JP2001237480A - レーザダイオード用マウントの実装方法 - Google Patents
レーザダイオード用マウントの実装方法Info
- Publication number
- JP2001237480A JP2001237480A JP2000046649A JP2000046649A JP2001237480A JP 2001237480 A JP2001237480 A JP 2001237480A JP 2000046649 A JP2000046649 A JP 2000046649A JP 2000046649 A JP2000046649 A JP 2000046649A JP 2001237480 A JP2001237480 A JP 2001237480A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mount
- light emitting
- emitting element
- light
- solder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザダイオードの高精度な実装を汎用性の
高い装置で、低工数で実現する。 【解決手段】 セラミックス等の高熱伝導材料から成る
マウント2の上面にメタライズパターン3を形成し、そ
の寸法を幅は発光素子1の幅と略等しく、長さは発光素
子1の長さLよりαだけ短くしておく。また、メタライ
ズパターン2の長手方向の中央部から両幅方向にL/2
以下の幅の引き出しパターン3aを形成しておく。マウ
ント2への発光素子1の搭載に際しては、メタライズパ
ターン3の上に半田リボン4を位置を合わせて載置し、
次ぎに発光素子1をその上から載置する。マウント2を
窒素雰囲気中の加熱炉で加熱し、半田が溶融したところ
で反転させる。半田の表面張力の作用により発光素子1
にセルフアライメント作用が働いて、そのまま冷却すれ
ばメタライズパターン3に沿った高精度な実装が出来上
がる。
高い装置で、低工数で実現する。 【解決手段】 セラミックス等の高熱伝導材料から成る
マウント2の上面にメタライズパターン3を形成し、そ
の寸法を幅は発光素子1の幅と略等しく、長さは発光素
子1の長さLよりαだけ短くしておく。また、メタライ
ズパターン2の長手方向の中央部から両幅方向にL/2
以下の幅の引き出しパターン3aを形成しておく。マウ
ント2への発光素子1の搭載に際しては、メタライズパ
ターン3の上に半田リボン4を位置を合わせて載置し、
次ぎに発光素子1をその上から載置する。マウント2を
窒素雰囲気中の加熱炉で加熱し、半田が溶融したところ
で反転させる。半田の表面張力の作用により発光素子1
にセルフアライメント作用が働いて、そのまま冷却すれ
ばメタライズパターン3に沿った高精度な実装が出来上
がる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザダイオード
用マウントの実装方法に関する。
用マウントの実装方法に関する。
【0002】
【従来の技術】レーザダイオード(以下、単に発光素子
という)は光センサの発光光源として各種精密測長器、
リモートコントロール、情報の記録再生、自動機械の位
置決め用などに広く用いられている。発光素子は動作時
の電流密度が1〜4kA/cm2 と高いため、動作電
流による発熱が大きく、これを効率よく外部へ伝達して
放熱しないと、その熱により発光素子の発光効率が低下
して光量が減少する。そこで光量を維持するためには更
に動作電流を増加させることになる。この繰り返しから
動作電流が増大して発光素子の寿命が極端に短くなって
しまう。従って、放熱を効率よく行うことが重要にな
る。そこで、発光素子は熱伝導率の高い放熱用ブロック
(ヒートシンク)にマウントした上で、電極の配線等が
なされ、パッケージに納められて製品とされている。こ
のような発光素子の従来のマウント構造を図面により説
明する。図7、図8、図9は従来の発光素子のマウント
構造を示す斜視図である。図10は発光素子の搭載位置
を示す要部側面図である。
という)は光センサの発光光源として各種精密測長器、
リモートコントロール、情報の記録再生、自動機械の位
置決め用などに広く用いられている。発光素子は動作時
の電流密度が1〜4kA/cm2 と高いため、動作電
流による発熱が大きく、これを効率よく外部へ伝達して
放熱しないと、その熱により発光素子の発光効率が低下
して光量が減少する。そこで光量を維持するためには更
に動作電流を増加させることになる。この繰り返しから
動作電流が増大して発光素子の寿命が極端に短くなって
しまう。従って、放熱を効率よく行うことが重要にな
る。そこで、発光素子は熱伝導率の高い放熱用ブロック
(ヒートシンク)にマウントした上で、電極の配線等が
なされ、パッケージに納められて製品とされている。こ
のような発光素子の従来のマウント構造を図面により説
明する。図7、図8、図9は従来の発光素子のマウント
構造を示す斜視図である。図10は発光素子の搭載位置
を示す要部側面図である。
【0003】まず、従来の発光素子のマウント構造の構
成について説明する。図7において、53は発光素子で
あり、51は銅、銅合金等の熱伝導率の高い金属材料を
切削・研磨や粉末成型等の方法で形成した1乃至10数
mm3 程度の直方体形状の放熱用ブロックである。発
光素子53をブロック51へマウントする際には、発光
素子53とブロック51との熱膨張係数の差が無視でき
ないほど大きいために、インジウム合金等の柔らかい半
田を用いて接合しその差を吸収させている。ところが、
このマウント構造では、半田が柔らかいので初期位置精
度が悪いのと長期的には無視できない位置ズレを起こす
ので、発光素子の信頼性を高めるのが難しい。
成について説明する。図7において、53は発光素子で
あり、51は銅、銅合金等の熱伝導率の高い金属材料を
切削・研磨や粉末成型等の方法で形成した1乃至10数
mm3 程度の直方体形状の放熱用ブロックである。発
光素子53をブロック51へマウントする際には、発光
素子53とブロック51との熱膨張係数の差が無視でき
ないほど大きいために、インジウム合金等の柔らかい半
田を用いて接合しその差を吸収させている。ところが、
このマウント構造では、半田が柔らかいので初期位置精
度が悪いのと長期的には無視できない位置ズレを起こす
ので、発光素子の信頼性を高めるのが難しい。
【0004】図8に示すものはこれに代わる信頼性の高
いマウント構造である。図8において、52は熱膨張係
数の値が発光素子53に近い値を持つ高熱伝導のセラミ
ックス薄板から成るマウントであり、発光素子53とブ
ロック51との間に介在する。マウント52は発光素子
53及びブロック51との接合のために接合面を金等で
メタライズしてある。発光素子53を搭載するに当たっ
ては、まずマウント52とブロック51とを接合する
が、これは半田接続用のダイボンダを用いて行う。レー
ザー光を所望の方向に出射させるために後述する所定の
組立精度が必要であり、発光素子53をマウント52に
マウントするには画像認識装置を持つ専用の高精度ダイ
ボンダーを用いる。接続材料としては金合金等の高熱伝
導材料を用いている。
いマウント構造である。図8において、52は熱膨張係
数の値が発光素子53に近い値を持つ高熱伝導のセラミ
ックス薄板から成るマウントであり、発光素子53とブ
ロック51との間に介在する。マウント52は発光素子
53及びブロック51との接合のために接合面を金等で
メタライズしてある。発光素子53を搭載するに当たっ
ては、まずマウント52とブロック51とを接合する
が、これは半田接続用のダイボンダを用いて行う。レー
ザー光を所望の方向に出射させるために後述する所定の
組立精度が必要であり、発光素子53をマウント52に
マウントするには画像認識装置を持つ専用の高精度ダイ
ボンダーを用いる。接続材料としては金合金等の高熱伝
導材料を用いている。
【0005】図9により、更に発光素子53の位置合わ
せについて説明する。54はパッケージの基台であり、
ブロック51を基台54に組み立て後に、発光素子53
をマウントする。このときに、光軸Kの位置と傾きとが
基台54外形を基準として所定の精度に入っている必要
がある。光軸Kは発光素子53の外形と略平行であるか
ら、まず、互いの外形を基準としてマウント52をブロ
ック51に搭載しておき、次ぎにブロック1の外形を基
準として発光素子53をサブマウント52にマウントす
る。発光素子53の組立精度は、一般的に図9、図10
に示すように、位置については、xyz軸方向に各々±
30μm、傾きについては、±3度以内とし、発光素子
53の発光部53aのある端面がマウント52の上端か
ら0〜40μm突き出るようにする。発光素子53のマ
ウントには1個につき3秒から30秒の工数を要してい
る。
せについて説明する。54はパッケージの基台であり、
ブロック51を基台54に組み立て後に、発光素子53
をマウントする。このときに、光軸Kの位置と傾きとが
基台54外形を基準として所定の精度に入っている必要
がある。光軸Kは発光素子53の外形と略平行であるか
ら、まず、互いの外形を基準としてマウント52をブロ
ック51に搭載しておき、次ぎにブロック1の外形を基
準として発光素子53をサブマウント52にマウントす
る。発光素子53の組立精度は、一般的に図9、図10
に示すように、位置については、xyz軸方向に各々±
30μm、傾きについては、±3度以内とし、発光素子
53の発光部53aのある端面がマウント52の上端か
ら0〜40μm突き出るようにする。発光素子53のマ
ウントには1個につき3秒から30秒の工数を要してい
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このマ
ウント構造の場合、ブロックとマウント間、マウントと
発光素子間の2回もの高精度マウントを行う必要があ
り、専用の高精度なダイボンダーを用いて多くの時間を
かけて発光素子を固着実装している。そのための設備
費、工数ともに大きく、製品コストを増大させている。
ウント構造の場合、ブロックとマウント間、マウントと
発光素子間の2回もの高精度マウントを行う必要があ
り、専用の高精度なダイボンダーを用いて多くの時間を
かけて発光素子を固着実装している。そのための設備
費、工数ともに大きく、製品コストを増大させている。
【0007】上記発明はこのような従来の問題を解決す
るためになされたものであり、その目的は、汎用性の高
い装置を用いて、工数及び設備費用の低減に寄与するこ
とのできるレーザダイオード用マウント構造とその実装
方法を提供することである。
るためになされたものであり、その目的は、汎用性の高
い装置を用いて、工数及び設備費用の低減に寄与するこ
とのできるレーザダイオード用マウント構造とその実装
方法を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は、レーザダイオードをマウントを介して放
熱ブロックに搭載するレーザダイオード用マウントの実
装方法において、前記レーザダイオードの長さより短い
長さと前記レーザダイオードの幅と略等しい幅のメタラ
イズパターンとを有すると共に、該メタライズパターン
の長さに等しいマウントを形成する工程と、該マウント
に半田リボンを介して前記レーザダイオードを搭載する
工程と、前記レーザダイオードを搭載した前記マウント
を加熱する工程とを有することことを特徴とする。
に、本発明は、レーザダイオードをマウントを介して放
熱ブロックに搭載するレーザダイオード用マウントの実
装方法において、前記レーザダイオードの長さより短い
長さと前記レーザダイオードの幅と略等しい幅のメタラ
イズパターンとを有すると共に、該メタライズパターン
の長さに等しいマウントを形成する工程と、該マウント
に半田リボンを介して前記レーザダイオードを搭載する
工程と、前記レーザダイオードを搭載した前記マウント
を加熱する工程とを有することことを特徴とする。
【0009】本発明の請求項2の発明は、請求項1記載
の発明において、前記マウントを加熱する工程におい
て、半田溶融後に前記サブマウントを反転する段階を有
することを特徴とする。
の発明において、前記マウントを加熱する工程におい
て、半田溶融後に前記サブマウントを反転する段階を有
することを特徴とする。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。図1は発光素子の実装方法
を示す斜視図である。図2、図3は加熱中のマウントの
断面図、図4は本発明の実施の形態である発光素子用マ
ウント構造を示す斜視図、図5は発光素子の斜視図、図
6はマウントの斜視図である。
に基づいて詳細に説明する。図1は発光素子の実装方法
を示す斜視図である。図2、図3は加熱中のマウントの
断面図、図4は本発明の実施の形態である発光素子用マ
ウント構造を示す斜視図、図5は発光素子の斜視図、図
6はマウントの斜視図である。
【0011】まず、本発明の実施の形態である発光素子
用マウント構造の構成を説明する。図4において、1は
図5に示す発光素子であり、外形は発光部1aを通る光
軸K方向の長さLの方が幅Wよりも大きい直方体であ
る。2は図6に詳細を示すセラミックス等の高熱伝導絶
縁材料から成る直方体形状のマウントであり、一辺の長
さL−αは発光素子1の長さLに比べてα(3μmから
30μm)短く形成されている。3はマウント2上に外
形線に平行に形成されたメタライズパターンであり、発
光素子1の幅Wと略等しい幅とマウント2と同じ長さと
を持っており、長さ方向のほぼ中央部から幅方向の両側
に延在するように、長さLの半分以下の幅で適宜な長さ
を持つ引き出しパターン3aが設けられている。発光素
子1は図4に示すように予めマウントへ搭載されてか
ら、図示しない放熱ブロックへと搭載され、レンズ他の
光学部品と共にパッケージされ、製品となる。
用マウント構造の構成を説明する。図4において、1は
図5に示す発光素子であり、外形は発光部1aを通る光
軸K方向の長さLの方が幅Wよりも大きい直方体であ
る。2は図6に詳細を示すセラミックス等の高熱伝導絶
縁材料から成る直方体形状のマウントであり、一辺の長
さL−αは発光素子1の長さLに比べてα(3μmから
30μm)短く形成されている。3はマウント2上に外
形線に平行に形成されたメタライズパターンであり、発
光素子1の幅Wと略等しい幅とマウント2と同じ長さと
を持っており、長さ方向のほぼ中央部から幅方向の両側
に延在するように、長さLの半分以下の幅で適宜な長さ
を持つ引き出しパターン3aが設けられている。発光素
子1は図4に示すように予めマウントへ搭載されてか
ら、図示しない放熱ブロックへと搭載され、レンズ他の
光学部品と共にパッケージされ、製品となる。
【0012】次ぎに、この発光素子の実装方法を図1か
ら図3により説明する。図1において、4はメタライズ
パターン3と略同一寸法で厚さが5μmから50μmの
半田リボンである。図2、図3において、4’は半田リ
ボン4が溶けた溶融半田である。10は加熱炉、11は
加熱炉10内に備えられたマウント2の押さえ治具を含
む反転機構であり、図示しない駆動部により回転軸11
bを軸に押さえ治具11aを炉外から操作して反転させ
ることができる。まず、半田リボン4をマウント2のメ
タライズパターン3へ位置を合わせて供給後、発光素子
1を半田リボン4上に配置し、更にマウント2をこの状
態のまま図2に示すように、加熱炉10内の押さえ治具
11aに外周をセットして、窒素等の非酸化雰囲気中で
無加圧で加熱する。半田リボン4が溶解し、発光素子1
の下面とメタライズパターン3aが溶融半田4’に濡れ
るようになったら、図3に示すようにマウント2を押さ
え治具11ごと反転状態にする。ここで溶融半田4’に
は表面張力が発生して発光素子1をメタライズパタ−ン
3の位置に合わせようとするセルフアライメント作用が
働く。そこでそのまま冷却すれば発光素子1をマウント
の外形に対して高精度で位置決めし半田付けすることが
できる。
ら図3により説明する。図1において、4はメタライズ
パターン3と略同一寸法で厚さが5μmから50μmの
半田リボンである。図2、図3において、4’は半田リ
ボン4が溶けた溶融半田である。10は加熱炉、11は
加熱炉10内に備えられたマウント2の押さえ治具を含
む反転機構であり、図示しない駆動部により回転軸11
bを軸に押さえ治具11aを炉外から操作して反転させ
ることができる。まず、半田リボン4をマウント2のメ
タライズパターン3へ位置を合わせて供給後、発光素子
1を半田リボン4上に配置し、更にマウント2をこの状
態のまま図2に示すように、加熱炉10内の押さえ治具
11aに外周をセットして、窒素等の非酸化雰囲気中で
無加圧で加熱する。半田リボン4が溶解し、発光素子1
の下面とメタライズパターン3aが溶融半田4’に濡れ
るようになったら、図3に示すようにマウント2を押さ
え治具11ごと反転状態にする。ここで溶融半田4’に
は表面張力が発生して発光素子1をメタライズパタ−ン
3の位置に合わせようとするセルフアライメント作用が
働く。そこでそのまま冷却すれば発光素子1をマウント
の外形に対して高精度で位置決めし半田付けすることが
できる。
【0013】このとき、マウント2の長さL−αが発光
素子1の長さLよりも短く設定してあるために、図4に
示すように発光素子1の両端が均等にマウント2よりも
僅かに(ほぼα/2づつ)突出した状態となる。また、
メタライズパターン3の幅と発光素子1の幅Wとを略等
しく形成してあるために両者の側縁が一致するようにな
る。また、半田溶融時に発光素子1を位置決め移動させ
た余分の溶融半田4’が引き出しパターン3aに流れ出
すことにより、発光素子1下面の半田量を減少させるこ
とができる。更に、図2の加熱炉10内の作業におい
て、マウント実装が複数個同時にできるのは勿論であ
る。
素子1の長さLよりも短く設定してあるために、図4に
示すように発光素子1の両端が均等にマウント2よりも
僅かに(ほぼα/2づつ)突出した状態となる。また、
メタライズパターン3の幅と発光素子1の幅Wとを略等
しく形成してあるために両者の側縁が一致するようにな
る。また、半田溶融時に発光素子1を位置決め移動させ
た余分の溶融半田4’が引き出しパターン3aに流れ出
すことにより、発光素子1下面の半田量を減少させるこ
とができる。更に、図2の加熱炉10内の作業におい
て、マウント実装が複数個同時にできるのは勿論であ
る。
【0014】次に、本実施の形態の効果について説明す
る。溶融半田4’によるセルフアライメント作用が働く
ので、メタライズパターン3をマウント2の外形に対し
て精度よく平行に設けておくことによって、発光素子1
をマウント2に搭載するときには0.1mm程度と低い
位置決め精度しか要求されないため、高価な専用装置を
必要としないため有利である。また、引き出しパターン
3aにより発光素子1下の半田膜を薄くできるから発光
素子1の発熱を効率よくマウント2に伝達させることが
できる。また、半田溶融後にマウント2を反転すること
により、発光素子1の重力が半田層に対して逆に作用す
るので、セルフアライメント作用が更に有効に効果を発
揮する。また、発光部1aがマウント2端面より確実に
突出するために、出射光がマウント2表面で反射してし
まう、いわゆる「ケラレ」が発生することがない。
る。溶融半田4’によるセルフアライメント作用が働く
ので、メタライズパターン3をマウント2の外形に対し
て精度よく平行に設けておくことによって、発光素子1
をマウント2に搭載するときには0.1mm程度と低い
位置決め精度しか要求されないため、高価な専用装置を
必要としないため有利である。また、引き出しパターン
3aにより発光素子1下の半田膜を薄くできるから発光
素子1の発熱を効率よくマウント2に伝達させることが
できる。また、半田溶融後にマウント2を反転すること
により、発光素子1の重力が半田層に対して逆に作用す
るので、セルフアライメント作用が更に有効に効果を発
揮する。また、発光部1aがマウント2端面より確実に
突出するために、出射光がマウント2表面で反射してし
まう、いわゆる「ケラレ」が発生することがない。
【0015】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
マウントにメタライズパターンを形成しておき、半田リ
ボンを介して発光素子を0.1mm程度の精度で配置
し、加熱・冷却するのみで高精度の実装が汎用装置によ
り達成できる。
マウントにメタライズパターンを形成しておき、半田リ
ボンを介して発光素子を0.1mm程度の精度で配置
し、加熱・冷却するのみで高精度の実装が汎用装置によ
り達成できる。
【0016】また、マウントに発光素子を搭載して半田
を加熱する時には多数個を同時に処理できるため、大量
高速の処理が可能になった。故に低工数で高精度のマウ
ントへの実装が確保できる。
を加熱する時には多数個を同時に処理できるため、大量
高速の処理が可能になった。故に低工数で高精度のマウ
ントへの実装が確保できる。
【0017】半田溶融後にマウントを反転することによ
り、溶融半田のセルフアライメント作用が一層効果を発
揮して、実装歩留が向上する。
り、溶融半田のセルフアライメント作用が一層効果を発
揮して、実装歩留が向上する。
【図1】本発明の実施の形態である発光素子用サブマン
トの実装方法を示す斜視図である。
トの実装方法を示す斜視図である。
【図2】加熱中のマウントの断面図である。
【図3】加熱中のマウントの断面図である。
【図4】マウントに搭載した発光素子の斜視図である。
【図5】発光素子の斜視図である。
【図6】マウントの詳細を示す斜視図である。
【図7】従来の発光素子のマウント構造を示す斜視図で
ある。
ある。
【図8】従来の他のマウント構造を示す斜視図である。
【図9】発光素子の位置決め基準を示す斜視図である。
【図10】発光素子の搭載位置を示す要部側面図であ
る。
る。
【符号の説明】 1 発光素子 2 マウント 3 メタライズパターン 3a 引き出しパターン 4 半田リボン 4’溶融半田
Claims (2)
- 【請求項1】 レーザダイオードをマウントを介して放
熱ブロックに搭載するレーザダイオード用マウントの実
装方法において、前記レーザダイオードの長さより短い
長さと前記レーザダイオードの幅と略等しい幅のメタラ
イズパターンとを有すると共に、該メタライズパターン
の長さに等しいマウントを形成する工程と、該マウント
に半田リボンを介して前記レーザダイオードを搭載する
工程と、前記レーザダイオードを搭載した前記マウント
を加熱する工程とを有することを特徴とするレーザダイ
オード用マウントの実装方法。 - 【請求項2】 前記マウントを加熱する工程において、
半田溶融後に前記サブマウントを反転する段階を有する
ことを特徴とする請求項1記載のレーザーダイオード用
マウントの実装方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000046649A JP2001237480A (ja) | 2000-02-23 | 2000-02-23 | レーザダイオード用マウントの実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000046649A JP2001237480A (ja) | 2000-02-23 | 2000-02-23 | レーザダイオード用マウントの実装方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001237480A true JP2001237480A (ja) | 2001-08-31 |
Family
ID=18569027
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000046649A Pending JP2001237480A (ja) | 2000-02-23 | 2000-02-23 | レーザダイオード用マウントの実装方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001237480A (ja) |
-
2000
- 2000-02-23 JP JP2000046649A patent/JP2001237480A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5519720A (en) | Semiconductor light emitting device | |
US20050286581A1 (en) | Optical pickup device, semiconductor laser device and housing usable for the optical pickup device, and method of manufacturing semiconductor laser device | |
JP5636877B2 (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
JP2006086176A (ja) | Led用サブマウント及びその製造方法 | |
TW202333395A (zh) | 發光裝置 | |
JP6507942B2 (ja) | 半導体発光装置用の保持部材、光源装置及びその製造方法 | |
JPS6063981A (ja) | 半導体発光装置 | |
JP2000277843A (ja) | 半導体レーザモジュールとその製造方法 | |
JPWO2017163593A1 (ja) | 半導体モジュールおよびその製造方法 | |
JPH10282373A (ja) | 光モジュールおよび光モジュールの形成方法 | |
US11349278B2 (en) | Stem for semiconductor package, and semiconductor package | |
CN112636160B (zh) | 激光器 | |
EP0595502B1 (en) | Semiconductor optical apparatus having an improved precision for the optical beam position | |
US10680405B2 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
JP2007013002A (ja) | 半導体レーザー装置 | |
JP4547063B2 (ja) | レーザダイオード用マウント構造及びその実装方法 | |
JP2006013286A (ja) | 導熱部材及びそれを用いた光ヘッド並びにそれを用いた光記録再生装置 | |
JPWO2020031944A1 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP2001237480A (ja) | レーザダイオード用マウントの実装方法 | |
JP2003324228A (ja) | 半導体発光素子の固着方法 | |
JP2005353759A (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
JP2002372647A (ja) | 光源装置 | |
JPH06260723A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JPH02112280A (ja) | 固体撮像素子用パッケージ | |
JP2003309314A (ja) | 集積光学素子及びその製造方法 |