JP2001264788A - Method for connecting wiring electrodes, manufacturing method and defect correcting method for liquid crystal display device substrate, and method for manufacturing liquid crystal display device, and processing device used therefor - Google Patents
Method for connecting wiring electrodes, manufacturing method and defect correcting method for liquid crystal display device substrate, and method for manufacturing liquid crystal display device, and processing device used thereforInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、小型携帯端末やノ
ートブック型パーソナルコンピュータ等の情報機器やＯ
Ａ（Ｏｆｆｉｃｅ Ａｕｔｏｍａｔｉｏｎ）機器、ＡＶ
（Ａｕｄｉｏ Ｖｉｓｕａｌ）機器等に利用される液晶
表示装置の製造において、簡易な検査や信頼性の高い配
線電極の断線欠陥修正を可能とする配線電極の接続方
法、液晶表示装置用基板の製造方法と液晶表示装置用基
板の修正方法、および液晶表示装置の製造方法、並びに
それに用いる加工装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to information devices such as small portable terminals and notebook personal computers, and
A (Office Automation) equipment, AV
(Audio Visual) In the manufacture of a liquid crystal display device used for equipment and the like, a method of connecting a wiring electrode that enables simple inspection and highly reliable repair of a disconnection defect of a wiring electrode, a method of manufacturing a substrate for a liquid crystal display device, and the like. The present invention relates to a method for repairing a substrate for a liquid crystal display device, a method for manufacturing a liquid crystal display device, and a processing apparatus used therefor.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、液晶表示装置は、絵素電極を設
けた配線側ガラス基板と、共通電極を設けたカラーフィ
ルター側ガラス基板または共通電極側ガラス基板（対向
側基板）との間に、液晶分子を挟んだ構成を有してい
る。そして、絵素電極と共通電極との間に電気信号を与
えることによって液晶分子の配向状態を変化させ、外部
から入射する光を変化させて情報を表示するものであ
る。この液晶表示装置は、ブラウン管方式の表示装置と
比較して、薄型、軽量および低消費電力という特徴を有
していることから、小型携帯端末やノートブック型パー
ソナルコンピュータに搭載されることも多い。2. Description of the Related Art In general, a liquid crystal display device has a structure in which a wiring side glass substrate provided with picture element electrodes and a color filter side glass substrate provided with a common electrode or a common electrode side glass substrate (a counter side substrate) are provided. It has a configuration sandwiching liquid crystal molecules. Then, by applying an electric signal between the picture element electrode and the common electrode, the orientation state of the liquid crystal molecules is changed, and information is displayed by changing light incident from the outside. This liquid crystal display device is characterized in that it is thinner, lighter, and consumes less power than a CRT display device, and is therefore often mounted on small portable terminals and notebook personal computers.
【０００３】近年では、高品質の液晶表示装置が望まれ
ているが、配線電極の線幅が１０μｍ以下と非常に細く
なっているため、製造工程において微小なダスト等によ
って断線が発生してしまい、完全に欠陥を防ぐことは困
難である。ところが、一般的に高コントラストな表示が
得られるノーマリーホワイトモードでは、欠陥絵素は白
表示となることが多く、黒画面に対して光る表示となる
ため、表示品位上で極めて目立つ欠陥になってしまう。
特に、断線欠陥は輝線となるため、絶対に許されないも
のである。In recent years, a high quality liquid crystal display device has been desired, but since the line width of the wiring electrode is very thin, such as 10 μm or less, disconnection occurs due to minute dust or the like in a manufacturing process. It is difficult to completely prevent defects. However, in the normally white mode in which a high-contrast display is generally obtained, the defective picture element often becomes a white display, and the display shines on a black screen, so that the defect becomes extremely noticeable in display quality. Would.
In particular, disconnection defects are absolutely unacceptable because they become bright lines.
【０００４】このことについて、Ｃｓ ｏｎ Ｇａｔｅ
と称される構造のＴＦＴ（ＴｈｉｎＦｉｌｍ Ｔｒａｎ
ｓｉｓｔｏｒ）液晶表示装置を例として、図８を参照し
ながら説明する。[0004] Regarding this, Cs on Gate
TFT (ThinFilm Tran)
This will be described with reference to FIG. 8 using a liquid crystal display device as an example.
【０００５】この液晶表示装置において、配線側基板
は、図８（ｅ）に示すように、走査電極１と信号電極４
とが互いに交差するように配置され、両電極１、４の交
差部近傍に絵素を選択するためのＴＦＴ５が設けられて
いる。走査電極１は隣合う絵素の補助容量（以下、Ｃｓ
と称する）８ａを兼ねており、走査電極１、信号電極４
およびＴＦＴ５により絵素電極８が充電される。In this liquid crystal display device, as shown in FIG.
Are arranged so as to intersect with each other, and a TFT 5 for selecting a picture element is provided near the intersection of the electrodes 1 and 4. The scanning electrode 1 is connected to an auxiliary capacitance (hereinafter Cs) of an adjacent picture element.
8a, and the scanning electrode 1 and the signal electrode 4
Then, the pixel electrode 8 is charged by the TFT 5.
【０００６】この液晶表示装置は逆スタガ型ＴＦＴを用
いたものであり、図８（ａ）に示すように、ガラス基板
表面から最下層にＡｌやＴａまたはＴｉ等の低抵抗金属
を用いて走査電極１を形成する。次に、図８（ｂ）に示
すように、全面に酸化シリコン膜や窒化シリコン膜等か
らなる絶縁膜２を成膜し、ＴＦＴ５部分に窒化シリコン
等膜からなるｎ+型およびｉ型の半導体層３を成膜およ
びパターニングする。次に、図８（ｃ）に示すように、
ＡｌやＴａまたはＴｉ等の低抵抗金属を用いて信号電極
４を成膜およびパターニングする。続いて、図８（ｄ）
に示すように、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜等から
なる絶縁膜６を成膜し、後の工程で成膜する絵素電極８
とＴＦＴ５とを接続する部分にコンタクトホール７をエ
ッチングにより形成する。その後、図８（ｅ）に示すよ
うに、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等
からなる絵素電極８の成膜およびパターニングを行う。
このようにして作製された配線側基板と共通電極を設け
た対向側ガラス基板とを貼り合わせて、両基板の間に液
晶が封入される。This liquid crystal display device uses an inverted staggered TFT. As shown in FIG. 8A, scanning is performed by using a low-resistance metal such as Al, Ta or Ti from the glass substrate surface to the lowermost layer. An electrode 1 is formed. Next, as shown in FIG. 8B, an insulating film 2 made of a silicon oxide film, a silicon nitride film or the like is formed on the entire surface, and n + -type and i-type semiconductors made of a silicon nitride film or the like are formed on the TFT 5. Layer 3 is deposited and patterned. Next, as shown in FIG.
The signal electrode 4 is formed and patterned using a low-resistance metal such as Al, Ta, or Ti. Subsequently, FIG.
As shown in FIG. 3, an insulating film 6 made of a silicon oxide film, a silicon nitride film, or the like is formed, and a pixel electrode 8 is formed in a later step.
A contact hole 7 is formed by etching at a portion where the TFT 5 and the TFT 5 are connected. Thereafter, as shown in FIG. 8E, film formation and patterning of the pixel electrodes 8 made of ITO (Indium Tin Oxide) or the like are performed.
The wiring side substrate manufactured in this manner is bonded to the opposing glass substrate provided with the common electrode, and liquid crystal is sealed between the two substrates.
【０００７】この液晶表示装置において、走査電極１に
ＯＮ信号が入力されると、信号電極４からの信号がＴＦ
Ｔ５を介して絵素電極８に充電される。補助容量Ｃｓ８
ａでは、走査電極１の隣の走査電極９と絵素電極８と
が、絶縁膜２と絶縁膜６とを介してコンデンサを形成し
ている。絵素電極８は、液晶を介して対向側ガラス基板
上の共通電極との間にもコンデンサを形成し、電荷を保
持する。この２つのコンデンサにより絵素電極８に充電
された電荷を保持することによって、正常な絵素として
動作する。In this liquid crystal display device, when an ON signal is input to the scanning electrode 1, the signal from the signal electrode 4
The pixel electrode 8 is charged via T5. Auxiliary capacity Cs8
In a, the scanning electrode 9 and the pixel electrode 8 next to the scanning electrode 1 form a capacitor via the insulating film 2 and the insulating film 6. The pixel electrode 8 also forms a capacitor between the pixel electrode 8 and the common electrode on the glass substrate on the opposite side via the liquid crystal, and holds a charge. By holding the charge charged in the pixel electrode 8 by these two capacitors, the pixel operates as a normal pixel.
【０００８】最近では、液晶表示装置のコスト削減のた
めに、製造工程の短縮が重要な課題となっており、特
に、露光工程を少なくする技術が開発されている。上述
した走査電極や信号電極、絵素電極等は、成膜、露光、
エッチングおよび剥離洗浄工程を繰り返すことによって
作製される。実用化されている製造方法では、５回の露
光工程を繰り返す５回マスクプロセスが最も露光工程が
少ないものである。この場合、上述した走査電極、半導
体層、信号電極、絶縁膜および絵素電極の順に露光およ
びエッチングを行う。Recently, shortening the manufacturing process has become an important issue in order to reduce the cost of the liquid crystal display device. In particular, techniques for reducing the number of exposure processes have been developed. The above-mentioned scanning electrode, signal electrode, picture element electrode, etc.
It is produced by repeating etching and peeling cleaning steps. In a manufacturing method that has been put into practical use, a five-time mask process in which five exposure steps are repeated has the least number of exposure steps. In this case, exposure and etching are performed in the order of the above-described scanning electrode, semiconductor layer, signal electrode, insulating film, and picture element electrode.
【０００９】このような製造方法において、配線電極の
成膜時にダストが巻き込まれたり、エッチングの際にレ
ジストマスクにピンホールが生じると、配線電極が切れ
てしまう。例えば図９に示すように、信号電極４が断線
状態１５となり、断線部以降は信号が入力されない状態
となる。この場合、どんな表示状態であっても絵素には
信号が入力されないので、ノーマリーホワイトモードの
液晶表示装置では白が表示され、非常に目立つ欠陥にな
る。このことは、走査電極が断線状態になった場合にも
同様である。In such a manufacturing method, if dust is involved in the formation of the wiring electrode or a pinhole is formed in the resist mask during etching, the wiring electrode is cut off. For example, as shown in FIG. 9, the signal electrode 4 is in a disconnected state 15 and no signal is input after the disconnected portion. In this case, no signal is input to the picture element in any display state, so that a normally white mode liquid crystal display device displays white, which is a very noticeable defect. This is the same when the scanning electrode is disconnected.
【００１０】配線電極の断線欠陥を修正するためには、
例えば特開平３−２３４２５号公報に開示されているよ
うに、予備配線電極を設けて、断線した配線電極と予備
配線電極をＹＡＧレーザ（波長１０６４ｎｍ）等を用い
て接続し、信号を入力する技術が挙げられる。In order to correct a disconnection defect of a wiring electrode,
For example, as disclosed in JP-A-3-23425, a technique of providing a spare wiring electrode, connecting the disconnected wiring electrode and the spare wiring electrode using a YAG laser (wavelength: 1064 nm) or the like, and inputting a signal. Is mentioned.
【００１１】この方法では、図１０に示すように、接続
部１８において信号電極１５から入力側予備配線電極１
６に信号を出力し、パネル外部基板を通して非入力側予
備配線１７までジャンパさせる。非入力側予備配線電極
１７に入力された信号は、接続部１９において信号電極
１５の非入力側から入力され、途中で断線している信号
電極１５の全てに正しい信号が入力される。In this method, as shown in FIG. 10, a signal electrode 15 is connected to an input-side spare wiring electrode 1 at a connection portion 18.
A signal is output to the non-input side auxiliary wiring 17 through the panel external board. The signal input to the non-input side spare wiring electrode 17 is input from the non-input side of the signal electrode 15 at the connection portion 19, and a correct signal is input to all of the signal electrodes 15 that are disconnected in the middle.
【００１２】上記接続部１８および１９の形成工程につ
いて、図１１に示す。図１１（ａ）に示すように、レー
ザ光線２０をガラス基板３０側から照射することによ
り、図１１（ｂ）に示すように、予備配線電極１６が溶
解し、上部の絶縁膜２や配線電極（ここでは信号電極）
１５の一部を吹き飛ばして、予備配線電極１６が配線電
極１５と溶接される。FIG. 11 shows a process of forming the connection portions 18 and 19. As shown in FIG. 11A, by irradiating the laser beam 20 from the glass substrate 30 side, as shown in FIG. 11B, the spare wiring electrode 16 is dissolved, and the upper insulating film 2 and the wiring electrode are removed. (Here the signal electrode)
The spare wiring electrode 16 is welded to the wiring electrode 15 by blowing off a part of the wiring electrode 15.
【００１３】[0013]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た５枚マスクプロセスを用いた製造方法では、液晶表示
装置に必要な構造である走査電極と信号電極との接続部
（例えば検査用信号入力配線と走査電極や信号電極との
接続部）が、絵素電極を形成する最終工程において、高
抵抗なＩＴＯを用いて形成される。このため、以下のよ
うな問題が生じる。However, in the above-described manufacturing method using the five-mask process, a connection portion between a scanning electrode and a signal electrode, which is a structure required for a liquid crystal display device (for example, a signal input wiring for inspection and a connection portion for a signal electrode). A connection portion with a scanning electrode or a signal electrode) is formed using high-resistance ITO in the final step of forming a pixel electrode. Therefore, the following problem occurs.
【００１４】図１２に示すように、検査用信号入力配線
は、走査電極１用の走査電極検査用信号入力配線１０に
よって２系統（偶数番目と奇数番目）に束ねられ、信号
入力パッド１２に集められる。また、信号電極４用のも
のは、信号電極検査用信号入力配線１１によって３系統
（Ｒ、Ｇ、Ｂ）に束ねられ、信号入力パッド１３に集め
られる。これにより、信号入力パッド１２および１３に
信号を入力するだけで、何千本とある全ての配線電極に
信号を入力することができ、検査が可能になる。ここ
で、走査電極用の検査用信号入力配線を２系統に束ね、
信号電極用の検査用信号入力配線を３系統（または２系
統でもよい）に束ねているのは、膜残りによるショート
欠陥を検出するために隣接する電極間で異なる信号を入
力したり、絶縁抵抗を測定することが容易になるからで
ある。全ての検査用信号入力配線を１系統に束ねた場合
には、何千本とある全ての検査用信号入力配線に信号入
力用プローブでコンタクトする必要がある。As shown in FIG. 12, the inspection signal input wirings are bundled into two systems (even and odd numbers) by the scanning electrode inspection signal input wirings 10 for the scanning electrodes 1 and collected on the signal input pads 12. Can be Also, the signal electrodes 4 are bundled into three systems (R, G, B) by the signal electrode inspection signal input wiring 11 and collected on the signal input pads 13. As a result, it is possible to input a signal to all of the thousands of wiring electrodes by inputting a signal to the signal input pads 12 and 13, thereby enabling an inspection. Here, the inspection signal input wiring for the scanning electrode is bundled into two systems,
Inspection signal input wiring for signal electrodes is bundled in three systems (or two systems) because different signals are input between adjacent electrodes to detect a short-circuit defect due to film residue, insulation resistance, etc. Is easy to measure. When all the test signal input wirings are bundled into one system, it is necessary to contact all the thousands of test signal input wirings with a signal input probe.
【００１５】このように束ねられた走査電極検査用信号
入力配線１０と走査電極１、および信号電極検査用信号
入力配線１１と信号電極４は、図１３（ａ）および図１
３（ｂ）に示すように、絶縁膜２、６を挟んで互いに交
差して設けられる。そして、２層の配線電極の交差部
（接続部）１４において絶縁膜２、６にコンタクトホー
ル７が設けられ、絵素電極８と同じＩＴＯからなる接続
電極８ｂによって両配線電極が接続される。しかし、こ
の構造では、配線電極間を高抵抗なＩＴＯによって接続
するために、信号電極が高抵抗になってしまい、信号の
遅延やなまりが発生し、信頼性の高い検査を行うことが
できない。The scanning electrode signal input wiring 10 and the scanning electrode 1 and the signal electrode inspection signal input wiring 11 and the signal electrode 4 thus bundled are shown in FIG.
As shown in FIG. 3B, they are provided crossing each other with the insulating films 2 and 6 interposed therebetween. Then, contact holes 7 are provided in the insulating films 2 and 6 at the intersections (connections) 14 of the two-layered wiring electrodes, and both wiring electrodes are connected by the connection electrodes 8 b made of the same ITO as the picture element electrodes 8. However, in this structure, since the wiring electrodes are connected to each other by the high-resistance ITO, the signal electrodes have a high resistance, which causes signal delay or dulling, so that a highly reliable test cannot be performed.
【００１６】次に、上述した配線電極の断線結果を修正
する方法には、以下のような問題がある。この方法で
は、基板の裏面側（配線電極や絶縁膜等が設けられた表
面とは反対側の面）からレーザ光等を照射しないと、良
好な接続ができない。図１４（ａ）に示すように、配線
電極１５、１６や絶縁膜２が形成されたガラス基板３０
の表面側からレーザ光２０を照射すると、図１４（ｂ）
に示すように、上層の配線電極１５の方が大きく溶解し
てしまうため、下層の配線電極１６が溶解してきても両
者が溶接されない。Next, the above-mentioned method of correcting the result of disconnection of the wiring electrode has the following problems. In this method, good connection cannot be achieved unless laser light or the like is irradiated from the back surface of the substrate (the surface opposite to the surface on which the wiring electrodes and the insulating film are provided). As shown in FIG. 14A, the glass substrate 30 on which the wiring electrodes 15, 16 and the insulating film 2 are formed
When the laser beam 20 is irradiated from the surface side of FIG.
As shown in (2), since the upper wiring electrode 15 is more dissolved, the lower wiring electrode 16 is not welded even if the lower wiring electrode 16 is dissolved.
【００１７】しかしながら、ガラス基板の裏面側からレ
ーザ光を照射しようとした場合、ガラス基板を一度裏返
しにする必要があり、基板状態では膜面の汚染や破損が
問題になるため、非常に困難である。However, when irradiating the laser beam from the back side of the glass substrate, it is necessary to turn the glass substrate upside down, and in the substrate state, there is a problem of contamination and breakage of the film surface, which is very difficult. is there.
【００１８】これに対して、配線側ガラス基板とカラー
フィルタ側ガラス基板（または共通電極側ガラス基板）
とを貼り合わせた後の液晶パネル状態でレーザ修正を行
った場合には、このような問題は生じない。しかし、こ
の場合には、封入した液晶内に配線電極や絶縁膜の破片
が散乱し、これらが不純物となって表示不良の原因にな
るため、できる限り基板状態で修正を行うことが好まし
い。基板状態でレーザ修正を行った場合には、修正後に
洗浄によって破片を除去することができるからである。On the other hand, the wiring side glass substrate and the color filter side glass substrate (or the common electrode side glass substrate)
Such a problem does not occur when laser correction is performed in the state of the liquid crystal panel after lamination. However, in this case, pieces of the wiring electrode and the insulating film are scattered in the enclosed liquid crystal, and these become impurities to cause display failure. Therefore, it is preferable that the correction be performed in the substrate state as much as possible. This is because when laser correction is performed in a substrate state, debris can be removed by cleaning after the correction.
【００１９】本発明は、このような従来技術の課題を解
決すべくなされたものであり、高い信頼性で容易に配線
電極の検査や配線電極の断線欠陥の修正を行うことがで
き、短縮プロセスを用いた場合でも高品質の液晶表示装
置を得ることができる配線電極の接続方法、液晶表示装
置用基板の製造方法と液晶表示装置用基板の欠陥修正方
法、および液晶表示装置の製造方法、並びにそれに用い
る加工装置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the problems of the prior art, and can easily inspect a wiring electrode and correct a disconnection defect of the wiring electrode with high reliability. Method of connecting wiring electrodes capable of obtaining a high quality liquid crystal display device even when using, method of manufacturing liquid crystal display device substrate, method of correcting defect of liquid crystal display device substrate, method of manufacturing liquid crystal display device, and An object of the present invention is to provide a processing device used for the processing.
【００２０】[0020]
【課題を解決するための手段】本発明の配線電極の接続
方法は、絶縁膜を挟んで互いに交差する２層の配線電極
を接続する方法であって、荷電ビームを用いて一方の配
線電極に電荷を供給し、両配線電極の交差部で該絶縁膜
を静電破壊させることにより、両配線電極を電気的に接
続し、そのことにより上記目的が達成される。A method of connecting a wiring electrode according to the present invention is a method of connecting two layers of wiring electrodes that intersect each other with an insulating film interposed therebetween. By supplying a charge and causing the insulating film to electrostatically break at the intersection of the two wiring electrodes, the two wiring electrodes are electrically connected, thereby achieving the above object.
【００２１】前記荷電ビームとして電子ビームを用いる
ことができる。An electron beam can be used as the charged beam.
【００２２】前記電荷が供給される配線電極と接続対象
ではない配線電極との交差部では、該電荷が供給される
配線電極と接続対象である配線電極との交差部に比べて
前記絶縁膜の膜厚を厚くしてあるか、または該絶縁膜に
半導体層を積層してあるのが好ましい。At the intersection of the wiring electrode to which the electric charge is supplied and the wiring electrode not to be connected, the insulating film is compared with the intersection of the wiring electrode to which the electric charge is supplied and the wiring electrode to be connected. It is preferable that the thickness be large or a semiconductor layer be laminated on the insulating film.
【００２３】前記電荷が供給される配線電極と接続され
る配線電極に対して、前記荷電ビームとは逆位相の電圧
を印加するのが好ましい。Preferably, a voltage having a phase opposite to that of the charged beam is applied to a wiring electrode connected to the wiring electrode to which the electric charge is supplied.
【００２４】本発明の液晶表示装置用基板の製造方法
は、絵素を充電するための複数の配線電極を有する液晶
表示装置用基板を製造する方法において、基板の検査用
端子形成部に、絶縁膜を挟んで検査対象である配線電極
と交差するように検査用配線電極を設けて、請求項１乃
至請求項４のいずれかに記載の配線電極の接続方法を用
いて該検査用配線電極と該配線電極とを電気的に接続す
る工程を含み、そのことにより上記目的が達成される。The method of manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to the present invention is a method of manufacturing a substrate for a liquid crystal display device having a plurality of wiring electrodes for charging picture elements. An inspection wiring electrode is provided so as to intersect a wiring electrode to be inspected with the film interposed therebetween, and the inspection wiring electrode is connected to the inspection wiring electrode by using the wiring electrode connection method according to any one of claims 1 to 4. The method includes a step of electrically connecting the wiring electrode, whereby the above object is achieved.
【００２５】本発明の液晶表示装置用基板の修正方法
は、絵素を充電するための複数の配線電極を有する液晶
表示装置用基板の断線欠陥を修正する方法において、基
板の周辺部に、絶縁膜を挟んで配線電極と交差するよう
に予備配線電極を設けて、請求項１乃至請求項４のいず
れかに記載の配線電極の接続方法を用いて該予備配線電
極と断線した配線電極とを電気的に接続することによ
り、該配線電極の断線欠陥を修正し、そのことにより上
記目的が達成される。The method for repairing a substrate for a liquid crystal display device according to the present invention is a method for repairing a disconnection defect of a substrate for a liquid crystal display device having a plurality of wiring electrodes for charging picture elements. A spare wiring electrode is provided so as to intersect the wiring electrode with the film interposed therebetween, and the spare wiring electrode and the disconnected wiring electrode are connected using the wiring electrode connection method according to any one of claims 1 to 4. The electrical connection corrects a disconnection defect of the wiring electrode, thereby achieving the above object.
【００２６】本発明の液晶表示装置の製造方法は、本発
明の液晶表示装置用基板の製造方法により作製した配線
側基板、または本発明の液晶表示装置用基板の修正方法
により断線欠陥を修正した配線側基板と対向側基板とを
貼り合わせて、両基板の間に液晶を封入する工程を含
み、そのことにより上記目的が達成される。In the method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, a disconnection defect is corrected by the wiring side substrate manufactured by the method of manufacturing a liquid crystal display device substrate of the present invention or the liquid crystal display device substrate correcting method of the present invention. The method includes a step of bonding the wiring-side substrate and the opposing-side substrate and sealing liquid crystal between the two substrates, thereby achieving the above object.
【００２７】本発明の加工装置は、本発明の配線電極の
接続方法、本発明の液晶表示装置用基板の製造方法また
は本発明の液晶表示装置用基板の修正方法に用いられる
加工装置であって、被加工基板に対して、前記配線電極
および前記絶縁膜が設けられた表面側から前記荷電ビー
ムを照射し、そのことにより上記目的が達成される。The processing apparatus of the present invention is a processing apparatus used in the method of connecting a wiring electrode of the present invention, the method of manufacturing a substrate for a liquid crystal display device of the present invention, or the method of repairing a substrate for a liquid crystal display device of the present invention. By irradiating the substrate to be processed with the charged beam from the surface on which the wiring electrodes and the insulating film are provided, the above object is achieved.
【００２８】以下、本発明の作用について説明する。Hereinafter, the operation of the present invention will be described.
【００２９】本発明にあっては、絶縁膜を挟んで互いに
交差する２層の配線電極の一方に荷電ビームにより電荷
を供給し、両配線電極を電気的に接続する。この静電破
壊のメカニズムは、以下の通りである。絶縁膜を挟んで
互いに交差する２層の配線電極の一方に電荷を供給する
と、２本の配線電極間に電位差が発生する。このとき、
絶縁膜に電気的な弱点部や導電性異物等を有する欠陥部
があると、その部分で瞬時に放電が発生し、短絡電流が
流れる。この短絡電流による発熱で、周囲の膜が溶解ま
たは消滅し、２本の配線電極が低抵抗で接続される。According to the present invention, a charge is supplied to one of two layers of wiring electrodes that intersect each other with an insulating film interposed therebetween by a charged beam, and the two wiring electrodes are electrically connected. The mechanism of this electrostatic breakdown is as follows. When a charge is supplied to one of two layers of wiring electrodes that intersect each other with an insulating film interposed therebetween, a potential difference is generated between the two wiring electrodes. At this time,
If there is a defective portion having an electric weak point or a conductive foreign substance in the insulating film, a discharge is instantaneously generated at the defective portion and a short-circuit current flows. The heat generated by this short-circuit current causes the surrounding film to melt or disappear, and the two wiring electrodes are connected with low resistance.
【００３０】このように荷電ビームを用いることで、基
板に対して非接触で電位差を発生させることができる。
一方、基板にプローバ等で接触した場合には、ダストや
キズの発生原因になるために、液晶表示装置の製造上、
好ましくない。By using the charged beam in this manner, a potential difference can be generated in a non-contact manner with respect to the substrate.
On the other hand, if it comes into contact with the substrate with a prober or the like, it may cause dust and scratches.
Not preferred.
【００３１】上述したように、静電破壊は、絶縁膜の電
気的な弱点部や欠陥部に生じ易い。そこで、電荷が供給
される配線電極と接続対象ではない配線電極との交差部
では、絶縁膜を厚くしたり、半導体層をパターニングす
ることにより、絶縁膜の静電破壊を発生しにくくさせ
て、選択性を持たせることができる。As described above, the electrostatic breakdown easily occurs at the weak point or the defect of the insulating film. Therefore, at the intersection of the wiring electrode to which the electric charge is supplied and the wiring electrode that is not the connection target, the insulating film is made thicker or the semiconductor layer is patterned to make it difficult for electrostatic breakdown of the insulating film to occur. Selectivity can be provided.
【００３２】または、電荷が供給される配線電極と接続
される配線電極に対して荷電ビームとは逆位相の電圧を
印加し、両配線電極間の電圧差を大きくすることによ
り、絶縁膜の静電破壊を発生し易くさせて、選択性を持
たせることができる。Alternatively, a voltage having a phase opposite to that of the charged beam is applied to a wiring electrode connected to a wiring electrode to which electric charges are supplied, and a voltage difference between the two wiring electrodes is increased, so that static electricity of the insulating film is reduced. Electrodestruction can easily occur and selectivity can be provided.
【００３３】本発明の液晶表示装置用基板の製造方法に
あっては、ＩＴＯ等の高抵抗な接続電極を用いずに検査
用配線電極（検査用信号入力配線）と配線電極とを接続
することができるので、信号遅延やなまりが生じず、信
頼性の高い検査を行うことができる。走査電極に対して
偶数番目のものおよび奇数番目のもの毎に信号を入力
し、信号電極に対して偶数番目のものおよび奇数番目の
もの毎に信号を入力したり、ＲＧＢ毎に信号を入力する
ことにより、隣接する配線電極のショート欠陥等を検出
することができる。In the method of manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to the present invention, the inspection wiring electrode (inspection signal input wiring) and the wiring electrode are connected without using a high-resistance connection electrode such as ITO. Therefore, signal delay and dulling do not occur, and a highly reliable inspection can be performed. A signal is input to the scan electrode for each of the even-numbered and odd-numbered elements, and a signal is input to the signal electrode for each of the even-numbered and odd-numbered elements, or a signal is input for each of the RGB. This makes it possible to detect a short-circuit defect or the like of an adjacent wiring electrode.
【００３４】本発明の液晶表示装置用基板の修正方法に
あっては、レーザを用いずに予備配線電極と断線電極と
を接続して、断線欠陥の修正を容易に行うことができ
る。In the method of repairing a substrate for a liquid crystal display device according to the present invention, a repair of a disconnection defect can be easily performed by connecting a spare wiring electrode and a disconnection electrode without using a laser.
【００３５】本発明の液晶表示装置の製造方法にあって
は、信頼性の高い検査や修正を行った配線側基板を用い
て、高品質の液晶表示装置を作製することができる。ま
た、断線欠陥の修正を基板状態で行うので、配線側基板
と対向側基板とを貼り合わせる前に、破片等を洗浄によ
り除去して表示不良を防ぐことができる。In the method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, a high quality liquid crystal display device can be manufactured by using a wiring side substrate which has been subjected to highly reliable inspection and repair. Further, since the disconnection defect is corrected in the substrate state, before bonding the wiring-side substrate and the opposing-side substrate, debris and the like can be removed by washing to prevent display defects.
【００３６】本発明の加工装置にあっては、被加工基板
に対して、配線電極および絶縁膜が設けられた表面側か
ら荷電ビームを照射するので、ガラス基板を裏返す必要
が無く、膜面の汚染や破損の問題が生じない。In the processing apparatus of the present invention, the substrate to be processed is irradiated with the charged beam from the surface side on which the wiring electrodes and the insulating film are provided. No contamination or breakage problems.
【００３７】[0037]
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて、図面を参照しながら説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００３８】（実施形態１）本実施形態では、信号電極
と信号電極検査用信号入力配線と、または走査電極と走
査電極検査用信号入力配線とを電気的に接続して検査を
行う。(Embodiment 1) In the present embodiment, inspection is performed by electrically connecting signal electrodes and signal input wirings for signal electrode inspection, or scanning electrodes and signal input wirings for scanning electrode inspection.
【００３９】図１は実施形態１の液晶表示装置における
配線側基板の構成を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of the wiring-side substrate in the liquid crystal display device according to the first embodiment.
【００４０】この配線側基板は、走査電極１と信号電極
４とが互いに交差するように配置されている。両電極
１、４の交差部近傍には絵素を選択するためのＴＦＴ５
が設けられ、走査電極１、信号電極４およびＴＦＴ５に
より絵素電極８が充電される。基板左寄りの検査用端子
形成部には、走査電極１と交差するように走査電極検査
用信号入力配線１０が２本設けられ、基板下部の検査用
端子形成部には、信号電極４と交差するように信号電極
検査用信号入力配線１１が３本設けられている。走査電
極１は、偶数本毎および奇数本毎に走査電極検査用信号
入力配線１０に接続され、各々信号入力パッド（偶また
は奇）１２に接続されている。信号電極４は、ＲＧＢ毎
に信号電極検査用信号入力配線１１に接続され、各々信
号入力パッド（Ｒ、ＧまたはＢ）１３に接続されてい
る。The wiring side substrate is arranged such that the scanning electrode 1 and the signal electrode 4 cross each other. In the vicinity of the intersection of the two electrodes 1 and 4, a TFT 5 for selecting a picture element is provided.
Is provided, and the pixel electrode 8 is charged by the scanning electrode 1, the signal electrode 4, and the TFT 5. Two scan electrode inspection signal input wirings 10 are provided so as to intersect with the scan electrodes 1 in the inspection terminal formation portion on the left side of the substrate, and intersect with the signal electrodes 4 in the inspection terminal formation portion below the substrate. As described above, three signal input lines 11 for signal electrode inspection are provided. The scanning electrodes 1 are connected to the scanning electrode inspection signal input wiring 10 every even number and every odd number, and are connected to signal input pads (even or odd) 12, respectively. The signal electrode 4 is connected to a signal electrode inspection signal input wiring 11 for each of RGB and is connected to a signal input pad (R, G or B) 13.
【００４１】この液晶表示装置は、逆スタガ型ＴＦＴを
用いたものであり、例えば以下のようにして作製するこ
とができる。This liquid crystal display device uses an inverted staggered TFT, and can be manufactured, for example, as follows.
【００４２】図２（ａ）に示すように、ガラス基板３０
表面から最下層にＡｌやＴａまたはＴｉ等の低抵抗金属
を用いて、走査電極と信号電極検査用信号入力配線１１
を形成する。次に、全面に酸化シリコン膜や窒化シリコ
ン膜等からなる絶縁膜２を成膜し、ＴＦＴ５部分に窒化
シリコン等膜からなるｎ+型およびｉ型の半導体層３を
成膜およびパターニングする。次に、ＡｌやＴａまたは
Ｔｉ等の低抵抗金属を用いて信号電極４と走査電極検査
用信号入力配線１０を成膜およびパターニングする。続
いて、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜等からなる絶縁
膜６を成膜し、後の工程で成膜する絵素電極８とＴＦＴ
５とを接続する部分、走査電極１と信号電極４の検査用
端子部とは反対側の端部にコンタクトホール７をエッチ
ングにより形成する。その後、ＩＴＯ等を用いて絵素電
極８および荷電ビーム照射部となる導電膜８ｃの成膜お
よびパターニングを行う。As shown in FIG. 2A, the glass substrate 30
Using a low-resistance metal such as Al, Ta or Ti in the lowermost layer from the surface, the scanning electrode and the signal electrode inspection signal input wiring 11 are used.
To form Next, an insulating film 2 made of a silicon oxide film, a silicon nitride film or the like is formed on the entire surface, and n + -type and i-type semiconductor layers 3 made of a film such as a silicon nitride film are formed and patterned on the TFT 5. Next, the signal electrode 4 and the scanning electrode inspection signal input wiring 10 are formed and patterned using a low resistance metal such as Al, Ta or Ti. Subsequently, an insulating film 6 made of a silicon oxide film, a silicon nitride film, or the like is formed, and a pixel electrode 8 and a TFT formed in a later step are formed.
The contact hole 7 is formed by etching at a portion connecting the scan electrode 5 and the end of the scan electrode 1 and the signal electrode 4 opposite to the inspection terminal. Thereafter, film formation and patterning of the pixel electrode 8 and the conductive film 8c to be a charged beam irradiation unit are performed using ITO or the like.
【００４３】このようにして配線電極や絶縁膜のパター
ニングが終了した配線側基板において、信号電極４と同
時に作製された走査電極検査用信号入力配線１０と走査
電極１との接続、および走査電極１と同時に作製された
信号電極検査用信号入力配線１１と信号電極４との接続
は、以下のようにして行うことができる。In the wiring-side substrate on which the wiring electrodes and the insulating film have been patterned as described above, the connection between the scanning electrode 1 and the scanning electrode inspection signal input wiring 10 formed simultaneously with the signal electrode 4, and the scanning electrode 1 At the same time, the connection between the signal electrode inspection signal input wiring 11 and the signal electrode 4 that are manufactured can be performed as follows.
【００４４】まず、図３に示すような加工装置の真空チ
ャンバ４１内に、上記工程が終了した配線側基板４２を
可動ステージ４３上に設置する。この真空チャンバ４１
内には可動ステージ４３と電子ビーム源４４（例えば電
子ビーム源としては電子銃）が設置されており、基板４
３は、荷電ビーム源４４によってスキャンされる。この
とき、真空ポンプ４０によって真空チャンバ４１内を随
時真空に引き続けることによって、真空度が１０-3Ｐａ
〜１０-5Ｐａにされている。連続して加工を行う場合に
は、真空チャンバ４１外にロードロック室を設けてもよ
い。ロードロック室で次に加工される基板を低真空まで
引いておけば、基板の交換毎に真空チャンバを大気解放
する必要が無いため、真空引きを素早く行うことができ
る。First, in the vacuum chamber 41 of the processing apparatus as shown in FIG. This vacuum chamber 41
A movable stage 43 and an electron beam source 44 (for example, an electron gun as an electron beam source) are installed therein.
3 is scanned by a charged beam source 44. At this time, the vacuum degree is kept at 10 −3 Pa by continuing to evacuate the inside of the vacuum chamber 41 as needed by the vacuum pump 40.
It is set to -10 -5 Pa. When processing is performed continuously, a load lock chamber may be provided outside the vacuum chamber 41. If the substrate to be processed next is pulled to a low vacuum in the load lock chamber, it is not necessary to open the vacuum chamber to the atmosphere every time the substrate is replaced, so that the vacuum can be quickly drawn.
【００４５】電子銃から照射された荷電ビーム（ここで
は電子ビーム）２１が、図２（ａ）に示すように、基板
上の信号電極４の端部上に設けた導電膜８ｃに当たる
と、信号電極４は電子が供給された状態となり、負の電
位が高くなる。この状態を継続すると、信号電極４と信
号電極検査用信号入力配線１１とが交差する部分で絶縁
膜２の静電破壊が生じ、図２（ｂ）に示すように、両配
線電極が低抵抗で接続される。なお、この図２（ｂ）に
おいて、１１ａは信号電極検査用信号入力配線１１の残
りの部分である。As shown in FIG. 2A, when a charged beam (here, an electron beam) 21 irradiated from the electron gun strikes a conductive film 8c provided on an end of the signal electrode 4 on the substrate, a signal is generated. The electrode 4 is in a state where electrons are supplied, and the negative potential increases. When this state is continued, electrostatic breakdown of the insulating film 2 occurs at the intersection of the signal electrode 4 and the signal electrode inspection signal input wiring 11, and as shown in FIG. Connected by In FIG. 2B, reference numeral 11a denotes a remaining portion of the signal input wiring 11 for signal electrode inspection.
【００４６】走査電極１と走査電極検査用信号入力配線
１０とを接続する場合も同様に、走査電極１の端部上に
設けた導電膜８ｃに電子ビーム２１を当てることによっ
て、絶縁膜２を両配線電極の交差部で静電破壊させて、
低抵抗で接続することができる。Similarly, when the scanning electrode 1 is connected to the scanning electrode inspection signal input wiring 10, the insulating film 2 is formed by applying the electron beam 21 to the conductive film 8 c provided on the end of the scanning electrode 1. Electrostatic breakdown at the intersection of both wiring electrodes
It can be connected with low resistance.
【００４７】その後、信号入力パッド１２および１３に
信号を入力する。これにより、走査電極に対して偶数番
目のものおよび奇数番目のもの毎に信号を入力し、信号
電極に対してＲＧＢ毎に信号を入力して、膜残りによる
ショート欠陥を検査したり、絶縁抵抗を測定することが
できる。Thereafter, a signal is input to the signal input pads 12 and 13. Thus, a signal is input to the scan electrodes for each of the even-numbered and odd-numbered electrodes, and a signal is input to the signal electrodes for each of the RGB to inspect for short-circuit defects due to film residue, Can be measured.
【００４８】このようにして作製された配線側基板を洗
浄して破片を除去し、対向基板とを貼り合わせ、両基板
の間に液晶を注入することにより液晶表示装置を作製す
ることができる。なお、検査用信号入力配線１０、１１
や信号入力パッド１２、１３は検査終了後、基板から切
断しておく。The wiring side substrate thus manufactured is washed to remove debris, bonded to an opposing substrate, and liquid crystal is injected between the two substrates, whereby a liquid crystal display device can be manufactured. The inspection signal input wirings 10 and 11
And the signal input pads 12 and 13 are cut off from the substrate after the inspection.
【００４９】ところで、図１に示したように、信号電極
４は、信号電極検査用信号入力配線１１と交差する以外
に、多数の走査電極１とも交差している。このため、信
号電極４と信号電極検査用信号入力配線１１とを選択的
に接続することができれば、非常に有効である。また、
走査電極１と走査電極検査用信号入力配線１０とを接続
する場合についても同様である。そこで、以下の実施形
態２および実施形態３では、接続対象である配線電極に
選択性を持たせる方法について説明する。As shown in FIG. 1, the signal electrode 4 also intersects a large number of scanning electrodes 1 in addition to intersecting with the signal electrode inspection signal input wiring 11. Therefore, it is very effective if the signal electrode 4 and the signal electrode inspection signal input wiring 11 can be selectively connected. Also,
The same applies to the case where the scanning electrode 1 and the scanning electrode inspection signal input wiring 10 are connected. Therefore, in the following Embodiments 2 and 3, a method for giving selectivity to a wiring electrode to be connected will be described.
【００５０】（実施形態２）図４は実施形態２における
配線電極の接続方法を説明するための断面図である。(Embodiment 2) FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining a method of connecting wiring electrodes in Embodiment 2.
【００５１】ここでは、信号電極４と接続したくない走
査電極１との交差部に、予め半導体によるパターン３ａ
を設けて、絶縁性を高くしている。これにより、信号電
極４の端部上に設けた導電膜８ｃに電子ビームを当てた
ときに、信号電極検査用信号入力配線１１との交差部で
静電破壊が起こり易くなり、信号電極４と信号電極検査
用信号入力配線１１とが選択的に接続される。この半導
体パターン３ａは、絵素部のＴＦＴを構成する半導体層
３を作製する際に同時にパターニングすることができる
ので、工程が増加することはない。Here, a pattern 3a made of a semiconductor is previously formed at the intersection of the signal electrode 4 and the scanning electrode 1 which is not desired to be connected.
Is provided to enhance the insulation. Accordingly, when an electron beam is applied to the conductive film 8c provided on the end of the signal electrode 4, electrostatic breakdown is likely to occur at the intersection with the signal electrode inspection signal input wiring 11, and the signal electrode 4 The signal electrode inspection signal input wiring 11 is selectively connected. Since the semiconductor pattern 3a can be simultaneously patterned when the semiconductor layer 3 constituting the TFT of the picture element portion is manufactured, the number of steps does not increase.
【００５２】走査電極１と走査電極検査用信号入力配線
１０とを接続する場合も同様に、走査電極１と接続した
くない信号電極４との交差部に、予め半導体によるパタ
ーン３ａを設けて、走査電極１の端部上に設けた導電膜
８ｃに電子ビーム２１を当てることによって、走査電極
１と走査電極検査用信号入力配線１０とを選択的に接続
することができる。Similarly, when the scan electrode 1 is connected to the scan electrode inspection signal input wiring 10, a semiconductor pattern 3a is provided in advance at the intersection of the scan electrode 1 and the signal electrode 4 which is not desired to be connected. By applying the electron beam 21 to the conductive film 8c provided on the end of the scanning electrode 1, the scanning electrode 1 and the scanning electrode inspection signal input wiring 10 can be selectively connected.
【００５３】なお、上述した信号電極４と接続したくな
い走査電極１との交差部、および走査電極１と接続した
くない信号電極４との交差部に、半導体によるパターン
３ａを設ける代わりに、その部分の絶縁膜を厚くしても
よい。It should be noted that instead of providing the above-mentioned pattern 3a made of a semiconductor at the intersection with the scanning electrode 1 not to be connected to the signal electrode 4 and at the intersection with the signal electrode 4 not to be connected to the scanning electrode 1, The insulating film at that portion may be thickened.
【００５４】（実施形態３）図５は実施形態３における
配線電極の接続方法を説明するための断面図である。(Embodiment 3) FIG. 5 is a cross-sectional view for explaining a method of connecting wiring electrodes in Embodiment 3.
【００５５】ここでは、信号電極４と接続したい信号電
極検査用信号入力配線１１に、荷電ビーム２１と逆位相
の電圧を印加して、信号電極４と交差している他の配線
電極（ここでは走査電極１）に比べて、信号電極４に対
する電位差を大きくしている。これにより、信号電極４
の端部上に設けた導電膜８ｃに電子ビームを当てたとき
に、信号電極検査用信号入力配線１１との交差部で静電
破壊が起こり易くなり、信号電極４と信号電極検査用信
号入力配線１１とが選択的に接続される。例えば電子ビ
ームを照射する場合には、信号電極検査用信号入力配線
１１に正電位の電圧を印加する。このときの電位は、絵
素のＴＦＴ５に負担にならない程度の電位が好ましく、
１０Ｖ〜５０Ｖ程度で静電破壊に十分な選択性を与える
ことができる。さらに、この場合には、両配線電極が接
続されるまでの荷電ビーム照射時間が短縮される。In this case, a voltage having a phase opposite to that of the charged beam 21 is applied to the signal electrode inspection signal input wiring 11 to be connected to the signal electrode 4, and another wiring electrode intersecting with the signal electrode 4 (here, a wiring electrode) is applied. The potential difference with respect to the signal electrode 4 is larger than that of the scanning electrode 1). Thereby, the signal electrode 4
When an electron beam is applied to the conductive film 8c provided on the end of the substrate, electrostatic breakdown easily occurs at the intersection with the signal electrode inspection signal input wiring 11, and the signal electrode 4 and the signal electrode inspection signal input The wiring 11 is selectively connected. For example, when irradiating an electron beam, a positive potential voltage is applied to the signal electrode inspection signal input wiring 11. The potential at this time is preferably a potential that does not impose a burden on the TFT 5 of the pixel.
About 10 V to 50 V can provide sufficient selectivity for electrostatic breakdown. Further, in this case, the charged beam irradiation time until both wiring electrodes are connected is reduced.
【００５６】走査電極１と走査電極検査用信号入力配線
１０とを接続する場合も同様に、走査電極１と接続した
い走査電極検査用信号入力配線１０に、荷電ビーム２１
と逆位相の電圧を印加して、走査電極１の端部上に設け
た導電膜８ｃに電子ビーム２１を当てることによって、
走査電極１と走査電極検査用信号入力配線１０とを選択
的に接続することができる。Similarly, when the scanning electrode 1 is connected to the scanning electrode inspection signal input wiring 10, the charged beam 21 is applied to the scanning electrode inspection signal input wiring 10 to be connected to the scanning electrode 1.
By applying an electron beam 21 to the conductive film 8 c provided on the end of the scanning electrode 1 by applying a voltage having a phase opposite to that of the scanning electrode 1.
The scanning electrode 1 and the scanning electrode inspection signal input wiring 10 can be selectively connected.
【００５７】（実施形態４）本実施形態では、断線した
信号電極と予備配線電極と、または断線した走査電極と
予備配線電極とを電気的に接続して断線欠陥の修正を行
う。(Embodiment 4) In this embodiment, the disconnection defect is corrected by electrically connecting the disconnected signal electrode and the spare wiring electrode, or the disconnected scanning electrode and the spare wiring electrode.
【００５８】図６は実施形態４の液晶表示装置における
配線側基板の構成を示す回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram showing the configuration of the wiring side substrate in the liquid crystal display device of the fourth embodiment.
【００５９】この配線側基板は、走査電極１と信号電極
４とが互いに交差するように配置されている。両電極
１、４の交差部近傍には絵素を選択するためのＴＦＴ５
が設けられ、走査電極１、信号電極４およびＴＦＴ５に
より絵素電極８が充電される。基板上下の周辺部には、
信号電極４と交差するように予備配線電極１６および１
７が設けられている。The wiring side substrate is arranged such that the scanning electrodes 1 and the signal electrodes 4 cross each other. In the vicinity of the intersection of the two electrodes 1 and 4, a TFT 5 for selecting a picture element is provided.
Is provided, and the pixel electrode 8 is charged by the scanning electrode 1, the signal electrode 4, and the TFT 5. In the peripheral area above and below the board,
Spare wiring electrodes 16 and 1 intersect with signal electrode 4
7 are provided.
【００６０】この配線側基板において、信号電極１５が
途中で断線している場合、断線部分（図６中、×で示す
部分）よりも先には信号が入力されない。そこで、以下
に示すように、予備配線電極１６および１７を利用して
断線部以降にも信号を入力する。In the wiring-side substrate, when the signal electrode 15 is disconnected in the middle, no signal is input before the disconnected portion (the portion indicated by x in FIG. 6). Therefore, as shown below, a signal is input also to the portion after the disconnection using the spare wiring electrodes 16 and 17.
【００６１】図６に示した接続部１８において、信号電
極１５から入力側の予備配線電極１６に信号を出力し、
パネル外部基板を通して非入力側の予備配線電極１７ま
でジャンパさせる。そして、非入力側の予備配線電極１
７に入力した信号を、接続部１９で信号電極１５の非入
力側から入力させる。これにより、途中で断線した信号
電極１５の全てに正しい信号が入力される。At the connection portion 18 shown in FIG. 6, a signal is output from the signal electrode 15 to the spare wiring electrode 16 on the input side.
The non-input side spare wiring electrode 17 is jumpered through the panel external substrate. Then, the spare wiring electrode 1 on the non-input side
The signal input to 7 is input from the non-input side of the signal electrode 15 at the connection portion 19. Thereby, a correct signal is input to all of the signal electrodes 15 that have been disconnected in the middle.
【００６２】この予備配線電極１６と断線した信号電極
１５との接続、および予備配線電極１７と断線した信号
電極１５との接続は、以下のようにして行うことができ
る。The connection between the spare wiring electrode 16 and the disconnected signal electrode 15 and the connection between the spare wiring electrode 17 and the disconnected signal electrode 15 can be performed as follows.
【００６３】まず、加工装置の真空チャンバ内に、上記
工程が終了した配線側基板を可動ステージ上に設置す
る。この真空チャンバ内には可動ステージと電子ビーム
源となる電子銃が設置されており、真空度は１０-3Ｐａ
〜１０-5Ｐａにしておく。First, the wiring-side substrate having undergone the above-described steps is placed on a movable stage in a vacuum chamber of a processing apparatus. A movable stage and an electron gun as an electron beam source are installed in this vacuum chamber, and the degree of vacuum is 10 −3 Pa.
〜１０10 -5 Pa.
【００６４】電子銃から照射された荷電ビーム（ここで
は電子ビーム）２１が、図７（ａ）に示すように、信号
電極１５の断線部に当たると、信号電極１５は電子が供
給された状態となり、負の電位が高くなる。この状態を
継続すると、信号電極１５と予備配線電極１６とが交差
する部分１８、および信号電極１５と予備配線電極１７
とが交差する部分１９で絶縁膜２の静電破壊が生じ、図
７（ｂ）に示すように、両配線電極が低抵抗で接続され
る。As shown in FIG. 7A, when a charged beam (here, an electron beam) 21 emitted from the electron gun strikes a broken portion of the signal electrode 15, the signal electrode 15 is in a state where electrons are supplied. , The negative potential increases. When this state is continued, the portion 18 where the signal electrode 15 and the spare wiring electrode 16 intersect, and the signal electrode 15 and the spare wiring electrode 17
7 intersects with each other, electrostatic breakdown of the insulating film 2 occurs, and as shown in FIG. 7B, both wiring electrodes are connected with low resistance.
【００６５】走査電極に断線が生じた場合には、以下の
２つの方法で断線欠陥を修正することができる。第１の
方法は、絶縁膜を成膜する前に、走査電極が表面に出て
いる状態で検査を行って、上述したように荷電ビームを
照射する方法である。第２の方法は、絶縁膜に光エネル
ギー（例えば紫外線レーザ等）を照射して絶縁膜を除去
し、走査電極を表面に出してから荷電ビームを照射する
方法である。When a disconnection occurs in the scanning electrode, the disconnection defect can be corrected by the following two methods. The first method is a method in which an inspection is performed in a state where the scanning electrode is exposed on the surface before the insulating film is formed, and the charged beam is irradiated as described above. The second method is a method of irradiating the insulating film with light energy (for example, ultraviolet laser or the like) to remove the insulating film, exposing a scanning electrode to the surface, and then irradiating a charged beam.
【００６６】なお、図６に示したように、信号電極１５
は、予備配線電極１６および１７と交差する以外に、多
数の走査電極１とも交差している。このため、実施形態
２と同様に、接続対象ではない配線電極との交差部に半
導体層をパターン形成したり、実施形態３と同様に、接
続したい配線電極に荷電ビームと逆位相の電圧を印加し
て、選択性を与えることもできる。走査電極に断線が生
じた場合についても同様である。Note that, as shown in FIG.
Crosses the spare wiring electrodes 16 and 17 and also crosses a large number of scanning electrodes 1. Therefore, as in the second embodiment, a semiconductor layer is formed in a pattern at an intersection with a wiring electrode that is not a connection target, and a voltage having the opposite phase to the charged beam is applied to the wiring electrode to be connected, as in the third embodiment. To give selectivity. The same applies to the case where a disconnection occurs in the scanning electrode.
【００６７】このようにして作製された配線側基板を洗
浄して破片を除去し、対向基板とを貼り合わせ、両基板
の間に液晶を注入することにより液晶表示装置を作製す
ることができる。The wiring side substrate thus manufactured is washed to remove debris, bonded to an opposing substrate, and liquid crystal is injected between the two substrates, whereby a liquid crystal display device can be manufactured.
【００６８】[0068]
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
絶縁膜を挟んで互いに交差する２層の配線電極の一方に
荷電ビームにより電荷を供給することにより、マスク枚
数を少なくしたプロセスで作製しても、従来技術のよう
に高抵抗なＩＴＯを用いずに検査用信号入力配線と配線
電極を接続することができるので、信号遅延やなまりが
生じず、信頼性の高い検査を容易に行うことができる。
また、基板表面側から荷電ビームを照射して予備配線電
極と断線電極とを接続することができるので、断線欠陥
の修正が容易で膜面の汚染や破損の問題が生じず、高品
質の液晶表示装置用基板を作製することができる。さら
に、基板状態で検査や断線欠陥の修正を行うことができ
るので、配線側基板と対向側基板とを貼り合わせる前
に、破片等を洗浄により除去して表示不良を防ぎ、高品
質の液晶表示装置を作製することができる。As described in detail above, according to the present invention,
By supplying a charge to one of two layers of wiring electrodes that intersect each other with an insulating film interposed therebetween by using a charged beam, even if it is manufactured by a process in which the number of masks is reduced, it does not use high-resistance ITO as in the related art. Since the signal input wiring for inspection and the wiring electrode can be connected to each other, signal delay or dulling does not occur, and a highly reliable inspection can be easily performed.
In addition, since the preliminary wiring electrode and the disconnection electrode can be connected by irradiating a charged beam from the substrate surface side, it is easy to repair the disconnection defect, and there is no problem of contamination or damage of the film surface, and high quality liquid crystal A substrate for a display device can be manufactured. In addition, since inspection and correction of disconnection defects can be performed in the state of the substrate, before bonding the wiring side substrate and the opposite side substrate, debris and the like are removed by washing to prevent display defects, and a high quality liquid crystal display. A device can be made.
【図１】図１は実施形態１の液晶表示装置における配線
側基板の構成を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram illustrating a configuration of a wiring-side substrate in a liquid crystal display device according to a first embodiment.
【図２】（ａ）および（ｂ）は実施形態１における配線
電極の接続方法を説明するための断面図である。FIGS. 2A and 2B are cross-sectional views illustrating a method of connecting wiring electrodes according to the first embodiment.
【図３】実施形態で用いた加工装置の構成を示す斜視図
である。FIG. 3 is a perspective view showing a configuration of a processing apparatus used in the embodiment.
【図４】実施形態２における配線電極の接続方法を説明
するための断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a method of connecting wiring electrodes according to a second embodiment.
【図５】実施形態３における配線電極の接続方法を説明
するための断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a method of connecting wiring electrodes according to a third embodiment.
【図６】実施形態４の液晶表示装置における配線側基板
の構成を示す回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram illustrating a configuration of a wiring-side substrate in a liquid crystal display device according to a fourth embodiment.
【図７】（ａ）および（ｂ）は実施形態４における配線
電極の接続方法を説明するための断面図である。FIGS. 7A and 7B are cross-sectional views illustrating a method of connecting wiring electrodes according to a fourth embodiment.
【図８】（ａ）〜（ｅ）は従来の液晶表示装置の製造方
法を説明するための平面図である。FIGS. 8A to 8E are plan views for explaining a conventional method for manufacturing a liquid crystal display device.
【図９】従来の液晶表示装置における断線欠陥を説明す
るための平面図である。FIG. 9 is a plan view for explaining a disconnection defect in a conventional liquid crystal display device.
【図１０】従来の液晶表示装置の断線欠陥の修正方法を
説明するための回路図である。FIG. 10 is a circuit diagram for explaining a method of correcting a disconnection defect in a conventional liquid crystal display device.
【図１１】（ａ）および（ｂ）は従来の液晶表示装置の
断線欠陥の修正方法を説明するための断面図である。FIGS. 11A and 11B are cross-sectional views illustrating a conventional method for correcting a disconnection defect in a liquid crystal display device.
【図１２】従来の液晶表示装置の検査方法を説明するた
めの回路図である。FIG. 12 is a circuit diagram for explaining a conventional method for testing a liquid crystal display device.
【図１３】（ａ）は従来の液晶表示装置における検査用
電極配線を説明するための平面図であり、（ｂ）はその
断面図である。FIG. 13A is a plan view for explaining an inspection electrode wiring in a conventional liquid crystal display device, and FIG. 13B is a cross-sectional view thereof.
【図１４】（ａ）および（ｂ）は従来の液晶表示装置の
断線欠陥の修正方法を説明するための断面図である。FIGS. 14A and 14B are cross-sectional views illustrating a conventional method for correcting a disconnection defect in a liquid crystal display device.
１ 走査電極 ２、６ 絶縁膜 ３ 半導体層 ３ａ 半導体パターン ４ 信号電極 ５ ＴＦＴ ７ 絶縁膜のコンタクトホール ８ 絵素電極 ８ａ Ｃｓ ８ｂ 接続電極 ８ｃ 導電膜 ９ 隣の走査電極 １０ 走査電極検査用信号入力配線 １１ 信号電極検査用信号入力配線 １１ａ 信号電極検査用信号入力配線の残りの部分 １２、１３ 信号入力パッド １４、１８、１９ 接続部 １５ 断線した信号電極 １６、１７ 予備配線電極 ２０ レーザ光 ２１ 荷電ビーム ３０ 基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Scan electrode 2, 6 Insulating film 3 Semiconductor layer 3a Semiconductor pattern 4 Signal electrode 5 TFT 7 Contact hole of insulating film 8 Pixel electrode 8a Cs 8b Connection electrode 8c Conductive film 9 Scan electrode next to 10 Scan signal inspection signal input wiring REFERENCE SIGNS LIST 11 signal electrode inspection signal input wiring 11 a remaining portion of signal electrode inspection signal input wiring 12, 13 signal input pad 14, 18, 19 connection 15 disconnected signal electrode 16, 17 spare wiring electrode 20 laser beam 21 charged beam 30 substrates
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H092 JA26 JB56 JB73 JB77 JB79 MA52 MA57 NA28 NA29 5C094 AA41 AA42 AA43 BA03 BA43 CA19 CA24 DA15 EA03 EA04 EA07 GA10 GB01 GB10 HA08 5G435 AA17 AA19 BB12 CC09 CC12 EE49 KK05 KK10 LL07 LL08 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2H092 JA26 JB56 JB73 JB77 JB79 MA52 MA57 NA28 NA29 5C094 AA41 AA42 AA43 BA03 BA43 CA19 CA24 DA15 EA03 EA04 EA07 GA10 GB01 GB10 HA08 5G435 AA17 AA19 BB12 CC09 KK05 KK49 KK49
Claims (8)
線電極を接続する方法であって、 荷電ビームを用いて一方の配線電極に電荷を供給し、両
配線電極の交差部で該絶縁膜を静電破壊させることによ
り、両配線電極を電気的に接続する配線電極の接続方
法。1. A method for connecting two layers of wiring electrodes that intersect with each other with an insulating film interposed therebetween, wherein a charge is supplied to one of the wiring electrodes using a charged beam, and the insulation is formed at the intersection of both wiring electrodes. A wiring electrode connection method for electrically connecting both wiring electrodes by electrostatically destructing a film.
る請求項１に記載の配線電極の接続方法。2. The method according to claim 1, wherein an electron beam is used as the charged beam.
象ではない配線電極との交差部では、該電荷が供給され
る配線電極と接続対象である配線電極との交差部に比べ
て前記絶縁膜の膜厚を厚くしてあるか、または該絶縁膜
に半導体層を積層してある請求項１または請求項２に記
載の配線電極の接続方法。3. An intersecting portion between the wiring electrode to which the electric charge is supplied and a wiring electrode not to be connected is more insulated than an intersecting portion between the wiring electrode to which the electric charge is supplied and the wiring electrode to be connected. 3. The method according to claim 1, wherein the thickness of the film is increased, or a semiconductor layer is laminated on the insulating film.
れる配線電極に対して、前記荷電ビームとは逆位相の電
圧を印加する請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の
配線電極の接続方法。4. The wiring electrode according to claim 1, wherein a voltage having a phase opposite to that of the charged beam is applied to a wiring electrode connected to the wiring electrode to which the electric charge is supplied. Connection method.
有する液晶表示装置用基板を製造する方法において、 基板の検査用端子形成部に、絶縁膜を挟んで検査対象で
ある配線電極と交差するように検査用配線電極を設け
て、請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の配線電極
の接続方法を用いて該検査用配線電極と該配線電極とを
電気的に接続する工程を含む液晶表示装置用基板の製造
方法。5. A method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device having a plurality of wiring electrodes for charging a picture element, comprising: forming a wiring electrode to be tested with an insulating film sandwiched between test terminal formation portions of the substrate; A step of providing an inspection wiring electrode so as to intersect and electrically connecting the inspection wiring electrode and the wiring electrode using the wiring electrode connection method according to any one of claims 1 to 4. A method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device, comprising:
有する液晶表示装置用基板の断線欠陥を修正する方法に
おいて、 基板の周辺部に、絶縁膜を挟んで配線電極と交差するよ
うに予備配線電極を設けて、請求項１乃至請求項４のい
ずれかに記載の配線電極の接続方法を用いて該予備配線
電極と断線した配線電極とを電気的に接続することによ
り、該配線電極の断線欠陥を修正する液晶表示装置用基
板の修正方法。6. A method for correcting a disconnection defect of a substrate for a liquid crystal display device having a plurality of wiring electrodes for charging picture elements, the method comprising the steps of: An auxiliary wiring electrode is provided, and the auxiliary wiring electrode and the disconnected wiring electrode are electrically connected using the wiring electrode connection method according to any one of claims 1 to 4, whereby the wiring electrode is provided. A method for repairing a substrate for a liquid crystal display device, which repairs a disconnection defect of a liquid crystal display device.
製造方法により作製した配線側基板、または請求項６に
記載の液晶表示装置用基板の修正方法により断線欠陥を
修正した配線側基板と対向側基板とを貼り合わせて、両
基板の間に液晶を封入する工程を含む液晶表示装置の製
造方法。7. A wiring-side substrate manufactured by the method for manufacturing a liquid crystal display device substrate according to claim 5, or a wiring-side substrate corrected for a disconnection defect by the method for correcting a liquid crystal display device substrate according to claim 6. And a method of manufacturing a liquid crystal display device including a step of bonding a liquid crystal display device to an opposing substrate and sealing liquid crystal between the substrates.
の配線電極の接続方法、請求項５に記載の液晶表示装置
用基板の製造方法または請求項６に記載の液晶表示装置
用基板の修正方法に用いられる加工装置であって、被加
工基板に対して、前記配線電極および前記絶縁膜が設け
られた表面側から前記荷電ビームを照射する加工装置。8. The method for connecting a wiring electrode according to any one of claims 1 to 4, the method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to claim 5, or the substrate for a liquid crystal display device according to claim 6. A processing apparatus used in the correction method according to (1), wherein the charged beam is applied to a substrate to be processed from a surface side on which the wiring electrodes and the insulating film are provided.
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-
2000
- 2000-03-14 JP JP2000071346A patent/JP2001264788A/en not_active Withdrawn
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