JP2001170496A - 光触媒及びその製造方法 - Google Patents
光触媒及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2001170496A JP2001170496A JP35795299A JP35795299A JP2001170496A JP 2001170496 A JP2001170496 A JP 2001170496A JP 35795299 A JP35795299 A JP 35795299A JP 35795299 A JP35795299 A JP 35795299A JP 2001170496 A JP2001170496 A JP 2001170496A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photocatalyst
- titanium dioxide
- titanium
- producing
- fine powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 title claims abstract description 68
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 191
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 34
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 25
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 13
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 13
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 8
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 5
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 claims description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000004898 kneading Methods 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 9
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 abstract description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001877 deodorizing effect Effects 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- -1 superoxide ions Chemical class 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- VUZPPFZMUPKLLV-UHFFFAOYSA-N methane;hydrate Chemical compound C.O VUZPPFZMUPKLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2027—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
- H01G9/2031—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode comprising titanium oxide, e.g. TiO2
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Exhaust Gas Treatment By Means Of Catalyst (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のチタニアを用いた光触媒は、ただ単に
アナターゼ型のチタニア微粒子をスプレーコート又はス
ピンコートもしくはバインダーにより、基板上に２次元
的に定着させ、平板化しているだけなので、太陽光等の
吸収面積が非常に小さく、十分な光触媒効果を発揮する
ことができなかった。また、チタニアを用いた光触媒
は、チタニアが吸収する光の波長が４００ｎｍ以下の主
として紫外線であったため、光の吸収効率が悪く、光触
媒としての機能を十分に発揮できなかった。 【解決手段】 二酸化チタン（ＴｉＯ２）を用いた光触
媒において、該二酸化チタンは、チタン微粉末を焼結し
て形成したアナターゼ型の二酸化チタンであり、該二酸
化チタンは空孔率が５０〜９９％であることを特徴とす
る光触媒。前記二酸化チタンは０．１〜２．０μｍｏｌ
／ｇのＣｒまたはＶの不純物を含んでいることを特徴と
する光触媒。
アナターゼ型のチタニア微粒子をスプレーコート又はス
ピンコートもしくはバインダーにより、基板上に２次元
的に定着させ、平板化しているだけなので、太陽光等の
吸収面積が非常に小さく、十分な光触媒効果を発揮する
ことができなかった。また、チタニアを用いた光触媒
は、チタニアが吸収する光の波長が４００ｎｍ以下の主
として紫外線であったため、光の吸収効率が悪く、光触
媒としての機能を十分に発揮できなかった。 【解決手段】 二酸化チタン（ＴｉＯ２）を用いた光触
媒において、該二酸化チタンは、チタン微粉末を焼結し
て形成したアナターゼ型の二酸化チタンであり、該二酸
化チタンは空孔率が５０〜９９％であることを特徴とす
る光触媒。前記二酸化チタンは０．１〜２．０μｍｏｌ
／ｇのＣｒまたはＶの不純物を含んでいることを特徴と
する光触媒。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は二酸化チタンを用い
た光触媒及びその製造方法に関する。
た光触媒及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、太陽光等の光により有機物を
分解、脱臭する機能または、超親水性機能を機能を有す
る触媒としてチタニア（二酸化シリコン）を用いた光触
媒が注目されている（ＮＩＫＫＥＩ ＭＥＣＨＡＮＩＣ
ＡＬ １９９８．４ ｎｏ．５２３）。
分解、脱臭する機能または、超親水性機能を機能を有す
る触媒としてチタニア（二酸化シリコン）を用いた光触
媒が注目されている（ＮＩＫＫＥＩ ＭＥＣＨＡＮＩＣ
ＡＬ １９９８．４ ｎｏ．５２３）。
【０００３】このチタニア（二酸化チタン）を用いた光
触媒は、アナターゼ型のチタニア微粒子をスプレーコー
ト又はスピンコートもしくはバインダー（光触媒の分解
機能の影響を受けないシリカや水ガラスのような無機
系、あるいは分解機能に耐えるシロキサン結合を持った
シリコーンなどの有機系のバインダー）により、基板上
に定着させている。
触媒は、アナターゼ型のチタニア微粒子をスプレーコー
ト又はスピンコートもしくはバインダー（光触媒の分解
機能の影響を受けないシリカや水ガラスのような無機
系、あるいは分解機能に耐えるシロキサン結合を持った
シリコーンなどの有機系のバインダー）により、基板上
に定着させている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
チタニアを用いた光触媒は、ただ単にアナターゼ型のチ
タニア微粒子をスプレーコート又はスピンコートもしく
はバインダーにより、基板上に２次元的に定着させ、平
板化しているだけなので、太陽光等の吸収面積が非常に
小さく、十分な光触媒効果を発揮することができなかっ
た。また、チタニアを用いた光触媒は、チタニアが吸収
する光の波長が４００ｎｍ以下の主として紫外線であっ
たため、光の吸収効率が悪く、光触媒としての機能を十
分に発揮できなかった。
チタニアを用いた光触媒は、ただ単にアナターゼ型のチ
タニア微粒子をスプレーコート又はスピンコートもしく
はバインダーにより、基板上に２次元的に定着させ、平
板化しているだけなので、太陽光等の吸収面積が非常に
小さく、十分な光触媒効果を発揮することができなかっ
た。また、チタニアを用いた光触媒は、チタニアが吸収
する光の波長が４００ｎｍ以下の主として紫外線であっ
たため、光の吸収効率が悪く、光触媒としての機能を十
分に発揮できなかった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本願発明の光触媒は、二
酸化チタン（ＴｉＯ２）を用いた光触媒において、該二
酸化チタンは、チタン（Ｔｉ）の微粉末を焼結すること
により酸化して形成したアナターゼ型の二酸化チタンで
あり、該二酸化チタン合金は空孔率が５０〜９９％であ
ることを特徴とする。
酸化チタン（ＴｉＯ２）を用いた光触媒において、該二
酸化チタンは、チタン（Ｔｉ）の微粉末を焼結すること
により酸化して形成したアナターゼ型の二酸化チタンで
あり、該二酸化チタン合金は空孔率が５０〜９９％であ
ることを特徴とする。
【０００６】本願発明の光触媒は、前記二酸化チタンが
０．１〜２．０μｍｏｌ／ｇのＣｒまたはＶの不純物を
含んでいることを特徴とする。
０．１〜２．０μｍｏｌ／ｇのＣｒまたはＶの不純物を
含んでいることを特徴とする。
【０００７】本願発明の光触媒は、前記チタン微粉末
が、２０〜２０００ｎｍの粒径のチタン微粉末であるこ
とを特徴とする。
が、２０〜２０００ｎｍの粒径のチタン微粉末であるこ
とを特徴とする。
【０００８】本願発明の光触媒は、前記二酸化チタンが
Ｍｏを含んでいることを特徴とする。
Ｍｏを含んでいることを特徴とする。
【０００９】本願発明の光触媒装置は、二酸化チタン
（ＴｉＯ２）合金に光を当てることにより有機物や細菌
等を分解する光触媒装置において、該二酸化チタンは、
チタン（Ｔｉ）の微粉末を焼結することにより酸化して
形成したアナターゼ型の二酸化チタンであり、該二酸化
チタンは空孔率が５０〜９９％であることを特徴とす
る。
（ＴｉＯ２）合金に光を当てることにより有機物や細菌
等を分解する光触媒装置において、該二酸化チタンは、
チタン（Ｔｉ）の微粉末を焼結することにより酸化して
形成したアナターゼ型の二酸化チタンであり、該二酸化
チタンは空孔率が５０〜９９％であることを特徴とす
る。
【００１０】本願発明の光触媒の製造方法は、二酸化チ
タン（ＴｉＯ２）を用いた光触媒の製造方法において、
該二酸化チタン合金は、チタン（Ｔｉ）の微粉末を９０
０℃以下で焼結することにより酸化して形成したアナタ
ーゼ型の二酸化チタンであることを特徴とする。
タン（ＴｉＯ２）を用いた光触媒の製造方法において、
該二酸化チタン合金は、チタン（Ｔｉ）の微粉末を９０
０℃以下で焼結することにより酸化して形成したアナタ
ーゼ型の二酸化チタンであることを特徴とする。
【００１１】本願発明の光触媒の製造方法は、前記チタ
ン微粉末には、焼結助剤としてＭＯ（モリブデン）また
はＭｏＯ３（酸化モリブデン）が添加されていることを
特徴とする。
ン微粉末には、焼結助剤としてＭＯ（モリブデン）また
はＭｏＯ３（酸化モリブデン）が添加されていることを
特徴とする。
【００１２】本願発明の光触媒の製造方法は、前記チタ
ン微粉末には、クロム酸化物（ＣｒＯ３）またはＶ（バ
ナジウム）酸化物が添加されていることを特徴とする。
ン微粉末には、クロム酸化物（ＣｒＯ３）またはＶ（バ
ナジウム）酸化物が添加されていることを特徴とする。
【００１３】本願発明の光触媒の製造方法は、前記チタ
ン微粉末には、純Ｃｒまたは純Ｖが添加されていること
を特徴とする。
ン微粉末には、純Ｃｒまたは純Ｖが添加されていること
を特徴とする。
【００１４】本願発明の光触媒の製造方法は、二酸化チ
タン（ＴｉＯ２）合金を用いた光触媒の製造方法におい
て、チタン微粉末に、樹脂バインダーを添加・混練し、
原料コンパウンドを形成する工程、前記樹脂バインダー
を除去するための工程、該脱バインダーされたチタン微
粉末を９００℃以下で焼結する工程とを有することを特
徴とする。
タン（ＴｉＯ２）合金を用いた光触媒の製造方法におい
て、チタン微粉末に、樹脂バインダーを添加・混練し、
原料コンパウンドを形成する工程、前記樹脂バインダー
を除去するための工程、該脱バインダーされたチタン微
粉末を９００℃以下で焼結する工程とを有することを特
徴とする。
【００１５】本願発明の光触媒の製造方法は、前記チタ
ン微粉末は、２０〜２０００ｎｍの粒径のチタニア微粉
末であることを特徴とする。
ン微粉末は、２０〜２０００ｎｍの粒径のチタニア微粉
末であることを特徴とする。
【００１６】本願発明の光触媒の製造方法は、前記原料
コンパウンドには、体積比で５０〜９９％の樹脂バイン
ダーが含有されていることを特徴とする。
コンパウンドには、体積比で５０〜９９％の樹脂バイン
ダーが含有されていることを特徴とする。
【００１７】本願発明の光触媒の製造方法は、前記原料
コンパウンドには、クロム酸化物（ＣｒＯ３）またはＶ
（バナジウム）酸化物が添加されていることを特徴とす
る。
コンパウンドには、クロム酸化物（ＣｒＯ３）またはＶ
（バナジウム）酸化物が添加されていることを特徴とす
る。
【００１８】本願発明の光触媒の製造方法は、前記原料
コンパウンドには、純Ｃｒまたは純Ｖが添加されている
ことを特徴とする。
コンパウンドには、純Ｃｒまたは純Ｖが添加されている
ことを特徴とする。
【００１９】本願発明の光触媒の製造方法は、前記原料
コンパウンドには、焼結助剤としてＭｏＯ３が添加され
ていることを特徴とする。
コンパウンドには、焼結助剤としてＭｏＯ３が添加され
ていることを特徴とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】次に、本発明に係る実施形態につ
いて詳細に説明する。図１は本発明に係る光触媒の構造
を模式的に示す概略断面図である。
いて詳細に説明する。図１は本発明に係る光触媒の構造
を模式的に示す概略断面図である。
【００２１】第１実施形態 図１は本発明に係る実施形態である光触媒の構造を模式
的に示す概略断面図である。
的に示す概略断面図である。
【００２２】アナターゼ型のチタニアからなる二酸化チ
タン光触媒１０１は、ガラス基板、金属基板、プラスチ
ック基板等からなる第１の基板１０２上に形成されてい
る。本発明におけるチタニアからなる光触媒１０１は、
後に詳述する方法により、チタン自身を焼結するため、
上述したような基板を必ずしも必要としない。
タン光触媒１０１は、ガラス基板、金属基板、プラスチ
ック基板等からなる第１の基板１０２上に形成されてい
る。本発明におけるチタニアからなる光触媒１０１は、
後に詳述する方法により、チタン自身を焼結するため、
上述したような基板を必ずしも必要としない。
【００２３】このとき、チタニア電極１０１に太陽光等
の光線が当たることによって電子が励起され、電子とホ
ール（正孔）が発生すると、電子は、酸素をスーパーオ
キサイドイオンに、ホールは水を水酸基ラジカルに変え
る。スーパーオキサイドイオンと水酸基ラジカルは強い
酸化力を持ち、有機物のＣ-ＨやＣ-Ｏの結合を切り、有
機物を二酸化炭素と水に変える。
の光線が当たることによって電子が励起され、電子とホ
ール（正孔）が発生すると、電子は、酸素をスーパーオ
キサイドイオンに、ホールは水を水酸基ラジカルに変え
る。スーパーオキサイドイオンと水酸基ラジカルは強い
酸化力を持ち、有機物のＣ-ＨやＣ-Ｏの結合を切り、有
機物を二酸化炭素と水に変える。
【００２４】本発明のこのチタニア合金１０１の詳しい
製造方法については、別途詳述するが、このチタニア電
極１０１は、チタン（Ｔｉ）の微粉末を焼結することに
より酸化して形成したアナターゼ型の二酸化チタンであ
り、チタン微粉末は２０〜２０００ｎｍ程度の微粒子で
あり、空孔率が極めて高く、より具体的には空孔率が５
０〜９９％であるアナターゼ型のチタニアからなる。よ
り好ましくは空孔率が７０〜９０％であるアナターゼ型
のチタニア合金であることが好ましい。
製造方法については、別途詳述するが、このチタニア電
極１０１は、チタン（Ｔｉ）の微粉末を焼結することに
より酸化して形成したアナターゼ型の二酸化チタンであ
り、チタン微粉末は２０〜２０００ｎｍ程度の微粒子で
あり、空孔率が極めて高く、より具体的には空孔率が５
０〜９９％であるアナターゼ型のチタニアからなる。よ
り好ましくは空孔率が７０〜９０％であるアナターゼ型
のチタニア合金であることが好ましい。
【００２５】このように、空孔率を極めて高くすること
により、チタニアを平板状に形成した従来の従来の光触
媒に比べて、チタニアの表面積が極端に増大する。すな
わち、１ｃｍ2のところに存在するチタニア微粒子の表
面積を１０００〜１００００ｃｍ2にすることができ
る。これによって、チタニアの微粒子と太陽光等との接
触面積も増大するので、光触媒機能が極めて増大する。
により、チタニアを平板状に形成した従来の従来の光触
媒に比べて、チタニアの表面積が極端に増大する。すな
わち、１ｃｍ2のところに存在するチタニア微粒子の表
面積を１０００〜１００００ｃｍ2にすることができ
る。これによって、チタニアの微粒子と太陽光等との接
触面積も増大するので、光触媒機能が極めて増大する。
【００２６】また、このチタニア１０１は、太陽光等の
光の吸収波長を増感するために、０．１〜２．５μｍｏ
ｌ／ｇの微量のＣｒ、Ｖなどの不純物を含んでおり、さ
らに理想的には１．５〜２．０μｍｏｌ／ｇのＣｒ、Ｖ
などの不純物を含んでいることが好ましい。
光の吸収波長を増感するために、０．１〜２．５μｍｏ
ｌ／ｇの微量のＣｒ、Ｖなどの不純物を含んでおり、さ
らに理想的には１．５〜２．０μｍｏｌ／ｇのＣｒ、Ｖ
などの不純物を含んでいることが好ましい。
【００２７】このように微量のＣｒやＶを不純物として
含有することにより、通常のチタニア電極では効率的に
吸収できない４００ｎｍ以上の可視光（通常、４００〜
７５０ｎｍの波長の光をいう）を吸収することができる
ようになり、光触媒機能の効率を大幅に向上させる。
含有することにより、通常のチタニア電極では効率的に
吸収できない４００ｎｍ以上の可視光（通常、４００〜
７５０ｎｍの波長の光をいう）を吸収することができる
ようになり、光触媒機能の効率を大幅に向上させる。
【００２８】また、このチタニア１０１には、太陽光等
の光の吸収波長を増感するために、Ｃｒ、Ｖなどの不純
物を含んでいるが、チタニア（二酸化チタン）の電極を
焼結するときに、チタニア中のＴｉの部分が、第２図に
示すようにＣｒ、Ｖに置換された状態にすると通常のチ
タニア電極では吸収できない４００ｎｍ以上の可視光を
吸収することができるようになるので、太陽光を実用レ
ベルで吸収することができる。
の光の吸収波長を増感するために、Ｃｒ、Ｖなどの不純
物を含んでいるが、チタニア（二酸化チタン）の電極を
焼結するときに、チタニア中のＴｉの部分が、第２図に
示すようにＣｒ、Ｖに置換された状態にすると通常のチ
タニア電極では吸収できない４００ｎｍ以上の可視光を
吸収することができるようになるので、太陽光を実用レ
ベルで吸収することができる。
【００２９】さて、本願発明に用いられるチタニア合金
を用いた光触媒は、いわゆる粉末射出成形法（Powder I
njection Molding：一般的にＰＩＭ法と呼ばれる）また
は、金属射出成形法（Metal Injection Molding：一般
的にＭＩＭ法と呼ばれる）技術により形成される。
を用いた光触媒は、いわゆる粉末射出成形法（Powder I
njection Molding：一般的にＰＩＭ法と呼ばれる）また
は、金属射出成形法（Metal Injection Molding：一般
的にＭＩＭ法と呼ばれる）技術により形成される。
【００３０】すなわち、２０〜２０００ｎｍ程度のチタ
ン微粉末に、体積比で９９〜５０％の樹脂バインダーを
添加・混練し、射出成形可能な低粘度（１０００〜３０
００Ｐ）の原料コンパウンドを形成する。
ン微粉末に、体積比で９９〜５０％の樹脂バインダーを
添加・混練し、射出成形可能な低粘度（１０００〜３０
００Ｐ）の原料コンパウンドを形成する。
【００３１】このとき、光の吸収波長域を広げるために
添加されるＣｒまたはＶは、Ｃｒの酸化物（ＣｒＯ３）
またはＶの酸化物の状態で添加されるか、または純Ｃｒ
または純Ｖの状態で前記原料コンパウンドに添加され
る。
添加されるＣｒまたはＶは、Ｃｒの酸化物（ＣｒＯ３）
またはＶの酸化物の状態で添加されるか、または純Ｃｒ
または純Ｖの状態で前記原料コンパウンドに添加され
る。
【００３２】この後、樹脂バインダーを除去するための
脱バインダー工程（脱脂工程）を経て、脱バインダーさ
れたチタン微粉末は上述した添加物と共に焼結される。
この焼結工程で、チタン微粉末は酸化され、アナターゼ
型のチタニア（二酸化チタン）となる。
脱バインダー工程（脱脂工程）を経て、脱バインダーさ
れたチタン微粉末は上述した添加物と共に焼結される。
この焼結工程で、チタン微粉末は酸化され、アナターゼ
型のチタニア（二酸化チタン）となる。
【００３３】このとき、チタニアは熱的にはルチルが安
定であり、アナターゼの結晶構造は９００℃以上の加熱
でルチルに変化してしまうため、前記脱バインダー工程
及び前記焼結工程の温度はチタニア（ＴｉＯ２）がアナ
ターゼの結晶構造を保てるように９００℃以下で焼結さ
れ、酸化が行われなければならない。
定であり、アナターゼの結晶構造は９００℃以上の加熱
でルチルに変化してしまうため、前記脱バインダー工程
及び前記焼結工程の温度はチタニア（ＴｉＯ２）がアナ
ターゼの結晶構造を保てるように９００℃以下で焼結さ
れ、酸化が行われなければならない。
【００３４】さらに、焼結工程においては、アナターゼ
型の結晶構造を壊さずに、チタニアを合金化するため、
焼結助剤として融点が７９５℃であるＭｏＯ３（モリブ
デン酸化物）をあらかじめ原料コンパウンドに添加し、
チタニアを焼結する。
型の結晶構造を壊さずに、チタニアを合金化するため、
焼結助剤として融点が７９５℃であるＭｏＯ３（モリブ
デン酸化物）をあらかじめ原料コンパウンドに添加し、
チタニアを焼結する。
【００３５】この焼結助剤は、融点が、９００℃以下の
ものなら、ＭｏＯ３（モリブデン酸化物）に限らず利用
が可能である。
ものなら、ＭｏＯ３（モリブデン酸化物）に限らず利用
が可能である。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、二
酸化チタン（ＴｉＯ２）を用いた光触媒において、該二
酸化チタンを用いた光触媒は、チタン微粒子を焼結して
アナターゼ型の二酸化チタン（ＴｉＯ２）を形成した電
極であり、該二酸化チタン電極は空孔率が５０〜９９％
であるので、空孔率を極めて高くすることができる。
酸化チタン（ＴｉＯ２）を用いた光触媒において、該二
酸化チタンを用いた光触媒は、チタン微粒子を焼結して
アナターゼ型の二酸化チタン（ＴｉＯ２）を形成した電
極であり、該二酸化チタン電極は空孔率が５０〜９９％
であるので、空孔率を極めて高くすることができる。
【００３７】よって、平板でチタニア電極を形成した従
来の光触媒に比べて、チタニアの表面積が極端に増大す
る。すなわち、１ｃｍ2のところに存在するチタニアの
表面積を１０００〜１００００ｃｍ2にすることができ
る。これによって、チタニアと太陽光等の光との接触面
積も増大するので、光触媒機能が極めて増大される。
来の光触媒に比べて、チタニアの表面積が極端に増大す
る。すなわち、１ｃｍ2のところに存在するチタニアの
表面積を１０００〜１００００ｃｍ2にすることができ
る。これによって、チタニアと太陽光等の光との接触面
積も増大するので、光触媒機能が極めて増大される。
【００３８】また、前記二酸化チタン電極は０．１〜
２．０μｍｏｌ／ｇのＣｒまたはＶの不純物を含んでい
るので、通常のチタニア電極では効率的に吸収できない
４００ｎｍ以上の可視光（通常、４００〜７５０ｎｍの
波長の光をいう）を吸収することができるようになり、
光触媒機能が極めて増大される。
２．０μｍｏｌ／ｇのＣｒまたはＶの不純物を含んでい
るので、通常のチタニア電極では効率的に吸収できない
４００ｎｍ以上の可視光（通常、４００〜７５０ｎｍの
波長の光をいう）を吸収することができるようになり、
光触媒機能が極めて増大される。
【００３９】よって、本発明の光触媒は、従来の光触媒
に比べて、極めて優れた脱臭作用、浄化作用を有する。
さらに、本発明の光触媒は、従来の光触媒に比べて、極
めて優れた、有機物の分解機能を有する。
に比べて、極めて優れた脱臭作用、浄化作用を有する。
さらに、本発明の光触媒は、従来の光触媒に比べて、極
めて優れた、有機物の分解機能を有する。
【図１】 図１は本発明に係る実施形態としての光触媒
の構造を示す模式的な概略断面図である。
の構造を示す模式的な概略断面図である。
１０１ チタニア電極 １０２ 基板
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ０１Ｊ 35/10 ３０１ Ｂ０１Ｊ 37/08 37/08 Ｂ０１Ｄ 53/36 Ｊ Ｆターム(参考） 4D048 AA17 AA22 AB03 BA07X BA07Y BA23Y BA25X BA25Y BA26Y BA41Y BA42X BA42Y BB01 EA01 EA02 4G069 AA02 AA08 BA04A BA04B BA22A BA48A BB02A BB02B BB04A BB04B BB06A BB06B BC50A BC50B BC54A BC58A BC58B BC59A CA01 CA11 CA17 DA05 EA02X EB18X EC22X FA01 FB33 FB67 FC05 FC08
Claims (15)
- 【請求項１】 二酸化チタン（ＴｉＯ２）を用いた光触
媒において、該二酸化チタンは、チタン（Ｔｉ）の微粉
末を焼結することにより酸化して形成したアナターゼ型
の二酸化チタンであり、該二酸化チタンは空孔率が５０
〜９９％であることを特徴とする光触媒。 - 【請求項２】 前記二酸化チタンは０．１〜２．０μｍ
ｏｌ／ｇのＣｒまたはＶの不純物を含んでいることを特
徴とする請求項１記載の光触媒。 - 【請求項３】 前記チタンの微粉末は、２０〜２０００
ｎｍの粒径のチタン微粉末であることを特徴とする請求
項１記載の光触媒。 - 【請求項４】 前記二酸化チタンはＭｏを含んでいるこ
とを特徴とする請求項１記載の光触媒。 - 【請求項５】 二酸化チタン（ＴｉＯ２）に光を当てる
ことにより有機物や細菌等を分解する光触媒装置におい
て、該二酸化チタン合金は、チタン（Ｔｉ）の微粉末を
焼結することにより酸化して形成したアナターゼ型の二
酸化チタンであり、該二酸化チタンは空孔率が５０〜９
９％であることを特徴とする光触媒装置。 - 【請求項６】 二酸化チタン（ＴｉＯ２）を用いた光触
媒の製造方法において、該二酸化チタンは、チタン（Ｔ
ｉ）の微粉末を９００℃以下で焼結することにより酸化
して形成したアナターゼ型の二酸化チタンであることを
特徴とする二酸化チタンを用いた光触媒の製造方法。 - 【請求項７】 前記チタン微粉末には、焼結助剤として
Ｍｏ（モリブデン）または、ＭｏＯ３（酸化モリブデ
ン）が添加されていることを特徴とする請求項６記載の
二酸化チタンを用いた光触媒の製造方法。 - 【請求項８】 前記チタニア微粒子には、クロム酸化物
（ＣｒＯ３）またはＶ（バナジウム）酸化物が添加され
ていることを特徴とする請求項６記載の二酸化チタンを
用いた光触媒の製造方法。 - 【請求項９】 前記チタニア微粒子には、純Ｃｒまたは
純Ｖが添加されていることを特徴とする請求項６記載の
二酸化チタンを用いた光触媒の製造方法。 - 【請求項１０】 二酸化チタン（ＴｉＯ２）を用いた光
触媒の製造方法において、チタン微粉末に、樹脂バイン
ダーを添加・混練し、原料コンパウンドを形成する工
程、 前記樹脂バインダーを除去するための工程、 該脱バインダーされたチタン微粉末を９００℃以下で焼
結することによりチタン微粉末を酸化して、アナターゼ
型の二酸化チタンを形成する工程とを有することを特徴
とする二酸化チタンを用いた光触媒の製造方法。 - 【請求項１１】 前記チタン微粉末は、２０〜２０００
ｎｍの粒径のチタン微粉末であることを特徴とする請求
項１０記載の二酸化チタンを用いた光触媒の製造方法。 - 【請求項１２】 前記原料コンパウンドには、体積比で
５０〜９９％の樹脂バインダーが含有されていることを
特徴とする請求項１０記載の二酸化チタンを用いた光触
媒の製造方法。 - 【請求項１３】 前記原料コンパウンドには、クロム酸
化物（ＣｒＯ３）またはＶ（バナジウム）酸化物が添加
されていることを特徴とする請求項１０記載の二酸化チ
タンを用いた光触媒の製造方法。 - 【請求項１４】 前記原料コンパウンドには、純Ｃｒま
たは純Ｖが添加されていることを特徴とする請求項１０
記載の二酸化チタンを用いた光触媒の製造方法。 - 【請求項１５】 前記原料コンパウンドには、焼結助剤
としてＭｏＯ３が添加されていることを特徴とする請求
項１０記載の二酸化チタンを用いた光触媒の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35795299A JP2001170496A (ja) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | 光触媒及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35795299A JP2001170496A (ja) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | 光触媒及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001170496A true JP2001170496A (ja) | 2001-06-26 |
Family
ID=18456793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35795299A Withdrawn JP2001170496A (ja) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | 光触媒及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001170496A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1437790A1 (en) * | 2002-06-14 | 2004-07-14 | Hitachi Maxell, Ltd. | Photoelectric transducer and its manufacturing method |
| CN107281997A (zh) * | 2017-08-03 | 2017-10-24 | 中国矿业大学 | 一种多孔氧化物/二氧化钛微米球复合催化材料及其制备方法 |
-
1999
- 1999-12-16 JP JP35795299A patent/JP2001170496A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1437790A1 (en) * | 2002-06-14 | 2004-07-14 | Hitachi Maxell, Ltd. | Photoelectric transducer and its manufacturing method |
| EP1437790A4 (en) * | 2002-06-14 | 2010-05-12 | Panasonic Elec Works Co Ltd | PHOTOELECTRIC CONVERTER AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| CN107281997A (zh) * | 2017-08-03 | 2017-10-24 | 中国矿业大学 | 一种多孔氧化物/二氧化钛微米球复合催化材料及其制备方法 |
| CN107281997B (zh) * | 2017-08-03 | 2020-02-14 | 中国矿业大学 | 一种多孔氧化物/二氧化钛微米球复合催化材料及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Yin et al. | Synthesis and photocatalytic properties of fibrous titania prepared from protonic layered tetratitanate precursor in supercritical alcohols | |
| CN103396634B (zh) | 一种自清洁抗菌防雾薄膜 | |
| Ardizzone et al. | Tailored anatase/brookite nanocrystalline TiO2. The optimal particle features for liquid-and gas-phase photocatalytic reactions | |
| Peiró et al. | Low-temperature deposition of TiO2 thin films with photocatalytic activity from colloidal anatase aqueous solutions | |
| Chu et al. | Highly porous (TiO2− SiO2− TeO2)/Al2O3/TiO2 composite nanostructures on glass with enhanced photocatalysis fabricated by anodization and sol− gel process | |
| Burda et al. | Enhanced nitrogen doping in TiO2 nanoparticles | |
| Chae et al. | Preparation of size-controlled TiO2 nanoparticles and derivation of optically transparent photocatalytic films | |
| Dong et al. | One-step “green” synthetic approach for mesoporous C-doped titanium dioxide with efficient visible light photocatalytic activity | |
| Gomathisankar et al. | Photocatalytic hydrogen production from aqueous Na2S+ Na2SO3 solution with B-doped ZnO | |
| Andersson et al. | Ag/AgCl-loaded ordered mesoporous anatase for photocatalysis | |
| Ghosh et al. | Mesoporous titanium dioxide nanofibers with a significantly enhanced photocatalytic activity | |
| TWI359698B (en) | Method for producing catalyst for wastewater treat | |
| Huang et al. | Preparation of nanoporous titania films by surface sol− gel process accompanied by low-temperature oxygen plasma treatment | |
| JP3834631B2 (ja) | 基体上に形成されたチタニア系結晶体からなる光触媒の製造方法 | |
| Krishnaprasanth et al. | Solvent free synthesis of Ta2O5 nanoparticles and their photocatalytic properties | |
| CN105597719A (zh) | 一种泡沫钛-氧化钛复合光电催化材料及其应用 | |
| Li et al. | Construction of CeO 2/TiO 2 heterojunctions immobilized on activated carbon fiber and its synergetic effect between adsorption and photodegradation for toluene removal | |
| CN107008240A (zh) | 氧化铝开孔泡沫陶瓷负载Si掺杂的纳米晶二氧化钛光催化剂及其制备方法 | |
| JP2001070802A (ja) | 光触媒膜およびその製造方法 | |
| KR20200062049A (ko) | 중공사형 광촉매 및 이의 제조방법 | |
| Yoon et al. | Transition metal-doped mesoporous TiO2 films fabricated through cellulose nanocrystal template synthesis: studies of physicochemical, spectrophotometric properties, and photocatalytic degradation activity | |
| Cervantes-Diaz et al. | SiC Foams for the Photocatalytic Degradation of Methylene Blue under Visible Light Irradiation | |
| CN104549202A (zh) | 一种锐钛矿相碳掺杂二氧化钛光催化剂的制造方法 | |
| JP2001170496A (ja) | 光触媒及びその製造方法 | |
| KR20040036464A (ko) | 티타니아계 촉매의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070306 |