JP2001222841A - 光情報ディスク用基板及びその製造方法 - Google Patents

光情報ディスク用基板及びその製造方法

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JP2001222841A
JP2001222841A JP2000032640A JP2000032640A JP2001222841A JP 2001222841 A JP2001222841 A JP 2001222841A JP 2000032640 A JP2000032640 A JP 2000032640A JP 2000032640 A JP2000032640 A JP 2000032640A JP 2001222841 A JP2001222841 A JP 2001222841A
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lamp
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light
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recording
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JP2000032640A
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English (en)
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Kensho Oshima
憲昭 大島
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Tosoh Corp
Original Assignee
Tosoh Corp
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Publication date
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  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板ノイズを低減し、高CNRで記録・再生
可能なた光情報ディスク用基板を提供する。 【解決手段】 射出成形等により得られた熱可塑性プラ
スチック基板の記録面側表面に、波長350〜1500
nmの間に最も強い相対強度を示す波長がある光、例え
ば、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、フラッシュU
Vランプ、メタルハライドランプ、クセノンランプ、蛍
光ランプ、アークランプ、あるいはハロゲンランプ等の
光を照射してなる光情報ディスク用基板。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は書き換えが可能な光
記録媒体、特に、レーザービームによって記録層に光学
的変化を生じさせ、情報の記録、再生及び消去を行なう
光磁気記録媒体、あるいは相変化記録媒体に有用な基板
に関する。
【0002】
【従来の技術】光記録媒体は大容量・高密度記録が可能
な可搬型記録媒体であり、近年のマルチメディア化に伴
なうコンピュータの大容量保存ファイルとして動画等を
記録する書き換え型メディアとして需要が急増しつつあ
る。
【0003】高記録密度記録方式として光学レンズの開
口数を上げることが一般に検討されているが、開口数の
上昇に伴い、基板のノイズ成分によるCNRの低下が問
題となってきている。
【0004】近年、光記録媒体用基板をUVオゾンクリ
ーナーの低圧水銀ランプ照射することにより、基板のノ
イズが低減できることが報告されている(例えば、Jo
urnal of the Magnetics So
ciety of Japan,vol.23,Sup
plement,No,S1(1999),pp.26
9等)。
【0005】このメカニズムは、UVオゾンクリーナー
の低圧水銀ランプ照射によって空気中の酸素から発生し
た活性酸素種により基板表面の高分子の結合が切断、分
解されアッシングされることにより、基板材料の一部が
分解、減少する際に表面の粗さが滑らかになることによ
り、基板のノイズレベルが低減し、この基板を用いて製
造した光磁気記録媒体のC/N及びジッターが改善され
ることが記載されている。
【0006】しかしながら、前述の基板処理では、基板
表面の分解による分子量の低下から基板と記録膜との密
着性が極めて低下し、記録膜の剥離が発生すると共に、
低圧水銀ランプ照射による基板の高分子結合の切断によ
る低分子量化のために基板の機械強度が低下するという
問題点を有している。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記基板の
オゾン分解による記録膜との密着性及び基板の分子量低
下による機械強度劣化が無く、基板のノイズレベルを低
減した基板及びその製造方法を提供することを目的とし
ている。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明者等は上述のよう
な現状に鑑み、鋭意検討を重ねた結果、射出成形等によ
り得られた熱可塑性プラスチック基板表面に波長350
〜1500nmの間に最も強い相対強度を示す波長を有
する光を照射することにより、基板ノイズを低減するこ
とを見出し、本発明を完成するに至った。
【0009】すなわち、本発明は、熱可塑性プラスチッ
ク基板の記録面側表面に、波長350〜1500nmの
間に最も強い相対強度を示す波長を有する光を照射して
なる光情報ディスク用基板及びその製造方法に関する。
【0010】以下、本発明を詳細に説明する。
【0011】本発明に使用する熱可塑性プラスチック基
板としては、機械特性、転写性等の光ディスク基板の特
性を満たす、熱可塑性プラスチックであれば、特に限定
されず、例えば、ポリカーボネート、ポリメチルメタク
リレート、アモルファスポリオレフィン等の透明プラス
チックや、ポリフェニレンサルファイド、ポリアリレー
ト、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン
等のエンジニアリングプラスチックを使用することがで
きる。
【0012】本発明において、上述の熱可塑性プラスチ
ック基板に照射する光としては、波長350〜1500
nmの間に最も強い相対強度を示す波長を有する光であ
る。最も強い相対強度を示す波長が350nm未満であ
る、紫外線領域の光を照射光として使用すると、プラス
チック基板の分子結合の切断の可能性が大きくなり、特
に300nm以下の遠紫外線領域の光が基板に照射され
ると、大気中の酸素との光反応によって極めて活性なオ
ゾンが発生し、基板表面を酸化分解すると共に、基板を
構成する高分子結合が切断されるため、基板の分子量低
下を引き起こす。
【0013】分子量が低下した基板上に記録膜等を成膜
すると、記録膜の剥離が発生やすくなり、また、基板自
体の機械的強度が低下するので、加速耐久性試験でクラ
ックなどの基板われが発生してしまう。
【0014】本発明に適する光を発する光源としては、
例えば、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、フラッシ
ュUVランプ、メタルハライドランプ、クセノンラン
プ、蛍光ランプ、アークランプ、あるいはハロゲンラン
プなどを例示することができる。
【0015】一方、低圧水銀ランプ、Deep UVラ
ンプ、重水素ランプなどは、遠紫外線がその発光に多量
に含まれるため、そのままでは、本発明における光源と
して使用することはできない。
【0016】本発明における光照射によって基板は加熱
されるが、基板の表面温度としては80〜150℃が好
ましい。表面温度が80℃未満では、加熱による基板表
面の凸凹の平坦化が十分でなく、ノイズ低減に効果がな
く、表面温度が150℃を超えると基板表面の溶融によ
り、グルーブがつぶれてしまうのに加え、基板自体の機
械特性が悪化するため使用できない。
【0017】本発明における光情報ディスク用基板は、
光磁気記録、相変化記録などの書換型ディスク、或い
は、CD−Rに代表される追記型ディスクなど、特に限
定することなく使用することができる。また、プラスチ
ック基板側から記録層にレーザーを照射して記録・再生
するタイプはもちろんのこと、記録膜側から記録・再生
する形式のディスクに対しても何ら問題なく使用するこ
とができる。さらに、光学ヘッドを記録膜に近づけて記
録・再生する、いわゆる近接場光記録用ディスクにも使
用できる。
【0018】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき更に詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるも
のではない。
【0019】実施例1 直径130mm、トラックピッチ0.85μmのポリカ
ーボネートからなる基板を射出成形により製造し、この
基板のグルーブ面(記録面)側に超高圧水銀ランプ(最
も強い相対強度を与える波長:436nm)の光を30
秒照射した。
【0020】同一条件で基板にサーモラベルを貼り付
け、基板の表面温度を測定したところ、105℃であっ
た。
【0021】この基板の光照射したグルーブ面側にSi
Nからなる保護層を膜厚50nmにてスパッタし、この
保護層上にTe、Fe、Coからなる合金薄膜をスパッ
タリングにより厚さ100nmに積層し磁性薄膜層とし
た。
【0022】ついで、この磁性薄膜層上に保護層として
再びSiNを50nm、反射層としてAlを80nmス
パッタリングを行ない、積層した。
【0023】更に、Al層上にスピンコートにより大日
本インキ(株)社製、保護コート剤(商品名「SD−31
8」)を15μm膜厚に塗布し、紫外線照射により架
橋、硬化させ光磁気ディスクを製造した。この光磁気デ
ィスクのノイズレベル及びCNRをパルステック社製光
ディスク評価装置(DDU1000)により測定した。
【0024】また、記録膜の密着性をゴバン目剥離試験
で実施した。ゴバン目剥離試験は100個の升目をカッ
ターナイフで傷つけ、テープ剥離を実施し、ディスク側
に残った升目の数で表示した。これらの結果を表1に示
す。
【0025】実施例2 実施例1と同様に製造したポリカーボネート基板に対
し、フラッシュUVランプ(最も強い相対強度を与える
波長:546nm)を用いて光照射を30秒実施し、実
施例1と同様に表面温度温度を測定したところ102℃
であった。
【0026】更に、実施例1と同様に光磁気ディスクを
製造し、ノイズレベル及びCNR測定、ゴバン目剥離試
験を実施した。これらの結果を表1に示す。
【0027】実施例3 光源として高圧水銀ランプ(最も強い相対強度を与える
波長:365nm)を用いた以外は、実施例1と同様に
して光磁気ディスク製造を実施し、実施例1と同様にノ
イズレベル及びCNR測定、ゴバン目剥離試験を実施し
た。これらの結果を表1に示す。
【0028】なお、この条件での表面温度は110℃で
あった。
【0029】実施例4 光源としてメタルハライドランプ(最も強い相対強度を
与える波長:546nm)を用いた以外は、実施例1と
同様にして光磁気ディスク製造を実施し、実施例1と同
様にノイズレベル及びCNR測定、ゴバン目剥離試験を
実施した。これらの結果を表1に示す。
【0030】なお、この条件での表面温度は113℃で
あった。
【0031】実施例5 光源としてアークランプ(最も強い相対強度を与える波
長:850nm)を用いた以外は、実施例1と同様にし
て光磁気ディスク製造を実施し、実施例1と同様にノイ
ズレベル及びCNR測定、ゴバン目剥離試験を実施し
た。これらの結果を表1に示す。
【0032】なお、この条件での表面温度は120℃で
あった。
【0033】実施例6 光源として蛍光ランプ(最も強い相対強度を与える波
長:630nm)を用いた以外は、実施例1と同様にし
て光磁気ディスク製造を実施し、実施例1と同様にノイ
ズレベル及びCNR測定、ゴバン目剥離試験を実施し
た。これらの結果を表1に示す。
【0034】なお、この条件での表面温度は105℃で
あった。
【0035】実施例7 光源としてハロゲンランプ(最も強い相対強度を与える
波長:630nm)を用いた以外は、実施例1と同様に
して光磁気ディスク製造を実施し、実施例1と同様にノ
イズレベル及びCNR測定、ゴバン目剥離試験を実施し
た。これらの結果を表1に示す。
【0036】なお、この条件での表面温度は102℃で
あった。
【0037】比較例1 光照射しないポリカーボネート基板を用い、実施例1と
同様に光磁気ディスクを製造し、同様の条件でノイズレ
ベル及びCNR測定、ゴバン目剥離試験を実施した。こ
れらの結果を表1に示す。
【0038】比較例2 光源として低圧水銀ランプ(最も強い相対強度を与える
波長:254nm)を用いた以外は、実施例1と同様に
して光磁気ディスク製造を実施し、実施例1と同様にノ
イズレベル及びCNR測定、ゴバン目剥離試験を実施し
た。これらの結果を表1に示す。
【0039】なお、この条件での表面温度は118℃で
あった。
【0040】
【表1】
【0041】
【発明の効果】本発明の光情報ディスク用基板は、基板
ノイズが低減され、高CNRの記録・再生可能な光情報
ディスクを与えることができる。本発明の光情報ディス
ク基板は、光磁気記録媒体、相変化記録媒体や記録/再
生光を基板を透過させずに記録層に照射する近接場記録
(NFR:Near Field Recordin
g)用光記録媒体等に有用である。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 熱可塑性プラスチック基板の記録面側表
    面に、波長350〜1500nmの間に最も強い相対強
    度を示す波長を有する光を照射してなる光情報ディスク
    用基板。
  2. 【請求項2】 照射する光が、超高圧水銀ランプ、高圧
    水銀ランプ、フラッシュUVランプ、メタルハライドラ
    ンプ、蛍光ランプ、アークランプ及びハロゲンランプか
    らなる群より選ばれる1種以上の光である請求項1記載
    の光情報ディスク用基板。
  3. 【請求項3】 熱可塑性プラスチック基板の記録面側表
    面に、波長350〜1500nmの間に最も強い相対強
    度を示す波長を有する光を照射することを特徴とする光
    情報ディスク用基板の製造方法。
  4. 【請求項4】 記録面側表面の温度が80℃〜150℃
    であることを特徴とする請求項3記載の光情報ディスク
    用基板の製造方法。
  5. 【請求項5】 照射する光が、超高圧水銀ランプ、高圧
    水銀ランプ、フラッシュUVランプ、メタルハライドラ
    ンプ、蛍光ランプ、アークランプ及びハロゲンランプか
    らなる群より選ばれる1種以上の光である請求項3又は
    請求項4記載の光情報ディスク用基板の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004037540A1 (de) * 2004-08-03 2006-03-16 Micromotion Gmbh Zahnrad für Getriebe, insbesondere Spannungswellengetriebe

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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