JP2001272294A - 選択封止付き超小型電気機械式システム・センサおよびそのための方法 - Google Patents
選択封止付き超小型電気機械式システム・センサおよびそのための方法Info
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Abstract
り、圧力センサ・ダイアフラム(121)を周囲圧力に
暴露させながら、封止によるワイヤ・ボンドの保護を達
成することを可能にする。 【解決手段】 圧力センサ・ダイアフラム(121)の
外周に保護ダム(150)を構築して、保護ダム(15
0)とデバイス・ハウジング(105)との間にワイヤ
・ボンド・キャビティ領域を形成することによって、選
択封止が可能になる。ワイヤ・ボンド・キャビティは、
封止ゲル(160)またはベント・キャップ(170)
により封止することができる。代替的に、キャップ・ウ
ェハ(151)をデバイス・ウェハ(125)に結合す
るガラス・フリット・パターン(152)によって保護
ダム(150)を形成することができ、次いで、保護ダ
ムが取り付けられた2つのウェハの組合せを個別ダイに
裁断する。
Description
式システム(MEMS)デバイスに関し、さらに詳しく
はMEMSデバイスの選択封止に関する。
のミニチュア・センサは、種々の周囲状態を感知するた
めに小型装置を必要とする多種多様な消費製品および工
業製品に導入されている。MEMS圧力センサの組込み
の潜在的可能性が自動車タイヤより大きい適用分野は、
現在、おそらく存在しない。この適用分野は、RF送信
機を装備した1つまたはそれ以上のMEMS圧力センサ
を自動車タイヤ内に埋め込むことが必要である。このセ
ンサはタイヤ空気圧を監視し、低空気圧警報を提供する
信号を自動車の処理装置および表示装置に送信して、危
険なタイヤのことをドライバに警告する。
パッケージ12に結合された圧力センサ・ダイ13を有
するプラスチック・パッケージ12上に形成されたキャ
ビティに封止ゲル11を注入する、MEMSデバイス1
0の従来の封止を示す。封止ゲル11の目的は、圧力セ
ンサ・ダイ13とリード・フレーム14との間のワイヤ
・ボンド15を保護することである。しかし、従来使用
された総封止技術は、圧力センサ・ダイアフラム16を
含め、圧力センサ・ダイ13を完全に被覆した。
点は、一種の加速度感受性である。封止ゲル11が圧力
センサ・ダイアフラム16を被覆し、MEMSデバイス
10が高い毎分回転数(RPM)にさらされるタイヤに
配置されると、そのような高いRPMによって実現され
る加速度成分は、圧力センサ13に対して封止ゲル11
の質量を押しつけ、それにより誤ったタイヤ空気圧の読
みを提供する。
張として知られ、一般的に「ゲル滲出」と呼ばれる。周
囲圧力の急激な変化によって生じるこの現象は、封止ゲ
ルをMEMSデバイス10から滲出または噴出させる。
これは次にデバイスの完全性を損ね、汚染を生じ、最終
的に早期デバイス故障に至る。
方法は、コンフォーマル・コーティングとして知られて
いた。これは、圧力センサ・ダイ、ワイヤ・ボンド、お
よびリード・フレーム上に薄いポリマーを塗布する必要
があった。コンフォーマル・コーティングは加速度感受
性の問題を部分的に解決するが、それ自体の欠点の組が
あった。
コーティングに浸透して、層間剥離やピーリングを発生
させる。ワイヤ・ボンドが露出するところまでコンフォ
ーマル・コーティングが層間剥離すると、MEMSデバ
イスは早期故障を起こす。また、パリレンCコーティン
グの場合、摂氏105度(℃)を超える熱は、コーティ
ングの酸化崩壊またはその他の永久的材料特性変化を引
き起こし、それによりコンフォーマル・コーティングは
さらに湿気の問題にさらされる。
ゲルとコンフォーマル・コーティングを結合した。さら
に別の技法は、MEMSデバイスをステンレス鋼のキャ
ップまたはカバーで封止するものであった。しかし、こ
れらの解決策は、加速度感受性のみならず、高コストに
関連する問題にもさらされた。
の従来技術の技法は、コボリら(「コボリ」)によって
米国特許第4,802,952号に開示されている。コ
ボリは、圧電抵抗素子に陽極ボンディングを使用するウ
ェハ・レベルのキャッピング技法を開示している。コボ
リの欠点は、シリコン基板の下面に凹所をエッチングす
ることによって、圧力感受性ダイアフラムが形成される
ことである。この技法は、製造工程のコストを増加し、
効率を低下する。
ム」)によって米国特許第4,942,383号に開示
されている。ラムは、ダイが接着剤で底部カバーに結合
され、接着剤を超音波溶接することによって上部カバー
が底部カバーに結合された、圧力センサ・パッケージを
開示している。再び、センサ・ダイアフラムはパッケー
ジの下面に配置される。さらに、ダイ接着剤のダイアフ
ラムへの滲出を阻止するための予防手段が無い。
る1対の特許、米国特許第5,207,102号(「高
橋102」)および第5,333,505号(「高橋5
05」)に開示されている。高橋102では、圧力セン
サ・ダイがペデスタルの頂面に配置され、ペデスタルの
底面はダイ・パッドに固定される。ワイヤ・ボンディン
グは圧力センサ・ダイをリードに接続する。ダイ、ワイ
ヤ・ボンド、ペデスタル、およびダイ・パッドは、エポ
キシ樹脂を使用して、従来の成形工程によって封止され
る。詳細には開示されていないが、図面および明細書か
ら、高橋102は、成形工程の一部として、エポキシ樹
脂の封止を制限するために一時的プラグに依存している
ようである。
樹脂がダイアフラム内に流入するのを防止するために、
圧電抵抗器の周囲を包囲する樹脂ダムを有する、高橋1
02の改良版を開示している。高橋505を綿密に読む
と、ダムは実際には、圧力センサ・ダイとエポキシ樹脂
封止中に使用される成形プラグとの間のシールであるこ
とが分かる。ダム/シールは、明らかに高橋102の欠
点である封止樹脂のダイアフラムへの滲出を防止するの
に役立つ。高橋505は、印刷法または写真製版による
ダムの形成を開示している。ダムの高さは、圧力センサ
・ダイ上のボンド・パッドにほぼ等しい。成形封止エポ
キシ樹脂の高さは、ダムの高さより著しく高いことに注
意されたい。したがって、高橋505によって開示され
たダムは誤称である。つまり、それはキャビティまたは
リザーバを形成するものではなく、むしろ成形工程中の
樹脂の滲出を防止するシールであるという意味で、真の
ダムではない。
の技法の性能上の欠点や故障メカニズムを招くことな
く、MEMSセンサの完全性を保護するために、より信
頼でき、改善された品質で、より頑健な封止技法を提供
する必要がある。
態による選択封止付きMEMSセンサ100の断面側面
図である。MEMS圧力センサ100は、一般的にプラ
スチック材料から形成されるハウジング105(部分的
に図示)を含む。センサ・ダイ120は、エポキシまた
はシリコーン接着剤110によってプラスチック・ハウ
ジング105に取り付けられる。ワイヤ・ボンド140
は、センサ・ダイ120のワイヤ・ボンド・パッド12
2とリード・フレーム130との間の電気的接続を提供
する。また、保護ダム150および保護材として働く封
止ゲル材160も図示されている。
サ100を製造するための技法の詳細は、以下の通りで
ある。本発明の様々な実施形態の説明は、主としてME
MS圧力センサに寄せられている。しかし、本発明の記
載する実施形態の選択封止は、圧力、化学薬品、湿度等
を感知する容量性センサを含め、多種多様なMEMSセ
ンサに適用することができる。
種類のMEMSセンサの共通分母は、一部の周囲状態に
敏感であり、かつ最適性能を達成するために封止ゲルが
付かないようにしなければならない、容量性ダイアフラ
ムまたは隔膜などのトランスデューサ要素である。しか
し、トランスデューサ要素以外のパッケージの残部は、
環境保護のために封止すべきである。
むウェハを個々のダイにダイシングした後、各々の個別
圧力センサ・ダイ120は、一般的にプラスチックで形
成されるハウジング105に、従来の方法によって取り
付けられる。圧力センサ・ダイ120をプラスチック・
ハウジング105のベースに取り付けるために、一般的
にエポキシまたはシリコーン接着剤110が使用され
る。
ハウジング105に取り付けた後、ワイヤ・ボンド・パ
ッド122とリード・フレーム130との間に、ワイヤ
・ボンド140が接続される。
ム121の外周とボンド・パッド122によって形成さ
れる内周との間に、保護ダム150を構築することであ
る。圧力センサ・ダイアフラム121は一般的に、図3
に示すように、圧力センサ・ダイ120の中心部に配置
される。次いで、保護ダム150が高温で硬化される。
センサ100は封止することができる。このステップ中
に、保護ダム150とプラスチック・ハウジング105
との間に位置するワイヤ・ボンド・キャビティ領域内
に、封止ゲル160が注入され、それによりボンド・パ
ッド122、リード・フレーム130の一部分、および
ワイヤ・ボンド140が被覆される。選択封止が完了し
た後、封止ゲル160が硬化される。
両立性を達成するために、つまりワイヤ・ボンドの完全
性を異物による汚染から守るために、フルオロカーボン
をベースにする材料から構築される。しかし、フルオロ
カーボン系の材料は、一般的に最も高価でもある。他の
対費用効果の高い材料として、シリコーンおよびフルオ
ロシリコーンをベースにした材料がある。一般的に、保
護ダム150および封止ゲル160の両方に、同様の材
料が使用される。
ットなどの装置を使用して、それを単体として形成する
ことによって構築される。計量分配コレットはノズル型
の装置であり、ノズルの出力開口の設計は保護ダム15
0の設計に対応する。したがって、矩形のダムの場合、
計量分配小レットは矩形のノズルを持ち、保護ダムの4
つの壁全部を同時に形成することができる。現在の設計
は、矩形の圧力センサ・ダイアフラム121との一貫性
のために、矩形の保護ダム150を使用することが好ま
しい。しかし、円形、三角形、五角形、または同様のも
の含め、それらに限定されず、その他の形状のダイアフ
ラムおよび保護ダムが構想される。
々は、計量分配針を用いて形成することができる。計量
分配針法による保護ダムの構築では、ダムの壁が同時に
形成される計量分配小レット法とは対照的に、各々のダ
ム壁が順次形成される。計量分配針は基本的に、各ダム
壁を線描する。保護ダム150の高さおよび幅を制御す
るために、各壁を複数回通過することができる。
ンド140のループの高さ、すなわち圧力センサ・ダイ
120より上のワイヤ・ボンド140の遠地点にほぼ等
しいことが好ましい。最小高さは、ワイヤ・ボンド14
0の完全な封止を確保するための要件によって誘導され
る。保護ダムの最大高さは、プラスチック・ハウジング
105の高さである。しかし、実際には、保護ダム15
0の高さは、図2に示すように、ワイヤ・ボンド140
の遠地点とプラスチック・ハウジング105との間の範
囲である。
ミクロン(μm)、つまり約25milであり、プラス
チック・ハウジング105のキャビティの全高が約13
5milである一般的な適用例の場合、保護ダム150
の公称高さは、774〜1,548μm、つまり約30
〜60milの範囲内である。
施形態による選択封止付きのMEMS圧力センサ101
が図示されており、ここでベント・キャップ170は保
護材として働く。MEMS圧力センサ101は、封止ゲ
ルを用いてワイヤ・ボンド・キャビティを充填する代り
に、ワイヤ・ボンド・キャビティ領域を被覆、密封、ま
たはその他のやり方で封止するベント・キャップ170
を含む。ベント・キャップ170は、中心に圧力センサ
・ダイアフラム121が妨害されない周囲圧力を受け取
ることを可能にするベント・アパーチャ171を中心に
含む。従来技術のゲルの過剰膨張の問題は、ワイヤ・ボ
ンド・キャビティに封止ゲルを充填しないことによって
回避される。
センサ・ダイ120をプラスチック・ハウジング105
(部分的に図示)に取り付け、ワイヤ・ボンドで圧力セ
ンサ・ボンド・パッド122をリード・フレーム130
に電気的に接続し、保護ダム150を構築することを含
む、MEMS圧力センサ100の形成について説明した
のと同様のステップを使用する。
イ120の頂面上に構築された後、デバイス上にベント
・キャップ170が載置される。ベント・キャップ17
0の外縁は、プラスチック・ハウジング105と嵌合す
る。ベント・キャップ170の中心部の下面は、保護ダ
ム150に押しつけられる。デバイスを高温で硬化する
ことによって、ベント・キャップ170の封止が行われ
る。代替的に、接着材料を使用して、ベント・キャップ
170を封止することもできる。また、熱硬化と接着剤
の様々な組合せを使用して、ベント・キャップ170を
封止することもできる。
・ハウジング105および保護ダム150と両立するプ
ラスチック材料から形成することが好ましい。代替実施
形態では、ベント・キャップ170は金属から構築する
ことができる。しかし、金属の実施形態の場合、ワイヤ
・ボンド140からベント・キャップ170への電気的
短絡を阻止するために、ベント・キャップ170とワイ
ヤ・ボンドとの間に適切な離隔距離を取らなければなら
ない。保護ダム150の高さの制限は、MEMSセンサ
100について説明したものと同様である。
0は、保護ダム150と接触する中心部に段違いを有す
る。この段違いの目的は、ワイヤ・ボンド140および
プラスチック・ハウジング105に対して保護ダム15
0の高さを最適にすることである。しかし、代替実施形
態では、段違いは不要である。
別の実施形態による選択封止付きMEMS圧力センサ1
02が図示されている。この実施形態では、ガラス・フ
リット152またはその他の適切な接着剤により、キャ
ップ・ウェハ151をデバイス・ウェハ125に結合す
ることによって、ウェハ・レベルに保護ダム150が形
成される。MEMSセンサ102の製造の予備ステップ
で、基板上にデバイス・ウェハ125などの複数のセン
サ・デバイスが形成される。図6は、典型的センサ・デ
バイスのダイアフラム121およびワイヤ・ボンド・パ
ッド122を示す。
イスの形成とは別個に、時々キャップ・ウェハ151と
呼ばれる第2ウェハに、複数のダイアフラム・アパーチ
ャ153、デバイス・チャネル154、およびカット・
ライン155がパターン形成される。次のステップで、
スクリーン印刷またはその他の手段によって、キャップ
・ウェハ151上にガラス・フリット・パターンを堆積
することによって、ボンディング領域が形成される。次
いで、キャップ・ウェハ151がデバイス・ウェハ12
5に整列され、結合される。次いで、キャップ/デバイ
ス・ウェハの組合せが熱硬化され、保護ダム150が取
り付けられた個々の圧力センサ・ダイ120に裁断され
る。
であり、ダイアフラム・アパーチャ153をさらに図解
する。各々の圧力センサ・ダイ120は、前の実施形態
で説明したように、ハウジング105に取り付けられ
る。同様に、ワイヤ・ボンド140をワイヤ・ボンド・
パッド122とリード・フレーム130との間に接続す
ることによって、ワイヤ・ボンディングが達成される。
保護ダム150、つまりキャップ・ウェハ部分151と
ガラス・フリット・パターン部分152の組合せと、ハ
ウジング105との間に、ワイヤ・ボンド・キャビティ
領域が形成される。ワイヤ・ボンド・キャビティには、
前述の実施形態と同様に封止ゲル160が充填される。
保護ダム150の高さの制限は、MEMSセンサ100
に関して説明したのと同様である。
速度感受性、ゲル過剰膨張、およびその他の不利益など
の問題を解決する選択封止を備えた改良MEMSセンサ
が得られることが理解されるであろう。さらに、本発明
に従って製造されたMEMSセンサの厳しい環境での性
能が改善される。本発明のMEMSセンサは圧力セン
サ、化学薬品センサ、湿度センサ等を含むことを理解さ
れたい。
図示し説明したが、本発明の精神および範囲から逸脱す
ることなく、形状および細部を変化させることができる
ことを当業者は理解されるであろう。
面図である。
MS圧力センサの断面側面図である。
MS圧力センサの断面側面図である。
の斜視図である。
る。
Claims (5)
- 【請求項1】 ハウジング(105)と、 前記ハウジングに結合されたリード・フレーム(13
0)と、 前記ハウジングにセンサ・ダイを取り付けるための第1
表面を有するセンサ・ダイ(12)であって、周囲状態
を測定するためのセンサ・ダイアフラムと、前記センサ
・ダイの第2表面上に形成された複数のバンド・パッド
とを備えた前記センサ・ダイと、 前記複数のバンド・パッドの少なくとも1つを前記リー
ド・フレームに電気的に接続するワイヤ・ボンド(14
0)と、 前記センサ・ダイの前記第2表面上で前記センサ・ダイ
アフラムの外周より外側に構築された保護ダム(15
0)と、 前記ワイヤ・ボンド上の保護材(160)とを備えた超
小型電気機械式センサ(10)。 - 【請求項2】 前記保護材(160)が前記ハウジング
および前記保護ダムによって形成されたキャビティ内に
配置された封止ゲルであり、前記封止ゲルは前記ワイヤ
・ボンドを封止するが、前記センサ・ダイアフラムを封
止しない、請求項1に記載の超小型電気機械式センサ。 - 【請求項3】 前記保護材が前記ハウジングおよび前記
保護ダムに結合されたベント・キャップ(170)であ
り、前記ベント・キャップはワイヤ・ボンドを封止し、
かつベント・キャップがセンサ・ダイアフラムを封止し
ないようにベント・アパーチャを有する、請求項1に記
載の超小型電気機械式センサ。 - 【請求項4】 ハウジング(105)と、 前記ハウジングに結合されたリード・フレーム(13
0)と、 前記ハウジングにセンサ・ダイを取り付けるための第1
表面を有するセンサ・ダイ(12)であって、周囲状態
を測定するためのセンサ・ダイアフラム(121)と、
前記センサ・ダイの第2表面上に形成された複数のバン
ド・パッドとを備えた前記センサ・ダイと、 前記複数のバンド・パッドの少なくとも1つを前記リー
ド・フレームに電気的に接続するワイヤ・ボンド(14
0)と、 保護ダム(150)であって、 前記センサ・ダイアフラム(121)を周囲状態に暴露
するために少なくとも1つのアパーチャを有するキャッ
プ・ウェハ(151)の一部分と、 前記キャップ・ウェハの一部分を前記センサ・ダイに結
合するためのガラス・フリット(152)・パターンの
一部分とを備えた前記保護ダムと、 前記ハウジングおよび前記保護ダムによって形成される
キャビティ内に配置された封止ゲル(160)であっ
て、前記ワイヤ・ボンドを封止するが、前記センサ・ダ
イアフラムを封止しない前記封止ゲルとを備えた超小型
電気機械式システム・センサ。 - 【請求項5】 前記保護ダム(150)が前記センサ・
ダイアフラムの外周と、前記複数のワイヤ・ボンド・パ
ッド(122)によって形成される内周との間に構築さ
れる、請求項4に記載の超小型電気機械式システム・セ
ンサ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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US490927 | 2000-01-25 |
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JP2001272294A true JP2001272294A (ja) | 2001-10-05 |
JP3498058B2 JP3498058B2 (ja) | 2004-02-16 |
Family
ID=23950077
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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R250 | Receipt of annual fees |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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