JP2001250348A - 圧電素子の固定構造、ヘッドの支持機構および情報記録装置 - Google Patents

圧電素子の固定構造、ヘッドの支持機構および情報記録装置

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JP2001250348A
JP2001250348A JP2000059677A JP2000059677A JP2001250348A JP 2001250348 A JP2001250348 A JP 2001250348A JP 2000059677 A JP2000059677 A JP 2000059677A JP 2000059677 A JP2000059677 A JP 2000059677A JP 2001250348 A JP2001250348 A JP 2001250348A
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head
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film piezoelectric
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より子 ▲高▼井
Yoriko Takai
Hideki Kuwajima
秀樹 桑島
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 情報記録装置のヘッド駆動機構において、圧
電素子によってヘッドを変位させる際に、圧電素子を基
板に接着させる接着剤の影響を受けない。 【解決手段】 薄く構成された薄膜圧電素子21を薄膜
圧電素子用基板28上に接着剤33によって接着して、
薄膜圧電素子33の長手方向の伸縮によって薄膜圧電素
子用基板28を反らせることによって、ヘッドが設けら
れたスライダを、基板の反り方向とはほぼ直交する方向
に微小変位させる。接着剤33は、薄膜圧電素子21の
厚さの2.5倍〜25倍の厚さになっている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ヘッドにより情報
を記録再生する磁気ディスク装置等の情報記録装置にお
いて、ヘッドを圧電素子によって微小駆動させるヘッド
支持機構に使用される圧電素子の固定構造、および、ヘ
ッドの支持機構、並びに、情報記録装置に関する。
【0002】
【従来の技術】磁気ディスク装置は、大容量かつ高速転
送レート、高速ランダムアクセス性能を生かして、コン
ピューターの主要な外部記録装置として使用されてい
る。特に、最近の磁気ディスク装置における記録の大容
量化の進展は著しく、年率60%程度の割合で、磁気デ
ィスクは高密度化されている。このように、磁気ディス
クの高密度化に伴って、磁気ディスクに記録されるビッ
トセルも微細化されており、磁気ディスクに設けられる
トラックも狭小化する必要がある。例えば、面記録密度
20〜40Gbits/in2におけるトラックピッチ
は、0.35μm以下のサブミクロン寸法が必要となる
と予想される。このため、このように狭小化されたトラ
ックにおける情報の記録再生時信号の安定化を図るため
に、ヘッドのトラッキング制御をさらに高精度化および
高速化することが要求されている。
【0003】一般的な磁気ディスク装置では、情報を磁
気ディスクに記録するとともに、磁気ディスクから再生
するヘッドをスライダーに設けて、このスライダーをヘ
ッド支持機構によって支持する構成になっており、この
ヘッド支持機構を駆動手段によって駆動することによ
り、ヘッドを磁気ディスクの所定位置にトラッキングす
るようになっている。従来の磁気ディスク装置では、通
常、この駆動手段が、回転型VCM(ボイスコイルモー
ター)によって構成されている。しかしながら、前述し
たように、サブミクロン寸法の狭小化されたトラックに
対応してヘッドを高精度でトラッキングするには、この
ような回転型VCMによって構成された駆動手段のみで
は限界があり、このような駆動手段とともに、第2の副
駆動手段を併用する各種構成が提案されている。
【0004】このような副駆動手段を併用したヘッド支
持機構の概略構成について次に説明する。図7は、副駆
動手段を有する従来の磁気ディスク装置のヘッド支持機
構の一例を示す平面図である。回転駆動される図示しな
い磁気ディスクに対するデータの記録/再生を行うヘッ
ド102は、サスペンションアーム104の一方の端部
に支持されている。サスペンションアーム104の他方
の端部は、キャリッジ106の先端部に設けられた突起
108に対して、この突起108を中心に微小角の範囲
内で回動可能に支持されている。キャリッジ106の基
端部は、磁気ディスク装置のケースに対して固定される
軸部材110によって、回動可能に支持されている。
【0005】キャリッジ106には、永久磁石(図示せ
ず)が固定されており、ケース側に固定された磁気回路
112の一部である駆動コイル114に対する励磁電流
を制御することによって、この永久磁石に対して、キャ
リッジ106が、軸部材110に対して回動するように
なっている。これにより、第1の主駆動手段が構成さ
れ、ヘッド102が、磁気ディスクにおいて実質的に半
径方向に沿って移動される。
【0006】キャリッジ106とサスペンションアーム
104との間には、一対の圧電素子116が設けられて
いる。各圧電素子116は、キャリッジ106の長手方
向に対して、それぞれの長手方向が相反する方向に若干
傾斜した状態で取り付けられている。そして、各圧電素
子116を、それぞれ、図7に矢印A14で示す方向に
伸縮させることによって、サスペンションアーム104
が、キャリッジ106に対して突起108を中心に、キ
ャリッジ106の表面に沿って、微小角度の範囲内で回
動する。これにより、第2の副駆動手段が構成され、サ
スペンションアーム104の先端部に取り付けられたヘ
ッド102は、磁気ディスクの表面に沿って微小な範囲
で変位され、磁気ディスク上の任意の位置にて高精度
で、しかも、高速で位置決めされる。
【0007】このように、ヘッド支持機構において、ヘ
ッド102を駆動させるために、主駆動手段と副駆動手
段とを併用する構成によって、ヘッドを微小変位させる
ことができる。しかしながら、磁気ディスクにおけるト
ラック密度が向上し、さらに高速なトラッキングが要求
されると、副駆動手段によって、より大きな範囲にわた
ってヘッドを駆動することが必要になる。その場合に
は、副駆動手段を構成する圧電素子の変位を、ヘッドの
変位に効率的に変換する機構が必要になる。
【0008】このために、薄く構成された薄膜圧電素子
を基板上に接着して、圧電素子の長手方向の伸縮によっ
て基板を反らせることによって、ヘッドが設けられたス
ライダを、基板の反り方向とはほぼ直交する方向に微小
変位させる構成が提案されている。これにより、圧電素
子の変位を、効果的にヘッドがもうけられたスライダに
伝えることができる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成では、圧電素子の特性が一定になっていても、
ヘッドの所望の変位特性、周波数特性等を得ることがで
きないおそれがある。なお、周波数特性とは、ヘッドが
微小変位する速度を周波数で表したものであり、ヘッド
のトラッキングの速度に対応する特性をいう。
【0010】このように、ヘッドが所望の変位特性、周
波数特性等にならない原因として、次のことが挙げられ
る。
【0011】第1の原因は、圧電素子を基板に固定する
接着剤の厚さである。図7に示す従来のヘッド支持機構
では、圧電素子116によるヘッドの変位量は、0.5
μm程度のわずかな微小範囲であるため、圧電素子と基
板とを接着する接着剤の厚さは無視することができる。
しかしながら、圧電素子と基板とを接着剤によって接着
して、基板を反らせることによって、ヘッドをその反り
の方向とはほぼ直交する方向に変位させる構成では、圧
電素子によるヘッドの変位量が、磁気ディスクの数トラ
ックピッチに相当する1μm程度になるために、接着剤
の厚さによる影響を無視することができない。
【0012】第2の原因は、ヘッドを変位させる際の周
囲の湿度による影響である。すなわち、湿度が高い場合
は、ヘッドの変位量が小さくなり、圧電素子に対してよ
り大きな駆動電圧を印加する必要がある。その理由は、
接着剤を構成する樹脂が吸水効果によって水分を含み、
そのために、圧電素子に所定の電圧を印加しても、圧電
素子にかかる電界強度が実質的に減少するからである。
【0013】これをもう少し詳細に説明すると次のよう
になる。
【0014】圧電素子は、△l/l=d31・Eの関係
で変位する。ここで、lは基板の長手方向に沿った圧電
素子の長さであり、△lは圧電素子の変位量、Eは圧電
素子の厚み方向に加わる電界の強さ、d31は電界定数
とよばれ、圧電素子に電界が印加された時に長さ方向に
変位する割合を示し、圧電素子の材料組成、成膜された
圧電素子の結晶構造等によって決まる定数である。
【0015】このように、圧電素子の変位量はd31の
圧電定数と印加される電界の強さによって決まり、圧電
素子が形成されると、圧電定数は一定になり、印加され
る電界の強さのみに比例する。
【0016】ところで、一般に、接着剤を構成する樹脂
は、空気中の水分を吸収するために、圧電素子と基板と
を接着する接着剤は水分を含む。従って、空気より誘電
率の高い水分が接着剤に存在することになり、接着剤に
よって電界強度が減少し、圧電素子には所定の電界が印
加されなくなる。その結果、圧電素子の変位量が小さく
なり、ヘッドの変位量も小さくなる。
【0017】本発明は、このような問題を解決するもの
であり、その目的は、基板に対して圧電素子が接着され
ている場合においても、接着剤の影響を受けることな
く、圧電素子に印加される電圧によって、基板を所定量
にわたって変位させることができる圧電素子の固定構造
を提供することにある。
【0018】本発明の他の目的は、水分の影響によっ
て、圧電素子によるヘッドの変位量が変化することが防
止されるヘッドの支持機構および情報記録装置を提供す
ることにある。
【0019】
【課題を解決するための手段】本発明の圧電素子の固定
構造は、圧電素子と、該圧電素子の変位によって変形さ
れる基板とが、該圧電素子の厚さの2.5倍〜25倍の
厚さの接着剤によって固定されていることを特徴とす
る。
【0020】また、本発明の圧電素子の固定構造は、圧
電素子と、該圧電素子の変位によって変形される基板と
が、0.2重量%〜1.7重量%の吸水率の接着剤層に
よって固定されていることを特徴とする。
【0021】前記接着剤は、真空中において加熱処理す
ることにより、所定の水分吸水率とされている。
【0022】本発明のヘッドの支持機構は、回転駆動さ
れる記録媒体にデータを記録および再生するヘッドが基
板上に設けられており、該基板が第1の駆動手段によっ
て駆動されるとともに、この基板上に設けられた圧電素
子によって、基板が変形されてヘッドが変位されように
なったヘッド支持機構であって、前記圧電素子と、該圧
電素子の変位によって変形される基板とが、真空中にお
いて加熱処理された接着剤によって固定されていること
を特徴とする。
【0023】本発明の情報記録装置は、回転駆動される
記録媒体にデータを記録および再生するヘッドが基板上
に設けられるとともに、この基板上に接着剤によって固
定された圧電素子によって、該基板が変形されてヘッド
が変位されようになったヘッド支持機構が、水分吸着材
とともに、密封されたケース内に設けられていることを
特徴とする。
【0024】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施の形態を説明する。 (実施の形態1)図1は、本発明の圧電素子の固定構造
を使用した情報記録装置であるHDD(ハードディスク
装置)の内部の構造を示すの一例を示す分解斜視図であ
る。このHDDは、ケースカバー11により覆われるケ
ース12を有している。ケース12内には、ケース12
の底面に取り付けられたモータ(図示せず)によって回
転される主軸13が設けられている。主軸13には、磁
気ディスク14が取り付けられている。磁気ディスク1
4は、モーターによって回転する主軸13とともに、図
1に矢印Aで示す方向に、一体となって回転する。
【0025】ケース12の内部には、アクチュエータ軸
15が、磁気ディスク14の外周側の所定位置に、主軸
13と平行に取り付けられており、アクチュエータ軸1
5に、ヘッド支持機構20が、回動可能に取り付けられ
ている。
【0026】磁気ディスク14、ヘッド支持機構20等
が収容されたケース12には、ケースカバー11がネジ
止めされる。ケースカバー11には、ケース12の周縁
部と水密状態で圧接されるラバー等で密封機構が設けら
れており、ケースカバー11がケース12にネジ止めさ
れることによって、ケース12の内部は、完全に防水され
た状態になる。
【0027】図2は、ヘッド支持機構20を分解して示
す斜視図である。このヘッド支持機構20は、ボイスコ
イルモータ17により回転駆動されるヘッドアクチュエ
ータアーム21(図1参照)に取り付けられるベースプ
レート27と、このベースプレート2に積層状態で取り
付けられたロードビーム29と、ベースプレート27に
おけるロードビーム29とは反対側に積層されてスポッ
ト溶接等によってベースプレート27に貼り付けられた
フレクシャ25と、フレクシャ25上に積層された薄板
状の薄膜圧電素子用基板28とを有している。
【0028】ベースプレート27に積層されたフレクシ
ャ25は、ステンレス鋼板等によって、可撓性を有する
長板状に構成されており、フレクシャ25の中程におけ
る基端部寄りの位置から先端部にかけた部分は、両側の
各側縁部に沿った外枠部25Aおよび25Bと、先端縁
に沿った先端枠部25Dとによって、枠状に構成されて
おり、この枠状部分の内部における先端部に、正方形の
平板状をしたジンバル26が設けられている。ジンバル
26は、ベースプレート27の先端縁から突出した状態
で配置されている。
【0029】ジンバル26は、正方形の枠状をした枠部
26Aと、枠部26A内に配置されたジンバル本体部2
6Bとを有している。枠部26Aは、フレクシャ25の
基端部から、フレクシャ25の枠状部分の軸心部に沿っ
て設けられた支持梁25Cの先端部と、フレクシャ25
の先端枠部25Dとの間に、フレクシャ25の長手方向
に沿った軸周りに回動し得る状態で支持されている。ジ
ンバル本体部26Bは、この枠部26A内に同心状態で
配置されており、枠部26Aの回動の中心軸とは直交す
るフレクシャ25に沿った軸を中心として回動可能に枠
部26Aに支持されている。
【0030】ジンバル26を支持する支持梁25Cは、
一定の幅方向寸法の長方形の長板状に構成されている。
【0031】ベースプレート27におけるフレクシャ2
5とは反対側の面に積層されたロードビーム29は、そ
の先端部29Aが、ベースプレート27の先端側に配置
されたジンバル26に対向するように、ベースプレート
27の先端から突出した状態で配置されており、その先
端部29Aが、先端側になるにつれて順次先細になった
三角形の枠状に形成されている。そして、三角形状の枠
状に形成された先端部29Aの先端に、ジンバル26側
に突出したディンプル29Bが形成されている。ディン
プル29Bは、ジンバル26の中心部に圧設される圧接
されるようになっている。
【0032】図3(a)は、フレクシャ25上に貼り付
けられた薄膜圧電素子用基板28の要部の側面図、図3
(b)は、その平面図である。薄膜圧電素子用基板28
は、フレクシャ25の支持梁部25C上に設けられた支
持基板部28Aを有しており、この支持基板部28Aの
先端部から、ジンバル26の枠部26Aに沿って直角に
屈曲した状態で第1支持部28Bが設けられている。ま
た、フレクシャ25の外枠部25Bから先端枠部25D
の中程に沿って枠部28Cが配置されており、この枠部
28Cの先端部から、ジンバル26における枠部28A
に沿って、薄膜圧電素子用基板28の前記第1支持部2
8Bと対向するように直角に屈曲された第2支持部28
Dが設けられている。そして、第1支持部28Bおよび
第2支持部28Dの先端部は、相互に対向するように配
置されて、先端側になるにつれて順次細くなるようにそ
れぞれ形成されている。
【0033】第1支持部28Bおよび第2支持部28D
の先端部間には、スライダ支持部28Eが配置されてい
る。このスライダ支持部28Eは、第1支持部28Bお
よび第2支持部28Dの先端部とは、第1および第2の
弾性ヒンジ部28Fおよび28Gによって、それぞれ、
回動可能に支持されている。スライダ支持部28Eは、
第2の弾性ヒンジ部28Gが設けられた第2支持部28
Dの先端部が嵌合するように、一方の側部が三角形状に
切り欠かれた長方形の平板状に形成されており、このス
ライダ支持部28E上に、ヘッドが設けられたスライダ
31が配置されるようになっている。
【0034】スライダ支持部28Eは、第1の弾性ヒン
ジ部28Fを中心として、図4に矢印A2で示す方向に
沿って回動し得るようになっており、また、第2の弾性
ヒンジ部28Gは、スライダ支持部28Eが矢印A2方
向に沿って回動する際に、スライダ支持部28Eの回動
を抑制して、スライダ支持部28Eの変形を防止するよ
うになっている。
【0035】スライダ31は、直方体状をしており、薄
膜圧電素子用基板28の先端方向に位置する一方の端面
の上部に、MR素子等によって構成されたヘッド32が
設けられている。スライダ31は、磁気ディスク14の
接線方向にヘッド32が向くように配置されている。
【0036】図4は、図3(b)のB−B線における断
面図である。薄膜圧電素子用基板28における支持基板
部28Aには、長方形状の薄膜圧電素子21が設けられ
ている。薄膜圧電素子21は、ステンレス(SUS)鋼
板によって構成された薄膜圧電素子用基板28における
基板支持部28A上に、順次積層された接着剤層33お
よび中間層34によって固定されており、薄膜圧電素子
21上に電極35が設けられている。接着剤層33は、
薄膜圧電素子21の厚さに対して、所定の厚さに設定さ
れている。
【0037】薄膜圧電素子21は、薄膜圧電素子用基板
28の支持基板部28Aと、電極35との間に電圧を印
加することによって、厚さ方向に伸びる(D33モー
ド)とともに、その厚さ方向とは直交する矢印A2に反
った方向に収縮する(D31モード)。そして、このD
31モードの薄膜圧電素子21の収縮を利用して、スラ
イダ31のヘッド32を、磁気ディスク14における直
径方向に沿って微小変位させて、ヘッド32のトラッキ
ング補正を行うようになっている。
【0038】図2に示すように、薄膜圧電素子用基板2
8上には、薄膜圧電素子21を挟む一対の電極に電圧を
印加する薄膜圧電素子駆動パターン23、および、スラ
イダ31に対する信号を送信する信号パターン24が設
けられている。 このような構成の情報記録装置のヘッ
ド支持機構では、薄膜圧電素子21に電圧が印加される
と、薄膜圧電素子21は長手方向(図3に矢印A2で示
す方向)の伸びを生じる。ステンレス等で構成された薄
膜圧電素子基板28の支持基板部28Aは伸び方向(矢
印A2の方向)に対して剛性が高いため、薄膜圧電素子
21および薄膜圧電素子用基板28の支持基板部28A
には、バイメタル効果により、薄膜圧電素子21および
薄膜圧電素子用基板28の積層方向に反りを生じる。こ
の反りより、薄膜圧電素子用基板28の支持基板部28
Aは、図3(b)に矢印にA4で示す薄膜圧電素子21
の長手方向にδ1だけ微小変位する。この微小変位δ1
により、スライダ支持部28Eが、矢印A4方向に牽引
されて、第2の弾性ヒンジ部28Fを中心として、微小
回動される。
【0039】スライダ支持部28Eの微小回動によっ
て、スライダ支持部28E上に設けられたスライダ31
も一体となって回動し、スライダ31に設けられたヘッ
ド32が、磁気ディスク14の半径方向に対して、記録
トラック幅の数倍程度にわたって移動する。
【0040】薄膜圧電素子用基板28と薄膜圧電素子2
1とを接着する接着剤層33の厚さは、薄膜圧電素子2
1の厚さに対して、所定の厚さに形成されている。接着
剤層33が薄すぎると、薄膜圧電素子用基板28および
薄膜圧電素子21の反りの繰り返しを高速ですることが
できず、ヘッド32の動作周波数が低くなり、ヘッド3
2を高速でトラッキング補正することができないおそれ
がある。また、接着剤層33が厚すぎると、薄膜圧電素
子用基板28および薄膜圧電素子21に印加される電圧
に対して、それらの変位量が小さくなり、ヘッド32の
変位量が減少する。
【0041】接着剤層33の厚さは、接着剤層33の厚
さと薄膜圧電素子の厚さとの比が2.5〜25倍程度、
望ましくは5倍〜10倍程度に設定される。このように
設定することによって、ヘッド32の動作周波数範囲を
大きくすることができる。
【0042】薄膜圧電素子用基板28の材質はステンレ
ス(SUS)鋼板に限定する物ではないが、剛性、酸化
による劣化、コスト等からSUSは最も好ましい材質の
1つであるといえる。ステンレス組成も特に限定するも
のではない。この薄膜圧電素子用基板28は、エッチン
グ、レーザー加工、プレス加工等によって所望の形状に
形成されている。
【0043】薄膜圧電素子21は、PLT(Pb-La-T
i)、PZT(Pb-Zr-Ti)、ZnO、PLZT等公知の
圧電素子によって構成されている。
【0044】電極35は、薄膜圧電素子21を製造する
際に、転写基板上に圧電素子の結晶成長を促進させるた
めに設けられて、圧電素子の結晶成長後に、転写基板を
除去することによって、駆動電圧印加用の電極となる。
従って、電極35の面間隔が、結晶成長される圧電素子
の面間隔に近似していること、また、物質として安定し
ていることが必要である。
【0045】接着剤層33は、薄膜圧電素子21と薄膜
圧電素子用基板28を接着するために用いられており、
樹脂によって、薄膜圧電素子21の厚さに対して、所定
の厚さに設定されている。接着剤層としては、特に限定
されるものではないが、製造の容易さ、取扱いの容易
さ、コストなどから樹脂が好ましい。接着剤層として使
用される樹脂も、得に限定されるものではない。
【0046】中間層34は、薄膜圧電素子21と薄膜圧
電素子用基板28との間の接着力を高めるために設けら
れる。中間層34は、材料的に特に限定されるものでは
ないが、接着剤層33との接着性および耐久性を考慮す
ると、酸化しにくい材質が好ましい。
【0047】(実施例1)次に、本実施の形態1におけ
る薄膜圧電素子用基板28と薄膜圧電素子21との固定
構造の具体例について、図5に基づいて説明する。
【0048】まず、図5(a)に示すように、厚さ30
0ミクロンの酸化マグネシウム(MgO)の転写基板3
6を準備し、図6(b)に示すように、MgOの転写基板
36上に白金(Pt)膜を電極35として0.2μmの
厚さに、スパッタ法によって成長させる。このような状
態になると、シャドウマスク法、リフトオフ法等によっ
て、電極35を選択的に除去し、図5(c)に示すよう
に、残った電極35上に、PZTによって構成された薄
膜圧電素子21を2μmの厚さに、スパッタ法によって
成長させる。PZTによって構成された薄膜圧電素子2
1は、長さ1.8mm、幅1.2mmの長方形に形成さ
れる。なお、電極35であるPtを転写基板36に設け
て、薄膜圧電素子21であるPZTをPt上に形成する
のは、PZTの結晶成長を促すためである。
【0049】その後、図5(d)に示すように、電極3
5上に成長された薄膜圧電素子21上に、中間層34と
してCrを0.5μmの厚さにスパッタ法によって成長
させる。この中間層34は、薄膜圧電素子基板28と接
着剤33との接着力を高めるために設けられている。
【0050】このような状態になると、図5(e)に示す
ように、厚さ5μmのSUS板をエッチングにより所定
の形状に形成した薄膜圧電素子用基板28を準備して、
この薄膜圧電素子用基板28上に、エポキシ系の樹脂で
硬化剤を混合した接着剤33を滴下して塗布し、接着剤
33に、Crによって構成された中間層34を接着して
加熱して、接着剤33を熱硬化反応によって硬化させ
る。この場合、接着剤33の厚さは、滴下する接着剤3
3の重量で制御する。なお、接着剤33は、120度の
温度で90分にわたって加熱した。
【0051】このようにして、SUS板等によって構成
された薄膜圧電素子基板28上に薄膜圧電素子21が固
定された状態になると、図5(f)に示すように、転写基
板36をウェットエッチングにより除去する。これによ
り、図4に示す断面構造の薄膜圧電素子基板28に対す
る薄膜圧電素子21の固定構造が得られる。
【0052】このような方法によって得られる薄膜圧電
素子基板28に対する薄膜圧電素子21の固定構造のサ
ンプルを、接着剤層33の厚さを異ならせて複数準備し
て、各サンプルの薄膜圧電素子21に、3Vを中心とし
た±3Vの正弦波形の駆動電圧を印加して、薄膜圧電素
子用基板28のスライダ支持部28Eに金属板を取り付
けて、その金属板にレーザー変位測定器よりレーザーを
照射し、金属板による反射光の位相を調べることによっ
て、駆動周波数に対するスライダ支持部の変位量を調べ
た。この測定結果を表1および図6のグラフに示す。
【0053】図6のグラフは、横軸に駆動周波数、縦軸
に変位量としてのアンプ出力が設定されている。このグ
ラフでは、周波数が2kHz付近に見られるアンプ出力
のピークは共振点であり、この周波数では、スライダ支
持部28Eの振動と駆動周波数の位相とが半波長だけず
れて一致しており、スライダ支持部28Eは制御状態に
はなっていない。従って、この共振周波数以下の周波数
が、スライダ支持部28Eを制御できる印加電圧の周波
数範囲となる。この共振点が高い方が、スライダ支持部
28Eを制御できる印加電圧の周波数の範囲が広くな
り、スライダ支持部28Eに支持されるスライダ31
は、磁気ディスク14に対して高速でトラッキングする
ことができる。
【0054】また、表1および図6のグラフに示すよう
に、接着剤33厚さが、薄膜圧電素子21の厚さに対し
て、2.5倍〜25倍の範囲内になていると、変位量、
共振周波数ともに、スライダ支持部28Eを好適に制御
することができ、さらには、5倍〜10倍の範囲の場合
に、スライダ支持部28Eをより好適に制御することが
できる。
【0055】
【表1】
【0056】(実施の形態2)本実施の形態では、薄膜
圧電素子21を薄膜圧電素子基板28上に固定する接着
剤33の吸水率を、0.2%〜1.7%としたこと以外
は、実施の形態1と同様になっている。この場合、薄膜
圧電素子21を薄膜圧電素子基板28上に接着剤33に
よって接着した後に、真空中で加熱処理することによ
り、接着剤33が吸着した水分を除去する。
【0057】(実施例2)次に、本実施の形態1におけ
る薄膜圧電素子用基板28と薄膜圧電素子21とを、厚
さが10μmのエポキシ樹脂によって構成された接着剤
33によって、実施例1と同様にして接着して、接着剤
33の給水率を異ならせた複数のサンプルを準備した。
接着剤33は、薄膜圧電素子用基板28と薄膜圧電素子
21とが接着剤33にて接着された状態で、真空加熱器
中に配置して、ロータリーポンプによって真空加熱器内
を、30mToor程度の真空にした後に、130度の
温度によって2時間にわたって加熱処理することによ
り、水分を除去した。
【0058】この場合の接着剤33の水分吸着率は、硬
化した接着剤33を80℃の水に2時間浸したときの重
量と、真空加熱処理後の接着剤33の重量の変化によっ
て測定した。そして、各サンプルに関して、23℃の温
度、60%の湿度の環境において、実施例1と同様に、
スライダ支持部28E上に設けられた金属板の変位量を
測定したところ、表2に示す結果が得られた。
【0059】水分吸着率の低い接着剤33を用いた場合
の金属板の変位量は、水分吸着率の高い接着剤33を用
いた場合よりも大きく、また、全体的に、真空加熱処理
をした直後では、真空加熱処理してからの時間が経過し
ている場合によりも大きくなっている。
【0060】
【表2】
【0061】このために、図1に示す情報記録装置を製
造する際に、ヘッド支持機構20をケース12内に組み
付けて、ケースカバー11をケース12にネジ止めする
前に、ケース12の内部を真空加熱処理して、接着剤3
3の水分を除去した状態とし、その後に、ケースカバー
11をケース12にネジ止めして、ケース12の内部を
防水状態とすることにより、接着剤33に水分が吸着す
ることが防止され、スライダ支持部28E上に設けられ
たスライダ31の変位特性を、長期にわたって安定させ
ることができる。
【0062】また、図1に示すように、例えば、ケース
12内の側面に、水分吸着材19を取り付けておくこと
により、接着剤33に水分が吸着することがさらに確実
に防止され、スライダ支持部28E上に設けられたスラ
イダ31の変位特性を、さらに長期にわたって安定させ
ることができる。水分吸着材19としては、シリカゲ
ル、モレキュラーシーブ、高分子吸収体等が使用される
が、ケース12内に設けられた磁気ディスク14が塵埃
を嫌うために、埃や小片が発生しない状態でケース12
内に配置することが好ましく、例えば、シリカゲル、モ
レキュラーシーブは不織布の袋等に詰めた状態で、ケー
ス12内に固定すればよい。
【0063】
【発明の効果】以上のように、本発明の圧電素子の固定
構造は、圧電素子を基板に接着する接着剤の影響を受け
ることなく、また、周囲の湿度の影響をうけめことな
く、圧電素子の変位によって、基板を大きく変位させる
ことができる。従って、磁気ディスク装置等の情報記録
装置において、ヘッドをトラッキング制御するヘッドの
支持機構に、本発明の圧電素子の固定構造は、好適に使
用することができる。
【0064】また、本発明のヘッドの支持機構および情
報記録装置は、水分の影響によって、圧電素子によるヘ
ッドの変位量が変化することが防止される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の圧電素子の固定構成を使用した磁器デ
ィスク装置の一例を示す分解斜視図である。
【図2】その磁気ディスク装置に使用されるヘッド支持
機構を分解して示す斜視図であるる。
【図3】(a)は、そのヘッド支持機構の要部の側面
図、(b)は、その平面図である。
【図4】そのヘッド支持機構における本発明の圧電素子
と基板との固定構造である、図3(b)のB−B線にお
ける断面図である。
【図5】(a)〜(f)は、それぞれ、その圧電素子の
製造工程を説明する断面図である。
【図6】圧電素子によるヘッドの変位の特性を示すグラ
フである。
【図7】従来のヘッド支持機構の一例を示す平面図であ
る。
【符号の説明】
12 ケース 14 磁気ディスク 19 水分吸着材 20 ヘッド支持機構 21 薄膜圧電素子 25 フレクシャ 28 薄膜圧電用基板 31 スライダ 32 ヘッド 33 接着剤 34 中間層 35 電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5D042 LA01 MA15 5D059 AA01 BA01 CA14 DA04 DA19 DA38 EA08 5D096 NN03 NN07

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 圧電素子と、該圧電素子の変位によって
    変形される基板とが、該圧電素子の厚さの2.5倍〜2
    5倍の厚さの接着剤によって固定されていることを特徴
    とする圧電素子の固定構造。
  2. 【請求項2】 圧電素子と、該圧電素子の変位によって
    変形される基板とが、0.2重量%〜1.7重量%の吸
    水率の接着剤層によって固定されていることを特徴とす
    る圧電素子の固定構造。
  3. 【請求項3】 前記接着剤は、真空中において加熱処理
    することにより、所定の水分吸水率とされている請求項
    2に記載の圧電素子の固定構造。
  4. 【請求項4】 回転駆動される記録媒体にデータを記録
    および再生するヘッドが基板上に設けられており、該基
    板が第1の駆動手段によって駆動されるとともに、この
    基板上に設けられた圧電素子によって、基板が変形され
    てヘッドが変位されようになったヘッド支持機構であっ
    て、 前記圧電素子と、該圧電素子の変位によって変形される
    基板とが、真空中において加熱処理された接着剤によっ
    て固定されていることを特徴とするヘッドの支持機構。
  5. 【請求項5】 回転駆動される記録媒体にデータを記録
    および再生するヘッドが基板上に設けられるとともに、
    この基板上に接着剤によって固定された圧電素子によっ
    て、該基板が変形されてヘッドが変位されようになった
    ヘッド支持機構が、水分吸着材とともに、密封されたケ
    ース内に設けられていることを特徴とする情報記録装
    置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003101095A (ja) * 2001-09-27 2003-04-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜圧電体素子およびその製造方法
JP2010258025A (ja) * 2009-04-21 2010-11-11 Nec Tokin Corp 積層型圧電アクチュエータ
JP2010535445A (ja) * 2007-07-31 2010-11-18 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 高k誘電体を有するcmut
US8446480B2 (en) 2006-12-20 2013-05-21 Nokia Corporation Exposure control based on image sensor cost function

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