JP2001196029A - 発光制御装置とこの発光制御装置を使用した画像形成装置 - Google Patents
発光制御装置とこの発光制御装置を使用した画像形成装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な構成により、調光をアナログ的に微細
に変化させることが可能な発光制御装置とこの発光制御
装置を使用した画像形成装置を提供する。 【解決手段】 希ガス管１の希ガス中に電荷吸収材３０
を配設し、この電荷吸収材３０に吸収される放電時の電
荷量を調整して希ガス管１の発光量を制御する発光制御
手段３４を設ける。これにより、放電時に電子と希ガス
原子と衝突するエネルギ−量を調整可能となり、希ガス
管１による発光量をアナログ的に制御することができ
る。
に変化させることが可能な発光制御装置とこの発光制御
装置を使用した画像形成装置を提供する。 【解決手段】 希ガス管１の希ガス中に電荷吸収材３０
を配設し、この電荷吸収材３０に吸収される放電時の電
荷量を調整して希ガス管１の発光量を制御する発光制御
手段３４を設ける。これにより、放電時に電子と希ガス
原子と衝突するエネルギ−量を調整可能となり、希ガス
管１による発光量をアナログ的に制御することができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、発光制御装置と
この発光制御装置を使用した画像形成装置に関する。
この発光制御装置を使用した画像形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の発光制御として、例えば特開平５
−２４２８７０号公報に示されるように、放電ランプの
円周方向で一対の電極を管軸方向へ沿って多数組配置
し、電圧が印加される電極数を選択制御することによ
り、放電ランプによる発光量の制御、つまり調光する技
術が提案されている。
−２４２８７０号公報に示されるように、放電ランプの
円周方向で一対の電極を管軸方向へ沿って多数組配置
し、電圧が印加される電極数を選択制御することによ
り、放電ランプによる発光量の制御、つまり調光する技
術が提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述した発
光制御装置では、放電ランプを調光するための電極数が
かなり多く、構造が複雑でコスト高になり、とくに、電
極数の選択により発光量が段階的に変化するだけであ
り、微小な調光ができないといった問題がある。
光制御装置では、放電ランプを調光するための電極数が
かなり多く、構造が複雑でコスト高になり、とくに、電
極数の選択により発光量が段階的に変化するだけであ
り、微小な調光ができないといった問題がある。
【０００４】この発明は、上記問題を解決するためにな
されたものであり、簡単な構成により、連続的で微細な
調光が可能となる発光制御装置とこの発光制御装置を使
用した画像形成装置を提供することを目的とする。
されたものであり、簡単な構成により、連続的で微細な
調光が可能となる発光制御装置とこの発光制御装置を使
用した画像形成装置を提供することを目的とする。
【０００５】また、別の発明は、放電中に部分的に発光
をＯＮ／ＯＦＦ制御して書き込み機能を付与できる発光
制御装置とこの発光制御装置を使用した画像形成装置を
提供することを目的とする。
をＯＮ／ＯＦＦ制御して書き込み機能を付与できる発光
制御装置とこの発光制御装置を使用した画像形成装置を
提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題は、希ガス管
と、希ガス管における電極に電圧を印加する電源と、希
ガス管の希ガス中に配設された電荷吸収材と、前記電極
への電圧印加による希ガス管の放電時に、前記電荷吸収
材に吸収される電荷量を調整して希ガス管の発光量を制
御する発光制御手段と、を備えていることを特徴とする
発光制御装置によって解決される。
と、希ガス管における電極に電圧を印加する電源と、希
ガス管の希ガス中に配設された電荷吸収材と、前記電極
への電圧印加による希ガス管の放電時に、前記電荷吸収
材に吸収される電荷量を調整して希ガス管の発光量を制
御する発光制御手段と、を備えていることを特徴とする
発光制御装置によって解決される。
【０００７】この発光制御装置によれば、希ガス管内に
グリッド線のような電荷吸収材を配設することにより、
希ガス管の放電時に発生する電荷（電子）が前記電荷吸
収材によって吸収される。このため、電荷吸収材に吸収
される電荷量を調整することにより、希ガス原子と衝突
する電子のエネルギー量を調整でき、希ガス管の内周面
の蛍光体層の励起エネルギ−の調整が可能となる。この
結果、簡素な構造でありながら希ガス管による発光量を
アナログ的に微細に制御することができる。
グリッド線のような電荷吸収材を配設することにより、
希ガス管の放電時に発生する電荷（電子）が前記電荷吸
収材によって吸収される。このため、電荷吸収材に吸収
される電荷量を調整することにより、希ガス原子と衝突
する電子のエネルギー量を調整でき、希ガス管の内周面
の蛍光体層の励起エネルギ−の調整が可能となる。この
結果、簡素な構造でありながら希ガス管による発光量を
アナログ的に微細に制御することができる。
【０００８】従って、原稿画像の読み取り時に該原稿画
像に光を照射するための光源として、前記希ガス管が用
いられている画像形成装置においては、簡単、かつ容易
にして原稿画像に対する光量を連続的に可変制御するこ
とができる。
像に光を照射するための光源として、前記希ガス管が用
いられている画像形成装置においては、簡単、かつ容易
にして原稿画像に対する光量を連続的に可変制御するこ
とができる。
【０００９】また、前記課題は、希ガス管と、希ガス管
における電極に電圧を印加する電源と、希ガス管に配設
された１個又は複数個の電荷吸収材と、前記電極への電
圧印加による希ガス管の放電時に、前記電荷吸収材によ
る電荷の吸収、非吸収を制御することによって、希ガス
管の発光の有無を制御する発光制御手段と、を備えてい
ることを特徴とする発光制御装置によっても解決され
る。
における電極に電圧を印加する電源と、希ガス管に配設
された１個又は複数個の電荷吸収材と、前記電極への電
圧印加による希ガス管の放電時に、前記電荷吸収材によ
る電荷の吸収、非吸収を制御することによって、希ガス
管の発光の有無を制御する発光制御手段と、を備えてい
ることを特徴とする発光制御装置によっても解決され
る。
【００１０】この発光制御装置においては、希ガス管の
放電時に、放電される電荷の前記電荷吸収材による吸
収、非吸収を制御することによって、蛍光体層の励起エ
ネルギーが制御され、発光動作をＯＮ／ＯＦＦ制御する
ことができる。
放電時に、放電される電荷の前記電荷吸収材による吸
収、非吸収を制御することによって、蛍光体層の励起エ
ネルギーが制御され、発光動作をＯＮ／ＯＦＦ制御する
ことができる。
【００１１】従って、画像データに対応して感光体を露
光するための光源として、前記希ガス管が用いられてい
る画像形成装置では、簡単、かつ容易に画像データに対
応して感光体への書き込みを行うことができる。
光するための光源として、前記希ガス管が用いられてい
る画像形成装置では、簡単、かつ容易に画像データに対
応して感光体への書き込みを行うことができる。
【００１２】この画像形成装置においては、電荷吸収材
は複数個であり、これら電荷吸収材は、希ガス管の管軸
方向へ所定のドットピッチで配設されてなる構成とする
のが望ましい。これにより、ドットピッチ毎の書き込み
が可能となる。
は複数個であり、これら電荷吸収材は、希ガス管の管軸
方向へ所定のドットピッチで配設されてなる構成とする
のが望ましい。これにより、ドットピッチ毎の書き込み
が可能となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態を図面
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【００１４】図１は、希ガス管としての蛍光ランプ用い
た発光制御装置の基本的構成を示す。
た発光制御装置の基本的構成を示す。
【００１５】図１において、蛍光ランプ１における蛍光
ランプ本体２は、例えば直径２０ｍｍ、長さ２４０ｍｍ
程度の円筒状のガラスバルブからなる。ガラスバルブ２
の内周面には、蛍光体層３が円周方向の一部を残して略
全面に形成される一方、このガラスバルブ２の内部に
は、希ガスであるキセノンが、例えば８０Ｔｏｒｒ程度
封入されている。
ランプ本体２は、例えば直径２０ｍｍ、長さ２４０ｍｍ
程度の円筒状のガラスバルブからなる。ガラスバルブ２
の内周面には、蛍光体層３が円周方向の一部を残して略
全面に形成される一方、このガラスバルブ２の内部に
は、希ガスであるキセノンが、例えば８０Ｔｏｒｒ程度
封入されている。
【００１６】４は蛍光ランプ１内で発生した光を外部に
放射させるための光出力部であり、前記ガラスバルブ２
の円周方向の所定個所で、管軸の略全長にわたる蛍光体
層未形成部で構成されている。この光出力部４の円周方
向の幅は、例えば４ｍｍ程度に設定されている。
放射させるための光出力部であり、前記ガラスバルブ２
の円周方向の所定個所で、管軸の略全長にわたる蛍光体
層未形成部で構成されている。この光出力部４の円周方
向の幅は、例えば４ｍｍ程度に設定されている。
【００１７】ガラスバルブ２の光出力部４を除いた外周
面には、一対の外部電極５ａ，５ｂが円周方向で所定間
隙をおいて、管軸の略全長にわたって形成されている。
上記間隙は、円周方向の幅が前記光出力部４の幅より狭
く約２ｍｍ程度であり、この間隙には、蛍光ランプ１の
外周面での電極５ａ，５ｂ間の絶縁破壊を防止するため
の絶縁層８が設けられている。また、前記電極５ａ，５
ｂは、それぞれリ−ド線６ａ，６ｂを介して交番電圧を
印加する電源７に接続されている。
面には、一対の外部電極５ａ，５ｂが円周方向で所定間
隙をおいて、管軸の略全長にわたって形成されている。
上記間隙は、円周方向の幅が前記光出力部４の幅より狭
く約２ｍｍ程度であり、この間隙には、蛍光ランプ１の
外周面での電極５ａ，５ｂ間の絶縁破壊を防止するため
の絶縁層８が設けられている。また、前記電極５ａ，５
ｂは、それぞれリ−ド線６ａ，６ｂを介して交番電圧を
印加する電源７に接続されている。
【００１８】上記構成において、電源７から電極５ａ，
５ｂの間に電圧を印加すると、蛍光ランプ１内のキセノ
ンに誘電体であるガラスバルブ２を介して電圧が供給さ
れ、放電が発生する。その際に発生した紫外線が蛍光体
層３を励起し、蛍光体層３によって決定される可視光が
前記光出力部４から外部に放射される。
５ｂの間に電圧を印加すると、蛍光ランプ１内のキセノ
ンに誘電体であるガラスバルブ２を介して電圧が供給さ
れ、放電が発生する。その際に発生した紫外線が蛍光体
層３を励起し、蛍光体層３によって決定される可視光が
前記光出力部４から外部に放射される。
【００１９】以下、発光の原理について詳しく説明す
る。
る。
【００２０】誘電体であるガラスバルブ２を介して放電
が行われるので、誘電体により電流が制限されたグロ−
放電のままでア−ク放電状態には発展しない。また、特
定の部位に放電が集中せず、ガラスバルブ２の内周面に
おける前記電極５ａ，５ｂに対応する部位全体から放電
が発生する。ガラスバルブ２の厚みなどが一定で、誘電
体としての特性が一様であれば、電極５ａ，５ｂに対応
するガラスバルブ２の内周面の電流密度は一様になるの
で、発生する紫外線の密度もほぼ一様になる。このた
め、可視光の発生もほぼ一様になり、この結果、蛍光ラ
ンプ２の表面の輝度分布は略均一になる。
が行われるので、誘電体により電流が制限されたグロ−
放電のままでア−ク放電状態には発展しない。また、特
定の部位に放電が集中せず、ガラスバルブ２の内周面に
おける前記電極５ａ，５ｂに対応する部位全体から放電
が発生する。ガラスバルブ２の厚みなどが一定で、誘電
体としての特性が一様であれば、電極５ａ，５ｂに対応
するガラスバルブ２の内周面の電流密度は一様になるの
で、発生する紫外線の密度もほぼ一様になる。このた
め、可視光の発生もほぼ一様になり、この結果、蛍光ラ
ンプ２の表面の輝度分布は略均一になる。
【００２１】また、電流は印加した電圧の極性が反転し
た直後のゼロクロス付近で流れ、それ以外の領域では、
ガラスバルブ２の内周面に電荷が蓄積されて、電流が流
れなくなる。つまり、蛍光ランプ１にはパルス状の電流
が流れる。
た直後のゼロクロス付近で流れ、それ以外の領域では、
ガラスバルブ２の内周面に電荷が蓄積されて、電流が流
れなくなる。つまり、蛍光ランプ１にはパルス状の電流
が流れる。
【００２２】なお、内部の放電状態を詳細に観測する
と、電極５ａ，５ｂ間を結ぶ多数の細い糸状の放電が略
一定間隔で、全体で縞状に発生しているのが見られる。
ガラスバルブ２内に希ガスを封入した場合、このような
放電により、まず希ガス原子が電子との衝突により共鳴
準位へ励起される。この共鳴準位の励起原子は、希ガス
の圧力が高いため、他の基底準位の希ガス原子と衝突を
起こして２原子分子のエキシマを形成する。このエキシ
マは紫外線を放射して２個の基底準位の希ガス原子に戻
る。
と、電極５ａ，５ｂ間を結ぶ多数の細い糸状の放電が略
一定間隔で、全体で縞状に発生しているのが見られる。
ガラスバルブ２内に希ガスを封入した場合、このような
放電により、まず希ガス原子が電子との衝突により共鳴
準位へ励起される。この共鳴準位の励起原子は、希ガス
の圧力が高いため、他の基底準位の希ガス原子と衝突を
起こして２原子分子のエキシマを形成する。このエキシ
マは紫外線を放射して２個の基底準位の希ガス原子に戻
る。
【００２３】エキシマの放射した紫外線は、原子の共鳴
紫外線のように自己呼吸を起こさないので、その大半が
ガラスバルブ２の内周面に達し、蛍光体層３によって可
視光に変換される。つまり、エキシマによる発光の場
合、一層明るい光が得られることになる。また、希ガス
としてキセノンを用いた場合、内部に電極を設けたグロ
−放電型ランプでは、１４７ｎｍのキセノンの共鳴紫外
線が多いのに対し、上記構成の蛍光ランプ１では、約１
７０ｎｍのエキシマが放射する紫外線が主体である。紫
外線の波長が長いことは、蛍光体層３の発光効率や劣化
の点でも有利である。
紫外線のように自己呼吸を起こさないので、その大半が
ガラスバルブ２の内周面に達し、蛍光体層３によって可
視光に変換される。つまり、エキシマによる発光の場
合、一層明るい光が得られることになる。また、希ガス
としてキセノンを用いた場合、内部に電極を設けたグロ
−放電型ランプでは、１４７ｎｍのキセノンの共鳴紫外
線が多いのに対し、上記構成の蛍光ランプ１では、約１
７０ｎｍのエキシマが放射する紫外線が主体である。紫
外線の波長が長いことは、蛍光体層３の発光効率や劣化
の点でも有利である。
【００２４】図２は、この発明の実施形態における画像
形成装置１００を示す。
形成装置１００を示す。
【００２５】図２おいて、画像形成装置１００は、上部
の略中央に位置する感光体ドラム２２を備え、この感光
体ドラム２２は、矢印方向ａへ回転可能に設定されてい
る。感光体ドラム２２の周辺には、電子写真プロセスに
よる画像形成を行うための各手段、具体的には、帯電器
２３、レ−ザ−走査光学系２４、現像装置２５、転写装
置２６、用紙分離装置２７、感光体上の残留トナ−のク
リ−ニング装置２８、残留電荷除去用のイレ−サランプ
２９などが設けられている。
の略中央に位置する感光体ドラム２２を備え、この感光
体ドラム２２は、矢印方向ａへ回転可能に設定されてい
る。感光体ドラム２２の周辺には、電子写真プロセスに
よる画像形成を行うための各手段、具体的には、帯電器
２３、レ−ザ−走査光学系２４、現像装置２５、転写装
置２６、用紙分離装置２７、感光体上の残留トナ−のク
リ−ニング装置２８、残留電荷除去用のイレ−サランプ
２９などが設けられている。
【００２６】電子写真の原理については公知の技術であ
るので、詳細な説明は省略するが、画像スキャナ２１よ
り入力された画像情報に基づいて、レ−ザ−ビ−ム走査
光学系２４により電気信号は光信号に変換され、帯電さ
れた感光体ドラム２２を露光する。こうして、感光体ド
ラム２２上に静電潜像が形成され、この静電潜像が現像
装置２５で現像されることにより、この感光体ドラム２
２上に画像が形成される。
るので、詳細な説明は省略するが、画像スキャナ２１よ
り入力された画像情報に基づいて、レ−ザ−ビ−ム走査
光学系２４により電気信号は光信号に変換され、帯電さ
れた感光体ドラム２２を露光する。こうして、感光体ド
ラム２２上に静電潜像が形成され、この静電潜像が現像
装置２５で現像されることにより、この感光体ドラム２
２上に画像が形成される。
【００２７】また、画像形成装置１００の下部には、複
数の用紙カセット９，１０が配備され、さらに画像形成
装置１００の下側には、給紙搬送装置２００が設けられ
ている。給紙搬送装置２００は、記録用紙を画像形成装
置１００に一部ずつ供給する機能を有している。
数の用紙カセット９，１０が配備され、さらに画像形成
装置１００の下側には、給紙搬送装置２００が設けられ
ている。給紙搬送装置２００は、記録用紙を画像形成装
置１００に一部ずつ供給する機能を有している。
【００２８】記録用紙は、給紙搬送装置２００の用紙カ
セット９’，１０’ないしは画像形成装置１００の用紙
カセット９，１０から給紙ロ−ラ１１，１２，１３，１
４，１５により選択的に給紙され、タイミングロ−ラ−
１６で一旦停止した後、感光体２２上の画像形成と同期
して転写装置２６へ送り込まれる。そして、感光体２２
上の画像は、転写装置２６により記録用紙に転写され、
分離装置２７を経た後、搬送ベルト１７にて定着手段１
８に搬送される。記録用紙は、転写されたトナ−が加熱
定着された後、排出ロ−ラ１９から排出トレイ２０に排
出される。
セット９’，１０’ないしは画像形成装置１００の用紙
カセット９，１０から給紙ロ−ラ１１，１２，１３，１
４，１５により選択的に給紙され、タイミングロ−ラ−
１６で一旦停止した後、感光体２２上の画像形成と同期
して転写装置２６へ送り込まれる。そして、感光体２２
上の画像は、転写装置２６により記録用紙に転写され、
分離装置２７を経た後、搬送ベルト１７にて定着手段１
８に搬送される。記録用紙は、転写されたトナ−が加熱
定着された後、排出ロ−ラ１９から排出トレイ２０に排
出される。
【００２９】図３は、画像形成装置１００における原稿
画像を読み取るための画像スキャナ２１の構成を示す。
画像を読み取るための画像スキャナ２１の構成を示す。
【００３０】図３において、プラテン（コンタクトガラ
ス）５２上に置かれた原稿５１の画像に対して、原稿照
明用光源としての蛍光ランプ１（１Ａ，１Ｂ）により光
が照射される。画像からの反射光は、移動可能な第１ミ
ラ−５４Ａ、第２ミラ−５４Ｂおよび第３ミラ−５４Ｃ
で反射され、結像レンズ５５を経て、ダイクロックプリ
ズム５６に入り、ここで分光される。分光された光は、
固体撮像素子であるＣＣＤ５７Ａ，ＣＣＤ５７Ｂ，ＣＣ
Ｄ５７Ｃにそれぞれ入射する。
ス）５２上に置かれた原稿５１の画像に対して、原稿照
明用光源としての蛍光ランプ１（１Ａ，１Ｂ）により光
が照射される。画像からの反射光は、移動可能な第１ミ
ラ−５４Ａ、第２ミラ−５４Ｂおよび第３ミラ−５４Ｃ
で反射され、結像レンズ５５を経て、ダイクロックプリ
ズム５６に入り、ここで分光される。分光された光は、
固体撮像素子であるＣＣＤ５７Ａ，ＣＣＤ５７Ｂ，ＣＣ
Ｄ５７Ｃにそれぞれ入射する。
【００３１】前記プラテン２の原稿載置領域外には、シ
ェ−ディング補正ならびに蛍光ランプ５３Ａ，５３Ｂの
分光分布の変化を把握するために使用する白色基準板４
７と、ＣＣＤ５７Ａ，５７Ｂ，５７Ｃの暗電流補正等に
使用する黒色基準板４８と、蛍光ランプ１Ａ，１Ｂの分
光分布の変化を把握するために使用する特定の色（波
長）を反射する基準板４９が設置されている。
ェ−ディング補正ならびに蛍光ランプ５３Ａ，５３Ｂの
分光分布の変化を把握するために使用する白色基準板４
７と、ＣＣＤ５７Ａ，５７Ｂ，５７Ｃの暗電流補正等に
使用する黒色基準板４８と、蛍光ランプ１Ａ，１Ｂの分
光分布の変化を把握するために使用する特定の色（波
長）を反射する基準板４９が設置されている。
【００３２】前記蛍光ランプ１Ａ，１Ｂおよび第１ミラ
ー５４Ａは、第１キャリッジ５８に搭載され、第２ミラ
ー５４Ｂと第３ミラー５４Ｃは、第２キャリッジ５９に
搭載されている。さらに、第２キャリッジ５９は、第１
キャリッジ５８の１／２の速度で移動することにより、
原稿５１からＣＣＤ５７Ａ，５７Ｂ，５７Ｃまでの光路
長が一定に保たれ、原稿画像の読み取り時には、第１お
よび第２キャリッジ５８，５９が右から左へ走査され
る。
ー５４Ａは、第１キャリッジ５８に搭載され、第２ミラ
ー５４Ｂと第３ミラー５４Ｃは、第２キャリッジ５９に
搭載されている。さらに、第２キャリッジ５９は、第１
キャリッジ５８の１／２の速度で移動することにより、
原稿５１からＣＣＤ５７Ａ，５７Ｂ，５７Ｃまでの光路
長が一定に保たれ、原稿画像の読み取り時には、第１お
よび第２キャリッジ５８，５９が右から左へ走査され
る。
【００３３】６０はキャリッジ駆動モータであり、その
回転軸６０ａには、プーリ６１が固定されている。この
プーリ６１には、キャリッジ駆動ワイヤ６２が巻き付け
られており、キャリッジ駆動ワイヤ６２には、第１キャ
リッジ５８が結合されている。さらに、キャリッジ駆動
ワイヤ６２は、第２キャリッジ５９上の図示しない動滑
車にも巻き付けられている。
回転軸６０ａには、プーリ６１が固定されている。この
プーリ６１には、キャリッジ駆動ワイヤ６２が巻き付け
られており、キャリッジ駆動ワイヤ６２には、第１キャ
リッジ５８が結合されている。さらに、キャリッジ駆動
ワイヤ６２は、第２キャリッジ５９上の図示しない動滑
車にも巻き付けられている。
【００３４】前記キャリッジ駆動モータ６０の正逆転に
より、第１キャリッジ５８と第２キャリッジ５９が往動
（原稿読み取り走査）、復動（リターン）し、第２キャ
リッジ５９が第１キャリッジ５８の１／２の速度で移動
する。第１キャリッジ５８がホームポジションにある
時、第１キャリッジ５８が反射型のフォトセンサからな
るホームポジションセンサ３９で検出される。検出様態
として、第１キャリッジ５８が露光走査で右方向に駆動
されてホ−ムポジションから外れると、センサ３９は非
受光（キャリッジ非検出）となる。
より、第１キャリッジ５８と第２キャリッジ５９が往動
（原稿読み取り走査）、復動（リターン）し、第２キャ
リッジ５９が第１キャリッジ５８の１／２の速度で移動
する。第１キャリッジ５８がホームポジションにある
時、第１キャリッジ５８が反射型のフォトセンサからな
るホームポジションセンサ３９で検出される。検出様態
として、第１キャリッジ５８が露光走査で右方向に駆動
されてホ−ムポジションから外れると、センサ３９は非
受光（キャリッジ非検出）となる。
【００３５】第１キャリッジ５８がリタ−ンしてホ−ム
ポジションに復帰すると、センサ３９は受光（キャリッ
ジ検出）となり、非受光から受光に変わった時に第１キ
ャリッジ５８が停止する。前記照明用の蛍光ランプ１
Ａ，１Ｂは、往動（原稿読み取り走査）および復動（リ
タ−ン）時において点灯している。
ポジションに復帰すると、センサ３９は受光（キャリッ
ジ検出）となり、非受光から受光に変わった時に第１キ
ャリッジ５８が停止する。前記照明用の蛍光ランプ１
Ａ，１Ｂは、往動（原稿読み取り走査）および復動（リ
タ−ン）時において点灯している。
【００３６】図４は、この発明の一実施形態にかかる発
光制御装置の構成を示す。
光制御装置の構成を示す。
【００３７】図４において、この発光制御装置Ａは、前
記画像形成装置１００における画像スキャナ２１に適用
されたものであり、希ガス管としての蛍光ランプ１と、
蛍光ランプ１内（希ガス中）に配設された電荷吸収材３
０と、蛍光ランプ１の発光量を制御する発光制御手段３
４と、電極５ａ，５ｂ（図１参照）に対して、交番電圧
を印加する電源７とを備えている。
記画像形成装置１００における画像スキャナ２１に適用
されたものであり、希ガス管としての蛍光ランプ１と、
蛍光ランプ１内（希ガス中）に配設された電荷吸収材３
０と、蛍光ランプ１の発光量を制御する発光制御手段３
４と、電極５ａ，５ｂ（図１参照）に対して、交番電圧
を印加する電源７とを備えている。
【００３８】蛍光ランプ１は、管軸方向の両端開口が密
封側板２ａ，２ｂで閉塞されたランプ本体である円筒形
のバルブ２と、ガラスバルブ２の内周面に円周方向の一
部を残して略全面に形成された蛍光体層３とを備えると
ともに、ガラスバルブ２の外周面に配設された一対の電
極５ａ，５ｂをガラスバルブ２の長さ方向に多数備えて
いる。前記ガラスバルブ２の外周面において、蛍光体層
３が形成されていない部位は、光出力部４（図１参照）
として構成されている。
封側板２ａ，２ｂで閉塞されたランプ本体である円筒形
のバルブ２と、ガラスバルブ２の内周面に円周方向の一
部を残して略全面に形成された蛍光体層３とを備えると
ともに、ガラスバルブ２の外周面に配設された一対の電
極５ａ，５ｂをガラスバルブ２の長さ方向に多数備えて
いる。前記ガラスバルブ２の外周面において、蛍光体層
３が形成されていない部位は、光出力部４（図１参照）
として構成されている。
【００３９】なお、その他の基本構成は、図１に示すも
のと同様であり、その説明は省略する。
のと同様であり、その説明は省略する。
【００４０】電荷吸収材３０は、蛍光ランプ１の放電時
に発生する電荷を吸収するものであり、ガラスバルブ２
の管軸方向の一端から他端にわたって配設された直径２
ｍｍ程度のアルミニウム製のグリッド線からなる。この
グリッド線３０の両端は、前記両密封側板２ａ，２ｂに
それぞれ支持されており、一端は、一方の密封側板２ａ
の外面に導出されて、外部リード体３３に電気的に接続
されている。
に発生する電荷を吸収するものであり、ガラスバルブ２
の管軸方向の一端から他端にわたって配設された直径２
ｍｍ程度のアルミニウム製のグリッド線からなる。この
グリッド線３０の両端は、前記両密封側板２ａ，２ｂに
それぞれ支持されており、一端は、一方の密封側板２ａ
の外面に導出されて、外部リード体３３に電気的に接続
されている。
【００４１】発光制御手段３４は、前記グリッド線３０
の一端側の外部リード線３３とグランドＧＮＤの間に介
挿された可変抵抗体３２と、この可変抵抗体３２を可変
させるＣＰＵ（図示せず）とを有する。この可変抵抗体
３２の抵抗値をＣＰＵにより可変することにより、グリ
ッド線３０に流れる電流量が可変される。
の一端側の外部リード線３３とグランドＧＮＤの間に介
挿された可変抵抗体３２と、この可変抵抗体３２を可変
させるＣＰＵ（図示せず）とを有する。この可変抵抗体
３２の抵抗値をＣＰＵにより可変することにより、グリ
ッド線３０に流れる電流量が可変される。
【００４２】上記グリッド線３０の一端と可変抵抗体３
２との間には、可変抵抗体３２に流れる電流量に対応す
る信号を計測用のＣＰＵに送出するアナログ入力端子Ｔ
Ｉが電気的に接続され、また、可変抵抗体３２の可動接
点には、可変抵抗駆動用のＣＰＵからの制御信号が印加
されるアナログ出力端子ＴＯが電気的に接続されてい
る。３５は外部リード体３４を覆う絶縁カバーである。
２との間には、可変抵抗体３２に流れる電流量に対応す
る信号を計測用のＣＰＵに送出するアナログ入力端子Ｔ
Ｉが電気的に接続され、また、可変抵抗体３２の可動接
点には、可変抵抗駆動用のＣＰＵからの制御信号が印加
されるアナログ出力端子ＴＯが電気的に接続されてい
る。３５は外部リード体３４を覆う絶縁カバーである。
【００４３】上記構成において、電源７により電極５
ａ，５ｂのそれぞれに交番電圧を印加すると、蛍光ラン
プ１は、図１で説明したような動作で点灯を繰り返す。
アナログ出力端子ＴＯにＣＰＵからの制御信号を印加す
ることにより、前記可変抵抗体３２の抵抗値を変化させ
ると、この可変抵抗体３２に流れる電流量が電圧に変換
されて検知される。この電圧値検出と可変抵抗体３２の
抵抗値の各制御をＣＰＵで行うことにより蛍光ランプ１
の発光量の制御、つまり調光制御が行われる。
ａ，５ｂのそれぞれに交番電圧を印加すると、蛍光ラン
プ１は、図１で説明したような動作で点灯を繰り返す。
アナログ出力端子ＴＯにＣＰＵからの制御信号を印加す
ることにより、前記可変抵抗体３２の抵抗値を変化させ
ると、この可変抵抗体３２に流れる電流量が電圧に変換
されて検知される。この電圧値検出と可変抵抗体３２の
抵抗値の各制御をＣＰＵで行うことにより蛍光ランプ１
の発光量の制御、つまり調光制御が行われる。
【００４４】具体的な制御方法として、まず、発光原理
で説明したように放電を行う。つまり、図６に示すよう
に、交番電圧ＡＣを電極５ａ，５ｂを印加することによ
り、蛍光ランプ１内に放電が起こる。この放電によりＸ
ｅ原子ＡＭと電子ｅが衝突して紫外線ＵＲが発生する。
この紫外線ＵＲが蛍光体層３に照射されて蛍光分子が励
起され、蛍光体層３から可視光線Ｌを発生させる。
で説明したように放電を行う。つまり、図６に示すよう
に、交番電圧ＡＣを電極５ａ，５ｂを印加することによ
り、蛍光ランプ１内に放電が起こる。この放電によりＸ
ｅ原子ＡＭと電子ｅが衝突して紫外線ＵＲが発生する。
この紫外線ＵＲが蛍光体層３に照射されて蛍光分子が励
起され、蛍光体層３から可視光線Ｌを発生させる。
【００４５】この放電時における電子ｅの吸収量換言す
ればＸｅ原子ＡＭと衝突する原子ｅの量を可変抵抗体３
２の抵抗値により変化させる。例えば抵抗値を小さくす
ることにより、蛍光ランプ１の発光量を減少させること
ができ、逆に、抵抗値を大きくすることにより、発光量
を増大させることが可能となる（図７参照）。これは、
抵抗値が小さいと電子は流れやすく、抵抗値が大きいと
電子は流れにくくなるからである。
ればＸｅ原子ＡＭと衝突する原子ｅの量を可変抵抗体３
２の抵抗値により変化させる。例えば抵抗値を小さくす
ることにより、蛍光ランプ１の発光量を減少させること
ができ、逆に、抵抗値を大きくすることにより、発光量
を増大させることが可能となる（図７参照）。これは、
抵抗値が小さいと電子は流れやすく、抵抗値が大きいと
電子は流れにくくなるからである。
【００４６】前記電子がＸｅ原子ＡＴと衝突する時に可
変抵抗体３２の抵抗値を可変することにより、電子ｅが
グリッド線３０に吸収される量を変化させ、Ｘｅ原子Ａ
Ｔと衝突する量を調整する。その時にグリッド線３０に
流れた電流値と可変抵抗値の積算により電圧が換算され
る。このグリッド線３０に流れる電流は３μＡ程度であ
るので、可変抵抗値は１ＭΩの値となっており、電圧値
として、３Ｖ以下の電圧が発生することになる。この電
圧値をＣＰＵで検知することにより、可変抵抗体３２の
抵抗値が可変制御されることになる。
変抵抗体３２の抵抗値を可変することにより、電子ｅが
グリッド線３０に吸収される量を変化させ、Ｘｅ原子Ａ
Ｔと衝突する量を調整する。その時にグリッド線３０に
流れた電流値と可変抵抗値の積算により電圧が換算され
る。このグリッド線３０に流れる電流は３μＡ程度であ
るので、可変抵抗値は１ＭΩの値となっており、電圧値
として、３Ｖ以下の電圧が発生することになる。この電
圧値をＣＰＵで検知することにより、可変抵抗体３２の
抵抗値が可変制御されることになる。
【００４７】なお、このＣＰＵは、可変抵抗体３２を、
電源７の交番電圧のサイクル変化と同期するように可変
制御する。
電源７の交番電圧のサイクル変化と同期するように可変
制御する。
【００４８】図５は、画像スキャナ２１の動作時におけ
る原稿照明用の蛍光ランプ１（１Ａ，１Ｂ）の動作シ−
ケンス用タイミングチャートである。
る原稿照明用の蛍光ランプ１（１Ａ，１Ｂ）の動作シ−
ケンス用タイミングチャートである。
【００４９】画像形成装置１００におけるプリントボタ
ン（図示せず）が押されることにより、図５（ｃ）に示
すような蛍光ランプ１に入力される電源（ＰＷＭ制御を
行っている）に同期して、図５（Ｄ），（Ｅ）に示すよ
うに、可変抵抗体３２の抵抗値が可変される。この可変
した値は、電圧値に変換されてアナログ入力端子ＴＩに
出力される。
ン（図示せず）が押されることにより、図５（ｃ）に示
すような蛍光ランプ１に入力される電源（ＰＷＭ制御を
行っている）に同期して、図５（Ｄ），（Ｅ）に示すよ
うに、可変抵抗体３２の抵抗値が可変される。この可変
した値は、電圧値に変換されてアナログ入力端子ＴＩに
出力される。
【００５０】この後、図５（Ａ），（Ｂ）に示すよう
に、前記キャリッジ駆動モータ６０がホームポジション
を検出するために動作し、ホ−ムポジションを検出した
後、原稿枚数によりスキャンが繰り返される。
に、前記キャリッジ駆動モータ６０がホームポジション
を検出するために動作し、ホ−ムポジションを検出した
後、原稿枚数によりスキャンが繰り返される。
【００５１】このように、蛍光ランプ１内にグリッド線
のような電荷吸収材３０を配設する簡単な構成により、
蛍光ランプ１が放電した時に発生する電子の一部が前記
電荷吸収材３０によって吸収され、電子とＸｅ原子と衝
突するエネルギ−量が調整可能となり、蛍光体層３の励
起エネルギ−が抑制される。したがって、簡単な構造で
ありながら発光量をアナログ的に微細に制御することが
できる。
のような電荷吸収材３０を配設する簡単な構成により、
蛍光ランプ１が放電した時に発生する電子の一部が前記
電荷吸収材３０によって吸収され、電子とＸｅ原子と衝
突するエネルギ−量が調整可能となり、蛍光体層３の励
起エネルギ−が抑制される。したがって、簡単な構造で
ありながら発光量をアナログ的に微細に制御することが
できる。
【００５２】なお、このグリッド線３０は、上記のよう
な線形状のものに限らず、メッシュ状にしたもの、複数
の線体を束ねたもの、さらにはスパイラル状に巻いたも
のなどを選択的に使用可能である。とくに、スパイラル
状に巻いたものを使用すれば、均一に電荷を吸収できる
利点がある。
な線形状のものに限らず、メッシュ状にしたもの、複数
の線体を束ねたもの、さらにはスパイラル状に巻いたも
のなどを選択的に使用可能である。とくに、スパイラル
状に巻いたものを使用すれば、均一に電荷を吸収できる
利点がある。
【００５３】また、グリッド線３０の構成材は、アルミ
ニウムに限定されるものではなく、銅や合金など電子を
吸収できるものであればよい。
ニウムに限定されるものではなく、銅や合金など電子を
吸収できるものであればよい。
【００５４】図８は、前記発光制御装置Ａによる調光動
作を示すフロ−チャ−トである。
作を示すフロ−チャ−トである。
【００５５】なお、以下の説明ならびに図面では、ステ
ップをＳと記する。また、図面では、ＹＥＳ、ＮＯをそ
れぞれＹ、Ｎと略記する。
ップをＳと記する。また、図面では、ＹＥＳ、ＮＯをそ
れぞれＹ、Ｎと略記する。
【００５６】まず、Ｓ１で、電源７がＯＮされているか
否かを判断し、ＯＮであれば（Ｓ１の判定がＹＥＳ）、
Ｓ２では、ＣＰＵを初期化する。電源７がＯＦＦであれ
ば（Ｓ１の判定がＮＯ）、電源７がＯＮになるのを待
つ。
否かを判断し、ＯＮであれば（Ｓ１の判定がＹＥＳ）、
Ｓ２では、ＣＰＵを初期化する。電源７がＯＦＦであれ
ば（Ｓ１の判定がＮＯ）、電源７がＯＮになるのを待
つ。
【００５７】ついで、Ｓ３では、蛍光ランプ１を点灯し
て画像スキャナ２１で原稿５１の画像をスキャンする
（プレスキャン）。これを行うことにより、Ｓ４で、現
在の蛍光ランプ１の発光量をＣＣＤ５７ａ〜５７ｃを介
して測定する。この発光量は、前回の発光量をそのまま
使用している。よって、蛍光ランプ１の発光量を毎回調
整する。
て画像スキャナ２１で原稿５１の画像をスキャンする
（プレスキャン）。これを行うことにより、Ｓ４で、現
在の蛍光ランプ１の発光量をＣＣＤ５７ａ〜５７ｃを介
して測定する。この発光量は、前回の発光量をそのまま
使用している。よって、蛍光ランプ１の発光量を毎回調
整する。
【００５８】Ｓ５では、測定した発光量が最適か否かの
判断を行う。発光量が最適ではない場合（Ｓ５の判定が
ＮＯ）、Ｓ６で、発光量が所定値を越えているか否かを
判断する。発光量が所定値を越えている場合には（Ｓ６
の判定がＹＥＳ）、Ｓ７で、ＣＰＵからの指令により可
変抵抗体３２の抵抗値を小さくして発光量を低減させ
る。
判断を行う。発光量が最適ではない場合（Ｓ５の判定が
ＮＯ）、Ｓ６で、発光量が所定値を越えているか否かを
判断する。発光量が所定値を越えている場合には（Ｓ６
の判定がＹＥＳ）、Ｓ７で、ＣＰＵからの指令により可
変抵抗体３２の抵抗値を小さくして発光量を低減させ
る。
【００５９】また、発光量が所定値以下の場合（Ｓ６の
判定がＮＯ）、Ｓ８では、ＣＰＵからの指令により可変
抵抗体３２の抵抗値を大きくして発光量を増大させる。
これらの発光量調整処理を行ったのち、Ｓ３で再度蛍光
ランプ１の発光を行わせ、最適発光量になるまで調整処
理を繰り返す。発光量が適正であれば（Ｓ５の判定がＹ
ＥＳ）、Ｓ９で、この適正発光量の時の可変抵抗値が記
憶・保持される。
判定がＮＯ）、Ｓ８では、ＣＰＵからの指令により可変
抵抗体３２の抵抗値を大きくして発光量を増大させる。
これらの発光量調整処理を行ったのち、Ｓ３で再度蛍光
ランプ１の発光を行わせ、最適発光量になるまで調整処
理を繰り返す。発光量が適正であれば（Ｓ５の判定がＹ
ＥＳ）、Ｓ９で、この適正発光量の時の可変抵抗値が記
憶・保持される。
【００６０】次に、コピ−する時、コピ−濃度をユ−ザ
−が変化させる。Ｓ１０では、コピー濃度が中であるか
否かを判別し、コピー濃度が中でないと（Ｓ１０の判定
がＮＯ）、Ｓ１１では、コピー濃度が大であるか否かを
判別し、コピー濃度が大でないと（Ｓ１１の判定がＮ
Ｏ）、Ｓ１３では、コピー濃度が小であるか否かを判別
する。
−が変化させる。Ｓ１０では、コピー濃度が中であるか
否かを判別し、コピー濃度が中でないと（Ｓ１０の判定
がＮＯ）、Ｓ１１では、コピー濃度が大であるか否かを
判別し、コピー濃度が大でないと（Ｓ１１の判定がＮ
Ｏ）、Ｓ１３では、コピー濃度が小であるか否かを判別
する。
【００６１】もし、コピーモードがＡＵＴＯならば、コ
ピ−濃度は中となり、Ｓ１５に進む。コピ−濃度が大の
時（Ｓ１１の判定がＹＥＳ）、Ｓ１２では、蛍光ランプ
１の発光量を増大させるために、ＣＰＵが可変抵抗体３
２の抵抗値を大きくなるように変化させたのち、Ｓ１５
に進む。また、コピ−濃度が小の時は、Ｓ１４で、蛍光
ランプ１の発光量を減少させるために、ＣＰＵが可変抵
抗体３２の抵抗値を小さく成るように変化させたのち、
Ｓ１５に進む。抵抗値の増減量は、最初に決定された抵
抗値を基準にして算出される。
ピ−濃度は中となり、Ｓ１５に進む。コピ−濃度が大の
時（Ｓ１１の判定がＹＥＳ）、Ｓ１２では、蛍光ランプ
１の発光量を増大させるために、ＣＰＵが可変抵抗体３
２の抵抗値を大きくなるように変化させたのち、Ｓ１５
に進む。また、コピ−濃度が小の時は、Ｓ１４で、蛍光
ランプ１の発光量を減少させるために、ＣＰＵが可変抵
抗体３２の抵抗値を小さく成るように変化させたのち、
Ｓ１５に進む。抵抗値の増減量は、最初に決定された抵
抗値を基準にして算出される。
【００６２】図９は、コピー濃度が決定された後の動作
を示すフローチャートである。
を示すフローチャートである。
【００６３】コピ−濃度の決定により、Ｓ１５では、コ
ピ−が開始され、時間が算出される。この時間は、コピ
−動作中に計算される。Ｓ１６では、一定時間が経過す
ると、計測値に「１」をインクリメントする。
ピ−が開始され、時間が算出される。この時間は、コピ
−動作中に計算される。Ｓ１６では、一定時間が経過す
ると、計測値に「１」をインクリメントする。
【００６４】ついで、Ｓ１７で計測値が６０秒を越えた
か否かを判断する。６０秒を越えていないと（Ｓ１７の
判定がＮＯ）、時間計測を続行する。６０秒を越えてい
ると（Ｓ１７の判定がＹＥＳ）、Ｓ１８で、ランプ光量
を調整するためにシェ−デングが行われる。その時に時
間計測値を０に戻す。Ｓ１９では、コピーの終了か否か
を判断し、コピーが終われば（Ｓ１９の判定がＹＥ
Ｓ）、終了する。コピーが終了していない場合（Ｓ１９
の判定がＮＯ）、Ｓ１６に戻り、コピ−が終了するまで
時間計測を続行する。
か否かを判断する。６０秒を越えていないと（Ｓ１７の
判定がＮＯ）、時間計測を続行する。６０秒を越えてい
ると（Ｓ１７の判定がＹＥＳ）、Ｓ１８で、ランプ光量
を調整するためにシェ−デングが行われる。その時に時
間計測値を０に戻す。Ｓ１９では、コピーの終了か否か
を判断し、コピーが終われば（Ｓ１９の判定がＹＥ
Ｓ）、終了する。コピーが終了していない場合（Ｓ１９
の判定がＮＯ）、Ｓ１６に戻り、コピ−が終了するまで
時間計測を続行する。
【００６５】図１０は、この発明の他の実施形態にかか
る発光制御装置Ｂを示す。
る発光制御装置Ｂを示す。
【００６６】図１０において、図４で示す発光制御装置
Ａと同一部所には、同一符号を付して説明を省略する。
Ａと同一部所には、同一符号を付して説明を省略する。
【００６７】この発光制御装置Ｂは、一個もしくはここ
で例示したように、前記電極５ａ，５ｂにそれぞれ対応
する二組の電荷吸収材７３（７３Ａ，７３Ｂ）を持った
蛍光ランプ７１と、電荷吸収材７３による電荷吸収、非
吸収を制御してランプ１の発光の有無を制御する発光制
御手段７６とを備えている。
で例示したように、前記電極５ａ，５ｂにそれぞれ対応
する二組の電荷吸収材７３（７３Ａ，７３Ｂ）を持った
蛍光ランプ７１と、電荷吸収材７３による電荷吸収、非
吸収を制御してランプ１の発光の有無を制御する発光制
御手段７６とを備えている。
【００６８】各組の電荷吸収材７３Ａ、７３Ｂは、ドッ
ト状の複数のアルミニウム片（以下、ドット状素子とも
いう）からなり、蛍光ランプ７１におけるガラスバルブ
２の管軸方向で一定のピッチ毎（ドットピッチ）に配列
されるとともに、該ガラスバルブ２の周壁に埋設ないし
は露出状態で設けられている。
ト状の複数のアルミニウム片（以下、ドット状素子とも
いう）からなり、蛍光ランプ７１におけるガラスバルブ
２の管軸方向で一定のピッチ毎（ドットピッチ）に配列
されるとともに、該ガラスバルブ２の周壁に埋設ないし
は露出状態で設けられている。
【００６９】前記発光制御手段７６は、各電荷吸収材７
３Ａ，７３Ｂにそれぞれ接続された複数の制御ライン７
２（７２Ａ，７２Ｂ）と、各電荷吸収材７３Ａ、７３Ｂ
とＧＮＤとの間にそれぞれ介挿された複数の切換えスイ
ッチ７４・・・と、電荷吸収材７３Ａ，７３Ｂと各切換
えスイッチ７４との間にそれぞれ介挿接続された抵抗体
７５ａ，７５ｂとを備えている。
３Ａ，７３Ｂにそれぞれ接続された複数の制御ライン７
２（７２Ａ，７２Ｂ）と、各電荷吸収材７３Ａ、７３Ｂ
とＧＮＤとの間にそれぞれ介挿された複数の切換えスイ
ッチ７４・・・と、電荷吸収材７３Ａ，７３Ｂと各切換
えスイッチ７４との間にそれぞれ介挿接続された抵抗体
７５ａ，７５ｂとを備えている。
【００７０】各切換えスイッチ７４は、ＧＮＤに接続さ
れた可動接点７４ａと、一方の電極吸収剤７３ａに抵抗
体７５ａを介して電気的に接続された第１固定接点７４
ｂと、他方の電極吸収剤７３ｂに抵抗体７５ｂを介して
電気的に接続された第１固定接点７４ｃとからなり、可
動接点７４ａは、図示しないＣＰＵにより駆動制御され
る。
れた可動接点７４ａと、一方の電極吸収剤７３ａに抵抗
体７５ａを介して電気的に接続された第１固定接点７４
ｂと、他方の電極吸収剤７３ｂに抵抗体７５ｂを介して
電気的に接続された第１固定接点７４ｃとからなり、可
動接点７４ａは、図示しないＣＰＵにより駆動制御され
る。
【００７１】画像のドットが、例えば２００ｄｐｉであ
ると、蛍光ランプ１の管軸全長（２１０ｍｍ）で、例え
ば１６５４本の制御ライン７２Ａ、７２Ｂの各一端側が
各ドット状素子７３ａ、７３ｂに接続され、各他端側が
抵抗体７５ａ，７５ｂに電気的に接続されており、これ
により、蛍光ランプ１の発光の有無を制御ライン数に対
応する画像ドットピッチ単位で制御可能に構成されてい
る。
ると、蛍光ランプ１の管軸全長（２１０ｍｍ）で、例え
ば１６５４本の制御ライン７２Ａ、７２Ｂの各一端側が
各ドット状素子７３ａ、７３ｂに接続され、各他端側が
抵抗体７５ａ，７５ｂに電気的に接続されており、これ
により、蛍光ランプ１の発光の有無を制御ライン数に対
応する画像ドットピッチ単位で制御可能に構成されてい
る。
【００７２】上記構成において、蛍光ランプ７１におけ
るドット素子７３に対応する部位をを発光させる場合、
電源７の交番電圧の正の半サイクルが電極５ａに印加さ
れているときは、切換えスイッチ７４の端子７４ａを接
点７４ｃ側（制御ライン７２Ｂ側）に切り換え、電源７
の交番電圧の正の半サイクルが電極５ｂに印加されてい
るときは、切換えスイッチ７４の端子７４ａを接点７４
ｂ側（制御ライン７２Ａ側）に交互に切り換えることに
より、蛍光ランプ７１の放電が行われ、発光が開始す
る。
るドット素子７３に対応する部位をを発光させる場合、
電源７の交番電圧の正の半サイクルが電極５ａに印加さ
れているときは、切換えスイッチ７４の端子７４ａを接
点７４ｃ側（制御ライン７２Ｂ側）に切り換え、電源７
の交番電圧の正の半サイクルが電極５ｂに印加されてい
るときは、切換えスイッチ７４の端子７４ａを接点７４
ｂ側（制御ライン７２Ａ側）に交互に切り換えることに
より、蛍光ランプ７１の放電が行われ、発光が開始す
る。
【００７３】一方、電源７の交番電圧の正の半サイクル
が電極５ａに印加されているとき、前記切換えスイッチ
７４の可動接点７４ａを、接点７４ｂ側（制御ライン７
２Ａ側）に切り換え、電源７の交番電圧の正の半サイク
ルが電極５ｂに印加されているときは、切換えスイッチ
７４の端子７４ａを接点７４ｃ側（制御ライン７２Ｂ
側）に切り換えることにより、放電のための電荷がドッ
ト素子７３Ａ、７３Ｂに吸収される。このドット素子７
３Ａ、７３Ｂの電流は、切換えスイッチ７４を介し抵抗
体７５ａ、７５ｂを通してグランドＧＮＤに流れ始め、
このため、蛍光ランプ７１の放電がなされなくなる。す
なわち、蛍光体層３の励起エネルギーがドット素子７３
Ａあるいは７３Ｂに吸収され、このドット素子７３Ａ、
７３Ｂの部位においては、発光動作が制止される。
が電極５ａに印加されているとき、前記切換えスイッチ
７４の可動接点７４ａを、接点７４ｂ側（制御ライン７
２Ａ側）に切り換え、電源７の交番電圧の正の半サイク
ルが電極５ｂに印加されているときは、切換えスイッチ
７４の端子７４ａを接点７４ｃ側（制御ライン７２Ｂ
側）に切り換えることにより、放電のための電荷がドッ
ト素子７３Ａ、７３Ｂに吸収される。このドット素子７
３Ａ、７３Ｂの電流は、切換えスイッチ７４を介し抵抗
体７５ａ、７５ｂを通してグランドＧＮＤに流れ始め、
このため、蛍光ランプ７１の放電がなされなくなる。す
なわち、蛍光体層３の励起エネルギーがドット素子７３
Ａあるいは７３Ｂに吸収され、このドット素子７３Ａ、
７３Ｂの部位においては、発光動作が制止される。
【００７４】なお、上記抵抗体７５ａ，７５ｂに大電流
が流れた際の大きな電圧を直接ＧＮＤに接地すると、電
源７が破損してしまう。このため、上記抵抗体７５ａ，
７５ｂは、これを防止するために、電流制限を行うもの
である。
が流れた際の大きな電圧を直接ＧＮＤに接地すると、電
源７が破損してしまう。このため、上記抵抗体７５ａ，
７５ｂは、これを防止するために、電流制限を行うもの
である。
【００７５】上記のように、各ドット素子７３Ａ、７３
Ｂに対する切換えスイッチ７４の接点７４ａを切換える
ことによって、蛍光ランプ７１の発光、非発光動作をド
ットピッチ毎（ライン数）に制御することができる。
Ｂに対する切換えスイッチ７４の接点７４ａを切換える
ことによって、蛍光ランプ７１の発光、非発光動作をド
ットピッチ毎（ライン数）に制御することができる。
【００７６】このように制御される蛍光ランプ７１は、
例えば前記画像形成装置１００におけるレーザ走査光学
系２４の感光体ドラム２２への露光のためのプリントヘ
ッドとして、図１１に示すように、感光体ドラム２２に
平行に配置して使用することができる。
例えば前記画像形成装置１００におけるレーザ走査光学
系２４の感光体ドラム２２への露光のためのプリントヘ
ッドとして、図１１に示すように、感光体ドラム２２に
平行に配置して使用することができる。
【００７７】そして、ＣＰＵにより前記ドット素子７３
の電荷吸収動作を制御ライン７２を介してＯＮ／ＯＦＦ
制御することにより、図１２に示すように、感光体ドラ
ム２２の回転（矢印ａ方向）に伴って、発光ドットＷＯ
と無発光ドットＷＦとによる画像を、画像ラインＶ１，
Ｖ２・・・毎に書き込ませることが可能となる。
の電荷吸収動作を制御ライン７２を介してＯＮ／ＯＦＦ
制御することにより、図１２に示すように、感光体ドラ
ム２２の回転（矢印ａ方向）に伴って、発光ドットＷＯ
と無発光ドットＷＦとによる画像を、画像ラインＶ１，
Ｖ２・・・毎に書き込ませることが可能となる。
【００７８】なお、電荷吸収材としてのドット素子７３
の数は、適宜、増減して設定すればよく、ドット素子７
３が少数の場合、蛍光ランプ７１を感光体ドラム２２に
対して管軸方向で相対移動させながら書き込み動作を行
わせてもよい。
の数は、適宜、増減して設定すればよく、ドット素子７
３が少数の場合、蛍光ランプ７１を感光体ドラム２２に
対して管軸方向で相対移動させながら書き込み動作を行
わせてもよい。
【００７９】図１３は、前記発光制御装置Ｂをプリント
ヘッドに使用する場合の動作を示すフロチャ−トであ
る。
ヘッドに使用する場合の動作を示すフロチャ−トであ
る。
【００８０】まず、Ｓ２１では、電源７がＯＮされてい
るか否かを判断し、電源７がＯＮであれば（Ｓ２１の判
定がＹＥＳ）、Ｓ２２では、ＣＰＵを初期化する。ＯＦ
Ｆであれば（Ｓ２１の判定がＮＯ）、電源７がＯＮにな
るまで待つ。
るか否かを判断し、電源７がＯＮであれば（Ｓ２１の判
定がＹＥＳ）、Ｓ２２では、ＣＰＵを初期化する。ＯＦ
Ｆであれば（Ｓ２１の判定がＮＯ）、電源７がＯＮにな
るまで待つ。
【００８１】ついで、Ｓ２３では、蛍光ランプ１を発光
させ画像スキャナ２１により原稿５１の画像をスキャン
する。Ｓ２４では、この読み込んだ画像をスキャナ５２
からデ−タとして転送する。Ｓ２５では、この転送され
た画像デ−タ−に対して画像１ラインに１ドット毎のＯ
Ｎ／ＯＦＦの情報が付加されるように、デ−タの変換お
よび圧縮を行う。
させ画像スキャナ２１により原稿５１の画像をスキャン
する。Ｓ２４では、この読み込んだ画像をスキャナ５２
からデ−タとして転送する。Ｓ２５では、この転送され
た画像デ−タ−に対して画像１ラインに１ドット毎のＯ
Ｎ／ＯＦＦの情報が付加されるように、デ−タの変換お
よび圧縮を行う。
【００８２】Ｓ２６では、このデ−タが感光体ドラム２
２に１ライン毎に書き込まれるように、ＣＰＵからプリ
ントヘッドに制御信号を送出する。その時、画像１ドッ
ト毎のＯＮ／ＯＦＦが必要となるため、Ｓ２７では、蛍
光ランプ７１の放電方向を電源７側から情報としてＣＰ
Ｕに送り込む。これは、放電方向（＋、−）と電子をＧ
ＮＤに落とし込む方向が逆になると、電源７が短絡して
しまい、機器を破損するからである。
２に１ライン毎に書き込まれるように、ＣＰＵからプリ
ントヘッドに制御信号を送出する。その時、画像１ドッ
ト毎のＯＮ／ＯＦＦが必要となるため、Ｓ２７では、蛍
光ランプ７１の放電方向を電源７側から情報としてＣＰ
Ｕに送り込む。これは、放電方向（＋、−）と電子をＧ
ＮＤに落とし込む方向が逆になると、電源７が短絡して
しまい、機器を破損するからである。
【００８３】Ｓ２８では、１ラインの画像デ−タの情報
がＣＰＵで処理済みとなると、蛍光ランプ７１を発光さ
せて、１ドット毎に処理された書き込みデ−タをＣＰＵ
からプリントヘッドに送出する。
がＣＰＵで処理済みとなると、蛍光ランプ７１を発光さ
せて、１ドット毎に処理された書き込みデ−タをＣＰＵ
からプリントヘッドに送出する。
【００８４】図１４は、上記書き込みデ−タをプリント
ヘッドに送出した後の処理を示すフローチャートであ
る。
ヘッドに送出した後の処理を示すフローチャートであ
る。
【００８５】Ｓ２９では、書き込みデ−タがＣＰＵから
プリントヘッドに送出された際に、電荷吸収体である電
荷吸収材（ドット素子）７３の電荷吸収のための抵抗値
を変化させて、感光体ドラム２２に１ラインごとの書き
込みを行う（１ドット制御）。ついで、Ｓ３０では、Ｃ
ＰＵによる画像デ−タの送付が終了したか否かを判断
し、画像デ−タが終了すれば（Ｓ３０の判定がＹＥ
Ｓ）、終了する。画像デ−タが終了していなければ（Ｓ
３０の判定がＮＯ）、Ｓ２８（蛍光ランプ７１の発光）
にもどる。
プリントヘッドに送出された際に、電荷吸収体である電
荷吸収材（ドット素子）７３の電荷吸収のための抵抗値
を変化させて、感光体ドラム２２に１ラインごとの書き
込みを行う（１ドット制御）。ついで、Ｓ３０では、Ｃ
ＰＵによる画像デ−タの送付が終了したか否かを判断
し、画像デ−タが終了すれば（Ｓ３０の判定がＹＥ
Ｓ）、終了する。画像デ−タが終了していなければ（Ｓ
３０の判定がＮＯ）、Ｓ２８（蛍光ランプ７１の発光）
にもどる。
【００８６】
【発明の効果】請求項１に係る発明によれば、希ガス管
の希ガス中に電荷吸収材を配設することにより、放電時
に発生する電子を電荷吸収材でよって量的に吸収させる
ことができ、電子と希ガス原子と衝突するエネルギ−量
を制限可能となる。このため、蛍光体層の砺起エネルギ
−が抑えられて、多数の電極を設けなくても、希ガス管
としての発光量をアナログ的に微細に制御することがで
きる。
の希ガス中に電荷吸収材を配設することにより、放電時
に発生する電子を電荷吸収材でよって量的に吸収させる
ことができ、電子と希ガス原子と衝突するエネルギ−量
を制限可能となる。このため、蛍光体層の砺起エネルギ
−が抑えられて、多数の電極を設けなくても、希ガス管
としての発光量をアナログ的に微細に制御することがで
きる。
【００８７】請求項２に係る発明によれば、蛍光体層の
励起エネルギーが電荷吸収材に吸収されて、発光動作を
ＯＮ／ＯＦＦ制御することができる。
励起エネルギーが電荷吸収材に吸収されて、発光動作を
ＯＮ／ＯＦＦ制御することができる。
【００８８】請求項３に係る発明によれば、原稿照明用
の光源の構造が簡素でかつ原稿画像に対する照射光量を
アナログ的に微細に制御することができる画像形成装置
となる。
の光源の構造が簡素でかつ原稿画像に対する照射光量を
アナログ的に微細に制御することができる画像形成装置
となる。
【００８９】請求項４に係る発明によれば、感光体に対
して簡易な構成で書き込みを行うことができる露光用の
光源を備えた画像形成装置となる。
して簡易な構成で書き込みを行うことができる露光用の
光源を備えた画像形成装置となる。
【００９０】請求項５に係る発明によれば、請求項４の
画像形成装置において、ドットピッチ毎の書き込みが可
能となる。
画像形成装置において、ドットピッチ毎の書き込みが可
能となる。
【図１】この発明の実施形態にかかる発光制御装置の基
本構成を示す斜視図である。
本構成を示す斜視図である。
【図２】同実施形態にかかる画像形成装置を示す概略構
成図である。
成図である。
【図３】同画像形成装置における画像スキャナを示す断
面図である。
面図である。
【図４】同実施形態にかかる発光制御装置を示す構成図
である。
である。
【図５】同発光制御装置の蛍光ランプの動作シーケンス
用タイミングチャートである。
用タイミングチャートである。
【図６】同発光制御装置の動作を示す概略断面図であ
る。
る。
【図７】可変抵抗体の抵抗値と発光時の照度との関係を
示す特性図である。
示す特性図である。
【図８】同発光制御装置の動作を示すフローチャートで
ある。
ある。
【図９】コピー濃度が決定された後の処理を示すフロー
チャートである。
チャートである。
【図１０】この発明の他の実施形態にかかる発光制御装
置を示す構成図である。
置を示す構成図である。
【図１１】同発光制御装置を書き込み手段として感光体
に平行に配置した状態を示す概略斜視図である。
に平行に配置した状態を示す概略斜視図である。
【図１２】同発光制御装置による書き込み動作状況の説
明図である。
明図である。
【図１３】同発光制御装置の動作を示すフローチャート
である。
である。
【図１４】蛍光ランプの発光後の処理を示すフローチャ
ートである。
ートである。
１（１Ａ，１Ｂ），７１・・・・・希ガス管 ５ａ，５ｂ・・・・・・・・・・・電極 ７・・・・・・・・・・・・・・・電源 ２１・・・・・・・・・・・・・・画像スキャナ ２２・・・・・・・・・・・・・・感光体ドラム ３０，７３・・・・・・・・・・・電荷吸収材 ３４・・・・・・・・・・・・・・発光制御手段 ７６・・・・・・・・・・・・・・発光制御手段 １００・・・・・・・・・・・・・画像形成装置 Ａ，Ｂ・・・・・・・・・・・・・発光制御装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｎ 1/04 １０１ Ｂ４１Ｊ 3/21 Ｔ Ｆターム(参考） 2C162 AE01 AE21 AE28 AE37 AE47 AH86 FA04 FA19 FA23 2H109 AA02 AA15 AA23 AB05 AB23 2H110 AA02 AA22 CC00 CC03 5C051 AA02 CA10 DB06 5C072 AA01 CA04 XA01
Claims (5)
- 【請求項１】 希ガス管と、 希ガス管における電極に電圧を印加する電源と、 希ガス管の希ガス中に配設された電荷吸収材と、 前記電極への電圧印加による希ガス管の放電時に、前記
電荷吸収材に吸収される電荷量を調整して希ガス管の発
光量を制御する発光制御手段と、 を備えていることを特徴とする発光制御装置。 - 【請求項２】 希ガス管と、 希ガス管における電極に電圧を印加する電源と、 希ガス管に配設された１個又は複数個の電荷吸収材と、 前記電極への電圧印加による希ガス管の放電時に、前記
電荷吸収材による電荷の吸収、非吸収を制御することに
よって、希ガス管の発光の有無を制御する発光制御手段
と、 を備えていることを特徴とする発光制御装置。 - 【請求項３】 原稿画像の読み取り時に該原稿画像に光
を照射するための光源として、請求項１に記載の希ガス
管が用いられていることを特徴とする画像形成装置。 - 【請求項４】 画像データに対応して感光体を露光する
ための光源として、請求項２に記載の希ガス管が用いら
れていることを特徴とする画像形成装置。 - 【請求項５】 電荷吸収材は、複数個であり、 これら電荷吸収材は、希ガス管の管軸方向へ所定のドッ
トピッチで配設されてなる請求項４に記載の画像形成装
置。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP2000001790A JP3604606B2 (ja) | 2000-01-07 | 2000-01-07 | 発光制御装置とこの発光制御装置を使用した画像形成装置 |
| US09/742,400 US6369523B2 (en) | 2000-01-07 | 2000-12-22 | Luminescence controlling apparatus, a luminescence apparatus, an image reading apparatus and an image forming apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000001790A JP3604606B2 (ja) | 2000-01-07 | 2000-01-07 | 発光制御装置とこの発光制御装置を使用した画像形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JP3604606B2 JP3604606B2 (ja) | 2004-12-22 |
Family
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|---|---|---|---|
| JP2000001790A Expired - Fee Related JP3604606B2 (ja) | 2000-01-07 | 2000-01-07 | 発光制御装置とこの発光制御装置を使用した画像形成装置 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP3604606B2 (ja) |
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| KR100857990B1 (ko) * | 2002-08-05 | 2008-09-10 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시장치의 백라이트유니트 구조 |
| JP5077149B2 (ja) * | 2008-08-26 | 2012-11-21 | 富士ゼロックス株式会社 | 画像読取装置及びプログラム |
| WO2013039737A2 (en) * | 2011-09-14 | 2013-03-21 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making detackified articles |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE4222130C2 (de) * | 1992-07-06 | 1995-12-14 | Heraeus Noblelight Gmbh | Hochleistungsstrahler |
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| JP3107369B2 (ja) * | 1997-03-14 | 2000-11-06 | スタンレー電気株式会社 | 蛍光ランプ |
| US5998921A (en) * | 1997-03-21 | 1999-12-07 | Stanley Electric Co., Ltd. | Fluorescent lamp with coil shaped internal electrode |
| JPH1125921A (ja) * | 1997-07-04 | 1999-01-29 | Stanley Electric Co Ltd | 蛍光ランプ |
-
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| US6369523B2 (en) | 2002-04-09 |
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