JP2001205099A - 光触媒及びその製造方法、光触媒装置 - Google Patents
光触媒及びその製造方法、光触媒装置Info
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Landscapes
- Exhaust Gas Treatment By Means Of Catalyst (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のチタニアを用いた光触媒は、ただ単に
アナターゼ型のチタニア微粒子をスプレーコート又はス
ピンコートもしくはバインダーにより、基板上に２次元
的に定着させ、平板化しているだけなので、太陽光等の
吸収面積が非常に小さく、十分な光触媒効果を発揮する
ことができなかった。また、チタニアを用いた光触媒
は、チタニアが吸収する光の波長が４００ｎｍ以下の主
として紫外線であったため、光の吸収効率が悪く、光触
媒としての機能を十分に発揮できなかった。 【解決手段】 二酸化チタン（ＴｉＯ２）を用いた光触
媒において、該二酸化チタンは、空孔率が５〜９０％で
ある多孔質のチタン（Ｔｉ）合金を焼結することにより
酸化して形成したアナターゼ型の二酸化チタンであるこ
とを特徴とする光触媒。
アナターゼ型のチタニア微粒子をスプレーコート又はス
ピンコートもしくはバインダーにより、基板上に２次元
的に定着させ、平板化しているだけなので、太陽光等の
吸収面積が非常に小さく、十分な光触媒効果を発揮する
ことができなかった。また、チタニアを用いた光触媒
は、チタニアが吸収する光の波長が４００ｎｍ以下の主
として紫外線であったため、光の吸収効率が悪く、光触
媒としての機能を十分に発揮できなかった。 【解決手段】 二酸化チタン（ＴｉＯ２）を用いた光触
媒において、該二酸化チタンは、空孔率が５〜９０％で
ある多孔質のチタン（Ｔｉ）合金を焼結することにより
酸化して形成したアナターゼ型の二酸化チタンであるこ
とを特徴とする光触媒。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は二酸化チタンを用い
た光触媒及びその製造方法に関する。
た光触媒及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、太陽光等の光により有機物を
分解、脱臭する機能または、超親水性機能を機能を有す
る触媒としてチタニア（二酸化シリコン）を用いた光触
媒が注目されている（ＮＩＫＫＥＩ ＭＥＣＨＡＮＩＣ
ＡＬ １９９８．４ ｎｏ．５２３）。
分解、脱臭する機能または、超親水性機能を機能を有す
る触媒としてチタニア（二酸化シリコン）を用いた光触
媒が注目されている（ＮＩＫＫＥＩ ＭＥＣＨＡＮＩＣ
ＡＬ １９９８．４ ｎｏ．５２３）。
【０００３】このチタニア（二酸化チタン）を用いた光
触媒は、アナターゼ型のチタニア微粒子をスプレーコー
ト又はスピンコートもしくはバインダー（光触媒の分解
機能の影響を受けないシリカや水ガラスのような無機
系、あるいは分解機能に耐えるシロキサン結合を持った
シリコーンなどの有機系のバインダー）により、基板上
に定着させている。
触媒は、アナターゼ型のチタニア微粒子をスプレーコー
ト又はスピンコートもしくはバインダー（光触媒の分解
機能の影響を受けないシリカや水ガラスのような無機
系、あるいは分解機能に耐えるシロキサン結合を持った
シリコーンなどの有機系のバインダー）により、基板上
に定着させている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
チタニアを用いた光触媒は、ただ単にアナターゼ型のチ
タニア微粒子をスプレーコート又はスピンコートもしく
はバインダーにより、基板上に２次元的に定着させ、平
板化しているだけなので、太陽光等の吸収面積が非常に
小さく、十分な光触媒効果を発揮することができなかっ
た。また、チタニアを用いた光触媒は、チタニアが吸収
する光の波長が４００ｎｍ以下の主として紫外線であっ
たため、光の吸収効率が悪く、光触媒としての機能を十
分に発揮できなかった。
チタニアを用いた光触媒は、ただ単にアナターゼ型のチ
タニア微粒子をスプレーコート又はスピンコートもしく
はバインダーにより、基板上に２次元的に定着させ、平
板化しているだけなので、太陽光等の吸収面積が非常に
小さく、十分な光触媒効果を発揮することができなかっ
た。また、チタニアを用いた光触媒は、チタニアが吸収
する光の波長が４００ｎｍ以下の主として紫外線であっ
たため、光の吸収効率が悪く、光触媒としての機能を十
分に発揮できなかった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の光触媒は、二酸
化チタン（ＴｉＯ２）を用いた光触媒において、該二酸
化チタンは、空孔率が５〜９０％である多孔質のチタン
（Ｔｉ）合金を焼結することにより酸化して形成したア
ナターゼ型の二酸化チタンであることを特徴とする。
化チタン（ＴｉＯ２）を用いた光触媒において、該二酸
化チタンは、空孔率が５〜９０％である多孔質のチタン
（Ｔｉ）合金を焼結することにより酸化して形成したア
ナターゼ型の二酸化チタンであることを特徴とする。
【０００６】前記チタン合金にはＣｒまたはＶなどの金
属の不純物が含有させていることを特徴とする。
属の不純物が含有させていることを特徴とする。
【０００７】前記チタン合金には０．１〜２．０μｍｏ
ｌ／ｇのＣｒまたはＶの不純物が含有させていることを
特徴とする。
ｌ／ｇのＣｒまたはＶの不純物が含有させていることを
特徴とする。
【０００８】前記多孔質のチタン合金の表面のみがアナ
ターゼ型の二酸化チタンに酸化されてなることを特徴と
する。
ターゼ型の二酸化チタンに酸化されてなることを特徴と
する。
【０００９】二酸化チタン（ＴｉＯ２）を用いた光触媒
において、該二酸化チタンは、繊維状のチタン（Ｔｉ）
をメッシュ状にした織物を焼結することにより酸化して
形成したアナターゼ型の二酸化チタンであることを特徴
とする。
において、該二酸化チタンは、繊維状のチタン（Ｔｉ）
をメッシュ状にした織物を焼結することにより酸化して
形成したアナターゼ型の二酸化チタンであることを特徴
とする。
【００１０】前記チタン繊維にはＣｒまたはＶなどの金
属の不純物が含有させていることを特徴とする。
属の不純物が含有させていることを特徴とする。
【００１１】前記チタン繊維には０．１〜２．０μｍｏ
ｌ／ｇのＣｒまたはＶの不純物が含有させていることを
特徴とする。
ｌ／ｇのＣｒまたはＶの不純物が含有させていることを
特徴とする。
【００１２】前記チタン繊維は表面のみがアナターゼ型
の二酸化チタンに酸化されてなることを特徴とする。
の二酸化チタンに酸化されてなることを特徴とする。
【００１３】また、本発明の光触媒装置は、二酸化チタ
ン（ＴｉＯ２）に光を当てることにより有機物や細菌等
を分解する光触媒装置において、該二酸化チタンは、空
孔率が５〜９０％である多孔質のチタン（Ｔｉ）合金を
焼結することにより酸化して形成したアナターゼ型の二
酸化チタンであることを特徴とする。
ン（ＴｉＯ２）に光を当てることにより有機物や細菌等
を分解する光触媒装置において、該二酸化チタンは、空
孔率が５〜９０％である多孔質のチタン（Ｔｉ）合金を
焼結することにより酸化して形成したアナターゼ型の二
酸化チタンであることを特徴とする。
【００１４】また、本発明の光触媒装置は、二酸化チタ
ン（ＴｉＯ２）に光を当てることにより有機物や細菌等
を分解する光触媒装置において、該二酸化チタンは、繊
維状のチタン（Ｔｉ）をメッシュ状にした織物を焼結す
ることにより酸化して形成したアナターゼ型の二酸化チ
タンであることを特徴とする。
ン（ＴｉＯ２）に光を当てることにより有機物や細菌等
を分解する光触媒装置において、該二酸化チタンは、繊
維状のチタン（Ｔｉ）をメッシュ状にした織物を焼結す
ることにより酸化して形成したアナターゼ型の二酸化チ
タンであることを特徴とする。
【００１５】さらに、本発明の二酸化チタンを用いた光
触媒または光触媒装置の製造方法は、該二酸化チタン
は、空孔率が５〜９０％である多孔質のチタン（Ｔｉ）
合金を９００℃以下で焼結することにより酸化して形成
したアナターゼ型の二酸化チタンであることを特徴とす
る。
触媒または光触媒装置の製造方法は、該二酸化チタン
は、空孔率が５〜９０％である多孔質のチタン（Ｔｉ）
合金を９００℃以下で焼結することにより酸化して形成
したアナターゼ型の二酸化チタンであることを特徴とす
る。
【００１６】また、本発明の二酸化チタン（ＴｉＯ２）
を用いた光触媒または光触媒装置の製造方法は、該二酸
化チタンはチタン繊維を９００℃以下で焼結することに
より酸化して形成したアナターゼ型の二酸化チタンの繊
維であることを特徴とする二酸化チタンを用いた光触媒
または光触媒装置の製造方法。
を用いた光触媒または光触媒装置の製造方法は、該二酸
化チタンはチタン繊維を９００℃以下で焼結することに
より酸化して形成したアナターゼ型の二酸化チタンの繊
維であることを特徴とする二酸化チタンを用いた光触媒
または光触媒装置の製造方法。
【００１７】また、本発明の二酸化チタンからなる光触
媒の製造方法は、チタン微粉末に、樹脂バインダーを添
加・混練し、原料コンパウンドを形成する工程、前記樹
脂バインダーを除去するための工程、該脱バインダーさ
れたチタン（Ｔｉ）の微粉末を非酸素雰囲気中で１２０
０〜１３５０℃で焼結する工程とを有することを特徴と
する。
媒の製造方法は、チタン微粉末に、樹脂バインダーを添
加・混練し、原料コンパウンドを形成する工程、前記樹
脂バインダーを除去するための工程、該脱バインダーさ
れたチタン（Ｔｉ）の微粉末を非酸素雰囲気中で１２０
０〜１３５０℃で焼結する工程とを有することを特徴と
する。
【００１８】前記チタン微粉末は、２０ｎｍ〜２００μ
ｍの粒径のチタン微粉末であることを特徴とする。
ｍの粒径のチタン微粉末であることを特徴とする。
【００１９】前記原料コンパウンドには、クロム（Ｃ
ｒ）またはバナジウム（Ｖ）等の不純物が添加されてい
ることを特徴とする。
ｒ）またはバナジウム（Ｖ）等の不純物が添加されてい
ることを特徴とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】次に、本発明に係る実施形態につ
いて詳細に説明する。図１は本発明に係る光触媒の構造
を模式的に示す概略断面図である。
いて詳細に説明する。図１は本発明に係る光触媒の構造
を模式的に示す概略断面図である。
【００２１】図１は本発明に係る実施形態である光触媒
の構造を模式的に示す概略断面図である。
の構造を模式的に示す概略断面図である。
【００２２】このアナターゼ型のチタニアからなる二酸
化チタン光触媒１０１は、空孔率（気孔率）が５〜９０
％である多孔質のチタン（Ｔｉ）合金を焼結することに
より酸化して形成したアナターゼ型の二酸化チタンであ
る。
化チタン光触媒１０１は、空孔率（気孔率）が５〜９０
％である多孔質のチタン（Ｔｉ）合金を焼結することに
より酸化して形成したアナターゼ型の二酸化チタンであ
る。
【００２３】このとき、二酸化チタン光触媒１０１に太
陽光等の光線が当たることによって電子が励起され、電
子とホール（正孔）が発生すると、電子は、酸素をスー
パーオキサイドイオンに、ホールは水を水酸基ラジカル
に変える。スーパーオキサイドイオンと水酸基ラジカル
は強い酸化力を持ち、有機物のＣ-ＨやＣ-Ｏの結合を切
り、有機物を二酸化炭素と水に変える。
陽光等の光線が当たることによって電子が励起され、電
子とホール（正孔）が発生すると、電子は、酸素をスー
パーオキサイドイオンに、ホールは水を水酸基ラジカル
に変える。スーパーオキサイドイオンと水酸基ラジカル
は強い酸化力を持ち、有機物のＣ-ＨやＣ-Ｏの結合を切
り、有機物を二酸化炭素と水に変える。
【００２４】本発明の二酸化チタン光触媒１０１の詳し
い製造方法については、別途詳述するが、二酸化チタン
光触媒１０１は、チタン（Ｔｉ）の微粉末を非酸素雰囲
気中（Ａｒ等の不活性ガス中で焼結しても良いし、真空
中で焼結しても良い）で１２００〜１３５０℃で焼結す
ることにより形成したチタン合金であり、チタン微粉末
は２０ｎｍ〜２００μｍ程度の微粒子である。
い製造方法については、別途詳述するが、二酸化チタン
光触媒１０１は、チタン（Ｔｉ）の微粉末を非酸素雰囲
気中（Ａｒ等の不活性ガス中で焼結しても良いし、真空
中で焼結しても良い）で１２００〜１３５０℃で焼結す
ることにより形成したチタン合金であり、チタン微粉末
は２０ｎｍ〜２００μｍ程度の微粒子である。
【００２５】このチタン合金は、その後、８００℃以下
の酸化雰囲気中で酸化されることにより、空孔率（また
は気孔率）が極めて高く、より具体的には空孔率（また
は気孔率）が５〜９０％であるアナターゼ型の多孔質の
二酸化チタン合金となる。このアナターゼ型の二酸化チ
タン合金の空孔率（または気孔率）は、好ましくは１５
〜５０％であり、さらに好ましくは、空孔率（または気
孔率）が、２０〜４０％のアナターゼ型の二酸化チタン
である。
の酸化雰囲気中で酸化されることにより、空孔率（また
は気孔率）が極めて高く、より具体的には空孔率（また
は気孔率）が５〜９０％であるアナターゼ型の多孔質の
二酸化チタン合金となる。このアナターゼ型の二酸化チ
タン合金の空孔率（または気孔率）は、好ましくは１５
〜５０％であり、さらに好ましくは、空孔率（または気
孔率）が、２０〜４０％のアナターゼ型の二酸化チタン
である。
【００２６】また、上述のような空孔率の高いチタン
（Ｔｉ）合金を酸化する代わりに、繊維状のチタン（Ｔ
ｉ）メッシュ状に織り込んだ織物を８００℃以下の温度
で焼結することにより酸化して形成したアナターゼ型の
二酸化チタンを光触媒として用いることもできる。
（Ｔｉ）合金を酸化する代わりに、繊維状のチタン（Ｔ
ｉ）メッシュ状に織り込んだ織物を８００℃以下の温度
で焼結することにより酸化して形成したアナターゼ型の
二酸化チタンを光触媒として用いることもできる。
【００２７】このように、光触媒である二酸化チタンの
空孔率（気孔率）または表面積を極めて高くすることに
より、チタニアを平板状に形成した従来の従来の光触媒
に比べて、チタニアの表面積が極端に増大する。すなわ
ち、１ｃｍ2のところに存在するチタニア微粒子の表面
積を１０００〜１００００ｃｍ2にすることができる。
これによって、図２に示すようにチタニアの微粒子と太
陽光等との接触面積も増大するので、光触媒機能が極め
て増大する。
空孔率（気孔率）または表面積を極めて高くすることに
より、チタニアを平板状に形成した従来の従来の光触媒
に比べて、チタニアの表面積が極端に増大する。すなわ
ち、１ｃｍ2のところに存在するチタニア微粒子の表面
積を１０００〜１００００ｃｍ2にすることができる。
これによって、図２に示すようにチタニアの微粒子と太
陽光等との接触面積も増大するので、光触媒機能が極め
て増大する。
【００２８】また、このチタニア１０１は、太陽光等の
光の吸収波長を増感するために、０．１〜２．５μｍｏ
ｌ／ｇの微量のＣｒ（クロム）、Ｖ（バナジウム）など
の不純物を含んでおり、さらに理想的には１．５〜２．
０μｍｏｌ／ｇのＣｒ、Ｖなどの不純物を含んでいるこ
とが好ましい。
光の吸収波長を増感するために、０．１〜２．５μｍｏ
ｌ／ｇの微量のＣｒ（クロム）、Ｖ（バナジウム）など
の不純物を含んでおり、さらに理想的には１．５〜２．
０μｍｏｌ／ｇのＣｒ、Ｖなどの不純物を含んでいるこ
とが好ましい。
【００２９】このように微量のＣｒやＶを不純物として
含有することにより、通常のチタニア電極では効率的に
吸収できない４００ｎｍ以上の可視光（通常、４００〜
７５０ｎｍの波長の光をいう）を吸収することができる
ようになり、光触媒機能の効率を大幅に向上させる。
含有することにより、通常のチタニア電極では効率的に
吸収できない４００ｎｍ以上の可視光（通常、４００〜
７５０ｎｍの波長の光をいう）を吸収することができる
ようになり、光触媒機能の効率を大幅に向上させる。
【００３０】また、このチタニア１０１には、太陽光等
の光の吸収波長を増感するために、Ｃｒ、Ｖなどの不純
物を含んでいるが、チタニア（二酸化チタン）の電極を
焼結するときに、チタニア中のＴｉの部分の一部が、Ｃ
ｒ、Ｖに置換された状態にすると通常のチタニア電極で
は吸収できない４００ｎｍ以上の可視光を吸収すること
ができるようになるので、太陽光を実用レベルで吸収す
ることができる。
の光の吸収波長を増感するために、Ｃｒ、Ｖなどの不純
物を含んでいるが、チタニア（二酸化チタン）の電極を
焼結するときに、チタニア中のＴｉの部分の一部が、Ｃ
ｒ、Ｖに置換された状態にすると通常のチタニア電極で
は吸収できない４００ｎｍ以上の可視光を吸収すること
ができるようになるので、太陽光を実用レベルで吸収す
ることができる。
【００３１】さて、本願発明に用いられるチタン合金
は、いわゆる粉末射出成形法（PowderInjection Moldin
g：一般的にＰＩＭ法と呼ばれる）または、金属射出成
形法（Metal Injection Molding：一般的にＭＩＭ法と
呼ばれる）技術により形成される。
は、いわゆる粉末射出成形法（PowderInjection Moldin
g：一般的にＰＩＭ法と呼ばれる）または、金属射出成
形法（Metal Injection Molding：一般的にＭＩＭ法と
呼ばれる）技術により形成される。
【００３２】すなわち、２０ｎｍ〜２００μｍ程度のチ
タン微粉末に、体積比で９９〜５０％の樹脂バインダー
を添加・混練し、射出成形可能な低粘度（１０００〜３
０００Ｐ）の原料コンパウンドを形成する。
タン微粉末に、体積比で９９〜５０％の樹脂バインダー
を添加・混練し、射出成形可能な低粘度（１０００〜３
０００Ｐ）の原料コンパウンドを形成する。
【００３３】このとき、光の吸収波長域を広げるために
添加されるＣｒ（クロム）またはＶ（バナジウム）は、
Ｃｒの酸化物（ＣｒＯ３）またはＶの酸化物の状態で添
加されるか、または純Ｃｒまたは純Ｖの状態で前記原料
コンパウンドに添加される。
添加されるＣｒ（クロム）またはＶ（バナジウム）は、
Ｃｒの酸化物（ＣｒＯ３）またはＶの酸化物の状態で添
加されるか、または純Ｃｒまたは純Ｖの状態で前記原料
コンパウンドに添加される。
【００３４】この後、樹脂バインダーを除去するための
脱バインダー工程（脱脂工程）を経て、脱バインダーさ
れたチタン微粉末は上述した添加物と共に非酸素雰囲気
中で１２００〜１３５０℃で焼結される。
脱バインダー工程（脱脂工程）を経て、脱バインダーさ
れたチタン微粉末は上述した添加物と共に非酸素雰囲気
中で１２００〜１３５０℃で焼結される。
【００３５】その後、酸素雰囲気中で、チタン合金は焼
結される過程で酸化され、主として多孔質のチタン合金
の表面がアナターゼ型のチタニア（二酸化チタン）とな
る。
結される過程で酸化され、主として多孔質のチタン合金
の表面がアナターゼ型のチタニア（二酸化チタン）とな
る。
【００３６】このとき、チタニアは熱的にはルチルが安
定であり、アナターゼの結晶構造は９００℃以上の加熱
でルチルに変化してしまうため、酸素雰囲気中での焼結
・酸化工程の温度はチタニア（ＴｉＯ２）がアナターゼ
の結晶構造を保てるように９００℃以下で焼結され、酸
化が行われなければならない。
定であり、アナターゼの結晶構造は９００℃以上の加熱
でルチルに変化してしまうため、酸素雰囲気中での焼結
・酸化工程の温度はチタニア（ＴｉＯ２）がアナターゼ
の結晶構造を保てるように９００℃以下で焼結され、酸
化が行われなければならない。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、二
酸化チタン（ＴｉＯ２）を用いた光触媒において、該二
酸化チタンを用いた光触媒は、空孔率が５〜９０％の多
孔質のチタン合金を焼結してアナターゼ型の二酸化チタ
ン（ＴｉＯ２）を形成した光触媒であるので、平板でチ
タニア電極を形成した従来の光触媒に比べて、チタニア
の表面積が極端に増大する。すなわち、１ｃｍ2のとこ
ろに存在するチタニアの表面積を１０００〜１００００
ｃｍ2にすることができる。これによって、チタニアと
太陽光等の光との接触面積も増大するので、光触媒機能
が極めて増大される。
酸化チタン（ＴｉＯ２）を用いた光触媒において、該二
酸化チタンを用いた光触媒は、空孔率が５〜９０％の多
孔質のチタン合金を焼結してアナターゼ型の二酸化チタ
ン（ＴｉＯ２）を形成した光触媒であるので、平板でチ
タニア電極を形成した従来の光触媒に比べて、チタニア
の表面積が極端に増大する。すなわち、１ｃｍ2のとこ
ろに存在するチタニアの表面積を１０００〜１００００
ｃｍ2にすることができる。これによって、チタニアと
太陽光等の光との接触面積も増大するので、光触媒機能
が極めて増大される。
【００３８】また、前記二酸化チタン電極は０．１〜
２．０μｍｏｌ／ｇのＣｒまたはＶの不純物を含んでい
るので、通常のチタニア電極では効率的に吸収できない
４００ｎｍ以上の可視光（通常、４００〜７５０ｎｍの
波長の光をいう）を吸収することができるようになり、
光触媒機能が極めて増大される。
２．０μｍｏｌ／ｇのＣｒまたはＶの不純物を含んでい
るので、通常のチタニア電極では効率的に吸収できない
４００ｎｍ以上の可視光（通常、４００〜７５０ｎｍの
波長の光をいう）を吸収することができるようになり、
光触媒機能が極めて増大される。
【００３９】よって、本発明の光触媒は、従来の光触媒
に比べて、極めて優れた脱臭作用、浄化作用を有する。
さらに、本発明の光触媒は、従来の光触媒に比べて、極
めて優れた、有機物の分解機能を有する。
に比べて、極めて優れた脱臭作用、浄化作用を有する。
さらに、本発明の光触媒は、従来の光触媒に比べて、極
めて優れた、有機物の分解機能を有する。
【図１】 図１は本発明に係る実施形態としての光触媒
の構造を示す模式的な概略断面図である。
の構造を示す模式的な概略断面図である。
【図２】 図２は本発明に係る実施形態としての光触媒
の構造を示す模式的な概略断面図である。
の構造を示す模式的な概略断面図である。
１０１ 二酸化チタン合金
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ０１Ｊ 35/06 Ｂ０１Ｊ 37/00 Ｋ 37/00 37/02 ３０１Ｋ 37/02 ３０１ Ｂ０１Ｄ 53/36 Ｊ Ｆターム(参考） 4D048 AA17 AA22 AB01 AB03 BA07X BA23X BA25X BA41X BA42X BB08 CA06 CC38 CC40 EA01 4G069 AA01 AA03 AA08 AA09 AA12 BA04A BA04B BA17 BB02A BB02B BB04A BB04B BB06A BB06B BC50A BC50B BC54A BC54B BC58A BC58B CA07 CA10 CA15 CA17 DA06 EA09 FA02 FA08 FB30 FB40 FB70 FC07
Claims (15)
- 【請求項１】 二酸化チタン（ＴｉＯ２）を用いた光触
媒において、該二酸化チタンは、空孔率が５〜９０％で
ある多孔質のチタン（Ｔｉ）合金を焼結することにより
酸化して形成したアナターゼ型の二酸化チタンであるこ
とを特徴とする光触媒。 - 【請求項２】 前記チタン合金にはＣｒまたはＶなどの
金属の不純物が含有させていることを特徴とする請求項
１記載の光触媒。 - 【請求項３】 前記チタン合金には０．１〜２．０μｍ
ｏｌ／ｇのＣｒまたはＶの不純物が含有させていること
を特徴とする請求項１記載の光触媒。 - 【請求項４】 前記多孔質のチタン合金の表面のみがア
ナターゼ型の二酸化チタンに酸化されてなることを特徴
とする請求項１記載の光触媒。 - 【請求項５】 二酸化チタン（ＴｉＯ２）を用いた光触
媒において、該二酸化チタンは、繊維状のチタン（Ｔ
ｉ）をメッシュ状に織り込んだ織物を焼結することによ
り酸化して形成したアナターゼ型の二酸化チタンである
ことを特徴とする光触媒。 - 【請求項６】 前記チタン繊維にはＣｒまたはＶなどの
金属の不純物が含有させていることを特徴とする請求項
７記載の光触媒。 - 【請求項７】 前記チタン繊維には０．１〜２．０μｍ
ｏｌ／ｇのＣｒまたはＶの不純物が含有させていること
を特徴とする請求項７記載の光触媒。 - 【請求項８】 前記チタン繊維は表面のみがアナターゼ
型の二酸化チタンに酸化されてなることを特徴とする請
求項７記載の光触媒。 - 【請求項９】 二酸化チタン（ＴｉＯ２）に光を当てる
ことにより有機物や細菌等を分解する光触媒装置におい
て、該二酸化チタンは、空孔率が５〜９０％である多孔
質のチタン（Ｔｉ）合金を焼結することにより酸化して
形成したアナターゼ型の二酸化チタンであることを特徴
とする光触媒装置。 - 【請求項１０】 二酸化チタン（ＴｉＯ２）に光を当て
ることにより有機物や細菌等を分解する光触媒装置にお
いて、該二酸化チタンは、繊維状のチタン（Ｔｉ）をメ
ッシュ状にした織物を焼結することにより酸化して形成
したアナターゼ型の二酸化チタンであることを特徴とす
る光触媒装置。 - 【請求項１１】 二酸化チタン（ＴｉＯ２）を用いた光
触媒または光触媒装置の製造方法において、該二酸化チ
タンは、空孔率が５〜９０％である多孔質のチタン（Ｔ
ｉ）合金を９００℃以下で焼結することにより酸化して
形成したアナターゼ型の二酸化チタンであることを特徴
とする二酸化チタンを用いた光触媒または光触媒装置の
製造方法。 - 【請求項１２】 二酸化チタン（ＴｉＯ２）を用いた光
触媒または光触媒装置の製造方法において、該二酸化チ
タンはチタン繊維を９００℃以下で焼結することにより
酸化して形成したアナターゼ型の二酸化チタンの繊維で
あることを特徴とする二酸化チタンを用いた光触媒また
は光触媒装置の製造方法。 - 【請求項１３】 二酸化チタン（ＴｉＯ２）からなる光
触媒の製造方法において、チタン微粉末に、樹脂バイン
ダーを添加・混練し、原料コンパウンドを形成する工
程、 前記樹脂バインダーを除去するための工程、 該脱バインダーされたチタン（Ｔｉ）の微粉末を非酸素
雰囲気中で１２００〜１３５０℃で焼結する工程とを有
することを特徴とする二酸化チタンからなる光触媒の製
造方法。 - 【請求項１４】 前記チタン微粉末は、２０ｎｍ〜２０
０μｍの粒径のチタン微粉末であることを特徴とする請
求項１３記載の二酸化チタンからなる光触媒の製造方
法。 - 【請求項１５】 前記原料コンパウンドには、クロム
（Ｃｒ）またはバナジウム（Ｖ）等の不純物が添加され
ていることを特徴とする請求項１３記載の二酸化チタン
からなる光触媒の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000013101A JP2001205099A (ja) | 2000-01-21 | 2000-01-21 | 光触媒及びその製造方法、光触媒装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000013101A JP2001205099A (ja) | 2000-01-21 | 2000-01-21 | 光触媒及びその製造方法、光触媒装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001205099A true JP2001205099A (ja) | 2001-07-31 |
Family
ID=18540742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000013101A Withdrawn JP2001205099A (ja) | 2000-01-21 | 2000-01-21 | 光触媒及びその製造方法、光触媒装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001205099A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011092541A1 (en) * | 2010-01-26 | 2011-08-04 | Yuko Morito | Photocatalyst element structure, ultraviolet radiation air purification system, photocatalyst sheet, and method of manufacturing photocatalyst sheet |
| CN104549396A (zh) * | 2014-10-24 | 2015-04-29 | 阜阳师范学院 | 一种光解水产生氢的复合光催化剂及其制备与应用 |
| CN111495348A (zh) * | 2020-04-23 | 2020-08-07 | 王伟东 | 一种多孔光触媒过滤网的制备方法 |
-
2000
- 2000-01-21 JP JP2000013101A patent/JP2001205099A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011092541A1 (en) * | 2010-01-26 | 2011-08-04 | Yuko Morito | Photocatalyst element structure, ultraviolet radiation air purification system, photocatalyst sheet, and method of manufacturing photocatalyst sheet |
| US9061086B2 (en) | 2010-01-26 | 2015-06-23 | U-VIX Corporation | Photocatalyst element structure, ultraviolet radiation air purification system, photocatalyst sheet, and method of manufacturing photocatalyst sheet |
| CN104549396A (zh) * | 2014-10-24 | 2015-04-29 | 阜阳师范学院 | 一种光解水产生氢的复合光催化剂及其制备与应用 |
| CN111495348A (zh) * | 2020-04-23 | 2020-08-07 | 王伟东 | 一种多孔光触媒过滤网的制备方法 |
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