JP2001208631A - 差圧測定装置 - Google Patents

差圧測定装置

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JP2001208631A
JP2001208631A JP2000018779A JP2000018779A JP2001208631A JP 2001208631 A JP2001208631 A JP 2001208631A JP 2000018779 A JP2000018779 A JP 2000018779A JP 2000018779 A JP2000018779 A JP 2000018779A JP 2001208631 A JP2001208631 A JP 2001208631A
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JP
Japan
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welding
differential pressure
seal
pressure measuring
measuring device
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JP2000018779A
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English (en)
Inventor
Shinichi Mimura
慎一 三村
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Yokogawa Electric Corp
Original Assignee
Yokogawa Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 構造が簡潔になり、部品点数が削減出来て、
製造コストが低減出来、安価に出来る差圧測定装置を提
供する。 【解決手段】 ブロック状の受圧部に一方の面の周縁部
が溶接固定されるシールダイアフラムを具備する差圧測
定装置において、前記シールダイアフラムの前記一方の
面の周縁を前記受圧部にリング状に所定の断続的な短時
間電気パルスにより溶接形成された抵抗溶接部を具備し
たことを特徴とする差圧測定装置である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、構造が簡潔にな
り、部品点数が削減出来て、製造コストが低減出来、安
価に出来る差圧測定装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図9は、従来より一般に使用されている
従来例の構成説明図で、例えば、実開昭60―1816
42号に示されている。
【0003】図において、1はハウジングで、円柱状の
首部1Aと、首部1Aの端部外周縁部1Cにおいて溶接
接続されたブロック状の受圧部1Bとよりなる。首部1
Aと受圧部1Bとは、この場合は、ステンレス材よりな
る。
【0004】ハウジング1の両側に高圧側カバーフラン
ジ2、低圧側カバーフランジ3が溶接等によって固定さ
れており、両カバーフランジ2,3には測定せんとする
圧力PH の高圧流体の導入口4、圧力PLの低圧流体の
導入口5が設けられている。
【0005】ハウジング1内に圧力測定室6が形成され
ており、この圧力測定室6内にセンタダイアフラム7と
シリコンダイアフラム8が設けられている。
【0006】センタダイアフラム7とシリコンダイアフ
ラム8とは、それぞれ別個に圧力測定室6の壁に固定さ
れており、センタダイアフラム7とシリコンダイアフラ
ム8の両者でもって圧力測定室6を2分している。
【0007】センタダイアフラム7と対向する圧力測定
室6の壁には、バックプレ―ト6A,6Bが形成されて
いる。センタダイアフラム7は周縁部をハウジング1に
溶接されている。
【0008】シリコンダイアフラム8は、全体が単結晶
のシリコン基板から形成されている。シリコン基板の一
方の面にボロン等の不純物を選択拡散して4っのストレ
ンゲ―ジ80を形成し、他方の面を機械加工、エッチン
グし、全体が凹形のダイアフラムを形成する。
【0009】4っのストレインゲ―ジ80は、シリコン
ダイアフラム8が差圧ΔPを受けて撓む時、2つが引張
り、2つが圧縮を受けるようになっており、これらがホ
イ―トストン・ブリッジ回路に接続され、抵抗変化が差
圧ΔPの変化として検出される。
【0010】シリコンダイアフラム8は、首部1Aを2
個のセンサ室81,82に分ける。支持体9の圧力測定
室6側端面に、低融点ガラス接続等の方法でシリコンダ
イアフラム8が接着固定されている。
【0011】ハウジング1と高圧側カバーフランジ2、
および低圧側カバーフランジ3との間に、圧力導入室1
0,11が形成されている。この圧力導入室10,11
内にシールダイアフラム12,13を設け、このシール
ダイアフラム12,13と対向するハウジング1の壁1
0A,11Aに、シールダイアフラム12,13と類似
の形状のバックプレ―トが形成されている。
【0012】シールダイアフラム12,13は、受圧部
1Bに、シールリング121,131により周縁部が溶
接されている。この場合は、シールダイアフラム12,
13と、シールリング121,131とはステンレス材
よりなる。
【0013】シールダイアフラム12,13とバックプ
レ―ト10A,11Aとで形成される空間と圧力測定室
6とは、連通孔14,15を介して導通している。
【0014】そして、シールダイアフラム12,13間
にシリコンオイル等の封入液101,102が満たさ
れ、この封入液が連通孔16,17を介してシリコンダ
イアフラム8の上下面にまで至っている。
【0015】封入液101,102は、センタダイアフ
ラム7とシリコンダイアフラム8とによって2分されて
いるが、その量が、ほぼ均等になるように配慮されてい
る。18は、受圧部1Bとカバーフランジ2,3との間
に設けられたガスケットで、この場合は、Oリングが使
用されている。
【0016】以上の構成において、高圧側から圧力が作
用した場合、シールダイアフラム12に作用する圧力
が、封入液101によってシリコンダイアフラム8に伝
達される。一方、低圧側から圧力が作用した場合、シー
ルダイアフラム13に作用する圧力が封入液102によ
ってシリコンダイアフラム8に伝達される。
【0017】この結果、高圧側と低圧側との圧力差に応
じてシリコンダイアフラム8が歪む。この歪み量がスト
レインゲ―ジ80によって電気的に取出され、差圧の測
定が行なわれる。
【0018】図10は従来より一般に使用されている他
の従来例の構成説明図で、測定流体が高腐蝕性流体の場
合に使用される。
【0019】測定流体が高腐蝕性流体の場合は、シール
ダイアフラム12,13とシールリング121,131
とは、高耐腐蝕性材、例えば、タンタル、ハステロイ、
モネル材等が使用される。
【0020】この場合、タンタル、ハステロイ、モネル
材等からなるシールダイアフラム12,13は、ステン
レスよりなる受圧部1Bに溶接固定され難いので、例え
ば、ニッケルよりなる間材リング21,22を介して溶
接固定される。
【0021】図10に示す如く、シールリング121,
131とシールダイアフラム12,13との間には、溶
接部Dが設けられている。この場合は、電子ビーム溶接
がされている。
【0022】シールダイアフラム12,13と間材リン
グ21,22との間には、溶接部Eが設けられている。
この場合は、電子ビーム溶接がされている。間材リング
21,22と受圧部1Bとの間には、溶接部Fが設けら
れている。この場合は、Tig溶接がされている。
【0023】以上の構成において、シールリング12
1,131、シールダイアフラム12,13、間材リン
グ21,22と受圧部1Bとの溶接組立ては、以下の順
序にて行われる。
【0024】(1)シールリング121,131とシー
ルダイアフラム12,13とを電子ビーム溶接Dする。 (2)シールダイアフラム12,13と間材リング2
1,22とを電子ビーム溶接Eする。 (3)間材リング21,22と受圧部1BとをTig溶
接Fする。
【0025】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この様
な差圧測定装置においては、 (1)通常の測定流体に使用される図9従来例におい
て、溶接部が測定流体FLoに露出するので、溶接部か
ら腐食する恐れがある。
【0026】(2)また、高腐食性の測定流体FLoに
使用される図10従来例においては、耐食性等の観点か
ら、接液表面が、高耐腐食性材からなるシールダイアフ
ラム12,13の材質そのものであることが要求され,
接液表面に溶接合金部が出ることは許されない。
【0027】このために、 構造が複雑化し、構成部品点数が多くなり、製造コス
トが高くなる。 TIG溶接,電子ビーム溶接では、溶接の溶けこみ量
が多いことにより、溶融金属の偏析により、溶接欠陥が
発生するため,高耐腐食性材のダイアフラム12,13
とステンレスの受圧部1Bを直接接合することができな
い。
【0028】従って、例えば、ニッケルよりなる間材リ
ング21,22を間に介して、接合しなければならな
い。また、TIG,電子ビームで直接接合できたとして
も、溶融合金部が大きく、接液表面に出てしまい耐食性
が悪くなり、やはり、直接接合はできない。
【0029】また、従来のシーム溶接で、シールダイア
フラム12,13とステンレスよりなる受圧部1Bを直
接溶接すると,溶融合金部が大きく、接液表面まで合金
部が出てしまい、耐食性に問題があった。
【0030】本発明の目的は、上記の課題を解決するも
ので、構造が簡潔になり、部品点数が削減出来て、製造
コストが低減出来、安価に出来る差圧測定装置を提供す
ることにある。
【0031】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明では、請求項1の差圧測定装置におい
ては、ブロック状の受圧部に一方の面の周縁部が溶接固
定されるシールダイアフラムを具備する差圧測定装置に
おいて、前記シールダイアフラムの前記一方の面の周縁
を前記受圧部にリング状に所定の断続的な短時間電気パ
ルスにより溶接形成された抵抗溶接部を具備したことを
特徴とする。
【0032】本発明の請求項2においては、請求項1記
載の差圧測定装置において、前記抵抗溶接としてシーム
溶接が使用されたことを特徴とする。
【0033】本発明の請求項3においては、請求項1又
は請求項2記載の差圧測定装置において、前記シールダ
イアフラムに接する面を所定の面租度にされたシーム溶
接機のシールダイアフラム側電極を使用して形成された
シーム溶接部を具備したことを特徴とする。
【0034】本発明の請求項4においては、請求項1乃
至請求項3の何れかに記載の差圧測定装置において、前
記シールダイアフラムとして、高耐腐食性材が使用され
たことを特徴とする。
【0035】
【発明の実施の形態】以下図面を用いて本発明を詳しく
説明する。図1は本発明の一実施例の要部構成説明図、
図2は図1の要部詳細説明図、図3は図1の動作説明図
である。
【0036】図において、図9,図10と同一記号の構
成は同一機能を表す。以下、図9,図10と相違部分の
み説明する。
【0037】抵抗溶接部31は、シールダイアフラム1
2,13の一方の面の周縁を、受圧部1Bにリング状に,
所定の断続的な短時間電気パルスにより溶接形成されて
いる。この場合は、抵抗溶接としてシーム溶接が使用さ
れている。なお、シールダイアフラム12,13は高耐
腐食性材が使用されている。
【0038】以上の構成において、図2における周方向
断面Gを図3に示す。図3に示す如く、抵抗溶接部31
を小さくすることにより、接液表面から抵抗溶接部31
までの距離Lを長くすることが出来る。
【0039】図3の下欄に、抵抗溶接部31に対応する
電気パルスによる溶接条件を示す。この場合の溶接条件
は、通電時間tを1msと短く,通電ピッチPも16m
sと短くされている。なお、図3の下欄の横軸は時間
T、縦軸は電力Wを示す。
【0040】この結果、 (1)抵抗溶接部31が測定流体に露出しないように出
来るので、抵抗溶接部31から腐食する恐れが無く、信
頼性が向上された差圧測定装置が得られる。
【0041】(2)シーム溶接を採用すれば、ほとんど
連続的な溶接部31が得られるので、更に信頼性が向上
された差圧測定装置が得られる。
【0042】(3)測定流体FLoに直接に接液するシ
ールダイアフラム12,13が、高耐腐食性材が使用さ
れ、且つ、受圧部1Bにシールダイアフラムが直接接合
出来るようにした。この結果、高耐腐食性を確保するた
めの、構造を簡潔に出来、部品点数が削減出来て、製造
コストが低減出来、安価に出来る差圧測定装置が得られ
る。
【0043】図4は本発明の他の実施例の要部構成説明
図である。図1実施例において、シーム溶接でシールダ
イアフラム12,13とステンレスからなる受圧部1B
を直接溶接すると,溶接界面から接液表面に局所的な溶
けこみ311が発生することがある。
【0044】これでは、接液表面まで抵抗溶接部31が
出てしまい、耐食性に問題が発生する。図5に表面散り
311の無いシーム溶接の断面図を示し、図6に表面散
り311の有るシーム溶接の断面図を示す。
【0045】図4において、シーム溶接部41は、シー
ルダイアフラム12,13に接する面を所定の面租度に
されたシーム溶接機のシールダイアフラム側電極Hを使
用して形成されている。なお、Kはシーム溶接機の受圧
部側電極である。
【0046】以上の構成において、図7は図4の要部詳
細図、図8は図7の周方向断面Jの図である。図7,図
8において、この場合は、シーム溶接機のシールダイア
フラム側電極Hのシールダイアフラム12,13に接す
る接触部表面粗さを2S以下として、通常の旋削加工電
極に比べて面租度が向上されている。
【0047】これにより、ダイアフラム側電極H−シー
ルダイアフラム12,13表面間の接触抵抗を小さく
し、接触面内の接触抵抗のかたよりを防ぎ、ダイアフラ
ム側電極H−シールダイアフラム12,13表面間での
溶融を抑えることにより、溶接界面から接液表面に向け
て局所的に溶ける表面散り311を防止している。
【0048】この結果、シーム溶接機のシールダイアフ
ラム側電極Hとシールダイアフラム12,13表面間の
接触抵抗を小さくし、接触面内の接触抵抗のかたよりを
防ぎ、電極Hとシールダイアフラム12,13表面間で
の溶融を抑えることにより、溶接界面から接液表面に向
けて局所的に溶ける表面散り311を防止するようにし
た。
【0049】従って、シーム溶接部41から腐食する恐
れが無く、信頼性が更に向上された差圧測定装置が得ら
れる。
【0050】なお、以上の説明は、本発明の説明および
例示を目的として特定の好適な実施例を示したに過ぎな
い。したがって本発明は、上記実施例に限定されること
なく、その本質から逸脱しない範囲で更に多くの変更、
変形をも含むものである。
【0051】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項1
によれば、次のような効果がある。抵抗溶接部が測定流
体に露出しないように出来るので、抵抗溶接部から腐食
する恐れが無く、信頼性が向上された差圧測定装置が得
られる。
【0052】本発明の請求項2によれば、次のような効
果がある。シーム溶接を採用すれば、ほとんど連続的な
溶接部が得られるので、更に信頼性が向上された差圧測
定装置が得られる。
【0053】本発明の請求項3によれば、次のような効
果がある。シーム溶接機のシールダイアフラム側電極と
シールダイアフラム表面間の接触抵抗を小さくし、接触
面内の接触抵抗のかたよりを防ぎ、電極とシールダイア
フラム表面間での溶融を抑えることにより、溶接界面か
ら接液表面に向けて局所的に溶ける表面散りを防止する
ようにした。
【0054】この結果、抵抗溶接部から腐食する恐れが
無く、信頼性が更に向上された差圧測定装置が得られ
る。
【0055】本発明の請求項4によれば、次のような効
果がある。測定流体に直接に接液するシールダイアフラ
ムが、高耐腐食性材が使用され、且つ、受圧部にシール
ダイアフラムが直接接合出来るようにした。この結果、
高耐腐食性を確保するための、構造を簡潔に出来、部品
点数が削減出来て、製造コストが低減出来、安価に出来
る差圧測定装置が得られる。
【0056】従って、本発明によれば、構造が簡潔にな
り、部品点数が削減出来て、製造コストが低減出来、安
価に出来る差圧測定装置を実現することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の要部構成説明図である。
【図2】図1の要部詳細説明図である。
【図3】図1の動作説明図である。
【図4】本発明の他の実施例の要部構成説明図である。
【図5】表面散りの無いシーム溶接の断面図である。
【図6】表面散りの有るシーム溶接の断面図である。
【図7】図4の要部詳細説明図である。
【図8】図4の動作説明図である。
【図9】従来より一般に使用されている従来例の要部構
成説明図である。
【図10】従来より一般に使用されている他の従来例の
要部構成説明図である。
【符号の説明】
1B 受圧部 2 高圧側カバーフランジ 3 低圧側カバーフランジ 12 シールダイアフラム 121 シールリング 13 シールダイアフラム 131 シールリング 18 Oリング 21 間材リング 22 間材リング 31 抵抗溶接部 311 表面散り 41 シーム溶接部 D 電子ビーム溶接 E 電子ビーム溶接 F Tig溶接 G 周方向断面 H シーム溶接機のシールダイアフラム側電極 J 周方向断面 K シーム溶接機の受圧部側電極 L 距離 P 通電ピッチ T 時間 t 通電時間 W 電力

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ブロック状の受圧部に一方の面の周縁部が
    溶接固定されるシールダイアフラムを具備する差圧測定
    装置において、 前記シールダイアフラムの前記一方の面の周縁を前記受
    圧部にリング状に所定の断続的な短時間電気パルスによ
    り溶接形成された抵抗溶接部を具備したことを特徴とす
    る差圧測定装置。
  2. 【請求項2】前記抵抗溶接としてシーム溶接が使用され
    たことを特徴とする請求項1記載の差圧測定装置。
  3. 【請求項3】前記シールダイアフラムに接する面を所定
    の面租度にされたシーム溶接機のシールダイアフラム側
    電極を使用して形成されたシーム溶接部を具備したこと
    を特徴とする請求項1又は請求項2記載の差圧測定装
    置。
  4. 【請求項4】前記シールダイアフラムとして、高耐腐食
    性材が使用されたことを特徴とする請求項1乃至請求項3
    の何れかに記載の差圧測定装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012503179A (ja) * 2008-09-17 2012-02-02 ピー・アイ・コンポーネンツ・コーポレーション ダイヤフラム構造およびダイヤフラム構造を製造する方法
JP2012184757A (ja) * 2011-03-08 2012-09-27 Denso Corp ダンパ装置およびこれを備えた高圧ポンプ

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