JP2001262350A

JP2001262350A - 処理装置

Info

Publication number: JP2001262350A
Application number: JP2000367877A
Authority: JP
Inventors: Masaaki Hasei; 雅昭長谷井; Koji Shimomura; 晃司下村; Hirokatsu Kobayashi; 洋克小林; Akihiko Hiroe; 昭彦廣江; Koichiro Kimura; 宏一郎木村
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2000-01-14
Filing date: 2000-12-04
Publication date: 2001-09-26
Anticipated expiration: 2020-12-04
Also published as: JP4684408B2

Abstract

(57)【要約】【課題】液体原料を気化させて供給する際の気化能力
の向上を図る。【解決手段】処理室１内に被処理体ｗを収容して所定
の処理ガス雰囲気下で所定の処理を施す処理装置におい
て、前記処理室１の処理ガス導入系２に、液体原料容器
５から流量計６を介して供給される液体原料４を気化さ
せてキャリアガスにより供給する気化器７を有する液体
原料供給システム３を接続し、前記気化器７は、キャリ
アガス通路２０と、このキャリアガス通路２０に臨んで
開口して液体原料４を吐出するノズル２１と、このノズ
ル２１の開口２２を開閉可能に覆うダイヤフラム弁２３
と、このダイヤフラム弁２３を開閉制御する駆動部２４
と、前記ノズル２１およびダイヤフラム弁２３の周囲に
配置された加熱手段２５とを備えている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、処理装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造においては、被処
理体である例えば半導体ウエハに酸化、拡散、成膜、ア
ニール等の処理を施すために、各種の処理装置（半導体
製造装置）が使用されている。また、処理によっては、
液体原料を気化させた処理ガスを用いる場合があり、そ
の場合、液体原料を気化させる液体原料気化供給システ
ムが用いられる。この液体原料気化供給システムは、液
体原料容器と、この液体原料容器から圧送される液体原
料の流量を計測する流量計と、この流量計を介して供給
される液体原料を気化させてキャリアガスにより供給す
る気化器とから主に構成されている。すなわち、このシ
ステムは、液体原料容器から圧送される液体原料を流量
計に通過させて流量を確認し、その二次側に配置した気
化器において液体原料に熱を加えて気化させるように構
成されている。

【０００３】図７は、従来の液体原料気化供給システム
における気化器の構造を示している。この気化器は、気
化器本体４０にキャリアガスを通すキャリアガス通路４
１と、このキャリアガス通路４１に臨んで開口して液体
原料を吐出する液体原料通路４２とを形成している。液
体原料通路４２の途中には、液体原料の吐出量を制御す
るコントロールバルブ４３が設けられている。また、キ
ャリアガス通路４１の一部が気化室４４になっており、
この気化室４４を挟んで液体原料通路４２の開口４５と
対向する位置には、その開口４５を開閉するシャットオ
フバルブ４６が設けられている。また、気化器本体４０
には、液体原料を気化させるための図示しない加熱手段
（ヒータ）が設けられている。

【０００４】図８は、同システムにおける流量計の概略
的構成を示している。この流量計は、液体原料を通す本
ライン５０に微細管からなるバイパス５１を設け、この
バイパス５１に流量センサ５２を設けて構成されてい
る。この流量センサ５２は、バイパス５１に液体原料が
流れた時の温度差を電気信号に変え、流量として検知す
るものである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
処理装置の液体原料気化供給システムにおいては、気化
に起因する温度（熱）と圧力による蒸気圧曲線がベース
となっているが、気化器と流量計において不十分な部分
があり、気化能力が低いという問題があった。例えば、
気化器においては、液体原料通路４２におけるコントロ
ールバルブ４３よりも下流側が液溜り４７となってしま
うため、コントロールした液量を円滑に気化できず、ま
た、液体原料通路４２の内径ｄが０．３ｍｍと小さいた
め、十分な液量を気化室に供給できないことが考えられ
る。

【０００６】また、加熱手段による加熱温度がその取付
位置との関係で不十分であることも考えられる。一方、
流量計においては、液体原料の粘性や液体原料中に溶け
ている圧送ガスの気泡化により、本ライン５０やバイパ
スライン５１に流れの停滞部分や詰りが生じる場合があ
るが、その場合、正確な流量を確認できないことが考え
られる。

【０００７】更に、処理装置においては、処理後、配管
内や処理室内に残存する残留ガスをきれいに排出するた
めにパージガスを流すガスパージが行われているが、こ
のガスパージに起因してパーティクルが発生し、半導体
ウエハの表面に付着する場合があった。これは、パージ
ガスを気化器と処理室の間の配管から導入していたの
で、パージガスが気化器側に逆流して気化器部分の圧力
が上昇し、これにより気化器部分の残留ガスが液化して
霧状の核（パーティクルのもと）が発生するからである
と考えられる。

【０００８】本発明は、前記事情を考慮してなされたも
ので、液体原料を気化させて供給する際の気化能力の向
上が図れる処理装置を提供することを目的とする。ま
た、本発明は、ガスパージに起因するパーティクルの発
生を防止することができる処理装置を提供することを目
的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明のうち、請求項１
に係る発明は、処理室内に被処理体を収容して所定の処
理ガス雰囲気下で所定の処理を施す処理装置において、
前記処理室の処理ガス導入系に、液体原料容器から流量
計を介して供給される液体原料を気化させてキャリアガ
スにより供給する気化器を有する液体原料供給システム
を接続し、前記気化器は、キャリアガス通路と、このキ
ャリアガス通路に臨んで開口して液体原料を吐出するノ
ズルと、このノズルの開口を開閉可能に覆うダイヤフラ
ム弁と、このダイヤフラム弁を開閉制御する駆動部と、
前記ノズルおよびダイヤフラム弁の周囲に配置された加
熱手段とを備えていることを特徴とする。

【００１０】請求項２に係る発明は、請求項１記載の液
体原料供給システムにおいて、前記ダイヤフラム弁が、
周縁部を固定されており、その固定箇所よりも内側に断
面波状の環状補強部を有していることを特徴とする。

【００１１】請求項３に係る発明は、請求項１記載の液
体原料供給システムにおいて、前記流量計が、液体原料
を通す本ラインに流量センサを設けていることを特徴と
する。

【００１２】請求項４に係る発明は、処理室内に被処理
体を収容して所定の処理ガス雰囲気下で所定の処理を施
す処理装置において、前記処理室の処理ガス導入系に、
液体原料容器から流量計を介して供給される液体原料を
気化させてキャリアガスにより供給する気化器を有する
液体原料供給システムを接続し、前記気化器の上流にパ
ージガスを供給するパージガス供給系を接続してなるこ
とを特徴とする。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を添
付図面に基いて詳述する。

【００１４】本発明を半導体製造装置である枚葉式熱処
理装置に適用した実施の形態を示す図１において、１は
所定の処理ガス雰囲気下で被処理体例えば半導体ウエハ
に所定の処理例えばＣＶＤによる成膜処理を施す枚葉式
熱処理装置の処理室（チャンバ）であり、この処理室１
の処理ガス導入系（導入管）２には液体原料気化供給シ
ステム３が接続されている。この液体原料気化供給シス
テム３は、液体原料例えばＰＥＴ（ペンタエトキシタン
タル）４を収容した液体原料容器（液体原料タンク）５
と、この液体原料容器５から圧送される液体原料の流量
を計測する流量計６例えばＬＭＦＭ（Liquid Mass Fl
ow Meter）６と、この流量計６を介して供給される液
体原料を気化させてキャリアガスにより供給する気化器
７とを備えている。

【００１５】前記液体原料容器５には、液体原料４を気
化器７に圧送するために、圧送ガス例えば不活性ガス好
ましくはヘリウムガス（Ｈｅ）を注入する圧送ガス注入
管８と、液体原料圧送管９とが接続されており、圧送ガ
ス注入管８と液体原料圧送管９には、それぞれ開閉弁１
０，１１が設けられている。前記気化器７には、キャリ
アガス例えば不活性ガス好ましくはヘリウムガス（Ｈ
ｅ）を供給するキャリアガス供給系（キャリアガス供給
管）１２が開閉弁１３と流量制御装置（Mass Flow Co
ntroller）６０を介して設けられている。また、気化器
７の上流、例えばキャリアガス供給管１２の流量制御装
置６０と気化器７の間には、パージガス例えば不活性ガ
ス好ましくは窒素ガス（Ｎ₂）を導入するためのパージ
ガス供給系（パージガス供給管）６１が開閉弁６２と流
量制御装置（Mass Flow Controller）６３を介して接
続されている。気化器７と処理室１との間の配管（処理
ガス導入系）２には、気化器７を通過したバージガスを
処理室１を経由させずに排気管１７に直接導くことが可
能なベントラインが接続されていてもよい。

【００１６】前記処理室１は、図２に示すように、耐食
性を有する材料例えばアルミニウムにより形成されてお
り、内部には収容された半導体ウエハｗを載置して所定
の処理温度に加熱するためのヒータを備えたサセプタ１
４が設けられている。処理室１の一側には、図示しない
搬送アーム機構により半導体ウエハｗを搬入搬出するた
めの開口部１５が設けられていると共に、この開口部１
５を開閉可能に閉塞するゲートバルブ１６が設けられて
いる。

【００１７】処理室１には、内部雰囲気を排気するため
の排気管１７が設けられ、この排気管１７には処理室１
内を所定の圧力に減圧制御可能な図示しない減圧制御機
構および減圧ポンプ６５が設けられている。処理室１内
の上部には処理ガスを半導体ウエハｗに対してシャワー
状に噴射供給するための多数の噴射孔１８を有するシャ
ワーヘッド１９が設けられ、このシャワーヘッド１９に
は処理ガス導入管２が設けられている。この処理ガス導
入管２に前記液体原料気化供給システム３における気化
器７の二次側（出口）が接続されている。

【００１８】前記気化器７は、図３〜図５に示すよう
に、キャリアガス通路２０と、このキャリアガス通路２
０に臨んで開口して液体原料を吐出するノズル２１と、
このノズル２１の開口２２を開閉可能に覆うダイヤフラ
ム弁２３と、このダイヤフラム弁２３を開閉制御する駆
動部２４と、前記ノズル２１およびダイヤフラム弁２３
の周囲に配置された加熱手段である棒状のヒータ２５と
を備えている。気化器７の本体（気化器本体）２６は、
上部体２６ａと下部体２６ｂに分割可能に構成され、上
部体２６ａと下部体２６ｂはネジ止めにより結合されて
いる。

【００１９】気化器本体２６の下部体２６ｂには、一側
にキャリアガスの入口２７が設けられ、他側に出口２８
が設けられ、これら入口２７と出口２８を連通するよう
にキャリアガス通路２０が形成されている。入口２７に
キャリアガス供給管１２が接続され、出口２８に処理室
１の処理ガス導入管２が接続される。下部体２６ｂの中
央部には、ノズル２１が縦貫通するように設けられ、ノ
ズル２１の下端の液体原料導入口２９に流量計６の二次
側（出口）が図示しない配管を介して接続される。

【００２０】気化器本体２６の上部体２６ａには、下面
中央部にダイヤフラム弁２３を収容する円形の凹部３０
が形成され、ダイヤフラム弁２３の周縁部は上部体２６
ａと下部体２６ｂとの間に挟まれて固定されている。ダ
イヤフラム弁２３は、円板状で中央が上方へ盛り上がっ
た状態に形成されており、その中央上面部に当接された
駆動部２４の駆動軸２４ａに追従して上下に変位してノ
ズル２１の開口２２を開閉するようになっている。

【００２１】前記ダイヤフラム弁２３には、その周縁部
の固定箇所よりも内側に断面波状の環状補強部３１が形
成（加工）されており、強度ないし耐久性の向上が図ら
れている。前記駆動部２４は、例えばソレノイドアクチ
ュエータ等からなり、その駆動軸２４ａを前記上部体２
６ａに上下動可能に貫通させた状態で、上部体２６ａの
上面部に取付固定されている。

【００２２】ダイヤフラム弁２３は、駆動部２４の駆動
軸２４ａの下動でノズル２１の上端（開口端）に押し付
けられることにより開口２２を閉塞する状態（閉状態）
となり、逆に駆動軸２４ａの上動に伴う自らの弾性復元
力でノズル２１の開口端から離反して開口２２を開放す
る状態（開状態）となる。この場合の離反変位量によっ
て弁開度が調整される。ダイヤフラム弁２３が開状態の
ときに、ノズル２１の開口端とダイヤフラム弁２３との
間に気化室３２が形成され、この気化室３２がキャリヤ
ガス通路２０と連通する。

【００２３】前記キャリアガス通路２０の途中部分は、
ノズル２１を挟んで下部体２６ｂの上面に入口側と出口
側に分割されて開口しており、これら入口側開口２０ａ
と出口側開口２０ｂが前記気化室３２を介して連通する
ことにより、気化室３２内で気化された液体原料の気化
ガスがキャリアガスによって搬送されるうようになって
いる。なお、上部体２６ａの上面部には入口側開口２０
ａと出口側開口２０ｂとを連通する環状通路３３が形成
されているため、ダイヤフラム弁２３が閉状態でもキャ
リアガス通路２０自体は連通状態にある。

【００２４】前記液体原料の気化を促進し、より多くの
気化ガスをキャリアガスにより運ぶために、ノズル２１
の口径ｄが例えば０．８ｍｍと大きく形成されていると
共に、ノズル２１の開口２２が気化室３２に向って皿状
に大きく拡開形成されている。

【００２５】加熱手段である棒状のヒータ２５は、ノズ
ル２１およびダイヤフラム弁２３を取り囲む如く気化器
本体２６に複数例えば４本埋め込まれている。この場
合、ヒータ２５は気化室３２での液体原料の気化を促進
すべく、できるだけ気化室３２に近接して配設されてい
ることが好ましい。液体原料を気化させるためには温度
を上げる必要があるが、ＰＥＴの性質上、１４５〜１７
５℃の範囲内での使用とされているため、気化器本体２
６には、気化室３２の近傍に温度センサ３４が設けら
れ、この温度センサ３４により気化室３２近傍の温度を
検知しつつヒータ２５の出力を制御することにより気化
室内を所定の温度例えば１５０〜１５５℃に加熱制御す
るように構成されている。

【００２６】一方、流量計６は、図６に示すように、両
端に入口３５と出口３６を有する本ライン３７を備え、
この本ライン３７に流量センサ３８が設けられている。
すなわち、流量センサ６は、誤検知ないし誤作動を防止
するために、液体原料を通す本ライン３７にバイパスが
設けられておらず、本ライン３７に流量センサ３８が設
けられている。この流量センサ３８は、本ライン３７に
液体原料が流れた時の温度差を電気信号に変え、流量と
して検知するものである。

【００２７】次に、前記実施の形態の作用を述べる。液
体原料容器５内に圧送ガス例えばヘリウムガスを注入
し、その圧力で液体原料容器５から液体原料４例えばＰ
ＥＴを流量計６を介して気化器７に圧送する。また、気
化器７にキャリアガス供給管１２によりキャリアガス例
えばヘリウムガスを圧送する。液体原料は、気化器７の
ノズル２１に供給され、駆動部２４の駆動によりダイヤ
フラム弁２３を開けると、液体原料が予め棒状ヒータ２
５により所定の温度に加熱されている気化室３２に導入
され、気化室３２において液体原料が温度と圧力の蒸気
圧曲線に従って気化する。

【００２８】気化された液体原料の気化ガスは、キャリ
アガス通路２０を気化室３２と連通して流れるキャリア
ガスにより搬送され、処理ガス導入管２を介して処理室
１に供給されることとなる。処理室１においては、半導
体ウエハｗが所定の温度に加熱されており、この半導体
ウエハｗに液体原料例えばＰＥＴの気化ガスが供給され
ることにより、半導体ウエハｗに所定の処理例えばＣＶ
Ｄによる酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）膜の成膜処理を施す
ことができる。

【００２９】前記構成の液体原料気化供給システム３に
よれば、液体原料容器５と、この液体原料容器５から圧
送される液体原料の流量を計測する流量計６と、この流
量計６を介して供給される液体原料を気化させてキャリ
アガスにより供給する気化器７とを備え、この気化器７
は、キャリアガス通路２０と、このキャリアガス通路２
０に臨んで開口して液体原料を吐出するノズル２１と、
このノズル２１の開口２２を開閉可能に覆うダイヤフラ
ム弁２３と、このダイヤフラム弁２３を開閉制御する駆
動部２４と、前記ノズル２１およびダイヤフラム弁２３
の周囲に配置された加熱手段であるヒータ２５とを備え
ているため、液体原料を気化させて供給する際の気化能
力の向上が図れる。

【００３０】特に、ダイヤフラム弁２３がシャットオフ
バルブとコントロールバルブの機能を兼備えているた
め、従来の気化器のように液体原料の液溜りによる気化
不良が生じることがなく、また、液体原料の気化を促進
し、より多くの気化ガスをキャリアガスにより運ぶため
に、ノズル２１の口径ｄが例えば０．８ｍｍと大きく形
成されていると共に、ノズル２１の開口２２が気化室３
２に向って皿状に大きく拡開形成されているため、気化
能力を十分に向上させることができる。

【００３１】また、前記ダイヤフラム弁２３が、周縁部
を固定されており、その固定箇所よりも内側に断面波状
の環状補強部３１を有しているため、例えば沸点の低い
エタノール等の洗浄液をキャリアガス通路２０やノズル
２１に通して気化器本体２６の内部を洗浄する場合、洗
浄液が気化室３２で急激に沸騰して膨張したとしても、
ダイヤフラム弁２３の変形を防止することができ、耐久
性および信頼性の向上が図れる。更に、前記流量計６
が、液体原料を通す本ライン３７に流量センサ３８を設
けているため、バイパスに流量センサを設けたものと異
なり、バイパスや本ラインに液体原料が詰ることによる
誤検知ないし誤作動を防止することができ、信頼性の向
上が図れる。

【００３２】また、熱処理装置（半導体製造装置）によ
れば、所定の処理ガス雰囲気下で被処理体例えば半導体
ウエハｗに所定の処理を施す処理室１を備え、この処理
室１の処理ガス導入系２に前述の液体原料供給システム
３を接続してなるため、液体原料を気化させた処理ガス
を処理室１に円滑に供給して被処理体例えば半導体ウエ
ハｗを処理することが可能となり、処理能力の向上が図
れる。

【００３３】処理後、配管内や処理室内に残存する残留
ガスをきれいに排出するためにパージガスを流してガス
パージを行う。この場合、処理終了後、圧送ガス注入管
８と液体原料圧送管９の開閉弁９，１０およびキャリア
ガス供給管１２の開閉弁１３を閉じ、処理室１内を減圧
排気した状態でパージガス供給管６１の開閉弁６２を開
く。これにより、パージガス例えば窒素ガスが気化器７
を経由して処理室１へと流れ、気化器７や処理室１等の
ガス経路に残存する残留ガスをきれいに排出することが
でき、残留ガスによる不具合例えば半導体ウエハｗへの
余分な成膜を防止することができる。

【００３４】また、パージガスが気化器７の上流側に導
入されるため、気化器７部分においてはパージガスがキ
ャリアガスと同じ流れになり、気化器７および配管２部
分の残留ガスを液化させることなく気化状態のまま押し
流すことができる。従って、ガスパージに起因して従来
の処理装置で生じていたパーティクルの発生を本実施の
形態の処理装置では充分に抑制ないし防止することがで
きる。

【００３５】以上、本発明の実施の形態を図面により詳
述してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。前記実施の形態では本発明を
枚葉式処理装置に適用した一例が示されているが、本発
明は、多数の被処理体を一度に処理可能なバッチ式処理
装置にも適用可能である。また、被処理体としては、半
導体ウエハ以外に、例えばガラス基板等が適用可能であ
る。更に、パージガスとしては、他の不活性ガスと比べ
て安価な窒素ガスが好ましいが、アルゴンガスやヘリウ
ムガスであってもよい。パージガスとしてヘリウムガス
を使用する場合には、キャリアガスとしてヘリウムガス
を使用するキャリアガス供給系がパージガス供給系を兼
用することができる。

【００３６】

【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な効果を奏することができる。

【００３７】（１）請求項１に係る発明によれば、処理
室内に被処理体を収容して所定の処理ガス雰囲気下で所
定の処理を施す処理装置において、前記処理室の処理ガ
ス導入系に、液体原料容器から流量計を介して供給され
る液体原料を気化させてキャリアガスにより供給する気
化器を有する液体原料供給システムを接続し、前記気化
器は、キャリアガス通路と、このキャリアガス通路に臨
んで開口して液体原料を吐出するノズルと、このノズル
の開口を開閉可能に覆うダイヤフラム弁と、このダイヤ
フラム弁を開閉制御する駆動部と、前記ノズルおよびダ
イヤフラム弁の周囲に配置された加熱手段とを備えてい
るため、液体原料を気化させた処理ガスを処理室に円滑
に供給して被処理体を処理することが可能となり、処理
能力の向上が図れる。

【００３８】（２）請求項２に係る発明によれば、前記
ダイヤフラム弁が、周縁部を固定されており、その固定
箇所よりも内側に断面波状の環状補強部を有しているた
め、ダイヤフラム弁の変形を防止することができ、耐久
性および信頼性の向上が図れる。

【００３９】（３）請求項３に係る発明によれば、前記
流量計が、液体原料を通す本ラインに流量センサを設け
ているため、バイパスに流量センサを設けたものと異な
り、バイパスや本ラインに液体原料が詰ることによる誤
検知を防止することができ、信頼性の向上が図れる。

【００４０】（４）請求項４に係る発明によれば、処理
室内に被処理体を収容して所定の処理ガス雰囲気下で所
定の処理を施す処理装置において、前記処理室の処理ガ
ス導入系に、液体原料容器から流量計を介して供給され
る液体原料を気化させてキャリアガスにより供給する気
化器を有する液体原料供給システムを接続し、前記気化
器の上流にパージガスを導入するパージガス供給系を接
続してなるため、気化器や処理室等のガス経路に残存す
る残留ガスをきれいに排出することができると共に、ガ
スパージに起因するパーティクルの発生を防止すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態を示す処理装置の構成図で
ある。

【図２】処理室の構造の一例を示す断面図である。

【図３】気化器の断面図である。

【図４】図３のＡ−Ａ線断面図である。

【図５】図３の要部拡大断面図である。

【図６】流量計の概略的構成図である。

【図７】従来の気化器の断面図である。

【図８】従来の流量計の概略的構成図である。

【符号の説明】

ｗ半導体ウエハ（被処理体）１処理室２処理ガス導入管（処理ガス導入系）３液体原料気化供給システム４液体原料５液体原料容器６流量計７気化器２０キャリアガス通路２１ノズル２２開口２３ダイヤフラム弁２４駆動部２５ヒータ（加熱手段）３１環状補強部３７本ライン３８流量センサ６１パージガス供給系

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者小林洋克山梨県韮崎市穂坂町三ツ沢650 東京エレクトロン山梨株式会社穂坂事業所内 (72)発明者廣江昭彦神奈川県津久井郡城山町町屋１丁目２番41 号東京エレクトロン山梨株式会社相模事業所内 (72)発明者木村宏一郎神奈川県津久井郡城山町町屋１丁目２番41 号東京エレクトロンイー・イー株式会社相模事業所内Ｆターム(参考） 4K030 CA04 CA12 EA01 5F045 AA06 AB31 AC09 BB08 DP03 DQ10 EE02 EF05

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】処理室内に被処理体を収容して所定の処
理ガス雰囲気下で所定の処理を施す処理装置において、
前記処理室の処理ガス導入系に、液体原料容器から流量
計を介して供給される液体原料を気化させてキャリアガ
スにより供給する気化器を有する液体原料供給システム
を接続し、前記気化器は、キャリアガス通路と、このキ
ャリアガス通路に臨んで開口して液体原料を吐出するノ
ズルと、このノズルの開口を開閉可能に覆うダイヤフラ
ム弁と、このダイヤフラム弁を開閉制御する駆動部と、
前記ノズルおよびダイヤフラム弁の周囲に配置された加
熱手段とを備えていることを特徴とする処理装置。
【請求項２】前記ダイヤフラム弁は、周縁部を固定さ
れており、その固定箇所よりも内側に断面波状の環状補
強部を有していることを特徴とする請求項１記載の処理
装置。
【請求項３】前記流量計は、液体原料を通す本ライン
に流量センサを設けていることを特徴とする請求項１記
載の処理装置。
【請求項４】処理室内に被処理体を収容して所定の処
理ガス雰囲気下で所定の処理を施す処理装置において、
前記処理室の処理ガス導入系に、液体原料容器から流量
計を介して供給される液体原料を気化させてキャリアガ
スにより供給する気化器を有する液体原料供給システム
を接続し、前記気化器の上流にパージガスを供給するパ
ージガス供給系を接続してなることを特徴とする処理装
置。