JP2001230226A - 研磨パッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明により、半導体基板の上に形成された絶
縁層または金属配線の表面を研磨において、安全性も高
く、かつ研磨パッドの構造制御が容易な製造方法を提供
するものである。 【解決手段】重合開始剤を含む重合用モノマー溶液に高
分子成型物を浸漬した後、高分子成型物に対する貧溶媒
を含有する溶液でに被覆した状態で、高分子成型物中の
モノマー重合反応をおこさせる工程を含むことを特徴と
する研磨パッドの製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板の研磨
パッドに関するものであり、さらに、シリコンなど半導
体基板上に形成される絶縁層の表面や金属配線の表面を
機械的に平坦化する研磨パッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体メモリに代表される大規模集積回
路（ＬＳＩ）は、年々集積化が進んでおり、それに伴い
大規模集積回路の製造技術も高密度化が進んでいる。さ
らに、この高密度化に伴い、半導体デバイス製造箇所の
積層数も増加している。その積層数の増加により、従来
は問題とならなかった積層にすることによって生ずる半
導体ウェハー主面の凹凸が問題となっている。その結
果、例えば日経マイクロデバイス１９９４年７月号５０
〜５７頁記載のように、積層することによって生じる凹
凸に起因する露光時の焦点深度不足を補う目的で、ある
いはスルーホール部の平坦化による配線密度を向上させ
る目的で、化学的機械研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）技術を
用いた半導体ウェハの平坦化が検討されている。この様
なＣＭＰで使用される研磨パッドは、平坦性という観点
からＡ硬度で９０度以上の物性が要求されている。現在
使用されている研磨パッドは、特表平８−５００６２２
号に示されている様にイソシアネート末端のウレタンプ
レポリマに硬化剤として４，４‘−メチレン−ビス２−
クロロアニリン（ＭＯＣＡ）、さらに独立気泡を有する
構造とするためにマイクロバルーンを混合し、反応させ
て得られたものである。このタイプの研磨パッドは独立
気泡を有するため研磨パッドの弾性特性が向上し、その
結果、半導体基板表面の局所的な凹凸の平坦性が実用上
耐えうるレベルのものが得られ、さらに研磨層表面に開
口した気泡には研磨スラリーが蓄えられ、半導体基板研
磨点への研磨スラリーの効果的な供給がなされるため、
比較的高い研磨レートが得られる等の特徴を有する。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本製造
方法では、ＭＯＣＡが有害化学物質であることから取り
扱い性の点で問題があり、また、反応性が高いので研磨
パッドの構造制御が難しいという問題やパッド表面での
溝切りをおこなうときにバリの発生が大きいという問題
があった。本発明の目的は、半導体基板の上に形成され
た絶縁層または金属配線の表面を研磨により平滑にする
機械的な平坦化工程で使用するための研磨パッドにおい
て、安全性も高く、かつ研磨パッドの構造制御が容易な
製造方法を提供するものである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】課題を解決するための手
段として、本発明は以下の構成からなる。 （１）重合開始剤および重合用モノマーが含浸された高
分子成型物を、該高分子成型物に対する貧溶媒を含有す
る溶液で被覆した状態で重合することを特徴とする研磨
パッドの製造方法。 （２）貧溶媒の高分子成型物に対する膨潤率が３０％以
下であることを特徴とする（１）に記載の研磨パッドの
製造方法。 （３）高分子成型物が発泡構造を有することを特徴とす
る、（１）または（２）に記載の研磨パッドの製造方
法。 （４）高分子成型物がポリウレタンを主成分とすること
を特徴とする（１）〜（３）に記載の研磨パッドの製造
方法。 （５）高分子成型物に対する貧溶媒が、重合用モノマー
と反応しない溶媒であることを特徴とする（１）〜
（４）のいずれかに記載の研磨パッドの製造方法。

【０００５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態におい
て説明する。

【０００６】本発明の高分子成型物は、特に限定される
ものではない。具体的には、ポリエチレン、ポリプロピ
レン、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリ
塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、エポキシ樹
脂、ＡＢＳ樹脂、ＡＳ樹脂、フェノール樹脂、メラミン
樹脂、ネオプレンゴム、ブタジエンゴム、スチレンブタ
ジエンゴム、エチレンプロピレンゴム、シリコンゴム、
およびこれらを主成分とした高分子成型物等が挙げられ
る。ＣＭＰ用研磨パッドに対する要求特性の点から、こ
れら高分子成型物は独立気泡を有していることが好まし
い。高分子成型物中への独立気泡の形成方法としては、
高分子成型物への各種発泡剤の配合による化学発泡法が
一般的であるが、機械的な撹拌により高分子成型物を発
泡させたのち硬化させる方法、高分子成型物中に中空の
マイクロバルーンを分散後、硬化させマイクロバルーン
部分を独立気泡とする方法等も好ましく使用することが
できる。独立気泡は、１０００μｍ以下であることが半
導体基板の局所的凹凸の平坦性が良好であることから好
ましい。独立気泡径のさらに好ましい径は５００μｍ以
下、さらには３００μｍ以下である。

【０００７】このような観点から、独立気泡径が比較的
容易にコントールできる点でポリウレタンを主成分とす
る素材が好ましい。ポリウレタンとは、ポリイソシアネ
ートの重付加反応または重合反応に基づき合成される高
分子である。ポリイソシアネートの対称として用いられ
る化合物は、含活性水素化合物、すなわち、二つ以上の
ポリヒドロキシ、あるいはアミノ基含有化合物である。
ポリイソシアネートとして、トリレンジイソシアネー
ト、ジフェニルメタンジイソシアネート、ナフタレンジ
イソシアネート、トリジンジイソシネート、ヘキサメチ
レンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネートな
ど挙げることができるがこれに限定されるものではな
い。ポリヒドロキシとしてポリオールが代表的である
が、ポリオールとしてポリエーテルポリオール、ポリテ
トラメチレンエーテルグリコール、エポキシ樹脂変性ポ
リオール、ポリエステルポリオール、アクリルポリオー
ル、ポリブタジエンポリオール、シリコーンポリオール
等が挙げられる。ポリイソシアネートとポリオールから
得られるポリウレタンを主成分とする高分子成型物は気
泡径を比較的自由にコントロールできるので構造制御が
容易であるが、平坦性用研磨パッドとして使用するには
硬度が低いという問題があり、平坦性に必要な硬度をも
たせることが好ましい。硬度を上げるためには、重合開
始剤を含む重合用モノマーに高分子成型物を含浸させた
後、高分子成型物中でモノマーの重合反応をおこさせる
ことが好ましい。

【０００８】本発明での重合用モノマーとしては、付加
重合、重縮合、重付加などの重合用原料であれば任意で
あるが、特に付加重合用モノマーとして使用されるビニ
ル化合物が反応の容易さから好ましく使用できる。ビニ
ル化合物とは、炭素炭素二重結合のビニル基を有する化
合物である。具体的には、メチルメタクリレート、エチ
ルメタクリレート、ｎ−ブチルメタクリレート、イソブ
チルメタクリレート、２−エチルヘキシルメタクリレー
ト、イソデシルメタクリレート、ｎ−ラウリルメタクリ
レート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒ
ドロキシプロピルメタクリレート、２−ヒドロキシエチ
ルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレー
ト、２−ヒドロキシフ゛チルメタクリレート、ジメチルアミ
ノエチルメタクリレート、ジエチルアミノエチルメタク
リレート、メタクリル酸、アクリル酸、グリシジルメタ
クリレート、エチレングリコールジメタクリレート、ジ
エチレングリコールジメタクリレート、トリエチレング
リコールジメタクリレート、フマル酸、フマル酸ジメチ
ル、フマル酸ジメチル、フマル酸ジプロピル、マレイン
酸、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイ
ン酸ジプロピル、アクリロニトリル、アクリルアミド、
塩化ビニル、スチレン、α−メチルスチレン、また、こ
れらの共重合体等が挙げられる。ここでの重合開始剤と
しては、熱エネルギーにより分解、ラジカル生成、重合
開始を経るものであって、特に限定はされないが、例え
ば過酸化物とアゾ化合物が挙げられる。具体的には、ク
メンヒドロペルオキシド、第三ブチルヒドロペルオキシ
ド、ジクミルペルオキシド、ジ第三ブチルペルオキシ
ド、過酸化ベンゾイル、過酸化アセチル、過酸化ラウロ
イル、アゾビスイソブチロニトリル等が挙げられる。ま
た、重合開始法として、重合開始剤以外に加熱法、放射
線照射法、光照射法についても好ましく用いられる。

【０００９】本発明での貧溶媒としては、常温（２５
℃）で液体である場合は、常温で高分子成型物を３０分
間浸漬して、高分子成型物が膨潤する重量が元の高分子
成型物重量に対して３０％以下であることが、得られた
研磨パッドの硬度および均一性の点から好ましく、さら
に好ましいのは１０％以下である。また、本発明での貧
溶媒が常温（２５℃）で固体の場合は、融点より２０℃
高い温度で高分子成型物を３０分間浸漬して、高分子成
型物が膨潤する重量が元の高分子成型物重量に対して３
０％以下であることが、得られた研磨パッドの硬度およ
び均一性の点から好ましく、さらに好ましいのは１０％
以下である。本発明での貧溶媒は、常温で固体であって
も重合用モノマーの重合温度で液体状態になるものであ
れば使用が可能である。本発明での高分子成型物に対す
る貧溶媒としては、重合用モノマーと反応しない溶媒で
あることが、得られた研磨パッドの均一性の点から好ま
しい。本発明での貧溶媒としては、特に限定しないが、
例えばポリウレタンを高分子成型物とした場合で、常温
で液体である具体例として、ペンタン、イソペンタン、
ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、オクタン、イソ
オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、ト
リデカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカ
ン、ヘプタデカン、オクタデカン、ノナンデカン、流動
パラフィンまたこれらの混合溶媒等が挙げられる。ま
た、常温で固体である具体例として固形パラフィンなど
を挙げることが出来る。本発明での高分子成型物を貧溶
媒を含有する溶液で被覆するとは、貧溶媒１００％だけ
で被覆すると高分子成型物に含浸されている重合用モノ
マーが一部抽出されて、重合が不良になる場合があるの
で、その場合は一定量の重合用モノマーを貧溶媒に混合
した溶液で被覆すると、高分子成型物に含浸されている
重合用モノマーが抽出もされず、また被覆している溶液
から重合用モノマーが余分に含浸する事なく重合する事
が可能であるので好ましい。貧溶媒と重合用モノマーの
混合割合は、高分子成型物への重合用モノマーの含浸量
によって最適な割合を決める必要がある。これらを高分
子成型物に被覆する方法としては、浸漬、塗布、吹きつ
けなど被覆できる方法であれば特に限定はされない。高
分子成型物に重合開始剤と重合用モノマーと含浸させた
後に、貧溶媒を含有する溶液を被覆して重合する事も可
能であるし、あらかじめ重合開始剤と重合用モノマーと
貧溶媒を混合した溶液の中に高分子成型物を浸漬して、
重合用モノマーと重合開始剤を選択的に含浸させて、含
浸されなかった貧溶媒と残重合用モノマーの混合溶液が
被覆されている状態で重合する事も可能である。本発明
の貧溶媒に被覆した状態で、高分子成型物と貧溶媒共に
重合開始温度以上の温度にある一定時間を維持する。こ
の間に、高分子成型物中のモノマー重合が開始され、高
分子成型物が硬化することになる。この結果、得られた
複合高分子成型物の硬度は、用いた高分子成型物の硬度
より高くなる。この複合高分子成型物をスライサーでス
ライスまたは研削加工することによって研磨パッドに成
形することができる。本発明により、半導体基板の上に
形成された絶縁層または金属配線の表面を研磨により平
滑にする機械的な平坦化工程で使用するための研磨パッ
ドにおいて、安全性も高く、かつ研磨パッドの構造制御
が容易な製造方法を提供できる。

【００１０】

【実施例】以下、実施例にそってさらに本発明の詳細を
説明する。

【００１１】実施例１ 大きさ２５０×２５０ｍｍ、厚み５ｍｍの発泡ポリウレ
タンシート（硬度はＡ硬度で２９度、平均気泡径は７２
μｍ、比重は０．５４ｇ／ｃｍ３）をメチルメタクリレ
ート１００重量部、アゾビスイソブチロニトリル０．１
重量部の溶液中に２０時間浸漬した。次にこの発泡ウレ
タンシートを窒素ガスでバブリングしたデカン溶媒に浸
漬し、容器内を窒素ガス置換、密閉した後、６５〜７０
℃の水浴で８時間加熱した。次いで高分子成型物をデカ
ン溶媒から取り出し、１００℃オーブン中で３時間加熱
した。得られた複合高分子成型物をスライサーで厚み
１．２ｍｍにスライスして、表面に溝切り加工をして研
磨パッドを作成した。ここで、デカンに対する発泡ポリ
ウレタンの膨潤率は１％である。得られた研磨パッドの
硬度はＤ硬度５５度、平均気泡径１１３μｍ、比重０．
６５ｇ／ｃｍ３であり、スライス面が良好でバリの発生
は少なかった。６インチシリコンウェハ上に０．２５μ
ｍ幅、高さ１．２μｍのＡｌ配線を０．５ｍｍの間隔で
形成し、さらにその上にテトラエトキシシランをＣＶＤ
で絶縁膜を３μｍの厚さになるように形成した。この絶
縁膜表面の凹凸段差は、ウェハ中央部で１１０００オン
グストローム、周辺部分４ヵ所で１０５００、１１２０
０、１０８００、１０９００オングストロームであっ
た。本基板を研磨機の研磨ヘッドに取り付け、上記研磨
パッドを研磨機定盤に固着させ、ダイヤモンドコンデシ
ョナを使用して、押しつけ圧力０．０４ＭＰａ、研磨定
盤回転数２４ｒｐｍ、コンデショナ回転数２４ｒｐｍで
研磨定盤と同方向に回転させ、純水を１０ｍｌ／分供給
しながら、５分間研磨パッドのコンデショニングを行っ
た。次に評価用半導体基板を研磨機の研磨ヘッドに取り
付けて、研磨圧力０．０５ＭＰａで、研磨ヘッドと研磨
定盤回転数を同方向に３７ｒｐｍで回転させ、シリカ系
研磨液を２００ｍｌ／分供給しながら６分間研磨を行っ
た。この結果、研磨後の絶縁膜表面凹凸の段差は、ウェ
ハ中央部で７００オングストローム、周辺部分４ヵ所で
６００、８００、６００、７００オングストロームであ
った。この様に６インチの半導体基板全面の平坦性が良
好な結果が得られた。

【００１２】実施例２ 発泡ポリウレタンシート（硬度はＡ硬度で６１度、平均
気泡径は３７μｍ、比重は０．７７ｇ／ｃｍ３）をメチ
ルメタクリレート１００重量部、アゾビスイソブチロニ
トリル０．１重量部溶液中に３０時間浸漬した。次にこ
の発泡ウレタンシートを２枚のガラス板に挟み、ガラス
板ごとデカン溶媒に浸漬した後、実施例１と同様に成
型、加工を行い、Ｄ硬度６３度、平均気泡径６５μｍ、
比重０．８１ｇ／ｃｍ３、スライス面が良好でバリの発
生の少ない高分子成型物を得た。ここで、デカンに対す
る発泡ポリウレタンの膨潤率は１％である。これを実施
例１と同様、研磨時間を６分として評価を行ったとこ
ろ、研磨前の絶縁膜表面凹凸段差が、ウェハ中央部１１
０００オングストローム、周辺部分１１５００、１１０
００、１０９００、１１２００オングストロームであっ
たものが、研磨によりウェハ中央部で７００オングスト
ローム、周辺部分で８００、６００、５００、６００オ
ングストロームであった。この様に６インチの半導体基
板全面の平坦性が良好な結果が得られた。

【００１３】実施例３ 発泡ポリウレタンシート（硬度はＡ硬度で６１度、平均
気泡径は３７μｍ、比重は０．７７ｇ／ｃｍ３）をメチ
ルメタクリレート１００重量部、アゾビスイソブチロニ
トリル０．１重量部溶液中に３０時間浸漬した。次にこ
の発泡ウレタンシートと、融点６５〜７０℃のパラフィ
ンを窒素ガス内で粉砕したものを容器に入れ、密閉した
後、容器ごと５５〜６５℃の水浴で２時間、６５〜７０
℃の水浴で１０時間、次いで、高分子成型物を容器から
取り出し、１００℃オーブン中で２時間加熱した。これ
を実施例１と同様に加工を行い、Ｄ硬度６４度、平均気
泡径６３μｍ、比重０．８５ｇ／ｃｍ３、スライス面が
良好でバリの発生の少ない高分子成型物を得た。ここ
で、９０℃でのパラフィンに対する発泡ポリウレタンの
膨潤率は１％以下である。これを実施例１と同様、研磨
時間を６分として評価を行ったところ、研磨前の絶縁膜
表面凹凸段差が、ウェハ中央部１１０００オングストロ
ーム、周辺部分１０８００、１１５００、１１０００、
１０９００オングストロームであったものが、研磨によ
りウェハ中央部で７００オングストローム、周辺部分で
７００、９００、８００、６００オングストロームであ
った。この様に６インチの半導体基板全面の平坦性が良
好な結果が得られた。

【００１４】実施例４ 発泡ポリウレタンシート（硬度はＡ硬度で６１度、平均
気泡径は３７μｍ、比重は０．７７ｇ／ｃｍ３）をメチ
ルメタクリレート１００重量部、アゾビスイソブチロニ
トリル０．１重量部溶液中に３０時間浸漬した。次に、
融点６５〜７０℃のパラフィン６０重量部とイソオクタ
ン４０重量部を加熱混合し、冷却してできたペースト状
のものを上記発泡ウレタンシートの表面にコーティング
し、容器に入れ、窒素ガス置換、密閉した後、容器ごと
５５〜６０℃の水浴で２１時間、６５〜７０℃の水浴で
２４時間、次いで、高分子成型物を容器から取り出し、
１００℃オーブン中で２時間加熱した。これを実施例１
と同様に加工を行い、Ｄ硬度６５度、平均気泡径６０μ
ｍ、比重０．８５ｇ／ｃｍ３、スライス面が良好でバリ
の発生の少ない高分子成型物を得た。ここで、パラフィ
ン及びイソオクタンに対する発泡ポリウレタンの膨潤率
は１％以下である。これを実施例１と同様、研磨時間を
６分として評価を行ったところ、研磨前の絶縁膜表面凹
凸段差が、ウェハ中央部１１０００オングストローム、
周辺部分１１５０００、１１３００、１０７００、１０
９００オングストロームであったものが、研磨によりウ
ェハ中央部で７００オングストローム、周辺部分で９０
０、８００、７００、７００オングストロームであっ
た。この様に６インチの半導体基板全面の平坦性が良好
な結果が得られた。

【００１５】実施例５ 発泡ポリウレタンシート（硬度はＡ硬度で６１度、平均
気泡径は３７μｍ、比重は０．７７ｇ／ｃｍ３）を容器
に入れたメチルメタクリレート１００重量部、アゾビス
イソブチロニトリル０．１重量部、デカン３重量部の溶
液中に３０時間浸漬した。この容器中の被覆溶液はデカ
ンが５０重量部、メチルメタクリレートが５０重量部に
なっていた。この容器を窒素ガス置換、密閉した後、容
器ごと５５〜６０℃の水浴で２１時間、６５〜７０℃の
水浴で２４時間、次いで、高分子成型物を容器から取り
出し、１００℃オーブン中で２時間加熱した。これを実
施例１と同様に加工を行い、Ｄ硬度６５度、平均気泡径
６０μｍ、比重０．８５ｇ／ｃｍ３、スライス面が良好
でバリの発生の少ない高分子成型物を得た。ここで、デ
カンの膨潤率は１％以下である。これを実施例１と同
様、研磨時間を６分として評価を行ったところ、研磨前
の絶縁膜表面凹凸段差が、ウェハ中央部１１０００オン
グストローム、周辺部分１１５０００、１１３００、１
０７００、１０９００オングストロームであったもの
が、研磨によりウェハ中央部で７００オングストロー
ム、周辺部分で９００、８００、７００、７００オング
ストロームであった。この様に６インチの半導体基板全
面の平坦性が良好な結果が得られた。

【００１６】実施例６ 大きさ２５０×２５０ｍｍ、厚み５ｍｍの発泡ポリウレ
タンシート（硬度はＡ硬度で２９度、平均気泡径は７２
μｍ、比重は０．５４ｇ／ｃｍ３）をメチルメタクリレ
ート１００重量部、アゾビスイソブチロニトリル０．１
重量部、融点が４５〜５０℃の固形パラフィン３重量部
を混合した溶液中に５０℃で２０時間浸漬した。この容
器中の被覆溶液は固形パラフィンが９０重量部、メチル
メタクリレートが１０重量部になっていた。この容器を
窒素ガス置換、密閉した後、容器ごと５５〜６０℃の水
浴で２１時間、６５〜７０℃の水浴で２４時間、次い
で、高分子成型物を容器から取り出し、１００℃オーブ
ン中で２時間加熱した。得られた複合高分子成型物をス
ライサーで厚み１．２ｍｍにスライスして、表面に溝切
り加工をして研磨パッドを作成した。ここで、固形パラ
フィンの６５℃での発泡ポリウレタンの膨潤率は１％で
ある。得られた研磨パッドの硬度はＤ硬度５５度、平均
気泡径１１３μｍ、比重０．６５ｇ／ｃｍ３であり、ス
ライス面が良好でバリの発生は少なかった。６インチシ
リコンウェハ上に０．２５μｍ幅、高さ１．２μｍのＡ
ｌ配線を０．５ｍｍの間隔で形成し、さらにその上にテ
トラエトキシシランをＣＶＤで絶縁膜を３μｍの厚さに
なるように形成した。この絶縁膜表面の凹凸段差は、ウ
ェハ中央部で１１０００オングストローム、周辺部分４
ヵ所で１０５００、１１２００、１０８００、１０９０
０オングストロームであった。本基板を研磨機の研磨ヘ
ッドに取り付け、上記研磨パッドを研磨機定盤に固着さ
せ、ダイヤモンドコンデショナを使用して、押しつけ圧
力０．０４ＭＰａ、研磨定盤回転数２４ｒｐｍ、コンデ
ショナ回転数２４ｒｐｍで研磨定盤と同方向に回転さ
せ、純水を１０ｍｌ／分供給しながら、５分間研磨パッ
ドのコンデショニングを行った。次に評価用半導体基板
を研磨機の研磨ヘッドに取り付けて、研磨圧力０．０５
ＭＰａで、研磨ヘッドと研磨定盤回転数を同方向に３７
ｒｐｍで回転させ、シリカ系研磨液を２００ｍｌ／分供
給しながら６分間研磨を行った。この結果、研磨後の絶
縁膜表面凹凸の段差は、ウェハ中央部で７００オングス
トローム、周辺部分４ヵ所で６００、８００、６００、
７００オングストロームであった。この様に６インチの
半導体基板全面の平坦性が良好な結果が得られた。

【００１７】比較例１ ポリエーテル系ウレタンポリマ“アジプレン”Ｌ−３２
５（ユニローヤル社製）７８重量部と４，４−メチレン
−ビス２−クロロアニリン２０重量部と中空高分子微小
球体“エクスパンセル”５５１ＤＥ（ケマーベル社製）
１．８重量部をＲＩＭ成形機で混合し、金型に吐出し
て、Ｄ硬度５９度、平均気泡径３０μｍ、比重０．８２
ｇ／ｃｍ３の高分子成型物を得た。これを実施例１と同
様に加工を行ったところ、スライス表面は若干バリがで
ており溝切り時もバリがかなり多く発生した。そのため
にこの研磨パッドの表面をバフ加工してバリ取りをおこ
なった。これについて、研磨時間を６分として評価を行
ったが、研磨前の絶縁膜表面凹凸段差が、ウェハ中央部
１１０００オングストローム、周辺部分１１５０００、
１１３００、１０７００、１０９００オングストローム
であったものが、研磨によりウェハ中央部で７００オン
グストローム、周辺部分で１１００、８００、７００、
７００オングストロームであり、良好な平坦性は得られ
なかった。

【００１８】比較例２ 発泡ポリウレタンシート（硬度はＡ硬度で６１度、平均
気泡径は３７μｍ、比重は０．７７ｇ／ｃｍ３）をメチ
ルメタクリレート１００重量部、アゾビスイソブチロニ
トリル０．１重量部溶液中に３０時間浸漬した。次に、
この発泡ウレタンシートを容器に入れ、容器内を窒素ガ
ス置換、密閉した後、容器ごと６０〜７０℃の水浴で８
時間加温したが、高分子成型物はＡ硬度６０度であり、
硬化しなかった。

【００１９】比較例３ 発泡ポリウレタンシート（硬度はＡ硬度で６１度、平均
気泡径は３７μｍ、比重は０．７７ｇ／ｃｍ３）をメチ
ルメタクリレート１００重量部、アゾビスイソブチロニ
トリル０．１重量部溶液中に３０時間浸漬した。次にこ
の発泡ウレタンシートを２枚のガラス板に挟み、ガラス
板ごと窒素ガスでバブリングした酢酸ブチル溶媒（良溶
媒）に浸漬した後、容器内を窒素ガス置換、密閉した
後、容器ごと６０〜７０℃の水浴で８時間加温した。次
いで、高分子成型物を酢酸ブチル溶媒から取り出し、１
００℃オーブン中で１時間加熱したが、高分子成型物は
Ａ硬度６０度であり、硬化しなかった。ここで、酢酸ブ
チルに対する発泡ポリウレタンの膨潤率は５８％であ
る。

【００２０】

【発明の効果】本発明により、半導体基板の上に形成さ
れた絶縁層または金属配線の表面を研磨において、安全
性も高く、かつ研磨パッドの構造制御が容易な製造方法
を提供することが可能となる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3C058 AA06 AA07 AA09 CA01 CB05 CB06 4J011 CA01 CA09 CC02

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 重合開始剤および重合用モノマーが含浸
   された高分子成型物を、該高分子成型物に対する貧溶媒
   を含有する溶液で被覆した状態で重合することを特徴と
   する研磨パッドの製造方法。
2. 【請求項２】 貧溶媒の高分子成型物に対する膨潤率が
   ３０％以下であることを特徴とする請求項１に記載の研
   磨パッドの製造方法。
3. 【請求項３】 高分子成型物が発泡構造を有することを
   特徴とする、請求項１または２に記載の研磨パッドの製
   造方法。
4. 【請求項４】 高分子成型物がポリウレタンを主成分と
   することを特徴とする請求項１〜３に記載の研磨パッド
   の製造方法。
5. 【請求項５】 高分子成型物に対する貧溶媒が、重合用
   モノマーと反応しない溶媒であることを特徴とする請求
   項１〜４のいずれかに記載の研磨パッドの製造方法。