JP2001273041A - レギュレータのトリミング回路 - Google Patents

レギュレータのトリミング回路

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JP2001273041A
JP2001273041A JP2000085540A JP2000085540A JP2001273041A JP 2001273041 A JP2001273041 A JP 2001273041A JP 2000085540 A JP2000085540 A JP 2000085540A JP 2000085540 A JP2000085540 A JP 2000085540A JP 2001273041 A JP2001273041 A JP 2001273041A
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JP
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zapping
transistor
voltage
regulator
regulator output
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JP2000085540A
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Tsutomu Nishi
努 仁志
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Sanyo Electric Co Ltd
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Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来のレギュレータトリミング回路ではザッ
ピングしないときのレギュレータ出力電圧の初期設定電
位を必要とするレギュレータ出力電圧に合わせていたの
で、レギュレータ出力電圧が高い方向に許容値を越えた
ときと、低い方向に許容値を越えたきとの両方に対して
ザッピングするため、多くのザッピングパッド、ザッピ
ング抵抗及びザッピングダイオードを必要とした。 【解決手段】本発明はバンドギャップ回路12に接続さ
れたザッピング抵抗アース間にバイアス抵抗Rgを接続
し、ザッピングしないときのレギュレータ出力電圧の初
期設定電位を必要とするレギュレータ出力電圧より高い
電圧又は低い電圧のいずれかに設定することを特徴とす
るレギュレータのトリミング回路である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はザッピングパッド数
を少なくしたレギュレータのトリミング回路に関する。
【0002】
【従来の技術】一般にレギュレータ回路は製造過程での
バラツキのため、レギュレータ出力電圧に許容値以上の
バラツキを生じた。そのためレギュレータ出力電圧の変
動を検出するバンドギャップ回路のトランジスタのベー
スに接続された複数の抵抗を選択的にダイオードでショ
ートし前記レギュレータ出力電圧を調整するいわゆるザ
ッツピングが行われていた。
【0003】図2に示すように、1は抵抗R1、ダイオ
ードD1、D2及び第1、第2トランジスタQ3、Q4
よりなる起動回路、2は第3、第4トランジスタQ5、
Q6を有する制御回路、3は第5、第6、第7トランジ
スタQ7、Q9、Q10及び抵抗R3、R4よりなるバ
ンドキャップ回路である。
【0004】今電圧源電圧Vaが加わると第1トランジ
スタQ3が動作し第3トランジスタQ5も動作され、出
力トランジスタQ11を制御してレギュレータ出力端子
Aに一定のレギュレータ出力電圧Vgが得られるように
している。
【0005】即ち、電圧源電圧Vaが高くなると、起動
回路1の第1、第2トランジスタQ3、Q4のベース電
位が高くなり、第1、第2トランジスタQ3、Q4のエ
ミッタ・コレクタのインピーダンスが低下し、第1、第
2トランジスタQ3、Q4とミラー接続された第3トラ
ンジスタQ5のベースが低下し、該第3トランジスタQ
5のコレクタ・ベース電位を低下するので、出力トラン
ジスタQ11のベース電位も低下しコレクタ・エミッタ
間のインピダンスを高めるので、前記レギュレータ出力
端子Aのレギュレータ出力電圧Vgは電圧源電圧Vaが
高くなっても一定になる。
【0006】逆に電圧源電圧Vaが低くなると、起動回
路1の第1、第2トランジスタQ3、Q4のベース電位
が低くなり、第1、第2トランジスタQ3、Q4のエミ
ッタ・コレクタのインピーダンスが上昇し、第1、第2
トランジスタQ3、Q4とミラー接続された第3トラン
ジスタQ5のベースが上昇し、該第3トランジスタQ5
のコレクタ・ベース電位を上昇するので、出力トランジ
スタQ11のベース電位も上昇しコレクタ・エミッタ間
のインピダンスを低めるので、前記レギュレータ出力端
子Aのレギュレータ出力電圧Vgは電圧源電圧Vaが低
くなっても一定になる。
【0007】ところでレギュレータ出力端子Aのレギュ
レータ出力電圧Vgは電圧源電圧Vaに対して一定にし
ても、出力負荷変動によって変動する。しかし前記レギ
ュレータ出力端子Aのレギュレータ出力電圧Vgが変動
したときは、バンドギャップ回路2で調整しレギュレー
タ出力電圧Vgを一定にする。
【0008】今レギュレータ出力電圧Vgが低くなる
と、第6、第7トランジスタQ9、Q10のベース電位
が下がり、第4トランジスタQ6のベース電位が上が
り、第4トランジスタQ6のエミッタ及び第3トランジ
スタQ5のベース電位が上昇する。その結果出力トラン
ジスタQ11のエミッタ電位が上がりレギュレータ出力
電圧Vgを一定にしている。
【0009】逆にレギュレータ出力電圧Vgが上がった
とする。この場合、第6、第7トランジスタQ9、Q1
0のベース電位が上がり、第4トランジスタQ6のベー
ス電位が下がり、第4トランジスタQ6のエミッタ及び
第3トランジスタQ5のベース電位が低下するため、出
力トランジスタQ11のエミッタ電位が下がりレギュレ
ータ出力電圧Vgを一定にしている。
【0010】上述のようにしてレギュレータ出力電圧V
gを一定にしているが、本回路を集積回路で量産化した
とき製造工程のバラツキでがあるため、前記レギュレー
タ出力電圧は1.5V±3%程度のバラツキ幅となって
しまう。しかし前記レギュレータ出力電圧Vgのバラツ
キ幅を±1%以内に押さえる必要がある。
【0011】図4に示すように、従来は設計中心B点を
レギュレータ出力電圧の必要とする1.5Vに設定し、
例えば調整段階で1.5V+1%を越える場合は、ザッ
ピングパッドP1、P2、P3の何れかに電圧を加えダ
イオードD1、D2、D3の何れかショートし、第6ト
ランジスタQ10のベースに接続された抵抗Ra、R
b、Rcを選択的にショートする所謂ザッピングを行
い、レギュレータ出力電圧が1.5V+1%を越えない
ようにしている。
【0012】逆に調整段階で1.5V−1%を越える場
合は、ザッピングパッドP4、P5、P6の何れかに電
圧を加えダイオードD4、D5、D6の何れかショート
し、トランジスタQ10のベースに接続された抵抗R
d、Re、Rfを選択的にショートし、レギュレータ出
力電圧が1.5V−1%を越えないようにしている。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】従来のレギュレータト
リミング回路ではザッピングしないときのレギュレータ
出力電圧の初期設定電位を必要とするレギュレータ出力
電圧に合わせていたので、レギュレータ出力電圧が高い
方向に許容値を越えたときと、低い方向に許容値を越え
たきとの両方に対してザッピングするため、多くのザッ
ピングパッド及びザッピングダイオードあるいはザッピ
ング抵抗を必要とし、集積回路のチップ面積が大きくな
った。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明はバンドギャップ
回路に接続されたザッピング抵抗とアース間にバイアス
抵抗Rgを接続し、ザッピングしないときのレギュレー
タ出力電圧の初期設定電位を必要とするレギュレータ出
力電圧より高い電圧又は低い電圧のいずれかに設定しザ
ッピングパッドを少なくしたレギュレータのトリミング
回路である。
【0015】
【発明の実施の形態】図1に従って本発明の実施形態を
説明する。尚、図2の従来と同じ構成部分は同じ記号を
付して説明する。
【0016】10は起動回路で、ベースが抵抗R1を介
して電圧源電圧Va加えられると共に、ダイオードD
1、D2でアースされた第1トランジスタQ3を有す
る。前記第1トランジスタQ3のコレクタにはベース・
コレクタが接続されたトランジスタQ1が接続され、ま
た第1トランジスタQ3のコレクタ・エミッタには第2
トランジスタQ4のコレクタ・エミッタが接続されてお
り、且つ共通接続された第1トランジスタQ3と第2ト
ランジスタQ4のエミッタには抵抗R2が接続されてい
る。さらに第2トランジスタQ4のベースはレギュレー
タ出力端子Aに接続されている。
【0017】11は制御回路で、トランジスタQ1のベ
ースにベースが接続されミラー回路をなすトランジスタ
Q2と、該トランジスタQ2にコレクタ・ベースが接続
された第3トランジスタQ5と、該トランジスタQ5の
エミッタとアース間にエミッタ・コレクタが接続された
第4トランジスタ6とよりなる。
【0018】12は第5、第6、第7、第8トランジス
タQ7、Q8、Q9、Q10及び抵抗R3、R4よりな
るバンドキャップ回路で、前記第4トランジスタQ6の
ベースは第5トランジスタQ7のコレクタに接続され、
第6トランジスタQ8はコレクタに接続されたベースが
前記第5トランジスタQ7のベースに接続されると共
に、第8トランジスタQ10のコレクタに接続されミラ
ー回路を構成している。
【0019】前記第8トランジスタQ10のエミッタは
抵抗R3を介して第7トランジスタQ9のエミッタに接
続されると共に抵抗R4を経てアースされている。R
a、Rb、Rcはレギュレータ出力端子Aに直列接続さ
れたザッピング抵抗で、ザッピング抵抗Rcの一端は前
記第7、第8トランジスタQ9、Q10のベースに接続
され、さらにザッピング抵抗Ra、Rb、Rcには並列
にザッピングダイオードD1、D2、D3が接続されて
いる。
【0020】前記ザッピングダイオードD1、D2、D
3にはザッピングパッドP1、P2、P3が接続されて
おり、前記ザッピングパッドP1、P2、P3に電圧を
加えるとザッピングダイオードD1、D2、D3がショ
ートして、ザッピング抵抗Ra、Rb、Rcを選択的に
ショートできるようにしている。
【0021】図3に示すように、前記ザッピング抵抗R
cの一端とアース間にはバイアス抵抗Rgを接続し、前
記バイアス抵抗Rgの抵抗値を調整して,ザッピングし
ないときのレギュレータ出力電圧Vgの初期設定電位を
該レギュレータ出力電圧Vgが必要とするレギュレータ
電圧Vgより高い中心C点にしている。
【0022】一例を示すと、今必要とするレギュレータ
電圧Vgを1.5Vとした場合、従来は初期設定電位を
1.5Vとしていたのを、本発明では前記初期設定電位
を1.530Vにしている。
【0023】前記においてバイアス抵抗Rgの抵抗値を
調整して,ザッピングしないときのレギュレータ出力電
圧Vgの初期設定電位を該レギュレータ出力電圧Vgが
必要とするレギュレータ電圧Vgより高い中心C点にす
る代わりに、ザッピングしないときのレギュレータ出力
電圧Vgの初期設定電位を該レギュレータ出力電圧Vg
が必要とするレギュレータ電圧Vgより低い中心点にし
てもよい。
【0024】上記回路において、従来と同様に、電圧源
電圧Vaが高くなると、起動回路1の第1、第2トラン
ジスタQ3、Q4のベース電位が高くなり、第1、第2
トランジスタQ3、Q4のエミッタ・コレクタのインピ
ーダンスが低下し、それにより第3トランジスタQ5の
コレクタ・ベース電位が低下するので、出力トランジス
タQ11のベース電位も低下しコレクタ・エミッタ間の
インピダンスを高めるので、レギュレータ出力端子Aの
レギュレータ出力電圧Vgは電圧源電圧Vaが高くなっ
ても一定になる。
【0025】電圧源電圧Vaが低くなると、起動回路1
の第1、第2トランジスタQ3、Q4のベース電位が低
くなり、第1、第2トランジスタQ3、Q4のエミッタ
・コレクタのインピーダンスが上昇し、それにより第3
トランジスタQ5のコレクタ・ベース電位が上昇するの
で、出力トランジスタQ11のベース電位も上昇しコレ
クタ・エミッタ間のインピダンスを低めるので、レギュ
レータ出力端子Aのレギュレータ出力電圧Vgは電圧源
電圧Vaが低くなっても一定になる。
【0026】実際に電圧源電圧Vaが3V〜14Vの間
変化してもレギュレータ出力電圧Vgは常に1.5Vと
なる。
【0027】前記レギュレータ出力端子Aのレギュレー
タ出力電圧Vgは出力負荷変動によっても変動するが、
前記レギュレータ出力端子Aのレギュレータ出力電圧V
gが変動したときは、バンドギャップ回路2で調整しレ
ギュレータ出力電圧Vgを一定にする。
【0028】今レギュレータ出力電圧Vgが下がったと
すると、第7、第8トランジスタQ9、Q10のベース
電位が下がり、第4トランジスタQ6のベース電位が上
がり、第4トランジスタQ6のエミッタ及び第3トラン
ジスタQ5のベース電位が上昇する。そのため出力トラ
ンジスタQ11のエミッタ電位が上がりレギュレータ出
力電圧Vgを一定にする。
【0029】逆にレギュレータ出力電圧Vgが上がった
とすると、第7、第8トランジスタQ9、Q10のベー
ス電位が上がり、第4トランジスタQ6のベース電位が
下がり、第4トランジスタQ6のエミッタ及び第3トラ
ンジスタQ5のベース電位が低下する。そのため出力ト
ランジスタQ11のエミッタ電位が下がりレギュレータ
出力電圧Vgは一定にする。
【0030】ところで前記回路を製造し調整する段階
で、レギュレータ出力電圧が必要とする1.5V±1%
以上超えていることが検出されたとき、前記ザッピング
パッドP1、P2、P3の何れかに電圧を加え、第7、
第8トランジスタQ9、Q10のベースのザッピング抵
抗Ra、Rb、Rcに接続されたザッピングダイオード
D1、D2、D3の何れかに電圧を加え、これらザッピ
ングダイオードD1、D2、D3をショートし前記ザッ
ピング抵抗Ra、Rb、Rcを選択的にショートしザッ
ピングを行い、レギュレータ出力電圧が1.5V±1%
を越えない。従って、ザッピングパッドP4、P5、P
6、ザッピングダイオードD4、D5、D6及びザッピ
ング抵抗Rc、Rd、Reを省略できる。
【0031】
【発明の効果】本発明のレギュレータのトリミング回路
はバンドギャップ回路に接続されたザッピング抵抗とア
ース間にバイアス抵抗Rgを接続し、ザッピングしない
ときのレギュレータ出力電圧の初期設定電位を必要とす
るレギュレータ出力電圧より高い電圧又は低い電圧のい
ずれかに設定し、ザッピングする以前のレギュレータ出
力電圧の許容値がプラス方向又はマイナス方向のいずれ
か一方向にずれるようにしたので、集積回路のチップ面
積を占める割合が大きいザッピングパッド及びザッピン
グ抵抗とザッピングダイオードを少なくでき、チップ面
積を小さくできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のレギュレータのトリミング回路の回路
図である。
【図2】従来のレギュレータのトリミング回路の回路図
である。
【図3】本発明のレギュレータ電圧の初期値設定を説明
する波形図である。
【図4】従来のレギュレータ電圧の初期値設定を説明す
る波形図である。
【符号の説明】
10 起動回路 11 制御回路 12 バンドギャップ回路 Q3 第1トランジスタ Q4 第2トランジスタ Q5 第3トランジスタ Q6 第4トランジスタ Q7 第5トランジスタ Q8 第6トランジスタ Q9 第7トランジスタ Q10 第8トランジスタ Q11 出力トランジスタ P1、P2、P3 ザッピングパッド D1、D2、D3 ザッピングダイオード Ra、Rb、Rc ザッピング抵抗

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ベースに抵抗とダイオードが接続されたト
    ランジスタよりなる起動回路と、電圧源とレギュレータ
    出力端子間に接続された出力トランジスタと、前記電圧
    源の電圧変動を検出し前記出力トランジスタを制御する
    制御回路と、レギュレータ出力端子に接続されザッピン
    グパッドに加えられる電圧で選択的にショートされるザ
    ッピングダイオードと該ザッピングダイオードがショー
    トすることによりショートされザッピングするザッピン
    グ抵抗を有するバンドギャップ回路と、前記ザッピング
    抵抗とアース間に接続されたバイアス抵抗とよりなり、
    ザッピングしないときのレギュレータ出力電圧の初期設
    定電位を必要とするレギュレータ出力電圧より高い電圧
    又は低い電圧のいずれかに設定することを特徴とするレ
    ギュレータのトリミング回路。
  2. 【請求項2】ベースが抵抗R1を介して電圧源に接続さ
    れると共にダイオードD1、D2を介してアースされた
    第1トランジスタQ3、該第1トランジスタQ3のコレ
    クタ・エミッタにコレクタ・エミッタが接続されベース
    がレギュレータ出力端子Aに接続された第2トランジス
    タQ4とよりなる起動回路10と、該起動回路10の電
    位変動を検出する第3トランジスタQ5を有する制御回
    路11と、電圧源とレギュレータ出力端子A間に接続さ
    れ前記第3トランジスタQ5で検出された電圧にて制御
    される出力トランジスタQ11と、レギュレータ出力端
    子Aとアース間に直列接続されたザッピング抵抗Ra、
    Rb、Rcとバイアス抵抗Rg、ザッピングパッドP
    1、P2、P3に加えられる電圧にてショートされ前記
    ザッピング抵抗Ra、Rb、Rcを選択的にショートす
    るザッピングダイオードD1、D2、D3、ベースが前
    記ザッピング抵抗Ra、Rb、Rcとバイアス抵抗の接
    続点に接続されレギュレータ出力端子Aの電圧変動を検
    出し制御回路11に加える第6及び第7トランジスタQ
    9、Q10とよりなるバンドギャップ回路12とを備
    え、ザッピングしないときのレギュレータ出力電圧の初
    期設定電位を必要とするレギュレータ出力電圧Vgより
    高い電圧又は低い電圧のいずれかに設定することを特徴
    とするレギュレータのトリミング回路。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7215176B2 (en) 2003-09-29 2007-05-08 Seiko Epson Corporation Analog value adjustment circuit, display driver circuit, and method of adjusting analog value
CN103440015A (zh) * 2013-08-30 2013-12-11 厦门意行半导体科技有限公司 一种带隙基准电路
CN114910690A (zh) * 2022-07-19 2022-08-16 成都市易冲半导体有限公司 充电控制芯片中电流高精度采样系统复用修调结构及方法

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