JP2001203445A - Method of manufacturing printed wiring board and jig for flattening - Google Patents

Method of manufacturing printed wiring board and jig for flattening

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JP2001203445A
JP2001203445A JP2000013468A JP2000013468A JP2001203445A JP 2001203445 A JP2001203445 A JP 2001203445A JP 2000013468 A JP2000013468 A JP 2000013468A JP 2000013468 A JP2000013468 A JP 2000013468A JP 2001203445 A JP2001203445 A JP 2001203445A
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solder
resin
jig
printed wiring
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Kazuhito Yamada
和仁 山田
Motoo Asai
元雄 浅井
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Ibiden Co Ltd
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Ibiden Co Ltd
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    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide the manufacturing method of a printed wiring board which can conduct a highly accurate flattening processing, while the occurrence of cracks in the board are avoided. SOLUTION: A solder resist layer 70, having an opening part 70a, is formed on the board 30. The opening part 70a on the chip-loading face-side of the substrate 30 is filled with solder paste and it is made to reflow. Then, solder bumps 76 are formed. The top parts of the solder bumps 76 are flattened and are made to uniform heights by the flattening processing for adding pressure force to the thickness direction of the substrate 30 by using a pair of jigs 11 and 12. Electronic components 14 are loaded on the chip non-loading face 10a-side of the substrate 30. A part release recessed part 13 for releasing the electronic components 14 is installed on the substrate abutting face 11a of the jib 11 which presses the chip non-loading face 10a-side.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線板の
製造方法、及びプリント配線板の製造時に用いられるフ
ラッタニング用治具に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a printed wiring board, and a flattening jig used for manufacturing a printed wiring board.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、プリント配線板を構成する基板
のチップ搭載側面の表層には、導体回路を保護するため
にソルダーレジスト層が形成されている。ソルダーレジ
スト層における複数の箇所には開口部が形成されてい
て、そこには導体回路の一部であるパッドが配置されて
いる。パッド上には半球状のはんだバンプが設けられ
る。通常、上記のはんだバンプは、パッド上にニッケル
めっき層や金めっき層等を設けた後、さらにはんだペー
ストを印刷・充填してリフローすることにより形成され
る。そして、このようなバンプを用いてICチップをプ
リント配線板上に搭載することにより、ICチップ側と
プリント配線板側とが電気的に接続されるようになって
いる。
2. Description of the Related Art In general, a solder resist layer is formed on a surface layer on a chip mounting side surface of a substrate constituting a printed wiring board in order to protect a conductor circuit. Openings are formed at a plurality of positions in the solder resist layer, and pads that are a part of the conductor circuit are arranged therein. A hemispherical solder bump is provided on the pad. Usually, the above-mentioned solder bump is formed by providing a nickel plating layer, a gold plating layer, or the like on a pad, and then printing and filling a solder paste, followed by reflow. By mounting an IC chip on a printed wiring board using such bumps, the IC chip side and the printed wiring board side are electrically connected.

【0003】しかしながら、微小なはんだバンプを多数
形成しようとすると、頂部の高さ位置がばらつきやすく
なる。従って、頂部が低くなったはんだバンプについて
はICチップ側の端子との接触が不十分になり、結果と
してICチップ側とプリント配線板側との間に高い接続
信頼性を確保することが困難になる。
However, when a large number of minute solder bumps are to be formed, the height position of the top tends to vary. Therefore, the solder bumps having the reduced top portions have insufficient contact with the terminals on the IC chip side, and as a result, it is difficult to ensure high connection reliability between the IC chip side and the printed wiring board side. Become.

【0004】そこで、リフローを行ってはんだバンプを
形成した後、チップ搭載面におけるバンプ形成エリアを
治具を用いて基板厚さ方向に押圧する、という対策が提
案されている。そして、このようなフラッタニング処理
を行えば、はんだバンプの頂部が平坦化されて、頂部が
全て均一な高さに揃うものと考えられている。
[0006] Therefore, a measure has been proposed in which, after reflow is performed to form solder bumps, the bump formation area on the chip mounting surface is pressed in the thickness direction of the substrate using a jig. It is considered that such a flattening process flattens the tops of the solder bumps so that all the tops have a uniform height.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところが、仮に基板1
01の下面(チップ非搭載面)102側の中央部を全く
支持・固定せずに1つの治具103でフラッタニング処
理を行うと、押圧力によって基板中央部が撓んでしまう
おそれがある(図13参照)。従って、はんだバンプ1
04の頂部を均一な高さに揃えることが困難になり、フ
ラッタニングの精度も低下してしまう。
However, if the substrate 1
If the flattening process is performed with one jig 103 without supporting and fixing the central portion of the lower surface (non-chip mounting surface) 102 side of the substrate 01 at all, the central portion of the substrate may be bent by the pressing force (FIG. 13). Therefore, solder bump 1
It is difficult to make the tops of the 04s uniform, and the accuracy of fluttering also decreases.

【0006】この問題を解消するためには、例えば図1
4に示されるように、基板101のチップ非搭載面10
2の中央部を別の治具105を用いて支持・固定し、こ
の状態で両面側から押圧力を付与すればよいと考えられ
る。しかし、チップ非搭載面102においてバンプ形成
エリアのちょうど反対側の位置に、コンデンサ等の小さ
な電子部品106が実装されていることがある。この場
合、治具105には基板101ではなく電子部品106
が当接する。ここで、電子部品106の構成材料はある
程度の硬さを有するため、たとえ大きな押圧力が付加し
ても電子部品106自身が破壊する可能性はそれほど大
きくない。その一方で、基板101における絶縁層等に
は、通常、電子部品用材料よりも相対的に脆弱な樹脂材
料が用いられている。ゆえに、フラッタニング処理を行
うと、治具105のもたらす押圧力が電子部品106を
介して絶縁層等の特定部位に集中し、結果として絶縁層
等にクラックが入りやすくなるという問題がある。
To solve this problem, for example, FIG.
As shown in FIG. 4, the chip non-mounting surface 10 of the substrate 101
It is conceivable that the center part of No. 2 should be supported and fixed by using another jig 105, and in this state, a pressing force should be applied from both sides. However, a small electronic component 106 such as a capacitor may be mounted on the chip non-mounting surface 102 at a position just opposite to the bump formation area. In this case, the jig 105 does not include the substrate 101 but the electronic component 106.
Abuts. Here, since the constituent material of the electronic component 106 has a certain degree of hardness, even if a large pressing force is applied, the possibility that the electronic component 106 itself is broken is not so large. On the other hand, for the insulating layer and the like of the substrate 101, a resin material which is relatively brittle than a material for electronic components is usually used. Therefore, when the fluttering process is performed, the pressing force provided by the jig 105 is concentrated on a specific portion such as the insulating layer via the electronic component 106, and as a result, there is a problem that the insulating layer or the like is easily cracked.

【0007】本発明は上記の課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、基板におけるクラックの発生を回
避しつつ精度の高いフラッタニング処理を行うことがで
きるプリント配線板の製造方法、フラッタニング用治具
を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in consideration of the above problems, and has as its object to provide a method of manufacturing a printed wiring board capable of performing a highly accurate fluttering process while avoiding the occurrence of cracks in a substrate. It is an object of the present invention to provide a jig for shining.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項1に記載の発明では、導体回路を備える基
板上に複数の開口部を有するソルダーレジスト層を形成
し、次いで前記基板のチップ搭載面側における前記開口
部内にはんだペーストを充填してリフローすることによ
り複数のはんだバンプを形成した後、一対の治具を用い
て前記基板の厚さ方向に押圧力を加えることにより、前
記はんだバンプの頂部を平坦化して均一な高さにするフ
ラッタニング処理を行うプリント配線板の製造方法にお
いて、前記基板のチップ非搭載面側に電子部品が実装さ
れている場合、チップ非搭載面側を押圧する治具の基板
当接面に、前記電子部品を逃がすための部品逃がし凹部
を設けておくことを特徴とするプリント配線板の製造方
法をその要旨とする。
In order to solve the above-mentioned problems, according to the present invention, a solder resist layer having a plurality of openings is formed on a substrate having a conductor circuit, and then the substrate is provided with a plurality of openings. After forming a plurality of solder bumps by filling a solder paste into the opening on the chip mounting surface side and reflowing, by applying a pressing force in the thickness direction of the substrate using a pair of jigs, In the method of manufacturing a printed wiring board for performing a flattening process of flattening a top portion of the solder bump to have a uniform height, when an electronic component is mounted on the chip non-mounting surface side of the substrate, the chip non-mounting surface The gist of the present invention is a method for manufacturing a printed wiring board, characterized in that a component escape recess for allowing the electronic component to escape is provided on a substrate contact surface of a jig for pressing the side. .

【0009】請求項2に記載の発明は、請求項1におい
て、前記治具は硬質かつ耐圧性の材料からなるとした。
請求項3に記載の発明は、請求項1または2において、
前記部品逃がし凹部は、複数の電子部品に対応して1つ
設けられているとした。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, the jig is made of a hard and pressure-resistant material.
According to a third aspect of the present invention, in the first or second aspect,
It is assumed that one component escape recess is provided corresponding to a plurality of electronic components.

【0010】請求項4に記載の発明は、請求項13にお
いて、前記部品逃がし凹部の底面には、前記基板のチッ
プ非搭載面側に当接する凸部が設けられているとした。
請求項5に記載の発明では、基板の厚さ方向に押圧力を
加えることにより、はんだバンプの頂部を平坦化して均
一な高さにするフラッタニング処理に用いられるチップ
非搭載面側の治具であって、その基板当接面に部品逃が
し凹部を備えたフラッタニング用治具をその要旨とす
る。
According to a fourth aspect of the present invention, in the thirteenth aspect, a convex portion is provided on a bottom surface of the component escape concave portion so as to be in contact with the chip non-mounting surface side of the substrate.
According to the invention as set forth in claim 5, a jig on the chip non-mounting surface side used in a fluttering process for applying a pressing force in a thickness direction of the substrate to flatten the top portion of the solder bump to have a uniform height. The gist of the present invention is a fluttering jig provided with a component escape recess on the substrate contact surface.

【0011】以下、本発明の「作用」について説明す
る。請求項1,5に記載の発明によると、基板両面側か
ら押圧力が加わることになるため、基板が撓みにくくな
り、精度の高いフラッタニング処理を行うことができ
る。また、フラッタニング処理の際、治具の基板当接面
に設けられた部品逃がし凹部に電子部品を逃がすことが
できるため、基板当接面に電子部品が直接当接しなくな
る。このため、押圧力が電子部品を介して絶縁層等の特
定部位に集中するようなことがなくなる。従って、基板
にクラックが発生しにくくなる。
Hereinafter, the "action" of the present invention will be described. According to the first and fifth aspects of the present invention, since the pressing force is applied from both sides of the substrate, the substrate is less likely to bend, and highly accurate fluttering processing can be performed. Further, at the time of the fluttering process, since the electronic component can escape to the component escape recess provided on the substrate contact surface of the jig, the electronic component does not directly contact the substrate contact surface. Therefore, the pressing force does not concentrate on a specific portion such as an insulating layer via the electronic component. Therefore, cracks are less likely to occur on the substrate.

【0012】請求項2に記載の発明によると、硬質かつ
耐圧性の材料からなる治具であれば、フラッタニング処
理時の押圧力によって、自身が変形したり破壊したりす
るようなことがない。従って、より高い精度でフラッタ
ニング処理を行うことができる。
According to the second aspect of the invention, if the jig is made of a hard and pressure-resistant material, the jig is not deformed or broken by the pressing force at the time of the fluttering process. . Therefore, the fluttering process can be performed with higher accuracy.

【0013】請求項3に記載の発明によると、部品逃が
し凹部を複数の電子部品に対応して1つ設ければ、部品
逃がし凹部を個々の電子部品ごとに設ける場合よりも製
造が簡単になり、高コスト化も防止される。
According to the third aspect of the present invention, if one part-relief recess is provided for each of a plurality of electronic components, the production becomes simpler than the case where the part-relief recess is provided for each individual electronic component. Also, high cost is prevented.

【0014】請求項4に記載の発明によると、凸部が基
板のチップ非搭載面側に当接することにより、よりいっ
そう基板が撓みにくくなる。従って、より高い精度でフ
ラッタニング処理を行うことができる。
According to the fourth aspect of the present invention, since the convex portion comes into contact with the chip non-mounting surface side of the substrate, the substrate becomes more difficult to bend. Therefore, the fluttering process can be performed with higher accuracy.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、本発明を具体化した一実施
形態のセミアディティブ法によるプリント配線板の製造
方法を説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A method for manufacturing a printed wiring board by a semi-additive method according to one embodiment of the present invention will be described below.

【0016】まず、基板の表面に導体回路を備えるプリ
ント配線板が形成される。基板としては、ガラスエポキ
シ基板、ポリイミド基板、ビスマレイミド−トリアジン
樹脂(BT樹脂)基板等の樹脂基板、セラミック基板、
金属基板等を用いることができる。この基板には無電解
めっき用接着剤層が形成される。この接着剤層の表面は
粗化され、さらに粗化面全体に薄付け無電解めっきが施
される。続いて、樹脂絶縁層の粗化面上には、めっきレ
ジストが形成される。めっきレジストの非形成部分には
厚付け電解めっきが施される。次に、不要となっためっ
きレジストを除去した後、エッチング処理が行われ、電
解めっき膜と無電解めっき膜とからなる導体回路が形成
される。導体回路の形成には銅が用いられることがよ
い。
First, a printed wiring board having a conductor circuit is formed on the surface of a substrate. As the substrate, a resin substrate such as a glass epoxy substrate, a polyimide substrate, a bismaleimide-triazine resin (BT resin) substrate, a ceramic substrate,
A metal substrate or the like can be used. An adhesive layer for electroless plating is formed on this substrate. The surface of the adhesive layer is roughened, and the entire roughened surface is subjected to thin electroless plating. Subsequently, a plating resist is formed on the roughened surface of the resin insulating layer. Thick electrolytic plating is applied to the non-formed portions of the plating resist. Next, after the unnecessary plating resist is removed, an etching process is performed to form a conductor circuit including the electrolytic plating film and the electroless plating film. Copper is preferably used for forming the conductor circuit.

【0017】導体回路が形成された基板には、表裏の導
体回路を導通するためのめっきスルーホールが形成され
る。めっきスルーホールは樹脂充填剤によって穴埋めさ
れるとともに、めっきスルーホールの開口から露出する
樹脂充填剤の不要部分は乾燥後に研削して除去される。
On the substrate on which the conductor circuits are formed, plated through holes for conducting the front and back conductor circuits are formed. The plating through hole is filled with a resin filler, and an unnecessary portion of the resin filler exposed from the opening of the plating through hole is removed by grinding after drying.

【0018】次いで、基板の表面において露出している
導体回路には粗化面が設けられる。粗化面は、銅からな
る導体回路の表面をエッチング処理、研磨処理、酸化処
理または酸化還元処理することにより形成されることが
好ましい。なお、導体回路の表面にめっき皮膜を設ける
ことにより粗化面を形成してもよい。
Next, the conductor circuit exposed on the surface of the substrate is provided with a roughened surface. The roughened surface is preferably formed by etching, polishing, oxidizing, or redox-treating the surface of a conductor circuit made of copper. The roughened surface may be formed by providing a plating film on the surface of the conductor circuit.

【0019】本実施形態で使用される無電解めっき用接
着剤としては、硬化処理された酸あるいは酸化剤に可溶
性の耐熱性樹脂粒子が、酸あるいは酸化剤に難溶性の未
硬化の耐熱性樹脂中に分散されてなるものが最適であ
る。その理由は、上記接着剤を用いた場合、酸、酸化剤
で処理することにより耐熱性樹脂粒子が溶解除去され
て、蛸つぼ状のアンカーを備える粗化面を容易に得るこ
とができるからである。
The adhesive for electroless plating used in the present embodiment includes a heat-resistant resin particle soluble in a cured acid or oxidizing agent, and an uncured heat-resistant resin hardly soluble in an acid or oxidizing agent. What is dispersed inside is optimal. The reason is that when the above adhesive is used, the heat-resistant resin particles are dissolved and removed by treating with an acid and an oxidizing agent, so that a roughened surface having an octopus pot-shaped anchor can be easily obtained. is there.

【0020】上記無電解めっき用接着剤において、特に
硬化処理された前記耐熱性樹脂粒子としては、(1)平
均粒径が10μm以下の耐熱性樹脂粉末、(2)平均粒
径が2μm以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒
子、(3)平均粒径が2〜10μmの耐熱性樹脂粉末と
平均粒径が2μm以下の対熱性樹脂粉末との混合物、
(4)平均粒径が2〜10μmの耐熱性樹脂粉末の表面
に平均粒径が2μm以下の耐熱性樹脂粉末または無機粉
末のいずれか少なくとも1種を付着させてなる疑似粒
子、(5)平均粒径が0.1〜0.8μmの耐熱性樹脂
粉末と、平均粒径が0.8μmを越え、2μm未満の耐
熱性樹脂粉末との混合物、(6)平均粒径が0.1〜
1.0μmの耐熱性樹脂粉末、のうちの少なくともいず
れかを用いることが望ましい。これらのものを用いれ
ば、より複雑な形状のアンカーを形成することができる
からである。
In the above-mentioned adhesive for electroless plating, the heat-resistant resin particles which have been particularly cured include (1) a heat-resistant resin powder having an average particle diameter of 10 μm or less, and (2) a heat-resistant resin powder having an average particle diameter of 2 μm or less. Agglomerated particles obtained by aggregating heat-resistant resin powder, (3) a mixture of a heat-resistant resin powder having an average particle diameter of 2 to 10 μm and a heat-resistant resin powder having an average particle diameter of 2 μm or less,
(4) pseudo particles obtained by adhering at least one of a heat-resistant resin powder having an average particle size of 2 μm or less and an inorganic powder to the surface of a heat-resistant resin powder having an average particle size of 2 to 10 μm; A mixture of a heat-resistant resin powder having a particle diameter of 0.1 to 0.8 μm and a heat-resistant resin powder having an average particle diameter of more than 0.8 μm and less than 2 μm, (6) an average particle diameter of 0.1 to 0.8 μm
It is desirable to use at least one of a heat-resistant resin powder of 1.0 μm. This is because, if these are used, an anchor having a more complicated shape can be formed.

【0021】前記酸あるいは、酸化剤に難溶性の耐熱性
樹脂としては、「熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂からな
る樹脂複合体」または「感光性樹脂及び熱可塑性樹脂か
らなる樹脂複合体」を用いることが望ましい。前者の利
点は、他のものに比べて耐熱性に優れることである。後
者の利点は、フォトリソグラフィによってバイアホール
形成用穴を高精度で形成することができることである。
As the heat-resistant resin hardly soluble in an acid or an oxidizing agent, a “resin composite composed of a thermosetting resin and a thermoplastic resin” or a “resin composite composed of a photosensitive resin and a thermoplastic resin” is used. It is desirable to use. The advantage of the former is that it has better heat resistance than the others. An advantage of the latter is that a via hole forming hole can be formed with high precision by photolithography.

【0022】前記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹
脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂などを使用するこ
とができる。また、前記樹脂に感光性を付与したい場
合、メタクリル酸やアクリル酸などと、熱硬化基とをア
クリル化反応させる。この場合、エポキシ樹脂のアクリ
レートを用いることが特に望ましい。
As the thermosetting resin, epoxy resin, phenol resin, polyimide resin and the like can be used. When it is desired to impart photosensitivity to the resin, an acrylate reaction between methacrylic acid, acrylic acid, or the like and a thermosetting group is performed. In this case, it is particularly desirable to use an acrylate of an epoxy resin.

【0023】エポキシ樹脂としては、フェノールノボラ
ック型、クレゾールノボラック型などのノボラック型エ
ポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変成した脂環式エポ
キシ樹脂などを使用することができる。
As the epoxy resin, novolak type epoxy resins such as phenol novolak type and cresol novolak type, and alicyclic epoxy resin modified with dicyclopentadiene can be used.

【0024】熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルスル
フォン(PES)、ポリスルホォン(PSF)、ポリフ
ェニレンスルフォン(PPS)、ポリフェニレンサルフ
ァイド(PPES)、ポリフェニルエーテル(PP
E)、ポリエーテルイミド(PI)などを使用すること
ができる。
As the thermoplastic resin, polyether sulfone (PES), polysulfone (PSF), polyphenylene sulfone (PPS), polyphenylene sulfide (PPES), polyphenyl ether (PP
E), polyetherimide (PI) and the like can be used.

【0025】熱硬化性樹脂(感光性樹脂)と熱可塑性樹
脂との混合割合は、熱硬化性樹脂(感光性樹脂)/熱可
塑性樹脂=95/5〜50/50の範囲内に設定される
ことがよい。この範囲内であれば、耐熱性を損なうこと
なく、高い靱性値を確保することができるからである。
The mixing ratio of the thermosetting resin (photosensitive resin) and the thermoplastic resin is set in the range of thermosetting resin (photosensitive resin) / thermoplastic resin = 95/5 to 50/50. Good. Within this range, a high toughness value can be ensured without impairing the heat resistance.

【0026】前記耐熱性樹脂粒子の混合比は、耐熱性樹
脂マトリックスの固形分に対して5重量%〜50重量
%、望ましくは10重量%〜40重量%であることがよ
い。前記耐熱性粒子としては、アミノ樹脂(メラミン樹
脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂)、エポキシ樹脂などを
用いることがよい。
The mixing ratio of the heat-resistant resin particles is preferably 5% by weight to 50% by weight, more preferably 10% by weight to 40% by weight, based on the solid content of the heat-resistant resin matrix. As the heat-resistant particles, an amino resin (melamine resin, urea resin, guanamine resin), an epoxy resin, or the like is preferably used.

【0027】なお、接着剤は、組成の異なる2層により
構成されていてもよい。次に、硬化処理を行った後、無
電解めっき用接着剤に由来する樹脂絶縁層には、バイア
ホール形成用の穴が穿孔される。
The adhesive may be composed of two layers having different compositions. Next, after performing a curing treatment, holes for forming via holes are formed in the resin insulating layer derived from the adhesive for electroless plating.

【0028】無電解めっき用接着剤の樹脂マトリックス
が熱硬化性樹脂である場合、前記穴はレーザー光や酸素
プラズマ等を用いて穿孔される。無電解めっき用接着剤
の樹脂マトリックスが感光性樹脂である場合、前記穴は
露光現像処理により穿孔される。露光現像処理において
は、円パターンが描画されたガラス基板製のフォトマス
クを感光性の樹脂絶縁層上に密着させた状態で、露光・
現像が行われる。
When the resin matrix of the adhesive for electroless plating is a thermosetting resin, the holes are perforated using laser light, oxygen plasma or the like. When the resin matrix of the adhesive for electroless plating is a photosensitive resin, the holes are formed by exposure and development. In the exposure and development process, a photomask made of a glass substrate on which a circular pattern is drawn is brought into close contact with the photosensitive resin insulating layer, and is exposed and exposed.
Development takes place.

【0029】次に、バイアホール形成用の穴を設けた樹
脂絶縁層(無電解めっき用接着剤層)の表面が粗化され
る。特に本実施形態では、無電解めっき用接着剤層の表
面に存在する耐熱性樹脂粒子を酸または酸化剤で溶解除
去することにより、接着剤層表面を粗化処理している。
Next, the surface of the resin insulating layer (adhesive layer for electroless plating) provided with holes for forming via holes is roughened. In particular, in the present embodiment, the surface of the adhesive layer is roughened by dissolving and removing the heat-resistant resin particles present on the surface of the adhesive layer for electroless plating with an acid or an oxidizing agent.

【0030】前記酸処理では、塩酸や硫酸等のような無
機酸を用いることができるほか、蟻酸や酢酸等のような
有機酸を用いることもできる。特には有機酸が用いられ
ることが望ましい。その理由は、粗化処理したときにバ
イアホールから露出する金属導体層を腐食させにくいか
らである。
In the acid treatment, an inorganic acid such as hydrochloric acid or sulfuric acid can be used, and an organic acid such as formic acid or acetic acid can be used. In particular, it is desirable to use an organic acid. The reason is that it is difficult to corrode the metal conductor layer exposed from the via hole during the roughening treatment.

【0031】前記酸化処理では、クロム酸、過マンガン
酸塩(過マンガン酸カリウム等)を用いることが望まし
い。粗化処理によって得られる粗化面の最大粗度(Rm
ax)は0.1μm〜20μmであることがよい。最大
粗度が大きすぎると、粗化面自体が損傷したり剥離しや
すくなる。逆に、最大粗度が小さすぎると、密着性が低
下してしまう。特に、本実施形態のようなセミアディテ
ィブ法では、最大粗度は0.1μm〜5μm程度に設定
されることがよい。その理由は、この範囲であれば、密
着性を確保しつつ無電解めっき膜を除去することができ
るからである。
In the oxidation treatment, it is desirable to use chromic acid or permanganate (such as potassium permanganate). The maximum roughness of the roughened surface obtained by the roughening treatment (Rm
ax) is preferably 0.1 μm to 20 μm. If the maximum roughness is too large, the roughened surface itself is easily damaged or peeled. Conversely, if the maximum roughness is too small, the adhesion will decrease. In particular, in the semi-additive method as in the present embodiment, the maximum roughness is preferably set to about 0.1 μm to 5 μm. The reason is that in this range, the electroless plating film can be removed while maintaining the adhesion.

【0032】次に、前記粗化面に触媒核を付与した後、
樹脂絶縁層の全面に薄付け無電解めっき膜を形成する。
この無電解めっき膜は、無電解銅めっきによって形成さ
れることがよい。また、無電解銅めっき膜の厚さは1μ
m〜5μmであることがよく、特には2μm〜3μmで
あることがよい。無電解銅めっき浴としては、一般的な
液組成のものを使用することができる。
Next, after providing a catalyst nucleus on the roughened surface,
A thin electroless plating film is formed on the entire surface of the resin insulating layer.
This electroless plating film is preferably formed by electroless copper plating. The thickness of the electroless copper plating film is 1μ.
m to 5 μm, and particularly preferably 2 μm to 3 μm. As the electroless copper plating bath, those having a general liquid composition can be used.

【0033】具体的にいうとは、例えば、硫酸銅:29
g/l、炭酸ナトリウム:25g/l、EDTA:14
0g/l、水酸化ナトリウム:40g/l、37%ホル
ムアルデヒド:150ml(PH=11.5)からなる
液組成のものを用いることがよい。
Specifically, for example, copper sulfate: 29
g / l, sodium carbonate: 25 g / l, EDTA: 14
It is preferable to use a liquid composition comprising 0 g / l, sodium hydroxide: 40 g / l, and 37% formaldehyde: 150 ml (PH = 11.5).

【0034】次に、このように形成した無電解めっき膜
上には、感光性樹脂フィルム(ドライフィルム)がラミ
ネートされる。この感光性樹脂フィルム上には、さらに
めっきレジストパターンが描画されたフォトマスクが密
着した状態で配置される。この状態で露光・現像処理を
することにより、所定パターンのめっきレジストが形成
される。
Next, a photosensitive resin film (dry film) is laminated on the thus formed electroless plating film. On this photosensitive resin film, a photomask on which a plating resist pattern is further drawn is arranged in close contact with it. By performing exposure and development processing in this state, a plating resist having a predetermined pattern is formed.

【0035】次に、無電解銅めっき膜上におけるレジス
ト非形成部分に電解めっき膜を形成することにより、導
体回路及びバイアホールとなる導体部が設けられる。電
解めっきとしては電解銅めっきが望ましい。また、無電
解銅めっき膜の厚さは10μm〜20μmに設定される
ことがよい。
Next, an electroplating film is formed on a portion of the electroless copper plating film where a resist is not formed, thereby providing a conductor circuit and a conductor portion serving as a via hole. As the electrolytic plating, electrolytic copper plating is desirable. Further, the thickness of the electroless copper plating film is preferably set to 10 μm to 20 μm.

【0036】次に、不要となっためっきレジストを除去
した後、めっきレジスト下に位置していた無電解めっき
膜がエッチングにより除去される。その結果、無電解め
っき膜及び電解めっき膜からなる2層構造の独立した導
体回路と、同じく2層構造のバイアホールとが得られ
る。前記エッチングにおいては、硫酸と過酸化水素の混
合液、過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム、塩化第
二鉄、塩化第二銅等のエッチング液が用いられる。な
お、粗化面上に付与されていたパラジウム触媒核は、ク
ロム酸や硫酸過水等により溶解除去される。
Next, after the unnecessary plating resist is removed, the electroless plating film located under the plating resist is removed by etching. As a result, an independent conductor circuit having a two-layer structure composed of the electroless plating film and the electrolytic plating film and a via hole having the same two-layer structure are obtained. In the etching, a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide, an etching solution such as sodium persulfate, ammonium persulfate, ferric chloride, and cupric chloride are used. The palladium catalyst nucleus provided on the roughened surface is dissolved and removed by chromic acid, sulfuric acid and hydrogen peroxide.

【0037】次いで、導体回路の表層には粗化面が形成
される。前記粗化面は、銅からなる導体回路をエッチン
グ処理、研磨処理、酸化処理、酸化還元処理することに
より、またはめっきにより形成されたものであることが
望ましい。
Next, a roughened surface is formed on the surface layer of the conductor circuit. The roughened surface is desirably formed by etching, polishing, oxidizing, oxidizing and reducing a conductor circuit made of copper, or by plating.

【0038】次いで、前記導体回路上にはソルダーレジ
スト層が形成される。本実施形態におけるソルダーレジ
スト層の厚さは5μm〜40μmであることがよい。ソ
ルダーレジスト層が薄すぎると、はんだの流動を阻止す
るダムとしての役割を果たさなくなるおそれがある。逆
に、ソルダーレジストが厚すぎると、開口部の形成が困
難になることに加え、はんだとの接触によってはんだ側
にクラックを発生させやすくなる。
Next, a solder resist layer is formed on the conductor circuit. The thickness of the solder resist layer in the present embodiment is preferably 5 μm to 40 μm. If the solder resist layer is too thin, it may not function as a dam for preventing the flow of solder. Conversely, if the solder resist is too thick, it becomes difficult to form an opening and cracks are more likely to occur on the solder side due to contact with the solder.

【0039】ソルダーレジスト層の形成には、ビスフェ
ノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ
樹脂のアクリレート、ノボラック型エポキシ樹脂、ノボ
ラック型エポキシ樹脂のアクリレートをアミン系硬化剤
やイミダゾール硬化剤などで硬化させた樹脂等を使用す
ることができる。
For the formation of the solder resist layer, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin acrylate, novolak type epoxy resin, novolak type epoxy resin acrylate were cured with an amine type curing agent or an imidazole curing agent. Resin or the like can be used.

【0040】特に、ソルダーレジスト層に設けられた開
口部にはんだバンプを形成する場合、「ノボラック型エ
ポキシ樹脂もしくはノボラック型エポキシ樹脂のアクリ
レート」からなり「イミダゾール硬化剤」を硬化剤とし
て含むものの使用が好ましい。その理由は、このような
構成のソルダーレジスト層は、鉛のマイグレーション
(鉛イオンがソルダーレジスト層内を拡散する現象)が
少ないという利点を持つからである。しかも、このよう
な構成のソルダーレジスト層は、ノボラック型エポキシ
樹脂のアクリレートをイミダゾール硬化剤で硬化した樹
脂層であるため、耐熱性、耐アルカリ性に優れている。
さらに、前記ソルダーレジスト層は、はんだが溶融する
温度(200℃前後)でも劣化せず、ニッケルめっきや
金めっきのような強塩基性のめっき液により分解するこ
ともない。
In particular, when a solder bump is formed in an opening provided in a solder resist layer, use of a novolak type epoxy resin or an acrylate of a novolak type epoxy resin containing an "imidazole curing agent" as a curing agent is required. preferable. The reason is that the solder resist layer having such a configuration has an advantage that migration of lead (a phenomenon in which lead ions diffuse in the solder resist layer) is small. Moreover, since the solder resist layer having such a configuration is a resin layer obtained by curing an acrylate of a novolak type epoxy resin with an imidazole curing agent, it has excellent heat resistance and alkali resistance.
Further, the solder resist layer is not deteriorated even at a temperature at which the solder melts (around 200 ° C.), and is not decomposed by a strongly basic plating solution such as nickel plating or gold plating.

【0041】このようなソルダーレジスト層は、剛直骨
格を持つ樹脂によって構成されているため剥離が生じや
すい。しかし、導体回路の表層に形成された粗化面の存
在によって、かかる剥離の発生が防止される。
Since such a solder resist layer is made of a resin having a rigid skeleton, peeling is likely to occur. However, the occurrence of such peeling is prevented by the presence of the roughened surface formed on the surface layer of the conductor circuit.

【0042】ここで、上記ノボラック型エポキシ樹脂の
アクリレートとしては、フェノールノボラックやクレゾ
ールノボラックのグリシジルエーテルを、アクリル酸や
メタクリル酸等と反応させたエポキシ樹脂などを用いる
ことができる。
Here, as the acrylate of the novolak type epoxy resin, an epoxy resin obtained by reacting glycidyl ether of phenol novolak or cresol novolak with acrylic acid, methacrylic acid or the like can be used.

【0043】また、上記イミダゾール硬化剤は25℃に
おいて液状であることが望ましい。その理由は、液状で
あれば均一に混合することができるからである。このよ
うな液状イミダゾール硬化剤としては、1−ベンジル−
2−メチルイミダゾール(商品名:1B2MZ)、1−
シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾール
(商品名:2E4MZ−CN)、4−メチル−2−エチ
ルイミダゾール(商品名:2E4MZ)を用いることが
できる。
The imidazole curing agent is desirably liquid at 25 ° C. The reason is that the liquid can be uniformly mixed. Such liquid imidazole curing agents include 1-benzyl-
2-methylimidazole (trade name: 1B2MZ), 1-
Cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole (trade name: 2E4MZ-CN) and 4-methyl-2-ethylimidazole (trade name: 2E4MZ) can be used.

【0044】このイミダゾール硬化剤の添加量は、上記
ソルダーレジスト層組成物の総固形分に対して1重量%
〜10重量%であることが望ましい。その理由は、添加
量がこの範囲内にあれば均一に混合しやすいからであ
る。
The amount of the imidazole curing agent added is 1% by weight based on the total solid content of the solder resist layer composition.
Desirably, it is 10 to 10% by weight. The reason is that if the added amount is within this range, it is easy to mix uniformly.

【0045】上記ソルダーレジスト層の硬化前組成物の
ための溶媒としては、グリコールエーテル系溶媒を使用
することが望ましい。その理由は、遊離酸素を発生させ
にくいソルダーレジスト層となり、銅からなるパッドの
表面を酸化させにくくなるからである。
As the solvent for the composition before curing the solder resist layer, it is desirable to use a glycol ether-based solvent. The reason is that it becomes a solder resist layer in which free oxygen is hardly generated, and it becomes difficult to oxidize the surface of the pad made of copper.

【0046】このようなグリコールエーテル系溶媒とし
ては、下記の構造式(1)のものが望ましく、さらには
ジエチレングリコールジメチルエーテル(DMDG)及
びトリエチレングリコールジメチルエーテル(DMT
G)から選ばれる少なくとも1種のものが特に望まし
い。
As such a glycol ether solvent, those having the following structural formula (1) are desirable, and further, diethylene glycol dimethyl ether (DMDG) and triethylene glycol dimethyl ether (DMT)
At least one selected from G) is particularly desirable.

【0047】 CH3O−(CH2CH2O)n−CH3(n=1〜5) ・・・(1) その理由は、30℃〜50℃に加温することにより、こ
れらの溶媒に、反応開始剤であるベンゾフェノンやミヒ
ラーケトンを完全に溶解させることができるからであ
る。なお、前記グリコールエーテル系溶媒の分量は、ソ
ルダーレジスト組成物の全重量に対して10重量%〜4
0重量%であることがよい。
CH 3 O— (CH 2 CH 2 O) n —CH 3 (n = 1 to 5) (1) The reason is that by heating to 30 ° C. to 50 ° C., these solvents In addition, benzophenone and Michler's ketone, which are reaction initiators, can be completely dissolved. The amount of the glycol ether solvent is 10% by weight to 4% by weight based on the total weight of the solder resist composition.
It is preferably 0% by weight.

【0048】以上説明したようなソルダーレジスト層組
成物には、その他に、各種消泡剤、レベリング剤、耐熱
性や耐塩基性の改善及び可撓性付与のための熱硬化性樹
脂、解像度改善のための感光性モノマーなどを添加する
ことができる。
The solder resist layer composition described above includes, in addition to the above, various antifoaming agents, leveling agents, thermosetting resins for improving heat resistance and base resistance and imparting flexibility, and improving resolution. For example, a photosensitive monomer can be added.

【0049】例えば、レベリング剤としては、アクリル
酸エステルの重合体からなるものがよい。また、開始剤
としてはチバガイギー社製の「イルガキュアI907
(商品名)」、光増感剤としては日本化薬社製の「DE
TX−S(商品名)」がよい。さらに、ソルダーレジス
ト層組成物には色素や顔料が添加されてもよい。その理
由は、着色することにより配線パターンが目立たなくな
るからである。このような色素としては、フタロシアニ
ングリーンを用いることが望ましい。
For example, as the leveling agent, one made of a polymer of an acrylate ester is preferable. As an initiator, "Irgacure I907" manufactured by Ciba-Geigy is used.
(Trade name) "and Nippon Kayaku's" DE "as a photosensitizer.
TX-S (product name). " Further, a dye or pigment may be added to the solder resist layer composition. The reason is that the coloring makes the wiring pattern less noticeable. It is desirable to use phthalocyanine green as such a dye.

【0050】添加成分である上記熱硬化製樹脂として
は、A型またはF型のビスフェノール型エポキシ樹脂を
用いることができる。耐塩基性を重視する場合には前者
を選択することがよく、低粘度化が要求される場合(塗
布性を重視する場合)には後者を選択することがよい。
As the thermosetting resin as an additional component, an A-type or F-type bisphenol-type epoxy resin can be used. The former is preferably selected when importance is placed on base resistance, and the latter is preferably selected when lower viscosity is required (when importance is placed on applicability).

【0051】添加成分である上記感光性モノマーとして
は、多価アクリル系モノマーを用いることができる。そ
の理由は、多価アクリル系モノマーの添加により、解像
度を向上させることができるからである。具体的には、
日本化薬社製「DPE−6A(商品名)」や、共栄社化
学社製「R−604(商品名)」のような構造の多価ア
クリル系モノマー等を用いることが望ましい。
As the photosensitive monomer which is an additive component, a polyacrylic monomer can be used. The reason is that the resolution can be improved by adding a polyvalent acrylic monomer. In particular,
It is desirable to use a polyacrylic monomer having a structure such as "DPE-6A (trade name)" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. or "R-604 (trade name)" manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.

【0052】また、これらのソルダーレジスト層組成物
の粘度は、25℃において0.5Pa・s 〜10Pa
・s、より望ましくは1Pa・s 〜10Pa・sに設
定されることがよい。その理由は、このように設定する
とロールコータで塗布しやすい粘度になるからである。
The viscosity of these solder resist layer compositions is 0.5 Pa · s to 10 Pa at 25 ° C.
S, more preferably 1 Pa · s to 10 Pa · s. The reason is that such a setting results in a viscosity that facilitates application with a roll coater.

【0053】上記のようなソルダーレジスト層を形成し
た後には、露光・現像によって所定箇所に開口部が形成
される。次いで、ソルダーレジスト層の開口部に位置す
る導体回路には、無電解めっきによりニッケルめっき層
が形成される。ニッケルめっき液としては、例えば、硫
酸ニッケル4.5g/l、次亜リン酸ナトリウム25g
/l、クエン酸ナトリウム40g/l、ホウ酸12g/
l、チオ尿素0.1g/l(PH=11)からなる組成
のものが使用される。
After the formation of the solder resist layer as described above, openings are formed at predetermined locations by exposure and development. Next, a nickel plating layer is formed on the conductor circuit located at the opening of the solder resist layer by electroless plating. Examples of the nickel plating solution include nickel sulfate 4.5 g / l and sodium hypophosphite 25 g.
/ L, sodium citrate 40g / l, boric acid 12g /
1, thiourea having a composition of 0.1 g / l (PH = 11) is used.

【0054】次に、ソルダーレジスト層の開口部の内壁
面は、脱脂液で処理することによって洗浄される。この
後、開口部にて露出する導体部分には、パラジウムなど
の触媒が付与される。さらに、前記触媒を活性化させた
後、基板をめっき液に浸漬することにより、導体部分に
ニッケルめっき層が形成される。
Next, the inner wall surface of the opening of the solder resist layer is cleaned by treating it with a degreasing solution. Thereafter, a catalyst such as palladium is applied to the conductor portion exposed at the opening. Further, after activating the catalyst, the substrate is immersed in a plating solution to form a nickel plating layer on the conductor.

【0055】ニッケルめっき層の厚さは、0.5μm〜
20μmであることがよく、特には3μm〜10μmで
あることがよい。0.5μm未満であると、はんだバン
プとニッケルめっき層との接続を図ることが困難にな
る。逆に、20μmを超えると、はんだバンプが開口部
内に完全に収まらず、はんだバンプが剥離しやすくなる
おそれがある。
The thickness of the nickel plating layer is 0.5 μm to
The thickness is preferably 20 μm, particularly preferably 3 μm to 10 μm. If it is less than 0.5 μm, it will be difficult to establish a connection between the solder bump and the nickel plating layer. Conversely, if the thickness exceeds 20 μm, the solder bump may not completely fit in the opening, and the solder bump may be easily peeled.

【0056】次いで、ニッケルめっき層上には、電解金
めっきによって厚さ0.03μm程度の金めっき層が形
成される。開口部に対する金属めっき層の形成を行った
後、チップ搭載面におけるソルダーレジスト層上にはマ
スク材が配置されるとともに、この状態で複数の開口部
内にはんだペーストが印刷充填される。その後、窒素雰
囲気下においてリフローすることにより、はんだバンプ
が開口部内に固定された状態となる。この時点でははん
だバンプは半球状を呈している。
Next, a gold plating layer having a thickness of about 0.03 μm is formed on the nickel plating layer by electrolytic gold plating. After forming the metal plating layer on the opening, a mask material is disposed on the solder resist layer on the chip mounting surface, and in this state, the solder paste is printed and filled in the plurality of openings. Thereafter, the solder bumps are fixed in the openings by reflow under a nitrogen atmosphere. At this point, the solder bump has a hemispherical shape.

【0057】はんだバンプの形成のためのはんだペース
トとしては、プリント配線板に一般的に使用されている
ものを用いることができる。具体的には、 Pb−Sn
系のもの(例えばPb:Snが9:1〜4:6の範囲内
にあるもの)、Sn−Ag系のもの、Sn−Ag−Cu
系のもの、Sn−Cu系のもの、 Sn−Sb系のもの
等を用いることが望ましい。なお、Sn:Pb=63:
37という組成の共晶はんだを用いた場合、リフローは
200℃〜230℃で行われることがよい。Sn:Ag
=96.5:3.5という組成のはんだを用いた場合、
リフローは200℃〜230℃で行われることがよい。
As the solder paste for forming the solder bumps, those generally used for printed wiring boards can be used. Specifically, Pb-Sn
(Eg, Pb: Sn in the range of 9: 1 to 4: 6), Sn—Ag, Sn—Ag—Cu
It is desirable to use a system-based, Sn-Cu-based, or Sn-Sb-based one. In addition, Sn: Pb = 63:
When using a eutectic solder having a composition of 37, the reflow is preferably performed at 200 ° C to 230 ° C. Sn: Ag
= 96.5: 3.5 when a solder having a composition of:
The reflow is preferably performed at 200 ° C to 230 ° C.

【0058】はんだペーストの融点は280℃未満であ
ることが望ましい。融点が280℃を超えると、樹脂絶
縁層やソルダーレジスト層に使用される樹脂が溶解し
て、樹脂絶縁層や導体回路の剥離、導体回路の断線など
を生じるおそれがある。また、加熱に要する時間がかか
るため、作業性が悪くなる。
The melting point of the solder paste is desirably less than 280 ° C. If the melting point exceeds 280 ° C., the resin used for the resin insulation layer and the solder resist layer may be dissolved, and the resin insulation layer and the conductor circuit may be peeled off, and the conductor circuit may be disconnected. Further, since the time required for heating is long, workability is deteriorated.

【0059】はんだペーストの粘度は100Pa・s
〜300Pa・sに設定されることが好ましい。粘度が
低すぎると、はんだバンプを所望の形状に保持すること
ができなくなるからである。逆に、粘度が高すぎると、
はんだペーストを開口部内へ効率よく充填できなくなる
からである。
The viscosity of the solder paste is 100 Pa · s
It is preferable to set the pressure to 300 Pa · s. If the viscosity is too low, the solder bump cannot be maintained in a desired shape. Conversely, if the viscosity is too high,
This is because the solder paste cannot be efficiently filled into the opening.

【0060】また、基板のチップ非搭載面においてバン
プ形成エリアのちょうど反対側の位置には、上述しため
っき等の手法により電子部品接続用のパッドがいくつか
形成されている。そして、これらのパッドには、チップ
コンデンサ、チップ抵抗、チップトランジスタ、チップ
ダイオード等のような小さな電子部品がはんだ層を介し
て接合されるようになっている。また、電子部品接続用
のパッドが形成されているエリアのさらに外周側には、
上述しためっき等の手法により端子ピン接続用のパッド
が多数形成されている。そして、これらのパッドには、
端子ピンがはんだ層を介して接合されるようになってい
る。
At the position just opposite the bump formation area on the chip non-mounting surface of the substrate, several pads for connecting electronic components are formed by the above-described plating or the like. Small electronic components such as a chip capacitor, a chip resistor, a chip transistor, and a chip diode are joined to these pads via a solder layer. Further, on the outer peripheral side of the area where the pads for connecting electronic components are formed,
A large number of pads for connecting terminal pins are formed by the above-described technique such as plating. And these pads have
The terminal pins are joined via a solder layer.

【0061】続いて、下記のような一対の治具(下治具
11及び上治具12)を用いてフラッタニング処理を行
う。図1に示されるように、プリント配線板10の下面
(チップ非搭載面)10a側を押圧するための治具であ
る下治具11は、ステンレス等のように硬質かつ耐圧性
の金属材料からなることが好ましい。金属材料の利点
は、比較的安価であって、かつ加工性に優れることであ
る。もっとも、硬質かつ耐圧性のものであれば、例えば
窒化珪素等のようなセラミックス材料を用いることもで
きる。
Subsequently, a flattening process is performed using a pair of jigs (a lower jig 11 and an upper jig 12) as described below. As shown in FIG. 1, a lower jig 11, which is a jig for pressing the lower surface (non-chip mounting surface) 10a side of the printed wiring board 10, is made of a hard and pressure-resistant metal material such as stainless steel. Preferably, The advantages of metal materials are that they are relatively inexpensive and have excellent workability. Of course, a ceramic material such as silicon nitride can be used as long as it is hard and pressure-resistant.

【0062】下治具11の上面(即ち基板当接面)11
aの略中央部には、電子部品14を逃がすための部品逃
がし凹部13が設けられている。本実施形態の部品逃が
し凹部13は、複数の電子部品14に対応して1つのみ
設けられている。
Upper surface 11 of lower jig 11 (that is, substrate contact surface) 11
A component escape recess 13 for allowing the electronic component 14 to escape is provided at a substantially central portion of “a”. In the present embodiment, only one component escape recess 13 is provided corresponding to a plurality of electronic components 14.

【0063】ここで、部品逃がし凹部13の深さは、複
数ある電子部品14のうち最も大きなものの高さより、
少なくとも1mm以上大きくなるように設定されてい
る。また、部品逃がし凹部13の外形はここでは矩形状
であり、その寸法は複数の電子部品14を包囲するのに
十分な大きさとなるように設定されている。前記部品逃
がし凹部13は、ざぐり加工によって形成されることが
できる。もっとも、部品逃がし凹部13は金型成形加工
などによって形成されてもよい。
Here, the depth of the component escape recess 13 is larger than the height of the largest one of the plurality of electronic components 14.
It is set to be at least 1 mm larger. The external shape of the component escape recess 13 is rectangular here, and its size is set to be large enough to surround the plurality of electronic components 14. The component relief recess 13 can be formed by counterboring. Of course, the part escape recess 13 may be formed by die molding or the like.

【0064】そして、このように構成された下治具11
の上面(即ち基板当接面11a)上には、プリント配線
板10が水平に載置される。このとき、基板当接面11
aの外周部は基板30のチップ非搭載面10aに直接当
接する。その反面、基板当接面11aの中央部、即ち部
品逃がし凹部13がある箇所は、基板30にも電子部品
14にも直接当接することはない。
Then, the lower jig 11 thus configured
The printed wiring board 10 is placed horizontally on the upper surface (that is, the substrate contact surface 11a). At this time, the substrate contact surface 11
The outer peripheral portion a directly contacts the chip non-mounting surface 10a of the substrate 30. On the other hand, the central portion of the board contact surface 11a, that is, the place where the component escape recess 13 is provided, does not directly contact the board 30 or the electronic component 14.

【0065】一方、プリント配線板10の上面(チップ
搭載面)10b側を押圧するための治具である上治具1
2も、下治具11と同じく、ステンレス等のように硬質
かつ耐圧性の金属材料からなることが好ましい。このよ
うな上治具12は、プリント配線板10の中心部上方に
配置される。上治具12の外形寸法は、チップ搭載面1
0bにあるバンプ形成エリアと同程度またはそれよりも
大きめに設定されている。上治具12の下面(即ち基板
当接面12a)は、下治具11の場合とは異なりフラッ
トに形成されている。なお、前記治具11,12の基板
当接面11a,12aには、はんだペーストの付着を防
止するための離型剤がコーティングされていてもよい。
On the other hand, the upper jig 1 is a jig for pressing the upper surface (chip mounting surface) 10b side of the printed wiring board 10.
2 is also preferably made of a hard and pressure-resistant metal material such as stainless steel, like the lower jig 11. Such an upper jig 12 is arranged above the center of the printed wiring board 10. The outer dimensions of the upper jig 12 are the chip mounting surface 1
The bump formation area is set to be equal to or larger than the bump formation area at 0b. Unlike the lower jig 11, the lower surface of the upper jig 12 (that is, the substrate contact surface 12a) is formed flat. The substrate contact surfaces 11a and 12a of the jigs 11 and 12 may be coated with a release agent for preventing solder paste from adhering.

【0066】前記治具11,12は、図示しない駆動装
置によって垂直方向に駆動される。この場合、下治具1
1のみを駆動させてもよく、上治具12のみを駆動させ
てもよく、または両者11,12の双方を駆動させても
よい。
The jigs 11 and 12 are driven in a vertical direction by a driving device (not shown). In this case, the lower jig 1
Only 1 may be driven, only the upper jig 12 may be driven, or both 11 and 12 may be driven.

【0067】そして、フラッタニング処理においては、
これらの治具11,12を用いて基板の厚さ方向に押圧
力を加えることにより、はんだバンプ76の頂部を平坦
化して均一な高さにする。
Then, in the fluttering process,
By applying a pressing force in the thickness direction of the substrate using these jigs 11 and 12, the tops of the solder bumps 76 are flattened to have a uniform height.

【0068】フラッタニング処理は、常温下で行われる
よりは、むしろ加熱下で行われることが望ましい。その
理由は、加熱下であるとはんだが軟化するため、それほ
ど大きくない押圧力でも、はんだバンプ76の頂部を容
易に平坦化することができるからである。なお、加熱下
でフラッタニング処理を行う場合、一方または両方の治
具11,12は、電熱ヒータ等のような加熱手段を備え
るものであることが望ましい。なお、加熱手段は治具1
1,12自体に設けられてもよいほか、治具11,12
の近傍に設けられてもよい。
It is desirable that the fluttering treatment is performed under heating rather than at room temperature. The reason is that the solder is softened under heating, so that the top of the solder bump 76 can be easily flattened even with a small pressing force. When performing the fluttering process under heating, it is desirable that one or both jigs 11 and 12 include a heating unit such as an electric heater. The heating means is jig 1
In addition to the jigs 11 and 12,
May be provided in the vicinity.

【0069】フラッタニング処理の際の温度は、60℃
〜使用するはんだの融点より10℃低い温度(液相線・
固相線がある場合、液相線よりも10℃低い温度)に設
定されることがよい。60℃未満であると、はんだバン
プ76が十分に軟化しないので、大きな押圧力を付加す
る必要が生じ、はんだバンプ76の破損につながるおそ
れがある。一方、融点を超えると、はんだバンプ76が
溶融してしまい、はんだバンプ76としての好適な形状
が損なわれるおそれがある。また、溶融したはんだバン
プ76間にブリッジが生じるおそれもある。なお、共晶
はんだ(Sn:Pb=63:37)を選択した場合に
は、前記温度は100℃〜160℃に設定されることが
望ましい。
The temperature during the fluttering treatment is 60 ° C.
~ 10 ℃ lower than the melting point of the solder used (liquidus
If there is a solidus, the temperature is preferably set to 10 ° C. lower than the liquidus. When the temperature is lower than 60 ° C., the solder bumps 76 are not sufficiently softened, so that it is necessary to apply a large pressing force, which may lead to breakage of the solder bumps 76. On the other hand, if the melting point is exceeded, the solder bump 76 is melted, and a suitable shape as the solder bump 76 may be damaged. Further, there is a possibility that a bridge may occur between the molten solder bumps 76. When eutectic solder (Sn: Pb = 63: 37) is selected, the temperature is desirably set to 100 ° C to 160 ° C.

【0070】フラッタニング処理の際の押圧力は10k
gf/cm2〜150kgf/cm2の範囲内で設定され
ることがよい。上記の範囲内であれば、はんだバンプ7
6の頂部を最も効率よく平坦化することができるからで
ある。押圧力が10kgf/cm2未満であると、はん
だバンプ76の頂部を確実に平坦化することができない
からである。逆に、押圧力が150kgf/cm2より
高いと、はんだバンプ76が破損するおそれがある。な
お、押圧力は30kgf/cm2〜100kgf/cm2
の範囲内で設定されることがより望ましい。
The pressing force during the fluttering process is 10 k
It may be set within the range of gf / cm 2 to 150 kgf / cm 2 . Within the above range, the solder bump 7
This is because the top of No. 6 can be flattened most efficiently. If the pressing force is less than 10 kgf / cm 2 , the top of the solder bump 76 cannot be reliably flattened. Conversely, if the pressing force is higher than 150 kgf / cm 2 , the solder bumps 76 may be damaged. The pressing force is 30 kgf / cm 2 to 100 kgf / cm 2
It is more desirable to set within the range.

【0071】治具11,12によって加圧される時間は
2分以内に設定されることがよく、好ましくは1分以内
に設定されることがよい。加圧時間が2分を超えると、
生産性が低下することに加え、熱が伝わりすぎてはんだ
バンプ76の破損につながるおそれがある。
The time of pressurization by the jigs 11 and 12 is preferably set within 2 minutes, and more preferably within 1 minute. If the pressurization time exceeds 2 minutes,
In addition to a decrease in productivity, heat may be transmitted too much and lead to breakage of the solder bumps 76.

【0072】フラッタニング処理を経た時点でのはんだ
バンプ76の頂部の高さ(具体的にはソルダーレジスト
層から露出した導体回路を基準としたときの頂部の高さ
t1)は、5μm〜100μmであることが望ましく、
特には10μm〜50μmであることが望ましい。
The height of the top of the solder bump 76 after the fluttering process (specifically, the height t1 of the top based on the conductor circuit exposed from the solder resist layer) is 5 μm to 100 μm. Preferably
In particular, it is desirable that the thickness be 10 μm to 50 μm.

【0073】なお、頂部の好適な高さt1は、ソルダー
レジスト層の厚さによっても若干異なる。例えばソルダ
ーレジスト層の厚さが20μmである場合、高さの均一
性や接続の確実性を向上させるためには、頂部の高さは
20μm〜70μmに設定されることが望ましい。つま
り、はんだバンプ76においてソルダーレジスト層から
突出している量は0μm〜50μmに設定されることが
望ましい。この突出量が0μm未満であると、はんだバ
ンプ76とICチップ側の端子とが未接続になりやすく
なる。逆に、この突出量が50μmを超えると、はんだ
バンプ76の頂部の高さt1を均一にしにくくなる。し
かも、はんだバンプ76自体を大きくしなければなら
ず、加熱後に短絡が起きやすくなるおそれがある。
Note that the preferable height t1 of the top part slightly differs depending on the thickness of the solder resist layer. For example, when the thickness of the solder resist layer is 20 μm, the height of the top is desirably set to 20 μm to 70 μm in order to improve the height uniformity and the reliability of connection. That is, it is desirable that the amount of the solder bump 76 projecting from the solder resist layer is set to 0 μm to 50 μm. If the protrusion amount is less than 0 μm, the solder bump 76 and the terminal on the IC chip side are likely to be unconnected. Conversely, if the amount of protrusion exceeds 50 μm, it is difficult to make the height t1 of the top of the solder bump 76 uniform. In addition, the size of the solder bump 76 itself must be increased, and a short circuit may easily occur after heating.

【0074】そして、以上のようなフラッタニング処理
の後、さらに個片分割工程、プラズマ処理工程、配線の
短絡・断線を検査するチェック工程を経て、所望のプリ
ント配線板を得ることができる。
After the above-described fluttering treatment, a desired printed wiring board can be obtained through a dividing process for individual pieces, a plasma treatment step, and a check step for inspecting a short circuit / break of wiring.

【0075】[0075]

【実施例及び比較例】以下、本実施形態をより具体化し
た実施例1のビルドアップ多層プリント配線板10及び
その製造方法を、図2〜図10に基づいて説明する。
EXAMPLES AND COMPARATIVE EXAMPLES Hereinafter, a build-up multilayer printed wiring board 10 of Example 1 which embodies the present embodiment and a method of manufacturing the same will be described with reference to FIGS.

【0076】まず、本実施例の多層プリント配線板10
の構成について述べる。図2に示すように、この多層プ
リント配線板10を構成する基板30の上面及び下面に
は、導体回路34が形成されている。これらの導体回路
34上にはビルドアップ層80A,80Bがそれぞれ形
成されている。ビルドアップ層80A,80Bは、とも
に2層の樹脂絶縁層50,91からなる。内層側に位置
する樹脂絶縁層50にはバイアホール60が形成される
とともに、同樹脂絶縁層50の上面には導体回路58が
形成されている。外層側に位置する樹脂絶縁層91には
バイアホール93が形成されるとともに、同樹脂絶縁層
91の上面には導体回路92が形成されている。
First, the multilayer printed wiring board 10 of the present embodiment
Is described. As shown in FIG. 2, a conductor circuit 34 is formed on an upper surface and a lower surface of the substrate 30 constituting the multilayer printed wiring board 10. Buildup layers 80A and 80B are formed on these conductor circuits 34, respectively. Each of the build-up layers 80A and 80B includes two resin insulating layers 50 and 91. Via holes 60 are formed in the resin insulating layer 50 located on the inner layer side, and conductive circuits 58 are formed on the upper surface of the resin insulating layer 50. Via holes 93 are formed in the resin insulating layer 91 located on the outer layer side, and a conductor circuit 92 is formed on the upper surface of the resin insulating layer 91.

【0077】バイアホール93及び導体回路92の外層
には、さらにソルダーレジスト層70,71が形成され
ている。ソルダーレジスト層70,71の所定箇所に
は、複数の開口部70a,71aがそれぞれ形成されて
いる。上面側の開口部70aの底面に位置する導体回路
92またはバイアホール93上には、はんだバンプ76
が形成されている。一方、下面側の開口部71aの底面
に位置する導体回路92またはバイアホール93上に
は、はんだ層が形成されている。
Solder resist layers 70 and 71 are further formed on the outer layers of the via holes 93 and the conductor circuits 92. A plurality of openings 70a and 71a are formed at predetermined positions of the solder resist layers 70 and 71, respectively. Solder bumps 76 are formed on conductor circuits 92 or via holes 93 located on the bottom surface of opening 70a on the upper surface side.
Are formed. On the other hand, a solder layer is formed on the conductor circuit 92 or the via hole 93 located on the bottom surface of the opening 71a on the lower surface side.

【0078】多層プリント配線板10における上面、即
ちチップ搭載面10b側にあるはんだバンプ76の頂部
には、平坦面77が形成されている。そして、これらの
はんだバンプ76を介して、前記パッドとICチップ1
6の端子(図示略)が接合される。また、多層プリント
配線板10における下面、即ちチップ非搭載面10a側
にあるはんだ層78のうち、基板中央部に位置するもの
には、チップコンデンサ等のような電子部品14が接合
されている。前記はんだ層78のうち、基板外周部に位
置するものには、T型の端子ピン15が接合されてい
る。なお、これらの端子ピン15は、図示しないドータ
ボード側のソケットに対して接続されるようになってい
る。また、この多層プリント配線板10の上面側の全て
のはんだバンプ76は、フラッタニング処理により頂部
が平坦化されている。その結果、頂部の高さt1が20
μmに揃えられている。従って、基板30に対してIC
チップ16を水平な状態に保持しつつ、ICチップ16
の端子とはんだバンプ76とが確実に接合されている。
A flat surface 77 is formed on the upper surface of the multilayer printed wiring board 10, that is, on the top of the solder bump 76 on the chip mounting surface 10b side. The pad and the IC chip 1 are connected via these solder bumps 76.
6 terminals (not shown) are joined. An electronic component 14 such as a chip capacitor or the like is joined to the lower surface of the multilayer printed wiring board 10, that is, the solder layer 78 on the side of the non-chip mounting surface 10a, which is located at the center of the substrate. T-type terminal pins 15 are joined to the solder layer 78 located at the outer peripheral portion of the substrate. Note that these terminal pins 15 are connected to a socket on the daughter board (not shown). The tops of all the solder bumps 76 on the upper surface side of the multilayer printed wiring board 10 are flattened by a fluttering process. As a result, the height t1 of the top is 20
μm. Therefore, IC
While holding the chip 16 in a horizontal state, the IC chip 16
Are securely bonded to the solder bumps 76.

【0079】続いて、本実施例の多層プリント配線板1
0の製造方法を、図4〜図10に基づいて工程順に説明
する。ここでは、まず、実施例の多層プリント配線板1
0の製造方法に用いる、A.無電解めっき用接着剤、
B.層間樹脂絶縁剤、C.樹脂充填剤、D.ソルダーレ
ジスト層の原料組成物の組成について説明する。 A.無電解めっき用接着剤調整用の原料組成物(上層用
接着剤) [樹脂組成物(1)]クレゾールノボラック型エポキシ
樹脂(日本化薬社製、分子量2500)の25%アクリ
ル化物を80重量%の濃度でDMDGに溶解させた樹脂
液を35重量部、感光性モノマー(東亜合成社製、商品
名:アロニックスM315)3.15重量部、消泡剤
(サンノプコ社製、商品名:S−65)0.5重量部、
NMP3.6重量部を攪拌混合して、樹脂組成物(1)
を得た。
Subsequently, the multilayer printed wiring board 1 of the present embodiment
0 will be described in the order of steps with reference to FIGS. Here, first, the multilayer printed wiring board 1 of the embodiment is used.
A.0 used in the production method of A.0. Adhesive for electroless plating,
B. Interlayer resin insulation, C.I. Resin filler, D.I. The composition of the raw material composition for the solder resist layer will be described. A. Raw Material Composition for Adjusting Adhesive for Electroless Plating (Adhesive for Upper Layer) [Resin Composition (1)] 80% by weight of 25% acrylate of cresol novolac type epoxy resin (Nippon Kayaku Co., Ltd., molecular weight 2500) 35 parts by weight of a resin solution dissolved in DMDG at a concentration of 3.35 parts by weight of a photosensitive monomer (manufactured by Toagosei Co., Ltd., trade name: Aronix M315), an antifoaming agent (manufactured by San Nopco, trade name: S-65) ) 0.5 parts by weight,
3.6 parts by weight of NMP were mixed under stirring to obtain a resin composition (1).
I got

【0080】[樹脂組成物(2)]ポリエーテルスルフ
ォン(PES)12重量部、エポキシ樹脂粒子(三洋化
成社製 商品名:ポリマーポール)の平均粒径1.0μ
mのものを7.2重量部、平均粒径0.5μmのものを
3.09重量部を混合した後、さらにNMP30重量部
を添加し、ピーズミルで攪拌混合して、樹脂組成物
(2)を得た。
[Resin Composition (2)] Polyethersulfone (PES) 12 parts by weight, average particle size of epoxy resin particles (manufactured by Sanyo Chemical Co., Ltd .: polymer pole) 1.0 μm
After mixing 7.2 parts by weight of m and 3.09 parts by weight of an average particle diameter of 0.5 μm, 30 parts by weight of NMP was further added, and the mixture was stirred and mixed with a peas mill to obtain resin composition (2). I got

【0081】[硬化剤組成物(3)]イミダゾール硬化
剤(四国化成社製、商品名2E4MZ−CN)2重量
部、光開始剤(チバガイギー社製、商品名:イルガキュ
ア I−907)2重量部、光増感剤(日本化薬社製、
商品名:DETX−S)0.2重量部、NMP1.5重
量部を攪拌混合して、硬化剤組成物(3)を得た。 B.層間樹脂絶縁剤調整用の原料組成物(下層用接着
剤) [樹脂組成物(1)]クレゾールノボラック型エポキシ
樹脂(日本化薬社製、分子量2500)の25%アクリ
ル化物を80重量%の濃度でDMDGに溶解させた樹脂
液を35重量部、感光性モノマー(東亜合成社製、商品
名:アロニックスM315)4重量部、消泡剤(サンノ
プコ社製、商品名:S−65)0.5重量部、NMP
3.6重量部を攪拌混合して、樹脂組成物(1)を得
た。
[Curing agent composition (3)] 2 parts by weight of an imidazole curing agent (trade name: 2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals), 2 parts by weight of a photoinitiator (trade name: Irgacure I-907, manufactured by Ciba Geigy) , Photosensitizer (Nippon Kayaku Co., Ltd.,
0.2 parts by weight of trade name: DETX-S) and 1.5 parts by weight of NMP were stirred and mixed to obtain a curing agent composition (3). B. Raw Material Composition for Adjusting Interlayer Resin Insulating Agent (Adhesive for Lower Layer) [Resin Composition (1)] 80% by weight of 25% acrylate of cresol novolac type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., molecular weight 2500) 35 parts by weight of a resin solution dissolved in DMDG, 4 parts by weight of a photosensitive monomer (manufactured by Toagosei Co., Ltd., trade name: Aronix M315), and 0.5 of an antifoaming agent (manufactured by San Nopco, trade name: S-65) Parts by weight, NMP
3.6 parts by weight were stirred and mixed to obtain a resin composition (1).

【0082】[樹脂組成物(2)]ポリエーテルスルフ
ォン(PES)12重量部と、エポキシ樹脂粒子(三洋
化成社製、商品名:ポリマーポール)の平均粒径0.5
μmのもの14.49重量部とを混合した後、さらにN
MP30重量部を添加し、ピーズミルで攪拌混合して、
樹脂組成物(2)を得た。
[Resin Composition (2)] 12 parts by weight of polyether sulfone (PES) and an average particle diameter of 0.5 of epoxy resin particles (manufactured by Sanyo Chemical Industries, trade name: polymer pole)
μm, 14.49 parts by weight, and further mixed with N
30 parts by weight of MP was added, and the mixture was stirred and mixed with a peas mill.
A resin composition (2) was obtained.

【0083】[硬化剤組成物(3)]イミダゾール硬化
剤(四国化成社製、商品名:2E4MZ−CN)2重量
部、光開始剤(チバガイギー社製、商品名:イルガキュ
ア I−907)2重量部、光増感剤(日本化薬社製、
商品名:DETX−S)0.2重量部、NMP1.5重
量部を攪拌混合して、硬化剤組成物(3)を得た。 C.樹脂充填剤調整用の原料組成物 [樹脂組成物(1)]ビスフェノールF型エポキシモノ
マー(油化シェル社製、分子量310、商品名:YL9
83U)100重量部、表面にシランカップリング剤が
コーティングされた平均粒径1.6μmのSiO2 の球
状粒子(アドマテック社製、商品名:CRS 1101
−CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅パ
ターンの厚さ(15μm)以下とする)170重量部、
レベリング剤(サンノプコ社製、商品名:ペレノールS
4)1.5重量部を攪拌混合した。得られた混合物の粘
度を23±1℃で45,000cps 〜49,000
cpsに調整して、樹脂組成物(1)を得た。
[Curing agent composition (3)] 2 parts by weight of an imidazole curing agent (manufactured by Shikoku Chemicals, trade name: 2E4MZ-CN), 2 parts by weight of a photoinitiator (manufactured by Ciba Geigy, trade name: Irgacure I-907) Part, photosensitizer (Nippon Kayaku Co., Ltd.
0.2 parts by weight of trade name: DETX-S) and 1.5 parts by weight of NMP were stirred and mixed to obtain a curing agent composition (3). C. Raw material composition for adjusting resin filler [Resin composition (1)] bisphenol F type epoxy monomer (manufactured by Yuka Shell Co., molecular weight 310, trade name: YL9)
83U) 100 parts by weight, spherical particles of SiO 2 having an average particle diameter of 1.6 μm coated with a silane coupling agent on the surface (manufactured by Admatech, trade name: CRS 1101)
-CE, where the size of the largest particle is not more than the thickness (15 μm) of the inner layer copper pattern described later) 170 parts by weight,
Leveling agent (manufactured by San Nopco, trade name: Perenol S)
4) 1.5 parts by weight were stirred and mixed. The viscosity of the resulting mixture is 45,000 cps-49,000 at 23 ± 1 ° C.
The resin composition was adjusted to cps to obtain a resin composition (1).

【0084】[硬化剤組成物(2)]硬化剤組成物
(2)として、イミダゾール硬化剤(四国化成社製、商
品名:2E4MZ−CN)6.5重量部を用いた。 D.ソルダーレジスト層の原料組成物 DMDGに溶解させた60重量%のクレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂(日本化薬社製)のエポキシ基50%
をアクリル化した感光性付与のオリゴマー(分子量40
00)を46.67g、メチルエチルケトンに溶解させ
た80重量%のビスフェノールA型エポキシ樹脂(油化
シェル社製、商品名:エピコート1001)15.0
g、イミダゾール硬化剤(四国化成社製、商品名:2E
4MZ−CN)1.6g、感光性モノマーである多価ア
クリルモノマー(日本化薬社製、商品名:R604)3
g、同じく多価アクリルモノマー(共栄社化学社製、商
品名:DPE6A)1.5g、分散系消泡剤(サンノプ
コ社製、商品名:S−65)0.71gを混合した。そ
して、さらにこの混合物に対して光開始剤としてのベン
ゾフェノン(関東化学社製)を2g、光増感剤としての
ミヒラーケトン(関東化学社製)を0.2g加えて、粘
度を2.0Pa・s(25℃)に調整し、ソルダーレジ
スト組成物を得た。
[Curing Agent Composition (2)] As the curing agent composition (2), 6.5 parts by weight of an imidazole curing agent (trade name: 2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals Co., Ltd.) was used. D. Raw material composition for solder resist layer 50% epoxy group of cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) of 60% by weight dissolved in DMDG
Of a photosensitizing agent (molecular weight 40
80) of bisphenol A type epoxy resin (manufactured by Yuka Shell Co., trade name: Epicoat 1001) in which 46.67 g of 46.67 g was dissolved in methyl ethyl ketone 15.0.
g, imidazole curing agent (Shikoku Chemicals, trade name: 2E)
4MZ-CN) 1.6 g, polyvalent acrylic monomer as photosensitive monomer (Nippon Kayaku Co., Ltd., trade name: R604) 3
g, 1.5 g of a polyvalent acrylic monomer (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd., trade name: DPE6A) and 0.71 g of a dispersion defoaming agent (manufactured by San Nopco, trade name: S-65). Then, 2 g of benzophenone (manufactured by Kanto Kagaku) as a photoinitiator and 0.2 g of Michler's ketone (manufactured by Kanto Kagaku) as a photosensitizer were added to the mixture, and the viscosity was 2.0 Pa · s. (25 ° C.) to obtain a solder resist composition.

【0085】なお、粘度の測定は、B型粘度計(東京計
器社製、DVL−B型)を用いて行った。この場合、6
0rpmにおいてローターNo.4を使用し、6rpm
においてローターNo.3を使用した。
The viscosity was measured using a B type viscometer (DVL-B type, manufactured by Tokyo Keiki Co., Ltd.). In this case, 6
At 0 rpm, the rotor no. 4 and 6 rpm
In rotor No. 3 was used.

【0086】続いて、上記組成物を用いて多層プリント
配線板10を製造する。 (1)まず、出発材料として、図3(a)に示されるよ
うな銅張積層板30Aを用意した。本実施形態の銅張積
層板30Aは、厚さ1mmのガラスエポキシ樹脂または
BT(ビスマレイミド−トリアジン)樹脂からなる基板
30の両面に、18μmの銅箔32がラミネートされた
ものである。この銅張積層板30Aをドリルで削孔し、
スルーホール形成用孔を形成した。この後、無電解銅め
っき処理を施した後、銅箔32及び銅めっき層をパター
ン状にエッチングした。その結果、図3(b)に示され
るように、基板30の上下両面に内層の導体回路(具体
的には内層銅パターン)34を形成するとともに、それ
ら導体回路34を導通するめっきスルーホール36を形
成した。
Subsequently, a multilayer printed wiring board 10 is manufactured using the above composition. (1) First, a copper-clad laminate 30A as shown in FIG. 3A was prepared as a starting material. The copper-clad laminate 30A of the present embodiment is formed by laminating a 18-μm copper foil 32 on both sides of a substrate 30 made of a glass epoxy resin or a BT (bismaleimide-triazine) resin having a thickness of 1 mm. This copper-clad laminate 30A is drilled with a drill,
A hole for forming a through hole was formed. Thereafter, after performing an electroless copper plating treatment, the copper foil 32 and the copper plating layer were etched in a pattern. As a result, as shown in FIG. 3 (b), an inner conductor circuit (specifically, an inner copper pattern) 34 is formed on both upper and lower surfaces of the substrate 30, and a plated through hole 36 for conducting the conductor circuit 34 is formed. Was formed.

【0087】(2)導体回路34等が形成された基板3
0を水洗いし、乾燥した。その後、酸化浴(黒化浴)と
して、NaOH(10g/l)・NaClO2(40g
/l)・Na3PO4(6g/l)、還元浴として、Na
OH(10g/l)・NaBH4(6g/l)を用いた
酸化−還元処理を行った。その結果、図3(c)に示さ
れるように、導体回路34及びめっきスルーホール36
の表面に粗化面38を設けた。
(2) Substrate 3 on which conductor circuit 34 and the like are formed
Was washed with water and dried. Then, NaOH (10 g / l) .NaClO 2 (40 g) was used as an oxidation bath (blackening bath).
/L).Na 3 PO 4 (6 g / l), Na as a reducing bath
Oxidation with OH (10g / l) · NaBH 4 (6g / l) - was reduced processing. As a result, as shown in FIG. 3C, the conductor circuit 34 and the plated through hole 36 are formed.
Was provided with a roughened surface 38.

【0088】(3)あらかじめ作製しておいた「C.樹
脂充填剤調製用の原料組成物」を混合混練して樹脂充填
剤40を得た。 (4)そして、調製後24時間以内の前記樹脂充填剤4
0を基板30に塗布することにより、導体回路34間及
びめっきスルーホール36内を樹脂充填剤40で埋める
ようにした。
(3) The resin filler 40 was obtained by mixing and kneading the previously prepared “C. Raw material composition for preparing resin filler”. (4) The resin filler 4 within 24 hours after preparation
By applying 0 to the substrate 30, the space between the conductor circuits 34 and the inside of the plated through holes 36 were filled with the resin filler 40.

【0089】本実施例では、スキージを用いた印刷法に
よる塗布を行った。1回目の印刷塗布工程では、主にめ
っきスルーホール36内に樹脂充填剤40を充填した。
この後、乾燥炉内の温度を100℃に設定し、塗布され
た樹脂充填剤40を20分間乾燥させた。
In the present embodiment, application was performed by a printing method using a squeegee. In the first printing application step, the resin filler 40 was mainly filled in the plating through holes 36.
Thereafter, the temperature in the drying furnace was set to 100 ° C., and the applied resin filler 40 was dried for 20 minutes.

【0090】また、2回目の印刷塗布工程では、主に導
体回路である導体回路34間の凹部に樹脂充填剤40を
充填した。この後、前述の乾燥条件で樹脂充填剤40を
乾燥させた(図3(d)参照)。
In the second printing application step, the resin filler 40 was filled in the recesses between the conductor circuits 34, which are mainly conductor circuits. Thereafter, the resin filler 40 was dried under the aforementioned drying conditions (see FIG. 3D).

【0091】(5)前記(4)の充填工程を終えた基板
30の一方の面を、ベルト研磨紙(三共理化学社製、#
600)を用いたベルトサンダー研磨により研磨した。
このとき、導体回路34の表面やめっきスルーホール3
6のランド36aの表面に樹脂充填剤40が残らないよ
うに留意した。次いで、ベルトサンダー研磨により発生
した傷を取り除くためにバフ研磨を行った。このような
一連の研磨を、基板30の他方の面についても同様に行
った(図4(a)参照)。次いで、100℃で1時間、
150℃で1時間、の加熱処理を行って樹脂充填剤40
を硬化した。
(5) After the filling step of (4), one surface of the substrate 30 is polished with a belt abrasive paper (manufactured by Sankyo Rikagaku KK, #
600) by a belt sander polishing.
At this time, the surface of the conductor circuit 34 or the plated through hole 3
Care was taken not to leave the resin filler 40 on the surface of the land 36a of No. 6. Next, buffing was performed to remove scratches generated by belt sander polishing. Such a series of polishing was similarly performed on the other surface of the substrate 30 (see FIG. 4A). Then at 100 ° C. for 1 hour,
A heat treatment at 150 ° C. for 1 hour is performed to obtain a resin filler 40
Was cured.

【0092】以上のように、めっきスルーホール36等
に充填された樹脂充填剤40の表層及び導体回路34上
面の表層を除去することにより、基板30の両面を平滑
化した。即ち、本工程を経ることにより、樹脂充填剤4
0の表面と導体回路34の表面とが同じ高さになる。
As described above, both surfaces of the substrate 30 were smoothed by removing the surface layer of the resin filler 40 filled in the plated through holes 36 and the like and the surface layer of the upper surface of the conductor circuit 34. That is, through this step, the resin filler 4
0 and the surface of the conductor circuit 34 are at the same height.

【0093】(6)導体回路34が形成された基板30
をアルカリで脱脂した後、同基板30を塩化パラジウム
と有機酸とからなる触媒溶液で処理することにより、表
面にPd触媒を付与した。この触媒を活性化した後、基
板30を無電解銅めっき液に浸漬した。ここで使用した
めっき液は、硫酸銅3.9×10―2mol/l、硫酸
ニッケル3.8×10―3mol/l、クエン酸ナトリ
ウム7.8×10―3mol/l、次亜りん酸ナトリウ
ム2.3×10―1mol/l、界面活性剤(日信化学
工業社製、商品名:サーフィール65)1.1×10―
4mol/lという組成(PH=9)からなる。
(6) Substrate 30 on which conductor circuit 34 is formed
After degreasing with an alkali, the substrate 30 was treated with a catalyst solution comprising palladium chloride and an organic acid to apply a Pd catalyst to the surface. After activating this catalyst, the substrate 30 was immersed in an electroless copper plating solution. Plating solution used herein, copper sulfate 3.9 × 10- 2 mol / l, nickel sulfate 3.8 × 10- 3 mol / l, sodium citrate 7.8 × 10- 3 mol / l, hypophosphorous sodium phosphate 2.3 × 10- 1 mol / l, the surfactant (Nisshin chemical industry Co., Ltd., trade name: Sir feel 65) 1.1 × 10-
It has a composition of 4 mol / l (PH = 9).

【0094】浸積してから1分経過してからは、4秒に
1回の割合で縦・横方向に振動を加えるようにした。そ
の結果、導体回路34及びめっきスルーホール36のラ
ンド36aの表面に、Cu−Ni−Pからなる針状合金
の被覆層及び粗化層42を設けた(図4(b)参照)。
One minute after the immersion, vibration was applied in the vertical and horizontal directions once every four seconds. As a result, a coating layer of a needle-like alloy made of Cu-Ni-P and a roughened layer 42 were provided on the surfaces of the lands 36a of the conductive circuits 34 and the plated through holes 36 (see FIG. 4B).

【0095】さらに、ホウフッ化スズ0.1mol/l
及びチオ尿素1.0mol/lからなる溶液を、温度3
5℃かつPH=1.2の条件で処理することにより、
銅をスズに置換させた。このようなCu−Sn置換反応
の結果、粗化層42の表面に厚さ0.3μmのSn層
(図示せず)を設けた。
Further, tin borofluoride 0.1 mol / l
And a solution consisting of 1.0 mol / l thiourea and
By treating at 5 ° C. and PH = 1.2,
Copper was replaced with tin. As a result of such a Cu—Sn substitution reaction, a 0.3 μm thick Sn layer (not shown) was provided on the surface of the roughened layer 42.

【0096】(7)あらかじめ作製しておいた「B.層
間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物」を攪拌混合し、粘度
を1.5Pa・sに調整することにより、層間樹脂絶縁
剤(下層用)44を得た。
(7) The previously prepared “B. Raw material composition for preparing interlayer resin insulating agent” is stirred and mixed, and the viscosity is adjusted to 1.5 Pa · s, whereby the interlayer resin insulating agent (lower layer 44) was obtained.

【0097】次いで、同じくあらかじめ作製しておいた
「A.無電解めっき用接着剤調製用の原料組成物」を攪
拌混合し、粘度を7Pa・sに調整することにより、無
電解めっき用接着剤溶液(上層用)46を得た。
Next, the previously prepared “A. Raw material composition for preparation of adhesive for electroless plating” was stirred and mixed, and the viscosity was adjusted to 7 Pa · s, whereby the adhesive for electroless plating was prepared. A solution (for upper layer) 46 was obtained.

【0098】(8)前記(6)工程を経た基板30の両
面に、前記(7)で得られた所定粘度の層間樹脂絶縁剤
(下層用)44を、調製後24時間以内にロールコータ
を用いて塗布した。前記基板30を水平状態で20分間
放置してから、60℃で30分の乾燥(プリベーク)を
行った。次いで、前記(7)で得られた所定粘度の感光
性の接着剤溶液(上層用)46を、調製後24時間以内
に前記基板30の両面にさらに塗布した。前記基板30
を水平状態で20分間放置してから、60℃で30分の
乾燥(プリベーク)を行い、最終的に厚さ35μmの接
着剤層50αを形成した(図4(c)参照)。
(8) The interlayer resin insulating material (for lower layer) 44 having the predetermined viscosity obtained in the above (7) is applied to both surfaces of the substrate 30 having undergone the above step (6) within 24 hours after preparation by a roll coater. And applied. The substrate 30 was left in a horizontal state for 20 minutes, and then dried (prebaked) at 60 ° C. for 30 minutes. Next, the photosensitive adhesive solution (for upper layer) 46 having a predetermined viscosity obtained in the above (7) was further applied to both surfaces of the substrate 30 within 24 hours after the preparation. The substrate 30
Was left in a horizontal state for 20 minutes, and dried (prebaked) at 60 ° C. for 30 minutes to finally form an adhesive layer 50α having a thickness of 35 μm (see FIG. 4C).

【0099】(9)前記(8)工程において接着剤層5
0αが形成された基板30の両面に、85μmφの黒円
51aが印刷されたフォトマスクフィルム51を密着さ
せた。この状態で、超高圧水銀灯により500mJ/c
2の強度で露光した(図4(d)参照)。これをDM
TG溶液を用いてスプレー現像し、さらに当該基板30
を超高圧水銀灯により3000mJ/cm2の強度で露
光した。次いで、100℃で1時間、120℃で1時
間、150℃で3時間の加熱処理(ポストベーク)を行
った。このような一連の露光・現像処理により、寸法精
度に優れた85μmφのバイアホール形成用穴48を有
する厚さ35μmの樹脂絶縁層(2層構造)50を形成
した(図5(a)参照)。なお、バイアホール形成用穴
48において、スズめっき層(図示せず)を部分的に露
出させるようにした。
(9) In the step (8), the adhesive layer 5
A photomask film 51 on which a black circle 51a of 85 μmφ was printed was brought into close contact with both surfaces of the substrate 30 on which 0α was formed. In this state, 500 mJ / c with an ultra-high pressure mercury lamp
Exposure was performed at an intensity of m 2 (see FIG. 4D). This is DM
Spray development using a TG solution,
Was exposed at an intensity of 3000 mJ / cm 2 by an ultra-high pressure mercury lamp. Next, heat treatment (post-baking) was performed at 100 ° C. for 1 hour, 120 ° C. for 1 hour, and 150 ° C. for 3 hours. Through such a series of exposure and development processes, a 35-μm-thick resin insulating layer (two-layer structure) 50 having 85 μmφ via-holes 48 with excellent dimensional accuracy was formed (see FIG. 5A). . In the via hole forming hole 48, a tin plating layer (not shown) was partially exposed.

【0100】(10)前記穴48が形成された基板30
をクロム酸に19分間浸漬し、樹脂絶縁層50の表面に
存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去した。このような
粗化処理の結果、樹脂絶縁層50の表層に多数の凹凸を
有する粗化面46aを形成した(図5(b)参照)。そ
の後、基板30を中和溶液(シプレイ社製)に浸漬して
から水洗いした。
(10) The substrate 30 on which the holes 48 are formed
Was immersed in chromic acid for 19 minutes to dissolve and remove the epoxy resin particles present on the surface of the resin insulating layer 50. As a result of such a roughening treatment, a roughened surface 46a having a large number of irregularities was formed on the surface layer of the resin insulating layer 50 (see FIG. 5B). Thereafter, the substrate 30 was immersed in a neutralizing solution (manufactured by Shipley) and then washed with water.

【0101】さらに、粗化処理を経た基板30の表面
に、パラジウム触媒(アトテック社製)を付与すること
により、樹脂絶縁層50の粗化面46a及びバイアホー
ル形成用穴48の内壁面に触媒核を付与した。
Further, by applying a palladium catalyst (manufactured by Atotech) to the surface of the substrate 30 which has been subjected to the roughening treatment, the catalyst is applied to the roughened surface 46a of the resin insulating layer 50 and the inner wall surface of the via hole forming hole 48. A nucleus was provided.

【0102】(11)以下に示す組成の無電解銅めっき
液中に基板30を浸漬することにより、粗化面46a全
体に厚さ0.6μm〜1.2μmの無電解銅めっき膜5
2を形成した(図5(c)参照)。ここでは、めっき液
の温度を65℃に設定し、浸漬時間を20分に設定し
た。
(11) The substrate 30 is immersed in an electroless copper plating solution having the following composition to form an electroless copper plating film 5 having a thickness of 0.6 μm to 1.2 μm over the roughened surface 46 a.
No. 2 was formed (see FIG. 5C). Here, the temperature of the plating solution was set to 65 ° C., and the immersion time was set to 20 minutes.

【0103】[無電解めっき液の組成] EDTA 0.08 mol/l 硫酸銅 0.03 mol/l HCHO 0.05 mol/l NaOH 0.05 mol/l α、α’−ビピリジル 80 mg/l PEG 0.10 g/l (12)前記(11)の薄付けめっき工程において形成
した無電解銅めっき膜52上に、市販の感光性ドライフ
ィルムを貼り付けた。この状態で、100mJ/cm2
の強度で露光した後、さらに0.8%炭酸ナトリウムを
用いて現像した。このような露光・現像処理の結果、基
板30の表層に厚さ15μmのめっきレジスト54を形
成した(図5(d)参照)。
[Composition of Electroless Plating Solution] EDTA 0.08 mol / l Copper sulfate 0.03 mol / l HCHO 0.05 mol / l NaOH 0.05 mol / l α, α'-bipyridyl 80 mg / l PEG 0.10 g / l (12) A commercially available photosensitive dry film was attached on the electroless copper plating film 52 formed in the thin plating step of (11). In this state, 100 mJ / cm 2
And then developed with 0.8% sodium carbonate. As a result of such exposure and development processing, a plating resist 54 having a thickness of 15 μm was formed on the surface layer of the substrate 30 (see FIG. 5D).

【0104】(13)次いで、レジスト非形成部分に対
し、以下の条件で電解銅めっきを施すことにより、厚さ
15μmの電解銅めっき膜56を形成した(図6(a)
参照)。ここでは、電流密度を1A/dm2に設定し、
浸漬時間を65分に設定し、液温を22±2℃に設定し
た。
(13) Next, an electrolytic copper plating film 56 having a thickness of 15 μm was formed on the non-resist-formed portion under the following conditions (FIG. 6A).
reference). Here, the current density is set to 1 A / dm 2 ,
The immersion time was set to 65 minutes, and the liquid temperature was set to 22 ± 2 ° C.

【0105】[電解めっき液の組成] 硫酸 2.24 mol/l 硫酸銅 0.26 mol/l 添加剤(アトテックジャパン社製、商品名:カパラシド
HL)19.5 ml/l (14)めっきレジスト54を5%KOHで剥離除去し
た後、硫酸と過酸化水素との混合液でエッチングするこ
とにより、めっきレジスト54下にあった無電解めっき
膜52を溶解除去した。その結果、無電解めっき52膜
及び電解銅めっき膜56からなる厚さ18μm(10〜
30μm)の導体回路58及びバイアホール60を得た
(図6(b)参照)。
[Composition of electrolytic plating solution] Sulfuric acid 2.24 mol / l Copper sulfate 0.26 mol / l Additive (manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., trade name: Capalaside HL) 19.5 ml / l (14) Plating resist After exfoliating and removing 54 with 5% KOH, the electroless plating film 52 under the plating resist 54 was dissolved and removed by etching with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide. As a result, a thickness of 18 μm (10 to 10) consisting of the electroless plating 52 film and the electrolytic copper plating film 56
30 μm) were obtained (see FIG. 6B).

【0106】さらに、70℃に設定された80g/lの
クロム酸に基板30を3分間浸漬することにより、導体
回路58間にある無電解めっき用接着剤層50の表面を
1μmほどエッチングした。その結果、接着剤層50の
表面のパラジウム触媒を除去した。
Further, the surface of the electroless plating adhesive layer 50 between the conductor circuits 58 was etched by about 1 μm by immersing the substrate 30 in 80 g / l chromic acid set at 70 ° C. for 3 minutes. As a result, the palladium catalyst on the surface of the adhesive layer 50 was removed.

【0107】(15)前記(6)と同様の処理を行うこ
とにより、導体回路58及びバイアホール60の表面に
Cu−Ni−Pからなる粗化面62を形成し、かつSn
置換を行った(図6(c)参照)。
(15) By performing the same processing as in the above (6), a roughened surface 62 made of Cu-Ni-P is formed on the surfaces of the conductor circuit 58 and the via hole 60, and Sn
Substitution was performed (see FIG. 6 (c)).

【0108】(16)前記(7)〜(14)の工程を繰
り返すことにより、2層めの樹脂絶縁層91、バイアホ
ール93、導体回路92を形成した。さらに、バイアホ
ール93及び導体回路92の表層に粗化面94を形成し
た(図6(d)参照)。なお、この上層の導体回路92
を形成する工程において、Sn置換は行わなかった。
(16) By repeating the above steps (7) to (14), a second resin insulating layer 91, via holes 93, and conductor circuits 92 were formed. Further, a roughened surface 94 was formed on the surface of the via hole 93 and the conductor circuit 92 (see FIG. 6D). Note that the upper conductor circuit 92
Was not substituted in the step of forming.

【0109】(17)前記(16)で得られた基板30
の両面に、前記「D.ソルダーレジスト層の原料組成
物」を20μmの厚さで塗布した(図7(a)参照)。
次いで、70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処
理を行った後、円形状パターンが描画された厚さ5mm
のフォトマスクフィルム(図示せず)を基板30上に密
着させた。この状態で1000mJ/cm2の強度の紫
外線で露光し、かつDMTGで現像処理した。さらに8
0℃で1時間、100℃で1時間、120℃で1時間、
150℃で3時間の条件で加熱処理した。その結果、パ
ッドに対応する箇所に開口部70a,71a(開口径2
00μm)を有する厚さ20μmのソルダーレジスト層
70,71をそれぞれ形成した(図7(b)参照)。
(17) The substrate 30 obtained in the above (16)
The above-mentioned “D. Raw material composition for solder resist layer” was applied to both sides of the sample at a thickness of 20 μm (see FIG. 7A).
Next, after performing a drying process at 70 ° C. for 20 minutes and at 70 ° C. for 30 minutes, a thickness of 5 mm on which a circular pattern is drawn
The photomask film (not shown) was brought into close contact with the substrate 30. In this state, it was exposed to ultraviolet light having an intensity of 1000 mJ / cm 2 and developed with DMTG. 8 more
1 hour at 0 ° C, 1 hour at 100 ° C, 1 hour at 120 ° C,
Heat treatment was performed at 150 ° C. for 3 hours. As a result, openings 70a and 71a (opening diameter 2
Then, solder resist layers 70 and 71 having a thickness of 20 μm and having a thickness of 00 μm, respectively, were formed (see FIG. 7B).

【0110】(18)その後、塩化ニッケル2.3×1
0―1mol/l、次亜リン酸ナトリウム2.8×10
1mol/l、クエン酸ナトリウム1.6×10―1
ol/lからなるpH=4.5の無電解ニッケルめっき
液に、基板30を20分間浸漬した。その結果、開口部
70a,71aに位置するパッド上に厚さ5μmのニッ
ケルめっき層72を形成した。
(18) Thereafter, nickel chloride 2.3 × 1
0- 1 mol / l, sodium hypophosphite 2.8 × 10
- 1 mol / l, sodium citrate 1.6 × 10- 1 m
The substrate 30 was immersed in an electroless nickel plating solution having a pH of 4.5 and consisting of ol / l for 20 minutes. As a result, a nickel plating layer 72 having a thickness of 5 μm was formed on the pads located at the openings 70a and 71a.

【0111】さらに、その基板30を、シアン化金カリ
ウム7.6×10―3mol/l、塩化アンモニウム
1.9×10―1mol/l、クエン酸ナトリウム1.
2×l0―1mol/l、次亜リン酸ナトリウム1.7
×10―1mol/lからなる無電解金めっき液に浸漬
した。液温は80℃に設定し、浸漬時間は7.5分間に
設定した。その結果、ニッケルめっき層72上に厚さ
0.03μmの金めっき層74を形成した(図8(a)
参照)。
Further, the substrate 30 was coated with 7.6 × 10 −3 mol / l of potassium gold cyanide, 1.9 × 10 −1 mol / l of ammonium chloride, and 1.
2 × l0- 1 mol / l, sodium hypophosphite 1.7
× was immersed in an electroless gold plating solution consisting of 10- 1 mol / l. The liquid temperature was set to 80 ° C., and the immersion time was set to 7.5 minutes. As a result, a gold plating layer 74 having a thickness of 0.03 μm was formed on the nickel plating layer 72 (FIG. 8A).
reference).

【0112】(19)次に、基板30の一方側にあるソ
ルダーレジスト層70にマスク材(図示せず)を密着さ
せ、この状態で開口部70a内に位置するパッド等の上
に、はんだペースト(Sn:Pb=63:37)を印刷
した。
(19) Next, a mask material (not shown) is brought into close contact with the solder resist layer 70 on one side of the substrate 30, and in this state, a solder paste is placed on a pad or the like located in the opening 70a. (Sn: Pb = 63: 37) was printed.

【0113】さらに、基板30を反転した後、他方側の
面にあるソルダーレジスト層71にマスクを密着させ、
この状態で開口部71a内に位置する電子部品接続用の
パッド及び端子ピン接続用のパッド上に、はんだペース
ト(Sn:Sb=95:5)を印刷した。そして、チッ
プマウンタを用いて電子部品14を載置することによ
り、はんだペーストの粘性を利用して電子部品接続用の
パッド上に電子部品14を仮固定した。この後、専用の
ピン立て用治具を用いて端子ピン15を立てることによ
り、はんだペーストの粘性を利用して端子ピン接続用の
パッド上に端子ピン15の頭部を仮固定した。なお、こ
こでははんだペーストの粘度を200Pa・sに設定し
た。
Further, after the substrate 30 is inverted, a mask is brought into close contact with the solder resist layer 71 on the other side,
In this state, solder paste (Sn: Sb = 95: 5) was printed on the pads for connecting electronic components and the pads for connecting terminal pins located in the opening 71a. Then, by mounting the electronic component 14 using a chip mounter, the electronic component 14 was temporarily fixed on a pad for connecting the electronic component using the viscosity of the solder paste. Thereafter, the terminal pins 15 were erected using a dedicated pin erection jig, and the head of the terminal pins 15 was temporarily fixed on the terminal pin connection pads using the viscosity of the solder paste. Here, the viscosity of the solder paste was set to 200 Pa · s.

【0114】そして、基板30を260℃でリフローす
ることにより、開口部70aに半球状のはんだバンプ7
6を形成した。同時に、開口部71aにおけるパッド
に、はんだ層78を介して電子部品14及び端子ピン1
5を接合した(図8(b)参照)。
Then, by reflowing the substrate 30 at 260 ° C., the hemispherical solder bumps 7 are formed in the openings 70a.
6 was formed. At the same time, the electronic component 14 and the terminal pin 1 are connected to the pad in the opening 71a via the solder layer 78.
5 (see FIG. 8B).

【0115】上記のような一括リフローに代え、例えば
次のようにしてもよい。1)C4バンプを230℃でリ
フローしてからフラックス洗浄を行い、電子部品・ピン
のはんだ印刷後、260℃で再度リフローする。即ち、
リフローを2回行う。2)ICチップアセンブリの際に
電子部品・ピンのはんだが溶融しないようにすべく、C
4バンプより高融点のはんだを用いて電子部品・ピンを
接続する。
Instead of the collective reflow as described above, for example, the following may be performed. 1) After reflowing the C4 bump at 230 ° C., flux cleaning is performed, and after solder printing of electronic components and pins, reflow is performed at 260 ° C. again. That is,
Perform reflow twice. 2) To prevent the solder of electronic components and pins from melting during IC chip assembly,
Electronic components and pins are connected using solder having a higher melting point than 4 bumps.

【0116】(20)次に、上述した構造を有する一対
のステンレス製の治具11,12を用いて、下記の条件
でフラッタニング処理を行った。本実施例では、図示し
ない電熱ヒータを備える治具11,12を選択するとと
もに、その電熱ヒータへの通電によって両治具11,1
2を100℃に加熱して用いるようにした。
(20) Next, a flattening process was performed using the pair of stainless steel jigs 11 and 12 having the above-described structure under the following conditions. In the present embodiment, the jigs 11 and 12 each having an electric heater (not shown) are selected, and both the jigs 11 and 1 are energized by energizing the electric heater.
2 was heated to 100 ° C. for use.

【0117】まず、下治具11の基板当接面11aを上
に向けて配置した。そして、部品逃がし凹部13内に複
数の電子部品14がちょうど配置されるよう位置決めし
てから、基板当接面11a上に多層プリント配線板10
を水平に載置した(図1(b)参照)。その結果、基板
当接面11aの外周部によって、基板30のチップ非搭
載面11a(より具体的には、当該面において部品実装
エリアとピン形成エリアとの間にあたる領域)を支持さ
せた。
First, the lower jig 11 was placed with the substrate contact surface 11a facing upward. Then, after positioning the plurality of electronic components 14 so as to be exactly arranged in the component escape recesses 13, the multilayer printed wiring board 10 is placed on the board contact surface 11 a.
Was placed horizontally (see FIG. 1B). As a result, the outer peripheral portion of the substrate contact surface 11a supported the chip non-mounting surface 11a of the substrate 30 (more specifically, a region between the component mounting area and the pin formation area on the surface).

【0118】そして、上治具12を鉛直方向に沿って下
動させることにより、基板30の厚さ方向に押圧力を加
えることにより、はんだバンプ76の頂部を平坦化して
均一な高さにした(図1,図9(b)参照)。本実施例
では押圧力を50kgf/cm2に設定するとともに、
加圧時間を30秒に設定した。
Then, the upper jig 12 is moved down in the vertical direction to apply a pressing force in the thickness direction of the substrate 30, thereby flattening the top of the solder bump 76 to have a uniform height. (See FIGS. 1 and 9 (b)). In this embodiment, the pressing force is set to 50 kgf / cm 2 ,
The pressurization time was set to 30 seconds.

【0119】その結果、前記処理を経て得られたはんだ
バンプ76の頂部には、図10に示されるような面積約
50μm2の平坦面77が形成されていた。また、各は
んだバンプ76の頂部の高さt1は、いずれも20μm
であって、等しい高さに揃えられていた。
As a result, a flat surface 77 having an area of about 50 μm 2 as shown in FIG. 10 was formed on the top of the solder bump 76 obtained through the above processing. The height t1 of the top of each solder bump 76 is 20 μm.
And they were evenly aligned.

【0120】以上のようなフラッタニング処理の後、さ
らに個片分割工程、プラズマ処理工程、配線の短絡・断
線を検査するチェック工程を経て、所望のビルドアップ
多層プリント配線板10を得た。 [実施例2]実施例2では、前記両治具11,12の電
熱ヒータに通電することなく、常温下(約25℃)にて
フラッタニング処理を行った。それ以外の点については
基本的に実施例1に準じて、ビルドアップ多層プリント
配線板10を作製した。 [比較例1]比較例1では、実施例1の治具11に代え
て、基板当接面がフラットなステンレス製の下治具(図
14参照)を用いることとし、実施例1と同じ条件にて
フラッタニング処理を行った。それ以外の点については
基本的に実施例1に準じて、ビルドアップ多層プリント
配線板10を作製した。 [比較例2]比較例2でも、実施例1の治具11に代え
て、基板当接面がフラットなステンレス製の下治具(図
14参照)を用いることとした。また、フラッタニング
処理における押圧力を実施例1よりも相当小さく(5k
gf/cm2に)設定した。それ以外の点については基
本的に実施例1に準じて、ビルドアップ多層プリント配
線板10を作製した。 [比較試験の方法及び結果]実施例1,2及び比較例
1,2で得られた多層プリント配線板10について、ま
ず、はんだバンプ76の高さt1(平均値及び公差(μ
m))を測定した。また、ICチップ16の実装後にお
いて、はんだバンプ76とICチップ16側の端子との
未接合発生率(%)を調査した。さらに、ヒートサイク
ルを経た後に導通試験を行って、導通状態の良否を判定
した。それらの結果を表1に示す。
After the above-described fluttering treatment, a desired build-up multilayer printed wiring board 10 was obtained through an individual dividing step, a plasma treatment step, and a check step of inspecting for short-circuit and disconnection of wiring. [Embodiment 2] In Embodiment 2, the fluttering process was performed at normal temperature (about 25 ° C) without supplying electricity to the electric heaters of the jigs 11 and 12. Otherwise, a build-up multilayer printed wiring board 10 was manufactured basically in accordance with Example 1. Comparative Example 1 In Comparative Example 1, a lower jig made of stainless steel having a flat substrate contact surface (see FIG. 14) was used in place of the jig 11 of Example 1, and the same conditions as in Example 1 were used. Performed fluttering treatment. Otherwise, a build-up multilayer printed wiring board 10 was manufactured basically in accordance with Example 1. [Comparative Example 2] In Comparative Example 2, instead of the jig 11 of Example 1, a lower jig made of stainless steel having a flat substrate contact surface (see FIG. 14) was used. Further, the pressing force in the fluttering process is considerably smaller than that in the first embodiment (5 k
gf / cm 2 ). Otherwise, a build-up multilayer printed wiring board 10 was manufactured basically in accordance with Example 1. [Method and Result of Comparative Test] Regarding the multilayer printed wiring boards 10 obtained in Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2, first, the height t1 (average value and tolerance (μ
m)) was measured. After the mounting of the IC chip 16, the occurrence rate (%) of unbonding between the solder bump 76 and the terminal on the IC chip 16 side was examined. Furthermore, after a heat cycle, a conduction test was performed to determine the quality of the conduction state. Table 1 shows the results.

【0121】また、基板30のチップ非搭載面10a側
を肉眼及び顕微鏡にて観察することにより、ソルダーレ
ジスト層71等のような樹脂部分におけるクラックの発
生状況を調査した。
Further, by observing the chip non-mounting surface 10a side of the substrate 30 with the naked eye and a microscope, the occurrence of cracks in the resin portion such as the solder resist layer 71 was examined.

【0122】[0122]

【表1】 実施例1,2については、はんだバンプ76の頂部に、
ICチップ16の実装に十分な面積を有する平坦面77
を形成することができた。しかも、フラッタニング処理
を経て、はんだバンプ76の頂部の高さt1が均一に揃
えられていた。ゆえに、ICチップ16の端子とはんだ
バンプ76との間を確実に電気的に接続することができ
た。しかも、ヒートサイクル後の導通状態も極めて良好
であり、多層プリント配線板10に高い信頼性が確保さ
れていることがわかった。また、チップ非搭載面10a
側における樹脂部分に、何らクラックは発生していなか
った。
[Table 1] For Examples 1 and 2, the top of the solder bump 76
Flat surface 77 having a sufficient area for mounting IC chip 16
Could be formed. In addition, the height t1 of the top of the solder bump 76 has been uniformed through the fluttering process. Therefore, the electrical connection between the terminals of the IC chip 16 and the solder bumps 76 was ensured. In addition, the conduction state after the heat cycle was extremely good, and it was found that the multilayer printed wiring board 10 had high reliability. In addition, the chip non-mounting surface 10a
No crack was generated in the resin portion on the side.

【0123】比較例1についても、はんだバンプ76の
頂部に、ICチップ16の実装に十分な面積を有する平
坦面77を形成することができた。しかも、はんだバン
プ76の頂部の高さt1が均一に揃えられ、ヒートサイ
クル後の導通状態も良好であった。しかしながら、チッ
プ非搭載面10a側における樹脂部分、特に電子部品1
4の角部近傍において、そこを起点とするクラックの発
生が認められた。従って、比較例1の多層プリント配線
板10は、信頼性に優れるとは言い難いものであった。
Also in Comparative Example 1, a flat surface 77 having a sufficient area for mounting the IC chip 16 could be formed on the top of the solder bump 76. In addition, the height t1 of the top of the solder bump 76 was made uniform, and the conduction state after the heat cycle was good. However, the resin portion on the chip non-mounting surface 10a side, in particular, the electronic component 1
In the vicinity of the corner of No. 4, the occurrence of a crack originating therefrom was observed. Therefore, it was hard to say that the multilayer printed wiring board 10 of Comparative Example 1 was excellent in reliability.

【0124】比較例2については、そもそもフラッタニ
ング処理における押圧力不足のため、樹脂部分における
クラックは発生していなかった。ただし、押圧力不足で
あることから、はんだバンプ76の頂部に、ICチップ
16の実装に十分な面積を有する平坦面77を形成する
ことができなかった。しかも、はんだバンプ76の頂部
の高さt1を均一に揃えることができず、実施例1,2
等に比べて公差が大きかった。このため、ヒートサイク
ル後の導通状態も良くなかった。従って、比較例2の多
層プリント配線板10も、信頼性に優れるとは言い難い
ものであった。
In Comparative Example 2, cracks did not occur in the resin portion due to insufficient pressing force in the fluttering process. However, due to insufficient pressing force, a flat surface 77 having a sufficient area for mounting the IC chip 16 could not be formed on the top of the solder bump 76. In addition, the height t1 of the top of the solder bumps 76 cannot be made uniform, and the first and second embodiments have different heights.
The tolerance was large compared to the others. For this reason, the conduction state after the heat cycle was not good. Therefore, it was hard to say that the multilayer printed wiring board 10 of Comparative Example 2 was also excellent in reliability.

【0125】従って、本実施形態の実施例1,2によれ
ば以下のような効果を得ることができる。 (1)実施例1,2では、基板30の上下両面側から押
圧力が加わることになるため、基板30が撓みにくくな
る。このため、上治具12のみを用いる場合に比べて、
精度の高いフラッタニング処理を行うことができる。つ
まり、はんだバンプ76の頂部を平坦化して、頂部が全
て均一な高さに揃えることができる。従って、この状態
ではんだバンプ76による接続を行えば、その部分に高
い信頼性を確保することができる。
Therefore, according to Examples 1 and 2 of the present embodiment, the following effects can be obtained. (1) In the first and second embodiments, since the pressing force is applied from both the upper and lower surfaces of the substrate 30, the substrate 30 is hardly bent. For this reason, compared with the case where only the upper jig 12 is used,
Highly accurate fluttering processing can be performed. In other words, the tops of the solder bumps 76 can be flattened so that all the tops have a uniform height. Therefore, if connection is made by the solder bumps 76 in this state, high reliability can be ensured at that portion.

【0126】また、フラッタニング処理の際、下治具1
1の基板当接面11aに設けられた部品逃がし凹部13
に、確実に電子部品14を逃がすことができる。ゆえ
に、基板当接面11aに電子部品14が直接当接しなく
なる。このため、押圧力が電子部品14を介して絶縁層
等の特定部位に集中するようなことがなくなる。従っ
て、基板30にクラックが発生しにくくなり、信頼性に
優れた多層プリント配線板10を得ることができる。
In the flattening process, the lower jig 1
Component escape recess 13 provided on one substrate contact surface 11a
In addition, the electronic component 14 can be reliably released. Therefore, the electronic component 14 does not directly contact the substrate contact surface 11a. Therefore, the pressing force does not concentrate on a specific portion such as an insulating layer via the electronic component 14. Accordingly, cracks are less likely to occur in the substrate 30, and the multilayer printed wiring board 10 having excellent reliability can be obtained.

【0127】(2)実施例1,2では、硬質かつ耐圧性
であるステンレス製の治具11,12を用いている。こ
のため、フラッタニング処理時の押圧力によって、治具
11,12自身が変形したり破壊したりするようなこと
がない。従って、より高い精度でフラッタニング処理を
行うことができる。
(2) In the first and second embodiments, the jigs 11 and 12 made of hard and pressure-resistant stainless steel are used. Therefore, the jigs 11 and 12 themselves are not deformed or broken by the pressing force at the time of the fluttering process. Therefore, the fluttering process can be performed with higher accuracy.

【0128】(3)実施例1,2では、部品逃がし凹部
13が複数の電子部品14に対応して1つのみ設けられ
ている。従って、部品逃がし凹部13を個々の電子部品
14ごとに設ける場合よりも下治具11の製造が簡単に
なり、それに伴って下治具11の高コスト化も防止され
る。その結果、多層プリント配線板10の高コスト化も
防止される。
(3) In the first and second embodiments, only one component escape recess 13 is provided corresponding to the plurality of electronic components 14. Therefore, the manufacturing of the lower jig 11 is simpler than the case where the component escape recess 13 is provided for each individual electronic component 14, and the cost of the lower jig 11 is prevented from being increased accordingly. As a result, cost increase of the multilayer printed wiring board 10 is also prevented.

【0129】なお、本発明の実施形態は以下のように変
更してもよい。 ・ 図11に示される別例の下治具11のように、部品
逃がし凹部13の底面に、基板30のチップ非搭載面側
に当接する凸部としてのリブ18が設けられていてもよ
い。このように構成した場合、リブ18の上面がチップ
非搭載面10a側の中央部に当接することにより、当該
部分が下方から支持された状態となる。このため、実施
形態のときに比べ、よりいっそう基板30が撓みにくく
なる。従って、より高い精度でフラッタニング処理を行
うことができる。なお、凸部の形状はリブ18に限定さ
れることはなく、例えば柱のようなものでもよい。
The embodiment of the present invention may be modified as follows. As in another example of the lower jig 11 shown in FIG. 11, a rib 18 may be provided on the bottom surface of the component escape recess 13 as a protrusion that contacts the chip non-mounting surface side of the substrate 30. In such a configuration, the upper surface of the rib 18 abuts on the central portion on the chip non-mounting surface 10a side, so that the portion is supported from below. For this reason, the substrate 30 is harder to bend than in the embodiment. Therefore, the fluttering process can be performed with higher accuracy. The shape of the projection is not limited to the rib 18, and may be, for example, a pillar.

【0130】・ 図12に示される別例の下治具11の
ように、図11のものにおける基板当接面11aに、ス
テンレス等の治具材料に比べて軟質な材料からなる緩衝
層19を配設してもよい。なお、この場合には前記リブ
18の上面にも緩衝層19が配設されることが好まし
い。緩衝層19の材料としては、シリコーン樹脂等に代
表される樹脂や、ゴム等が好適である。特に、ゴムのよ
うな弾性体を用いることが好ましい。このような構成で
あると、基板30の傷付きを防止することができるとと
もに、基板30に対して押圧力を均等に付与することが
できるようになる。
As in another example of the lower jig 11 shown in FIG. 12, a buffer layer 19 made of a material softer than a jig material such as stainless steel is provided on the substrate contact surface 11a in FIG. It may be provided. In this case, it is preferable that a buffer layer 19 is also provided on the upper surface of the rib 18. As a material of the buffer layer 19, a resin represented by a silicone resin or the like, rubber, or the like is preferable. In particular, it is preferable to use an elastic body such as rubber. With such a configuration, it is possible to prevent the substrate 30 from being damaged, and to evenly apply a pressing force to the substrate 30.

【0131】・ 多層プリント配線板10は、実施形態
のようにセミアディティブ法により作製されてもよいほ
か、フルアディティブ法により作製されてもよい。ま
た、多層プリント配線板10は、ビルドアップ層80
A,80Bを片面のみに備えるものであってもよく、全
く備えないものであってもよい。
The multilayer printed wiring board 10 may be manufactured by a semi-additive method as in the embodiment, or may be manufactured by a full-additive method. Further, the multilayer printed wiring board 10 has a build-up layer 80.
A, 80B may be provided only on one side, or may not be provided at all.

【0132】・ 電子部品14が複数個実装されている
場合、部品逃がし凹部13を個々の電子部品14ごとに
設けてもよい。即ち、基板当接面11aに複数の部品逃
がし凹部13を設けることも可能である。
When a plurality of electronic components 14 are mounted, a component escape recess 13 may be provided for each electronic component 14. That is, it is also possible to provide a plurality of component escape recesses 13 on the board contact surface 11a.

【0133】・ 上治具12は必ずしも平板状でなくて
よく、例えばローラ状などであっても構わない。次に、
特許請求の範囲に記載された技術的思想のほかに、前述
した実施形態によって把握される技術的思想をその効果
とともに以下に列挙する。
The upper jig 12 does not necessarily have to be a flat plate, and may be, for example, a roller. next,
In addition to the technical ideas described in the claims, technical ideas grasped by the above-described embodiments are listed below together with their effects.

【0134】(1) 請求項1乃至5のいずれか1つに
おいて、前記基板当接面には軟質材料(例えば弾性体な
ど)が配設されていること。従って、この技術的思想1
に記載の発明によれば、基板の傷付き防止及び押圧力の
均等化を図ることができる。
(1) In any one of claims 1 to 5, a soft material (for example, an elastic body) is provided on the substrate contact surface. Therefore, this technical idea 1
According to the invention described in (1), it is possible to prevent the substrate from being damaged and equalize the pressing force.

【0135】(2) 請求項1,2において、前記部品
逃がし凹部は個々の電子部品に対応して設けられている
こと。 (3) 請求項2乃至4において、前記治具は耐圧鋼材
製であること。従って、この技術的思想3に記載の発明
によれば、フラッタニング処理時でも変形・破壊せず、
より高い精度でフラッタニング処理を行うことができ
る。また、加工性にも優れているため、比較的容易かつ
安価に部品逃がし凹部を加工形成することができる。
(2) In Claims 1 and 2, the component escape recesses are provided corresponding to individual electronic components. (3) In Claims 2 to 4, the jig is made of pressure-resistant steel. Therefore, according to the invention described in the technical idea 3, the flattening process does not cause deformation or destruction,
The fluttering process can be performed with higher accuracy. In addition, since it is excellent in workability, it is possible to process and form the component escape recess relatively easily and inexpensively.

【0136】[0136]

【発明の効果】以上詳述したように、請求項1に記載の
発明によれば、基板におけるクラックの発生を回避しつ
つ精度の高いフラッタニング処理を行うことができるプ
リント配線板の製造方法を提供することができる。
As described in detail above, according to the first aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a printed wiring board capable of performing high-precision fluttering processing while avoiding the occurrence of cracks in a substrate. Can be provided.

【0137】請求項2,4に記載の発明によれば、より
高い精度でフラッタニング処理を行うことができる。請
求項3に記載の発明によれば、治具の製造が簡単になり
かつ高コスト化が防止される結果、プリント配線板の高
コスト化も防止することができる。
According to the second and fourth aspects of the present invention, the fluttering process can be performed with higher accuracy. According to the third aspect of the invention, the manufacturing of the jig is simplified and the cost is prevented from being increased. As a result, the cost of the printed wiring board can be prevented from being increased.

【0138】請求項5に記載の発明によれば、基板にお
けるクラックの発生を回避しつつ精度の高いフラッタニ
ング処理を行うことができるフラッタニング用治具を提
供することができる。
According to the fifth aspect of the present invention, it is possible to provide a fluttering jig capable of performing a highly accurate fluttering process while avoiding the occurrence of cracks in a substrate.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)は本発明を具体化した一実施形態のフラ
ッタニング用治具の使用状態を示す斜視図、(b)はそ
のA−A線における概略断面図。
FIG. 1A is a perspective view illustrating a use state of a fluttering jig according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a schematic cross-sectional view taken along line AA.

【図2】実施形態の多層プリント配線板を全体的に示す
概略断面図。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the entire multilayer printed wiring board of the embodiment.

【図3】(a)〜(d)は実施形態(実施例1)の多層
プリント配線板の製造工程を説明するための概略断面
図。
FIGS. 3A to 3D are schematic cross-sectional views illustrating a manufacturing process of the multilayer printed wiring board according to the embodiment (Example 1).

【図4】(a)〜(d)は同じく製造工程を説明するた
めの概略断面図。
FIGS. 4A to 4D are schematic cross-sectional views for explaining a manufacturing process.

【図5】(a)〜(d)は同じく製造工程を説明するた
めの概略断面図。
5 (a) to 5 (d) are schematic cross-sectional views for explaining manufacturing steps in the same manner.

【図6】(a)〜(d)は同じく製造工程を説明するた
めの概略断面図。
FIGS. 6A to 6D are schematic cross-sectional views for explaining a manufacturing process.

【図7】(a),(b)は同じく製造工程を説明するた
めの概略断面図。
FIGS. 7A and 7B are schematic cross-sectional views for explaining a manufacturing process.

【図8】(a),(b)は同じく製造工程を説明するた
めの概略断面図。
FIGS. 8A and 8B are schematic cross-sectional views for explaining a manufacturing process.

【図9】(a)はフラッタニング処理前のはんだバンプ
の拡大断面図、(b)はフラッタニング処理後のはんだ
バンプの拡大断面図。
9A is an enlarged cross-sectional view of a solder bump before fluttering processing, and FIG. 9B is an enlarged cross-sectional view of a solder bump after fluttering processing.

【図10】フラッタニング処理後のはんだバンプの拡大
断面図。
FIG. 10 is an enlarged sectional view of a solder bump after a fluttering process.

【図11】別例のフラッタニング用治具の使用状態を示
す概略断面図。
FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing a use state of another example of a flattening jig.

【図12】別例のフラッタニング用治具の使用状態を示
す概略断面図。
FIG. 12 is a schematic cross-sectional view illustrating a use state of another example of the flattening jig.

【図13】従来において1つのフラッタニング用治具の
みを用いた場合のフラッタニング処理の様子を示す概略
断面図。
FIG. 13 is a schematic cross-sectional view showing a state of a fluttering process when only one fluttering jig is used in the related art.

【図14】従来において一対のフラッタニング用治具を
用いた場合のフラッタニング処理の様子を示す概略断面
図。
FIG. 14 is a schematic cross-sectional view showing a state of a fluttering process when a pair of flattening jigs is used in the related art.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…プリント配線板としてのビルドアップ多層プリン
ト配線板、10a…チップ非搭載面、11…(下)治
具、11a…(下)治具の基板当接面、12…(上)治
具、12a…(上)治具の基板当接面、13…部品逃が
し凹部、14…電子部品、19…凸部としてのリブ、3
0…基板、34…導体回路、70…ソルダーレジスト
層、70a…開口部、76…はんだバンプ。
Reference numeral 10: build-up multilayer printed wiring board as a printed wiring board; 10a: chip non-mounting surface; 11: (lower) jig; 11a: (lower) jig substrate contact surface; 12: (upper) jig; 12a: (upper) jig substrate contact surface, 13: component escape recess, 14: electronic component, 19: rib as projection, 3
0: substrate, 34: conductor circuit, 70: solder resist layer, 70a: opening, 76: solder bump.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】導体回路を備える基板上に複数の開口部を
有するソルダーレジスト層を形成し、次いで前記基板の
チップ搭載面側における前記開口部内にはんだペースト
を充填してリフローすることにより複数のはんだバンプ
を形成した後、一対の治具を用いて前記基板の厚さ方向
に押圧力を加えることにより、前記はんだバンプの頂部
を平坦化して均一な高さにするフラッタニング処理を行
うプリント配線板の製造方法において、 前記基板のチップ非搭載面側に電子部品が実装されてい
る場合、チップ非搭載面側を押圧する治具の基板当接面
に、前記電子部品を逃がすための部品逃がし凹部を設け
ておくことを特徴とするプリント配線板の製造方法。
A solder resist layer having a plurality of openings is formed on a substrate having a conductive circuit, and a solder paste is filled in the openings on the chip mounting surface side of the substrate and reflowed to form a plurality of solder resist layers. After forming the solder bumps, the printed wiring is subjected to a flattening process for flattening the tops of the solder bumps to have a uniform height by applying a pressing force in the thickness direction of the substrate using a pair of jigs. In the method of manufacturing a board, when an electronic component is mounted on the chip non-mounting surface side of the board, a component escape for allowing the electronic component to escape to a board contact surface of a jig pressing the chip non-mounting surface side. A method for manufacturing a printed wiring board, wherein a concave portion is provided.
【請求項2】前記治具は硬質かつ耐圧性の材料からなる
ことを特徴とする請求項1に記載のプリント配線板の製
造方法。
2. The method according to claim 1, wherein the jig is made of a hard and pressure-resistant material.
【請求項3】前記部品逃がし凹部は、複数の電子部品に
対応して1つ設けられていることを特徴とする請求項1
または2に記載のプリント配線板の製造方法。
3. The electronic device according to claim 1, wherein the component escape recess is provided for each of a plurality of electronic components.
Or the method for producing a printed wiring board according to 2 above.
【請求項4】前記部品逃がし凹部の底面には、前記基板
のチップ非搭載面側に当接する凸部が設けられているこ
とを特徴とする請求項3に記載のプリント配線板の製造
方法。
4. The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 3, wherein a convex portion is provided on the bottom surface of the component escape concave portion so as to contact the chip non-mounting surface side of the substrate.
【請求項5】基板の厚さ方向に押圧力を加えることによ
り、はんだバンプの頂部を平坦化して均一な高さにする
フラッタニング処理に用いられるチップ非搭載面側の治
具であって、その基板当接面に部品逃がし凹部を備えた
フラッタニング用治具。
5. A jig on a chip non-mounting surface side used in a fluttering process for applying a pressing force in a thickness direction of a substrate to flatten a top portion of a solder bump to have a uniform height. A fluttering jig having a component escape recess on its substrate contact surface.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009224625A (en) * 2008-03-17 2009-10-01 Ngk Spark Plug Co Ltd Wiring board having solder bump and method for manufacturing the same
KR101278339B1 (en) * 2010-11-10 2013-06-25 삼성전기주식회사 Coining Device

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