the tip.

【0011】第3発明は、基板を所定温度に加熱処理ま
たは冷却処理する処理装置であって、その表面上のまた
は表面に近接した処理位置にて基板を加熱または冷却す
るプレートと、先端部が前記プレートの表面に対して突
没可能で、かつ少なくともその基端側に、着磁された着
磁部を有し、先端部により基板を処理位置とその上方の
搬送位置との間で昇降させる昇降部材と、前記昇降部材
の着磁部と対向して設けられ、着磁部に対して磁力を及
ぼして前記昇降部材を昇降させる磁界発生手段とを具備
することを特徴とする処理装置を提供する。
A third aspect of the present invention is a processing apparatus for heating or cooling a substrate to a predetermined temperature, wherein a plate for heating or cooling the substrate at a processing position on or close to the surface thereof, The plate has a magnetized portion that can be protruded and retracted with respect to the surface of the plate, and at least at a base end side thereof, and the front end moves the substrate between a processing position and a transfer position above the substrate. A processing apparatus, comprising: an elevating member, and a magnetic field generating means provided to face a magnetized portion of the elevating member and exerting a magnetic force on the magnetized portion to elevate the elevating member. I do.

【0012】上記第1発明においては、基板を昇降させ
る昇降部材が、その先端部が前記プレートの表面に対し
て突没可能で、かつ基端部が略水平方向に移動可能なよ
うに構成され、水平機構により昇降部材の基端部を略水
平方向に移動させて先端部を突没させるので、従来のよ
うにプレート下方における昇降ピンの昇降ストロークの
マージン分が不要となり、装置高さを低減することがで
きる。
In the first aspect of the present invention, the elevating member for elevating and lowering the substrate is configured such that a distal end thereof can protrude and retract from the surface of the plate, and a base end thereof can be moved in a substantially horizontal direction. The horizontal mechanism moves the base end of the elevating member in a substantially horizontal direction so that the distal end protrudes and retracts, eliminating the need for a margin for the elevating stroke of the elevating pins below the plate as in the past, reducing the height of the device. can do.

【0013】上記第2発明においては、基板を昇降させ
る昇降部材が、プレート内に収容されるようになってお
り、その先端部がプレートの表面に対して突没可能であ
り、この昇降部材を移動機構により移動させて昇降部材
の先端部を突没させるので、従来のように加熱プレート
下方に昇降ピンが存在せず、したがって、従来のように
プレート下方における昇降ピンの昇降ストロークのマー
ジン分が不要となり、装置高さを低減することができ
る。
In the second aspect of the present invention, the elevating member for elevating the substrate is accommodated in the plate, and the tip of the elevating member can protrude and retract from the surface of the plate. Since the tip of the lifting member is moved up and down by the moving mechanism, there is no lifting pin below the heating plate as in the related art.Therefore, the margin of the lifting stroke of the lifting pin below the plate as in the related art is reduced. This is unnecessary, and the height of the apparatus can be reduced.

【0014】上記第3発明においては、基板を昇降させ
る昇降部材が、その先端部が前記プレートの表面に対し
て突没可能で、かつ少なくともその基端側に着磁された
着磁部を有し、この昇降部材の着磁部と対向して、着磁
部に対して磁力を及ぼして前記昇降部材を昇降させる磁
界発生手段を設けたので、磁界発生手段の磁力を調整す
るだけで昇降部材を昇降させることができ、従来のよう
にプレート下方に昇降ピンが突出している必要はない。
したがって、従来のようにプレート下方における昇降ピ
ンの昇降ストロークのマージン分が不要となり、装置高
さを低減することができる。
In the third aspect of the present invention, the elevating member for elevating and lowering the substrate has a magnetized portion having a tip end protruding and retracting with respect to the surface of the plate and being magnetized at least at a base end side. Further, since the magnetic field generating means for applying a magnetic force to the magnetized portion and moving the elevating member up and down is provided opposite to the magnetized portion of the elevating member, the elevating member can be adjusted only by adjusting the magnetic force of the magnetic field generating means. Can be moved up and down, and there is no need for the lifting pins to project below the plate as in the conventional case.
Therefore, unlike the related art, a margin for the elevating stroke of the elevating pin below the plate is not required, and the height of the apparatus can be reduced.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態について詳細に説明する。図1は本発明
に係る処理装置の実施形態であるホットプレートユニッ
トが搭載されたウエハのレジスト塗布・現像処理システ
ムを示す概略平面図、図2はその正面図、図3はその背
面図である。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. 1 is a schematic plan view showing a resist coating / developing processing system for a wafer on which a hot plate unit is mounted, which is an embodiment of a processing apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a front view thereof, and FIG. 3 is a rear view thereof. .

【0016】この処理システムは、搬送ステーションで
あるカセットステーション10と、複数の処理ユニット
を有する処理ステーション11と、処理ステーション1
1と隣接して設けられる露光装置(図示せず)との間で
ウエハWを受け渡すためのインターフェイス部12とを
具備している。
The processing system includes a cassette station 10 as a transfer station, a processing station 11 having a plurality of processing units,
1 and an exposure unit (not shown) provided adjacent thereto and an interface unit 12 for transferring a wafer W.

【0017】上記カセットステーション10は、被処理
体としての半導体ウエハ(以下、単にウエハと記す)W
を複数枚例えば25枚単位でウエハカセットCRに搭載
された状態で他のシステムからこのシステムへ搬入また
はこのシステムから他のシステムへ搬出したり、ウエハ
カセットCRと処理ステーション11との間でウエハW
の搬送を行うためのものである。
The cassette station 10 includes a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a wafer) W as an object to be processed.
In a state where a plurality of wafers are loaded in the wafer cassette CR in units of, for example, 25 wafers, the wafer W is loaded into or out of this system from another system, or the wafer W is transferred between the wafer cassette CR and the processing station 11
Is to be transported.

【0018】このカセットステーション10において
は、図1に示すように、カセット載置台20上に図中X
方向に沿って複数(図では4個)の位置決め突起20a
が形成されており、この突起20aの位置にウエハカセ
ットCRがそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション
11側に向けて一列に載置可能となっている。ウエハカ
セットCRにおいてはウエハWが垂直方向(Z方向)に
配列されている。また、カセットステーション10は、
ウエハカセット載置台20と処理ステーション11との
間に位置するウエハ搬送機構21を有している。このウ
エハ搬送機構21は、カセット配列方向(X方向)およ
びその中のウエハWのウエハ配列方向(Z方向)に移動
可能なウエハ搬送用アーム21aを有しており、この搬
送アーム21aによりいずれかのウエハカセットCRに
対して選択的にアクセス可能となっている。また、ウエ
ハ搬送用アーム21aは、θ方向に回転可能に構成され
ており、後述する処理ステーション11側の第3の処理
部Gに属するアライメントユニット(ALIM)およ
びエクステンションユニット(EXT)にもアクセスで
きるようになっている。
In the cassette station 10, as shown in FIG.
A plurality of (four in the figure) positioning projections 20a along the direction
The wafer cassette CR can be placed at a position of the projection 20a in a line with the respective wafer entrances facing the processing station 11 side. In the wafer cassette CR, the wafers W are arranged in a vertical direction (Z direction). Also, the cassette station 10
A wafer transfer mechanism 21 is provided between the wafer cassette mounting table 20 and the processing station 11. The wafer transfer mechanism 21 has a wafer transfer arm 21a that is movable in the cassette arrangement direction (X direction) and the wafer arrangement direction of the wafers W therein (Z direction). Of the wafer cassette CR can be selectively accessed. Further, the wafer transfer arm 21a is configured to be rotatable in the θ direction, and has access to an alignment unit (ALIM) and an extension unit (EXT) belonging to a third processing unit G3 on the processing station 11 side described later. I can do it.

【0019】上記処理ステーション11は、半導体ウエ
ハWへ対して塗布・現象を行う際の一連の工程を実施す
るための複数の処理ユニットを備え、これらが所定位置
に多段に配置されており、これらにより半導体ウエハW
が一枚ずつ処理される。この処理ステーション11は、
図1に示すように、中心部に搬送路22aを有し、この
中に主ウエハ搬送機構22が設けられ、ウエハ搬送路2
2aの周りに全ての処理ユニットが配置されている。こ
れら複数の処理ユニットは、複数の処理部に分かれてお
り、各処理部は複数の処理ユニットが鉛直方向に沿って
多段に配置されている。
The processing station 11 is provided with a plurality of processing units for performing a series of steps for performing a coating / phenomenon on the semiconductor wafer W, and these are arranged at predetermined positions in multiple stages. The semiconductor wafer W
Are processed one by one. This processing station 11
As shown in FIG. 1, a transfer path 22a is provided at the center, and a main wafer transfer mechanism 22 is provided therein.
All processing units are arranged around 2a. The plurality of processing units are divided into a plurality of processing units, and each processing unit includes a plurality of processing units arranged in multiple stages along a vertical direction.

【0020】主ウエハ搬送機構22は、図3に示すよう
に、筒状支持体49の内側に、ウエハ搬送装置46を上
下方向(Z方向)に昇降自在に装備している。筒状支持
体49はモータ(図示せず)の回転駆動力によって回転
可能となっており、それにともなってウエハ搬送装置4
6も一体的に回転可能となっている。
As shown in FIG. 3, the main wafer transfer mechanism 22 is provided with a wafer transfer device 46 inside a tubular support 49 so as to be able to move up and down in the vertical direction (Z direction). The cylindrical support 49 is rotatable by the rotational driving force of a motor (not shown), and accordingly, the wafer transfer device 4
6 is also rotatable integrally.

【0021】ウエハ搬送装置46は、搬送基台47の前
後方向に移動自在な複数本の保持部材48を備え、これ
らの保持部材48によって各処理ユニット間でのウエハ
Wの受け渡しを実現している。
The wafer transfer device 46 includes a plurality of holding members 48 movable in the front-rear direction of the transfer base 47, and the transfer of the wafer W between the processing units is realized by these holding members 48. .

【0022】また、図1に示すように、この実施の形態
においては、4個の処理部G,G ,G,Gがウ
エハ搬送路22aの周囲に実際に配置されており、処理
部G は必要に応じて配置可能となっている。
Further, as shown in FIG.
, Four processing units G1, G 2, G3, G4But
It is actually arranged around the EHA transport path 22a,
Part G 5Can be arranged as needed.

【0023】これらのうち、第1および第2の処理部G
,Gはシステム正面(図1において手前)側に並列
に配置され、第3の処理部Gはカセットステーション
10に隣接して配置され、第4の処理部Gはインター
フェイス部12に隣接して配置されている。また、第5
の処理部Gは背面部に配置可能となっている。
Of these, the first and second processing units G
1 and G 2 are arranged in parallel on the front side of the system (front side in FIG. 1), the third processing unit G 3 is arranged adjacent to the cassette station 10, and the fourth processing unit G 4 is connected to the interface unit 12. They are located adjacent to each other. In addition, the fifth
The processing unit G 5 of which is capable disposed on the rear portion.

【0024】第1の処理部Gでは、ウエハWにレジス
トを塗布するレジスト塗布ユニット(COT)およびレ
ジストのパターンを現像する現像ユニット(DEV)が
下から順に2段に重ねられている。第2の処理部G
同様に、2台のスピナ型処理ユニットとしてレジスト塗
布ユニット(COT)および現像ユニット(DEV)が
下から順に2段に重ねられている。
[0024] In the first processing unit G 1, of the resist coating unit (COT) and the resist developing unit for developing a pattern of applying a resist on the wafer W (DEV) are two-tiered from the bottom in order. Similarly, the second processing section G 2, a resist coating unit (COT) and a developing unit (DEV) are two-tiered in order from the bottom as two spinner-type processing units.

【0025】第3の処理部Gにおいては、図3に示す
ように、ウエハWを載置台SPに載せて所定の処理を行
うオーブン型の処理ユニットが多段に重ねられている。
すなわちレジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水
化処理を行うアドヒージョンユニット(AD)、位置合
わせを行うアライメントユニット(ALIM)、ウエハ
Wの搬入出を行うエクステンションユニット(EX
T)、ウエハWに対して加熱を伴う処理が施された後に
冷却処理を行うクーリングユニット(COL)、露光処
理前や露光処理後、さらには現像処理後にウエハWに対
してプリベーク処理、ポストエクスポージャーベーク処
理、ポストベーク処理等の加熱処理を行う4つのホット
プレートユニット(HP)が下から順に8段に重ねられ
ている。なお、アライメントユニット(ALIM)の代
わりにクーリングユニット(COL)を設け、クーリン
グユニット(COL)にアライメント機能を持たせても
よい。
[0025] In the third processing unit G 3 are, as shown in FIG. 3, the oven-type processing units of the wafer W is placed on a mounting table SP performs predetermined processing are multi-tiered.
That is, an adhesion unit (AD) for performing a so-called hydrophobizing process for improving the fixability of the resist, an alignment unit (ALIM) for performing alignment, and an extension unit (EX) for carrying in / out the wafer W.
T), a cooling unit (COL) for performing a cooling process after a process involving heating of the wafer W, a pre-bake process, a post-exposure process for the wafer W before and after the exposure process, and further after the development process. Four hot plate units (HP) for performing heat treatment such as bake treatment and post-bake treatment are stacked in eight stages from the bottom. Note that a cooling unit (COL) may be provided instead of the alignment unit (ALIM), and the cooling unit (COL) may have an alignment function.

【0026】第4の処理部Gも、オーブン型の処理ユ
ニットが多段に重ねられている。すなわち、クーリング
ユニット(COL)、クーリングプレートを備えたウエ
ハ搬入出部であるエクステンション・クーリングユニッ
ト(EXTCOL)、エクステンションユニット(EX
T)、クーリングユニット(COL)、および4つのホ
ットプレートユニット(HP)が下から順に8段に重ね
られている。
[0026] The fourth processing unit G 4 also, the oven-type processing units are multi-tiered. That is, a cooling unit (COL), an extension cooling unit (EXTCOL) which is a wafer loading / unloading section provided with a cooling plate, and an extension unit (EX
T), a cooling unit (COL), and four hot plate units (HP) are stacked in eight stages from the bottom.

【0027】主ウエハ搬送機構22の背部側に第5の処
理部Gを設ける場合には、案内レール25に沿って主
ウエハ搬送機構22から見て側方へ移動できるようにな
っている。したがって、第5の処理部Gを設けた場合
でも、これを案内レール25に沿ってスライドすること
により空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構22
に対して背後からメンテナンス作業を容易に行うことが
できる。
When the fifth processing section G 5 is provided on the back side of the main wafer transfer mechanism 22, the fifth processing section G 5 can be moved laterally along the guide rail 25 when viewed from the main wafer transfer mechanism 22. Therefore, even in the case where the processing section G 5 of the fifth, the space portion by sliding along this guide rail 25 is secured, the main wafer transfer mechanism 22
Maintenance work can be easily performed from behind.

【0028】上記インターフェイス部12は、奥行方向
(X方向)については、処理ステーション11と同じ長
さを有している。図1、図2に示すように、このインタ
ーフェイス部12の正面部には、可搬性のピックアップ
カセットCRと定置型のバッファカセットBRが2段に
配置され、背面部には周辺露光装置23が配設され、中
央部には、ウエハ搬送機構24が配設されている。この
ウエハ搬送機構24は、ウエハ搬送用アーム24aを有
しており、このウエハ搬送用アーム24aは、X方向、
Z方向に移動して両カセットCR,BRおよび周辺露光
装置23にアクセス可能となっている。また、このウエ
ハ搬送用アーム24aは、θ方向に回転可能であり、処
理ステーション11の第4の処理部Gに属するエクス
テンションユニット(EXT)や、さらには隣接する露
光装置側のウエハ受け渡し台(図示せず)にもアクセス
可能となっている。
The interface section 12 has the same length as the processing station 11 in the depth direction (X direction). As shown in FIGS. 1 and 2, a portable pickup cassette CR and a stationary buffer cassette BR are arranged in two stages at the front of the interface section 12, and a peripheral exposure device 23 is arranged at the rear. The wafer transfer mechanism 24 is provided at the center. The wafer transfer mechanism 24 has a wafer transfer arm 24a, and the wafer transfer arm 24a
By moving in the Z direction, both cassettes CR and BR and the peripheral exposure device 23 can be accessed. Further, the wafer transfer arm 24a is rotatable in θ direction, the fourth processing unit G extension unit (EXT) and belonging to the 4, further wafer delivery of the adjacent exposure device side stand of the process station 11 ( (Not shown) can also be accessed.

【0029】このようなレジスト塗布現像処理システム
においては、カセットステーション10から取り出され
たウエハWは、処理ステーション11に搬送され、処理
ステーション11の上記各処理ユニットにおいてそれぞ
れアドヒージョン処理、レジスト塗布処理、およびプリ
ベーク処理等が施される。その後、ウエハWはインター
フェイス部12を介して図示しない露光装置に搬送され
露光処理が施される。その後、ウエハWはインターフェ
イス部12を介して再び処理ステーション11に搬入さ
れ、ポストエクスポージャーベーク処理、現像処理、ポ
ストベーク処理等が施される。このような一連の処理が
終了した後、ウエハWはエクステンションユニット(E
XT)を介してカセットステーション21に戻され、い
ずれかのウエハカセットCRに収容される。
In such a resist coating and developing processing system, the wafer W taken out of the cassette station 10 is transferred to the processing station 11 and is subjected to adhesion processing, resist coating processing, and resist processing in the processing units of the processing station 11, respectively. A pre-bake process or the like is performed. Thereafter, the wafer W is transferred to an exposure device (not shown) via the interface section 12 and subjected to exposure processing. Thereafter, the wafer W is transported again into the processing station 11 via the interface section 12, and subjected to post-exposure bake processing, development processing, post-bake processing, and the like. After such a series of processing is completed, the wafer W is transferred to the extension unit (E).
XT), and is returned to the cassette station 21 and stored in one of the wafer cassettes CR.

【0030】次に、図4を参照して、本発明の加熱処理
装置の実施形態であるホットプレートユニット(HP)
について説明する。図4は、本発明の第1の実施形態に
係るホットプレートユニット(HP)を示す断面図であ
る。
Next, with reference to FIG. 4, a hot plate unit (HP) which is an embodiment of the heat treatment apparatus of the present invention.
Will be described. FIG. 4 is a sectional view showing a hot plate unit (HP) according to the first embodiment of the present invention.

【0031】ホットプレートユニット(HP)は、ケー
シング50を有し、その内部の下側には円盤状をなす加
熱プレート51が配置されている。加熱プレート51は
例えばアルミニウム等の金属や、AlN等のセラミック
スで構成されており、その表面にはプロキシミティピン
52が設けられている。そして、このプロキシミティピ
ン52上に加熱プレート51に近接した状態でウエハW
が載置されるようになっている。加熱プレート51の裏
面には所定パターンを有する発熱体53が配設されてい
る。
The hot plate unit (HP) has a casing 50, and a disk-shaped heating plate 51 is arranged below the casing 50. The heating plate 51 is made of, for example, a metal such as aluminum or a ceramic such as AlN, and has a proximity pin 52 provided on a surface thereof. Then, the wafer W is placed on the proximity pins 52 in a state close to the heating plate 51.
Is to be placed. A heating element 53 having a predetermined pattern is provided on the back surface of the heating plate 51.

【0032】加熱プレート51は支持部材54に支持さ
れており、支持部材54内は空洞となっている。加熱プ
レート51には、その中央部に3つの貫通孔55が形成
されており、貫通孔55の下側には、管状のガイド部材
57が連続している。これらガイド部材57には、多数
の小片がそれぞれ回動自在に連結されて構成された多関
節構造を有し、ウエハWを昇降するための昇降部材56
が挿通されている。昇降部材56は、ピン状の先端部5
6aを有しており、この先端部56aが加熱プレート5
1の貫通孔55内を昇降して加熱プレート51から突没
することによりウエハWを支持しつつ昇降可能となって
いる。
The heating plate 51 is supported by a support member 54, and the inside of the support member 54 is hollow. The heating plate 51 has three through holes 55 formed at the center thereof, and a tubular guide member 57 is continuous below the through holes 55. Each of the guide members 57 has an articulated structure in which a number of small pieces are rotatably connected to each other, and an elevating member 56 for elevating and lowering the wafer W.
Is inserted. The elevating member 56 includes a pin-shaped tip 5.
6a, and the distal end portion 56a
By moving up and down the inside of one through hole 55 and protruding and retracting from the heating plate 51, the wafer W can be moved up and down while supporting it.

【0033】ガイド部材57は、貫通孔55から下方に
延びた後に湾曲して略水平方向に延びており、したがっ
て、昇降部材56の基端側は略水平方向に延びている。
昇降部材56の基端部56bには水平方向に延びるロッ
ド84が接続されており、これらロッド40aがプレー
ト83に固定されている。このプレート83にはシリン
ダ81のピストン82が取り付けられており、このピス
トン82は略水平方向に移動し、シリンダ81に対して
進出退入する。したがって、シリンダ81のピストン8
2が進出するとプレート83を介して各ロッド84が水
平方向に昇降部材56を押し込む動作を行い、昇降部材
56の先端部56aが加熱プレート51上面から突出す
るようになっている。また、シリンダ81のピストンが
82が退入するとプレート83を介して各ロッドが水平
方向に昇降部材56を引っ張る動作を行い、昇降部材5
6の先端部56aが加熱プレート51内へ退入するよう
になっている。
The guide member 57 extends downward from the through hole 55 and extends substantially horizontally, so that the base end of the elevating member 56 extends substantially horizontally.
Rods 84 extending in the horizontal direction are connected to the base end 56 b of the elevating member 56, and the rods 40 a are fixed to the plate 83. A piston 82 of a cylinder 81 is attached to the plate 83. The piston 82 moves in a substantially horizontal direction, and advances and retreats with respect to the cylinder 81. Therefore, the piston 8 of the cylinder 81
When the rod 2 advances, the rods 84 push the elevating member 56 in the horizontal direction via the plate 83, and the tip 56 a of the elevating member 56 projects from the upper surface of the heating plate 51. When the piston 82 of the cylinder 81 retracts, each rod performs an operation of pulling the elevating member 56 in the horizontal direction via the plate 83, and the elevating member 5
The distal end portion 56a of the sixth plate 6 retreats into the heating plate 51.

【0034】加熱プレート51および支持部材54の周
囲にはそれらを包囲支持するサポートリング61が設け
られており、このサポートリング61の上には上下動自
在の蓋体62が設けられている。そして、この蓋体62
がサポートリング61の上面まで降下した状態でウエハ
Wの加熱処理空間Sが形成される。また、ウエハWを加
熱プレート51に対して搬入出する場合には、上方に退
避される。
A support ring 61 that surrounds and supports the heating plate 51 and the support member 54 is provided, and a cover 62 that can move up and down is provided on the support ring 61. And this lid 62
Is lowered to the upper surface of the support ring 61 to form a heat treatment space S for the wafer W. When the wafer W is carried in and out of the heating plate 51, it is retracted upward.

【0035】蓋体62は、外側から中心部に向かって次
第に高くなるような円錐状をなし、中央の頂上部には排
気管64が接続された排気口63を有しており、加熱プ
レート51の外周側のサポートリング61および蓋体6
2の隙間部分から空気が導入され、排気口63および排
気管64を介して処理室Sが排気される。したがって、
処理室S内には加熱プレート51の外周側から中央に向
かう気流が形成される。
The lid 62 has a conical shape that gradually becomes higher from the outside toward the center, and has an exhaust port 63 connected to an exhaust pipe 64 at the top of the center. Support ring 61 and lid 6 on the outer peripheral side
Air is introduced from the gap portion 2 and the processing chamber S is exhausted through the exhaust port 63 and the exhaust pipe 64. Therefore,
In the processing chamber S, an airflow from the outer peripheral side of the heating plate 51 to the center is formed.

【0036】このように構成されたホットプレートユニ
ット(HP)においては、まず、ケーシング50内にウ
エハWを搬入し、シリンダ81のピストン82を進出さ
せて昇降部材56の先端部56aを加熱プレート51の
表面から突出させた状態で待機させ、その先端部56a
上にウエハWを載置する。そして、その後ピストン82
を退入させ、昇降部材56の先端部56aを降下させて
プロキシミティピン52上にウエハWを載置する。次い
で、蓋体62を降下させて、排気口63および排気管6
4を介して溶媒蒸気を排気しながら加熱処理空間Sにお
いて所定温度でウエハWに加熱処理を施す。
In the hot plate unit (HP) configured as described above, first, the wafer W is loaded into the casing 50, the piston 82 of the cylinder 81 is advanced, and the tip 56a of the elevating member 56 is moved to the heating plate 51. And stand by in a state of protruding from the surface of the
The wafer W is mounted thereon. And then the piston 82
Is retracted, and the tip end 56 a of the elevating member 56 is lowered to place the wafer W on the proximity pins 52. Next, the lid 62 is lowered, and the exhaust port 63 and the exhaust pipe 6 are lowered.
The wafer W is subjected to a heat treatment at a predetermined temperature in the heat treatment space S while exhausting the solvent vapor through 4.

【0037】加熱処理終了後、シリンダ81のピストン
82を進出させて昇降部材56の先端部56aを上昇さ
せ、プロキシミティピン52上に載置されたウエハWを
持ち上げる。この状態で搬送装置46の支持部材(アー
ム)48によりウエハWが搬送される。
After the heating process is completed, the piston 82 of the cylinder 81 is advanced to raise the tip 56a of the elevating member 56, and the wafer W placed on the proximity pins 52 is lifted. In this state, the wafer W is transferred by the support member (arm) 48 of the transfer device 46.

【0038】本実施形態では、以上のように、昇降部材
56を多関節構造として、シリンダ81のピストン82
により、昇降部材56の基端側を水平方向に移動させる
ことにより、ガイド部材57でガイドされた状態で昇降
部材56の先端部56aのみを昇降させるので、従来の
ように加熱プレート下方における昇降ピンの昇降ストロ
ークのマージン分が不要となり、ホットプレートユニッ
ト(HP)の高さを従来よりも低減することができる。
したがって、従来と同じ数のホットプレートユニットの
場合にはシステム全体を小型化することができるし、逆
にシステムの大きさをあまり変えることなくより多数の
ホットプレートユニットを搭載することが可能となる。
In the present embodiment, as described above, the lifting member 56 has an articulated structure,
By moving the base end side of the elevating member 56 in the horizontal direction, only the distal end portion 56a of the elevating member 56 is moved up and down while being guided by the guide member 57, so that the elevating pin And the height of the hot plate unit (HP) can be reduced as compared with the related art.
Therefore, in the case of the same number of hot plate units as in the related art, the entire system can be reduced in size, and conversely, a larger number of hot plate units can be mounted without much changing the size of the system. .

【0039】本実施形態において、昇降部材56の先端
部56aをスムーズに昇降させるためには、図5に示す
ように、貫通孔55にベアリング85を介装させること
が有効である。また、図6に示すように、加熱プレート
51に斜めの貫通孔55’を形成することも有効であ
る。
In this embodiment, it is effective to interpose a bearing 85 in the through hole 55 as shown in FIG. 5 in order to smoothly raise and lower the distal end portion 56a of the lifting member 56. Also, as shown in FIG. 6, it is effective to form an oblique through hole 55 ′ in the heating plate 51.

【0040】また、図7に示すように、昇降部材56の
途中に、例えばねじ機構からなる微調整部86を設け、
昇降部材56の長さを微調整することができるようにす
れば、制御精度が向上し、昇降部材56の先端部56a
の加熱プレート51からの突出長さを高精度で制御する
ことができ、昇降部材56によりプロキシミティギャッ
プを制御しつつ加熱処理を行うことができる。
Further, as shown in FIG. 7, a fine adjustment unit 86 comprising, for example, a screw mechanism is provided in the middle of the elevating member 56,
If the length of the elevating member 56 can be finely adjusted, the control accuracy is improved, and the distal end portion 56a of the elevating member 56 is improved.
The protrusion length from the heating plate 51 can be controlled with high precision, and the heating process can be performed while controlling the proximity gap by the elevating member 56.

【0041】さらに、多関節体からなる昇降部材56の
代わりに、図8に示すように、可撓性を有する部材から
なる昇降部材56’を設けてもよい。このような可撓性
を有する部材としてはグラスファイバー等のファイバー
や、プラスチック部材等が挙げられ、このように可撓性
を有することにより、途中で湾曲しているガイド部材5
7中をガイド部材57に追従して移動させることができ
る。具体的には、このような可撓性を有する昇降部材5
6’の基端部56b’をシリンダ81により略水平方向
に移動させることにより、昇降部材56’はガイド部材
57中を移動し、昇降部材56’の先端部56a’が略
垂直に設けられた貫通孔55中を移動して、加熱プレー
ト51の表面から突出することが可能である。
Further, as shown in FIG. 8, an elevating member 56 'made of a flexible member may be provided instead of the elevating member 56 made of an articulated body. Examples of such a flexible member include fibers such as glass fiber, plastic members, and the like. The guide member 5 that is curved in the middle due to such flexibility.
7 can be moved following the guide member 57. Specifically, the elevating member 5 having such flexibility
By moving the base end 56b 'of 6' in a substantially horizontal direction by the cylinder 81, the elevating member 56 'is moved in the guide member 57, and the distal end 56a' of the elevating member 56 'is provided substantially vertically. It is possible to move in the through hole 55 and protrude from the surface of the heating plate 51.

【0042】したがって、この場合にも、加熱プレート
下方における昇降ピンの昇降ストロークのマージン分が
不要となり、ホットプレートユニット(HP)の高さを
従来よりも低減することができ、多関節体の昇降部材を
用いた場合と同様の効果を得ることができる。
Accordingly, also in this case, a margin for the up / down stroke of the up / down pins below the heating plate becomes unnecessary, and the height of the hot plate unit (HP) can be reduced as compared with the conventional case, and the elevation of the multi-jointed body can be reduced. The same effect as when the member is used can be obtained.

【0043】次に、本発明の第2の実施形態に係るホッ
トプレートユニット(HP)について説明する。図9は
第2の実施形態に係るホットプレートユニット(HP)
の要部を示す断面図、図10はその加熱プレートを示す
平面図である。なお、図9、図10において第1の実施
形態に係るホットプレートユニットと同じものには同じ
符号を付している。
Next, a hot plate unit (HP) according to a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 9 shows a hot plate unit (HP) according to the second embodiment.
And FIG. 10 is a plan view showing the heating plate. 9 and 10, the same components as those of the hot plate unit according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals.

【0044】ここでは、3本の昇降部材91が加熱プレ
ート51に収容されている。昇降部材91は、加熱プレ
ート51内に形成された溝90を移動可能に構成されて
おり、その先端部91aを上にした状態で、溝90の側
壁にガイドされつつ溝90の底部90aに沿って移動可
能となっている。溝90の底部90aは水平面に対して
αで示す角度で傾斜して設けられており、昇降部材91
が底部90aを移動することにより、昇降部材91の先
端部91aが加熱プレート51の表面に対して突没する
ようになっている。
Here, three elevating members 91 are accommodated in the heating plate 51. The elevating member 91 is configured to be movable in a groove 90 formed in the heating plate 51, and along the bottom 90 a of the groove 90 while being guided by the side wall of the groove 90, with the front end portion 91 a facing upward. Mobile. The bottom 90 a of the groove 90 is provided at an angle indicated by α with respect to the horizontal plane.
By moving the bottom 90 a, the distal end portion 91 a of the elevating member 91 projects and retracts with respect to the surface of the heating plate 51.

【0045】これら昇降部材91には棒状部材92が水
平方向に延びるように取り付けられており、この棒状部
材92は加熱プレート51を貫通しており、図11に示
すように、加熱プレート51に溝90の底部90aと同
様αの角度で傾斜して形成された溝95内を移動可能と
なっている。なお、この棒状部材92は2本設けられて
おり、その一本は2つの昇降部材91に共通であり、他
の一つの棒状部材92は他の一つの昇降部材91に取り
付けられている。
A rod-shaped member 92 is attached to the elevating member 91 so as to extend in the horizontal direction. The rod-shaped member 92 penetrates the heating plate 51, and as shown in FIG. Like the bottom 90a of the 90, the groove 90 can be moved in a groove 95 formed at an angle of α. Note that two rod members 92 are provided, one of which is common to the two lifting members 91, and the other one of the rod members 92 is attached to the other lifting member 91.

【0046】2つの棒状部材92の両端は、それぞれ一
対のベルト93に取り付けられており、それぞれ一方の
ベルト93をモーター94により駆動することにより、
棒状部材92を介して昇降部材91が溝90の底部90
aに沿って移動するようになっている。図12に示すよ
うに、ベルト93はモーター94によって駆動される駆
動プーリー96および従動プーリー97に巻き掛けられ
てベルト駆動機構を構成しており、このベルト駆動機構
は角度αで傾斜して設けられている。
The two ends of the two rod-shaped members 92 are attached to a pair of belts 93, respectively.
The elevating member 91 is connected to the bottom 90 of the groove 90 via the rod-shaped member 92.
It moves along a. As shown in FIG. 12, the belt 93 is wound around a driving pulley 96 and a driven pulley 97 driven by a motor 94 to form a belt driving mechanism. The belt driving mechanism is provided at an angle α. ing.

【0047】このように構成されたホットプレートユニ
ット(HP)においては、まず、ケーシング50内にウ
エハWを搬入し、モータ94により昇降部材91を溝9
0内で底部90aに沿って移動させ、その先端部91a
を加熱プレート51の表面から突出させた状態で待機さ
せ、その先端部91a上にウエハWを載置する。そし
て、モータ94により昇降部材91を降下させ、プロキ
シミティピン52上にウエハWを載置する。次いで、蓋
体62を降下させて、排気口63および排気管64を介
して溶媒蒸気を排気しながら加熱処理空間Sにおいて所
定温度でウエハWに加熱処理を施す。
In the hot plate unit (HP) configured as described above, first, the wafer W is loaded into the casing 50 and the elevating member 91 is moved by the motor 94 into the groove 9.
0 along the bottom 90a, and the tip 91a
Is made to stand by while projecting from the surface of the heating plate 51, and the wafer W is placed on the front end portion 91a. Then, the elevating member 91 is lowered by the motor 94, and the wafer W is mounted on the proximity pins 52. Next, the lid 62 is lowered, and the wafer W is subjected to a heat treatment at a predetermined temperature in the heat treatment space S while exhausting the solvent vapor through the exhaust port 63 and the exhaust pipe 64.

【0048】加熱処理終了後、モータ94により昇降部
材91を溝90内で底部90aに沿って移動させ、その
先端部91aによりプロキシミティピン52上に載置さ
れたウエハWを持ち上げる。この状態で搬送装置46の
アーム48によりウエハWが搬送される。
After the completion of the heating process, the elevating member 91 is moved along the bottom 90a in the groove 90 by the motor 94, and the wafer W mounted on the proximity pin 52 is lifted by the tip 91a. In this state, the wafer W is transferred by the arm 48 of the transfer device 46.

【0049】本実施形態では、以上のように、ウエハW
を昇降させる昇降部材91が、加熱プレート51内に収
容されるようになっており、その先端部91aが溝90
の底部90aを移動することにより加熱プレート51の
表面に対して突没可能であり、この昇降部材91をモー
タ94により移動させて昇降部材91の先端部91aを
突没させるので、従来のように加熱プレート下方に昇降
ピンが存在せず、したがって、従来のように加熱プレー
ト下方における昇降ピンの昇降ストロークのマージン分
が不要となり、第1の実施形態と同様、ホットプレート
ユニット(HP)の高さを低減することができる。
In the present embodiment, as described above, the wafer W
The elevating member 91 for elevating the elevating member is housed in the heating plate 51, and the distal end portion 91 a of the elevating member 91 is
By moving the bottom portion 90a of the heating plate 51, it is possible to protrude and retract from the surface of the heating plate 51, and the elevating member 91 is moved by the motor 94 to protrude and retract the tip portion 91a of the elevating member 91. There is no lifting pin below the heating plate, and therefore, a margin for the lifting stroke of the lifting pin below the heating plate as in the related art is unnecessary, and the height of the hot plate unit (HP) is the same as in the first embodiment. Can be reduced.

【0050】本実施形態において、リニアーに移動する
上記昇降部材91の代わりに、図13の断面図および図
14の平面図に示すように回転により突没する昇降部材
91’を用いることもできる。この場合には、昇降部材
91’の偏心した位置に回転軸99を水平に設け、昇降
部材91’の回転軌跡に対応して加熱プレート51に溝
98を設け、図13の(a)に示すような加熱プレート
51に収容されている状態から昇降部材91’を回転軸
99を中心に回転させることにより、(b)に示すよう
な昇降部材91’の先端部91a’が加熱プレート51
の表面から突出した状態とすることができる。これら昇
降部材91’の回転軸99は、図14に示すように、加
熱プレート51の内部を通って加熱プレート51の外部
に設けられたモータ100の軸に連結されている。な
お、この回転軸99は2本設けられており、その一本は
2つの昇降部材91’に共通であり、他の一つの回転軸
99は他の一つの昇降部材91’に取り付けられてい
る。
In this embodiment, in place of the linearly moving elevating member 91, an elevating member 91 'which protrudes and retracts by rotation can be used as shown in the sectional view of FIG. 13 and the plan view of FIG. In this case, a rotating shaft 99 is horizontally provided at an eccentric position of the elevating member 91 ', and a groove 98 is provided in the heating plate 51 corresponding to the rotation locus of the elevating member 91', as shown in FIG. By rotating the elevating member 91 ′ about the rotating shaft 99 from the state of being housed in the heating plate 51, the tip 91 a ′ of the elevating member 91 ′ as shown in FIG.
Can protrude from the surface. As shown in FIG. 14, the rotating shaft 99 of the lifting member 91 ′ is connected to a shaft of a motor 100 provided outside the heating plate 51 through the inside of the heating plate 51. Note that two rotating shafts 99 are provided, one of which is common to the two lifting members 91 ′, and the other rotating shaft 99 is attached to the other lifting member 91 ′. .

【0051】この場合にも、ウエハWを昇降させる昇降
部材91’が、加熱プレート51内に収容されるように
なっており、その先端部91a’が溝98内で回転して
加熱プレート51の表面に対して突没可能であり、この
昇降部材91’をモータ100により回転させて昇降部
材91’の先端部91a’を突没させるので、従来のよ
うに加熱プレート下方に昇降ピンが存在せず、したがっ
て、従来のように加熱プレート下方における昇降ピンの
昇降ストロークのマージン分が不要となり、ホットプレ
ートユニット(HP)の高さを低減することができる。
Also in this case, an elevating member 91 'for elevating and lowering the wafer W is accommodated in the heating plate 51, and its tip end 91a' rotates in the groove 98 to allow the heating plate 51 to rotate. Since the elevating member 91 'is rotated by the motor 100 to protrude and retract the distal end portion 91a' of the elevating member 91 ', there is no elevating pin below the heating plate as in the related art. Therefore, it is not necessary to provide a margin for the up / down stroke of the up / down pins below the heating plate as in the related art, and the height of the hot plate unit (HP) can be reduced.

【0052】次に、本発明の第3の実施形態に係るホッ
トプレートユニット(HP)について説明する。図15
は第3の実施形態に係るホットプレートユニット(H
P)の要部を示す断面図である。なお、図15において
第1の実施形態に係るホットプレートユニットと同じも
のには同じ符号を付している。
Next, a hot plate unit (HP) according to a third embodiment of the present invention will be described. FIG.
Is a hot plate unit (H) according to the third embodiment.
It is sectional drawing which shows the principal part of P). In FIG. 15, the same components as those of the hot plate unit according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals.

【0053】ここでは、3本の昇降部材111は、加熱
プレート51の貫通孔55を移動可能でかつ加熱プレー
ト51の表面に対して突没可能であり、その基端側に着
磁された着磁部112を有している。そしてその先端部
111aによりウエハWを支持可能となっている。着磁
部112は、例えば図示のようにその下部が「N」にな
るように着磁されている。
Here, the three elevating members 111 can move through the through holes 55 of the heating plate 51 and can protrude and retract from the surface of the heating plate 51, and the magnetized magnets are provided at the base ends thereof. It has a magnetic part 112. The front end 111a can support the wafer W. The magnetized part 112 is magnetized so that the lower part thereof becomes “N” as shown in the figure, for example.

【0054】昇降部材111の下方には、着磁部12に
対して磁力を及ぼして昇降部材111を昇降させる磁界
発生手段としての電磁石113が設けられている。この
電磁石113は磁性体からなる心材113aにコイル1
13bが巻回されて構成されており、このコイル113
bには直流電源114および出力調整機構115が接続
されている。この出力調整機構115は制御装置116
により制御されるようになっている。そして、出力調整
機構115により電源114から電磁石113への出力
を0にした場合には、図15の(a)のように、着磁部
112が電磁石113に接触する位置まで昇降部材11
1が下降した状態となっており、一方、出力調整機構1
15を調整してコイル113に所定の電流を流し、
(b)に示すように、電磁石113に上方が「N」下方
が「S」となるような磁界を形成することにより、着磁
部112と電磁石113とは反発し合うため、昇降部材
111は上昇してその先端部111aが加熱プレート5
1の表面から突出した状態となる。なお、着磁部112
の下端の極性はSであっても構わない。また、昇降部材
111が下降した状態を形成する際に、電磁石113に
着磁部112と引き合うような磁界を形成してもよい。
このようにすることにより、昇降部材111の位置ずれ
が生じることを回避することができる。
An electromagnet 113 is provided below the elevating member 111 as magnetic field generating means for applying a magnetic force to the magnetized portion 12 to elevate the elevating member 111. The electromagnet 113 includes a core 1 a made of a magnetic material and a coil 1.
13b is wound around the coil 113b.
DC power supply 114 and output adjustment mechanism 115 are connected to b. This output adjustment mechanism 115 is
Is controlled by the When the output from the power supply 114 to the electromagnet 113 is set to 0 by the output adjustment mechanism 115, the lifting member 11 is moved to a position where the magnetized portion 112 contacts the electromagnet 113 as shown in FIG.
1 has been lowered, while the output adjustment mechanism 1
15 and a predetermined current is passed through the coil 113,
As shown in (b), by forming a magnetic field on the electromagnet 113 such that the upper side is “N” and the lower side is “S”, the magnetized portion 112 and the electromagnet 113 repel each other. Ascending, the tip portion 111a becomes the heating plate 5
1 protrudes from the surface. The magnetized part 112
May be S at the lower end. Further, when forming the state in which the elevating member 111 is lowered, a magnetic field may be formed in the electromagnet 113 so as to attract the magnetized part 112.
By doing so, it is possible to prevent the displacement of the elevating member 111 from occurring.

【0055】このように構成されたホットプレートユニ
ット(HP)においては、まず、ケーシング50内にウ
エハWを搬入し、出力調整機構115を調整して電磁石
113に所定の電流を供給してその上方が「N」になる
ようにし、昇降部材111を図15の(b)のように上
昇させ、その先端部111aを突出させた状態で待機さ
せ、その先端部111a上にウエハWを載置する。そし
て、出力調整機構115により徐々に電磁石113に供
給する出力を低下させて昇降部材111を降下させ、プ
ロキシミティピン52上にウエハWを載置する。次い
で、蓋体62を降下させて、排気口63および排気管6
4を介して溶媒蒸気を排気しながら加熱処理空間Sにお
いて所定温度でウエハWに加熱処理を施す。
In the hot plate unit (HP) configured as above, first, the wafer W is loaded into the casing 50, the output adjusting mechanism 115 is adjusted to supply a predetermined current to the electromagnet 113, and the Is raised to "N", the elevating member 111 is raised as shown in FIG. 15 (b), and the front end 111a is made to stand by in a protruding state, and the wafer W is placed on the front end 111a. . Then, the output supplied to the electromagnet 113 is gradually reduced by the output adjusting mechanism 115 to lower the elevating member 111, and the wafer W is mounted on the proximity pins 52. Next, the lid 62 is lowered, and the exhaust port 63 and the exhaust pipe 6 are lowered.
The wafer W is subjected to a heat treatment at a predetermined temperature in the heat treatment space S while exhausting the solvent vapor through 4.

【0056】加熱処理終了後、出力調整機構115によ
り電磁石113に所定の出力を供給することにより昇降
部材111を上昇させ、その先端部111aによりプロ
キシミティピン52上に載置されたウエハWを持ち上げ
る。この状態で搬送装置46の支持部材(アーム)48
によりウエハWが搬送される。
After the heating process is completed, a predetermined output is supplied to the electromagnet 113 by the output adjusting mechanism 115 to raise the elevating member 111, and the tip 111a lifts the wafer W mounted on the proximity pin 52. . In this state, the support member (arm) 48 of the transfer device 46
Transports the wafer W.

【0057】本実施形態では、以上のように、ウエハW
を昇降させる昇降部材111が、その先端部111aが
加熱プレート51の表面に対して突没可能で、かつその
基端側に、着磁された着磁部112を有し、この着磁部
112と対向して、着磁部112に対して磁力を及ぼし
て昇降部材111を昇降させる磁界発生手段としての電
磁石113を設けたので、電磁石113の磁力を調整す
るだけで、昇降部材111を昇降させることができ、従
来のように加熱プレート下方に昇降ピンが突出している
必要はない。したがって、従来のように加熱プレート下
方における昇降ピンの昇降ストロークのマージン分が不
要となり、ホットプレートユニット(HP)の高さを低
減することができる。
In the present embodiment, as described above, the wafer W
The elevating member 111 for raising and lowering has a front end portion 111a that can be protruded and retracted with respect to the surface of the heating plate 51, and has a magnetized portion 112 magnetized on the base end side thereof. The electromagnet 113 as a magnetic field generating means for applying a magnetic force to the magnetized portion 112 to move the elevating member 111 up and down is provided, so that the elevating member 111 is moved up and down only by adjusting the magnetic force of the electromagnet 113. The lifting pins do not need to be projected below the heating plate as in the related art. This eliminates the need for a margin for the elevating stroke of the elevating pins below the heating plate as in the related art, and can reduce the height of the hot plate unit (HP).

【0058】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態で
は加熱プレートによってウエハを加熱する場合について
示したが、本発明はウエハを冷却プレートにより冷却す
る場合にも適用可能である。また、上記実施形態ではウ
エハをプロキシミティピン上に載置して間接的に加熱を
行った場合について示したが、ウエハを加熱プレート上
に直接載置して加熱してもよい。さらに、上記実施形態
では基板として半導体ウエハを用いた場合について説明
したが、半導体ウエハ以外の他の被処理基板、例えばL
CD基板を加熱または冷却処理する処理装置に対しても
有効である。さらにまた、第3の実施形態において磁界
発生手段として電磁石を用いたが、これに限るものでは
ない。
Note that the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications are possible. For example, in the above embodiment, the case where the wafer is heated by the heating plate has been described, but the present invention is also applicable to the case where the wafer is cooled by the cooling plate. In the above embodiment, the case where the wafer is placed on the proximity pins and the heating is performed indirectly is described. However, the wafer may be placed directly on the heating plate and heated. Further, in the above-described embodiment, the case where a semiconductor wafer is used as a substrate has been described.
This is also effective for a processing apparatus for heating or cooling a CD substrate. Furthermore, although the electromagnet is used as the magnetic field generating means in the third embodiment, the invention is not limited to this.

【0059】[0059]

【発明の効果】以上説明したように、第1発明によれ
ば、基板を昇降させる昇降部材が、その先端部が前記プ
レートの表面に対して突没可能で、かつ基端部が水平方
向に移動可能なように構成され、水平機構により昇降部
材の基端部を水平方向に移動させて先端部を突没させる
ので、装置高さを低減することができる。
As described above, according to the first aspect of the present invention, the elevating member for elevating and lowering the substrate has its distal end protruding and retracting with respect to the surface of the plate and its base end extending horizontally. The apparatus is configured to be movable, and the horizontal mechanism moves the base end of the elevating member in the horizontal direction to protrude and retract the tip, so that the height of the apparatus can be reduced.

【0060】第2発明によれば、基板を昇降させる昇降
部材が、プレート内に収容されるようになっており、そ
の先端部がプレートの表面に対して突没可能であり、こ
の昇降部材を移動機構により移動させて昇降部材の先端
部を突没させるので、加熱プレート下方に昇降ピンが存
在せず、装置高さを低減することができる。
According to the second aspect of the present invention, the elevating member for elevating the substrate is accommodated in the plate, and the tip of the elevating member can protrude and retract from the surface of the plate. Since the tip of the elevating member is protruded and retracted by being moved by the moving mechanism, there is no elevating pin below the heating plate, and the height of the apparatus can be reduced.

【0061】第3発明によれば、基板を昇降させる昇降
部材が、その先端部が前記プレートの表面に対して突没
可能で、かつ少なくともその基端側に着磁された着磁部
を有し、この昇降部材の着磁部と対向して、着磁部に対
して磁力を及ぼして前記昇降部材を昇降させる磁界発生
手段を設けたので、磁界発生手段の磁力を調整するだけ
で昇降部材を昇降させることができ、プレート下方に昇
降ピンが突出している必要はないので、装置高さを低減
することができる。
According to the third aspect of the present invention, the elevating member for elevating the substrate has a magnetized portion whose front end can be protruded and retracted with respect to the surface of the plate, and which is magnetized at least on its base end side. Further, since the magnetic field generating means for applying a magnetic force to the magnetized portion and moving the elevating member up and down is provided opposite to the magnetized portion of the elevating member, the elevating member can be adjusted only by adjusting the magnetic force of the magnetic field generating means. Can be raised and lowered, and it is not necessary for the lifting pins to protrude below the plate, so that the height of the apparatus can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の処理装置の実施形態であるホットプレ
ートユニットを備えたレジスト塗布・現像処理システム
を示す平面図。
FIG. 1 is a plan view showing a resist coating / developing system including a hot plate unit which is an embodiment of a processing apparatus of the present invention.

【図2】本発明の処理装置の実施形態であるホットプレ
ートユニットを備えたレジスト塗布・現像処理システム
を示す正面図。
FIG. 2 is a front view showing a resist coating and developing system including a hot plate unit as an embodiment of the processing apparatus of the present invention.

【図3】本発明の処理装置の実施形態であるホットプレ
ートユニットを備えたレジスト塗布・現像処理システム
を示す背面図。
FIG. 3 is a rear view showing a resist coating and developing system including a hot plate unit as an embodiment of the processing apparatus of the present invention.

【図4】本発明の第1の実施形態に係るホットプレート
ユニットを示す断面図。
FIG. 4 is a sectional view showing the hot plate unit according to the first embodiment of the present invention.

【図5】加熱プレートの貫通孔にベアリングを設けた例
を示す断面図。
FIG. 5 is a sectional view showing an example in which a bearing is provided in a through hole of a heating plate.

【図6】加熱プレートに斜めの貫通孔を形成した例を示
す断面図。
FIG. 6 is a sectional view showing an example in which oblique through holes are formed in a heating plate.

【図7】図4のホットプレートユニットの昇降部材にネ
ジ機構を設けた例を示す図。
FIG. 7 is a view showing an example in which a screw mechanism is provided on the elevating member of the hot plate unit of FIG. 4;

【図8】図4のホットプレートユニットの変形例を示す
断面図。
FIG. 8 is a sectional view showing a modification of the hot plate unit of FIG. 4;

【図9】本発明の第2の実施形態に係るホットプレート
ユニットの要部を示す断面図。
FIG. 9 is a sectional view showing a main part of a hot plate unit according to a second embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第2の実施形態に係るホットプレー
トユニットの加熱プレートを示す平面図。
FIG. 10 is a plan view showing a heating plate of a hot plate unit according to a second embodiment of the present invention.

【図11】本発明の第2の実施形態に係るホットプレー
トユニットの加熱プレートの一部を示す側面図。
FIG. 11 is a side view showing a part of a heating plate of a hot plate unit according to a second embodiment of the present invention.

【図12】本発明の第2の実施形態に係るホットプレー
トユニットに用いられるベルト駆動機構を示す側面図。
FIG. 12 is a side view showing a belt drive mechanism used in the hot plate unit according to the second embodiment of the present invention.

【図13】本発明の第2の実施形態の変形例に係るホッ
トプレートユニットの要部を示す断面図。
FIG. 13 is a sectional view showing a main part of a hot plate unit according to a modification of the second embodiment of the present invention.

【図14】本発明の第2の実施形態の変形例に係るホッ
トプレートユニットの加熱プレートを示す平面図。
FIG. 14 is a plan view showing a heating plate of a hot plate unit according to a modification of the second embodiment of the present invention.

【図15】本発明の第3の実施形態に係るホットプレー
トユニットの要部を示す断面図。
FIG. 15 is a sectional view showing a main part of a hot plate unit according to a third embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

50;ケーシング 51;加熱プレート 52;プロキシミティーピン 53;発熱体 54;支持部材 55;貫通孔 56,56’,91,91’、111;昇降部材 56a,56a’,91a,91a’,111;先端部 56b;基端部 57;ガイド部材 81;シリンダ 82;ピストン 90,98;溝 92;棒状部材 93;ベルト 94,100;モータ 99;回転軸 112;着磁部 113;電磁石(磁界発生手段) HP;ホットプレートユニット(処理装置) W;ウエハ(基板) 50; casing 51; heating plate 52; proximity pin 53; heating element 54; support member 55; through-holes 56, 56 ', 91, 91', 111; Guide part 81; Cylinder 82; Piston 90, 98; Groove 92; Bar member 93; Belt 94, 100; Motor 99; Rotating shaft 112; Magnetized part 113; ) HP; hot plate unit (processing equipment) W; wafer (substrate)

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板を所定温度に加熱処理または冷却処
理する処理装置であって、 その表面上のまたは表面に近接した処理位置にて基板を
加熱または冷却するプレートと、 先端部が前記プレートの表面に対して突没可能で、かつ
基端部が略水平方向に移動可能に構成され、先端部によ
り基板を処理位置とその上方の搬送位置との間で昇降さ
せる昇降部材と、 前記昇降部材の基端部を略水平方向に移動させる水平移
動機構とを具備することを特徴とする処理装置。
1. A processing apparatus for heating or cooling a substrate to a predetermined temperature, comprising: a plate for heating or cooling the substrate at a processing position on or close to the surface thereof; An elevating member configured to be able to protrude and retract with respect to the surface and to have a base end movable in a substantially horizontal direction, and to elevate and lower the substrate between a processing position and a transport position above the base by the tip; And a horizontal movement mechanism for moving the base end of the base in a substantially horizontal direction.
【請求項2】 前記昇降部材は多関節体であることを特
徴とする請求項1に記載の処理装置。
2. The processing apparatus according to claim 1, wherein the lifting member is an articulated body.
【請求項3】 前記昇降部材は可撓性を有することを特
徴とする請求項1に記載の処理装置。
3. The processing apparatus according to claim 1, wherein the lifting member has flexibility.
【請求項4】 基板を所定温度に加熱処理または冷却処
理する処理装置であって、 その表面上のまたは表面に近接した処理位置にて基板を
加熱または冷却するプレートと、 前記プレートに収容され、その先端部がプレートの表面
に対して突没可能に設けられ、先端部により基板を処理
位置とその上方の搬送位置との間で昇降させる昇降部材
と、 前記昇降部材を移動させ、その先端部を突没させる移動
機構とを具備することを特徴とする処理装置。
4. A processing apparatus for heating or cooling a substrate to a predetermined temperature, comprising: a plate for heating or cooling the substrate at a processing position on or close to the surface thereof; An elevating member whose tip is provided so as to be able to protrude and retract with respect to the surface of the plate, and which raises and lowers the substrate between the processing position and the transport position above the plate by the tip; And a moving mechanism for projecting and retracting.
【請求項5】 前記プレート内には、前記昇降部材が移
動する斜面が形成されており、前記移動機構は、この斜
面に沿って前記昇降部材を移動させてその先端部を突没
させることを特徴とする請求項4に記載の処理装置。
5. A slope on which the elevating member moves is formed in the plate, and the moving mechanism moves the elevating member along the slope so as to protrude and retract the tip end thereof. The processing apparatus according to claim 4, wherein
【請求項6】 前記昇降部材は水平方向に延びる偏心軸
を有し、前記移動機構は前記昇降部材を偏心軸を回転軸
として回転させることにより、昇降部材の先端部を突没
させることを特徴とする請求項4に記載の処理装置。
6. The elevating member has an eccentric shaft extending in a horizontal direction, and the moving mechanism rotates the elevating member about the eccentric shaft as a rotation axis to protrude and retract the tip of the elevating member. The processing device according to claim 4.
【請求項7】 基板を所定温度に加熱処理または冷却処
理する処理装置であって、 その表面上のまたは表面に近接した処理位置にて基板を
加熱または冷却するプレートと、 先端部が前記プレートの表面に対して突没可能で、かつ
少なくともその基端側に、着磁された着磁部を有し、先
端部により基板を処理位置とその上方の搬送位置との間
で昇降させる昇降部材と、 前記昇降部材の着磁部と対向して設けられ、着磁部に対
して磁力を及ぼして前記昇降部材を昇降させる磁界発生
手段とを具備することを特徴とする処理装置。
7. A processing apparatus for heating or cooling a substrate to a predetermined temperature, comprising: a plate for heating or cooling the substrate at a processing position on or near a surface thereof; An ascending / descending member capable of protruding and retracting from the surface, and having a magnetized portion at least on its base end side, and elevating and lowering the substrate between a processing position and a transport position above the front end by a tip end; And a magnetic field generating means provided to face the magnetized portion of the elevating member and exert a magnetic force on the magnetized portion to move the elevating member up and down.
【請求項8】 前記磁界発生手段は電磁石を有し、この
電磁石の磁力を調整して前記昇降部材を昇降させること
を特徴とする請求項7に記載の処理装置。
8. The processing apparatus according to claim 7, wherein said magnetic field generating means has an electromagnet, and adjusts a magnetic force of said electromagnet to move said elevating member up and down.
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