JP2001213977A - 電気特性の優れたポリイミドフィルム - Google Patents
電気特性の優れたポリイミドフィルムInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 移動体通信やＩＣカードといった高周波信号
を伝送するプリント配線板用ベースフィルムに用いられ
るポリイミドフィルムの、マイクロ波帯の周波数領域で
の誘電率が環境の湿度の影響を受けて変動するために、
プリント配線板の電気特性が周囲の環境の影響を受けて
変動し、それに伴って機器の性能も変動するという問題
があった。 【解決手段】 マイクロ波領域の周波数での乾燥時の誘
電率に対する吸湿時の誘電率の比が小さいポリイミドフ
ィルムを提供する。
を伝送するプリント配線板用ベースフィルムに用いられ
るポリイミドフィルムの、マイクロ波帯の周波数領域で
の誘電率が環境の湿度の影響を受けて変動するために、
プリント配線板の電気特性が周囲の環境の影響を受けて
変動し、それに伴って機器の性能も変動するという問題
があった。 【解決手段】 マイクロ波領域の周波数での乾燥時の誘
電率に対する吸湿時の誘電率の比が小さいポリイミドフ
ィルムを提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気特性の優れた
ポリイミドフィルムに関するものであり、高周波電圧下
で使用することが出来、特に移動体通信やＩＣカードな
どに使用される高周波信号を伝送するプリント配線板用
ベースフィルムに好適である。本発明のポリイミドフィ
ルムは、接着剤を介するいわゆる３層タイプ、接着剤を
介さない、いわゆる２層タイプの何れのプリント配線板
にも利用できるほか、これらのプリント配線板を積層し
たいわゆる多層タイプ、硬質プリント配線板とフレキシ
ブルプリント配線板を積層したいわゆるリジッド・フレ
ックスタイプ等の種々のプリント配線板用途に利用可能
である。また、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍｅｔｅｄ
Ｂｏｎｄｉｎｇ）やＭＣＭ（Ｍｕｌｔｉ Ｃｈｉｐ
Ｍｏｄｕｌｅ）、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌ
ｍ）、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）
等の半導体実装や半導体パッケージにも利用可能であ
る。
ポリイミドフィルムに関するものであり、高周波電圧下
で使用することが出来、特に移動体通信やＩＣカードな
どに使用される高周波信号を伝送するプリント配線板用
ベースフィルムに好適である。本発明のポリイミドフィ
ルムは、接着剤を介するいわゆる３層タイプ、接着剤を
介さない、いわゆる２層タイプの何れのプリント配線板
にも利用できるほか、これらのプリント配線板を積層し
たいわゆる多層タイプ、硬質プリント配線板とフレキシ
ブルプリント配線板を積層したいわゆるリジッド・フレ
ックスタイプ等の種々のプリント配線板用途に利用可能
である。また、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍｅｔｅｄ
Ｂｏｎｄｉｎｇ）やＭＣＭ（Ｍｕｌｔｉ Ｃｈｉｐ
Ｍｏｄｕｌｅ）、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌ
ｍ）、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）
等の半導体実装や半導体パッケージにも利用可能であ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯電話、PHSといった移動体通
信機器、インターネットのようなネットワーク通信、或
いは衛星放送機器等の普及が著しい。これらの機器にお
ける使用電波帯は、高周波化傾向にあり、これらの機器
に使用されるプリント配線板も高周波数帯での電気特性
が要求されている。
信機器、インターネットのようなネットワーク通信、或
いは衛星放送機器等の普及が著しい。これらの機器にお
ける使用電波帯は、高周波化傾向にあり、これらの機器
に使用されるプリント配線板も高周波数帯での電気特性
が要求されている。
【０００３】特にこのような周波数帯において、プリン
ト配線板の電気特性が周囲の環境の影響を受けて変動す
ることは、環境の変化に伴って機器の性能の変動を引き
起こすという問題があった。
ト配線板の電気特性が周囲の環境の影響を受けて変動す
ることは、環境の変化に伴って機器の性能の変動を引き
起こすという問題があった。
【０００４】上記理由により、電気特性に優れたプリン
ト配線板用ベースフィルム、詳しくは誘電率の温度や湿
度の依存性の小さいプリント配線板用ベースフィルム開
発が待たれていた。
ト配線板用ベースフィルム、詳しくは誘電率の温度や湿
度の依存性の小さいプリント配線板用ベースフィルム開
発が待たれていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的の第一
は、上記問題点を解消し、誘電率の環境に対する依存
性、特に湿度に対する依存性が小さい、即ち吸湿時の誘
電率と乾燥時の誘電率の比が小さいポリイミドフィルム
を提供することである。
は、上記問題点を解消し、誘電率の環境に対する依存
性、特に湿度に対する依存性が小さい、即ち吸湿時の誘
電率と乾燥時の誘電率の比が小さいポリイミドフィルム
を提供することである。
【０００６】本発明の目的の第二は、マイクロ波帯での
吸湿時の誘電率と乾燥時の誘電率の比が小さいポリイミ
ドフィルムを提供することである。
吸湿時の誘電率と乾燥時の誘電率の比が小さいポリイミ
ドフィルムを提供することである。
【０００７】なお、本発明でマイクロ波帯の周波数と
は、ＧＨｚ単位で表されるような周波数帯域のことをい
う。
は、ＧＨｚ単位で表されるような周波数帯域のことをい
う。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に鋭意検討の結果、電気特性の優れたポリイミドフィル
ムを見い出し完成した。
に鋭意検討の結果、電気特性の優れたポリイミドフィル
ムを見い出し完成した。
【０００９】本発明の第１は、乾燥時の誘電率に対す
る、相対湿度３０％の環境での飽和吸湿時の誘電率の比
が１．０１以下であることを特徴とするポリイミドフィ
ルムを内容とする。
る、相対湿度３０％の環境での飽和吸湿時の誘電率の比
が１．０１以下であることを特徴とするポリイミドフィ
ルムを内容とする。
【００１０】本発明の第２は、乾燥時の誘電率に対す
る、相対湿度６０％の環境での飽和吸湿時の誘電率の比
が１．０４以下であることを特徴とするポリイミドフィ
ルムを内容とする。
る、相対湿度６０％の環境での飽和吸湿時の誘電率の比
が１．０４以下であることを特徴とするポリイミドフィ
ルムを内容とする。
【００１１】本発明の第３は、乾燥時の誘電率に対す
る、相対湿度９０％の環境での飽和吸湿時の誘電率の比
が１．０６以下、好ましくは１．０５以下であることを
特徴とするポリイミドフィルムを内容とする。
る、相対湿度９０％の環境での飽和吸湿時の誘電率の比
が１．０６以下、好ましくは１．０５以下であることを
特徴とするポリイミドフィルムを内容とする。
【００１２】更に、誘電率がマイクロ波帯の周波数での
誘電率であっても上記の要件を満足することを特徴とす
る。
誘電率であっても上記の要件を満足することを特徴とす
る。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明に係るポリイミドフィルム
は、電気特性、特に誘電率の湿度依存性の小さいポリイ
ミドフィルムであることを特徴とする。
は、電気特性、特に誘電率の湿度依存性の小さいポリイ
ミドフィルムであることを特徴とする。
【００１４】ポリイミド組成物は、その前駆体であるポ
リアミド酸共重合体を脱水閉環して得られるが、このポ
リアミド酸溶液は、酸二無水物とジアミン成分を実質的
に等モル使用し、有機極性溶媒中で重合して得られる。
リアミド酸共重合体を脱水閉環して得られるが、このポ
リアミド酸溶液は、酸二無水物とジアミン成分を実質的
に等モル使用し、有機極性溶媒中で重合して得られる。
【００１５】本発明に用いられるポリアミド酸溶液は、
少なくとも１種類の酸二無水物成分のモノマーと少なく
とも１種類のジアミン成分とを公知のいずれかの方法に
よって重合させることによって得られる。重合の際、原
料のモノマーを反応系に加える順番及び方法に特に制限
はない。
少なくとも１種類の酸二無水物成分のモノマーと少なく
とも１種類のジアミン成分とを公知のいずれかの方法に
よって重合させることによって得られる。重合の際、原
料のモノマーを反応系に加える順番及び方法に特に制限
はない。
【００１６】特に好ましい重合方法は、まず、１種類の
酸成分モノマーと１種類以上のジアミン成分とを反応さ
せて第一のポリアミド酸を生成し、続けて別の酸成分モ
ノマーと１種類以上のジアミン成分とを反応させて第２
のポリアミド酸を重合させる方法である。このような方
法で得られたポリアミド酸から製造されるポリイミドフ
ィルムは電気特性の優れた、又、物性バランスの優れた
ポリイミドフィルムである。
酸成分モノマーと１種類以上のジアミン成分とを反応さ
せて第一のポリアミド酸を生成し、続けて別の酸成分モ
ノマーと１種類以上のジアミン成分とを反応させて第２
のポリアミド酸を重合させる方法である。このような方
法で得られたポリアミド酸から製造されるポリイミドフ
ィルムは電気特性の優れた、又、物性バランスの優れた
ポリイミドフィルムである。
【００１７】該製造方法にて得られるポリアミド酸の平
均分子量は10000〜1000000であることが望ましい。平均
分子量が10000未満ではできあがったフィルムが脆くな
り、一方、1000000を越えるとポリアミド酸ワニスの粘
度が高くなりすぎ取扱いが難しくなって好ましくない。
均分子量は10000〜1000000であることが望ましい。平均
分子量が10000未満ではできあがったフィルムが脆くな
り、一方、1000000を越えるとポリアミド酸ワニスの粘
度が高くなりすぎ取扱いが難しくなって好ましくない。
【００１８】ここで該ポリアミド酸の生成反応に使用さ
れる有機極性溶媒としては、例えば、ジメチルスルホキ
シド、ジエチルスルホキシドなどのスルホキシド系溶
媒、N，N−ジメチルホルムアミド、N，N−ジエチルホル
ムアミドなどのホルムアミド系溶媒、N，N−ジメチルア
セトアミド、N，N−ジエチルアセトアミドなどのアセト
アミド系溶媒、N−メチルー2−ピロリドン、N−ビニル
ー2−ピロリドンなどのピロリドン系溶媒、フェノー
ル、0−、m−、またはp−クレゾール、キシレノール、
ハロゲン化フェノール、カテコールなどのフェノール系
溶媒、あるいはヘキサメチルホスホルアミド、γ−プチ
ロラクトンなどをあげることができ、これらを単独また
は混合物として用いるのが望ましいが、更にはキシレ
ン、トルエンのような芳香族炭化水素の一部使用も可能
である。
れる有機極性溶媒としては、例えば、ジメチルスルホキ
シド、ジエチルスルホキシドなどのスルホキシド系溶
媒、N，N−ジメチルホルムアミド、N，N−ジエチルホル
ムアミドなどのホルムアミド系溶媒、N，N−ジメチルア
セトアミド、N，N−ジエチルアセトアミドなどのアセト
アミド系溶媒、N−メチルー2−ピロリドン、N−ビニル
ー2−ピロリドンなどのピロリドン系溶媒、フェノー
ル、0−、m−、またはp−クレゾール、キシレノール、
ハロゲン化フェノール、カテコールなどのフェノール系
溶媒、あるいはヘキサメチルホスホルアミド、γ−プチ
ロラクトンなどをあげることができ、これらを単独また
は混合物として用いるのが望ましいが、更にはキシレ
ン、トルエンのような芳香族炭化水素の一部使用も可能
である。
【００１９】このポリアミド酸は各々前記の有機極性溶
媒中に5〜40重量％、好ましくは10〜30重量％溶解され
ているのが取扱いの面からも望ましい。
媒中に5〜40重量％、好ましくは10〜30重量％溶解され
ているのが取扱いの面からも望ましい。
【００２０】本発明のポリイミドフィルムに用いられ得
る適当な酸二無水物は、ピロメリット酸二無水物、２，
３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、
３，３´，４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二
無水物、２，２´，３，３´−ビフェニルテトラカルボ
ン酸二無水物、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカ
ルボキシフェニル）プロパン二無水物、３，４，９，１
０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４
−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、１，１−
ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水
物、１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エ
タン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）
メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）エタン二無水物、オキシジフタル酸二無水物、ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、
ｐ−フェニレンビス（トリメリット酸モノエステル酸無
水物）、エチレンビス（トリメリット酸モノエステル酸
無水物 ）、ビスフェノールＡビス（トリメリット酸モ
ノエステル酸無水物）及びそれらの類似物等が挙げられ
る。
る適当な酸二無水物は、ピロメリット酸二無水物、２，
３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、
３，３´，４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二
無水物、２，２´，３，３´−ビフェニルテトラカルボ
ン酸二無水物、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカ
ルボキシフェニル）プロパン二無水物、３，４，９，１
０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４
−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、１，１−
ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水
物、１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エ
タン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）
メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）エタン二無水物、オキシジフタル酸二無水物、ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、
ｐ−フェニレンビス（トリメリット酸モノエステル酸無
水物）、エチレンビス（トリメリット酸モノエステル酸
無水物 ）、ビスフェノールＡビス（トリメリット酸モ
ノエステル酸無水物）及びそれらの類似物等が挙げられ
る。
【００２１】これらのうち、本発明のポリイミドフィル
ムに用いられ得る最も適当な酸二無水物はピロメリット
酸二無水物とｐ−フェニレンビス（トリメリット酸モノ
エステル酸無水物）であり、これらの任意の割合の混合
物が好ましく用い得る。
ムに用いられ得る最も適当な酸二無水物はピロメリット
酸二無水物とｐ−フェニレンビス（トリメリット酸モノ
エステル酸無水物）であり、これらの任意の割合の混合
物が好ましく用い得る。
【００２２】本発明のポリイミドフィルムに用いられ得
る適当なジアミンは、４，４´−ジアミノジフェニルプ
ロパン、４，４´−ジアミノジフェニルメタン、ベンジ
ジン、３，３´−ジクロロベンジジン、４，４´−ジア
ミノジフェニルスルフィド、３，３´−ジアミノジフェ
ニルスルホン、４，４´−ジアミノジフェニルスルホ
ン、４，４´−ジアミノジフェニルエーテル、３，３´
−ジアミノジフェニルエーテル、３，４´−ジアミノジ
フェニルエーテル、１，５−ジアミノナフタレン、４，
４´−ジアミノジフェニルジエチルシラン、４，４´−
ジアミノジフェニルシラン、４，４´−ジアミノジフェ
ニルエチルホスフィンオキシド、４，４´−ジアミノジ
フェニルＮ−メチルアミン、４，４´−ジアミノジフェ
ニル Ｎ−フェニルアミン、１，４−ジアミノベンゼン
（ｐ−フェニレンジアミン）、１，３−ジアミノベンゼ
ン、１，２−ジアミノベンゼン、及びそれらの類似物等
が挙げられる。
る適当なジアミンは、４，４´−ジアミノジフェニルプ
ロパン、４，４´−ジアミノジフェニルメタン、ベンジ
ジン、３，３´−ジクロロベンジジン、４，４´−ジア
ミノジフェニルスルフィド、３，３´−ジアミノジフェ
ニルスルホン、４，４´−ジアミノジフェニルスルホ
ン、４，４´−ジアミノジフェニルエーテル、３，３´
−ジアミノジフェニルエーテル、３，４´−ジアミノジ
フェニルエーテル、１，５−ジアミノナフタレン、４，
４´−ジアミノジフェニルジエチルシラン、４，４´−
ジアミノジフェニルシラン、４，４´−ジアミノジフェ
ニルエチルホスフィンオキシド、４，４´−ジアミノジ
フェニルＮ−メチルアミン、４，４´−ジアミノジフェ
ニル Ｎ−フェニルアミン、１，４−ジアミノベンゼン
（ｐ−フェニレンジアミン）、１，３−ジアミノベンゼ
ン、１，２−ジアミノベンゼン、及びそれらの類似物等
が挙げられる。
【００２３】これらポリイミドフィルムに用いられるジ
アミンにおいて、４，４´−ジアミノジフェニルエーテ
ル及びｐ−フェニレンジアミンが特に好ましく、また、
両化合物をモル比で１００：０から０：１００、好まし
くは１００：０から１０：９０の割合で混合した混合物
が好ましく用い得る。
アミンにおいて、４，４´−ジアミノジフェニルエーテ
ル及びｐ−フェニレンジアミンが特に好ましく、また、
両化合物をモル比で１００：０から０：１００、好まし
くは１００：０から１０：９０の割合で混合した混合物
が好ましく用い得る。
【００２４】また、このポリイミドフィルムの前駆体で
あるポリアミド酸共重合体溶液に酸化防止剤、光安定
剤、難燃剤、帯電防止剤、熱安定剤、紫外線吸収剤、接
着促進剤、無機のフイラー類、その他各種の強化材や改
質剤を複合することも可能である。
あるポリアミド酸共重合体溶液に酸化防止剤、光安定
剤、難燃剤、帯電防止剤、熱安定剤、紫外線吸収剤、接
着促進剤、無機のフイラー類、その他各種の強化材や改
質剤を複合することも可能である。
【００２５】このポリアミド酸溶液から本発明のポリイ
ミド組成物を得るためには熱的に脱水する熱的方法、脱
水剤を用いる化学的方法のいずれを用いてもよいが、化
学的方法によると生成するポリイミド組成物の伸びや引
張強度等の機械特性がすぐれたものになるので好まし
い。また、化学的方法によるほうが、短時間でイミド化
することができる等利点がある。なお、熱的にイミド化
する方法と化学的にイミド化する方法を併用することも
可能である。
ミド組成物を得るためには熱的に脱水する熱的方法、脱
水剤を用いる化学的方法のいずれを用いてもよいが、化
学的方法によると生成するポリイミド組成物の伸びや引
張強度等の機械特性がすぐれたものになるので好まし
い。また、化学的方法によるほうが、短時間でイミド化
することができる等利点がある。なお、熱的にイミド化
する方法と化学的にイミド化する方法を併用することも
可能である。
【００２６】以下にポリイミドフィルムの作成方法につ
いての例を説明する。
いての例を説明する。
【００２７】上記ポリアミック酸重合体またはその溶液
に化学量論以上の脱水剤と触媒量の第３級アミンを加え
た溶液をドラム或はエンドレスベルト上に流延または塗
布して膜状とし、その膜を150℃以下の温度で約１〜90
分間乾燥し、自己支持性のポリアミック酸の膜を得る。
ついで、これを支持体より引き剥し端部を固定する。そ
の後約100〜500℃まで徐々に加熱することによりイミド
化し、冷却後これより取り外し本発明のポリイミドフィ
ルムを得る。
に化学量論以上の脱水剤と触媒量の第３級アミンを加え
た溶液をドラム或はエンドレスベルト上に流延または塗
布して膜状とし、その膜を150℃以下の温度で約１〜90
分間乾燥し、自己支持性のポリアミック酸の膜を得る。
ついで、これを支持体より引き剥し端部を固定する。そ
の後約100〜500℃まで徐々に加熱することによりイミド
化し、冷却後これより取り外し本発明のポリイミドフィ
ルムを得る。
【００２８】ここで言う脱水剤としては、例えば無水酢
酸等の脂肪族酸無水物、芳香族酸無水物などが挙げられ
る。脱水剤の添加量はポリアミド酸溶液中のポリアミド
酸に含まれるアミド結合１モルに対して１〜１０倍、好
ましくは１〜７倍量、より好ましくは２〜５倍量のモル
数を加えるのが好ましい。また触媒としては、例えばト
リエチルアミンなどの脂肪族第３級アミン類、ジメチル
アニリン等の芳香族第３級アミン類、ピリジン、ピコリ
ン、イソキノリン等の複素環式第３級アミン類などが挙
げられる。触媒の第３級アミン類の添加量は脱水剤のモ
ル数の１／２０〜１０倍量、好ましくは１／１５〜５倍
量、より好ましくは１／１０〜２倍量のモル数を加える
のが好ましい。
酸等の脂肪族酸無水物、芳香族酸無水物などが挙げられ
る。脱水剤の添加量はポリアミド酸溶液中のポリアミド
酸に含まれるアミド結合１モルに対して１〜１０倍、好
ましくは１〜７倍量、より好ましくは２〜５倍量のモル
数を加えるのが好ましい。また触媒としては、例えばト
リエチルアミンなどの脂肪族第３級アミン類、ジメチル
アニリン等の芳香族第３級アミン類、ピリジン、ピコリ
ン、イソキノリン等の複素環式第３級アミン類などが挙
げられる。触媒の第３級アミン類の添加量は脱水剤のモ
ル数の１／２０〜１０倍量、好ましくは１／１５〜５倍
量、より好ましくは１／１０〜２倍量のモル数を加える
のが好ましい。
【００２９】
【実施例】以下に本発明の好ましい態様を実施例で説明
するが、これらの実施例は本発明を説明するためのもの
であり、限定するためのものではない。当業者は、本発
明の範囲を逸脱することなく、種々の変更、修正、及び
改変を行い得る。
するが、これらの実施例は本発明を説明するためのもの
であり、限定するためのものではない。当業者は、本発
明の範囲を逸脱することなく、種々の変更、修正、及び
改変を行い得る。
【００３０】以下の比較例及び実施例において、以下の
略号を用いる。 PMDA：ピロメリット酸二無水物 TMHQ：P−フェニレンビス（トリメリット酸モノエステ
ル酸無水物） ODA：4，4´−ジアミノジフェニルエーテル P−PDA：パラフェニレンジアミン DMF：ジメチルホルムアミド AA：無水酢酸 IQ：イソキンリン （実施例１）芳香族テトラカルボン酸二無水物成分とし
てＰＭＤＡとＴＭＨＱを用い、ジアミン成分としてＯＤ
ＡとＰ−ＰＤＡの４種のモノマーを１／１／１／１のモ
ル比でＤＭＦ中で重合し、モノマー仕込濃度が、18重量
％となるようにして、ポリアミド酸のＤＭＦ溶液を作製
した。
略号を用いる。 PMDA：ピロメリット酸二無水物 TMHQ：P−フェニレンビス（トリメリット酸モノエステ
ル酸無水物） ODA：4，4´−ジアミノジフェニルエーテル P−PDA：パラフェニレンジアミン DMF：ジメチルホルムアミド AA：無水酢酸 IQ：イソキンリン （実施例１）芳香族テトラカルボン酸二無水物成分とし
てＰＭＤＡとＴＭＨＱを用い、ジアミン成分としてＯＤ
ＡとＰ−ＰＤＡの４種のモノマーを１／１／１／１のモ
ル比でＤＭＦ中で重合し、モノマー仕込濃度が、18重量
％となるようにして、ポリアミド酸のＤＭＦ溶液を作製
した。
【００３１】次に、このポリアミド酸溶液１００ｇに対
してＡＡ１７ｇ、ＩＱ４ｇの割合で混合し、ガラス板上
に流延塗布し、100℃で約5分間乾燥後、自己支持性を持
つ程度まで部分的にイミド化した塗膜をガラス板より剥
し、その塗膜を支持枠に固定し、その後２００℃で１分
間、３００℃で１分間加熱し、４００℃で１分間加熱
し、５００℃で１分間加熱し、脱水閉環乾燥し、厚み２
５μｍのポリイミドフィルムを作製した。
してＡＡ１７ｇ、ＩＱ４ｇの割合で混合し、ガラス板上
に流延塗布し、100℃で約5分間乾燥後、自己支持性を持
つ程度まで部分的にイミド化した塗膜をガラス板より剥
し、その塗膜を支持枠に固定し、その後２００℃で１分
間、３００℃で１分間加熱し、４００℃で１分間加熱
し、５００℃で１分間加熱し、脱水閉環乾燥し、厚み２
５μｍのポリイミドフィルムを作製した。
【００３２】得られたフィルムを相対湿度３０％、６０
％、９０％に調整した環境試験器に５日間放置した後、
ＫＳシステムズ社製分子配向計（ＭＯＡ−２０１２Ａ
型）を用い吸湿時の誘電率を測定した。ついで測定後の
それぞれのサンプルを１５０℃１０分間加熱乾燥し、乾
燥時の誘電率を測定し、乾燥時に対する吸湿時の誘電率
の比を次式より算出した。 （乾燥時に対する吸湿時の誘電率の比）＝Ａ／Ｂ Ａ：吸湿時の誘電率 Ｂ：乾燥時の誘電率 尚、測定に際しては環境の変化によるバラツキを最小限
にするために、環境試験器から取り出し後５分以内に測
定を完了した。本方法は、マイクロ波帯の周波数での誘
電率が測定可能であるが、測定値がフィルムの分子配向
の異方性の影響を受けて変動する。分子配向異方性の影
響を解消するために吸湿時と乾燥時で同一サンプルを同
一の方向で誘電率を測定し、その比を評価することで誘
電率の湿度による影響のみを評価した。
％、９０％に調整した環境試験器に５日間放置した後、
ＫＳシステムズ社製分子配向計（ＭＯＡ−２０１２Ａ
型）を用い吸湿時の誘電率を測定した。ついで測定後の
それぞれのサンプルを１５０℃１０分間加熱乾燥し、乾
燥時の誘電率を測定し、乾燥時に対する吸湿時の誘電率
の比を次式より算出した。 （乾燥時に対する吸湿時の誘電率の比）＝Ａ／Ｂ Ａ：吸湿時の誘電率 Ｂ：乾燥時の誘電率 尚、測定に際しては環境の変化によるバラツキを最小限
にするために、環境試験器から取り出し後５分以内に測
定を完了した。本方法は、マイクロ波帯の周波数での誘
電率が測定可能であるが、測定値がフィルムの分子配向
の異方性の影響を受けて変動する。分子配向異方性の影
響を解消するために吸湿時と乾燥時で同一サンプルを同
一の方向で誘電率を測定し、その比を評価することで誘
電率の湿度による影響のみを評価した。
【００３３】（比較例１）PMDA、ODA、P-PDAからなるポ
リイミドフィルム（厚み２５μｍ）を用い、実施例１と
同様の方法で、乾燥時に対する吸湿時の誘電率の比を算
出した。実施例１、比較例１の各相対湿度での算出結果
を表１に示す。
リイミドフィルム（厚み２５μｍ）を用い、実施例１と
同様の方法で、乾燥時に対する吸湿時の誘電率の比を算
出した。実施例１、比較例１の各相対湿度での算出結果
を表１に示す。
【００３４】
【表１】
【００３５】
【発明の効果】以上具体的例で示したように、本願発明
のポリイミドフィルムはマイクロ波帯の周波数での乾燥
時の誘電率に対する吸湿時の誘電率の比が小さく、即ち
周囲の湿度の変化によって誘電率が変化しにくい。この
ポリミドフィルムは電気特性に優れ、高周波電圧下で使
用することが出来、特に移動体通信やＩＣカードといっ
た高周波信号を伝送するプリント配線板用ベースフィル
ムに好適である。
のポリイミドフィルムはマイクロ波帯の周波数での乾燥
時の誘電率に対する吸湿時の誘電率の比が小さく、即ち
周囲の湿度の変化によって誘電率が変化しにくい。この
ポリミドフィルムは電気特性に優れ、高周波電圧下で使
用することが出来、特に移動体通信やＩＣカードといっ
た高周波信号を伝送するプリント配線板用ベースフィル
ムに好適である。
Claims (4)
- 【請求項１】 乾燥時の誘電率に対する、相対湿度３０
％の環境での飽和吸湿時の誘電率の比が１．０１以下で
あることを特徴とするポリイミドフィルム。 - 【請求項２】 乾燥時の誘電率に対する、相対湿度６０
％の環境での飽和吸湿時の誘電率の比が１．０４以下で
あることを特徴とするポリイミドフィルム。 - 【請求項３】 乾燥時の誘電率に対する、相対湿度９０
％の環境での飽和吸湿時の誘電率の比が１．０６以下で
あることを特徴とするポリイミドフィルム。 - 【請求項４】 誘電率がマイクロ波帯の周波数での誘電
率である、請求項１乃至請求項３に記載のポリイミドフ
ィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000024569A JP2001213977A (ja) | 2000-02-02 | 2000-02-02 | 電気特性の優れたポリイミドフィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000024569A JP2001213977A (ja) | 2000-02-02 | 2000-02-02 | 電気特性の優れたポリイミドフィルム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001213977A true JP2001213977A (ja) | 2001-08-07 |
Family
ID=18550534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000024569A Pending JP2001213977A (ja) | 2000-02-02 | 2000-02-02 | 電気特性の優れたポリイミドフィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001213977A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110117362A (zh) * | 2018-02-05 | 2019-08-13 | 中天电子材料有限公司 | 聚酰亚胺薄膜及其制备方法 |
-
2000
- 2000-02-02 JP JP2000024569A patent/JP2001213977A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110117362A (zh) * | 2018-02-05 | 2019-08-13 | 中天电子材料有限公司 | 聚酰亚胺薄膜及其制备方法 |
| CN110117362B (zh) * | 2018-02-05 | 2021-03-12 | 中天电子材料有限公司 | 聚酰亚胺薄膜及其制备方法 |
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