JP2001243113A - Storage device - Google Patents

Storage device

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JP2001243113A
JP2001243113A JP2000051109A JP2000051109A JP2001243113A JP 2001243113 A JP2001243113 A JP 2001243113A JP 2000051109 A JP2000051109 A JP 2000051109A JP 2000051109 A JP2000051109 A JP 2000051109A JP 2001243113 A JP2001243113 A JP 2001243113A
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control unit
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勝 小野山
Hideki Yoshitake
秀樹 吉武
Tomoyuki Yamagata
知之 山形
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To simply provide a data storage device that can conduct a complete read and write functions for the memory unit, the functions of which take a load off the control programming for the storage device for resetting a memory unit without checking status of the storage part. SOLUTION: The storage device comprises the storage unit 20 that stores data, a power supply unit 30 that feeds power to the memory unit 20, and a control unit 10 that controls the unit 20. The control unit 10 controls the power supply unit 30 to feed power to the memory unit 20 only when controls the unit 20 for storing the data.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、データの読み書
きが可能な記憶装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a data readable / writable storage device.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年フラッシュメモリの高集積化技術の
発達により、記憶装置に装着および取出しが可能で、電
源が切れても書き換え内容を保持できる大容量のフラッ
シュメモリカードが普及してきている。
2. Description of the Related Art In recent years, with the development of high-integration technology of flash memories, large-capacity flash memory cards that can be mounted and removed from a storage device and that can retain rewritten contents even when the power is turned off have become widespread.

【0003】そのようなフラッシュメモリカードの中に
は、マイコンとの接続において、ハードウェア的および
ソフトウェア的な接続仕様を既存の大容量ハードディス
クと互換性を持たせ、従来から蓄積された接続ノウハウ
を活用できるようにする代わりに、使用形態において、
通常のハードディスクがそうであるように、システム本
体側の電源がオン状態での取出しや装着を想定しないフ
ラッシュメモリカードもある。
In such a flash memory card, when connecting to a microcomputer, hardware and software connection specifications are made compatible with existing large-capacity hard disks, and connection know-how accumulated in the past is used. Instead of making use of it,
As with a normal hard disk, there is also a flash memory card that does not assume removal or mounting when the power of the system body is on.

【0004】このようなフラッシュメモリカード(以降
フラッシュメモリと称する)は、電源などの出力信号の
立ち上がりでのみリセットされて使用可能な状態になる
為、取出した後の装着の際には、フラッシュメモリへの
電源をオフ・オンする必要がある。
[0004] Such a flash memory card (hereinafter referred to as a flash memory) is reset only at the rising edge of an output signal of a power supply or the like, and becomes usable. Need to power off and on.

【0005】一方、このようなフラッシュメモリの記憶
装置を各種機器に組込み、フラッシュメモリに必要なデ
ータを記憶した後、フラッシュメモリを記憶装置から取
出し、他のパソコンなどでデータを読み出し利用するこ
とが必要となってきている。
On the other hand, it is possible to incorporate such a flash memory storage device into various devices, store necessary data in the flash memory, take out the flash memory from the storage device, and read and use the data with another personal computer or the like. It is becoming necessary.

【0006】また、近年省エネルギーを目的に、各事業
所や工場などでの消費電力を管理するためのツールとし
て、使用している電力系統の消費電力を計測し、定期的
な計測データをフラッシュメモリに記録できる電力モニ
タなど、マイコンとフラッシュメモリの記憶装置を組込
んだ機器も普及してきている。
In recent years, for the purpose of energy saving, as a tool for managing power consumption at each office or factory, the power consumption of a power system being used is measured, and periodic measurement data is stored in a flash memory. Devices incorporating a microcomputer and a flash memory storage device, such as a power monitor capable of recording data in a computer, have also become widespread.

【0007】このようなマイコン組込み型機器のフラッ
シュメモリの記憶装置において、取出し可能で、電源な
どの出力信号の立ち上がりでリセットされるフラッシュ
メモリなどの記憶媒体を扱う記憶装置に対してデータを
読み書きする(以降アクセスと称する)場合の、従来の
記憶装置について以下に説明する。
In such a flash memory storage device of a microcomputer built-in type device, data is read / written from / to a storage device handling a storage medium such as a flash memory which can be taken out and is reset at the rise of an output signal such as a power supply. A conventional storage device in the case (hereinafter referred to as access) will be described below.

【0008】図5に従来の記憶装置のブロック図を示
す。100は制御部、200は記憶部、210は記憶媒
体としてのフラッシュメモリ、220はフラッシュメモ
リ制御部、300は電力供給部である。
FIG. 5 shows a block diagram of a conventional storage device. 100 is a control unit, 200 is a storage unit, 210 is a flash memory as a storage medium, 220 is a flash memory control unit, and 300 is a power supply unit.

【0009】図6に図5の構成の記憶装置が第1回目の
データを、記憶部に装着されたフラッシュメモリにアク
セスし、そのフラッシュメモリを記憶部から取出し、新
たにフラッシュメモリを記憶部に装着した後に、第2回
目のデータを、記憶部に装着されたフラッシュメモリに
アクセスする場合の処理シーケンスを示す。
In FIG. 6, the storage device having the configuration shown in FIG. 5 accesses the flash memory mounted on the storage unit for the first data, extracts the flash memory from the storage unit, and newly stores the flash memory in the storage unit. 7 shows a processing sequence when the second data is accessed to the flash memory mounted in the storage unit after the mounting.

【0010】図6の110は、制御部で制御されている
電力供給部が記憶部に供給する電源のオン状態またはオ
フ状態を示しており、横軸右方向に時間の経過に伴なう
制御の事象を示す。
[0010] Reference numeral 110 in FIG. 6 indicates an ON state or an OFF state of the power supplied from the power supply unit controlled by the control unit to the storage unit. The event of is shown.

【0011】まず、最初に制御部が電源をオンしフラッ
シュメモリはリセットされアクセス可能な状態となる。
First, the control unit turns on the power supply, and the flash memory is reset to be accessible.

【0012】次に制御部により第1回目のデータをフラ
ッシュメモリにアクセスする。
Next, the control unit accesses the first data to the flash memory.

【0013】そして、装着されていたフラッシュメモリ
が記憶部から取出された後、新たにフラッシュメモリが
記憶部に装着された場合、制御部はそれらの取出し及び
装着の経過をフラッシュメモリ制御部から出力される装
着状態検出信号を入力監視して検知する。
After the mounted flash memory is taken out of the storage unit, if a new flash memory is installed in the storage unit, the control unit outputs the progress of the removal and installation from the flash memory control unit. The detected input state detection signal is monitored by input monitoring.

【0014】次にフラッシュメモリの装着を検知した制
御部は、電力供給部を制御してフラッシュメモリへの電
源状態をオフ後オンし直してフラッシュメモリをリセッ
トし、次のフラッシュメモリへのアクセスに備える。
Next, the control unit that detects the mounting of the flash memory controls the power supply unit to turn off and on the power supply to the flash memory, reset the flash memory, and reset the flash memory to access the next flash memory. Prepare.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】従来の技術で説明した
記憶装置では、制御部100はフラッシュメモリ210
の取出し及び装着の経過や状態をフラッシュメモリ制御
部220から出力される装着状態検出信号を監視して常
時把握する処理が必要である。
In the storage device described in the background art, the control unit 100 controls the flash memory 210.
It is necessary to monitor the mounting state detection signal output from the flash memory control unit 220 and to constantly grasp the progress and state of the removal and mounting of the flash memory.

【0016】また、装着状態検出信号の入力に誤りが発
生した場合、フラッシュメモリ210への電源状態をオ
フ後オンする処理が実行されずに、フラッシュメモリ2
10のリセットが確実には出来なくなり、フラッシュメ
モリ210への正確なデータの読み書きができない場合
が生じるという問題点があった。
If an error occurs in the input of the mounting state detection signal, the process of turning on and off the power supply to the flash memory 210 is not executed, and the flash memory 2 is turned off.
Thus, there is a problem that resetting of the flash memory 10 cannot be performed reliably, and accurate reading and writing of data to the flash memory 210 may not be performed.

【0017】また、フラッシュメモリ210に電流が流
れている状態でフラッシュメモリ210を記憶部200
に装着したり取出したりするとフラッシュメモリ210
に規定以上の電流が流れ、破壊される場合があるので、
フラッシュメモリ210に供給する電源をオフ状態にし
たり、フラッシュメモリ210に接続された信号線を制
御部側と電気的に切り離すことが望ましいが、このよう
な電源オフ化や制御線の電気的な切り離しを実行するタ
イミングを決定するために、オペレータから対話的に指
示入力する処理部を別途設けなければならないなどの問
題点があった。
The flash memory 210 is stored in the storage unit 200 while a current is flowing through the flash memory 210.
Flash memory 210 when attached to or removed from
If the current exceeds the specified value, it may be destroyed.
It is desirable to turn off the power supply to the flash memory 210 or to electrically disconnect the signal line connected to the flash memory 210 from the control unit side. In order to determine the timing for executing the process, a separate processing unit for interactively inputting instructions from the operator must be provided.

【0018】以上は、マイコン組込み型の機器を構築す
る上で、記憶装置に対するマイコンの制御処理を簡略化
したいことに加えて、対話処理を簡素化したものにし
て、オペレータの操作回数を減らすと共に、対話処理の
制御プログラムを簡略化したい場合の問題点となる。
In the above description, when constructing a microcomputer-incorporated device, in addition to simplifying the control processing of the microcomputer for the storage device, the dialog processing is simplified so that the number of operations by the operator can be reduced. This is a problem when it is desired to simplify the control program for the interactive processing.

【0019】本発明は、上記問題点を解決するもので、
記憶部の状態を検知することなく正確に記憶部をリセッ
トして記憶部へのデータの読み書きを確実に行うことが
できる記憶装置を、制御プログラムの負担を少なくし
て、簡単に提供することを目的とする。
The present invention solves the above problems,
A storage device capable of accurately resetting a storage unit without detecting a state of the storage unit and reliably reading and writing data to the storage unit with a reduced load on a control program and easily provided. Aim.

【0020】[0020]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第1の記憶装置は、データを記憶する記憶
部と、前記記憶部に電力を供給する電力供給部と、前記
記憶部を制御する制御部とを備え、前記電力供給部は、
前記記憶部が制御される場合のみ前記記憶部に電力を供
給する構成を有している。
In order to solve the above-mentioned problems, a first storage device of the present invention comprises: a storage unit for storing data; a power supply unit for supplying power to the storage unit; And a control unit for controlling the unit, the power supply unit,
A configuration is provided in which power is supplied to the storage unit only when the storage unit is controlled.

【0021】また、本発明の第2の記憶装置は、上記第
1の記憶装置に加え、記憶部はフラッシュメモリと前記
フラッシュメモリを制御するフラッシュメモリ制御部と
で構成し、前記フラッシュメモリは電力供給部の出力信
号の立ち上がりでリセットされ、電力供給部から少なく
とも前記フラッシュメモリに電力が供給されていない
間、前記記憶部から前記フラッシュメモリを取出すこと
が可能とした構成を有している。
According to a second storage device of the present invention, in addition to the first storage device, the storage unit comprises a flash memory and a flash memory control unit for controlling the flash memory, and the flash memory has a power The flash memory is reset when the output signal of the supply unit rises, and the flash memory can be taken out of the storage unit while at least power is not supplied from the power supply unit to the flash memory.

【0022】また、本発明の請求項3の記憶装置は、上
記第2の記憶装置に加え、制御部はフラッシュメモリに
電力を供給後、予め保持した待ち時間を経過してから前
記フラッシュメモリにデータを読み書き開始し、正常に
読み書き出来なかった場合、正常に読み書き可能になる
までリトライし、前記待ち時間及びリトライした期間に
基づいて前記待ち時間を更新する機能を有するととも
に、前記フラッシュメモリを記憶部から取出すまで前記
待ち時間を保持する構成を有している。
In the storage device according to a third aspect of the present invention, in addition to the second storage device, the control unit supplies power to the flash memory and then waits for a previously held waiting time before storing the power in the flash memory. Starts reading and writing data, and when reading and writing cannot be performed normally, has a function of retrying until reading and writing can be performed normally, updating the waiting time based on the waiting time and the retry period, and storing the flash memory. A configuration in which the waiting time is maintained until the unit is taken out of the unit.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】本発明の第1の記憶装置によれ
ば、記憶部が制御される場合のみ電力供給部から記憶部
に電力を供給することにより記憶部にデータを記憶する
ことができる。
According to the first storage device of the present invention, data can be stored in the storage unit by supplying power from the power supply unit to the storage unit only when the storage unit is controlled. .

【0024】本発明の第2の記憶装置によれば、電源供
給部の出力信号の立ち上がりでリセットされるようなフ
ラッシュメモリとフラッシュメモリ制御部とで構成する
記憶部に対して、記憶部が制御される場合のみ電力供給
部から記憶部に電力を供給することにより記憶部にデー
タを記憶するとともに電力供給部から電力が供給されて
いない間、記憶部からフラッシュメモリを取出すことが
できる。
According to the second storage device of the present invention, the storage unit controls the storage unit including the flash memory and the flash memory control unit which are reset at the rise of the output signal of the power supply unit. Only when the power is supplied from the power supply unit to the storage unit, data can be stored in the storage unit and the flash memory can be taken out of the storage unit while power is not supplied from the power supply unit.

【0025】請求項3記載の記憶装置は、制御部がフラ
ッシュメモリに電力を供給後、予め保持した待ち時間を
経過してからフラッシュメモリにデータを読み書き開始
し、正常に読み書き出来なかった場合、正常に読み書き
可能になるまでリトライし、待ち時間及びリトライした
期間に基づいて待ち時間を更新するとともに、フラッシ
ュメモリを記憶部から取出すまで待ち時間を保持するこ
とができる。
According to a third aspect of the present invention, when the control unit supplies power to the flash memory and starts reading or writing data to the flash memory after a lapse of a previously held waiting time, and when reading and writing cannot be performed normally, It is possible to retry until reading and writing can be normally performed, update the waiting time based on the waiting time and the retry period, and hold the waiting time until the flash memory is taken out of the storage unit.

【0026】以下、本発明の一実施の形態について説明
する。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described.

【0027】(実施の形態)図1は本発明の一実施の形
態を示す記憶装置のブロック図、図2はフラッシュメモ
リに対する処理シーケンスの説明図である。
(Embodiment) FIG. 1 is a block diagram of a storage device showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an explanatory diagram of a processing sequence for a flash memory.

【0028】図1において、10は制御部で、記憶部2
0を電力供給部30および記憶部20の構成要素である
フラッシュメモリ制御部22を制御しながら記憶部20
の構成要素であるフラッシュメモリ21へのデータの読
み書きをするものである。また、20は記憶部で、デー
タを記憶する記憶媒体であるフラッシュメモリ21とフ
ラッシュメモリ21を制御するフラッシュメモリ制御部
22とで構成される。また、21は記憶媒体であるフラ
ッシュメモリで、制御部10にフラッシュメモリ制御部
22を介して接続され、記憶部20から取出し可能で、
電力供給部30から供給される電源の出力信号の立ち上
がりでリセットされる。また、22はフラッシュメモリ
制御部で、制御部10とフラッシュメモリ21との間に
接続され、制御部10がフラッシュメモリ21にアクセ
スする場合に必要なアクセス制御信号線およびデータ信
号線を、制御部10から入力する信号線制御信号の指示
に従って電気的に接続または切断するものである。さら
に、30は電力供給部で、制御部10から入力する電力
制御信号の指示に従ってフラッシュメモリ21への電力
供給のオン・オフ制御を行うものである。
In FIG. 1, reference numeral 10 denotes a control unit,
0 while controlling the flash memory control unit 22 which is a component of the power supply unit 30 and the storage unit 20.
It reads and writes data from and to the flash memory 21 which is a component of the above. Reference numeral 20 denotes a storage unit, which includes a flash memory 21 which is a storage medium for storing data and a flash memory control unit 22 which controls the flash memory 21. Reference numeral 21 denotes a flash memory as a storage medium, which is connected to the control unit 10 via a flash memory control unit 22 and can be taken out of the storage unit 20;
It is reset at the rise of the output signal of the power supplied from the power supply unit 30. A flash memory control unit 22 is connected between the control unit 10 and the flash memory 21 and controls an access control signal line and a data signal line required when the control unit 10 accesses the flash memory 21. In accordance with an instruction of a signal line control signal input from the terminal 10, an electrical connection or disconnection is performed. Further, reference numeral 30 denotes a power supply unit for performing on / off control of power supply to the flash memory 21 in accordance with an instruction of a power control signal input from the control unit 10.

【0029】ここで、制御部10はマイコンなどのCP
U、フラッシュメモリ21はフラッシュメモリカードな
ど、フラッシュメモリ制御部22はハイ・インピーダン
ス制御の可能な双方向または単方向のバッファICな
ど、電力供給部30は出力のオン・オフ制御付の直流電
源で実現される。
Here, the control unit 10 is a CP such as a microcomputer.
U, the flash memory 21 is a flash memory card or the like, the flash memory control unit 22 is a bidirectional or unidirectional buffer IC capable of high impedance control, and the power supply unit 30 is a DC power supply with on / off control of output. Is achieved.

【0030】以上のように構成された記憶装置につい
て、第1回目のデータを記憶部20に装着されたフラッ
シュメモリ21にアクセスし、そのフラッシュメモリ2
1を記憶部20から取出し、次にフラッシュメモリ21
または別のフラッシュメモリ21を記憶部20に装着し
た後に、記憶部20に装着されたフラッシュメモリに第
2回目のデータをアクセスする動作を、フラッシュメモ
リ21への電力供給をオン・オフ制御する場合について
図1及び図2を用いて説明する。
In the storage device configured as described above, the first data is accessed to the flash memory 21 mounted on the storage unit 20 and the flash memory 2 is accessed.
1 from the storage unit 20 and then the flash memory 21
Alternatively, after another flash memory 21 is mounted on the storage unit 20, the operation of accessing the flash memory mounted on the storage unit 20 for the second time is performed by controlling on / off of the power supply to the flash memory 21. Will be described with reference to FIG. 1 and FIG.

【0031】図2の50は、制御部10で制御されてい
る電力供給部30がフラッシュメモリ21に供給する電
源のオン状態またはオフ状態を示しており、横軸右方向
に時間の経過に伴なう制御の事象を示す。
Reference numeral 50 in FIG. 2 indicates an ON state or an OFF state of the power supplied from the power supply unit 30 controlled by the control unit 10 to the flash memory 21. Indicates the control event.

【0032】まず、初期状態として、制御部10からフ
ラッシュメモリ制御部22を介してフラッシュメモリ2
1にアクセス(以降、「制御部10からフラッシュメモ
リ21にアクセス」と表現する。)する必要の無い状態
では、制御部10から電力供給部30に対して電力制御
信号として電源オフの指示が出されており、電力供給部
30からフラッシュメモリ21には電力が供給されてい
ない状態であり、かつ、制御部10からフラッシュメモ
リ制御部22には信号線制御信号として信号線切り離し
の指示が出されており、フラッシュメモリ21と制御部
10を接続するデータ信号線およびアクセス制御信号線
はハイ・インピーダンス状態で電気的に切り離された状
態となっている。ここで、データ信号線には、制御部1
0がフラッシュメモリ21に書込みまたは読み出しする
データやアドレスが乗せられ、アクセス制御信号線に
は、そのタイミングを制御する制御信号の情報がのせら
れる。
First, as an initial state, the flash memory 2 is transmitted from the control unit 10 through the flash memory control unit 22.
1 (hereinafter referred to as “access to the flash memory 21 from the control unit 10”), the control unit 10 issues a power-off instruction to the power supply unit 30 as a power control signal. In this state, power is not supplied from the power supply unit 30 to the flash memory 21, and an instruction to disconnect the signal line is issued from the control unit 10 to the flash memory control unit 22 as a signal line control signal. The data signal line and the access control signal line connecting the flash memory 21 and the control unit 10 are in a high impedance state and electrically disconnected. Here, the control unit 1 is connected to the data signal line.
The data 0 and the address to be written or read to / from the flash memory 21 are put on the flash memory 21, and the information of the control signal for controlling the timing is put on the access control signal line.

【0033】次に制御部10により第1回目のデータを
フラッシュメモリ21にアクセスする場合、制御部10
は、電力供給部30に電力制御信号を介してフラッシュ
メモリ21に電力供給を指示してフラッシュメモリ21
に電力を供給するとともに、フラッシュメモリ制御部2
2に信号線制御信号を介して信号線接続の指示を出し、
フラッシュメモリ21と制御部10を電気的に接続す
る。この時、フラッシュメモリ21は電源(電力供給部
30)のオンの出力信号の立ち上がりでリセットされる
ため、制御部10からのアクセスを受け付けることが出
来る状態となる。
Next, when the first data is accessed by the control unit 10 in the flash memory 21, the control unit 10
Instructs the power supply unit 30 to supply power to the flash memory 21 via a power control signal, and
To the flash memory controller 2
2 instructs the signal line connection via the signal line control signal,
The flash memory 21 and the control unit 10 are electrically connected. At this time, the flash memory 21 is reset at the rising edge of the output signal of the power supply (power supply unit 30) being turned on, so that the access from the control unit 10 can be accepted.

【0034】フラッシュメモリ21に対して必要なアク
セスを終了した制御部10は、電力供給部30に電力制
御信号を介してフラッシュメモリ21に電力供給の停止
を指示してフラッシュメモリ21への電力供給を停止す
るとともに、フラッシュメモリ制御部22に信号線制御
信号を介して信号線切り離しの指示を出し、フラッシュ
メモリ21と制御部10を電気的に切り離す。
The control unit 10 that has completed necessary access to the flash memory 21 instructs the power supply unit 30 to stop supplying power to the flash memory 21 via a power control signal, and supplies power to the flash memory 21. Is stopped, and a signal line disconnection instruction is issued to the flash memory control unit 22 via a signal line control signal, so that the flash memory 21 and the control unit 10 are electrically disconnected.

【0035】次に、フラッシュメモリ21が電気的に切
り離されている上記の状態のまま、オペレータは、装着
されていたフラッシュメモリ21を記憶部20から取出
すことができ、同様に、フラッシュメモリ21を記憶部
20に装着することができる。この間、制御部10は何
も処理する必要が無い。
Next, while the flash memory 21 is electrically disconnected, the operator can take out the mounted flash memory 21 from the storage unit 20, and likewise remove the flash memory 21 from the storage unit 20. It can be attached to the storage unit 20. During this time, the control unit 10 does not need to perform any processing.

【0036】次に、第2回目のデータを上記のように記
憶部20に装着されたフラッシュメモリ21にアクセス
するには、上記のように第1回目のデータをフラッシュ
メモリ21にアクセスしたのと同様の処理を繰り返す。
Next, in order to access the second data to the flash memory 21 mounted on the storage unit 20 as described above, it is necessary to access the first data to the flash memory 21 as described above. The same processing is repeated.

【0037】すなわち、制御部10は、フラッシュメモ
リ21にデータアクセスの必要が生じた場合、上記のよ
うな電力供給部30及びフラッシュメモリ制御部22へ
の単純な処理を繰り返すのみで良い。従って、制御部1
0のプログラムの負担を少なくして、簡単な制御で実現
することができる。
That is, when data access to the flash memory 21 is required, the control unit 10 only needs to repeat the simple processing for the power supply unit 30 and the flash memory control unit 22 as described above. Therefore, the control unit 1
0 can be realized with simple control while reducing the load of the program.

【0038】また、フラッシュメモリ21を記憶部20
から取出したり装着する場合、制御部10が、フラッシ
ュメモリ21にアクセスしていない状態では、フラッシ
ュメモリ21には電力が供給されない状態でかつアクセ
ス制御信号線およびデータ信号線も制御部10と切り離
された状態であるため、フラッシュメモリ21に電気的
なストレスを与ることなく取出したり装着することがで
きる。
The flash memory 21 is stored in the storage unit 20.
When the control unit 10 is not accessing the flash memory 21, the power is not supplied to the flash memory 21, and the access control signal line and the data signal line are also disconnected from the control unit 10. In this state, the flash memory 21 can be taken out or mounted without giving an electrical stress to the flash memory 21.

【0039】しかも、その際に、制御部10は、フラッ
シュメモリ21の装着状態や経過をいっさい検知するこ
となく実行できることになる。
Moreover, at this time, the control unit 10 can execute the flash memory 21 without detecting the mounting state or progress of the flash memory 21 at all.

【0040】また、電力モニタの場合、機器本体側の計
測データ入力部に高電圧がかけられている為、本実施の
形態の記憶装置のように、フラッシュメモリ21へのア
クセス期間以外は常に機器本体と非通電状態にされてい
る場合、計測データ入力部から入ってくる高電圧のノイ
ズがフラッシュメモリ21にかかりフラッシュメモリ2
1上のデータ内容を破壊する確率を極力抑える事が出
来、耐ノイズ性に優れる。
In the case of the power monitor, since a high voltage is applied to the measurement data input section on the device main body side, the device is always used during the period other than the access period to the flash memory 21 as in the storage device of the present embodiment. When the main body is not energized, high-voltage noise coming from the measurement data input unit is applied to the flash memory 21 and the flash memory 2
1 can minimize the probability of destroying the data contents, and is excellent in noise resistance.

【0041】また、本実施の形態の記憶装置の場合、フ
ラッシュメモリ21への電力供給期間が必要最低限であ
る為、フラッシュメモリ21で消費する電力が抑えら
れ、省エネルギーに優れている。
Further, in the case of the storage device of the present embodiment, since the power supply period to the flash memory 21 is the minimum required, the power consumed by the flash memory 21 is suppressed and the energy saving is excellent.

【0042】ただ、上記のように、制御部10がフラッ
シュメモリ21にデータをアクセスする過程において、
制御部10が、電力供給部30を制御して、フラッシュ
メモリ21への電力供給を開始しても、フラッシュメモ
リ21が内部的に準備完了状態になるまで、制御部10
は、データの書込みや読み出しを実質的にはできない。
However, as described above, in the process in which the control unit 10 accesses data to the flash memory 21,
Even if the control unit 10 controls the power supply unit 30 to start supplying power to the flash memory 21, the control unit 10 continues to operate until the flash memory 21 is internally ready.
Cannot substantially write or read data.

【0043】このため、制御部10はフラッシュメモリ
21への電力供給を開始してから、一定期間の処理待ち
をした後、フラッシュメモリ21へのアクセスを開始し
なければならない。
For this reason, after starting the power supply to the flash memory 21, the control unit 10 must wait for a certain period of processing and then start accessing the flash memory 21.

【0044】通常、このフラッシュメモリのセットアッ
プ待ち時間(フラッシュメモリに電力を供給してから正
常なデータの読み書きができるまでの時間のことで、1
50msec〜800msec)は、使用するフラッシ
ュメモリ21のメーカの違い、製品個体のばらつき、使
用温度条件などによるあらゆるばらつきを考慮して、最
長の待ち時間を設定する必要がある。
Normally, the setup wait time of the flash memory (the time from when power is supplied to the flash memory to when normal data can be read and written) is 1
In the case of 50 msec to 800 msec), it is necessary to set the longest waiting time in consideration of all variations due to differences in manufacturers of the flash memories 21 to be used, variations in individual products, operating temperature conditions, and the like.

【0045】しかし、前述のように、電力系統の消費電
力をモニターし、定期的な計測データをフラッシュメモ
リ21に記録する電力モニタなどの機器に本記憶装置を
適用する場合、計測データの保存間隔が長い場合は数時
間から短い場合は1秒前後と制御範囲が非常に広い。
However, as described above, when the present storage device is applied to a device such as a power monitor that monitors the power consumption of the power system and periodically records the measured data in the flash memory 21, the storage interval of the measured data is changed. When the distance is long, the control range is very wide, ranging from several hours to about one second when the distance is short.

【0046】この場合、保存間隔をより短くするために
は、フラッシュメモリ21のセットアップ待ち時間(1
秒前後)がボトルネックとなる為、可能な限り制御部1
0の待ち時間を減らしたいという問題点が発生する。
In this case, in order to shorten the storage interval, the setup waiting time (1
(Around 2 seconds) becomes a bottleneck.
A problem arises in that it is desired to reduce the waiting time of zero.

【0047】この問題点を解決する為に、本実施の形態
の記憶装置は、制御部10がフラッシュメモリ21に電
力を供給後、予め保持した待ち時間を経過してからフラ
ッシュメモリ21にデータの読み書きを開始し、正常に
読み書きが出来なかった場合は、正常に読み書き可能に
なるまでリトライし、待ち時間及びリトライした期間に
基づいて待ち時間を更新するとともに、フラッシュメモ
リ21を記憶部20から取出すまで待ち時間を保持する
ことができるようにする。
In order to solve this problem, in the storage device of the present embodiment, after the control unit 10 supplies power to the flash memory 21, the data stored in the flash memory 21 is passed after a waiting time which is held in advance. Reading and writing are started, and when reading and writing are not performed normally, retry is performed until reading and writing can be performed normally, the waiting time is updated based on the waiting time and the retry period, and the flash memory 21 is extracted from the storage unit 20. To be able to hold the waiting time.

【0048】図3は制御部10の、データをフラッシュ
メモリ21にアクセスする場合の処理シーケンスの説明
図、図4は図3の処理シーケンスに対応する制御部10
の処理フローチャートである。
FIG. 3 is an explanatory diagram of a processing sequence when the data is accessed to the flash memory 21 by the control unit 10, and FIG. 4 is a control unit 10 corresponding to the processing sequence of FIG.
It is a processing flowchart of.

【0049】図3において60は、制御部10で制御さ
れている電力供給部30が記憶部20に供給する電源の
オン状態またはオフ状態を示しており、横軸右方向に時
間の経過に伴なう制御の事象を示す。
In FIG. 3, reference numeral 60 denotes an ON state or an OFF state of the power supplied from the power supply unit 30 controlled by the control unit 10 to the storage unit 20. Indicates the control event.

【0050】まず、制御部10に予め保持してあるフラ
ッシュメモリ21のセットアップ待ち時間の初期値(例
えば100msec)TW0を待ち時間TWに初期設定し
ておく。
First, an initial value (for example, 100 msec) T W0 of the setup waiting time of the flash memory 21 previously stored in the control unit 10 is initialized to the waiting time T W.

【0051】そして、データをフラッシュメモリ21に
アクセスする必要が発生した時点で、制御部10は、電
力供給部30に電力制御信号を介してフラッシュメモリ
21への電力供給を指示してフラッシュメモリ21に電
力を供給し(S1)、待ち時間TWの処理待ちをする
(S2)。
When it becomes necessary to access the flash memory 21 with data, the control unit 10 instructs the power supply unit 30 to supply power to the flash memory 21 via a power control signal, and (S1), and waits for processing for a waiting time T W (S2).

【0052】次に、制御部10はフラッシュメモリ21
にアクセスし(S3)、正常にアクセス出来たかどうか
をチェックし(S4)、正常にアクセス出来なかった場
合には、予め設定された待ち時間増加分ΔT(例えば1
00msec)を待ち時間T Wに加算し待ち時間TWを更
新する(S5)。
Next, the control unit 10 controls the flash memory 21
Is accessed (S3), and whether or not access was successful
Is checked (S4), and if it cannot be accessed normally,
In this case, the waiting time increment ΔT (for example, 1
00 msec) with waiting time T WAnd the waiting time TWUpdate
New (S5).

【0053】次に、待ち時間増加分ΔTの間処理待ち
(S6)をした後、フラッシュメモリ21へのアクセス
をリトライし(S3)、正常にアクセス出来たかどうか
をチェックし(S4)、正常にアクセス出来れば1回の
データ処理を終了する(S7)。
Next, after waiting for the processing for the waiting time increase ΔT (S6), the access to the flash memory 21 is retried (S3), and it is checked whether or not the access was successful (S4). If access is possible, one data processing is terminated (S7).

【0054】上記ステップ(S4)において、正常にア
クセス出来なかった場合は、ステップ(S3)からステ
ップ(S6)の処理を繰り返す。
In the above step (S4), if the access is not normally performed, the processing from step (S3) to step (S6) is repeated.

【0055】制御部10は、フラッシュメモリ21に対
するデータアクセスが発生する度に上記のステップ(S
1)からステップ(S7)を実行する。
The control unit 10 executes the above-described step (S) every time data access to the flash memory 21 occurs.
Steps (S7) to 1) are executed.

【0056】これは、電力モニタの場合では、定期的な
時刻における計測データ(系統電圧、消費電力、消費電
流などの一連のデータ)の保存処理に相当する。
In the case of the power monitor, this corresponds to a process of storing measurement data (a series of data such as system voltage, power consumption, and current consumption) at a regular time.

【0057】そして、同一のフラッシュメモリ21への
アクセスであるにもかかわらず、温度変化などの状況の
変化により、フラッシュメモリ21のセットアップ待ち
時間が長くなっても確実にデータを読み書きすることが
できる。
In spite of access to the same flash memory 21, data can be reliably read and written even if the setup wait time of the flash memory 21 becomes long due to a change in conditions such as a temperature change. .

【0058】なお、待ち時間TWに上限値を設けること
により、待ち時間が上限値に達した場合は、フラッシュ
メモリ21へのアクセスに障害があると判断する機能を
付加することもできる。
By setting an upper limit value for the waiting time T W , it is possible to add a function of determining that there is a failure in accessing the flash memory 21 when the waiting time reaches the upper limit value.

【0059】また、待ち時間TWは、フラッシュメモリ
21が、記憶部20から抜出されるか又は装着されたこ
とをオペレータとの対話処理で認識した時点でフラッシ
ュメモリ21のセットアップ待ち時間の初期値TW0を待
ち時間TWに設定し直す。
The waiting time T W is the initial value of the setup waiting time of the flash memory 21 when the flash memory 21 recognizes that the flash memory 21 has been removed from or attached to the storage unit 20 through the interactive processing with the operator. T W0 is reset to the waiting time T W.

【0060】このことにより、新たに装着されたフラッ
シュメモリの待ち時間が、先ほど使用していたフラッシ
ュメモリ21よりもセットアップ待ち時間が短くて済む
場合にその特性を生かしたより短時間でのアクセスが可
能となる。
As a result, when the wait time of the newly mounted flash memory is shorter than that of the flash memory 21 used previously, the access can be performed in a shorter time by utilizing the characteristics. Becomes

【0061】また、フラッシュメモリ21が、記憶部2
0から抜出されるか又は装着されたことを認識するた
め、対話処理でオペレータに入力してもらう方法がある
が、これ以外にも、フラッシュメモリ21の装着状態
を、装着状態検出信号を入力監視して認識したり、一定
期間(例えば、電力モニタの場合、計測データの保存間
隔の3倍程度)のフラッシュメモリ21へのアクセス処
理が発生しない状態が続いた時には、フラッシュメモリ
21が、記憶部20から抜出されたと認識させるように
しても良い。
The flash memory 21 is stored in the storage unit 2
In order to recognize that the flash memory 21 has been pulled out or mounted, there is a method in which the operator inputs the information through interactive processing. In addition, the mounting state of the flash memory 21 is monitored by inputting a mounting state detection signal. When a state in which access processing to the flash memory 21 does not occur for a certain period of time (for example, about three times the storage interval of the measurement data in the case of the power monitor) continues, the flash memory 21 It may be made to recognize that it was extracted from 20.

【0062】また、フラッシュメモリ21のセットアッ
プ待ち時間の初期値TW0を待ち時間TWに設定し直す処
理を、一定期間(例えば、電力モニタの場合、計測デー
タの保存間隔の3倍程度)に、フラッシュメモリ21へ
のアクセス処理が発生しない状態が続いた時点で行って
も良い。
Further, the process of resetting the initial value T W0 of the setup waiting time of the flash memory 21 to the waiting time T W is performed for a fixed period (for example, in the case of the power monitor, about three times the storage interval of the measured data). Alternatively, the processing may be performed when the state in which the access processing to the flash memory 21 does not occur continues.

【0063】また、フラッシュメモリ21が抜き出され
た時は、セットアップ待ち時間を初期値TW0にセットし
てもよい。
When the flash memory 21 is extracted, the setup waiting time may be set to the initial value T W0 .

【0064】以上のようにすることで、使用するフラッ
シュメモリ21のセットアップ待ち時間のメーカの違
い、製品個体のばらつき、使用温度条件などによるばら
つきに自動的に対処してアクセスが可能になるため、使
用するフラッシュメモリを選ばず、特性に関係なく安定
動作する信頼性の高い記憶装置とすることができる。
In the above manner, the flash memory 21 used can be accessed by automatically coping with the differences in the setup wait time of the flash memory 21 used by different manufacturers, the variations of individual products, and the variations in the operating temperature conditions. Regardless of the flash memory to be used, a highly reliable storage device that operates stably irrespective of characteristics can be provided.

【0065】また、フラッシュメモリ21へのデータア
クセス時のセットアップ待ち時間を一律に長くする必要
がなくなり、装着しているフラッシュメモリにおける最
短の待ち時間でデータアクセスを行うことができる。
Further, it is not necessary to uniformly lengthen the setup waiting time at the time of data access to the flash memory 21, and the data can be accessed with the shortest waiting time in the attached flash memory.

【0066】このことより、前述の電力モニタなどの機
器に本記憶装置を適用すれば、より短い間隔で繰り返し
行われるデータ計測および保存処理を実現可能とする。
Thus, if the present storage device is applied to the above-described device such as the power monitor, it is possible to realize data measurement and storage processing repeatedly performed at shorter intervals.

【0067】また、フラッシュメモリ21の交換をしな
い状態で複数回のデータアクセスをする場合、2回目以
降のデータアクセス時はフラッシュメモリ21への必要
なアクセス待ち時間が保持できている為、ステップ(S
3)におけるフラッシュメモリ21へのリトライのアク
セス回数が無くなる。
In the case where a plurality of data accesses are performed without replacing the flash memory 21, the necessary access wait time for the flash memory 21 can be held during the second and subsequent data accesses. S
The number of retry accesses to the flash memory 21 in 3) is eliminated.

【0068】このことは、前述の電力モニタの場合、機
器本体側の計測データ入力部に高電圧がかけられている
為、計測データ入力部から入ってくる高電圧のノイズが
制御部10がフラッシュメモリ21にアクセスしている
最中にかかり、フラッシュメモリ21上に既に保存され
ているデータ内容を破壊する確率を極力抑える事が出
来、記憶装置の信頼性向上がはかられる。
This is because, in the case of the above-described power monitor, since a high voltage is applied to the measurement data input section on the device main body side, the high-voltage noise coming from the measurement data input section causes the control section 10 to flash. During access to the memory 21, the probability of destroying the data contents already stored in the flash memory 21 can be minimized, and the reliability of the storage device can be improved.

【0069】さらに、リトライのアクセス時の不用意な
エラーを発生させる事が無くなる。そのため、エラー発
生時に起こり得るデータの消失や誤ったデータのフラッ
シュメモリへの書込みの恐れを取り除く効果がある。
Further, it is possible to prevent an inadvertent error from occurring at the time of retry access. Therefore, there is an effect of eliminating a possibility that data may be lost or an erroneous data may be written to the flash memory when an error occurs.

【0070】[0070]

【発明の効果】以上のように本発明の第1の記憶装置に
よれば、制御部が、記憶部を制御する場合のみ電力供給
部から記憶部に電力を供給するため、記憶部への電力供
給期間を必要最低限にでき、記憶部で消費する電力を抑
えた省エネルギーに優れた記憶装置を実現することがで
きる。
As described above, according to the first storage device of the present invention, the control unit supplies power from the power supply unit to the storage unit only when controlling the storage unit. The supply period can be minimized, and a storage device which is excellent in energy saving and in which power consumption in the storage unit is suppressed can be realized.

【0071】また、本発明の第2の記憶装置によれば、
電力供給部の出力信号でフラッシュメモリをリセットす
るとともに、フラッシュメモリが制御される場合のみ電
力供給部からフラッシュメモリに電力を供給するため、
フラッシュメモリの装着状態を検知することなく、正確
にフラッシュメモリをリセットしてフラッシュメモリへ
のデータの読み書きを確実に行うことができる記憶装置
を、制御プログラムの負担を少なくして、簡単な制御で
実現することができる。さらに、フラッシュメモリへの
アクセス期間以外は機器本体と非通電状態にできるた
め、耐ノイズ性に優れた記憶装置を実現することができ
る。さらに、フラッシュメモリを記憶部に装着したり取
出す時のフラッシュメモリへの電気的なストレスを与え
ない為の処理を別途設ける必要が無く、制御プログラム
の負担を少なくした記憶装置を実現することができる。
According to the second storage device of the present invention,
To reset the flash memory with the output signal of the power supply unit and supply power to the flash memory from the power supply unit only when the flash memory is controlled,
A storage device that can accurately reset the flash memory and reliably read and write data to the flash memory without detecting the mounting state of the flash memory. Can be realized. Furthermore, since the device can be kept in a non-conductive state during periods other than the access period to the flash memory, a storage device with excellent noise resistance can be realized. Further, it is not necessary to separately provide a process for applying no electrical stress to the flash memory when the flash memory is mounted on or taken out of the storage unit, and a storage device with a reduced load on the control program can be realized. .

【0072】また、本発明の第3の記憶装置によれば、
第2の記憶装置における効果の他、制御部が、フラッシ
ュメモリを正常に読み書き出来なかった場合は正常に読
み書き可能になるまでリトライし、待ち時間及びリトラ
イした期間に基づいて待ち時間を更新する機能を有する
とともに、フラッシュメモリを記憶部から取出すまで待
ち時間を保持するため、フラッシュメモリのセットアッ
プ待ち時間のメーカの違い、製品個体のばらつき、使用
温度条件の変化などに自動的に対処でき、使用するフラ
ッシュメモリの特性に関係なく安定動作する信頼性の高
い記憶装置を実現することができる。さらに、フラッシ
ュメモリへのデータアクセス時のセットアップ待ち時間
を一律に長くする必要がなくなり、使用するフラッシュ
メモリでの最短の待ち時間でデータアクセスを行うこと
ができるため、電力モニタなどの機器に本記憶装置を適
用することにより、より短い間隔で繰り返し行われるデ
ータ計測および保存処理を可能とする記憶装置を実現す
ることができる。
According to the third storage device of the present invention,
In addition to the effects of the second storage device, when the control unit cannot read / write the flash memory normally, the control unit retries until reading / writing becomes normal, and updates the waiting time based on the waiting time and the retry period. In addition to having a wait time until the flash memory is taken out of the storage unit, it can automatically deal with differences in flash memory setup wait time between manufacturers, variations in individual products, changes in operating temperature conditions, etc. A highly reliable storage device which operates stably regardless of the characteristics of the flash memory can be realized. Furthermore, there is no need to lengthen the setup wait time when accessing data to the flash memory, and data can be accessed with the shortest wait time in the flash memory used. By applying the device, it is possible to realize a storage device capable of performing data measurement and storage processing repeatedly performed at shorter intervals.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態における記憶装置のブロッ
ク図
FIG. 1 is a block diagram of a storage device according to an embodiment of the present invention.

【図2】同実施の形態における処理シーケンスの説明図FIG. 2 is an explanatory diagram of a processing sequence according to the embodiment;

【図3】同実施の形態におけるフラッシュメモリへのア
クセスリトライの処理シーケンスの説明図
FIG. 3 is an explanatory diagram of a processing sequence of retrying access to the flash memory according to the embodiment;

【図4】同実施の形態におけるフラッシュメモリへのア
クセスリトライの処理シーケンスのフローチャート
FIG. 4 is a flowchart of a processing sequence for retrying access to the flash memory according to the embodiment;

【図5】従来の記憶装置のブロック図FIG. 5 is a block diagram of a conventional storage device.

【図6】従来の記憶装置の処理シーケンスの説明図FIG. 6 is an explanatory diagram of a processing sequence of a conventional storage device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 制御部 20 記憶部 21 フラッシュメモリ 22 フラッシュメモリ制御部 30 電力供給部 Reference Signs List 10 control unit 20 storage unit 21 flash memory 22 flash memory control unit 30 power supply unit

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G06F 12/16 310 G06F 1/00 330E 5B065 G06K 17/00 350B (72)発明者 山形 知之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 5B011 EA06 EB01 EB07 KK02 MA04 MA07 MB11 5B018 GA05 KA12 MA24 NA06 QA16 5B054 AA01 BB01 CC02 5B058 CA23 KA02 KA04 5B060 MM06 MM09 MM15 5B065 BA09 EA04 ZA06 ZA14 Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (Reference) G06F 12/16 310 G06F 1/00 330E 5B065 G06K 17/00 350B (72) Inventor Tomoyuki Yamagata 1006 Kadoma Kadoma, Kadoma, Osaka Address Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. F-term (reference)

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 データを記憶する記憶部と、前記記憶部
に電力を供給する電力供給部と、前記記憶部を制御する
制御部とを備え、前記電力供給部は、前記記憶部が制御
される場合のみ前記記憶部に電力を供給する記憶装置。
A storage unit configured to store data; a power supply unit configured to supply power to the storage unit; and a control unit configured to control the storage unit, wherein the power supply unit is controlled by the storage unit. A storage device that supplies power to the storage unit only when the power is supplied.
【請求項2】 記憶部はフラッシュメモリと前記フラッ
シュメモリを制御するフラッシュメモリ制御部とで構成
し、前記フラッシュメモリは電力供給部の出力信号の立
ち上がりでリセットされ、電力供給部から少なくとも前
記フラッシュメモリに電力が供給されていない間、前記
記憶部から前記フラッシュメモリを取出すことが可能な
請求項1記載の記憶装置。
2. A storage unit comprising a flash memory and a flash memory control unit for controlling the flash memory, wherein the flash memory is reset at a rising edge of an output signal of a power supply unit, and the power supply unit supplies at least the flash memory 2. The storage device according to claim 1, wherein the flash memory can be taken out of the storage unit while no power is supplied to the flash memory.
【請求項3】 制御部はフラッシュメモリに電力を供給
後、予め保持した待ち時間を経過してから前記フラッシ
ュメモリにデータの読み書きを開始し、正常に読み書き
出来なかった場合は正常に読み書き可能になるまでリト
ライし、前記待ち時間及び前記リトライした期間に基づ
いて前記待ち時間を更新する機能を有するとともに、前
記フラッシュメモリを記憶部から取出すまで前記待ち時
間を保持する請求項2記載の記憶装置。
3. A controller starts supplying data to the flash memory after supplying a power to the flash memory and after elapse of a waiting time held in advance, and if the data cannot be read and written normally, the data can be read and written normally. 3. The storage device according to claim 2, further comprising a function of retrying until the flash memory is updated, and updating the wait time based on the wait time and the retry period, and holding the wait time until the flash memory is removed from a storage unit. 4.
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