JP2001251014A - レーザダイオードモジュール - Google Patents
レーザダイオードモジュールInfo
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- JP2001251014A JP2001251014A JP2000058828A JP2000058828A JP2001251014A JP 2001251014 A JP2001251014 A JP 2001251014A JP 2000058828 A JP2000058828 A JP 2000058828A JP 2000058828 A JP2000058828 A JP 2000058828A JP 2001251014 A JP2001251014 A JP 2001251014A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
- H01S5/146—External cavity lasers using a fiber as external cavity
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ファイバグレーティングにより使用波長を所
望の値にロックした状況下においても、キンクフリー光
出力最大値が十分高くなるレーザダイオードモジュール
を提供する。 【解決手段】 レーザダイオード１と、その出射光の光
路上に配置されたレンズ２と、レンズ２による集光位置
において入射可能なように配置された光ファイバ３とを
備え、光ファイバ３は、ファイバグレーティング４を含
み、ファイバグレーティング４の反射中心波長は、レー
ザダイオード１のカットオフ波長より長波長であり、フ
ァイバグレーティング４の反射スペクトルの半値幅は、
レーザダイオード１の縦モード間隔の２倍から１０ｎｍ
までの間となっている。
望の値にロックした状況下においても、キンクフリー光
出力最大値が十分高くなるレーザダイオードモジュール
を提供する。 【解決手段】 レーザダイオード１と、その出射光の光
路上に配置されたレンズ２と、レンズ２による集光位置
において入射可能なように配置された光ファイバ３とを
備え、光ファイバ３は、ファイバグレーティング４を含
み、ファイバグレーティング４の反射中心波長は、レー
ザダイオード１のカットオフ波長より長波長であり、フ
ァイバグレーティング４の反射スペクトルの半値幅は、
レーザダイオード１の縦モード間隔の２倍から１０ｎｍ
までの間となっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバ増幅器
の励起用光源として使用するレーザダイオードモジュー
ルに関するものである。
の励起用光源として使用するレーザダイオードモジュー
ルに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１３は、米国特許５，７２４，３７７
号に開示された従来のレーザダイオードモジュールの概
略の構造図である。このレーザダイオードモジュール
は、レーザダイオード１と、レーザダイオード１の出射
光の光路上に配置された光ファイバ１２とを備えてい
る。レーザダイオード１は、光学的フィードバックのな
い状態では波長９８２ｎｍで発振するレーザダイオード
である。光ファイバ１２は、入射側の先端にマイクロレ
ンズ加工部を有し、一部に反射中心波長９８０ｎｍのフ
ァイバグレーティング４を有する。一般に、ファイバグ
レーティングとは、光ファイバ内で屈折率が周期的に変
化するように形成した部分のことであり、この屈折率の
変化の周期によって、特定の波長の光だけを屈折率の変
化の割合に応じて一定量だけ反射する性質を有する。な
お、ファイバグレーティングは、光ファイバを紫外線に
感光させることで形成することができる。
号に開示された従来のレーザダイオードモジュールの概
略の構造図である。このレーザダイオードモジュール
は、レーザダイオード１と、レーザダイオード１の出射
光の光路上に配置された光ファイバ１２とを備えてい
る。レーザダイオード１は、光学的フィードバックのな
い状態では波長９８２ｎｍで発振するレーザダイオード
である。光ファイバ１２は、入射側の先端にマイクロレ
ンズ加工部を有し、一部に反射中心波長９８０ｎｍのフ
ァイバグレーティング４を有する。一般に、ファイバグ
レーティングとは、光ファイバ内で屈折率が周期的に変
化するように形成した部分のことであり、この屈折率の
変化の周期によって、特定の波長の光だけを屈折率の変
化の割合に応じて一定量だけ反射する性質を有する。な
お、ファイバグレーティングは、光ファイバを紫外線に
感光させることで形成することができる。
【０００３】レーザダイオード１からの出射光であるレ
ーザ光は、マイクロレンズ加工部１３に入射することに
より、拡散光から平行光へと変換され、平行光として、
光ファイバ１２の内部を伝搬する。光ファイバ１２の内
部をファイバグレーティング４まで伝搬したレーザ光
は、ファイバグレーティング４により反射し、レーザダ
イオード１に再入射する。このようにして複合共振器が
構成される構造においては、レーザダイオード１の発振
波長は、上述の９８２ｎｍではなく、ファイバグレーテ
ィング４の反射中心波長である９８０ｎｍとなり、この
波長にロックされる。すなわち、レーザダイオード１に
流される順電流やレーザダイオードの配置される温度環
境に関わらず、安定して波長９８０ｎｍでの光出力を得
ることができるようになる。
ーザ光は、マイクロレンズ加工部１３に入射することに
より、拡散光から平行光へと変換され、平行光として、
光ファイバ１２の内部を伝搬する。光ファイバ１２の内
部をファイバグレーティング４まで伝搬したレーザ光
は、ファイバグレーティング４により反射し、レーザダ
イオード１に再入射する。このようにして複合共振器が
構成される構造においては、レーザダイオード１の発振
波長は、上述の９８２ｎｍではなく、ファイバグレーテ
ィング４の反射中心波長である９８０ｎｍとなり、この
波長にロックされる。すなわち、レーザダイオード１に
流される順電流やレーザダイオードの配置される温度環
境に関わらず、安定して波長９８０ｎｍでの光出力を得
ることができるようになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図１４に、上述のよう
にファイバグレーティング４を光ファイバ１２内に設け
てレーザ光をレーザダイオード１に戻すこととした場合
と、そうでない場合との、ファイバ端光出力Ｐｆと、レ
ーザダイオード順電流Ｉｆとの関係を示す。破線で示し
たものが、ファイバグレーティング４がない場合の特
性、実線で示したものが、ファイバグレーティング４の
ある場合の特性である。図１４からは、明らかなよう
に、ファイバグレーティング４を設けた場合には、キン
クを生じずに出射できる光出力の最大値（以下、「キン
クフリー光出力最大値」という。）が著しく低下し、フ
ァイバグレーティング４のない場合の半分程度の光出力
でしか使用することができないという問題点があった。
なお、「キンク」とは、ビームステアリングの発生によ
って、光ファイバ内の光出力とレーザダイオードに流す
順電流の間の直線性が失われる現象をいうが、詳しくは
後述する。
にファイバグレーティング４を光ファイバ１２内に設け
てレーザ光をレーザダイオード１に戻すこととした場合
と、そうでない場合との、ファイバ端光出力Ｐｆと、レ
ーザダイオード順電流Ｉｆとの関係を示す。破線で示し
たものが、ファイバグレーティング４がない場合の特
性、実線で示したものが、ファイバグレーティング４の
ある場合の特性である。図１４からは、明らかなよう
に、ファイバグレーティング４を設けた場合には、キン
クを生じずに出射できる光出力の最大値（以下、「キン
クフリー光出力最大値」という。）が著しく低下し、フ
ァイバグレーティング４のない場合の半分程度の光出力
でしか使用することができないという問題点があった。
なお、「キンク」とは、ビームステアリングの発生によ
って、光ファイバ内の光出力とレーザダイオードに流す
順電流の間の直線性が失われる現象をいうが、詳しくは
後述する。
【０００５】本発明は、上述の問題点を解決すること、
すなわち、ファイバグレーティングにより使用波長を所
望の値にロックした状況下においても、キンクフリー光
出力最大値が十分高くなるレーザダイオードモジュール
を得ることを目的とする。
すなわち、ファイバグレーティングにより使用波長を所
望の値にロックした状況下においても、キンクフリー光
出力最大値が十分高くなるレーザダイオードモジュール
を得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に基づくレーザダイオードモジュールの一つ
の局面においては、レーザダイオードと、上記レーザダ
イオードの出射光の光路上に配置されたレンズと、上記
レンズによる上記出射光の集光位置において入射可能な
ように配置された光ファイバとを備え、上記光ファイバ
は、ファイバグレーティングを含み、上記ファイバグレ
ーティングの反射中心波長は、上記レーザダイオードの
カットオフ波長より長く、上記ファイバグレーティング
の反射スペクトルの半値幅は、上記レーザダイオードの
縦モード間隔の２倍から１０ｎｍまでの間である。
め、本発明に基づくレーザダイオードモジュールの一つ
の局面においては、レーザダイオードと、上記レーザダ
イオードの出射光の光路上に配置されたレンズと、上記
レンズによる上記出射光の集光位置において入射可能な
ように配置された光ファイバとを備え、上記光ファイバ
は、ファイバグレーティングを含み、上記ファイバグレ
ーティングの反射中心波長は、上記レーザダイオードの
カットオフ波長より長く、上記ファイバグレーティング
の反射スペクトルの半値幅は、上記レーザダイオードの
縦モード間隔の２倍から１０ｎｍまでの間である。
【０００７】上記構成を採用することにより、ファイバ
グレーティングの反射中心波長はカットオフ波長より長
波長側にあるので、高次横モードよりも基本横モードの
方が支配的となり、高次横モードの発振を抑えることが
できる。また、ファイバグレーティングの反射スペクト
ルの半値幅は縦モード間隔の２倍以上であるので、ファ
イバグレーティングの反射帯域がレーザダイオードの複
数の縦モードを含むこととなり、複数の縦モードが発振
することによって光出力が安定化する。さらに、ファイ
バグレーティングの反射スペクトルの半値幅は１０ｎｍ
以下であるので、波長を１０ｎｍ以下の精度で制御する
ことができる。
グレーティングの反射中心波長はカットオフ波長より長
波長側にあるので、高次横モードよりも基本横モードの
方が支配的となり、高次横モードの発振を抑えることが
できる。また、ファイバグレーティングの反射スペクト
ルの半値幅は縦モード間隔の２倍以上であるので、ファ
イバグレーティングの反射帯域がレーザダイオードの複
数の縦モードを含むこととなり、複数の縦モードが発振
することによって光出力が安定化する。さらに、ファイ
バグレーティングの反射スペクトルの半値幅は１０ｎｍ
以下であるので、波長を１０ｎｍ以下の精度で制御する
ことができる。
【０００８】本発明に基づくレーザダイオードモジュー
ルの他の局面においては、レーザダイオードと、上記レ
ーザダイオードの出射光の光路上に配置されたレンズ
と、上記レンズによる上記出射光の集光位置において入
射可能なように配置された光ファイバとを備え、上記光
ファイバは、ファイバグレーティングを含み、上記ファ
イバグレーティングの反射中心波長は、上記レーザダイ
オードの利得ピーク波長より２ｎｍ以上長く、上記ファ
イバグレーティングの反射スペクトルの半値幅は、上記
レーザダイオードの縦モード間隔の２倍から１０ｎｍま
での間である。
ルの他の局面においては、レーザダイオードと、上記レ
ーザダイオードの出射光の光路上に配置されたレンズ
と、上記レンズによる上記出射光の集光位置において入
射可能なように配置された光ファイバとを備え、上記光
ファイバは、ファイバグレーティングを含み、上記ファ
イバグレーティングの反射中心波長は、上記レーザダイ
オードの利得ピーク波長より２ｎｍ以上長く、上記ファ
イバグレーティングの反射スペクトルの半値幅は、上記
レーザダイオードの縦モード間隔の２倍から１０ｎｍま
での間である。
【０００９】上記構成を採用することにより、図５に示
した実験結果からわかるように、反射中心波長と利得ピ
ーク波長（レーザダイオード単体での発振中心波長）と
の差が２ｎｍを超えると、キンクフリー光出力最大値は
急激に増大するので、キンクフリー光出力最大値を効率
良く大きくすることができる。
した実験結果からわかるように、反射中心波長と利得ピ
ーク波長（レーザダイオード単体での発振中心波長）と
の差が２ｎｍを超えると、キンクフリー光出力最大値は
急激に増大するので、キンクフリー光出力最大値を効率
良く大きくすることができる。
【００１０】上記発明において好ましくは、上記レーザ
ダイオードの結晶成長層に平行な方向の基本横モード
と、上記光ファイバの基本横モードとが整合する倍率
を、基本横モード整合倍率とすると、上記レーザダイオ
ードと上記光ファイバとの結合倍率を、上記基本横モー
ド整合倍率と、上記結合効率が最大となる倍率との中間
の値となっている。この構成を採用することにより、図
１１に示した実験結果からわかるように、キンクフリー
光出力最大値は最大となる。
ダイオードの結晶成長層に平行な方向の基本横モード
と、上記光ファイバの基本横モードとが整合する倍率
を、基本横モード整合倍率とすると、上記レーザダイオ
ードと上記光ファイバとの結合倍率を、上記基本横モー
ド整合倍率と、上記結合効率が最大となる倍率との中間
の値となっている。この構成を採用することにより、図
１１に示した実験結果からわかるように、キンクフリー
光出力最大値は最大となる。
【００１１】上記発明において好ましくは、上記レーザ
ダイオードがリッジ導波路型であり、９８０ｎｍで発振
する。この構成を採用することにより、発振する波長が
９８０ｎｍであるので、光ファイバ増幅器の励起用光源
として用いることができる。
ダイオードがリッジ導波路型であり、９８０ｎｍで発振
する。この構成を採用することにより、発振する波長が
９８０ｎｍであるので、光ファイバ増幅器の励起用光源
として用いることができる。
【００１２】上記発明において好ましくは、上記レンズ
が、上記光ファイバの入射側の端部に設けられた円柱レ
ンズである。この構成を採用することにより、レンズ効
果を発揮する方向と垂直な方向については、倍率が１倍
となり、高次モードの励振を抑えることができる結果、
キンクフリー光出力最大値が上昇する。
が、上記光ファイバの入射側の端部に設けられた円柱レ
ンズである。この構成を採用することにより、レンズ効
果を発揮する方向と垂直な方向については、倍率が１倍
となり、高次モードの励振を抑えることができる結果、
キンクフリー光出力最大値が上昇する。
【００１３】
【発明の実施の形態】（実施の形態１） （構成）図１に、本実施の形態におけるレーザダイオー
ドモジュールを示す。このレーザダイオードモジュール
は、レーザダイオード１と、の出射光の光路上に配置さ
れたレンズとしての凸レンズ２と、凸レンズ２による出
射光の集光位置において入射可能なように配置された偏
波保存光ファイバ３とを備えている。偏波保存光ファイ
バ３は、その一部分として、紫外線照射により形成され
た短周期のファイバグレーティング４を有する。ファイ
バグレーティング４の反射中心波長は９８２ｎｍ、ピー
ク反射率は５％、反射スペクトルの半値幅は０．６ｎｍ
である。レーザダイオード１とファイバグレーティング
４との間隔は約１ｍである。
ドモジュールを示す。このレーザダイオードモジュール
は、レーザダイオード１と、の出射光の光路上に配置さ
れたレンズとしての凸レンズ２と、凸レンズ２による出
射光の集光位置において入射可能なように配置された偏
波保存光ファイバ３とを備えている。偏波保存光ファイ
バ３は、その一部分として、紫外線照射により形成され
た短周期のファイバグレーティング４を有する。ファイ
バグレーティング４の反射中心波長は９８２ｎｍ、ピー
ク反射率は５％、反射スペクトルの半値幅は０．６ｎｍ
である。レーザダイオード１とファイバグレーティング
４との間隔は約１ｍである。
【００１４】図２を参照して、レーザダイオード１自体
の構成について説明する。このレーザダイオード１は、
ＡｌＧａＡｓ半導体チップ５を母材とし、出射面側に
は、誘電体膜を多層に蒸着して形成した反射率１％の前
面反射ミラー６を有し、出射面の背面側には、誘電体膜
を多層に蒸着して形成した反射率９０％の後面反射ミラ
ー７を有する。ＡｌＧａＡｓ半導体チップ５の上側に
は、結晶成長によって形成された光導波路層８があり、
その上側には、エッチングにより形成されたリッジ９が
ある。このレーザダイオード１の発振するレーザ光は、
レーザ出射部１０から出射される。以下、説明のため、
図２におけるリッジ９に平行な方向をｚ軸とし、光導波
路層８に平行でｚ軸に垂直な方向をｘ軸とし、ｚ軸およ
びｘ軸に垂直な方向をｙ軸とする。
の構成について説明する。このレーザダイオード１は、
ＡｌＧａＡｓ半導体チップ５を母材とし、出射面側に
は、誘電体膜を多層に蒸着して形成した反射率１％の前
面反射ミラー６を有し、出射面の背面側には、誘電体膜
を多層に蒸着して形成した反射率９０％の後面反射ミラ
ー７を有する。ＡｌＧａＡｓ半導体チップ５の上側に
は、結晶成長によって形成された光導波路層８があり、
その上側には、エッチングにより形成されたリッジ９が
ある。このレーザダイオード１の発振するレーザ光は、
レーザ出射部１０から出射される。以下、説明のため、
図２におけるリッジ９に平行な方向をｚ軸とし、光導波
路層８に平行でｚ軸に垂直な方向をｘ軸とし、ｚ軸およ
びｘ軸に垂直な方向をｙ軸とする。
【００１５】なお、レーザダイオード１の発振する縦モ
ードの波長は、レーザダイオード１の温度や順電流によ
って変化するため、ファイバグレーティング４の反射中
心波長と縦モードの波長との関係は一定ではない。した
がって、全光出力の安定化のためには、ファイバグレー
ティング４の反射帯域がレーザダイオードの複数の縦モ
ードを含むように設計し、必ず複数の縦モードが発振す
るようにすることが必要である。したがって、そのよう
な観点からファイバグレーティング４の反射スペクトル
の半値幅は、レーザダイオード１の縦モード間隔０．１
４ｎｍの２倍以上である０．６ｎｍを選択している。ま
た、レーザダイオードモジュールにおいては、波長を１
０ｎｍ以下の精度で制御することが求められており、そ
のことから半値幅の上限も１０ｎｍ程度に限られる。し
たがって、ファイバグレーティングの反射スペクトルの
半値幅がレーザダイオードの縦モード間隔の２倍から１
０ｎｍの間にあることが、ファイバグレーティングで波
長を安定化する励起用光源にとっては必要である。
ードの波長は、レーザダイオード１の温度や順電流によ
って変化するため、ファイバグレーティング４の反射中
心波長と縦モードの波長との関係は一定ではない。した
がって、全光出力の安定化のためには、ファイバグレー
ティング４の反射帯域がレーザダイオードの複数の縦モ
ードを含むように設計し、必ず複数の縦モードが発振す
るようにすることが必要である。したがって、そのよう
な観点からファイバグレーティング４の反射スペクトル
の半値幅は、レーザダイオード１の縦モード間隔０．１
４ｎｍの２倍以上である０．６ｎｍを選択している。ま
た、レーザダイオードモジュールにおいては、波長を１
０ｎｍ以下の精度で制御することが求められており、そ
のことから半値幅の上限も１０ｎｍ程度に限られる。し
たがって、ファイバグレーティングの反射スペクトルの
半値幅がレーザダイオードの縦モード間隔の２倍から１
０ｎｍの間にあることが、ファイバグレーティングで波
長を安定化する励起用光源にとっては必要である。
【００１６】（動作の概要）レーザダイオード１からの
出射光であるレーザ光は、凸レンズ２で集光され、平行
光として、偏波保存光ファイバ３の内部を伝搬する。偏
波保存光ファイバ３の内部をファイバグレーティング４
まで伝搬したレーザ光は、ファイバグレーティング４に
より反射し、レーザダイオード１に再入射する。レーザ
ダイオード１におけるレーザの発振波長は、ファイバグ
レーティング４から戻ってきたレーザ光（以下、「反射
戻り光」という。）によって、９８２ｎｍ近傍にロック
され、レーザダイオード１に流れる順電流や温度に関ら
ず安定して９８２ｎｍ近傍で発振する。
出射光であるレーザ光は、凸レンズ２で集光され、平行
光として、偏波保存光ファイバ３の内部を伝搬する。偏
波保存光ファイバ３の内部をファイバグレーティング４
まで伝搬したレーザ光は、ファイバグレーティング４に
より反射し、レーザダイオード１に再入射する。レーザ
ダイオード１におけるレーザの発振波長は、ファイバグ
レーティング４から戻ってきたレーザ光（以下、「反射
戻り光」という。）によって、９８２ｎｍ近傍にロック
され、レーザダイオード１に流れる順電流や温度に関ら
ず安定して９８２ｎｍ近傍で発振する。
【００１７】ところで、レーザダイオード１とファイバ
グレーティング４との間隔は約１ｍであるので、ファイ
バグレーティング４からの反射戻り光の位相は乱れてい
る。したがって、このレーザダイオードモジュールの出
力するレーザ光のコヒーレンスは低下している。コヒー
レンスの低下は、通信などに用いる光源としては、雑音
増加の要因となり、好ましくない。しかし、光ファイバ
増幅器の励起用光源として用いる場合には、このような
雑音は問題とならず、むしろ出力や波長に関しては、外
乱に対して適度に安定しているために、かえって好都合
であるといえる。
グレーティング４との間隔は約１ｍであるので、ファイ
バグレーティング４からの反射戻り光の位相は乱れてい
る。したがって、このレーザダイオードモジュールの出
力するレーザ光のコヒーレンスは低下している。コヒー
レンスの低下は、通信などに用いる光源としては、雑音
増加の要因となり、好ましくない。しかし、光ファイバ
増幅器の励起用光源として用いる場合には、このような
雑音は問題とならず、むしろ出力や波長に関しては、外
乱に対して適度に安定しているために、かえって好都合
であるといえる。
【００１８】（発振の仕組み）ＡｌＧａＡｓ半導体チッ
プ５は、順電流の供給とともに９７５ｎｍ近傍に利得を
有する利得媒体である。この利得媒体が、前面反射ミラ
ー６と、後面反射ミラー７とによって挟まれることによ
って、共振器を形成し、レーザダイオード１単体では９
７５ｎｍ近傍で発振する。レーザ光は、ｘ方向には、リ
ッジ９によって発生する実効屈折率差によって、約３．
７μｍの幅に閉じ込められ、ｙ方向には、光導波路層８
によって、約１．６μｍの幅に閉じ込められている。レ
ーザダイオード１から生じるレーザ光は、共振器長Ｌと
波長λおよび実効屈折率ｎeffにより、式（１）で表さ
れる間隔Δλの複数の縦モード、すなわち、ｚ方向に発
振する。
プ５は、順電流の供給とともに９７５ｎｍ近傍に利得を
有する利得媒体である。この利得媒体が、前面反射ミラ
ー６と、後面反射ミラー７とによって挟まれることによ
って、共振器を形成し、レーザダイオード１単体では９
７５ｎｍ近傍で発振する。レーザ光は、ｘ方向には、リ
ッジ９によって発生する実効屈折率差によって、約３．
７μｍの幅に閉じ込められ、ｙ方向には、光導波路層８
によって、約１．６μｍの幅に閉じ込められている。レ
ーザダイオード１から生じるレーザ光は、共振器長Ｌと
波長λおよび実効屈折率ｎeffにより、式（１）で表さ
れる間隔Δλの複数の縦モード、すなわち、ｚ方向に発
振する。
【００１９】
【数１】
【００２０】たとえば、Ｌ＝１ｍｍ，ｎeff＝３．６，
λ＝９８０ｎｍを式（１）に代入して計算すると、その
縦モード間隔Δλは、約０．１４ｎｍとなる。一般に、
このようなレーザを１００ｍＷ以上の出力で動作させる
と、光スペクトルは、約１０ｎｍに渡って広がり、発振
する縦モードの本数も数十本になる。
λ＝９８０ｎｍを式（１）に代入して計算すると、その
縦モード間隔Δλは、約０．１４ｎｍとなる。一般に、
このようなレーザを１００ｍＷ以上の出力で動作させる
と、光スペクトルは、約１０ｎｍに渡って広がり、発振
する縦モードの本数も数十本になる。
【００２１】一方、ｘ方向およびｙ方向は横モードと呼
ばれ、もっとも低次の単峰単一モードだけで発振するこ
とが、レーザ共振器のクオリティ（Ｑ値）を高め、偏波
保存光ファイバ３との光学的結合効率を高めるために必
須である。リッジ９および光導波路層８の形状を設計す
る際には、そのことを考慮して、高次の横モードが伝搬
しないようになっている。
ばれ、もっとも低次の単峰単一モードだけで発振するこ
とが、レーザ共振器のクオリティ（Ｑ値）を高め、偏波
保存光ファイバ３との光学的結合効率を高めるために必
須である。リッジ９および光導波路層８の形状を設計す
る際には、そのことを考慮して、高次の横モードが伝搬
しないようになっている。
【００２２】しかし、このような単一横モードは、レー
ザダイオード１に流す順電流が３８０ｍＡ以下の低電流
領域についてのみ成立することが知られている。光導波
路層８は、結晶成長によって形成されており、高電流に
おいても単一横モードを保つため、ｙ方向には安定した
単一横モードが得られるが、ｘ方向の閉じ込めは比較的
弱く、高い電流を流すと高次モードでも発振するように
なる。そのため、レーザ光の形状や出射方向が歪む現象
である、「ビームステアリング」が発生する。このよう
なビームステアリングが生じると、レーザ光を光ファイ
バと結合させた場合に光ファイバ内の光出力とレーザダ
イオードに流す順電流の間の直線性が失われる。このた
め、使用可能な光出力の上限は制限される。ビームステ
アリングの発生によって、光ファイバ内の光出力とレー
ザダイオードに流す順電流の間の直線性が失われる現象
は、「キンク」と呼ばれている。
ザダイオード１に流す順電流が３８０ｍＡ以下の低電流
領域についてのみ成立することが知られている。光導波
路層８は、結晶成長によって形成されており、高電流に
おいても単一横モードを保つため、ｙ方向には安定した
単一横モードが得られるが、ｘ方向の閉じ込めは比較的
弱く、高い電流を流すと高次モードでも発振するように
なる。そのため、レーザ光の形状や出射方向が歪む現象
である、「ビームステアリング」が発生する。このよう
なビームステアリングが生じると、レーザ光を光ファイ
バと結合させた場合に光ファイバ内の光出力とレーザダ
イオードに流す順電流の間の直線性が失われる。このた
め、使用可能な光出力の上限は制限される。ビームステ
アリングの発生によって、光ファイバ内の光出力とレー
ザダイオードに流す順電流の間の直線性が失われる現象
は、「キンク」と呼ばれている。
【００２３】（発明者らによる検討）図１に示すような
構成のレーザダイオードモジュールにおいては、キンク
の発生は、ファイバグレーティング４の反射中心波λfg
と関係が深いことが発明者らによって実験的に明らかに
された。
構成のレーザダイオードモジュールにおいては、キンク
の発生は、ファイバグレーティング４の反射中心波λfg
と関係が深いことが発明者らによって実験的に明らかに
された。
【００２４】図３に、ファイバ内光出力Ｐfとレーザダ
イオードに流した順電流Ｉfとの関係を示す。図中に描
かれた３本の線は、それぞれλfgが９７６．５ｎｍ，９
８１ｎｍ，９８５ｎｍのときのＰf―Ｉf特性を示したも
のである。図３から、λfgが大きくなるに連れて、キン
クフリー光出力最大値も大きくなっていることがわか
る。このレーザダイオード素子は、ファイバグレーティ
ングを設けない状態でも、Ｉf＝３８０ｎｍにおいて素
子自体のビームステアリングにより、キンクが発生する
特性を有するものであるが、図３から、９８５ｎｍのフ
ァイバグレーティングを設けた場合には、設けない場合
とほぼ同等のキンクフリー光出力最大値となっているこ
とがわかる。反射中心波λfgとキンクフリー光出力最大
値との関係がこのようになるのは、ファイバグレーティ
ングによる反射戻り光が存在するときにはレーザダイオ
ードの高次モードが発振しやすくなるためである。
イオードに流した順電流Ｉfとの関係を示す。図中に描
かれた３本の線は、それぞれλfgが９７６．５ｎｍ，９
８１ｎｍ，９８５ｎｍのときのＰf―Ｉf特性を示したも
のである。図３から、λfgが大きくなるに連れて、キン
クフリー光出力最大値も大きくなっていることがわか
る。このレーザダイオード素子は、ファイバグレーティ
ングを設けない状態でも、Ｉf＝３８０ｎｍにおいて素
子自体のビームステアリングにより、キンクが発生する
特性を有するものであるが、図３から、９８５ｎｍのフ
ァイバグレーティングを設けた場合には、設けない場合
とほぼ同等のキンクフリー光出力最大値となっているこ
とがわかる。反射中心波λfgとキンクフリー光出力最大
値との関係がこのようになるのは、ファイバグレーティ
ングによる反射戻り光が存在するときにはレーザダイオ
ードの高次モードが発振しやすくなるためである。
【００２５】図４に、ファイバグレーティングによる反
射戻り光が存在する場合の光スペクトルを示す。図４か
らは、各縦モードが３０ｐｍ間隔で双峰になっているこ
とがわかる。これは、ｘ方向の高次横モードの発生を裏
付けている。双峰のピークのうち、長波長側にあるのが
基本横モード、短波長側にあるのが高次横モードであ
る。９８５ｎｍを境にそれより長波長の縦モードにおい
ては、基本横モードが強く、それより短波長の縦モード
においては、高次横モードが強くなっている。
射戻り光が存在する場合の光スペクトルを示す。図４か
らは、各縦モードが３０ｐｍ間隔で双峰になっているこ
とがわかる。これは、ｘ方向の高次横モードの発生を裏
付けている。双峰のピークのうち、長波長側にあるのが
基本横モード、短波長側にあるのが高次横モードであ
る。９８５ｎｍを境にそれより長波長の縦モードにおい
ては、基本横モードが強く、それより短波長の縦モード
においては、高次横モードが強くなっている。
【００２６】ここで、基本横モードと高次横モードの利
得が等しくなる波長を「カットオフ波長」と呼ぶことに
する。図４の結果では、カットオフ波長の長波長側で
は、基本横モードが高次横モードより強く、高次横モー
ドを抑えている。したがって、図４の結果は、カットオ
フ波長以上の反射中心波長を有するファイバグレーティ
ングで発振波長をロックすることにより、高次横モード
の発振を抑えることができ、キンクフリー光出力を高め
ることができることを示している。
得が等しくなる波長を「カットオフ波長」と呼ぶことに
する。図４の結果では、カットオフ波長の長波長側で
は、基本横モードが高次横モードより強く、高次横モー
ドを抑えている。したがって、図４の結果は、カットオ
フ波長以上の反射中心波長を有するファイバグレーティ
ングで発振波長をロックすることにより、高次横モード
の発振を抑えることができ、キンクフリー光出力を高め
ることができることを示している。
【００２７】図５に、ファイバグレーティングからの反
射のない状態、すなわち、レーザダイオード単体での発
振中心波長（「利得ピーク波長」ともいう。）λld、フ
ァイバグレーティングの反射中心波長λfg、およびキン
クフリー光出力最大値Ｐfkin kの間の関係をいくつかの
異なる素子およびファイバグレーティングの組み合わせ
について測定した結果を示す。横軸には反射中心波長と
発振中心波長との差λ fg−λldをとっている。図５か
ら、カットオフ波長以下の領域においても、λfg−λld
とキンクフリー光出力最大値Ｐfkinkとの間には相関が
あることがわかる。特に、λfg−λld＞２ｎｍの領域に
おいては、λfgが大きくなるにつれてＰfk inkが急激に
増大することがわかる。
射のない状態、すなわち、レーザダイオード単体での発
振中心波長（「利得ピーク波長」ともいう。）λld、フ
ァイバグレーティングの反射中心波長λfg、およびキン
クフリー光出力最大値Ｐfkin kの間の関係をいくつかの
異なる素子およびファイバグレーティングの組み合わせ
について測定した結果を示す。横軸には反射中心波長と
発振中心波長との差λ fg−λldをとっている。図５か
ら、カットオフ波長以下の領域においても、λfg−λld
とキンクフリー光出力最大値Ｐfkinkとの間には相関が
あることがわかる。特に、λfg−λld＞２ｎｍの領域に
おいては、λfgが大きくなるにつれてＰfk inkが急激に
増大することがわかる。
【００２８】したがって、光ファイバ増幅器の吸収特性
などの制約から、ファイバグレーティングの反射中心波
長λfgをカットオフ波長より長波長側に設定することが
できない状況下であっても、λfg−λld＞２ｎｍとなる
ように設定することにより、キンクフリー光出力最大値
を大きくすることができる。
などの制約から、ファイバグレーティングの反射中心波
長λfgをカットオフ波長より長波長側に設定することが
できない状況下であっても、λfg−λld＞２ｎｍとなる
ように設定することにより、キンクフリー光出力最大値
を大きくすることができる。
【００２９】なお、この関係を安定して実現するには、
意図的に発振中心波長λldをロックしたい波長λfgより
所望波長分だけ短波長側にずらしてレーザダイオードを
作製すればよい。一般に、光ファイバ増幅器の励起用光
源として用いるような場合にはλfgを９８０ｎｍに設定
するため、λldを９７０ｎｍ近傍まで短波長側にずらす
こととすれば、たとえ温度や湿度の変化があっても、キ
ンクフリー光出力最大値を十分に高めることができる。
意図的に発振中心波長λldをロックしたい波長λfgより
所望波長分だけ短波長側にずらしてレーザダイオードを
作製すればよい。一般に、光ファイバ増幅器の励起用光
源として用いるような場合にはλfgを９８０ｎｍに設定
するため、λldを９７０ｎｍ近傍まで短波長側にずらす
こととすれば、たとえ温度や湿度の変化があっても、キ
ンクフリー光出力最大値を十分に高めることができる。
【００３０】（光学的結合状態）キンクの発生は、ｘ方
向の高次横モードの発生に起因する。このため、凸レン
ズ２による光学的結合状態によっても影響を受ける。図
６を参照して、レーザダイオード１と偏波保存光ファイ
バ３との光学的結合状態について説明する。図６に示す
レーザダイオードモジュールは、レーザダイオード１
と、凸レンズ２と、偏波保存光ファイバ３とを備えてい
る。図６に示すように距離ａ，ｂをとり、凸レンズ２の
焦点距離をｆとすると、これらのパラメータ間には、式
（２）で与えられる関係がある。
向の高次横モードの発生に起因する。このため、凸レン
ズ２による光学的結合状態によっても影響を受ける。図
６を参照して、レーザダイオード１と偏波保存光ファイ
バ３との光学的結合状態について説明する。図６に示す
レーザダイオードモジュールは、レーザダイオード１
と、凸レンズ２と、偏波保存光ファイバ３とを備えてい
る。図６に示すように距離ａ，ｂをとり、凸レンズ２の
焦点距離をｆとすると、これらのパラメータ間には、式
（２）で与えられる関係がある。
【００３１】
【数２】
【００３２】このとき、ａおよびｂにより式（３）で与
えられる倍率（以下、「結合倍率」という。）ｍは、単
一横モード同士の光学的結合効率を決める重要なパラメ
ータである。
えられる倍率（以下、「結合倍率」という。）ｍは、単
一横モード同士の光学的結合効率を決める重要なパラメ
ータである。
【００３３】
【数３】
【００３４】レーザダイオード１からのレーザ出射部１
０は、ｘ方向３．７μｍ、ｙ方向１．６μｍの楕円形状
をしている。よって、レーザの平均ビーム径は、相乗平
均値√（３．７×１．６）＝２．４３μｍとなる。これ
に対して、偏波保存光ファイバ３のビーム径は、ｘ，ｙ
方向とも６μｍである。したがって、ｘ方向にもｙ方向
にも横モード不整合を緩和するためには、ｍ＝６／２．
４３＝２．５倍程度とすることが好ましい。しかし、本
実施の形態においては、結合倍率ｍを２倍近傍にするこ
とによって、ｙ方向の横モード不整合による損失よりも
ｘ方向の横モード整合を優先させている。図７〜図１０
に４種類の結合倍率に対するＰｆ―Ｉｆ特性の測定結果
を示す。図９に示すように、結合倍率２．０１倍におい
てはＩｆ＝４００ｍＡまでキンクフリー動作が実現でき
ていることがわかる。結合倍率が大きくなればなるほ
ど、ファイバグレーティングからの反射戻り光のビーム
径が細くなるとともにレーザダイオードへの入射端面に
おける広がりの度合いが大きくなる。したがって、結合
倍率の増大につれて、ｘ方向の高次の横モードが励振し
やすくなる。
０は、ｘ方向３．７μｍ、ｙ方向１．６μｍの楕円形状
をしている。よって、レーザの平均ビーム径は、相乗平
均値√（３．７×１．６）＝２．４３μｍとなる。これ
に対して、偏波保存光ファイバ３のビーム径は、ｘ，ｙ
方向とも６μｍである。したがって、ｘ方向にもｙ方向
にも横モード不整合を緩和するためには、ｍ＝６／２．
４３＝２．５倍程度とすることが好ましい。しかし、本
実施の形態においては、結合倍率ｍを２倍近傍にするこ
とによって、ｙ方向の横モード不整合による損失よりも
ｘ方向の横モード整合を優先させている。図７〜図１０
に４種類の結合倍率に対するＰｆ―Ｉｆ特性の測定結果
を示す。図９に示すように、結合倍率２．０１倍におい
てはＩｆ＝４００ｍＡまでキンクフリー動作が実現でき
ていることがわかる。結合倍率が大きくなればなるほ
ど、ファイバグレーティングからの反射戻り光のビーム
径が細くなるとともにレーザダイオードへの入射端面に
おける広がりの度合いが大きくなる。したがって、結合
倍率の増大につれて、ｘ方向の高次の横モードが励振し
やすくなる。
【００３５】図１１に、結合倍率、結合効率およびキン
クフリー光出力最大値の関係を実験的に求めた結果を示
す。理論的に結合効率の最も高くなる結合倍率である
２．５倍より低い結合倍率であって、ｘ方向横モードの
整合する倍率である６／３．７＝１．６倍よりも高倍率
になるように凸レンズを配置することにより、もっとも
高いキンクフリー光出力最大値が得られる。すなわち、
図７〜図１０のうち、結合倍率２．０１倍において、最
も高いキンクフリー光出力最大値が得られることが、こ
のことからも裏付けられる。
クフリー光出力最大値の関係を実験的に求めた結果を示
す。理論的に結合効率の最も高くなる結合倍率である
２．５倍より低い結合倍率であって、ｘ方向横モードの
整合する倍率である６／３．７＝１．６倍よりも高倍率
になるように凸レンズを配置することにより、もっとも
高いキンクフリー光出力最大値が得られる。すなわち、
図７〜図１０のうち、結合倍率２．０１倍において、最
も高いキンクフリー光出力最大値が得られることが、こ
のことからも裏付けられる。
【００３６】なお、理論的には、結合効率の最も高くな
る結合倍率は２．５倍であるにもかかわらず、図１１
で、２．５倍以上でさらに結合効率が増加しているの
は、使用した凸レンズが、４．５倍において最も低収差
となる凸レンズであって、２．５倍では収差が大きくな
っていたためである。
る結合倍率は２．５倍であるにもかかわらず、図１１
で、２．５倍以上でさらに結合効率が増加しているの
は、使用した凸レンズが、４．５倍において最も低収差
となる凸レンズであって、２．５倍では収差が大きくな
っていたためである。
【００３７】（実施の形態２）実施の形態１では、たと
えば、結合倍率２．０１倍とするときは、ｘ方向，ｙ方
向ともに結合倍率２．０１倍の凸レンズを用いた。ｘ方
向とｙ方向には異なった倍率を設定してもよい。図１２
に本実施の形態におけるレーザダイオードモジュールを
示す。このレーザダイオードモジュールは、凸レンズ２
（図１参照）の代りに、偏波保存光ファイバ３の入射側
端面を円柱レンズ状に形成した円柱レンズ部１１を備え
ている。他の部分の構成は、実施の形態１におけるレー
ザダイオードモジュールと同じである。
えば、結合倍率２．０１倍とするときは、ｘ方向，ｙ方
向ともに結合倍率２．０１倍の凸レンズを用いた。ｘ方
向とｙ方向には異なった倍率を設定してもよい。図１２
に本実施の形態におけるレーザダイオードモジュールを
示す。このレーザダイオードモジュールは、凸レンズ２
（図１参照）の代りに、偏波保存光ファイバ３の入射側
端面を円柱レンズ状に形成した円柱レンズ部１１を備え
ている。他の部分の構成は、実施の形態１におけるレー
ザダイオードモジュールと同じである。
【００３８】図１２に示した例では、円柱レンズ部１１
は、ｙ方向にのみレンズ効果を発揮するため、ｘ方向の
倍率は１倍となり、高次モードの励振を抑えることがで
きる。その結果、キンクフリー光出力最大値が上昇す
る。
は、ｙ方向にのみレンズ効果を発揮するため、ｘ方向の
倍率は１倍となり、高次モードの励振を抑えることがで
きる。その結果、キンクフリー光出力最大値が上昇す
る。
【００３９】なお、今回開示した上記実施の形態はすべ
ての点で例示であって制限的なものではない。本発明の
範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって
示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での
すべての変更を含むものである。
ての点で例示であって制限的なものではない。本発明の
範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって
示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での
すべての変更を含むものである。
【００４０】
【発明の効果】ファイバグレーティングの反射中心波長
は、上記レーザダイオードのカットオフ波長より長波長
側にあるので、高次横モードよりも基本横モードの方が
支配的となり、高次横モードの発振を抑えることができ
る。また、ファイバグレーティングの反射スペクトルの
半値幅は縦モード間隔の２倍以上であるので、ファイバ
グレーティングの反射帯域がレーザダイオードの複数の
縦モードを含むこととなり、複数の縦モードが発振する
ことによって光出力が安定化する。さらに、ファイバグ
レーティングの反射スペクトルの半値幅は１０ｎｍ以下
であるので、波長を１０ｎｍ以下の精度で制御すること
ができる。その結果、ファイバグレーティングにより使
用波長を所望の値にロックした状況下においても、キン
クフリー光出力最大値が十分高くなるレーザダイオード
モジュールを得ることができる。
は、上記レーザダイオードのカットオフ波長より長波長
側にあるので、高次横モードよりも基本横モードの方が
支配的となり、高次横モードの発振を抑えることができ
る。また、ファイバグレーティングの反射スペクトルの
半値幅は縦モード間隔の２倍以上であるので、ファイバ
グレーティングの反射帯域がレーザダイオードの複数の
縦モードを含むこととなり、複数の縦モードが発振する
ことによって光出力が安定化する。さらに、ファイバグ
レーティングの反射スペクトルの半値幅は１０ｎｍ以下
であるので、波長を１０ｎｍ以下の精度で制御すること
ができる。その結果、ファイバグレーティングにより使
用波長を所望の値にロックした状況下においても、キン
クフリー光出力最大値が十分高くなるレーザダイオード
モジュールを得ることができる。
【図１】 本発明に基づく実施の形態１におけるレーザ
ダイオードモジュールの概略の構造図である。
ダイオードモジュールの概略の構造図である。
【図２】 本発明に基づく実施の形態１におけるレーザ
ダイオードの斜視図である。
ダイオードの斜視図である。
【図３】 本発明に基づく実施の形態１におけるレーザ
ダイオードモジュールの、ファイバ内光出力とレーザダ
イオードに流した順電流との関係を示すグラフである。
ダイオードモジュールの、ファイバ内光出力とレーザダ
イオードに流した順電流との関係を示すグラフである。
【図４】 本発明に基づく実施の形態１におけるレーザ
ダイオードモジュールの、ファイバグレーティングによ
る反射戻り光が存在する場合の光スペクトルを示すグラ
フである。
ダイオードモジュールの、ファイバグレーティングによ
る反射戻り光が存在する場合の光スペクトルを示すグラ
フである。
【図５】 本発明に基づく実施の形態１におけるレーザ
ダイオードモジュールの、ファイバグレーティングの反
射中心波長とレーザダイオード単体での発振中心波長と
の差と、キンクフリー光出力最大値との関係を示すグラ
フである。
ダイオードモジュールの、ファイバグレーティングの反
射中心波長とレーザダイオード単体での発振中心波長と
の差と、キンクフリー光出力最大値との関係を示すグラ
フである。
【図６】 本発明に基づく実施の形態１におけるレーザ
ダイオードモジュールの、レーザダイオードと偏波保存
光ファイバとの光学的結合状態の説明図である。
ダイオードモジュールの、レーザダイオードと偏波保存
光ファイバとの光学的結合状態の説明図である。
【図７】 本発明に基づく実施の形態１のレーザダイオ
ードモジュールにおける、結合倍率３．２５倍のときの
Ｐｆ―Ｉｆ特性の測定結果を示すグラフである。
ードモジュールにおける、結合倍率３．２５倍のときの
Ｐｆ―Ｉｆ特性の測定結果を示すグラフである。
【図８】 本発明に基づく実施の形態１のレーザダイオ
ードモジュールにおける、結合倍率２．６７倍のときの
Ｐｆ―Ｉｆ特性の測定結果を示すグラフである。
ードモジュールにおける、結合倍率２．６７倍のときの
Ｐｆ―Ｉｆ特性の測定結果を示すグラフである。
【図９】 本発明に基づく実施の形態１のレーザダイオ
ードモジュールにおける、結合倍率２．０１倍のときの
Ｐｆ―Ｉｆ特性の測定結果を示すグラフである。
ードモジュールにおける、結合倍率２．０１倍のときの
Ｐｆ―Ｉｆ特性の測定結果を示すグラフである。
【図１０】 本発明に基づく実施の形態１のレーザダイ
オードモジュールにおける、結合倍率１．６７倍のとき
のＰｆ―Ｉｆ特性の測定結果を示すグラフである。
オードモジュールにおける、結合倍率１．６７倍のとき
のＰｆ―Ｉｆ特性の測定結果を示すグラフである。
【図１１】 本発明に基づく実施の形態１のレーザダイ
オードモジュールにおける、結合倍率、結合効率および
キンクフリー光出力最大値の関係を実験的に求めた結果
を示すグラフである。
オードモジュールにおける、結合倍率、結合効率および
キンクフリー光出力最大値の関係を実験的に求めた結果
を示すグラフである。
【図１２】 本発明に基づく実施の形態２におけるレー
ザダイオードモジュールの概略の構造図である。
ザダイオードモジュールの概略の構造図である。
【図１３】 従来技術に基づくレーザダイオードモジュ
ールの概略の構造図である。
ールの概略の構造図である。
【図１４】 ファイバ端光出力とレーザダイオード順電
流Ｉｆとの関係を示すグラフである。
流Ｉｆとの関係を示すグラフである。
１ レーザダイオード、２ 凸レンズ、３ 偏波保存光
ファイバ、４ ファイバグレーティング、５ ＡｌＧａ
Ａｓ半導体チップ、６ 前面反射ミラー、８光導波路
層、９ リッジ、１０ レーザ出射部、１１ 円柱レン
ズ部、１２ 光ファイバ。
ファイバ、４ ファイバグレーティング、５ ＡｌＧａ
Ａｓ半導体チップ、６ 前面反射ミラー、８光導波路
層、９ リッジ、１０ レーザ出射部、１１ 円柱レン
ズ部、１２ 光ファイバ。
Claims (5)
- 【請求項１】 レーザダイオードと、 前記レーザダイオードの出射光の光路上に配置されたレ
ンズと、 前記レンズによる前記出射光の集光位置において入射可
能なように配置された光ファイバとを備え、 前記光ファイバは、ファイバグレーティングを含み、 前記ファイバグレーティングの反射中心波長は、前記レ
ーザダイオードのカットオフ波長より長く、 前記ファイバグレーティングの反射スペクトルの半値幅
は、前記レーザダイオードの縦モード間隔の２倍から１
０ｎｍまでの間である、レーザダイオードモジュール。 - 【請求項２】 レーザダイオードと、 前記レーザダイオードの出射光の光路上に配置されたレ
ンズと、 前記レンズによる前記出射光の集光位置において入射可
能なように配置された光ファイバとを備え、 前記光ファイバは、ファイバグレーティングを含み、 前記ファイバグレーティングの反射中心波長は、前記レ
ーザダイオードの利得ピーク波長より２ｎｍ以上長く、 前記ファイバグレーティングの反射スペクトルの半値幅
は、前記レーザダイオードの縦モード間隔の２倍から１
０ｎｍまでの間である、レーザダイオードモジュール。 - 【請求項３】 前記レーザダイオードの結晶成長層に平
行な方向の基本横モードと、前記光ファイバの基本横モ
ードとが整合する倍率を、基本横モード整合倍率とする
と、前記レーザダイオードと前記光ファイバとの結合倍
率を、前記基本横モード整合倍率と、前記結合効率が最
大となる倍率との中間の値とした、請求項１または２に
記載のレーザダイオードモジュール。 - 【請求項４】 前記レーザダイオードがリッジ導波路型
であり、９８０ｎｍで発振する、請求項３に記載のレー
ザダイオードモジュール。 - 【請求項５】 前記レンズが、前記光ファイバの入射側
の端部に設けられた円柱レンズである、請求項１または
２に記載のレーザダイオードモジュール。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000058828A JP2001251014A (ja) | 2000-03-03 | 2000-03-03 | レーザダイオードモジュール |
| CA002338905A CA2338905C (en) | 2000-03-03 | 2001-02-28 | Laser diode module |
| US09/796,559 US6556597B2 (en) | 2000-03-03 | 2001-03-02 | Laser diode module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000058828A JP2001251014A (ja) | 2000-03-03 | 2000-03-03 | レーザダイオードモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001251014A true JP2001251014A (ja) | 2001-09-14 |
Family
ID=18579364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000058828A Pending JP2001251014A (ja) | 2000-03-03 | 2000-03-03 | レーザダイオードモジュール |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6556597B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001251014A (ja) |
| CA (1) | CA2338905C (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6563983B2 (en) * | 2001-03-02 | 2003-05-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Laser diode module |
| JP5639256B1 (ja) * | 2013-12-27 | 2014-12-10 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザ装置の設計方法、ラマンアンプの設計方法、半導体レーザ装置の製造方法、半導体レーザ装置、ラマンアンプ、及び光通信システム |
| US9276374B2 (en) | 2011-06-02 | 2016-03-01 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Laser apparatus |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100575966B1 (ko) * | 2003-12-18 | 2006-05-02 | 삼성전자주식회사 | 광대역 광원 |
| WO2006016410A1 (ja) * | 2004-08-12 | 2006-02-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 基本波光源及び波長変換器 |
| US11761797B2 (en) * | 2017-10-02 | 2023-09-19 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Optical fiber with microgratings for increased measurable strain range |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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