JP2001224120A - ガス絶縁母線 - Google Patents
ガス絶縁母線Info
- Publication number
- JP2001224120A JP2001224120A JP2000031898A JP2000031898A JP2001224120A JP 2001224120 A JP2001224120 A JP 2001224120A JP 2000031898 A JP2000031898 A JP 2000031898A JP 2000031898 A JP2000031898 A JP 2000031898A JP 2001224120 A JP2001224120 A JP 2001224120A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- gas
- surface roughness
- dielectric coating
- coating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Gas-Insulated Switchgears (AREA)
- Installation Of Bus-Bars (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 導体の面積効果を低減する。
【解決手段】 表面の面粗さが所定の大きさに形成され
た導体１２，１３を絶縁ガスが封入された金属製容器
７，８内に配置し、導体１２，１３を絶縁スペーサ９で
支持して高電圧を印加するガス絶縁母線において、導体
１２，１３の表面にエポキシ樹脂で面粗さ以上の膜厚に
なるように誘電体被覆層１４，１５を形成したものであ
る。
た導体１２，１３を絶縁ガスが封入された金属製容器
７，８内に配置し、導体１２，１３を絶縁スペーサ９で
支持して高電圧を印加するガス絶縁母線において、導体
１２，１３の表面にエポキシ樹脂で面粗さ以上の膜厚に
なるように誘電体被覆層１４，１５を形成したものであ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ガス絶縁母線に
関するものである。
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＳＦ6 ガスを絶縁媒体としたガス絶縁機
器は絶縁性能に優れているため多くの変電機器に用いら
れている。この場合、絶縁設計はＳＦ6 ガスの特性上か
ら可能な限り平等電界にすることが望ましい。図７は、
例えば特開昭６２−１６３５０６号公報に記載された従
来のガス絶縁母線の要部を示す断面図である。図７にお
いて、ＳＦ6 等の絶縁ガスが封入された金属製容器１内
に高電圧が印加される導体２を配置し、導体２を絶縁ス
ペーサ３で支持している。そして、電界強度の高い絶縁
スペーサ３の両端に電界緩和シールド４ａ，４ｂを配置
して電界緩和を行っている。さらに、最大電界となる電
界緩和シールド４ａ，４ｂの表面をエポキシ樹脂あるい
はアルマイト処理して、絶縁皮膜層５，６を形成し、加
工時に発生した表面の微小突起を覆うことにより微小突
起の近傍の電界緩和が行われている。
器は絶縁性能に優れているため多くの変電機器に用いら
れている。この場合、絶縁設計はＳＦ6 ガスの特性上か
ら可能な限り平等電界にすることが望ましい。図７は、
例えば特開昭６２−１６３５０６号公報に記載された従
来のガス絶縁母線の要部を示す断面図である。図７にお
いて、ＳＦ6 等の絶縁ガスが封入された金属製容器１内
に高電圧が印加される導体２を配置し、導体２を絶縁ス
ペーサ３で支持している。そして、電界強度の高い絶縁
スペーサ３の両端に電界緩和シールド４ａ，４ｂを配置
して電界緩和を行っている。さらに、最大電界となる電
界緩和シールド４ａ，４ｂの表面をエポキシ樹脂あるい
はアルマイト処理して、絶縁皮膜層５，６を形成し、加
工時に発生した表面の微小突起を覆うことにより微小突
起の近傍の電界緩和が行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のガス絶縁母線は
以上のように構成されているので、同電界部分の導体の
表面積が大きくなると破壊電界が低下する面積効果が発
生するという問題点があった。即ち、面積効果により破
壊電圧が低下するのは、導体２の加工時に表面に発生し
た数十μｍ〜数百μｍの凹凸が局所的に電界集中を引き
起こして、ＳＦ6ガスの放電開始電圧を超えるためであ
る。放電は確率的な要素を有するので、面積が大きくな
ると微小突起の存在が多くなるため破壊電圧が低下す
る。この発明は、以上のような問題点を解消するために
なされたもので、導体の面積効果を低減することができ
るガス絶縁母線を提供することを目的とするものであ
る。
以上のように構成されているので、同電界部分の導体の
表面積が大きくなると破壊電界が低下する面積効果が発
生するという問題点があった。即ち、面積効果により破
壊電圧が低下するのは、導体２の加工時に表面に発生し
た数十μｍ〜数百μｍの凹凸が局所的に電界集中を引き
起こして、ＳＦ6ガスの放電開始電圧を超えるためであ
る。放電は確率的な要素を有するので、面積が大きくな
ると微小突起の存在が多くなるため破壊電圧が低下す
る。この発明は、以上のような問題点を解消するために
なされたもので、導体の面積効果を低減することができ
るガス絶縁母線を提供することを目的とするものであ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明に係わるガス絶
縁母線は、表面の面粗さが所定の大きさに形成された導
体を絶縁ガスが封入された金属製容器内に配置し、導体
を絶縁スペーサで支持して高電圧を印加するガス絶縁母
線において、導体の表面にエポキシ樹脂で面粗さ以上の
膜厚になるように誘電体被覆層を形成したものである。
さらに、導体の表面に導電性もしくは半導電性を有する
部材で面粗さ以下の膜厚になるように補填層を形成し、
補填層の表面にエポキシ樹脂で誘電体被覆層を形成し、
補填層と誘電体被覆層との膜厚が面粗さ以上になるよう
にしたものである。
縁母線は、表面の面粗さが所定の大きさに形成された導
体を絶縁ガスが封入された金属製容器内に配置し、導体
を絶縁スペーサで支持して高電圧を印加するガス絶縁母
線において、導体の表面にエポキシ樹脂で面粗さ以上の
膜厚になるように誘電体被覆層を形成したものである。
さらに、導体の表面に導電性もしくは半導電性を有する
部材で面粗さ以下の膜厚になるように補填層を形成し、
補填層の表面にエポキシ樹脂で誘電体被覆層を形成し、
補填層と誘電体被覆層との膜厚が面粗さ以上になるよう
にしたものである。
【０００５】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１は実施の形態
１の構成を示す断面図、図２は図１の要部を示す断面図
である。図１及び図２において、７，８は円筒状の金属
製容器で、ＳＦ6 等の絶縁ガスが封入されている。９は
両端にコネクタ９ａ，９ｂを有する絶縁スペーサで、各
容器７，８間にボルト、ナット（図示せず）により固着
されている。１０，１１は電界緩和シールドで、絶縁ス
ペーサ９の両端部の電界を緩和する。１２は表面の凹凸
部１２ａが数十μｍ〜数百μｍの面粗さに加工された導
体で、容器７内に配置されてコネクタ９ａを介して絶縁
スペーサ９により支持され、高電圧が印加される。１３
は表面の凹凸部１３ａが数十μｍ〜数百μｍの面粗さに
加工された導体で、容器８内に配置されてコネクタ９ｂ
を介して絶縁スペーサ９により支持され、高電圧が印加
される。１４，１５は各導体１２，１３の表面に流動浸
績法、粉体塗装法等により形成されたエポキシ樹脂の誘
電体被覆層で、膜厚が導体１２，１３の面粗さの大きさ
以上である。
１の構成を示す断面図、図２は図１の要部を示す断面図
である。図１及び図２において、７，８は円筒状の金属
製容器で、ＳＦ6 等の絶縁ガスが封入されている。９は
両端にコネクタ９ａ，９ｂを有する絶縁スペーサで、各
容器７，８間にボルト、ナット（図示せず）により固着
されている。１０，１１は電界緩和シールドで、絶縁ス
ペーサ９の両端部の電界を緩和する。１２は表面の凹凸
部１２ａが数十μｍ〜数百μｍの面粗さに加工された導
体で、容器７内に配置されてコネクタ９ａを介して絶縁
スペーサ９により支持され、高電圧が印加される。１３
は表面の凹凸部１３ａが数十μｍ〜数百μｍの面粗さに
加工された導体で、容器８内に配置されてコネクタ９ｂ
を介して絶縁スペーサ９により支持され、高電圧が印加
される。１４，１５は各導体１２，１３の表面に流動浸
績法、粉体塗装法等により形成されたエポキシ樹脂の誘
電体被覆層で、膜厚が導体１２，１３の面粗さの大きさ
以上である。
【０００６】次に作用について説明する。図３は電極面
積と絶縁破壊電界との関係を誘電体被覆層の有無で比較
した説明図である。図３から明らかなように電極面積が
大きくなると破壊電圧が低下する。そして、電極の表面
に誘電体被覆層を形成することにより破壊電圧が向上し
ている。これは導体の表面に形成された微小突起の凹凸
を誘電体で被覆することにより、微小突起からの電界放
出電子を抑制するためと考えられる。さらに、図４は導
体の表面の凹凸、即ち面粗さが１００μｍのとき、エポ
キシ樹脂で形成された誘電体被覆層の膜厚と絶縁破壊電
圧との関係を示す説明図である。図４から明らかなよう
に誘電体被覆層の膜厚が厚くなるのに応じて破壊電圧が
大きくなる。例えば、面粗さが１００μｍのとき、誘電
体被覆層の膜厚が０のときの破壊電圧に対して、誘電体
被覆層の膜厚を導体の面粗さと同じ１００μｍにすると
２０％以上も破壊電圧が向上する。図１及び図２におい
て、導体１２，１３に高電圧が印加された場合、導体１
２，１３の表面の面粗さ以上の膜厚で誘電体被覆層１
４，１５が形成されているので、電界放出電子や凹凸部
１１ａ，１２ａ等の局所的な電界集中が緩和されて、図
３及び図４に示すように面積効果の改善ができるため、
耐電圧の向上を図ることができる。
積と絶縁破壊電界との関係を誘電体被覆層の有無で比較
した説明図である。図３から明らかなように電極面積が
大きくなると破壊電圧が低下する。そして、電極の表面
に誘電体被覆層を形成することにより破壊電圧が向上し
ている。これは導体の表面に形成された微小突起の凹凸
を誘電体で被覆することにより、微小突起からの電界放
出電子を抑制するためと考えられる。さらに、図４は導
体の表面の凹凸、即ち面粗さが１００μｍのとき、エポ
キシ樹脂で形成された誘電体被覆層の膜厚と絶縁破壊電
圧との関係を示す説明図である。図４から明らかなよう
に誘電体被覆層の膜厚が厚くなるのに応じて破壊電圧が
大きくなる。例えば、面粗さが１００μｍのとき、誘電
体被覆層の膜厚が０のときの破壊電圧に対して、誘電体
被覆層の膜厚を導体の面粗さと同じ１００μｍにすると
２０％以上も破壊電圧が向上する。図１及び図２におい
て、導体１２，１３に高電圧が印加された場合、導体１
２，１３の表面の面粗さ以上の膜厚で誘電体被覆層１
４，１５が形成されているので、電界放出電子や凹凸部
１１ａ，１２ａ等の局所的な電界集中が緩和されて、図
３及び図４に示すように面積効果の改善ができるため、
耐電圧の向上を図ることができる。
【０００７】実施の形態２．図５は実施の形態２の構成
を示す断面図、図６は図５の要部を示す断面図である。
図５及び図６において、７〜１３は実施の形態１のもの
と同様のものである。１６，１７は各導体１２，１３の
表面に導電性もしくは半導電性を有する部材で面粗さ以
下の膜厚になるように形成された補填層で、面粗さが数
μｍになるようにする。導電性を有する部材は例えば銅
を使用してメッキにより補填層１６，１７を形成する。
また、半導電性を有する部材は例えばシリコンカーバイ
トを使用して塗装により補填層１６，１７を形成する。
１８，１９は補填層１６，１７の表面に形成されたエポ
キシ樹脂の誘電体被覆層で、補填層１６，１７の表面に
流動浸績法、粉体塗装法等により形成されている。な
お、補填層１６，１７と誘電体被覆層１８，１９との合
計膜厚が導体１２，１３の面粗さ以上になるように形成
されている。
を示す断面図、図６は図５の要部を示す断面図である。
図５及び図６において、７〜１３は実施の形態１のもの
と同様のものである。１６，１７は各導体１２，１３の
表面に導電性もしくは半導電性を有する部材で面粗さ以
下の膜厚になるように形成された補填層で、面粗さが数
μｍになるようにする。導電性を有する部材は例えば銅
を使用してメッキにより補填層１６，１７を形成する。
また、半導電性を有する部材は例えばシリコンカーバイ
トを使用して塗装により補填層１６，１７を形成する。
１８，１９は補填層１６，１７の表面に形成されたエポ
キシ樹脂の誘電体被覆層で、補填層１６，１７の表面に
流動浸績法、粉体塗装法等により形成されている。な
お、補填層１６，１７と誘電体被覆層１８，１９との合
計膜厚が導体１２，１３の面粗さ以上になるように形成
されている。
【０００８】次に作用について説明する。図５及び図６
において、導体１２，１３に高電圧が印加された場合、
導体１２，１３の表面に導電性もしくは半導電性を有す
る補填層１６，１７が形成されて導体１２，１３の凹凸
部１２ａ，１３ａが小さくなるため、電界放出電子や局
所的な電界集中が緩和される。さらに、補填層１６，１
７の表面に誘電体被覆層１８，１９が形成されているの
で、図４に示すようには破壊電圧が高くなるため、面積
効果の改善を図り耐電圧を向上させることができる。
において、導体１２，１３に高電圧が印加された場合、
導体１２，１３の表面に導電性もしくは半導電性を有す
る補填層１６，１７が形成されて導体１２，１３の凹凸
部１２ａ，１３ａが小さくなるため、電界放出電子や局
所的な電界集中が緩和される。さらに、補填層１６，１
７の表面に誘電体被覆層１８，１９が形成されているの
で、図４に示すようには破壊電圧が高くなるため、面積
効果の改善を図り耐電圧を向上させることができる。
【０００９】
【発明の効果】この発明によれば、導体の表面にエポキ
シ樹脂で面粗さ以上の膜厚になるように誘電体被覆層を
形成したことにより、電界放出電子や局所的な電界集中
が緩和されて、面積効果の改善ができるため、耐電圧の
向上を図ることができる。さらに、導体の表面に導電性
もしくは半導電性を有する部材で面粗さ以下の膜厚にな
るように補填層を形成し、補填層の表面にエポキシ樹脂
で誘電体被覆層を形成し、補填層と誘電体被覆層との合
計膜厚を導体の面粗さ以上にしたことにより、電界放出
電子や局所的な電界集中が緩和されて破壊電圧が高くな
るため、面積効果の改善を図り耐電圧を向上させること
ができる。
シ樹脂で面粗さ以上の膜厚になるように誘電体被覆層を
形成したことにより、電界放出電子や局所的な電界集中
が緩和されて、面積効果の改善ができるため、耐電圧の
向上を図ることができる。さらに、導体の表面に導電性
もしくは半導電性を有する部材で面粗さ以下の膜厚にな
るように補填層を形成し、補填層の表面にエポキシ樹脂
で誘電体被覆層を形成し、補填層と誘電体被覆層との合
計膜厚を導体の面粗さ以上にしたことにより、電界放出
電子や局所的な電界集中が緩和されて破壊電圧が高くな
るため、面積効果の改善を図り耐電圧を向上させること
ができる。
【図１】 この発明の実施の形態１の構成を示す断面図
である。
である。
【図２】 図１の要部を示す断面図である。
【図３】 図１における電極面積と絶縁破壊電界との関
係を誘電体被覆層の有無で比較した説明図である。
係を誘電体被覆層の有無で比較した説明図である。
【図４】 図１における導体の表面の面粗さが１００μ
ｍのとき、エポキシ樹脂で形成された誘電体被覆層の膜
厚と絶縁破壊電圧との関係を示す説明図である。
ｍのとき、エポキシ樹脂で形成された誘電体被覆層の膜
厚と絶縁破壊電圧との関係を示す説明図である。
【図５】 この発明の実施の形態２の構成を示す断面図
である。
である。
【図６】 図６は図５の要部を示す断面図である。
【図７】 従来のガス絶縁母線の要部を示す断面図であ
る。
る。
７，８ 容器、９ 絶縁スペーサ、１２，１３ 導体、
１４，１５，１８，１９ 誘電体被覆層、１６，１７
補填層。
１４，１５，１８，１９ 誘電体被覆層、１６，１７
補填層。
Claims (2)
- 【請求項１】 表面の面粗さが所定の大きさに形成され
た導体を絶縁ガスが封入された金属製容器内に配置し、
上記導体を絶縁スペーサで支持して高電圧を印加するガ
ス絶縁母線において、上記導体の表面にエポキシ樹脂で
上記面粗さ以上の膜厚になるように誘電体被覆層を形成
したことを特徴とするガス絶縁母線。 - 【請求項２】 表面の面粗さが所定の大きさに形成され
た導体を絶縁ガスが封入された金属製容器内に配置し、
上記導体を絶縁スペーサで支持して高電圧を印加するガ
ス絶縁母線において、上記導体の表面に導電性もしくは
半導電性を有する部材で上記面粗さ以下の膜厚になるよ
うに補填層を形成し、上記補填層の表面にエポキシ樹脂
で誘電体被覆層を形成し、上記補填層と上記誘電体被覆
層との膜厚が上記面粗さ以上になるようにしたことを特
徴とするガス絶縁母線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000031898A JP2001224120A (ja) | 2000-02-09 | 2000-02-09 | ガス絶縁母線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000031898A JP2001224120A (ja) | 2000-02-09 | 2000-02-09 | ガス絶縁母線 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001224120A true JP2001224120A (ja) | 2001-08-17 |
Family
ID=18556581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000031898A Pending JP2001224120A (ja) | 2000-02-09 | 2000-02-09 | ガス絶縁母線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001224120A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008029068A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Somar Corp | 電力用スイッチギアの製造方法及び電力用スイッチギア |
| JP2012110191A (ja) * | 2010-11-19 | 2012-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | ガス絶縁電気機器 |
| JP2012210108A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Mitsubishi Electric Corp | ガス絶縁電気機器およびその製造方法 |
| WO2016108592A1 (ko) * | 2014-12-31 | 2016-07-07 | 주식회사 효성 | 가스 절연 개폐기의 전극 장치 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49109153U (ja) * | 1973-01-12 | 1974-09-18 | ||
| JPS52140881A (en) * | 1976-05-20 | 1977-11-24 | Hitachi Cable Ltd | Overhead pipe power transmission line |
| JPS5337874A (en) * | 1976-09-21 | 1978-04-07 | Toshiba Corp | Supporter for insulated conductor |
| JPS607610U (ja) * | 1983-06-27 | 1985-01-19 | 株式会社高岳製作所 | ガス絶縁機器 |
| JPS6020713A (ja) * | 1983-07-13 | 1985-02-02 | 三菱電機株式会社 | 電気絶縁装置 |
| JP2000184563A (ja) * | 1998-12-14 | 2000-06-30 | Mitsubishi Electric Corp | ガス絶縁機器母線 |
-
2000
- 2000-02-09 JP JP2000031898A patent/JP2001224120A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49109153U (ja) * | 1973-01-12 | 1974-09-18 | ||
| JPS52140881A (en) * | 1976-05-20 | 1977-11-24 | Hitachi Cable Ltd | Overhead pipe power transmission line |
| JPS5337874A (en) * | 1976-09-21 | 1978-04-07 | Toshiba Corp | Supporter for insulated conductor |
| JPS607610U (ja) * | 1983-06-27 | 1985-01-19 | 株式会社高岳製作所 | ガス絶縁機器 |
| JPS6020713A (ja) * | 1983-07-13 | 1985-02-02 | 三菱電機株式会社 | 電気絶縁装置 |
| JP2000184563A (ja) * | 1998-12-14 | 2000-06-30 | Mitsubishi Electric Corp | ガス絶縁機器母線 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008029068A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Somar Corp | 電力用スイッチギアの製造方法及び電力用スイッチギア |
| JP2012110191A (ja) * | 2010-11-19 | 2012-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | ガス絶縁電気機器 |
| JP2012210108A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Mitsubishi Electric Corp | ガス絶縁電気機器およびその製造方法 |
| WO2016108592A1 (ko) * | 2014-12-31 | 2016-07-07 | 주식회사 효성 | 가스 절연 개폐기의 전극 장치 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4429205B2 (ja) | ガス絶縁機器 | |
| JP2771505B2 (ja) | 直流ブッシング | |
| US9087670B2 (en) | Electric potential control of high voltage insulation | |
| KR20160081365A (ko) | 가스 절연 개폐기의 전극 장치 | |
| JP2001224120A (ja) | ガス絶縁母線 | |
| JP2002315118A (ja) | ガス絶縁機器 | |
| KR101860439B1 (ko) | 가스 절연 개폐기의 전극 장치 | |
| JP5127607B2 (ja) | ガス絶縁機器 | |
| JPH03222621A (ja) | ガス絶縁スペーサ | |
| JP3585517B2 (ja) | ガス絶縁ブッシング | |
| JPS58157350A (ja) | 回転電機の絶縁コイル | |
| JP2000184563A (ja) | ガス絶縁機器母線 | |
| US20240282488A1 (en) | Electrical Insulation Tube | |
| JPS6123644B2 (ja) | ||
| JPH11214117A (ja) | 直流避雷器 | |
| JP2933747B2 (ja) | ガス絶縁開閉装置 | |
| JPH0216705A (ja) | ガス絶縁機器 | |
| JP2570071Y2 (ja) | 高周波用マグネットワイヤ | |
| JP2005032821A (ja) | 変圧器 | |
| JP2002042592A (ja) | 高電圧機器用絶縁物 | |
| JPS589476Y2 (ja) | 油入管路母線 | |
| CN110189869A (zh) | 一种采用高导磁材料涂覆导体抑制gis母线和gil设备电动力损伤的方法 | |
| JPS60225312A (ja) | セラミツクケ−ブル | |
| KR20000018255U (ko) | 초고압 에폭시 절연물의 금구/에폭시 계면특성 향상방법 | |
| JPH02223324A (ja) | ガス絶縁スペーサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070115 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20070115 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090818 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091014 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100112 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100310 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100921 |