JP2001239154A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JP2001239154A JP2001239154A JP2000057042A JP2000057042A JP2001239154A JP 2001239154 A JP2001239154 A JP 2001239154A JP 2000057042 A JP2000057042 A JP 2000057042A JP 2000057042 A JP2000057042 A JP 2000057042A JP 2001239154 A JP2001239154 A JP 2001239154A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- annular
- dielectric window
- annular waveguide
- propagation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
- H01J37/32229—Waveguides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 処理容器に均一なプラズマを生成でき、均一
に処理できるプラズマ処理装置を提供する。 【解決手段】 有底筒状の処理容器５３と、処理容器内
に設けられた被処理体を保持するための保持手段と、保
持手段によって保持された被処理体に対向して設けら
れ、処理容器の開口部を密閉する誘電体窓と、この誘電
体窓に設けられ、この誘電体窓を通して処理容器内にマ
イクロ波を導入する無端環状に形成された環状導波管で
あって、その環状の導波管の一部が誘電体窓に沿うよう
に配設された環状導波管と、この環状導波管に接続さ
れ、マイクロ波を環状導波管に供給する伝搬導波管と、
この伝搬導波管に接続され、この伝搬導波管にマイクロ
波を供給するマイクロ波供給手段とを具備し、環状導波
管のうち誘電体窓に沿う部分に定在波の腹の部分が位置
するようにした。
に処理できるプラズマ処理装置を提供する。 【解決手段】 有底筒状の処理容器５３と、処理容器内
に設けられた被処理体を保持するための保持手段と、保
持手段によって保持された被処理体に対向して設けら
れ、処理容器の開口部を密閉する誘電体窓と、この誘電
体窓に設けられ、この誘電体窓を通して処理容器内にマ
イクロ波を導入する無端環状に形成された環状導波管で
あって、その環状の導波管の一部が誘電体窓に沿うよう
に配設された環状導波管と、この環状導波管に接続さ
れ、マイクロ波を環状導波管に供給する伝搬導波管と、
この伝搬導波管に接続され、この伝搬導波管にマイクロ
波を供給するマイクロ波供給手段とを具備し、環状導波
管のうち誘電体窓に沿う部分に定在波の腹の部分が位置
するようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波を用い
たプラズマ処理装置に関するものである。
たプラズマ処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、処理容器の上面に環状の導波管か
らなるアンテナを設け、これによって処理容器内にマイ
クロ波を供給するプラズマ処理装置としては、例えば、
図７に示すようなものが知られている。
らなるアンテナを設け、これによって処理容器内にマイ
クロ波を供給するプラズマ処理装置としては、例えば、
図７に示すようなものが知られている。
【０００３】このプラズマ処理装置１１は、処理容器１
３を有しており、この処理容器１３の上面にはアンテナ
１５が載置されている。このアンテナ１５は、一端が閉
鎖された導波管が円形にカールされて配設されたもの
で、アンテナ１５の処理容器１３の側には、スロット１
７…が形成されている。一方このアンテナ１５の他端に
は、マイクロ波発振器１９が接続されている。
３を有しており、この処理容器１３の上面にはアンテナ
１５が載置されている。このアンテナ１５は、一端が閉
鎖された導波管が円形にカールされて配設されたもの
で、アンテナ１５の処理容器１３の側には、スロット１
７…が形成されている。一方このアンテナ１５の他端に
は、マイクロ波発振器１９が接続されている。
【０００４】このようなプラズマ処理装置１１におい
て、マイクロ波発振器１９から供給されたマイクロ波
は、アンテナ１５の終端部２１で反射され、導波管内に
定在波を形成する。そして、スロット１７…から下方の
処理容器１３に向かってマイクロ波を放出し、これによ
って処理容器内にプラズマを生成し処理を行う。
て、マイクロ波発振器１９から供給されたマイクロ波
は、アンテナ１５の終端部２１で反射され、導波管内に
定在波を形成する。そして、スロット１７…から下方の
処理容器１３に向かってマイクロ波を放出し、これによ
って処理容器内にプラズマを生成し処理を行う。
【０００５】一方、図８に示すような、プラズマ処理装
置３１は、処理容器３３の側面外周に環状の導波管から
なるアンテナ３５が巻き付けられ、このアンテナ３５に
は、導波管３７を介してマイクロ波発振器３９が接続さ
れている。そして、マイクロ波発振器３９から供給され
たマイクロ波は、導波管３７とアンテナ３５の接続部４
１で左右に分割され、この分割されたマイクロ波は、そ
の後この接続部４１の反対側の部分４３で再び出会い互
いに反射してアンテナ内に定在波を形成する。そして、
アンテナ３５の内周側に形成されたスロット４５…から
内側の処理容器３３に向かってマイクロ波を放出し、こ
れによって処理容器３３内にプラズマを生成し処理を行
う。
置３１は、処理容器３３の側面外周に環状の導波管から
なるアンテナ３５が巻き付けられ、このアンテナ３５に
は、導波管３７を介してマイクロ波発振器３９が接続さ
れている。そして、マイクロ波発振器３９から供給され
たマイクロ波は、導波管３７とアンテナ３５の接続部４
１で左右に分割され、この分割されたマイクロ波は、そ
の後この接続部４１の反対側の部分４３で再び出会い互
いに反射してアンテナ内に定在波を形成する。そして、
アンテナ３５の内周側に形成されたスロット４５…から
内側の処理容器３３に向かってマイクロ波を放出し、こ
れによって処理容器３３内にプラズマを生成し処理を行
う。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記プ
ラズマ処理装置１１，３１にあっては、ともにアンテナ
内に定在波を形成するようにしているため、定在波の腹
と節の部分でマイクロはの強度が異なる。このため、ア
ンテナ内での腹と節の位置関係によって処理容器内の電
磁界強度が不均一になる。従って、処理容器内のプラズ
マ密度にむらが生じ、処理の均一性が保てないという問
題点があった。
ラズマ処理装置１１，３１にあっては、ともにアンテナ
内に定在波を形成するようにしているため、定在波の腹
と節の部分でマイクロはの強度が異なる。このため、ア
ンテナ内での腹と節の位置関係によって処理容器内の電
磁界強度が不均一になる。従って、処理容器内のプラズ
マ密度にむらが生じ、処理の均一性が保てないという問
題点があった。
【０００７】本発明は、上記課題を解決するために成さ
れたものであって、処理容器に均一なプラズマを生成で
き、均一な処理を行うことができるプラズマ処理装置を
提供することを目的としている。
れたものであって、処理容器に均一なプラズマを生成で
き、均一な処理を行うことができるプラズマ処理装置を
提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の特徴は、
有底筒状の処理容器と、この処理容器内に設けられた被
処理体を保持するための保持手段と、保持手段によって
保持された被処理体に対向して設けられ、処理容器の開
口部を密閉する誘電体窓と、この誘電体窓に設けられ、
この誘電体窓を通して処理容器内にマイクロ波を導入す
る無端環状に形成された環状導波管であって、その環状
の導波管の一部が誘電体窓に沿うように配設された環状
導波管と、この環状導波管に接続され、マイクロ波を環
状導波管に供給する伝搬導波管と、この伝搬導波管に接
続され、この伝搬導波管にマイクロ波を供給するマイク
ロ波供給手段とを具備し、環状導波管のうち誘電体窓に
沿う部分に定在波の腹の部分が位置するようになされた
ことである。
有底筒状の処理容器と、この処理容器内に設けられた被
処理体を保持するための保持手段と、保持手段によって
保持された被処理体に対向して設けられ、処理容器の開
口部を密閉する誘電体窓と、この誘電体窓に設けられ、
この誘電体窓を通して処理容器内にマイクロ波を導入す
る無端環状に形成された環状導波管であって、その環状
の導波管の一部が誘電体窓に沿うように配設された環状
導波管と、この環状導波管に接続され、マイクロ波を環
状導波管に供給する伝搬導波管と、この伝搬導波管に接
続され、この伝搬導波管にマイクロ波を供給するマイク
ロ波供給手段とを具備し、環状導波管のうち誘電体窓に
沿う部分に定在波の腹の部分が位置するようになされた
ことである。
【０００９】本発明の第２の特徴は、マイクロ波供給手
段は、被処理体の長さより長い半波長を有する高周波を
供給することである。
段は、被処理体の長さより長い半波長を有する高周波を
供給することである。
【００１０】本発明の第３の特徴は、環状導波管は略矩
形環状に形成されていることである。
形環状に形成されていることである。
【００１１】本発明の第４の特徴は、環状導波管は、円
周部分とこの円周部分に接続された直線部分からなる略
Ｄ字状に環状に形成され、この環状導波管の直線部分で
誘電体窓に沿って配設されていることである。
周部分とこの円周部分に接続された直線部分からなる略
Ｄ字状に環状に形成され、この環状導波管の直線部分で
誘電体窓に沿って配設されていることである。
【００１２】本発明の第５の特徴は、環状導波管は螺旋
状に形成され、この螺旋状部分の側面に誘電体窓が沿う
ように配設されていることである。
状に形成され、この螺旋状部分の側面に誘電体窓が沿う
ように配設されていることである。
【００１３】本発明の第６の特徴は、有底筒状の処理容
器と、この処理容器内に設けられた被処理体を保持する
ための保持手段と、保持手段によって保持された被処理
体に対向して設けられ、処理容器の開口部を密閉する誘
電体窓と、この誘電体窓に設けられ、この誘電体窓を通
して前記処理容器内にマイクロ波を導入する無端環状に
形成された環状導波管であって、その環状の導波管の一
部が誘電体窓に沿うように配設された環状導波管と、こ
の環状導波管にマイクロ波を供給する伝搬導波管と、こ
の伝搬導波管に接続されこの伝搬導波管にマイクロ波を
供給するマイクロ波供給手段とを備え、伝搬導波管によ
り供給されたマイクロ波によって環状導波管内に進行波
が形成されるようになされていることである。
器と、この処理容器内に設けられた被処理体を保持する
ための保持手段と、保持手段によって保持された被処理
体に対向して設けられ、処理容器の開口部を密閉する誘
電体窓と、この誘電体窓に設けられ、この誘電体窓を通
して前記処理容器内にマイクロ波を導入する無端環状に
形成された環状導波管であって、その環状の導波管の一
部が誘電体窓に沿うように配設された環状導波管と、こ
の環状導波管にマイクロ波を供給する伝搬導波管と、こ
の伝搬導波管に接続されこの伝搬導波管にマイクロ波を
供給するマイクロ波供給手段とを備え、伝搬導波管によ
り供給されたマイクロ波によって環状導波管内に進行波
が形成されるようになされていることである。
【００１４】本発明の第７の特徴は、有底筒状の処理容
器と、この処理容器内に設けられた被処理体を保持する
ための保持手段と、保持手段によって保持された被処理
体に対向して設けられ処理容器の開口部を密閉する誘電
体窓と、この誘電体窓に設けられこの誘電体窓を通して
処理容器内にマイクロ波を導入する無端環状に形成され
た環状導波管であってその環状の導波管の一部が前記誘
電体窓に沿うように配設された環状導波管と、この環状
導波管にマイクロ波を供給する伝搬導波管と、この伝搬
導波管に接続されこの伝搬導波管にマイクロ波を供給す
るマイクロ波供給手段と、伝搬導波管内を伝搬してきた
マイクロ波を環状導波管に進行波として供給する進行波
供給手段とを備えていることである。
器と、この処理容器内に設けられた被処理体を保持する
ための保持手段と、保持手段によって保持された被処理
体に対向して設けられ処理容器の開口部を密閉する誘電
体窓と、この誘電体窓に設けられこの誘電体窓を通して
処理容器内にマイクロ波を導入する無端環状に形成され
た環状導波管であってその環状の導波管の一部が前記誘
電体窓に沿うように配設された環状導波管と、この環状
導波管にマイクロ波を供給する伝搬導波管と、この伝搬
導波管に接続されこの伝搬導波管にマイクロ波を供給す
るマイクロ波供給手段と、伝搬導波管内を伝搬してきた
マイクロ波を環状導波管に進行波として供給する進行波
供給手段とを備えていることである。
【００１５】本発明の第８の特徴は、進行波供給手段は
方向性結合器であることである。
方向性結合器であることである。
【００１６】本発明の第９の特徴は、環状導波管は略矩
形環状に形成されていることである。
形環状に形成されていることである。
【００１７】本発明の第１０の特徴は、環状導波管は円
周部分とこの円周部分に接続された直線部分からなる略
Ｄ字状に環状に形成され、この環状導波管の直線部分で
誘電体窓に沿って配設されていることである。
周部分とこの円周部分に接続された直線部分からなる略
Ｄ字状に環状に形成され、この環状導波管の直線部分で
誘電体窓に沿って配設されていることである。
【００１８】本発明の第１１の特徴は、環状導波管は螺
旋状に形成され、この螺旋状部分の側面に誘電体窓が沿
うように配設されていることである。
旋状に形成され、この螺旋状部分の側面に誘電体窓が沿
うように配設されていることである。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る処理装置の実
施の形態を図１ないし図８を参照して説明する。
施の形態を図１ないし図８を参照して説明する。
【００２０】図１は、本発明のプラズマ処理装置の第１
の実施の形態を示す構成図である。この図において、マ
イクロ波発振器に接続された矩形導波管には、ＴＥ１０
の基本モードが伝搬し、スロットが矩形導波管のＨ面に
配置されている例で説明する。
の実施の形態を示す構成図である。この図において、マ
イクロ波発振器に接続された矩形導波管には、ＴＥ１０
の基本モードが伝搬し、スロットが矩形導波管のＨ面に
配置されている例で説明する。
【００２１】図１において、このプラズマ処理装置５１
は、側壁や底部がアルミニウム等の導体により構成され
て、全体が有底筒体状に形成された処理容器５３を有し
ている。この処理容器５３の天井部は、開放されてこの
部分にはＯリング等のシール部材を介して真空圧に耐え
得る厚みを有する封止板５５が気密に設けられている。
この封止板５５は、耐熱性及びマイクロ波透過性を有す
るとともに誘電損失が小さい、石英ガラス又はアルミナ
等の誘電体で形成されている。この封止板５５によっ
て、処理容器５３内に処理空間５７が形成される。封止
板５５には、導電性金属を円形蓋状に成形してなるカバ
ー部材５９が外嵌してあり、このカバー部材５９は処理
容器５３上に固定されている。
は、側壁や底部がアルミニウム等の導体により構成され
て、全体が有底筒体状に形成された処理容器５３を有し
ている。この処理容器５３の天井部は、開放されてこの
部分にはＯリング等のシール部材を介して真空圧に耐え
得る厚みを有する封止板５５が気密に設けられている。
この封止板５５は、耐熱性及びマイクロ波透過性を有す
るとともに誘電損失が小さい、石英ガラス又はアルミナ
等の誘電体で形成されている。この封止板５５によっ
て、処理容器５３内に処理空間５７が形成される。封止
板５５には、導電性金属を円形蓋状に成形してなるカバ
ー部材５９が外嵌してあり、このカバー部材５９は処理
容器５３上に固定されている。
【００２２】この処理容器５３内には、上面に被処理体
としての半導体ウエハＷを載置する載置台６１が収容さ
れる。この載置台６１は、アルミニウムからなり、処理
容器５３内の底部に絶縁材を介して設置されている。
この載置台６１は給電線６３を介してマッチングボック
ス６５及びバイアス用高周波電源６７に接続されてい
る。処理容器５３の側壁には、容器内に処理ガスを導入
するための石英パイプ製のガス供給ノズル６９が設けら
れている。また、処理容器５３の底部には、図示されな
い真空ポンプに接続された排気口７１が設けられてお
り、必要に応じて処理容器５３内を所定の圧力まで真空
引きできるようになっている。
としての半導体ウエハＷを載置する載置台６１が収容さ
れる。この載置台６１は、アルミニウムからなり、処理
容器５３内の底部に絶縁材を介して設置されている。
この載置台６１は給電線６３を介してマッチングボック
ス６５及びバイアス用高周波電源６７に接続されてい
る。処理容器５３の側壁には、容器内に処理ガスを導入
するための石英パイプ製のガス供給ノズル６９が設けら
れている。また、処理容器５３の底部には、図示されな
い真空ポンプに接続された排気口７１が設けられてお
り、必要に応じて処理容器５３内を所定の圧力まで真空
引きできるようになっている。
【００２３】カバー部材５９の上面には、処理空間５７
にマイクロ波を導入するための環状アンテナ７３が設け
られている。この環状アンテナ７３は、導波管を矩形状
に無端環状に形成したものであり、その環状の導波管に
よって形成される環状の導波路を含む平面が封止板５５
に略垂直になるように配設されている。また、この環状
アンテナ７３は、その導波管が封止板５５に沿うように
配設された電磁界放出部７３ｂを有している。この電磁
界放出部７３ｂの処理空間５７側の管壁には、導波路に
略垂直方向に延在するスロット７５が導波路方向に離間
して多数形成されている。また、このスロット７５，…
に対応するカバー部材５９の部分には、開口部７７，…
が同様に形成されている。一方、環状アンテナ７３のカ
バー部材５９と反対の側には伝搬導波管８１の一端が接
続されており、この伝搬導波管８１の他端にはマイクロ
波発振器８３が接続されている。
にマイクロ波を導入するための環状アンテナ７３が設け
られている。この環状アンテナ７３は、導波管を矩形状
に無端環状に形成したものであり、その環状の導波管に
よって形成される環状の導波路を含む平面が封止板５５
に略垂直になるように配設されている。また、この環状
アンテナ７３は、その導波管が封止板５５に沿うように
配設された電磁界放出部７３ｂを有している。この電磁
界放出部７３ｂの処理空間５７側の管壁には、導波路に
略垂直方向に延在するスロット７５が導波路方向に離間
して多数形成されている。また、このスロット７５，…
に対応するカバー部材５９の部分には、開口部７７，…
が同様に形成されている。一方、環状アンテナ７３のカ
バー部材５９と反対の側には伝搬導波管８１の一端が接
続されており、この伝搬導波管８１の他端にはマイクロ
波発振器８３が接続されている。
【００２４】このような構成において、マイクロ波発振
器８３は、被処理体の長さより長い半波長を有するマイ
クロ波を供給するようになされている。また、環状アン
テナ７３の形状寸法、伝搬導波管８１の環状アンテナ７
３への接続部７３ａの位置、環状アンテナ７３の電磁界
放出部７３ｂの寸法等は、それによって形成される定在
波の腹の部分が被処理体を包含するように設定されてい
る。すなわち、マイクロ波発振器８３から伝搬してきた
マイクロ波は、伝搬導波管８１と環状アンテナ７３との
接続部８１ａでそれぞれ反対方向へ分岐し、環状アンテ
ナ７３を半周し、接続部８１ａから左/右で（（管内波
長）／２）分の長さが異なる位置７３ａで反射し定在波
を形成する。この定在波は、図１の下部に示すようにな
るが、この定在波の腹の部分が、被処理体を包含するよ
うに、環状アンテナ７３の形状寸法、接続部８１ａの位
置等が設定される。このようにすることによって、処理
容器５３内に一様なプラズマを生成することができ、従
って、大口径化したウエハに対しても、均一な処理を行
うことができる。
器８３は、被処理体の長さより長い半波長を有するマイ
クロ波を供給するようになされている。また、環状アン
テナ７３の形状寸法、伝搬導波管８１の環状アンテナ７
３への接続部７３ａの位置、環状アンテナ７３の電磁界
放出部７３ｂの寸法等は、それによって形成される定在
波の腹の部分が被処理体を包含するように設定されてい
る。すなわち、マイクロ波発振器８３から伝搬してきた
マイクロ波は、伝搬導波管８１と環状アンテナ７３との
接続部８１ａでそれぞれ反対方向へ分岐し、環状アンテ
ナ７３を半周し、接続部８１ａから左/右で（（管内波
長）／２）分の長さが異なる位置７３ａで反射し定在波
を形成する。この定在波は、図１の下部に示すようにな
るが、この定在波の腹の部分が、被処理体を包含するよ
うに、環状アンテナ７３の形状寸法、接続部８１ａの位
置等が設定される。このようにすることによって、処理
容器５３内に一様なプラズマを生成することができ、従
って、大口径化したウエハに対しても、均一な処理を行
うことができる。
【００２５】このように、この実施の形態において、マ
イクロ波発振器８３は、被処理体の長さより長い半波長
を有するマイクロ波を供給するようになされている。ま
た、環状アンテナ７３の形状寸法、伝搬導波管８１の環
状アンテナ７３への接続部８１ａの位置、環状アンテナ
７３の電磁界放出部７３ｂの寸法等は、それによって形
成される定在波の腹の部分が被処理体を包含するように
設定されている。従って、処理容器５３内の被処理体上
に均一な電磁界を形成することができ、一様なプラズマ
を生成することができる。このため、大口径のウエハで
あっても均一な処理を行うことができる。
イクロ波発振器８３は、被処理体の長さより長い半波長
を有するマイクロ波を供給するようになされている。ま
た、環状アンテナ７３の形状寸法、伝搬導波管８１の環
状アンテナ７３への接続部８１ａの位置、環状アンテナ
７３の電磁界放出部７３ｂの寸法等は、それによって形
成される定在波の腹の部分が被処理体を包含するように
設定されている。従って、処理容器５３内の被処理体上
に均一な電磁界を形成することができ、一様なプラズマ
を生成することができる。このため、大口径のウエハで
あっても均一な処理を行うことができる。
【００２６】図２は、本発明の第２の実施例を示す図で
ある。この図に示すプラズマ処理装置９１は、図１に示
すプラズマ処理装置５１の矩形状環状アンテナ７３を、
略Ｄ字状に形成したものである。この図において、図１
に示すマイクロ波処理装置５１と同一構成の部分には同
一符号を付している。なお、図２においても図１と同様
に、矩形導波管内にはＴＥ１０の基本モードが伝搬し、
スロットが矩形導波管のＨ面に配置されている例で説明
する。
ある。この図に示すプラズマ処理装置９１は、図１に示
すプラズマ処理装置５１の矩形状環状アンテナ７３を、
略Ｄ字状に形成したものである。この図において、図１
に示すマイクロ波処理装置５１と同一構成の部分には同
一符号を付している。なお、図２においても図１と同様
に、矩形導波管内にはＴＥ１０の基本モードが伝搬し、
スロットが矩形導波管のＨ面に配置されている例で説明
する。
【００２７】このＤ字状環状アンテナ９３は、伝搬導波
管８１との接続部９３ａから反対方向に延在する円弧状
部分９３ｂ、９３ｃと、この円弧状部分９３ｂ、９３ｃ
の先端部の間を連結し処理容器５３の封止板５５に沿っ
て延びる直線状の電磁界放出部９３ｄとを有している。
電磁界放出部９３ｄの封止板５５の側の側壁には、導波
管の延在方向に略垂直方向のスロット９５，…が多数形
成されている。そして、このスロット９５，…に対応す
るカバー部材５９の部分には、開口部９７，…が同様に
形成されている。
管８１との接続部９３ａから反対方向に延在する円弧状
部分９３ｂ、９３ｃと、この円弧状部分９３ｂ、９３ｃ
の先端部の間を連結し処理容器５３の封止板５５に沿っ
て延びる直線状の電磁界放出部９３ｄとを有している。
電磁界放出部９３ｄの封止板５５の側の側壁には、導波
管の延在方向に略垂直方向のスロット９５，…が多数形
成されている。そして、このスロット９５，…に対応す
るカバー部材５９の部分には、開口部９７，…が同様に
形成されている。
【００２８】このようなプラズマ処理装置９１において
も、図１に示すプラズマ処理装置５１と同様に、マイク
ロ波発振器８３は、被処理体の長さより長い半波長を有
するマイクロ波を供給するようになされている。また、
Ｄ字状環状アンテナ９３の形状寸法、伝搬導波管８１の
Ｄ字状環状アンテナ９３への接続部９３ａの位置、Ｄ字
状環状アンテナ９３の電磁界放出部９３ｄの寸法等は、
それによって形成される定在波の腹の部分が被処理体を
包含するように設定されている。従って、処理容器５３
内の被処理体上に均一な電磁界を形成することができ、
一様なプラズマを生成することができる。
も、図１に示すプラズマ処理装置５１と同様に、マイク
ロ波発振器８３は、被処理体の長さより長い半波長を有
するマイクロ波を供給するようになされている。また、
Ｄ字状環状アンテナ９３の形状寸法、伝搬導波管８１の
Ｄ字状環状アンテナ９３への接続部９３ａの位置、Ｄ字
状環状アンテナ９３の電磁界放出部９３ｄの寸法等は、
それによって形成される定在波の腹の部分が被処理体を
包含するように設定されている。従って、処理容器５３
内の被処理体上に均一な電磁界を形成することができ、
一様なプラズマを生成することができる。
【００２９】図３は、本発明の第３の実施の形態を示す
図である。この図に示すプラズマ処理装置１０１は、図
１に示すプラズマ処理装置の環状アンテナ７３を、螺旋
状に形成した螺旋状環状アンテナ１０３にしたものであ
る。なお、図３においても図１と同様に、矩形導波管内
にはＴＥ１０の基本モードが伝搬し、スロットが矩形導
波管のＨ面に配置されている例で説明する。
図である。この図に示すプラズマ処理装置１０１は、図
１に示すプラズマ処理装置の環状アンテナ７３を、螺旋
状に形成した螺旋状環状アンテナ１０３にしたものであ
る。なお、図３においても図１と同様に、矩形導波管内
にはＴＥ１０の基本モードが伝搬し、スロットが矩形導
波管のＨ面に配置されている例で説明する。
【００３０】この螺旋状環状アンテナ１０３は、マイク
ロ波発振器（図示せず）に接続された伝搬導波管８１に
接続されている。この螺旋状環状アンテナ１０３は、伝
搬導波管８１との接続部１０３ａから反対方向に螺旋の
両端に向かって延在する腕部１０３ｂ、１０３ｃと、一
方の腕部１０３ｂの端部から螺旋状に形成され他方の腕
部１０３ｃの端部に至る螺旋部１０３ｄを有している。
この螺旋部１０３ｄは、その側面を封止板５５に沿うよ
うに配設されており、その封止板５５に沿って形成され
た複数の電磁界放出部１０３ｅを有している。この複数
の電磁界放出部１０３ｅの封止板５５の側の側壁には、
導波管の延在方向に略垂直方向のスロットが多数形成さ
れている。そして、このスロットに対応するカバー部材
５９の部分にも開口部が同様に形成されてる。
ロ波発振器（図示せず）に接続された伝搬導波管８１に
接続されている。この螺旋状環状アンテナ１０３は、伝
搬導波管８１との接続部１０３ａから反対方向に螺旋の
両端に向かって延在する腕部１０３ｂ、１０３ｃと、一
方の腕部１０３ｂの端部から螺旋状に形成され他方の腕
部１０３ｃの端部に至る螺旋部１０３ｄを有している。
この螺旋部１０３ｄは、その側面を封止板５５に沿うよ
うに配設されており、その封止板５５に沿って形成され
た複数の電磁界放出部１０３ｅを有している。この複数
の電磁界放出部１０３ｅの封止板５５の側の側壁には、
導波管の延在方向に略垂直方向のスロットが多数形成さ
れている。そして、このスロットに対応するカバー部材
５９の部分にも開口部が同様に形成されてる。
【００３１】このような構成において、マイクロ波発振
器（図示せず）は、螺旋状環状アンテナ１０３が被処理
体の長さより長い半波長を有するマイクロ波を供給する
ようになされている。また、螺旋状環状アンテナ１０３
の形状寸法、伝搬導波管８１の螺旋状環状アンテナ１０
３への接続部１０３ａの位置、螺旋状環状アンテナ１０
３の電磁界放出部１０３ｅの寸法等は、図３に示すよう
に、それによって形成される複数の定在波の腹の部分１
０９が被処理体をそれぞれ包含するように設定されてい
る。すなわち、マイクロ波発振器から伝搬してきたマイ
クロ波は、伝搬導波管８１と螺旋状環状アンテナ１０３
との接続部１０３ａでそれぞれ反対方向へ分岐し、螺旋
状環状アンテナ１０３を半周し、接続部１０３ａから左
/右で（（管内波長）／２）分の長さが異なる位置で反
射し定在波を形成する。そして、この際発生する複数の
定在波の腹の部分１０９が複数の電磁界放出部１０３ｅ
をそれぞれ包含するように、螺旋状環状アンテナ１０３
の形状寸法、接続部１０３ａの位置等が設定される。こ
のようにすることによって、処理容器５３内の被処理体
上に一様なプラズマを生成することができ、従って、大
口径化したウエハに対しても、エッチングや成膜等の均
一な処理を行うことができる。
器（図示せず）は、螺旋状環状アンテナ１０３が被処理
体の長さより長い半波長を有するマイクロ波を供給する
ようになされている。また、螺旋状環状アンテナ１０３
の形状寸法、伝搬導波管８１の螺旋状環状アンテナ１０
３への接続部１０３ａの位置、螺旋状環状アンテナ１０
３の電磁界放出部１０３ｅの寸法等は、図３に示すよう
に、それによって形成される複数の定在波の腹の部分１
０９が被処理体をそれぞれ包含するように設定されてい
る。すなわち、マイクロ波発振器から伝搬してきたマイ
クロ波は、伝搬導波管８１と螺旋状環状アンテナ１０３
との接続部１０３ａでそれぞれ反対方向へ分岐し、螺旋
状環状アンテナ１０３を半周し、接続部１０３ａから左
/右で（（管内波長）／２）分の長さが異なる位置で反
射し定在波を形成する。そして、この際発生する複数の
定在波の腹の部分１０９が複数の電磁界放出部１０３ｅ
をそれぞれ包含するように、螺旋状環状アンテナ１０３
の形状寸法、接続部１０３ａの位置等が設定される。こ
のようにすることによって、処理容器５３内の被処理体
上に一様なプラズマを生成することができ、従って、大
口径化したウエハに対しても、エッチングや成膜等の均
一な処理を行うことができる。
【００３２】図４ないし図６は、本発明の第４ないし第
６の実施の形態を示す図である。これらの図に示すプラ
ズマ処理装置は、図１ないし図３に示すプラズマ処理装
置と異なり、環状アンテナに進行波を供給し、環状アン
テナの封止板に沿う部分から電磁界を処理容器に供給し
プラズマ処理を行うようにしたものである。以下、図１
に示すプラズマ処理装置と同様の構成の部分には同様の
符号を付している。
６の実施の形態を示す図である。これらの図に示すプラ
ズマ処理装置は、図１ないし図３に示すプラズマ処理装
置と異なり、環状アンテナに進行波を供給し、環状アン
テナの封止板に沿う部分から電磁界を処理容器に供給し
プラズマ処理を行うようにしたものである。以下、図１
に示すプラズマ処理装置と同様の構成の部分には同様の
符号を付している。
【００３３】図４は、本発明の第４の実施の形態を示す
図である。この図に示すプラズマ処理装置１１１におい
ては、カバー部材５９の上面に、処理空間５７にマイク
ロ波を導入するための環状アンテナ１１３が設けられて
いる。この環状アンテナ１１３は、導波管を矩形状に無
端環状に形成したものであり、その環状の導波管によっ
て形成される環状の導波路を含む平面が封止板５５に略
垂直になるように配設されている。また、この環状アン
テナ１１３は、その導波管が封止板５５に沿うように配
設された電磁界放出部１１３ｂを有している。この電磁
界放出部１１３ｂの処理空間５７の側の管壁には、導波
路に略垂直方向に延在するスロット１１５が例えばＨ面
上に導波路方向に離間して多数形成されている。また、
このスロット１１５，…に対応するカバー部材５９の部
分には、開口部１１７，…が同様に形成されている。一
方、環状アンテナ１１３のカバー部材５９と反対の側に
は伝搬導波管１２１の一端が方向性結合器１１９を介し
て例えばＥ面に接続されている。そして、この伝搬導波
管１２１の他端にはマイクロ波発振器１２３が接続され
ている。前記方向性結合器１１９は、伝搬導波管１２１
中を図中矢印Ａ方向に伝搬してきたマイクロ波を環状ア
ンテナ１１３内において矢印Ｂ方向にのみ伝搬するもの
である。これによって、マイクロ波は、無端円環状の環
状アンテナ１１３内において、進行波として一方向（矢
印Ｂ方向）にのみ伝搬する。
図である。この図に示すプラズマ処理装置１１１におい
ては、カバー部材５９の上面に、処理空間５７にマイク
ロ波を導入するための環状アンテナ１１３が設けられて
いる。この環状アンテナ１１３は、導波管を矩形状に無
端環状に形成したものであり、その環状の導波管によっ
て形成される環状の導波路を含む平面が封止板５５に略
垂直になるように配設されている。また、この環状アン
テナ１１３は、その導波管が封止板５５に沿うように配
設された電磁界放出部１１３ｂを有している。この電磁
界放出部１１３ｂの処理空間５７の側の管壁には、導波
路に略垂直方向に延在するスロット１１５が例えばＨ面
上に導波路方向に離間して多数形成されている。また、
このスロット１１５，…に対応するカバー部材５９の部
分には、開口部１１７，…が同様に形成されている。一
方、環状アンテナ１１３のカバー部材５９と反対の側に
は伝搬導波管１２１の一端が方向性結合器１１９を介し
て例えばＥ面に接続されている。そして、この伝搬導波
管１２１の他端にはマイクロ波発振器１２３が接続され
ている。前記方向性結合器１１９は、伝搬導波管１２１
中を図中矢印Ａ方向に伝搬してきたマイクロ波を環状ア
ンテナ１１３内において矢印Ｂ方向にのみ伝搬するもの
である。これによって、マイクロ波は、無端円環状の環
状アンテナ１１３内において、進行波として一方向（矢
印Ｂ方向）にのみ伝搬する。
【００３４】このような構成において、マイクロ波発振
器１２３から供給されたマイクロ波は、伝搬導波管１２
１内を矢印Ａ方向に伝搬し、方向性結合器１１９におい
て環状アンテナ１１３内に供給される。ここで伝搬導波
管１２１と環状アンテナ１１３との接続部に方向性結合
器１１９が設けられているので、伝搬導波管１２１中を
矢印Ａ方向に伝搬してきたマイクロ波は、環状アンテナ
１１３中をＢ方向にのみ伝搬し、無端円環状の環状アン
テナ１１３内を回転する進行波が生成される。そして、
この環状アンテナ１１３内を進行波として伝搬するマイ
クロ波は、環状アンテナ１１３に形成された多数のスロ
ット１１５から処理容器５３内に放出される。ここで、
環状アンテナ１１３内を伝搬するマイクロ波は、定在波
ではなく無端環状の環状アンテナ内を回転する進行波で
あるため、スロット１１５から放出される電磁界の強さ
は時間的に平均化される。従って、処理容器５３内に均
一なプラズマを生成することができ、大口径のウエハに
対してもその全域にわたって均一な処理を施すことがで
きる。
器１２３から供給されたマイクロ波は、伝搬導波管１２
１内を矢印Ａ方向に伝搬し、方向性結合器１１９におい
て環状アンテナ１１３内に供給される。ここで伝搬導波
管１２１と環状アンテナ１１３との接続部に方向性結合
器１１９が設けられているので、伝搬導波管１２１中を
矢印Ａ方向に伝搬してきたマイクロ波は、環状アンテナ
１１３中をＢ方向にのみ伝搬し、無端円環状の環状アン
テナ１１３内を回転する進行波が生成される。そして、
この環状アンテナ１１３内を進行波として伝搬するマイ
クロ波は、環状アンテナ１１３に形成された多数のスロ
ット１１５から処理容器５３内に放出される。ここで、
環状アンテナ１１３内を伝搬するマイクロ波は、定在波
ではなく無端環状の環状アンテナ内を回転する進行波で
あるため、スロット１１５から放出される電磁界の強さ
は時間的に平均化される。従って、処理容器５３内に均
一なプラズマを生成することができ、大口径のウエハに
対してもその全域にわたって均一な処理を施すことがで
きる。
【００３５】このようにこのプラズマ処理装置１１１に
おいて、無端環状に形成された環状アンテナ１１３は、
その環状の導波管によって形成される環状の導波路を含
む平面が封止板５５に略垂直になるように配設され、そ
の環状アンテナ１１３は、その導波管が封止板５５に沿
うように配設された電磁界放出部１１３ｂを有してお
り、この電磁界放出部１１３ｂの処理空間５７側の管壁
には、導波路に略垂直方向に延在するスロット１１５が
導波路方向に離間して多数形成されている。一方、環状
アンテナ１１３のカバー部材５９と反対の側には伝搬導
波管１２１の一端が方向性結合器１１９を介して接続さ
れている。そして、この伝搬導波管１２１の他端にはマ
イクロ波発信器１２３が接続されている。従って、環状
アンテナ１１３内に無端環状の進行波を形成することが
でき、従って均一な電磁界を処理容器５３内に放出する
ことができる。このため、処理容器５３内に均一なプラ
ズマを生成することができ、大口径ウエハであっても均
一な処理を行うことができる。
おいて、無端環状に形成された環状アンテナ１１３は、
その環状の導波管によって形成される環状の導波路を含
む平面が封止板５５に略垂直になるように配設され、そ
の環状アンテナ１１３は、その導波管が封止板５５に沿
うように配設された電磁界放出部１１３ｂを有してお
り、この電磁界放出部１１３ｂの処理空間５７側の管壁
には、導波路に略垂直方向に延在するスロット１１５が
導波路方向に離間して多数形成されている。一方、環状
アンテナ１１３のカバー部材５９と反対の側には伝搬導
波管１２１の一端が方向性結合器１１９を介して接続さ
れている。そして、この伝搬導波管１２１の他端にはマ
イクロ波発信器１２３が接続されている。従って、環状
アンテナ１１３内に無端環状の進行波を形成することが
でき、従って均一な電磁界を処理容器５３内に放出する
ことができる。このため、処理容器５３内に均一なプラ
ズマを生成することができ、大口径ウエハであっても均
一な処理を行うことができる。
【００３６】図５は、本発明の第５の実施例を示す図で
ある。この図に示すプラズマ処理装置１３１は、図４に
示すプラズマ処理装置１１１の矩形状環状アンテナ１１
３を、略Ｄ字状に形成したものである。この図におい
て、図４に示すマイクロ波処理装置５１と同一構成の部
分には同一符号を付している。
ある。この図に示すプラズマ処理装置１３１は、図４に
示すプラズマ処理装置１１１の矩形状環状アンテナ１１
３を、略Ｄ字状に形成したものである。この図におい
て、図４に示すマイクロ波処理装置５１と同一構成の部
分には同一符号を付している。
【００３７】このＤ字状環状アンテナ１３３は、伝搬導
波管１２１との接続部１３３ａから反対方向に延在する
円弧状部分１３３ｂ、１３３ｃと、この円弧状部分１３
３ｂ、１３３ｃの先端部の間を連結し処理容器５３の封
止板５５に沿って延びる直線状の電磁界放出部１３３ｄ
とを有している。電磁界放出部１３３ｄの封止板５５の
側の側壁には、導波管の延在方向に垂直方向のスロット
１３５，…が例えばＨ面に多数形成されている。そし
て、このスロット１３５，…に対応するカバー部材５９
の部分には、開口部１３７，…が同様に形成されてい
る。一方、Ｄ字状環状アンテナ１３３の接続部１３３ａ
には伝搬導波管１２１の一端が方向性結合器１１９を介
して例えばＥ面に接続されている。そして、この伝搬導
波管１２１の他端にはマイクロ波発振器１２３が接続さ
れている。前記方向性結合器１１９は、伝搬導波管１２
１中を図中矢印Ａ方向に伝搬してきたマイクロ波をＤ字
状環状アンテナ１３３内において矢印Ｂ方向にのみ伝搬
するものである。これによって、マイクロ波は、無端環
状のＤ字状環状アンテナ１３３内において、進行波とし
て一方向（矢印Ｂ方向）にのみ伝搬する。
波管１２１との接続部１３３ａから反対方向に延在する
円弧状部分１３３ｂ、１３３ｃと、この円弧状部分１３
３ｂ、１３３ｃの先端部の間を連結し処理容器５３の封
止板５５に沿って延びる直線状の電磁界放出部１３３ｄ
とを有している。電磁界放出部１３３ｄの封止板５５の
側の側壁には、導波管の延在方向に垂直方向のスロット
１３５，…が例えばＨ面に多数形成されている。そし
て、このスロット１３５，…に対応するカバー部材５９
の部分には、開口部１３７，…が同様に形成されてい
る。一方、Ｄ字状環状アンテナ１３３の接続部１３３ａ
には伝搬導波管１２１の一端が方向性結合器１１９を介
して例えばＥ面に接続されている。そして、この伝搬導
波管１２１の他端にはマイクロ波発振器１２３が接続さ
れている。前記方向性結合器１１９は、伝搬導波管１２
１中を図中矢印Ａ方向に伝搬してきたマイクロ波をＤ字
状環状アンテナ１３３内において矢印Ｂ方向にのみ伝搬
するものである。これによって、マイクロ波は、無端環
状のＤ字状環状アンテナ１３３内において、進行波とし
て一方向（矢印Ｂ方向）にのみ伝搬する。
【００３８】このような構成において、マイクロ波発振
器１２３から供給されたマイクロ波は、伝搬導波管１２
１内を矢印Ａ方向に伝搬する。このマイクロ波は、方向
性結合器１１９を介して、Ｄ字状環状アンテナ１３３中
をＢ方向にのみ伝搬し、無端円環状のＤ字状環状アンテ
ナ１３３内を回転する進行波が生成される。ここで、Ｄ
字状環状アンテナ１３３内を伝搬するマイクロ波は、無
端環状の環状アンテナ内を回転する進行波であるため、
スロット１１５から放出される電磁界は均一になる。従
って、処理容器５３内に均一なプラズマを生成すること
ができ、大口径のウエハに対してもその全域にわたって
均一な処理を施すことができる。
器１２３から供給されたマイクロ波は、伝搬導波管１２
１内を矢印Ａ方向に伝搬する。このマイクロ波は、方向
性結合器１１９を介して、Ｄ字状環状アンテナ１３３中
をＢ方向にのみ伝搬し、無端円環状のＤ字状環状アンテ
ナ１３３内を回転する進行波が生成される。ここで、Ｄ
字状環状アンテナ１３３内を伝搬するマイクロ波は、無
端環状の環状アンテナ内を回転する進行波であるため、
スロット１１５から放出される電磁界は均一になる。従
って、処理容器５３内に均一なプラズマを生成すること
ができ、大口径のウエハに対してもその全域にわたって
均一な処理を施すことができる。
【００３９】図６は、本発明の第６の実施例を示す図で
ある。この図に示すプラズマ処理装置１４１は、図３に
示すプラズマ処理装置１０１が環状アンテナ内に定在波
を生成するのに対して、進行波を生成するようになって
いる点が異なる。この図において、図３に示すマイクロ
波処理装置１０１と同様の構成の部分には同様の符号を
付している。
ある。この図に示すプラズマ処理装置１４１は、図３に
示すプラズマ処理装置１０１が環状アンテナ内に定在波
を生成するのに対して、進行波を生成するようになって
いる点が異なる。この図において、図３に示すマイクロ
波処理装置１０１と同様の構成の部分には同様の符号を
付している。
【００４０】図６に示すプラズマ処理装置１４１におい
て、螺旋状環状アンテナ１４３は、マイクロ波発振器
（図示せず）に接続された伝搬導波管１２１に方向性結
合器１１９を介して例えばＥ面に接続されている。この
螺旋状環状アンテナ１４３は、方向性結合器１１９との
接続部１４３ａから反対方向に向かって延在する腕部１
４３ｂ、１４３ｃと、一方の腕部１４３ｂの端部から螺
旋状に形成され他方の腕部１４３ｃの端部に至る螺旋部
１４３ｄを有している。この螺旋部１４３ｄは、その側
面を封止板５５に沿うように配設されており、その封止
板５５に沿う複数の電磁界放出部１４３ｅを有してい
る。この複数の電磁界放出部１４３ｅの封止板５５の側
の側壁には、導波管の延在方向に略垂直方向のスロット
が例えば多数形成されている。そして、このスロットに
対応するカバー部材５９の部分にも開口部が同様に形成
されてる。一方、このような螺旋状環状アンテナ１４３
と伝搬導波管１２１とを接続する方向性結合器１１９
は、伝搬導波管１２１中を図中矢印Ａ方向に伝搬してき
たマイクロ波を螺旋状環状アンテナ１４３内において矢
印Ｂ方向にのみ伝搬するものである。これによって、マ
イクロ波は、無端螺旋状の螺旋状環状アンテナ１４３内
において、進行波として一方向（矢印Ｂ方向）にのみ伝
搬する。
て、螺旋状環状アンテナ１４３は、マイクロ波発振器
（図示せず）に接続された伝搬導波管１２１に方向性結
合器１１９を介して例えばＥ面に接続されている。この
螺旋状環状アンテナ１４３は、方向性結合器１１９との
接続部１４３ａから反対方向に向かって延在する腕部１
４３ｂ、１４３ｃと、一方の腕部１４３ｂの端部から螺
旋状に形成され他方の腕部１４３ｃの端部に至る螺旋部
１４３ｄを有している。この螺旋部１４３ｄは、その側
面を封止板５５に沿うように配設されており、その封止
板５５に沿う複数の電磁界放出部１４３ｅを有してい
る。この複数の電磁界放出部１４３ｅの封止板５５の側
の側壁には、導波管の延在方向に略垂直方向のスロット
が例えば多数形成されている。そして、このスロットに
対応するカバー部材５９の部分にも開口部が同様に形成
されてる。一方、このような螺旋状環状アンテナ１４３
と伝搬導波管１２１とを接続する方向性結合器１１９
は、伝搬導波管１２１中を図中矢印Ａ方向に伝搬してき
たマイクロ波を螺旋状環状アンテナ１４３内において矢
印Ｂ方向にのみ伝搬するものである。これによって、マ
イクロ波は、無端螺旋状の螺旋状環状アンテナ１４３内
において、進行波として一方向（矢印Ｂ方向）にのみ伝
搬する。
【００４１】このような構成において、マイクロ波発振
器から供給されたマイクロ波は、伝搬導波管１２１内を
矢印Ａ方向に伝搬する。このマイクロ波は、方向性結合
器１１９を介して、螺旋状環状アンテナ１４３中をＢ方
向にのみ伝搬し、無端螺旋状の環状アンテナ１４３内を
進行する進行波が生成される。ここで、螺旋状環状アン
テナ１４３内を伝搬するマイクロ波は、進行波であるた
め、電磁界放出部１４３ｅから処理容器５３内に放出さ
れる電磁界は均一になる。従って、処理容器５３内に均
一なプラズマを生成することができ、大口径のウエハに
対してもその全域にわたって均一な処理を施すことがで
きる。
器から供給されたマイクロ波は、伝搬導波管１２１内を
矢印Ａ方向に伝搬する。このマイクロ波は、方向性結合
器１１９を介して、螺旋状環状アンテナ１４３中をＢ方
向にのみ伝搬し、無端螺旋状の環状アンテナ１４３内を
進行する進行波が生成される。ここで、螺旋状環状アン
テナ１４３内を伝搬するマイクロ波は、進行波であるた
め、電磁界放出部１４３ｅから処理容器５３内に放出さ
れる電磁界は均一になる。従って、処理容器５３内に均
一なプラズマを生成することができ、大口径のウエハに
対してもその全域にわたって均一な処理を施すことがで
きる。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように本発明にあっては、
有底筒状の処理容器と、この処理容器内に設けられた被
処理体を保持するための保持手段と、保持手段によって
保持された被処理体に対向して設けられ、処理容器の開
口部を密閉する誘電体窓と、この誘電体窓に設けられ、
この誘電体窓を通して処理容器内にマイクロ波を導入す
る無端環状に形成された環状導波管であって、その環状
の導波管の一部が誘電体窓に沿うように配設された環状
導波管と、この環状導波管に接続され、マイクロ波を環
状導波管に供給する伝搬導波管と、この伝搬導波管に接
続され、この伝搬導波管にマイクロ波を供給するマイク
ロ波供給手段とを有し、環状導波管のうち誘電体窓に沿
う部分に定在波の腹の部分が位置するようになされてい
るから、処理容器内に均一な電磁界を供給することがで
き、従って処理容器ないにおいて均一な処理を行うこと
ができる。
有底筒状の処理容器と、この処理容器内に設けられた被
処理体を保持するための保持手段と、保持手段によって
保持された被処理体に対向して設けられ、処理容器の開
口部を密閉する誘電体窓と、この誘電体窓に設けられ、
この誘電体窓を通して処理容器内にマイクロ波を導入す
る無端環状に形成された環状導波管であって、その環状
の導波管の一部が誘電体窓に沿うように配設された環状
導波管と、この環状導波管に接続され、マイクロ波を環
状導波管に供給する伝搬導波管と、この伝搬導波管に接
続され、この伝搬導波管にマイクロ波を供給するマイク
ロ波供給手段とを有し、環状導波管のうち誘電体窓に沿
う部分に定在波の腹の部分が位置するようになされてい
るから、処理容器内に均一な電磁界を供給することがで
き、従って処理容器ないにおいて均一な処理を行うこと
ができる。
【００４３】また、有底筒状の処理容器と、この処理容
器内に設けられた被処理体を保持するための保持手段
と、保持手段によって保持された被処理体に対向して設
けられ処理容器の開口部を密閉する誘電体窓と、この誘
電体窓に設けられこの誘電体窓を通して処理容器内にマ
イクロ波を導入する無端環状に形成された環状導波管で
あってその環状の導波管の一部が誘電体窓に沿うように
配設された環状導波管と、この環状導波管にマイクロ波
を供給する伝搬導波管と、この伝搬導波管に接続されこ
の伝搬導波管にマイクロ波を供給するマイクロ波供給手
段とを備え、伝搬導波管により供給されたマイクロ波に
よって環状導波管内に進行波が形成されるようになされ
ているから、処理容器内に放出される電磁界を均一にす
ることができ、従って、処理容器５３内に極めて均一な
プラズマを生成することができ、大口径の被処理体に対
してもその全域にわたって均一な処理を施すことがで
る。
器内に設けられた被処理体を保持するための保持手段
と、保持手段によって保持された被処理体に対向して設
けられ処理容器の開口部を密閉する誘電体窓と、この誘
電体窓に設けられこの誘電体窓を通して処理容器内にマ
イクロ波を導入する無端環状に形成された環状導波管で
あってその環状の導波管の一部が誘電体窓に沿うように
配設された環状導波管と、この環状導波管にマイクロ波
を供給する伝搬導波管と、この伝搬導波管に接続されこ
の伝搬導波管にマイクロ波を供給するマイクロ波供給手
段とを備え、伝搬導波管により供給されたマイクロ波に
よって環状導波管内に進行波が形成されるようになされ
ているから、処理容器内に放出される電磁界を均一にす
ることができ、従って、処理容器５３内に極めて均一な
プラズマを生成することができ、大口径の被処理体に対
してもその全域にわたって均一な処理を施すことがで
る。
【図１】本発明の第１の実施の形態のプラズマ処理装置
を示す構成図。
を示す構成図。
【図２】本発明の第２の実施の形態のプラズマ処理装置
を示す構成図。
を示す構成図。
【図３】本発明の第３の実施の形態のプラズマ処理装置
を示す斜視図。
を示す斜視図。
【図４】本発明の第４の実施の形態のプラズマ処理装置
を示す構成図。
を示す構成図。
【図５】本発明の第５の実施の形態のプラズマ処理装置
を示す構成図。
を示す構成図。
【図６】本発明の第６の実施の形態のプラズマ処理装置
を示す斜視図。
を示す斜視図。
【図７】従来のプラズマ処理装置を示す平面図。
【図８】従来のプラズマ処理装置を示す構成図。
５１ プラズマ処理装置 ５３ 処理容器 ５５ 封止板 ６１ 載置台 ７３ 環状アンテナ ８１ 伝搬導波管 ８３ マイクロ波発振器 Ｗ 半導体ウエハ ９３ Ｄ字状環状アンテナ １０３ 螺旋状環状アンテナ １１３ 環状アンテナ １１９ 方向性結合器 １２１ 伝搬導波管 １２３ マイクロ波発振器 １３３ Ｄ字状環状アンテナ １４３ 螺旋状環状アンテナ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石 井 信 雄 大阪府大阪市淀川区宮原４丁目１番14号 東京エレクトロン株式会社内 Ｆターム(参考） 4G075 AA24 CA25 CA26 CA47 DA02 EA01 EB01 EB41 FC15 4K030 FA01 KA30 KA45 5F004 AA01 BA20 BB14 5F045 AA09 BB01 DP04 EB02 EH02 EH03 EH20
Claims (11)
- 【請求項１】有底筒状の処理容器と、 この処理容器内に設けられた被処理体を保持するための
保持手段と、 前記保持手段によって保持された被処理体に対向して設
けられ、前記処理容器の開口部を密閉する誘電体窓と、 この誘電体窓に設けられ、この誘電体窓を通して前記処
理容器内にマイクロ波を導入する無端環状に形成された
環状導波管であって、その環状の導波管の一部が前記誘
電体窓に沿うように配設された環状導波管と、 この環状導波管に接続され、マイクロ波を前記環状導波
管に供給する伝搬導波管と、 この伝搬導波管に接続され、この伝搬導波管にマイクロ
波を供給するマイクロ波供給手段と、を具備し、前記環
状導波管のうち前記誘電体窓に沿う部分に定在波の腹の
部分が位置するようになされたことを特徴とするプラズ
マ処理装置。 - 【請求項２】前記マイクロ波供給手段は、前記被処理体
の長さより長い半波長を有する高周波を供給することを
特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項３】前記環状導波管は、略矩形環状に形成され
ていることを特徴とする請求項１又は２に記載のプラズ
マ処理装置。 - 【請求項４】前記環状導波管は、円周部分とこの円周部
分に接続された直線部分からなる略Ｄ字状に環状に形成
され、この環状導波管の直線部分で前記誘電体窓に沿っ
て配設されていることを特徴とする請求項１又は２に記
載のプラズマ処理装置。 - 【請求項５】前記環状導波管は螺旋状に形成され、この
螺旋状部分の側面に前記誘電体窓が沿うように配設され
ていることを特徴とする請求項１又は２に記載のプラズ
マ処理装置。 - 【請求項６】有底筒状の処理容器と、 この処理容器内に設けられた被処理体を保持するための
保持手段と、 前記保持手段によって保持された被処理体に対向して設
けられ、前記処理容器の開口部を密閉する誘電体窓と、 この誘電体窓に設けられ、この誘電体窓を通して前記処
理容器内にマイクロ波を導入する無端環状に形成された
環状導波管であって、その環状の導波管の一部が前記誘
電体窓に沿うように配設された環状導波管と、 この環状導波管にマイクロ波を供給する伝搬導波管と、 この伝搬導波管に接続され、この伝搬導波管にマイクロ
波を供給するマイクロ波供給手段とを備え、 前記伝搬導波管により供給されたマイクロ波によって前
記環状導波管内に進行波が形成されるようになされてい
ることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項７】有底筒状の処理容器と、 この処理容器内に設けられた被処理体を保持するための
保持手段と、 前記保持手段によって保持された被処理体に対向して設
けられ、前記処理容器の開口部を密閉する誘電体窓と、 この誘電体窓に設けられ、この誘電体窓を通して前記処
理容器内にマイクロ波を導入する無端環状に形成された
環状導波管であって、その環状の導波管の一部が前記誘
電体窓に沿うように配設された環状導波管と、 この環状導波管にマイクロ波を供給する伝搬導波管と、 この伝搬導波管に接続され、この伝搬導波管にマイクロ
波を供給するマイクロ波供給手段と、 前記伝搬導波管内を伝搬してきたマイクロ波を前記環状
導波管に進行波として供給する進行波供給手段と、を具
備することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項８】前記進行波供給手段は、方向性結合器であ
ることを特徴とする請求項７に記載のプラズマ処理装
置。 - 【請求項９】前記環状導波管は、略矩形環状に形成され
ていることを特徴とする請求項６ないし８のいずれかに
記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項１０】前記環状導波管は、円周部分とこの円周
部分に接続された直線部分からなる略Ｄ字状に環状に形
成され、この環状導波管の直線部分で前記誘電体窓に沿
って配設されていることを特徴とする請求項６ないし８
のいずれかに記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項１１】前記環状導波管は螺旋状に形成され、こ
の螺旋状部分の側面に前記誘電体窓が沿うように配設さ
れていることを特徴とする請求項６ないし８のいずれか
に記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000057042A JP4377510B2 (ja) | 2000-03-02 | 2000-03-02 | プラズマ処理装置 |
| US09/796,591 US6670741B2 (en) | 2000-03-02 | 2001-03-02 | Plasma processing apparatus with annular waveguide |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000057042A JP4377510B2 (ja) | 2000-03-02 | 2000-03-02 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001239154A true JP2001239154A (ja) | 2001-09-04 |
| JP4377510B2 JP4377510B2 (ja) | 2009-12-02 |
Family
ID=18577902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000057042A Expired - Lifetime JP4377510B2 (ja) | 2000-03-02 | 2000-03-02 | プラズマ処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6670741B2 (ja) |
| JP (1) | JP4377510B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4610126B2 (ja) * | 2001-06-14 | 2011-01-12 | 株式会社神戸製鋼所 | プラズマｃｖｄ装置 |
| US7128805B2 (en) * | 2003-08-13 | 2006-10-31 | Industrial Technology Research Institute | Multiple elliptical ball plasma apparatus |
| GB0516695D0 (en) * | 2005-08-15 | 2005-09-21 | Boc Group Plc | Microwave plasma reactor |
| US9928993B2 (en) * | 2015-01-07 | 2018-03-27 | Applied Materials, Inc. | Workpiece processing chamber having a rotary microwave plasma antenna with slotted spiral waveguide |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5556501A (en) * | 1989-10-03 | 1996-09-17 | Applied Materials, Inc. | Silicon scavenger in an inductively coupled RF plasma reactor |
| US5688357A (en) * | 1995-02-15 | 1997-11-18 | Applied Materials, Inc. | Automatic frequency tuning of an RF power source of an inductively coupled plasma reactor |
| US5698036A (en) * | 1995-05-26 | 1997-12-16 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| US6161498A (en) * | 1995-09-14 | 2000-12-19 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing device and a method of plasma process |
| US6497783B1 (en) * | 1997-05-22 | 2002-12-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus provided with microwave applicator having annular waveguide and processing method |
| JP2000299198A (ja) * | 1999-02-10 | 2000-10-24 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
-
2000
- 2000-03-02 JP JP2000057042A patent/JP4377510B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-03-02 US US09/796,591 patent/US6670741B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6670741B2 (en) | 2003-12-30 |
| US20010019237A1 (en) | 2001-09-06 |
| JP4377510B2 (ja) | 2009-12-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3496560B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP4183934B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置、マイクロ波プラズマ処理方法及びマイクロ波給電装置 | |
| JP3430053B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3957135B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2001223098A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| KR0174070B1 (ko) | 마이크로파 플라즈마 처리 장치 및 방법 | |
| WO2021220459A1 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR100311433B1 (ko) | 마이크로파 플라즈마 처리장치 및 마이크로파 플라즈마 처리방법 | |
| JPH01184923A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| JP2001239154A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH09289099A (ja) | プラズマ処理方法および装置 | |
| JP4381001B2 (ja) | プラズマプロセス装置 | |
| JP2007180034A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP6700128B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JP3156492B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| JPH10298786A (ja) | 表面処理装置 | |
| JP2000277295A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2003264181A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ生成方法 | |
| JPH1012594A (ja) | スロットアンテナを有するプラズマ処理装置 | |
| JP2001156004A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH11204295A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| US10930477B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
| JP2005019346A (ja) | プラズマ処理装置、これに用いるプラズマ放射アンテナ及び導波管 | |
| WO2003085718A1 (fr) | Systeme de traitement par plasma | |
| JPH06101442B2 (ja) | Ｅｃｒプラズマ反応装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070207 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090323 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090407 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090522 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090623 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090803 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090908 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090911 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120918 Year of fee payment: 3 |