JP2001264384A - 電気特性の測定用基板及びその測定方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＢＧＡやＬＧＡのようなピンの存在しないパ
ッケージの電気特性の測定を可能とし、信頼性が高く、
効率よく電気特性が測定できる電気特性の測定用基板及
びその測定方法を提供する。 【解決手段】 一方の面に半導体用パッケージ３０を実
装するための実装用パッド１７を有し、他方の面に測定
用パッド１８と測定用パッド１８とは電気的に絶縁され
た全面導体面１９を有し、実装用パッド１７と測定用パ
ッド１８とはスルーホール導体２０又はビア導体を介し
て電気的に導通状態にあり、所定の測定用パッド１８と
全面導体面１９をショートさせ、全面導体面１９と被測
定用パッド１８ａ間にプローブ３４を接触させて電気特
性を測定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体用パッケー
ジの電気特性を測定するための測定用基板及びその測定
方法に係り、より詳細には、ＢＧＡタイプの半導体用パ
ッケージのＬ、Ｃ、Ｒを測定するための測定用基板及び
その測定方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体素子を封止し保護すること
を目的とする半導体用パッケージとしては、ボードに接
続するための外部端子となる多数のピンを立設させた、
セラミックやプラスチックからなるＰＧＡ（Pin Grid A
rray）タイプのパッケージが多く使われていた。このＰ
ＧＡパッケージの半導体用パッケージとしての電気特性
の測定方法は、ＳＥＭＩスタンダード（Semiconductor
Equipment and MaterialsInternational 国際半導体装
置材料規格委員会）のＳＥＭＩ−Ｇ２３、Ｇ２４、Ｇ２
５が示しているように、半導体用パッケージの配線が持
つＬ、Ｃ、Ｒ（インダクタンス、容量、抵抗）をそれぞ
れＬ、Ｃ、Ｒメータを用いて測定している。このうちの
Ｌ、Ｃの測定を行う場合には、被測定ピン以外の外部端
子（ＰＧＡの場合はピン）をショートする必要があり、
ＳＥＭＩスタンダードでは、銀箔を全体のピンへ差し込
み、この銀箔の導通を介して被測定ピン以外のピン間を
ショートさせることを示している。一方、近年の半導体
素子の高性能化、小型化にともない、半導体素子を搭載
するための半導体用パッケージには、外部接続端子の多
端子化、半導体素子の実装性、低コスト化、放熱特性、
低インピーダンス化等の観点から、樹脂やセラミックか
らなるＢＧＡ（Ball Grid Array ）タイプの半導体用パ
ッケージやＬＧＡ（Land Grid Array ）タイプの半導体
用パッケージが多く用いられている。これらの半導体用
パッケージの場合は、銀箔を差し込むためのピンが存在
しないので、半田を付けてショートさせたり、一旦ピン
付きソケットに挿入した後、ソケットのピンを利用して
ＰＧＡの場合と同様の銀箔を介してショートさせて測定
する方法が取られている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たような従来の電気特性の測定方法では、未だ解決すべ
き次のような問題があった。 （１）銀箔を用いる方法では、ＰＧＡのようなパッケー
ジの外部端子がピンのように尖った形状のものでないと
銀箔を差し込めない。従って、ＢＧＡやＬＧＡのような
ピンの存在しないパッケージでは直接銀箔による方法が
適用できない。 （２）ＢＧＡやＬＧＡにピン付きソケットを介在させ
て、一旦ＰＧＡのようにして、そのソケットのピンに銀
箔を用いるようにするとソケット自体が持っているＬ、
Ｃ、Ｒが加算され本来のパッケージのＬ、Ｃ、Ｒがわか
らない。 （３）銀箔を用いてショートさせる方法では、被測定ピ
ンがそれ以外のピンとショートしないように被測定ピン
の周囲をくり抜く必要があり、被測定ピンが多数ある場
合は、被測定ピン毎に銀箔を取り替える必要があるの
で、サンプル作成に長時間を要する。 （４）半田を用いてショートさせる方法では、被測定パ
ッドを除いて半田付けするのに、その作業に長時間を要
する。また、半田の量がそれぞれの場所でばらつくので
電気特性値の信頼性が低くなる。 （５）パッケージの電気特性測定には、Ｌ、Ｃ以外に信
号伝送特性（特性インピーダンス、クロストーク等）の
測定があるが、この場合はＬ、Ｃの測定と同様に被測定
ピン以外の電源ピンどうしをショートする必要がある。
しかし、測定用プローブにＬ、Ｃ測定の場合と異なった
高い接続精度を必要とするウエハープローブを使用する
ので、銀箔を用いた場合にはプローブを接続できないと
いう問題がある。本発明は、このような事情に鑑みてな
されたものであって、ＢＧＡやＬＧＡのようなピンの存
在しないパッケージの測定を可能とし、信頼性が高く、
効率よく電気特性が測定できる電気特性の測定用基板及
びその測定方法を提供することを目的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】前記目的に沿う本発明に
係る電気特性の測定用基板は、半導体用パッケージの電
気特性を測定するのに用いられる測定用基板において、
一方の面に半導体用パッケージを実装するための実装用
パッドを有し、他方の面に測定用パッドと測定用パッド
とは電気的に絶縁された全面導体面を有し、実装用パッ
ドと測定用パッドとはスルーホール導体又はビア導体を
介して電気的に導通状態にある。これにより、ＢＧＡや
ＬＧＡのようなピンの存在しないパッケージの測定が可
能となり、測定精度が向上する。また、被測定ピンをそ
れ以外のピンとショートしないように被測定ピンの周囲
の銀箔をくり抜く必要がなく、被測定ピンが多数ある場
合に、被測定ピン毎に銀箔を取り替える必要がないの
で、短時間にサンプル作成ができる。また、半田を用い
てショートさせる必要がないので、短時間での測定が可
能であり、測定値の信頼性も高い。さらに、Ｌ、Ｃ測定
以外の信号伝送特性（特性インピーダンス、クロストー
ク等）の測定にも適用できる測定用基板を提供できる。
ここで、実装用パッドと測定用パッドは格子状に配列し
てもよい。これにより、ＢＧＡやＬＧＡの接続パッドに
合った幅広い大きさのパッケージの測定に対応できる測
定用基板を提供できる。また、測定用基板はセラミック
又は樹脂で形成することができ、低誘電率、低誘電正
接、低抵抗な、信頼性の高い測定用基板を提供できる。

【０００５】前記目的に沿う本発明に係る電気特性の測
定方法は、半導体用パッケージの電気特性の測定方法で
あって、半導体用パッケージを電気特性の測定用基板に
導電性ボールを介して実装し、測定用基板の所定の測定
用パッドと全面導体面をショートさせ、全面導体面と被
測定用パッド間にプローブを接触させて電気特性を測定
している。この測定方法は、銀箔を用いる方法ではない
ので、ＢＧＡやＬＧＡのようなピンの存在しない半導体
用パッケージに適用できる。また、被測定ピンの周囲の
銀箔をくり抜く必要がなく、被測定ピン毎に銀箔を取り
替える必要もないので、サンプル作成に時間を要さない
測定が可能となる。さらに、ＢＧＡやＬＧＡにピン付き
プローブを介在させる必要がないので、半導体用パッケ
ージのみのＬ、Ｃ、Ｒが測定できる。さらには、半導体
用パッケージの電気特性測定には、Ｌ、Ｃ以外に特定イ
ンピーダンス、クロストーク等の信号伝送特性の測定が
あり、Ｌ、Ｃ測定と同様に被測定ピン以外の電源ピンど
うしをショートする必要があるが、測定用プローブに
Ｌ、Ｃ測定の場合と異なった高い接続精度を必要とする
ウエハープローブを使用しても、銀箔を用いないので、
測定用パッドと全面導体面は平坦で被測定ピンとその他
のピン間ピッチは一定であり、プローブを高精度に接続
できる。ここで、所定の測定用パッドと全面導体面との
ショートには導電性ペーストを用いるのが好ましい。筆
塗り等の簡単な作業でショートさせることができ、一旦
塗布し測定したものでも容易に拭き取ることができ、再
度使用することができる。

【０００６】

【発明の実施の形態】続いて、添付した図面を参照しつ
つ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発
明の理解に供する。ここに、図１（Ａ）、（Ｂ）は本発
明の一実施の形態に係る電気特性の測定用基板の上下両
面側から見た斜視図、部分拡大側断面図、図２は本発明
の一実施の形態に係る電気特性の測定方法を説明するた
めの部分拡大側断面図、図３は本発明の一実施の形態に
係る電気特性の測定用基板の製造方法を説明するための
部分拡大側断面図、図４は本発明の他の実施の形態に係
る電気特性の測定用基板の製造方法を説明するための部
分拡大側断面図である。

【０００７】先ず、図１〜図３を参照して、本発明の一
実施の形態に係る電気特性の測定用基板１０の構造を説
明する。この測定用基板１０は、半導体用パッケージ３
０の電気特性を測定するために用いられる測定基板であ
り、ＢＴ樹脂（ビスマイレイミドトリアジンを主成分に
した樹脂）やポリイミド樹脂等の高耐熱性、誘電特性、
絶縁特性、加工性に優れた樹脂を基材とし、両面にＣｕ
箔１２を接合して形成された銅張り樹脂基板１１を有し
ている。この銅張り樹脂基板１１の両面には、さらに、
無電解Ｃｕめっき１３及び、電解Ｃｕめっき１４、金属
膜例えば、Ｎｉめっき１５及びＡｕめっき１６が施され
た導体層が設けられている。図１（Ａ）、（Ｂ）に示す
ように、一方の面の導体層はＢＧＡやＬＧＡ等の半導体
用パッケージ３０を導電性ボール３１を介して実装する
ための実装用パッド１７を形成し、他方の面の導体層は
測定用パッド１８及び全面導体面１９を形成している。
そして、実装用パッド１７と測定用パッド１８とは、ス
ルーホール２１内に形成された無電解Ｃｕめっき１３及
び、電解Ｃｕめっき１４からなるスルーホール導体２０
を介して電気的に接続されている。導電性ボール３１が
スルーホール２１内に入り込むのを防止するために、実
装用パッド１７とスルーホール２１とはオフセットされ
ていることが好ましい。なお、スルーホール２１内を、
絶縁体あるいは導電体で孔埋めしたビア導体形状として
もよい。さらに、導電性ボール３１の実装を容易にする
ために、一方の面（実装用パッド１７形成面）にはソル
ダーレジスト層２４が形成されている。測定用パッド１
８と全面導体面１９とは、決められた間隔で離れてお
り、電気的に絶縁されている。さらに、実装用パッド１
７と測定用パッド１８はそれぞれ格子状に配列されてい
ることが好ましい。ＢＧＡパッケージやＬＧＡパッケー
ジは、半導体チップの実装用パッドがパッケージの中央
部に設けられているので、半導体チップ実装用パッドに
電気特性の測定用プローブを接続する必要がある場合は
測定用基板１０の基板中央部に孔を穿設してもよい。

【０００８】次に、図３を参照して、測定用基板１０の
製造方法を説明する。 （１）銅張り樹脂基板１１にスルーホール２１を穿設す
るドリル工程 先ず、銅張り樹脂基板１１を準備する。この銅張り樹脂
基板１１は、両面にＣｕ箔１２を接合して形成した導体
層を備えたＢＴ樹脂（ビスマイレイミドトリアジンを主
成分にした樹脂）やポリイミド樹脂等の高耐熱性の樹脂
基板から成る。Ｃｕ箔１２の厚みは通常１８〜７０μｍ
のものがあり、Ｃｕの純度は９９．８％以上のものを使
用する。そして、銅張り樹脂基板１１に、単軸のボール
盤や単軸又は複数軸の数値制御方式ボール盤（ＮＣドリ
ルマシン）を使用して、超硬合金等からなる孔あけドリ
ルを高速回転（例えば、１５０００ｒｐｍ程度〜１００
０００ｒｐｍ程度）させてスルーホール２１を穿設す
る。

【０００９】（２）無電解Ｃｕめっき１３及び電解Ｃｕ
めっき１４を施すＣｕめっき工程 スルーホール２１を穿設した銅張り樹脂基板１１にパラ
ジウム等の触媒付与を行い、ホルマリンを還元剤とする
強アルカリ浴中で無電解Ｃｕめっき１３被膜を形成す
る。ここで、スルーホール２１の壁面に形成したＣｕ導
体膜を介して銅張り樹脂基板１１の両面表層は電気的に
導通状態となる。次に、無電解Ｃｕめっき１３を施した
銅張り樹脂基板１１に電解Ｃｕめっき１４を形成する。
めっき槽の中にめっき浴、例えば、硫酸銅浴、ピロリン
酸浴等を充たし、陽極（アノード）側に取付けられたＣ
ｕ板を、陰極（カソード）側に取付けられた被めっき物
である銅張り樹脂基板１１の両面それぞれに対向して２
枚配設する。そして、直流電源装置に電圧を印加するこ
とで、被めっき物である銅張り樹脂基板１１の無電解Ｃ
ｕめっき１３を施している表層及びスルーホール２１の
壁面に金属銅を析出させ、電解Ｃｕめっき１４被膜を形
成する。これにより、スルーホール２１の壁面にもスル
ーホール導体２０膜が形成される。

【００１０】（３）ドライフィルム貼付工程 エッチングレジスト２３となるドライフィルム２２を電
解Ｃｕめっき１４被膜に貼付する。このフォトレジスト
からなるドライフィルム２２はカバーフィルム、フォト
レジスト、キャリアフィルムの３層構造となっており、
カバーフィルムを剥がしながら銅張り樹脂基板１１の電
解Ｃｕめっき１４被膜の上に形成していく。

【００１１】（４）エッチングレジスト膜形成工程 次いで、実装用パッド１７、測定用パッド１８及び全面
導体面１９の配線パターン形成のためのパターンマスク
を合わせ、紫外線露光を行い、その後、キャリアフィル
ムを剥がし、現像を行って、配線パターン以外の部分の
ドライフィルムを削除する。残されたドライフィルムが
エッチングレジスト２３となる。

【００１２】（５）エッチング工程 塩化第二鉄溶液、塩化第二銅溶液、アルカリエッチャン
ト、過酸化水素ー硫酸系エッチャント等のエッチング液
を使用して、銅張り樹脂基板１１上のエッチングレジス
ト２３の開口部のＣｕめっき層（無電解Ｃｕめっき１３
及び電解Ｃｕめっき１４）及びＣｕ箔１２をエッチング
する。次いで、配線パターンを覆っているフォトレジス
トからなるエッチングレジスト２３は、表面に剥離液を
スプレーで噴射し、フォトレジストを膨潤させながら洗
い流すことで、剥離し、除去する。これによって、実装
用パッド１７、測定用パッド１８及び全面導体面１９の
配線パターンを形成する。

【００１３】（６）ソルダーレジスト層２４形成工程 銅張り樹脂基板１１の実装用パッド１７側にソルダーレ
ジスト層２４をスクリーン印刷法、例えば、感光性のソ
ルダーペーストの粘度を３００ポイズ、印刷圧力を３．
５ｋｇｆ、スクリーン版を１５０メッシュ、印刷厚みを
４０〜５０μｍで全面印刷し、フォトリソグラフィ法に
より、パターンマスクを当て、露光，現像を行って実装
用パッド１７の部分を除く露出面にソルダーレジスト層
２４を形成する。ソルダーレジスト層２４を印刷する時
に、スルーホール２１の中にソルダーペーストが入り込
み孔埋め状態となるが、その前に絶縁性樹脂又は導電性
樹脂で孔埋めを行ってもよい。ソルダーレジスト層２４
は、後工程の金属膜例えば、Ｎｉめっき１５及びＡｕめ
っき１６を行う時のめっきレジストや、導電性ボール接
続時の余分な半田を付けない及び、Ｃｕ導体表面を外部
環境から保護するという役目を果たしている。

【００１４】（７）金属膜形成工程 銅張り樹脂基板１１の実装用パッド１７、測定用パッド
１８及び全面導体面１９には、金属膜例えば、Ｎｉめっ
き１５及びＡｕめっき１６を施す。Ｎｉめっき１５はＡ
ｕめっき１６の下地めっきであり、電解Ｎｉめっき又は
無電解Ｎｉめっきで形成し、Ａｕめっき１６はフラッシ
ュめっきにより形成する。めっき浴は、Ｎｉにスルファ
ミン酸浴を使用し、Ａｕに硬質金の各種めっき浴を使用
する。また、Ｎｉめっき１５が無電解Ｎｉめっきの場合
には、次亜燐酸によるＮｉ−Ｐめっきを用いる。この金
属膜はＮｉめっき１５、Ａｕめっき１６以外にＮｉＣｏ
めっき、Ｐｔめっき等種々の金属膜形成が可能である。

【００１５】さらに、図４を参照して、本発明の他の実
施の形態に係る電気特性の測定用基板について説明す
る。この測定用基板は以下に示すようにセラミックで形
成されている。 （１）セラミックグリーンシート４０は例えば、アルミ
ナ、窒化アルミニウム等があり、特に材質を限定するも
のではない。そして、このセラミックグリーンシート４
０にパンチ成形機例えば、ＮＣパンチ機、ダイセット金
型成形機等を使用して、所定のスルーホール４１を穿設
する。 （２）配線パターン４２の印刷、スルーホール孔埋め導
体４３の印刷工程では、セラミックを焼結する温度によ
っても変わるが、使用される導体金属はタングステン、
モリブデン、銅、銀、銀パラジウム等があり、高温焼成
のセラミックと同時焼成（約１５００℃）する場合に
は、タングステンやモリブデン等の高融点金属が一般的
に使用される。このメタライズペーストを使用して、ス
クリーン印刷で配線パターン４２すなわち、一方の面に
実装用パッド４４、他方の面に測定用パッド４５と全面
導体面４６を形成し、スクリーン印刷でスルーホール孔
埋め導体４３を形成する。 （３）焼成工程では、セラミックグリーンシート４０と
メタライズとを同時焼成する。低温焼成セラミックに銀
や銅のメタライズを施して同時焼成（約１０００℃）す
ることもできる。また、焼成したセラミック基板に後か
らメタライズ例えば、銀、銀パラジウム、銀プラチナ、
銅等の印刷を行って、再度メタライズの焼成を行っても
よい。 （４）金属膜４７形成工程では、各種セラミックに使用
した導体金属の酸化防止と、導電性ボールの接合性を考
慮して実装用パッド４４、測定用パッド４５、全面導体
面４６の各表面上に各種金属膜例えば、Ｎｉめっき及び
Ａｕめっき等の金属膜４７を形成する。

【００１６】次に、図２を参照して、本発明の一実施の
形態に係る電気特性の測定方法を説明する。前述した電
気特性の測定用基板１０の実装用パッド１７上に、半導
体用パッケージ３０を導電性ボール３１例えば、半田ボ
ール、銅ボール、銀ボール等の金属ボールを介して実装
する。これにより、半導体用パッケージ３０の外部端子
接続パッド３２と、測定用基板１０の測定用パッド１８
とは電気的に接続された状態になる。ここで、銅ボール
や銀ボール等の接続には予め半田めっき等を施したボー
ルや半田ペースト等を使用して接続されるが、電気特性
の測定の上で測定用基板１０側の導通抵抗をより低くす
ることから、導通抵抗の低い銅ボールや銀ボールの使用
はより好ましい形態である。そして、被測定用パット１
８ａを除いた所定の（被測定用パット１８ａに関連す
る、又は全ての）測定用パッド１８は全面導体面１９
と、例えば、導電性ペースト３３やボンディングワイヤ
等を使ってショートさせる。ここで、導電性ペースト３
３でのショートは筆塗り等の簡単な作業で行うことがで
き、また、一度測定に使用した測定用基板１０に付着し
ている導電性ペースト３３は拭き取るあるいは洗浄等の
簡単な作業で除去でき、測定用基板１０を再生して使用
することができるので、好ましい形態である。次いで、
被測定用パッド１８ａと、前記他の測定用パッド１８と
ショートさせた全面導体面１９とにプローブ３４を接触
させて必要な電気特性を測定する。この電流の流れ（矢
印で図示）は被測定用パッド１８ａの端子から測定用基
板１０のスルーホール導体２０、導電性ボール３１、半
導体用パッケージ３０のスルーホール導体３５、半導体
用パッケージ３０の信号線層３６、半導体用パッケージ
３０の電源層３７を通って測定用基板１０の全面導体面
１９の端子までに至る間であり、その間の電気特性を測
定する。

【００１７】

【発明の効果】請求項１〜３記載の電気特性の測定用基
板においては、一方の面に前記半導体用パッケージを実
装するための実装用パッドを有し、他方の面に測定用パ
ッドと測定用パッドとは電気的に絶縁された全面導体面
を有し、実装用パッドと測定用パッドとはスルーホール
導体又はビア導体を介して電気的に導通状態にあるの
で、ＢＧＡやＬＧＡのようなピンの存在しないパッケー
ジの測定が可能となり、短時間での測定が可能であり、
測定値の信頼性も高い。さらに、Ｌ、Ｃ測定以外の信号
伝送特性の測定にも適用できる測定用基板を提供でき
る。特に、請求項２記載の電気特性の測定用基板におい
て、実装用パッドと測定用パッドは格子状に配列されて
いるので、幅広い大きさのパッケージの測定に対応でき
る測定用基板を提供できる。請求項３記載の電気特性の
測定用基板においては、測定用基板はセラミック又は樹
脂で形成されるので、低誘電率、低誘電正接、低抵抗
な、信頼性の高い測定用基板を提供できる。

【００１８】請求項４、５記載の電気特性の測定用方法
にあっては、半導体用パッケージを電気特性の測定用基
板に導電性ボールを介して実装し、測定用基板の所定の
測定用パッドと全面導体面をショートさせ、全面導体面
と被測定用パッド間にプローブを接触させて電気特性を
測定するので、ＢＧＡやＬＧＡのようなピンの存在しな
い半導体用パッケージに適用できる。また、Ｌ、Ｃ以外
に特定インピーダンス、クロストーク等の信号伝送特性
測定にも適用でき、プローブの接続に高精度を要しても
対応できる。特に、請求項５記載の電気特性の測定用方
法において、所定の測定用パッドと全面導体面とのショ
ートには導電性ペーストを用いるので、測定用基板を再
度使用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施の形
態に係る電気特性の測定用基板の上下両面から見た斜視
図及び、部分拡大側断面図である。

【図２】本発明の一実施の形態に係る電気特性の測定方
法を説明するための部分拡大側断面図である。

【図３】本発明の一実施の形態に係る電気特性の測定用
基板の製造方法を説明するための部分拡大側断面図であ
る。

【図４】本発明の他の実施の形態に係る電気特性の測定
用基板の製造方法を説明するための部分拡大側断面図で
ある。

【符号の説明】

１０：測定用基板、１１：銅張り樹脂基板、１２：Ｃｕ
箔、１３：無電解Ｃｕめっき、１４：電解Ｃｕめっき、
１５：Ｎｉめっき、１６：Ａｕめっき、１７：実装用パ
ッド、１８：測定用パッド、１８ａ：被測定用パッド、
１９：全面導体面、２０：スルーホール導体、２１：ス
ルーホール、２２：ドライフィルム、２３：エッチング
レジスト、２４：ソルダーレジスト層、３０：半導体用
パッケージ、３１：導電性ボール、３２：外部端子接続
パッド、３３：導電性ペースト、３４：プローブ、３
５：スルーホール導体、３６：信号線層、３７：電源
層、４０：セラミックグリーンシート、４１：スルーホ
ール、４２：配線パターン、４３：スルーホール孔埋め
導体、４４：実装用パッド、４５：測定用パッド、４
６：全面導体面、４７：金属膜

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体用パッケージの電気特性を測定す
   るのに用いられる測定用基板において、一方の面に前記
   半導体用パッケージを実装するための実装用パッドを有
   し、他方の面に測定用パッドと該測定用パッドとは電気
   的に絶縁された全面導体面を有し、前記実装用パッドと
   前記測定用パッドとはスルーホール導体又はビア導体を
   介して電気的に導通状態にあることを特徴とする電気特
   性の測定用基板。
2. 【請求項２】 請求項１記載の電気特性の測定用基板に
   おいて、前記実装用パッドと前記測定用パッドは格子状
   に配列されていることを特徴とする電気特性の測定用基
   板。
3. 【請求項３】 請求項１又は２記載の電気特性の測定用
   基板において、前記測定用基板はセラミック又は樹脂で
   形成されていることを特徴とする電気特性の測定用基
   板。
4. 【請求項４】 半導体用パッケージの電気特性の測定方
   法であって、前記半導体用パッケージを電気特性の測定
   用基板に導電性ボールを介して実装し、該測定用基板の
   所定の測定用パッドと全面導体面をショートさせ、該全
   面導体面と被測定用パッド間にプローブを接触させて電
   気特性を測定することを特徴とする電気特性の測定方
   法。
5. 【請求項５】 請求項４記載の電気特性の測定方法にお
   いて、前記所定の測定用パッドと前記全面導体面とのシ
   ョートには導電性ペーストを用いることを特徴とする電
   気特性の測定方法。