JP2001229537A - 書換え型光記録媒体及びその記録方法並びに光ディスク記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 少なくとも４倍速において従来のＣＤ−ＲＷ
規格と互換性を維持しつつ、８倍速以上の高速記録を可
能とする書換え型コンパクトディスクとその記録方法を
提供する。 【解決手段】 ウォブル溝が形成された基板と相変化型
記録層を有してなり、結晶状態の部分を未記録状態・消
去状態とし、非晶質の部分を記録状態とし、ＥＦＭ変調
された情報を、記録光を照射し該溝内に非晶質マークを
形成することにより記録するための書換え型コンパクト
ディスクであって、線速１．２ｍ／ｓ〜１．４ｍ／ｓを
基準速度（１倍速）としたとき、基準速度の２倍速、４
倍速、及び８倍速のいずれにおいても、波長約７８０ｎ
ｍの記録光を、開口数ＮＡ＝０．５又はＮＡ＝０．５５
の光学系を通して照射し記録した場合、記録信号の変調
度ｍ₁₁が６０％〜８０％で、アイパターンにおける反射
率の上端値Ｒ_top が１５％〜２５％で、且つジッタが３
５ｎｓ以下であることを特徴とする書換え型コンパクト
ディスク。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、コンパクトディス
クと互換性のある書換え可能な相変化媒体とその記録方
法及び記録再生装置に関する。特に、４倍速以上の高倍
速でのオーバーライト性能の改善に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般にコンパクトディスク（ＣＤ）は、
凹ピットの底部及び鏡面部からの反射光の干渉により生
じる反射率変化を利用して２値信号の記録及びトラッキ
ング信号の検出が行われている。近年、ＣＤと互換性の
ある媒体として、相変化型の書換え型コンパクトディス
ク（ＣＤ−ＲＷ、ＣＤ−Ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ）が使用
されている（「ＣＤ−ＲＯＭ ｐｒｏｆｅｓｓｉｏｎａ
ｌ」誌（米国）、１９９６年９月号、２９−４４ペー
ジ、あるいは、相変化光記録シンポジウム予稿集、１９
９５年、４１−４５ページ）。

【０００３】相変化型のＣＤ−ＲＷは、非晶質と結晶状
態の屈折率差によって生じる反射率差および位相差変化
を利用して記録情報信号の検出を行う。通常の相変化媒
体は、基板上に下部保護層、相変化型記録層、上部保護
層、反射層を設けた構造を有し、これら層の多重干渉を
利用して反射率差および位相差を制御しＣＤと互換性を
持たせることができる。なお、ＣＤ−ＲＷにおいて記録
とは記録と消去を同時に行うオーバーライト記録を言
う。この結果、反射率７０％以上という高反射率まで含
めた互換性は困難であるものの、反射率を１５〜２５％
に落とした範囲内では記録信号及び溝信号の互換性が確
保でき、反射率の低いことをカバーするための増幅系を
再生系に付加すれば現行ＣＤドライブで再生が可能であ
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、ＣＤ−ＲＷを
利用する場合の問題点のひとつに記録速度と転送レート
の遅さがある。ＣＤの記録再生時の基準速度（以下、１
倍速とも称する）は線速度１．２〜１．４ｍ／ｓである
が、ＣＤ−ＲＯＭではすでに最大４０倍速程度の高速再
生が実現されており、１倍速という低速で利用されるの
は音楽や画像の再生程度に限られる。一般に、１６倍速
再生まではＣＤ本来の一定線速度モード（ＣＬＶ、Ｃｏ
ｎｓｔａｎｔ Ｌｉｎｅａｒ Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）であ
るが、２４〜４０倍速再生は一定回転速度モード（ＣＡ
Ｖ、Ｃｏｎｓｔａｎｔ Ａｎｇｕｌａｒ Ｖｅｌｏｃｉ
ｔｙ）を適用することで外周部データの転送レート、ア
クセス及びシーク時間が飛躍的に高速化された。

【０００５】ＣＤ−ＲＷにおいても記録の高速化は進ん
でいるがＣＬＶモードで１〜４倍速までにとどまってい
る。通常、ＣＤ−ＲＷは１倍速で全面に記録すると７４
分（又は６３分）もの時間を要し、４倍速であっても２
０分近くかかってしまう。しかし８倍速であれば１０分
以内で記録ができ、音楽・映像などの大量データ記録に
ＣＤ−ＲＷの用途を大きく広げることができる。また、
現在コンピュータの外部記憶装置には、転送レートの速
い光磁気記録媒体（ＭＯ）などが主に用いられている
が、ＣＤ−ＲＷの転送レートを上げることでこのような
用途にも使用が広がると考えられる。

【０００６】このため、より高速で記録できる相変化媒
体と記録方法が求められていた。しかし、より高線速ま
で記録可能なＣＤ−ＲＷは未だ実現されていない。１〜
４倍速でＣＤ−ＲＷ記録システムとの互換性を保ったま
ま、下は１倍速乃至は２倍速、上は８倍速乃至は１０倍
速に至る広い線速範囲にわたってオーバーライト可能な
媒体の実現は技術的に困難であった。その理由は媒体と
記録方法の両方にあった。第一の理由は、非晶質マーク
の高速結晶化による短時間の消去と、非晶質マークの経
時安定性を両立させるのが困難であるという問題であ
る。例えば、１〜４倍速記録可能なＣＤ−ＲＷの記録層
材料として用いられるＡｇＩｎＳｂＴｅは、Ｓｂ含有量
を相対的に増やすことで高速結晶化でき８倍速記録が可
能である。しかし、本発明者らの検討によれば、Ｓｂ量
の増大は一方で、非晶質マークの経時安定性を著しく損
ねてしまい、室温なら１〜２年以内で、記録装置内部の
５０〜８０℃という高温環境であれば数日で、再生不可
能なまでに非晶質マークが再結晶化により消えてしま
う。あるいは、１ｍｍ以下のレーザー光ビームによる数
百回〜数千回程度の再生によって非晶質マークが消え始
めるという深刻な問題もあり、記録媒体としての信頼性
を維持できないことがわかった。これらの問題を解決す
る必要があるのに加え、ＣＤ−ＲＷは広く普及している
再生専用ＣＤ−ＲＯＭドライブと再生互換性をとる制約
もある。例えば、再生互換をとるためには変調度５５〜
７０％という高変調度を始めとして反射率１５〜２５
％、その他のサーボ信号特性を満足する必要がある。

【０００７】第二の理由は、ＣＤ−ＲＷ規格ではかなり
厳密な記録パルスストラテジー（パルス分割方法）が規
定されていることである。すなわち、ＣＤ−ＲＷ規格オ
レンジブックパート３のバージョン２．０規定の、図４
に示す記録パルスストラテジー、又はそれに類似してお
り現行の記録パルスストラテジー発生用ＩＣ回路を大き
く変更する必要のないパルスストラテジーをもって４倍
速から８〜１０倍速までの広範囲な線速の記録を行わな
ければならない。図４（ａ）はＥＦＭ変調された３Ｔ〜
１１Ｔの時間的長さを有するデータ信号であり、図４
（ｂ）は、該データ信号に基づいて発生される実際の記
録光のレーザーパワーである。Ｐｗは記録層を溶融させ
急冷によって非晶質マークを形成するための記録パワ
ー、Ｐｅは非晶質マークを結晶化によって消去するため
の消去パワーであり、通常、バイアスパワーＰｂは再生
光の再生パワーＰｒとほぼ同じである。

【０００８】相変化媒体にマーク長変調された情報を複
数のマーク長により記録する場合、一般に、固定した記
録パルスストラテジーでは、最大使用線速と最小使用線
速の比はおよそ２倍が限度である。現行の４倍速で記録
可能なＣＤ−ＲＷライターの多くは上記規格に規定され
た記録パルスストラテジーに準じた固定波形しか発生で
きないため、これら既存のライターとの互換性を維持し
つつ、少なくとも８〜１０倍速程度までの高速記録を行
うことは非常に困難であった。

【０００９】本発明の目的は、１〜４倍速のような低線
速から８〜１０倍速を越えるような高線速までの広い線
速範囲において、ＥＦＭ変調による、即ちデータの基準
クロック周期Ｔに対して３Ｔから１１Ｔまでの時間的長
さのマーク長及びマーク間長さの組み合わせによる非晶
質マークをマークとするマーク長記録を行うことによ
り、記録信号フォーマットについてはＣＤと再生互換を
有する書換え型媒体とその記録方法を提供することにあ
る。特に、少なくとも４倍速において従来のＣＤ−ＲＷ
規格と可能な限り互換性を維持しつつ、８倍速以上の高
速記録をも可能とする書換え型コンパクトディスクとそ
の記録方法を提供することにある。なお、ここで「可能
な限り」の互換性とは、少なくとも４倍速においてハー
ドウエアの変更なくファームウエアの変更のみで対応で
きる程度を意味する。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の要旨は、
ウォブル溝が形成された基板と相変化型記録層とを有し
てなり、該相変化記録層の結晶状態の部分を未記録・消
去状態に対応させ、該相変化記録層の非晶質状態の部分
を記録状態に対応させて、記録光を照射することにより
該記録状態に対応する非晶質マークを形成させる書き換
え型光記録媒体において、線速１．２ｍ／ｓを基準速度
（１倍速）Ｖ₁としたとき、基準速度の８倍速Ｖにおい
て、データ基準クロック周期ＴがＶＴ＝Ｖ₁Ｔ₁（ただ
し、Ｔ₁は２３１ｎｓである）であるように保ちながら
ＥＦＭ変調された信号を下記記録方式１の条件内の１つ
の方式で１０回オーバーライト記録した後に、１倍速で
の再生によって得られる記録信号のアイパターンの変調
度ｍ₁₁が６０〜８０％であり、記録信号のアイパターン
の反射率の上端値Ｒ_topが１５〜２５％であり、且つ各
マーク長及び各マーク間のジッタが３５ｎｓ以下となる
ことを特徴とする光記録媒体に存する。

【００１１】記録方式１；波長７８０ｎｍの光を、開口
数ＮＡが０．５５又は０．５の光学系を介して照射す
る。この際、１つの非晶質マークの時間的長さをｎＴ
（ｎは３から１１までの整数）としたとき、記録マーク
間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パワーＰｅを
照射し、記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ
（ｎ−ｊ）Ｔを、 α₁ Ｔ、β₁ Ｔ、α₂ Ｔ、β₂ Ｔ、・・・・α_m Ｔ、β
_m Ｔ、 （ただし、ｍ＝ｎ−１、α₁ ＝１．０、α_i ＝０．５
（ｉは２〜ｍの整数）、β_m ＝０．２５〜０．７５、α
_i ＋β_i-1 ＝１．０（ｉは２〜ｍの整数））の順に、Σ
_i （α_i ＋β_i ）＝ｎ−ｊとなるように分割し（ｊは０
〜２．０までの実数）、α_i Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの
整数）内には、記録層を溶融するに足る記録パワーＰｗ
の記録光（ただし、Ｐｗは１４〜２５ｍＷであり、Ｐｅ
／Ｐｗ＝０．５とする）を照射し、β_iＴなる時間（ｉ
は１〜ｍの整数）内には、０．８ｍＷのバイアスパワー
Ｐｂの記録光を照射する。

【００１２】本発明の第２の要旨は、ウォブル溝が形成
された基板と相変化型記録層とを有してなり、該相変化
記録層の結晶状態の部分を未記録・消去状態に対応さ
せ、該相変化記録層の非晶質状態の部分を記録状態に対
応させて、記録光を照射することにより該記録状態に対
応する非晶質マークを形成させる書き換え型光記録媒体
において、線速１．２ｍ／ｓを基準速度（１倍速）Ｖ₁
としたとき、基準速度の１０倍速Ｖにおいて、データ基
準クロック周期ＴがＶＴ＝Ｖ₁Ｔ₁（ただし、Ｔ₁は２３
１ｎｓである）であるように保ちながらＥＦＭ変調され
た信号を下記記録方式１′の条件内の１つの方式で１０
回オーバーライト記録した後に、１倍速での再生によっ
て得られる記録信号のアイパターンの変調度ｍ₁₁が６０
〜８０％であり、記録信号のアイパターンの反射率の上
端値Ｒ_topが１５〜２５％であり、且つ各マーク長及び
各マーク間のジッタが３５ｎｓ以下となることを特徴と
する光記録媒体に存する。 記録方式１′ 波長７８０ｎｍの光を、開口数ＮＡが＝０．５５又は
０．５の光学系を介して照射する。この際、１つの非晶
質マークの時間的長さをｎＴ（ｎは３から１１までの整
数）としたとき、記録マーク間に対しては、非晶質を結
晶化し得る消去パワーＰｅを照射し、記録マークに対し
ては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔを、 α₁ Ｔ、β₁ Ｔ、α₂ Ｔ、β₂ Ｔ、・・・・α_m Ｔ、β
_m Ｔ （ただし、ｍ＝ｎ−１、α₁ ＝１．０、α_i ＝０．５
（ｉは２〜ｍの整数）、β_m ＝０．２５〜０．７５、α
_i ＋β_i-1 ＝１．０（ｉは２〜ｍの整数））の順に、Σ
_i （α_i ＋β_i ）＝ｎ−ｊとなるように分割し（ｊは０
〜２．０までの実数）、α₁ Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの
整数）内には、記録層を溶融するに足る記録パワーＰｗ
の記録光（ただし、Ｐｗは１４〜２５ｍＷであり、Ｐｅ
／Ｐｗ＝０．５とする）を照射し、β_iＴなる時間（ｉ
は１〜ｍの整数）内には、０．８ｍＷのバイアスパワー
Ｐｂの記録光を照射する。

【００１３】本発明の第３の要旨は、相変化型記録層を
有する書換え型円盤状光記録媒体にＣＬＶ方式にてＥＦ
Ｍ変調された情報を複数のマーク長及びマーク間長によ
り記録するにあたり、一つの記録マークの時間的長さを
ｎＴとしたとき（Ｔは基準クロック周期。ｎは３〜１１
までの整数）、記録マーク間に対しては、非晶質を結晶
しうる消去パワーＰｅの記録光を照射し、記録マークに
対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔを、 α₁ Ｔ、β₁ Ｔ、α₂ Ｔ、β₂ Ｔ、・・・・、α_m Ｔ、
β_m Ｔ、 （ただし、ｍ＝ｎ−１又はｍ＝ｎ−２）の順に、Σ
_i （α_i ＋β_i ）＝ｎ−ｊ（ｊは０．０≦ｊ≦２．０な
る実数）となるよう分割し、α_i Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）なる
時間内には記録層を溶融させるにたるＰｗ＞Ｐｅなる記
録パワーＰｗの記録光を照射し、β_i Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）
なる時間内には０＜Ｐｂ≦０．５Ｐｅなるバイアスパワ
ーＰｂの記録光を照射してオーバーライトを行い、線速
１．２ｍ／ｓ〜１．４ｍ／ｓを基準速度（１倍速）と
し、２３１ｎｓをその際の基準クロック周期としたと
き、（１）４倍速においては、α₁ ＝０．３〜１．５、
α_i ＝０．２〜０．７（２≦ｉ≦ｍ）、α_i ＋β_i-1 ＝
１〜１．５（３≦ｉ≦ｍ）とし、（２）１又は２倍速に
おいては、α₁ ＝０．０５〜１．０、α_i ＝０．０５〜
０．５（２≦ｉ≦ｍ）、α_i ＋β_i-1 ＝１〜１．５（３
≦ｉ≦ｍ）とし、（３）６、８、１０及び１２倍速のい
ずれかの倍速においては、α₁ ＝０．３〜２、α_i ＝
０．３〜１（２≦ｉ≦ｍ）、α_i ＋β_i-1 ＝１．０〜
１．５（３≦ｉ≦ｍ）とすることを特徴とする書換え型
光記録媒体への記録方法に存する。

【００１４】本発明の第４の要旨は、所定の記録領域を
有する書換え型円盤状光記録媒体を角速度一定で回転さ
せたＣＡＶ方式にてＥＦＭ変調された情報を複数のマー
ク長により記録するに当たり、線速１．２ｍ／ｓ〜１．
４ｍ／ｓを基準速度（１倍速）として記録領域最外周で
の線速度が少なくとも１０倍速となるように該ディスク
を回転させ、一つの記録マークの時間的長さをｎＴとし
たとき（Ｔは基準クロック周期であり、その半径位置に
おける線速度Ｖとの積ＶＴが一定となるように半径位置
に応じてＴは変化する。ｎは３〜１１までの整数）、記
録マーク間に対しては、非晶質を結晶化しうる消去パワ
ーＰｅの記録光を照射し、記録マークに対しては、その
うちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔを、 α₁ Ｔ、β₁ Ｔ、α₂ Ｔ、β₂ Ｔ、・・・・、α_m Ｔ、
β_m Ｔ、 （ただし、ｍ＝ｎ−１ α₁ ＝０．７５〜１．２５、 α_i ＝０．２５〜０．７５ （２≦ｉ≦ｍ）、 α_i ＋β_i-1 ＝１〜１．５ （３≦ｉ≦ｍ））、の順に、Σ_i （α_i ＋β_i ）＝ｎ−
ｊ（ｊは０．０≦ｊ≦２．０なる実数）となるよう分割
し、 α_i Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）なる時間内には記録層を溶融させ
るにたるＰｗ＞Ｐｅなる記録パワーＰｗの記録光を照射
し、β_i Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）なる時間内には０＜Ｐｂ≦
０．５ＰｅなるバイアスパワーＰｂの記録光を照射して
オーバーライトを行い、いずれの半径位置においてもα
₁ 及びα_i ＋β_i-1 （ｉ＝３〜ｍ）を一定とし、内周ほ
どα_i （ｉ＝３〜ｍ）を減少させる光記録媒体への記録
方法に存する。

【００１５】また、本発明の第５の要旨は、所定の記録
領域を有する書換え型円盤状光記録媒体を角速度一定で
回転させたＣＡＶ方式にてＥＦＭ変調された情報を複数
のマーク長により記録するに当たり、線速１．２ｍ／ｓ
〜１．４ｍ／ｓを基準速度（１倍速）として記録領域最
内周での線速度が少なくとも１０倍速となるように該デ
ィスクを回転させ、一つの記録マークの時間的長さをｎ
Ｔとしたとき（Ｔは基準クロック周期であり、その半径
位置における線速度Ｖとの積ＶＴが一定となるように、
半径位置に応じてＴは変化する。ｎは３〜１１までの整
数）、記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化しうる
消去パワーＰｅの記録光を照射し、記録マークに対して
は、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔを、 α₁ Ｔ、β₁ Ｔ、α₂ Ｔ、β₂ Ｔ、・・・・、α_m Ｔ、
β_m Ｔ、 （ただし、ｍ＝ｎ−１、 α_i ／α₁＝０．３〜０．７（ただしｉは２〜ｍの整
数）、 α_i ＋β_i-1 ＝約１ （３≦ｉ≦ｍ））、の順に、Σ_i （α_i ＋β_i ）＝ｎ−
ｊ（ｊは０．０≦ｊ≦２．０なる実数）となるよう分割
し、α_i Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）なる時間内には記録層を溶融
させるにたるＰｗ＞Ｐｅなる記録パワーＰｗの記録光を
照射し、β_i Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）なる時間内には０＜Ｐｂ
≦０．５ＰｅなるバイアスパワーＰｂの記録光を照射し
てオーバーライトを行い、いずれの半径位置においても
α₁ Ｔ、α_i Ｔ（ｉ＝２〜ｍ）、α_i ＋β_i-1 （ｉ＝３
〜ｍ）を一定とする書換え型光記録媒体への記録方法に
存する。

【００１６】また、本発明の第６の要旨は、一定の搬送
周波数ｆ_L0とアドレス情報によって変調された信号とに
従って蛇行された空間周波数一定の螺旋状の溝及び記録
層を有し、該螺旋状の溝の所定の位置にある記録情報の
単位である記録ブロックを識別するアドレス情報及び該
ブロックの開始位置を識別する同期情報を有するディス
クを、その中心部分を軸として等角速度回転させる手段
と、記録再生のための集束光ビームを発生する光ピック
アップを所定のアドレスに移動させる半径方向の移動さ
せる手段と、該記録層に集束光ビームの焦点をあわせる
フォーカスサーボ手段と、該螺旋状の溝に沿って集束光
ビームを走査させるための溝トラッキングサーボ手段
と、該溝蛇行から搬送周波数ｆ_A0、アドレス情報及びブ
ロック同期信号を検出・解読する手段と、該記録ブロッ
クの開始位置及び周波数ｆ_d0を有するデータの基準クロ
ックＴに同期してマーク長変調された記録データ列を発
生する手段と、該記録データ列に対応して記録レーザー
パワーを変調する手段とを有する光ディスク記録装置で
あって、集束光ビームを所定アドレスの記録ブロックに
半径方向に移動させたときに該半径に反比例して変化す
るデータの基準クロックＴを発生する基準信号発生器
と、所定半径における該基準クロックを１／Ｎ（Ｎは整
数）に分周して得られる参照信号ｆ_R0と該アドレスにお
いて検出された溝蛇行の搬送周波数ｆ_A0を位相比較する
ことで、所定の半径におけるデータの基準クロック周波
数ｆ_d0とｆ_A0がいずれの半径位置においてもｆ_d0＝Ｎ・
ｆ_A0なる関係を維持するようディスクの回転数を微調整
するとともに、記録ブロックの開始位置と該ブロックに
書き込まれるべきデータ列の同期を達成する手段と、を
有する光ディスク記録再生装置に存する。

【００１７】

【発明の実施の形態】１．媒体の特性について 本発明においては、記録光による光スポットの媒体に対
する速度である線速度として１．２ｍ／ｓ〜１．４ｍ／
ｓ、特には１．２ｍ／ｓを基準速度、即ち１倍速とす
る。まず、本発明の第１及び第２の要旨に係るディスク
について説明する。本発明の書換え型光記録媒体は、通
常円盤状である。そして相変化型記録層の結晶状態の部
分を未記録状態・消去状態とし、非晶質状態の部分を記
録状態とする。記録される情報は、レーザー光などの記
録光を照射し非晶質マークを形成することにより、ＥＦ
Ｍ変調された信号からなる。媒体の基板には通常螺旋状
の溝が形成される。また、非晶質マークは通常溝内に形
成されるが、溝間部（ランド）に形成されていてもよ
い。該溝は通常、１倍速に換算したときに２２．０５ｋ
Ｈｚとなる搬送周波数を基準とする周波数で半径方向に
蛇行（ウォブル）しており、このような溝をウォブル溝
と呼ぶ。そして、この蛇行によって周波数は、上記搬送
周波数を±１ｋＨｚの周波数で周波数変調され、この微
妙な周波数変化により、ディスク上のアドレス情報が絶
対時間情報として組み込まれている。このような絶対時
間情報はＡＴＩＰ（Ａｂｓｏｌｕｔｅ Ｔｉｍｅ Ｉｎ
Ｐｒｅ−ｇｒｏｏｖｅ）信号と呼ばれる。

【００１８】このウォブル溝は、ＣＬＶモードで、ＣＤ
の１倍速の線速で記録されてスタンパー上に形成したの
ち、このスタンパーをもとに基板を射出成形することで
形成することができる。記録容量を高めるため、通常搬
送周波数が線速１．２ｍ／ｓ（±０．１ｍ／ｓの範囲で
許容）において２２．０５ｋＨｚとなるようにウォブル
溝は形成される。データを記録する際には、基準クロッ
ク周期Ｔが基準となり、この整数倍の長さを有する様々
な時間的長さのマーク及びスペース（マーク間）を形成
することでデータを記録する。ＥＦＭ変調においては通
常時間的長さ３Ｔ〜１１Ｔのマークが形成される。ま
た、基準クロック周期Ｔはディスク線速に反比例して変
化させるのが通常である。基準クロック周期Ｔの逆数は
基準クロック周波数と呼ばれ、ＣＤの１倍速（線速度
１．２ｍ／ｓ〜１．４ｍ／ｓ）における基準クロック周
波数はデータの１チャネルビットに相当し、通常４．３
２１８ＭＨｚである。この基準クロック周波数はまた、
上記ウォブルの基準周波数２２．０５ｋＨｚのちょうど
１９６倍となっている。１倍速における基準クロック周
期Ｔは通常１／（４．３２１８×１０⁶ ）≒２３１×１
０^-9（秒）＝２３１（ナノ秒）となる。以下の説明で
は、特に断わりのない限り基準クロック周期Ｔと線速Ｖ
との積ＶＴは線速によらず一定とする。

【００１９】図２に、ＣＤ−ＲＷをはじめとするＣＤフ
ァミリーで用いられるＥＦＭ変調信号の再生波形（アイ
パターン）の模式図を示す。アイパターンには３Ｔから
１１Ｔのすべての非晶質マーク及び結晶状態のスペース
の再生波形が実質的にランダムに含まれている。再生波
形は、反射光強度を電圧信号として取り出しオシロスコ
ープ上で観察した波形である。この際、再生信号は直流
成分を含んでいる。アイパターンの上端Ｉ_top を入射光
に対する反射率に換算したものがスペースに対応する反
射率の上端値Ｒ_top であり、アイパターンの振幅（実際
上は、１１Ｔマークの振幅）Ｉ₁₁をＩ_top で規格化した
ものが下記式（１）で表される記録信号の変調度ｍ₁₁で
ある。 ｍ₁₁＝Ｉ₁₁／Ｉ_top ×１００（％） （１）

【００２０】本発明においては、変調度ｍ₁₁は６０％以
上８０％以下とする。変調度は光学的分解能に依存する
のでＮＡが大きな光学系では大きく見える傾向があるた
め、本発明においては波長約７８０ｎｍのレーザー光
を、開口数ＮＡ＝０．５又はＮＡ＝０．５５の光学系を
通して照射し記録する際の変調度ｍ₁₁とする。ただし波
長は厳密に７８０ｎｍである必要はなく、７７５〜７９
５ｎｍ程度の範囲にあれば良い。信号振幅Ｉ₁₁は大きい
ほうが好ましいが、大きすぎると信号再生系のアンプの
ゲインが極端に飽和してしまうためｍ₁₁の上限は８０
％、好ましくは７８％、さらに好ましくは７５％程度で
ある。一方、小さすぎると信号体雑音比（ＳＮ比）が低
下してしまうため、下限は６０％、好ましくは６２％、
さらに好ましくは６５％程度である。また、Ｒ_top は１
５〜２５％、好ましくは１５〜２０％、さらに好ましく
は１６〜１９％の範囲とする。さらに、下記式（２） Ａsym ＝（Ｉ_slice ／Ｉ₁₁−１／２）（％） （２） で定義されるアシンメトリー値Ａsym は、できるだけ０
付近にあることが望ましいが、通常は±１０％の範囲で
ある。ここで、Ｉ_sliceは、図２におけるＩの中心線２
００１と包絡線の底辺との間の電圧差であり、Ｉ₁₁は包
絡線（ｅｎｖｅｌｏｐ）の上辺２００３と底辺２００２
との間の電圧値である。

【００２１】ＥＦＭ変調に用いられる３Ｔ〜１１Ｔの各
マーク長及びスペース長のジッタ（ｊｉｔｔｅｒ）、及
びデビエーション（ｄｅｖｉａｔｉｏｎ）は、図２にお
ける再生信号を高域通過フィルタを通過させてＲＦ成分
を取り出した後に、信号振幅の実質的な中心値となるゼ
ロレベルを閾値としてＤＣスライスして得られる、マー
ク長あるいはスペース長の平均値の所定値（ｎＴ）から
のずれ（デビエーション）及び標準偏差（ジッター）で
ある。詳細な測定方法は、ＣＤ規格であるレッドブッ
ク、ＣＤ−ＲＷ規格であるオレンジブックや、「ＣＤフ
ァミリー」（オーム社発行、平成８年４月２５日）で規
定されている。本発明においては、ジッタについては、
１倍速（基準クロック周期２３１ナノ秒）で再生したと
きのジッタ値が３５ナノ秒以下、好ましくは３０ナノ秒
以下、さらに好ましくは２５ナノ秒以下とする。なお、
通常３Ｔのマークもしくはマーク間のジッタが３Ｔ〜１
１Ｔの中で最悪の値となる。本発明においては、デビエ
ーションは通常３Ｔで±４０ナノ秒以下、１１Ｔで±６
０ナノ秒以下とする。なお、４Ｔ〜１０Ｔに対しては、
通常３及び１１Ｔに対する規定である±４０ナノ秒以下
及び±６０ナノ秒以上を補完して得られる値となる。な
お、記録後の信号の品質に関しては、基本的に現行の規
格と同様の特性を満たすのが好ましい。詳細には、オレ
ンジブック・パート３に記載された内容を満足するのが
好ましい。

【００２２】変調度ｍ₁₁、反射率の上端値Ｒ_TOP 及びジ
ッターを上記の値とすることにより、従来のＣＤ−ＲＷ
規格と互換性を維持しつつ、８倍速、特に１０倍速以上
のような高速記録が可能となる。好ましくは、８倍速に
おいて３Ｔマークと３Ｔスペース（マーク間）からなる
単一周期信号を記録後、１１Ｔマークと１１Ｔスペース
からなる単一周期信号をオーバーライトしたときの３Ｔ
マークの消去比が２５ｄＢ以上、特に２７ｄＢ以上であ
る。より好ましくは１０倍速、特に１２倍速においても
上記消去比が２５ｄＢ以上とする。高線速での消去比が
高い媒体ほど非晶質マーク消去時の再結晶化速度が速
く、より高線速でＥＦＭ信号のオーバーライトが可能で
ある。例えば、１２倍速における上記消去比を２５ｄＢ
以上としておけば、１２倍速で使用した際に良好な特性
が得られるのは勿論、１０倍速で使用した際にも良好な
特性が得られる。

【００２３】消去比は、オーバーライトを行う線速度範
囲の上限において十分な値であれば、通常より低線速側
で不足することはない。線速Ｖで移動する開口数ＮＡの
対物レンズで集光された波長λの光ビームで記録層が照
射される時間は、λ／（ＮＡ・Ｖ）で規格化されるか
ら、低線速ほど照射時間は長くなり再結晶化に要する時
間を十分確保できるからである。また、あらかじめ記録
された記録信号のジッタが１倍速再生において３５ｎｓ
ｅｃ（ナノ秒）に達するまでの時間を該記録媒体のアー
カイバル寿命とするとき、温度、８０℃、相対湿度８５
％におけるアーカイバル寿命が５００時間以上であるこ
とが望ましい。さらに、本発明においては、変調度ｍ₁₁
が温度８０℃、相対湿度８５％の加速試験環境下で５０
０時間後も初期値の９０％以上、特に９５％以上を維持
するのが好ましい。

【００２４】本発明における、線速Ｖ（ここでＶは８倍
速、１０倍速又は１２倍速を示す）における変調度
ｍ₁₁、Ｒ_top 、ジッター、デビエーション、アシンメト
リー値、消去比等の規定は、線速１．２ｍ／ｓを基準速
度（１倍速）Ｖ₁ としたとき、線速Ｖにおいて、データ
基準クロック周期ＴがＶＴ＝Ｖ₁ Ｔ₁ （ただし、Ｔ₁ は
２３１ｎｓである）であるように保ちながらＥＦＭ変調
された信号を下記記録方式１の条件内のある１つの記録
方式で１０回オーバーライト記録した後に、１倍速での
再生によって得られる記録信号から与えられる。

【００２５】記録方式１；波長７８０ｎｍの光を、開口
数ＮＡが０．５５又は０．５の光学系を介して照射す
る。この際、１つの非晶質マークの時間的長さをｎＴ
（ｎは３から１１までの整数）としたとき、記録マーク
間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パワーＰｅを
照射し、記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ
（ｎ−ｊ）Ｔを、 α₁ Ｔ、β₁ Ｔ、α₂ Ｔ、β₂ Ｔ、…α_m Ｔ、β_m Ｔ （ただし、ｍ＝ｎ−１、α₁ ＝１．０、α_i ＝０．５
（ｉは２〜ｍの整数）、β _m ＝０．２５〜０．７５、α
_i ＋β_i-1 ＝１．０（ｉは２〜ｍの整数））の順に、Σ
ｉ（α_i ＋β_i ）＝ｎ−ｊとなるように分割し（ｊは０
〜２．０までの実数）、

【００２６】α_i Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内に
は、記録層を溶融するに足る記録パワーＰｗの記録光
（ただし、Ｐｗは１４〜２５ｍＷであり、Ｐｅ／Ｐｗ＝
０．５とする）を照射し、β_i Ｔなる時間（ｉは１〜ｍ
の整数）内には、０．８ｍＷのバイアスパワーＰｂの記
録光を照射する。また、本発明においては、４倍速にお
いても、変調度ｍ₁₁、Ｒ_top 、ジッター、デビエーショ
ン、アシンメトリー値、消去比の値が上記数値範囲とな
るようにするのが好ましい。４倍速における変調度
ｍ₁₁、Ｒ_top 、ジッター、デビエーション、アシンメト
リー値、消去比等の規定は、線速１．２ｍ／ｓを基準速
度（１倍速）Ｖ₁ としたとき、基準速度の４倍速Ｖにお
いて、データ基準クロック周期ＴがＶＴ＝Ｖ₁ Ｔ₁ （た
だし、Ｔ₁ は２３１ｎｓである）であるように保ちなが
らＥＦＭ変調された信号を下記記録方式２又は３の条件
内のある１つの記録方式で１０回オーバーライト記録し
た後に、１倍速での再生によって得られる記録信号から
与えられる。

【００２７】記録方式２；波長７８０ｎｍの光を、開口
数ＮＡが０．５５又は０．５の光学系を介して照射す
る。この際、１つの非晶質マークの時間的長さをｎＴ
（ｎは３から１１までの整数）としたとき、記録マーク
間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パワーＰｅを
照射し、記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ
（ｎ−ｊ）Ｔを、 α₁ Ｔ、β₁ Ｔ、α₂ Ｔ、β₂ Ｔ、…α_m Ｔ、β_m Ｔ （ただし、ｍ＝ｎ−１、α₁ ＝１．０、α_i ＝０．３〜
０．６（ｉは２〜ｍの整数）、β_m ＝０．２５〜０．７
５、α_i ＋β_i-1 ＝１．０（ｉは２〜ｍの整数））の順
に、Σｉ（α_i ＋β_i ）＝ｎ−ｊとなるように分割し
（ｊは０〜２．０までの実数）、

【００２８】α_i Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内に
は、記録層を溶融するに足る記録パワーＰｗの記録光
（ただし、Ｐｗは１４〜２５ｍＷであり、Ｐｅ／Ｐｗ＝
０．５とする）を照射し、β_i Ｔなる時間（ｉは１〜ｍ
の整数）内には、０．８ｍＷのバイアスパワーＰｂの記
録光を照射する。

【００２９】記録方式３；波長７８０ｎｍの光を、開口
数ＮＡが０．５５又は０．５の光学系を介して照射す
る。この際、１つの非晶質マークの時間的長さをｎＴ
（ｎは３から１１までの整数）としたとき、記録マーク
間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パワーＰｅを
照射し、記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ
（ｎ−ｊ）Ｔを、 α₁ Ｔ、β₁ Ｔ、α₂ Ｔ、β₂ Ｔ、…α_m Ｔ、β_m Ｔ （ただし、ｍ＝ｎ−１、α₁ ＝０．４、α_i ＝０．１５
〜０．２５（ｉは２〜ｍの整数）、β_m ＝０．２５〜
０．７５、α_i ＋β_i-1 ＝１．０（ｉは２〜ｍの整
数））の順に、Σｉ（α_i ＋β_i ）＝ｎ−ｊとなるよう
に分割し（ｊは０〜２．０までの実数）、

【００３０】α_i Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内に
は、記録層を溶融するに足る記録パワーＰｗの記録光
（ただし、Ｐｗは１４〜２５ｍＷであり、Ｐｅ／Ｐｗ＝
０．５とする）を照射し、β_i Ｔなる時間（ｉは１〜ｍ
の整数）内には、０．８ｍＷのバイアスパワーＰｂの記
録光を照射する。なお、「オーバーライト」とは、一般
に、一旦記録したデータを特定の処理により均一な未記
録・消去状態に戻すことなく新たなデータを上書きする
ことを示す。ただし、本発明においては、初期の均一な
未記録・消去状態に記録を行う場合もオーバーライトと
把える。例えば、上記記録方式１〜３にも記載のある
「１０回オーバーライト」とは、初期の結晶状態に最初
の記録（１回オーバーライト）を行ない、次いで９回オ
ーバーライトを行なうことを意味し、以下の説明におい
ても同様の意味とする。また、記録方式１〜３における
「α_i＋β_i-1＝１．０」との規定は、（α_i＋β_i-1）が
基準クロック周期Ｔと同じ時間的長さであることを意味
しており、回路設計上不可避的に生じるゆらぎ程度の誤
差は含みうるものである。さらにまた、記録方式１〜３
における記録光の波長は７７５〜７９５ｎｍ程度の範囲
でばらついていても大きな問題とはならない。

【００３１】２．媒体の記録層について 本発明の書換え型光記録媒体においては、非晶質マーク
の高速結晶化による短時間の消去と、非晶質マークの経
時安定性を両立させることが肝要である。なおかつ、再
生専用ＣＤ−ＲＯＭドライブと再生互換をとるために、
基準となる光学系において、高変調度を満足すると共
に、反射率をその他のサーボ信号特性等を満足させるの
が好ましい。高速結晶化と経時安定性には基板上に設け
られる相変化型記録層の材料の選択が最も重要である。
本発明では該記録層の結晶化速度を速めることが重要で
あり、これは記録層の組成を微妙に調整することにより
達成される。記録層材料の組成としては特に、ＳｂＴｅ
共晶組成よりも過剰のＳｂを含有する合金、より具体的
にはＳｂ₇₀Ｔｅ₃₀共晶点組成を基本として過剰のＳｂを
含むＳｂ₇₀Ｔｅ₃₀合金を母体としたものが好ましい。Ｓ
ｂＴｅ共晶組成に過剰のＳｂを存在させることによって
高速での結晶化が可能となる。この中でも特に、さらに
Ｇｅを含む、Ｍ_z Ｇｅ_y （Ｓｂ_x Ｔｅ_1-x ）_1-y-z 組成
（ただし、０≦ｚ≦０．１、０＜ｙ≦０．１、０．７２
≦ｘ≦０．８であり、ＭはＩｎ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｐ
ｂ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ａｕ、Ａｇ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、
Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｂｉ、Ｏ、Ｎ、Ｓ及び希土類
金属からなる群から選ばれる少なくとも一種）なる組成
から選択するのが好ましい。

【００３２】上記好ましい組成は、ＳｂＴｅ共晶点組成
より過剰のＳｂを含む２元合金に経時安定性及びジッタ
の改善のためにＧｅを添加した３元合金をベースとする
ものと考えることができる。この際、Ｇｅは過剰Ｓｂに
よる高速結晶化機能を損ねることなく、非晶質マークの
経時安定性を高める機能を有していると考えられる。ま
た、結晶化温度を高めるとともに、結晶化の活性化エネ
ルギーを高めるのに最も有効な元素であると考えられ
る。Ｇｅ量は上記式におけるｙの値として０．０３以
上、特に、０．０４以上であることが好ましい。一方Ｇ
ｅ量が多すぎると、おそらくＧｅＴｅやＧｅＳｂＴｅ系
の金属間化合物が析出するために、光学定数の異なる結
晶粒が混在し記録層のノイズが上昇しジッタが増加する
ことがあり、また、あまりに多く添加してもそれ以上経
時安定性は改善されないので、通常Ｇｅ量は上記式にお
けるｙの値として０．１以下、好ましくは０．０８以下
である。

【００３３】また、過剰Ｓｂが少なすぎると、再結晶化
速度が低すぎて８倍速以上といった高線速で良好なオー
バーライトができない場合があるので、上記式における
ｘは０．７２以上、好ましくは０．７３以上、さらに好
ましくは０．７４以上とする。一方、Ｓｂ量が過剰すぎ
ると、再結晶化速度が速すぎ、４倍速においてはＣＤ−
ＲＷ規格のパルス分割方法では良好な非晶質マークの形
成が困難となりジッタが非常に高くなってしまい、ま
た、非晶質マークの経時安定性も悪化してしまう傾向に
あるため、上記ｘは０．８０以下、好ましくは０．７９
以下、さらに好ましくは０．７８以下とする。最適な組
成範囲は開口数ＮＡによっても若干異なる。ＮＡが大き
く集束光ビームがより絞られている場合は、ビーム照射
後の記録層冷却速度が若干高い傾向があるためである。
従って、ＮＡ＝０．５に対してはｘは０．７３〜０．７
８の範囲が好適であり、ＮＡ＝０．５５に対してはｘは
０．７５〜０．８０の範囲が好適である。この中間のＮ
Ａに対しては、これらの中間の組成領域を用いることが
好ましい。

【００３４】前記組成式において、上記Ｍで示される一
群の元素のうち少なくとも１種を添加することによりさ
らに特性が改善される。Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｉ及びＳｎはさ
らなるジッタの低減に効果がある。Ｎ、Ｏ及びＳは繰返
しオーバーライトにおける偏析の防止や光学特性の微調
整ができるという効果がある。Ｂｉ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｐ
ｔ、Ａｕ、Ａｇ及び希土類金属は成膜直後の非晶質膜の
全面結晶化が容易になるという効果がある。Ｚｒ、Ｈ
ｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｃｏ及びＰｂはさらなる経
時安定性の改善に効果がある。ただし、元素Ｍの量が多
すぎると特定の物質の経時的偏析や繰返しオーバーライ
トによる偏析が起こりやすくなるため、元素Ｍの添加量
は上記式におけるｚのｘ＋ｙ＋ｚに対する量として０．
１以下、特に０．０９以下とするのが好ましい。偏析が
生じると、記録層が初期に有する非晶質の安定性や再結
晶化速度等が変化して当初のオーバーライト特性が得ら
れなくなるので好ましくない。特に、Ｏ、Ｓ及びＮはそ
の合計量がこれらとＳｂ、Ｔｅ及びＧｅの合計量に対し
て５原子％以下であることがより好ましい。

【００３５】元素Ｍとしては、特にＩｎやＧａがジッタ
低減、対応線速マージンを拡大するのに効果がある。特
にＡ¹ _aＡ² _b Ｇｅ_c （Ｓｂ_d Ｔｅ_1-d ）_1-a-b-c 組成
（ただし、０≦ａ≦０．１、０＜ｂ≦０．１、０．０２
＜ｃ≦０．２、好ましくは０．０２＜ｃ≦０．１、０．
７２≦ｄ≦０．８であり、Ａ¹はＺｎ、Ｐｄ、Ｐｔ、
Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂ
ｉ、Ｎ、Ｏ及びＳからなる群から選ばれる少なくとも一
種。Ａ²は、Ｇａ及びＩｎからなる群から選ばれる少な
くとも一種。）のような、ＩｎＧｅＳｂＴｅ４元合金又
はＩｎＧａＳｂＴｅ４元合金をベースとする記録層組成
がより好ましい。ＩｎやＧａの量は、多すぎると前述の
ように偏析を生じ易いので、通常ｂの値は０．１以下、
好ましくは０．０６以下とする。こうすることによっ
て、１００００回を超えてオーバーライトした場合でも
偏析を生じにくくすることができる。なお、上記組成式
においてｄの値は、前述のｘの値と同様、好ましくは
０．７３以上、さらに好ましくは０．７４以上、また好
ましくは０．７９以下、さらに好ましくは０．７８以下
とするが、開口数によってもその最適値は変化し、ＮＡ
＝０．５ではｘ＝０．７３〜０．７８、ＮＡ＝０．５５
ではｘ＝０．７５〜０．８０程度がよい。ここで、上述
の記録層組成が他の組成に比して特に好ましいことを説
明する。ＩｎＧｅＳｂＴｅ合金については特開平１−６
３１９５号公報、特開平１−１４０８３号公報、特開平
５−１６５２８号公報、特開平９−２９３２６９号公報
にも記載があるが、いずれもＧｅＴｅ−Ｓｂ₂ Ｔｅ₃ 擬
似２元合金近傍組成を好ましいとしている。

【００３６】本発明の前記組成はこれらとは異なり、Ｓ
ｂＴｅを共晶組成を主成分とし過剰のＳｂを含む組成で
ある。１〜２倍速程度であれば上記ＧｅＴｅ−Ｓｂ₂ Ｔ
ｅ₃ 擬似２元合金に過剰のＳｂを添加したものであって
も書換え型コンパクトディスクが実現可能である（特開
平４−２１２７３５号公報、特開平５−６２１９３号公
報）。ＧｅＴｅ−Ｓｂ ₂ Ｔｅ₃ を結ぶ線上ではＧｅ₁ Ｓ
ｂ₄ Ｔｅ₇ 、Ｇｅ₁ Ｓｂ₂ Ｔｅ₄ あるいはＧｅ ₂ Ｓｂ₂
Ｔｅ₅ 組成が最も高速の結晶化速度を示し、Ｓｂを添加
することで結晶化速度を遅くするのである。しかし、１
〜２倍速でオーバーライトができるように過剰のＳｂを
添加しているため、４倍速以上の高速記録には結晶化速
度が遅すぎて消去比が低く、オーバーライトができな
い。逆に４倍速記録に合わせてＳｂ量を少なくすれば
１，２倍速での再結晶化が著しくなるため、非晶質マー
クの形成が再凝固時の再結晶化によって損なわれる。す
なわち、Ｓｂ量だけを調整しても、ＣＤ−ＲＷ規格との
互換性を維持しつつ２〜４倍速でのオーバーライトを実
現することは困難である。４〜８倍速記録でも同様であ
る。４倍速に合わせた媒体設計を行うと、８倍速で同じ
ストラテジーで良好な記録特性を得ることが困難となる
のである。また、従来の２〜４倍速用ＣＤ−ＲＷに広範
に用いられている、ＡｇＩｎＳｂＴｅ及びＡｕＩｎＳｂ
Ｔｅ合金（特開平１０−３２６４３６号公報など）組成
に比べて、本発明における上記組成は室温における保存
安定性が優れている。

【００３７】例えばＡｇＩｎＳｂＴｅ合金においても、
８倍速乃至１０倍速でのオーバーライト自体は可能とな
る。しかし、おそらく同時に結晶化の活性化エネルギー
が低下するか結晶化温度が低下するために、非晶質マー
クの安定性が劣化しやすい。高線速オーバーライト時に
おける高速結晶化速度と室温における非晶質マークの安
定性という両方の要望が満足しにくいのである。ＡｇＩ
ｎＳｂＴｅと本発明の上記ＧｅＳｂＴｅ系の上記特性の
差異が生じる理由は必ずしも明らかではない。しかしＧ
ｅＳｂＴｅ系では、過剰のＳｂが単に再結晶化の結晶核
形成に関与するとともに４配位のＧｅが関与することで
局所的に原子のネットワーク構造が強固になり、特に室
温近傍の低温では、該結晶核を中心とする核成長（ネッ
トワークの局所構造変化）を抑制しているのではないか
と考えられる。なお、特開平１−３０３６４３号公報、
特開平４−２８５８７号公報及び特開平１０−１１２０
２８号公報には、本発明において好ましい上記ＧｅＳｂ
Ｔｅ系記録層が記載されているが、これらの組成がコン
パクトディスクという特定のフォーマットに適用できる
ことや、その中において８倍速以上といった高線速記録
に用いられること、さらには高線速記録と低線速記録の
両方に適用できることについての記載はない。また、記
録層組成のみで前記変調度ｍ₁₁、Ｒ_top、及びジッター
の値は決まるものでもない。

【００３８】本発明においては、前記記録層が、上記結
晶状態において、面心立方晶及び／又は六方晶構造から
なるのが好ましい。この場合、記録層は、単一の結晶相
からなっていてもよく、複数の結晶相からなっていても
よいが、複数の結晶相からなる場合、格子不整合を有し
ないのが好ましい。その結果、ノイズを減少させる、保
存安定性が向上する、高速での結晶化が容易である等特
性を向上させることができる。これは、Ｓｂ₂Ｔｅ₃等の
六方晶構造を有する結晶相やＳｂ等の立方晶ではあるが
格子定数が大きく異なる結晶相、さらにはＳｂ₇Ｔｅ、
Ｓｂ₂Ｔｅ₃等のその他の空間群に属する他の結晶相が同
時に存在する場合、格子不整合の大きな結晶粒界が形成
された結果、マークの周辺形状が乱れたり、光学的なノ
イズが発生したりすると考えられるのに対し、上記結晶
相からなる場合には、このような結晶粒界が生じないた
めと考えられる。

【００３９】前記好ましい結晶相の単位格子定数は、面
心立方晶の場合、通常５．５Å以上、好ましくは５．８
Å以上であり、また通常６．８Å以下、好ましくは６．
５Å以下である。六方晶の場合、通常ａ軸４〜４．５
Å、ｃ軸３０〜３５Åである。複数の結晶相が存在する
場合、格子不整合を生じず、実質的に単一相とみなすた
めには、同じ結晶構造を有するとともに、単位格子定数
の差異が±５％程度以下であることが好ましい。結晶相
は、熱平衡状態で安定結晶相であってもよく、また、製
造条件によって現れる準安定結晶相であってもよい。準
安定相結晶相は、熱力学的には必ずしも最低エネルギー
状態に対応するものではないが、全く不安定というもの
でもなく、光学的情報記録用媒体に使用する相変化型記
録層において実質的に安定に存在することが可能な結晶
相である。

【００４０】本発明において好ましい上記結晶相は，ｆ
ｍ３ｍ空間群及び／又はＦ４３ｍ空間群に属すると考え
られる。図３２は、後述する実施例において製造された
相変化型光学的情報記録用媒体と同様の製造方法によっ
て得られた媒体から、記録層（厚さ約２０ｎｍ）を剥離
して得られたＩｎ₃Ｇｅ₅Ｓｂ₇₀Ｔｅ₂₂薄膜の透過電子顕
微鏡（ＴＥＭ）による電子線回折像である。図中、Ａ，
Ｂ，Ｃ，Ｄの各点は、それぞれミラー指数（２２０）、
（００２）、（２２２）、（１１１）に帰属できる。こ
の回折像で現れるＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの各点に対するミラー
指数を矛盾なく説明し、かつ、同様に得られる異なるパ
ターンの回折像をも矛盾なく説明しうるものは、面心立
方晶構造であり、Ｆｍ３ｍもしくはＦ４３ｍ空間群に属
する結晶構造である。また、電子線回折像には、面方位
の回転はあるものの実質的に図５しか得られておらず、
ほぼ単一の結晶相から形成されていると推定される。ま
た、Ｘ線回折法において、Ｓｂ相のような他の結晶構造
にかかわるピークは観察されないことも確認した。

【００４１】図３２の電子線回折像から、記録層は、格
子定数約６．４ÅのＦ４３ｍ空間群に属するか、又は、
格子定数約６．１ÅのＦ４３ｍ空間群に属するかのいず
れであることが分かる。前者は、面心立方晶であるＧｅ
₃Ｉｎ₁₃Ｓｂ₇Ｔｅ₃固溶体、又はＡｇＩｎＴｅ₂のＦ４３
ｍ空間群に属する結晶型と同じ構造を有するものであ
り、後者は、ＡｇＩｎＴｅ₂のＦｍ３ｍ空間群に属する
結晶系、又はＡｇＳｂＴｅ₂のＦｍ３ｍ空間群に属する
結晶型と同じ構造を有するものである。

【００４２】なお、ＧａＳｂやＩｎＳｂにも同じ空間群
に属する結晶系が存在し、やはり単位格子定数もそれぞ
れ、約６．１Å、及び約６．５Åと上記図３２の電子線
回折像から得られる単位格子定数の値と極めて近い。こ
のことは、本発明の記録層組成においてＩｎ及び／又は
Ｇａの存在が好ましいことと考え合わせると、これらの
結晶が母体となるＳｂ−ｔｅ−Ｇｅ固溶体における準安
定構造の形成を促進していることを示唆している。

【００４３】なお、Ｓｂ／Ｔｅ比が大きい組成ほど、六
方晶の単一相が面心立方晶よりも優先的に得られる傾向
にある。ＳｂＴｅ共晶組成よりもＳｂが過剰の組成にお
いては、特に、上記他の結晶相が形成されやすいので、
後述するような初期化の工夫をするなどの手段を施すこ
とによって、実質的に単一の相、特に単一の面心立方晶
構造からなるようにする必要がある。記録層の結晶相の
形態は、記録層の初期化方法に大きく依存する。即ち、
本発明において好ましい上記結晶相を形成させるために
は、記録層の初期化方法を下記のように工夫するのが好
ましい。

【００４４】記録層は通常スパッタ法等の真空中の物理
蒸着法で成膜されるが、成膜直後のａｓ−ｄｅｐｏｓｉ
ｔｅｄ状態では、通常非晶質であるため、通常はこれを
結晶化させて未記録消去状態とする。この操作を初期化
と称する。初期化操作としては、例えば、結晶化温度
（通常１５０〜３００℃）以上融点以下での固相でのオ
ーブンアニールや、レーザー光やフラッシュランプ光な
どの光エネルギー照射でのアニール、溶融初期化などの
方法が挙げられるが、上記好ましい結晶状態の記録層を
得るためには、溶融初期化が好ましい。固相でのアニー
ルの場合は、熱平衡を達成するための時間的余裕がある
ために、他の結晶相が形成されやすい。

【００４５】溶融初期化においては、記録層を溶融させ
て再凝固時に直接再結晶化させてもよく、また、再凝固
時にいったん非晶質状態とした後、融点近傍で固相再結
晶化させてもよい。この際、結晶化の速度が遅すぎると
熱平衡を達成するための時間的余裕があるために他の結
晶相が形成されることがあるので、ある程度冷却速度を
速めるのが好ましい。

【００４６】例えば、融点以上に保持する時間は、通常
２μｓ以下、好ましくは１μｓ以下とすることが好まし
い。また、溶融初期化には、レーザ光を用いるのが好ま
しく、特に、走査方向にほぼ平行に短軸を有する楕円型
のレーザ光を用いて初期化を行う（以下この初期化方法
を「バルクイレーズ」と称することがある）のが好まし
い。この場合、長軸の長さは、通常１０〜１０００μｍ
であり、短軸の長さは、通常０．１〜１０μｍである。
なお、ここでいうビームの長軸及び短軸の長さは、ビー
ム内の光エネルギー強度分布を測定した場合の半値幅か
ら定義される。走査速度は、通常１〜１０ｍ／ｓ程度で
ある。使用する相変化媒体のオーバーライト記録可能な
最高使用線速度より高い速度で走査した場合、初期化操
作で一旦溶融した領域が非晶質化してしまうことがあ
る。また、概ね最高使用線速度より約３０％以上低い速
度で走査すると相分離が生じて単一相が得られにくい。
そこで、最高使用線速度の５０〜８０％の走査速度が好
ましい。なお、最高使用線速度そのものは、その線速度
で消去パワーＰｅの光を照射したときに、消去が完全に
行われるような線速度の上限として定まる。レーザ光源
としては、半導体レーザ、ガスレーザ等各種のものが使
用できる。レーザ光のパワーは通常１００ｍＷから２Ｗ
程度である。

【００４７】バルクイレーズによる初期化の際、例えば
円盤状の記録媒体を使用した際、楕円ビームの短軸方向
をほぼ円周方向と一致させ、円盤を回転させて短軸方向
に走査するとともに、１周（１回転）ごとに長軸（半
径）方向に移動させて、全面の初期化を行うことができ
る。１回転あたりの半径方向の移動距離は、ビーム長軸
より短くしてオーバーラップさせ、同一半径が複数回レ
ーザー光ビームで照射されるようにするのが好ましい。
その結果、確実な初期化が可能となると共に、ビーム半
径方向のエネルギー分布（通常１０〜２０％）に由来す
る初期化状態の不均一を回避することができる。一方、
移動量が小さすぎると、かえって前記他の好ましくない
結晶相が形成されやすいので、通常半径方向の移動量
は、通常ビーム長軸の１／２以上とする。

【００４８】溶融初期化の際、２本のレーザビームを使
用し、先行するビームで一旦記録層を溶融させ、後続す
る２番目のビームで再結晶化を行うことによって溶融初
期化を行うこともできる。ここで、各々のビーム間の距
離が長ければ、先行ビームで溶融された領域は、いった
ん固化してから、２番目のビームで再結晶化される。溶
融再結晶化を行ったかどうかは、実際の１μｍ程度の記
録光で非晶質マークのオーバーライトを行った後の消去
状態の反射率Ｒ１と、初期化後の未記録状態の反射率Ｒ
２が実質的に等しいかどうかで判断できる。ここでＲ１
の測定は、非晶質マークが断続的に記録されるような信
号パターンを用いた場合、複数回のオーバーライト、通
常は５から１００回程度のオーバーライト後に行う。こ
うすることで、一回の記録だけでは未記録状態のまま残
りうるマーク間の反射率の影響を除去する。

【００４９】上記消去状態は、必ずしも記録用集束レー
ザー光を実際の記録パルス発生方法に従って変調しなく
ても、記録パワーを直流的に照射して記録層を溶融せし
め、再凝固させることによっても得られる。本発明に
は、Ｒ１とＲ２とで定義される下記式（Ｆ１）の値が１
０（％）以下、特には５（％）以下となるようにするの
が好ましい。

【００５０】

【数１】 ２｜Ｒ１−Ｒ２｜／（Ｒ１＋Ｒ２）×１００（％） …（Ｆ１）

【００５１】例えば、Ｒ１が１７％程度の相変化媒体で
は、概ねＲ２が１６〜１８％の範囲にあればよい。かか
る初期化状態を達成するためには、概ね実際の記録条件
と等しい熱履歴を初期化によって与えるのが好ましい。

【００５２】３．媒体の層構成について 次に、本発明に用いられる媒体の層構成及び記録層以外
の層について説明する。層構成及び記録層以外の層の組
成は、記録層の高速結晶化及び経時安定性を両立させつ
つ、媒体の光学特性を特定範囲としＣＤとの再生互換性
を保つために重要である。本発明の媒体の基板には、ポ
リカーボネート、アクリル、ポリオレフィンなどの透明
樹脂、あるいは透明ガラスを用いることができる。なか
でもポリカーボネート樹脂はＣＤにおいて最も広く用い
られている実績もあり安価でもあるので最も好ましい。
基板の厚さは通常０．１〜２０ｍｍ、好ましくは０．３
ｍｍ〜１５ｍｍである。一般的には１．２ｍｍ程度とさ
れる。記録層は、記録時の高温による変形を防止するた
めその上下を保護層で被覆されていることが望ましい
（説明の便宜上、記録層に対して入射される光の側にあ
る保護層を下部保護層、反対側にある保護層を上部保護
層と称することがある。）。

【００５３】さらに望ましくは、基板上に、下部保護
層、記録層、上部保護層及び反射層を設けてなる。この
場合、基板と反対側の表面を紫外線もしくは熱に対して
硬化性の樹脂で被覆（保護コート）することができる。
好ましくは、現行ＣＤシステムとの互換性を維持するた
め、基板上に下部保護層、記録層、上部保護層及び反射
層をこの順に設けてなる。記録層、保護層及び反射層
は、スパッタリング法によって形成することができる。
この場合、記録膜用ターゲット、保護膜用ターゲット及
び必要な場合には反射層材料用ターゲットを同一真空チ
ャンバー内に設置したインライン装置でスパッタリング
による膜形成を行うことが各層間の酸化や汚染を防ぐ点
で望ましい。

【００５４】保護層に用いられる材料としては、屈折
率、熱伝導率、化学的安定性、機械的強度、密着性等に
留意して決定される。一般的には透明性が高く高融点で
ある金属や半導体の酸化物、硫化物、窒化物やＣａ、Ｍ
ｇ、Ｌｉ等のフッ化物を用いることができる。これらの
酸化物、硫化物、窒化物、フッ化物は必ずしも化学量論
的組成をとる必要はなく、屈折率等の制御のために組成
を制御したり、混合して用いることも有効である。繰返
し記録特性を考慮すると誘電体の混合物が好ましい。よ
り具体的には、ＺｎＳやＺｎＯ、希土類硫化物と酸化
物、窒化物、炭化物等の耐熱化合物との混合物が挙げら
れる。これらの保護層の膜密度はバルク状態の８０％以
上であることが機械的強度の面から望ましい。本発明に
おいては、保護層、特に上部保護層の熱伝導率をできる
だけ小さくするのが好ましい。具体的には、熱伝導率が
１Ｊ／（ｍ・ｋ・ｓ）以下のものを使用するのが好まし
い。このような材料としては、ＺｎＳやこれを５０ｍｏ
ｌ％以上含む混合物を挙げることができる。

【００５５】下部保護層膜厚は通常３０ｎｍ以上である
が、５０ｎｍ以上、特に６０ｎｍ以上、さらには８０ｎ
ｍ以上が好ましい。繰返しオーバーライト時の熱ダメー
ジによる基板変形を抑制するためには、ある程度の膜厚
が必要であり、下部保護層の膜厚が薄すぎると、繰返し
オーバーライト耐久性が急激に悪化する傾向にある。特
に、繰返し回数が数百回未満の初期に急激にジッタが増
加する傾向にある。繰返し初期のジッタの悪化は、下部
保護層膜厚に著しく依存する。本発明者等の原子間力顕
微鏡（ＡＦＭ）による観察によれば、この初期劣化は基
板表面が２〜３ｎｍ程度へこむ変形によるものであるこ
とがわかった。基板変形を抑制するためには、記録層の
発熱を基板に伝えないために熱絶縁効果があり、かつ、
機械的に変形を押さえ込むような保護層膜厚が必要であ
り、そのために上記の膜厚が好ましい。

【００５６】一方、反射率Ｒ_TOPの下部保護層膜厚依存
性をみた場合、６０〜８０ｎｍで反射率最小となり、０
及び１５０ｎｍ程度で最大となるのが通常である。波長
７８０ｎｍに対して、通常用いられる屈折率２．０〜
２．３程度の誘電体からなる保護層では、該下部保護層
膜厚相当ごとに、反射率は最大と最小を取る周期的な変
化を示す。従って、あまり厚くすることは光学的には意
味がなく、また材料コストの増大、厚膜成膜による溝カ
バレッジの問題等が発生することがあるので、下部保護
層は通常１５０ｎｍ以下、好ましくは１２０ｎｍ以下と
する。一方、上部保護層の膜厚は３０ｎｍ以上、特に３
５ｎｍ以上が好ましい。上部保護層は、主に記録層と反
射層の相互拡散を防止する。上部保護層が薄すぎると記
録層溶融時の変形等によって破壊されやすくなり、また
放熱効果が大きすぎて記録に要するパワーが不必要に大
きくなる傾向にある。特に本発明のように８倍速以上の
高倍速で記録を行おうとする場合、記録感度の低下は好
ましいことではない。

【００５７】一方、上部保護層が厚すぎると、保護層内
部の温度分布が急峻になり、保護層自体の変形が大きく
なり、それがオーバーライトにより蓄積されやすくなる
ので、通常６０ｎｍ以下、好ましくは５５ｎｍ以下とす
る。記録層の膜厚は１０ｎｍ以上、特に１５ｎｍ以上が
好ましい。記録層の厚みが薄すぎると十分なコントラス
トが得られにくく、また結晶化速度が遅くなる傾向があ
る。また短時間での記録消去も困難となりやすい。

【００５８】一方、記録層の膜厚は、通常４０ｎｍ以下
であるが、３０ｎｍ以下、特に２５ｎｍ以下が好まし
い。膜厚が大きすぎるとやはり光学的なコントラストが
得にくくなり、また、熱容量が大きくなるために記録感
度が悪くなることがある。さらにまた、相変化に伴う記
録層の体積変化は記録層が厚くなるほど大きくなるた
め、記録層が厚すぎると、繰返しオーバーライト時に保
護層及び基板表面等に微視的な変形が蓄積され、ノイズ
の上昇につながることもある。

【００５９】記録層及び保護層の厚みは、機械的強度や
信頼性の面（特に繰返しオーバーライト耐久性）からの
制限の他に、多層構成に伴う干渉効果も考慮して、レー
ザー光の吸収効率が良く、記録信号の振幅、すなわち記
録状態と未記録状態のコントラストが大きくなるように
選ばれる。これらすべてのバランスを取りうる層構成と
しては、上下の保護層の屈折率を２．０〜２．３とし、
下部保護層膜厚ｄ_L 、記録層膜厚ｄ_R 、上部保護層膜厚
ｄ _U とするとき、１５≦ｄ_R ≦２０ｎｍ、３０≦ｄ_U ≦
６０ｎｍであって、ｄ_U とｄ_R とがｄ_U ＝｛−５ｄ_R ＋
１３０｝±１０ｎｍの関係を満たし、かつ、再生時の結
晶状態に対する反射光Ｒ_top のｄ_L 依存性において、Ｒ
_top のｄ_L ６０〜８０ｎｍの中での極小値から厚膜方向
への次の極小値迄の間で∂Ｒ_top ／∂ｄ_L ＞０であるよ
うに選択することが望ましい。

【００６０】本発明の媒体は、反射層の放熱効果を従来
の１〜４倍速互換ＣＤ−ＲＷ媒体に比較してさらに高め
るのが重要である。この組成を微妙に調整し前記の特定
記録層と組合せることによって、より容易に高線速及び
低線速の両方での記録が可能となる。特に、上記保護層
として低い熱伝導率の材料を用いることを併用すること
によってより大きな効果を得ることができる。非晶質の
形成及び再結晶化過程と、反射層の放熱効果及び記録時
線速度の関係を図３により説明する。図３において横軸
は記録線速度であり、左の縦軸は記録層を溶融し再凝固
させたときの冷却速度を示したもので、この冷却速度γ
が記録層材料で決まる臨界冷却速度Ｒ_c より大きければ
記録層は非晶質となり、非晶質マークが形成される。図
３の左の縦軸において、Ｓｂ／Ｔｅ比をＳｂ₇₀Ｔｅ
₃₀（Ｓｂ／Ｔｅ≒２．３３）の共晶点を越えて高くする
ことは、Ｒ_c が大きくなって上方に移動することを意味
する。

【００６１】曲線ａは通常構成のディスクに図４の固定
パルスストラテジーを印加した場合の記録層の冷却速度
の記録時線速度依存性を表している。曲線ｂは同じディ
スクの反射層のみ後述の放熱効果の高い組成のものに変
え、放熱効果を高めた場合である。曲線ｂは曲線ａの上
方にあり、非晶質マークが形成されやすくなることがわ
かる。高線速度ではもともと冷却速度が記録層非晶質化
の臨界冷却速度Ｒ_c より十分大きいために、非晶質形成
に及ぼす反射層放熱効果の差は顕著ではないが、低線速
度では全体として記録層冷却速度が低下し、Ｒ_c 近傍よ
り低くなるために、非晶質形成に及ぼす反射層放熱効果
が顕著になる。

【００６２】一方、これら曲線は記録層が消去パワーＰ
ｅの記録光によってマーク間で再結晶化される場合の、
記録層が結晶化温度以上に保持される時間τの逆数１／
τの線速度依存性ともみなせる（図３中右側の縦軸）。
この保持時間τが記録層材料で決まる臨界結晶化時間τ
_c より大きければ、つまり１／τ＜１／τ_c であれば非
晶質マークは十分に再結晶化されて消去されることにな
る。なお、３Ｔマークと３Ｔスペースからなる単一周期
信号を記録後、１１Ｔマークと１１Ｔスペースからなる
単一周期信号をオーバーライトしたときの３Ｔマークの
消去比を２５ｄＢ以上とすれば、通常、１／τ＜１／τ
_c となる。本発明においては、高線速でのオーバーライ
トで十分な消去ができるよう１／τ＜１／τ_c を満足さ
せると同時に、低線速での冷却速度γがγ＞Ｒ_c を満足
させるという相反する要求を満足する曲線ｃのような特
性を有することが重要であり、そのため、各層の組成や
厚さを選択する必要があるのである。曲線ｃは、４倍速
（４Ｘ）未満において記録層冷却速度の低下が補償され
ることがわかる。

【００６３】なお、曲線ｃは、曲線ｂの媒体に、後述す
る好ましいパルス分割方法を併せ用いた場合に容易に達
成できる。上記のような観点から、反射層の材料として
は、熱伝導率が高く放熱効果が大きいＡｌあるいはＡｇ
を主成分とする合金を用いるのが好ましい。反射層の比
熱はＡｌやＡｇを主成分とする合金では純Ａｌ及び純Ａ
ｇに準じており、微量元素添加や薄膜化でほとんど変化
しないと考えられる。従って放熱効果は反射層の熱伝導
率と厚みに依存する。

【００６４】一般には薄膜の熱伝導率はバルク状態の熱
伝導率と大きく異なり、小さくなっているのが普通であ
り、成長初期の島状構造の影響で熱伝導率が１桁以上小
さくなる場合もある。さらに、成膜条件によって結晶性
や不純物量が異なり、これが同じ組成でも熱伝導率が異
なる要因になる。ここで、熱伝導の良否は電気抵抗を利
用することによって見積もることができ、良好な特性を
示す高熱伝導率の反射膜を規定することができる。金属
膜のように電子が熱もしくは電気伝導を主として司る材
料においては熱伝導率と電気伝導率は良好な比例関係が
あるためである。薄膜の電気抵抗はその膜厚や測定領域
の面積で規格化された抵抗率値で表す。体積抵抗率と面
積抵抗率（比抵抗）は通常の４探針法で測定でき、ＪＩ
Ｓ Ｋ ７１９４によって規定されている。これによ
り、薄膜の熱伝導率そのものを実測するよりもはるかに
簡便かつ再現性の良いデータが得られる。反射層の放熱
効果は熱伝導率と膜厚の積で示されるから、結局、放熱
効果は面積抵抗率で規定できることとなる。本発明にお
いては、反射層の面積抵抗率を０．２〜０．６Ω／□、
特に０．２２〜０．５５Ω／□とするのが好ましい。

【００６５】また、好ましい反射層は、体積抵抗率１５
０ｎΩ・ｍ以下、特に１００ｎΩ・ｍ以下を有する。一
方、体積抵抗率の極端に小さい材料は薄膜状態では実質
的に得にくいので、通常２０ｎΩ・ｃｍ以上である。

【００６６】反射層の厚さは、通常４０〜３００ｎｍ、
好ましくは５０〜２００ｎｍである。厚すぎると面積抵
抗率を下げることはできても十分な放熱効果は得られな
いのみならず、記録感度が悪化しやすい。厚い膜では単
位面積当たりの熱容量が増大しそれ自体の放熱に時間が
かかっててしまい、放熱効果がかえって小さくなるため
と考えられる。また、このような厚膜では成膜に時間が
かかり、材料費も増える傾向にある。また、膜厚が小さ
すぎると、一部膜成長初期の島状構造の影響が出やす
く、反射率や熱伝導率が低下することがある。

【００６７】反射層の材料としてはＡｌ合金やＡｇ合金
を挙げることができる。本発明に適した反射層の材料を
より具体的に述べると、ＡｌにＴａ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃ
ｒ、Ｓｉ、Ｓｃ、Ｈｆ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｍｏ
及びＭｎからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素
を含むＡｌ合金を挙げることができる。これらの合金
は、耐ヒロック性が改善されることが知られているの
で、耐久性、体積抵抗率、成膜速度等考慮して用いるこ
とができる。上記元素の含有量は、通常０．１〜２原子
％、好ましくは０．２〜１原子％である。Ａｌ合金に関
しては、添加不純物量が少なすぎると、成膜条件にもよ
るが、耐ヒロック性は不十分であることが多い。また、
多すぎると上記の低抵抗率が得られにくい。

【００６８】Ａｌ合金として、Ｍｎを０〜２重量％、Ｓ
ｉを０〜２重量％、Ｍｇを０．５〜２重量％、Ｔｉを０
〜０．２重量％含有するＡｌ合金を使用することもでき
る。ＭｎはＡｌ合金の製造工程で不可避的に混入する有
害元素のうち、完全な除去が非常に困難なＦｅに対し
て、Ａｌ₆ＭｎがＦｅを固溶して、ＦｅＡｌ₃の析出を防
止し、もって、Ｆｅに由来する耐食性の低下を防止する
のに効果がある。ただし、Ｍｎ自体は多量に含まれる
と、反射層中に経時的にＡｌ₆Ｍｎが析出して熱伝導率
の経時的変化をもたらすことがあるのでその含有量は、
通常２重量％以下、より好ましくは１重量％以下とす
る。Ｓｉは微細剥離欠陥を抑制するのに効果があるが、
含有量が多すぎると経時的に熱伝導率が変化することが
あるので、通常２重量％以下、好ましくは１．５重量％
以下とする。またＭｇは、反射層の耐食性を向上させる
が、含有量が多すぎて経時的に熱伝導率が変化すること
があるので、通常２重量％以下、好ましくは１．５重量
％以下とする。Ｔｉは、スパッタリングレートの変動を
防ぐという効果があるが、含有量が多すぎると、熱伝導
率を低下させるとともに、Ｔｉがミクロレベルで均一に
固溶したバルクの鋳造が困難となり、ターゲットコスト
を上昇させるので通常０．２重量％以下とする。

【００６９】また、反射層材料の他の好ましい例として
は、ＡｇにＴｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｗ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｃ、Ｈｆ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｐ
ｔ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｍｏ及びＭｎからなる群から選ばれた
少なくとも１種の元素を含むＡｇ合金を挙げることがで
きる。経時安定性をより重視する場合には添加成分とし
てはＴｉ、Ｍｇ又はＰｄが好ましい。上記元素の含有量
は、通常０．２〜５原子％である。本発明においては、
このような高熱伝導率な反射層材料を用いることによ
り、３００ｎｍ以下の比較的薄い反射層であって、面積
抵抗率が０．２〜０．６Ω／□と適切に小さい範囲の反
射層とすることができる。Ａｌへの不純物元素の添加、
Ａｇへの不純物元素の添加によってその添加濃度に比例
して、体積抵抗率が増加するのが通常である。不純物の
添加は一般的に結晶粒径を小さくし、粒界の電子散乱を
増加させて熱伝導率を低下させると考えられる。従っ
て、添加不純物量を調節することは、結晶粒径を大きく
することで材料本来の高熱伝導率を得るために重要であ
る。

【００７０】なお、反射層は通常スパッタ法や真空蒸着
法で形成されるが、ターゲットや蒸着材料そのものの不
純物量や、成膜時に混入する水分や酸素量も含めて全不
純物量を２原子％未満とするのが好ましい。このために
反射層をスパッタリングによって形成する際、プロセス
チャンバの到達真空度は１×１０^-3Ｐａ未満とすること
が望ましい。また、１０^-4Ｐａより悪い到達真空度で成
膜するなら、成膜レートを１ｎｍ／秒以上、好ましくは
１０ｎｍ／秒以上として不純物が取り込まれるのを防ぐ
ことが望ましい。あるいは、意図的な添加元素を１原子
％より多く含む場合は、成膜レートを１０ｎｍ／秒以上
として付加的な不純物混入を極力防ぐことが望ましい。

【００７１】成膜条件によって結晶粒径が変化する場合
もある。たとえば、ＡｌにＴａを２原子％程度混入した
合金膜は、通常結晶粒の間に非晶質相が混在するが、結
晶相と非晶質相の割合は成膜条件で変化する。たとえ
ば、低圧でスパッタするほど結晶部分の割合が増え、体
積抵抗率が下がる（熱伝導率は増加する）。膜中の不純
物組成あるいは結晶性は、スパッタに用いる合金ターゲ
ットの製法やスパッタガス（Ａｒ、Ｎｅ、Ｘｅ等）にも
依存する。すなわち薄膜状態の体積抵抗率は金属材料、
組成のみによっては決まらない。高熱伝導率を得るため
には、上記のように、不純物量を少なくするのが望まし
いが、一方で、ＡｌやＡｇの純金属は耐食性や耐ヒロッ
ク性に劣る傾向があるため、両者のバランスを考慮して
最適組成が決まる。

【００７２】さらなる高熱伝導と高信頼性を得るために
反射層を多層化することも有効である。この場合、少な
くとも１層は全反射層膜厚の５０％以上の膜厚を有する
上記低体積抵抗率の材料とするのが好ましい。この層は
実質的に放熱効果を司り、他の層が耐食性や保護層との
密着性、耐ヒロック性の改善に寄与するように構成され
る。例えば、金属中最も高熱伝導率および低体積抵抗率
であるＡｇは硫黄を含む上部保護層との相性が悪く、繰
返しオーバーライトした場合の劣化がやや速いという傾
向がある。また、高温高湿の加速試験環境下で腐食を生
じやすい傾向があるので、この場合Ａｇを含む反射層と
上部保護層との間に界面層として、Ａｇを含む反射層よ
りも薄いＡｌを主成分とする合金層を設けることも有効
である。Ａｌ合金としては前述と同様に例えば、Ｔａ、
Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｓｃ、Ｈｆ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｍ
ｇ、Ｚｒ、Ｍｏ及びＭｎからなる群から選ばれる少なく
とも１種を０．２原子％以上２原子％未満含むＡｌ合金
が挙げられる。界面層の厚さは、薄すぎると保護効果が
不十分で、厚すぎると放熱効果が不十分になる傾向にあ
るので通常５〜１００ｎｍ、好ましくは５〜５０ｎｍで
ある。一方、Ａｇを含む層の膜厚は通常１０〜２００ｎ
ｍである。薄すぎると放熱効果が不十分となることがあ
り、厚すぎると消去不足となりやすい。

【００７３】さらに、Ａｇを含む反射層とＡｌを含む界
面層とを用いる場合、ＡｇとＡｌとは比較的相互拡散し
やすいので、ＡｌのＡｇに接する表面を酸化して界面酸
化層を設けることがいっそう好ましい。界面酸化層が厚
すぎるとそれが熱抵抗となり、本来の趣旨である、極め
て放熱性の高い反射層としての機能が損なわれることが
あるので通常その厚さは１０ｎｍ以下、好ましくは５ｎ
ｍ以下とする。一方、薄すぎると界面酸化層としての機
構が不十分となることがあるので、通常は１ｎｍ以上と
する。このような界面酸化層は、Ａｌを含む界面層を形
成後１分〜１００時間大気中に放置することによって形
成させることができる。

【００７４】反射層の多層化は、高体積抵抗率材料と低
体積抵抗率材料を組み合わせて所望の膜厚で所望の面積
抵抗率を得るためにも有効である。すなわち、合金化に
よる体積抵抗率調節は、合金ターゲットの使用によりス
パッタ工程を簡素化できるが、ターゲット製造コスト、
ひいては媒体の原材料比を上昇させる要因にもなるた
め、場合によっては、純ＡｌやＡｇの薄膜と上記添加元
素そのものの薄膜を多層化して所望の面積抵抗率を得る
ことが有効である。総数が３層程度までであれば、初期
の装置コストは増加するが個々の媒体コストはかえって
抑制できる場合がある。

【００７５】本発明においてはさらに、ＣＤとの互換性
を確保するよう基板に設けられた溝の構成に配慮する必
要がある。溝のトラックピッチは通常１．６μm ±０．
１μm 程度である。また溝の深さは通常３０〜４５ｎｍ
であるが、特に３０〜４０ｎｍ程度が好ましい。溝深さ
が大きすぎると、記録後のプッシュプル値が大きくなり
すぎる傾向がある。また、記録後のラジアルコントラス
ト値が記録前の値に比べて大きくなりすぎ、サーボの安
定性に問題が生じることもある。

【００７６】一方、溝深さが小さすぎるとラジアルコン
トラスト値やプッシュプル値がオレンジブック・パート
３のようなＣＤ−ＲＷ規格の下限値を下回ってしまうこ
とがある。また、溝壁による記録層閉じ込め効果が薄
れ、繰返しオーバーライトによる劣化が促進される傾向
にある。さらに、溝深さを浅くしすぎるとスタンパ製造
や基板の成形が困難にもなる。上記の範囲とすることに
よって、溝内反射率が十分に高くなり、ＣＤ−ＲＷ規格
の下限値である１５％を満たしやすく、また、記録後の
プッシュプルの振幅ＰＰａが大きくなりすぎず、既存の
凹凸ピット再生回路でもプッシュプル検出回路のゲイン
が飽和してしまうことを少なくすることができる。溝幅
は、通常０．４μｍ以上、好ましくは０．４５μｍ以上
であり、また通常０．６μｍ以下、好ましくは０．５５
μｍ以下である。溝幅が小さすぎると記録後のラジアル
コントラストの絶対値が０．６未満という規格値を満た
しにくくなる。また、大きすぎると、ウォブルの存在に
よって生じるオーバーライト耐久性の劣化が顕著になる
傾向にある。

【００７７】なお、ウォブルの存在による耐久性劣化促
進のメカニズムは必ずしも明らかではないが、記録用光
ビームの一部が溝の側壁に照射されやすくなるためでは
ないかと考えられる。すなわち、トラッキングサーボが
かかった集束光ビームはウォブルの蛇行には追従せず溝
中心部を直進して行くため、溝壁の蛇行があれば、光ビ
ームが、わずかではあるが溝壁に照射されやすくなる。
薄膜の密着性が悪い溝壁部や溝角部で応力集中が起きや
すい等により繰返しオーバーライト時の熱ダメージによ
る劣化が起きやすいと考えられるので、ここに光ビーム
の一部でも照射されれば、劣化は促進されると考えられ
る。一般に、相変化媒体の溝内記録では深溝、細溝であ
るほど耐久性が良いという傾向があるが、ウォブルが存
在する場合には、溝幅が狭すぎるとかえって上述の溝壁
部の劣化現象が顕著になると考えられる。

【００７８】なお、溝幅や溝深さは、例えば波長６３３
ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザー光等によるＵ溝近似による光
学回折法で求めることができる。また、走査型電子顕微
鏡や走査型プローブ顕微鏡で溝形状を実測することがで
きる。この場合の溝幅は通常溝深さの半分の位置におけ
る値を用いるのがよい。本発明の光記録媒体は、後述す
るようなＣＡＶ方式による記録が可能である。即ち、本
発明の媒体は、データの記録を記録の行なわれる半径位
置に関わらず回転速度一定のまま行うことができる。こ
の場合、再生も一定の回転速度で行なうことができる
が、好ましくは記録と再生とを同一の回転速度で行う。

【００７９】４．一般的な記録方法について 本発明においては、上記の書換え型光記録媒体に対し
て、少なくとも８倍速、特に８倍速及び１０倍速、又は
８倍速及び４倍速、さらには４倍速、８倍速及び１０倍
速で記録を行なうのが好ましい。この場合、以下のよう
なパルス分割方法（Ｉ）でオーバーライトを行うことが
できる。その結果、既存のＣＤ再生システムとの互換性
が良好な信号の記録が可能になる。すなわち、ＥＦＭ変
調された情報を複数のマーク長により記録するにあた
り、一つの記録マークの時間的長さをｎＴとしたとき
（Ｔは基準クロック周期。ｎは３〜１１までの整数）、
記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化しうる消去パ
ワーＰｅの記録光を照射し、記録マークに対しては、そ
のうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔを、 α₁ Ｔ、β₁ Ｔ、α₂ Ｔ、β₂ Ｔ、・・・・、α_m Ｔ、
β_m Ｔ、 ただし、ｍ＝ｎ−１又はｍ＝ｎ−２ の順に、Σ_i （α_i ＋β_i ）＝ｎ−ｊ（ｊは０．０≦ｊ
≦２．０なる実数）となるよう分割し、

【００８０】α_i Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）なる時間内には記録
層を溶融させるにたるＰｗ＞Ｐｅ好ましくはＰｗ＝Ｐｅ
／０．３〜Ｐｅ／０．６なる記録パワーＰｗの記録光を
照射し、β_i Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）なる時間内には０＜Ｐｂ
≦０．５ＰｅなるバイアスパワーＰｂの記録光を照射し
てオーバーライトを行う。このパルス分割方法のうちｍ
＝ｎ−１の場合は、現行ＣＤ−ＲＷ規格に規定されたパ
ルス分割方法によるオーバーライトに相当するものなの
で、既存の回路と互換性をとる上で好ましい。

【００８１】上記において、形成されるマークの長さを
正確に制御するために、区間ｊＴを設定することができ
る。区間ｊＴは通常上記分割パルスの先頭及び／または
最後尾に付加され、この間には消去パワーＰｅの記録光
を照射する。バイアスパワーＰｂは再生光の再生に要す
る再生パワーＰｒとほぼ同じ値であることが好ましく、
通常は１．５ｍＷ以下、特に１．０ｍＷ以下の値とす
る。フォーカスやトラッキングサーボに支障が無い限り
できるだけ０に近づけたほうが、Ｐｂ照射区間（オフパ
ルス区間）における記録層の急冷効果が促進されて好ま
しい。なお、Ｐｗ、Ｐｅ及びＰｂの値が必ずしも常に一
定である必要はなく、例えばクロック周期ＴのＶ₁₀程度
の周期で高周波重畳を加えてレーザーの動作を安定させ
ることができる。この場合のＰｗ、Ｐｅ及びＰｂはそれ
らの平均値となる。図１は上記パルス分割法を説明する
図であり、（ａ）マーク長変調データとそれを記録する
際のパルス分割方法として（ｂ）にｍ＝ｎ−１の場合、
（ｃ）にｍ＝ｎ−２の場合を示す。なお（ｂ）、（ｃ）
では図を簡略にするためにα及びβの後にかけるべきＴ
を省略している。

【００８２】上記の記録方法において、少なくともｍ＝
ｎ−１においてオーバーライト可能であれば、ＣＤ−Ｒ
Ｗ規格との互換性をとりつつ良好なオーバーライトが行
える。すなわち、ＥＦＭ変調信号をオーバーライトした
後の信号特性が、上述の変調度ｍ₁₁が６０％以上、アシ
ンメトリーが０付近でＣＤと互換性があり、さらに再生
信号の各マーク及びマーク間（スペース）のジッタが３
５ｎｓｅｃ以下（１倍速再生時）、かつマーク長及びマ
ーク間がほぼｎＴ×Ｖ（Ｔはデータの基準クロック周
期、ｎは３〜１１までの整数、Ｖは再生時の線速度）の
長さを有するような記録品質を保つことができる。これ
は、実際上は、ＣＤ−ＲＷディスク再生可能な市販のＣ
Ｄ−ＲＯＭドライブで低エラーレートで再生できること
を意味する。

【００８３】なお、上記において、ジッタの測定は再生
信号を高周波通過フィルタを通した後、信号振幅の中心
を閾値としてＤＣスライスでマーク長を検出して行う。
本発明の媒体に対して、好ましくはｍ＝ｎ−１及びｍ＝
ｎ−２の２通りのパルス分割方法のいずれでもオーバー
ライトを行なう。本発明の上記媒体は、後述のような様
々な線速で記録され得る。この際、いずれの線速におい
ても通常は長さｎＴのマークを複数にパルス分割し、記
録パワーＰｗとバイアスパワーＰｂとを交互に照射する
図１（ｂ）、（ｃ）に示すようなパルス分割方式を採用
するが、その具体例方式を決定するパラメータの最適値
は線速によって変わるのが一般的である。そこで、本発
明の媒体には、記録線速に応じた最適記録パワーＰ
ｗ₀ 、最適消去パワーＰｅ₀ 、最適バイアスパワーＰｂ
₀ やα_i（ｉは１〜ｍの少なくとも１つ）、β_i（ｉは１
〜ｍの少なくとも１つ）、分割数ｍ等のパルス分割情報
のうちの少なくとも１つを媒体上に記入しておくのが好
ましい。本発明の媒体は、その記録方法を定めれば、４
倍速から１０倍速における任意の線速でのオーバライト
特性をほぼ一義的に決定できる。すなわち、図３におい
て、記録パルスストラテジーを加味した、曲線ｃを４倍
速、１０倍速において定義し、媒体に求められる冷却速
度Ｒｃ及び、結晶化のための保持時間τをほぼ一義的に
決定することに他ならない。

【００８４】そして、少なくとも４から１０倍速の間の
任意の線速、好ましくはさらに１倍速までの任意の線速
において、書き換え型光記録媒体として従来のＣＤ−Ｒ
Ｗ再生可能なシステムで良好な再生が可能となると同時
に、媒体及びドライブとの互換性を取りやすくすること
ができる。

【００８５】５．ＣＬＶ方式による記録方法について 次に、本発明の第３の要旨に係る記録方法について説明
する。前述のように、従来、ＣＤ−ＲＷにおいて高速記
録が行えなかった理由の１つとして、ＣＤ−ＲＷ規格で
は厳密な記録パルスストラテジー（パルス分割方法）が
規定されていることを挙げた。すなわち、ＣＤ−ＲＷ規
格オレンジブックパート３のバージョン２．０規定の、
図４に示す記録パルスストラテジーをもって４倍速から
８〜１０倍速あるいはそれ以上までの広範囲な線速の記
録を行わなければならない。しかしながら、相変化媒体
にマーク長変調された情報を複数のマーク長及びマーク
間長により記録する場合、一般に、固定した記録パルス
ストラテジーでは、最大使用線速と最小使用線速の比は
およそ２倍が限度である。

【００８６】そこで、本発明の記録方法は、１〜１０倍
速などの複数個の広い線速範囲において線速を一定とし
たＣＬＶ（ｃｏｎｓｔａｎｔ ｌｉｎｅａｒ ｖｅｌｏ
ｃｉｔｙ）方式による記録を行うに際し、前記パルス分
割方法（Ｉ）に準じた以下の３種類のパルス分割方法を
線速度に応じて適用する。相変化型記録層を有する書換
え型光記録媒体にＥＦＭ変調された情報を複数のマーク
長及びマーク間長により記録するにあたり、一つの記録
マークの時間的長さを前記同様ｎＴとしたとき、記録マ
ーク間に対しては、非晶質を結晶化しうる消去パワーＰ
ｅの記録光を照射し、記録マークに対しては、そのうち
の時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔを、 α₁ Ｔ、β₁ Ｔ、α₂ Ｔ、β₂ Ｔ、・・・・、α_m Ｔ、
β_m Ｔ、 （ただし、ｍ＝ｎ−１又はｍ＝ｎ−２、）の順に、Σ_i
（α_i ＋β_i ）＝ｎ−ｊ（ｊは０．０≦ｊ≦２．０なる
実数）となるよう分割し、α_i Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）なる時
間内には記録層を溶融させるにたるＰｗ＞Ｐｅ、好まし
くはＰｗ＝Ｐｅ／０．３〜Ｐｅ／０．６なる記録パワー
Ｐｗの記録光を照射し、β_i Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）なる時間
内には０＜Ｐｂ≦０．５ＰｅなるバイアスパワーＰｂの
記録光を照射してオーバーライトを行い、この際線速
１．２ｍ／ｓ〜１．４ｍ／ｓを基準速度（１倍速）と
し、２３１ｎｓをその際の基準クロック周期としたと
き、 （１）４倍速においては、α₁ ＝０．３〜１．５、α_i
＝０．２〜０．７（２≦ｉ≦ｍ）、α_i ＋β_i-1 ＝１〜
１．５（３≦ｉ≦ｍ）とする。 （２）１又は２倍速においては、α₁ ＝０．０５〜１．
０、α_i ＝０．０５〜０．５（２≦ｉ≦ｍ）、α_i ＋β
_i-1 ＝１〜１．５（３≦ｉ≦ｍ）とする。 （３）６、８、１０及び１２倍速のいずれかの倍速にお
いては、α₁ ＝０．３〜２．０、α_i ＝０．３〜１（２
≦ｉ≦ｍ）、α_i ＋β_i-1 ＝１〜１．５（３≦ｉ≦ｍ）
とする。

【００８７】上記の記録方法において、各線速におい
て、α_i （２≦ｉ≦ｍ）及び／又はα _i ＋β_i-1 （３≦
ｉ≦ｍ）は、ｉによらずそれぞれほぼ一定の値をとって
いるのが好ましく、その結果、後述のような簡便なパル
ス発生回路を利用することができる。その点において、
上記（１）〜（３）の各線速において、α_i ＋β_i-1 が
２≦ｉ≦ｍでｉによらず約１で一定とするのが好まし
い。また、先頭パルスα₁を後続のパルスα_i （２≦ｉ
≦ｍ）より長くする、特にはα_i／α₁＝０．３〜０．
７、好ましくは０．４〜０．７とすれば、３Ｔ，４Ｔ等
の短マークと５Ｔ以上の長マークのそれそれを正確なマ
ーク長で記録し、アシンメトリーを０に近づけることが
できる。これは特に４倍速以上において有効である。上
記（１）〜（３）の各線速において、β₁ 及びβ_m は独
立したパラメータとして選択し、可変とできるが、その
値はそれぞれ０〜１．５とするのが好ましく、より好ま
しくは０．２５〜１．２５とする。また、Ｐｗ、Ｐｅ、
及びＰｂについては常に一定である必要はなく、例えば
α ₁ Ｔ又はα_m Ｔなる区間に照射する記録光のパワーＰ
ｗとα_i Ｔ（ｉ＝２〜ｍ−１）なる区間に照射する記録
光のパワーＰｗとを相異なる値としてもよい。

【００８８】記録パルスの分割数ｍは、上記（１）〜
（３）の各線速において、ｎ−１もしくはｎ−２のいず
れを選択しても良いが、４倍速以下では図１（ｂ）に示
すようにｎ−１個に分割し４倍速以上では図１（ｃ）に
示すようにｎ−２個に分割するというように、分割数ｍ
を線速に応じて変更することもできる。本発明の上記記
録方法において、使用する各線速において、記録パルス
幅α_iＴ（ｉ＝１〜ｍ）及びオフパルス区間β_i Ｔ（ｉ
＝１〜ｍ−１）はそれぞれ１０ナノ秒以上、特に１５ナ
ノ秒以上とすることが望ましい。α_i Ｔやβ_i Ｔが小さ
すぎると、現行の通常の記録装置における記録用レーザ
ーの立ち上がり、立下り時間は少なくとも２，３ナノ秒
は必要であることから、パルスの正確な制御は困難にな
ることがある。従って基準クロック周期Ｔは、１２倍速
に対応できる１９．３ｎｓ、特に１０倍速に対応できる
２３．１ｎｓ迄とするのが好ましい。なお、オフパルス
区間β_i Ｔ（ｉ＝１〜ｍ−１）が小さすぎると、記録層
の冷却速度が不十分になることがある。

【００８９】現行のＣＤ−ＲＷ媒体は４倍速では正確に
図４の記録パルス分割方法（α₁ ＝１、α_i ＝０．５
（ｉ＝２〜ｍ）、α_i ＋β_i-1 ＝１（ｉ＝２〜ｍ）、β
_m ＝０．５）でＣＤ互換の信号を記録できなけれななら
ないが、記録装置側で±０．３Ｔ程度の補正を加えてよ
り良好な特性を得ることは装置の大幅な改良なく達成可
能である。従って、４倍速においては、（１）のごとく
α₁ ＝０．７５〜１．２５、α_i ＝０．２〜０．７（２
≦ｉ≦ｍ）、α_i ＋β_i-1 ＝１〜１．５（３≦ｉ≦
ｍ）、とする。４倍速より低線速である１又は２倍速に
おいては、上記（２）のα₁ ＝０．０５〜１．０、α_i
＝０．０５〜０．５（２≦ｉ≦ｍ）、α_i ＋β_i-1 ＝１
〜１．５（３≦ｉ≦ｍ、好ましくは２≦ｉ≦ｍ）、とす
るパルス分割方法をとることにより、記録パルスＰｗの
幅を狭め、付随するオフパルスＰｂ照射区間（オフパル
ス区間）を長くすることで、低線速における記録層冷却
速度を低下を抑制し、低線速における溶融記録層の再凝
固時の再結晶化を抑制して、４倍速オーバーライト時と
ほぼ同じ幅、長さの非晶質マークを得ることができる。

【００９０】４倍速より高線速である６、８、１０及び
１２倍速のいずれかの線速においては、上記（３）のα
₁ ＝０．３〜２、α_i ＝０．３〜１（２≦ｉ≦ｍ）、α
_i ＋β_i-1 ＝１〜１．５（３≦ｉ≦ｍ、好ましくは２≦
ｉ≦ｍ）とするパルス分割方法をとることにより、記録
パルスα_i Ｔの幅を広くし、高線速における記録層の溶
融に十分な記録パワーが与えられるようにすることで、
４倍速オーバーライト時とほぼ同じ幅、長さの非晶質マ
ークを得ることができる。

【００９１】ここで、上記（３）の方法は、１０倍速以
上の線速に対しても適用できるが、高線速になると相対
的に基準クロック周期が短くなってレーザーパルスの正
確な制御が困難となることがあるので、通常は２０倍速
以下、好ましくは１２倍速以下、より好ましくは１０倍
速以下の線速に適用する。分割数ｍをいずれの線速にお
いてもｍ−１又はｎ−２で一定とした際α₁ ＝約１、α
_i ＝０．３〜０．６（２≦ｉ≦ｍ）とし、さらにはα_i
＋β_i-1 （３≦ｉ≦ｍ、好ましくは２≦ｉ≦ｍ）を一定
とした上で、低線速ほどα_i を単調に減少させる（ただ
しｉは２〜ｍの整数）のが回路の簡略化の上で好まし
い。また、使用するいずれの線速においても、α₁ Ｔ及
びα_i Ｔ（ｉ＝３〜ｍ）及びα_i ＋β _i-1 （ただしｉは
３〜ｍの整数）を一定とするとさらに好ましい。ここで
α_i は約１とするのが好ましいが、０．９〜１．１程度
の範囲に入ればよい。

【００９２】本発明の前記記録方法において、β_m は、
いずれの線速においても一定の値としても良いが、α_i
（ｉ＝１〜ｍ）やβ_i （ｉ＝１〜ｍ−１）を一定とした
ままβ_m のみを変化させて、それを高線速ほど単調に小
さくすることも好ましい。この場合、高線速側ではβ_m
＝０であっても良い。なお、記録装置側のパルス発生回
路を簡略にするため、いずれの線速においてもｍはｎ−
１かｎ−２のどちらかで統一されることが望ましい。４
倍速を越える高線速ではデータの基準クロック周期Ｔが
短くなるので、４倍速と同じパルス分割方法を適用しよ
うとすると、たとえば８倍速では通常０．５Ｔ≒１５ｎ
ｓｅｃ、１０倍速では０．５Ｔ≒１２ｎｓｅｃとなり、
記録レーザーパルス発生回路を極めて高速にしなければ
追従しにくくなる。

【００９３】従って、４倍速を越える線速度において
は、パルス分割数をｍ＝ｎ−２として各パルス幅を長く
し、α_i ＋β_i-1 （３≦ｉ≦ｍ）を１〜１．５程度と
し、α₁を１．２〜２、α_i を０．５〜１．０と長めに
するのが、記録用レーザーの応答速度が好ましい。特に
８倍速以上では有効である。なお、４倍速以下では通常
は、同一線速ではＰｅ／Ｐｗ＝０．３〜０．６、好まし
くは０．４〜０．６の範囲でＰｅ／Ｐｗ比を一定にする
ようＰｅ及びＰｗを設定したほうが広い記録パワーマー
ジンが得られて良い。しかし、４倍速より高線速では、
Ｐｅ、Ｐｗを独立に設定し、それぞれの線速で最適パワ
ーを決めるほうが良い場合がある。４倍速以上の線速に
おいてＰｗの最適値Ｐｗ_oを決めるために、予め複数の
記録パワーＰｗの記録光で試し書きを行ない、図２にお
けるアシンメトリー値や変調度ｍ₁₁が所定の範囲となる
記録パワーＰｗをもって最適記録パワーＰｗ_oとするこ
とができる。この場合、得られた最適記録パワーＰｗ_o
の記録光で実際の記録を行なう。なお、上記において最
適記録パワーＰｗ_oを決めるためのアシンメトリー値や
変調度ｍ₁₁の範囲は、ディスク上の凹凸ピット信号やウ
ォブル溝による信号として媒体上に記入しておくことが
できる。

【００９４】なお、本発明の記録方法の好ましい態様と
しては、パルス分割回路の簡略化のため４倍速から少な
くとも８倍速、場合によっては１０倍速まで、同一のパ
ルス分割方法を用いる。具体的には、分割数ｍはｎ−１
又はｎ−２で一定とする。より好ましくはα_i（ｉは１
〜ｍの整数）をいずれの線速においても同一とする。こ
の際、いずれの線速においても、α_i ＋β_i-1（ｉ＝２
〜ｍ）を１とし、且つα_i を同一の値とするのが特に好
ましい。図５は本発明の記録方法におけるパルス発生方
法の一例の説明図である。（ａ）はクロック信号、
（ｂ）はマーク長変調されたデータ信号であり、
（ｃ）、（ｄ）及び（ｅ）は記録パルス発生回路中の３
種のゲート発生回路から発生するゲート信号Ｇａｔｅ
１、Ｇａｔｅ２、Ｇａｔｅ３である。これら３種のゲー
ト信号の優先順位を決めておくことで、本発明のパルス
分割方法が達成できる。Ｇａｔｅ１は記録パルス発生区
間α₁ Ｔのみを、Ｇａｔｅ２は後続パルスα_iＴ（２≦
ｉ≦ｍ）を所定個数発生させるタイミングを決める。こ
こでパルス幅α _i は２≦ｉ≦ｍにおいて一定値α_c とす
る。Ｇａｔｅ３はオフパルス発生区間β _i Ｔを発生す
る。Ｇａｔｅ３がオン（レベル高）の間はＰｂを発生
し、オフの間（レベル低）はＰｅを発生する。

【００９５】α₁ のみ立ち上がりのタイミングを独立し
て決めることで、β₁ をβ_i と異なる値とすることがで
きる。Ｇａｔｅ３とＧａｔｅ１の立ち上がりは同期させ
るのが良い。Ｇａｔｅ１、Ｇａｔｅ２はそれぞれＰｗを
発生させるが、Ｇａｔｅ１、２がオンのときはＧａｔｅ
３に優先する。Ｇａｔｅ１の遅延時間Ｔ₁ とα₁ 、Ｇａ
ｔｅ２の遅延時間（Ｔ ₁ ＋Ｔ₂ ）とα_c を指定すれば、
本発明の記録方法におけるパルスストラテジーを指定で
きる。ここで、Ｔ₁ を１Ｔ以上とすれば、図１（ｂ）の
ｍ＝ｎ−１の場合のパルスとなり、１Ｔ未満として後続
パルスの数を一個減らせば、図１（ｃ）のｍ＝ｎ−２の
場合のパルスとなる。あるいは、β_m-2 ≧１．０となる
ようにしても良い。

【００９６】この場合、β₁ はα₁ 、Ｔ₁ 及びＴ₂ の組
み合わせにより、β_m はＧａｔｅ３の終端で決まる独立
したパラメータとして扱える。図１（ｃ）において、α
_i ＋β_i-1 ＝１〜１．５とするには、Ｇａｔｅ２で発生
させるα_i のパルスの周期を１〜１．５とする。α
_i （ｉ＝１〜ｍ）等は、データの基準クロックＴもしく
はその１／２、１／４等のベースクロックに同期して元
の基準クロックＴを所定倍した形で発生させることで、
線速に応じたＴの変化に追従して実際のパルス幅を容易
に変えることができる。

【００９７】以上述べた記録方法は広くＣＤ−ＲＷ媒体
一般に適用可能であるが、本発明の第一又は第二の要旨
に係る媒体に対して用いると、いっそうアクセスパフォ
ーマンスが向上して好ましい。特に、高線速で再結晶化
速度の速い記録層と特に熱効果に留意した層構成とを組
み合わせ、１倍速でα_i Ｔが１０ナノ秒以上で良好なオ
ーバーライトが可能であることが望ましい。より好まし
くはα_i Ｔが１５ナノ秒以上で良好なオーバーライトが
可能である。その理由は、低線速の１倍速ではオフパル
ス区間β_i Ｔを長くし記録パルス区間はα_i Ｔを短くし
たいが、１倍速では最小で０．０５Ｔ≒１２ナノ秒とな
り、これ以上はα_i Ｔを短くしにくいためである。

【００９８】６．ＣＡＶ方式による記録方法について 次に、本発明の第４の要旨及び第５の要旨に係る記録方
法について説明する。これは、従来ＣＬＶモードでのみ
記録が行われてきたＣＤ−ＲＷをＣＡＶモードで記録可
能とするものであり、これにより、常に回転同期が必要
であったＣＤ−ＲＷ媒体の弱点であるアクセス、シーク
パフォーマンスの悪さを大幅に改善するものである。特
に、ランダムパケット記録で飛び飛びの半径位置のパケ
ットにアクセスを行う場合に効率が良く、コンピュータ
の外部記憶装置用媒体としての利便性が大きく増す。ま
た、ＣＬＶでは回転速度変更のためにモーターの加速・
減速のために多大な電力を消費するが、その必要も無く
ドライブの消費電力を大幅に改善できる利点もある。

【００９９】ＣＤ−ＲＷは通常、直径１２ｃｍの円盤形
状をしており、半径少なくとも２３ｍｍ〜５８ｍｍ、好
ましくは２２〜５８ｍｍに記録領域（インフォメーショ
ンエリア）を有する。これを、記録領域最内周で４倍速
相当となるように約２０００ｒｐｍでディスクを回転さ
せると、記録領域の最外周５８ｍｍにおいては線速度は
ほぼ１０倍速となる。即ち、通常ＣＡＶ方式にて最内周
を４倍速にすると最外周は概ね１０倍速となる。このと
き、データ基準クロック周期Ｔを各半径位置における線
速度Ｖとの積ＶＴが一定となるように半径距離と反比例
して変化させればマーク長ｎＴは回転角速度によらず一
定となり、ＣＡＶモードでの記録ながらＣＤと互換性の
ある一定線密度の記録ができる。ここで、記録領域には
ユーザーデータの記録領域以外に、システムが使用する
試し書き領域、リードイン、リードアウト領域等も含
む。従って、２２ｍｍ及び５８ｍｍという半径位置につ
いては±１ｍｍ程度の誤差を含んでいってもよい。ま
た、この許容誤差に対応して以下で用いられる周波数値
等にも若干のずれが生じるが、それも許容される。

【０１００】本発明に係る記録方法を実現する記録装置
の構成の一例を示す概念図を図６に示す。図６において
光ディスクＤ１は、空間周波数一定の搬送周波数ｆ_L0を
有しアドレス情報によって変調された信号に従って蛇行
された螺旋状の溝を有する基板及び記録層を有し、該螺
旋状の溝の所定の位置にある記録情報の単位である記録
ブロックを識別するアドレス情報及び該ブロックの開始
位置を識別する同期信号を有する。図６では、特に具体
的に書き換え型コンパクトディスクを光ディスクとして
想定しており、ｆ_L0＝２２．０５ｋＨｚでアドレス情報
はｆ_L0を搬送周波数として±１ｋＨｚで周波数変調され
たＡＴＩＰ情報である。また、ウォブルは線速度１．２
ｍ／ｓ〜１．４ｍ／ｓの線速度で再生したときに、その
搬送周波数ｆ _L0が２２．０５ｋＨｚとなるように溝蛇行
によって形成されている。

【０１０１】光ディスク記録再生装置１には、該ディス
クの中心部分を軸として等角速度回転させる手段である
スピンドルモーターＭ１と、記録再生のための集束光ビ
ームを発生する光ピックアップを所定のアドレスに移動
させる半径方向の移動機構（ＬＭ１）としてのリニアモ
ーターを有する。ピックアップＰＵ１には、光ディスク
の記録層面にレーザーダイオードを光源とする集束光ビ
ームの焦点をあわせるフォーカスサーボ回路（ＦＥ１）
と、該螺旋状の溝に沿って集束光ビームを走査させるた
めの溝トラッキングサーボ回路（ＴＥ１）が組み込まれ
ている。フォーカスサーボ回路には、非点収差法、フー
ユー法等の公知の手法が用いられる。トラッキングサー
ボ回路には、プッシュプル法や３ビーム法の公知の手法
が用いられる（以上、「コンパクトディスク読本」第３
版、オーム社、中島平太郎、小川博共著参照）

【０１０２】光ディスク記録再生装置１は、さらに溝蛇
行から搬送周波数ｆ_A0、アドレス情報及びブロック同期
信号を検出・解読する回路（ＷＡＤ１）と、該記録ブロ
ックの開始位置及びデータの基準クロックＴ（周波数ｆ
_d0）に同期してエンコーダＥＤ１及びＥＤ２によってマ
ーク長変調された記録データ列を発生する回路と、該記
録データ列に対応して記録レーザーパワーを変調する回
路（ＷＰ１）とを有する。光ディスクＤ１はモーターＭ
１によりＣＡＶ駆動されている。ディスクは、特に、半
径２２ｍｍ程度の記録領域最内周で、線速度が１．２ｍ
／ｓ〜１．４ｍ／ｓの４倍速、より好ましくは１．２ｍ
／ｓの４倍速となるように、１９００〜２０００ｒｐｍ
の間の回転速度ω₀ でＣＡＶ回転されている。ＣＡＶ回
転は、スピンドルモータＭ１の回転をタコメータでモニ
アし、所定回転数との誤差をフィードバックすること
で、回転ジッタ数％以内の精度で維持される。

【０１０３】アンプ／フィルター系ＡＦ１を通してプッ
シュプル信号Ｐ１を再生し、ウォブル信号を検出し、Ａ
ＴＩＰ信号をデコードしてから含まれる同期信号及びア
ドレス情報をデコードする。アドレス情報、同期信号は
アクセス／サーボ制御用ＣＰＵ１にて参照され、ＣＰＵ
１において所定アドレス移動を制御する。アドレス移動
はトラッキングサーボＴＥ１をオフとした状態でのリニ
アモータＬＭ１駆動による粗動機構による半径移動と、
所定アドレス近傍でのトラッキングサーボオン、ＡＴＩ
Ｐアドレス参照しながらの微調整（ＰＵ１の対物レンズ
の傾きの微調整）からなるがいずれもＣＰＵ１で制御さ
れる。

【０１０４】所定アドレスに到達したことが確認されれ
ば、データの基準クロック発生器である回路ＣＫ１のク
ロックとＡＴＩＰの同期信号を同期させ、所定のＡＴＩ
Ｐフレームに記録を行う。ＣＤ−ＲＯＭデータであれ
ば、ＲＯＭデータのエンコードをＥＤ１にて行った後、
ＣＤとしてのエンコードをＥＤ２にて行う。該データビ
ット列はやはりデータの基準クロックに同期しており、
該データ列はさらにＷＰ１において記録用パルス列に変
換され、レーザードライバーＬＤ１を駆動してオーバー
ライトを行う。

【０１０５】なお、再生は所定アドレス到達後、再生信
号をアンプ系ＡＦ１、ＲＦ信号２値化回路系ＲＦ１を通
して再生し、データの基準クロックとＥＦＭフレームの
同期をとりながら、ＥＤ２でＣＤとしてのデータデコー
ドを行い、さらにＥＤ１にてＣＤ−ＲＯＭとしてのデー
タデコードを行う。さて、ＣＡＶモードでの記録の際の
パルス分割による光記録方法として、前記パルス分割方
法（Ｉ）に準じた以下の２種類を用いることができる。
第一は、所定の記録領域を有する書換え型円盤状光記録
媒体を角速度一定で回転させてＥＦＭ変調された情報を
複数のマーク長により記録する方法であって、線速１．
２ｍ／ｓ〜１．４ｍ／ｓを基準速度（１倍速）として記
録領域最外周での線速度が少なくとも１０倍速となるよ
うに該ディスクを回転させ、一つの記録マークの時間的
長さをｎＴとしたとき（Ｔは基準クロック周期であり、
その半径位置における線速度Ｖとの積ＶＴが一定となる
ように、半径位置に応じてＴは変化する。ｎは３〜１１
までの整数）、記録マーク間に対しては、非晶質を結晶
化しうる消去パワーＰｅの記録光を照射し、記録マーク
に対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔを、 α₁ Ｔ、β₁ Ｔ、α₂ Ｔ、β₂ Ｔ、・・・・、α_m Ｔ、
β_m Ｔ、 （ただし、ｍ＝ｎ−１、 α₁ ＝０．７５〜１．２５、 α_i ＝０．２５〜０．７５ （２≦ｉ≦ｍ、）、 α_i ＋β_i-1 ＝１〜１．５ （３≦ｉ≦ｍ、））、の順に、Σ_i （α_i ＋β_i ）＝ｎ
−ｊ（ｊは０．０≦ｊ≦２．０なる実数）となるよう分
割し、

【０１０６】α_i Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）なる時間内には記録
層を溶融させるにたるＰｗ＞Ｐｅ、好ましくはＰｗ＝Ｐ
ｅ／０．３〜Ｐｅ／０．６なる記録パワーＰｗの記録光
を照射し、β_i Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）なる時間内には０＜Ｐ
ｂ≦０．５ＰｅなるバイアスパワーＰｂの記録光を照射
してオーバーライトを行い、いずれの半径位置において
も、α₁ 、及びα_i ＋β_i-1 （ｉ＝３〜ｍ、好ましくは
ｉ＝２〜ｍ）を一定とし、内周までα_i（ｉ＝２〜ｍ）
を単調に減少させる方法である。

【０１０７】すなわち、パルス分割数をｍ＝ｎ−１に固
定し、α₁ は０．７５〜１．２５の間の値とし、α
_i （ｉ＝２〜ｍ）は０．２５〜０．７５とし、α_i ＋β
_i-1 （ｉ＝３〜ｍ）は１．０〜１．５とし、なおかつ、
これらを半径位置によらず一定とする。これによって、
図５に示すような簡単な回路で基準クロック周期Ｔのみ
を変更することによって容易に記録パルスを発生でき
る。ここで、α_i（ｉ＝２〜ｍ）及び／又はα_i＋β
_i-1(i=３〜ｍ）はｉによらず一定の値とするのが好まし
い。また、α₁も一定の値、特には１で固定するのが好
ましい。α₁＝１とし且つα_i ＋β_i-1 ＝１（ｉ＝２〜
ｍ）とすれば、すべての記録パルスα_iＴ（ｉ＝１〜
ｍ）は基準クロックＴに同期して発生されるので、分割
パルス発生回路がより簡素化できる。

【０１０８】この記録方法は、４〜１０倍速というよう
な広い線速範囲においてオーバーライトが可能な本発明
の書換え型コンパクトディスクに適用することで、特に
良好な記録再生が行える。ＣＡＶモードでの記録の際の
第二の光記録方法は、所定の記録領域を有する書換え型
コンパクトディスクを角速度一定で回転させてＥＦＭ変
調された情報を複数のマーク長により記録する方法であ
って、線速１．２ｍ／ｓ〜１．４ｍ／ｓを基準速度（１
倍速）として記録領域最外周での線速度が少なくとも１
０倍速となるように該ディスクを回転させ、一つの記録
マークの時間的長さをｎＴとしたとき（Ｔは基準クロッ
ク周期であり、その半径位置における線速度Ｖとの積Ｖ
Ｔが一定となるように、半径位置に応じてＴは変化す
る。ｎは３〜１１までの整数）、記録マーク間に対して
は、非晶質と結晶化しうる消去パワーＰｅの記録光を照
射し、記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ
（ｎ−ｊ）Ｔを、 α₁ Ｔ、β₁ Ｔ、α₂ Ｔ、β₂ Ｔ、・・・・、α_m Ｔ、
β_m Ｔ、 （ただし、ｍ＝ｎ−１、 α_i ／α₁＝０．３〜０．７、特にはα_i／α₁＝０．４
〜０．７（ただしｉは２〜ｍの整数）、 α_i ＋β_i-1 ＝約１ （３≦ｉ≦ｍ））、の順に、Σ_i （α_i ＋β_i ）＝ｎ−
ｊ（ｊは０．０≦ｊ≦２．０なる実数）となるよう分割
し、

【０１０９】α_i Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）なる時間内には記録
層を溶融させるにたるＰｗ＞Ｐｅ、好ましくはＰｗ＝Ｐ
ｅ／０．３〜Ｐｅ／０．６なる記録パワーＰｗ（＞Ｐ
ｅ）を照射し、β_i Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）なる時間内には０
＜Ｐｂ≦０．５ＰｅなるバイアスパワーＰｂの記録光を
照射してオーバーライトを行い、いずれの半径位置にお
いてもα_i Ｔ（ｉ＝２〜ｍ）及びα_i ＋β_i-1 （ｉ＝３
〜ｍ、好ましくはｉ＝２〜ｍ）を一定とする方法であ
る。この場合、α_i はｉによらず一定（２≦ｉ≦ｍ）と
し、α_i ＋β_i-1 は１〜１．５の間でｉによらず一定
（３≦ｉ≦ｍ）とし、なおかつ、α₁ Ｔ、α_i Ｔ（ｉ＝
２〜ｍ）、α_i ＋β_i-1 （ｉ＝３〜ｍ）を線速によらず
一定とするのがより好ましい。α_i Ｔについては、線速
によらない一定の時間Ｔ_topと一定のα₁′を組み合わせ
て、α₁Ｔ＝Ｔ_top＋α₁′Ｔとしてもよい。α₁ Ｔ、α
_i Ｔ（ｉ＝２〜ｍ）を線速によらず一定にするために
は、低線速ほどＴが単調増加するのに対して、Ｔとの積
が一定となるように、α₁ 、α_i を低線速ほど単調に減
少させることで達成される。これにより、低線速ほど記
録層の冷却速度を増加させることができ、同時にパルス
発生回路も簡単なものですむ。なお、上記第二の記録方
法において、「α₁Ｔやα_iＴ（ｉ＝２〜ｍ）が一定であ
る」とは、分割パルス発生回路の設定値の分解能の許容
する範囲で一定であるということであり、±１０％程度
のばらつきは許容される。

【０１１０】第一、第二の方法いずれにおいても、β_m
は線速度によらず一定であっても変化させてもよい。変
化させる場合、内周、即ち低線速になるほどβ_mを増加
させるのが好ましい。より好ましくは、半径方向を仮想
的な複数のゾーンに分割し、β_m を該ゾーンごとに変化
させる。特にβ_m を０〜１．５の範囲において内周、即
ち低線速のゾーンほど単調に大きくなるようにするのが
好ましくてそれによって、低線速における記録層の冷却
速度の低下をより有効に防止することができる。この場
合、β _m が大きすぎると、比較的低線速であってもマー
ク後端に続くマーク間部分の消去が不完全になることが
ある。β_m を変化させる上記パルスストラテジーを実現
するためには、図５において、クロック周期Ｔに同期さ
せて（一定の遅延を付加することも含む）幅α₁ Ｔの固
定長パルス１個（Ｇａｔｅ１）と、後続する幅α_i Ｔ
（ｉ＝２〜ｍ）の固定長パルスを複数個（Ｇａｔｅ２）
発生させる一方、最終オフパルス長を決めるＧａｔｅ３
のみ線速に応じて変化させれば良い。また、前述の本発
明の第２の要旨に係る発明の説明で記載したように、い
ずれの半径位置においてもα_i Ｔ（ｉ＝１〜ｍ）及びβ
_i Ｔ（ｉ＝１〜ｍ−１）を１０ナノ秒以上とするのが好
ましい。

【０１１１】上記第一及び第二の方法において、オーバ
ーライト時の最高線速度におけるβ _m をβ_Hm、最低線速
度におけるβ_m をβ_Lmとして、各オーバーライト時の線
速度におけるβ_m をβ_Lmとβ_Hmの値から補完して得るも
のとするのが好ましい。また、Ｐｂ、Ｐｗ及びＰｅ／Ｐ
ｗ比がオーバーライト時の線速度によらず一定とするの
が好ましい。この場合、記録パワー等に関する情報とパ
ルス分割情報を予めディスク上に凹凸ピット信号あるい
は溝変形信号として記載しておくのが好ましい。その結
果、最適なパルスストラテジーを自動的に選択すること
ができる。記載しておく情報としては、例えば、Ｐｅ／
Ｐｗ比、最適記録パワーＰｗ₀ 、最適消去パワーＰｅ
₀ ，最適バイアスパワーＰｂ₀ 、α₁ 、α_i 、α₁ Ｔ、
α_i Ｔ、α_i ＋β_i-1 、β_Lm、及びβ_Hmの全部または一
部の数値である。ここで、記録パワー情報は絶対値とし
ての最適記録パワーＰｗ₀ を記載するほか、Ｐｗ₀ を決
定するための試し書きにおいて参照されるパラメータで
あっても良い。

【０１１２】本発明の記録方法において、半径距離に反
比例したデータの基準クロック及び基準クロック周期Ｔ
を発生させる方法は種々考えられるが、好適な例として
以下の（ｉ）〜（ｖｉｉ）が考えられる。ここではＣＬ
Ｖモードの１倍速でのウォブル搬送周波数ｆ_LOが約２
２．０５ｋＨｚ、ＣＡＶモードでの記録領域の最内周及
び最外周での線速度がそれぞれ４倍速及び１０倍速、デ
ータの基準クロックが搬送周波数の１９６倍であるケー
スを例として説明する。ここで、搬送周波数ｆ_LOは２
２．０５ｋＨｚから±０．１程度の誤差を許容できる。

【０１１３】［データの基準クロックを発生させる方法
（ｉ）］媒体は、１倍速に換算して周波数ｆ_L0＝約２
２．０５ｋＨｚの搬送周波数を有するウォブルが付与さ
れた螺旋状の溝を有する。この媒体は通常のＣＬＶモー
ドの高倍速記録用ＣＤ−ＲＷ媒体としても使用可能であ
る。ウォブル溝（蛇行溝）のウォブルが搬送周波数ｆ_L0
＝約２２．０５ｋＨｚに相当する周波数で一定の場合、
ＣＡＶ回転時には、半径位置に応じて、即ち半径位置に
対応した線速度に応じて再生されるウォブルの搬送周波
数ｆ_AOが見かけ上変化する。そしてＣＡＶ回転時にその
半径位置で再生されるウォブルの搬送周波数ｆ_A0を１９
６倍することで、半径に比例した基準データクロック周
波数を得ることができる。

【０１１４】この半径に比例したデータ基準クロック周
波数に同期して記録を行えば、ＣＡＶモードでありなが
ら、一定線密度でマーク長変調記録を行うことができ
る。すなわち、ウォブル信号がＣＬＶ回転の１倍速モー
ドで基板上に記載されていれば、媒体をＣＡＶ回転させ
たときは、半径位置によらず同じ倍率を用いてデータの
基準クロック周波数を発生させれば、空間周波数を一定
とする、即ち、線密度を一定とすることができる。例え
ば、記録領域最内周での線速度が４倍速、記録領域最外
周での線速度が１０倍速とすれば、ＣＡＶモードで再生
されるウォブルの搬送周波数ｆ_A0はそれぞれ、記録領域
最内周で約２２．０５×４＝８８．２ＫＨｚ、記録領域
最外周で約２２．０５×１０＝２２０．５ｋＨｚとな
る。これを１９６倍した周波数、約１７．２８７ＭＨｚ
（記録領域最内周）及び約４３．２１８ＭＨｚ（記録領
域最外周）がデータの基準クロック周波数となる。この
場合、データの基準クロック周期Ｔは記録領域最内周で
約５７．８ｎｓｅｃ、記録領域最外周で約２３．１ｎｓ
ｅｃとなる。中間の半径位置においては、この間で半径
に反比例したデータの基準クロック周期を発生させれば
よい。

【０１１５】一方、ウォブル信号は通常、ＡＴＩＰ信号
によって±１ｋＨｚで周波数変調されるため実際の周波
数は２２．０５ｋＨｚ±１ｋＨｚであり、ウォブル信号
の一周期は、約±４．５％の変動を伴う。このようにゆ
らいでいる信号をそのまま所定倍してデータの基準クロ
ック周期を得た場合、やはり±４．５％のマーク長のゆ
らぎ（ｄｅｖｉａｔｉｏｎ）が発生する。通常、マーク
長記録においてこのゆらぎは位相シフトと呼ばれ、この
シフト量が５％近くあると正しい復調ができない恐れが
ある。

【０１１６】従って、このような場合、周波数変調され
たウォブル信号から搬送周波数ｆ_A0のみを抽出してから
所定倍する必要がある。以下にその方法を述べる。まず
通常と同様に、ディスクを回転させながら、プッシュプ
ル信号を検出してウォブル信号を再生する。ｆ_A0は前述
のように最内周半径Ｒ_inから最外周半径Ｒ_out にわたっ
て８８．２ｋＨｚから２２０．５ｋＨｚまで１３２．３
ｋＨｚの幅で変化し、それに応じてデータの基準クロッ
クも１７．２８７ＭＨｚから４３．２１８ＭＨｚまで変
化する。（１１Ｔのマークとスペースの繰返しの周波数
としては約７８６ｋＨｚ〜１．９６ＭＨｚで変化す
る）。

【０１１７】そこで、次に上記ｆ_A0を含みできるだけ範
囲の狭い帯域フィルタもしくは低域通過フィルタでプッ
シュプル信号に混じったデータ成分をカットする。次
に、半径方向に移動するピックアップが位置する半径Ｒ
の情報を駆動系より得、これに同調して、近似的にｆ_A0
を予測するための予測周波数ｆ_R0（ｋＨｚ）を下記式に
従って発生させる。 ｆ_R0＝８８．４＋１３２．３×（Ｒ−Ｒ_in）／（Ｒ_out −Ｒ_in） （３） そして、予測周波数ｆ_R0付近の狭い範囲で参照周波数を
掃引しながら搬送周波数ｆ_A0を抽出（同調させる）する
ことで、搬送周波数ｆ_A0が容易に検出できる。それを１
９６倍することによってディスク半径に応じた基準デー
タクロックが得られる。通常は、±１ｋＨｚの変調によ
ってディスク上のアドレス情報がＡＴＩＰ情報として組
み込まれているので、検出した搬送周波数ｆ_A0を用いて
ウォブル再生信号を周波数検波し、ＡＴＩＰ情報を検出
し、サブコードに絶対時間で記録されたアドレスを確認
し、ＡＴＩＰ信号に含まれる同期（ｓｙｎｃ）パターン
からデータ同期の確立を行う。即ちＡＴＩＰ信号の同期
パターンとディスク回転とに同期したデータ基準クロッ
クを得る。

【０１１８】その後、該同期パターンに同期して、特定
のＥＦＭフレームへユーザーデータのオーバーライトを
行うための記録パルス列を発生させ、記録を行う。図７
（ａ）に、本方法（ｉ）に準じてＣＡＶモードで所定の
アドレスへ移動し、ウォブルの搬送周波数を抽出して基
準データクロックを発生する流れの一例を示す。なお、
図７（ａ）において、点線はｆ_A0及びｆ_d0なる信号の流
れを示すもので作業の流れを示すものではない。まず、
通常のＣＡＶ方式で再生されるＣＤと同様に、ステップ
Ａ１においてトラッキングサーボをオフとして、ステッ
プＡ２においてリニアモータの粗動で所定の半径に移動
するとともに、ステップＡ３においてトラッククロス信
号をカウントして移動トラック数を把握し、ステップＡ
４において狙いのトラックまでに必要なカウント数に近
づいたことを判断し、ステップＡ５においてトラッキン
グサーボをかける。

【０１１９】次に、ステップＡ６においてプッシュプル
信号からウォブル信号を再生しｆ_A0を抽出する。このと
き、必要に応じて、前記式（３）によって求められる、
そのトラックがある半径位置におけるウォブルの搬送周
波数の予測値ｆ_R0を参照して同調させることでｆ_A0を抽
出する。ｆ_A0抽出後あるいは同時に、ステップＡ７にお
いてＡＴＩＰ情報を復調し、ＡＴＩＰ情報に含まれる絶
対時間情報を読み取る。ステップＡ８において該絶対時
間を参照しながら、データを記録したい所定のアドレス
に移動する。ステップＡ９においてｆ_A0を１９６倍して
得られたデータの基準クロック信号ｆ_d0とＡＴＩＰ情報
に含まれるｓｙｎｃパターンの同期を取りながら、記録
すべきＥＦＭデータに基づく記録パルス列を発生させス
テップＡ１０においてオーバーライトを行う。

【０１２０】以上、アドレス情報や同期パターンがＡＴ
ＩＰ情報として記録されている場合について述べたが、
ＡＴＩＰ情報のかわりにミニディスク（ＭＤ）で使われ
るようなＡＤＩＰ（Ａｄｄｒｅｓｓ Ｉｎ Ｐｒｅｇｒ
ｏｏｖｅ）情報など（「ＭＤのすべて」、河村正行著、
電波新聞社（１９９８））として記録されている場合で
あってもこの流れは全く同様に使用できる。一般に、１
００倍以上の周波数逓倍は誤差を伴うので、下記（ii）
または（iii ）の方法を併用してデータの基準クロック
周波数の精度を上げることも可能である。

【０１２１】［データの基準クロックを発生させる方法
（ii）］媒体の記録が行われるべきアドレスにおける絶
対時間情報ｍｍ：ｓｓ：ｅｅ（ｍｍ分、ｓｓ秒、ｅｅフ
レームの意）から、計算によりそのアドレスの半径位置
を割り出す。ＡＴＩＰ信号の１フレームの時間的長さは
通常周波数７５Ｈｚの逆数に相当するから、一倍速の線
速度をｖ₀ とすると１フレームの空間的長さはｖ₀ ／７
５であり、００：００：００からｍｍ：ｓｓ：ｅｅフレ
ームに至る総フレーム長さは（ｖ₀ ／７５）×｛７５×
（６０×ｍｍ＋ｓｓ）＋ｅｅ｝である。ここで、絶対時
間００：００：００の半径をＲ_inとみなし、トラックピ
ッチをＴＰとすると、Ｒ_inを０番目のトラックとしてＮ
_T 番目のトラックまでの溝の総延長は下記式（４）で表
される。

【０１２２】

【数２】

【０１２３】また、Ｎ_T＋１番目のトラックまでの溝の
総延長は下記式（５）で表される。

【０１２４】

【数３】

【０１２５】上述の総フレーム長さが、式（４）の値と
式（５）の値の間となるようなＮ_Tがそのアドレスのト
ラック位置となる。これは、ピックアップの移動時に、
ターゲットであるアドレスまでのトラック数を導出する
のと同じ手順である。このような最内周からのトラック
数Ｎ_T から、下記式（６）により半径位置Ｒが求められ
る。 Ｒ＝Ｒ_in＋Ｎ_T ×ＴＰ （６） このＲに対応して式（３）を用いて予測周波数ｆ_R0を発
生させる。ＡＴＩＰのアドレス情報の最小単位の１フレ
ームは１／７５秒であるから、少なくとも１／７５秒ご
とにｆ_R0は更新される。これは半径位置２２ｍｍの位置
でもトラックの約１／１０周分にすぎないので半径位置
のずれは無視できる。

【０１２６】なお、試し書き領域やリードイン領域な
ど、００：００：００より内側にある記録領域において
も、Ｎ_T を負の数となるようにして、適宜、Ｒ_inから減
じていくようにすることで正確なＲが算出できる。ある
いは、式（６）で求めた、アドレス情報から計算された
半径位置Ｒは高々トラック数本分程度の誤差しかないか
なり正確な値であるため、Ｒから直接、 ｆ_d0＝ｆ_in＋２５．９３０８（Ｒ−Ｒ_in）／（Ｒ_out −Ｒ_in） （７） なる式に従い、該半径における線速度及び該線速度にお
けるデータの基準クロックｆ_d0（ＭＨｚ）＝１／Ｔを予
測することもできる。ここで、ｆ_inはＲ_inにおけるデー
タの基準クロック周期で、通常１７．２８７２ＭＨｚで
ある。

【０１２７】図７（ｂ）はかかる参照信号ｆ_R0を利用し
た回転に同期した基準クロック発生方法を示す。図７
（ｂ）において点線は、作業の流れではなく参照信号等
の流れを示す。図７（ｂ）においてステップＢ１からＢ
５までは図７（ａ）のステップＡ１からＡ５と同じであ
る。図７（ｂ）のフローの平行に進行するステップＢ１
１において、まず、移動先の絶対時間アドレスから計算
によりもとめた半径位置情報から（７）式に基づいて発
生した基準クロック周期ｆ_d0を得、１／１９６に分周す
ることで、ウォブルの搬送周波数の参照信号ｆ_R0が得ら
れ、ステップＢ６でｆ_R0を直接、搬送周波数としてＦＭ
復調し、ＡＴＩＰをデコードする。デコード開始後は、
ＡＴＩＰの絶対時間情報を参照してｆ_d0は変化するもと
する。所定アドレスに到達したことをステップＢ７で確
認後、ｆ_d0をＡＴＩＰの同期パターンと同期させること
で、ディスク回転に同期した基準クロックが得られ、ス
テップＢ８における記録パルス列発生を可能ならしめ
る。そして、かかる記録パルス列をもってステップＢ９
においてオーバーライトを行う。記録情報が多量でオー
バーライトの進行に伴ってアドレスが大幅に移動したと
しても、ｆ_d0は随時ＡＴＩＰのアドレス情報により、自
動的に更新されるものとすれば、半径位置が変化したと
しても、マーク長の誤差の許容範囲内で、実質的に一定
線密度の記録が達成できる。この許容範囲とは概ね±１
％である。

【０１２８】［データの基準クロックを発生させる方法
（iii)］ディスク基板に、ウォブル溝のほかに、ＣＬＶ
モードでｆ_L0＝２２．０５ｋＨｚよりも高周波の単一周
波数のクロックマークを付与しておき、ディスクを角速
度一定で回転させながら、該クロックマークを分離・検
出した上でこの繰返し周波数を所定倍してデータの基準
クロックを発生させる方法である。基準クロックが得ら
れた後は、前記方法（１）に記載したのと同様の方法
で、ＡＴＩＰ信号等のアドレス信号の同期パターンとデ
ィスクの回転とに同期した基準クロックとすることがで
きる。クロックマークの周波数はウォブル信号の周波数
帯域とデータの周波数帯域の中間の帯域とすると、ウォ
ブル周波数とデータの周波数のいずれからも容易に帯域
フィルタで選別できる。すなわち、好ましくは１倍速換
算でウォブル周波数の２倍以上、かつ１倍速データの基
準クロックの１／２２（１１Ｔマークとスペースの繰返
しの空間周波数に相当）程度以下とする。より具体的に
は６０〜１９６ｋＨｚ程度、すなわち２２．０５ｋＨｚ
の２倍〜８倍の周波数の第２の周波数ｆ_L2で配置された
クロックマークを媒体上に付与する。

【０１２９】さらに、ｆ_L2はデータの基準クロック周波
数４．３２１８ＭＨｚの整数分の１としておき、データ
の基準クロックを得るにはｆ_L2を該整数で倍してデータ
の基準クロックを得る。以上の条件を総合すると、ｆ_L2
として２２．０５ＫＨｚの２倍、４倍もしくは７倍を採
用すれば、ウォブル周波数及びデータ周波数領域から区
別され、かつ４．３２１８ＭＨｚの整数分の１となり好
適である。しかしながら、上述のように同一媒体上で線
速度を記録領域の最内周から最外周に亘って４倍速から
１０倍速まで変化させる場合には、ウォブル、クロック
マーク、データの周波数帯域はそれぞれ最内周から最外
周にかけて２．５倍程度の分布を有するので、帯域の分
離が若干複雑になる。

【０１３０】具体的には、４倍速〜１０倍速において、
ウォブルの搬送周波数は前述のように８８．２ｋＨｚか
ら２２０．５ｋＨｚに分布し、データ成分は１１Ｔのマ
ークとスペースの繰り返し周波数として約７８６ｋＨｚ
〜１．９６ＭＨｚに分布する。ｆ_L2をｆ_L0＝２２．０５
ｋＨｚの４倍、すなわちｆ_L2＝８８．２ｋＨｚとした場
合、４〜１０倍速のＣＡＶモードでは該クロックマーク
の繰返し周波数は３５２．８ｋＨｚ〜８８２ｋＨｚの周
波数で分布する。従って、全記録領域で一つの帯域フィ
ルタでクロックマークの周波数を区別するのは困難で、
各半径ごとに複数の仮想的ゾーンを設け、ゾーンごとに
フィルタの帯域を切り替えるのが好ましい。また、ｆ_L2
をウォブル周波数の半整数倍まで許せば、一個の帯域フ
ィルタでクロックマークの繰返し周波数を切り出すこと
ができる。例えばｆ_L2をｆ_L0＝２２．０５ｋＨｚの３．
５倍（４．３２１８ＭＨｚの１／５６にあたる）、すな
わちｆ_L2＝７７．１７５ｋＨｚとすれば、４〜１０倍速
のＣＡＶモードでクロックマークの繰返し周波数は３０
８．７ｋＨｚ〜７７１．７５ｋＨｚとなり、１０ｋＨｚ
ほどの幅ではあるが、データの周波数成分約７８６ｋＨ
ｚ〜１．９６ＭＨｚと区別できる。

【０１３１】クロックマークを設ける形態としては、例
えば、溝間に設けられたピットや非晶質マークであって
も良いし、溝に、特異的に大きく空間波長の短い孤立し
たウォブルを付与しても良い。後者の場合、通常のＣＤ
−ＲＷのウォブル振幅（ｐｅａｋ−ｔｏ−ｐｅａｋ）は
２０〜５０ｎｍ程度に対し、クロックマーク用のウォブ
ルを５０〜２００ｎｍ程度の大きな振幅とするのがよ
い。そして、これを通常のウォブルの山、谷、またはそ
の半分の位置に重畳させて大きな振幅とするのがさらに
よい。上記クロックマークは物理的長さが３Ｔマーク
（約０．８μｍ）より短いことが好ましい。データの周
波数から帯域フィルタで選別しやすいからである。な
お、上記の説明から明らかなように、方法（iii)を採用
するに当たっては、媒体として、前記第１の要旨に係る
媒体であって、ウォブル溝が、１倍速に換算したときに
搬送周波数約２２．０５ｋＨｚであって、ＡＴＩＰ情報
により±１ｋＨｚで周波数変調されたウォブル信号を有
し、かつ２２．０５ｋＨｚの２〜８倍の繰り返し周波数
で溝に沿ってクロックマークが配置されているのが好ま
しい。このようなクロックマークから発生された周波数
ｆ_L2＝７７．１５ｋＨｚで図７（ａ）のｆ_A0を読み替
え、ｆ_L2の５６倍をデータの基準クロック周波数ｆ_d0と
みなせば、図７（ａ）のフローチャートをそのまま使用
することができる。

【０１３２】［データの基準クロックを発生させる方法
（iv）］ディスク基板に、線速一定のときに周波数が一
定のウォブル信号を有する溝を設けるとともに、該ウォ
ブルが位相変調されているか又は特定位置のウォブルが
欠けている（振幅をゼロとする）ことによってアドレス
情報及び同期情報が付与されている媒体を使用する方法
である。即ち、この方法においては、媒体として上記媒
体であって本発明の第一の要旨に係る媒体を使用するの
が好ましい。この場合、ＡＴＩＰ信号がないため、既存
のＣＤ−ＲＷとの完全な互換性は失われるが、周波数変
調による溝蛇行周期の揺らぎに影響されない、角速度一
定でディスクを回転させながら該周波数を検出した後、
ウォブルの周波数を直接逓倍することで正確な基準クロ
ックが発生できる。そして、この基準クロックは、前記
方法（ｉ）に記載したのと同様の方法で、上記アドレス
情報及び同期情報によって、アドレス情報の同期パター
ン及びディスクの回転に同期させることができる。この
場合のウォブルの周波数をデータの基準クロック周波数
ｆ_d0の整数分の１で、１／２２〜１／５０程度とする
と、逓倍誤差を少なくし、データの周波数帯域と分離さ
れるので好ましい。このウォブルの周波数で、図７
（ａ）のｆ_A0を置き換えれば図７（ａ）のフローチャー
トをそのままで使用できる。

【０１３３】以上は、未記録状態のブランクディスク、
あるいは記録部と未記録部を有するディスクにおいて基
板に溝蛇行（ウォブル）等によってあらかじめ記載され
た情報から、半径に反比例し回転に同期したデータの基
準クロックを発生させ、かつアドレス情報を読み取り、
該アドレスに同期した書き込み信号を発生させる方法の
例である。

【０１３４】一方、ディスク製造時に、もしくは未記録
ディスクの最初の使用時に、フォーマット処理を行って
ディスク記録領域全面にＥＦＭ変調信号でアドレス情
報、同期情報等を記録してしまい、以後はこの記録済信
号を利用することとしてもよい。フォーマット処理は、
ディスク全面に所定データを均一に記録するだけであ
り、必ずしもＣＡＶモードで記録を行う必要はなくＣＬ
Ｖモードで８倍速等の高速で行えば良い。あるいは、Ｃ
ＡＶモードであっても、ディスク回転に同期し半径位置
に比例して高周波化していくようなデータの基準クロッ
ク発生回路を別途用意して、データの基準クロックを動
的に掃引しながら記録を行えばよい。記録済みのＥＦＭ
変調信号からは、直接にデータの基準クロックが抽出で
き、クロック周期の精度、同期の精度を高めることがで
き好適である。フォーマット処理にも以下のような複数
の方法（ｖ）、（vi）が考えられる。

【０１３５】［データの基準クロックを発生させる方法
（ｖ）］媒体にあらかじめサブコードによる絶対時間情
報をＥＦＭ変調信号として記録領域全面に記録しておく
方法である。角速度一定で回転させ記録する時に該ＥＦ
Ｍ変調信号を検出し、データの基準クロック及びアドレ
ス情報を得る。このクロックは半径に反比例し、回転及
びサブコードの同期パターンに同期している。その後、
前記同様クロック及びアドレス信号に同期した書き込み
信号を発生させる。あらかじめ、記録領域全面にサブコ
ードにより絶対時間をＥＦＭ変調信号として記録する場
合は、ユーザーデータは任意（通常は０の羅列）として
記録を行う。

【０１３６】このフォーマット処理されたディスクで
は、ＥＦＭ変調信号及びそれに含まれるサブコード情報
はすべて、ＣＡＶモードで再生されるＣＤ−ＲＯＭと同
じ方法によってアクセス可能となる。そして、ＥＦＭ変
調信号から、データの基準クロック周期を抽出すること
ができる。この方法はいわゆるマルチセッション方式で
の追記のように、追記されるデータが比較的長く、内周
側からの記録済み領域が連続していて、その外側に追記
する場合に適している。

【０１３７】［データの基準クロックを発生させる方法
（vi）］媒体にあらかじめＣＤ−ＲＯＭ規格（いわゆる
イエローブック）におけるブロック構造をＥＦＭ変調信
号として記録領域全面に記録しておく方法である。角速
度一定で回転させ記録する時に該ＥＦＭ変調信号を検出
し、データの基準クロック及びアドレス情報を得る。こ
のクロックは半径に反比例し、回転及びサブコードの同
期パターンに同期している。その後、前記同様クロック
及びアドレス信号に同期した書き込み信号を発生させ
る。

【０１３８】具体的には、まず、ＣＤ−ＲＯＭフォーマ
ットに従い、９８ＥＦＭフレーム（２，３５２バイト）
を１単位とするブロック構造をあらかじめ記録領域全面
に記録する。ブロック構造はＣＤ−ＲＯＭ規格に規定さ
れた論理データ構造である。各ブロックにはユーザーデ
ータの一部に、ヘッダーと呼ばれる論理アドレスと同期
信号が含まれており、フォーマット時にはこのデータも
記録する。データは９８フレームごとのまとまりで記録
される。まず、記録すべきデータは、２，０４８バイト
ごとに分割され、各々同期情報１２バイトとヘッダー４
バイトが付加される。

【０１３９】次に、同期パターンを除くヘッダー及びデ
ータにスクランブルをかけ、ＥＣＣ（データ訂正符号、
Ｅｒｒｏｒ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ Ｃｏｄｅ）データ
が付加される。これに先の同期情報を付加したものに対
して、データの順番を入れ替えるインターリーブをかけ
た後、９８個のフレームに分割する。各フレームには先
頭にＥＦＭフレーム同期パターン及びサブコードが付加
され、更に、フレーム途中とフレーム最後に、各フレー
ムのデータから計算されたＥＣＣデータがあらためて付
加される。なお、上記サブコードには絶対時間情報など
いろいろな情報が含まれるが、特に９８フレーム中の第
０フレーム及び第１フレームにのみフレーム同期信号が
含まれている。このようにして、記録すべきＥＦＭ変調
信号が作られる。

【０１４０】なお、ＵＤＦ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ｄｉ
ｓｋ Ｆｏｒｍａｔ）バージョン１．５以降に対応した
ランダムパケットライト方式でフォーマット処理を行う
と、未記録ディスクに対してフォーマット処理を行う際
にも上記ブロック構造が記録されるので好ましい。な
お、ランダムパケットライト方式はＯＳＴＡ（Ｏｐｔｉ
ｃａｌ Ｓｔｏｒａｇｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ａｓ
ｓｏｃｉａｔｉｏｎ、米国内の業界団体）により制定さ
れている。また、パケットライト用のフォーマット処理
はＣＤ−ＲＷの規格であるオレンジブック・パート３に
も規定されている。

【０１４１】ただし、部分的上書きなどにより、パケッ
ト（１パケットは１６もしくは３２ブロックからなる）
間のリンク部分で若干のサブコードデータの不連続が発
生しうるので、サブコードに含まれるアドレス情報より
も、各ブロックのユーザーデータ部分に記録されたブロ
ックアドレスを参照してアクセスするほうが好ましい。
この方法は、追記されるデータが短くて固定長のパケッ
トであって、ランダムな位置にオーバーライトを行う、
いわゆるランダムパケットライト方式の場合に適してい
る。

【０１４２】上記方法（ｖ）もしくは（vi）に準じてＣ
ＡＶモードで所定のアドレスへ移動し、ウォブルの搬送
周波数を抽出して基準データクロックを発生するスキー
ムの一例をそれぞれ図８、図９に示した。まず、ＣＡＶ
方式で再生される普通のＣＤと同様に、トラッキングサ
ーボをオフとしてリニアモータの粗動で所定の半径に移
動するとともに、トラッククロス信号をカウントして移
動トラック数を把握し、狙いのトラックまでに必要なカ
ウント数に近づいたところでトラッキングサーボをかけ
る。

【０１４３】ここで、ステップＣ６もしくはＤ６におい
てやはりＣＡＶモードのＣＤ−ＲＯＭ再生システムと同
様に、記録済みのＲＦ信号からＥＦＭデータを再生し、
該ＥＦＭデータより基準データクロックを抽出する。サ
ブコードを利用する場合、ステップＣ６においてサブコ
ードのフレーム同期信号から基準データクロックとディ
スク回転との同期を確立し、ステップＣ７でサブコード
Ｑチャネルからアドレス情報を取得する。ＣＤ−ＲＯＭ
データのブロック構造を利用する場合、ステップＤ６に
おいて各ブロック先頭の１２バイトの同期情報を利用し
て同期を確立するとともに、ステップＤ７において引き
続くヘッダーからアドレス情報を取得する。そして、い
ずれの場合もステップＣ８もしくはＤ８において所定ア
ドレスに到達したことを判定した後、ステップＣ９もし
くはＤ９において記録パルス列に変換して、ステップＣ
１０もしくはＤ１０において、所定のデータを所定のア
ドレスにオーバーライトする。

【０１４４】［データの基準クロックを発生させる方法
（vii）］以上で述べた上記の方式は、基本的にＣＡＶ
回転そのものは独立して回転精度を維持されているとい
う前提である。しかし、ＣＡＶ回転系と基準クロック参
照信号ｆ_R0との間で、フィードバックループを構成する
とさらに回転系とデータ基準クロックの同期が正確にな
るので好ましい。即ち、ＣＡＶ回転を基準として、所望
の半径におけるウォブル再生信号やクロックマークある
いは、記録済信号のサブコードから直接あるいは参照信
号を参照して、基準クロック周波数を発生するのではな
く、所望の半径における計算上のクロック周波数（すな
わち参照信号ｆ_R0）に同期するように、ＣＡＶ回転をＰ
ＬＬ（ｐａｈｓｅ ｌｏｃｋ ｌｏｏｐ）制御するので
ある。

【０１４５】図１５は、所定のアドレス（半径）に到達
し、回転とデータの基準クロックの同期を達成し、オー
バーライトを行う方式の手順を示すフロー図である。図
１６は、そのような制御システムの概念図である。図１
５及び図１６はＣＡＶ方式でありながら、半径位置によ
らず等線密度記録を達成する光ディスク記録再生装置と
その動作フローを示している。図１６は、図６の一般的
な概念図に対して、特に集束光ビームを所定（ターゲッ
ト）アドレスの記録ブロックに半径方向に移動させたと
きに該半径に反比例して変化するデータの基準クロック
Ｔ（周波数ｆ_d0）を発生する基準信号発生器（ＶＣＯ
１）と、所定半径における該基準クロックＴを１／Ｎ
（Ｎは整数）に分周して得られる参照信号ｆ_R0と該アド
レスにおいて検出された溝蛇行の搬送周波数ｆ_A0を位相
比較することで、所定の半径におけるデータの基準クロ
ック周波数ｆ _d0とｆ_A0が半径位置にかかわらずｆ_d0＝Ｎ
・ｆ_A0なる関係を維持するようディスクの回転数を微調
整するとともに、記録ブロックの開始位置と該ブロック
に書き込まれるべきデータ列の同期を達成する手段につ
いて、詳細に記載したものである。

【０１４６】図１５、図１６では、特に書き換え型コン
パクトディスクを例としてＮ＝１９６としている。この
方法では、まず、半径位置移動支持、アドレス到達判
定、データの基準クロックの計算をドライブ内の特定の
ＣＰＵ１で司る。初期状態として、例えば記録領域最内
周を基準半径Ｒ_inとし、基準半径にある記録トラックに
フォーカス及びトラッキングがかかっているとする。本
発明の媒体を用いる場合には、特に、この記録領域最内
周での線速度がＣＤ線速の４倍速（４．８ｍ／ｓ）程度
になるよう、基準回転数ω₀ がω₀ ＝１９００〜２２０
０ｒｐｍの範囲となるように設定する。具体的には、基
準半径Ｒ_in＝２１ｍｍなら、２１８０ｒｐｍ、Ｒ_in＝２
４ｍｍなら１９１０ｒｐｍ程度とする。

【０１４７】図１６においては、図６を基本として点線
で囲まれるような回転制御のためのＰＬＬ（ｐｈａｓｅ
ｌｏｃｋｅｄ ｌｏｏｐ）系を詳細に記載したもので
ある。逆に図１６では回転制御系以外の要素は簡便化し
ている。例えば図６のエンコーダＥＤ１，ＥＤ２はまと
めてエンコーダＥＤとされ、レーザードライバーＬＤ１
は記録パルス変換回路ＷＰ１の一部として省略されてい
る。また、フォーカスサーボ機構ＦＥ１、トラッキング
サーボ機構ＴＥ１は省略されている、アクセスサーボ制
御ＣＰＵ１は、制御用ＣＰＵ１の一部に含まれる機能と
みなされる。

【０１４８】図６の基準クロック発生回路ＣＫ１は図１
６では、制御ＣＰＵ１からの信号を受け、Ｄ／Ａ変換
器、電圧制御発信器ＶＣＯ１で構成されている。ここ
で、ｆ_d0はアドレス情報に基づき、半径に比例したデー
タの基準クロック周波数であり、例えば（４）〜（７）
式を用いて、制御用ＣＰＵ１で計算されたデジタルの出
力結果をＡ／Ｄ変換器でｆ_d0に比例した電圧Ｖ_d0に変換
した後、該Ｖ_d0に比例した周波数をＶＣＯ１で発生する
などして生成する。この部分は一例であって、アドレス
情報から計算によって半径に比例したデータの基準クロ
ック周波数さえ生成されれば、他のデジタルシンセサイ
ザーによって置き換え可能である。前述のように、最外
周がＣＤの１０倍速なる場合、最内周は４倍速程度であ
り、ｆ_d0は１７．２８７ＭＨｚから４３．２１８ＭＨｚ
まで変化するので、かかるデジタルシンセサイザーは、
この周波数範囲を０．１ＭＨｚ程度の分解能で掃引でき
ることが望ましい。半径に比例する基準クロック周期と
はいえ、この程度の分解能で段階的に変化するものであ
っても、各半径位置においてマーク長の誤差は許容範囲
内（通常±１％程度）に維持できる。

【０１４９】ｆ_d0は分周器で１／１９６に分周され、所
定の半径におけるウォブルの搬送周波数の参照値ｆ_R0と
して用いられる。なお、図１６においてＢＰＦはウォブ
ル信号から搬送波成分ｆ_A0を抽出するための帯域フィル
ター、ＨＰＦはウォブル信号をＦＭ復調するための高域
通過フィルタである。位相比較器ＰＣＯにおいては、ｆ
_R0を参照信号としてｆ_A0と位相比較を行う。また、ＰＣ
Ｏの位相比較結果はＬＰＦで平均された電圧Ｖ_moに変換
されるが、Ｖ _moは位相差が大きいほど大きい、フィード
バック信号である。Ｖ_moはＶＣＯ２によってスピンドル
モータＭ１の周波数制御用の周波数ｆ_PMに変換される。
ＰＣＯ，ＬＰＦ，ＶＣＯ２の組み合わせは通常のＰＬＬ
制御に用いられる一般的な構成である。このＰＬＬ制御
により、ｆ_A0がｆ_R0と同期する、つまりＰＣＯでの位相
差がゼロになるようにディスクの回転数が調整される。

【０１５０】図１５のフローに従って、まず、ステップ
Ｇ１でアドレス移動の指令と所望の移動先アドレス（タ
ーゲットアドレス）ＤＡ１が外部インターフェースを通
じて制御用ＣＰＵ１に入力される。ステップＧ２でアド
レス移動のためにトラッキングサーボをｏｆｆにする。
同時に平行ステップＧａ１においてＣＰＵ１は該アドレ
スＡＤ１（ここではＡＴＩＰを例に取る）から、ターゲ
ットとするＡＴＩＰアドレスの半径やトラック番号を式
（４）〜（６）によって計算する。また、（７）式によ
って、ターゲットアドレスの半径における基準クロック
周波数ｆ_DAを計算し、該周波数をＶＣＯ１により発生す
る。またこのｆ_DAは１／１９６に分周され、ターゲット
アドレスにおけるウォブルの搬送周波数ｆ_RAを生成す
る。ｆ_DA及びｆ_RAは予測周波数として参照される。

【０１５１】より一般的には、上記光ディスクＤ１の記
録領域の始端もしくは終端における基準半径Ｒ_ref にお
けるデータの基準クロックをＴ_ref （周波数ｆ_ref ）、
記録領域の最内周から最外周までの半径幅をΔＲとし、
データの記録を行うべき所定ＡＴＩＰアドレスから計算
された半径Ｒと、該アドレスにおける基準クロックＴ
（周波数ｆ_d0）が、 ｆ_d0＝ｆ_ref ＋（Ｒ−Ｒ_ref ）／ΔＲ （１００） なる関係を維持するようにｆ_d0を半径に応じて計算す
る。また、計算による（Ｒ−Ｒ_ref ）から横断すべきト
ラック数等を算出し、リニアモータＭ１に半径移動信号
を出す。

【０１５２】ステップＧ３においてＣＰＵ１からの指令
でリニアモータＬＭ１で駆動されたピックアップＰＵ１
は半径方向に移動し、ステップＧ４でトラックカウント
による粗動機構で所定のターゲットアドレスに向かって
移動する。ステップＧ５でターゲットアドレスの直前に
十分近づいたことをトラックカウント数により確認した
のち、粗動機構にブレーキをかけて、ステップＧ６にお
いてターゲットアドレス近傍（通常は直前）のトラック
においてトラッキングサーボをｏｎとし、以後はトラッ
キングサーボを維持したまま再生レベルにあるレーザー
光ビームを案内用溝に沿って走査する。

【０１５３】この状態で、ウォブルの搬送周波数ｆ_A0を
抽出する。ピックアップＰＵ１はターゲットアドレスに
近接しているので、ターゲットアドレスから計算したｆ
_RAと抽出されたｆ_A0は、位相比較によりＰＬＬロックで
きる範囲である。したがって、ステップＧ７でｆ_A0とｆ
_RAを位相比較し、ｆ_A0がｆ_R0に同期するようスピンドル
モータＭ１にフィードバックをかけ、ＣＡＶ回転同期さ
せる。

【０１５４】次に、ステップＧ７において予測ウォブル
搬送周波数ｆ_RAにより、スピンドルモーターＭ１のＣＡ
Ｖ回転をロックした後、トラッキングサーボを維持しな
がら、光ビームをトラックに沿って走査する。ステップ
Ｇ８においてはピックアップＰＵ１においてプッシュプ
ル信号Ｐ１を再生し、ＢＰＦによりウォブルの搬送周波
数ｆ_A0を抽出するとともに、ＡＴＩＰデコーダＷＤＡ１
でＡＴＩＰ情報のデコードを開始する。ステップＧ９に
おいては、該リアルタイムで再生された刻々と更新され
るアドレス情報をもとに、平行ステップＧａ２において
ｆ_d0を計算してこれを時々刻々更新し、ＶＣＯ１より所
定の基準クロック周波数ｆ_d0を発生する。また、同時に
該ｆ_d0を１／１９６に分周して得られる最新のｆ_R0を参
照して、ｆ_R0とｆ_A0の位相比較をＰＣＯにおいて行い、
ｆ_R0とｆ_A0が同期するように、ディスクのＣＡＶ回転制
御がスピンドルモーターＭ１に対して行われる。ステッ
プＧ８，Ｇ９，Ｇａ２はｆ_d0を基準信号とするＰＬＬフ
ィードバックループを構成し、スピンドルモーターＭ１
の回転を実質的なＣＡＶ回転に維持する。

【０１５５】ステップＧ８〜Ｇ１０では、かかるフィー
ドバックの作用のもと、記録再生光ビームを走査し、刻
々と変わるＡＴＩＰアドレス及びｆ_d0に応じてＣＡＶ回
転数も微調整しながら、ターゲットアドレスに近づく。
ステップＧ１０においてターゲットアドレスに到達した
ことが判定されれば、ステップＧ１１において記録パル
ス列が発生される。制御用ＣＰＵ１の指令のもと２値化
データがＥＦＭ変調信号にエンコードされ、ＶＣＯ１で
生成されたｆ_d0に同期して、本発明記録方式に従って記
録パルス補正され、図５のごときα₁Ｔ，β₁Ｔ，・・・
・・，α_mＴ，β_mＴなる記録パルス列のゲートが生成さ
れ、該ゲート信号に基づいて記録パルス発生回路ＷＰ１
において、ピックアップＰＵ１のレーザーダイオード駆
動電流が生成される。ステップＧ１１においてピックア
ップＰＵ１から記録パワーＰｗ、バイアスパワーＰｂ、
消去パワーＰｅがターゲットアドレスのトラックに照射
され、所定のＥＦＭ変調データがオーバーライトされ
る。ここで、ステップＧ１１の記録パルス列発生時に
は、ｆ_d0と同時にＡＴＩＰ情報中の同期信号が参照さ
れ、ＡＴＩＰフレームとの位置の同期が達成される。

【０１５６】さらに、入力データをＣＤフォーマットに
エンコードされたデータをさらに記録パルス列発生回路
ＷＰ１において記録パルス列を発生する。図１６ではア
ドレスに対応した線速度に応じて記録パルス列の補正を
行うことも考慮している。以上の手順は、市販のＣＤ−
Ｒ／ＲＷドライブぶ、ウォブル周波数と基準クロック周
波数を比較してＣＬＶ回転同期を達成し、記録を行うた
めの制御系とフロー的には一見類似している。ＣＬＶ回
転同期では、基準クロック周波数は半径位置によらず一
定のｆ_d0が参照信号として用いられる。このｆ_d0を参照
信号として、ｆ_R0を発生し、むしろ強制的にモータの回
転を大幅に変化させて回転同期を取る。この際、半径方
向移動量が大きい場合には、回転数自体をあらかじめ半
径から計算によって決まる回転数に粗調整しないと、ｆ
_A0とｆ_R0の差が大きすぎてＰＬＬ制御のキャプチャレン
ジからはずれてしまう。

【０１５７】一方、図１６の装置は、粗動中はＣＡＶ駆
動されているので、Ｍ１が半径移動開始前の初期のＣＡ
Ｖ回転数をたもっており、半径移動による大幅なｆ_R0及
びｆ _A0の変動があっても両方が半径に比例して変化する
ので、ＰＬＬのキャプチャレンジをはずれることはな
い。つまり、半径方向素動機構でターゲットアドレスの
トラックから十分近いところに移動できていれば、その
ままＡＴＩＰデコードをしてアドレスを読みながら半径
位置の微調整をしつつ、ＣＡＶ回転をＰＬＬ制御でき
る。つまり、所定アドレス近傍に達してＡＴＩＰデコー
ドを開始して後は、厳密にはＣＡＶ回転数はＡＴＩＰア
ドレスに応じてリアルタイムで変化するｆ_d0に基づい
て、ＰＬＬ制御により微調整されている。図１６におい
て点線で囲まれた部分がＰＬＬ制御回路を構成してい
る。

【０１５８】ここで、ｆ_d0の更新の最小単位であるＡＴ
ＩＰフレーム（ＣＤ１倍速で１／７５秒単位）ごとに、
ｆ_R0＝（１／１９６）ｆ_d0に同期させてディスク回転を
ＰＬＬ制御でロックさせるから、前記ＣＡＶ回転制御方
式は、換言すれば、ＡＴＩＰフレームごとに仮想ゾーン
を設けたＺＣＬＶとしても機能している。しかし、各ゾ
ーンの長さであるＡＴＩＰフレームはディスク１周にも
満たないために、実質的にはＣＡＶ回転とみなせるので
ある。かかる、ＣＡＶ回転制御は、スピンドルモーター
Ｍ１を独立に機械的にＣＡＶ回転制御する場合よりも、
いっそう正確に、各半径におけるデータの基準クロック
とディスク回転の同期を確立でき、各半径位置における
マーク長のゆらぎを極めて小さくできるという利点を有
する。

【０１５９】なお、図１６では省略したが、ピックアッ
プ祖動時のＣＡＶ回転は、念のため、スピンドルモータ
Ｍ１の回転数を速度センサ（通常はホールセンサ等を用
いる）でモニタして、±１〜１０％程度の荒い精度の回
転維持制御機構を平行して用いることがより好ましい。
回転数ゼロからＰＬＬのキャプチャレンジに至るまでの
回転の立ち上がり時までは、むしろ該回転数の直接制御
は必要であり、所定回転数に到達後、アドレスに応じて
発生された基準クロック信号ｆ_d0を参照するＰＬＬ制御
に移行する必要がある。また、万が一、祖動中にＣＡＶ
回転が大きくずれてもＰＬＬのキャプチャレンジをはず
れないようにするためにも有効である。さらに、原理的
にはＰＬＬでは最内周の４倍速記録と、中周よりやや外
側での８倍速記録のような倍周波数の区別ができないの
で、突然４倍速で同期取るべきところを、８倍速で同期
がとれたりするような暴走を防ぐためにも、スピンドル
モーターＭ１の回転数の直接モニタによる比較的荒い回
転数制御をあわせ用いることは有効である。

【０１６０】このＣＡＶ方式は、従ってＡＴＩＰアドレ
スから計算された参照周波数ｆ_d0及びｆ_R0で微調整され
たＣＡＶである点で従来のＣＬＶモードのＰＬＬ回転制
御系とは異なる。この微調整幅はＰＬＬ制御を維持する
ために、また、実質的に等線密度の記録を維持しＣＬＶ
モードで再生可能とするために、通常、基準回転数ω ₀
の±１％以内とすることが望ましい。つまり半径方向粗
動機構は、この関係を維持できる程度にターゲットアド
レス近傍に接近できることが望ましい。

【０１６１】図１６の装置においては、扱う周波数帯域
が最内周から最外周で約２．５倍の帯域があるので、Ｂ
ＰＦ、ＨＰＦ、及びＬＰＦの設定帯域には留意を要す
る。特にＰＬＬ制御系内のＬＰＦについては、場合によ
っては、半径を数個のゾーンに分割して切り替える必要
がある。

【０１６２】本発明においては、以上の方法によって、
半径に反比例して変化する基準データクロックを発生さ
せることができる。ただし、本発明の基準データクロッ
ク発生方法がこれらに限定されるものではない。以上で
述べたようなＣＤ互換の等線密度記録をＣＡＶモードで
実現するためのアクセス方法、データの基準クロックの
発生及び回転同期方法は、どのような回転数であっても
広くＣＤ−Ｒ／ＲＷ媒体に適用可能であるが、本発明の
媒体及び記録方法に用いると、いっそうアクセスパフォ
ーマンスが向上して好ましい。なお、ＣＤには直径８ｃ
ｍの小径サイズのものもあるが、その場合のＣＡＶ方式
での最内周／最外周での線速差は高々２倍なので、本発
明の媒体、記録方法及び記録再生装置をそのまま適用で
きる。この場合、転送レートを高めるため、最外周での
線速を１０倍速以上とするのが好ましい。

【０１６３】７．ＣＡＶ方式による記録を用いた応用例
について さて、以下では、ＣＡＶ方式による記録が可能な本発明
書き換え型コンパクトディスク及びＣＡＶ方式で書き換
え型コンパクトディスクに記録を行う本発明記録方式に
より、異なる半径位置のアドレスへのアクセス時間が大
幅に短縮されるが、かかる利点を最大限に生かした応用
例について述べる。

【０１６４】より具体的には語学や音楽の反復練習のた
めの教本をＣＤ化したものがあげられる。このようなア
プリケーションでは、まず、手本（デモンストレーショ
ン）となる外国語のセンテンスや音楽の小節がアプリケ
ーションのデータとして再生され、その反復をユーザー
に促し、ユーザーがただちに、反復復唱した内容を録音
して新たな入力情報とし、ユーザーデータ領域に記録す
る。そこで、一枚のＣＤ−ＲＷディスクに、アプリケー
ションプログラムを格納し、該プログラムを再生し、デ
モンストレーションデータを再生してデモンストレーシ
ョンを実行した後、反復復唱されたユーザーデータを同
じＣＤ−ＲＷディスクに記録できれば同じ記録再生装置
で記録再生ができ非常に便利である。

【０１６５】通常、デモンストレーションは、反復復唱
が容易なように、数秒から数十秒の単位に分割されてお
り、デモンストレーションとユーザーデータの記録は、
かかる時間範囲で繰り返し行われる必要があるが、アプ
リケーションプログラム領域とユーザーデータ領域との
間の光ピックアップのアクセス時間を極力短くできる、
ＣＡＶ回転方式での記録が可能な記録媒体及び記録方式
が特に有効となる。また、最近はＣＤの再生をＣＡＶで
行うことが多いが、記録及び再生のいずれもがＣＡＶの
まま行われれば、記録から再生、再生から記録への切り
替えプロセスが簡単になるし、短時間で完了するという
好ましい特性が得られる。

【０１６６】本応用に適したＣＤ−ＲＷ媒体は、プログ
ラム領域の連続した特定領域に所定のアプリケーション
プログラムのデータが格納されたアプリケーションプロ
グラム領域と、残りの領域に少なくとも上記アプリケー
ションプログラムに関連するユーザーデータが記録可能
なユーザーデータ記録領域とが設定されてなり、該アプ
リケーションの再生及び該アプリケーションに関連した
ユーザーデータの記録が同一回転速度のまま行われる。

【０１６７】上記アプリケーションプログラム領域は、
未記録の書き換え型ＣＤ−ＲＷの一部に、製造者側で記
録を行って作成しても良いし、あらかじめ凹状のプレピ
ット（位相差ピット）によって基板上に形成されたＲＯ
Ｍデータとして記録されていても良い。いずれの場合
も、アプリケーションプログラム自体は、実際上再生専
用（ＲＯＭ）データとして扱われるので、本ＣＤ−ＲＷ
ディスクは、部分的にＲＯＭ領域を有すると解され、従
って、パーシャルＲＯＭ（Ｐａｒｔｉａｌ−ＲＯＭ，Ｐ
−ＲＯＭ）と称されることもある。

【０１６８】かかるＰ−ＲＯＭ型のＣＤ−ＲＷディスク
においては、通常は、ＡＴＩＰアドレスに沿ったデータ
配置に示すようにアプリケーションプログラムを格納す
る領域（アプリケーションプログラム領域）とユーザー
データ記録領域がそれぞれ連続的なアドレスを占めるひ
とかたまりの領域として、確保されるのが一般的であ
る。図２５は、ＡＴＩＰアドレスに沿ったデータ配置の
模式図である。

【０１６９】図２５にはＣＤ−ＲＷディスクの斜視図１
００と断面図１０１が示してある。ＣＤ−ＲＷディスク
１００の最内周から順にＰＣＡ（Ｐｏｗｅｒ Ｃａｌｉ
ｂｒａｔｉｏｎ Ａｒｅａ）、ＰＭＡ（Ｐｒｏｇｒａｍ
Ｍｅｍｏｒｙ Ａｒｅａ）、リードイン領域、プログ
ラム領域、リードアウト領域からなるデータ構造を有す
る。このうち、ＰＣＡはパワー決定のための試し書き領
域、ＰＭＡは、ＣＤ−ＲやＣＤ−ＲＷに特有の一時的な
ファイル管理情報記録領域、リードイン領域は本来ＣＤ
−ＲＯＭフォーマットで用いられるＴＯＣ（Ｔａｂｅｌ
ｏｆ Ｃｏｎｔｅｎｔｓ）と呼ばれるファイル管理情
報やディスク管理情報を記載する領域、リードアウト領
域は、ＥＦＭデータの終わりを示すための領域であり、
プログラム領域はユーザーデータを記録すべき領域であ
り、本発明においては、このプログラム領域にアプリケ
ーションプログラム領域と書き換え可能なユーザーデー
タ領域との両方を有する。従来のＣＤ−ＲＯＭとの再生
互換を維持するためには、必ず、リードインおよびリー
ドアウト領域に所定情報を記録することが必要である。

【０１７０】本発明においては、少なくともＰＣＡ領域
の始端Ｂからリードアウト領域の終端Ｄまでのインフォ
メーション領域（図２５の１００で斜線の領域）は、同
一の相変化媒体で構成されている。プログラム領域にお
いてアプリケーションプログラムを格納するための部分
的なＲＯＭ機能を実現する領域は2種類あって、一つ
は、予め基板表面に形成された凹部によるプレピット列
（予め基板上に射出成形等で形成されたピットの列）を
用いてデータを記録し、基板上に記録層を設けた領域
（マスターＲＯＭ領域）である。他方は、ＣＤ−ＲＷデ
ィスク１００全面を書き換え可能な領域として記録層を
形成して、その中の一部の領域にデータを記録した後、
記録ドライブ装置がその一部の領域に再び書き込みする
ことを禁止された領域（ポストＲＯＭ領域）である。

【０１７１】少なくとも、ポストＲＯＭ領域及びＲＡＭ
領域においては、図２６（ａ）のごとくレーザ光を誘導
すべく、螺旋状に設けられた案内溝１０５が設けられて
いる。案内溝１０５は溝壁１０５ａ及び１０５ｂにより
囲まれており、その断面はＣＤ−ＲＷでは通常、深さ
０．０３〜０．０５μｍ、幅約０．５μｍ程度の台形状
になっている。レーザー光は該溝にそって円盤状ディス
クの回転により周方向に走査される。案内溝１０５は、
半径方向の蛇行によりＡＴＩＰ情報や同期信号等の付加
データ付与のためのウォブルが形成されている。図２６
では溝蛇行の振幅が誇張されており、実際上は溝幅約
０．５μｍに対して、蛇行の振幅は約０．０３ミクロン
程度である。一方、マスターＲＯＭデータによるマスタ
ーＲＯＭ領域を有する場合には、図２６（ｂ）のごとく
複数のピットかなるピット列１０６を結ぶ中心線１０７
が案内溝１０５と同程度の振幅の蛇行を有するように構
成されることが望ましい。

【０１７２】いずれにせよ、ＰＣＡ領域の始端Ｂからリ
ードアウト領域の終端Ｄにかけて、広義の案内溝にそっ
てアドレス情報を付与するために、ウォブルにより絶対
時間によるアドレス情報及び同期信号が与えられている
ことが望ましい。絶対時間アドレスは、１／７５秒を最
小単位（フレーム）とし、分、秒、フレーム単位で表記
される。図２５においてプログラム領域の始点Ａにおい
てＡＴＩＰは０分０秒０フレーム（以後００：００：０
０のように記載）から始まり、最大７９：５９：７４フ
レームまで続く。データ容量に応じて、プログラム領域
の最大ＡＴＩＰアドレス、すなわちリードアウト領域の
開始時間（図２５（ｃ）点）は変化しうる。さて、プロ
グラム領域は図２５のＣ点において、リードアウト領域
に移行する。リードアウト領域のＡＴＩＰアドレスは、
プログラム領域の最終ＡＴＩＰアドレスを引き継いで連
続して増加する。通常、リードアウト領域の長さは１−
２分程度である。一方、ＰＣＡ，ＰＭＡ，リードイン領
域は、図２５のＢ点からＡ点にかけて配置される。その
ＡＴＩＰアドレスはＡ点で００：００：００としてリセ
ットされたのち、Ａ点からＢ点（ＰＣＡの最初のアドレ
ス）に向かって、９９：５９：７４から順次減少してい
く。ＰＣＡ，ＰＭＡ，リードインにおけるＡＴＩＰアド
レスは８０あるいは９０分台しか使用できないことにな
っている。

【０１７３】図２７はデータの配置を示した例である。
図２７において、Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの各点は図２５のＡ，
Ｂ，Ｃ，Ｄと同じＡＴＩＰアドレス上にある。そして、
ＢＡがＰＣＡ／ＰＭＡ領域１１０とリードイン領域１１
１からなり、ＡＣはプログラム領域１１２であり、ＣＤ
がリードアウト領域１１３である。図２７において、ア
プリケーションプログラム領域１２０は、内周部すなわ
ち、ＡＴＩＰ時間の初めのほうに設けられており、ユー
ザーデータ領域１２１は、外周部の相対的にＡＴＩＰ時
間の後ろのほうに設けられている。

【０１７４】図２７において、アプリケーションプログ
ラム領域１２０とユーザーデータ領域１２１は、単純に
内外周に分離して配置されているが、どちらが内周であ
ってもかまわない。また、例えば、該プログラム領域が
マルチセッション・フォーマットの規程に従って２つの
セッションに分割されており、一方が、アプリケーショ
ンプログラムを格納したセッションであり、他方がユー
ザーデータを自由に書き込めるセッションであるような
データ構造を有していても良い。

【０１７５】アプリケーションプログラム領域１２０に
は実行可能なプログラムとして、ユーザとの対話形式で
の作業が可能な入出力を制御するメインメニュープログ
ラムやメインメニューに基づいて作業をサブルーティン
に割り振る基本ルーティンプログラム、メニューを通じ
てユーザーの選択に応じて機能する、種々の作業やデモ
ンストレーションの実行を司るサブルーティンプログラ
ムなどの実行形式プログラムを格納する実行プログラム
領域１２３と、アプリケーションプログラムで参照され
るデモンストレーションのデータ集を格納するデモデー
タ領域１２４からなる。以下では両方を総称してアプリ
ケーションプログラム領域と呼ぶ。デモンストレーショ
ンデータ集には、例えば、複数のサブデモンストレーシ
ョンである、デモ１、デモ２・・・・、デモｎから構成
され、ユーザはいずれかを選択したり、複数を連続的に
再生できるものとする。ユーザーデータ領域には、例え
ば、デモ１，デモ２、・・・、デモｎに対して、ユーザ
ーが復唱した内容がそれぞれ復唱データ１、復唱データ
２、・・・・、復唱データｎというように格納される。

【０１７６】アプリケーションプログラム領域１２０と
ユーザーデータ領域１２１間の頻繁なアクセスを行うに
際し、両領域の論理データ構造が同一であり、ファイル
管理方法が同一であることが、データの再生に当たって
デコード方式を切り替える必要がないので好ましい。特
に、後述のように音声データを扱うような場合、実際の
ディスク上でのデータ再生・転送ルートと実時間での音
声再生レートとのギャップを解消するために、また、細
切れアプリケーションデータの再生とユーザーデータの
記録とを切り替えながら行うために、ディスク上のデー
タは、いわゆる固定長のパケット構造を有することが望
ましい。ここで改めてＣＤ−ＲＷにおける固定長パケッ
ト記録について説明する。ＣＤ−ＲＯＭフォーマットに
おいては、図２８に示すように、ユーザーデータ２０４
８ｋバイトに付加データを含む２３５２バイトの単位を
ブロック１３０としてひとまとめにしてデータ処理を行
う。1ブロック１３０にはエラー訂正のためのＥＣＣ符
号（１３１）等、ヘッダーと呼ばれるＡＴＩＰに対応す
るアドレス情報を含む４バイトのデータ（１３２）、及
びＥＣＣを含むデータでコードの際に必要となる同期信
号８バイト（１３３）を付加してなる。

【０１７７】該２３５２バイトを２４バイト×９８のマ
トリックスに分割したとき、一行２４バイトのデータ単
位（１３５）をフレームと称するが、これは、ＥＦＭ変
調データに変換するときの基本多淫にであり、ユーザー
側からは操作できない。該フレーム１３５に属する２４
バイトのデータにさらにエラー訂正用のパリティーと、
サブコードと呼ばれるアドレス情報等を付加して、ＥＦ
Ｍ変調してのちディスク上に記録される。

【０１７８】ＣＤ−ＲＷの固定長パケット記録は、該Ｃ
Ｄ−ＲＯＭフォーマットの使用を前提として、米国のＯ
ＳＴＡ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｔｏｒａｇｅ Ｔｅｃｈｎ
ｏｌｏｇｙ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）においてユニバ
ーサル・ディスク・フォーマット（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ
Ｄｉｓｋ Ｆｏｒｍａｔ、ＵＤＦ）のバージョン１．
５及びマルチリード（Ｍｕｌｔｉｒｅａｄ）フォーマッ
トとして制定された。上記ブロック単位で、３２ブロッ
クユーザーデータをまとめて一単位とし、図２９に示し
たような、ランインブロック１４１、ランアウトブロッ
ク１４２及びリンクブロック１４３を付加してなる単位
を、パケットと称する。すなわち一パケットには６４ｋ
バイトのユーザーデータからなる、ユーザーデータブロ
ック群１４０が含まれる。

【０１７９】このようなフローチャートは、例えば、図
３０に示すように、本発明の部分的にアプリケーション
プログラム領域とユーザーデータ領域を有するＣＤ−Ｒ
Ｗディスク１５３と、該ディスクをＣＡＶモードで回転
させながら記録再生するための装置であるＣＤ−ＲＷド
ライブ１５０、及び、該記録再生装置に接続されたホス
トコンピュータ１５１を少なくとも含むシステムによっ
て実現される。ＣＤ−ＲＷドライブ１５０とホストコン
ピュータ１５１は、相互にデ−タ転送が可能なように、
データ転送路２００で接続されている。データ転送方式
としては、ＡＴＡＰＩあるいはＳＣＳＩ方式が用いられ
る。データ転送の際のＣＤ−ＲＷドライブ１５０側のデ
ータ処理速度と、ホストコンピュータ１５１側のデータ
処理速度の差を解消するために、また、データ転送の同
期をはかるために、それぞれにデータ転送用のバッファ
メモリ２０６と２０７がある。バッファメモリ２０６と
２０７では、例えば、図２９のパケットごとにデータが
処理される。また、ドライブ１５０内ではＥＦＭ変調信
号の増幅、帯域フィルタによる抽出、エンコード、デコ
ード、ＣＤフォーマットのエンコード、デコード、記録
パルスの生成等は、データ処理系２０４でなされる。デ
ィスクの回転制御は回転制御系２０３で処理され、光ピ
ックアップ２０１の移動、トラッキングサーボ、フォー
カスサーボはピックアップサーボ系２０２で処理され
る。これらの機械的制御と、データ処理との相互の連携
は、システム制御ＣＰＵ２０５で制御されている。ＣＰ
Ｕ２０５はこれら機械制御、データ処理、電気信号の記
録再生等を統括する上位のシステムの総称で、必ずしも
１個のＩＣで実現されるとは限らない。

【０１８０】ホストコンピュータのＣＰＵ２１０によっ
て、アプリケーションプログラムは解読実行される。デ
ータ転送路２００及びバッファメモリ２０７を介して得
られたデータは、キャッシュメモリ２０９を介してＣＰ
Ｕ２１０で処理され、やはりキャッシュメモリを介して
作業用メモリ２１１に保管される。また、作業用メモリ
２１１はＲＡＭメモリ２１２もしくはハードディスク２
１２であり、プログラム実行中のワークスペースとして
利用される。ＣＰＵで処理される最小限のデータがキャ
ッシュメモリ２０９に一時的に保管される。バスコント
ローラは、ＣＰＵ２１０を助けてホストコンピュータ内
のデータの流れを制御する。

【０１８１】ホストコンピュータ１５１のシステムは、
ユーザーインターフェースとして、マイク・カメラ等の
ＡＶ（ａｕｄｉｏ−ｖｉｓｕａｌ）入力機器群２１７と
スピーカー・ディスプレイ等のＡＶ出力機器群２１９及
び、キーボードやマウス等の機器群２２０を有する。Ａ
Ｄ（アナログデジタル）変換回路２１６もしくはＤＡ
（デジタルアナログ）変換回路２１８を介して、ユーザ
ーとの入出力処理をデジタルデータとして処理できるよ
うになる。通常は、音声や画像処理をＣＰＵ２１０だけ
で司ることはなく、専用の処理回路２１５で処理するの
が普通である。音声・画像処理回路２１５及びその上位
のサウンド／ビデオコントローラ２１４では、データの
サンプリング、補間、圧縮／解凍等が行われる。また、
音声と映像の両方のデータを含む場合、音声と映像デー
タの同期を確立するためのデータ処理も行われる。これ
らの処理は、音声／画像を別々のＩＣで処理することも
あるが、ここではひとまとめに記載する。同様にキーボ
ードやマウス等からのデータも、ＩＯ制御回路２２１で
代表されるシステムで処理される。

【０１８２】アプリケーションのデータを再生する際に
は、ドライブ装置１５０において、ディスク１５３はＣ
ＡＶ回転しており、光ピックアップ２０１から出射され
る光ビームの走査により、固定長のパケットごとにディ
スク上のデータが読み出される。該パケット単位のデー
タは、データ処理系２０４においてＥＦＭ復調され、Ｃ
Ｄ−ＲＯＭフォーマットのブロック単位のデータ（２Ｋ
バイト単位）に出コードされた後、バッファメモリ２０
６に転送され、さらにインターフェースの転送路２００
を介して、ホストコンピュータ１５１に転送される。デ
ータ転送は、ホストコンピュータのＣＰＵ２１０及びド
ライブのシステム制御ＣＰＵ２０５の連携によって制御
されている。バッファメモリ２０６と２０７は通常、Ｄ
ＲＡＭ等の固体メモリ素子が用いられ、ドライブ装置本
体１５０とデータ処理用のホストコンピュータシステム
１５１とのそれぞれに設けられるが、データ転送の同期
を達成を達成するために必要である。しかし、ドライブ
本体とホストコンピュータシステム、特にＣＰＵ２１０
と２０５の機能が一体化されたようなシステムでは、バ
ッファメモリ２０６，２０７は必ずしも別個に設ける必
要はない。実際のディスク上でのデータ再生は高速倍速
再生であるから、音声データの再生時間の数分の一で再
生が完了するし、バッファメモリ２０６と２０７間の転
送時間もインターフェースとして通常のＳＣＳＩやＡＴ
ＡＰＩ方式を使用すれば、問題にならないほど極めて短
時間で終了する。

【０１８３】ここで、書き換え型コンパクトディスク１
５３では、記録再生時の速度は例えばプログラム領域の
最内周での４倍速から、最外周における１０倍速の範囲
にわたる。一方、音声データの再生は通常は１倍速で行
われるので注意が必要である。かかる再生速度のギャッ
プを解消するために、再生速度の変換が必要となる。し
かし、上記データ読み出し過程を経て、読み出されたデ
モ１のデータは、すべて一旦、作業用メモリ２１１に保
管された後は、ＣＤ−ＲＷの回転速度や、データ転送路
２００のデータレートとは無関係にサウンド（／ビデ
オ）コントローラ２１４に転送され、該作業用メモリ２
１１内のデータを通常の音声のサンプリングレートに同
期させてＤＡ変換器２１８においてデジタルアナログ変
換した後、スピーカ２１９において再生する。ここで、
ＣＤフォーマットにおけるデジタル音声データとＣＤ−
ＲＯＭフォーマットにおけるデジタルデータの論理構造
が異なるが、音声データもデジタル化した後、ＣＤ−Ｒ
ＯＭフォーマットで記録しておくことが望ましい。そう
すれば、デモデータ及びユーザーの復唱データともに、
同じＣＤ−ＲＯＭフォーマットに基づく固定長パケット
記録を適用できる。かかる音声等のデータ処理に関して
は、通常のパーソナルコンピュータに内蔵されている機
能で十分であり、詳細な説明は省略する。

【０１８４】ＣＡＶ記録可能なＣＤ−ＲＷを用いたＣＡ
Ｖ方式での記録再生の手順を一般化して示したフローチ
ャートが図３１である。ステップＳ１からＳ３は、ＣＤ
−ＲＷ１５３をドライブに挿入するとＣＤ−ＲＷドライ
ブ１５０内においてシステム制御ＣＰＵ２０５の制御の
もとに実行される。まず、ステップＳ１においてＣＤ−
ＲＷディスク１５３がドライブ１５０に装着される。こ
こで、通常、システム制御ＣＰＵ２０５の制御のもと、
ディスクの回転開始、フォーカス及びトラッキングサー
ボ等が確立される。ディスクは所定のＣＡＶ回転速度に
保たれる。

【０１８５】ピックアップ２０１は、まず、ステップＳ
２において、リードイン領域１１１、ＰＭＡ／ＰＣＡ領
域１１０にアクセスし、ディスクの管理情報等が読み込
まれる。ディスクの管理情報は、記録時の最適記録パワ
ーや線速度に関する情報とともに、ディスクのタイプが
ＣＤ−ＲＷであること、さらには、ＣＡＶ記録可能なＣ
Ｄ−ＲＷディスクであることが判定される。また、ＰＣ
Ａ領域において試し書きを実施し、最適記録パワーを決
定する。引き続きステップＳ３により、リードイン領域
１１１及びプログラム１１２領域の先頭のほうのアドレ
ス特定のアドレスからファイル管理情報が取得され、プ
ログラム領域１１２のファイル情報が取得される。

【０１８６】自動実行可能なアプリケーションがアプリ
ケーションプログラム領域１２０にあれば、ただちに、
ステップＳ４において、ディスク１５３のアプリケーシ
ョンプログラムのメインルーティンのデータ１２５がホ
ストコンピュータ１５１に読み込まれ、以後のステップ
はホストコンピュータ１５１のＣＰＵ２１０により、ド
ライブ１５０とデータ転送路２００を介してデータのや
りとりをしながら実行される。自動実行可能なプログラ
ムでなければ、ユーザーが、アプリケーションプログラ
ム領域１２０内のＣＤ−ＲＷの実行可能ファイルを選択
してからステップ４が開始される。

【０１８７】通常は、ステップＳ５にあるように、ま
ず、ユーザーインターフェースであるメニュー画面が起
動され、ＡＶ機器群２１９にあるディスプレイ等に表示
される。ユーザーにキーボード等２２０を使用して、以
後の実行プログラムの動作を選択させる。ここで、ステ
ップＳ６において、デモンストレーションの実行と、実
行すべきデモンストレーションの内容が選択され、デモ
ンストレーションの実行開始がユーザーにより指示され
る。最初に選択されたデモンストレーションをデモ１と
称することにする。

【０１８８】ステップＳ７において、デモンストレーシ
ョンの具体的内容１２６が記載されたディスク１５３の
デモデータ領域１２４の所定アドレスにアクセスし、デ
モ１のデータを取得する。通常は、このデータは一旦ホ
ストコンピュータ内のＲＡＭメモリ２１２もしくはハー
ドディスク２１３等の作業用メモリ２１１に一時記憶さ
れ、該作業用メモリ２１１より読み出されて、ステップ
Ｓ８において、サウンド／ビデオコントローラ２１４、
音声画像処理回路２１５、ＤＡ変換回路２１８を介し
て、ＡＶ機器群２１９のいずれかにおいて音声や画像に
変換されてデモンストレーションとして実行される。

【０１８９】ここで、上記アプリケーションプログラム
を実行する過程は、例えば、言語学習のようなアプリケ
ーションを想定すれば、所定のセンテンスの発声デモン
ストレーションの再生を行い、該デモンストレーション
に従ってユーザーからの情報入力、すなわち、復唱を促
す。ステップＳ９においてキーボード等２２０を介して
ユーザーからの割り込み１によりユーザーからのデータ
入力モードに移行しない場合には、ルートＲ１により繰
り返しデモンストレーションが行われる。

【０１９０】ユーザーからのデータ入力に移行する旨の
割り込み１が実行された場合には、ステップＳ１０にお
いて、ピックアップ２０１はディスク１５３のユーザー
データ領域１２１にアクセスし待機する。この際にＣＤ
−ＲＷディスク１５３は再生時と一定のＣＡＶ回転速度
に保たれたままであるので，ピックアップ２０１のアク
セスは極めて短時間に完了できる。

【０１９１】ステップＳ１１においてユーザーからのデ
ータ入力がなされるが、これは、言語学習を例にとる
と、ユーザーがデモ１の内容を復唱することに相当す
る。該音声データ（復唱データ１）は、ホストコンピュ
ータ１５１においてＡＶ機器群２１７にあるマイク、Ａ
Ｄ変換器２１６、音声処理回路２１５、サウンドコント
ローラ２１４を介して、ホストコンピュータ１５１内の
作業用メモリ２１１に一時記憶される。ユーザーデータ
とデモ１のデータをそれぞれ、左右のチャネルに割り当
てて合成し、ステレオ録音としてもよい。デモ１の内容
とユーザーの復唱内容の比較が容易になる。

【０１９２】ステップＳ１２において、ＣＤ−ＲＷドラ
イブ１５０に作業メモリ２１１よりデータが転送され、
ディスク１５３のユーザーデータ領域１２１に該ユーザ
ーデータが記録される。必要に応じてステップＳ１３に
おいて、ユーザーの入力データが即時再生される。ステ
ップＳ１４のユーザー割り込み２において、ユーザーデ
ータの再入力のルートＲ２もしくはデモ１の繰り返し実
行まで戻るルートＲ３が選択できるが、その必要がなけ
れば、ステップ１５において次のデモンストレーション
（デモ２）に移るか、デモンストレーションを終了する
かの選択がなされる。次のデモンストレーションに移行
するならば、ルートＲ４を経由して、ステップＳ６に復
帰し、デモ選択操作がなされる。

【０１９３】終了する場合には、ステップＳ１６におい
て、ユーザーデータ領域１２１に新たに記録されたユー
ザーデータに基づき、ファイル管理情報が更新され、ス
テップＳ１７において、デモンストレーションを終了
し、ルートＲ５によりメニュー画面に復帰する。このよ
うにして、ピックアップ２０１のアプリケーションプロ
グラム領域１２０とユーザーデータ領域１２１の間のア
クセスが、ＣＡＶ回転速度を一定の保ったままなされる
ので、デモンストレーションデータの再生とそのユーザ
ーによる復唱データの記録が、瞬時のうちに切り替えら
れ、ユーザーを待たせることなく、スムーズなヒアリン
グと発声復唱による言語学習が可能となる。なお、デモ
ンストレーションは音声だけでなく、音楽の小節ごとの
再生とユーザーの復唱、あるいは、デモ動画の再生と、
ユーザーの追従のカメラによる動画記録といった内容で
もかまわないことはいうまでもない。

【０１９４】

【実施例】〔基本例〕トラックピッチ１．６μｍで１倍
速（１．２ｍ／ｓ）換算で基準周波数２２．０５ｋＨｚ
で蛇行する螺旋状の溝を設けた厚さ１．２ｍｍのポリカ
ーボネート樹脂基板を射出成形によって形成した。溝幅
は０．５２μｍ、深さは３７ｎｍとした。これらはいず
れも波長６３３ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザー光を用いたＵ
溝近似の光学回折法で求めた。溝蛇行（ウォブル）には
さらに、ＡＴＩＰによるアドレス情報が±１ｋＨｚの周
波数変調により付与した。

【０１９５】つづいて、基板上に、下部保護層、記録
層、上部保護層、反射層、紫外線硬化樹脂層をこの順に
形成した。各層の成膜は上記基板上に、真空を解除する
ことなく、順にスパッタリング法によって積層した。た
だし、紫外線硬化樹脂層（厚さ約４μｍ）はスピンコー
ト方によって塗布した。成膜直後の記録層は非晶質であ
り、長軸約７０〜９０μｍ、短軸約１．３μｍに集光し
た波長８１０〜８３０ｎｍのレーザー光により線速３．
０から６．０ｍ／ｓの範囲内で適当な線速度を選んで、
初期化パワー５００〜７００ｍＷを照射して全面結晶化
させ初期（未記録）状態とした。

【０１９６】各層の膜厚は成膜レートを正確に測定した
後、スパッタ成膜時間によって制御した。記録層組成
は、蛍光Ｘ線法による各元素の蛍光強度を、別途化学分
析（原子吸光分析）によって求めた絶対組成によって校
正した値を用いた。記録層、保護層膜の密度は基板上に
数百ｎｍ程度に厚く成膜したときの重量変化から求め
た。膜厚は蛍光Ｘ線強度を触針計で測定した膜厚で校正
して用いた。

【０１９７】反射層の面積抵抗率は４探針法抵抗計｛Ｌ
ｏｒｅｓｔａ ＭＰ、（商品名）三菱油化（現ダイアイ
ンスツルメント）社製｝で測定した。抵抗測定は、絶縁
物であるガラスもしくはポリカーボネート樹脂基板上に
成膜した反射層で測定するか、あるいは上記４層（下部
保護層／記録層／上部保護層／反射層）成膜後、最上層
となる反射層で測定した。上部保護層が誘電体薄膜で絶
縁物であるため、面積抵抗率測定に影響はない。また、
実質的に無限大の面積とみなせる、直径１２０ｍｍのデ
ィスク基板形状のまま、半径３０〜４０ｍｍの位置にプ
ローブを接触させて測定している。

【０１９８】得られた抵抗値Ｒを元に以下の式から面積
抵抗率ρ_S 及び体積抵抗率ρ_V を計算した。 ρ_S ＝Ｆ・Ｒ （８） ρ_V ＝ρ_S・ｔ （９） ここで、ｔは膜厚である。Ｆは測定する薄膜領域の形状
で決まる補正係数で通常４．３〜４．５の値をとる。こ
こでは４．４とした。記録再生評価はパルステック社製
ＤＤＵ１０００テスタ（波長約７８０ｎｍ）を用いた。
ＮＡ＝０．５５のＤＤＵ１０００テスタをテスター１
（スポット形状は１／ｅ² 強度で約１．２５μｍの円
形）、ＮＡ＝０．５のＤＤＵ１０００テスターをテスタ
ー２（スポット形状は１／ｅ² 強度で約１．３μｍの円
形）として、いずれかのテスターを用いた。

【０１９９】ＣＤの標準線速度１．２ｍ／ｓを１倍速と
し、１倍速から１２倍速までのオーバーライト特性を評
価した。各線速度におけるデータの基準クロック周期
は、１倍速におけるデータの基準クロック周期２３１ｎ
ｓｅｃに対して各線速度で反比例させたものとした。再
生は特に断わらない限り２倍速で行った。ＤＤＵ１００
０からの出力信号を５〜２０ｋＨｚにカットオフのある
高周波通過フィルタを通した後、タイムインターバルア
ナライザー（横河電機社製）でジッタを測定した。変調
度ｍ₁₁（＝Ｉ₁₁／Ｉ_top ）はオシロスコープ上でアイパ
ターン観察により読み取った。また、Ｒ_top は別途、Ｃ
Ｄ基準ディスクＣＤ５Ｂ（Ｐｈｉｌｉｐｓ社より販売）
で校正して求めた。

【０２００】ＥＦＭランダムデータを記録した後、該記
録データの３Ｔマークジッタ及び３Ｔスペースジッタを
測定し、どちらかジッタの高いほうを３Ｔジッタとして
採用した。特に断わらない限り、消去パワーＰｅと記録
パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは０．５で一定とし、Ｐｗを
９ｍＷから２０ｍＷ又は２５ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで
変化させた。また、特に断らない限りバイアスパワーＰ
ｂは再生光パワーＰｒと同じで、０．８ｍＷで一定とし
た。３Ｔ／１１Ｔオーバーライト消去比の測定では、３
Ｔマークおよび３Ｔスペース（マーク間）からなる繰り
返しパターン（３Ｔパターン）を一回記録後、１１Ｔマ
ークおよび１１Ｔスペース（マーク間）からなる繰り返
しパターン（１１Ｔパターン）をオーバーライトして３
Ｔマークのキャリアレベルの低下量（ｄＢ単位）を測定
し、消去比（ｅｒａｓａｂｉｌｉｔｙ）とした。キャリ
アレベルの測定は、Ａｄｖａｎｔｅｓｔ製のスペクトラ
ムアナライザー（ＴＲ４１７１）もしくは、ＨＰ製８５
６７Ａを用い、テスター１もしくはテスター２の再生信
号出力を入力として用いた。オーバーライトは各線速で
行ったが、再生はすべてＣＤ線速（１．２ｍ／ｓ）で行
った。スペクトラムアナライザーのＲｅｓｏｌｕｔｉｏ
ｎ ｂａｎｄ ｗｉｄｔｈは３０ｋＨｚ、Ｖｉｄｅｏ
ｂａｎｄ ｗｉｄｔｈは１００Ｈｚとし、入力インピー
ダンスは５０Ωとした。さらに、オーバーライト特性の
評価は特に断りのない限り、１０回オーバーライト（未
記録状態に初回記録後、同一トラックに９回のオーバー
ライト）を行った後に評価した。なお、加速試験後の記
録信号の評価は、加速試験前に１０回オーバーライト記
録した信号を、加速試験後に再生のみ行って評価した。

【０２０１】（実施例１）上記基本例において、下記の
ようにしてディスクを製造し記録を行なった。基板上
に、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂ ）₂₀からなる下部保護層を
９７ｎｍ、Ｉｎ ₈ Ｇｅ₅ Ｓｂ₆₆Ｔｅ₂₁からなる記録層を
１９ｎｍ、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂ ）₂₀からなる上部保
護層を４０ｎｍ、Ａｌ_99.5Ｔａ_0.5 からなる反射層を２
５０ｎｍ、紫外線硬化樹脂層を約４μｍをこの順に形成
し、書換え型コンパクトディスクを作製した。このＡｌ
_99.5Ｔａ_0.5 反射層の体積抵抗率ρ_v は１００ｎΩ・
ｍ、面積抵抗率ρ_s は０．４Ω／□であった。初期化
は、長径約７０μｍ、短径約１．３μｍの楕円形スポッ
ト形状を有する波長約８１０ｎｍのレーザーダイオード
光を線速約３〜４ｍ／ｓで走査して行なった。照射パワ
ーは６００〜７００ｍＷである。このディスクに、ＮＡ
＝０．５５のテスター１を用いて、１、２、４、６、８
及び１０倍速でＥＦＭ変調信号のオーバーライトを行な
い、その特性を評価した。消去パワーＰｅと記録パワー
Ｐｗの比Ｐｅ／Ｐｗは０．５で一定としＰｗを９ｍＷか
ら２０ｍＷまで１ｍＷ刻みで変化させ、それぞれの記録
パワーでオーバーライト特性を評価した。いずれも１０
回オーバーライト後の値で評価した。記録パルス分割方
法は以下のとおりである。

【０２０２】一つの記録マークの時間的長さをｎＴとし
たとき（Ｔは基準クロック周期。ｎは３〜１１までの整
数）、記録マーク間には、非晶質を結晶化しうる消去パ
ワーＰｅの記録光を照射し、時間的長さｎＴのマークに
は、時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔを、 α₁ Ｔ、β₁ Ｔ、α₂ Ｔ、β₂ Ｔ、・・・・、α_m Ｔ、
β_m Ｔ、 ただし、ｍ＝ｎ−１ の順に、Σ_i （α_i ＋β_i ）＝ｎ−ｊ（ｊは０．０≦ｊ
≦２．０なる実数）となるよう分割し、

【０２０３】α_i Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）なる時間内には記録
層を溶融させるにたるＰｗ＞Ｐｅなる記録パワーＰｗの
記録光を照射し、β_i Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）なる時間内には
０＜Ｐｂ≦０．５ＰｅなるバイアスパワーＰｂの記録光
を照射してオーバーライトを行うにあたり、線速１．２
ｍ／ｓを基準速度（１倍速）としたとき、（１）４倍速
においては、α₁ ＝０．７５〜１．２５、α_i ＝０．２
５〜０．７５（２≦ｉ≦ｍ）、α_i ＋β_i-1 ＝１（２≦
ｉ≦ｍ）とし、（２）４倍速より低線速においては、α
₁ ＝０．０５〜１．０、α_i ＝０．０５〜０．５（２≦
ｉ≦ｍ）、α_i ＋β_i-1 ＝１（２≦ｉ≦ｍ）とし、
（３）４倍速より高線速においては、α₁ ＝０．５〜
２、α_i ＝０．５〜１（２≦ｉ≦ｍ）、α_i ＋β_i-1 ＝
１（２≦ｉ≦ｍ）とした。

【０２０４】各速度での具体的なα₁ 、α_i 、β_m を表
−１に示す。特に、４〜１０倍速では、現行のＲＷ規格
（オレンジブック・パート３・バージョン２．０）ルス
分割方法に厳密に従った。オーバーライト特性の評価結
果を図１０に示す。それぞれ（ａ）３Ｔマークジッタ、
（ｂ）３Ｔスペースジッタ、（ｃ）変調度ｍ₁₁、（ｄ）
Ｒ_top 、（ｅ）３Ｔマーク長、（ｆ）３Ｔスペース長、
のＰｗ依存性を表す。表−１に示すように最適記録パワ
ーは１５〜１６ｍＷ付近であり、オーバーライト特性も
このパワーにおける値で評価される。図１０（ｃ）、
（ｄ）から、いずれの線速においても、変調度ｍ₁₁は６
０％〜８０％（０．６〜０．８）、Ｒ_top は１５〜２５
％の値が得られている。

【０２０５】図１０（ｅ）、（ｆ）の図中の横線は２倍
速再生時の３Ｔマーク長＝３Ｔスペース長＝２３１×３
×１／２＝３４６．５（ｎｓｅｃ）を示す。マーク長、
スペース長については通常±１０％程度のずれは許容さ
れるから、±３０〜４０ｎｓｅｃ以内であればよいが、
図から、マーク長及びスペース長のずれはほとんどなく
許容範囲内であることが分かる。同様に、Ｐｗ＝１５〜
１６ｍＷにおいては、４Ｔ〜１１Ｔのマーク長及びスペ
ース長においても、±１０％程度の範囲内で所望のマー
ク長及びスペース長が得られた。図１０（ａ）、（ｂ）
の図中の横線は２倍速再生時の３Ｔジッタ規格上限値＝
＝３５×１／２＝１７．５（ｎｓｅｃ）を示す。いずれ
の線速においても１７．５ｎｓｅｃ以下の良好なジッタ
ー値が得られている。

【０２０６】以上まとめると、いずれの線速においても
良好な記録特性が得られており、なおかつ４〜１０倍速
においてはＣＤ−ＲＷ規格の記録パルス分割法によって
良好な記録特性が得られている。次に、２〜１０倍速に
おけるオーバーライト耐久性の評価結果を図１１に示
す。それぞれ、Ｐｗ／Ｐｅ＝１５ｍＷ／７．５ｍＷで繰
返しオーバーライトを行ったときの、（ａ）３Ｔマーク
ジッタ、（ｂ）３Ｔスペースジッタ、のオーバーライト
回数依存性を表す。いずれの線速においてもＣＤ−ＲＷ
に要求される１０００回というオーバーライト耐久性は
十分満たされている。さらに、表−１に、各線速におけ
る記録パルス分割方法、記録パワー、消去パワーと３Ｔ
／１１Ｔオーバーライト消去比をまとめた。３Ｔ／１１
Ｔオーバーライト消去比とは、３Ｔマークと３Ｔスペー
スからなる単一周期信号を記録後、１１Ｔマークと１１
Ｔスペースからなる単一周期信号をオーバーライトした
ときの３Ｔ信号の消去比である。線速は、１倍速を１．
２ｍ／ｓとしてその何倍速であるかで表現した。

【０２０７】

【表１】

【０２０８】表−１に示すように、１倍速〜６倍速で３
Ｔ／１１Ｔオーバーライト消去比２９〜３０ｄＢが得ら
れており、８倍速という高線速においても、Ｐｗ＝１６
ｍＷ、Ｐｅ＝８ｍＷのときに２８ｄＢという十分な消去
比が得られている。また、１０倍速においても２７ｄＢ
という高い消去比が得られている。また、上記ディスク
を、記録領域最内周（半径２２ｍｍ）で４倍速、記録領
域最外周（半径５８ｍｍ）で１０倍速となるようにＣＡ
Ｖモードで回転させ、約５ｍｍごとに半径位置をずらし
ながらディスク全面に、各半径位置に相当する基準クロ
ックで記録を行った。このディスクを８０℃／８５％Ｒ
Ｈ（相対湿度）の加速試験に投入したところ、５００時
間経過しても記録済み信号の劣化はほとんど見られなか
った。ジッタは２倍速再生で１７．５ｎｓ以下であり、
変調度ｍ₁₁もほとんど低下しておらず、初期値の９０％
以上を維持していた。

【０２０９】（実施例２）前記基本例において、下記の
ようにディスクを製造し、記録を行なった。記録層をＩ
ｎ₈ Ｇｅ₅ （Ｓｂ_x Ｔｅ_1-x ）₈₇とし、ｘとして７４．
４、７５．４及び７６．３の３種類の組成とした以外は
実施例１と同様にディスクを作製した。ＮＡ＝０．５５
のテスター１を用いてオーバーライト特性を評価した。
２、４、６及び８倍速において、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．５で
一定としてＰｗを９〜２０ｍＷの範囲で１ｍＷずつ変化
させて３Ｔマーク間ジッタを測定した。記録パルス分割
方法は実施例１と同様の分割方法において、 ｍ＝ｎ−１、 α₁ ＝１、α_i ＝０．５（２≦ｉ≦ｍ）、 β_m ＝０．５、α_i ＋β_i-1 ＝１．０（２≦ｉ≦ｍ） とした。

【０２１０】即ち、図４に示すＣＤ−ＲＷ規格に準拠し
たパルス分割方法である。なお、ｘが何れの場合も、８
倍速における３Ｔ／１１Ｔオーバーライト消去比は、Ｐ
ｗ＝１５〜１８ｍＷで３０ｄＢ以上あった。オーバーラ
イト特性の評価結果を図１２に示す。それぞれ（ａ）ｘ
＝７６．３，（ｂ）ｘ＝７５．４，（ｃ）ｘ＝７４．４
の場合の、２倍速再生時のジッタ値の線速度及び記録パ
ワー依存性を表す。

【０２１１】図１２の格子点上で実際に測定を行い、各
測定点におけるジッタ値を等高線図として表記した（マ
イクロソフト社製ソフトウェアＥＸＣＥＬ９７使用）。
使用したソフトウェアのデータ補間機能により、等高線
に若干のくびれや歪みが見られるが、全体像を把握する
のには支障がない程度である。図１２の（ａ）〜（ｃ）
を見比べると、ｘが大きいほど低ジッタ領域が高線速よ
りに存在するが、いずれの場合も、ジッタが１７ｎｓｅ
ｃ（１倍速換算で３４ｎｓｅｃ）以下の領域が４〜８倍
速（４．８〜９．６ｍ／ｓ）をカバーできている。デビ
エーションも規格範囲内である。図１２（ｂ）では、ぎ
りぎり２倍速から８倍速までＣＤ互換品質の信号記録が
可能であった。図１２（ｃ）のディスクを市販の４倍速
ドライブ（ヤマハ製ＣＲＷ４４１６ソニー製ＣＲＸ１２
０Ｅ及びリコー製７０４０ＡＤ）により記録したとこ
ろ、いずれも良好な記録が可能であり、記録済み信号の
ブロックエラーレートも一桁台で、少なくとも４倍速に
おける互換性が確認できた。また、８０℃／８５％ＲＨ
（相対湿度）の加速試験を行なったところ、５００時間
経過後も記録済み信号の劣化はほとんど見られなかっ
た。変調度は初期値の９０％以上を維持していた。

【０２１２】（実施例３）前記基本例において、下記の
ようにディスクを製造し、記録を行なった。記録層をＧ
ｅ₅ Ｓｂ₇₃Ｔｅ₂₂（Ｓｂ／Ｔｅ≒３．３２）とした以外
は実施例１と同様にディスクを作製した。８倍速におけ
る、３Ｔ／１１Ｔオーバーライト消去比はＰｗ／Ｐｅ＝
１７ｍＷ／８．５ｍＷにおいて３１ｄＢであった。実施
例２と同様にオーバーライト特性を評価した。図１３
に、図１２と同様のジッタの等高線図を示した。Ｓｂ／
Ｔｅ比が実施例１及び２より高いため低ジッタ領域が高
線速側に片寄っているが、４〜８倍速ではＣＤ−ＲＷ規
格に準拠したパルス分割方法で良好なオーバーライト特
性が実現できた。

【０２１３】（比較例１）記録層をＧｅ₅ Ｓｂ₆₈Ｔｅ₂₇
（Ｓｂ／Ｔｅ≒２．５２＜２．５７）とした以外は実施
例１と同様にディスクを作製した。実施例１と同様にテ
スター１で評価を行ったところ、４倍速でも消去比が不
足気味であり、８倍速では全くオーバーライト不可能で
あった。８倍速における３Ｔ／１１Ｔオーバーライト消
去比は２０ｄＢ未満であった。なお、パルス分割方法を
変化させても、１倍速再生ジッタが３５ｎｓ以下とはな
らなかった。

【０２１４】（比較例２）記録層をＧｅ₅ Ｓｂ₇₇Ｔｅ₁₈
（Ｓｂ／Ｔｅ≒４．２８＞４．０）とした以外は実施例
１と同様にディスクを作製した。実施例１と同様にテス
ター１で評価を行ったところ、８倍速における３Ｔ／１
１Ｔオーバーライト消去比はＰｗ／Ｐｅ＝１７ｍＷ／
８．５ｍＷで３２ｄＢであった。しかし、４倍速でＣＤ
−ＲＷ準拠のパルス分割方法で評価したところ、非晶質
マークの再結晶化が著しく、２倍速再生ジッタ１７．５
ｎｓｅｃ以下（１倍速再生ジッタ３５ｎｓｅｃ以下）と
なるような特性は得られなかった。また、結晶粒による
高ノイズのために、８倍速での記録では、２倍速再生で
１７．５ｎｓｅｃ以下のジッターは得られない。

【０２１５】（比較例３）記録層をＧｅ₁₂Ｓｂ₆₇Ｔｅ₂₁
（Ｓｂ／Ｔｅ≒３．２）とした以外は実施例１と同様に
ディスクを作製した。実施例２と同様の評価を行ったと
ころ、８倍速における３Ｔ／１１Ｔオーバーライト消去
比はＰｗ／Ｐｅ＝１７ｍＷ／８．５ｍＷで３０ｄＢであ
った。しかし全体にジッタが高く、８倍速では、２倍速
再生ジッタ１７．５ｎｓｅｃ以下（１倍速再生ジッタ３
５ｎｓｅｃ以下）となるような特性は得られなかった。

【０２１６】（実施例４〜５、比較例４〜５）記録層を
ＩｎＧｅＳｂＴｅ系、又はＣＤ−ＲＷ用記録層として従
来公知のＩｎＡｇＳｂＴｅ系とした以外は実施例１と同
様にディスクを作製した。具体的な各記録層の組成を表
−２に示す。

【０２１７】

【表２】

【０２１８】比較例４、比較例５の記録層は、ＣＤ−Ｒ
Ｗ規格（オレンジブック・パート３、バージョン２．０
規格）に準拠した１〜４倍速互換性を有する現行ＣＤ−
ＲＷ規格を満足する記録層である（２〜４倍速は実施例
２と同様のパルス分割方法を適用する）。ＩｎＧｅＳｂ
Ｔｅ系、ＩｎＡｇＳｂＴｅ系とも線速依存性はＳｂ／Ｔ
ｅ比でほぼ一義的に決まる。そして比較例４、比較例５
の記録層にＳｂ量を相対的に増やしてＳｂ／Ｔｅ＝２．
９５としたのが実施例４及び実施例５である。

【０２１９】実施例４及び実施例５の媒体は４〜８倍速
において実施例２と同様のパルス分割方法で良好なオー
バーライト特性が可能であった。実施例４及び実施例５
の媒体の８倍速における３Ｔ／１１Ｔオーバーライト消
去比はともに２８ｄＢであった。いずれもＰｅ／Ｐｗ＝
０．５の場合である。これらのディスクを８０℃／８５
％ＲＨ環境下で１００時間の加速試験に投入した前後の
特性を表−３、表−４にまとめた。表−３は４倍速記録
後、表−４は８倍速記録後（いずれも１０回オーバーラ
イト）に加速試験に投入し、１００時間後に該記録済み
信号の特性を再評価したものである。

【０２２０】

【表３】

【０２２１】

【表４】

【０２２２】表−３、表−４からわかるように、実施例
４のディスクは既存の１〜４倍速互換媒体（比較例４、
比較例５）をより高線速度対応とするためにＳｂ／Ｔｅ
比を高くしても、初期特性のみならず経時安定性にも優
れた媒体を提供できている。一方、同じくＳｂ／Ｔｅ比
を高くした実施例５のディスクでは、４倍速でも８倍速
でも１００時間加速試験後の変調度低下とジッタ増加が
著しかった。非晶質マークが消えて信号振幅が低下して
おり、非晶質マークの経時安定性の点で実施例４のディ
スクの方が優れる。なお、実施例４の媒体に対して、引
き続き５００時間迄加速試験を行なったが、初期に記録
した信号はほとんど劣化しておらず、変調度ｍ₁₁も初期
値の９０％以上を維持していた。

【０２２３】このことから、１〜４倍速互換媒体のＳｂ
／Ｔｅ比を単に高くすれば高線速用媒体となるわけでは
ないことが分かる。本発明者らがこれら記録層材料を８
倍速対応ＣＤ−ＲＷへ適用し比較検討したことで初め
て、ＧｅＳｂＴｅ系記録層の特異的な効果が明らかとな
ったのである。

【０２２４】（実施例６）前記基本例において、下記の
ようにディスクを製造し、記録を行なった。基板上に
（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂ ）₂₀からなる下部保護層を１０
５ｎｍ、Ｉｎ ₈ Ｇｅ₅ Ｓｂ₆₆Ｔｅ₂₁からなる記録層を１
９ｎｍ、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂ ）₂₀からなる上部保護
層を４５ｎｍとしてこの順に設け、その上に反射層をＡ
ｌ_99.5Ｔａ_0.5 （１０ｎｍ）／Ａｇ（２００ｎｍ）とい
う順で２層とした以外は実施例１と同様にディスクを作
製した。この際ＡｌＴａ反射層まで成膜した後、一旦大
気開放して数時間放置して、表面を自然酸化させて界面
酸化層を設けてからＡｇ層をスパッタした。界面の酸化
層はＡｌとＡｇの相互拡散を防ぐためである。最後にこ
の２層反射膜上に紫外線硬化樹脂層約４μｍを設けた。
２層構成全体としての面積抵抗率は０．２３Ω／□であ
った。

【０２２５】テスター１を用い実施例２と同様に評価を
行った結果を図１４に示す。実施例２と同様の良好なオ
ーバーライト特性が得られた。８倍速ではＰｗ／Ｐｅ＝
１６ｍＷ／８ｍＷで３Ｔ／１１Ｔオーバーライト消去比
は３１ｄＢであった。また、Ｒ_top ＝１７％，ｍ₁₁＝
０．７１であった。４倍速ではＰｗ／Ｐｅ＝１５ｍＷ／
７．５ｍＷでＲ_top ＝１７％，ｍ₁₁＝０．６５であっ
た。

【０２２６】（実施例７）前記基本例において、下記の
ようにディスクを製造し、記録を行なった。同様の基板
上に、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂ ）₂₀からなる下部保護層
を１００ｎｍ、Ｉｎ₅ Ｇｅ₅ Ｓｂ₆₇Ｔｅ₂₃からなる記録
層を２１ｎｍ、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂ ）₂₀からなる上
部保護層を４０ｎｍ、Ａｌ_99.5Ｔａ_0.5 からなる反射層
を２５０ｎｍ、紫外線硬化樹脂層を約４μｍとしてこの
順に設けた。このＡｌ_99.5Ｔａ_0.5 反射層の体積抵抗率
ρ_v は１００ｎΩ・ｍ、面積抵抗率ρ_s は０．４Ω／□
であった。ＮＡ＝０．５５のテスター１を用い、１、
２、４、６、８及び１０倍速で、ＥＦＭ変調信号のオー
バーライトを試みた。記録パルスストラテジーは実施例
２と同様にｍ＝ｎ−１とし、Ｔは線速に反比例して変化
させて記録密度は一定とし、α₁ Ｔ及びα_i Ｔ（２≦ｉ
≦ｍ）、α_i＋β_i-1（２≦ｉ≦ｍ）はそれぞれ線速によ
らず一定となるようにし、β_m Ｔのみを線速に応じて可
変とする方式を用いた。すなわち、α₁ Ｔ＝２３．１
ｎ、α_i Ｔ＝１３．９ｎｓ（２≦ｉ≦ｍ）とした。オー
バーライト特性は１０回オーバーライト後の３Ｔジッ
タ、マーク長、変調度を計測して評価した。各線速にお
ける記録パルスストラテジーを表−５にまとめた。線速
は１倍速を１．２ｍ／ｓとして、その何倍速であるかで
表現した。１倍速１．２ｍ／ｓにおけるＴ＝２３１ｎｓ
ｅｃである。

【０２２７】

【表５】

【０２２８】なお、いずれの場合も上記Ｐｗにおいて、
反射率Ｒ_top１７％、変調度ｍ₁₁６５〜７０％、アシン
メトリー±１０％以内が得られた。また、１０倍速にお
いて、α_i（ｉ＝２〜ｍ）を０．５とした場合には、３
Ｔジッタは２５ｎｓｅｃであり、α_i（ｉ＝２〜ｍ）が
０．６の場合とほとんど同じオーバーライト特性が得ら
れた。表−５より、記録パルス幅そのものは固定して、
線速に応じてクロック周期を変化させ、かつ、最後端の
オフパルス区間β_mを低線速ほど大きくなるようなパル
ス分割方法を用いることによって、比較的単純な記録パ
ルス発生回路で広い線速範囲に対応できることが分か
る。

【０２２９】（実施例８）前記基本例において、下記の
ようにディスクを製造し、記録を行なった。基板上に、
（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂ ）₂₀からなる下部保護層を９７
ｎｍ、Ｉｎ ₈ Ｇｅ₅ Ｓｂ₆₆Ｔｅ₂₁からなる記録層を１９
ｎｍ、（ＺｎＳ）₈₅（ＳｉＯ₂ ）₁₅からなる上部保護層
を４０ｎｍ、Ａｌ_99.5Ｔａ_0.5 からなる反射層を２５０
ｎｍ、紫外線硬化樹脂層を約４μｍとしてこの順に設け
た。このＡｌ_99.5Ｔａ_0.5 反射層の体積抵抗率ρ_v は１
００ｎΩ・ｍ、面積抵抗率ρ_s は０．４Ω／□であっ
た。ＮＡ＝０．５５のテスター１及びＮＡ＝０．５のテ
スター２を用いてオーバーライト特性を評価した。２、
４、６、８及び１０倍速において、Ｐｗ＝９〜２０ｍＷ
まで１ｍＷおきに、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．５で一定として、
Ｐｗを変化させて３Ｔマーク間ジッタを測定した。いず
れの線速でも３Ｔ／１１Ｔオーバーライト消去比はＰｗ
＝１５−２０ｍＷで２５ｄＢ以上であった。パルススト
ラテジーは図１のストラテジーに固定しており、データ
の基準クロック周期のみ線速に反比例して変化させて３
Ｔジッタを測定した。結果を図１３と同様の等高線図に
して図１７に示す。図１７（ａ）はＮＡ＝０．５の場
合、（ｂ）はＮＡ＝０．５５の場合である。いずれの場
合も４倍速から１０倍速にかけて、ジッタ１７．５ｎｓ
未満の領域が得られている。また、ＮＡが大きい場合の
方が、より広い線速マージンが得られている。

【０２３０】（実施例９）上記基本例において、下記の
ようにディスクを製造し、記録を行なった。同様の基板
上に、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ）₂₀からなる下部保護層を
１００ｎｍ、Ｇａ₅ Ｇｅ₅ Ｓｂ₆₈Ｔｅ₂₂からなる記録層
を２０ｎｍ、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ）₂₀からなる上部保
護層を４０ｎｍ、Ａｌ_99.5Ｔａ_0.5 からなる反射層を２
５０ｎｍ、紫外線硬化樹脂層を約４μｍとしてこの順に
設けて書換え型コンパクトディスクを作製した。このＡ
ｌ_99.5Ｔａ_0.5 反射層の体積抵抗率ρｖは１００ｎΩ・
ｍ、面積抵抗率ρｓは０．４Ω／□であった。ＮＡ＝
０．５５のテスター１を用いてオーバーライト消去比を
測定したところ、８倍速及び１０倍速において、３Ｔ／
１１Ｔのオーバーライト消去比２５ｄＢ以上が得られ
た。さらに、実施例８と同様のジッタの線速及び記録パ
ワー依存性を測定を行った結果を図１８に示す。用いた
記録パスストラテジーはｍ＝ｎ−１、α₁ ＝１、α _i ＝
０．５、β_m ＝０．５、α_i ＋β_i-1 ＝１（２≦ｉ≦ｍ
なるｉに対して一定）、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．５で一定であ
る。

【０２３１】４倍速（４．８ｍ／ｓ）から１０倍速（１
２ｍ／ｓ）において、良好なジッタが得られた。ジッタ
が最小となる記録パワーで変調度０．６〜０．８、Ｒ
_top 約１７％、アシンメトリー±１０％以内が得られ
た。該記録済み媒体を８０℃／８５％ＲＨの加速試験環
境に５００時間放置後、再生を行ったところ、上記記録
信号の変調度、Ｒ_top 、ジッタ、アシンメトリーはほと
んど変化していなかった。特に変調度は加速試験前の値
の９０％以上の値を確保していた。

【０２３２】（実施例１０）上記基本例において、下記
のようにディスクを製造し、記録を行なった。同様の基
板上に（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂ ）₂₀からなる下部保護層
を９５ｎｍ、Ｉｎ₃ Ｇｅ₅ Ｓｂ₇₁Ｔｅ₂₁からなる記録層
を１６ｎｍ、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀からなる上部
保護層を３８ｎｍ、Ａｌ合金（Ｍｇ１．０１ａｔ．％、
Ｓｉ０．８５ａｔ％、Ｍｎ０．３３ａｔ％、Ｔｉ０．０
０２ａｔ％、その他の不可避的不純物を最大０．１ａｔ
％含む。重量比としては、Ｍｇ０．９１重量％、Ｓｉ
０．８８重量％、Ｍｎ０．６７重量％、Ｔｉ０．０１４
重量％）からなる反射層を２５０ｎｍ、紫外線硬化樹脂
層を約４μｍとしてこの順に設けて書換え型コンパクト
ディスクを作製した。このＡｌ合金反射層の体積抵抗率
ρｖは９０ｎΩ・ｍ、面積抵抗率ρｓは０．３６Ω／□
であった。ＮＡ＝０．５５のテスター１を用いてオーバ
ーライト消去比を測定したところ、８、１０倍速及び１
２倍速において、３Ｔ／１１Ｔのオーバーライト消去比
２５ｄＢ以上が得られた。さらに、実施例８と同様のジ
ッタの線速及び記録パワー依存性を測定を行った結果を
図１９に示す。用いた記録パルスストラテジーはｍ＝ｎ
−１、α₁ ＝１、α_i ＝０．５、β_m ＝０．５、α_i ＋
β_i-1 ＝１（２≦ｉ≦ｍなるｉに対して一定）、Ｐｅ／
Ｐｗ＝０．５で一定である。６倍速（４．８ｍ／ｓ）か
ら１２倍速（１４．４ｍ／ｓ）において、良好なジッタ
が得られた。ジッタが最小となる記録パワーで変調度
０．６〜０．８、Ｒ_{to p} 約１７％、アシンメトリー±１
０％以内が得られた。

【０２３３】（実施例１１）上記基本例において、下記
のようにディスクを製造し、記録を行なった。同様の基
板上に（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂ ）₂₀からなる下部保護層
を９７ｎｍ、Ｉｎ₃ Ｇｅ₅ Ｓｂ₇₂Ｔｅ₂₀からなる記録層
を１５ｎｍ、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀からなる上部
保護層を３８ｎｍ、Ａｌ_99.5Ｔａ_0.5 からなる反射層を
２５０ｎｍ、紫外線硬化樹脂層を約４μｍとしてこの順
に設け、書換え型コンパクトディスクを作製した。この
Ａｌ_99.5Ｔａ_0.5 反射層の体積抵抗率ρｖは１００ｎΩ
・ｍ、面積抵抗率ρｓは０．４Ω／□であった。長軸約
１００μｍ（半径方向）、短軸約１．３μｍ（円周方
向）に集束した波長約８３０ｎｍのレーザー光を記録層
に照射し、初期結晶化を行った。該集束光ビームがディ
スクに対して２．５ｍ／ｓで走査されるようディスクを
回転させ、かつ、ディスク一回転につき約５０μｍを半
径方向に移動させながら、７００〜９００ｍＷのパワー
を連続的に照射した。同一個所に２回繰り返し照射した
ことになる。該初期結晶化操作により、未記録状態の反
射率は、後述のオーバーライト記録時の消去状態の反射
率とほとんど同じになった。本実施例の以下の評価は、
ＮＡ＝０．５の光学系を有するテスター２を用いて評価
を行った。

【０２３４】クロック周期はＣＤ線速の１倍速で２３１
ナノ秒とし、線速に反比例して変化させた。再生条件は
１．２ｍ／ｓで一定として、ジッタ等の直接比較ができ
るようにした。まず、未記録領域に３Ｔパターンを９回
オーバーライト記録後、１０回目に１１Ｔパターンをオ
ーバーライトして消去比を測定した。Ｐｅ／Ｐｗ＝０．
５で一定として、Ｐｗを変化させてオーバーライト消去
比のＰｗ依存性を評価した。結果を図２０に示す。再生
は１倍速にて行なった。図２０に示すように、特に１２
倍速までオーバーライト消去比２５ｄＢ以上を確保した
ことで、１２倍速までの使用も可能となるが、１０倍速
までの使用に対して、特に１０倍速における消去パワー
マージンが広がった。

【０２３５】図２０から、Ｐｗとして１４−１８ｍＷ、
Ｐｅ／Ｐｗ＝０．５とすればオーバーライト消去比２５
ｄＢ以上が得られることがわかったので、次に、Ｐｗ＝
１５ｍＷ、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．５を暫定的な記録及び消去
パワーとして、記録パルスストラテジーの検討を以下の
ように行った。各線速における、最適な記録パルス分割
方法をｍ＝ｎ−１、α₁ ＝１、α_i ＋β_i-1 ＝１（２≦
ｉ≦ｍ）で固定し、α_i （２≦ｉ≦ｍで一定）、β_m を
可変として、３Ｔマークもしくはマーク間（スペース）
ジッタの悪いほうの値（３Ｔジッタ）がほぼ最小とな
り、変調度が０．６以上、アシンメトリーが±１０％以
内に入るような分割方法を見い出した。図２１に４倍
速、１０倍速における３Ｔジッタのα_i 及びβ_m 依存性
の等高線図を示す。測定点はやはり格子点上の条件であ
り、マイクロソフト社製エクセルにより、自動的に補間
を行っている。また、測定はＥＦＭランダムパターンを
１０回オーバーライト後に行っており、消去性能も加味
した結果である。再生は１倍速で行なった。１０倍速に
おいては、α_i ＝０．５近傍、β_m ＝０．３〜０．６で
ジッタの最小値が得られている。また、４倍速において
は、α_i ＝０．３〜０．３５、β_m＝０．５〜０．６で
ジッタの最小値が得られている。

【０２３６】次に、ここまでＰｅ／Ｐｗ＝０．５とした
のに代えて、記録パルスストラテジーを４倍速ではα₁
＝１、α_i ＝０．３、β_m ＝０．５、１０倍速ではα₁
＝１、α_i ＝０．５、β_m ＝０．３で一定とし、Ｐｅ／
Ｐｗ及びＰｗを変化させた場合の、３Ｔジッタの変化を
調べた。図２２に結果を示す。Ｐｅ／Ｐｗ比は４倍速、
１０倍速ともに０．５より小さくするのがよく、Ｐｅ／
Ｐｗ＝０．４〜０．５の範囲が広いＰｗマージンが得ら
れて好ましいことがわかる。なお、この図には示されて
いないが、Ｐｅ／Ｐｗが０．６より大きいと全体にジッ
タが高く、特に高Ｐｗ側での特性が急激に劣化する。４
倍速及び１０倍速ともに広く記録パワーマージンが得ら
れるように、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．４３を選択した。

【０２３７】また、記録パワーはいずれの倍速でも１７
ｍＷを選択した。この条件で、４、８及び１０倍速にお
けるα_i 、β_m 依存性を再度測定した結果を図２３に示
す。再生は１倍速にて行なった。４及び１０倍速におけ
る最適なα_i 、β_m の範囲はほとんど図２１と同じで、
特に１０倍速においてジッタが低下し、α_i の変化に対
してより広いマージンが得られた。８倍速では、α_i ＝
０．４〜０．５、β_m ＝０．２〜０．５でジッタの最小
値が得られている。６倍速でも同様の結果が得られてお
り、この実施例での媒体は、α₁ ＝１で一定したとき
に、各倍速で、α_i 、β_m を０．５を基準として±０．
２５の範囲で最適化して、各倍速で最適な記録パルスス
トラテジーを得られることがわかった。また、α₁ 一定
として、低線速ほどα_i を小さくするようなパルススト
ラテジーを用いることが好ましく、β_m は０．３程度で
一定とするか、低線速ほど大きくすることが好ましいこ
とがわかる。

【０２３８】そこで、４倍速でα₁ ＝１、α_i ＝０．２
５、β_m ＝０．５、８倍速でα₁ ＝１、α_i ＝０．４
（２≦ｉ≦ｍ）、β_m ＝０．３、１０倍速でα₁ ＝１、
α_i ＝０．５、β_m ＝０．３とし、すべての線速でＰｗ
＝１７ｍＷ、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．４３としてＥＦＭランダ
ムパターンのオーバーライト特性を評価したところ、い
ずれの倍速でも３Ｔジッタ３５ナノ秒以下、Ｒ_top ＝１
６〜１８％、変調度ｍ₁₁＝０．７程度、アシンメトリー
０〜−１０％の値が得られた。この信号品質は、既存の
ＣＤ−ＲＷ対応の再生システムで低エラーレートで再生
可能なレベルであった。このような記録パルスストラテ
ジーは、現行の規格をもとに設計された記録パルス発生
回路で容易に実現できることが確認されており、既存の
技術をもとに、ＣＬＶ方式で４、６、８及び１０倍速記
録を行うのに適している。

【０２３９】一方、１０倍速でα₁ ＝１、すなわち、α
₁ Ｔ＝２３．１ｎｓとし、この時間長が各倍速で一定と
なるようにα₁ を変化させる場合、４倍速ではα₁ ＝
０．４、８倍速ではα₁ ＝０．８となる。このように、
１０倍速でα₁ ＝１、８倍速でα₁ ＝０．８、４倍速で
α₁ ＝０．４として、３Ｔジッタのα_i （２≦ｉ≦ｍ）
及びβ_m 依存性を示したのが図２４である。再生は１倍
速にて行なった。ここで、４倍速、８倍速、１０倍速と
もに、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．４３、Ｐｗ＝１７ｍＷとした。
なお、１０倍速については、図２１の場合と同じ条件で
ある。すなわち、１０倍速では、α_i ＝０．４５〜０．
５５、β_m ＝０．３程度でジッタ最小となるのは図２１
と同じである。ここで、８倍速ではα_i ＝０．３５〜
０．４５、β _m ＝０．３〜０．５、４倍速ではα_i ＝
０．２以上（測定は０．３まで）、β_m＝約０．３以上
（測定は０．６５まで）ジッタの最小値が得られた。

【０２４０】４倍速、８倍速、１０倍速において、α₁
Ｔ＝２３．１ナノ秒、α_i Ｔ＝１１．６ナノ秒（２≦ｉ
≦ｍ）で一定としたまま、β_m ＝０．３で一定とする
か、４倍速でβ_m ＝０．５、８倍速でβ_m ＝０．３５、
１０倍速でβ_m ＝０．３のように低線速ほどβ_m を大き
くすれば、４〜１０倍速の範囲で良好なオーバーライト
が可能となる。すなわち、本実施例での媒体は、従来記
録パルスストラテジーを基本としたＣＬＶ方式及び、本
発明で新規に提案したＣＡＶ方式での記録パルスストラ
テジーのいずれにも対応できる幅広い応用が可能であ
る。以下では、図２４の結果をもとに、α₁ Ｔ＝２３．
１ｎｓ、α_i Ｔ＝１１．６ｎｓで一定とするＣＡＶ方式
に適した記録パルスストラテジーに注目する。さらに、
半径２３ｍｍの位置がちょうど４倍速となるように、デ
ィスクを約２０００ｒｐｍでＣＡＶモードで回転させ
た。記録領域最外周は半径約５８ｍｍで、半径５８ｍｍ
における線速は約１０倍速である。

【０２４１】各半径における線速度およびデータのクロ
ック周期を表−６のように変化させて、ＣＡＶモードで
のＣＤ互換信号の記録を行った。ｍ＝ｎ−１、Ｐｗ＝１
７ｍＷ、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．４３、α₁ Ｔ＝２３．１ナノ
秒、α_i Ｔ＝１１．６ナノ秒（２≦ｉ≦ｍなるすべての
ｉにおいて一定）は、すべての半径において一定とし
た。β_m のみを線速に応じて変化させた。すなわち、最
外周部で１０倍速となるときに、０．３とし、最内周部
で４倍速となるときに、０．５とし、中間の半径（線
速）では、この中間の値を直線的に補間して用いた。各
半径で用いた記録パルスストラテジーをデータのクロッ
ク周期Ｔに対する割合で示した値、すなわち、α₁ 、α
_i 、β_m も同様に表−６に示した。さらに、同表に記録
済みのＥＦＭランダム信号の１倍速再生における３Ｔス
ペースジッタ、変調度、アシンメトリーを示した。反射
率Ｒ_top はいずれの場合も１８％程度で一定であった。
各マークのマーク長及びマーク間長のデビエーションも
±４０ナノ秒未満で良好であった。この他のプッシュプ
ル信号や、ウォブル信号は基板の溝形状で決まってお
り、やはり既存のＣＤ−ＲＷと同等の値が得られた。

【０２４２】

【表６】

【０２４３】表−６からわかるように、極めて簡単な記
録パルスストラテジーで、広い線速範囲をカバーできて
おり、最内周を約４倍速とするＣＡＶ方式での記録が実
現できることがわかる。これにより、半径の異なるアド
レスにアクセスした場合に、回転数を変化させることな
く、また、記録パルスストラテジーでは、クロック周期
とβ_m のみ調整するだけで、記録パワー等は一定にした
まま、記録を行うことができ、アクセス性能が大幅に改
善できる。なお、β_m ＝０．３で一定としても、４〜６
倍速でのジッタが高々２〜３ナノ秒悪化するのみであ
り、β_m 一定でもＣＡＶ方式での記録は可能である。本
実施例の媒体に、４倍速及び１０倍速で上記ＣＡＶに適
した記録方式で、ＥＦＭランダムパターンを記録後、８
０℃／８５％ＲＨ（相対湿度）の環境下に５００時間放
置後、再度記録済み信号の測定を行ったところ、ジッ
タ、デビエーション、Ｒ_top 及び変調度はほとんど変化
していなかった。変調度は初期の９０％以上の値を十分
維持していた。ジッタはほとんど全く変化していなかっ
た。

【０２４４】さらに、４倍速及び１０倍速において、テ
スター２を用い、それぞれの線速で表−５に示された記
録パルスストラテジーを用い、Ｐｗ＝１８ｍＷ、Ｐｅ／
Ｐｗ＝０．５、Ｐｂ＝０．８ｍＷとして、繰り返しオー
バーライトを行ったところ、１０００回後にも、１倍速
再生時の３Ｔスペースジッタは３５ナノ秒未満であり、
良好な繰り返しオーバーライト耐久性を示した。

【０２４５】上記と同じ組成、層構成で同等のオーバー
ライト特性を有するディスクを数枚用意し、それぞれ異
なる初期化条件での検討を行った。長軸約１００μｍ
（半径方向）、短軸約１．３μｍ（円周方向）に集束し
た波長約８３０ｎｍのレーザー光を記録層に基板側から
照射し、初期結晶化を行う際の、ディスクに対する該集
束光ビームの走査速度を２、２．５、３、７、１０ｍ／
ｓと変化させて、それぞれのディスクに初期化を行っ
た。ディスク一回転で約５０μｍずつ半径方向にビーム
を移動させた。初期化レーザーパワーは５００〜１５０
０ｍＷの範囲で、それぞれの走査速度において、溶融再
結晶化が行われ、前記式（Ｆ１）における値が１０％以
下となるように選んだ。ただし、走査速度１０ｍ／ｓで
初期化したディスクでは、初期化部分の反射率Ｒ２が大
きく低下し、記録層が一部溶融後非晶質化していると考
えられた。

【０２４６】その他のディスクで表−６の半径５６．３
ｍｍにおける１０倍速記録条件で、テスター２でＥＦＭ
ランダムパターンの初回記録、１回オーバーライト、１
０回オーバーライトを行った。２〜７ｍ／ｓの範囲のい
ずれの走査速度でも、初回記録、及び１０回オーバーラ
イト後の３Ｔスペースジッタは、それぞれ、１８〜２２
ｎｓｅｃ、２０−２５ｎｓｅｃで、初期化ビームの走査
速度依存性はほとんどなかった。

【０２４７】しかし、１回目オーバーライト記録後の３
Ｔスペースジッタは、２ｍ／ｓで４５ｎｓｅｃ、２．５
ｍ／ｓで３３ｎｓｅｃ、３ｍ／ｓで２８ｎｓｅｃ、７ｍ
／ｓで２３ｎｓｅｃとなった。１回目オーバーライト後
のジッタ上昇は、初期化状態と消去状態の結晶形、結晶
サイズ、あるいは結晶の配向方位の差によるものと考え
られ、１０回オーバーライト後は、ほとんどすべて消去
状態となるため、ジッタが低下すると考えられた。この
観点から、初期化条件は概ね２．５〜７ｍ／ｓの範囲に
あることが望ましいことがわかった。

【０２４８】（実施例１２）実施例１１の媒体に、α₁
Ｔ＝２３．１ナノ秒、α₁Ｔ＝１１．６ナノ秒（２≦ｉ
≦ｍ−１）を表−６の場合と同じに保ったまま、１倍速
（１．２ｍ／ｓ、Ｔ＝２３１ナノ秒）、２倍速（２．４
ｍ／ｓ、Ｔ＝１１６ナノ秒）におけるオーバーライトを
試みた。Ｐｗ＝１７ｍＷ、Ｐｅ＝０．４３はいずれの場
合も表−６と同じとした。さらに、α₁＝１を固定して
α₁及びβ_mを各線速度で最適化した場合も検討した。こ
の場合は、記録半径位置は約４０ｍｍでディスクの回転
数を調整して、該半径位置において１倍速及び２倍速と
なるように調整した。表−７に表−６と同様に１倍速で
再生した場合の３Ｔスペースジッタ、β_m、変調度、ア
シンメトリー値をまとめた。いずれの方式でもβ_mを各
線速度で調整すれば、良好なオーバーライトが可能であ
った。

【０２４９】

【表７】

【０２５０】さらに、同じ実施例１１の媒体に、１２倍
速（１４．４ｍ／ｓ、Ｔ＝１９．３ナノ秒）でテスター
２を用いて、オーバーライト記録を行った。ｍ＝ｎ−
１、α ₁＝０．５、β_m＝０．３、α_i＋β_i-1＝１（２≦
ｉ≦ｍ）、Ｐｗ＝１８ｍＷ、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．４という
記録パルスストラテジーを用いて１０回オーバーライト
を行ったのち１倍速にて再生を行った。３Ｔスペースジ
ッタ２９．３ナノ秒、１１Ｔスペースジッタ３１．８ナ
ノ秒、変調度０．６１、アシンメトリー−０．０９３で
良好なオーバーライトが可能であった。

【０２５１】（比較例６）上記基本例において、下記の
ようにディスクを製造し、記録を行なった。基板上に、
（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀からなる下部保護層を９７
ｎｍ、Ｉｎ₅Ｇｅ₅Ｓｂ₇₀Ｔｅ₂₀からなる記録層を２０ｎ
ｍ、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀からなる上部保護層を
４０ｎｍ、Ａｌ_97.5Ｔａ_2.5からなる反射層２５０ｎ
ｍ、紫外線硬化樹脂層約４μｍとして、この順に設けて
書き換え型コンパクトディスクを作製した。反射層の体
積抵抗率は２７０ｎΩ・ｍ、面積抵抗率は１．１Ω／□
であった。テスター１を用い、実施例２と同様にしてオ
ーバーライト特性の評価を行なった。結果を図３３に示
す。図３３より、上記のコンパクトディスクにおいて
は、ジッターが１７ｎｓｅｃ以下の領域が極めて狭く、
４倍速から８倍速までの広い領域をカバーできていない
ことが分かる。

【０２５２】

【発明の効果】本発明によれば、少なくとも４倍速にお
いて従来のＣＤ−ＲＷ規格と互換性を維持しつつ、８倍
速以上の高速記録が可能となる。ひいては、ＣＤ−ＲＷ
の記録速度及び転送レートを高めることができ、音楽・
映像などの大量データ記録やコンピュータの外部記憶装
置用としてＣＤ−ＲＷの用途を大きく広げることができ
る。また、本発明によれば、従来ＣＬＶモードでのみ記
録が行われてきたＣＤ−ＲＷをＣＡＶモードで記録可能
とすることができ、ドライブの消費電力を大幅に低減す
るとともにＣＤ−ＲＷ媒体のアクセス、シーク速度が大
きく改善される。さらに、ランダムパケット記録が効率
的に行えるためコンピュータの外部記憶装置用媒体とし
ての性能が大幅に増す。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のパルス分割方法の一例の説明図

【図２】ＥＦＭ変調信号の再生波形（アイパターン）の
模式図

【図３】非晶質形成及び再結晶化過程と、反射層の放熱
効果及び記録時線速度の関係の説明図

【図４】パルス分割方法の説明図

【図５】本発明の記録方法によるパルス発生方法の一例
の説明図

【図６】本発明に係る記録方法を実現する記録装置の構
成の一例を示す概念図

【図７】本発明において基準データクロックを発生し記
録を行う流れの一例を示す図

【図８】本発明において基準データクロックを発生し記
録を行う流れの他の一例を示す図

【図９】本発明において基準データクロックを発生し記
録を行う流れの他の一例を示す図

【図１０】実施例１におけるオーバーライト特性を示す
グラフ

【図１１】実施例１におけるオーバーライト耐久性を示
すグラフ

【図１２】実施例１におけるオーバーライト特性を示す
グラフ

【図１３】実施例３におけるオーバーライト特性を示す
グラフ

【図１４】実施例６におけるオーバーライト特性を示す
グラフ

【図１５】本発明の記録方法を達成するための一例を示
すフロー図

【図１６】本発明の記録再生装置の一例を示す概念図

【図１７】実施例８におけるオーバーライト特性を示す
グラフ

【図１８】実施例９におけるオーバーライト特性を示す
グラフ

【図１９】実施例１０におけるオーバーライト特性を示
すグラフ

【図２０】実施例１１におけるオーバーライト消去比の
Ｐｗ依存性を示すグラフ

【図２１】実施例１１におけるオーバーライト特性を示
すグラフ

【図２２】実施例１１における他のオーバーライト特性
を示すグラフ

【図２３】実施例１１におけるさらに他のオーバーライ
ト特性を示す図

【図２４】実施例１１におけるさらに他のオーバーライ
ト特性を示す図

【図２５】ＡＴＩＰアドレスに沿ったデータ配置の模式
図

【図２６】媒体の案内溝の蛇行の様子又はピット列ｎ蛇
行の様子を示す模式図

【図２７】本発明の媒体のデータの配置の一例を示す模
式図

【図２８】ＣＤ−ＲＯＭフォーマットにおけるブロック
の構造を示す模式図

【図２９】ＣＤ−ＲＯＭにおけるパケットの構造を示す
模式図

【図３０】Ｐ−ＲＯＭを用いた際の、ＣＤ−ＲＷドライ
ブとホストコンピュータとを示した模式図

【図３１】Ｐ−ＲＯＭを用いたＣＡＶ方式による記録再
生の手順を示すフローチャート

【図３２】Ｉｎ₃Ｇｅ₅Ｓｂ₇₀Ｔｅ₂₂薄膜の透過電子顕微
鏡による電子線回折像

【図３３】比較例６におけるオーバーライト特性を示す
グラフ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３５ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３８Ｆ ５３８ ５６１Ｑ ５６１ ５６５Ｆ ５６５ Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｘ (72)発明者 久保 正枝 神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地 三菱化学株式会社横浜総合研究所内 (72)発明者 堀江 通和 神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地 三菱化学株式会社横浜総合研究所内 Ｆターム(参考） 2H111 EA04 EA12 EA23 FA01 FA12 FA14 FA23 FB05 FB06 FB07 FB09 FB10 FB12 FB16 FB17 FB19 FB21 FB22 FB23 FB25 FB29 FB30 5D029 JA01 JB35 LB07 MA14 WA02 WA31 WD08 5D090 AA01 BB05 CC05 DD03 EE05 FF21 GG03 KK05

Claims (48)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ウォブル溝が形成された基板と相変化型
   記録層とを有してなり、該相変化記録層の結晶状態の部
   分を未記録・消去状態に対応させ、該相変化記録層の非
   晶質状態の部分を記録状態に対応させて、記録光を照射
   することにより該記録状態に対応する非晶質マークを形
   成させる書き換え型光記録媒体において、 線速１．２ｍ／ｓを基準速度（１倍速）Ｖ₁としたと
   き、基準速度の８倍速Ｖにおいて、データ基準クロック
   周期ＴがＶＴ＝Ｖ₁Ｔ₁（ただし、Ｔ₁は２３１ｎｓであ
   る）であるように保ちながらＥＦＭ変調された信号を下
   記記録方式１の条件内の１つの方式で１０回オーバーラ
   イト記録した後に、１倍速での再生によって得られる記
   録信号のアイパターンの変調度ｍ₁₁が６０〜８０％であ
   り、記録信号のアイパターンの反射率の上端値Ｒ_topが
   １５〜２５％であり、且つ各マーク長及び各マーク間の
   ジッタが３５ｎｓ以下となることを特徴とする光記録媒
   体。 記録方式１；波長７８０ｎｍの光を、開口数ＮＡが０．
   ５５又は０．５の光学系を介して照射する。この際、１
   つの非晶質マークの時間的長さをｎＴ（ｎは３から１１
   までの整数）としたとき、 記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パ
   ワーＰｅを照射し、 記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−
   ｊ）Ｔを、 α₁ Ｔ、β₁ Ｔ、α₂ Ｔ、β₂ Ｔ、・・・・α_m Ｔ、β
   _m Ｔ、 （ただし、ｍ＝ｎ−１、α₁ ＝１．０、α_i ＝０．５
   （ｉは２〜ｍの整数）、 β_m ＝０．２５〜０．７５、α_i ＋β_i-1 ＝１．０（ｉ
   は２〜ｍの整数）） の順に、Σ_i （α_i ＋β_i ）＝ｎ−ｊとなるように分割
   し（ｊは０〜２．０までの実数）、 α_i Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を
   溶融するに足る記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｗ
   は１４〜２５ｍＷであり、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．５とする）
   を照射し、 β_iＴなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、０．８ｍ
   ＷのバイアスパワーＰｂの記録光を照射する。
2. 【請求項２】 ウォブル溝が形成された基板と相変化型
   記録層とを有してなり、該相変化記録層の結晶状態の部
   分を未記録・消去状態に対応させ、該相変化記録層の非
   晶質状態の部分を記録状態に対応させて、記録光を照射
   することにより該記録状態に対応する非晶質マークを形
   成させる書き換え型光記録媒体において、 線速１．２ｍ／ｓを基準速度（１倍速）Ｖ₁としたと
   き、基準速度の１０倍速Ｖにおいて、データ基準クロッ
   ク周期ＴがＶＴ＝Ｖ₁Ｔ₁（ただし、Ｔ₁は２３１ｎｓで
   ある）であるように保ちながらＥＦＭ変調された信号を
   下記記録方式１′の条件内の１つの方式で１０回オーバ
   ーライト記録した後に、１倍速での再生によって得られ
   る記録信号のアイパターンの変調度ｍ₁₁が６０〜８０％
   であり、記録信号のアイパターンの反射率の上端値Ｒ
   _topが１５〜２５％であり、且つ各マーク長及び各マー
   ク間のジッタが３５ｎｓ以下となることを特徴とする光
   記録媒体。 記録方式１′ 波長７８０ｎｍの光を、開口数ＮＡが＝０．５５又は
   ０．５の光学系を介して照射する。この際、１つの非晶
   質マークの時間的長さをｎＴ（ｎは３から１１までの整
   数）としたとき、 記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パ
   ワーＰｅを照射し、 記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−
   ｊ）Ｔを、 α₁ Ｔ、β₁ Ｔ、α₂ Ｔ、β₂ Ｔ、・・・・α_m Ｔ、β
   _m Ｔ （ただし、ｍ＝ｎ−１、α₁ ＝１．０、α_i ＝０．５
   （ｉは２〜ｍの整数）、 β_m ＝０．２５〜０．７５、α_i ＋β_i-1 ＝１．０（ｉ
   は２〜ｍの整数）） の順に、Σ_i （α_i ＋β_i ）＝ｎ−ｊとなるように分割
   し（ｊは０〜２．０までの実数）、 α₁ Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を
   溶融するに足る記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｗ
   は１４〜２５ｍＷであり、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．５とする）
   を照射し、 β_iＴなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、０．８ｍ
   ＷのバイアスパワーＰｂの記録光を照射する。
3. 【請求項３】 線速１．２ｍ／ｓを基準速度（１倍速）
   Ｖ₁としたとき、基準速度の４倍速Ｖにおいて、データ
   基準クロック周期ＴがＶＴ＝Ｖ₁Ｔ₁（ただし、Ｔ₁は２
   ３１ｎｓである）であるように保ちながらＥＦＭ変調さ
   れた信号を下記記録方式２の条件内の１つの方式で１０
   回オーバーライト記録した後に、１倍速での再生によっ
   て得られる記録信号のアイパターンの変調度ｍ₁₁が６０
   〜８０％であり、記録信号のアイパターンの反射率の上
   端値Ｒ_topが１５〜２５％であり、且つ各マーク長及び
   各マーク間のジッタが３５ｎｓ以下となることを特徴と
   する請求項１又は２に記載の光記録媒体。 記録方式２ 波長７８０ｎｍの光を、開口数ＮＡが０．５５又は０．
   ５の光学系を介して照射する。この際、１つの非晶質マ
   ークの時間的長さをｎＴ（ｎは３から１１までの整数）
   としたとき、 記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パ
   ワーＰｅを照射し、 記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−
   ｊ）Ｔを、 α₁ Ｔ、β₁ Ｔ、α₂ Ｔ、β₂ Ｔ、・・・・、α_m Ｔ、
   β_m Ｔ （ただし、ｍ＝ｎ−１、α₁ ＝１．０、α_i ＝０．３〜
   ０．６（ｉは２〜ｍの整数）、β_m ＝０．２５〜０．７
   ５、α_i ＋β_i-1 ＝１．０（ｉは２〜ｍの整数））の順
   に、Σ_i （α_i ＋β_i ）＝ｎ−ｊとなるように分割し
   （ｊは０〜２．０までの実数）、 α₁ Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を
   溶融するに足る記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｗ
   は１４〜２５ｍＷであり、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．５とする）
   を照射し、 β_iＴなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、０．８ｍ
   ＷのバイアスパワーＰｂの記録光を照射する。
4. 【請求項４】 線速１．２ｍ／ｓを基準速度（１倍速）
   Ｖ₁としたとき、基準速度の４倍速Ｖにおいて、データ
   基準クロック周期ＴがＶＴ＝Ｖ₁Ｔ₁（ただし、Ｔ₁は２
   ３１ｎｓである）であるように保ちながらＥＦＭ変調さ
   れた信号を下記記録方式３の条件内の１つの方式で１０
   回オーバーライト記録した後に、１倍速での再生によっ
   て得られる記録信号のアイパターンの変調度ｍ₁₁が６０
   〜８０％であり、記録信号のアイパターンの反射率の上
   端値Ｒ_topが１５〜２５％であり、且つ各マーク長及び
   各マーク間のジッタが３５ｎｓ以下となることを特徴と
   する請求項１乃至３のいずれか１つに記載の光記録媒
   体。 記録方式３；波長７８０ｎｍの光を、開口数ＮＡが０．
   ５５又は０．５の光学系を介して照射する。この際、１
   つの非晶質マークの時間的長さをｎＴ（ｎは３から１１
   までの整数）としたとき、 記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パ
   ワーＰｅを照射し、 記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−
   ｊ）Ｔを、 α₁ Ｔ、β₁ Ｔ、α₂ Ｔ、β₂ Ｔ、・・・・、α_m Ｔ、
   β_m Ｔ （ただし、ｍ＝ｎ−１、α₁ ＝０．４、α_i ＝０．１５
   〜０．２５（ｉは２〜ｍの整数）、β_m ＝０．２５〜
   ０．７５、α_i ＋β_i-1 ＝１．０（ｉは２〜ｍの整
   数））の順に、Σ_i （α_i ＋β_i ）＝ｎ−ｊとなるよう
   に分割し（ｊは０〜２．０までの実数）、 α_i Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を
   溶融するに足る記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｗ
   は１４〜２５ｍＷであり、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．５とする）
   を照射し、 β_iＴなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、０．８ｍ
   ＷのバイアスパワーＰｂの記録光を照射する。
5. 【請求項５】 相変化型記録層が、ＳｂＴｅ共晶組成よ
   りも過剰のＳｂを含有する合金組成を有する請求項１乃
   至４のいずれか１つに記載の光記録媒体。
6. 【請求項６】 変調度ｍ₁₁が、温度８０℃、相対湿度８
   ５％の加速試験環境下で５００時間後もその初期値の９
   ０％以上を維持する請求項１乃至５のいずれか１つに記
   載の光記録媒体。
7. 【請求項７】 ウォブル溝が形成された基板と相変型記
   録層とを有してなり、該相変化記録層の結晶状態の部分
   を未記録・消去状態に対応させ、該相変化記録層の非晶
   質状態の部分を記録状態に対応させて、記録光を照射す
   ることにより該記録状態に対応する非晶質マークを形成
   させる書き換え型光記録媒体であって、線速１．２ｍ／
   ｓ〜１．４ｍ／ｓを基準速度（１倍速）Ｖ₁としたと
   き、基準速度の８〜１０倍速のいずれかの線速で記録さ
   れる書き換え型光記録媒体において、 基板上に、下部保護層、相変化型記録層、上部保護層及
   び反射層を設けてなり、該相変化型記録層が、Ｍ_z Ｇｅ
   _y （Ｓｂ_x Ｔｅ_1-x ）_1-y-z （ただし、０≦ｚ≦０．
   １、０＜ｙ≦０．１、０．７２≦ｘ≦０．８であり、Ｍ
   はＩｎ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｚｎ、
   Ａｕ、Ａｇ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｃ
   ｏ、Ｂｉ、Ｏ、Ｎ、Ｓ及び希土類金属元素からなる群か
   ら選ばれる少なくとも一種の元素を表す）で表される組
   成から選択されたものであることを特徴とする書換え型
   光記録媒体。
8. 【請求項８】 結晶状態における結晶相が、面心立方晶
   構造を有する単一もしくは複数の結晶相からなる請求項
   ７に記載の書き換え型光記録媒体。
9. 【請求項９】 ８倍速での記録において、３Ｔマーク
   （時間的長さ３Ｔを有するマーク。ただしＴは基準クロ
   ック周波数）と３Ｔスペース（時間的長さ３Ｔを有する
   マーク間部）からなる単一周期信号を記録後、１１Ｔマ
   ーク（時間的長さ３Ｔを有するマーク）と１１Ｔスペー
   ス（時間的長さ３Ｔを有するマーク間部）からなる単一
   周期信号をオーバーライトしたときの３Ｔマークの消去
   比が２５ｄＢ以上である請求項１乃至８のいずれかに記
   載の書き換え型光記録媒体。
10. 【請求項１０】 １０倍速での記録において、３Ｔマー
    クと３Ｔスペースからなる単一周期信号を記録後、１１
    Ｔマークと１１Ｔスペースからなる単一周期信号をオー
    バーライトしたときの３Ｔマークの消去比が２５ｄＢ以
    上である請求項１乃至９のいずれかに記載の書き換え型
    光記録媒体。
11. 【請求項１１】 相変化型記録層の膜厚が１０〜３０ｎ
    ｍの範囲から選択される請求項７乃至１０のいずれか１
    つに記載の書き換え型光記録媒体。
12. 【請求項１２】 下部保護層の膜厚が５０〜１５０ｎｍ
    の範囲から選択される請求項７乃至１１のいずれか１つ
    に記載の書き換え型光記録媒体。
13. 【請求項１３】 上部保護層の厚さが３０〜６０ｎｍの
    範囲から選択される請求項７乃至１２のいずれか１つに
    記載の書き換え型光記録媒体。
14. 【請求項１４】 反射層の膜厚が４０〜３００ｎｍの範
    囲から選択される請求項７乃至１３のいずれか１つに記
    載の書き換え型光記録媒体。
15. 【請求項１５】 相変化型記録層が、Ａ¹ _aＡ² _bＧ_c（Ｓ
    ｂ_dＴｅ_1-d ）_{1-a-b- c} （ただし、０≦ａ≦０．１、０
    ＜ｂ＜０．１、０．０２＜ｃ≦０．２、０．７２≦ｄ≦
    ０．８であり、Ａ¹はＺｎ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔ
    ａ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｎ、Ｏ及び
    Ｓからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素を表
    す。また、Ａ²はＧａ及びＩｎからなる群から選ばれた
    少なくとも一種の元素を表す。）で表される組成から選
    択されたものである請求項７乃至１４のいずれか１つに
    記載の書換え型光記録媒体。
16. 【請求項１６】 反射層がＡｌ合金又はＡｇ合金から選
    択されたものである請求項１乃至１５のいずれか１つに
    記載の書き換え型記録媒体。
17. 【請求項１７】 ウォブル溝が、１倍速に換算したとき
    に搬送周波数約２２．０５ｋＨｚであってＡＴＩＰ情報
    により±１ｋＨｚで周波数変調されたウォブル信号を有
    し、該ＡＴＩＰ情報が記録線速に応じた最適記録パワー
    Ｐｗ₀ 、最適消去パワーＰｅ₀ 、最適バイアスパワーＰ
    ｂ₀ 及びパルス分割情報の少なくとも１つを含む請求項
    １乃至１６のいずれか１つに記載の書換え型光記録媒
    体。
18. 【請求項１８】 ウォブル溝が、１倍速に換算したとき
    に搬送周波数約２２．０５ｋＨｚであってＡＴＩＰ情報
    により±１ｋＨｚで周波数変調されたウォブル信号を有
    し、かつ、２２．０５ｋＨｚの２倍から８倍の繰返し周
    波数で溝に沿って配置されたクロックマークを有する請
    求項１乃至１７のいずれか１つに記載の書換え型光記録
    媒体。
19. 【請求項１９】 ウォブル溝が、線速一定のときに周波
    数が一定となるウォブル信号を有し、該ウォブルが位相
    変調されているか又は特定位置のウォブルが欠けている
    ことによってアドレス情報及び同期情報を有している請
    求項１乃至１８のいずれか１つに記載の書換え型光記録
    媒体。
20. 【請求項２０】 相変化型記録層を有する書換え型円盤
    状光記録媒体にＣＬＶ方式にてＥＦＭ変調された情報を
    複数のマーク長及びマーク間長により記録するにあた
    り、一つの記録マークの時間的長さをｎＴとしたとき
    （Ｔは基準クロック周期。ｎは３〜１１までの整数）、 記録マーク間に対しては、非晶質を結晶しうる消去パワ
    ーＰｅの記録光を照射し、 記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−
    ｊ）Ｔを、 α₁ Ｔ、β₁ Ｔ、α₂ Ｔ、β₂ Ｔ、・・・・、α_m Ｔ、
    β_m Ｔ、 （ただし、ｍ＝ｎ−１又はｍ＝ｎ−２）の順に、Σ
    _i （α_i ＋β_i ）＝ｎ−ｊ（ｊは０．０≦ｊ≦２．０な
    る実数）となるよう分割し、 α_i Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）なる時間内には記録層を溶融させ
    るにたるＰｗ＞Ｐｅなる記録パワーＰｗの記録光を照射
    し、β_i Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）なる時間内には０＜Ｐｂ≦
    ０．５ＰｅなるバイアスパワーＰｂの記録光を照射して
    オーバーライトを行い、 線速１．２ｍ／ｓ〜１．４ｍ／ｓを基準速度（１倍速）
    とし、２３１ｎｓをその際の基準クロック周期としたと
    き、 （１）４倍速においては、α₁ ＝０．３〜１．５、α_i
    ＝０．２〜０．７（２≦ｉ≦ｍ）、α_i ＋β_i-1 ＝１〜
    １．５（３≦ｉ≦ｍ）とし、 （２）１又は２倍速においては、α₁ ＝０．０５〜１．
    ０、α_i ＝０．０５〜０．５（２≦ｉ≦ｍ）、α_i ＋β
    _i-1 ＝１〜１．５（３≦ｉ≦ｍ）とし、 （３）６、８、１０及び１２倍速のいずれかの倍速にお
    いては、α₁ ＝０．３〜２、α_i ＝０．３〜１（２≦ｉ
    ≦ｍ）、α_i ＋β_i-1 ＝１〜１．５（３≦ｉ≦ｍ）とす
    ることを特徴とする書換え型光記録媒体への記録方法。
21. 【請求項２１】 使用するいずれの線速においても、 ｍを一定とし、 α₁ ＝約１、α_i ＝０．３〜０．６（ただしｉは２〜ｍ
    の整数）として、α_i＋β_i-1（但しｉは３〜ｍの整数）
    を一定の値とし、且つ低線速ほどα_i （ただしｉは２〜
    ｍの整数）を単調に減少させる請求項２０に記載の書き
    換え型光記録媒体への記録方法。
22. 【請求項２２】 使用するいずれの線速においても、 ｍを一定とし、且つα₁ Ｔ、α_i Ｔ（ただしｉは３〜ｍ
    の整数）、及びα_i＋β_i-1（但しｉは３〜ｍの整数）を
    一定の値とする請求項２０に記載の書き換え型光記録媒
    体への記録方法。
23. 【請求項２３】 使用するいずれの線速においてもｍを
    一定とし、且つ全てのｉ（ただしｉは２〜ｍの整数）に
    対してα_i＋β_i-1＝約１とする請求項２１又は２２に記
    載の書き換え型光記録媒体への記録方法。
24. 【請求項２４】 α_i／α₁＝０．３〜０．７（ただし、
    ｉは２〜ｍの整数）である請求項２３に記載の書き換え
    型光記録媒体への記録方法。
25. 【請求項２５】 使用するいずれの線速においてもβ_m
    ＝０〜１．５とし、かつ、β_m をいずれの線速において
    も一定とするか又は線速が低いほど大きくする請求項２
    ０乃至２４のいずれか１つに記載の書換え型光記録媒体
    への記録方法。
26. 【請求項２６】 使用するいずれの線速においても、α
    _i Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）及びβ_i Ｔ（１≦ｉ≦ｍ−１）を１
    ０ナノ秒以上とする請求項２０乃至２５のいずれかに記
    載の書換え型光記録媒体への記録方法。
27. 【請求項２７】 所定の記録領域を有する書換え型円盤
    状光記録媒体を角速度一定で回転させたＣＡＶ方式にて
    ＥＦＭ変調された情報を複数のマーク長により記録する
    に当たり、 線速１．２ｍ／ｓ〜１．４ｍ／ｓを基準速度（１倍速）
    として記録領域最外周での線速度が少なくとも１０倍速
    となるように該ディスクを回転させ、 一つの記録マークの時間的長さをｎＴとしたとき（Ｔは
    基準クロック周期であり、その半径位置における線速度
    Ｖとの積ＶＴが一定となるように半径位置に応じてＴは
    変化する。ｎは３〜１１までの整数）、 記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化しうる消去パ
    ワーＰｅの記録光を照射し、 記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−
    ｊ）Ｔを、 α₁ Ｔ、β₁ Ｔ、α₂ Ｔ、β₂ Ｔ、・・・・、α_m Ｔ、
    β_m Ｔ、 （ただし、ｍ＝ｎ−１ α₁ ＝０．７５〜１．２５、 α_i ＝０．２５〜０．７５ （２≦ｉ≦ｍ）、 α_i ＋β_i-1 ＝１〜１．５ （３≦ｉ≦ｍ））、 の順に、Σ_i （α_i ＋β_i ）＝ｎ−ｊ（ｊは０．０≦ｊ
    ≦２．０なる実数）となるよう分割し、 α_i Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）なる時間内には記録層を溶融させ
    るにたるＰｗ＞Ｐｅなる記録パワーＰｗの記録光を照射
    し、β_i Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）なる時間内には０＜Ｐｂ≦
    ０．５ＰｅなるバイアスパワーＰｂの記録光を照射して
    オーバーライトを行い、 いずれの半径位置においてもα₁ 及びα_i ＋β_i-1 （ｉ
    ＝３〜ｍ）を一定とし、内周ほどα_i （ｉ＝３〜ｍ）を
    減少させる光記録媒体への記録方法。
28. 【請求項２８】 所定の記録領域を有する書換え型円盤
    状光記録媒体を角速度一定で回転させたＣＡＶ方式にて
    ＥＦＭ変調された情報を複数のマーク長により記録する
    に当たり、 線速１．２ｍ／ｓ〜１．４ｍ／ｓを基準速度（１倍速）
    として記録領域最外周での線速度が少なくとも１０倍速
    となるように該ディスクを回転させ、 一つの記録マークの時間的長さをｎＴとしたとき（Ｔは
    基準クロック周期であり、その半径位置における線速度
    Ｖとの積ＶＴが一定となるように、半径位置に応じてＴ
    は変化する。ｎは３〜１１までの整数）、 記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化しうる消去パ
    ワーＰｅの記録光を照射し、 記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−
    ｊ）Ｔを、 α₁ Ｔ、β₁ Ｔ、α₂ Ｔ、β₂ Ｔ、・・・・、α_m Ｔ、
    β_m Ｔ、 （ただし、ｍ＝ｎ−１、 α_i ／α₁＝０．３〜０．７（ただしｉは２〜ｍの整
    数）、 α_i ＋β_i-1 ＝約１ （３≦ｉ≦ｍ））、の順に、Σ_i （α_i ＋β_i ）＝ｎ−
    ｊ（ｊは０．０≦ｊ≦２．０なる実数）となるよう分割
    し、 α_i Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）なる時間内には記録層を溶融させ
    るにたるＰｗ＞Ｐｅなる記録パワーＰｗの記録光を照射
    し、β_i Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）なる時間内には０＜Ｐｂ≦
    ０．５ＰｅなるバイアスパワーＰｂの記録光を照射して
    オーバーライトを行い、 いずれの半径位置においてもα_i Ｔ（ｉ＝２〜ｍ）及び
    α_i ＋β_i-1 （ｉ＝３〜ｍ）を一定とする書換え型光記
    録媒体への記録方法。
29. 【請求項２９】 記録領域を半径毎に仮想的な複数のゾ
    ーンに区切り、β_m＝０〜１．５とし、かつ、β_m を内
    周のゾーンほど単調に大きくする請求項２７又は２８の
    いずれかに記載の書換え型光記録媒体への記録方法。
30. 【請求項３０】 少なくとも半径２３ｍｍ〜５８ｍｍの
    領域を記録領域とする書換え型コンパクトディスクを用
    いる請求項２７乃至２９のいずれか１つに記載の書換え
    型光記録媒体への記録方法。
31. 【請求項３１】 いずれの半径位置においても、α_i Ｔ
    （１≦ｉ≦ｍ）及びβ_i Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）を１０ナノ秒
    以上とする請求項２７乃至３０のいずれかに記載の書換
    え型光記録媒体への記録方法。
32. 【請求項３２】 使用するいずれの線速においても、Ｐ
    ｂ、Ｐｗ、及びＰｅ／Ｐｗの値が実質的に一定である請
    求項２７乃至３１のいずれか１つに記載の書き換え型光
    記録媒体への記録方法。
33. 【請求項３３】 書換え型円盤状光記録媒体は、基板上
    に、１倍速に換算して搬送周波数約２２．０５ｋＨｚで
    ＡＴＩＰ情報により±１ｋＨｚで周波数変調されたウォ
    ブル信号を有するウォブル溝を有しており、 角速度一定で該ディスクを回転させながら該搬送周波数
    を検出し、検出された周波数を１９６倍してディスク半
    径に応じたデータ基準クロックを得、 さらに該ＡＴＩＰ信号を検出し、検出されたＡＴＩＰ信
    号の同期パターンとディスク回転とに同期したデータ基
    準クロックを得る請求項２７乃至３２のいずれかに記載
    の書換え型光記録媒体への記録方法。
34. 【請求項３４】 書換え型円盤状光記録媒体は、基板上
    に、１倍速に換算して搬送周波数２２．０５ｋＨｚでＡ
    ＴＩＰ情報により約２２．０５ｋＨｚ±１ｋＨｚに周波
    数変調されたウォブル信号を有するウォブル溝と、２
    ２．０５ｋＨｚの２倍から８倍の繰返し周波数で溝に沿
    って配置されたクロックマークが設けられてなり、 角速度一定で該ディスクを回転させながら該クロックマ
    ークを検出し、クロックマークの繰返し周波数を所定倍
    してデータの基準クロックを得る請求項２７乃至３２の
    いずれかに記載の書換え型光記録媒体への記録方法。
35. 【請求項３５】 書換え型円盤状光記録媒体は、基板上
    に、線速一定のときに搬送周波数が一定のウォブル信号
    を有するウォブル溝が設けられ、該ウォブルが位相変調
    されているか又は特定位置のウォブルが欠けていること
    によってアドレス情報及び同期情報が付与されてなり、 角速度一定で該ディスクを回転させながら該周波数を検
    出し、検出された周波数を所定倍してデータの基準クロ
    ックを得る請求項２７乃至３２のいずれかに記載の書換
    え型光記録媒体の記録方法。
36. 【請求項３６】 書換え型円盤状光記録媒体は、あらか
    じめサブコードのＱチャネルによる絶対時間情報がＥＦ
    Ｍ変調された信号として記録領域全面に記録されてな
    り、 角速度一定で該ディスクを回転させながら該ＥＦＭ変調
    信号を検出し、データの基準クロック及びアドレス情報
    を得る請求項２７乃至３２のいずれかに記載の書換え型
    光記録媒体の記録方法。
37. 【請求項３７】 書換え型光記録媒体は、あらかじめＣ
    Ｄ−ＲＯＭ規格におけるブロック構造がＥＦＭ変調され
    た信号として記録領域全面に記録されてなり、 角速度一定で該ディスクを回転させながら該ＥＦＭ変調
    信号を検出し、データの基準クロック及びアドレス情報
    を得る請求項２７乃至３２のいずれかに記載の書換え型
    光記録媒体の記録方法。
38. 【請求項３８】 一定の搬送周波数ｆ_L0とアドレス情報
    によって変調された信号とに従って蛇行された空間周波
    数一定の螺旋状の溝及び記録層を有し、該螺旋状の溝の
    所定の位置にある記録情報の単位である記録ブロックを
    識別するアドレス情報及び該ブロックの開始位置を識別
    する同期情報を有するディスクを、その中心部分を軸と
    して等角速度回転させる手段と、 記録再生のための集束光ビームを発生する光ピックアッ
    プを所定のアドレスに移動させる半径方向の移動させる
    手段と、 該記録層に集束光ビームの焦点をあわせるフォーカスサ
    ーボ手段と、 該螺旋状の溝に沿って集束光ビームを走査させるための
    溝トラッキングサーボ手段と、 該溝蛇行から搬送周波数ｆ_A0、アドレス情報及びブロッ
    ク同期信号を検出・解読する手段と、 該記録ブロックの開始位置及び周波数ｆ_d0を有するデー
    タの基準クロックＴに同期してマーク長変調された記録
    データ列を発生する手段と、 該記録データ列に対応して記録レーザーパワーを変調す
    る手段とを有する光ディスク記録装置であって、 集束光ビームを所定アドレスの記録ブロックに半径方向
    に移動させたときに該半径に反比例して変化するデータ
    の基準クロックＴを発生する基準信号発生器と、 所定半径における該基準クロックを１／Ｎ（Ｎは整数）
    に分周して得られる参照信号ｆ_R0と該アドレスにおいて
    検出された溝蛇行の搬送周波数ｆ_A0を位相比較すること
    で、所定の半径におけるデータの基準クロック周波数ｆ
    _d0とｆ_A0がいずれの半径位置においてもｆ_d0＝Ｎ・ｆ_A0
    なる関係を維持するようディスクの回転数を微調整する
    とともに、記録ブロックの開始位置と該ブロックに書き
    込まれるべきデータ列の同期を達成する手段と、を有す
    る光ディスク記録再生装置。
39. 【請求項３９】 光ディスクの記録領域の始端もしくは
    終端における基準半径Ｒ_ref におけるデータの基準クロ
    ックをＴ_ref （周波数ｆ_ref ）、記録領域の最内周から
    最外周までの半径幅をΔＲとし、データの記録を行うべ
    き所定アドレスから計算された半径Ｒと、該アドレスに
    おける基準クロックＴ（周波数ｆ_d0）が、 ｆ_d0＝ｆ_ref ＋（Ｒ−Ｒ_ref ）／ΔＲ なる関係を維持するようにｆ_d0を半径に応じて変化させ
    る請求項３８に記載の光ディスク記録再生装置。
40. 【請求項４０】 ディスクの回転数の制御範囲が基準回
    転数ω₀ に対して±０．０１ω₀ 以内である請求項３８
    又は３９に記載の光ディスク記録再生装置。
41. 【請求項４１】 溝蛇行の搬送周波数ｆ_L0が２２．０５
    ｋＨｚであり、アドレス情報はｆ_L0を搬送周波数として
    ±１ｋＨｚで周波数変調されたＡＴＩＰ信号であり、ω
    ₀ が１９００〜２２００ｒｐｍである請求項３８乃至４
    ０のいずれかに１つに記載の光ディスク記録再生装置。
42. 【請求項４２】 情報領域に対するデータの記録が、記
    録が行われる半径位置にかかわらず、回転速度一定のま
    ま行われることを特徴とする書き換え型光記録媒体。
43. 【請求項４３】 情報領域に対するデータの記録及び再
    生が、それぞれ一定の回転速度を保ったまま行われる書
    き換え型光記録媒体の記録再生方法。
44. 【請求項４４】 情報領域に対するデータの記録及び再
    生が記録と再生が同一の回転速度を保ったまま行われる
    書き換え型光記録媒体の記録再生方法。
45. 【請求項４５】 プログラム領域の連続した特定領域に
    所定のアプリケーションプログラムのデータが格納され
    たアプリケーションプログラム領域と、残りの領域に少
    なくとも上記アプリケーションプログラムに関連するユ
    ーザーデータが記録可能なユーザーデータ記録領域とが
    設定されてなり、該アプリケーションの再生及び該アプ
    リケーションに関連したユーザデータの記録がそれぞれ
    一定の回転速度のまま行われることを特徴とする請求項
    １乃至１９及び請求項４２のいずれか一つに記載の書き
    換え型光記録媒体。
46. 【請求項４６】 アプリケーションプログラム及びユー
    ザーデータが同一のファイル管理構造を有する固定長パ
    ケット単位で記録される請求項４５に記載の書き換え型
    光記録媒体。
47. 【請求項４７】 プログラム領域の内周もしくは外周側
    の連続した領域に所定のアプリケーションプログラムの
    データが格納されたアプリケーションプログラム領域
    と、残りの領域に少なくとも上記アプリケーションプロ
    グラムに関連するユーザーデータが記録可能なユーザー
    データ記録領域とが設定されてなり、該アプリケーショ
    ンプログラム及びユーザーデータが同一のファイル管理
    構造を有する固定長パケット単位で記録されており、該
    アプリケーションの再生及び該アプリケーションに関連
    したユーザーデータの記録がそれぞれ一定の回転速度の
    まま行われる書き換え型光記録媒体に対して記録再生を
    行う記録再生装置であって、 上記書き換え型光記録媒体の上記特定の領域にアクセス
    してディスクをＣＡＶ回転させながら上記アプリケーシ
    ョンプログラムのデータを再生して、そのプログラム内
    容を実行させるためのプログラム実行手段と、 上記プログラム実行手段により実行されるアプリケーシ
    ョンプログラムに従って、所要の情報を入力することの
    できる情報入力手段と、 ディスクをＣＡＶ回転させたまま、上記ユーザーデータ
    領域にアクセスして、上記情報入力手段により入力され
    た情報をユーザーデータとして記録することの出来る記
    録手段と、を備えて構成されることを特徴とする記録再
    生装置。
48. 【請求項４８】 上記アプリケーションプログラムを実
    行する過程において、所定のデモンストレーションの再
    生を行い、該デモンストレーションに従って上記ユーザ
    ーからの情報入力を促す手段と、上記ユーザーデータ領
    域にアクセスして、上記入力情報をユーザーデータとし
    て記録することのできる記録手段と、を有して成る請求
    項４７に記載の記録再生装置。