JP2001210788A

JP2001210788A - 半導体装置

Info

Publication number: JP2001210788A
Application number: JP2000014472A
Authority: JP
Inventors: Yasuhiro Kashiwazaki; 泰宏柏崎; Yoshio Fudeyasu; 吉雄筆保
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2000-01-24
Filing date: 2000-01-24
Publication date: 2001-08-03

Abstract

(57)【要約】【課題】複数の容量デバイス群のうち１つまたは複数
を選択することによって、容易に入力容量の調整ができ
る半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は複数の容量デバイス１４を
備えており、適切なＬＴヒューズ１５の切断により接続
する容量デバイス１４を選択する。このとき切断されな
かったＬＴヒューズ１５に接続された容量デバイス１４
のみが半導体装置に接続される。このようにして、容量
デバイスの選択が可能となる。これにより、同一チップ
で入力容量を調整できるが、容量デバイスを複数個置く
ことで、より詳細な入力容量の調整が可能になる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、入力容量の調整が
できる半導体装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体装置の入力容量の調整は、
チップの容量を測定し、その実測データにより改訂にて
合わせ込みをすることで行っていた。例えば、７２ＭＲ
ＤＲＡＭ（３）においては、ＰＡＤ容量の一部分を切り
離して合わせ込みを行い、入力容量の調整を行ってき
た。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】半導体装置において、
その動作高速化にしたがって、入力容量のスペックを満
たすことが難しくなってきているという問題がある。そ
れは、例えば、ＤＲＡＭをモジュールに組む場合、ノー
マルパッケージとミラーパッケージの２種類の実装がな
されるが、実装法の違いにより入力容量差が生じ、ミラ
ーパッケージとノーマルパッケージとで別チップを作ら
なければならなくなるという問題である。

【０００４】なお、入力容量の調整を行う技術に関連し
て、特開平７−１４６３３５号公報には、入力容量の校
正を自動的に行うＩＣテスタが開示されており、本出願
の発明と一部関連する技術として、特開昭６３−１００
８１８号公報には、ボンディングオプションにより、ト
ランジスタの能力を補正する半導体装置が開示されてお
り、さらに特開平６−１６２７９６号公報には、ＬＴヒ
ューズを作用させて、不良品セルと良品セルとを切り替
える半導体記憶装置が開示されている。しかしながら、
これらは本出願の新規性および進歩性を否定するもので
はない。

【０００５】また、半導体装置の製造におけるウエハプ
ロセスで、ピン間で入力容量のばらつきが生じ得る。そ
のため、ピン間の入力容量スキューのスペックが厳しく
なると、入力容量のスペックを満たさないものが増加す
るために、歩留まりが下がってしまうという問題もあ
る。

【０００６】本発明は、上記の問題を解決するためにな
されたものであり、複数の容量デバイス群のうち１つま
たは複数を選択することによって、容易に入力容量の調
整ができる半導体装置を得ることを目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の態様に係
る半導体装置は、データ入出力用のピンと、内部回路
と、ピンと内部回路とを接続する接続線と、２つの容量
デバイスと、この２つの容量デバイスのうち１つをボン
ディングオプションにより選択して接続線に接続させる
容量デバイス選択部とを備えたものである。

【０００８】本発明の第１の態様に係る半導体装置によ
れば、ボンディングオプションにより、２つの容量デバ
イスのうちいずれを半導体装置に接続するか選択するこ
とができる。これによって、パッケージの違いによる入
力容量差を同一チップで調整可能である。

【０００９】本発明の第２の態様に係る半導体装置は、
本発明の第１の態様に係る半導体装置において、容量デ
バイス選択部が、ボンディングオプションの代わりにＬ
Ｔヒューズを用いて、前記２つの容量デバイスのうち１
つを選択して前記接続線に接続させるものである。

【００１０】本発明の第２の態様に係る半導体装置によ
れば、２つのＬＴヒューズのいずれかを切断することに
より、２つの容量デバイスのうちいずれを半導体装置に
接続するかを選択することができる。これによって、パ
ッケージの違いによる入力容量差を同一チップで調整可
能である。

【００１１】本発明の第３の態様に係る半導体装置は、
本発明の第１の態様に係る半導体装置において、容量デ
バイス選択部が、ボンディングオプションの代わりに外
部レジスタを用いて、前記２つの容量デバイスのうち１
つを選択して前記接続線に接続させるものである。

【００１２】本発明の第３の態様に係る半導体装置によ
れば、２つの容量デバイスのうちいずれかを選択する容
量デバイス選択信号を発生させる外部レジスタにより、
いずれの容量デバイスを半導体装置に接続するかを選択
することができる。これによって、パッケージの違いに
よる入力容量差を同一チップで調整可能である。

【００１３】本発明の第４の態様に係る半導体装置は、
データ入出力用のピンと、内部回路と、ピンと内部回路
とを接続する接続線と、複数の容量デバイスと、この複
数の容量デバイスのうち１つまたは複数を選択して接続
線に接続させる容量デバイス選択部とを備えたものであ
る。

【００１４】本発明の第４の態様に係る半導体装置によ
れば、容量デバイス選択部により、いずれの容量デバイ
スを半導体装置に接続するかを選択することができる。
これによって、入力容量の調整が可能である。

【００１５】本発明の第５の態様に係る半導体装置は、
本発明の第４の態様に係る半導体装置において、容量デ
バイス選択部がＬＴヒューズで構成されたものである。

【００１６】本発明の第５の態様に係る半導体装置によ
れば、容量デバイス選択部がＬＴヒューズで構成されて
いるので、いずれかのＬＴヒューズを切断することによ
って、いずれの容量デバイスを半導体装置に接続するか
を選択することができる。これによって、入力容量の調
整が可能である。

【００１７】本発明の第６の態様に係る半導体装置は、
本発明の第４の態様に係る半導体装置において、容量デ
バイス選択部が電気ヒューズで構成されたものである。

【００１８】本発明の第６の態様に係る半導体装置によ
れば、容量デバイス選択部が電気ヒューズで構成されて
いるので、いずれかの電気ヒューズを切断することによ
って、いずれの容量デバイスを半導体装置に接続するか
を選択することができる。これによって、入力容量の調
整が可能である。

【００１９】本発明の第７の態様に係る半導体装置は、
本発明の第４の態様に係る半導体装置において、容量デ
バイス選択部がフラッシュメモリで構成されたものであ
る。

【００２０】本発明の第７の態様に係る半導体装置によ
れば、容量デバイス選択部がフラッシュメモリで構成さ
れているので、いずれのフラッシュメモリに電荷が蓄積
されているかいないかによって、いずれの容量デバイス
を半導体装置に接続するかを選択することができる。こ
れによって、入力容量の調整が可能である。

【００２１】

【発明の実施の形態】実施の形態１．以下、図面を参照
して本発明の実施の形態１を具体的に説明する。図１
は、本発明により入力容量の調整を行うＤＲＡＭの全体
図である。半導体装置への入力信号は、入力容量調整回
路Ａを通って周辺回路Ｂに入力される。周辺回路Ｂは入
力信号を認識し、メモリコアＣとデータの出入力を行
う。本発明は、半導体装置の信号入力部全般に適用可能
であり、ＤＲＡＭに限定するものではない。

【００２２】以下、ある１つの信号の入力部に注目して
説明する。図２において、１は信号を入力するパッド、
２はミラー容量デバイス（１．６ｐＦ）、３はノーマル
用容量デバイス（２．０ｐＦ）、４は容量デバイスを選
択する容量デバイス選択信号である。容量デバイス２、
３としては、図３に示すＰＮ接合部を利用した接合容量
があり、また、図４に示すＭＯＳＴｒのゲートと基板間
のＣＶ特性を利用した可変容量もあり、さらに、図５に
示すような、絶縁体７をポリシリコン電極６ではさむこ
とにより形成される容量等も考えられる。もちろん、当
業者が考え得るその他の容量デバイスでもよい。容量デ
バイスは必ずしも半導体装置内に配置する必要は無い
が、半導体装置内に容量デバイスを配置する場合、ワン
チップに機能が集約できるという効果がある。

【００２３】なお、この実施の形態１だけでなく、以下
の実施の形態２〜７においても、これらの容量デバイス
を使用してもよく、もちろん当業者が考え得るその他の
容量デバイスを使用してもよい。

【００２４】ここで、容量デバイスの選択について説明
する。２つの容量デバイスのどちらを選択するかは、容
量デバイス選択信号４で決定する。容量デバイス選択信
号４は、例えば図６に示すようなワイヤ８のボンディン
グオプションで切り替えて発生させる。容量デバイス選
択信号４をワイヤボンディングにより接地電位といった
論理Ｌレベルに接続すれば、図２に示すようにインバー
タ５を介して論理Ｈレベルがミラー用容量デバイス２に
伝わり、イネーブル（使用可能）となる。一方、このと
きノーマル用デバイス３には論理Ｌレベルが伝わり、デ
ィスエーブル（使用不可能）となる。したがって、容量
デバイス２が選択されることになる。また、容量デバイ
ス信号４を電源電位といった論理Ｈレベルにワイヤボン
ディングすれば、同様にして今度は容量デバイス３が選
択される。

【００２５】このようにして、容量デバイスの選択が可
能となる。ここでは、ワイヤボンディングにより容量デ
バイスを選択したが、ワイヤボンディングに限定され
ず、当業者が考え得るその他のスイッチング機能を有す
る素子等を利用してもよい。この発明により、ミラー／
ノーマルのパッケージの違いによる入力容量差を同一チ
ップで調整できるという利点があり、したがってミラー
パッケージとノーマルパッケージとで別チップを製造す
る必要性がないので、それに伴い製造装置の変更や調整
などの煩わしさがなくなるという利点がある。

【００２６】実施の形態２．以下、図面を参照して実施
の形態２について説明する。実施の形態２は、実施の形
態１のボンディングオプションの代わりに、図７におい
て図示されているようにＬＴヒューズ９、１０を用いた
ものである。

【００２７】ここで、容量デバイスの選択について説明
する。図７において、ＬＴヒューズ９、１０のどちらか
を切断することにより、容量デバイス選択信号４が発生
する。ＬＴヒューズ９を切断した場合、容量デバイス選
択信号４は論理Ｌレベルとなり、実施の形態１でも述べ
たようにミラー用デバイス２が選択される。それに対し
てＬＴヒューズ１０を切断した場合、容量デバイス選択
信号４は論理Ｈレベルとなり、ノーマル用容量デバイス
３が選択される。

【００２８】このようにして、容量デバイスの選択が可
能になる。これにより、ミラー／ノーマルのパッケージ
の違いによる入力容量差を同一チップで調整できるとい
う利点がある。ワイヤボンディングには、機械的な弱
さ、作業の微細さなどにより比較的信頼性が劣るという
点があるため、ＬＴヒューズを用いる場合、ワイヤボン
ディングを用いる場合に比べて信頼性が高いという利点
がある。なお、本発明では、ＬＴヒューズを用いてチッ
プ内の容量デバイスを切り替えて、チップの各ピンにお
いて、外部装置から見た入力容量を変化させている。

【００２９】実施の形態３．以下、図面を参照して実施
の形態３について説明する。実施の形態３は、実施の形
態１におけるボンディングオプションを図８において図
示されているように外部レジスタに置き換えたものであ
る。

【００３０】ここで、容量デバイスの選択について説明
する。実施の形態３において、図８に示すようなレジス
タを用いて容量デバイス選択信号４を発生させる。あら
かじめ外部からのレジスタ設定信号１２によりレジスタ
１１に容量デバイス選択信号４の論理レベルを記憶させ
ておくことにより、容量デバイスを選択する。例えば、
ＤＲＡＭのモジュールの場合、モジュール内のＤＲＡＭ
の特性を示すＳＰＤ(Serial Presence Detect)と呼ばれ
る外部レジスタが搭載されており、モジュール内に搭載
してある各ＤＲＡＭがミラー用であるかノーマル用であ
るかをあらかじめＳＰＤに記述しておき、それに基づい
て容量デバイス選択信号４を発生させることで、容量デ
バイスの選択ができる。

【００３１】このようにして、容量デバイスの選択が可
能となる。これにより、ミラー／ノーマルのパッケージ
の違いによる入力容量差を同一チップで調整できるとい
う利点がある。

【００３２】以上、実施の形態１、２、３では、ボンデ
ィングオプションにより、またはＬＴヒューズもしくは
外部レジスタを用いて容量デバイスを選択しているが、
これらに限定されるわけではなく、その他のスイッチン
グ機能を有する素子等、例えば電気ヒューズまたはフラ
ッシュメモリ等を用いて容量デバイスを選択してもよ
い。

【００３３】実施の形態４．以下、図面を参照して実施
の形態４について説明する。図９は、本発明による入力
容量の調整を行う実施の形態４の概略図である。図９に
おいて、１は信号を入力するパッド、１３は容量デバイ
ス選択部、１４は容量デバイス群である。容量デバイス
１４として、実施の形態１において説明したような容量
デバイスを使用してもよい。もちろん、それらだけに限
定されず、当業者が考え得るその他の容量デバイスを使
用してもよく、１種類だけでなくそれらの容量デバイス
を組み合わせて使用してもよい。このことは以下の実施
の形態５〜７においても同様である。

【００３４】ここで、容量デバイスの選択について説明
する。容量デバイス選択部１３は、複数の容量デバイス
１４のうち、いずれの容量デバイス１４を半導体装置に
接続するか、半導体装置から切断するかを選択する。こ
れにより、同一チップで入力容量が調整できるが、容量
デバイスを複数個置くことで、より詳細な入力容量の調
整が可能になるという利点がある。

【００３５】実施の形態５．以下、図面を参照して実施
の形態５について説明する。実施の形態５は、実施の形
態４における容量デバイス選択部１３として、ＬＴヒュ
ーズを用いる。図１０は、本発明による入力容量の調整
を行う実施の形態５の概略図である。

【００３６】ここで、容量デバイスの選択について説明
する。図１０において、適切なＬＴヒューズ１５を切断
することにより接続する容量デバイスを選択する。この
とき切断されなかったＬＴヒューズ１５に接続された容
量デバイスのみが半導体装置に接続される。このように
して、容量デバイスの選択が可能となる。これにより、
同一チップで入力容量を調整できるが、容量デバイスを
複数個置くことで、より詳細な入力容量の調整が可能に
なるという利点がある。

【００３７】実施の形態６．以下、図面を参照して実施
の形態６について説明する。実施の形態６は、実施の形
態４における容量デバイス選択部１３として、電気ヒュ
ーズ２２を用いる。図１１は、本発明による入力容量の
調整を行う実施の形態６の概略図である。

【００３８】ここで、容量デバイスの選択について説明
する。図１１において、ヒューズカットの制御信号１６
をイネーブル（使用可能）にしてトランジスタ１７を導
通させ、さらに入力信号パッド１の電位をＧＮＤに下げ
ることで電気ヒューズ２２を切断することができる。こ
のとき切断されなかった電気ヒューズ２２に接続された
容量デバイスのみが半導体装置に接続される。

【００３９】このようにして、容量デバイスの選択が可
能となる。これにより、同一チップで入力容量を調整で
きるが、容量デバイスを複数個置くことで、より詳細な
入力容量の調整が可能になるという利点がある。電気ヒ
ューズはチップ実装後でも切断可能であり、実装による
入力容量の変化も含めた調整が可能であるという利点も
ある。さらに、電気ヒューズを用いる場合、入力容量を
測定しながら調整することも可能であるという利点があ
る。

【００４０】実施の形態７．以下、図面を参照して実施
の形態７について説明する。実施の形態７は、実施の形
態４における容量デバイス選択部１３として、フラッシ
ュメモリ１８を用いる。図１２は、本発明による入力容
量の調整を行う実施の形態７の概略図である。

【００４１】ここで、容量デバイスの選択について説明
する。図１２において、フラッシュメモリ制御信号１９
を外部から与えトランジスタ２０を導通させると、フラ
ッシュメモリ１８には電子が注入されて電荷が蓄積す
る。また、入力信号パッド１に正のバイアスをかけると
フラッシュメモリ１８に蓄積した電子が引き抜かれ、電
荷が無くなる。複数個あるフラッシュメモリ１８のいず
れのフラッシュメモリに電荷が蓄積しているかどうか
で、いずれの容量デバイスを半導体装置に接続するかを
選択することができる。

【００４２】このようにして、容量デバイスの選択が可
能となる。これにより、同一チップで入力容量を調整で
きるが、容量デバイスを複数個置くことで、より詳細な
入力容量の調整が可能となるという利点がある。また、
フラッシュメモリは書き換えが可能なので、何度でも入
力容量の調整ができるという利点もある。さらにフラッ
シュメモリを用いる場合、入力容量を測定しながら調整
することも可能であるという利点がある。

【００４３】以上、実施の形態４〜７では、容量デバイ
ス選択部１３として、ＬＴヒューズ、電気ヒューズ、フ
ラッシュメモリを用いているが、これらだけに限定され
るわけではなく、当業者が考え得るその他のスイッチン
グ機能を有する素子等、例えば外部レジスタ等を用いて
もよい。

【００４４】

【発明の効果】本発明の第１の態様に係る半導体装置
は、データ入出力用のピンと、内部回路と、ピンと内部
回路とを接続する接続線と、２つの容量デバイスと、こ
の２つの容量デバイスのうち１つをボンディングオプシ
ョンにより選択して接続線に接続させる容量デバイス選
択部とを備えたものであるため、ボンディングオプショ
ンにより、２つの容量デバイスのいずれかを選択するこ
とが可能なので、入力容量を調整できるという効果を奏
する。

【００４５】本発明の第２の態様に係る半導体装置は、
本発明の第１の態様に係る半導体装置において、容量デ
バイス選択部が、ボンディングオプションの代わりにＬ
Ｔヒューズを用いて、前記２つの容量デバイスのうち１
つを選択して前記接続線に接続させるものであるため、
２つのＬＴヒューズのいずれかを切断することにより、
２つの容量デバイスのいずれかを選択することが可能な
ので、入力容量を調整できるという効果を奏する。ま
た、ＬＴヒューズを用いる場合、ワイヤーボンディング
を用いる場合と比べて信頼性が高いという効果も奏す
る。

【００４６】本発明の第３の態様に係る半導体装置は、
本発明の第１の態様に係る半導体装置において、容量デ
バイス選択部が、ボンディングオプションの代わりに外
部レジスタを用いて、前記２つの容量デバイスのうち１
つを選択して前記接続線に接続させるものであるため、
外部レジスタにより容量デバイス選択信号を発生させる
ことで、２つの容量デバイスのいずれかを選択すること
が可能なので、入力容量を調整できるという効果を奏す
る。

【００４７】本発明の第４の態様に係る半導体装置は、
データ入出力用のピンと、内部回路と、ピンと内部回路
とを接続する接続線と、複数の容量デバイスと、この複
数の容量デバイスのうち１つまたは複数を選択して接続
線に接続させる容量デバイス選択部とを備えているた
め、容量デバイス選択部により、容量デバイスの選択が
可能となるので、入力容量を調整できるという効果を奏
する。さらに、本発明の第４の態様に係る半導体装置
は、複数の容量デバイスを用いて調整を行っているの
で、より詳細な入力容量の調整が可能であるという効果
も奏する。

【００４８】本発明の第５の態様に係る半導体装置は、
本発明の第４の態様に係る半導体装置において、容量デ
バイス選択部がＬＴヒューズで構成されたものであるた
め、いずれかのＬＴヒューズを切断することにより、半
導体装置に接続する容量デバイスの選択が可能となるの
で、入力容量を調整できるという効果を奏する。さら
に、本発明の第４の態様に係る半導体装置と同様に、本
発明の第５の態様に係る半導体装置は、複数の容量デバ
イスを用いて調整を行っているので、より詳細な入力容
量の調整が可能であるという効果も奏する。

【００４９】本発明の第６の態様に係る半導体装置は、
本発明の第４の態様に係る半導体装置において、容量デ
バイス選択部が電気ヒューズで構成されたものであるた
め、いずれかの電気ヒューズを切断することにより、半
導体装置に接続する容量デバイスの選択が可能となるの
で、入力容量を調整できるという効果を奏する。さら
に、本発明の第４の態様、第５の態様に係る半導体装置
と同様に、本発明の第６の態様に係る半導体装置は、複
数の容量デバイスを用いて調整を行っているので、より
詳細な入力容量の調整が可能であるという効果も奏す
る。その上、本発明の第６の態様に係る半導体装置は、
電気ヒューズはチップ実装後でも切断可能であるために
実装による入力容量の変化も含めた調整が可能であると
いう効果も奏する。さらに、電気ヒューズを用いる場
合、入力容量を測定しながら調整可能であるという効果
も奏する。

【００５０】本発明の第７の態様に係る半導体装置は、
本発明の第４の態様に係る半導体装置において、容量デ
バイス選択部がフラッシュメモリで構成されたものであ
るため、いずれのフラッシュメモリに電荷が蓄積されて
いるかいないかによって、半導体装置に接続する容量デ
バイスの選択が可能となるので、入力容量を調整できる
という効果を奏する。さらに、本発明の第４の態様、第
５の態様、第６の態様に係る半導体装置と同様に、本発
明の第７の態様に係る半導体装置は、複数の容量デバイ
スを用いて調整を行っているので、より詳細な入力容量
の調整が可能であるという効果も奏する。また、フラッ
シュメモリは書き換えが可能なので何度でも入力容量の
調整が可能であるという効果も奏する。その上、フラッ
シュメモリを用いる場合、入力容量を測定しながら調整
できるという効果も奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明により入力容量の調整を行うＤＲＡＭ
の全体図である。

【図２】本発明の実施の形態１における半導体装置の
１つの信号入力部の説明図である。

【図３】図２の容量デバイスとして使用される、ＰＮ
接合部を利用した接合容量の断面図である。

【図４】図２の容量デバイスとして使用される、ＭＯ
ＳＴｒのゲートと基板間のＣＶ特性を利用した可変容量
の断面図である。

【図５】図２の容量デバイスとして使用される、絶縁
体をポリシリコンではさむ容量の断面図である。

【図６】容量デバイス選択信号の発生方法を説明する
説明図である。

【図７】容量デバイス選択信号の発生方法を説明する
説明図である。

【図８】容量デバイス選択信号の発生方法を説明する
説明図である。

【図９】本発明による入力容量の調整を行う実施態様
の概略図である。

【図１０】本発明による入力容量の調整を行う実施態
様の概略図である。

【図１１】本発明による入力容量の調整を行う実施態
様の概略図である。

【図１２】本発明による入力容量の調整を行う実施態
様の概略図である。

【符号の説明】

１入力信号パッド、２容量デバイス、３容量
デバイス、４容量デバイス選択信号、５インバ
ータ、６ポリシリコン電極、７絶縁体、８
ワイヤ、９ＬＴヒューズ、１０ＬＴヒューズ、
１１レジスタ、１２外部からのレジスタ設定信
号、１３容量デバイス選択部、１４容量デバイ
ス、１５ＬＴヒューズ、１６ヒューズカットの
制御信号、１７スイッチングトランジスタ、１８
フラッシュメモリ、１９フラッシュメモリ制御信
号、２０スイッチングトランジスタ、２１絶縁
膜、２２電気ヒューズ、Ａ入力容量調整回路、
Ｂ周辺回路、Ｃメモリコア。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5F038 AV15 BH12 CA07 DF01 DF05 DF17 EZ20 5F064 BB12 BB14 CC23 DD25 DD33 FF26 FF36

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】データ入出力用のピンと、内部回路と、前記ピンと前記内部回路とを接続する接続線と、２つの容量デバイスと、前記２つの容量デバイスのうち１つをボンディングオプ
ションにより選択して前記接続線に接続させる容量デバ
イス選択部とを備えた半導体装置。
【請求項２】容量デバイス選択部が、ボンディングオ
プションの代わりにＬＴヒューズを用いて、前記２つの
容量デバイスのうち１つを選択して前記接続線に接続さ
せることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】容量デバイス選択部が、ボンディングオ
プションの代わりに外部レジスタを用いて、前記２つの
容量デバイスのうち１つを選択して前記接続線に接続さ
せることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】データ入出力用のピンと、内部回路と、前記ピンと前記内部回路とを接続する接続線と、複数の容量デバイスと、前記複数の容量デバイスのうち１つまたは複数を選択し
て前記接続線に接続させる容量デバイス選択部とを備え
た半導体装置。
【請求項５】容量デバイス選択部がＬＴヒューズで構
成された請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】容量デバイス選択部が電気ヒューズで構
成された請求項４に記載の半導体装置。
【請求項７】容量デバイス選択部がフラッシュメモリ
で構成された請求項４に記載の半導体装置。