JP2001273084A - 座標入力装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 切替え動作のためのスイッチ回路を必要とせ
ず、高速動作を可能とし、切替え動作に伴い発生するノ
イズが発生せず、さらに、単位時間当たりの検出座標数
を増大させることができるデジタイザを提供する。 【解決手段】 Ｘ座標を検出するための一対の抵抗膜で
ある第１抵抗膜Ｘｔ−１と第２抵抗膜Ｘｔ−２が設けら
れているとともに、Ｙ座標を検出するための一対の抵抗
膜である第３抵抗膜Ｙｔ−１と第４抵抗膜Ｙｔ−２が設
けられている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、デジタイザに関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、軽量で携帯可能な小型の携帯情報
処理装置が多く製品化されており、ペンを用いて手書き
入力やアイコン操作を行う製品が増加している。該製品
においては、使用するペンの種類を問わず、安価で簡単
な構成で実現できることから、抵抗膜感圧式デジタイザ
が広く用いられている。

【０００３】ここで、抵抗膜感圧式デジタイザの構成を
示すと、抵抗膜感圧式デジタイザは、図７に示すよう
に、樹脂フィルム等で形成された上下２枚のパネル３０
１を向かい合わせて配置し、パネル３０１の内側に蒸着
等により導電性シートとしての抵抗膜３０２が形成され
たサンドイッチ状の構成となっている。ここで、押圧さ
れていない状態では、該２枚の抵抗膜３０２が接触しな
いように、絶縁スペーサ３０３が設けられている。

【０００４】また、上記の各抵抗膜の両端には、電極が
設けられており、各電極にはリード線が接続され、電圧
の印加や電位検出用の端子として使用される。各抵抗膜
の電極の設置方向は２つの抵抗膜において互いに直交す
るように配される。この２枚の抵抗膜の一方はＸ座標検
出用に、他方はＹ座標検出用に使用される。つまり、Ｘ
座標検出用の抵抗膜においては、左右の両端に電極が設
置され、一方、Ｙ座標検出用の抵抗膜においては、上下
の両端に電極が設置される。

【０００５】ここで、従来のデジタイザにおいては、４
線式のタイプのものが存在する。すなわち、４線式タイ
プのデジタイザを使用した座標検出装置は、図８に示す
ように、デジタイザ１０と、スイッチＳＷ０〜ＳＷ４
と、Ａ／Ｄ変換器１００と、演算制御部１１０を有して
いる。そして、該デジタイザ１０には、図９に示すよう
に、Ｘ座標検出用抵抗膜ＸｔとＹ座標検出用抵抗膜Ｙｔ
とが設けられ、該Ｘ座標検出用抵抗膜ＸｔとＹ座標検出
用抵抗膜Ｙｔとには、それぞれ平行に一対の電極が設け
られ、該Ｘ座標検出用抵抗膜Ｘｔに設けられた電極と、
Ｙ座標検出用抵抗膜Ｙｔに設けられた電極とは直交する
ように配置されている。さらに、該各電極には、引出し
線が配線されている。つまり、４線式の場合には、各抵
抗膜の両端部には１つずつの電極が設けられ、デジタイ
ザ１０には計４つの電極が設けられて、その各電極から
配線されている。

【０００６】ここで、座標検出の基本原理を説明する
と、デジタイザ面をペン等で押圧した場合に、押圧点の
電位Ｖp を検出し、その電位Ｖp を定電圧Ｖccと比較す
ることにより検出が可能である。つまり、図８におい
て、Ｘ座標を検出する場合には、スイッチＳＷ０をｂ
側、スイッチＳＷ１をａ側、スイッチＳＷ２をｂ側、ス
イッチＳＷ３をｂ側、スイッチＳＷ４をａ側に接続する
と、Ｘ座標検出用抵抗膜ＸｔにはＶcc−グランド間に通
電されるので、スイッチＳＷ２又はスイッチＳＷ４から
押圧点の電位Ｖp を検出する。すると、Ｖp ／Ｖccを算
出することによりＸ座標の検出ができる。なお、Ｙ座標
についても同様に行う。

【０００７】また、従来のデジタイザにおいては、８線
式のデジタイザも存在する。つまり、４線式のデジタイ
ザおいては、デジタイザの抵抗膜以外の引出し線の抵抗
成分やコネクタ接触抵抗を考慮していないという問題点
があるため、各電極にさらにリード線を配して、デジタ
イザの端の電圧を求めることにより、デジタイザの座標
位置を正確に検出できるようにしている。

【０００８】つまり、８線式のデジタイザにおいては、
各電極に２本のリード線が配設され、デジタイザの端の
電位を正確に検出することができる。そして、２つのデ
ジタイザの端の電位が検出されたら、それらから電位勾
配を検出する。８線式デジタイザの場合の回路構成は図
１０のようになる。

【０００９】ここで、８線式のデジタイザにおいては、
Ｘ座標検出用抵抗膜Ｘｔにおける端電圧、つまり、Ｘ座
標検出用抵抗膜Ｘｔに定電圧Ｖccを印加した場合の２つ
の電極の電位を検出し、また、Ｙ座標検出用抵抗膜Ｙｔ
における端電圧、つまり、Ｙ座標検出用抵抗膜Ｙｔに定
電圧Ｖccを印加した場合の２つの電極の電位を検出す
る。そして、検出された電位に基づき、電位勾配直線を
Ｘ座標検出用抵抗膜ＸｔとＹ座標検出用抵抗膜Ｙｔのそ
れぞれについて算出し、この電位勾配直線に基づきＸ座
標とＹ座標を算出する。

【００１０】つまり、ペンダウンがあった場合には、ま
ず、Ｘ座標検出用の抵抗膜において以下のように電位の
検出を行う。つまり、図１０における各スイッチについ
て、ＳＷ０をｂ側、ＳＷ１をａ側、ＳＷ２をｂ側、ＳＷ
３をｂ側、ＳＷ４をａ側に切り換える。すると、Ｘ座標
検出用抵抗膜Ｘｔにおいて電流がＶccからＧＮＤに向け
て流れるので、押圧点の電位をＹ座標検出用抵抗膜Ｙｔ
に設けられたリード線を介して検出する。

【００１１】そして、次には、Ｙ座標検出用の抵抗膜に
おいて以下のように電位の検出を行う。つまり、図１０
における各スイッチについて、ＳＷ０をｂ側、ＳＷ１を
ｂ側、ＳＷ２をａ側、ＳＷ３をａ側、ＳＷ４をｂ側に切
り換える。すると、Ｙ抵抗膜検出用抵抗膜Ｙｔにおいて
電流がＶccからＧＮＤに向けて流れるので、押圧点の電
位をＸ座標検出用抵抗膜Ｘｔに設けられたリード線を介
して検出する。

【００１２】そして、上記の検出された電位を上記で算
出された電位勾配直線に当てはめてＸ座標とＹ座標を算
出する。

【００１３】以上のように、上記の４線式のデジタイザ
も８線式のデジタイザも、Ｘ座標検出用抵抗膜ＸｔとＹ
座標検出用抵抗膜Ｙｔの２つの抵抗膜を用いて、一方を
電位勾配検出用の抵抗膜とし、他方を電位検出用の抵抗
膜とするべく、切替え動作を行っている。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来のデ
ジタイザにおいては、切替え動作が必要で、該切替え動
作を行うためのスイッチ回路が必要となり、回路規模が
大きくなるという問題があった。また、上記のように切
替え動作を行う場合に、時分割による検出電圧の立ち上
がり時間が必要となり、高速動作に限界があり、また、
単位時間当たりの検出座標数にも限界があった。また、
切替え動作に伴い発生するノイズが正確な座標の検出に
支障となることがあった。

【００１５】そこで、本発明は、切替え動作のためのス
イッチ回路を必要とせず、高速動作を可能とし、切替え
動作に伴い発生するノイズが発生せず、さらに、単位時
間当たりの検出座標数を増大させることができるデジタ
イザを提供することを目的とするものである。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決するために創作されたものであって、第１には、押圧
することにより座標を入力するための座標入力装置であ
って、互いに略平行に設けられた２つの抵抗膜を有する
第１抵抗膜群と、互いに略平行に設けられた２つの抵抗
膜を有する第２抵抗膜群と、を有することを特徴とす
る。

【００１７】この第１の構成の座標入力装置によれば、
一対の抵抗膜が２つ設けられているので、一方をＸ座標
検出用に使用し、他方をＹ座標検出用に使用することに
より、Ｘ座標検出とＹ座標検出に際して、切替え動作を
必要ないものとすることができる。

【００１８】また、第２には、押圧することにより座標
を入力するための座標入力装置であって、Ｘ座標検出用
の第１抵抗膜群であって、電位勾配形成用の抵抗膜と、
電位検出用の抵抗膜とを有する第１抵抗膜群と、Ｙ座標
検出用の第２抵抗膜群であって、電位勾配形成用の抵抗
膜と、電位検出用の抵抗膜とを有する第２抵抗膜群と、
を有することを特徴とする。よって、Ｘ座標検出とＹ座
標検出に際して、切替え動作を必要ないものとすること
ができる。

【００１９】また、第３には、上記第２の構成におい
て、上記座標入力装置が、さらに、第１シート状層と、
第２シート状層と、第３シート状層を有し、該第１シー
ト状層と、第２シート状層と、第３シート状層とは互い
に略平行に設けられ、また、該第２シート状層は、該第
１シート状層と第３シート状層の間に設けられており、
上記第１抵抗膜群における電位勾配形成用の抵抗膜は、
上記第１シート状層の下面に設けられており、上記第１
抵抗膜群における電位検出用の抵抗膜は、上記第２シー
ト状層の上面に設けられており、上記第２抵抗膜群にお
ける電位検出用の抵抗膜は、上記第２シート状層の下面
に設けられており、上記第２抵抗膜群における電位勾配
形成用の抵抗膜は、上記第３シート状層の上面に設けら
れていることを特徴とする。

【００２０】また、第４には、上記第３の構成におい
て、上記第１シート状層と第２シート状層とがフィルム
層であり、また、上記第３シート状層がガラス層又は合
成樹脂層であることを特徴とする。

【００２１】また、第５には、上記第２から第４までの
いずれかの構成において、上記各抵抗膜が略方形状を呈
し、上記第１抵抗膜群における電位勾配形成用の抵抗膜
には、相対する辺部に沿って一対の電極部が略平行に設
けられており、また、上記第１抵抗膜群における電位検
出用の抵抗膜には、上記電位勾配形成用の抵抗膜に設け
られた電極部の方向とは略直角方向の一方の辺部に沿っ
て設けられており、また、上記第２抵抗膜群における電
位勾配形成用の抵抗膜には、上記第１抵抗膜群における
電位勾配形成用の抵抗膜に設けられた電極部の方向とは
略直角方向の相対する辺部に沿って一対の電極部が略平
行に設けられており、また、上記第２抵抗膜群における
電位検出用の抵抗膜には、上記第２抵抗膜群における電
位勾配形成用の抵抗膜に設けられた電極部の方向とは略
直角方向の一方の辺部に沿って設けられていることを特
徴とする。

【００２２】また、第６には、上記第１から第５までの
いずれかの構成において、上記第１抵抗膜群における２
つの抵抗膜は、押圧されない状態では離間して設けら
れ、また、上記第１抵抗膜群における２つの抵抗膜は、
押圧されない状態では離間して設けられていることを特
徴とする。

【００２３】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態としての実施
例を図面を利用して説明する。本発明に基づくデジタイ
ザ１０は、図１、図２、図３に示されるように、第１フ
ィルム層（第１シート状層）２０と、第２フィルム層
（第２シート状層）２２と、ガラス層（第３シート状
層）２４と、第１抵抗膜Ｘｔ−１と、第２抵抗膜Ｘｔ−
２と、第３抵抗膜Ｙｔ−１と、第４抵抗膜Ｙｔ−２と、
電極部４０と、電極部４２と、電極部４４と、電極部５
０と、電極部５２と、電極部５４と、嵌装部材６０と、
絶縁スペーサ７０とを有している。ここで、図３は、各
部材の幅等は理解を容易にするために、若干誇張して描
かれている。

【００２４】ここで、上記第１フィルム層２０と第２フ
ィルム層２２とは、略長方形状の板状の透明フィルム材
であり、第１フィルム層２０と第２フィルム層２２とは
略同一の大きさ及び形状を呈している。また、ガラス層
２４も、略長方形状の板状の透明ガラス材であり、該ガ
ラス層２４は、第１フィルム層２０、第２フィルム層２
２とは略同一の大きさ及び形状を呈している。該第１フ
ィルム層２０と、第２フィルム層２２と、ガラス層２４
とは、第２フィルム層２２が、第１フィルム層２０とガ
ラス層２４の間に設けられる。上記第１フィルム層２０
と、第２フィルム層２２と、ガラス層２４とは互いに略
平行に設けられている。

【００２５】また、上記第１抵抗膜Ｘｔ−１はＩＴＯ抵
抗膜であり、シート状を呈し、上記第１フィルム層２０
の裏面に固着されている。また、この第１抵抗膜Ｘｔ−
１のＸ方向の両端には、電極部４０と電極部４２が該第
１抵抗膜Ｘｔ−１に接続して設けられている。つまり、
電極部４０、電極部４２はともにＹ方向に伸びる電極で
あり、互いに略平行に設けられている。

【００２６】また、上記第２抵抗膜Ｘｔ−２はＩＴＯ抵
抗膜であり、シート状を呈し、上記第２フィルム層２２
の表面に固着されている。また、この第２抵抗膜Ｘｔ−
２のＹ方向の一方の端部には、電極部４４が該第２抵抗
膜Ｘｔ−２に接続して設けられている。つまり、電極部
４４はＸ方向に伸びる電極である。

【００２７】また、上記第３抵抗膜Ｘｔ−３はＩＴＯ抵
抗膜であり、シート状を呈し、上記第２フィルム層２２
の裏面に固着されている。また、この第３抵抗膜Ｘｔ−
３のＸ方向の一方の端部には、電極部５４が該第３抵抗
膜Ｘｔ−３に接続して設けられている。つまり、電極部
５４はＹ方向に伸びる電極である。

【００２８】また、上記第４抵抗膜Ｘｔ−４はＩＴＯ抵
抗膜であり、シート状を呈し、上記ガラス層２４の表面
に固着されている。また、この第４抵抗膜Ｘｔ−４のＹ
方向の両端には、電極部５０と電極部５２とが該第４抵
抗膜Ｘｔ−４に接続して設けられている。つまり、電極
部５０、電極部５２はともにＸ方向に伸びる電極であ
り、互いに略平行に設けられている。

【００２９】ここで、上記第１抵抗膜Ｘｔ−１と第２抵
抗膜Ｘｔ−２とがＸ座標検出用の抵抗膜となり、上記第
３抵抗膜Ｙｔ−１と第４抵抗膜Ｙｔ−２とがＹ座標検出
用の抵抗膜となる。また、上記第１抵抗膜Ｘｔ−１と第
３抵抗膜Ｙｔ−１とは電位勾配形成用、すなわち、電圧
印加用の抵抗膜であり、また、上記第２抵抗膜Ｘｔ−２
と第４抵抗膜Ｙｔ−２とは電位検出用の抵抗膜となる。
第１抵抗膜Ｘｔ−１と第２抵抗膜Ｘｔ−２とは上記第１
抵抗膜群を形成し、また、上記第３抵抗膜Ｙｔ−１と第
４抵抗膜Ｙｔ−２とは上記第２抵抗膜群を形成する。

【００３０】また、嵌装部材６０は、図３に示すよう
に、第１フィルム層２０と第２フィルム層２２の間の外
周に設けられているとともに、第２フィルム層２２とガ
ラス層２４の間の外周にも設けられている。

【００３１】また、絶縁スペーサ７０は、第１抵抗膜Ｘ
ｔ−１と第２抵抗膜Ｘｔ−２の間に設けられているとと
もに、第３抵抗膜Ｙｔ−１と第４抵抗膜Ｙｔ−２の間に
も設けられている。これにより、第１抵抗膜Ｘｔ−１と
第２抵抗膜Ｘｔ−２とはデジタイザ１０を押圧していな
い状態では、互いに略平行に離間して設けられており、
また、第３抵抗膜Ｙｔ−１と第４抵抗膜Ｙｔ−２につい
ても、デジタイザ１０を押圧していない状態では、互い
に略平行に離間して設けられている。なお、該嵌装部材
６０と絶縁スペーサ７０とは図１においては、省略して
示されている。

【００３２】上記構成のデジタイザ１０を使用した座標
検出装置は、図４に示すように構成され、デジタイザ１
０と、スイッチＳＷと、Ａ／Ｄ変換器１００と、演算制
御部１１０とが設けられている。

【００３３】また、デジタイザ１０の第１抵抗膜Ｘｔ−
１に接続された電極部４０は、定電圧Ｖccに接続されて
いるとともに、スイッチＳＷに接続され、また、電極部
４２は接地されている。また、第１抵抗膜Ｘｔ−２に接
続された電極部４４は、Ａ／Ｄ変換器１００に接続され
ている。

【００３４】また、第３抵抗膜Ｘｔ−３に接続された電
極部５４は、Ａ／Ｄ変換器１００に接続されており、ま
た、第４抵抗膜Ｘｔ−４に接続された電極部５０は、定
電圧Ｖccに接続されており、また、電極部５２は接地さ
れている。

【００３５】上記構成のデジタイザ１０及び該デジタイ
ザ１０を使用した座標検出装置の動作について説明す
る。

【００３６】まず、ペンダウンがあったか否かが判定さ
れる。このペンダウンの検出はペンダウン信号が検出さ
れるか否かにより行う。すなわち、スイッチＳＷをａ側
に切り換える。すると、もしペンダウンがあった場合に
は、ペンダウン信号の出力電位は降下するので、これを
見てペンダウンがあったか否かを判定する。

【００３７】そして、ペンダウンがあったと判定される
場合には、Ｘ座標の検出を行う。つまり、第１抵抗膜Ｘ
ｔ−１において電流がＶccからＧＮＤに向けて流れるの
で、押圧点の電位を第２抵抗膜Ｘｔ−２から電極部４
４、さらには、電極部４４に接続されたリード線を介し
て検出する。この検出された電位の値をＸ座標について
の電位勾配直線を示す式に代入してＸ座標の値を求め
る。

【００３８】さらには、Ｙ座標の検出を行う。つまり、
第３抵抗膜Ｙｔ−１において電流がＶccからＧＮＤに向
けて流れるので、押圧点の電位を第４抵抗膜Ｙｔ−２か
ら電極部５４、さらには、電極部５４に接続されたリー
ド線を介して検出する。この検出された電位の値をＸ座
標についての電位勾配直線を示す式に代入してＸ座標の
値を求める。

【００３９】なお、電位勾配直線を示す式については、
例えば、予め所定の座標としての２点を押圧させて電位
を検出し、Ｘ＝Ｃ＊Ｖ＋Ｄ（Ｘは位置、Ｖは電位を示
す）における係数ＣとＤの値を算出しておく。これらの
係数はＸ座標検出用とＹ座標検出用のそれぞれについて
算出される。

【００４０】また、定電圧Ｖccの供給を従来のように切
り替える必要がないので、第１抵抗膜Ｘｔ−１と第３抵
抗膜Ｙｔ−１とには常時供給しておけばよい。

【００４１】以上のように、本実施例のデジタイザ及び
座標検出装置によれば、スイッチングによる切替え動作
が必要ないので、スイッチ回路を必要としない。つま
り、ゲート素子数を減少させることができる。また、従
来に比べて、高速動作が可能となる。つまり、従来のよ
うに座標検出時の時分割による検出電圧の立ち上がり時
間が必要ないので、単位時間当たりの検出座標数は大幅
に向上する。例えば、従来の構成では、２００Ｐ（ポイ
ント）／Ｓであったものが、本実施例の構成では、１０
００Ｐ／Ｓとなる。また、切替え動作をしないので、時
分割制御時に発生するノイズを防止することができる。
なお、上記第２抵抗膜Ｘｔ−２と第４抵抗膜Ｙｔ−２と
は、電位検出用にのみ用いられるので、第１抵抗膜Ｘｔ
−１や第３抵抗膜Ｙｔ−１に比べてリニアリティーを必
要としない。

【００４２】なお、図４に示す構成は、デジタイザ１０
から引き出される引き出し線は６本となるが、図５に示
すように構成することにより４本とすることができる。
つまり、図５に示す構成は、電極部を共通にすることに
よりデジタイザ１０から引き出される引出し線の数を少
なくした点が開示されている。

【００４３】また、上記の実施例においては、４線式の
タイプについて説明したが、これには限られず、８線式
のタイプに適用してもよい。その場合の構成としては、
図６に示すような構成となる。

【００４４】

【発明の効果】本発明に基づく座標入力装置によれば、
一対の抵抗膜が２つ設けられているので、一方をＸ座標
検出用に使用し、他方をＹ座標検出用に使用することに
より、Ｘ座標検出とＹ座標検出に際して、切替え動作を
必要ないものとすることができ、高速動作を可能とし、
切替え動作に伴い発生するノイズが発生せず、さらに、
単位時間当たりの検出座標数を増大させることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例に基づくデジタイザの構成を示
す分解斜視図である。

【図２】本発明の実施例に基づくデジタイザの平面図で
ある。

【図３】本発明の実施例に基づくデジタイザの断面図で
あり、（ａ）は長手方向に切断した場合の断面図で、
（ｂ）は短手方向に切断した場合の断面図である。

【図４】本発明の実施例に基づくデジタイザの回路図で
ある。

【図５】本発明の他の実施例に基づくデジタイザの回路
図である。

【図６】本発明の他の実施例に基づくデジタイザの回路
図である。

【図７】抵抗膜感圧式デジタイザの基本構成図である。

【図８】従来の４線式デジタイザとこれに接続されたス
イッチ回路の構成を示す回路図である。

【図９】従来の４線式デジタイザの概略を示す平面図で
ある。

【図１０】従来の８線式デジタイザとこれに接続された
スイッチ回路の構成を示す回路図である。

【符号の説明】

１０ デジタイザ ２０ 第１フィルム層 ２２ 第２フィルム層 ２４ ガラス層 Ｘｔ−１ 第１抵抗膜 Ｘｔ−２ 第２抵抗膜 Ｙｔ−１ 第３抵抗膜 Ｙｔ−２ 第４抵抗膜 ４０、４２、４４、５０、５２、５４ 電極部 ７０ 絶縁スペーサ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F063 AA03 BA28 BB02 CA11 DA02 DA05 DB05 DD07 FA08 FA13 FA16 FA18 2F077 AA33 EE09 NN12 NN21 RR03 TT06 WW03 WW04 5B068 AA02 AA32 BB06 BC11 BD02 BE06 CC11 5B087 AA01 AE09 CC01 CC37 DD02 DJ03

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 押圧することにより座標を入力するため
   の座標入力装置であって、 互いに略平行に設けられた２つの抵抗膜を有する第１抵
   抗膜群と、 互いに略平行に設けられた２つの抵抗膜を有する第２抵
   抗膜群と、を有することを特徴とする座標入力装置。
2. 【請求項２】 押圧することにより座標を入力するため
   の座標入力装置であって、 Ｘ座標検出用の第１抵抗膜群であって、電位勾配形成用
   の抵抗膜と、電位検出用の抵抗膜とを有する第１抵抗膜
   群と、 Ｙ座標検出用の第２抵抗膜群であって、電位勾配形成用
   の抵抗膜と、電位検出用の抵抗膜とを有する第２抵抗膜
   群と、を有することを特徴とする座標入力装置。
3. 【請求項３】 上記座標入力装置が、さらに、 第１シート状層と、第２シート状層と、第３シート状層
   を有し、該第１シート状層と、第２シート状層と、第３
   シート状層とは互いに略平行に設けられ、また、該第２
   シート状層は、該第１シート状層と第３シート状層の間
   に設けられており、 上記第１抵抗膜群における電位勾配形成用の抵抗膜は、
   上記第１シート状層の下面に設けられており、 上記第１抵抗膜群における電位検出用の抵抗膜は、上記
   第２シート状層の上面に設けられており、 上記第２抵抗膜群における電位検出用の抵抗膜は、上記
   第２シート状層の下面に設けられており、 上記第２抵抗膜群における電位勾配形成用の抵抗膜は、
   上記第３シート状層の上面に設けられていることを特徴
   とする請求項２に記載の座標入力装置。
4. 【請求項４】 上記第１シート状層と第２シート状層と
   がフィルム層であり、また、上記第３シート状層がガラ
   ス層又は合成樹脂層であることを特徴とする請求項３に
   記載の座標入力装置。
5. 【請求項５】 上記各抵抗膜が略方形状を呈し、 上記第１抵抗膜群における電位勾配形成用の抵抗膜に
   は、相対する辺部に沿って一対の電極部が略平行に設け
   られており、 また、上記第１抵抗膜群における電位検出用の抵抗膜に
   は、上記電位勾配形成用の抵抗膜に設けられた電極部の
   方向とは略直角方向の一方の辺部に沿って設けられてお
   り、 また、上記第２抵抗膜群における電位勾配形成用の抵抗
   膜には、上記第１抵抗膜群における電位勾配形成用の抵
   抗膜に設けられた電極部の方向とは略直角方向の相対す
   る辺部に沿って一対の電極部が略平行に設けられてお
   り、 また、上記第２抵抗膜群における電位検出用の抵抗膜に
   は、上記第２抵抗膜群における電位勾配形成用の抵抗膜
   に設けられた電極部の方向とは略直角方向の一方の辺部
   に沿って設けられていることを特徴とする請求項２又は
   ３又は４に記載の座標入力装置。
6. 【請求項６】 上記第１抵抗膜群における２つの抵抗膜
   は、押圧されない状態では離間して設けられ、また、上
   記第１抵抗膜群における２つの抵抗膜は、押圧されない
   状態では離間して設けられていることを特徴とする請求
   項１又は２又は３又は４又は５に記載の座標入力装置。