JP2001201672A - 光半導体を有する変換モジュールと、このような変換モジュールを製造する方法 - Google Patents
光半導体を有する変換モジュールと、このような変換モジュールを製造する方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 モジュール1は接触部に電気的に接続されて
いて、該接触部がベースプレート3の下面側2に形成さ
れていて、少なくとも1つの光半導体9が、光を送信方
向Bでベースプレート3の上面側10から離れる方向に
送信することができるように、かつ/または光を受信方
向Bでベースプレート3の上面側で受信することができ
るように配置されている形式の、光を少なくとも1つの
光半導体9によって送信かつ/または受信するための変
換モジュール1を改良して、構成素子の改良された集積
密度が達成されるような変換モジュールを提供すること
である。 【解決手段】 接触部が導体路5を用いて形成されてお
り、該導体路5がベースプレート3から電気的に絶縁さ
れていて、プリント配線板基板に形成されている。
いて、該接触部がベースプレート3の下面側2に形成さ
れていて、少なくとも1つの光半導体9が、光を送信方
向Bでベースプレート3の上面側10から離れる方向に
送信することができるように、かつ/または光を受信方
向Bでベースプレート3の上面側で受信することができ
るように配置されている形式の、光を少なくとも1つの
光半導体9によって送信かつ/または受信するための変
換モジュール1を改良して、構成素子の改良された集積
密度が達成されるような変換モジュールを提供すること
である。 【解決手段】 接触部が導体路5を用いて形成されてお
り、該導体路5がベースプレート3から電気的に絶縁さ
れていて、プリント配線板基板に形成されている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光を少なくとも1
つの光半導体によって送信かつ/または受信するための
変換モジュールであって、該モジュールは接触部に電気
的に接続されていて、該接触部がベースプレートの下面
側に形成されていて、少なくとも1つの光半導体が、光
を送信方向でベースプレートの上面側から離れる方向に
送信することができるように、かつ/または光を受信方
向でベースプレートの上面側で受信することができるよ
うに配置されている形式のものに関する。
つの光半導体によって送信かつ/または受信するための
変換モジュールであって、該モジュールは接触部に電気
的に接続されていて、該接触部がベースプレートの下面
側に形成されていて、少なくとも1つの光半導体が、光
を送信方向でベースプレートの上面側から離れる方向に
送信することができるように、かつ/または光を受信方
向でベースプレートの上面側で受信することができるよ
うに配置されている形式のものに関する。
【0002】さらに本発明は少なくとも1つの光半導体
によって光を送信かつ/または受信するための変換モジ
ュールを製造するための方法に関する。
によって光を送信かつ/または受信するための変換モジ
ュールを製造するための方法に関する。
【0003】
【従来の技術】このような形式の変換モジュールは、光
信号もしくは光学的な信号のエレクトロオプティック的
な変換および/またはオプトエレクトロニック的な変換
のための光導波路技術分野において使用される。変換モ
ジュールのこのような使用用途では変換モジュールの高
い集積密度が要求される。
信号もしくは光学的な信号のエレクトロオプティック的
な変換および/またはオプトエレクトロニック的な変換
のための光導波路技術分野において使用される。変換モ
ジュールのこのような使用用途では変換モジュールの高
い集積密度が要求される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、冒頭
に記載した形式の変換モジュールを改良して、構成素子
の集積密度が改良された変換モジュールと、このような
変換モジュールを製造するのに適した方法とを提供する
ことである。
に記載した形式の変換モジュールを改良して、構成素子
の集積密度が改良された変換モジュールと、このような
変換モジュールを製造するのに適した方法とを提供する
ことである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の課題を解決する
ために本発明の構成では、接触部が導体路を用いて形成
されており、該導体路がベースプレートから電気的に絶
縁されていて、プリント配線板基板に形成されているよ
うにした。
ために本発明の構成では、接触部が導体路を用いて形成
されており、該導体路がベースプレートから電気的に絶
縁されていて、プリント配線板基板に形成されているよ
うにした。
【0006】さらに本発明の課題を解決するために本発
明の方法ではプリント配線板基板上に形成された接触層
をベースプレートの下側面に施し、該接触層が導体路を
有しており、該導体路をベースプレートから電気的に絶
縁し、前記接触層に少なくとも1つの切欠を形成し、少
なくとも1つの切欠内に少なくとも1つの光半導体を配
置し、それにより、光を送信方向でベースプレートの上
面側から送信し、かつ光を受信方向でベースプレートの
上面側で受信することができるようにし、少なくとも1
つの光半導体と導体路との間にボンディング接続部を形
成し、少なくとも1つの光半導体とボンディング接続部
とを封止コンパウンドで埋設するようにした。
明の方法ではプリント配線板基板上に形成された接触層
をベースプレートの下側面に施し、該接触層が導体路を
有しており、該導体路をベースプレートから電気的に絶
縁し、前記接触層に少なくとも1つの切欠を形成し、少
なくとも1つの切欠内に少なくとも1つの光半導体を配
置し、それにより、光を送信方向でベースプレートの上
面側から送信し、かつ光を受信方向でベースプレートの
上面側で受信することができるようにし、少なくとも1
つの光半導体と導体路との間にボンディング接続部を形
成し、少なくとも1つの光半導体とボンディング接続部
とを封止コンパウンドで埋設するようにした。
【0007】
【発明の効果】従来技術に対して得られる本発明の主た
る利点は、光半導体の接続のために必要な接触部が安価
に製造可能なプリント配線板基板上に形成されているこ
とにある。さらに導体路をプリント配線板基板上に配置
することによって、特に複数の導体路層を形成できかつ
互いに重なり合って配置できることにより変換モジュー
ルの高いデータ密度および集積密度が達成される。
る利点は、光半導体の接続のために必要な接触部が安価
に製造可能なプリント配線板基板上に形成されているこ
とにある。さらに導体路をプリント配線板基板上に配置
することによって、特に複数の導体路層を形成できかつ
互いに重なり合って配置できることにより変換モジュー
ルの高いデータ密度および集積密度が達成される。
【0008】さらに接触部の、ベースプレートとは切り
離された構成によって、変換モジュールのフレキシブル
な構造が達成される。なぜならば種々異なる使用用途に
合わせられた種々異なる接触装置をベースプレート上に
配置することができるからである。さらに、接触形成す
るためのリードフレーム技術が使用された従来の変換モ
ジュールと比べて、規格通りのEMC保護がわずかな手
間で形成できるという利点が得られる。
離された構成によって、変換モジュールのフレキシブル
な構造が達成される。なぜならば種々異なる使用用途に
合わせられた種々異なる接触装置をベースプレート上に
配置することができるからである。さらに、接触形成す
るためのリードフレーム技術が使用された従来の変換モ
ジュールと比べて、規格通りのEMC保護がわずかな手
間で形成できるという利点が得られる。
【0009】本発明の有利な改良形態に基づき、導体路
は絶縁性接着材を用いてベースプレートから電気的に絶
縁されており、これにより一方では簡単な形式で導体路
の電気的な絶縁部が形成され、他方では導体路はこの接
着材によってベースプレートの下面側に固定される。
は絶縁性接着材を用いてベースプレートから電気的に絶
縁されており、これにより一方では簡単な形式で導体路
の電気的な絶縁部が形成され、他方では導体路はこの接
着材によってベースプレートの下面側に固定される。
【0010】有利には導体路は本発明の1実施形態にお
いてプリント配線板基板を用いてベースプレートから電
気的に絶縁されており、これによりプリント配線板基板
に依存しない、別個の絶縁層なしにすますことができ
る。
いてプリント配線板基板を用いてベースプレートから電
気的に絶縁されており、これによりプリント配線板基板
に依存しない、別個の絶縁層なしにすますことができ
る。
【0011】本発明の1実施形態ではプリント配線板基
板はポリイミドから形成されており、このプリント配線
板基板は安価でありかつ手間をかけずに加工可能であ
る。
板はポリイミドから形成されており、このプリント配線
板基板は安価でありかつ手間をかけずに加工可能であ
る。
【0012】本発明の改良形態に基づき少なくとも1つ
の光半導体がボンディング部材、特にワイヤーボンディ
ング部材またはテープボンディング部材によって導体路
に接続されており、これにより少なくとも1つの光半導
体の電気的な接続部を、公知であるような技術を用いて
構成することができる。
の光半導体がボンディング部材、特にワイヤーボンディ
ング部材またはテープボンディング部材によって導体路
に接続されており、これにより少なくとも1つの光半導
体の電気的な接続部を、公知であるような技術を用いて
構成することができる。
【0013】有利には少なくとも1つの光半導体とボン
ディング部材とが、少なくとも部分的に封止コンパウン
ドによって取り囲まれていて、これにより構成部材の絶
縁部および外部からの影響に対する保護部が形成されて
いる。
ディング部材とが、少なくとも部分的に封止コンパウン
ドによって取り囲まれていて、これにより構成部材の絶
縁部および外部からの影響に対する保護部が形成されて
いる。
【0014】本発明の有利な実施形態はベースプレート
がヒートシンクとして形成されており、これにより変換
モジュールの集積密度が高い場合に必要な熱導出が保証
されている。
がヒートシンクとして形成されており、これにより変換
モジュールの集積密度が高い場合に必要な熱導出が保証
されている。
【0015】有利にはベースプレートが金属から形成さ
れており、これにより電気的な妨害領域に対して良好な
防護が保証されている。
れており、これにより電気的な妨害領域に対して良好な
防護が保証されている。
【0016】本発明の有利な改良形態として、ベースプ
レートには貫通路が形成されており、少なくとも部分的
にこの貫通路を通って、光の送信および/または受信時
における光路が延在している。
レートには貫通路が形成されており、少なくとも部分的
にこの貫通路を通って、光の送信および/または受信時
における光路が延在している。
【0017】少なくとも1つの光半導体の送信面もしく
は受信面がベースプレートの表面から所定の間隔をおい
て配置されており、その結果、ベースプレートの領域は
貫通路を中心に少なくとも1つの光半導体の送信面もし
くは受信面のための保護部を形成する。
は受信面がベースプレートの表面から所定の間隔をおい
て配置されており、その結果、ベースプレートの領域は
貫通路を中心に少なくとも1つの光半導体の送信面もし
くは受信面のための保護部を形成する。
【0018】有利には貫通路内の光路にレンズが配置さ
れていて、これにより送信されたかつ/または受信され
た光の光線経過に影響を与えることができる。
れていて、これにより送信されたかつ/または受信され
た光の光線経過に影響を与えることができる。
【0019】有利にはレンズは球状レンズとして形成さ
れており、これによりレンズの組付けは簡易化されてい
る。
れており、これによりレンズの組付けは簡易化されてい
る。
【0020】貫通路内にレンズを十分に固定できるよう
に、レンズは貫通路内にプレス嵌めされているかまたは
貫通路内に接着材、有利には屈折率整合された、透明な
接着材を用いて接着することができる。
に、レンズは貫通路内にプレス嵌めされているかまたは
貫通路内に接着材、有利には屈折率整合された、透明な
接着材を用いて接着することができる。
【0021】本発明の有利な1実施形態では光半導体が
組付け表面に配置されている場合、レンズは、少なくと
も1つの光半導体の、組付け表面に面した表面に形成さ
れたエッチングホールによって、光半導体の自動調節が
実施可能であるように組付け表面を超えてベースプレー
トの下面側に突出している。これにより光半導体の調整
は変換モジュールの製造時に簡易化される。
組付け表面に配置されている場合、レンズは、少なくと
も1つの光半導体の、組付け表面に面した表面に形成さ
れたエッチングホールによって、光半導体の自動調節が
実施可能であるように組付け表面を超えてベースプレー
トの下面側に突出している。これにより光半導体の調整
は変換モジュールの製造時に簡易化される。
【0022】有利にはレンズをシリコンレンズとして形
成することができ、これにより送信されたもしくは受信
された光の放射の必要な出力は少なくとも1つの光半導
体区分によって達成される。
成することができ、これにより送信されたもしくは受信
された光の放射の必要な出力は少なくとも1つの光半導
体区分によって達成される。
【0023】本発明の改良形態として、少なくとも1つ
の光半導体がベースプレートの下面側の凹部内に配置さ
れている。これによって少なくとも1つの光半導体は凹
部の壁部に取り囲まれていることにより保護される。壁
部と光半導体との間の間隔は十分でなければならないの
で、壁部と光半導体との間には接触部は形成されていな
い。さらに少なくとも1つの光半導体を凹部に配置する
ことによって、光半導体の表面と組付け平面とが当接す
る接触面の拡大が達成され、したがって熱導出が改良さ
れる。
の光半導体がベースプレートの下面側の凹部内に配置さ
れている。これによって少なくとも1つの光半導体は凹
部の壁部に取り囲まれていることにより保護される。壁
部と光半導体との間の間隔は十分でなければならないの
で、壁部と光半導体との間には接触部は形成されていな
い。さらに少なくとも1つの光半導体を凹部に配置する
ことによって、光半導体の表面と組付け平面とが当接す
る接触面の拡大が達成され、したがって熱導出が改良さ
れる。
【0024】本発明の有利な実施形態では下面側に半導
体が配置されており、この半導体は別のボンディング部
材を用いて導体路に接続されており、これにより少なく
とも1つの光半導体に電気的に接続されている。別の半
導体が変換モジュールの機能のために必要な場合、この
別の半導体を少なくとも1つの光半導体のすぐ近くに配
置することができるので、集積密度は拡大されている。
体が配置されており、この半導体は別のボンディング部
材を用いて導体路に接続されており、これにより少なく
とも1つの光半導体に電気的に接続されている。別の半
導体が変換モジュールの機能のために必要な場合、この
別の半導体を少なくとも1つの光半導体のすぐ近くに配
置することができるので、集積密度は拡大されている。
【0025】本発明の有利な改良形態では下面側に半導
体を収容するための別の凹部が形成されている。これに
より変換モジュール組付け時における半導体の位置決め
が簡易化されている。
体を収容するための別の凹部が形成されている。これに
より変換モジュール組付け時における半導体の位置決め
が簡易化されている。
【0026】本発明の有利な実施形態において、導体路
は変換モジュールをろう材ボールを用いて回路担体上に
ろう接できるようにろう材ボールに電気的に接続されて
いる。これにより、公知のろう接技術によって、変換モ
ジュールの別の構造群への接続が達成される。
は変換モジュールをろう材ボールを用いて回路担体上に
ろう接できるようにろう材ボールに電気的に接続されて
いる。これにより、公知のろう接技術によって、変換モ
ジュールの別の構造群への接続が達成される。
【0027】有利には少なくとも1つの光半導体の上方
でベースプレートの上面側にガイド構成部材はグラスフ
ァイバーケーブルまたは光導波路プラグを収容するため
に配置されている。これにより少なくとも1つの光半導
体と、ガラスファイバーケーブルまたは光導波路プラグ
との間の直接的な光連結が達成されている。
でベースプレートの上面側にガイド構成部材はグラスフ
ァイバーケーブルまたは光導波路プラグを収容するため
に配置されている。これにより少なくとも1つの光半導
体と、ガラスファイバーケーブルまたは光導波路プラグ
との間の直接的な光連結が達成されている。
【0028】本発明の有利な改良形態において、ガイド
構成部材は、少なくとも1つの光半導体から送信された
または受信された光に関してこのガイド構成部材を自動
調節するための突出部を有している。これにより機械的
に簡単な形式でガイド構成部材の調整が保証されてい
る。
構成部材は、少なくとも1つの光半導体から送信された
または受信された光に関してこのガイド構成部材を自動
調節するための突出部を有している。これにより機械的
に簡単な形式でガイド構成部材の調整が保証されてい
る。
【0029】有利には突出部が少なくとも部分的に貫通
路内に配置されている。これにより、突出部を収容する
ために、すでに存在する貫通路を使用することができ、
したがって突出部に対する付加的な対応部材を形成する
必要はなくなる。
路内に配置されている。これにより、突出部を収容する
ために、すでに存在する貫通路を使用することができ、
したがって突出部に対する付加的な対応部材を形成する
必要はなくなる。
【0030】本発明による方法の利点は、所属する前記
装置の請求項に記載した利点から得られる。
装置の請求項に記載した利点から得られる。
【0031】
【発明の実施の形態】次に図面に記載した実施例に基づ
き本発明による実施形態を詳説する。
き本発明による実施形態を詳説する。
【0032】図1に基づき、変換モジュール1ではベー
スプレート3の下面に、導体路5を有するポリイミドシ
ート4が配置されている。このポリイミドシート4は公
知のプリント配線板基板である。
スプレート3の下面に、導体路5を有するポリイミドシ
ート4が配置されている。このポリイミドシート4は公
知のプリント配線板基板である。
【0033】ベースプレート3は打抜き成形されたまた
はエッチングされたプレートから形成されている。導体
路5は接着層6によってベースプレート3と電気的に絶
縁されている。ベースプレート3はその下面側2に凹部
7と別の凹部8とを有している。凹部7には光半導体9
が、光を送信方向でベースプレート3の上面側10から
送信できるように配置されている。この光は図1におい
て例示的に矢印Aで示した。光半導体9は光を受信方向
でベースプレート3の上面側10で受信することができ
る。この光は図1において例示的に矢印Bで示した。
はエッチングされたプレートから形成されている。導体
路5は接着層6によってベースプレート3と電気的に絶
縁されている。ベースプレート3はその下面側2に凹部
7と別の凹部8とを有している。凹部7には光半導体9
が、光を送信方向でベースプレート3の上面側10から
送信できるように配置されている。この光は図1におい
て例示的に矢印Aで示した。光半導体9は光を受信方向
でベースプレート3の上面側10で受信することができ
る。この光は図1において例示的に矢印Bで示した。
【0034】送信されたまたは受信された光の経路は少
なくとも部分的に貫通路11を介して延びている。この
貫通路11はベースプレート3に形成されている。光半
導体9によって発信されたまたは受信された光に干渉す
るように、貫通路11には球状レンズとして構成された
レンズ12が配置されている。このレンズ12をガラス
またはプラスチックから形成することができる。
なくとも部分的に貫通路11を介して延びている。この
貫通路11はベースプレート3に形成されている。光半
導体9によって発信されたまたは受信された光に干渉す
るように、貫通路11には球状レンズとして構成された
レンズ12が配置されている。このレンズ12をガラス
またはプラスチックから形成することができる。
【0035】図1に基づき、このレンズ12は光半導体
9上に形成されたエッチングホール13に配置されてい
る。これにより光半導体9をレンズ12に関して調節す
ることが可能である。このレンズ12は有利には貫通路
11内に、プレス嵌めされているか、かつ/または屈折
率整合された透明な接着材を用いて接着されている。
9上に形成されたエッチングホール13に配置されてい
る。これにより光半導体9をレンズ12に関して調節す
ることが可能である。このレンズ12は有利には貫通路
11内に、プレス嵌めされているか、かつ/または屈折
率整合された透明な接着材を用いて接着されている。
【0036】レンズ12は、上述したような組付け設計
に関係なく、光半導体9が例えばリードフレーム技術に
よって組付けられている変換モジュールにおいても使用
可能である。
に関係なく、光半導体9が例えばリードフレーム技術に
よって組付けられている変換モジュールにおいても使用
可能である。
【0037】ベースプレート3の上面側10では貫通路
11の領域にガイド構成部材14が配置されている。光
半導体9から送信された光を継送するために、もしくは
光半導体9によって受信される光を光半導体9に向かっ
て伝送するために、このガイド構成部材14はグラスフ
ァイバケーブルまたは光導波路プラグ(図示せず)を収
容することができる。
11の領域にガイド構成部材14が配置されている。光
半導体9から送信された光を継送するために、もしくは
光半導体9によって受信される光を光半導体9に向かっ
て伝送するために、このガイド構成部材14はグラスフ
ァイバケーブルまたは光導波路プラグ(図示せず)を収
容することができる。
【0038】光半導体9と組付け表面15との間でベー
スプレート3の下面側2に接触面16が形成されてい
る。これにより光半導体9に生ぜしめられた熱の、ベー
スプレート3への良好な伝達が可能となり、したがって
有利にはヒートシンクとして構成されたベースプレート
3は、伝達された熱を分配し導出することができる。光
半導体9を妨害電磁波から保護する機能を付加的に達成
するために、ベースプレート3は有利には金属例えば銅
から形成されている。
スプレート3の下面側2に接触面16が形成されてい
る。これにより光半導体9に生ぜしめられた熱の、ベー
スプレート3への良好な伝達が可能となり、したがって
有利にはヒートシンクとして構成されたベースプレート
3は、伝達された熱を分配し導出することができる。光
半導体9を妨害電磁波から保護する機能を付加的に達成
するために、ベースプレート3は有利には金属例えば銅
から形成されている。
【0039】このベースプレート3は別の半導体17の
ためにもヒートシンクおよび/または妨害電磁波からの
保護としての機能を達成する。
ためにもヒートシンクおよび/または妨害電磁波からの
保護としての機能を達成する。
【0040】光半導体9は、ワイヤーボンディングまた
はテープボンディングとして構成され得るボンディング
部材18を用いて、導体路5と電気的に接続されてい
る。別の半導体17も別のボンディング部材19を用い
て導体路5と接続されているので、この別の半導体17
によって光半導体9の機能を助成することができるかま
たは新しい機能を増補することができる。ボンディング
部材18を備えた光半導体9もボンディング部材19を
備えた別の半導体17も封止コンパウンド20,21に
よって取り囲まれている。各封止コンパウンド20,2
1によって光半導体9もしくは別の半導体17はベース
プレート3に対して固定されており、かつ不都合な外部
の影響から保護されている。
はテープボンディングとして構成され得るボンディング
部材18を用いて、導体路5と電気的に接続されてい
る。別の半導体17も別のボンディング部材19を用い
て導体路5と接続されているので、この別の半導体17
によって光半導体9の機能を助成することができるかま
たは新しい機能を増補することができる。ボンディング
部材18を備えた光半導体9もボンディング部材19を
備えた別の半導体17も封止コンパウンド20,21に
よって取り囲まれている。各封止コンパウンド20,2
1によって光半導体9もしくは別の半導体17はベース
プレート3に対して固定されており、かつ不都合な外部
の影響から保護されている。
【0041】ポリイミドシート4は有利には円錐状に形
成された複数の切欠22を有している。これらの切欠2
2にはろう材ボール23が、導体路5と電気的に接続さ
れているように配置されている。ろう材ボール23を用
いて変換モジュール1を回路担体(Schaltung
straeger)上にろう接することができる(図示
せず)。この回路担体は変換モジュール1とは反対側
に、この変換モジュール1を機能させるのに必要な構成
素子、例えば受動的な構成素子を有している。
成された複数の切欠22を有している。これらの切欠2
2にはろう材ボール23が、導体路5と電気的に接続さ
れているように配置されている。ろう材ボール23を用
いて変換モジュール1を回路担体(Schaltung
straeger)上にろう接することができる(図示
せず)。この回路担体は変換モジュール1とは反対側
に、この変換モジュール1を機能させるのに必要な構成
素子、例えば受動的な構成素子を有している。
【0042】図2aに基づき、光半導体9にレンズ12
の代わりにシリコンレンズ24を形成することができ
る。有利にはこのシリコンレンズ24は、光半導体9
の、貫通路11に関した自動調整が可能であるように光
半導体9上にまたは光半導体9のサブマウント上に配置
されている。
の代わりにシリコンレンズ24を形成することができ
る。有利にはこのシリコンレンズ24は、光半導体9
の、貫通路11に関した自動調整が可能であるように光
半導体9上にまたは光半導体9のサブマウント上に配置
されている。
【0043】図2bには変換モジュールの断面図が示さ
れている。この変換モジュールでは光半導体9がシリコ
ンレンズサブマウント33の下面32に組み付けられて
いる。光半導体9はろう材接触部および/またはワイヤ
ーボンディング部を介して接触される。ガイド構成部材
14はベースプレート3に面した側25に突出部26を
有しており、この突出部26は貫通路11にプレス嵌め
されているので、ガイド構成部材14の、光半導体9に
関した自動調整が可能である。
れている。この変換モジュールでは光半導体9がシリコ
ンレンズサブマウント33の下面32に組み付けられて
いる。光半導体9はろう材接触部および/またはワイヤ
ーボンディング部を介して接触される。ガイド構成部材
14はベースプレート3に面した側25に突出部26を
有しており、この突出部26は貫通路11にプレス嵌め
されているので、ガイド構成部材14の、光半導体9に
関した自動調整が可能である。
【0044】変換モジュール1の製造時にまず導体路5
を有するポリイミドシート4がベースプレート3の下面
側2に接着される。これらの導体路5はポリイミドシー
ト4の、ベースプレート3に面した側に配置されてい
る。このあと光半導体9と別の半導体17とが凹部7,
8内に挿入される。次いで行われる方法段階では光半導
体9と別の半導体17とが、ワイヤーボンディング部材
18,19によって導体路5のボンディング面に接続さ
れる。これらのボンディング面はポリイミドをエッチン
グすることによって解放されている。光半導体9の、ベ
ースプレート3とは反対側の表面27と、導体路5の配
置されている平面との高さの間隔がわずかであるによっ
て、ボンディング部材18を非常に短く構成することが
できる。このことは同様に別の半導体17の別のボンデ
ィング部材19にも有効である。
を有するポリイミドシート4がベースプレート3の下面
側2に接着される。これらの導体路5はポリイミドシー
ト4の、ベースプレート3に面した側に配置されてい
る。このあと光半導体9と別の半導体17とが凹部7,
8内に挿入される。次いで行われる方法段階では光半導
体9と別の半導体17とが、ワイヤーボンディング部材
18,19によって導体路5のボンディング面に接続さ
れる。これらのボンディング面はポリイミドをエッチン
グすることによって解放されている。光半導体9の、ベ
ースプレート3とは反対側の表面27と、導体路5の配
置されている平面との高さの間隔がわずかであるによっ
て、ボンディング部材18を非常に短く構成することが
できる。このことは同様に別の半導体17の別のボンデ
ィング部材19にも有効である。
【0045】次いで光半導体9とボンディング部材18
並びに別の半導体17と別のボンディング部材19はそ
れぞれ注型成形部材20,21によって埋設される。
並びに別の半導体17と別のボンディング部材19はそ
れぞれ注型成形部材20,21によって埋設される。
【0046】次いで変換モジュール1をろう材ボール2
3を用いて回路担体上にろう接することができる。
3を用いて回路担体上にろう接することができる。
【0047】レンズ12またはシリコンレンズ24が設
けられているかどうかに関連して、レンズ12を貫通路
11に挿入するための方法段階が規定され得る。
けられているかどうかに関連して、レンズ12を貫通路
11に挿入するための方法段階が規定され得る。
【0048】図3には変換モジュール1の別の実施例が
示されている。ここではベースプレート3の下面側2に
プリント配線板基板28が配置されている。プリント配
線板基板28の、ベースプレート3とは反対の側29
に、導体路30、有利には銅導体路が形成されている。
この銅導体路はボンディング部材18と別のボンディン
グ部材19を用いて光半導体9もしくは別の半導体17
に電気的に接続されている。
示されている。ここではベースプレート3の下面側2に
プリント配線板基板28が配置されている。プリント配
線板基板28の、ベースプレート3とは反対の側29
に、導体路30、有利には銅導体路が形成されている。
この銅導体路はボンディング部材18と別のボンディン
グ部材19を用いて光半導体9もしくは別の半導体17
に電気的に接続されている。
【0049】プリント配線板基板28を使用すると特
に、各層に導体路が延在する複数の重なり合った層(図
示せず)を形成することができ、したがって変換モジュ
ールのデータ密度および集積密度を高めることができる
という利点を有している。
に、各層に導体路が延在する複数の重なり合った層(図
示せず)を形成することができ、したがって変換モジュ
ールのデータ密度および集積密度を高めることができる
という利点を有している。
【0050】光半導体9はプリント配線板基板28の切
欠31内に組み付けられている。プリント配線板基板2
8は例えばエポキシ樹脂およびガラスから形成されてい
る。
欠31内に組み付けられている。プリント配線板基板2
8は例えばエポキシ樹脂およびガラスから形成されてい
る。
【図1】レンズを有する変換モジュールの図である。
【図2a】シリコンレンズを有する変換モジュールの図
である。
である。
【図2b】シリコンレンズを有する変換モジュールの図
である。
である。
【図3】変換モジュールの別の実施例を示した図であ
る。
る。
1 変換モジュール、 2 下面側、 3 ベースプレ
ート、 4 ポリイミドシート、 5 導体路、 6
接着層、 7,8 凹部、 9 光半導体、10 上面
側、 11 貫通路、 12 レンズ、 13 エッチ
ングホール、14 ガイド構成部材、 15 組付け表
面、 16 接触面、 17 半導体、 18,19
ボンディング部材、 20,21 封止コンパウンド、
22 切欠、 23 ろう材ボール、 24 シリコ
ンレンズ、 25 側、 26 突出部、 27 表
面、 28 プリント配線板基板、 29 側、 30
導体路、 31 切欠、 32 下面側、 33 シリ
コンレンズサブマウント
ート、 4 ポリイミドシート、 5 導体路、 6
接着層、 7,8 凹部、 9 光半導体、10 上面
側、 11 貫通路、 12 レンズ、 13 エッチ
ングホール、14 ガイド構成部材、 15 組付け表
面、 16 接触面、 17 半導体、 18,19
ボンディング部材、 20,21 封止コンパウンド、
22 切欠、 23 ろう材ボール、 24 シリコ
ンレンズ、 25 側、 26 突出部、 27 表
面、 28 プリント配線板基板、 29 側、 30
導体路、 31 切欠、 32 下面側、 33 シリ
コンレンズサブマウント
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 31/02 D
Claims (24)
- 【請求項1】 光を少なくとも1つの光半導体(9)に
よって送信かつ/または受信するための変換モジュール
(1)であって、該モジュール(1)は接触部に電気的
に接続されていて、該接触部がベースプレート(3)の
下面側(2)に形成されていて、少なくとも1つの光半
導体(9)が、光を送信方向(B)でベースプレート
(3)の上面側(10)から離れる方向に送信すること
ができるように、かつ/または光を受信方向(B)でベ
ースプレート(3)の上面側で受信することができるよ
うに配置されている形式のものにおいて、 前記接触部が導体路(5)を用いて形成されており、該
導体路(5)がベースプレート(3)から電気的に絶縁
されていて、プリント配線板基板に形成されていること
を特徴する、光半導体を有する変換モジュール。 - 【請求項2】 前記導体路(5)が、絶縁性接着材を用
いてベースプレート(3)から電気的に絶縁されてい
る、請求項1記載の変換モジュール。 - 【請求項3】 前記導体路(5)が、プリント配線板基
板を用いてベースプレートから電気的に絶縁されてい
る、請求項1記載の変換モジュール。 - 【請求項4】 前記プリント配線板基板がポリイミド
(4)から形成されている、請求項1から3までのいず
れか1項記載の変換モジュール。 - 【請求項5】 少なくとも1つの光半導体(9)が、ボ
ンディング部材(18)、特にワイヤーボンディング部
材またはテープボンディング部材を用いて導体路(5)
に接続されている、請求項1から4までのいずれか1項
記載の変換モジュール。 - 【請求項6】 前記少なくとも1つの光半導体(9)
と、前記ボンディング部材(18)とが少なくとも部分
的に封止コンパウンド(20)によって取り囲まれてい
る、請求項5記載の変換モジュール。 - 【請求項7】 前記ベースプレート(3)がヒートシン
クとして構成されている、請求項1から6までのいずれ
か1項記載の変換モジュール。 - 【請求項8】 前記ベースプレート(3)が金属、特に
銅から形成されている、請求項1から7までのいずれか
1項記載の変換モジュール。 - 【請求項9】 前記ベースプレート(3)に貫通路(1
1)が形成されており、光の送信時および/または受信
時における光路が少なくとも部分的に貫通路(11)を
通って延びるように構成された、請求項1から8までの
いずれか1項記載の変換モジュール。 - 【請求項10】 貫通路(11)内の前記光路にレンズ
(12)が配置されている、請求項9記載の変換モジュ
ール。 - 【請求項11】 前記レンズ(12)が球状レンズとし
て形成されている、請求項10記載の変換モジュール。 - 【請求項12】 前記レンズ(12)が前記貫通路(1
1)内にプレス嵌めされている、請求項10または11
記載の変換モジュール。 - 【請求項13】 前記レンズ(12)が前記貫通路内
(11)において接着材、有利には屈折率整合された、
透明な接着材を用いて接着されている、請求項10から
12までのいずれか1項記載の変換モジュール。 - 【請求項14】 光半導体(9)が組付け表面(15)
に配置されている場合、前記レンズ(12)が、少なく
とも1つの光半導体(9)の、組付け表面(15)に面
した表面に形成されたエッチングホール(13)によっ
て、光半導体(9)の自動調節が実施可能であるように
ベースプレート(3)の下面側(2)で組付け表面(1
5)を超えて突出している、請求項10から13までの
いずれか1項記載の変換モジュール。 - 【請求項15】 前記レンズがシリコンレンズ(24)
として形成されている、請求項10記載の変換モジュー
ル。 - 【請求項16】 少なくとも1つの光半導体(9)が、
ベースプレートの下面側(2)で凹部(7)内に配置さ
れている、請求項1から15までのいずれか1項記載の
変換モジュール。 - 【請求項17】 下面側(2)に半導体(17)が配置
されており、該半導体が別のボンディング部材(19)
を用いて前記導体路(5)に接続されていて、これによ
り前記半導体(17)が少なくとも1つの光半導体
(9)に電気的に接続されている、請求項1から16ま
でのいずれか1項記載の変換モジュール。 - 【請求項18】 下面側(2)に、前記半導体(17)
を収容するための別の凹部(8)が形成されている、請
求項17記載の変換モジュール。 - 【請求項19】 前記導体路(5)が、変換モジュール
(1)をろう材ボール(23)を用いて回路担体上にろ
う接できるように前記ろう材ボール(23)にを用いて
電気的に接続されている、請求項1から18までのいず
れか1項記載の変換モジュール。 - 【請求項20】 前記少なくとも1つの光半導体(9)
の上方に、ガラスファイバーケーブルまたは光導波路プ
ラグを収容するためのガイド構成部材(14)が配置さ
れている、請求項1から19までのいずれか1項記載の
変換モジュール。 - 【請求項21】 前記ガイド構成部材(14)が、少な
くとも1つの光半導体(9)から送信されたかつ/また
は受信された光に関して前記ガイド構成部材(14)を
自動調整するための突出部(26)を有している、請求
項20記載の変換モジュール。 - 【請求項22】 前記突出部(26)が少なくとも部分
的に貫通路(11)内に配置されている、請求項9また
は21記載の変換モジュール。 - 【請求項23】 少なくとも1つの光半導体(9)によ
って光を送信かつ/または受信するための変換モジュー
ル(1)を製造するための方法において、 プリント配線板基板上に形成された接触層をベースプレ
ート(3)の下側面(2)に施し、該接触層が導体路
(5)を有しており、該導体路(5)をベースプレート
(3)から電気的に絶縁し、 前記接触層に少なくとも1つの切欠を形成し、 少なくとも1つの切欠内に少なくとも1つの光半導体
(9)を配置し、それによって、光を送信方向(A)で
ベースプレート(3)の上面側(10)から送信し、か
つ光を受信方向(B)でベースプレート(3)の上面側
(10)で受信することができるようにし、 少なくとも1つの光半導体(9)と導体路(5)との間
にボンディング接続部(18)を形成し、 少なくとも1つの光半導体(9)とボンディング接続部
(18)とを封止コンパウンドで埋設することを特徴と
する、光半導体を有する変換モジュールを製造するため
の方法。 - 【請求項24】 光を少なくとも部分的に貫通路(1
1)を通って送信かつ/または受信することができるよ
うに、光半導体の配置前または配置後に貫通路(11)
をベースプレート(3)に形成し、 レンズを貫通路(11)内に挿入する、請求項23記載
の方法。
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