JP2001230202A

JP2001230202A - ガス置換方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイスの製造方法

Info

Publication number: JP2001230202A
Application number: JP2000375001A
Authority: JP
Inventors: Tatsuo Sato; 達夫佐藤
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1999-12-09
Filing date: 2000-12-08
Publication date: 2001-08-24

Abstract

(57)【要約】【課題】ペリクル付きマスクにおけるペリクルとマス
クとの間に形成される空間内のガスを効率良く安定して
置換することができるガス置換方法及びガス置換装置、
並びに露光方法及び露光装置を提供することを目的とす
る。【解決手段】露光装置は、ペリクルＰＥが装着された
マスクＭを収容する予備室７と、予備室７のガスを排気
する排気装置８０と、ペリクルＰＥの変位を計測する変
位計測装置８５と、予備室７内のガスの排気量を調整す
る制御部９とを備えている。予備室７内のガスを排気す
ることにより空間ＧＳのガス置換を行う際、制御部９
は、変位計測装置８０の計測結果に基づいてペリクルＰ
Ｅの変位が所定範囲になるように予備室７内のガスの排
気量を調整することにより、ペリクルＰＥの破損を防ぎ
つつ安定したガス置換を行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、半導体素
子製造における露光工程で用いられるガス置換方法及び
ガス置換装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、半導体素子や薄膜磁気ヘッド
あるいは液晶表示素子等をフォトリソグラフィ工程で製
造する場合に種々の露光装置が使用されているが、フォ
トマスクあるいはレチクル（以下、マスクという）に形
成されたパターンの像を、表面にフォトレジスト等の感
光剤を塗布された基板上に投影光学系を介して投影する
露光装置が一般的に使用されている。近年、基板上のシ
ョット領域に投影されるパターンの形状の微細化に伴
い、使用される露光用照明光（以下、「露光光」とい
う）は短波長化される傾向にある。すなわち、これまで
主流だった水銀ランプに代わって、ＫｒＦエキシマレー
ザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３
ｎｍ）を用いた露光装置が実用化されつつある。また、
さらなるパターンの形状の微細化を目指してＦ₂レーザ
ー（１５７ｎｍ）を用いた露光装置の開発も進められて
いる。

【０００３】このような、約１８０ｎｍ以下の波長を有
する真空紫外線を露光光として用いる場合、露光光の通
過する空間である光路空間内に酸素分子、水分子、二酸
化炭素分子などといった、かかる波長域の光に対し強い
吸収特性を備える物質（以下、「吸光物質」という）が
存在していると、露光光は減衰され十分な強度で基板上
に到達できない。したがって、真空紫外線を用いた露光
装置は、露光光の通過する光路空間の密閉性を高めて、
外部からの吸光物質の流入を遮断する構造にするととも
に、光路空間内に存在する吸光物質を低減する作業が施
される。この吸光物質を低減する方法には、光路空間内
を真空に引いて減圧し、その状態を維持する方法、真空
に引いた後に露光光に対する吸収性の少ない特性を有す
る物質（例えば、ヘリウム、アルゴン、窒素などの不活
性ガス）を充填する方法、真空引きせずに前記のような
不活性ガスを光路空間内に供給する方法、などが挙げら
れる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、マスクに
は、パターン面へのゴミ付着防止のために「ペリクル」
と呼ばれる光透過性の薄膜が取り付けられているのが一
般的である。したがって、上述のような真空紫外線を露
光光として用いる場合、ペリクルとマスクとの間に形成
される空間内の吸光物質も低減する必要がある。しかし
ながら、このペリクルは破損しやすく、この空間内の吸
光物質を低減し不活性ガスを供給するといったガス置換
を安定して行うことは困難である。

【０００５】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、ペリクル付きマスクの場合のように、薄膜と
基板との間に形成される空間内のガスを効率良く安定し
て置換することができるガス置換方法及びガス置換装
置、並びに露光方法及び露光装置を提供することを目的
とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め本発明は、実施の形態に示す図１〜図８に対応付けし
た以下の構成を採用している。本発明のガス置換方法
は、薄膜（ＰＥ）を装着した基板（Ｍ）を収容する密閉
室（７）内のガスを排気するに際し、排気に伴う薄膜
（ＰＥ）の変位が所定範囲になるように、密閉室（７）
内のガスの排気量を調整することを特徴とする。

【０００７】本発明によれば、基板（Ｍ）を密閉室
（７）内に収容してこの密閉室（７）内のガスを排気す
ることにより、薄膜（ＰＥ）と基板（Ｍ）との間に形成
される空間（ＧＳ）内のガス置換を行うが、薄膜（Ｐ
Ｅ）の変位が所定範囲になるように密閉室（７）内のガ
スの排気量を調整することにより、薄膜（ＰＥ）の破損
を防ぎつつ安定したガス置換を行うことができる。

【０００８】この場合、密閉室（７）内のガスの排気量
の調整は、薄膜（ＰＥ）の変位を計測し、この計測結果
に基づいて行われるので、ガス置換に際し、薄膜（Ｐ
Ｅ）の破損は確実に防止される。

【０００９】このようなガス置換方法は、薄膜（ＰＥ）
を装着した基板（Ｍ）を収容する密閉室（７）内のガス
を置換するガス置換装置（８）において、密閉室（７）
内のガスを排気する排気装置（８０）と、薄膜（ＰＥ）
の変位を計測する変位計測装置（８５）と、この計測結
果に基づいて、変位が所定範囲になるように、ガスの排
気量を調整する制御系（９）とを備えることを特徴とす
るガス置換装置（８）によって実現することができる。

【００１０】一方、密閉室（７）内の圧力を計測し、こ
の計測結果に基づいて、排気量を調整することもでき
る。この場合も、ガス置換に際し、薄膜（ＰＥ）の破損
は確実に防止される。このようなガス置換方法は、薄膜
（ＰＥ）を装着した基板（Ｍ）を収容する密閉室（７）
内のガスを置換するガス置換装置（８）において、密閉
室（７）内のガスを排気する排気装置（８０）と、密閉
室（７）内の圧力を計測する圧力計測装置（８７）と、
この計測結果に基づいて、薄膜（ＰＥ）の変位が所定範
囲になるように、ガスの排気量を調整する制御系（９）
とを備えることを特徴とするガス置換装置によって行う
ことができる。

【００１１】また、密閉室（７）内に置換ガスを給気す
ることにより、薄膜（ＰＥ）と基板（Ｍ）との間に形成
される空間（ＧＳ）に置換ガスを供給するが、この密閉
室（７）内へ置換ガスを給気するに際し、給気に伴う薄
膜（ＰＥ）の変位が所定範囲になるように、置換ガスの
給気量又は排気量の少なくとも一方を調整することによ
り、薄膜（ＰＥ）の破損を防ぎつつ安定したガス置換を
行うことができる。これは、前記ガス置換装置（８）に
密閉室（７）に置換ガスを給気する給気装置（８１）を
設け、制御系（９）が、薄膜（ＰＥ）の変位が所定範囲
になるように置換ガスの給気量と密閉室（７）内のガス
の排気量との少なくとも一方を調整することにより行わ
れる。

【００１２】また、本発明のガス置換方法は、基板
（Ｍ）と基板（Ｍ）に装着される薄膜（ＰＥ）との間に
形成される空間（ＧＳ）内のガスを置換するガス置換方
法において、空間（ＧＳ）内のガスを排気するに際し、
排気に伴う薄膜（ＰＥ）の変位が所定範囲になるよう
に、空間（ＧＳ）内のガスの排気量を調整することを特
徴とする。

【００１３】すなわち、基板（Ｍ）と薄膜（ＰＥ）との
間に形成される空間（ＧＳ）内のガスを直接置換しても
よく、この場合、薄膜（ＰＥ）の変位が所定範囲になる
ように、空間（ＧＳ）内のガスの排気量を調整すること
により、薄膜（ＰＥ）の破損を防止しつつ安定したガス
置換を行うことができる。

【００１４】このようなガス置換方法は、基板（Ｍ）と
基板（Ｍ）に装着される薄膜（ＰＥ）との間に形成され
る空間（ＧＳ）内のガスを置換するガス置換装置（８
９）において、空間（ＧＳ）内のガスを排気する排気装
置（９０）と、薄膜（ＰＥ）の変位を計測する変位計測
装置（９１）と、この計測結果に基づいて、変位が所定
範囲になるように、ガスの排気量を調整する制御系
（９）とを備えることを特徴とするガス置換装置（８
９）によって行うことができる。

【００１５】また、空間（ＧＳ）内に直接置換ガスを供
給することもでき、空間（ＧＳ）内に置換ガスを給気す
るに際し、給気に伴う薄膜（ＰＥ）の変位が所定範囲に
なるように、置換ガスの給気量又は排気量の少なくとも
一方を調整することによって、安定したガス置換を実現
することができる。これは、ガス置換装置（８９）に空
間（ＧＳ）内に置換ガスを給気する給気装置（９２）を
設け、制御系（９）が、薄膜（ＰＥ）の変位が所定範囲
になるように、置換ガスの給気量又は空間（ＧＳ）内の
ガスの排気量の少なくとも一方を調整することにより行
われる。

【００１６】本発明の露光方法は、保護部材（ＰＥ）が
装着されたマスク（Ｍ）に露光光（ＥＬ）を照射してマ
スク（Ｍ）のパターンの像を基板（Ｗ）上に転写する露
光方法において、露光光（ＥＬ）の光路を含む空間（Ｌ
Ｓ）と異なる空間を有する予備室（７）内にマスク
（Ｍ）を収容し、予備室（７）内のガスを露光光（Ｅ
Ｌ）の吸収が少ない特性を有する特定ガスに置換するこ
とにより、保護部材（ＰＥ）とマスク（Ｍ）との間に形
成される空間（ＧＳ）内のガスを特定ガスに置換するに
際し、予備室（７）内のガスの排気に伴う保護部材（Ｐ
Ｅ）の変位が所定範囲になるように、排気量を調整しつ
つガス置換を行った後、マスク（Ｍ）を光路を含む空間
（ＬＳ）に搬入し露光処理を行うことを特徴とする。

【００１７】本発明によれば、マスク（Ｍ）を予備室
（７）内に収容してこの予備室（７）内のガスを特定ガ
スに置換することにより保護部材（ＰＥ）とマスク
（Ｍ）との間に形成される空間（ＧＳ）内のガスを特定
ガスに置換するが、保護部材（ＰＥ）の変位が所定範囲
になるように予備室（７）内のガスの排気量を調整する
ことにより、保護部材（ＰＥ）の破損を防ぎつつ、空間
（ＧＳ）内のガス置換を安定して行うことができる。し
たがって、マスク（Ｍ）は空間（ＧＳ）内の吸光物質を
低減した状態で光路を含む空間（ＬＳ）に配置されるの
で、安定した露光処理が行われる。

【００１８】このような露光方法は、保護部材（ＰＥ）
が装着されたマスク（Ｍ）に露光光（ＥＬ）を照射して
マスク（Ｍ）のパターンの像を基板（Ｗ）上に転写する
露光装置（１）において、露光光（ＥＬ）の光路を含む
空間（ＬＳ）と異なる空間を有し、マスク（Ｍ）を収容
する予備室（７）と、予備室（７）内のガスを露光光
（ＥＬ）の吸収が少ない特性を有する特定ガスに置換す
るに際し、予備室（７）のガスを排気する排気装置（８
０）と、保護部材（ＰＥ）の変位を計測する変位計測装
置（８５）と、この計測結果に基づいて、変位が所定範
囲になるように、予備室（７）内のガスの排気量を調整
する制御系（９）とを備えることを特徴とする露光装置
（１）によって行うことができる。

【００１９】また、本発明の露光方法は、保護部材（Ｐ
Ｅ）が装着されたマスク（Ｍ）に露光光（ＥＬ）を照射
してマスク（Ｍ）のパターンの像を基板（Ｗ）上に転写
する露光方法において、露光光（ＥＬ）の光路を含む空
間（ＬＳ）と異なる空間を有する予備室（７）内にマス
ク（Ｍ）を収容し、予備室（７）内のガスを露光光（Ｅ
Ｌ）の吸収が少ない特性を有する特定ガスに置換するこ
とにより、保護部材（ＰＥ）とマスク（Ｍ）との間に形
成される空間（ＧＳ）内のガスを特定ガスに置換するに
際し、予備室（７）内のガスの排気に伴う予備室（７）
内の圧力変化に基づいて、排気量を調整しつつガス置換
を行った後、マスク（Ｍ）を光路を含む空間（ＬＳ）に
搬入し露光処理を行うことを特徴とする。

【００２０】すなわち、本発明の露光方法によれば、マ
スク（Ｍ）を予備室（７）内に収容してこの予備室
（７）内のガスを特定ガスに置換することにより保護部
材（ＰＥ）とマスク（Ｍ）との間に形成されるガスを特
定ガスに置換するに際し、予備室（７）内の圧力変化に
基づいてガスの排気量を調整することも可能であり、こ
の場合も、保護部材（ＰＥ）の破損を防ぎつつ、空間
（ＧＳ）内のガス置換を安定して行うことができる。し
たがって、マスク（Ｍ）は空間（ＧＳ）内の吸光物質を
低減した状態で光路を含む空間（ＬＳ）に配置されるの
で、安定した露光処理が行われる。

【００２１】このような露光方法は、保護部材（ＰＥ）
が装着されたマスク（Ｍ）に露光光（ＥＬ）を照射して
マスク（Ｍ）のパターンの像を基板（Ｗ）上に転写する
露光装置（１）において、露光光（ＥＬ）の光路を含む
空間（ＬＳ）と異なる空間を有し、マスク（Ｍ）を収容
する予備室（７）と、予備室（７）内のガスを露光光
（ＥＬ）の吸収が少ない特性を有する特定ガスに置換す
るに際し、予備室（７）のガスを排気する排気装置（８
０）と、予備室（７）内の圧力変化を計測する圧力計測
装置（８７）と、この計測結果に基づいて、保護部材
（ＰＥ）の変位が所定範囲になるように、予備室（７）
内のガスの排気量を調整する制御系（９）とを備えるこ
とを特徴とする露光装置（１）によって行うことができ
る。

【００２２】また、本発明の露光方法は、保護部材（Ｐ
Ｅ）が装着されたマスク（Ｍ）に露光光を照射して該マ
スク（Ｍ）のパターンの像を基板（Ｍ）上に転写する露
光方法において、前記露光光の光路を含む空間もしくは
該空間と異なる空間を有する密閉室（７）内に前記マス
ク（Ｍ）を収容し、前記密閉室（７）内のガスを前記露
光光の吸収が少ない特性を有する特定ガスに置換し、該
置換に伴い、前記保護部材（ＰＥ）とマスク（Ｍ）との
間に形成される空間内のガスを前記特定ガスに置換し、
前記保護部材（ＰＥ）と前記マスク（Ｍ）との間に形成
される空間内のガスを前記特定ガスに置換した後、前記
マスク（Ｍ）に前記露光光を照射して、該マスク（Ｍ）
のパターンの像を基板（Ｍ）上に転写することを特徴と
していてもよい。

【００２３】また、本発明の露光方法は、保護部材（Ｐ
Ｅ）が装着されたマスク（Ｍ）に露光光を照射して該マ
スク（Ｍ）のパターンの像を基板（Ｍ）上に転写する露
光方法において、前記露光光の光路を含む空間もしくは
該空間と異なる空間を有する密閉室（７）内に前記マス
ク（Ｍ）を収容し、前記密閉室（７）内で、前記保護部
材（ＰＥ）と前記マスク（Ｍ）との間に形成される空間
内のガスを前記特定ガスに置換し、前記保護部材（Ｐ
Ｅ）と前記マスク（Ｍ）との間に形成される空間内のガ
スを前記特定ガスに置換した後に、前記マスク（Ｍ）に
露光光を照射して、該マスク（Ｍ）のパターンの像を基
板（Ｍ）上に転写することを特徴としていてもよい。

【００２４】また、本発明の露光装置は、保護部材（Ｐ
Ｅ）が装着されたマスク（Ｍ）に露光光を照射して該マ
スク（Ｍ）のパターンの像を基板（Ｍ）上に転写する露
光装置において、前記露光光の光路を含む空間もしくは
該空間と異なる空間を有し、前記マスク（Ｍ）を収容す
る密閉室（７）と、前記密閉室（７）内のガスを前記露
光光の吸収が少ない特性を有する特定ガスに置換するこ
とにより、前記保護部材（ＰＥ）と前記マスク（Ｍ）と
の間に形成される空間を前記特定ガスに置換するガス置
換装置（８）と、前記保護部材（ＰＥ）の変位を計測す
る変位計測装置（８５）と、前記計測結果に基づいて、
前記変位が所定範囲になるように、前記ガス置換装置
（８）を制御する制御系（９）とを備えることを特徴と
していてもよい。

【００２５】また、本発明の露光装置は、保護部材（Ｐ
Ｅ）が装着されたマスク（Ｍ）に露光光を照射して該マ
スク（Ｍ）のパターンの像を基板（Ｍ）上に転写する露
光装置において、前記露光光の光路を含む空間もしくは
該空間と異なる空間を有し、前記マスク（Ｍ）を収容す
る密閉室（７）と、前記密閉室（７）内のガスを前記露
光光の吸収が少ない特性を有する特定ガスに置換するこ
とにより、前記保護部材（ＰＥ）と前記マスク（Ｍ）と
の間に形成される空間を前記特定ガスに置換するガス置
換装置（８）と、前記密閉室（７）内の圧力を計測する
圧力計測装置と、前記圧力計測装置の計測結果に基づい
て、前記保護部材（ＰＥ）の変位が所定範囲になるよう
に、前記ガス置換装置（８）を制御する制御系（９）と
を備えていてもよい。

【００２６】また、本発明の露光装置は、保護部材（Ｐ
Ｅ）が装着されたマスク（Ｍ）に露光光を照射して該マ
スク（Ｍ）のパターンの像を基板（Ｍ）上に転写する露
光装置において、前記露光光の光路を含む空間と該空間
に隣接する空間との少なくとも一方を有し、フレームを
介して保護部材（ＰＥ）が装着されたマスク（Ｍ）を収
容する密閉室（７）と、前記フレームを介して、前記保
護部材（ＰＥ）と前記マスク（Ｍ）との間に形成される
空間内のガスを前記露光光の吸収が少ない特定ガスに置
換するガス置換装置（８）と、前記保護部材（ＰＥ）の
変位を検出する変位計測装置とを有していてもよい。

【００２７】本発明のデバイスの製造方法は、リソグラ
フィ工程を含むデバイスの製造方法であって、前記リソ
グラフィ工程で、前記の露光方法を用いることを特徴と
している。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の第１実施形態に係
るガス置換方法及びガス置換装置、並びに露光方法及び
露光装置を図面を参照しながら説明する。このうち図１
は、本発明のガス置換装置を備えた露光装置１の概略構
成図である。また、図２はペリクル（薄膜）ＰＥを装着
したマスク（基板）Ｍを説明するための図であり、図３
は予備室７に設けられたガス置換装置を説明するための
構成図である。

【００２９】この露光装置１は、真空紫外域の露光用照
明光（露光光）ＥＬをマスクＭに照明して、このマスク
Ｍのパターンの像を投影光学系３を介して基板（ウェー
ハ）Ｗ上に転写する。

【００３０】図１〜図３において、露光装置１は、光源
２１からの光束ＬＢをマスクＭに照明する照明光学系２
と、この照明光学系２内に配置され開口Ｓの面積を調整
して露光光ＥＬによるマスクＭの照明範囲を規定するブ
ラインド部４と、マスクＭを収容するマスク室５と、露
光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板
（ウェーハ）Ｗ上に投影する投影光学系３と、ウェーハ
Ｗを収容するウェーハ室６と、マスク室５に隣接し、露
光光ＥＬの光路空間ＬＳと異なる空間を有するマスクガ
ス置換室（予備室）７と、ウェーハ室６に隣接するウェ
ーハガス置換室１０と、露光光ＥＬの光路上の空間ＬＳ
のガスを置換するためのガス置換装置（不図示）と、露
光装置１の動作全体を制御する制御部（制御系）９とを
備えている。さらに、マスクＭの搬送系、及びウェーハ
Ｗの搬送系を備えている。

【００３１】光源２１は、波長約１２０ｎｍ〜約１８０
ｎｍの真空紫外線の露光光を照明光学系２に射出するも
のであって、例えば発振波長１５７ｎｍのフッ素レーザ
ー（Ｆ₂ レーザー）、発振波長１４６ｎｍのクリプトン
ダイマーレーザー（Ｋｒ₂ レーザー）、発振波長１２６
ｎｍのアルゴンダイマーレーザー（Ａｒ₂ レーザー）な
どによって構成される。なお、光源２１として、発振波
長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー等を用いること
が可能である。

【００３２】照明光学系２は、光源２１から射出し反射
鏡２２によって導かれた光束（レーザービーム）ＬＢを
ほぼ均一な照度分布の露光光ＥＬに変換するオプチカル
インテグレータ２４（ロッドレンズタイプまたはフライ
アイレンズであってもよい）と、この露光光ＥＬの大部
分（例えば９７％）をレンズ系２６を介してブラインド
部４に導くとともに残りの部分（例えば３％）を光量モ
ニター２９に導くハーフミラー２５と、ブラインド部４
によって照明範囲を規定されレンズ系２７を透過した露
光光ＥＬをマスクＭに導く反射鏡２８とを備えている。
これら各光学部材及びブラインド部４は、密閉空間であ
る照明系ハウジング２０の内部に所定位置関係で配置さ
れている。この場合、ブラインド部４はマスクＭのパタ
ーン面と共役な面に配置されている。

【００３３】光量モニター２９は光電変換素子からなっ
ており、ハーフミラー２５によって導かれる露光光ＥＬ
の一部分を光電変換し、この光電変換信号を制御部９に
供給する。すなわち、制御部９はこの光量モニター２９
からの情報に基づいて光源２１を駆動・停止させるよう
になっており、これによってウェーハＷに対する露光量
（露光光の照射量）が制御される。

【００３４】ブラインド部４は、例えば、平面Ｌ字状に
屈曲し露光光ＥＬの光軸ＡＸと直交する面内で組み合わ
せられることによって矩形状の開口Ｓを形成する一対の
ブレードと、これらブレードを制御部９の指示に基づい
て光軸ＡＸと直交する面内で移動させる移動装置とを備
えている。このとき、開口Ｓの大きさはブレードの移動
に伴って変化し、開口Ｓはオプチカルインテグレータ２
４から入射される露光光ＥＬのうち、通過させた露光光
ＥＬのみをレンズ系２７に送る。開口Ｓにより規定され
た露光光ＥＬは、レンズ系２７を介してマスク室５に配
置されたマスクＭの特定領域をほぼ均一な照度で照明す
る。

【００３５】マスク室５は、マスクＭを真空吸着によっ
て保持するマスクホルダー５１を備えている。このマス
ク室５は、照明系ハウジング２０及び投影光学系３の投
影系ハウジング３０と隙間無く接合された隔壁５０によ
って覆われている。また、隔壁５０の側壁部にはマスク
Ｍを搬入・搬出するための開口部５４が設けられてお
り、この開口部５４には、制御部９の指示によって開閉
する開閉扉５５が設けられている。開閉扉５５を閉じる
ことによって、マスク室５は密閉される。

【００３６】また、マスクホルダー５１は、マスクＭ上
のパターンが形成された領域であるパターン領域に対応
した開口を有し、不図示の駆動機構によりＸ方向、Ｙ方
向、θ方向（Ｚ軸回りの回転方向）に微動可能となって
おり、これによって、パターン領域の中心が投影光学系
３の光軸ＡＸを通るようにマスクＭの位置決めが可能な
構成となっている。このマスクホルダー５１の駆動機構
は、例えば２組のボイスコイルモータを用いて構成され
る。

【００３７】マスク室５の隔壁５０の天井部には、照明
系ハウジング２０の内部空間と、マスクＭが配置される
マスク室５の内部空間とを分離する透過窓５６が配置さ
れている。この透過窓５６は、照明光学系２からマスク
Ｍに照明される露光光ＥＬの光路上に配置されるため、
真空紫外線である露光光ＥＬに対して透過性の高い蛍石
等の結晶材料によって形成される。

【００３８】投影光学系３は、開口Ｓによって規定され
た露光光ＥＬの照明範囲に存在するマスクＭのパターン
の像をウェーハＷに結像させ、ウェーハＷの特定領域
（ショット領域）にパターンの像を露光する。この投影
光学系３は、蛍石、フッ化リチウム等のフッ化物結晶か
らなるレンズや反射鏡などの複数の光学部材を投影系ハ
ウジング３０で密閉したものである。本実施形態では、
この投影光学系３として、投影倍率が例えば１／４ある
いは１／５の縮小光学系が用いられている。このため、
マスクＭに形成されたパターンは投影光学系３によりウ
ェーハＷ上のショット領域に縮小投影され、ウェーハＷ
上にはパターンの縮小像が転写形成される。

【００３９】投影光学系３の各光学部材は、それぞれ保
持部材を介して投影系ハウジング３０に支持されてい
る。各保持部材は、各光学部材の周縁部を保持するよう
に円環状に設けられる。各光学部材及びマスク室５の隔
壁５０のそれぞれの間には、密閉された空間が形成され
ている。このとき、保持部材はガス溜まりを生じないよ
うに光軸ＡＸに対して傾斜されたり、各光学部材の表面
と保持部材の表面とがほぼ一致するように構成される。
したがって、各空間内部において、ガスは円滑に流れ
る。

【００４０】ウェーハ室６は、ウェーハＷを真空吸着す
ることによって保持するためのウェーハホルダー６１を
備えている。このウェーハ室６は、投影系ハウジング３
０と隙間無く接合された隔壁６０によって覆われてい
る。また、隔壁６０の側壁部にはウェーハＷを搬入・搬
出するための開口部６４が設けられており、この開口部
６４には、制御部９の指示によって開閉する開閉扉６５
が設けられている。開閉扉６５を閉じることによって、
ウェーハ室６は密閉される。

【００４１】ウェーハホルダー６１は、ウェーハステー
ジ６２に支持されている。ウェーハステージ６２は、互
いに直交する方向へ移動可能な一対のブロックを重ね合
わせたものであって、Ｘ−Ｙ平面に沿った水平方向に移
動可能となっている。あるいは、例えば磁気浮上型の２
次元リニアモータ（平面モータ）等からなるウェーハ駆
動系（図示略）によってベース６６の上面に沿って且つ
非接触でＸ−Ｙ面内で自在に駆動される。すなわち、こ
のウェーハステージ６２に固定されたウェーハＷは、Ｘ
−Ｙ平面に沿った水平方向に（投影光学系３の光軸ＡＸ
に対して垂直な方向に）移動可能に支持されている。

【００４２】また、ウェーハステージ６２の位置はレー
ザ干渉計システムによって調整される。これを詳述する
と、ウェーハ室６の隔壁６０の−Ｘ側の側壁には光透過
窓６３が設けられている。これと同様に、隔壁６０の＋
Ｙ側（図１中における紙面奥側）の側壁にも光透過窓が
設けられている。これらの光透過窓は、隔壁６０に形成
された窓部（開口部）にこの窓部を閉塞する光透過部
材、ここでは一般的な光学ガラスを取り付けることによ
って構成されている。この場合、光透過窓６３を構成す
る光透過部材の取り付け部分からのガス漏れが生じない
ように、取り付け部には、インジウムや銅等の金属シー
ルや、フッ素系樹脂による封止（シーリング）が施され
ている。

【００４３】ウェーハホルダー６１の−Ｘ側の端部に
は、平面鏡からなるＸ移動鏡６４ＸがＹ方向に延設され
ている。このＸ移動鏡６４Ｘにほぼ垂直にウェーハ室６
の外部に配置されたＸ軸レーザー干渉計６５Ｘからの測
長ビームが光透過窓６３を介して投射され、その反射光
が光透過窓６３を介してＸ軸レーザー干渉計６５Ｘ内部
のディテクタによって受光され、Ｘ軸レーザー干渉計６
５Ｘ内部の参照鏡の位置を基準としてＸ移動鏡６４Ｘの
位置、すなわちウェーハＷのＸ位置が検出される。

【００４４】同様に、図示は省略されているが、ウェー
ハホルダー６１の＋Ｙ側の端部には、平面鏡からなるＹ
移動鏡がＹ方向に延設されている。このＹ移動鏡を介し
てＹ軸レーザー干渉計によって上記と同様にしてＹ移動
鏡の位置、すなわちウェーハＷのＹ位置が検出される。
Ｘ軸及びＹ軸それぞれのレーザー干渉計の検出値（計測
値）は制御部９に供給され、制御部９は、各ショット領
域間のステッピング時などにこれらのレーザー干渉計の
検出値をモニターしつつウェーハステージ６２の位置制
御を行う。

【００４５】このとき、Ｘ、Ｙ軸の各レーザー干渉計、
すなわちレーザー光源やプリズム等の光学部材及びディ
テクタなどはウェーハ室６の外部に配置されているの
で、レーザー干渉計を構成するディテクタ等から仮に微
量の吸光物質が発生しても、これが露光に対して悪影響
を及ぼすことがない構成となっている。なお、各レーザ
ー干渉計を構成する各部品から吸光物質の発生が抑制さ
れている場合は、これら各部品をウェーハ室６に配置し
てもよい。

【００４６】すなわち、本実施形態の露光装置１におい
ては、制御部９によりウェーハＷ上の各ショット領域を
露光位置に順次位置決めするようにウェーハステージ６
２を移動するショット間ステッピング動作と、その位置
決め状態で露光光ＥＬをマスクＭに照明してマスクＭに
形成されたパターンの像をウェーハＷ上のショット領域
に転写する露光動作とが繰り返し行われる。

【００４７】照明光学系２の照明系ハウジング２０とマ
スク室５と投影光学系３の投影系ハウジング３０とウェ
ーハ室６とのそれぞれに形成された内部空間（密閉空
間）は、外部とのガスの出入りを遮断され、且つ光源２
１から射出されウェーハＷに照射される露光光ＥＬの光
路空間ＬＳとなる。

【００４８】予備室（マスクガス置換室）７は、マスク
室５に隣接して設けられており、露光光ＥＬの光路空間
ＬＳとは独立した異なる密閉空間を有している。このマ
スクガス置換室７は、マスク室５の隔壁５０と隙間無く
接合された隔壁７０によって覆われている。隔壁７０は
マスク室５の隔壁５０の開口部５４側に設けられてお
り、マスク室５とマスクガス置換室７とは開口部５４を
介して連通している。

【００４９】一方、マスクガス置換室７の隔壁７０のう
ち、マスク室５に接する側と反対側（＋Ｘ側）の側壁に
は開口部７４が形成されており、この開口部７４には、
制御部９の指示によって開閉する開閉扉７５が設けられ
ている。開閉扉５５及び開閉扉７５を閉じることによっ
て、マスクガス置換室７は密閉される。

【００５０】マスクガス置換室７の内部には、開口部５
４を介してマスク室５に対してマスクＭを搬入及び搬出
するロボットアームからなる第１マスク搬送系としての
マスクローダ１０１が配置されている。さらに、開閉扉
７５の外部には、マスクライブラリＭＬに保管されてい
るマスクＭを開口部７４を介してマスクガス置換室７に
対して搬入及び搬出するロボットアームからなる第２マ
スク搬送系としてのマスク搬送機構１０２が設けられて
いる。マスクライブラリＭＬは複数の棚を有しており、
各段の棚にはマスクＭを収納したマスクケース１０３が
保管されている。マスクローダ１０１及びマスク搬送機
構１０２は、制御部９に接続されており、制御部９の指
示に基づいて動作する。

【００５１】ウェーハ室６には、ウェーハガス置換室１
０が隣接して設けられている。このウェーハガス置換室
１０は、露光光ＥＬの光路空間ＬＳとは独立した異なる
密閉空間を有しており、ウェーハ室６の隔壁６０と隙間
無く接合された隔壁１００によって覆われている。隔壁
１００はウェーハ室６の隔壁６０の開口部６４側に設け
られており、ウェーハ室６とウェーハガス置換室１０と
は開口部６４を介して連通している。

【００５２】一方、ウェーハガス置換室１０の隔壁１０
０のうち、ウェーハ室６に接する側と反対側（＋Ｘ側）
の側壁には開口部１０４が形成されており、この開口部
１０４には、制御部９の指示によって開閉する開閉扉１
０５が設けられている。開閉扉６５及び開閉扉１０５を
閉じることによって、ウェーハガス置換室１０は密閉さ
れる。

【００５３】ウェーハガス置換室１０の内部には、開口
部１０４を介してウェーハ室６に対してウェーハＷを搬
入及び搬出するロボットアームからなる第１基板搬送系
としてのウェーハローダ１１１が配置されている。さら
に、開閉扉１０５の外部には、ウェーハＷを開口部１０
４を介してウェーハガス置換室１０に対して搬入及び搬
出するロボットアームからなる第２基板搬送系としての
ウェーハ搬送機構１１２が設けられている。ウェーハロ
ーダ１１１及びウェーハ搬送機構１１２は制御部９に接
続されており、制御部９の指示に基づいて動作する。

【００５４】マスクＭは、図２（ａ）および図２（ｂ）
に示すように、保護部材としてのペリクル（薄膜）ＰＥ
を装着している。図２（ａ）は、パターン面ＰＡを上面
としたマスクＭの平面図であり、図２（ｂ）は、図２
（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。このペリクルＰＥは、マ
スクＭのパターン面ＰＡに、ペリクルフレーム（又はペ
リクルスタンド）と呼ばれる金枠ＰＦを介して接着され
ている。ペリクルＰＥとしては、通常、ニトロセルロー
ス等を主成分とする厚さが１〜２μｍ程度の透明な薄膜
が用いられるが、波長１２０ｎｍ〜１８０ｎｍの真空紫
外線の露光光ＥＬを良好に透過させるため、マスクＭ及
びレンズ系と同材質の蛍石、フッ化マグネシウム、フッ
化リチウム等の結晶材料からなるフィルム状部材を用い
ても良い。さらに、このペリクル（薄膜）ＰＥとして
は、例えば１００〜３００μｍ程度の厚さを有する石英
ガラス（フッ素ドープ石英等）であってもよい。

【００５５】ペリクルＰＥとパターン面ＰＡとの間に
は、図２（ｂ）に示されるように、所定量の気体が満た
される空間ＧＳが形成されている。また、金枠ＰＦに
は、気圧の変化に伴うペリクルＰＥの破損を防止するた
めの、通気孔ｈ（ｈ１、ｈ２、ｈ３、ｈ４）が形成され
ている。この通気孔ｈによって、例えば、航空機による
輸送や天候の変化等によって気圧が低下し空間ＧＳ内の
気体が膨張した際に、空間ＧＳの密閉性を低下させるこ
とによってペリクルＰＥが破損するのを防止している。

【００５６】ところで、真空紫外域の波長の光を露光光
ＥＬとする場合には、その光路空間ＬＳから酸素、水蒸
気、炭化水素系のガス等の、かかる波長帯域の光に対し
強い吸収特性を有するガス（以下、「吸光物質」とい
う）の濃度を低減する必要がある。このため、光路空間
ＬＳは、不図示のガス置換装置により、必要に応じて内
部に存在する吸光物質の濃度を低減する作業を施され
る。すなわち、光路空間ＬＳに存在する吸光物質は、真
空紫外域の光に対する吸収性の少ない特性を有する窒
素、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトン等のガ
ス、またはそれらの混合ガス（以下、「低吸光物質」あ
るいは「特定ガス」という）に交換（置換）される。

【００５７】また、光路空間ＬＳ内の吸光物質の濃度を
低減する方法として、上述した光路空間ＬＳ内のガスを
特定ガスで置換する他に、光路空間ＬＳを減圧すること
によっても実現することができ、ガス置換と同様の効果
が得られる。

【００５８】さらに、マスクＭは、外部から光路空間Ｌ
Ｓ内（マスク室５内）に搬入されてマスクホルダー５１
上にロードされた後、露光光が照射され、マスクＭに形
成されたパターンの像がウェーハＷの各ショット領域に
転写された後に再び装置外に搬出される。このマスクＭ
の搬入・搬出時にマスクＭとともに外気（大気）がマス
ク室５内部に混入する場合がある。このとき、外気は酸
素等の吸光物質を含んでいるため、露光光ＥＬを著しく
吸収してしまい、許容できない透過率低下や透過率変動
を招くことになる。

【００５９】したがって、マスク室５へのマスクＭの搬
入に先だって、マスク室５に隣接するマスクガス置換室
７にマスクＭを一時的に収容し、不図示のガス置換装置
によってこのマスク室５及びマスクガス置換室７内の吸
光物質の濃度を低減させた後、マスクガス置換室７から
マスクＭをマスク室５に搬入することにより、マスク室
５への外気の混入を防いでいる。

【００６０】同様に、ウェーハ室６へのウェーハＷの搬
入に先だって、ウェーハ室６に隣接するウェーハガス置
換室１０にウェーハＷを一時的に収容し、不図示のガス
置換装置によってこのウェーハ室６及びウェーハガス置
換室１０内の吸光物質の濃度を低減させた後、ウェーハ
ガス置換室１０からウェーハＷをウェーハ室６に搬入す
ることにより、ウェーハ室６への外気の混入を防いでい
る。

【００６１】ガス置換装置は、前記各室内のガスを排気
する排気装置と、前記各室内に特定ガス（置換ガス）を
給気する給気装置とを備えている。これら排気装置及び
給気装置の給気量及び排気量は制御部９の指示に基づい
て調整される。

【００６２】なお、各室２０、５、３０、６、７、１０
に接続された特定ガスの給気管路、及び各室内のガス
（吸光物質または吸光物質と特定ガスの混合ガス）の排
気管路中にエアフィルタ及びケミカルフィルタを設け、
各室内のガスを循環させてもよい。この場合、循環され
るガス中に含まれる有機物質（この有機物質は各室を構
成する材質や、各室内に存在する配線などから発生する
アウターガスを含むものである）はほどんど除去される
ので、特定ガスを長時間に渡って循環しても、露光に対
して悪影響をほとんど及ぼさない。

【００６３】マスクガス置換室（予備室）７に接続され
るガス置換装置８について、図３を参照しながらさらに
詳しく説明する。マスクガス置換室７は、前述したよう
に、マスクＭの搬入及び搬出時においてマスク室５への
大気の混入を防止するために設けられている。さらに、
このマスクガス置換室７内において、ペリクルＰＥを装
着したマスクＭをマスク室５，すなわち光路空間ＬＳ内
への搬入に先立ち、ペリクルＰＥとマスクＭとの間に形
成される空間ＧＳ内の吸光物質の濃度を低減することに
より、光路空間ＬＳ内への大気の混入あるいは、空間Ｇ
Ｓ内における露光光の吸収をさらに防止することができ
る。

【００６４】この場合、マスクガス置換室７内のガスを
特定ガスに置換することにより、ペリクルＰＥとマスク
Ｍとの間に形成される空間ＧＳ内のガス（ここで言うガ
スは、クリーンルーム内の空気、あるいは大気を示す）
を金枠ＰＦに設けられ、かつ空間ＧＳに連通する通気孔
ｈから特定ガスに置換する。このとき、マスクガス置換
室７内のガス置換する際に行われる排気及び給気動作に
よって、マスクガス置換室７内部には圧力変化が生じ、
この圧力変化によって、ペリクルＰＥは変位する。

【００６５】マスクガス置換室７に接続されるガス置換
装置８は、ペリクルＰＥを装着したマスクＭを収容する
マスクガス置換室７内のガスを排気する排気装置８０
と、排気に伴うペリクルＰＥの変位を計測する変位計測
装置８５と、この変位計測装置８５の計測結果に基づい
て、ペリクルＰＥの変位が所定範囲になるように、マス
クガス置換室７内のガスの排気量を調整する制御部９と
を備えている。排気装置８０は、マスクガス置換室７内
に連通する排気管路と、この排気管路を介してマスクガ
ス置換室７内部のガスを排気する排気ポンプＶＰ１と、
排気管路の途中に設けられた排気弁８４とを備えてい
る。

【００６６】さらに、このガス置換装置８は、マスクガ
ス置換室７に特定ガスを給気する給気装置８１を備え、
制御部９は、ペリクルＰＥの変位が所定範囲になるよう
に、給気装置８１による給気量を調整する。給気装置８
１は、マスクガス置換室７内に連通する給気管路と、給
気管路の途中に設けられた給気弁８３とを備えている。

【００６７】変位計測装置８５は、ペリクルＰＥの変位
を計測するものであって、マスクガス置換室７の隔壁７
０に設置されている。この変位計測装置８５にはレーザ
ー変位センサを始めとする種々の変位センサを用いるこ
とができる。例えば、レーザー変位センサを用いる場
合、変位計測装置８５からの投光光はペリクルＰＥで反
射し、ディテクタに受光される。なお、変位計測装置８
５をマスクガス置換室７の隔壁７０の内側に設置するこ
とも可能である。変位計測装置８５からの出力信号は、
制御部９に送られる。変位計測装置８５はペリクルＰＥ
の中央領域（すなわち、金枠ＰＦに取付けられた周辺領
域から離れた領域であって、該周辺領域に対して、変位
量が大きい領域）を計測対象としている。

【００６８】制御部９には、ペリクルＰＥの変位に関す
る情報を記憶した記憶装置８６Ａが接続されている。こ
の情報とは、ペリクルＰＥが破損しない程度の変位に関
するデータである。すなわち、記憶装置８６Ａには、ペ
リクルＰＥが破損しない変位の範囲（所定範囲）が予め
記憶されている。この所定範囲内においては、ペリクル
ＰＥは破損しないように設定されている。このペリクル
ＰＥの変位の所定範囲は、予め実験によって求めること
ができる。

【００６９】制御部９は、変位計測装置８５による計測
結果と、記憶装置８６Ａに記憶されている変位に関する
情報とを比較し、ペリクルＰＥの変位が所定範囲になる
ように、排気弁８４の開閉及び排気ポンプＶＰ１の作動
・停止、給気弁８３の開閉及び給気ポンプＰ５の作動・
停止を行う。

【００７０】このような構成を持つガス置換装置８を備
えた露光装置１を用いて、ペリクルＰＥが金枠ＰＦを介
して装着されたマスクＭに露光光ＥＬを照射してマスク
Ｍのパターンの像をウェーハＷ上に転写する露光方法に
ついて説明する。

【００７１】本実施形態における露光方法は、露光工程
に先立ち、光路空間ＬＳ内の吸光物質をガス置換装置に
より低減する工程と、光路空間ＬＳ内に大気の混入を防
止するために設けられたマスクガス置換室７及びウェー
ハガス置換室１０に外部からマスクＭ及びウェーハＷを
それぞれ搬入する工程と、マスクＭ及びウェーハＷをそ
れぞれ収容したマスクガス置換室７及びウェーハガス置
換室１０内の吸光物質を低減する工程と、このマスクガ
ス置換室７及びウェーハガス置換室１０からマスク室５
及びウェーハ室６にマスクＭ及びウェーハＷをそれぞれ
搬入する工程と、このマスクＭのパターンの像をウェー
ハＷ上に転写する露光工程と、露光工程を終えたマスク
Ｍ又はウェーハＷを露光装置１外に搬出する工程とを備
えている。

【００７２】まず、制御部９は、各室内のガスを排気す
る排気装置と、各室内に特定ガスを給気する給気装置と
を制御し、光路空間ＬＳ内の吸光物質を低減する。すな
わち、照明系ハウジング２０、マスク室５、投影系ハウ
ジング３０、ウェーハ室６のそれぞれの内部の吸光物質
を低減する。この際、給気装置から供給する特定ガスの
量は、各室内の気圧が、大気圧より僅かに高く、具体的
には、大気圧に対し１〜１０％程度高くなるように制御
される。このように、各室内の気圧を大気圧に対し１〜
１０％程度高くすることにより、外気の混入（リーク）
を防止できる。

【００７３】上述のような方法と同様な方法で、マスク
室５、投影系ハウジング３０、ウェーハ室６の各室の吸
光物質の低減を行う。

【００７４】次に、マスクＭが露光装置１に搬入される
際の動作について説明する。まず、制御部９は、マスク
ケース１０３中に収納され、マスクライブラリＭＬに保
管されているマスクＭを、マスク搬送機構１０２によっ
てマスクライブラリＭＬ内のマスクケース１０３から取
り出す。マスク搬送機構１０２は、制御部９の指示に基
づき、マスクＭをマスクガス置換室７に向けて搬送す
る。制御部９は、マスクＭを保持するマスク搬送機構１
０２がマスクガス置換室７に対して所定距離内に近づい
た時点で、開閉扉７５を開放する。このとき、マスクガ
ス置換室７とマスク室５との境界である開口部５４は、
開閉扉５５によって閉鎖されている。

【００７５】次に、制御部９は、マスクＭを保持したマ
スク搬送機構１０２を開口部７４を介してマススガス置
換室７内に侵入させ、マスクＭをマスク搬送機構１０２
からマスクローダ１０１に渡す。

【００７６】上記のマスク搬送機構１０２のマスクガス
置換室７内への侵入に際し、外側の開閉扉７５が開放さ
れて外気がマスクガス置換室７内に流入するが、内側の
開閉扉５５は閉鎖されているので、外気中の酸素等の吸
光物質がマスク室５（光路空間ＬＳ）内に混入すること
はない。

【００７７】マスクＭがマスクローダ１０１に渡された
後、制御部９はマスク搬送機構１０２を開口部７４を介
してマスクガス置換室７の外部に退避させ、開閉扉７５
を閉じる。

【００７８】開閉扉７５を閉じることにより、マスクガ
ス置換室７は密閉された空間となる。すなわち、ペリク
ルＰＥを装着したマスクＭは、密閉室であるマスクガス
置換室７に収容される状態となる。制御部９は、排気装
置８０により、このペリクルＰＥを装着したマスクＭを
収容するマスクガス置換室７内のガスを排気する。すな
わち、制御部９は、排気弁８４を開くとともに、排気ポ
ンプＶＰ１を作動し、マスクガス置換室７内の減圧を開
始する。

【００７９】マスクガス置換室７内のガスの排気による
減圧に伴い、ペリクルＰＥとマスクＭとの間に形成され
る空間ＧＳ内のガスが、金枠ＰＦの複数の通気孔ｈ（図
3では１つのみ図示）から排気される。このとき、通気
孔ｈの径は小さいため、空間ＧＳ内のガスが外部（マス
クガス置換室７内部）に排出される量は少ない。すなわ
ち、空間ＧＳ内のガスの排気量と排気装置８０によるマ
スクガス置換室７内のガスの排気量とが異なるので、マ
スクガス置換室７内の圧力Ｐｒ１と空間ＧＳ内の圧力Ｐ
ｒ２との間には差が生じる。

【００８０】この圧力差によって、ペリクルＰＥは変位
する。ペリクルＰＥの変位は変位計測装置８５によって
計測される。変位計測装置８５の出力は制御部９に送ら
れ、制御部９は、このペリクルＰＥの変位が所定範囲に
なるように、排気装置８０を制御してマスクガス置換室
７内のガスの排気量を調整する。すなわち、制御部９
は、変位計測装置８５の計測結果と、記憶装置８６Ａに
記憶されているペリクルＰＥの変位に関する情報（所定
範囲）とを比較し、ペリクルＰＥの変位が所定範囲以上
にならないように排気弁８４の開閉及び排気ポンプＶＰ
１の出力の調整を行う。

【００８１】この場合、制御部９は、ペリクルＰＥの変
位が所定範囲より小さい場合には、排気装置８０に、マ
スクガス置換室７内のガスの排気量を多くするよう指示
する。一方、ペリクルＰＥの変位が所定範囲より大きい
又は大きくなる直前である場合には、ガスの排気量を小
さくするよう指示する。

【００８２】制御部９は、変位計測装置８５によってペ
リクルＰＥの変位を計測しつつ、マスクガス置換室７内
部に設けられた圧力センサの出力をモニタしながら、マ
スクガス置換室７内が、例えば０．１Ｐａ程度まで減圧
された時点で、排気弁８４を閉じるとともに排気ポンプ
ＶＰ１を停止する。

【００８３】次いで、制御部９は、給気装置８１によ
り、減圧されたマスクガス置換室７内に特定ガスを給気
する。すなわち、制御部９は、給気弁８３を開放すると
ともに、給気ポンプＰ５を作動する。これにより、ガス
供給装置８２からマスクガス置換室７内への低吸光物質
（特定ガス）の供給が開始される。

【００８４】マスクガス置換室７内への特定ガスの給気
に伴い、ペリクルＰＥとマスクＭとの間に形成される空
間ＧＳ内には、この空間ＧＳに連通する通気孔ｈから特
定ガスが給気される。このとき、通気孔ｈの径は小さい
ため、空間ＧＳ内に外部（マスクガス置換室７内部）か
ら特定ガスが流入する量は小さい。すなわち、空間ＧＳ
内への特定ガスの給気量と給気装置８１によるマスクガ
ス置換室７内のガスの給気量とが異なるので、マスクガ
ス置換室７内の圧力Ｐｒ１と空間ＧＳ内の圧力Ｐｒ２と
の間には差が生じる。

【００８５】この圧力差によって、ペリクルＰＥは変位
する。ペリクルＰＥの変位は変位計測装置８５によって
計測される。変位計測装置８５の出力は制御部９に送ら
れ、制御部９は、このペリクルＰＥの変位が所定範囲に
なるように、給気装置８１を制御してマスクガス置換室
７内への特定ガスの給気量を調整する。すなわち、制御
部９は、変位計測装置８５の計測結果と、記憶装置８６
Ａに記憶されているペリクルＰＥの変位に関する情報
（所定範囲）とを比較し、ペリクルＰＥの変位が所定範
囲以上にならないように、給気弁８３の開閉及び給気ポ
ンプＰ５の出力の調整を行う。

【００８６】この場合、制御部９は、ペリクルＰＥの変
位が所定範囲より小さい場合には、給気装置８１に、マ
スクガス置換室７内への特定ガスの給気量を多くするよ
う指示する。一方、ペリクルＰＥの変位が所定範囲より
大きい又は大きくなる直前である場合には、ガスの給気
量を小さくするよう指示する。

【００８７】この特定ガスの供給開始後、制御部９は、
マスクガス置換室７内部に設けられた圧力センサの出力
に基づいて、内圧が大気圧より僅かに高くなった時点で
給気弁８３を閉じるとともに、給気ポンプＰ５を停止す
る。こうして、ペリクルＰＥとマスクＭとの間に形成さ
れた空間ＧＳ内及びマスクガス置換室７内のガスは、特
定ガスに置換される。

【００８８】マスクガス置換室７内のガスを特定ガスに
置換した後、制御部９は開閉扉５５を開放し、マスクロ
ーダ１０１によりマスクＭをマスク室５内部のマスクホ
ルダー５１上に搬入して、マスクＭのロードを行う。マ
スクローダ１０１を開口部５４を介してマスクガス置換
室７内に戻し、開閉扉５５を閉じる。

【００８９】ウェーハＷを露光装置１内に搬送する動作
について説明する。制御部９は、不図示の基板プリアラ
イメント装置によって露光装置外部から搬送されたウェ
ーハＷのプリアライメント（位置決め）を行う。次い
で、制御部９は、ウェーハ搬送機構１１２によってプリ
アライメントが終了したウェーハＷをウェーハガス置換
室１０に搬送する。制御部９は、ウェーハＷを保持する
ウェーハ搬送機構１１２がウェーハガス置換室１０に対
して所定距離内に近づいた時点で、開閉扉１０５を開放
する。このとき、ウェーハガス置換室１０とウェーハ室
６との境界である開口部６４は、開閉扉６５によって閉
鎖されている。

【００９０】次に、制御部９は、ウェーハＷを保持した
ウェーハ搬送機構１１２を開口部１０４を介してウェー
ハガス置換室１０内に侵入させ、ウェーハＷをウェーハ
搬送機構１１２からウェーハローダ１１１に渡す。

【００９１】上記のウェーハ搬送機構１１２のウェーハ
ガス置換室１０内への侵入に際し、外側の開閉扉１０５
が開放されて外気がウェーハガス置換室１０内に流入す
るが、内側の開閉扉６５は閉鎖されているので、外気中
の酸素等の吸光物質がウェーハ室６（光路空間ＬＳ）内
に混入することはない。

【００９２】ウェーハＷがウェーハローダ１１１に渡さ
れた後、制御部９はウェーハ搬送機構１１２を開口部１
０４を介してウェーハガス置換室１０の外部に退避さ
せ、開閉扉１０５を閉じる。

【００９３】次に、制御部９は排気弁１１４を開くとと
もに、不図示の排気ポンプを作動し、ウェーハガス置換
室１０内の減圧を開始する。制御部９は、ウェーハガス
置換室１０内部に設けられた圧力センサの出力をモニタ
しながらウェーハガス置換室１０内が例えば０．１Ｐａ
程度まで減圧された時点で、排気弁１１４を閉じるとと
もに排気ポンプを停止する。

【００９４】上記の減圧により、ウェーハガス置換室１
０内から酸素等の吸光物質が除去される。なお、この場
合、ウェーハガス置換室１０内が減圧されるため、仮に
外部からウェーハガス置換室１０内にウェーハＷを搬入
した時点で、そのウェーハＷの表面又は裏面に水が吸着
していたとしても、そのほとんどは上記の減圧によって
ウェーハＷから除去されるので、ウェーハＷに吸着した
水によってウェーハ室６が汚染されるという事態の発生
を未然に防ぐことができる。これにより、ウェーハＷの
表面に吸着した水の層が露光光を強烈に吸収し、かつ分
解されることにより、必要な露光光が増大し、結果的に
真の露光量が不安定になるという事態の発生を未然に防
止することもできる。

【００９５】次いで、制御部９は給気弁１１３を開放す
る。これにより、ガス供給装置８２からウェーハガス置
換室１０内への低吸光物質（特定ガス）の供給が開始さ
れる。この特定ガスの供給開始後、制御部９は、ウェー
ハガス置換室１０内部に設けられた圧力センサの出力に
基づいて、内圧が上記の所定の目標圧力になった時点で
給気弁１１３を閉じる。

【００９６】その後、制御部９は、開閉扉６５を開放
し、ウェーハローダ１１１によりウェーハＷをウェーハ
室６内のウェーハホルダー６１上に搬入して、ウェーハ
Ｗのロードを行う。ウェーハローダ１１１を開口部６４
を介してウェーハガス置換室１０内に戻し、開閉扉６５
を閉じる。

【００９７】マスクホルダー５１に保持されたマスクＭ
に露光光ＥＬを照射することにより、マスクＭに形成さ
れたパターンの像を、ウェーハホルダー６１に保持され
たウェーハＷに転写する露光処理が行われる。

【００９８】ウェーハＷに対する露光処理を終えたら、
制御部９は、露光処理済みのウェーハＷを露光装置１外
へ搬出するために、開閉扉６５を開け、ウェーハローダ
１１１を開口部６４を介してウェーハ室６内に移動す
る。制御部９は、ウェーハローダ１１１によりウェーハ
Ｗをウェーハホルダー６１からアンロードし、ウェーハ
Ｗを保持したウェーハローダ１１１を開口部６４を介し
てウェーハガス置換室１０内に戻し、開閉扉６５を閉じ
る。

【００９９】次いで、制御部９は開閉扉１０５を開け、
ウェーハ搬送機構１１２を開口部１０４を介してウェー
ハガス置換室１０内に侵入させ、ウェーハＷをウェーハ
ローダ１１１からウェーハ搬送機構１１２に渡す。ウェ
ーハＷがウェーハ搬送機構１１２に渡された後、制御部
９はウェーハＷを保持したウェーハ搬送機構１１２を開
口部１０４を介してウェーハガス置換室１０の外部に退
避させ、開閉扉１０５を閉じる。

【０１００】その後、ウェーハ搬送機構１１２によって
ウェーハＷが外部搬送機構に渡され、この外部搬送機構
によって露光装置１外へ搬送される。

【０１０１】本実施形態では、照明光学系２の照明系ハ
ウジング２０、マスク室５、投影光学系３の投影系ハウ
ジング３０、ウェハ室のそれぞれに形成された内部空間
だけでなく、ペリクルＰＥとマスクＭに形成されたパタ
ーン面との間の空間も特定ガスで満たすようにしてい
る。そのため、ペリクルＰＥを装着したマスクＭを密閉
室であるマスクガス置換室７内に収容し、このマスクガ
ス置換室７内において、ペリクルＰＥとマスクＭとの間
に形成される空間ＧＳのガスを特定ガスに置換してい
る。したがって、光源２１からウェーハＷまでの露光光
の光路空間ＬＳには吸光物質が混入しない。マスクガス
置換室７内において空間ＧＳのガスを特定ガスに置換す
る際、まず、マスクガス置換室７内のガスを排気するこ
とにより空間ＧＳ内のガスを排気するが、ペリクルＰＥ
の変位が所定範囲になるようにマスクガス置換室７内の
ガスの排気量を調整することにより、ペリクルＰＥの破
損を防ぎつつ安定したガスの排気を行うことができる。
同様に、空間ＧＳ内への特定ガスの給気の際も、ペリク
ルＰＥの変位が所定範囲になるようにマスクガス置換室
７内への特定ガスの給気量が調整されるので、ペリクル
ＰＥの破損を防止しつつ、安定したガス置換が行える。

【０１０２】この場合、マスクガス置換室７内に対する
ガスの排気量及び給気量の調整は、ペリクルＰＥの変位
を計測し、この計測結果に基づいて行われるので、ペリ
クルＰＥの破損は確実に防止される。ペリクルＰＥの変
位が所定範囲以下である場合にはガスの排気量又は給気
量を多くし、所定範囲以上である場合にはガスの排気量
又は給気量を少なくするといった制御が可能となるの
で、空間ＧＳ内のガス置換に要する時間を短縮すること
ができ、効率の良い安定したガス置換を行うことができ
る。

【０１０３】なお、ペリクルＰＥの変位を計測しつつこ
の変位が所定範囲になるように、マスクガス置換室７内
のガスの排気とマスクガス置換室７内への特定ガスの給
気とを同時に行うことももちろん可能である。すなわ
ち、制御部９は、変位計測装置８５によるペリクルＰＥ
の変位を計測しながら、この変位が所定範囲におさまる
ように、排気装置８０と給気装置８１とを同時に制御し
つつ作動することができる。

【０１０４】次に、本発明のガス置換方法及びガス置換
装置を備えた露光装置の第２実施形態について図４
（ａ）および図４（ｂ）を参照しながら説明する。前述
した第１実施形態と同一もしくは同等の構成部分につい
ては、同一の符号を用いるとともに、その説明を簡略も
しくは省略する。

【０１０５】図４（ａ）において、ペリクルＰＥを金枠
ＰＦを介して装着したマスクＭを収容するマスクガス置
換室（予備室）７には、マスクガス置換室７内のガスを
排気する排気装置８０と、このマスクガス置換室７内の
圧力を計測する圧力センサ（圧力計測装置）８７と、マ
スクガス置換室７に特定ガスを給気する給気装置８１と
が設けられている。また、圧力センサ８７には制御部９
が接続しており、圧力センサ８７からの出力信号は制御
部９に送られる。制御部９は、圧力センサ８７の計測結
果に基づいて、排気装置８０を制御するように設けられ
ている。

【０１０６】さらに、制御部９には、マスクガス置換室
７内の圧力変化とマスクガス置換室７内に収容されるマ
スクＭに装着されたペリクルＰＥの変位との関係を予め
記憶した記憶装置８６Ｂが接続されている。具体的に
は、記憶装置８６Ｂは、マスクガス置換室７内のガスの
排気に伴う圧力変化によってペリクルＰＥが破損しない
程度の排気速度に関するデータを記憶している。

【０１０７】図４（ｂ）を参照しながら説明すると、単
純に排気ポンプＶＰ１と排気バルブ８４とを開けた場合
には、曲線Ｌ１で示されるように、排気開始直後にはマ
スクガス置換室７内の圧力は急激に低下するため、マス
クガス置換室７内の圧力Ｐｒ１と空間ＧＳ内の圧力Ｐｒ
２との圧力差が大きくなり、ペリクルＰＥが破損する恐
れがある。一方、排気が進むにつれて排気速度は小さく
なり排気に要する時間が長くなる。なお、図４（ｂ）に
示すグラフにおいて、縦軸はマスクガス置換室７内およ
び空間ＧＳの圧力を、横軸は排気時間を示しており、排
気時間０の時、空間ＧＳおよびマスクガス置換室７内の
圧力は、大気圧（または１気圧）Ｐ０となる。

【０１０８】詳述すると、空間ＧＳのガスを置換するに
際し、はじめにマスクガス置換室７内を、例えば０．１
Ｐａ程度まで減圧し、続いて特定ガスを満たす方法とす
ることによって効率の良いガス置換が行えるが、マスク
ガス置換室７内を減圧する場合、単純に排気ポンプＶＰ
１を駆動するとともに排気弁８４を開けた場合には、有
効排気速度（単位時間当たりの排気するガスの体積とそ
のときの圧力との積）Ｓは、排気ポンプの排気速度Ｓｐ
と排気管路のコンダクタンスＣとによって、以下のよう
に表すことができる。Ｓ＝（Ｓｐ＋Ｃ）／Ｓｐ・Ｃ（１）Ｃ＝ｋＰ・ｄ⁴ ／Ｌ（２）ｋ：排気系の特性によるパラメータｄ：排気管路の径Ｌ：排気管路の長さＰ：排気管路の平均圧力なお、この場合、通気孔を介した空間ＧＳからのガスの
排気量Ｑは、以下のように表すことができる。Ｑ＝Ｓ（Ｐｒ２−Ｐｒ１）（３）式（１）、（２）より、マスクガス置換室７内のガスを
排気する際、排気開始直後における排気速度は大きく、
排気が進みマスクガス置換室７内の圧力が低下するにし
たがって排気速度は小さくなる。すなわち、排気が進む
につれてマスクガス置換室７内は減圧しにくくなる。し
たがって、例えば大口径の排気管路を用いて排気を行え
ば時間の短縮にはなるが、排気開始直後にペリクルＰＥ
が破損する恐れがある。一方、排気管路を小口径にすれ
ばペリクルＰＥの破損は防止されるが、排気に要する時
間が長くなり、作業効率が低くなる。

【０１０９】そのため、排気開始直後にはペリクルＰＥ
が破損しない程度に排気速度を低くし、排気が進むにつ
れて排気速度が大きくなるように排気装置８０を駆動す
ることにより、効率の良い排気が行える。したがって、
記憶装置８６Ｂには、曲線Ｌ２で表されるように、理想
的な排気速度（排気時間と圧力変化との関係）に関する
情報が記憶されている。

【０１１０】この曲線Ｌ２の傾きは、ペリクルＰＥが破
損せず、且つ排気時間を短縮できるように求められた値
であって、予め、実験等によって求められる。制御部９
は、圧力センサ８７の出力信号を検出しつつ、この理想
曲線Ｌ２（データテーブル）を参照し、圧力センサ８７
の出力信号と理想曲線Ｌ２との差がほぼ無くなる、ある
いは所定の範囲内におさまるように、排気装置８０を制
御し、排気量の調整を行う。すなわち、排気開始直後の
排気速度を低くし、排気が進んだ段階で排気速度を高く
する等の制御を行う。このように、ペリクルＰＥの破損
を防止しつつ排気に要する時間を短縮することができ
る。

【０１１１】このように、マスクガス置換室７内の圧力
変化を圧力センサ８７により計測し、この計測結果に基
づいて、ペリクルＰＥの変位が所定範囲内になるように
排気量を調整しつつマスクガス置換室７内のガスの排気
を行う。

【０１１２】マスクガス置換室７内の圧力が所定値まで
低下したら、制御部９は、給気装置８１により特定ガス
をマスクガス置換室７内に供給する。こうして、ペリク
ルＰＥとマスクＭとの間に形成される空間ＧＳのガスは
特定ガスに置換される。この場合の特定ガスの給気の速
度に関しても理想曲線が予め設定されており、制御部９
はこの理想曲線と圧力センサ８７からの出力信号との差
がほぼ無くなる、あるいは所定の範囲内におさまるよう
に、給気装置８１を制御し、給気量の調整を行う。

【０１１３】このガス置換を施されたマスクＭを光路空
間ＬＳであるマスク室５に搬入し、第１実施形態と同様
の手順で露光処理を行う。

【０１１４】このように、マスクガス置換室７内の圧力
を計測し、この計測結果に基づいて、マスクガス置換室
７内の圧力が理想曲線Ｌ２に沿うように排気量を調整す
ることによって、ペリクルＰＥの変位を所定範囲内に収
めることができる。したがって、ペリクルＰＥの破損は
確実に防止される。さらに、ガス置換に要する時間を短
縮することができる。

【０１１５】なお、上述の方法は、マスクガス置換室７
内の圧力Ｐｒ１をモニターしながら理想曲線（データテ
ーブル）Ｌ２を参照しつつ排気量の調整を行う、いわゆ
るフィードバック制御であるが、排気装置８０による排
気量を理想曲線Ｌ２に沿うように予め設定しておいた状
態で排気装置８０を駆動する、いわゆるオープンループ
制御とすることもできる。この場合、記憶装置８６Ｂを
省略した構成とすることができる。

【０１１６】また、本実施形態における理想曲線Ｌ２は
直線状となっているが、ペリクルＰＥが破損しないよう
にペリクル内外の圧力差を抑えるようにするために、例
えば、排気開始直後の排気速度を低く設定し、排気が進
むにつれて排気速度を上昇させてもよい。この場合、理
想曲線Ｌ２は曲線状になる。

【０１１７】なお、上記各実施形態においては、マスク
ガス置換室７のガスを例えば０．１Ｐａ程度まで排気し
た後、特定ガスを大気圧より僅かに高くなるまで給気す
るという構成であるが、１回のガス置換において、給気
と排気とを複数回に設定して行ってもよい。すなわち、
例えば、排気によってマスクガス置換室７を１００Ｐａ
まで排気した後、特定ガスと給気して一旦、大気圧程度
まで圧力を上昇させ、この状態から再び排気を行い、特
定ガスを給気するといった方法を採用することも可能で
ある。この場合、排気及び給気の制御が容易に行えると
ともに、処理時間はさらに短縮される。すなわち、圧力
が高い状態における排気（例えば１００Ｐａ程度から１
０Ｐａ程度までの排気）は容易に短時間で行えるが、圧
力が低い状態における排気（例えば１Ｐａ程度から０．
１Ｐａ程度までの排気）は、制御が困難であるととも
に、排気に時間を要する。したがって、目標の吸光物質
濃度を得るために、排気及び給気動作を複数回に分割し
て行うことにより、効率の良いガス置換が行える。

【０１１８】次に、本発明のガス置換方法及びガス置換
装置を備えた露光装置の第３実施形態について図５
（ａ）および図５（ｂ）を参照しながら説明する。前述
した第１、第２実施形態と同一もしくは同等の構成部分
については、同一の符号を用い、その説明を簡略もしく
は省略する。

【０１１９】図５（ａ）において、ペリクルＰＥを装着
したマスクＭを収容するマスクガス置換室（予備室）７
には、マスクガス置換室７内のガスを排気する排気装置
８０と、このマスクガス置換室７内の圧力を計測する圧
力センサ（圧力計測装置）８７と、マスクガス置換室７
に特定ガスを給気する給気装置８１とが設けられてい
る。また、圧力センサ８７には制御部９が接続してお
り、圧力センサ８７からの出力信号は制御部９に送られ
る。制御部９は、圧力センサ８７の計測結果に基づい
て、給気装置８１を制御するように設けられている。

【０１２０】さらに、制御部９には、マスクガス置換室
７内の圧力変化とマスクガス置換室７内に収容されるマ
スクＭに装着されたペリクルＰＥの変位との関係を予め
記憶した記憶装置８６Ｃが接続されている。

【０１２１】具体的には、記憶装置８６Ｃは、図５
（ｂ）に示すような、マスクガス置換室７内のガス置換
に伴う圧力変化によってペリクルＰＥが破損しない程度
の給気及び排気速度に関するデータ（理想曲線）Ｌ３を
記憶している。なお、図５（ｂ）に示すグラフにおい
て、縦軸はマスクガス置換室７、空間ＧＳの圧力を、横
軸は排気時間を示しており、排気時間０の時、空間Ｇ
Ｓ、マスクガス置換室７内の圧力は、大気圧（または１
気圧）Ｐ０となる。

【０１２２】このような構成を持つガス置換装置の動作
について説明する。本実施形態においては、排気装置８
０はマスクガス置換室７内のガスを、排気弁８４及び排
気ポンプＶＰ１を単純に開けた状態で排気し、一方、給
気装置８１がマスクガス置換室７内の圧力を理想曲線Ｌ
３に沿うように特定ガスを供給する。

【０１２３】すなわち、マスクガス置換室７内のガスの
排気を行いつつ、室内の圧力が理想曲線Ｌ３に沿うよう
に、マスクガス置換室７への特定ガスの給気を行う。こ
の場合、制御部９は、圧力センサ８７の計測結果と理想
曲線Ｌ３とを比較し、これらの差がほぼ無くなるあるい
は所定の範囲内におさまるように、給気装置８１による
特定ガスの給気量の調整を行う。

【０１２４】この場合、もちろん、排気装置８０の排気
量を同時に調整することも可能である。すなわち、マス
クガス置換室７へ特定ガスを給気するに際し、給気に伴
うペリクルＰＥの変位が所定範囲になるように、特定ガ
スの給気量又はマスクガス置換室７内のガスの排気量の
少なくとも一方を調整することも可能である。

【０１２５】上述のように、マスクガス置換室７内のガ
スの排気と特定ガスの給気とを同時に行いつつ、マスク
ガス置換室７内の圧力が所定値（例えば、０．１Ｐａ）
まで達したら、制御部９は、排気装置８０を停止する。
次いで、制御部９は、圧力センサ８７によってマスクガ
ス置換室７内の圧力を計測しつつ、理想曲線Ｌ３に沿う
ように、給気装置８１による特定ガスの給気を行う。マ
スクガス置換室７の圧力が、例えば大気圧より僅かに高
くなったら、制御部９は給気装置８１を停止する。

【０１２６】このように、マスクガス置換室７内のガス
置換を行うに際し、特定ガスを給気しつつ、室内のガス
の排気を行うことにより、より短時間のうちに、マスク
ガス置換室７内を目標の吸光物質濃度にすることができ
る。

【０１２７】この場合においても、マスクガス置換室７
内の圧力を所定値まで減圧し、一旦、特定ガスを給気す
ることによって大気圧程度まで上昇させ、この状態から
再び排気を行い、特定ガスを給気するといった、ガス置
換動作を複数回に分割する方法を採用することが可能で
ある。このように、目標の吸光物質濃度を得るために、
ガスの排気と給気とを同時に行うとともにガス置換動作
を複数回に分割して行うことにより、効率の良いガス置
換が行える。換言すれば、同じ処理時間もしくは処理回
数であっても、ガスの排気と給気とを同時に行うことに
より、より純度の高いガス置換を行うことができる。

【０１２８】なお、本実施形態においても、マスクガス
置換室７内の圧力Ｐｒ１をモニターしながら理想曲線Ｌ
３を参照しつつ排気量の調整を行う、いわゆるフィード
バック制御を採用する他に、給気装置８１による給気量
を理想曲線Ｌ３に沿うように予め設定しておいた状態で
給気装置８１を駆動する、いわゆるオープンループ制御
とすることができる。

【０１２９】次に、本発明のガス置換方法及びガス置換
装置を備えた露光装置の第４実施形態について図６、図
７を参照しながら説明する。前述した各実施形態と同一
もしくは同等の構成部分については、同一の符号を用い
るとともに、その説明を簡略もしくは省略する。

【０１３０】上述した各実施形態におけるガス置換は、
マスクＭとペリクルＰＥとの間に形成される空間ＧＳの
ガス置換を密閉室内に配置し、密閉室内のガスを置換す
ることによって、通気孔ｈを介して空間ＧＳのガスを特
定ガスにガス置換を行うが、本実施形態におけるガス置
換方法は、空間ＧＳのガスを直接置換する。

【０１３１】本実施形態に関わるガス置換装置８９は、
図６、図７に示すように、マスクＭとペリクルＰＥとの
間に形成される空間ＧＳ内のガスを排気する排気装置９
０と、空間ＧＳ内に特定ガスを給気する給気装置９２
と、ペリクルＰＥの変位を計測する変位計測装置９１
と、変位計測装置９１の計測結果に基づいて、ペリクル
ＰＥの変位が所定範囲になるように、ガスの給気量又は
排気量の少なくとも一方を調整する制御部９とを備えて
いる。

【０１３２】すなわち、排気装置９０は、金枠ＰＦに設
けられ空間ＧＳに連通する通気孔ｈに装着される排気管
９３と、この排気管９３に設けられた排気弁９３ａと、
排気ポンプ９５とを備えている。一方、給気装置９２
は、空間ＧＳに連通する通気孔ｈに装着される給気管９
４と、この給気管９４に設けられた給気弁９４ａと、不
図示の特定ガス供給源９６とを備えている。これら排気
管９３及び給気管９４にもパーティクルを除去するエア
フィルタと、吸光物質を除去するケミカルフィルタとが
設けられている。

【０１３３】制御部９には、ペリクルＰＥの変位に関す
る情報を記憶した記憶装置８６Ｄが接続されている。こ
の情報とは、ペリクルＰＥが破損しない程度の変位に関
するデータである。すなわち、記憶装置８６Ｄには、ペ
リクルＰＥが破損しない変位の範囲（所定範囲）が予め
記録されている。この所定範囲内においては、ペリクル
ＰＥは破損しないように設定されている。このペリクル
ＰＥの変位の所定範囲は、予め実験によって求めること
ができる。

【０１３４】制御部９は、変位計測装置９１による計測
結果と、記憶装置８６Ｄに記憶されている変位に関する
情報とを比較し、ペリクルＰＥの変位が所定範囲になる
ように、排気弁９３ａの開閉及び排気ポンプ９５の作動
・停止、給気弁９４ａの開閉及び給気ポンプ９６の作動
・停止を行う。

【０１３５】図７に示すように、排気装置９０と金枠Ｐ
Ｆに設けられた通気孔ｈとの接続部分のうち、金枠ＰＦ
の空間ＧＳ側の側壁には、開閉蓋９７が設けられてい
る。この開閉蓋９７は、ばね９８、９９等により常時金
枠ＰＦの側壁に向けて付勢されている。このため、開閉
蓋９７に対して外部から何らの力も作用しない状態で
は、この開閉蓋９７は金枠ＰＦの側壁に密着して通気孔
５３を気密性良く閉鎖している。

【０１３６】金枠ＰＦの外側には支持板２００が設けら
れており、支持板２００の外面には、この支持板２００
の板面にほぼ垂直にガイド部材２０１が設けられてい
る。このガイド部材２０１を往復移動する可動部材２０
２が排気装置９０の排気管９３の先端部に一体的に固定
されている。また、排気管９３の先端部は、支持板２０
０に形成された開口部内に常時挿入されている。

【０１３７】したがって、可動部材２０２を、図７にお
ける左側に駆動することにより、排気管９３の先端部の
最先端部が金枠ＰＦの通気孔ｈに挿入される。これによ
り、開閉蓋９７は内部（空間ＧＳ側）に開き、図７に示
される状態となる。排気管９３の最先端部近傍の周囲に
は、シール材２０４が設けられており、これにより排気
管９３の先端部を通気孔ｈに挿入した状態で、外気が空
間ＧＳ内部に侵入することを防止している。

【０１３８】一方、給気装置９２の給気管９４と金枠Ｐ
Ｆの通気孔ｈとの接続も、上記のような構成となってい
る。

【０１３９】このような構成を持つガス置換装置８９に
よって、空間ＧＳ内のガス置換を行う場合には、はじめ
に、空間ＧＳ内のガスを、排気装置９０によって所定の
圧力になるまで排気する。このとき、制御部９は、変位
計測装置９１によるペリクルＰＥの変位の計測結果に基
づいて、ペリクルＰＥの変位が所定範囲内におさまるよ
うに排気装置９０の制御を行い、排気量の調整を行う。
例えば、ペリクルＰＥの変位が所定範囲を越えそうであ
る場合には排気量を低減し、変位が所定範囲以下である
場合には、排気量を上昇させる。

【０１４０】次いで、制御部９は、給気装置９２によっ
て空間ＧＳ内に特定ガスを給気する。このとき、制御部
９は、変位計測装置９１によるペリクルＰＥの変位の計
測結果に基づいて、ペリクルＰＥの変位が所定範囲内に
おさまるように給気装置９２の制御を行い、給気量の調
整を行う。

【０１４１】空間ＧＳ内のガスが特定ガスに置換された
ら、制御部９はこのマスクＭをマスクローダにより光路
空間ＬＳ内のマスク室５に搬送する。なお、この空間Ｇ
Ｓ内のガス置換は、例えばマスクガス置換室７をはじめ
とする光路空間ＬＳとは異なる任意の空間において行う
ことができる。あるいは、ガス置換が施される前のペリ
クルＰＥを備えたマスクＭを光路空間ＬＳに配置し、こ
の光路空間ＬＳ内においてガス置換を行うこともでき
る。

【０１４２】また、本実施形態における空間ＧＳのガス
置換は、空間ＧＳ内のガスを排気した後に特定ガスを給
気する方法であるが、例えば、空間ＧＳ内のガスの排気
と空間ＧＳへの特定ガスの給気とを、ペリクルＰＥが所
定範囲になるように制御しつつ同時に行うこともでき
る。

【０１４３】また、上述したガス置換方法は、変位計測
装置９１の計測結果に基づいてガスの排気量又は給気量
の少なくともいずれか一方を調整するが、ペリクルＰＥ
が破損しない程度のガスの排気量、給気量を予め求めて
おき、この求めておいた値に基づいてガス置換を行う、
いわゆるオープンループ制御によってガス置換を行うこ
ともできる。この場合、ガス置換装置は、変位計測装置
９１や記憶装置８６Ｄを省いた構成となる。

【０１４４】また、本実施形態においても、排気を給気
とを複数回に分けて行うことができる。本実施形態にお
いて、排気管９３の途中に、不純物センサ（例えば、酸
素濃度センサ）を配置しておくことによって、空間ＧＳ
内のガス置換の状態を監視することも可能である。ま
た、第２、第３実施形態において、ペリクルＰＥの変位
を計測する変位計測装置を設けて、ペリクルＰＥの変位
状態を監視してもよい。

【０１４５】なお、各実施形態においては、照明系ハウ
ジング２０、マスク室５、投影系ハウジン３０、ウェー
ハ室６、マスクガス置換室７、ウェーハガス置換室１０
の全てに同一種類の特定ガスを供給しているが、これは
ガスの種類を同一にすることにより、一種類のガス（混
合ガスを含む）を用意すれば足りるからである。しかし
ながら、これに限らず、各部に供給する特定ガスとして
異なる種類のガスを用いることは可能である。但し、特
定ガスとして窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン等の単
一ガスを用いる場合には、少なくともマスク室５とマス
クガス置換室７とに供給するガスどうし、ウェーハ室６
とウェーハガス置換室１０とに供給するガスどうしは、
同一のガスを用いることが望ましい。これは、ガスの混
合を避けるためである。

【０１４６】また、各実施形態においては、マスクガス
置換室７は、マスク室５に隣接する構成としているが、
必ずしも隣接されていなくてよい。例えば、マスクライ
ブラリ内に予備室（マスクガス置換室）を設けるととも
に、ライブラリから光路空間ＬＳまでの搬送途中を特定
ガスで満たしておく構成とすることも可能である。同様
に、ウェーハガス置換室１０とウェーハ室６とを必ずし
も隣接させる必要はない。

【０１４７】マスクガス置換室７を２つ設け、一方をマ
スクＭの搬入専用、他方をマスクＭの搬出専用として、
上述した各実施形態のマスク室５からマスクＭを搬出す
る動作とマスク室５にマスクＭを搬入する動作とを並行
して行うようにしてもよい。この場合、搬出専用のマス
クガス置換室７は、搬出に先立ってガス置換を完了して
おく必要があるが、マスクＭのマスク室５への搬入の終
了を待つことなく、マスクガス置換室７から外部にマス
クＭを搬出できるので、マスクＭの交換時間を短縮する
ことができる。同様に、ウェーハガス置換室１０を２つ
設けることにより、ウェーハＷの交換時間を短縮するこ
とができる。

【０１４８】また、各実施形態において、マスクガス置
換室としての機能をマスク室５に持たせてもよい。その
場合は、マスク室５内のガスを特定ガスに置換するに伴
い、空間ＧＳのガス置換も同時に行うことができる。各
実施形態において、マスク室５の隔壁５０、ウェーハ室
６の隔壁６０、マスクガス置換室７の隔壁７０、ウェー
ハガス置換室１０の隔壁１００、照明光学系２の照明系
ハウジング２０、投影光学系３の投影系ハウジング３
０、特定ガスの供給配管等は、研磨などの処理によっ
て、表面粗さが低減されたステンレス（ＳＵＳ）等の材
質を用いているので、脱ガスの発生が抑制されている。

【０１４９】なお、マスク室５は、隔壁５０による第１
のハウジングによって形成され、ウェーハ室６は、隔壁
６０による第２のハウジングによって形成され、マスク
ガス置換室７は、隔壁７０による第３のハウジングによ
って形成され、ウェーハガス置換室１０は、隔壁１００
による第４のハウジングによって形成される。また、金
枠ＰＦに形成される孔の教は、空間ＧＳ内に特定ガスを
供給するための少なくとも一つと、空間ＧＳからガスを
排気するための少なくとも一つとを備えていればよい。
但し、その数は、一つに限定されず、複数であってもよ
い。さらに、各実施形態において、金枠ＰＦを構成する
材料は、金属材料に限定されず、硝材であってもよい。
この硝材は、例えば、蛍石、フッ化リチウムなどのフッ
化物結晶、フッ素を添加したフッ素ド−プ石英であって
もよい。また、投影光学系を構成する光学部材と同様の
材質であってもよい。本発明に係るウェーハＷとして
は、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウェーハのみなら
ず、半導体デバイス用の半導体ウェーハや、液晶表示デ
バイス用のガラスプレートであってもよい。

【０１５０】露光装置１としては、マスクＭとウェーハ
Ｗとを静止した状態でマスクＭのパターンを露光し、ウ
ェーハＷを順次ステップ移動させるステップ・アンド・
リピート方式の露光装置（ステッパー）に限らず、マス
クＭとウェーハＷとを同期移動してマスクＭのパターン
をウェーハＷに露光するステップ・アンド・スキャン方
式の走査型露光装置（スキャニング・ステッパー）にも
適用できる。

【０１５１】露光装置１の種類としては、上記半導体製
造用のみならず、液晶表示デバイス製造用の露光装置
や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはマス
クＭなどを製造するための露光装置などにも広く適用で
きる。

【０１５２】また、照明光学系２の光源２１として、水
銀ランプから発生する輝線（ｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線
（４０４．７ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ））、ＫｒＦエ
キシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ
（１９３ｎｍ）、Ｆ₂ レーザ（１５７ｎｍ）のみなら
ず、Ｘ線や電子線などの荷電粒子線などを用いることが
できる。例えば、電子線を用いる場合には、電子銃とし
て熱電子放射型のランタンヘキサボライト（ＬａＢ
₆ ）、タンタル（Ｔａ）を用いることができる。また、
ＹＡＧレーザや半導体レーザなどの高周波などを用いて
もよい。

【０１５３】投影光学系３の倍率は、縮小系のみなら
ず、等倍系および拡大系のいずれでもよい。

【０１５４】また、投影光学系３としては、エキシマレ
ーザなどの遠紫外線を用いる場合は硝材として石英や蛍
石などの遠紫外線を透過する材料を用い、Ｆ₂ レーザや
Ｘ線を用いる場合は反射屈折系または屈折系の光学系に
し（レチクルも反射型タイプのものを用いる）、また、
電子線を用いる場合には光学系として電子レンズおよび
偏向器からなる電子光学系を用いればいい。なお、電子
線が通過する光路は真空状態にする。

【０１５５】ウェーハステージやマスクホルダーにリニ
アモータを用いる場合には、エアベアリングを用いたエ
ア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用
いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、ウェー
ハステージ、マスクホルダーは、ガイドに沿って移動す
るタイプでもよく、ガイドを設けないガイドレスタイプ
であってもよい。

【０１５６】ステージの駆動装置として平面モ−タを用
いる場合、磁石ユニット（永久磁石）と電機子ユニット
のいずれか一方をステージに接続し、磁石ユニットと電
機子ユニットの他方をステージの移動面側（ベース）に
設ければよい。

【０１５７】ウェーハステージの移動により発生する反
力は、特開平８−１６６４７５号公報に記載されている
ように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃
がしてもよい。本発明は、このような構造を備えた露光
装置においても適用可能である。

【０１５８】マスクステージの移動により発生する反力
は、特開平８−３３０２２４号公報に記載されているよ
うに、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃が
してもよい。本発明は、このような構造を備えた露光装
置においても適用可能である。

【０１５９】以上のように、本願実施形態の露光装置
は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む
各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、
光学的精度を保つように、組み立てることで製造され
る。これら各種精度を確保するために、この組み立ての
前後には、各種光学系については光学的精度を達成する
ための調整、各種機械系については機械的精度を達成す
るための調整、各種電気系については電気的精度を達成
するための調整が行われる。各種サブシステムから露光
装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機
械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等
が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組
み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程
が設けられる。各種サブシステムの露光装置への組み立
て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体
としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造
は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルーム
で行うことが望ましい。

【０１６０】半導体デバイスは、図８に示すように、デ
バイスの機能・性能設計を行うステップ３０１、この設
計ステップに基づいたマスクを製作するステップ３０
２、デバイスの基材となる基板（ウェーハ、ガラスプレ
ート）を製造するステップ３０３、前述した実施形態の
露光装置によりマスクのパターンを基板（ウェーハ）に
露光する基板処理ステップ３０４、デバイス組み立てス
テップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケー
ジ工程を含む）３０５、検査ステップ３０６等を経て製
造される。

【０１６１】

【発明の効果】本発明のガス置換方法及びガス置換装
置、並びに露光方法及び露光装置は以下のような効果を
有するものである。

【０１６２】本発明のガス置換方法及びガス置換装置に
よれば、基板を密閉室内に収容してこの密閉室内のガス
を排気することにより薄膜と基板との間に形成される空
間内のガスを置換するが、薄膜の変位が所定範囲になる
ように密閉室内のガスの排気量を調整することにより、
薄膜の破損を防ぎつつ安定したガス置換を行うことがで
きる。この場合、密閉室内のガスの排気量の調整は、薄
膜の変位を計測し、この計測結果に基づいて行われるの
で、薄膜の破損は確実に防止される。また、密閉室内の
圧力を計測し、この計測結果に基づいて排気量を調整す
ることもでき、この場合も、薄膜の破損は確実に防止さ
れる。一方、密閉室内へ置換ガスを給気するに際し、こ
の給気に伴う薄膜の変位が所定範囲になるように、置換
ガスの給気量を調整することにより、薄膜の破損を防ぎ
つつ安定したガス置換を行うことができる。また、基板
と薄膜との間に形成される空間内のガスを直接置換して
もよく、この場合、薄膜の変位が所定範囲になるように
空間内のガスの排気量及び置換ガスの給気量を調整する
ことにより、薄膜の破損を防止しつつ安定したガス置換
が行われる。

【０１６３】本発明の露光方法及び露光装置によれば、
マスクを予備室内に収容してこの予備室内のガスを特定
ガスに置換することにより保護部材とマスクとの間に形
成される空間内のガスを特定ガスに置換するが、保護部
材の変位が所定範囲になるように予備室内のガスの排気
量を調整することにより、保護部材の破損を防ぎつつ、
空間内のガス置換を安定して行うことができる。したが
って、マスクは空間内の吸光物質を低減した状態で光路
を含む空間に配置されるので、安定した露光処理が行わ
れる。また、予備室内の圧力変化に基づいてガスの排気
量を調整することも可能であり、この場合も、保護部材
の破損を防ぎつつ、空間内のガス置換を安定して行うこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のガス置換装置を備えた露光装置の一実
施形態を示す構成図である。

【図２】薄膜を装着した基板を説明するための図であ
る。

【図３】本発明のガス置換装置の第１実施形態を説明す
るための図である。

【図４】本発明のガス置換装置の第２実施形態を説明す
るための図である。

【図５】本発明のガス置換装置の第３実施形態を説明す
るための図である。

【図６】本発明のガス置換装置の第４実施形態を説明す
るための図である。

【図７】図７のうち管と通気孔との接続部分を説明する
ための図である。

【図８】半導体デバイスの製造工程の一例を示すフロー
チャート図である。

【符号の説明】

１露光装置２照明光学系３投影光学系５マスク室６ウェーハ室７予備室（マスクガス置換室）８、８９ガス置換装置９制御部（制御系）１０ウェーハガス置換室８０、９０排気装置８１、９２給気装置８５、９１変位計測装置８７圧力センサ（圧力計測装置）ＥＬ露光光ＧＳ空間ＬＳ光路空間Ｍマスク（基板）ＰＥペリクル（薄膜、保護部材）Ｗウェーハ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】薄膜を装着した基板を収容する密閉室内
のガスを排気するに際し、該排気に伴う前記薄膜の変位
が所定範囲になるように、前記密閉室内のガスの排気量
を調整することを特徴とするガス置換方法。
【請求項２】請求項１に記載のガス置換方法におい
て、前記薄膜の変位を計測し、該計測結果に基づいて、前記
排気量を調整することを特徴とするガス置換方法。
【請求項３】請求項１に記載のガス置換方法におい
て、前記密閉室内の圧力を計測し、該計測結果に基づいて、
前記排気量を調整することを特徴とするガス置換方法。
【請求項４】請求項１〜３のいずれかに記載のガス置
換方法において、前記密閉室内へ置換ガスを給気するに際し、該給気に伴
う前記薄膜の変位が所定範囲になるように、前記置換ガ
スの給気量又は前記排気量の少なくとも一方を調整する
ことを特徴とするガス置換方法。
【請求項５】基板と該基板に装着される薄膜との間に
形成される空間内のガスを置換するガス置換方法におい
て、前記空間内のガスを排気するに際し、該排気に伴う前記
薄膜の変位が所定範囲になるように、前記空間内のガス
の排気量を調整することを特徴とするガス置換方法。
【請求項６】請求項５に記載のガス置換方法におい
て、前記空間内に置換ガスを給気するに際し、該給気に伴う
前記薄膜の変位が所定範囲になるように、前記置換ガス
の給気量又は前記排気量の少なくとも一方を調整するこ
とを特徴とするガス置換方法。
【請求項７】薄膜を装着した基板を収容する密閉室内
のガスを置換するガス置換装置において、前記密閉室内のガスを排気する排気装置と、前記薄膜の変位を計測する変位計測装置と、前記計測結果に基づいて、前記変位が所定範囲になるよ
うに、前記ガスの排気量を調整する制御系とを備えるこ
とを特徴とするガス置換装置。
【請求項８】薄膜を装着した基板を収容する密閉室内
のガスを置換するガス置換装置において、前記密閉室内のガスを排気する排気装置と、前記密閉室内の圧力を計測する圧力計測装置と、前記計測結果に基づいて、前記薄膜の変位が所定範囲に
なるように、前記ガスの排気量を調整する制御系とを備
えることを特徴とするガス置換装置。
【請求項９】請求項７又は８に記載のガス置換装置に
おいて、前記密閉室に置換ガスを給気する給気装置を備え、前記制御系は、前記薄膜の変位が所定範囲になるよう
に、前記置換ガスの給気量と前記密閉室内のガスの排気
量との少なくとも一方を調整することを特徴とするガス
置換装置。
【請求項１０】基板と該基板に装着される薄膜との間
に形成される空間内のガスを置換するガス置換装置にお
いて、前記空間内のガスを排気する排気装置と、前記薄膜の変位を計測する変位計測装置と、前記計測結果に基づいて、前記変位が所定範囲になるよ
うに、前記ガスの排気量を調整する制御系とを備えるこ
とを特徴とするガス置換装置。
【請求項１１】請求項１０に記載のガス置換装置にお
いて、前記空間内に置換ガスを給気する給気装置を備え、前記制御系は、前記薄膜の変位が所定範囲になるよう
に、前記置換ガスの給気量又は前記排気量の少なくとも
一方を調整することを特徴とするガス置換装置。
【請求項１２】保護部材が装着されたマスクに露光光
を照射して該マスクのパターンの像を基板上に転写する
露光方法において、前記露光光の光路を含む空間もしくは該空間と異なる空
間を有する密閉室内に前記マスクを収容し、前記密閉室内のガスを前記露光光の吸収が少ない特性を
有する特定ガスに置換し、該置換に伴い、前記保護部材とマスクとの間に形成され
る空間内のガスを前記特定ガスに置換し、前記保護部材と前記マスクとの間に形成される空間内の
ガスを前記特定ガスに置換した後、前記マスクに前記露
光光を照射して、該マスクのパターンの像を基板上に転
写することを特徴とする露光方法。
【請求項１３】前記密閉室内のガスを前記特定ガスに
置換する際に、前記密閉室内のガスの排気に伴う前記保
護部材の変位が所定範囲になるように、前記ガスの排気
量を調整することを特徴とする請求項１２に記載の露光
方法。
【請求項１４】前記密閉室内のガスを前記特定ガスに
置換する際に、前記保護部材の変位が所定範囲になるよ
うに、前記密閉室内への前記特定ガスの供給量を調整す
ることを特徴とする請求項１２又は請求項１３に記載の
露光方法。
【請求項１５】前記保護部材の変位は、変位計測装置
によって計測されることを特徴とする請求項１３又は請
求項１４に記載の露光方法。
【請求項１６】前記密閉室内のガスを前記特定ガスに
置換する際に、前記密閉室のガスの排気に伴う該密閉室
内の圧力変化に基づいて、前記密閉室内のガスの排気量
を調整することを特徴とする請求項１２に記載の露光方
法。
【請求項１７】保護部材が装着されたマスクに露光光
を照射して該マスクのパターンの像を基板上に転写する
露光方法において、前記露光光の光路を含む空間もしくは該空間と異なる空
間を有する密閉室内に前記マスクを収容し、前記密閉室内で、前記保護部材と前記マスクとの間に形
成される空間内のガスを前記特定ガスに置換し、前記保護部材と前記マスクとの間に形成される空間内の
ガスを前記特定ガスに置換した後に、前記マスクに露光
光を照射して、該マスクのパターンの像を基板上に転写
することを特徴とする露光方法。
【請求項１８】保護部材が装着されたマスクに露光光
を照射して該マスクのパターンの像を基板上に転写する
露光装置において、前記露光光の光路を含む空間もしくは該空間と異なる空
間を有し、前記マスクを収容する密閉室と、前記密閉室内のガスを前記露光光の吸収が少ない特性を
有する特定ガスに置換することにより、前記保護部材と
前記マスクとの間に形成される空間を前記特定ガスに置
換するガス置換装置と、前記保護部材の変位を計測する変位計測装置と、前記計測結果に基づいて、前記変位が所定範囲になるよ
うに、前記ガス置換装置を制御する制御系とを備えるこ
とを特徴とする露光装置。
【請求項１９】保護部材が装着されたマスクに露光光
を照射して該マスクのパターンの像を基板上に転写する
露光装置において、前記露光光の光路を含む空間もしくは該空間と異なる空
間を有し、前記マスクを収容する密閉室と、前記密閉室内のガスを前記露光光の吸収が少ない特性を
有する特定ガスに置換することにより、前記保護部材と
前記マスクとの間に形成される空間を前記特定ガスに置
換するガス置換装置と、前記密閉室内の圧力を計測する圧力計測装置と、前記圧力計測装置の計測結果に基づいて、前記保護部材
の変位が所定範囲になるように、前記ガス置換装置を制
御する制御系とを備えることを特徴とする露光装置。
【請求項２０】前記ガス置換装置は、前記密閉室内の
ガスを排気する排気装置又は前記密閉室内に前記特定ガ
スを供給する給気装置の少なくとも一方を備えることを
特徴とする請求項１８又は請求項１９に記載の露光装
置。
【請求項２１】保護部材が装着されたマスクに露光光
を照射して該マスクのパターンの像を基板上に転写する
露光装置において、前記露光光の光路を含む空間と該空間に隣接する空間と
の少なくとも一方を有し、フレームを介して保護部材が
装着されたマスクを収容する密閉室と、前記フレームを介して、前記保護部材と前記マスクとの
間に形成される空間内のガスを前記露光光の吸収が少な
い特定ガスに置換するガス置換装置と、前記保護部材の変位を検出する変位計測装置とを有する
ことを特徴とする露光装置。
【請求項２２】前記ガス置換装置は、前記フレームに
形成された孔を介して、前記保護部材と前記マスクとの
間に形成される空間内のガスを排気する排気装置と、前
記フレームに形成された孔を介して、前記保護部材と前
記マスクとの間に形成される空間内に前記特定ガスを供
給する供給装置とを備えることを特徽とする請求項２１
に記載の露光装置。
【請求項２３】リソグラフィ工程を含むデバイスの製
造方法において、前記リソグラフィ工程で、請求項１３
から請求項１７のいずれかに記載の露光方法を用いるこ
とを特徴とするデバイスの製造方法。