JP5520034B2 - タッチパネル及び座標位置検出方法 - Google Patents
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(タッチパネル)
第1の実施の形態におけるタッチパネルについて説明する。図5は、本実施の形態におけるタッチパネルの構成図であり、図6は、本実施の形態におけるタッチパネルの断面図である。尚、図5(a)は、本実施の形態における上部電極基板における構成図であり、図5(b)は、本実施の形態における下部電極基板における構成図である。
次に、本実施の形態におけるタッチパネルを用いた位置検出方法について説明する。図7は、本実施の形態におけるタッチパネルを用いた位置検出方法のフローチャートである。
(タッチパネル)
次に、第2の実施の形態におけるタッチパネルについて説明する。図11は、本実施の形態におけるタッチパネルの構成図であり、図11(a)は、本実施の形態における上部電極基板における構成図であり、図11(b)は、本実施の形態における下部電極基板における構成図である。
次に、本実施の形態におけるタッチパネルを用いた位置検出方法について説明する。図12は、本実施の形態におけるタッチパネルを用いた位置検出方法のフローチャートである。
次に、第3の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第2の実施の形態と同様のタッチパネルを用いた接触点における座標位置の検出方法である。図15は、本実施の形態におけるタッチパネルを用いた位置検出方法のフローチャートである。
11 フィルム
12 透明導電膜
12a、12b、12c、12d、12e、12f 分割された領域
13 電気配線
14 接続部
20 下部電極基板
21 ガラス
22 透明導電膜
22a、22b、22c、22d、22e、22f 分割された領域
23 抵抗膜
23a 電極(一方の端部)
23b 電極(他方の端部)
24 抵抗膜
24a 電極(一方の端部)
24b 電極(他方の端部)
25 スイッチ
26 スイッチ
31 スペーサ
Claims (10)
- 第1の基板上に形成された上部導電膜を有する上部電極基板と、
第2の基板上に形成された下部導電膜を有する下部電極基板と、
前記下部導電膜おいて電位分布を生じさせるために前記下部導電膜の四隅に各々設けられた4つの電極と、
を有し、前記上部導電膜と前記下部導電膜とは対向して配置されるタッチパネルにおいて、
前記上部導電膜は、一方の方向に沿った複数の領域に分割されており、
前記下部導電膜は、前記複数の領域に対応する位置において、前記複数の領域と略同一の形状に分割されており、
前記上部導電膜及び前記下部導電膜は略正方形又は略長方形の形状であって、
前記下部導電膜の一方の方向の両端には、前記一方の方向に垂直な他方の方向に沿った2本の抵抗膜が設けられており、
前記2本の抵抗膜の両端には、前記4つの電極が各々接続されていることを特徴とするタッチパネル。 - 前記抵抗膜におけるシート抵抗は、10Ω/□以上であることを特徴とする請求項1に記載のタッチパネル。
- 前記一方の方向は短手方向であって、前記他方の方向は長手方向であることを特徴とする請求項1または2に記載のタッチパネル。
- 第1の基板上に形成された上部導電膜を有する上部電極基板と、
第2の基板上に形成された下部導電膜を有する下部電極基板と、
前記下部導電膜おいて電位分布を生じさせるために前記下部導電膜の四隅に各々設けられた4つの電極と、を有し、
前記上部導電膜と前記下部導電膜とは対向して配置されており、
前記上部導電膜は、一方の方向に沿った複数の領域に分割されており、
前記下部導電膜は、前記複数の領域に対応する位置において、前記複数の領域と略同一の形状に分割されているタッチパネルにおける座標位置検出方法において、
前記上部導電膜及び前記下部導電膜は略正方形又は略長方形の形状であって、
前記下部導電膜の一方の方向の両端には、前記一方の方向に垂直な他方の方向に沿った2本の抵抗膜が設けられており、
前記2本の抵抗膜の両端には、前記4つの電極が各々接続されているものであって、
前記4つの電極を介し、前記下部導電膜に、前記一方の方向とは垂直方向となる他方の方向に電位分布を生じさせる第1の電位勾配形成工程と、
前記第1の電位勾配形成工程における電位分布が生じている状態で、前記上部導電膜より各々の分割された領域における電位を検出し、前記検出された電位に基づき前記他方の方向における座標位置を検出する第1の位置検出工程と、
前記4つの電極を介し、前記下部導電膜に、前記一方の方向に電位分布を生じさせる第2の電位勾配形成工程と、
前記第2の電位勾配形成工程における電位分布が生じている状態で、前記上部導電膜より各々の分割された領域における電位及び電流値を検出する電位電流検出工程と、
前記電位電流検出工程において検出された電位に基づき前記一方の方向における座標位置を検出する第2の位置検出工程と、
を有することを特徴とする座標位置検出方法。 - 第1の基板上に形成された上部導電膜を有する上部電極基板と、
第2の基板上に形成された下部導電膜を有する下部電極基板と、
前記下部導電膜おいて電位分布を生じさせるために前記下部導電膜の四隅に各々設けられた4つの電極と、を有し、
前記上部導電膜と前記下部導電膜とは対向して配置されており、
前記上部導電膜は、一方の方向に沿った複数の領域に分割されており、
前記下部導電膜は、前記複数の領域に対応する位置において、前記複数の領域と略同一の形状に分割されているタッチパネルにおける座標位置検出方法において、
前記上部導電膜及び前記下部導電膜は略正方形又は略長方形の形状であって、
前記下部導電膜の一方の方向の両端には、前記一方の方向に垂直な他方の方向に沿った2本の抵抗膜が設けられており、
前記2本の抵抗膜の両端には、前記4つの電極が各々接続されているものであって、
前記4つの電極を介し、前記下部導電膜に、一様に電位分布を生じさせる電位形成工程と、
前記電位形成工程における電位分布が生じている状態で、前記上部導電膜より各々の分割された領域における電位を検出し、前記検出された電位に基づき前記一方の方向とは垂直方向となる他方の方向の座標位置を検出する第1の位置検出工程と、
前記4つの電極を介し、前記下部導電膜に、前記一方の方向に電位分布を生じさせる電位勾配形成工程と、
前記電位勾配形成工程における電位分布が生じている状態で、前記上部導電膜より各々の分割された領域における電位及び電流値を検出する電位電流検出工程と、
前記電位電流検出工程において検出された電位に基づき前記一方の方向における座標位置を検出する第2の位置検出工程と、
を有することを特徴とする座標位置検出方法。 - 第1の基板上に形成された上部導電膜を有する上部電極基板と、
第2の基板上に形成された下部導電膜を有する下部電極基板と、
前記下部導電膜おいて電位分布を生じさせるために前記下部導電膜の四隅に各々設けられた4つの電極と、を有し、
前記上部導電膜と前記下部導電膜とは対向して配置されており、
前記上部導電膜は、一方の方向に沿った複数の領域に分割されており、
前記下部導電膜は、前記複数の領域に対応する位置において、前記複数の領域と略同一の形状に分割されているタッチパネルにおける座標位置検出方法において、
前記上部導電膜及び前記下部導電膜は略正方形又は略長方形の形状であって、
前記下部導電膜の一方の方向の両端には、前記一方の方向に垂直な他方の方向に沿った2本の抵抗膜が設けられており、
前記2本の抵抗膜の両端には、前記4つの電極が各々接続されているものであって、
前記4つの電極を介し、前記下部導電膜に、前記一方の方向とは垂直方向となる他方の方向に電位分布を生じさせる第1の電位勾配形成工程と、
前記第1の電位勾配形成工程における電位分布が生じている状態で、前記上部導電膜より各々の分割された領域における電位を検出し、前記検出された電位に基づき前記他方の方向における座標位置を検出する第1の位置検出工程と、
前記4つの電極を介し、前記下部導電膜に、一様に電位分布を生じさせる電位形成工程と、
前記電位形成工程における電位分布が生じている状態で、前記上部導電膜より各々の分割された領域における電流値を検出する電流検出工程と、
前記4つの電極を介し、前記下部導電膜に、前記一方の方向に電位分布を生じさせる第2の電位勾配形成工程と、
前記第2の電位勾配形成工程における電位分布が生じている状態で、前記上部導電膜より各々の分割された領域における電位を検出する電位検出工程と、
前記電位検出工程において検出された電位に基づき一方の方向における座標位置を検出する第2の位置検出工程と、
を有することを特徴とする座標位置検出方法。 - 前記電位電流検出工程において検出された電流量に基づき前記分割された領域内において、一点接触であるか多点接触であるかを判断する判断工程を有することを特徴とする請求項4または5に記載の座標位置検出方法。
- 前記座標位置検出方法における各々の工程は、順次繰り返し行われるものであって、
前記判断工程において、前記分割された領域内において多点接触であるものと判断された場合には、前記電位電流検出工程において検出された電位に基づき算出される座標位置をYxとし、前回行われた第2の座標位置検出工程において検出された座標位置Yaを前記多点接触の一方の接触点の座標位置とし、前記多点接触の他方の接触点の座標位置をYbは、
Yb=2×Yx−Ya
により算出するものであることを特徴とする請求項7に記載の座標位置検出方法。 - 前記電流検出工程において検出された電流量に基づき前記分割された領域内において、一点接触であるか多点接触であるかを判断する判断工程を有することを特徴とする請求項6に記載の座標位置検出方法。
- 前記座標位置検出方法における各々の工程は、順次繰り返し行われるものであって、
前記判断工程において、前記分割された領域内において多点接触であるものと判断された場合には、前記電位検出工程において検出された電位に基づき算出される座標位置をYxとし、前回行われた第2の座標位置検出工程において検出された座標位置Yaを前記多点接触の一方の接触点の座標位置とし、前記多点接触の他方の接触点の座標位置をYbは、
Yb=2×Yx−Ya
により算出するものであることを特徴とする請求項9に記載の座標位置検出方法。
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