JP2001202870A - 冷陰極素子 - Google Patents
冷陰極素子Info
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- JP2001202870A JP2001202870A JP2000010225A JP2000010225A JP2001202870A JP 2001202870 A JP2001202870 A JP 2001202870A JP 2000010225 A JP2000010225 A JP 2000010225A JP 2000010225 A JP2000010225 A JP 2000010225A JP 2001202870 A JP2001202870 A JP 2001202870A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低い印加電圧によっても十分に電子を放出す
ることが可能な，実用性の高い冷陰極素子を提供する。 【解決手段】 電界を印加されることにより電子を放出
する冷陰極素子であって，Ｃｓ含有量が０．１原子％≦
Ｃｓ≦１．８原子％である非晶質炭素膜より構成され，
ＣｓのＸＰＳ半値幅ｗはｗ≧１．７５ｅＶである。
ることが可能な，実用性の高い冷陰極素子を提供する。 【解決手段】 電界を印加されることにより電子を放出
する冷陰極素子であって，Ｃｓ含有量が０．１原子％≦
Ｃｓ≦１．８原子％である非晶質炭素膜より構成され，
ＣｓのＸＰＳ半値幅ｗはｗ≧１．７５ｅＶである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，電界を印加される
ことにより電子を放出する冷陰極素子に関する。
ことにより電子を放出する冷陰極素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来，電子放出素子としては熱陰極素子
と冷陰極素子とが知られている。
と冷陰極素子とが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】熱陰極素子は真空管に
代表される分野に用いられているが，熱を付与するため
に集積化が困難である，といった問題がある。一方，冷
陰極素子は熱を用いないため集積化が可能な素子とし
て，フラットパネルディスプレイ，電圧増幅素子，高周
波増幅素子等への応用が期待されている。
代表される分野に用いられているが，熱を付与するため
に集積化が困難である，といった問題がある。一方，冷
陰極素子は熱を用いないため集積化が可能な素子とし
て，フラットパネルディスプレイ，電圧増幅素子，高周
波増幅素子等への応用が期待されている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は，低い印加電圧
によっても十分に電子を放出することが可能な，実用性
の高い前記冷陰極素子を提供することを目的とする。
によっても十分に電子を放出することが可能な，実用性
の高い前記冷陰極素子を提供することを目的とする。
【０００５】前記目的を達成するため本発明によれば，
電界を印加されることにより電子を放出する冷陰極素子
であって，Ｃｓ含有量が０．１原子％≦Ｃｓ≦１．８原
子％である非晶質炭素膜より構成され，ＣｓのＸＰＳ半
値幅ｗがｗ≧１．７５ｅＶである冷陰極素子が提供され
る。
電界を印加されることにより電子を放出する冷陰極素子
であって，Ｃｓ含有量が０．１原子％≦Ｃｓ≦１．８原
子％である非晶質炭素膜より構成され，ＣｓのＸＰＳ半
値幅ｗがｗ≧１．７５ｅＶである冷陰極素子が提供され
る。
【０００６】Ｃｓは原子半径（２．６２Å）の大きな元
素であるため，母相となる非晶質炭素膜（Ｃの原子半
径：０．７７Å）に対しその構造を乱す働きをする。そ
の乱れによっては局所的に高密度化させることが可能と
なる。しかしながら，Ｃｓ含有量が多すぎる（Ｃｓ＞
１．８原子％）とＣｓは単体で安定化し，母相に対する
構造の乱れ度合が小さくなる（相互作用が小さい）。逆
にＣｓ含有量が少ない（Ｃｓ＜０．１原子％）場合，Ｃ
ｓ自体の影響力が弱くなる。ＣｓのＸＰＳ半値幅ｗはＣ
ｓの存在状態の安定度（居心地の良否）を示す指標とな
り，その半値幅ｗがｗ≧１．７５ｅＶと広い場合，もっ
とも母相に対して影響を及ぼしていると考えられる。こ
の場合，膜は高密度化されていることになるため，過剰
電子を生じ，その結果，低い印加電圧によっても高電界
放出化が可能となる。
素であるため，母相となる非晶質炭素膜（Ｃの原子半
径：０．７７Å）に対しその構造を乱す働きをする。そ
の乱れによっては局所的に高密度化させることが可能と
なる。しかしながら，Ｃｓ含有量が多すぎる（Ｃｓ＞
１．８原子％）とＣｓは単体で安定化し，母相に対する
構造の乱れ度合が小さくなる（相互作用が小さい）。逆
にＣｓ含有量が少ない（Ｃｓ＜０．１原子％）場合，Ｃ
ｓ自体の影響力が弱くなる。ＣｓのＸＰＳ半値幅ｗはＣ
ｓの存在状態の安定度（居心地の良否）を示す指標とな
り，その半値幅ｗがｗ≧１．７５ｅＶと広い場合，もっ
とも母相に対して影響を及ぼしていると考えられる。こ
の場合，膜は高密度化されていることになるため，過剰
電子を生じ，その結果，低い印加電圧によっても高電界
放出化が可能となる。
【０００７】前記非晶質炭素膜は単体で用いられる外，
例えばＳｉよりなる冷陰極素子の性能向上を図るべく，
その素子の表面被膜層構成材料としても用いられる。
例えばＳｉよりなる冷陰極素子の性能向上を図るべく，
その素子の表面被膜層構成材料としても用いられる。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１は陰極ユニット１を示し，そ
の陰極ユニット１はＡｌ製陰極板２と，その表面に形成
された冷陰極素子３とよりなる。その冷陰極素子３は，
Ｃｓ含有量が０．１原子％≦Ｃｓ≦１．８原子％である
非晶質炭素膜より構成され，そのＣｓのＸＰＳ半値幅ｗ
はｗ≧１．７５ｅＶである。
の陰極ユニット１はＡｌ製陰極板２と，その表面に形成
された冷陰極素子３とよりなる。その冷陰極素子３は，
Ｃｓ含有量が０．１原子％≦Ｃｓ≦１．８原子％である
非晶質炭素膜より構成され，そのＣｓのＸＰＳ半値幅ｗ
はｗ≧１．７５ｅＶである。
【０００９】Ｃｓは原子半径（２．６２Å）の大きな元
素であるため，母相となる非晶質炭素膜（Ｃの原子半
径：０．７７Å）に対しその構造を乱す働きをする。そ
の乱れによっては局所的に高密度化させることが可能と
なる。しかしながら，Ｃｓ含有量が多すぎる（Ｃｓ＞
１．８原子％）とＣｓは単体で安定化し，母相に対する
構造の乱れ度合が小さくなる（相互作用が小さい）。逆
にＣｓ含有量が少ない（Ｃｓ＜０．１原子％）場合，Ｃ
ｓ自体の影響力が弱くなる。ＣｓのＸＰＳ半値幅ｗはＣ
ｓの存在状態の安定度（居心地の良否）を示す指標とな
り，その半値幅ｗがｗ≧１．７５ｅＶと広い場合，もっ
とも母相に対して影響を及ぼしていると考えられる。こ
の場合，膜は高密度化されていることになるため，過剰
電子を生じ，その結果，低い印加電圧によっても高電界
放出化が可能となる。
素であるため，母相となる非晶質炭素膜（Ｃの原子半
径：０．７７Å）に対しその構造を乱す働きをする。そ
の乱れによっては局所的に高密度化させることが可能と
なる。しかしながら，Ｃｓ含有量が多すぎる（Ｃｓ＞
１．８原子％）とＣｓは単体で安定化し，母相に対する
構造の乱れ度合が小さくなる（相互作用が小さい）。逆
にＣｓ含有量が少ない（Ｃｓ＜０．１原子％）場合，Ｃ
ｓ自体の影響力が弱くなる。ＣｓのＸＰＳ半値幅ｗはＣ
ｓの存在状態の安定度（居心地の良否）を示す指標とな
り，その半値幅ｗがｗ≧１．７５ｅＶと広い場合，もっ
とも母相に対して影響を及ぼしていると考えられる。こ
の場合，膜は高密度化されていることになるため，過剰
電子を生じ，その結果，低い印加電圧によっても高電界
放出化が可能となる。
【００１０】さらに，Ｃｓは非晶質炭素膜内だけでな
く，その表面にも多数点在する。この場合，Ｃｓが活性
であることから，膜表面のＣｓは空気中の酸素と化合し
て安定な酸化物となる。その結果，膜表面の多数のＣｓ
酸化物は多数の電気絶縁性ポイントを形成するので，膜
表面に電界を印加すると，それら電気絶縁性ポイントを
除いた部分に電界が集中し，これによっても冷陰極素子
３の電界放出特性の向上が図られる。
く，その表面にも多数点在する。この場合，Ｃｓが活性
であることから，膜表面のＣｓは空気中の酸素と化合し
て安定な酸化物となる。その結果，膜表面の多数のＣｓ
酸化物は多数の電気絶縁性ポイントを形成するので，膜
表面に電界を印加すると，それら電気絶縁性ポイントを
除いた部分に電界が集中し，これによっても冷陰極素子
３の電界放出特性の向上が図られる。
【００１１】非晶質炭素膜はイオンビーム蒸着法により
形成され，その形成に際し，入射イオンとしてＣｓイオ
ンを用い，また形成条件を調整することによってＣｓを
非晶質炭素膜に均一に含有させることが可能となる。イ
オンビーム蒸着法においては，正イオンビームまたは負
イオンビームが用いられる。この場合，非晶質炭素膜の
原子密度は正イオンビーム蒸着法によるもの，負イオン
ビーム蒸着法によるもの，の順に高くなる，つまり，導
電性はこの順序で強くなり，放出電界はこの順序で低く
なる。この原子密度の差は，負イオンの内部ポテンシャ
ルエネルギ（電子親和力）が正イオンのそれ（電離電
圧）よりも低いことに起因する。
形成され，その形成に際し，入射イオンとしてＣｓイオ
ンを用い，また形成条件を調整することによってＣｓを
非晶質炭素膜に均一に含有させることが可能となる。イ
オンビーム蒸着法においては，正イオンビームまたは負
イオンビームが用いられる。この場合，非晶質炭素膜の
原子密度は正イオンビーム蒸着法によるもの，負イオン
ビーム蒸着法によるもの，の順に高くなる，つまり，導
電性はこの順序で強くなり，放出電界はこの順序で低く
なる。この原子密度の差は，負イオンの内部ポテンシャ
ルエネルギ（電子親和力）が正イオンのそれ（電離電
圧）よりも低いことに起因する。
【００１２】以下，具体例について説明する。 〔負イオンビーム蒸着法による非晶質炭素膜の形成〕図
２は公知の超高真空型負イオンビーム蒸着装置（NIABNI
S:Neutral andIonized Alkaline metal bombardment ty
pe heavy Negative Ion Source)を示す。その装置は，
センタアノードパイプ５，フィラメント６，熱遮蔽体７
等を有するＣｓプラズマイオン源８と，サプレッサ９
と，高純度高密度炭素よりなるターゲット１０を備えた
ターゲット電極１１と，負イオン引出し電極１２と，レ
ンズ１３と，マグネット１４を有する電子除去体１５
と，偏向板１６とを備えている。
２は公知の超高真空型負イオンビーム蒸着装置（NIABNI
S:Neutral andIonized Alkaline metal bombardment ty
pe heavy Negative Ion Source)を示す。その装置は，
センタアノードパイプ５，フィラメント６，熱遮蔽体７
等を有するＣｓプラズマイオン源８と，サプレッサ９
と，高純度高密度炭素よりなるターゲット１０を備えた
ターゲット電極１１と，負イオン引出し電極１２と，レ
ンズ１３と，マグネット１４を有する電子除去体１５
と，偏向板１６とを備えている。
【００１３】非晶質炭素膜３（便宜上，冷陰極素子と同
一の符号を用いる）の形成に当っては，（ａ）図２に示
すように，各部に所定の電圧を印加する，（ｂ）Ｃｓプ
ラズマイオン源８によりＣｓの正イオンを発生させる，
（ｃ）Ｃｓの正イオンによりターゲット１０をスパッタ
してＣ等の負イオンを発生させる，（ｄ）サプレッサ９
を介して負イオン引出し電極１２により負イオンを引出
して負イオンビーム１７を発生させる，（ｅ）レンズ１
３により負イオンビーム１７を収束する，（ｆ）電子除
去体１５により負イオンビーム１７に含まれる電子を除
去する，（ｇ）偏向板１６により負イオンのみを陰極板
２に向けて飛行させる，といった方法を採用した。
一の符号を用いる）の形成に当っては，（ａ）図２に示
すように，各部に所定の電圧を印加する，（ｂ）Ｃｓプ
ラズマイオン源８によりＣｓの正イオンを発生させる，
（ｃ）Ｃｓの正イオンによりターゲット１０をスパッタ
してＣ等の負イオンを発生させる，（ｄ）サプレッサ９
を介して負イオン引出し電極１２により負イオンを引出
して負イオンビーム１７を発生させる，（ｅ）レンズ１
３により負イオンビーム１７を収束する，（ｆ）電子除
去体１５により負イオンビーム１７に含まれる電子を除
去する，（ｇ）偏向板１６により負イオンのみを陰極板
２に向けて飛行させる，といった方法を採用した。
【００１４】図３は負イオンビーム１７の質量スペクト
ルを示す。この負イオンビーム１７の主たる負イオンは
構成原子数が１であるＣ- イオンと構成原子数が２であ
るＣ2 - イオンである。ただし，イオン電流はＣ- ＞Ｃ
2 - である。
ルを示す。この負イオンビーム１７の主たる負イオンは
構成原子数が１であるＣ- イオンと構成原子数が２であ
るＣ2 - イオンである。ただし，イオン電流はＣ- ＞Ｃ
2 - である。
【００１５】前記方法により得られた非晶質炭素膜３の
例１〜６について，図４に示す方法で放出電界の測定を
行った。即ち，電圧調整可能な電源１８にＡｌ製導電板
１９を接続し，その導電板１９上に，中央部に縦０．８
cm，横０．８cm（０．６４cm 2 ）の開口２０を有する厚
さ１５０μｍのカバーガラス２１を載せ，また，そのカ
バーガラス２１上に陰極ユニット１の非晶質炭素膜３を
載せ，さらに，その陰極板２に電流計２２を接続した。
次いで，電源１８より導電板１９に所定の電圧を印加し
て，電流計２２により電流を読取った。そして，測定電
流と開口２０の面積とから，放出電流密度（μＡ／c
m2 ）を求め，実用性を考慮して，その放出電流密度が
８μＡ／cm2 に達したとき，それに対応する電圧とカバ
ーガラス２１の厚さとから放出電界（Ｖ／μｍ）を求め
た。
例１〜６について，図４に示す方法で放出電界の測定を
行った。即ち，電圧調整可能な電源１８にＡｌ製導電板
１９を接続し，その導電板１９上に，中央部に縦０．８
cm，横０．８cm（０．６４cm 2 ）の開口２０を有する厚
さ１５０μｍのカバーガラス２１を載せ，また，そのカ
バーガラス２１上に陰極ユニット１の非晶質炭素膜３を
載せ，さらに，その陰極板２に電流計２２を接続した。
次いで，電源１８より導電板１９に所定の電圧を印加し
て，電流計２２により電流を読取った。そして，測定電
流と開口２０の面積とから，放出電流密度（μＡ／c
m2 ）を求め，実用性を考慮して，その放出電流密度が
８μＡ／cm2 に達したとき，それに対応する電圧とカバ
ーガラス２１の厚さとから放出電界（Ｖ／μｍ）を求め
た。
【００１６】表１は例１〜６に関するＣｓ含有量，ＸＰ
Ｓ半値幅ｗ，放出電界，非晶質炭素膜の形成条件を示
す。
Ｓ半値幅ｗ，放出電界，非晶質炭素膜の形成条件を示
す。
【００１７】
【表１】
【００１８】表１から明らかなように，例３〜５のごと
く，Ｃｓ含有量を０．１原子％≦Ｃｓ≦１．８原子％
に，またＣｓのＸＰＳ半値幅ｗをｗ≧１．７５ｅＶにそ
れぞれ設定すると，非晶質炭素膜３の放出電界を大いに
低くすることができる。なお，ＸＰＳ半値幅ｗがｗ≧
２．０ｅＶの状態は，Ｃｓ含有量の増加を意味し，その
場合前記のように個々に安定化するため，前記のような
膜形成方法においては起こりえない。
く，Ｃｓ含有量を０．１原子％≦Ｃｓ≦１．８原子％
に，またＣｓのＸＰＳ半値幅ｗをｗ≧１．７５ｅＶにそ
れぞれ設定すると，非晶質炭素膜３の放出電界を大いに
低くすることができる。なお，ＸＰＳ半値幅ｗがｗ≧
２．０ｅＶの状態は，Ｃｓ含有量の増加を意味し，その
場合前記のように個々に安定化するため，前記のような
膜形成方法においては起こりえない。
【００１９】この種の冷陰極素子は，フラットパネルデ
ィスプレイ，電圧増幅素子，高周波増幅素子，高精度至
近距離レーダ，磁気センサ，視覚センサ等に応用され
る。
ィスプレイ，電圧増幅素子，高周波増幅素子，高精度至
近距離レーダ，磁気センサ，視覚センサ等に応用され
る。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば，前記のように構成する
ことによって，低い印加電圧によっても十分に電子を放
出することが可能な，実用性の高い冷陰極素子を提供す
ることができる。
ことによって，低い印加電圧によっても十分に電子を放
出することが可能な，実用性の高い冷陰極素子を提供す
ることができる。
【図１】陰極ユニットの断面図である。
【図２】超高真空型負イオンビーム蒸着装置の概略図で
ある。
ある。
【図３】前記装置によるビームスペクトルである。
【図４】放出電界測定方法の説明図である。
１ 陰極ユニット ２ 陰極板 ３ 冷陰極素子（非晶質炭素膜）
Claims (2)
- 【請求項１】 電界を印加されることにより電子を放出
する冷陰極素子であって，Ｃｓ含有量が０．１原子％≦
Ｃｓ≦１．８原子％である非晶質炭素膜より構成され，
ＣｓのＸＰＳ半値幅ｗがｗ≧１．７５ｅＶであることを
特徴とする冷陰極素子。 - 【請求項２】 前記非晶質炭素膜は，負イオンビームを
用いるイオンビーム蒸着法により形成された，請求項１
記載の冷陰極素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000010225A JP4545864B2 (ja) | 2000-01-14 | 2000-01-14 | 冷陰極素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000010225A JP4545864B2 (ja) | 2000-01-14 | 2000-01-14 | 冷陰極素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001202870A true JP2001202870A (ja) | 2001-07-27 |
| JP4545864B2 JP4545864B2 (ja) | 2010-09-15 |
Family
ID=18538260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000010225A Expired - Fee Related JP4545864B2 (ja) | 2000-01-14 | 2000-01-14 | 冷陰極素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4545864B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6414422B1 (en) * | 2000-03-01 | 2002-07-02 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Cold cathode element |
| WO2003107377A1 (en) | 2002-06-13 | 2003-12-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron-emitting device and manufacturing method thereof |
| US7583016B2 (en) | 2004-12-10 | 2009-09-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Producing method for electron-emitting device and electron source, and image display apparatus utilizing producing method for electron-emitting device |
| US7682213B2 (en) | 2003-06-11 | 2010-03-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing an electron emitting device by terminating a surface of a carbon film with hydrogen |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1140044A (ja) * | 1997-07-18 | 1999-02-12 | Canon Inc | 電子放出素子及び電子源及び画像表示装置およびそれらの製造方法 |
| JPH11213867A (ja) * | 1998-01-29 | 1999-08-06 | Honda Motor Co Ltd | 冷陰極素子 |
-
2000
- 2000-01-14 JP JP2000010225A patent/JP4545864B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1140044A (ja) * | 1997-07-18 | 1999-02-12 | Canon Inc | 電子放出素子及び電子源及び画像表示装置およびそれらの製造方法 |
| JPH11213867A (ja) * | 1998-01-29 | 1999-08-06 | Honda Motor Co Ltd | 冷陰極素子 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6414422B1 (en) * | 2000-03-01 | 2002-07-02 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Cold cathode element |
| WO2003107377A1 (en) | 2002-06-13 | 2003-12-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron-emitting device and manufacturing method thereof |
| US7733006B2 (en) | 2002-06-13 | 2010-06-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron-emitting device and manufacturing method thereof |
| US7811625B2 (en) | 2002-06-13 | 2010-10-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing electron-emitting device |
| US7682213B2 (en) | 2003-06-11 | 2010-03-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing an electron emitting device by terminating a surface of a carbon film with hydrogen |
| US7583016B2 (en) | 2004-12-10 | 2009-09-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Producing method for electron-emitting device and electron source, and image display apparatus utilizing producing method for electron-emitting device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4545864B2 (ja) | 2010-09-15 |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130709 Year of fee payment: 3 |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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