JP2001179473A5 - 基板の分断方法及び半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Description
【特許請求の範囲】
【請求項１】
線状レーザー光を基板に照射して当該基板に線状の罫書き線を形成し、
前記罫書き線に沿って前記基板を分断する基板の分断方法。
【請求項２】
パルス発振するレーザー発振器から放射されるレーザー光を、シリンドリカルレンズにより線状レーザー光とし、
前記線状レーザー光を基板に照射して当該基板に線状の罫書き線を形成し、
前記罫書き線に沿って前記基板を分断する基板の分断方法。
【請求項３】
パルス発振するレーザー発振器から放射されるレーザー光を、マイクロレンズアレイで集光し、
前記マイクロレンズアレイにより集光されたレーザー光を光伝送媒体の第１の面から入射し第２の面から放射して長方形状のレーザー光とし、
前記長方形状のレーザー光をシリンドリカルレンズにより線状レーザー光とし、
前記線状レーザー光を基板に照射して当該基板に線状の罫書き線を形成し、
前記罫書き線に沿って前記基板を分断する基板の分断方法。
【請求項４】
パルス発振するレーザー発振器から放射されるレーザー光を２つの光路に分割し、
前記分割された２つの光路のうちの一方において第１の光学系により線状レーザー光を形成するとともに、他方において第２の光学系により線状レーザー光を形成し、
前記第１の光学系により形成された線状レーザー光を基板の一方の面に照射して当該基板に線状の罫書き線を形成するとともに、前記第２の光学系により形成された線状レーザー光を当該基板の他方の面に照射し、
前記罫書き線に沿って前記基板を分断する基板の分断方法。
【請求項５】
パルス発振するレーザー発振器から放射されるレーザー光を２つの光路に分割し、
前記分割された２つの光路のうちの一方において第１の光学系により線状レーザー光を形成するとともに、他方において第２の光学系により線状レーザー光を形成し、
前記第１の光学系により形成された線状レーザー光を基板の一方の面に照射して当該基板に線状の罫書き線を形成するとともに、前記第２の光学系により形成された線状レーザー光を当該基板の一方の面に照射し、
前記罫書き線に沿って前記基板を分断する基板の分断方法。
【請求項６】
請求項４または５において、前記第２の光学系により形成された線状レーザー光の幅は、前記第１の光学系により形成された線状レーザー光の幅よりも広いことを特徴とする基板の分断方法。
【請求項７】
請求項６において、前記第１の光学系により形成された線状レーザー光の幅は１０〜４００μｍであり、前記第２の光学系により形成された線状レーザー光の幅は１００〜１０００μｍであることを特徴とする基板の分断方法。
【請求項８】
請求項４乃至７のいずれか一において、前記第１の光学系及び前記第２の光学系に導入されるレーザー光の波長は、互いに異なることを特徴とする基板の分断方法。
【請求項９】
請求項４乃至８のいずれか一において、前記第２の光学系により形成された線状レーザー光の前記照射により、前記基板を局所的に加熱することを特徴とする基板の分断方法。
【請求項１０】
請求項２乃至９のいずれか一において、前記レーザー発振器はＣＯ２レーザー、ＣＯレーザー、ＹＡＧレーザー、ＹＶＯ４レーザー、ＹＬＦレーザー、ＹＡｌＯ３レーザーから選ばれた一つであることを特徴とする基板の分断方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、前記罫書き線を形成する線状レーザー光は線幅に対する長手方向の長さが２０倍から２０００倍であることを特徴とする基板の分断方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、前記罫書き線の幅は１０〜４００μｍであり、深さは１〜１０μｍであることを特徴とする基板の分断方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一において、前記基板はガラス基板または石英基板であることを特徴とする基板の分断方法。
【請求項１４】
基板上に画素電極と該画素電極に接続するＴＦＴとを各画素毎に少なくとも一つ設けた画素部を複数個形成する工程と、
前記画素部の外側に設けられたマーカーを用いて所定の領域に線状レーザー光を照射して罫書き線を形成する工程と、
前記罫書き線に沿って前記基板を分断する工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
一方の基板上に画素電極と該画素電極に接続するＴＦＴとを各画素毎に少なくとも一つ設けた画素部を複数個形成する工程と、
前記画素電極上に配向膜を形成する工程と、
他方の基板に共通電極及び該共通電極上に配向膜を形成する工程と、
前記一方の基板と前記他方の基板とをスペーサを介して貼り合わせる工程と、
前記一方の基板と前記他方の基板のそれぞれに、前記画素部の外側に設けられたマーカーを用いて所定の領域に線状レーザー光を照射して罫書き線を形成する工程と、
前記罫書き線に沿って前記一方の基板及び前記他方の基板を分断する工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
基板上に画素電極と該画素電極に接続するＴＦＴとを各画素毎に少なくとも一つ設けた画素部を複数個形成する工程と、
前記画素電極上に自発光層を形成する工程と、
前記自発光層の上方に封止層を形成する工程と、
前記基板の外側に設けられたマーカーを用いて所定の領域に線状レーザー光を照射して罫書き線を形成する工程と、
前記罫書き線に沿って前記基板を分断する工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１４乃至１６のいずれか一において、前記線状レーザー光はパルス発振するＣＯ２レーザー、ＣＯレーザー、ＹＡＧレーザー、ＹＶＯ４レーザー、ＹＬＦレーザー、ＹＡｌＯ３レーザーから選ばれた一つを用いて形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１４乃至１７のいずれか一において、前記線状レーザー光は線幅に対する長手方向の長さが２０倍から２０００倍であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１４乃至１８のいずれか一において、前記罫書き線の幅は１０〜４００μｍであり、深さは１〜１０μｍであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１４乃至１９のいずれか一において、前記基板はガラス基板または石英基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１】
線状レーザー光を基板に照射して当該基板に線状の罫書き線を形成し、
前記罫書き線に沿って前記基板を分断する基板の分断方法。
【請求項２】
パルス発振するレーザー発振器から放射されるレーザー光を、シリンドリカルレンズにより線状レーザー光とし、
前記線状レーザー光を基板に照射して当該基板に線状の罫書き線を形成し、
前記罫書き線に沿って前記基板を分断する基板の分断方法。
【請求項３】
パルス発振するレーザー発振器から放射されるレーザー光を、マイクロレンズアレイで集光し、
前記マイクロレンズアレイにより集光されたレーザー光を光伝送媒体の第１の面から入射し第２の面から放射して長方形状のレーザー光とし、
前記長方形状のレーザー光をシリンドリカルレンズにより線状レーザー光とし、
前記線状レーザー光を基板に照射して当該基板に線状の罫書き線を形成し、
前記罫書き線に沿って前記基板を分断する基板の分断方法。
【請求項４】
パルス発振するレーザー発振器から放射されるレーザー光を２つの光路に分割し、
前記分割された２つの光路のうちの一方において第１の光学系により線状レーザー光を形成するとともに、他方において第２の光学系により線状レーザー光を形成し、
前記第１の光学系により形成された線状レーザー光を基板の一方の面に照射して当該基板に線状の罫書き線を形成するとともに、前記第２の光学系により形成された線状レーザー光を当該基板の他方の面に照射し、
前記罫書き線に沿って前記基板を分断する基板の分断方法。
【請求項５】
パルス発振するレーザー発振器から放射されるレーザー光を２つの光路に分割し、
前記分割された２つの光路のうちの一方において第１の光学系により線状レーザー光を形成するとともに、他方において第２の光学系により線状レーザー光を形成し、
前記第１の光学系により形成された線状レーザー光を基板の一方の面に照射して当該基板に線状の罫書き線を形成するとともに、前記第２の光学系により形成された線状レーザー光を当該基板の一方の面に照射し、
前記罫書き線に沿って前記基板を分断する基板の分断方法。
【請求項６】
請求項４または５において、前記第２の光学系により形成された線状レーザー光の幅は、前記第１の光学系により形成された線状レーザー光の幅よりも広いことを特徴とする基板の分断方法。
【請求項７】
請求項６において、前記第１の光学系により形成された線状レーザー光の幅は１０〜４００μｍであり、前記第２の光学系により形成された線状レーザー光の幅は１００〜１０００μｍであることを特徴とする基板の分断方法。
【請求項８】
請求項４乃至７のいずれか一において、前記第１の光学系及び前記第２の光学系に導入されるレーザー光の波長は、互いに異なることを特徴とする基板の分断方法。
【請求項９】
請求項４乃至８のいずれか一において、前記第２の光学系により形成された線状レーザー光の前記照射により、前記基板を局所的に加熱することを特徴とする基板の分断方法。
【請求項１０】
請求項２乃至９のいずれか一において、前記レーザー発振器はＣＯ２レーザー、ＣＯレーザー、ＹＡＧレーザー、ＹＶＯ４レーザー、ＹＬＦレーザー、ＹＡｌＯ３レーザーから選ばれた一つであることを特徴とする基板の分断方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、前記罫書き線を形成する線状レーザー光は線幅に対する長手方向の長さが２０倍から２０００倍であることを特徴とする基板の分断方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、前記罫書き線の幅は１０〜４００μｍであり、深さは１〜１０μｍであることを特徴とする基板の分断方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一において、前記基板はガラス基板または石英基板であることを特徴とする基板の分断方法。
【請求項１４】
基板上に画素電極と該画素電極に接続するＴＦＴとを各画素毎に少なくとも一つ設けた画素部を複数個形成する工程と、
前記画素部の外側に設けられたマーカーを用いて所定の領域に線状レーザー光を照射して罫書き線を形成する工程と、
前記罫書き線に沿って前記基板を分断する工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
一方の基板上に画素電極と該画素電極に接続するＴＦＴとを各画素毎に少なくとも一つ設けた画素部を複数個形成する工程と、
前記画素電極上に配向膜を形成する工程と、
他方の基板に共通電極及び該共通電極上に配向膜を形成する工程と、
前記一方の基板と前記他方の基板とをスペーサを介して貼り合わせる工程と、
前記一方の基板と前記他方の基板のそれぞれに、前記画素部の外側に設けられたマーカーを用いて所定の領域に線状レーザー光を照射して罫書き線を形成する工程と、
前記罫書き線に沿って前記一方の基板及び前記他方の基板を分断する工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
基板上に画素電極と該画素電極に接続するＴＦＴとを各画素毎に少なくとも一つ設けた画素部を複数個形成する工程と、
前記画素電極上に自発光層を形成する工程と、
前記自発光層の上方に封止層を形成する工程と、
前記基板の外側に設けられたマーカーを用いて所定の領域に線状レーザー光を照射して罫書き線を形成する工程と、
前記罫書き線に沿って前記基板を分断する工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１４乃至１６のいずれか一において、前記線状レーザー光はパルス発振するＣＯ２レーザー、ＣＯレーザー、ＹＡＧレーザー、ＹＶＯ４レーザー、ＹＬＦレーザー、ＹＡｌＯ３レーザーから選ばれた一つを用いて形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１４乃至１７のいずれか一において、前記線状レーザー光は線幅に対する長手方向の長さが２０倍から２０００倍であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
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1999
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