JP2001249283A - 波長選択式光学フィルタ - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04J—MULTIPLEX COMMUNICATION
- H04J14/00—Optical multiplex systems
- H04J14/02—Wavelength-division multiplex systems
- H04J14/0201—Add-and-drop multiplexing
- H04J14/0202—Arrangements therefor
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- H04J14/02—Wavelength-division multiplex systems
- H04J14/0201—Add-and-drop multiplexing
- H04J14/0202—Arrangements therefor
- H04J14/0213—Groups of channels or wave bands arrangements
Abstract
(57)【要約】
【目的】中間チャンネルを通して第１のチャンネルから
第２のチャンネルへ直接選択できる通信システムのアッ
ドドロップフィルタに波長選択式光学フィルタを共合で
きるようにする。 【構成】入力放射光を受光し対応する濾過された出力放
射光を発する波長選択式光学フィルタデバイス（２４
０）であって、出力放射光を発生するように入力放射光
を濾過するための複数個の少なくとも部分的に相互結合
されたファブリ・ペロット光共振器（３３０，３４０，
３６０；３６０，４００，４３０）を有し、この共振器
は該共振器の整調を受けるように静電気的に作動される
自由吊り下げミラー（３６０，４３０）と共合し、フィ
ルタデバイスはこれによってそれらの間の波長を通して
整調せずに異なる波長間で整調可能である。
第２のチャンネルへ直接選択できる通信システムのアッ
ドドロップフィルタに波長選択式光学フィルタを共合で
きるようにする。 【構成】入力放射光を受光し対応する濾過された出力放
射光を発する波長選択式光学フィルタデバイス（２４
０）であって、出力放射光を発生するように入力放射光
を濾過するための複数個の少なくとも部分的に相互結合
されたファブリ・ペロット光共振器（３３０，３４０，
３６０；３６０，４００，４３０）を有し、この共振器
は該共振器の整調を受けるように静電気的に作動される
自由吊り下げミラー（３６０，４３０）と共合し、フィ
ルタデバイスはこれによってそれらの間の波長を通して
整調せずに異なる波長間で整調可能である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術の分野】本発明は波長選択式光学フ
ィルタに関し、特に、ただし限定的ではないが、制御可
能な減衰度を有するように動作することができる波長選
択式光学フィルタに関する。
ィルタに関し、特に、ただし限定的ではないが、制御可
能な減衰度を有するように動作することができる波長選
択式光学フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】現在の光学通信システムにおいて、波長
分割多重送信（ＷＤＭ）技術が使用されている。このよ
うな技術は、伝送通信量を担う多くのチャンネルが案内
光路、例えば光ファイバに沿って伝送する放射光に多重
送信することを可能する。各チャンネルは、該チャンネ
ルと共合された伝送通信量を搬送するために使用される
波長の配分範囲をそれと共合して有している。このよう
に、ＷＤＭ技術は通信網において増大したデータ度合い
に対する将来の要求を満たすために光ファイバの周波帯
巾の増大利用を可能にする。
分割多重送信（ＷＤＭ）技術が使用されている。このよ
うな技術は、伝送通信量を担う多くのチャンネルが案内
光路、例えば光ファイバに沿って伝送する放射光に多重
送信することを可能する。各チャンネルは、該チャンネ
ルと共合された伝送通信量を搬送するために使用される
波長の配分範囲をそれと共合して有している。このよう
に、ＷＤＭ技術は通信網において増大したデータ度合い
に対する将来の要求を満たすために光ファイバの周波帯
巾の増大利用を可能にする。
【０００３】現在の通信システムにおけるＷＤＭの使用
は、ＷＤＭ伝送通信量を搬送する光路に接続され得るデ
バイスの必要を生じさせ、このデバイスは他のチャンネ
ルに搬送された伝送通信量と干渉せずに特定のチャンネ
ルに対応した伝送通信量を引き出すように動作可能であ
り、これらの他のチャンネルに対応した放射光は該デバ
イスを通して実質的に変更されずに伝送される。このよ
うなデバイスはアッドドロップフィルタとして知られて
いる。
は、ＷＤＭ伝送通信量を搬送する光路に接続され得るデ
バイスの必要を生じさせ、このデバイスは他のチャンネ
ルに搬送された伝送通信量と干渉せずに特定のチャンネ
ルに対応した伝送通信量を引き出すように動作可能であ
り、これらの他のチャンネルに対応した放射光は該デバ
イスを通して実質的に変更されずに伝送される。このよ
うなデバイスはアッドドロップフィルタとして知られて
いる。
【０００４】ＷＤＭ技術を使用しかつアッドドロップフ
ィルタと共合した現在の光通信システムにおいては、該
フィルタを再構築可能とすること、特に異なるチャンネ
ルを選択するように再整調可能とすべきであるといった
更なる要求が生じている。その上、通信システムは通信
量を搬送する動作においても再構築可能とすべきである
という更なる要求が依然として存在する。このように、
各アッドドロップフィルタは、第１および第２のチャン
ネルの中間のチャンネルを通して整調することなしに、
またこれらの中間チャンネルに搬送された通信量が再整
調中に中断されたり妨害されたりせずに、第１の選択さ
れたチャンネルから第２の選択されたチャンネルに再整
調できるようにすることが要求される。
ィルタと共合した現在の光通信システムにおいては、該
フィルタを再構築可能とすること、特に異なるチャンネ
ルを選択するように再整調可能とすべきであるといった
更なる要求が生じている。その上、通信システムは通信
量を搬送する動作においても再構築可能とすべきである
という更なる要求が依然として存在する。このように、
各アッドドロップフィルタは、第１および第２のチャン
ネルの中間のチャンネルを通して整調することなしに、
またこれらの中間チャンネルに搬送された通信量が再整
調中に中断されたり妨害されたりせずに、第１の選択さ
れたチャンネルから第２の選択されたチャンネルに再整
調できるようにすることが要求される。
【０００５】一方のチャンネルから他方へ整調され得る
多くの通常のアッドドロップフィルタは文献に報告され
かつ市販されている。そのような通常のアッドドロップ
フィルタは連続的に整調される光学フィルタと共合さ
れ、その結果として、これらは再構築されたとき中間チ
ャンネル上で通信路の障害が生じる。かかる光学フィル
タは、例えばシリコン板導波管として製造された縦続マ
ック−ゼンダフィルタおよびマイクロメカニカル可整調
ファブリ−ペロットフィルタのようなものは、多くの方
面で要求が満される。米国特許第５，７３９，９４５号
には静電作動ミラーと共合した単一キャビティの連続可
整調光学フィルタが記載されている。
多くの通常のアッドドロップフィルタは文献に報告され
かつ市販されている。そのような通常のアッドドロップ
フィルタは連続的に整調される光学フィルタと共合さ
れ、その結果として、これらは再構築されたとき中間チ
ャンネル上で通信路の障害が生じる。かかる光学フィル
タは、例えばシリコン板導波管として製造された縦続マ
ック−ゼンダフィルタおよびマイクロメカニカル可整調
ファブリ−ペロットフィルタのようなものは、多くの方
面で要求が満される。米国特許第５，７３９，９４５号
には静電作動ミラーと共合した単一キャビティの連続可
整調光学フィルタが記載されている。
【０００６】可整調光学フィルタは従来技術で知られて
いる。例えば、米国特許第４，２４０，６９６号には、
複数の隣接した積層対を含み、各対が入射および放射面
を有する光学フィルタが記載されている。各対は更に第
１の不電導層、第２の不電導層およびこれらの間に配置
されかつこれらの層と接触する制御電極を有する。この
フィルタは各々入射および放射面と電気的に接触する層
対上に配置された複数の接地電極と、電圧源と、制御電
極および接地電極間の電圧源を接続するためのスイッチ
とを追加的に有する。このフィルタにおいては、放射光
はスイッチを閉じかつそれによって第１、第２の層を横
切って反対方向に電圧を与えることにより、フィルタに
よって反射される。層対の電極はこのようにして平行に
接続され、それによって前記対は相互に独自には整調さ
れないようになっている。更に、この発明に関しては、
前記対を独立に整調可能とするのが利点になるという根
拠がない。
いる。例えば、米国特許第４，２４０，６９６号には、
複数の隣接した積層対を含み、各対が入射および放射面
を有する光学フィルタが記載されている。各対は更に第
１の不電導層、第２の不電導層およびこれらの間に配置
されかつこれらの層と接触する制御電極を有する。この
フィルタは各々入射および放射面と電気的に接触する層
対上に配置された複数の接地電極と、電圧源と、制御電
極および接地電極間の電圧源を接続するためのスイッチ
とを追加的に有する。このフィルタにおいては、放射光
はスイッチを閉じかつそれによって第１、第２の層を横
切って反対方向に電圧を与えることにより、フィルタに
よって反射される。層対の電極はこのようにして平行に
接続され、それによって前記対は相互に独自には整調さ
れないようになっている。更に、この発明に関しては、
前記対を独立に整調可能とするのが利点になるという根
拠がない。
【０００７】更に、別の例においては、米国特許第５，
１７０，２９０号に高い総伝送可整調のくし歯状フィル
タ構造が記載されている。この構造は多数の緊密結合
の、弱共振光学キャビティを含む周期的屈折率変調形態
を有した光学物質の適度な厚みの層を有している。この
構造は、基準の最下級キャビティ共振器に対して少なく
とも５級のスペクトルによって特徴付けられ、この共振
器は１セットあるいはそれ以上の数のセットに生じる狭
く、かつ高密度に対し中程度の反射ラインを含んでお
り、各セットは光分散が無視されるならば波数によって
均等に離隔されたラインを特徴としている。このような
構造により与えられるフィルタは、重要なスペクトル帯
域内のピークが１つの調波階級によって遷移して帯域内
の任意の特定波長の放射光を反射あるいは伝送するよう
に光電的あるいは機械的に整調可能である。これらのキ
ャビティは、前記特許に記載された実施形態においては
相互に独自に整調されることはない。更に、この発明に
関しては、キャビティを独立に整調可能とすることが利
点であるとする根拠がない。
１７０，２９０号に高い総伝送可整調のくし歯状フィル
タ構造が記載されている。この構造は多数の緊密結合
の、弱共振光学キャビティを含む周期的屈折率変調形態
を有した光学物質の適度な厚みの層を有している。この
構造は、基準の最下級キャビティ共振器に対して少なく
とも５級のスペクトルによって特徴付けられ、この共振
器は１セットあるいはそれ以上の数のセットに生じる狭
く、かつ高密度に対し中程度の反射ラインを含んでお
り、各セットは光分散が無視されるならば波数によって
均等に離隔されたラインを特徴としている。このような
構造により与えられるフィルタは、重要なスペクトル帯
域内のピークが１つの調波階級によって遷移して帯域内
の任意の特定波長の放射光を反射あるいは伝送するよう
に光電的あるいは機械的に整調可能である。これらのキ
ャビティは、前記特許に記載された実施形態においては
相互に独自に整調されることはない。更に、この発明に
関しては、キャビティを独立に整調可能とすることが利
点であるとする根拠がない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】現在のシステムで連続
的に整調しないアッドドロップフィルタを得ようとする
第１の試みは、非多重送信および再多重送信技術を伴な
うものである。そのような技術の使用はアッドドロップ
フィルタが絶縁されることを可能にすると共にシステム
が再構築されたとき一方のチャンネルから他方へ再整調
されることになる。かかる技術の使用はシステム内に含
まれるアッドドロップフィルタと共合して挿入損失を増
大させる結果となり、この挿入損失は通信量を伝送する
チャンネル数が増えるに従って増大する。
的に整調しないアッドドロップフィルタを得ようとする
第１の試みは、非多重送信および再多重送信技術を伴な
うものである。そのような技術の使用はアッドドロップ
フィルタが絶縁されることを可能にすると共にシステム
が再構築されたとき一方のチャンネルから他方へ再整調
されることになる。かかる技術の使用はシステム内に含
まれるアッドドロップフィルタと共合して挿入損失を増
大させる結果となり、この挿入損失は通信量を伝送する
チャンネル数が増えるに従って増大する。
【０００９】アッドドロップフィルタと共合する現在の
システムに使用された第２の試みは、所定のチャンネル
に対して２つの隣接するチャンネルの中間の波長から整
調可能とする多くの整調可能な光学ゲートをアッドドロ
ッフフィルタに含ませようとするものである。この試み
は、このシステムのフィルタがそれらの選択されたチャ
ンネルに到達する前に多数のチャンネルを通して選択さ
れないという特徴を有する。しかしながら、この試みは
システムに使用される各チャンネルに対してゲートを与
えることを必要とし、それによってシステム中のアッド
ドロップフィルタと共合した挿入損失がチャンネル数の
増加につれて増大するという問題を引き起す。
システムに使用された第２の試みは、所定のチャンネル
に対して２つの隣接するチャンネルの中間の波長から整
調可能とする多くの整調可能な光学ゲートをアッドドロ
ッフフィルタに含ませようとするものである。この試み
は、このシステムのフィルタがそれらの選択されたチャ
ンネルに到達する前に多数のチャンネルを通して選択さ
れないという特徴を有する。しかしながら、この試みは
システムに使用される各チャンネルに対してゲートを与
えることを必要とし、それによってシステム中のアッド
ドロップフィルタと共合した挿入損失がチャンネル数の
増加につれて増大するという問題を引き起す。
【００１０】第１、第２の試みが採用される場合、アッ
ドドロップフィルタは特別な最大数のチャンネルを収容
するように設計されるという別の欠点を有し、このよう
な最大数を収容することは、もしシステムに使用された
チャンネル数がシステムの品位向上によってこの最大数
以上に増大するならば、アッドドロッフフィルタが取り
替えられなければならないことを意味している。
ドドロップフィルタは特別な最大数のチャンネルを収容
するように設計されるという別の欠点を有し、このよう
な最大数を収容することは、もしシステムに使用された
チャンネル数がシステムの品位向上によってこの最大数
以上に増大するならば、アッドドロッフフィルタが取り
替えられなければならないことを意味している。
【００１１】本発明の発明者は、第１、第２のチャンネ
ルの中間のチャンネルを通して選択することなしに第１
のチャンネルから第２のチャンネルへ直接選択できる通
信システムのアッドドロップフィルタに波長選択式光学
フィルタを共合できるようにする必要があることを認識
した。更に、発明者は、光学フィルタを比較的大多数の
チャンネル以上に整調可能とすべきであり、それによっ
て通信システムの品位向上が満されたとき取り替える必
要がなくなることを認識したものである。
ルの中間のチャンネルを通して選択することなしに第１
のチャンネルから第２のチャンネルへ直接選択できる通
信システムのアッドドロップフィルタに波長選択式光学
フィルタを共合できるようにする必要があることを認識
した。更に、発明者は、光学フィルタを比較的大多数の
チャンネル以上に整調可能とすべきであり、それによっ
て通信システムの品位向上が満されたとき取り替える必
要がなくなることを認識したものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の態様によ
れば、入力放射光を受光し、対応する濾過された出力放
射光を出力するための波長選択式光学フィルタであっ
て、前記フィルタは入力放射光を濾過して出力放射光を
発生するための複数個の相互に独立して整調可能な光学
共振器を有し、前記共振器は少なくとも部分的に相互に
結合されており、また該共振器は少なくとも部分的に相
互に重なった共合の整調範囲を有する波長選択式光学フ
ィルタが提供される。
れば、入力放射光を受光し、対応する濾過された出力放
射光を出力するための波長選択式光学フィルタであっ
て、前記フィルタは入力放射光を濾過して出力放射光を
発生するための複数個の相互に独立して整調可能な光学
共振器を有し、前記共振器は少なくとも部分的に相互に
結合されており、また該共振器は少なくとも部分的に相
互に重なった共合の整調範囲を有する波長選択式光学フ
ィルタが提供される。
【００１３】このフィルタは、一方の波長から他方の波
長まで、その間の中間波長を通して整調することなく、
整調することができるという利点を有する。
長まで、その間の中間波長を通して整調することなく、
整調することができるという利点を有する。
【００１４】本発明のフィルタは、相互に結合されるキ
ャビティと共合するという点でマイクロ整調される共振
器と共合する従来のフィルタとは異なるものである。そ
のような相互結合は当該分野で現在なされているような
単なる縦続フィルタよりも一層大きな選択応答性を有す
る。
ャビティと共合するという点でマイクロ整調される共振
器と共合する従来のフィルタとは異なるものである。そ
のような相互結合は当該分野で現在なされているような
単なる縦続フィルタよりも一層大きな選択応答性を有す
る。
【００１５】都合良くは、使用形態の本発明のフィルタ
は、（ａ）光学共振器が類似の波長に相互に整調された
とき、出力放射光を発生するように少なくとも部分的に
入力放射光に対し伝達可能であり、（ｂ）共振器が相互
に不整調となったとき、入力放射光に対して実質的に非
伝達状態となる、ものである。
は、（ａ）光学共振器が類似の波長に相互に整調された
とき、出力放射光を発生するように少なくとも部分的に
入力放射光に対し伝達可能であり、（ｂ）共振器が相互
に不整調となったとき、入力放射光に対して実質的に非
伝達状態となる、ものである。
【００１６】このようなフィルタは、放射光に対して実
質的に非伝達性であり、かつ波長から他方へ再整調され
るという望ましい特長を有している。好ましくは、一方
の共振器から他方の隣接した共振器への結合はフィルタ
から使用可能な選択度を得るために０．０１〜０．１％
の範囲にあるのが良い。
質的に非伝達性であり、かつ波長から他方へ再整調され
るという望ましい特長を有している。好ましくは、一方
の共振器から他方の隣接した共振器への結合はフィルタ
から使用可能な選択度を得るために０．０１〜０．１％
の範囲にあるのが良い。
【００１７】有利なことには、共振器は、第１および第
２の整調可能なファブリ−ペロット（Ｆａｂｒｙ−Ｐｅ
ｒｏｔ）キャビティを有し、該キャビティは少なくとも
部分的にかつ相互に該キャビティに共通した構成部分を
通して結合される。このキャビティは該キャビティのミ
ラー間に伝達する放射光の整数の半波長があるときに共
振特性を有する。
２の整調可能なファブリ−ペロット（Ｆａｂｒｙ−Ｐｅ
ｒｏｔ）キャビティを有し、該キャビティは少なくとも
部分的にかつ相互に該キャビティに共通した構成部分を
通して結合される。このキャビティは該キャビティのミ
ラー間に伝達する放射光の整数の半波長があるときに共
振特性を有する。
【００１８】便宜的には、前記構成部分はキャビティ間
の空間に配置された第２のミラー組立体であり、第１お
よび第２のキャビティはそれぞれ第１および第３のミラ
ー組立体を共合して有しており、第１および第２の組立
体は第１のキャビティを画成し、第２および第３の組立
体は第２のキャビティを画成する。第２のミラー組立体
は、フィルタにその波長選択応答性を与えるために、キ
ャビティ間に相互の結合度を有する。
の空間に配置された第２のミラー組立体であり、第１お
よび第２のキャビティはそれぞれ第１および第３のミラ
ー組立体を共合して有しており、第１および第２の組立
体は第１のキャビティを画成し、第２および第３の組立
体は第２のキャビティを画成する。第２のミラー組立体
は、フィルタにその波長選択応答性を与えるために、キ
ャビティ間に相互の結合度を有する。
【００１９】フィルタの条件を満たすとき、各キャビテ
ィはその共合したミラー組立体の間の領域にある空所を
有する。有利には、前記空所はその共合されたミラー組
立体の主面に垂直な方向で１０〜２０μｍ巾の範囲に存
するが、その巾は１４μｍであるのが好ましい。
ィはその共合したミラー組立体の間の領域にある空所を
有する。有利には、前記空所はその共合されたミラー組
立体の主面に垂直な方向で１０〜２０μｍ巾の範囲に存
するが、その巾は１４μｍであるのが好ましい。
【００２０】フィルタの応答性を改善するためには、反
射器は好ましくはブラッグ（Ｂｒａｇｇ）反射器が分配
される。そのような反射器は多層構造を有する各組立体
によって与えることができる。
射器は好ましくはブラッグ（Ｂｒａｇｇ）反射器が分配
される。そのような反射器は多層構造を有する各組立体
によって与えることができる。
【００２１】ＡｌＧａＡｓ、ＧａＡｓおよびＡｌＡｓは
ここではそれぞれアルミニウムガリウム砒化物、ガリウ
ム砒化物、アルミニウム砒化物として短縮化して使用さ
れる。
ここではそれぞれアルミニウムガリウム砒化物、ガリウ
ム砒化物、アルミニウム砒化物として短縮化して使用さ
れる。
【００２２】有利には、各多層構造物はＡｌＧａＡｓお
よび酸化アルミニウムの複数の交互層を含む。便宜的に
は、酸化アルミニウム層は各々３００ｎｍないし３５０
ｎｍの範囲の厚みを有するが、好ましくは３１４．５ｎ
ｍの厚みであるのが良い。
よび酸化アルミニウムの複数の交互層を含む。便宜的に
は、酸化アルミニウム層は各々３００ｎｍないし３５０
ｎｍの範囲の厚みを有するが、好ましくは３１４．５ｎ
ｍの厚みであるのが良い。
【００２３】更に、第１および第３の組立体のＡｌＧａ
Ａｓ層は各層が第１、第２および第３の副積層体を含む
ような厚みであり、（ｉ）第１および第３の副積層体は
組成Ａｌa Ｇａb Ａｓを有し、ここでａは０．５８〜
０．６２の範囲にあり、ｂは０．３８〜０．４２の範囲
にあり、（ii）第２の副積層体は組成Ａｌc Ｇａd Ａｓ
を有し、ここでｃは０．２８〜０．３２の範囲にあり、
ｄは０．６８〜０．７２の範囲にある。副積層体との共
合によって組立体の光学特性は製造上厳密に制御するこ
とができる。
Ａｓ層は各層が第１、第２および第３の副積層体を含む
ような厚みであり、（ｉ）第１および第３の副積層体は
組成Ａｌa Ｇａb Ａｓを有し、ここでａは０．５８〜
０．６２の範囲にあり、ｂは０．３８〜０．４２の範囲
にあり、（ii）第２の副積層体は組成Ａｌc Ｇａd Ａｓ
を有し、ここでｃは０．２８〜０．３２の範囲にあり、
ｄは０．６８〜０．７２の範囲にある。副積層体との共
合によって組立体の光学特性は製造上厳密に制御するこ
とができる。
【００２４】更に、第３の組立体においては、第１およ
び第３の副積層体は各々１０〜２０ｎｍの厚さ範囲にあ
り、第２の副積層体は９０〜１００ｎｍの厚さ範囲にあ
る。加えて、第１の組立体においては、第１および第３
の副積層体は各々４５〜５５ｎｍの厚さ範囲にあり、第
２の副積層体は１５〜２５ｎｍの厚さ範囲にある。しか
しながら、好ましくは、これらの層の特定の厚みは５
２．８ｎｍおよび１９．９ｎｍであるのが良い。
び第３の副積層体は各々１０〜２０ｎｍの厚さ範囲にあ
り、第２の副積層体は９０〜１００ｎｍの厚さ範囲にあ
る。加えて、第１の組立体においては、第１および第３
の副積層体は各々４５〜５５ｎｍの厚さ範囲にあり、第
２の副積層体は１５〜２５ｎｍの厚さ範囲にある。しか
しながら、好ましくは、これらの層の特定の厚みは５
２．８ｎｍおよび１９．９ｎｍであるのが良い。
【００２５】有利には、第２の組立体は各ＡｌＧａＡｓ
層が構成成分Ａｌa Ｇａb Ａｓを有するような酸化アル
ミニウムおよびＡｌＧａＡｓの層を有し、ここでａは
０．５８〜０．６２の範囲にあり、ｂは０．３８〜０．
４２の範囲にある。好ましくは、第２の組立体において
は、ＡｌＧａＡｓ層は１１５〜１４０ｎｍの厚み範囲に
あるのが良い。このような層厚および構成成分はフィル
タにとって満足な組立体反射特性を与えるのに役立つ。
層が構成成分Ａｌa Ｇａb Ａｓを有するような酸化アル
ミニウムおよびＡｌＧａＡｓの層を有し、ここでａは
０．５８〜０．６２の範囲にあり、ｂは０．３８〜０．
４２の範囲にある。好ましくは、第２の組立体において
は、ＡｌＧａＡｓ層は１１５〜１４０ｎｍの厚み範囲に
あるのが良い。このような層厚および構成成分はフィル
タにとって満足な組立体反射特性を与えるのに役立つ。
【００２６】利益的には、各キャビティはその対応する
ミラー組立体と第２のミラー組立体との間の空間的な分
離を変えることによって整調可能である。このような整
調を達成するために、ミラー組立体の少なくとも或る部
分は弾性的に吊り下げることができ、またそれら相互の
空間的分離は圧電気力をミラー組立体に与えることによ
って変更可能である。これとは別に、ミラー組立体の少
なくとも或る部分は弾性的に吊り下げることができ、ま
たそれら相互の空間的分離はミラー組立体に静電気力を
加えることによって変更可能であり、ミラー組立体は静
電気力を発生するために電圧差をそれらの間に与え得る
ように電気的に接続可能である。
ミラー組立体と第２のミラー組立体との間の空間的な分
離を変えることによって整調可能である。このような整
調を達成するために、ミラー組立体の少なくとも或る部
分は弾性的に吊り下げることができ、またそれら相互の
空間的分離は圧電気力をミラー組立体に与えることによ
って変更可能である。これとは別に、ミラー組立体の少
なくとも或る部分は弾性的に吊り下げることができ、ま
たそれら相互の空間的分離はミラー組立体に静電気力を
加えることによって変更可能であり、ミラー組立体は静
電気力を発生するために電圧差をそれらの間に与え得る
ように電気的に接続可能である。
【００２７】フィルタの実際的な要求充足においては、
第２および第３のミラー組立体は各々複数個の従順なア
ーム上に吊り下げられた中央ミラー領域を含むのが有利
である。本発明の１つの実施形態におては、中央ミラー
領域は実質的に円形であり、かつ４本のアームに吊り下
げられる。便宜的には、中央領域は５０〜１５０μｍの
範囲の有効直径を有し、また各アームは６００〜２００
０μｍの範囲の長さを有するが、１００μｍの有効直径
および１０００μｍの長さが特に好ましい寸法である。
第２および第３のミラー組立体は各々複数個の従順なア
ーム上に吊り下げられた中央ミラー領域を含むのが有利
である。本発明の１つの実施形態におては、中央ミラー
領域は実質的に円形であり、かつ４本のアームに吊り下
げられる。便宜的には、中央領域は５０〜１５０μｍの
範囲の有効直径を有し、また各アームは６００〜２００
０μｍの範囲の長さを有するが、１００μｍの有効直径
および１０００μｍの長さが特に好ましい寸法である。
【００２８】フィルタへの電気的な接続を容易にするた
めに、キャビティおよびそれらの共合されたミラーは台
段形状に基質（サブストレート）上に製作することがで
き、これによって相互に電気的に絶縁されているミラー
組立体への電気的な接続が容易となる。有利には、フィ
ルタはガリウム砒化物あるいはシリコンの製造技術を用
いて製作される。
めに、キャビティおよびそれらの共合されたミラーは台
段形状に基質（サブストレート）上に製作することがで
き、これによって相互に電気的に絶縁されているミラー
組立体への電気的な接続が容易となる。有利には、フィ
ルタはガリウム砒化物あるいはシリコンの製造技術を用
いて製作される。
【００２９】本発明の第２の形態によれば、入力通信放
射光を受光しかつ該入力通信放射光における特定チャン
ネルに対応した放射光をドロップ及びアッドするように
動作可能なアッドドロップフィルタが提供され、このア
ッドドロップフィルタはチャンネルに対応した放射光を
遮断するために本発明の第１の形態にしたがったフィル
タと共合する。
射光を受光しかつ該入力通信放射光における特定チャン
ネルに対応した放射光をドロップ及びアッドするように
動作可能なアッドドロップフィルタが提供され、このア
ッドドロップフィルタはチャンネルに対応した放射光を
遮断するために本発明の第１の形態にしたがったフィル
タと共合する。
【００３０】本発明の第３の形態によれば、（ａ）ミラ
ー組立体を形成する層およびその間のスペーサ層の一連
の層を基質上に形成する工程と、（ｂ）吊り下げられた
反射器および共合した従順支持アームに対応した層に形
状を画成する工程と、（ｃ）ミラー組立体とその間にス
ペーサ層が現れる光学キャビティとを生み出すようにエ
ッチング処理によって基質とその共合した層を処理する
工程と、（ｄ）ミラー組立体を互いに対して作動させる
ように動作可能な形状を組立体上に画成しかつ生成する
工程と、（ｅ）キャリア上に前記の工程（ａ）〜（ｄ）
によって製作されたフィルタを保持し、かつ該フィルタ
に電気的な接続を行う工程と、を有する本発明の第１の
形態によるフィルタを製造する方法が提供される。
ー組立体を形成する層およびその間のスペーサ層の一連
の層を基質上に形成する工程と、（ｂ）吊り下げられた
反射器および共合した従順支持アームに対応した層に形
状を画成する工程と、（ｃ）ミラー組立体とその間にス
ペーサ層が現れる光学キャビティとを生み出すようにエ
ッチング処理によって基質とその共合した層を処理する
工程と、（ｄ）ミラー組立体を互いに対して作動させる
ように動作可能な形状を組立体上に画成しかつ生成する
工程と、（ｅ）キャリア上に前記の工程（ａ）〜（ｄ）
によって製作されたフィルタを保持し、かつ該フィルタ
に電気的な接続を行う工程と、を有する本発明の第１の
形態によるフィルタを製造する方法が提供される。
【００３１】有利には、前記層は酸化金属の化学蒸着
（ＭＯＣＶＤ）によって形成される。更に、前記スペー
サ層は、光学キャビティを形成しかつミラー組立体の自
由な吊り下げをもたらすように優先的に湿式エッチング
がなされる。
（ＭＯＣＶＤ）によって形成される。更に、前記スペー
サ層は、光学キャビティを形成しかつミラー組立体の自
由な吊り下げをもたらすように優先的に湿式エッチング
がなされる。
【００３２】便宜的には、この方法においては、ミラー
組立体は各々ＡｌＧａＡｓおよびＡｌＡｓの交互層を有
し、該ＡｌＡｓは実質的に酸化アルミニウムを形成する
ように加熱処理される。このような交互層はミラー組立
体に対して最適な光学特性を与える。
組立体は各々ＡｌＧａＡｓおよびＡｌＡｓの交互層を有
し、該ＡｌＡｓは実質的に酸化アルミニウムを形成する
ように加熱処理される。このような交互層はミラー組立
体に対して最適な光学特性を与える。
【００３３】本発明の第４の形態によれば、本発明の第
１の形態にしたがったフィルタを、第１の波長から第２
の波長まで整調する方法において、（ａ）フィルタが第
１の波長で選択的な濾過作用をもつように共振器を第１
の波長に整調する工程と、（ｂ）少なくとも１つの共振
器を第１の波長方向に整調し、かつ他の共振器を第１の
波長方向に反対の他の波長方向に整調することによって
共振器を第１の波長から不整調とする工程と、（ｃ）共
振器を第２の波長に向けて相互に不整調の状態に整調す
る工程と、（ｄ）フィルタが第２の波長で選択的な濾過
作用をもつように共振器を最終的に第２の波長に整調す
る工程と、を有する方法が提供される。
１の形態にしたがったフィルタを、第１の波長から第２
の波長まで整調する方法において、（ａ）フィルタが第
１の波長で選択的な濾過作用をもつように共振器を第１
の波長に整調する工程と、（ｂ）少なくとも１つの共振
器を第１の波長方向に整調し、かつ他の共振器を第１の
波長方向に反対の他の波長方向に整調することによって
共振器を第１の波長から不整調とする工程と、（ｃ）共
振器を第２の波長に向けて相互に不整調の状態に整調す
る工程と、（ｄ）フィルタが第２の波長で選択的な濾過
作用をもつように共振器を最終的に第２の波長に整調す
る工程と、を有する方法が提供される。
【００３４】
【発明の実施の形態】次に、本発明を、単なる例示とし
て、図面にしたがった実施形態について説明する。図１
を参照すれば、符号１０で指示された従来のアッドドロ
ップフィルタが示されている。フィルタ１０は入力ポー
ト（ＩＮ）、貫通ポート（ＴＨＲＯＵＧＨ）、ドロップ
ポート（ＤＲＯＰ）およびアッドポート（ＡＤＤ）を有
し、これらすべてのポートは光フアイバの導波管と接面
（インターフェイス）するようになっている。入力ポー
トは入力放射光Ｓinを受光するように動作し、貫通ポー
トは出力放射光Ｓout を与えるように動作可能である。
て、図面にしたがった実施形態について説明する。図１
を参照すれば、符号１０で指示された従来のアッドドロ
ップフィルタが示されている。フィルタ１０は入力ポー
ト（ＩＮ）、貫通ポート（ＴＨＲＯＵＧＨ）、ドロップ
ポート（ＤＲＯＰ）およびアッドポート（ＡＤＤ）を有
し、これらすべてのポートは光フアイバの導波管と接面
（インターフェイス）するようになっている。入力ポー
トは入力放射光Ｓinを受光するように動作し、貫通ポー
トは出力放射光Ｓout を与えるように動作可能である。
【００３５】フィルタ１０は放射光Ｓinに適合する波長
の範囲にわたって動作するように設計される。放射光Ｓ
inは一続きのチャンネルと共合する放射光成分の総計で
あり、ここでは指標ｉは各チャンネルを個々に同定する
１からｎの範囲内の整数であり、放射光Ｓinの全体でｎ
チャンネル存在し、例えば放射光Ｓinは１５５０ｎｍの
単位の波長をもち、０．８ｎｍの波長間隔でチャンネル
が離隔されている。チャンネルＣi は単調的にそれらに
対応するチャンネル数の指標ｉにしたがって波長を変え
る。
の範囲にわたって動作するように設計される。放射光Ｓ
inは一続きのチャンネルと共合する放射光成分の総計で
あり、ここでは指標ｉは各チャンネルを個々に同定する
１からｎの範囲内の整数であり、放射光Ｓinの全体でｎ
チャンネル存在し、例えば放射光Ｓinは１５５０ｎｍの
単位の波長をもち、０．８ｎｍの波長間隔でチャンネル
が離隔されている。チャンネルＣi は単調的にそれらに
対応するチャンネル数の指標ｉにしたがって波長を変え
る。
【００３６】フィルタ１０の動作を図１を参照して記述
する。入力放射光Ｓinは入力ポート（ＩＮ）に伝わり、
そして更にそこからフィルタ１０内に伝わり、そこでチ
ャンネルＣｘに対応する放射光成分は放射光Ｓinから引
き出され、ドロップポート（ＤＲＯＰ）へ出力される。
チャンネルＣｘに対応する成分を引いた放射光Ｓin、即
ち修正された放射光Ｓin′はフィルタ１０内へ伝わり、
そこでアッドポート（ＡＤＤ）に入力されたチャンネル
Ｃｘ′に対応する放射光成分は放射光Ｓout を生じるよ
うに放射光Ｓin′に加えられ、この放射光Ｓout は次い
で貫通ポート（ＴＨＲＯＵＧＨ）で出力される。このよ
うに、出力放射光Ｓout は、入力放射光におけるチャン
ネルＣｘに対応する放射光成分が出力放射光におけるチ
ャンネルＣｘ′に対応した放射光成分によって置き変え
られることを除いて、入力放射光Ｓinに対応している。
する。入力放射光Ｓinは入力ポート（ＩＮ）に伝わり、
そして更にそこからフィルタ１０内に伝わり、そこでチ
ャンネルＣｘに対応する放射光成分は放射光Ｓinから引
き出され、ドロップポート（ＤＲＯＰ）へ出力される。
チャンネルＣｘに対応する成分を引いた放射光Ｓin、即
ち修正された放射光Ｓin′はフィルタ１０内へ伝わり、
そこでアッドポート（ＡＤＤ）に入力されたチャンネル
Ｃｘ′に対応する放射光成分は放射光Ｓout を生じるよ
うに放射光Ｓin′に加えられ、この放射光Ｓout は次い
で貫通ポート（ＴＨＲＯＵＧＨ）で出力される。このよ
うに、出力放射光Ｓout は、入力放射光におけるチャン
ネルＣｘに対応する放射光成分が出力放射光におけるチ
ャンネルＣｘ′に対応した放射光成分によって置き変え
られることを除いて、入力放射光Ｓinに対応している。
【００３７】通常の通信システムはアッドドロップフィ
ルタ１０に類似した多数のフィルタと共合し、そのよう
な通常のシステムは図２で符号１００で示される。シス
テム１００は多重送信ユニット１１０、非多重送信ユニ
ット１２０および３つのアッドドロップフィルタ１３
０，１４０，１５０を含み、これらは一連に接続されか
つ多重送信ユニット１１０を非多重送信ユニット１２０
に接続する通信路に挿入される。各アッドドロップフィ
ルタ１３０，１４０，１５０はフィルタ１０と同一設計
のものである。更に、フィルタ１３０，１４０，１５０
はそれぞれチャンネルＣa ，Ｃb ，Ｃc を濾過するよう
に動作し、ここで添字ａ，ｂ，ｃは互いに異なりかつ１
〜ｎの範囲を有する。
ルタ１０に類似した多数のフィルタと共合し、そのよう
な通常のシステムは図２で符号１００で示される。シス
テム１００は多重送信ユニット１１０、非多重送信ユニ
ット１２０および３つのアッドドロップフィルタ１３
０，１４０，１５０を含み、これらは一連に接続されか
つ多重送信ユニット１１０を非多重送信ユニット１２０
に接続する通信路に挿入される。各アッドドロップフィ
ルタ１３０，１４０，１５０はフィルタ１０と同一設計
のものである。更に、フィルタ１３０，１４０，１５０
はそれぞれチャンネルＣa ，Ｃb ，Ｃc を濾過するよう
に動作し、ここで添字ａ，ｂ，ｃは互いに異なりかつ１
〜ｎの範囲を有する。
【００３８】送信ユニット１１０はチャンネルＣ1 〜Ｃ
n にそれぞれ対応する光学放射光を受光するための一連
の光入力ＴＣ1 〜ＴＣn を有する。同様の形態で、受信
器ユニット１２０はチャンネルＣ1 〜Ｃn に対応する一
連の光出力ＲＣ1 〜ＲＣn を有する。
n にそれぞれ対応する光学放射光を受光するための一連
の光入力ＴＣ1 〜ＴＣn を有する。同様の形態で、受信
器ユニット１２０はチャンネルＣ1 〜Ｃn に対応する一
連の光出力ＲＣ1 〜ＲＣn を有する。
【００３９】システム１００の動作について以下に記載
する。多重送信ユニット１１０は入力ＴＣを出力放射光
Ｋ1 における対応した周波帯域に多重化する。放射光Ｋ
1 は、ユニット１１０から、チャンネルＣa に対応する
放射光Ｋ1 の成分を除くべく濾過しかつそのドロップポ
ートで該成分を出力するフィルタ１３０伝わる。フィル
タ１３０はまた、出力放射光Ｋ2 を発生するためにその
アッドポートに入力された放射光をフィルタ１３０を通
して伝わる放射光Ｋ1 の一部分に加える。放射光Ｋ2 は
フィルタ１４０に伝わり、そこでチャンネルＣb に対応
する放射光成分が遮断されかつこれをそのドロップポー
トに出力する。フィルタ１３０に対応するのと同様の形
態で、フィルタ１４０もまた、出力放射光Ｋ3 を発生す
るためにそのアッドポートに入力された放射光をフィル
タ１４０を通して伝わる放射光Ｋ 2 の一部分に加える。
放射光Ｋ3 はフィルタ１５０に伝わり、そこでチャンネ
ルＣc に対応する放射光成分が遮断されかつこれをその
ドロップポートに出力する。フィルタ１５０もまた出力
放射光Ｋ4 を発生するためにそのアッドポートに入力さ
れた放射光をフィルタ１５０を通して伝わる放射光Ｋ3
の一部分に加える。出力放射光Ｋ4 は非多重送信器ユニ
ット１２０に伝わり、ここで出力ＲＣで出力放射光を発
生するように非多重化される。フィルタ１３０，１４
０，１５０の動作のため入力ＴＣa ，ＴＣb ，ＴＣc で
入力された放射光を除いて、出力ＲＣにおける放射光は
入力ＴＣにおける放射光に対応する。フィルタで遮断さ
れた放射光を処理しかつフィルタ１３０，１４０，１５
０のアッドポートに入力されるべき放射光を発生するた
めに追加的な構成部分（図示省略）がフィルタ１３０，
１４０，１５０に接続される。
する。多重送信ユニット１１０は入力ＴＣを出力放射光
Ｋ1 における対応した周波帯域に多重化する。放射光Ｋ
1 は、ユニット１１０から、チャンネルＣa に対応する
放射光Ｋ1 の成分を除くべく濾過しかつそのドロップポ
ートで該成分を出力するフィルタ１３０伝わる。フィル
タ１３０はまた、出力放射光Ｋ2 を発生するためにその
アッドポートに入力された放射光をフィルタ１３０を通
して伝わる放射光Ｋ1 の一部分に加える。放射光Ｋ2 は
フィルタ１４０に伝わり、そこでチャンネルＣb に対応
する放射光成分が遮断されかつこれをそのドロップポー
トに出力する。フィルタ１３０に対応するのと同様の形
態で、フィルタ１４０もまた、出力放射光Ｋ3 を発生す
るためにそのアッドポートに入力された放射光をフィル
タ１４０を通して伝わる放射光Ｋ 2 の一部分に加える。
放射光Ｋ3 はフィルタ１５０に伝わり、そこでチャンネ
ルＣc に対応する放射光成分が遮断されかつこれをその
ドロップポートに出力する。フィルタ１５０もまた出力
放射光Ｋ4 を発生するためにそのアッドポートに入力さ
れた放射光をフィルタ１５０を通して伝わる放射光Ｋ3
の一部分に加える。出力放射光Ｋ4 は非多重送信器ユニ
ット１２０に伝わり、ここで出力ＲＣで出力放射光を発
生するように非多重化される。フィルタ１３０，１４
０，１５０の動作のため入力ＴＣa ，ＴＣb ，ＴＣc で
入力された放射光を除いて、出力ＲＣにおける放射光は
入力ＴＣにおける放射光に対応する。フィルタで遮断さ
れた放射光を処理しかつフィルタ１３０，１４０，１５
０のアッドポートに入力されるべき放射光を発生するた
めに追加的な構成部分（図示省略）がフィルタ１３０，
１４０，１５０に接続される。
【００４０】発明者は、多重送信ユニット１１０から非
多重送信ユニット１２０への伝送の流れを阻害せずに前
記添字ａ，ｂ，ｃを変えることができるようにシステム
１００を再配置することが極めて望ましいと認識した。
システム１００のそのような再配置は内部に波長選択式
光学フィルタと共合するアッドドロップフィルタ１３
０，１４０，１５０によって達成でき、各フィルタは第
１，第２のチャンネルの間の中間のチャンネルを通して
整調することなく第１のチャンネルから第２のチャンネ
ルまで整調可能であり、またアッドドロップ機能をそれ
らの共合したアッドドロップフィルタに与えるように動
作可能である。
多重送信ユニット１２０への伝送の流れを阻害せずに前
記添字ａ，ｂ，ｃを変えることができるようにシステム
１００を再配置することが極めて望ましいと認識した。
システム１００のそのような再配置は内部に波長選択式
光学フィルタと共合するアッドドロップフィルタ１３
０，１４０，１５０によって達成でき、各フィルタは第
１，第２のチャンネルの間の中間のチャンネルを通して
整調することなく第１のチャンネルから第２のチャンネ
ルまで整調可能であり、またアッドドロップ機能をそれ
らの共合したアッドドロップフィルタに与えるように動
作可能である。
【００４１】図３を参照すれば、本発明にしたがった波
長選択式光学フィルタは符号２００で示され、該光学フ
ィルタはその共合したアッドドロップフィルタ１０に光
学ドロップ機能を与えるように動作可能である。フィル
タ２００はサーキュレータ２１０およびフィルタモジュ
ール２２０を有し、該モジュール２２０は破線２２５内
に示されている。フィルタモジュール２２０は入力レン
ズ２３０、整調可能なフィルタデバイス２４０および出
力レンズ２５０を有する。フィルタ２００は光ファイバ
２６０を通してサーキュレータ２１０の入力ポートＪ1
に接続される入力ポートと共合している。更に、サーキ
ュレータ２１０は光ファイバ２７０を通してフィルタ２
００の出力ポートに接続される出力ポートＪ3 を有す
る。更に、サーキュレータ２００は光ファイバ２８０を
通して入力レンズ２３０に接続される後続ポートＪ2 を
有する。出力レンズ２５０は光ファイバ２９０を通して
フィルタ２００のドロップポートに接続される。
長選択式光学フィルタは符号２００で示され、該光学フ
ィルタはその共合したアッドドロップフィルタ１０に光
学ドロップ機能を与えるように動作可能である。フィル
タ２００はサーキュレータ２１０およびフィルタモジュ
ール２２０を有し、該モジュール２２０は破線２２５内
に示されている。フィルタモジュール２２０は入力レン
ズ２３０、整調可能なフィルタデバイス２４０および出
力レンズ２５０を有する。フィルタ２００は光ファイバ
２６０を通してサーキュレータ２１０の入力ポートＪ1
に接続される入力ポートと共合している。更に、サーキ
ュレータ２１０は光ファイバ２７０を通してフィルタ２
００の出力ポートに接続される出力ポートＪ3 を有す
る。更に、サーキュレータ２００は光ファイバ２８０を
通して入力レンズ２３０に接続される後続ポートＪ2 を
有する。出力レンズ２５０は光ファイバ２９０を通して
フィルタ２００のドロップポートに接続される。
【００４２】フィルタ２００の動作を図３を参照して説
明する。フィルタ２００の入力ポートはフィルタ１０の
ＩＮポートに与えられる放射光Ｓinを受光する。放射光
Ｓinはフィルタ２６０に沿ってサーキュレータ２１０の
入力ポートＪ1 に伝わる。放射光Ｓinはサーキュレータ
２１０内でポートＪ2 に伝わり、そこでフィルタ２８０
を沿ってかつレンズ２３０を通してフィルタデバイス２
４０に伝わる。レンズ２３０はデバイス２４０によって
受けられた５０〜１００μｍの範囲の直径をもつビーム
を形成する。もしデバイス２４０に受光されたビームが
１００μｍより太いならば、フィルタ２００の応答性の
悪化をきたす結果となる。デバイス２４０は整数指標x
が１〜ｎの範囲のチャンネルＣx に整調される。チャン
ネルＣxに対応する放射光Ｓinにおける放射光成分はデ
バイス２４０を通して伝わり、レンズ２５０に受けら
れ、それを通して前方へ伝わりかつファイバ２９０を通
してフィルタ２００のドロップポートに伝わる。チャン
ネルＣ1 〜Ｃx-1 およびＣx+ 1 〜Ｃn に対応する放射光
Ｓinにおける放射光成分はデバイス２４０から反射され
かつレンズ２３０およびフィルタ２８０を通して逆方向
にサーキュレータ２１０のポートＪ2 に伝わる。これら
の成分は更にサーキュレータ２１０内でその出力ポート
Ｊ3 に伝わり、また更にそこからファイバ２７０に沿っ
てフィルタ２００の出力ポートに伝わる。
明する。フィルタ２００の入力ポートはフィルタ１０の
ＩＮポートに与えられる放射光Ｓinを受光する。放射光
Ｓinはフィルタ２６０に沿ってサーキュレータ２１０の
入力ポートＪ1 に伝わる。放射光Ｓinはサーキュレータ
２１０内でポートＪ2 に伝わり、そこでフィルタ２８０
を沿ってかつレンズ２３０を通してフィルタデバイス２
４０に伝わる。レンズ２３０はデバイス２４０によって
受けられた５０〜１００μｍの範囲の直径をもつビーム
を形成する。もしデバイス２４０に受光されたビームが
１００μｍより太いならば、フィルタ２００の応答性の
悪化をきたす結果となる。デバイス２４０は整数指標x
が１〜ｎの範囲のチャンネルＣx に整調される。チャン
ネルＣxに対応する放射光Ｓinにおける放射光成分はデ
バイス２４０を通して伝わり、レンズ２５０に受けら
れ、それを通して前方へ伝わりかつファイバ２９０を通
してフィルタ２００のドロップポートに伝わる。チャン
ネルＣ1 〜Ｃx-1 およびＣx+ 1 〜Ｃn に対応する放射光
Ｓinにおける放射光成分はデバイス２４０から反射され
かつレンズ２３０およびフィルタ２８０を通して逆方向
にサーキュレータ２１０のポートＪ2 に伝わる。これら
の成分は更にサーキュレータ２１０内でその出力ポート
Ｊ3 に伝わり、また更にそこからファイバ２７０に沿っ
てフィルタ２００の出力ポートに伝わる。
【００４３】フィルタ１０は第１，第２のフィルタユニ
ットを含み、第１のユニットはフィルタ２００に対応
し、第２のユニットはチャンネルＣｘに対応した放射光
成分を注入するようになったフィルタ２００の修正形体
に対応する。
ットを含み、第１のユニットはフィルタ２００に対応
し、第２のユニットはチャンネルＣｘに対応した放射光
成分を注入するようになったフィルタ２００の修正形体
に対応する。
【００４４】フィルタデバイス２４０を図４を参照して
さらに詳しく説明する。デバイス２４０は、１５０μｍ
〜２５０μｍの範囲の厚み、好ましくは２００μｍの厚
みをもつ薄いガリウム砒化物の基質３００を有する。基
質３００は符号３１０で示された第１の主面を有し、該
主面は１５００ｎｍの単位の赤外線放射光波長で該面３
１０からの反射を阻止するように動作可能な非反射被覆
３０５で被覆されている。基質３００は第１の面３１０
に対し基質３００の反対側に符号３２０で示された第２
の主面を有する。この第２の主面３２０はその上面に第
１のミラー組立体３３０が作成され、該組立体はＡｌＧ
ａＡｓと酸化アルミニウムの交互層、特に４層のＡｌＧ
ａＡｓと３層の酸化アルミニウムの層を有する。酸化ア
ルミニウム層の各々は３００〜３５０ｎｍの範囲の厚
み、好ましくは３１４．５ｎｍの厚みを有する。各Ａｌ
ＧａＡｓ層は３つの一続きの副積層体、特に以下のよう
な第１，第２および第３の副積層体を有する。 （ｉ）組成Ａｌa Ｇａb Ａｓをもつ第１および第３の副
積層体、ここでａは０．５８〜０．６２の範囲、ｂは
０．３８〜０．４２の範囲であり、（ii）組成Ａｌc Ｇ
ａd Ａｓの第２の副積層体、ここでｃは０．２８〜０．
３２の範囲、ｄは０．６８〜０．７２の範囲である。
さらに詳しく説明する。デバイス２４０は、１５０μｍ
〜２５０μｍの範囲の厚み、好ましくは２００μｍの厚
みをもつ薄いガリウム砒化物の基質３００を有する。基
質３００は符号３１０で示された第１の主面を有し、該
主面は１５００ｎｍの単位の赤外線放射光波長で該面３
１０からの反射を阻止するように動作可能な非反射被覆
３０５で被覆されている。基質３００は第１の面３１０
に対し基質３００の反対側に符号３２０で示された第２
の主面を有する。この第２の主面３２０はその上面に第
１のミラー組立体３３０が作成され、該組立体はＡｌＧ
ａＡｓと酸化アルミニウムの交互層、特に４層のＡｌＧ
ａＡｓと３層の酸化アルミニウムの層を有する。酸化ア
ルミニウム層の各々は３００〜３５０ｎｍの範囲の厚
み、好ましくは３１４．５ｎｍの厚みを有する。各Ａｌ
ＧａＡｓ層は３つの一続きの副積層体、特に以下のよう
な第１，第２および第３の副積層体を有する。 （ｉ）組成Ａｌa Ｇａb Ａｓをもつ第１および第３の副
積層体、ここでａは０．５８〜０．６２の範囲、ｂは
０．３８〜０．４２の範囲であり、（ii）組成Ａｌc Ｇ
ａd Ａｓの第２の副積層体、ここでｃは０．２８〜０．
３２の範囲、ｄは０．６８〜０．７２の範囲である。
【００４５】第１および第３の副積層体の好適な組成は
Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 Ａｓであり、第２の副積層体の好適な
組成はＡｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓである。第１および第３の
副積層体は各々４５〜５５ｎｍの厚さ範囲にあり、第２
の副積層体は１５〜２５ｎｍの厚さ範囲にある。しかし
ながら、第１および第３の副積層体の各々に対して５
２．８ｎｍが好ましい厚みであり、第２の副積層体に対
しては１９．９ｎｍが好ましい厚みである。
Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 Ａｓであり、第２の副積層体の好適な
組成はＡｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓである。第１および第３の
副積層体は各々４５〜５５ｎｍの厚さ範囲にあり、第２
の副積層体は１５〜２５ｎｍの厚さ範囲にある。しかし
ながら、第１および第３の副積層体の各々に対して５
２．８ｎｍが好ましい厚みであり、第２の副積層体に対
しては１９．９ｎｍが好ましい厚みである。
【００４６】基質３００から離れたミラー組立体３３０
の上部には、第１の組立体３３０の主面３１０，３２０
に垂直な方向で１０〜２０μｍの範囲の高さの、好まし
くは１４μｍの高さの第１のキャビティ３４０が存在す
る。符号３５０で示された第２ミラー組立体は第１の組
立体３３０の上部に吊り下げられ、かつ第１のキャビテ
ィ３４０によってそこから分離されている。
の上部には、第１の組立体３３０の主面３１０，３２０
に垂直な方向で１０〜２０μｍの範囲の高さの、好まし
くは１４μｍの高さの第１のキャビティ３４０が存在す
る。符号３５０で示された第２ミラー組立体は第１の組
立体３３０の上部に吊り下げられ、かつ第１のキャビテ
ィ３４０によってそこから分離されている。
【００４７】第２の組立体３５０は一体のものであり、
かつ４つのアーム、例えばアーム３７０上に、該組立体
３５０の周辺領域３８０から吊り下げられた実質的に円
形の中央ミラー３６０と共合し、この周辺領域３８０は
第１の比較的厚いＧａＡｓ層によって第１の組立体３３
０に接続され、この第１の比較的厚い層は実質的に１４
μｍの厚みをもつ。
かつ４つのアーム、例えばアーム３７０上に、該組立体
３５０の周辺領域３８０から吊り下げられた実質的に円
形の中央ミラー３６０と共合し、この周辺領域３８０は
第１の比較的厚いＧａＡｓ層によって第１の組立体３３
０に接続され、この第１の比較的厚い層は実質的に１４
μｍの厚みをもつ。
【００４８】中央ミラー３６０およびその共合されたア
ームは４つの孔、例えば孔３９０の形成によってミラー
組立体３５０内に作成される。このように、中央ミラー
３６０、その共合されたアームおよび周辺領域３８０は
すべて一体構造となっている。中央ミラー３６０は５０
〜１５０μｍの有効直径、好ましくは１００μｍの直径
をもつ。各アームは６００〜２０００μｍの範囲の長
さ、好ましくは１０００μｍの長さをもつ。アームは各
々１５〜３０μｍの横巾、好ましくは２０μｍの横巾を
もつ。
ームは４つの孔、例えば孔３９０の形成によってミラー
組立体３５０内に作成される。このように、中央ミラー
３６０、その共合されたアームおよび周辺領域３８０は
すべて一体構造となっている。中央ミラー３６０は５０
〜１５０μｍの有効直径、好ましくは１００μｍの直径
をもつ。各アームは６００〜２０００μｍの範囲の長
さ、好ましくは１０００μｍの長さをもつ。アームは各
々１５〜３０μｍの横巾、好ましくは２０μｍの横巾を
もつ。
【００４９】第１の組立体３３０と同様に、第２の組立
体３５０はＡｌＧａＡｓと酸化アルミニウムの交互層を
有する。酸化アルミニウム層の各々は３００〜３５０ｎ
ｍの厚さ範囲、このましくは３１４．５ｎｍの厚みをも
つ。同様にＡｌＧａＡｓ層の各々は１１５〜１４０ｎｍ
の厚さ範囲、このましくは１２５．０ｎｍの厚みをも
つ。ＡｌＧａＡｓ層はＡｌa Ｇａb Ａｓの組成を有し、
ここでａは０．５８〜０．６２の範囲、ｂは０．３８〜
０．４２の範囲であるが、Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 Ａｓが該層
の組成として好ましい。第２の組立体において、６層の
酸化アルミニウム層および７層のＡｌＧａＡｓ層が存在
する。
体３５０はＡｌＧａＡｓと酸化アルミニウムの交互層を
有する。酸化アルミニウム層の各々は３００〜３５０ｎ
ｍの厚さ範囲、このましくは３１４．５ｎｍの厚みをも
つ。同様にＡｌＧａＡｓ層の各々は１１５〜１４０ｎｍ
の厚さ範囲、このましくは１２５．０ｎｍの厚みをも
つ。ＡｌＧａＡｓ層はＡｌa Ｇａb Ａｓの組成を有し、
ここでａは０．５８〜０．６２の範囲、ｂは０．３８〜
０．４２の範囲であるが、Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 Ａｓが該層
の組成として好ましい。第２の組立体において、６層の
酸化アルミニウム層および７層のＡｌＧａＡｓ層が存在
する。
【００５０】基質３００から離れたミラー組立体３５０
の上部には第１の組立体３３０の主面３１０，３２０に
垂直な方向に１０〜２０μｍの範囲の高さの、好ましく
は１４μｍの高さの第２のキャビティ４００が存在す
る。第２の組立体３５０の上部に吊り下げられ、かつ第
２のキャビティ４００によってそこから分離された第３
のミラー組立体が符号４２０で示されている。
の上部には第１の組立体３３０の主面３１０，３２０に
垂直な方向に１０〜２０μｍの範囲の高さの、好ましく
は１４μｍの高さの第２のキャビティ４００が存在す
る。第２の組立体３５０の上部に吊り下げられ、かつ第
２のキャビティ４００によってそこから分離された第３
のミラー組立体が符号４２０で示されている。
【００５１】第３の組立体４２０は４つのアーム、例え
ばアーム４４０上に、周辺領域４５０から吊り下げられ
た実質的に円形の中央ミラー４３０を含む。ミラー４３
０、アームおよび周辺領域４５０は組立体４２０の一体
的な部分である。更に、ミラー４３０及び組立体４２０
のアームはミラー３６０及び第１の組立体３３０のアー
ムと同様な横寸法を有する。更に、ミラー３６０，４３
０は第１および第２の組立体３３０，３５０の面に垂直
な軸に沿って互いに整列されている。周辺領域４５０は
周辺領域３８０，４５０間の第２の比較的厚いＧａＡｓ
層によって第２の組立体３５０の周辺領域３８０に接続
され、この層は１０〜２０μｍの範囲の、好ましくは１
４μｍの厚みを有する。
ばアーム４４０上に、周辺領域４５０から吊り下げられ
た実質的に円形の中央ミラー４３０を含む。ミラー４３
０、アームおよび周辺領域４５０は組立体４２０の一体
的な部分である。更に、ミラー４３０及び組立体４２０
のアームはミラー３６０及び第１の組立体３３０のアー
ムと同様な横寸法を有する。更に、ミラー３６０，４３
０は第１および第２の組立体３３０，３５０の面に垂直
な軸に沿って互いに整列されている。周辺領域４５０は
周辺領域３８０，４５０間の第２の比較的厚いＧａＡｓ
層によって第２の組立体３５０の周辺領域３８０に接続
され、この層は１０〜２０μｍの範囲の、好ましくは１
４μｍの厚みを有する。
【００５２】第１および第２の組立体３３０，３５０に
類似の形態で、第３の組立体４２０はＡｌＧａＡｓおよ
び酸化アルミニウムの交互層を有する多層構造体であ
る。酸化アルミニウム層の各々は３００〜３５０ｎｍの
厚さ範囲、好ましくは３１４．５ｎｍの厚みを有する。
類似の形態で、第３の組立体４２０はＡｌＧａＡｓおよ
び酸化アルミニウムの交互層を有する多層構造体であ
る。酸化アルミニウム層の各々は３００〜３５０ｎｍの
厚さ範囲、好ましくは３１４．５ｎｍの厚みを有する。
【００５３】第３の組立体４２０の各ＡｌＧａＡｓ層は
３つの一続きの副積層体、特に以下のような第１、第２
および第３の副積層体を有する。 （ｉ）組成Ａｌa Ｇａb Ａｓをもつ第１および第３の副
積層体、ここでａは０．５８〜０．６２の範囲、ｂは
０．３８〜０．４２の範囲であり、（ii）組成Ａｌc Ｇ
ａd Ａｓの第２の副積層体、ここでｃは０．２８〜０．
３２の範囲、ｄは０．６８〜０．７２の範囲である。第
１および第３の副積層体の好ましい組成はＡｌ0.6 Ｇａ
0.4 Ａｓであり、第２の副積層体の好ましい組成はＡｌ
0.3 Ｇａ0.7 Ａｓである。
３つの一続きの副積層体、特に以下のような第１、第２
および第３の副積層体を有する。 （ｉ）組成Ａｌa Ｇａb Ａｓをもつ第１および第３の副
積層体、ここでａは０．５８〜０．６２の範囲、ｂは
０．３８〜０．４２の範囲であり、（ii）組成Ａｌc Ｇ
ａd Ａｓの第２の副積層体、ここでｃは０．２８〜０．
３２の範囲、ｄは０．６８〜０．７２の範囲である。第
１および第３の副積層体の好ましい組成はＡｌ0.6 Ｇａ
0.4 Ａｓであり、第２の副積層体の好ましい組成はＡｌ
0.3 Ｇａ0.7 Ａｓである。
【００５４】第１および第３の副積層体は各々１０〜２
０ｎｍの厚さ範囲であり、第２の副積層体は９０〜１０
０ｎｍの厚さ範囲である。しかしながら、第１および第
３の副積層体の好ましい厚みは１３．５ｎｍであり、第
２の副積層体の好ましい厚みは９４．９ｎｍである。
０ｎｍの厚さ範囲であり、第２の副積層体は９０〜１０
０ｎｍの厚さ範囲である。しかしながら、第１および第
３の副積層体の好ましい厚みは１３．５ｎｍであり、第
２の副積層体の好ましい厚みは９４．９ｎｍである。
【００５５】第１および第２のキャビティ３４０，４０
０によってミラー３６０，４３０はそれらそれぞれのア
ーム上に、ミラー３６０，４３０間に互いに間隔を有し
て、自由に吊り下げることが可能であり、第１の組立体
３３０はミラー３６０，４３０に力を加えることによっ
て調節可能である。このような力は静電気的に、あるい
は圧電気的に生じさせることができる。かかる力の調節
によってデバイス２４０は整調することが可能である。
０によってミラー３６０，４３０はそれらそれぞれのア
ーム上に、ミラー３６０，４３０間に互いに間隔を有し
て、自由に吊り下げることが可能であり、第１の組立体
３３０はミラー３６０，４３０に力を加えることによっ
て調節可能である。このような力は静電気的に、あるい
は圧電気的に生じさせることができる。かかる力の調節
によってデバイス２４０は整調することが可能である。
【００５６】更に、組立体３３０，３５０，４２０にお
ける比較的複雑な層配列は層の屈折率および、したがっ
て全体の中央ミラー３６０，４３０および第１の組立体
３３０の反射力の正確な調整を可能にするように選定さ
れる。
ける比較的複雑な層配列は層の屈折率および、したがっ
て全体の中央ミラー３６０，４３０および第１の組立体
３３０の反射力の正確な調整を可能にするように選定さ
れる。
【００５７】周辺領域３８０，４５０は、それぞれ組立
体３３０，３５０，４２０と共合した接続パッド４６
０，４７０，４８０にワイヤ接合することによって電気
的接続を容易にするために、図４に示されるような台段
形態に配置される。比較的厚いＧａＡｓ層は組立体３３
０，３５０，４２０を実質的に互いに電気的に絶縁する
ように動作可能である。更に、互いに対して中央ミラー
３６０，４３０を、また第１の組立体３３０を作動させ
るために静電気力が用いられる時には、組立体３３０，
３５０，４２０は十分な導電性を有し、これによって、
そこに接合された共合のワイヤを通してパッド４６０，
４７０，４８０に加えられた電圧が第１の組立体３３０
に対して中央ミラー３６０，４３０の電圧を制御するよ
うになっている。
体３３０，３５０，４２０と共合した接続パッド４６
０，４７０，４８０にワイヤ接合することによって電気
的接続を容易にするために、図４に示されるような台段
形態に配置される。比較的厚いＧａＡｓ層は組立体３３
０，３５０，４２０を実質的に互いに電気的に絶縁する
ように動作可能である。更に、互いに対して中央ミラー
３６０，４３０を、また第１の組立体３３０を作動させ
るために静電気力が用いられる時には、組立体３３０，
３５０，４２０は十分な導電性を有し、これによって、
そこに接合された共合のワイヤを通してパッド４６０，
４７０，４８０に加えられた電圧が第１の組立体３３０
に対して中央ミラー３６０，４３０の電圧を制御するよ
うになっている。
【００５８】フィルタデバイス２４０の動作を図３、図
４を参照して説明する。フィルタ２８０に沿ってサーキ
ュレータ２１０から伝わる入来放射光はレンズ２３０に
よって第３の組立体４２０の中央ミラー４３０上に焦点
が合される。中央ミラー４３０は一部分透過可能であ
り、その上に入射された放射光は第２のキャビティ４０
０に伝わりかつ中央ミラー３６０で中央ミラー４３０へ
大部分反射される。もし放射光が、中央ミラー３６０，
４３０間の有効距離が正確な数の半波長であるような波
長成分を有するならば、第２のキャビティ４００内で共
振が起こり、その成分は第２のキャビティに定常波を起
こす。反対に、放射光が、中央ミラー３６０，４３０間
の有効距離が正確な数の半波長でないような波長成分を
有するならば、非定常波が形成される。第２のキャビテ
ィ４００は、一方のキャビティから他方への結合が０．
０１〜０．１％の範囲となるように中央ミラー３６０を
経て第１のキャビティ３４０へ弱く結合され、その逆も
また同様である。第１のキャビティ３４０も第２のキャ
ビティ４００と同じ波長に整調される時は、第１のキャ
ビティ３４０における共振は第２のキャビティ４００か
ら第１のキャビティ３４０への共振に対応する放射光成
分の有効な結合をもたらす結果となる。第１の組立体３
３０は放射光に対して一部分透過可能であり、その結果
第１のキャビティ３４０の共振における放射光の成分が
第１の組立体３３０を通して、また基質３００およびそ
の非反射被覆３０５を通して伝達されてレンズ２５０
へ、また更にフィルタ２９０に沿ってドロップポートへ
伝わる。
４を参照して説明する。フィルタ２８０に沿ってサーキ
ュレータ２１０から伝わる入来放射光はレンズ２３０に
よって第３の組立体４２０の中央ミラー４３０上に焦点
が合される。中央ミラー４３０は一部分透過可能であ
り、その上に入射された放射光は第２のキャビティ４０
０に伝わりかつ中央ミラー３６０で中央ミラー４３０へ
大部分反射される。もし放射光が、中央ミラー３６０，
４３０間の有効距離が正確な数の半波長であるような波
長成分を有するならば、第２のキャビティ４００内で共
振が起こり、その成分は第２のキャビティに定常波を起
こす。反対に、放射光が、中央ミラー３６０，４３０間
の有効距離が正確な数の半波長でないような波長成分を
有するならば、非定常波が形成される。第２のキャビテ
ィ４００は、一方のキャビティから他方への結合が０．
０１〜０．１％の範囲となるように中央ミラー３６０を
経て第１のキャビティ３４０へ弱く結合され、その逆も
また同様である。第１のキャビティ３４０も第２のキャ
ビティ４００と同じ波長に整調される時は、第１のキャ
ビティ３４０における共振は第２のキャビティ４００か
ら第１のキャビティ３４０への共振に対応する放射光成
分の有効な結合をもたらす結果となる。第１の組立体３
３０は放射光に対して一部分透過可能であり、その結果
第１のキャビティ３４０の共振における放射光の成分が
第１の組立体３３０を通して、また基質３００およびそ
の非反射被覆３０５を通して伝達されてレンズ２５０
へ、また更にフィルタ２９０に沿ってドロップポートへ
伝わる。
【００５９】キャビティ３４０，４００の共振に対応す
る放射光の成分はそれによってデバイス２４０を通して
伝達され、一方、共振に対応しない放射光の成分は第２
および第３の組立体３５０，４２０からサーキュレータ
２１０へ反射される。デバイス２４０を通した伝達は、
キャビティ３４０，４００が互いに類似の波長に整調さ
れてそれらの共振が対応することとなる時にのみ実質的
に生じる。
る放射光の成分はそれによってデバイス２４０を通して
伝達され、一方、共振に対応しない放射光の成分は第２
および第３の組立体３５０，４２０からサーキュレータ
２１０へ反射される。デバイス２４０を通した伝達は、
キャビティ３４０，４００が互いに類似の波長に整調さ
れてそれらの共振が対応することとなる時にのみ実質的
に生じる。
【００６０】図５を参照すれば、キャビティ３４０，４
００が同様の共振波長、特に１５５０ｎｍの波長に整調
される時の図４におけるフィルタデバイス２４０の透過
（伝達）および反射特性のグラフが示されている。この
グラフにおいて、曲線５００はデバイス２４０を通した
放射光透過を表わし、破線曲線５１０はデバイス２４０
からの放射光反射を表わす。共振におけるデバイス２４
０を通した放射光の減衰は１ｄＢ以下であるが、レンズ
２３０，２５０およびファイバ２８０，２９０と共合し
た結合損失は１〜２ｄＢの範囲のサーキュレータ２１０
とドロップポート間の全体挿入損失をきたす。共振にお
けるデバイス２４０からの反射損失はその透過減衰損失
が１ｄＢ以下である時に−４２ｄＢのレベルであること
をグラフは示している。更に、デバイス２４０によって
表わされた反射損失は、その透過損失が１５５０ｎｍの
波長での共振から０．８ｎｍの波長差で−２５ｄＢのレ
ベルである時に１ｄＢ以下である。図５に示された１５
４５ｎｍ〜１５５５ｎｍの範囲の波長における共振から
０．８ｎｍを超える波長差で、デバイス２４０に通した
透過損失は２５ｄＢを超える。
００が同様の共振波長、特に１５５０ｎｍの波長に整調
される時の図４におけるフィルタデバイス２４０の透過
（伝達）および反射特性のグラフが示されている。この
グラフにおいて、曲線５００はデバイス２４０を通した
放射光透過を表わし、破線曲線５１０はデバイス２４０
からの放射光反射を表わす。共振におけるデバイス２４
０を通した放射光の減衰は１ｄＢ以下であるが、レンズ
２３０，２５０およびファイバ２８０，２９０と共合し
た結合損失は１〜２ｄＢの範囲のサーキュレータ２１０
とドロップポート間の全体挿入損失をきたす。共振にお
けるデバイス２４０からの反射損失はその透過減衰損失
が１ｄＢ以下である時に−４２ｄＢのレベルであること
をグラフは示している。更に、デバイス２４０によって
表わされた反射損失は、その透過損失が１５５０ｎｍの
波長での共振から０．８ｎｍの波長差で−２５ｄＢのレ
ベルである時に１ｄＢ以下である。図５に示された１５
４５ｎｍ〜１５５５ｎｍの範囲の波長における共振から
０．８ｎｍを超える波長差で、デバイス２４０に通した
透過損失は２５ｄＢを超える。
【００６１】一方のチャンネルＣi から他方のチャンネ
ルへ切り替えるデバイス２４０の動作を図６を参照して
説明する。図６において、３つの互いに垂直な軸線、特
に波長軸線６００、時間軸線６１０および透過率軸線６
２０が示されている。波長、時間および透過率の増加方
向はそれぞれ矢印６４０，６５０，６６０で示される。
軸線６００，６１０，６２０内には時間および波長に依
存するデバイス２４０の透過率の符号７００で示された
３次元曲線が含まれている。曲線７００はグラフの背面
で符号７２０で示された２次元曲線として投影される。
この曲線７２０は波長対透過率を例示している。
ルへ切り替えるデバイス２４０の動作を図６を参照して
説明する。図６において、３つの互いに垂直な軸線、特
に波長軸線６００、時間軸線６１０および透過率軸線６
２０が示されている。波長、時間および透過率の増加方
向はそれぞれ矢印６４０，６５０，６６０で示される。
軸線６００，６１０，６２０内には時間および波長に依
存するデバイス２４０の透過率の符号７００で示された
３次元曲線が含まれている。曲線７００はグラフの背面
で符号７２０で示された２次元曲線として投影される。
この曲線７２０は波長対透過率を例示している。
【００６２】第１のピーク７４０は公称の波長λ1 によ
ってチャンネルＣi の１つに対して整調されたデバイス
２４０に対応し、第２のピーク８２０は公称の波長λ2
によってチャンネルの他方に対して整調さたデバイス２
４０に対応している。キャビティ３４０，４００を再整
調するために、第１の組立体３３０の電圧に対して第２
および第３の組立体３５０，４２０間に与えられた電圧
差は両キャビティ３４０，４００を波長λ1 から互いに
反対の波長方向に不整調されるように調節される。この
相互の不整調は第１のピーク７４０を拡げかつ符号７６
０，７８０の曲線で表わされたように透過（伝達）性を
減じ、それによってデバイス２４０によって与えられた
透過機能を有効に切断する。２つのキャビティ３４０，
４００は次に、それらそれぞれの中央ミラー３６０，４
３０を実質的に等量だけ動かすことによって、第１の組
立体３３０の電圧に対して組立体３５０、４２０間の電
圧差を変えることによって、符号８００，８１０の曲線
で表わされたような第２の波長λ2 に向って、整調され
る。キャビティ３４０，４００の両方が波長λ2 に整調
された時、デバイス２４０はピーク８２０で表示された
ように再び伝達可能となる。
ってチャンネルＣi の１つに対して整調されたデバイス
２４０に対応し、第２のピーク８２０は公称の波長λ2
によってチャンネルの他方に対して整調さたデバイス２
４０に対応している。キャビティ３４０，４００を再整
調するために、第１の組立体３３０の電圧に対して第２
および第３の組立体３５０，４２０間に与えられた電圧
差は両キャビティ３４０，４００を波長λ1 から互いに
反対の波長方向に不整調されるように調節される。この
相互の不整調は第１のピーク７４０を拡げかつ符号７６
０，７８０の曲線で表わされたように透過（伝達）性を
減じ、それによってデバイス２４０によって与えられた
透過機能を有効に切断する。２つのキャビティ３４０，
４００は次に、それらそれぞれの中央ミラー３６０，４
３０を実質的に等量だけ動かすことによって、第１の組
立体３３０の電圧に対して組立体３５０、４２０間の電
圧差を変えることによって、符号８００，８１０の曲線
で表わされたような第２の波長λ2 に向って、整調され
る。キャビティ３４０，４００の両方が波長λ2 に整調
された時、デバイス２４０はピーク８２０で表示された
ように再び伝達可能となる。
【００６３】曲線７２０において、デバイス２４０はピ
ーク７４０，８２０間で実質的に非伝達性であり、それ
によってそれらの間の中間チャンネルを通して整調せず
に一方のチャンネルから他方のチャンネルに整調される
ことが理解され得る。図５において、波長λ1 およびλ
2 は２つのチャンネルＣi に対応する。
ーク７４０，８２０間で実質的に非伝達性であり、それ
によってそれらの間の中間チャンネルを通して整調せず
に一方のチャンネルから他方のチャンネルに整調される
ことが理解され得る。図５において、波長λ1 およびλ
2 は２つのチャンネルＣi に対応する。
【００６４】デバイス２４０はまた、そのキャビティ３
４０，４００の１つ又はそれ以上を選択的にわずかに相
互不整調することによって制御された減衰器として機能
させることができる。このようにして、デバイス２４０
はそのチャンネルに対してキャビティ３４０，４００が
名目上整調されるのに依存して波長選択減衰をもたらす
ことができる。第１の組立体３３０に対して組立体３５
０，４２０に与えられた電圧差は不整調度を決定するの
に使用することができ、それによってデバイス２４０に
よって表わされた減衰を決定する。減衰機能を遂行する
時、デバイスの反射力の変化を利用することができる。
図７は、そのキャビティ３４０，４００が１．６ｎｍの
相互波長差に不整調された時、特に各キャビティが総計
０．８ｎｍによって公称上１５５０ｎｍから不整調され
た時、フィルタ２００に含まれるデバイス２４０によっ
てファイバ２８０からファイバ２９０に与えられる反射
の減衰を表わすグラフを例示している。フィルタ２００
内のデバイス２４０によって与えられた減衰は実質的に
−１５ｄＢ〜−３ｄＢに制御可能であることが示され
る。
４０，４００の１つ又はそれ以上を選択的にわずかに相
互不整調することによって制御された減衰器として機能
させることができる。このようにして、デバイス２４０
はそのチャンネルに対してキャビティ３４０，４００が
名目上整調されるのに依存して波長選択減衰をもたらす
ことができる。第１の組立体３３０に対して組立体３５
０，４２０に与えられた電圧差は不整調度を決定するの
に使用することができ、それによってデバイス２４０に
よって表わされた減衰を決定する。減衰機能を遂行する
時、デバイスの反射力の変化を利用することができる。
図７は、そのキャビティ３４０，４００が１．６ｎｍの
相互波長差に不整調された時、特に各キャビティが総計
０．８ｎｍによって公称上１５５０ｎｍから不整調され
た時、フィルタ２００に含まれるデバイス２４０によっ
てファイバ２８０からファイバ２９０に与えられる反射
の減衰を表わすグラフを例示している。フィルタ２００
内のデバイス２４０によって与えられた減衰は実質的に
−１５ｄＢ〜−３ｄＢに制御可能であることが示され
る。
【００６５】制御された減衰器として動作するデバイス
２４０は、特に通信ネットワークに使用して有用であ
り、ここでチャンネル間の差損はネットワークを通して
蓄積されかつネットワークの実行の品位を下げることが
できる。このようにして、デバイス２４０はネットワー
ク内のチャンネルＣi にまたがるパワーレベルを均等化
するのを助けるのに使用できる。
２４０は、特に通信ネットワークに使用して有用であ
り、ここでチャンネル間の差損はネットワークを通して
蓄積されかつネットワークの実行の品位を下げることが
できる。このようにして、デバイス２４０はネットワー
ク内のチャンネルＣi にまたがるパワーレベルを均等化
するのを助けるのに使用できる。
【００６６】デバイス２４０の製作について説明する。
図８および図９は図４のフィルタデバイス２４０を製作
する方法の製造工程を例示したものであり、この方法は
第１工程〜第６工程までを含んでいる。
図８および図９は図４のフィルタデバイス２４０を製作
する方法の製造工程を例示したものであり、この方法は
第１工程〜第６工程までを含んでいる。
【００６７】工程１ 図８を参照すれば、最初に、ガリウム砒化物基質３００
はその両主面が鏡面仕上げに磨かれ、それによって実質
的に２００μｍの厚さまで薄くされる。基質３００の主
面３２０上で第１の組立体３３０は真空蒸着装置におけ
る酸化金属の化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）によって基質３０
０上に成長される。第１の組立体３３０は分配されたブ
ラッグ（Ｂｒａｇｇ）反射器（ＤＢＲ）であり、ＡｌＧ
ａＡｓとＡｌＡｓの交互層を有する。第１の組立体３３
０の反射器はＡｌＧａＡｓの４層とＡｌＡｓの３層とを
有する。ＡｌＡｓ層は各々３１４．５ｎｍの厚みであ
る。更に、ＡｌＧａＡｓ層は各々３つの一続きの副積層
体、特に公称厚み５２．８ｎｍで公称の組成Ａｌ0.6 Ｇ
ａ0.4 Ａｓの第１の副積層体と、公称厚み１９．９ｎｍ
で公称組成Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓの第２の副積層体と、
厚さおよび組成が第１の副積層体と類似の第３の副積層
体とを有する。結果としての第１の組立体３３０は１．
５μｍの単位の厚みを有する。次に、ガリウム砒化物の
第１のスペーサ層が第１の組立体３３０上に成長され
る。このスペーサ層は公称的に１４μｍの厚みを有す
る。
はその両主面が鏡面仕上げに磨かれ、それによって実質
的に２００μｍの厚さまで薄くされる。基質３００の主
面３２０上で第１の組立体３３０は真空蒸着装置におけ
る酸化金属の化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）によって基質３０
０上に成長される。第１の組立体３３０は分配されたブ
ラッグ（Ｂｒａｇｇ）反射器（ＤＢＲ）であり、ＡｌＧ
ａＡｓとＡｌＡｓの交互層を有する。第１の組立体３３
０の反射器はＡｌＧａＡｓの４層とＡｌＡｓの３層とを
有する。ＡｌＡｓ層は各々３１４．５ｎｍの厚みであ
る。更に、ＡｌＧａＡｓ層は各々３つの一続きの副積層
体、特に公称厚み５２．８ｎｍで公称の組成Ａｌ0.6 Ｇ
ａ0.4 Ａｓの第１の副積層体と、公称厚み１９．９ｎｍ
で公称組成Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓの第２の副積層体と、
厚さおよび組成が第１の副積層体と類似の第３の副積層
体とを有する。結果としての第１の組立体３３０は１．
５μｍの単位の厚みを有する。次に、ガリウム砒化物の
第１のスペーサ層が第１の組立体３３０上に成長され
る。このスペーサ層は公称的に１４μｍの厚みを有す
る。
【００６８】次に、第２の組立体３５０は前記ＭＯＣＶ
Ｄによって基質３００から離れた第１のスペーサ層上に
成長され、この第２の組立体３５０もまた前記ＤＢＲで
ある。第２の組立体３５０の反射器はＡｌＧａＡｓの７
層とＡｌＡｓの６層を含む。ＡｌＡｓ層は各々３１４．
５ｎｍの厚さである。更にＡｌＧａＡｓ層は各々１２
５．０ｎｍの公称厚みとＡｌ0.6 Ｇａ0.4 Ａｓの公称組
成を有する。第２の組立体３５０は２．８μｍの単位の
厚さを有する。次にガリウム砒化物の第２のスペーサ層
が第１の組立体３５０上に成長される。このスペーサ層
は公称１４μｍの厚さである。
Ｄによって基質３００から離れた第１のスペーサ層上に
成長され、この第２の組立体３５０もまた前記ＤＢＲで
ある。第２の組立体３５０の反射器はＡｌＧａＡｓの７
層とＡｌＡｓの６層を含む。ＡｌＡｓ層は各々３１４．
５ｎｍの厚さである。更にＡｌＧａＡｓ層は各々１２
５．０ｎｍの公称厚みとＡｌ0.6 Ｇａ0.4 Ａｓの公称組
成を有する。第２の組立体３５０は２．８μｍの単位の
厚さを有する。次にガリウム砒化物の第２のスペーサ層
が第１の組立体３５０上に成長される。このスペーサ層
は公称１４μｍの厚さである。
【００６９】最後に、第３の組立体４２０はその後ＭＯ
ＣＶＤによって基質３００から離れた第２のスペーサ層
上に成長され、この第３の組立体４２０もまたＤＢＲで
ある。第３の組立体３５０の反射器はＡｌＧａＡｓの３
層とＡｌＡｓの２層とを含む。ＡｌＡｓ層は各々３１
４．５ｎｍの厚みである。更に、ＡｌＧａＡｓ層は各々
３つの一続きの副積層体を有し、特に公称厚み１３．５
ｎｍで公称の組成がＡｌ 0.6 Ｇａ0.4 Ａｓの第１の副積
層体と、公称厚み９４．９ｎｍで公称の組成がＡｌ0.3
Ｇａ0.7 Ａｓの第２の副積層体と、第１の副積層体と厚
みおよび組成が類似の第３の副積層体とを有する。第３
の組立体４２０は１．１μｍの単位の厚みを有する。工
程１の完了によって符号８８０で示されるワークピース
の生成がなされる。
ＣＶＤによって基質３００から離れた第２のスペーサ層
上に成長され、この第３の組立体４２０もまたＤＢＲで
ある。第３の組立体３５０の反射器はＡｌＧａＡｓの３
層とＡｌＡｓの２層とを含む。ＡｌＡｓ層は各々３１
４．５ｎｍの厚みである。更に、ＡｌＧａＡｓ層は各々
３つの一続きの副積層体を有し、特に公称厚み１３．５
ｎｍで公称の組成がＡｌ 0.6 Ｇａ0.4 Ａｓの第１の副積
層体と、公称厚み９４．９ｎｍで公称の組成がＡｌ0.3
Ｇａ0.7 Ａｓの第２の副積層体と、第１の副積層体と厚
みおよび組成が類似の第３の副積層体とを有する。第３
の組立体４２０は１．１μｍの単位の厚みを有する。工
程１の完了によって符号８８０で示されるワークピース
の生成がなされる。
【００７０】工程２ 図９を参照すれば、フォトレジストの層９００は次にワ
ークピース８８０の第３の組立体４２０上に拡がり、フ
ォトリトおよび共合したレジスト成長技術が該層９００
の窓部を画成するために適用される。窓部は中央ミラー
３６０，４３０および工程２におけるそれらの共合した
アームを輪郭付けするのに使用可能である。
ークピース８８０の第３の組立体４２０上に拡がり、フ
ォトリトおよび共合したレジスト成長技術が該層９００
の窓部を画成するために適用される。窓部は中央ミラー
３６０，４３０および工程２におけるそれらの共合した
アームを輪郭付けするのに使用可能である。
【００７１】工程３ 工程２からのワークピース８８０は次に、異方性反応イ
オンエッチング（ＲＩＥ）あるいは化学補助イオンビー
ムエッチング（ＣＡＩＢＥ）の操作を受け、ここで層９
００はエッチングのために刷込み型を有する。エッチン
グはＭＯＣＶＤ付着層を通した孔９１０，９２０がＭＯ
ＣＶＤ層を貫通し第１の組立体３３０を超えて下方に達
することとなるまで続けられる。
オンエッチング（ＲＩＥ）あるいは化学補助イオンビー
ムエッチング（ＣＡＩＢＥ）の操作を受け、ここで層９
００はエッチングのために刷込み型を有する。エッチン
グはＭＯＣＶＤ付着層を通した孔９１０，９２０がＭＯ
ＣＶＤ層を貫通し第１の組立体３３０を超えて下方に達
することとなるまで続けられる。
【００７２】工程４ 工程３からのワークピースは次に、３８０〜４２０℃の
範囲の温度で、好ましくは４００℃の温度で蒸気雰囲気
にさらされ、ここでワークピース８８０のＡｌＡｓ層が
酸化アルミニウムに酸化される。ワークピースは次に優
先湿式エッチングを受けるが、これは組立体３３０，３
５０，４２０には作用せず、中央ミラー３６０，４３０
および自由に吊り下げられたそれらの共合アームおよび
画成されたキャビティ３４０，４００を残すように孔９
１０，９２０の付近におけるスペーサ層の一部分を除去
する、更に、湿式エッチングは同様に、第１の中央ミラ
ー３６０下側の第１のキャビティ３４０における第１の
組立体３３０に残っている第１のスペーサ層の残跡を除
去する。
範囲の温度で、好ましくは４００℃の温度で蒸気雰囲気
にさらされ、ここでワークピース８８０のＡｌＡｓ層が
酸化アルミニウムに酸化される。ワークピースは次に優
先湿式エッチングを受けるが、これは組立体３３０，３
５０，４２０には作用せず、中央ミラー３６０，４３０
および自由に吊り下げられたそれらの共合アームおよび
画成されたキャビティ３４０，４００を残すように孔９
１０，９２０の付近におけるスペーサ層の一部分を除去
する、更に、湿式エッチングは同様に、第１の中央ミラ
ー３６０下側の第１のキャビティ３４０における第１の
組立体３３０に残っている第１のスペーサ層の残跡を除
去する。
【００７３】工程５ 次に、符号９３０で示されるように工程４からのワーク
ピース８８０に台段状の輪郭を形成するために、再度の
リトグラフ、ＲＩＥおよび優先湿式エッチング技術が加
えられる。この台段状の輪郭は標準ワイヤ接着器具を用
いてワークピースに電気的接続を行う時の助けとなる。
接続ワイヤが接着されるべきパッド４６０，４７０，４
８０を形成するために金属が組立体３３０，３５０，４
２０上に選択的に付着される。
ピース８８０に台段状の輪郭を形成するために、再度の
リトグラフ、ＲＩＥおよび優先湿式エッチング技術が加
えられる。この台段状の輪郭は標準ワイヤ接着器具を用
いてワークピースに電気的接続を行う時の助けとなる。
接続ワイヤが接着されるべきパッド４６０，４７０，４
８０を形成するために金属が組立体３３０，３５０，４
２０上に選択的に付着される。
【００７４】工程６ 工程５からのワークピース８８０は次いでワークピース
８８０を通した赤外線放射伝搬を可能とする適当なキャ
リア（図示せず）に保持され、非反射被覆３０５が基質
３００の主面３１０に与えられ、それからデバイス２４
０を得るためのワークピース８８０の製作を完成させる
べくワイヤがパッド４６０，４７０，４８０に接着され
る。デバイス２４０に同一の数個のデバイスは梱包及び
ワイヤ接着のための個々のデバイスを得るために工程５
の後で切り出された１つの基質から製作される。
８８０を通した赤外線放射伝搬を可能とする適当なキャ
リア（図示せず）に保持され、非反射被覆３０５が基質
３００の主面３１０に与えられ、それからデバイス２４
０を得るためのワークピース８８０の製作を完成させる
べくワイヤがパッド４６０，４７０，４８０に接着され
る。デバイス２４０に同一の数個のデバイスは梱包及び
ワイヤ接着のための個々のデバイスを得るために工程５
の後で切り出された１つの基質から製作される。
【００７５】本発明の範囲から逸脱することなく、フィ
ルタ２００およびデバイス２４０に対して変更がなされ
得ることが認められる。例えば、より大の波長選択濾過
反応性を得るために、２つ以上の相互結合の共振キャビ
ティと共合するようにデバイス２４０を修正することが
可能である。また数個のデバイス２４０はより大の選択
応答性を有するように縦続接続することができる。更
に、本発明に使用されたようなアッドドロップフィルタ
における直接チャンネル切り替えを達成するために結合
光学共振器を不整調する技術が、例えば導波管デバイス
における相互結合光学リンク共振器のようなマイクロ・
メカニカル整調光学ファブリ−ペロット共振器以外の他
のタイプの相互結合光学共振器にも適用可能である。
ルタ２００およびデバイス２４０に対して変更がなされ
得ることが認められる。例えば、より大の波長選択濾過
反応性を得るために、２つ以上の相互結合の共振キャビ
ティと共合するようにデバイス２４０を修正することが
可能である。また数個のデバイス２４０はより大の選択
応答性を有するように縦続接続することができる。更
に、本発明に使用されたようなアッドドロップフィルタ
における直接チャンネル切り替えを達成するために結合
光学共振器を不整調する技術が、例えば導波管デバイス
における相互結合光学リンク共振器のようなマイクロ・
メカニカル整調光学ファブリ−ペロット共振器以外の他
のタイプの相互結合光学共振器にも適用可能である。
【００７６】中央ミラー３６０，４３０の静電気作動に
ついて上述したが、例えば圧電気作動のような他の作動
方法も可能である。これにあっては、例えば圧電材料と
しての酸化亜鉛を含む圧電層が図８に示される製作方法
の工程１における組立体３３０，３５０，４２０上に製
作される。このような圧電層は中央ミラー３６０，４３
０を支持するアームに差応力を生じさせることができ、
これによってミラーが第１の組立体３３０に対するそれ
らの空間的分離を変更するようにすることができる。
ついて上述したが、例えば圧電気作動のような他の作動
方法も可能である。これにあっては、例えば圧電材料と
しての酸化亜鉛を含む圧電層が図８に示される製作方法
の工程１における組立体３３０，３５０，４２０上に製
作される。このような圧電層は中央ミラー３６０，４３
０を支持するアームに差応力を生じさせることができ、
これによってミラーが第１の組立体３３０に対するそれ
らの空間的分離を変更するようにすることができる。
【００７７】更に、フィードバック制御が第１の組立体
３３０に対してミラー３６０，４３０の空間的分離を安
定化するために適用でき、これによってデバイス２４０
はその割り当てられたチャンネルＣi に対して安定に整
調されるようになる。このようなフィードバック制御
は、例えば、デバイス２４０を通して反射あるいは伝達
さたチャンネルの放射光に低周波機器（ａｒｔｅｆａｃ
ｔｓ）を用いることを可能とし、この低周波機器はチャ
ンネル修正周波数でチャンネルＣi に伝達された伝送路
のそれより小さくなっている。
３３０に対してミラー３６０，４３０の空間的分離を安
定化するために適用でき、これによってデバイス２４０
はその割り当てられたチャンネルＣi に対して安定に整
調されるようになる。このようなフィードバック制御
は、例えば、デバイス２４０を通して反射あるいは伝達
さたチャンネルの放射光に低周波機器（ａｒｔｅｆａｃ
ｔｓ）を用いることを可能とし、この低周波機器はチャ
ンネル修正周波数でチャンネルＣi に伝達された伝送路
のそれより小さくなっている。
【００７８】上述のデバイス２４０はガリウム砒化物製
造技術を用いて製作されたが、このデバイス２４０は同
様にシリコン材料の修正された形態に製作することもで
き、かかるシリコン材料は、シリコンに比べて比較的砕
け易いガリウム砒化物に比してすぐれた機械的特性を有
する。シリコンの修正された形態のデバイス２４０は多
部分構造を用いることができ、この部分は製作後に例え
ば溶融接着によって一体に接着される。またシリコンの
修正された形態のデバイス２４０はシリコン基質上の表
面構造として製作でき、修正された形態のデバイス２４
０のミラーおよびアームはデバイスの光学キャビティに
対応する空所を形成するのに使用するための犠牲的な酸
化層と共にエピタキシャル気相成長処理によって形成さ
れる。
造技術を用いて製作されたが、このデバイス２４０は同
様にシリコン材料の修正された形態に製作することもで
き、かかるシリコン材料は、シリコンに比べて比較的砕
け易いガリウム砒化物に比してすぐれた機械的特性を有
する。シリコンの修正された形態のデバイス２４０は多
部分構造を用いることができ、この部分は製作後に例え
ば溶融接着によって一体に接着される。またシリコンの
修正された形態のデバイス２４０はシリコン基質上の表
面構造として製作でき、修正された形態のデバイス２４
０のミラーおよびアームはデバイスの光学キャビティに
対応する空所を形成するのに使用するための犠牲的な酸
化層と共にエピタキシャル気相成長処理によって形成さ
れる。
【図１】チャンネル絶縁機能を例示した従来のアッドド
ロップフィルタの系統図である。
ロップフィルタの系統図である。
【図２】図１のフィルタに類似した３つのアッドドロッ
プフィルタと共合した従来の通信システムの系統図であ
る。
プフィルタと共合した従来の通信システムの系統図であ
る。
【図３】図１のアッドドロップフィルタに対して光ドロ
ップ機能を与えるためのサーキュレータに接続されるフ
ィルタモジュールを備えた本発明による波長選択式光学
フィルタを例示した図である。
ップ機能を与えるためのサーキュレータに接続されるフ
ィルタモジュールを備えた本発明による波長選択式光学
フィルタを例示した図である。
【図４】図３に例示したフィルタモジュールに含まれる
フィルタデバイスの概略図である。
フィルタデバイスの概略図である。
【図５】図４に示すフィルタデバイスの透過および反射
特性のグラフを示す図である。
特性のグラフを示す図である。
【図６】一方の波長から他方の波長に整調するときの図
４におけるフィルタデバイスの透過特性のグラフを示す
図である。
４におけるフィルタデバイスの透過特性のグラフを示す
図である。
【図７】不整調されている時の図４におけるフィルタデ
バイスを通した減衰率および反射率のグラフを示す図で
ある。
バイスを通した減衰率および反射率のグラフを示す図で
ある。
【図８】図４におけるフィルタデバイスを製作するため
に要求される製作工程１を例示した図である。
に要求される製作工程１を例示した図である。
【図９】図４におけるフィルタデバイスを製作するため
に要求される製作工程２〜６を例示した図である。
に要求される製作工程２〜６を例示した図である。
１０ アッドドロップフィルタ １００ 多チャンネルＷＤＭ通信システム ２００ フィルタ ２１０ サーキュレータ ２３０ 入力レンズ ２４０ フィルタデバイス ２５０ 出力レンズ ２６０，２７０，２８０，２９０ 光ファイバ ３００ 基質 ３３０，３４０，３６０，４００，４３０ 光学共振器 ３５０，４３０ ミラー組立体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ウィリアム ジェームズ スチュワート イギリス ノーザンツ エヌエヌ12 ８ア ールエフ ブレイクスリー ハイ ストリ ート （番地なし） マナー ハウス (72)発明者 ルース ヒッバーソン イギリス ノーザンプトン エヌエヌ１ ４ピーキュー パーサー ロード 47
Claims (31)
- 【請求項１】 入力放射光を受光し、対応する濾過され
た出力放射光を出力するための波長選択式光学フィルタ
（２４０）であって、前記フィルタ（２４０）は入力放
射光を濾過して出力放射光を発生するための複数個の相
互に独立して整調可能な光学共振器（３３０，３４０，
３６０；３６０，４００，４３０）を有し、前記共振器
（３３０，３４０，３６０；３６０，４００，４３０）
は少なくとも部分的に相互に結合されており、また該共
振器（３３０，３４０，３６０；３６０，４００，４３
０）は少なくとも部分的に相互に重なった整調範囲を共
合して有することを特徴とする波長選択式光学フィル
タ。 - 【請求項２】 使用時の前記フィルタ（２４０）は、 （ａ）光学共振器が同類の波長に相互に整調されたと
き、出力放射光を発生するように少なくとも部分的に入
力放射光に対し伝達可能であり、 （ｂ）共振器が相互に不整調されたとき、入力放射光に
対して実質的に非伝達となる、ことを特徴とする請求項
第１項に記載のフィルタ。 - 【請求項３】 フィルタ（２４０）は、共振器が類似の
波長に実質的に相互に整調されたとき、波長選択式減衰
器として機能するように動作可能であることを特徴とす
る請求項第２項に記載のフィルタ。 - 【請求項４】 共振器（３３０，３４０，３６０）の１
つからこれに隣接した他の共振器（３６０，４００，４
３０）への結合は０．０１〜０．１％の範囲にあること
を特徴とする請求項第１項、第２項または第３項に記載
のフィルタ。 - 【請求項５】 共振器は第１および第２の整調可能なフ
ァブリ−ペロット（Ｆａｂｒｙ−Ｐｅｒｏｔ）キャビテ
ィ（３３０，３４０，３６０；３６０，４００，４３
０）を有し、該キャビティは少なくとも部分的にかつ相
互にキャビティに共通した構成部分（３６０）を通して
結合されることを特徴とする請求項第１項、第２項、第
３項または第４項に記載のフィルタ。 - 【請求項６】 前記構成部分はキャビティ間の空間に配
置された第２のミラー組立体であり、第１および第２の
キャビティはそれぞれ第１および第３のミラー組立体
（３３０、４３０）を共合して有しており、第１および
第２の組立体は第１のキャビティ（３４０）を画成し、
第２および第３の組立体は第２のキャビティを画成する
ことを特徴とする請求項第５項に記載のフィルタ。 - 【請求項７】 各キャビティはその共合したミラー組立
体の間の領域にある空所（３４０，４００）を有するこ
とを特徴とする請求項第５項または第６項に記載のフィ
ルタ。 - 【請求項８】 前記空所（３４０，４００）はその共合
されたミラー組立体の主面に垂直な方向で１０〜２０μ
ｍ巾の範囲に存することを特徴とする請求項第７項に記
載のフィルタ。 - 【請求項９】 前記組立体は各々多層構造物（３３０，
３５０，４３０）を含むことを特徴とする請求項第６
項、第７項または第８項に記載のフィルタ。 - 【請求項１０】 各多層構造物はＡｌＧａＡｓおよび酸
化アルミニウムの複数の交互層を含むことを特徴とする
請求項第９項に記載のフィルタ。 - 【請求項１１】 酸化アルミニウム層は各々３００ｎｍ
ないし３５０ｎｍの範囲の厚みを有することを特徴とす
る請求項第１０項に記載のフィルタ。 - 【請求項１２】 第１および第３の組立体（３３０，４
２０）のＡｌＧａＡｓ層は各層が第１、第２および第３
の副積層体を含むような層であり、 （ｉ）第１および第３の副積層体は組成Ａｌa Ｇａb Ａ
ｓを有し、ここでａは０．５８〜０．６２の範囲にあ
り、ｂは０．３８〜０．４２の範囲にあり、 （ii）第２の副積層体は組成Ａｌc Ｇａd Ａｓを有し、
ここでｃは０．２８〜０．３２の範囲にあり、ｄは０．
６８〜０．７２の範囲にある、ことを特徴とする請求項
第１０項または第１１項に記載のフィルタ。 - 【請求項１３】 第３の組立体（４２０）においては、
第１および第３の積層体は各々１０〜２０ｎｍの厚さ範
囲にあり、第２の副積層体は９０〜１００ｎｍの厚さ範
囲にあることを特徴とする請求項第１２項に記載のフィ
ルタ。 - 【請求項１４】 第１の組立体（３３０）においては、
第１および第３の積層体は各々４５〜５５ｎｍの厚さ範
囲にあり、第２の副積層体は１５〜２５ｎｍの厚さ範囲
にあることを特徴とする請求項第１２項または第１３項
に記載のフィルタ。 - 【請求項１５】 第２の組立体（３５０）は、各ＡｌＧ
ａＡｓ層が組成ＡｌaＧａb Ａｓを有し、ここでａは
０．５８〜０．６２の範囲にあり、ｂは０．３８〜０．
４２の範囲にあるような酸化アルミニウムおよびＡｌＧ
ａＡｓの層を含むことを特徴とする請求項第１０項ない
し第１４項に記載のフィルタ。 - 【請求項１６】 第２の組立体（３５０）においては、
ＡｌＧａＡｓ層は１１５〜１４０ｎｍの厚さ範囲にある
ことを特徴とする請求項第１５項に記載のフィルタ。 - 【請求項１７】 キャビティはそれらそれぞれのミラー
組立体（３３０，４３０）と第２のミラー組立体（３５
０）との間の空所分離を変えることによって整調可能で
あることを特徴とする請求項第６項〜第１６項のいずれ
か１つに記載のフィルタ。 - 【請求項１８】 ミラー組立体（３６０，４３０）の少
なくとも或る部分は弾性的に吊り下げられ、それら相互
の空所分離はミラー組立体（３３０，３５０，４２０）
に圧電気の力を与えることによって変更可能であること
を特徴とする請求項第１７項に記載のフィルタ。 - 【請求項１９】 ミラー組立体の少なくとも或る部分は
弾性的に吊り下げられ、それら相互の空所分離はミラー
組立体（３３０，３５０，４２０）に静電気力を与える
ことによって変更可能であることを特徴とする請求項第
１７項に記載のフィルタ。 - 【請求項２０】 ミラー組立体（３３０，３５０，４２
０）は静電気力を発生するために電圧差をそれに与える
ことができるように電気的に接続されることを特徴とす
る請求項第１９項に記載のフィルタ。 - 【請求項２１】 ミラー組立体（３３０，３５０，４２
０）の各々は複数個の従順アーム（３７０，４４０）に
吊り下げられた中央ミラー領域（３６０，４３０）を含
むことを特徴とする請求項第２０項に記載のフィルタ。 - 【請求項２２】 各中央ミラー領域（３６０，４３０）
は実質的に円形でありかつ４本のアーム（３７０，４４
０）に吊り下げられることを特徴とする請求項第２１項
に記載のフィルタ。 - 【請求項２３】 各中央領域（３６０，４３０）は５０
〜１５０μｍの範囲の有効直径を有し、各アーム（３７
０，４４０）は６００〜２０００μｍの範囲の長さを有
することを特徴とする請求項第２１項または第２２項に
記載のフィルタ。 - 【請求項２４】 キャビティおよびそれらの共合したミ
ラー組立体は、ミラー組立体（３３０，３５０，４２
０）に電気的な接続がなされ得るように台段形状に基質
（３００）上に製作され、該組立体は実質的に相互に電
気的に絶縁されていることを特徴とする請求項第６項〜
第２３項のいずれか１つに記載のフィルタ。 - 【請求項２５】 ガリウム砒化物あるいはシリコンの製
造技術を用いて製造されることを特徴とする請求項第１
項に記載のフィルタ。 - 【請求項２６】 入力通信放射光を受光しかつ該入力通
信放射光における特定チャンネルに対応した放射光をド
ロップおよびアッドするように動作可能なアッドドロッ
プ（ａｄｄ−ｄｒｏｐ）フィルタ（１０）であって、該
アッドドロップフィルタ（１０）はチャンネルに対応し
た放射光を遮断するために任意の先行請求項にしたがっ
たフィルタ（２４０）と共合することを特徴とするアッ
ドドロップフィルタ。 - 【請求項２７】 請求項１に記載のフィルタを製作する
方法であって、 （ａ）ミラー組立体およびその間のスペーサ層を形成す
る一連の層（３３０，３５０，４２０）を基質（３０
０）上に形成する工程と、 （ｂ）吊り下げられた反射器および共合した従順な支持
アームに対応した層に形状を画成する工程と、 （ｃ）ミラー組立体とその間にスペーサ層が現れる光学
キャビティとを生み出すようにエッチング処理によって
基質とその共合した層を処理する工程と、 （ｄ）ミラー組立体を互いに対して作動させるように動
作可能な形状を組立体上に画成しかつ生成する工程と、 （ｅ）キャリア上に上記の工程（ａ）〜（ｄ）によって
製作されたフィルタを保持し、かつ該フィルタに電気的
な接続を行う工程と、を有することを特徴とするフィル
タの製作方法。 - 【請求項２８】 前記層は酸化金属の化学蒸着（ＭＯＣ
ＶＤ）によって形成されることを特徴とする請求項第２
７項に記載の方法。 - 【請求項２９】 前記スペーサ層は、光学キャビティを
形成しかつミラー組立体の自由な吊り下げをもたらすよ
うに優先的に湿式エッチングがなされることを特徴とす
る請求項第２７項に記載の方法。 - 【請求項３０】 ミラー組立体は各々ＡｌＧａＡｓおよ
びＡｌＡｓの交互層を有し、該ＡｌＡｓは実質的に酸化
アルミニウムを形成するように加熱処理されることを特
徴とする請求項第２７項、第２８項または第２９項に記
載の方法。 - 【請求項３１】 請求項１に記載のフィルタ（２４０）
を第１の波長（λ1 ）から第２の波長（λ2 ）まで整調
する方法であって、 （ａ）フィルタ（２４０）が第１の波長（λ1 ）で選択
的な濾過作用をもつように共振器を第１の波長（λ1 ）
に整調する工程と、 （ｂ）少なくとも１つの共振器を第１の波長方向（７６
０）に整調し、かつ他の共振器を第１の波長方向（７６
０）に反対の他の波長方向（７８０）に整調することに
よって共振器を第１の波長（λ1 ）から不整調とする工
程と、 （ｃ）共振器を第２の波長（λ2 ）に向けて相互に不整
調の状態（８００，８１０）に整調する工程と、 （ｄ）フィルタ（２４０）が第２の波長（λ2 ）で選択
的な濾過作用をもつように共振器を最終的に第２の波長
（λ2 ）に整調する工程と、を有することを特徴とする
方法。
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