JP2001267101A - セラミックス抵抗体およびその製造方法 - Google Patents
セラミックス抵抗体およびその製造方法Info
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- Chemically Coating (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱膨張差による剥離を生じることがなく、メ
ッキ膜として形成される金属固有の優れた導電性が維持
され、耐食性に優れ、高温多湿の悪環境下においても高
い信頼性をもって使用可能な電極部を形成したセラミッ
クス抵抗体およびその製造方法が提供する。 【解決手段】 アルミノケイ酸塩を主成分とする開気孔
率１％未満のセラミックス抵抗体に電気伝導性に優れた
金属の無電解メッキ膜からなる電極を形成したセラミッ
クス抵抗体において、該無電解メッキ膜が、平均粗さ１
〜１００μｍに粗面化されたセラミックス抵抗体の表面
上に形成されており、セラミックス抵抗体の表面をサン
ドブラスト処理、化学的エッチング処理などの手段で粗
面化した後、無電解メッキにより５〜２０μｍ厚さを有
する電気伝導性に優れた金属の膜からなる電極を形成す
ることにより製造される。
ッキ膜として形成される金属固有の優れた導電性が維持
され、耐食性に優れ、高温多湿の悪環境下においても高
い信頼性をもって使用可能な電極部を形成したセラミッ
クス抵抗体およびその製造方法が提供する。 【解決手段】 アルミノケイ酸塩を主成分とする開気孔
率１％未満のセラミックス抵抗体に電気伝導性に優れた
金属の無電解メッキ膜からなる電極を形成したセラミッ
クス抵抗体において、該無電解メッキ膜が、平均粗さ１
〜１００μｍに粗面化されたセラミックス抵抗体の表面
上に形成されており、セラミックス抵抗体の表面をサン
ドブラスト処理、化学的エッチング処理などの手段で粗
面化した後、無電解メッキにより５〜２０μｍ厚さを有
する電気伝導性に優れた金属の膜からなる電極を形成す
ることにより製造される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミックス抵抗
体、詳しくは、電極部を形成したセラミックス抵抗体お
よびその製造方法に関する。
体、詳しくは、電極部を形成したセラミックス抵抗体お
よびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】抵抗体として広く用いられているアルミ
ノケイ酸塩を主成分とする開気孔率１％未満のセラミッ
クス抵抗体の電極は、このセラミックス抵抗体の表面
に、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇなど、導電性に優れた金属
の層を形成してなるもので、電極施工方法としては、従
来、ろう付けによる方法、金属溶射による方法、無電解
メッキによる方法が知られている。
ノケイ酸塩を主成分とする開気孔率１％未満のセラミッ
クス抵抗体の電極は、このセラミックス抵抗体の表面
に、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇなど、導電性に優れた金属
の層を形成してなるもので、電極施工方法としては、従
来、ろう付けによる方法、金属溶射による方法、無電解
メッキによる方法が知られている。
【０００３】ろう付けによる方法は、セラミックス抵抗
体に高温でろう材を融着させる方法であるが、アルミノ
ケイ酸塩を主成分とする開気孔率１％未満のセラミック
ス抵抗体は、金属との熱膨張差が大きく素材強度が低い
ため、融着部で素材の剥離を生じることがしばしば経験
されている。また、ろう付けによる電極の施工は、高真
空雰囲気や不活性ガス雰囲気中での作業を要することが
多く、コスト面でも問題がある。
体に高温でろう材を融着させる方法であるが、アルミノ
ケイ酸塩を主成分とする開気孔率１％未満のセラミック
ス抵抗体は、金属との熱膨張差が大きく素材強度が低い
ため、融着部で素材の剥離を生じることがしばしば経験
されている。また、ろう付けによる電極の施工は、高真
空雰囲気や不活性ガス雰囲気中での作業を要することが
多く、コスト面でも問題がある。
【０００４】金属溶射による方法は、電気やガスを熱源
としてセラミックス抵抗体の表面に金属を溶射するもの
であるが、形成される金属溶射層は多孔質であるため、
セラミックス抵抗体の素材と溶射される金属との熱膨張
差を吸収することは可能であるが、抵抗体を、例えば高
温多湿の厳しい環境下で使用した場合、金属溶射層に孔
食や粒界腐食が生じ易く、導電性が低下し、また、電極
部が腐食することにより体積が膨張してセラミックス抵
抗体の素地との剥離が生じるという問題点がある。さら
に、この方法では、高温の大気中で金属を溶融して溶射
を行うため、形成された金属層は酸化され易く、金属が
有する固有の導電性を得ることが困難となるという難点
もある。
としてセラミックス抵抗体の表面に金属を溶射するもの
であるが、形成される金属溶射層は多孔質であるため、
セラミックス抵抗体の素材と溶射される金属との熱膨張
差を吸収することは可能であるが、抵抗体を、例えば高
温多湿の厳しい環境下で使用した場合、金属溶射層に孔
食や粒界腐食が生じ易く、導電性が低下し、また、電極
部が腐食することにより体積が膨張してセラミックス抵
抗体の素地との剥離が生じるという問題点がある。さら
に、この方法では、高温の大気中で金属を溶融して溶射
を行うため、形成された金属層は酸化され易く、金属が
有する固有の導電性を得ることが困難となるという難点
もある。
【０００５】無電解メッキによる電極部の施工は、無電
解メッキにより前記の導電性に優れた金属の膜を析出、
形成することにより行われるが、金属層とセラミックス
抵抗体の素地との熱膨張差が長期間繰り返し加わった場
合には、金属層と素地との界面において剥離が生じるこ
とがあり、また、金属層の厚みが大きくなった場合にも
部分的な剥離が生じ易くなることが経験されている。
解メッキにより前記の導電性に優れた金属の膜を析出、
形成することにより行われるが、金属層とセラミックス
抵抗体の素地との熱膨張差が長期間繰り返し加わった場
合には、金属層と素地との界面において剥離が生じるこ
とがあり、また、金属層の厚みが大きくなった場合にも
部分的な剥離が生じ易くなることが経験されている。
【０００６】上記のように、アルミノケイ酸塩を主成分
とする開気孔率１％未満のセラミックス抵抗体の電極施
工には、いずれも問題点があるため、当該セラミック抵
抗体の高温多湿環境のような厳しい環境下での使用は、
これまで極めて制限されたものとなっていたのが現状で
ある。
とする開気孔率１％未満のセラミックス抵抗体の電極施
工には、いずれも問題点があるため、当該セラミック抵
抗体の高温多湿環境のような厳しい環境下での使用は、
これまで極めて制限されたものとなっていたのが現状で
ある。
【０００７】一方、無電解メッキによる電極の施工は、
高温での処理がないため、セラミックス抵抗体の素地と
電極との熱膨張差による剥離がみられず、また、形成さ
れる金属膜は、高密度で酸化などによる変質がないため
に、厳しい使用環境においても孔食や粒界腐食が生じ難
という利点がある。
高温での処理がないため、セラミックス抵抗体の素地と
電極との熱膨張差による剥離がみられず、また、形成さ
れる金属膜は、高密度で酸化などによる変質がないため
に、厳しい使用環境においても孔食や粒界腐食が生じ難
という利点がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、アルミノケ
イ酸塩を主成分とする開気孔率１％未満のセラミックス
抵抗体の電極施工における従来の問題点を解消するため
に、上記の利点を有する無電解メッキによる電極施工に
ついて見直しを行い、再検討を加えた結果としてなされ
たものであり、その目的は、熱膨張差による剥離を生じ
ることがなく、メッキ膜として形成される金属固有の優
れた導電性が維持され、耐食性に優れ、高温多湿の悪環
境下においても高い信頼性をもって使用可能な電極部を
形成したセラミックス抵抗体およびその製造方法を提供
することにある。
イ酸塩を主成分とする開気孔率１％未満のセラミックス
抵抗体の電極施工における従来の問題点を解消するため
に、上記の利点を有する無電解メッキによる電極施工に
ついて見直しを行い、再検討を加えた結果としてなされ
たものであり、その目的は、熱膨張差による剥離を生じ
ることがなく、メッキ膜として形成される金属固有の優
れた導電性が維持され、耐食性に優れ、高温多湿の悪環
境下においても高い信頼性をもって使用可能な電極部を
形成したセラミックス抵抗体およびその製造方法を提供
することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の請求項１によるセラミックス抵抗体は、アル
ミノケイ酸塩を主成分とする開気孔率１％未満のセラミ
ックス抵抗体に電気伝導性に優れた金属の無電解メッキ
膜からなる電極を形成したセラミックス抵抗体におい
て、該無電解メッキ膜が、平均粗さ１〜１００μｍに粗
面化されたセラミックス抵抗体の表面上に形成されてい
ることを特徴とする。
の本発明の請求項１によるセラミックス抵抗体は、アル
ミノケイ酸塩を主成分とする開気孔率１％未満のセラミ
ックス抵抗体に電気伝導性に優れた金属の無電解メッキ
膜からなる電極を形成したセラミックス抵抗体におい
て、該無電解メッキ膜が、平均粗さ１〜１００μｍに粗
面化されたセラミックス抵抗体の表面上に形成されてい
ることを特徴とする。
【００１０】請求項２によるセラミックス抵抗体は、請
求項１において、前記無電解メッキ膜が５〜２０μｍの
厚さで形成されていることを特徴とする。
求項１において、前記無電解メッキ膜が５〜２０μｍの
厚さで形成されていることを特徴とする。
【００１１】請求項３によるセラミックス抵抗体は、請
求項１または２において、前記電気伝導性に優れた金属
がＮｉ、ＡｇまたはＡｕであることを特徴とし、請求項
４によるセラミックス抵抗体は、請求項１〜３におい
て、前記無電解メッキ膜の表面の気孔径が３０μｍ以下
であることを特徴とする。
求項１または２において、前記電気伝導性に優れた金属
がＮｉ、ＡｇまたはＡｕであることを特徴とし、請求項
４によるセラミックス抵抗体は、請求項１〜３におい
て、前記無電解メッキ膜の表面の気孔径が３０μｍ以下
であることを特徴とする。
【００１２】本発明の請求項５によるセラミックス抵抗
体の製造方法は、セラミックス抵抗体の表面を粗面化し
た後、無電解メッキにより５〜２０μｍ厚さを有する電
気伝導性に優れた金属の膜からなる電極を形成すること
を特徴とする。
体の製造方法は、セラミックス抵抗体の表面を粗面化し
た後、無電解メッキにより５〜２０μｍ厚さを有する電
気伝導性に優れた金属の膜からなる電極を形成すること
を特徴とする。
【００１３】請求項６によるセラミッスク抵抗体の製造
方法は、請求項５において、前記粗面化が、サンドブラ
スト処理または化学的エッチング処理により行われるこ
とを特徴とし、請求項７によるセラミックス抵抗体の製
造方法は、請求項５または６において、前記電気伝導性
に優れた金属がＮｉ、ＡｇまたはＡｕであることを特徴
とする。
方法は、請求項５において、前記粗面化が、サンドブラ
スト処理または化学的エッチング処理により行われるこ
とを特徴とし、請求項７によるセラミックス抵抗体の製
造方法は、請求項５または６において、前記電気伝導性
に優れた金属がＮｉ、ＡｇまたはＡｕであることを特徴
とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明においては、アルミノケイ
酸塩を主成分とする開気孔率１％未満のセラミックス抵
抗体に電気伝導性に優れた金属の無電解メッキ膜からな
る電極を形成したセラミックス抵抗体において、該無電
解メッキ膜が、平均粗さ（中心線平均粗さＲａ）１〜１
００μｍの微細な凹凸が形成されるよう粗面化されたセ
ラミックス抵抗体の表面上に形成されていることを特徴
とする。粗面の平均粗さが１μｍ未満では剥離が生じ易
くなり、１００μｍを越えてもメッキ膜との密着性が低
下する。さらに好ましい粗面の平均粗さは２〜１０μｍ
の範囲であり、最も好ましい粗面の平均粗さは２〜５μ
ｍの範囲である。
酸塩を主成分とする開気孔率１％未満のセラミックス抵
抗体に電気伝導性に優れた金属の無電解メッキ膜からな
る電極を形成したセラミックス抵抗体において、該無電
解メッキ膜が、平均粗さ（中心線平均粗さＲａ）１〜１
００μｍの微細な凹凸が形成されるよう粗面化されたセ
ラミックス抵抗体の表面上に形成されていることを特徴
とする。粗面の平均粗さが１μｍ未満では剥離が生じ易
くなり、１００μｍを越えてもメッキ膜との密着性が低
下する。さらに好ましい粗面の平均粗さは２〜１０μｍ
の範囲であり、最も好ましい粗面の平均粗さは２〜５μ
ｍの範囲である。
【００１５】セラミックス抵抗体の電極として形成され
る無電解メッキ膜の厚さは５〜２０μｍが好ましく、こ
の範囲の厚さの金属膜を形成することにより、密着性が
良好で、孔食や粒界腐食が生じ難い電極部が得られる。
メッキ膜の厚さが５μｍ未満では、電極にピンホールが
生じ易く、セラミックス抵抗体の素地を完全に被覆し難
くなり、２０μｍを越えると、素地とメッキ膜に剥離が
生じ易くなる。
る無電解メッキ膜の厚さは５〜２０μｍが好ましく、こ
の範囲の厚さの金属膜を形成することにより、密着性が
良好で、孔食や粒界腐食が生じ難い電極部が得られる。
メッキ膜の厚さが５μｍ未満では、電極にピンホールが
生じ易く、セラミックス抵抗体の素地を完全に被覆し難
くなり、２０μｍを越えると、素地とメッキ膜に剥離が
生じ易くなる。
【００１６】メッキ膜を形成するための導電性に優れた
金属としては、耐食性を有するＮｉ、ＡｇまたはＡｕが
最も好ましく、ＡｌやＰｄにようにイオン化傾向の大き
い金属では電食が発生し、導電性の低下や素地との剥離
が生じ易くなる。また、耐食性の観点から、メッキ膜の
表面に形成される気孔径が３０μｍ以下になるよう、無
電解メッキの条件を調整することが好ましい。
金属としては、耐食性を有するＮｉ、ＡｇまたはＡｕが
最も好ましく、ＡｌやＰｄにようにイオン化傾向の大き
い金属では電食が発生し、導電性の低下や素地との剥離
が生じ易くなる。また、耐食性の観点から、メッキ膜の
表面に形成される気孔径が３０μｍ以下になるよう、無
電解メッキの条件を調整することが好ましい。
【００１７】本発明によるセラミックス抵抗体の製造方
法について説明すると、まず、電極を形成する部分のセ
ラミックス抵抗体の表面を粗面化する。粗面化は、例え
ば、サンドブラスト処理などのブラスト処理、化学的エ
ッチング処理により行われる。化学的エッチング処理
は、フッ酸（フッ化水素酸）その他の強酸溶液中で行う
のが好ましく、これらの粗面化処理により、平均粗さ
（中心線平均粗さＲａ）が１〜１００μｍの微細な凹凸
が形成される。
法について説明すると、まず、電極を形成する部分のセ
ラミックス抵抗体の表面を粗面化する。粗面化は、例え
ば、サンドブラスト処理などのブラスト処理、化学的エ
ッチング処理により行われる。化学的エッチング処理
は、フッ酸（フッ化水素酸）その他の強酸溶液中で行う
のが好ましく、これらの粗面化処理により、平均粗さ
（中心線平均粗さＲａ）が１〜１００μｍの微細な凹凸
が形成される。
【００１８】ついで、粗面化されたセラミックス抵抗体
の表面に、常法に従う無電解メッキにより５〜２０μｍ
厚さを有する電気伝導性に優れた金属、好ましくはＮ
ｉ、ＡｇまたはＡｕの膜からなる電極を形成する。
の表面に、常法に従う無電解メッキにより５〜２０μｍ
厚さを有する電気伝導性に優れた金属、好ましくはＮ
ｉ、ＡｇまたはＡｕの膜からなる電極を形成する。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の実施例を比較例と対比して説
明する。これらの実施例は本発明の一実施態様を示すも
のであり、本発明がこれに限定されるものではない。
明する。これらの実施例は本発明の一実施態様を示すも
のであり、本発明がこれに限定されるものではない。
【００２０】実施例１ アルミノケイ酸塩を主成分とする開気孔率１％未満のセ
ラミックス抵抗体の素地表面を、サンドブラスト処理し
て平均粗さ（中心線平均粗さＲａ）が５μｍの微細な凹
凸が形成した後、無電解メッキにより厚さ１０μｍのＡ
ｇの膜を形成し、この膜にリード線をハンダ付けにより
取り付け、水中での通電試験を行った。結果を表１に示
す。
ラミックス抵抗体の素地表面を、サンドブラスト処理し
て平均粗さ（中心線平均粗さＲａ）が５μｍの微細な凹
凸が形成した後、無電解メッキにより厚さ１０μｍのＡ
ｇの膜を形成し、この膜にリード線をハンダ付けにより
取り付け、水中での通電試験を行った。結果を表１に示
す。
【００２１】実施例２ アルミノケイ酸塩を主成分とする開気孔率１％未満のセ
ラミックス抵抗体の素地表面を、フッ化水素酸溶液で化
学的エッチング処理して平均粗さ（中心線平均粗さＲ
ａ）が３μｍの微細な凹凸が形成した後、無電解メッキ
により厚さ１５μｍのＮｉの膜を形成し、この膜にリー
ド線をハンダ付けにより取り付け、水中での通電試験を
行った。結果を表１に示す。
ラミックス抵抗体の素地表面を、フッ化水素酸溶液で化
学的エッチング処理して平均粗さ（中心線平均粗さＲ
ａ）が３μｍの微細な凹凸が形成した後、無電解メッキ
により厚さ１５μｍのＮｉの膜を形成し、この膜にリー
ド線をハンダ付けにより取り付け、水中での通電試験を
行った。結果を表１に示す。
【００２２】比較例１ アルミノケイ酸塩を主成分とする開気孔率１％未満のセ
ラミックス抵抗体の素地表面を、何ら処理することな
く、無電解メッキにより厚さ１０μｍのＮｉの膜を形成
し、この膜にリード線をハンダ付けにより取り付けよう
としたところ、ハンダ鏝による加熱によってセラミック
ス抵抗体の素地よりメッキ膜が剥離した。
ラミックス抵抗体の素地表面を、何ら処理することな
く、無電解メッキにより厚さ１０μｍのＮｉの膜を形成
し、この膜にリード線をハンダ付けにより取り付けよう
としたところ、ハンダ鏝による加熱によってセラミック
ス抵抗体の素地よりメッキ膜が剥離した。
【００２３】比較例２ アルミノケイ酸塩を主成分とする開気孔率１％未満のセ
ラミックス抵抗体の素地表面を、何ら処理することな
く、無電解メッキにより厚さ４０μｍのＮｉの膜を形成
し、この膜にリード線をハンダ付けにより取り付けよう
としたところ、ハンダ鏝による加熱によってセラミック
ス抵抗体の素地よりメッキ膜が剥離した。
ラミックス抵抗体の素地表面を、何ら処理することな
く、無電解メッキにより厚さ４０μｍのＮｉの膜を形成
し、この膜にリード線をハンダ付けにより取り付けよう
としたところ、ハンダ鏝による加熱によってセラミック
ス抵抗体の素地よりメッキ膜が剥離した。
【００２４】比較例３ アルミノケイ酸塩を主成分とする開気孔率１％未満のセ
ラミックス抵抗体の素地表面をサンドブラスト処理し、
実施例と同じく平均粗さ（中心線平均粗さＲａ）が５μ
ｍの微細な凹凸が形成した後、無電解メッキにより厚さ
５０μｍのＣｕの膜を形成し、この膜にリード線をハン
ダ付けにより取り付け、水中での通電試験を行った。結
果を表１に示す。
ラミックス抵抗体の素地表面をサンドブラスト処理し、
実施例と同じく平均粗さ（中心線平均粗さＲａ）が５μ
ｍの微細な凹凸が形成した後、無電解メッキにより厚さ
５０μｍのＣｕの膜を形成し、この膜にリード線をハン
ダ付けにより取り付け、水中での通電試験を行った。結
果を表１に示す。
【００２５】比較例４ アルミノケイ酸塩を主成分とする開気孔率１％未満のセ
ラミックス抵抗体の素地表面をフッ化水素酸溶液で化学
的エッチング処理し、実施例２と同じく平均粗さ（中心
線平均粗さＲａ）が３μｍの微細な凹凸が形成した後、
無電解メッキにより厚さ５０μｍのＮｉの膜を形成し、
この膜にリード線をハンダ付けにより取り付けようとし
たところ、ハンダ鏝による加熱によってセラミックス抵
抗体の素地よりメッキ膜が剥離した。
ラミックス抵抗体の素地表面をフッ化水素酸溶液で化学
的エッチング処理し、実施例２と同じく平均粗さ（中心
線平均粗さＲａ）が３μｍの微細な凹凸が形成した後、
無電解メッキにより厚さ５０μｍのＮｉの膜を形成し、
この膜にリード線をハンダ付けにより取り付けようとし
たところ、ハンダ鏝による加熱によってセラミックス抵
抗体の素地よりメッキ膜が剥離した。
【００２６】
【表１】
【００２７】表１にみられるように、本発明に従うセラ
ミックス抵抗体は、形成された電極に対するリード線の
取り付け状況が良好であり、水中での通電試験において
も、導電性に異常が認められず良好な結果を示した。
ミックス抵抗体は、形成された電極に対するリード線の
取り付け状況が良好であり、水中での通電試験において
も、導電性に異常が認められず良好な結果を示した。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、熱膨張差による剥離を
生じることがなく、メッキ膜として形成される金属固有
の優れた導電性が維持され、耐食性に優れ、高温多湿の
悪環境下においても高い信頼性をもって使用可能な電極
部を形成したセラミックス抵抗体およびその製造方法が
提供される。従って、アルミノケイ酸塩を主成分とする
開気孔率１％未満のセラミックス抵抗体の使用範囲が大
きく拡大される。
生じることがなく、メッキ膜として形成される金属固有
の優れた導電性が維持され、耐食性に優れ、高温多湿の
悪環境下においても高い信頼性をもって使用可能な電極
部を形成したセラミックス抵抗体およびその製造方法が
提供される。従って、アルミノケイ酸塩を主成分とする
開気孔率１％未満のセラミックス抵抗体の使用範囲が大
きく拡大される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｃ 17/245 Ｈ０１Ｃ 17/24 Ｓ
Claims (7)
- 【請求項１】 アルミノケイ酸塩を主成分とする開気孔
率１％未満のセラミックス抵抗体に電気伝導性に優れた
金属の無電解メッキ膜からなる電極を形成したセラミッ
クス抵抗体において、該無電解メッキ膜が、平均粗さ１
〜１００μｍに粗面化されたセラミックス抵抗体の表面
上に形成されていることを特徴とするセラミックス抵抗
体。 - 【請求項２】 前記無電解メッキ膜が５〜２０μｍの厚
さで形成されていることを特徴とする請求項１記載のセ
ラミックス抵抗体。 - 【請求項３】 前記電気伝導性に優れた金属がＮｉ、Ａ
ｇまたはＡｕであることを特徴とする請求項１または２
記載のセラミックス抵抗体。 - 【請求項４】 前記無電解メッキ膜の表面の気孔径が３
０μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいず
れかに記載のセラミックス抵抗体。 - 【請求項５】 セラミックス抵抗体の表面を粗面化した
後、無電解メッキにより５〜２０μｍ厚さを有する電気
伝導性に優れた金属の膜からなる電極を形成することを
特徴とするセラミックス抵抗体の製造方法。 - 【請求項６】 前記粗面化が、サンドブラスト処理また
は化学的エッチング処理により行われることを特徴とす
る請求項５記載のセラミッスク抵抗体の製造方法。 - 【請求項７】 前記電気伝導性に優れた金属がＮｉ、Ａ
ｇまたはＡｕであることを特徴とする請求項５または６
記載のセラミックス抵抗体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000080175A JP2001267101A (ja) | 2000-03-22 | 2000-03-22 | セラミックス抵抗体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000080175A JP2001267101A (ja) | 2000-03-22 | 2000-03-22 | セラミックス抵抗体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001267101A true JP2001267101A (ja) | 2001-09-28 |
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ID=18597318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000080175A Pending JP2001267101A (ja) | 2000-03-22 | 2000-03-22 | セラミックス抵抗体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001267101A (ja) |
-
2000
- 2000-03-22 JP JP2000080175A patent/JP2001267101A/ja active Pending
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