JP2001168068A - 堆積膜加工装置および加工方法および本方法により加工された堆積膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 大面積あるいは可撓性基板に形成した堆積膜
を加工する際に発生するスクライブ溝の位置精度の問題
を解決して、歩留まりの高い堆積膜の加工装置および加
工方法を提供する。 【解決手段】 基板３０１上に複数の層３０２，３０４
が積層してなる堆積膜に対して、下部層３０２のスクラ
イブ位置３０３を基準として上部層のスクライブ位置を
決定しながらスクライブ加工を行うことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、堆積膜およびその
加工装置および加工方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＣＯ₂の増加による温室効果で地
球の温暖化が生じることが予測され、ＣＯ₂を排出しな
いクリーンなエネルギーの要求がますます高まってい
る。ＣＯ₂を排出しないエネルギー源としては原子力発
電が挙げられるが、放射性廃棄物の問題が解決されてお
らず、より安全性の高いクリーンなエネルギーが望まれ
ている。このような状況下において、クリーンエネルギ
ーの中でも特に太陽電池は、そのクリーンさと安全性と
取扱い易さといった点から非常に注目されている。

【０００３】太陽電池の種類としては、結晶系太陽電
池、アモルファス系太陽電池、化合物半導体太陽電池
等、多種にわたる太陽電池が研究開発されている。これ
らの太陽電池の中でもアモルファスシリコン（微結晶を
含む）太陽電池のような薄膜太陽電池は大面積化が容易
で、かつ光吸収係数が大きく、また、Ｓｉ材料費が少な
く済む等の優れた特徴を有していることから非常に注目
されている。しかしながら、未だ普及するには至ってお
らず、その最大の理由はコストが高い点にある。

【０００４】太陽電池のコストを下げる為には、太陽電
池の構成部材自体を削減して材料コストを下げること
と、大量生産が可能な製造技術を開発することによる製
造コストの削減が求められる。

【０００５】このような太陽電池のコストダウン要求に
沿って様々な技術開発が行われている。

【０００６】こうした太陽電池のコストダウン技術のひ
とつに太陽電池のモノリシック化がある。ここで太陽電
池のモノリシック化について説明する。図２は公知のモ
ノリシック太陽電池の一例の概略図である。このような
モノリシック太陽電池の製造方法としては、まず基板２
００上に絶縁層２０１を作成する。基板２００自体が絶
縁性である場合には絶縁層２０１は必ずしも設ける必要
はない。次に絶縁層２０１上に下地電極２０２を形成
し、素子ごとに下地電極を分離する為の開溝部（以降、
“スクライブ溝”と記す）２０５を形成する（以降、
“スクライブする”と記す）。次に、光起電力層となる
半導体層２０３を成膜し、同様にスクライブ溝２０６を
形成する。この時、スクライブ溝２０６は開溝部スクラ
イブ溝２０５と少しずれた状態で形成されている。さら
に、表面電極２０４を形成し、同様にスクライブ溝２０
７をスクライブ溝２０６からさらにずれた位置に形成す
る。このようにして素子が複数の領域に分離されると同
時に、スクライブ溝２０６部に表面電極２０４が充填さ
れた段階で直列接続が完成している。なお、この例にお
いては表面電極２０４は透明であり、表面側から光入射
することを前提に記述した。

【０００７】この方式はスクライブ溝を設けるだけの非
常に簡単な工程で製造ができ、かつ太陽電池の直列化に
際しては直列化のための接続部品等の材料費が必要なく
なるために太陽電池の低コスト化には非常に有効な形態
である。

【０００８】このようなモノリシック太陽電池の製造に
おいては、スクライブ溝を形成する為の製造技術が非常
に重要である。スクライブ溝を設ける手段としては、従
来からレーザ光を用いて除去加工を行う方式（いわゆる
レーザースクライブ方式）が種々検討されてきている。

【０００９】一方、このようなレーザースクライブ方式
は装置が大掛かりになって設備が高額になってしまうこ
とや、高精度の位置決めが必要であること等の問題があ
り、最近では代替加工方法として微粒子を衝突させるこ
とによって堆積膜除去を行う方法（以降“ブラスト法”
と記す）も注目されている（特開平９−２６０７０４号
参照）。

【００１０】スクライブ加工にレーザーを用いるにせよ
ブラスト法を用いるにせよ、実際にモノリシック太陽電
池を製作する際に問題となる事項にスクライブ位置の精
度がある。上記説明したように、例えばスクライブ溝２
０６をスクライブ溝２０５からわずかにずらして形成す
る必要がある。両スクライブ溝のずらし量としては、具
体的には数十から１００μｍ程度が好ましい。この数値
はスクライブ溝２０５およびスクライブ溝２０６に挟ま
れた領域は非発電領域となってしまうこと、あるいは加
工の容易性などのパラメーターを総合的に判断して定ま
るものである。いずれにせよスクライブ位置を厳密に制
御することが求められる。

【００１１】一般に小面積のガラス基板を用いた場合に
は基板の位置精度、平面性の問題等はそれほど大きなも
のではなく、上記スクライブ溝の位置精度の問題は顕著
にはならない。結果としてレーザーをスキャンする治具
の精度等だけで所望の位置にスクライブ溝を形成するこ
とが達成できていた。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかし、近年、太陽電
池の大面積化により基板自体の面積が大きくなり、基板
の変形、と記す）を利用した場合には、基板がそもそも
可撓性であるため、反り、あるいは凹凸による浮きなど
の量が無視できなくなってきた。その結果、スクライブ
溝の位置精度の確保が困難となり、太陽電池作製上の歩
留まりが低下してしまうという問題が発生していた。

【００１３】また、近年さかんに検討されているロール
状に巻かれた可撓性基板を繰り出しながら連続的に堆積
膜を形成する方法（以降“Ｒ ｔｏ Ｒ法”と記す）を
利用した場合には、基板がそもそも可撓性であるため、
反り、変形を起こしやすい。また、可撓性基板をロール
状に釣り下げて搬送するには、たるみを防止するために
バックテンションをかける必要があり、この場合、基板
そのものが伸びてしまう。

【００１４】こうした事情から、Ｒ ｔｏ Ｒ法の場合
においてもスクライブ溝の位置精度の確保が困難になっ
ていた。

【００１５】本発明はこのような上記した基板の大面積
化、あるいは可撓性基板の使用等に起因するスクライブ
溝の位置精度の問題の解決を図ることを目的とするもの
である。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明者は上記課題を解
決するために鋭意検討を行った。その結果、大面積ある
いは可撓性基板を使用した際に発生するスクライブ溝の
位置精度の問題の解決を図る具体的な方法を見出し、極
めて量産性の高い堆積膜の加工装置および加工方法を発
明するに至った。

【００１７】すなわち本発明の堆積膜加工装置は、基板
上に複数の層が積層してなる堆積膜に対して、下部層の
スクライブ位置を基準として上部層のスクライブ位置を
決定しながらスクライブ加工を行う機能を有することを
特徴とする。

【００１８】また本発明の堆積膜加工装置は、基板上の
堆積膜に対して、事前に基板あるいは堆積膜に設けられ
たガイドを基準としてスクライブ位置を決定しながらス
クライブ加工を行う機能を有することを特徴とする。

【００１９】本発明の堆積膜加工装置は、さらなる特徴
として、「前記スクライブ手段が少なくともレーザース
クライブを利用している」こと、「レーザーの焦点を調
節しながら前記スクライブ加工を行う」こと、「前記ス
クライブ手段が少なくとも粒子を衝突させる手段を利用
している」こと、「前記堆積膜が太陽電池を構成する膜
の少なくとも一部である」こと、を含むものである。

【００２０】本発明の堆積膜加工方法は、基板上に複数
の層が積層してなる堆積膜に対して、下部層のスクライ
ブ位置を基準として上部層のスクライブ位置を決定しな
がらスクライブ加工を行うことを特徴とする。

【００２１】また本発明の堆積膜加工方法は、基板上の
堆積膜に対して、事前に基板あるいは堆積膜に設けられ
たガイドを基準としてスクライブ位置を決定しながらス
クライブ加工を行うことを特徴とする。

【００２２】本発明の堆積膜加工方法は、さらなる特徴
として、「前記スクライブ手段が少なくともレーザース
クライブを利用している」こと、「レーザーの焦点を調
節しながら前記スクライブ加工を行う」こと、「前記ス
クライブ手段が少なくとも粒子を衝突させる手段を利用
している」こと、「前記堆積膜が太陽電池を構成する膜
の少なくとも一部である」こと、を含むものである。

【００２３】本発明の堆積膜は、基板上に複数の層が積
層してなる堆積膜に対して、下部層のスクライブ位置を
基準として上部層のスクライブ位置を決定しながらスク
ライブ加工を行ったことを特徴とする。

【００２４】また本発明の堆積膜は、基板上の堆積膜に
対して、事前に基板あるいは堆積膜に設けられたガイド
を基準としてスクライブ位置を決定しながらスクライブ
加工を行ったことを特徴とする。

【００２５】本発明の堆積膜は、さらなる特徴として、
「前記スクライブ手段が少なくともレーザースクライブ
を利用している」こと、「前記スクライブ手段が少なく
とも粒子を衝突させる手段を利用している」こと、「前
記堆積膜が太陽電池を構成する膜の少なくとも一部であ
る」こと、を含むものである。

【００２６】また本発明の堆積膜加工装置は、可撓性基
板を繰り出しつつ、自動的にレーザーの焦点調節を行い
ながらレーザースクライブを行う機能を有することを特
徴とする。

【００２７】また本発明の堆積膜加工方法は、可撓性基
板を繰り出しつつ、自動的にレーザーの焦点調節を行い
ながらレーザースクライブを行うことを特徴とする。

【００２８】また本発明の堆積膜は、可撓性基板を繰り
出しつつ、自動的にレーザーの焦点調節を行いながらレ
ーザースクライブを行って加工したことを特徴とする。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下に本発明の堆積膜加工装置お
よび加工方法を説明する。

【００３０】本発明の堆積膜の加工装置および加工方法
の最も基本的な構成を図１を用いながら説明する。図１
は本発明の堆積膜加工装置および加工方法の一例を示す
ダイアグラムである。

【００３１】図１において１０１はセンサーであり、既
に前工程にて加工済の堆積膜のスクライブ溝位置あるい
は事前に設けられたガイド線を検知する。１０２はスク
ライブ手段であり、レーザーあるいはブラスト等で堆積
膜に新たにスクライブ溝を形成する機構である。スクラ
イブ手段１０２はスクライブ手段の駆動機構１０３によ
って移動可能である。１０４は制御部であり、センサー
１０１からの信号をもとに、スクライブ手段による新た
なスクライブ位置が常に既に加工済のスクライブ位置に
対して所望の位置になるように駆動機構に命令を与え
る。すなわち、スクライブ加工位置を自動的に制御する
ものである。その結果、新たなスクライブ位置が常に既
に加工済のスクライブ位置に対して一定量ずれた位置と
することが出来る。

【００３２】図１で示した本発明の堆積膜加工方法を実
行するための実際の装置の一例を図３に示す。ここでは
新たなスクライブ位置の決定は、既に堆積した層のスク
ライブ位置を基準にするものとして説明する。

【００３３】図３において３０１は基板である。３０２
は既に前工程にて堆積した堆積膜である（堆積膜３０２
を以下“下部層”と記す）。下部層３０２にはスクライ
ブ溝３０３が既に前工程にて形成されている。更に下部
層３０２上には堆積膜３０４が既に形成されている（堆
積膜３０４を以下“上部層”と記す）。３０５は上部層
３０４が下部層のスクライブ溝３０３上に堆積した場所
（以降単に“下部層のスクライブ溝”と記す）であり、
図に示したようにスクライブ溝３０３に対応した凹みを
持っている。３０６は上部層のスクライブ溝であり、今
まさにスクライブ溝３０６を加工中の場所を拡大して示
している。

【００３４】３１０はセンサーであり下部層のスクライ
ブ溝３０５位置を検知する機能を有している。センサー
３１０はどのような方法で前記機能を実現しても良い
が、例えば３１１に示すように基板側に光を照射してそ
の反射光を検知して下部層のスクライブ溝３０５を周囲
との明暗差で区別する方法、あるいは溝個所と溝以外の
個所の段差（センサーと堆積膜間の距離がスクライブ溝
のエッジ個所で段差を持つ事を利用する）を検知する方
法等の様々な手段を利用できる。センサー３１０は支柱
３１２を介して移動部材３１６に固定されている。

【００３５】３１３はスクライブ手段であり、具体的に
はレーザーのヘッド、あるいはブラスト処理ヘッド等で
ある。例えばレーザーを用いる場合には３１４に示すよ
うにレーザーヘッドから基板３０１側に向けてレーザー
が照射される。スクライブ手段３１３は支柱３１５を介
して移動部材３１６に固定されている。

【００３６】移動部材３１６はセンサー３１０とスクラ
イブ手段３１３を同架して両者の位置関係を規定する部
材である。移動部材３１６はレール３１７に沿って矢印
のように図上左右方向に移動可能である。更にレール３
１７はレール３１８に沿って矢印のように図上手前奥方
向に移動可能である。

【００３７】センサー３１０、スクライブ手段３１３に
ついて更に図４を利用して詳細に記す。

【００３８】図４において４０１はセンサー３１０の検
出部（以降、“センサーヘッド”と記す）である。４０
２はスクライブ手段３１３が例えばレーザーであればレ
ーザーの照射部、ブラストであれば微粒子の噴出部であ
る（以降、“スクライブヘッド”と記す）。支柱３１５
はネジ４０３を介して駒４０４につながっていて、ツマ
ミ４０５を回転することによりスクライブ手段３１３を
図中左右方向に移動可能である。すなわち、ツマミ４０
５を回転してスクライブ手段３１３を左右に移動するこ
とで、スクライブヘッド４０２とセンサーヘッド４０１
の相対位置関係（図中“Ｌ”で表記、またこのずれ量を
以降“オフセット“と記す。）を規定することができ
る。

【００３９】次に図３、図４に示す装置および図１のダ
イヤグラムを用いて堆積膜の加工を行う工程を以下に記
す。

【００４０】上部層３０４のスクライブ加工位置の下部
層のスクライブ溝３０５の位置に対してのずらし量を決
定し、予め図４におけるオフセット量Ｌを設定してお
く。現在スクライブ加工を実行中であり、移動部材３１
６はレール３１８により図３における奥方向へ移動中で
あるとする。センサー３１０からの信号は図１における
制御部１０４に送られる。制御部は常にセンサー３１０
が下部層のスクライブ溝３０５をトレースするように、
移動部材３１６をレール３１７を利用して図３における
左右方向に移動する。その結果、新たなスクライブ溝３
０６は下部層のスクライブ溝３０５に対して常に一定量
のオフセットを持って作られる。こうしたオフセット量
は堆積膜の目的に応じて定めれば良いが、モノリシック
太陽電池の場合には通常数十μｍないし１００μｍオー
ダーである。

【００４１】このように下部層のスクライブ溝３０５に
対して一定のオフセット量を持って上部層のスクライブ
が実行される。前記例ではスクライブヘッドの進行方向
に対して、センサーがスクライブ手段より先行している
ので制御的にはフィードフォワード的な制御を行ってい
ることになる。もし逆にスクライブヘッドの進行方向に
対して、スクライブ手段がセンサーと同期あるいは先行
しているのであればフィードバック的な制御を行うこと
になる。更に例えば、スクライブ手段の前後にセンサー
を設け、両センサーとも下部層のスクライブ溝をトレー
スする機構を有すると同時に、スクライブ手段を両セン
サーの中間位置に対して所望のオフセット量を持つよう
に制御しても良い。このような方法では下部層のスクラ
イブ溝の蛇行状況がより的確にスクライブ手段の位置決
定に利用可能となるので、上部層のスクライブ位置の精
度がより向上する。

【００４２】スクライブ手段がレーザーの場合にはその
焦点においてレーザーの広がりを１００μｍオーダーと
することが可能なので、上記構成のみで所望するスクラ
イブ溝の幅を比較的容易に達成できる。しかし、ブラス
ト法の場合にはヘッドから噴出した微粒子は基板に到達
するまでに広がってしまう。従って、スクライブ手段が
ブラストの場合にはスクライブ幅を規定するマスク等と
の併用が望ましい。

【００４３】ここまでの説明では新たなスクライブ加工
の基準位置を下部層のスクライブ溝としてきた。しか
し、スクライブ加工の位置基準は必ずしも下部層のスク
ライブ溝である必要はない。例えば、事前に基板に溝を
けがく、あるいはスクリーン印刷、エッチング等の方法
で基準線を準備しておき、スクライブ加工は基準線に従
って実施しても良い。勿論、基板ではなく堆積膜自体に
事前に基準線を作成しておいても良い。

【００４４】このような加工方法について図５を用いて
説明する。図５において５０１は基板であり基準線５０
２が設けてある。まず基板上に下部層５０３を堆積した
後にスクライブ加工を行いスクライブ溝５０４を形成す
る。この時オフセット量としては基準線に対してＬ’と
する。次に上部層５０５を堆積した後にスクライブ加工
を行いスクライブ溝５０６を形成する。この時オフセッ
ト量としては基準線５０２に対してＬ”とする。Ｌ”を
Ｌ’と異なったものとすれば図５に示すように下部層と
上部層で異なった位置にスクライブ溝が形成される。

【００４５】先の説明において、センサーとスクライブ
手段を各々用意したが、センサーとスクライブ手段が同
一であっても良い。そのような例を図６を用いて述べ
る。

【００４６】図６において６０１は基板、６０２は下部
層でありスクライブ溝６０３が形成されている。また６
０４は上部層であり下部層のスクライブ溝に応じて凹み
６０５が形成されている。６１０はレーザーであり照射
部６１１からレーザーが６１２に示すごとく照射され
る。６２０はビームスプリッター、６２１はλ／４板、
６２２は対物レンズである。レーザー光はビームスプリ
ッター６２０、λ／４板６２１、対物レンズ６２２を通
って基板側に照射され、スクライブが行われる。同時に
基板側からの反射光が対物レンズ６２２、λ／４板６２
１、ビームスプリッター６２０を経由してセンサー６３
０（以降“トラッキングエラー検出センサー”と記す）
に入射する。６３１はトラッキングエラー検出センサー
６３０からの信号をもとにトラッキングのための駆動信
号を出す制御部であり、駆動信号はコイル６３２に与え
られる。６３３は磁石であり、コイル６３２に与えられ
る信号に応じて対物レンズ６２２が移動する。その結
果、レーザーの焦点位置をずらし下部層のスクライブ位
置のトレースが可能となる。

【００４７】こうような構成をとればセンサー部とスク
ライブ手段が一体化されるためにヘッドが単純な構成と
なる。一方、このような構成においてはスクライブ位置
を下部層のスクライブ溝に対して大幅にオフセットする
ことが困難になる。従って、センサー部とスクライブ手
段を別とするか一体化するかは目的に応じて最適なもの
を選択する必要がある。

【００４８】なお、トラッキングエラーの検出センサー
で用いられる方法としては、例えばスクライブ溝の明暗
を２個のセンサーで分離して測定しスクライブ溝のエッ
ジを知る方法（所謂“プッシュプル法”）などトラッキ
ングサーボ系の技術を広く用いることが可能である。ま
た、トラッキングエラー検出センサーの位置に、更にフ
ォーカスエラー検出センサーを設けると同時に対物レン
ズを基板に対しての距離を変更する手段を追加すれば、
スクライブ溝のエッジ部の焦点を検出しながら常にレー
ザーの焦点が合うように対物レンズを駆動することも可
能となる。レーザーの光束が直径１００μｍオーダーに
収束する焦点深度は極めて浅いので、このような自動焦
点機構はスクライブの安定化に効果的である。さらに、
このような構成とすることにより、トラッキングと自動
焦点機構をもコンパクトに組み込む事が可能となり、装
置全体の小型化を図る事も可能となる。

【００４９】また、レーザー照射部は必ずしも上記構成
である必要はなく、レーザーの発振部を別筐体としてレ
ーザーをファイバーを経由して基板の加工面に照射して
も良い。この場合にはファイバーからレーザーが照射さ
れる部所を駆動機構によって移動することになる。

【００５０】次に本発明の堆積膜加工方法をＲ ｔｏ
Ｒ法と併用して実施する場合を取り上げ、図７を用いて
その方法について記す。図７において７００は表面に
（本図においては下面に）堆積膜の形成された可撓性基
板であり、送り出しローラー７１０から繰り出されて巻
き取りローラー７２０に巻き取られる。７３０は基板の
支持体であり、ここでは回転自在な円筒状をしている。
７２１は巻き取りモーターであり、巻き取りローラー７
２０を回転するために用いられる。７１１はテンション
モーターであり、内蔵するスリップクラッチ等と組み合
わせて基板に所望のバックテンションを発生させること
で、基板のたるみを防止している。７４０は巻きずれ防
止ローラーであり、懸架装置７４１を介してモーター７
４２につながっている。７４３は基板巻きずれ検知セン
サーであり、巻きずれ状態を検知してモーター７４２を
駆動することにより、常に良好な巻き取り状態が維持可
能となっている。７５０はスクライブヘッド部である。
また、７５１はスクライブヘッドの（図中左右方向の）
移動機構であり、可撓性基板の長尺方向と平行方向にス
クライブヘッドを移動可能である。同様に７５２はスク
ライブヘッドの（図中手前奥方向の）移動機構であり、
可撓性基板の長尺方向と垂直方向にヘッド部を移動可能
である。７６０は基板位置保持手段であり、スクライブ
を行う際に基板を広い面積に亘って基板位置保持手段７
６０に密着させて基板のビビリ等の発生を抑えること
で、安定した条件でスクライブ加工を行えるものであ
る。なお、基板位置保持手段７６０を回転自在な円筒状
としても良い。

【００５１】スクライブの際に下部層のスクライブ溝を
トレースするには基本的には、スクライブ方向が基板搬
送方向と平行であれば移動機構７５２によって、逆にス
クライブ方向が基板搬送方向と垂直であれば移動機構７
５１によってスクライブヘッド部７５０を駆動する。勿
論、両者を組み合わせて用いても良いし、先に記したよ
うにレーザーの対物レンズの駆動機構を用いても良い。

【００５２】スクライブによって堆積膜を削り取る厚
み、場所等は目的に応じて適宜選択すれば良い。厚みと
しては、例えばモノリシック太陽電池の場合には堆積膜
の厚みのすべてを削り取ることが必要である。あるいは
目的が表面側を軽く荒らすことであれば表面側のごく一
部（例えば堆積膜の厚みの１／１００など）を削り取っ
ても良い。スクライブにより削り取る厚みの実際の制御
は例えばレーザーを用いる場合にはレーザーの種類、波
長、エネルギーなどのパラメーターを、またブラストを
用いる場合には衝突させる微粒子の材質、量、衝突速度
などを最適に設定することで行われる。もちろん、基板
の送り速度などもスクライブ深さ制御のパラメーターで
ある。またスクライブ場所については、堆積膜の目的と
する機能に応じていかなる形にスクライブしても良い
が、太陽電池をモノリシックで作成する際のスクライブ
としては基板の切断面に対して平行あるいは垂直にスク
ライブすることが望ましい。

【００５３】以下に、本発明の各構成要素を取り上げて
解説する。

【００５４】（レーザー）レーザースクライブにはＹＡ
Ｇレーザー、ＣＯ₂レーザー、エキシマレーザー等が使
用できる。モノリシック太陽電池の作成の際にはＹＡＧ
レーザーが好適に用いられる。基本波長１．０６μｍの
ほかに非線型光学素子を併用して得られる第二高調波の
０．５３μｍ、および第三高調波の０．２６５μｍの光
も利用することが出来る。ＹＡＧレーザーは連続発振も
できるが、高いピークパワーを得るためにＱスイッチパ
ルス発振動作で使用することが多い。Ｑスイッチパルス
発振の周波数は通常数ＫＨｚから数十ＫＨｚ程度であり
１つのパルスの継続時間は１００ｎｓｅｃ前後である。

【００５５】（ブラスト）ブラストで用いられる材質に
特に限定はない。広くは固体、液体、気体いずれも使用
可能である。その中でも好適な材質として例えばＳｉ
Ｃ、アルミナ、ホワイトアルミナ、炭酸カルシウム、ガ
ラスビーズ等の砥粒が用いられる。その粒径に特に制限
はないが、平均粒径０．１〜３０μｍ程度が好適であ
る。他のパラメーター例えば加工時の噴出ノズルと堆積
膜間の距離としては、スクライブする場所の選択性、堆
積模作成装置の機械的な作成容易性などから距離０．１
から１０ｃｍ程度が好適である。

【００５６】（基板）基板は広くはその上に堆積膜の形
成が可能なものであれば何でも良い。モノリシック太陽
電池を作成する場合には平板状ガラス基板が良く用いら
れる。ガラス基板を使う場合には一般的に基板側が太陽
電池の光入射側となるが、かならずしも基板側から光入
射しなくとも良い。その場合には基板としては不透明の
材料、例えば金属でも使用可能である。また、Ｒ ｔｏ
Ｒ方式を利用する場合は可撓性基板が用いられ通常ロ
ール状で供給される。この場合、材質はステンレス、Ｎ
ｉメッキ鋼板、亜鉛鋼板、銅、アルミニウム等の金属薄
板あるいはポリイミド、ＰＥＴ等の樹脂薄板などが好適
である。いずれにせよ堆積膜の堆積条件、加工条件など
に耐えうるものを選ぶ必要がある。また、基板の表面
は、鏡面であっても、適度な凹凸が設けられていても構
わない。

【００５７】（堆積膜）堆積膜は基板上に形成されてな
んらかの機能を発揮する薄膜であればなんでも良いが、
スクライブ手段が有効に作用する材料でなければならな
い。モノリシック太陽電池を作成する場合には例えば、
電極となるアルミ、銀等の金属、光起電力層となるシリ
コン（結晶シリコン、アモルファスシリコン、微結晶シ
リコンを含む）、化合物半導体、その他の発電可能な材
料、透明電極となるＩＴＯ等が用いられる。レーザース
クライブの場合、こうした材料の種類によって最適なレ
ーザー種、波長などを選択して用いる必要がある。

【００５８】

【実施例】以下実施例により本発明を説明するが、本発
明は実施例により何ら制限されるものではない。

【００５９】（実施例１）図１、図３および図４に示し
た本発明の堆積膜加工装置を利用して本発明の堆積膜加
工方法を実施した。以下、図１、図３および図４の解説
の項で示した用語を用いながら説明する。

【００６０】基板は１５ｃｍ角、厚み１ｍｍのガラス基
板を用いた。ガラス基板上にはすでに前工程にて以下に
記す下部層、下部層のスクライブ溝、上部層とが準備さ
れている。その詳細を以下に記す。

【００６１】＜下部層＞１μｍ厚のアルミ／シリコン
（Ａｌ：９５％、Ｓｉ：５％）膜 ＜下部層のスクライブ溝＞下部層に対してＹＡＧレーザ
ーにて１０ｍｍピッチで幅５０μｍのスクライブ溝を作
成。このスクライブ溝作成の際には図１に示したスクラ
イブ位置修正機構を用いず、レーザー照射部の移動レー
ルの機械精度を利用して直線状にスクライブした。

【００６２】＜上部層＞２０００Å厚の水素化アモルフ
ァスシリコン膜

【００６３】以上の準備のなされた基板を図３に示した
ごとく本堆積膜加工装置に取り付けた。すなわち、基板
が３０１、下部層が３０２、下部層のスクライブ溝が３
０３、上部層が３０４である。レーザーはＹＡＧレーザ
ーの第二高調波の０．５３μｍを用いパルス発振動作で
使用した。

【００６４】３１０のセンサーとしては光学式に距離を
検知し、下部層のスクライブ溝のエッジを認識可能なも
のを用いた。センサーヘッド４０１とレーザーヘッド４
０２とのオフセットはツマミ４０５を調整して１００μ
ｍとした。

【００６５】以上の準備の後にレーザーを発振させ、同
時にレーザー照射部の移動部材３１６をレール３１８を
利用して移動開始してスクライブ加工を開始した。この
時、センサー３１０にて下部層のスクライブ溝を検知し
たうえで、図１に示すスクライブ位置修正ダイアグラム
に基づいて、移動部材３１６をレール３１７により移動
しながらスクライブ加工を実施した。移動部材３１６の
送り速度（すなわちレーザー走査速度）は３００ｍｍ毎
秒とした。レーザー照射部は１０ｍｍピッチでスクライ
ブ溝を作るよう移動を繰り返した。１５ｃｍ角の基板全
面のスクライブ加工の後にレーザーの発振を止め基板を
取り外した。

【００６６】加工の終了した基板から５ｃｍ角の正方形
状のサンプルを切り出した。本サンプルを顕微鏡観察し
た。その結果としては、下部層のスクライブ溝と上部層
のスクライブ溝の間隔は略１００μｍであり間隔は安定
して一定であった。

【００６７】（実施例２）基板に０．３ｍｍ厚のポリイ
ミドを用いた他は実施例１と全く同様に堆積膜の加工を
実施した。すなわち、本発明の堆積膜加工方法をポリイ
ミド基板の場合に適用したものである。同様にサンプル
を切り出して顕微鏡観察した。その結果としては、下部
層のスクライブ溝と上部層のスクライブ溝の間隔は略１
００μｍであり間隔は一定しており、実施例１の結果と
ほとんどそん色のないものであった。

【００６８】（比較例１）本発明のスクライブ位置修正
方法を使わない他は実施例１と全く同様に堆積膜の加工
を実施した。すなわち、センサー３１０からの下部層の
スクライブ溝の位置情報を利用せず、スクライブヘッド
をレール３１８に沿って機械的に移動するのみであり、
従来の加工方法でスクライブしたものである。

【００６９】加工を終えた基板を取り出し、実施例１と
同様にサンプルを切り出して顕微鏡観察した。その結果
としては、下部層のスクライブ溝と上部層のスクライブ
溝の間隔は略１００μｍであり間隔はほぼ一定していた
が、実施例１の結果に比較するとやや間隔の大小が認め
られる。

【００７０】（比較例２）ガラス基板の大きさを６０ｃ
ｍ角とした他は比較例１と全く同様に堆積膜の加工を実
施した。すなわち、大面積ガラス基板に対して従来の方
法で加工したものである。同様にサンプルを切り出して
顕微鏡観察した。その結果としては、下部層のスクライ
ブ溝と上部層のスクライブ溝の間隔は平均値としては１
００μｍではあるもののバラツキが大きかった。一部に
は下部層と上部層のスクライブ位置が数μｍ程度まで近
接している個所が認められた。

【００７１】（比較例３）基板に０．３ｍｍ厚のポリイ
ミドを用いた他は比較例１と全く同様に堆積膜の加工を
実施した。すなわち、従来の堆積膜加工方法をポリイミ
ド基板の場合に適用したものである。同様にサンプルを
切り出して顕微鏡観察した。その結果としては、下部層
のスクライブ溝と上部層のスクライブ溝の間隔はかなり
ばらついていて、一部下部層のスクライブ溝と上部層の
スクライブ溝が交差している個所が認められた。

【００７２】以上実施例１ないし比較例３の結果から本
発明の下部層のスクライブ位置を基準として上部層のス
クライブ位置を決定しながらスクライブ加工を行う堆積
膜加工方法は、基板の材質、大小を問わず正確な位置に
スクライブ加工を行うことを可能であることが判明し
た。一方、下部層のスクライブ位置を基準として上部層
のスクライブ位置を決定することを行わない従来の堆積
膜加工方法では、小面積のガラス基板に対しては有効で
あるが、基板が大面積になった時、あるいは基板がガラ
ス以外の材質となった時には正確な位置にスクライブ加
工を行うことが困難であることが判明した。

【００７３】（実施例３）本発明の堆積膜加工装置を利
用してブラストによるスクライブ加工を実施した。基本
的には図１、図３に示した装置を用いたが、本実施例で
はブラストによる加工のため、図４に示したスクライブ
ヘッドに変えて図８に示すブラスト用のヘッドを利用し
た。

【００７４】図８において図３及び図４と同じ符号を記
した部品についてはすでに図３及び図４で説明した内容
と同じであるので省略し、図８で変更した部品について
説明する。なお、スクライブヘッド４０２は、ブラスト
で使用する微粒子の噴出口である。

【００７５】図８において、８０１は微粒子の供給管、
８０２はマスクであり、スクライブ加工をする場所を正
確に規定するためのスリット８０３を持っている。マス
ク８０２の上端はできるだけ基板に近い位置としてブラ
ストする微粒子の広がりを抑え、スクライブ溝の輪郭が
はっきりするようにする。

【００７６】以上説明した図８のスクライブヘッド、図
３の堆積膜加工装置ならびに図１の加工ダイグラムを用
いて堆積膜のスクライブ加工を行った。加工内容はスク
ライブ手段としてブラストを用いた以外は実施例１に記
したものと全く同一とした。なお、ブラストに用いる砥
粒としては平均粒径が８μｍのＳｉＣを用いた。ＳｉＣ
は５ｋｇ／ｃｍ²の圧縮空気と混合して噴出口４０２よ
り噴出させた。

【００７７】加工を終えた基板を取り出し、実施例１と
同様にサンプルを切り出して顕微鏡観察した。その結果
としては、下部層のスクライブ溝と上部層のスクライブ
溝の間隔は略１００μｍであり間隔は一定していた。

【００７８】（実施例４）基板上に予め形成したガイド
線を基準としながら本発明の堆積膜加工方法を実施し
た。基板は１５ｃｍ角、厚み１ｍｍのステンレス基板を
用いた。基板上には図５の５０２に示した溝を予めけが
いた後に堆積膜５０３を堆積し、さらにその後に本発明
の堆積膜加工方法を実施した。ただし、本実施例で実施
した範囲は図５における下部層（本実施例での堆積膜相
当）のスクライブ溝５０４の作成までである。なお、堆
積膜５０３は１μｍ厚のアルミとした。

【００７９】以上の準備のなされた基板を図３に示した
本堆積膜加工装置に取り付け、図１、図４、図５を用い
てすでに説明した方法にて本発明の堆積膜加工方法を実
施した。以下、図１、図４、図５の説明の際に利用した
用語を用いながら説明する。

【００８０】レーザーとしてはＹＡＧレーザーの基本波
１．０６μｍをパルス発振動作で使用した。センサーと
しては光学式に距離を検知し、基板のガイド線のエッジ
スクライブの位置基準として用いた。センサーのヘッド
とレーザーヘッドとのオフセットは図４におけるツマミ
４０５を調整して８０μｍとした。

【００８１】以上の準備の後にレーザーを発振させ、同
時に移動部材３１６をレール３１７を利用して移動開始
してスクライブ加工を開始した。この時、センサー３１
０にて基板のガイド線を検知したうえで、図１に示すス
クライブ位置修正ダイアグラムに基づいて、移動部材３
１６をレール３１７により移動しながらスクライブ加工
を実施した。移動部材３１６の送り速度（すなわちレー
ザー走査速度）は１５０ｍｍ毎秒とした。レーザー照射
部は１０ｍｍピッチでスクライブ溝を作るよう移動を繰
り返した。１５ｃｍ角の基板全面のスクライブ加工の後
にレーザーの発振を止め基板を取り外した。

【００８２】加工の終了した基板から５ｃｍ角の正方形
状のサンプルを切り出し、本サンプルを顕微鏡観察し
た。その結果としては、下部層のスクライブ溝と上部層
のスクライブ溝の間隔は略８０μｍであり間隔は安定し
て一定であった。

【００８３】（実施例５）図１、図３、図４、図７に示
した本発明の堆積膜加工装置を用いてモノリシック太陽
電池を作成した。図１、図３、図４、図７の説明の際に
使用した用語を用いて説明する。

【００８４】全工程のフローを図９に示す。初めに図９
に従って全行程のアウトラインを説明する。図９中、工
程１）において可撓性金属基板の洗浄を行う。工程２）
において基板上に絶縁層を作成する。工程３）において
太陽電池の下地電極を作成する。工程４）において下地
電極を本発明の堆積膜加工方法にてスクライブする。工
程５）において半導体（光起電力）層を作成する。工程
６）において半導体層を本発明の堆積膜加工方法にてス
クライブする。工程７）において上部（透明）電極を作
成する。工程８）において上部電極を本発明の堆積膜加
工方法にてスクライブする。

【００８５】以上の工程はすべてＲ ｔｏ Ｒ法にて実
施する。各層自体の堆積方法については本発明固有の方
法ではないので詳述はしないが、半導体層については例
えば、米国特許４，４００，４０９号等にて公開された
方法に準じた方法を用い、また下地電極、上部電極の作
成については同様にＲ ｔｏ Ｒにてスパッタを実行す
ることにより作成した。

【００８６】以下に実施した上記工程の詳細を記す。可
撓性基板としてはロール状に巻かれた幅３５０ｍｍ、厚
み０．１２５ｍｍのステンレス基板を用いた。

【００８７】工程１）可撓性基板をＲ ｔｏ Ｒ法で洗
浄した。洗浄液はオーカイト（商標名）：（ＮａＯＨ，
ＫＯＨ混合）を用いて、洗浄後は純水にて洗浄液を洗い
落とした。その後エアーブローにて乾燥した後に改めて
ロール状に巻き取った。

【００８８】工程２）洗浄終了後の可撓性基板上にＲ
ｔｏ Ｒ方式で絶縁層として酸化シリコン膜を反応性ス
パッタ法を用いて３μｍ堆積した。膜堆積後は改めてロ
ール状に巻き取った。

【００８９】工程３）絶縁膜上に更に下地電極を作成し
た。下地電極はスパッタ法にて３０００Å厚のアルミと
した。下地電極作成後は同様にロール状に巻き取る。

【００９０】工程４）下地電極をスクライブした。基板
の設置方法、搬送方法等はすでに記述したのでここでは
省略する。スクライブ条件としては、ＹＡＧレーザーの
基本波１．０６μｍをパルス発振動作で使用した。ま
た、基板送り速度は３００ｍｍ毎分とした。その結果、
下地電極には幅約１３０μｍのスクライブ溝が作成され
た。

【００９１】工程５）下地電極をスクライブした後にＲ
ｔｏ Ｒ法にて可撓性基板上に半導体（光起電力）層
を堆積した。膜自体の作成方法としてはＣＶＤ法を用い
た。また、層構成としては下地電極側から順にＮ型アモ
ルファスシリコン層（２００Å）、Ｉ型モルファスシリ
コン層（３２００Å）、Ｐ型モルファスシリコン層（１
１０Å）とした。半導体層形成後の可撓性基板は改めて
ロール状に巻き取った。

【００９２】工程６）工程４と同様の方法にて半導体層
のスクライブをおこなった。基板送り速度を４５０ｍｍ
毎分とした以外はスクライブの条件は工程４と同様であ
る。半導体層のスクライブ位置は下地電極のスクライブ
位置に対して１００μｍずれた位置に作成した。また、
スクライブ条件としては、ＹＡＧレーザーの第二高調波
の０．５３μｍを用いパルス発振動作で使用した。半導
体層スクライブ後の基板は巻き取りローラーに巻きとっ
た。

【００９３】工程７）スクライブ溝の作成された半導体
層上に更に上部（透明）電極を作成した。上部電極はス
パッタ法で作成したＩＴＯ膜とした。ＩＴＯ膜の厚さは
略７００Åとした。

【００９４】工程８）工程６と同様の方法にて上部電極
のスクライブを行った。基板送り速度を４５０ｍｍ毎分
とした以外はスクライブの条件は工程６と同様である。
上部電極のスクライブ位置は半導体層のスクライブ位置
に対して１００μｍずれた位置に作成した。また、スク
ライブ条件としては、ＹＡＧレーザーの基本波の１．０
６μｍを用いパルス発振動作で使用した。上部電極スク
ライブ後の可撓性基板は巻き取りローラーに巻きとっ
た。

【００９５】以上で図２に示したようなモノリシック太
陽電池を構成する堆積膜が形成された。

【００９６】次に、上記工程で作成した堆積膜を繰り出
して５ｃｍ角のサンプルを切り出した。切り出したサン
プルに対して電力取り出し端子を取り付け太陽電池特性
を測定したところ、良好な特性を得られた。

【００９７】（実施例６）図１、図６、図７に示した本
発明の堆積膜加工装置を用いて可撓性基板上の堆積膜の
スクライブ加工を行った。すなわち、既に下部層、下部
層のスクライブ溝、上部層の形成された可撓性基板を図
７に示すＲ ｔｏ Ｒ装置にて繰り出しつつ、図６に示
すレーザーの対物レンズ駆動機構によって自動的にレー
ザーの焦点を合わせながら、上部層のレーザースクライ
ブを行った。

【００９８】基板および堆積膜の詳細は以下の通りであ
る。 ＜可撓性基板＞幅３５０ｍｍ、厚み０．１２５ｍｍのス
テンレス ＜下部層＞１μｍ厚のアルミ／シリコン（Ａｌ：９５
％、Ｓｉ：５％）膜 ＜下部層のスクライブ溝＞下部層に対してＹＡＧレーザ
ーにて幅５０μｍのスクライブ溝を作成 ＜上部層＞２０００Å厚の水素化アモルファスシリコン
膜

【００９９】以上の準備のなされた基板を図７に示すＲ
ｔｏ Ｒ方式の本堆積膜加工装置に取り付けた。レー
ザーはＹＡＧレーザーの第二高調波の０．５３μｍを用
いパルス発振動作で使用した。以上の準備の後にレーザ
ーを発振させ、同時に可撓性基板の搬送を行ってスクラ
イブ加工を開始した。この時、図６のトラッキングエラ
ー検出センサー６３０に代えてフォーカスエラー検出セ
ンサーを用い、フォーカスエラー検出センサーにて下部
層のスクライブ溝を検知したうえで、制御部６３１より
の制御信号にもとずいて対物レンズ６２２を焦点方向
（図中上下方向）に駆動してレーザーの焦点を一定状態
に保ちながらスクライブを行った。またレーザー走査速
度は３００ｍｍ毎秒とした。レーザー照射部は１０ｍｍ
ピッチでスクライブ溝を作るよう移動を繰り返した。３
０分間の基板搬送の後にレーザーの発振を止め基板を取
り外した。

【０１００】加工の終了した基板から５ｃｍ角の正方形
状のサンプルを切り出して顕微鏡観察を行った。その結
果として、上部層のスクライブ溝幅は略４０μｍで一定
しており、輪郭がはっきりしていた。

【０１０１】（比較例４）レーザーの自動焦点調節を行
わない以外は実施例６と全く同様に堆積膜の加工を行っ
た。加工の終了した基板から５ｃｍ角の正方形状のサン
プルを切り出して顕微鏡観察を行った。その結果とし
て、上部層のスクライブ溝幅は平均値では略４０μｍで
あるが一定しておらず輪郭がややはっきりしない個所が
認められた。以上から、実施例６の自動焦点調節を行い
ながらスクライブを行う方法が効果的であることが分か
った。

【０１０２】

【発明の効果】本発明により、大面積あるいは可撓性基
板を使用した際に発生するスクライブ溝の位置精度の問
題の解決を図る具体的な方法を見出し、歩留まりの高い
堆積膜の加工装置および加工方法が完成した。また、Ｒ
ｔｏ Ｒ法で基板を繰り出しつつレーザーの自動焦点
調節を行いながらレーザースクライブを実行することに
よりスクライブ溝の幅が安定し、歩留まりが向上した。
その結果、性能が良好でかつコストの安い堆積膜の量産
が可能となった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の堆積膜加工装置および方法の例を示す
ダイアグラムである。

【図２】モノリシック太陽電池の一例の概略図である。

【図３】本発明の堆積膜加工方法を実行するための実際
の装置の一例を示す斜視図である。

【図４】センサー、スクライブ手段および移動部材の詳
細図である。

【図５】スクライブ加工の基準線を予め作ったうえでス
クライブ加工をおこなう状態を説明するための図であ
る。

【図６】センサーとスクライブヘッドが同一であるスク
ライブ手段を示す図である。

【図７】本発明の堆積膜加工方法をロールツーロール方
式と併用して実施する装置を示す斜視図である。

【図８】スクライブ手段としてブラストを用いた場合の
センサー、スクライブ手段および移動部材の詳細図であ
る。

【図９】モノリシック太陽電池を作成する全工程のフロ
ーを示す図である。

【符号の説明】

１０１ センサー １０２ スクライブ手段 １０３ スクライブ手段の駆動機構 １０４ 制御部 ２００ 基板 ２０１ 絶縁層 ２０２ 下地電極 ２０３ 半導体層 ２０４ 表面電極 ２０５ 下地電極のスクライブ溝 ２０６ 半導体層のスクライブ溝 ２０７ 表面電極のスクライブ溝 ３０１ 基板 ３０２ 堆積膜（下部層） ３０３ 下部層３０２のスクライブ溝 ３０４ 堆積膜（上部層） ３０５ 上部層３０４が下部層のスクライブ溝３０３上
に堆積した場所 ３０６ 上部層のスクライブ溝 ３１０ センサー ３１１ 基板側に光を照射してその反射光を検知する様
子 ３１２ 支柱 ３１３ スクライブ手段 ３１５ 支柱 ３１６ 移動部材 ３１７，３１８ レール ４０１ センサーの検出部 ４０２ レーザー照射部あるいは微粒子の噴出部 ４０３ ネジ ４１４ 駒 ４１５ ツマミ ５０１ 基板 ５０２ 基準線 ５０３ 下部層 ５０４ スクライブ溝 ５０５ 上部層 ５０６ スクライブ溝 ６０１ 基板 ６０２ 下部層 ６０３ スクライブ溝 ６０４ 上部層 ６０５ 凹み ６１０ レーザー ６１１ レーザー照射部 ６２０ ビームスプリッター ６２１ λ／４板 ６２２ 対物レンズ ６３０ トラッキングエラー検出センサー ６３１ 制御部 ６３２ コイル ６３３ 磁石 ７００ 可撓性基板 ７１０ 送り出しローラー ７１１ テンションモーター ７２０ 巻き取りローラー ７２１ 巻き取りモーター ７３０ 基板の支持体 ７４０ 巻きずれ防止ローラー ７４１ 懸架装置 ７４２ モーター ７４３ 基板巻きずれ検知センサー ７５０ スクライブヘッド ７５１，７５２ スクライブヘッドの移動機構 ７６０ 基板位置保持手段 ８０１ 微粒子の供給管 ８０２ マスク ８０３ スリット

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹山 祥史 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 清水 孝一 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 都築 幸司 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 4E068 AD00 CA11 DA09 5F051 AA03 AA04 AA05 BA14 BA15 CA22 EA08 EA16 GA05 5H032 AA06 BB06 BB10

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に複数の層が積層してなる堆積膜
   に対して、下部層のスクライブ位置を基準として上部層
   のスクライブ位置を決定しながらスクライブ加工を行う
   機能を有することを特徴とする堆積膜加工装置。
2. 【請求項２】 基板上の堆積膜に対して、事前に基板あ
   るいは堆積膜に設けられたガイドを基準としてスクライ
   ブ位置を決定しながらスクライブ加工を行う機能を有す
   ることを特徴とする堆積膜加工装置。
3. 【請求項３】 前記スクライブ手段が少なくともレーザ
   ースクライブを利用していることを特徴とする請求項１
   または２に記載の堆積膜加工装置。
4. 【請求項４】 レーザーの焦点を調節しながら前記スク
   ライブ加工を行うことを特徴とする請求項３に記載の堆
   積膜加工装置。
5. 【請求項５】 前記スクライブ手段が少なくとも粒子を
   衝突させる手段を利用していることを特徴とする請求項
   １または２に記載の堆積膜加工装置。
6. 【請求項６】 前記堆積膜が太陽電池を構成する膜の少
   なくとも一部であることを特徴とする請求項１乃至５の
   いずれかに記載の堆積膜加工装置。
7. 【請求項７】 基板上に複数の層が積層してなる堆積膜
   に対して、下部層のスクライブ位置を基準として上部層
   のスクライブ位置を決定しながらスクライブ加工を行う
   ことを特徴とする堆積膜加工方法。
8. 【請求項８】 基板上の堆積膜に対して、事前に基板あ
   るいは堆積膜に設けられたガイドを基準としてスクライ
   ブ位置を決定しながらスクライブ加工を行うことを特徴
   とする堆積膜加工方法。
9. 【請求項９】 前記スクライブ手段が少なくともレーザ
   ースクライブを利用していることを特徴とする請求項７
   または８に記載の堆積膜加工方法。
10. 【請求項１０】 レーザーの焦点を調節しながら前記ス
    クライブ加工を行うことを特徴とする請求項９に記載の
    堆積膜加工方法。
11. 【請求項１１】 前記スクライブ手段が少なくとも粒子
    を衝突させる手段を利用していることを特徴とする請求
    項７または８に記載の堆積膜加工方法。
12. 【請求項１２】 前記堆積膜が太陽電池を構成する膜の
    少なくとも一部であることを特徴とする請求項７乃至１
    １のいずれかに記載の堆積膜加工方法。
13. 【請求項１３】 基板上に複数の層が積層してなる堆積
    膜に対して、下部層のスクライブ位置を基準として上部
    層のスクライブ位置を決定しながらスクライブ加工を行
    ったことを特徴とする堆積膜。
14. 【請求項１４】 基板上の堆積膜に対して、事前に基板
    あるいは堆積膜に設けられたガイドを基準としてスクラ
    イブ位置を決定しながらスクライブ加工を行ったことを
    特徴とする堆積膜。
15. 【請求項１５】 前記スクライブ手段が少なくともレー
    ザースクライブを利用していることを特徴とする請求項
    １３または１４に記載の堆積膜。
16. 【請求項１６】 前記スクライブ手段が少なくとも粒子
    を衝突させる手段を利用していることを特徴とする請求
    項１３または１４に記載の堆積膜。
17. 【請求項１７】 前記堆積膜が太陽電池を構成する膜の
    少なくとも一部であることを特徴とする請求項１３乃至
    １６のいずれかに記載の堆積膜。
18. 【請求項１８】 可撓性基板を繰り出しつつ、自動的に
    レーザーの焦点調節を行いながらレーザースクライブを
    行う機能を有することを特徴とする堆積膜加工装置。
19. 【請求項１９】 可撓性基板を繰り出しつつ、自動的に
    レーザーの焦点調節を行いながらレーザースクライブを
    行うことを特徴とする堆積膜加工方法。
20. 【請求項２０】 可撓性基板を繰り出しつつ、自動的に
    レーザーの焦点調節を行いながらレーザースクライブを
    行って加工したことを特徴とする堆積膜。