JP2001176059A

JP2001176059A - 磁気記録媒体

Info

Publication number: JP2001176059A
Application number: JP35799799A
Authority: JP
Inventors: Tadaaki Oikawa; 忠昭及川; Hiroyuki Uwazumi; 洋之上住; Akira Saito; 明斎藤
Original assignee: Fuji Electric Co Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 1999-12-16
Filing date: 1999-12-16
Publication date: 2001-06-29

Abstract

(57)【要約】【課題】プラスチック基板の表面の平坦性と高い保磁
力を兼ね備え、さらに、シード層の成膜条件にかかわら
ず、高温高湿条件下においてもクラックおよび剥離が発
生しない耐久性に優れた磁気記録媒体を提供する。【解決手段】プラスチック基板表面に、それぞれ少な
くとも１層の、緩衝層、シード層、下地層、記録層、お
よび保護層が順次積層された磁気記録媒体であって、前
記緩衝層は原子量が４７よりも小さい元素を主成分とす
る金属膜、および／または０〜１００℃において線膨張
係数が２０×１０^-6／Kより大きい金属膜から成る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、現在、コンピュー
タの外部記録装置として主流となっている磁性膜を具え
たハードディスクドライブ（ＨＤＤ）に用いられる磁気
記録媒体に関し、さらに詳しくは、今後巨大な市場へと
成長することが予想されるＡＶ−ＨＤＤ用途の磁気記録
媒体の中でも低価格帯において主流になるであろうプラ
スチック基板を使用した磁気記録媒体であって、表面の
平坦性を犠牲にすることなく記録層を制御して高い保磁
力を実現し、特に耐久性が改良された磁気記録媒体に関
する。

【０００２】

【従来の技術】現在、ＨＤＤに用いられる磁気記録媒体
の面記録密度は、開発段階で２０Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ²に
まで達している。このような磁気記録の高密度化にとも
なって、媒体表面上の単位ビットに相当する面積に含ま
れる結晶粒の数も１０００個近くになっている。したが
って、磁気ノイズを低下させるためには結晶サイズが小
さく均一である磁性膜から成る記録層が必要とされる。

【０００３】一方、一般的には、磁性粒の小径化によっ
て、記録された磁化方向を安定に保持する能力、すなわ
ち保磁力は低下する。

【０００４】従来、媒体の熱安定性向上を意図して、成
膜を行う前に砥粒などを用いて基板表面の磁化方向に平
行に線状の細かな凹凸を形成した構造（テクスチャー構
造）を設けることが一般的である。そして、高密度の記
録媒体の記録層として最もよく用いられているＣｏ系磁
性膜（Ｃｒ、Ｔａ、Ｐｔなどを含む合金膜）の場合は、
媒体表面に設けられたテクスチャーによってその結晶容
易軸の方向を制御して、３０００〜４０００Ｏｅの高い
保磁力を実現している。

【０００５】さらに、高保磁力を実現した高密度記録に
好適な磁気記録媒体として、磁気記録媒体の基板上に形
成するＣｒまたはＣｒＴｉの下地膜の厚みを所定の値に
設定したものも開発されている（特開平１０−２８９４
３５号公報）。

【０００６】一方では、磁気記録の一層の高密度化によ
って一層小さな磁化領域を高いＳＮ比で書き込むため
に、書き込み／読み出しヘッドを記録媒体表面に一層近
づけることが要求されるようになった。現在、ヘッド浮
上量は２０Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ²で１９ｎｍ以下、５０Ｇ
ｂｉｔｓ／ｉｎ²で１５ｎｍ以下と見積もられている。
そして、今後も磁気記録の高密度化に対応して磁気記録
媒体とデータＲ／Ｗ用ヘッドとの間隔を狭くすることが
求められると予想される。

【０００７】しかしながら、高密度化に対応するために
必要とされる磁気記録媒体とデータＲ／Ｗ用ヘッドとの
間隔を狭くするということと、基板表面にテクスチャー
などの凹凸を設けることとは相反する要求である。した
がって、基板表面にテクスチャーなどの凹凸を設けるな
ど、表面平坦性を犠牲にして磁性膜の結晶性および磁気
特性を向上させるのではなく、平坦性を犠牲にせず、あ
るいは向上させながら、記録層を制御して高い保磁力を
実現する技術の提供が切望されている。

【０００８】また、ＨＤＤ用の磁気媒体の基板として
は、従来、アルミ合金、ガラスなどが用いられていた
が、最近では形状安定性に優れた樹脂の開発が進み、ア
ルミ合金やガラスに比べて成形がしやすく廉価な基板を
製造できるなどの理由から、ポリカーボネートやポリオ
レフィンなどの樹脂を射出成形してなる基板をＨＤＤ用
の磁気媒体に使用する試みがなされている。

【０００９】そこで、本発明者らは、基板の表面の平坦
性を向上させ、且つ保磁力をも向上せしめた磁気記録媒
体として、図２に示すような、プラスチック基板と下地
層との間に、ある種の金属膜から成るシード層を設けた
磁気記録媒体、すなわち、プラスチック基板表面に、そ
れぞれ少なくとも１層の、Ｔｉを主成分として含有する
シード層、下地層、記録層、および保護層が順次積層さ
れた磁気記録媒体を開発した（特願平１１−２０３７２
５号）。

【００１０】また、プラスチック基板と金属膜との室温
付近の線膨張率を比較すると、ポリオレフィンやポリカ
ーボネートの線膨張率は６〜７×１０^-5／Ｋ、一方、Ｃ
ｏの線膨張率は１．２×１０^-5／Ｋであり、樹脂材料の
方が数倍大きい。金属膜とプラスチック基板との熱収縮
の違いおよび両者間の弱い密着性のために、プラスチッ
ク基板は、アルミ基板やガラス基板に比べて基板上の膜
が剥がれ易いという問題がある。磁気記録媒体は、一般
的に、日常の使用環境の変化に対しても十分な信頼性を
保持できるようにいくつかの信頼性加速試験が行われて
いる。この試験の１つに、例えば８５℃で相対湿度８０
％という高温高湿雰囲気に磁気記録媒体を長時間暴露し
た後、膜質の劣化を評価する項目があり、この試験によ
ってもプラスチック基板を用いた磁気記録媒体は、アル
ミ基板やガラス基板を用いたものに比べて耐久性が劣る
ということが明らかにされている。

【００１１】そこで、本発明者らは、プラスチック基板
表面に、それぞれ少なくとも１層の、Ｔｉを主成分とし
て含有するシード層、下地層、記録層、および保護層が
順次積層された磁気記録媒体において、さらに、プラス
チック基板とシード層との間に、金属膜、シリコン膜、
シリサイド膜、炭素含有絶縁膜、シリコン窒化膜、シリ
コン炭化膜、およびシリコン酸化膜からなる群から選択
された少なくとも１種の膜から成るバインダー層を設け
て、プラスチック基板とシード層との間の密着性を高め
た磁気記録媒体も開発した（特願平１１−２０３７２５
号）。

【００１２】しかしながら、例えば、ＳｉＮ膜、炭素膜
（Diamond-like carbon）、ＴｉＣ膜などのバインダー
膜は、温度変化が繰り返し生じるような環境下で使用す
ると膜表面にクラックが入ることがある。

【００１３】また、Ｃｒ膜などのバインダー膜は、温度
変化が繰り返し生じるような環境下で使用すると、バイ
ンダー膜の成膜条件によっては剥離が生じる場合があ
る。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明の課題
は、基板の表面の平坦性と高い保磁力を兼ね備え、さら
に、シード層の成膜条件にかかわらず、高温高湿条件下
でもクラックおよび剥離が発生しない耐久性に優れた磁
気記録媒体を提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明者は、このような
課題を解決するために、シード層の成膜にあたり成膜粒
子が衝突してプラスチック基板表面に及ぼすダメージを
緩和することにより、および／または、昇温降温にとも
なうプラスチック基板とシード層との膨張収縮の差を緩
和することにより、基板の表面の平坦性と高い保磁力を
維持したままプラスチック基板とシード層の剥離および
クラックの発生を防止し、耐久性に優れた磁気記録媒体
を提供できることを見出した。

【００１６】すなわち、本発明の第１の形態である磁気
記録媒体は、プラスチック基板表面に、それぞれ少なく
とも１層の、緩衝層、シード層、下地層、記録層、およ
び保護層が順次積層された磁気記録媒体であって、前記
緩衝層は前記シード層の成膜粒子の衝突によるダメージ
を緩和できる層であることを特徴とする。

【００１７】また、本発明の第２の形態である磁気記録
媒体は、第１の形態において、緩衝層は、原子量が４７
よりも小さい元素を主成分とする金属膜から成ることを
特徴とする。

【００１８】本発明の第３の形態である磁気記録媒体
は、プラスチック基板表面に、それぞれ少なくとも１層
の、緩衝層、シード層、下地層、記録層、および保護層
が順次積層された磁気記録媒体であって、前記緩衝層
は、昇温降温にともなう前記プラスチック基板と前記シ
ード層との膨張収縮の差を緩和できる層であることを特
徴とする。

【００１９】また、本発明の第４の形態である磁気記録
媒体は、第３の形態において、緩衝層は、０〜１００℃
において線膨張係数が２０×１０^-6／Kより大きい金属
膜から成ることを特徴とする。

【００２０】本発明の第５の形態である磁気記録媒体
は、プラスチック基板表面に、それぞれ少なくとも１層
の、緩衝層、シード層、下地層、記録層、および保護層
が順次積層された磁気記録媒体であって、前記緩衝層は
前記シード層の成膜粒子の衝突によるダメージを緩和で
き、且つ昇温降温にともなう前記プラスチック基板と前
記シード層との膨張収縮の差を緩和できる層であること
を特徴とする。

【００２１】また、本発明の第６の形態である磁気記録
媒体は、第５の形態において、記緩衝層は、原子量が４
７よりも小さい元素を主成分とする金属膜であって、０
〜１００℃において線膨張係数が２０×１０^-6／Kより
大きい金属膜から成ることを特徴とする。

【００２２】さらにまた、本発明の第７の形態である磁
気記録媒体は、第１〜第６の形態のいずれかの磁気記録
媒体において、記録層が、強磁性金属結晶粒子と該粒子
間に析出した絶縁体とから成ることを特徴とする。

【００２３】

【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体は、それぞ
れ少なくとも１層の、緩衝層、シード層、下地層、記録
層、および保護層が順次積層されている。図１は好まし
いひとつの形態を表し、プラスチック基板表面に、緩衝
層、シード層、下地層、記録層、および保護層が順次連
続積層されて成る磁気記録媒体である。

【００２４】本発明で使用されるプラスチック基板は、
慣用のいかなるプラスチック基板でもよい。具体的な基
板形成材料としては、ポリカーボネート、ポリオレフィ
ン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタ
レート、ポリイミドなどを挙げることができる。特に、
ポリカーボネートおよびポリオレフィンを射出成形して
成る基板が好適に用いられる。

【００２５】シード層とは、磁気記録媒体の表面の平坦
性を向上させ、且つ保磁力も向上せしめることができる
層である。このような機能を有する層は、具体的には、
Ｔｉを主成分として含有する金属膜から成る。Ｔｉを主
成分として含有する金属膜とは、Ｔｉのみからなる金属
膜、Ｃｒ−Ｔｉ合金膜などを挙げることができる。保磁
力を向上せしめるという点ではＴｉ膜が好ましい。

【００２６】シード層の厚さは、５〜５０ｎｍであり、
好ましくは１０〜２０ｎｍ、さらに好ましくは５〜１０
ｎｍである。シード層は１層でも多層でもよい。

【００２７】下地層は、下地層を形成する慣用のいかな
る成分から形成されてもよく、特に限定されない。具体
的には、Ｃｒ、Ｃｒ−Ｗ、Ｃｒ−Ｖ、Ｃｒ−Ｍｏ、Ｃｒ
−Ｓｉ、Ｎｉ−Ａｌ、Ｃｏ₆₇Ｃｒ₃₃、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ、
Ａｌ₂Ｏ₃などから成る。

【００２８】下地層の厚さは５０ｎｍ以下であり、好ま
しくは３０〜５０ｎｍ、さらに好ましくは２０〜３０ｎ
ｍである。下地層は１層でも多層でもよい。

【００２９】記録層は、強磁性金属を含む磁性膜から成
り、好ましくは強磁性金属結晶粒子とその粒子間に析出
した絶縁体とから成る磁性膜から成る。アルミ合金やガ
ラスなどの基板と異なり、プラスチック基板を用いた場
合には、プラスチック材料固有のガラス転移温度以上の
高温、通常、約１００〜３００℃での成膜ができない。
そこで、常温付近の成膜温度でも高い保磁力を得るため
に、強磁性金属結晶粒子に絶縁体を混合した材料が好適
に用いられる。

【００３０】強磁性金属結晶粒子とその粒子間に析出し
た絶縁体とから成る磁性膜は、グラニュラー膜と呼ばれ
ている膜である。グラニュラー膜は、例えば、従来のＣ
ｏ系磁性膜を構成するＣｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｐｔなどの金
属元素にＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｃｒ₂Ｏ₃などの安定な酸
化物を数％から数１０％混入させた材料を、スパッタリ
ング法で成膜して、Ｃｏ系の磁性材料の微粒子（この粒
子が単一のグレインに対応する）が、添加された酸化物
によって取り囲まれネットワーク構造を形成している。
グラニュラー膜は、従来の強磁性金属のみから構成され
る磁性膜と比較して、粒径を小さくしても比較的保磁力
が大きい熱的に安定な膜、すなわち、高保磁力を持つ膜
を常温成膜でも形成できる磁性膜である。

【００３１】本発明の記録層として使用できる強磁性金
属を含む磁性膜は、具体的には、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃ
ｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ、ＣｏＣｒＴａＰｔ−Ｃｒ₂Ｏ₃、
ＣｏＰｔ−ＳｉＯ₂、ＣｏＣｒＴａＰｔ−ＳｉＯ₂、（Ｃ
ｏ₆₀Ｃｒ₂₈Ｐｔ₁₂）−（Ｃｒ ₂Ｏ₃）、（Ｃｏ₆₀Ｃｒ₂₈Ｐ
ｔ₁₂）−（ＳｉＯ₂）、（Ｃｏ₆₀Ｃｒ₂₈Ｐｔ₁₂）−（Ｚ
ｒＯ₂）、（Ｃｏ₆₀Ｃｒ₂₈Ｐｔ₁₂）−（ＴｉＯ₂）、（Ｃ
ｏ₆₀Ｃｒ₂₈Ｐｔ₁₂）−（Ａｌ₂Ｏ₃）などを成分とする磁
性膜である。（Ｃｏ₆₀Ｃｒ₂₈Ｐｔ₁₂）−（Ｃｒ ₂Ｏ₃）、
（Ｃｏ₆₀Ｃｒ₂₈Ｐｔ₁₂）−（ＳｉＯ₂）、（Ｃｏ₆₀Ｃｒ
₂₈Ｐｔ₁₂）−（ＺｒＯ₂）、（Ｃｏ₆₀Ｃｒ₂₈Ｐｔ₁₂）−
（ＴｉＯ₂）、（Ｃｏ₆₀Ｃｒ₂₈Ｐｔ₁₂）−（Ａｌ₂Ｏ₃）
から成るグラニュラー膜が特に好ましい。

【００３２】記録層の厚さは、２０ｎｍ以下であり、好
ましくは１０〜２０ｎｍである。記録層は１層でも多層
でもよい。

【００３３】保護層は、記録層を形成する磁性膜をヘッ
ドの衝撃、外界の腐食性物質などの腐食から保護する機
能を有する。このような機能を提供できる慣用のいかな
る成分から形成されてもよく特に限定されないが、具体
的には、炭素、窒素含有炭素、水素含有炭素などから成
る。

【００３４】保護層の厚さは、１０ｎｍ以下であり、好
ましくは５〜１０ｎｍである。保護層は１層でも多層で
もよい。

【００３５】本発明の緩衝層は、シード層の成膜にあた
り成膜粒子が衝突してプラスチック基板表面に及ぼすダ
メージを緩和することができるか、または、昇温降温に
ともなうプラスチック基板とシード層との膨張収縮の差
を緩和することができる層である。両方の機能を有する
緩衝層が一層好ましい。

【００３６】本発明者らは、種々の材料と成膜条件とを
組み合わせてプラスチック基板上に層を形成し耐久性を
検討した。結果は以下の表に示されるとおりであった。

【００３７】

【表１】

【００３８】成膜圧力：高（〜１００ｍTorr）、低（数
ｍTorr）高温高湿：１気圧、８０℃、８０％

【００３９】上記の検討結果から、シード層とプラスチ
ック基板との間のバインダー層として用いることができ
る炭素膜、ケイ素膜、ＳｉＮ膜などでは、剥離は発生し
ないが、膜表面にクラックが発生することがわかった。
すなわち、原子量の小さい元素を成膜した場合には、成
膜によるダメージが小さく膜の剥離は発生しないが、バ
インダー層の線膨張係数がプラスチック基板の線膨張係
数（６０〜７０×１０ ^-6／Ｋ）より小さいため、昇温降
温によって引き起こされるプラスチック基板の膨張収縮
によってクラックが入るものと考えられる。そして、シ
ード層の線膨張係数もプラスチック基板の線膨張係数よ
り小さいため、このようなバインダー層を用いた場合に
は、シード層にもクラックが発生するものと考えられ
る。

【００４０】したがって、シード層のクラックを防止す
るためには、上記のようなバインダー層に代えて、昇温
降温にともなうプラスチック基板とシード層との膨張収
縮の差を緩和することができる層を設ける必要がある。

【００４１】そのような機能は、プラスチック基板とシ
ード層との間に、ＴｉやＣｒよりも線膨張係数の大きい
金属膜、すなわち、０〜１００℃において線膨張係数が
２０×１０^-6／Ｋより大きい金属膜から成る緩衝層を設
けることによりもたらされる。このような金属膜は、Ａ
ｌ、ＮｉＡｌなどである。

【００４２】また、原子量の大きいＴｉやＣｒを用いた
場合には、成膜圧力が低い場合には金属粒子の平均自由
工程が長くなるため、成膜圧力の高い成膜条件の場合と
比較して成膜粒子が運動量の大きい状態でプラスチック
基板表面に衝突する確率が大きい。その結果、プラスチ
ック基板表面での成膜粒子のマイグレーションが大きく
なり緻密な膜を形成することができるが、基板に及ぼす
ダメージの程度は大きくなると考えられる。このように
プラスチック基板に及ぼされたダメージによって基板表
面から膜剥離が生じる。さらにまた、緻密な膜ができる
ことによって、プラスチック基板と膜との線膨張係数の
差が大きい場合には膜の表面にクラックが生じることが
ある。

【００４３】一方、平均自由工程を短くする目的で成膜
圧力を上げた場合、膜剥がれはある程度抑えられるが、
膜の緻密さが低くなると同時に膜表面の凹凸も大きくな
る。

【００４４】したがって、低い成膜圧力であってもシー
ド層とプラスチック基板との間の剥離を防止するには、
シード層の成膜にあたり成膜粒子が衝突してプラスチッ
ク基板表面に及ぼすダメージを緩和することが必要であ
る。

【００４５】そのような機能は、プラスチック基板とシ
ード層との間に、ＴｉやＣｒよりも原子量が小さい元
素、すなわち、原子量が４７より小さい元素を主成分と
する金属膜から成る緩衝層によりもたらされる。

【００４６】原子量が４７より小さい元素を主成分とす
る金属膜とは、原子量が４７より小さい元素を少なくと
も５０％含み、シード層の成膜にあたり成膜粒子が衝突
してプラスチック基板表面に及ぼすダメージを緩和する
ことができるという機能を緩衝層にもたらす膜である。

【００４７】金属膜を形成し得る原子量が４７よりも小
さい元素は、アルミニウム、ケイ素などであり、そのよ
うな元素と合金を形成し得る元素は、ニッケル、鉄、マ
ンガン、銅、亜鉛、モリブデンなどである。このよう合
金の具体例は、Ａｌ、ＡｌＴｉ、ＡｌＳｉ、ＡｌＴａ、
ＡｌＶ、ＡｌＺｒ、ＮｉＡｌ、ＮｉＰ、ＮｉＦｅ、Ｎｉ
Ｓｉなどである。シード層とプラスチック基板の線膨張
係数の差によって生じる、昇温降温にともなう両者の膨
張収縮の差を緩和することができる、Ａｌ膜、Ａｌを少
なくとも５０％含むＮｉＡｌ合金膜が特に好ましい。

【００４８】緩衝層の厚さは、上記のいずれの機能を提
供する場合でも、５〜１００ｎｍであり、好ましくは５
〜５０ｎｍであり、１層でも多層でもよい。

【００４９】各層の形成方法は特に限定されるものでは
ないが、通常、各方式スパッタ法により成膜される。以
下の表に、ポリカーボネートまたはポリオレフィンから
成るプラスチック基板への各層のスパッタリング法によ
る代表的な成膜条件を示す。

【００５０】

【表２】

【００５１】本発明の磁気記録媒体は、記録層と保護層
との間に、記録層を形成するグラニュラー膜からのＣｏ
が媒体表面に溶け出して生じる腐食を防止するために、
Ｃｏ溶出防止膜を形成してもよい。

【００５２】また、保護層の上にさらに潤滑層を設けて
もよい。潤滑層は、パーフルオロ−ポリエーテル、プラ
ズマ重合フッ化炭素などから成る。

【００５３】本発明による緩衝層は、ディスク状、カー
ド状、または帯状などいかなる形態の磁気記録媒体にも
適用できる。

【００５４】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、
本発明は本実施例にのみ限定されるものではない。

【００５５】（実施例１、２）ポリオレフィンから成形
されたプラスチック基板上に、ＮｉＡｌ合金（５０：５
０）から５０ｎｍの緩衝層を成膜し、順次、Ｔｉから２
０ｎｍのシード層、Ｃｒから５０ｎｍの下地層、Ｃｏ系
材料から３０ｎｍの記録層、Ｔｉから３ｎｍのＣｏ溶出
防止層、およびグラファイトから１０ｎｍの保護層を連
続して成膜した。シード層の成膜圧力は、実施例１が高
圧力（〜１００ｍＴｏｒｒ）であり、実施例２が低圧力
（数ｍＴｏｒｒ）であった。

【００５６】得られた磁気記録媒体を、１気圧で８０
℃、８０％という高温高湿条件下に、２４時間および５
００時間放置した後の、プラスチック基板からの剥離の
有無、およびシード層のクラックの有無を観察した。結
果は表３に示す。

【００５７】（比較例１、２）緩衝層を成膜することな
く、それ以外の層を実施例１と同様に成膜した。シード
層の成膜圧力は、比較例１が高圧力（〜１００ｍＴｏｒ
ｒ）であり、比較例２が低圧力（数ｍＴｏｒｒ）であっ
た。

【００５８】また、実施例１と同様に高温高湿耐久性試
験を行った。結果は表３に示す。

【００５９】（対照例１、２）シード層を成膜すること
なく、それ以外の層を実施例１と同様に成膜した。下地
層の成膜圧力は、対照例１が高圧力（〜１００ｍＴｏｒ
ｒ）であり、対照例２が低圧力（数ｍＴｏｒｒ）であっ
た。

【００６０】また、実施例１と同様に高温高湿耐久性試
験を行い、プラスチック基板からの層剥離の有無、下地
層表面のクラックの有無を観察した。結果は表３に示
す。

【００６１】（比較例３、４）緩衝層およびシード層を
成膜することなく、実施例１と同様にそれ以外の層を成
膜した。下地層の成膜圧力は、比較例３が高圧力（〜１
００ｍＴｏｒｒ）であり、比較例４が低圧力（数ｍＴｏ
ｒｒ）であった。

【００６２】また、実施例１と同様に高温高湿耐久性試
験を行い、プラスチック基板からの層剥離の有無、下地
層表面のクラックの有無を観察した。結果は表３に示
す。

【００６３】（比較例５、６）炭素から２０ｎｍのシー
ド層を成膜した以外は、実施例１と同様に各層を成膜し
た。シード層の成膜圧力は、比較例５が高圧力（〜１０
０ｍＴｏｒｒ）であり、比較例６が低圧力（数ｍＴｏｒ
ｒ）であった。

【００６４】また、実施例１と同様に高温高湿耐久性試
験を行った。結果は表３に示す。

【００６５】（比較例７、８）緩衝層およびシード層を
成膜せずに、炭素から２０ｎｍのバインダー層を成膜し
た以外は、実施例１と同様に各層を成膜した。バインダ
ー層の成膜圧力は、比較例７が高圧力（〜１００ｍＴｏ
ｒｒ）であり、比較例８が低圧力（数ｍＴｏｒｒ）であ
った。

【００６６】また、実施例１と同様に高温高湿耐久性試
験を行った。結果は表３に示す。

【００６７】

【表３】 * 下地層の成膜圧力および線膨張係数を示す。 ** バインダー層の線膨張係数を示す。

【００６８】実施例１および２と、比較例１および２と
を比較すると、プラスチック基板とＴｉシード層との間
に緩衝層を設けたことにより、Ｔｉシード層が高い成膜
圧力の条件下で成膜されても、低い成膜圧力条件下で成
膜されても、プラスチック基板とシード層との剥離も起
こらず、クラックも発生しないことがわかる。

【００６９】対照例１および２と、比較例３および４と
を比較すると、プラスチック基板とＣｒ下地層との間に
緩衝層を設けたことにより、下地層の成膜圧力条件にか
かわらず、高温高湿条件下に５００時間放置した後にお
いてもプラスチック基板と下地層との剥離が起こらない
ことがわかる。また、下地層の成膜が低い圧力で行なわ
れた場合には、緻密で線膨張係数の小さい層となる結
果、高温高湿条件下ではクラックが発生していたが、線
膨張係数が２０×１０^-6／Ｋより大きい緩衝層を設ける
ことによりクラックの発生を防止することができた。し
たがって、本発明の緩衝層は、シード層を具えない従来
の磁気記録媒体においても、その耐久性を改良できるこ
とがわかる。

【００７０】比較例５および６と、比較例７および８と
を比較すると、いずれもプラスチック基板からの剥離は
ないが、クラックが発生していることがわかる。この結
果から、炭素から形成されているバインダー層に対して
は、緩衝層は有効ではないことがわかった。これは、炭
素は原子量が小さいため、成膜によるプラスチック基板
へのダメージが小さく、したがって膜の剥離は発生せ
ず、このような層は線膨張係数がプラスチック基板の線
膨張係数よりもあまりに小さいため、緩衝層を設けても
昇温降温によって引き起こされるプラスチック基板の膨
張収縮を緩和しきれず、クラックが入るからであると考
えられる。

【００７１】

【発明の効果】本発明によると、プラスチック基板の表
面の平坦性と高い保磁力を兼ね備え、さらに、シード層
の成膜条件にかかわらず、高温高湿条件下においてもク
ラックおよび剥離が発生しない耐久性に優れた磁気記録
媒体を提供することができる。このような磁気記録媒体
は、磁気記録の一層の高密度化に十分に対応できるもの
である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の形態の一実施例である磁気記録
媒体の断面概略図である。

【図２】従来例の磁気記録媒体の断面概略図である。

【図３】他の従来例の磁気記録媒体の断面概略図であ
る。

【符号の説明】

１、１１磁気記録媒体２、２１プラスチック基板３緩衝層４、４１シード層５、５１下地層６、６１記録層７、７１保護層８１バインダー層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者斎藤明神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号富士電機株式会社内Ｆターム(参考） 5D006 BB07 CA01 CA05 CA06 CB01 DA03 FA02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】プラスチック基板表面に、それぞれ少な
くとも１層の、緩衝層、シード層、下地層、記録層、お
よび保護層が順次積層された磁気記録媒体であって、前
記緩衝層は前記シード層の成膜粒子の衝突によるダメー
ジを緩和できる層であることを特徴とする磁気記録媒
体。
【請求項２】前記緩衝層は、原子量が４７よりも小さ
い元素を主成分とする金属膜から成ることを特徴とする
請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】プラスチック基板表面に、それぞれ少な
くとも１層の、緩衝層、シード層、下地層、記録層、お
よび保護層が順次積層された磁気記録媒体であって、前
記緩衝層は、昇温降温にともなう前記プラスチック基板
と前記シード層との膨張収縮の差を緩和できる層である
ことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項４】前記緩衝層は、０〜１００℃において線
膨張係数が２０×１０^-6／Kより大きい金属膜から成る
ことを特徴とする請求項３に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】プラスチック基板表面に、それぞれ少な
くとも１層の、緩衝層、シード層、下地層、記録層、お
よび保護層が順次積層された磁気記録媒体であって、前
記緩衝層は前記シード層の成膜粒子の衝突によるダメー
ジを緩和でき、且つ昇温降温にともなう前記プラスチッ
ク基板と前記シード層との膨張収縮の差を緩和できる層
であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項６】前記緩衝層は、原子量が４７よりも小さ
い元素を主成分とする金属膜であって、０〜１００℃に
おいて線膨張係数が２０×１０^-6／Kより大きい金属膜
から成ることを特徴とする請求項５に記載の磁気記録媒
体。
【請求項７】前記記録層は、強磁性金属結晶粒子と該
粒子間に析出した絶縁体とから成ることを特徴とする請
求項１〜６のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。