JP2001155679A - ガス放電灯 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 保証寿命が延長され放出電流が改善されたガ
ス放電灯を提供する。 【解決手段】 本発明によるガス放電灯、特に低圧ガス
放電灯は、電極金属の支持体と、電子放出材料の第１の
電極コーティング層とを含む電極（３）を具え、前記電
子放出材料が、アルミニウム、シリコン、チタニウム、
ジルコニウム、ハフニウム、タンタリウム、モリブデ
ン、タングステン及びこれらの合金により形成されるグ
ループから選択した還元金属粉末の金属粉末調整品を含
み、前記金属粉末の調整品に、レニウム、コバルト、ニ
ッケル、ルテニウム、プラジウム、ロジウム、イリジウ
ム、プラチニウム及びこれらの合金により形成されるグ
ループから選択した貴金属を含む粉末のコーティング層
が形成され、前記電子放出材料が、カルシウム酸化物、
ストロンチウム酸化物、バリウム酸化物により形成され
るグループから選択した少なくとも１つのアルカリ土類
金属酸化物を含む。このように構成することにより、放
出電流が一層均一になると共に保証寿命も延長される。
ス放電灯を提供する。 【解決手段】 本発明によるガス放電灯、特に低圧ガス
放電灯は、電極金属の支持体と、電子放出材料の第１の
電極コーティング層とを含む電極（３）を具え、前記電
子放出材料が、アルミニウム、シリコン、チタニウム、
ジルコニウム、ハフニウム、タンタリウム、モリブデ
ン、タングステン及びこれらの合金により形成されるグ
ループから選択した還元金属粉末の金属粉末調整品を含
み、前記金属粉末の調整品に、レニウム、コバルト、ニ
ッケル、ルテニウム、プラジウム、ロジウム、イリジウ
ム、プラチニウム及びこれらの合金により形成されるグ
ループから選択した貴金属を含む粉末のコーティング層
が形成され、前記電子放出材料が、カルシウム酸化物、
ストロンチウム酸化物、バリウム酸化物により形成され
るグループから選択した少なくとも１つのアルカリ土類
金属酸化物を含む。このように構成することにより、放
出電流が一層均一になると共に保証寿命も延長される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はガス放電灯、特に電極金
属の支持体と、金属粉末並びにカルシウム酸化物、スト
ロンチウム酸化物、バリウム酸化物により形成されるグ
ループから選択した少なくとも１つのアルカリ土類金属
酸化物を含む電子放出材料の電極コーティング層とを含
む電極を具える低圧ガス放電灯に関するものである。
属の支持体と、金属粉末並びにカルシウム酸化物、スト
ロンチウム酸化物、バリウム酸化物により形成されるグ
ループから選択した少なくとも１つのアルカリ土類金属
酸化物を含む電子放出材料の電極コーティング層とを含
む電極を具える低圧ガス放電灯に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ガス放電灯における光の発生は、電流が
ランプを流れる際のランプ中の充填ガスの原子のイオン
化及び生ずる電気的放電に基づいている。ランプの電極
は電子を放出し、これらの電子は電極間の電界により強
く加速され、ガスの原子と衝突する際励起されガス原子
をイオン化することができる。ガス原子が基底状態に戻
ると、電子とイオンとの再結合の場合のように、ポテン
シャルエネルギーの大部分が放射に変換される。
ランプを流れる際のランプ中の充填ガスの原子のイオン
化及び生ずる電気的放電に基づいている。ランプの電極
は電子を放出し、これらの電子は電極間の電界により強
く加速され、ガスの原子と衝突する際励起されガス原子
をイオン化することができる。ガス原子が基底状態に戻
ると、電子とイオンとの再結合の場合のように、ポテン
シャルエネルギーの大部分が放射に変換される。
【０００３】電極から放出される電子の量は、電極の仕
事関数に依存する。電極材料として一般的に用いられて
いるタングステンは、それ自身比較的大きな仕事関数を
有している。この理由により、電極金属は一般的に電極
金属の電子放出性能を改善するように主として作用する
材料でコートされている。この材料はガス放電灯の電子
放出コーティング材料として一般的なものであり、これ
らの材料はアルカリ土類金属酸化物の形態として又はア
ルカリ土類金属酸化物用の出発化合物（前駆物質）を含
むアルカリ土類金属の形態としてアルカリ土類金属を含
んでいる。
事関数に依存する。電極材料として一般的に用いられて
いるタングステンは、それ自身比較的大きな仕事関数を
有している。この理由により、電極金属は一般的に電極
金属の電子放出性能を改善するように主として作用する
材料でコートされている。この材料はガス放電灯の電子
放出コーティング材料として一般的なものであり、これ
らの材料はアルカリ土類金属酸化物の形態として又はア
ルカリ土類金属酸化物用の出発化合物（前駆物質）を含
むアルカリ土類金属の形態としてアルカリ土類金属を含
んでいる。
【０００４】従って、通常の低圧ガス放電灯には、一般
的に、カルシウム、ストロンチウム及びバリウムのアル
カリ土類金属の酸化物を含む電子放出コーティングが形
成されているタングステンワイヤで構成される電極が設
けられている。このような電極を製造するため、タング
ステンワイヤは例えばバインダ調整品中のアルカリ土類
金属のカーボネートでコートされている。ランプを真空
にして焼成する期間中、カーボネートは約１，０００°
の温度において酸化物に変成される。この電極のバーン
オフの後、電極に安定ではない顕著な放出電流を供給す
る。次に、活性化処理を行う。この活性化処理の結果、
酸化物の結晶格子にドナー型の欠陥が導入されてアルカ
リ土類酸化物のオリジナルの非導電性のイオン格子が電
子的な半導体に変換される。これらの欠陥は、例えばカ
ルシウム、ストロンチウム又はバリウムの単体アルカリ
土類金属で構成される。この電極の電子放出は、この欠
陥機構に基づいている。活性化処理は十分に過剰な量の
単体アルカリ土類金属を供給し、電子放出コーティング
層中の酸化物が意図した熱容量でできるだけ多くの放出
電流を供給するように作用する。
的に、カルシウム、ストロンチウム及びバリウムのアル
カリ土類金属の酸化物を含む電子放出コーティングが形
成されているタングステンワイヤで構成される電極が設
けられている。このような電極を製造するため、タング
ステンワイヤは例えばバインダ調整品中のアルカリ土類
金属のカーボネートでコートされている。ランプを真空
にして焼成する期間中、カーボネートは約１，０００°
の温度において酸化物に変成される。この電極のバーン
オフの後、電極に安定ではない顕著な放出電流を供給す
る。次に、活性化処理を行う。この活性化処理の結果、
酸化物の結晶格子にドナー型の欠陥が導入されてアルカ
リ土類酸化物のオリジナルの非導電性のイオン格子が電
子的な半導体に変換される。これらの欠陥は、例えばカ
ルシウム、ストロンチウム又はバリウムの単体アルカリ
土類金属で構成される。この電極の電子放出は、この欠
陥機構に基づいている。活性化処理は十分に過剰な量の
単体アルカリ土類金属を供給し、電子放出コーティング
層中の酸化物が意図した熱容量でできるだけ多くの放出
電流を供給するように作用する。
【０００５】これら電極の機能及びランプの寿命に関し
て、単体アルカリ土類金属が常時一定量利用できること
が重要である。この理由は、ランプのサービス寿命中に
電極コーティング層がアルカリ土類金属を連続して喪失
するからであり、その喪失は、一部として電極コーティ
ング層がゆっくり蒸発すると云う事実に起因し、その一
部は電極コーティング層がランプのイオン電流によりス
パッタオフされると云う事実に起因している。
て、単体アルカリ土類金属が常時一定量利用できること
が重要である。この理由は、ランプのサービス寿命中に
電極コーティング層がアルカリ土類金属を連続して喪失
するからであり、その喪失は、一部として電極コーティ
ング層がゆっくり蒸発すると云う事実に起因し、その一
部は電極コーティング層がランプのイオン電流によりス
パッタオフされると云う事実に起因している。
【０００６】単体アルカリ土類金属は、初めランプの動
作中タングステンワイヤにおけるアルカリ土類酸化物の
還元により連続的に供給される。一方、この供給は、適
当な時間の経過によりタングステン酸化物、アルカリ土
類シリケート又はアルカリ土類タングステンの高インピ
ダンス界面によりタングステンワイヤが不動化すると停
止してしまう。
作中タングステンワイヤにおけるアルカリ土類酸化物の
還元により連続的に供給される。一方、この供給は、適
当な時間の経過によりタングステン酸化物、アルカリ土
類シリケート又はアルカリ土類タングステンの高インピ
ダンス界面によりタングステンワイヤが不動化すると停
止してしまう。
【０００７】バリウム酸化物の蛍光灯の単体バリウムへ
の還元を改善するため、ドイツ国特許出願ＤＥ４４１５
７４８号から、電子放出物質が、アルカリ土類カーボネ
ートと酸化ジルコニウムとの混合物に加えて、タンタリ
ウム、ニオジウム、タングステン及びモリブデンから構
成されるグループの少なくとも１個の金属から選択した
高融点還元金属粉末を３〜１５重量％含み、電子放出物
質が白熱ワイヤの多段コイルの２個の端子巻回部を含む
コイルの巻回コア全体を満たすように分布させることが
知られている。
の還元を改善するため、ドイツ国特許出願ＤＥ４４１５
７４８号から、電子放出物質が、アルカリ土類カーボネ
ートと酸化ジルコニウムとの混合物に加えて、タンタリ
ウム、ニオジウム、タングステン及びモリブデンから構
成されるグループの少なくとも１個の金属から選択した
高融点還元金属粉末を３〜１５重量％含み、電子放出物
質が白熱ワイヤの多段コイルの２個の端子巻回部を含む
コイルの巻回コア全体を満たすように分布させることが
知られている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、電極支
持体ワイヤと同様に、タンタリウム、ニオジウム、タン
グステン及びモリブデンの金属粉末は、時間が経過する
にしたがってタングステン酸化物、アルカリ土類シリケ
ート又はアルカリ土類タングステート又は対応するニオ
ジウム、タンタリウム又はモリブデンの化合物の不動化
界面により包囲されてしまう。
持体ワイヤと同様に、タンタリウム、ニオジウム、タン
グステン及びモリブデンの金属粉末は、時間が経過する
にしたがってタングステン酸化物、アルカリ土類シリケ
ート又はアルカリ土類タングステート又は対応するニオ
ジウム、タンタリウム又はモリブデンの化合物の不動化
界面により包囲されてしまう。
【０００９】本発明の目的は、保証寿命が延長されると
共に放出電流が改善されたガス放電灯を提供することに
ある。
共に放出電流が改善されたガス放電灯を提供することに
ある。
【００１０】
【課題を解決する手段】本発明においては、上記目的
は、電極金属の支持体と、電子放出材料の第１の電極コ
ーティング層とを含む電極を具え、前記電子放出材料
が、アルミニウム、シリコン、チタニウム、ジルコニウ
ム、ハフニウム、タンタリウム、モリブデン、タングス
テン及びこれらの合金により形成されるグループから選
択した還元金属の粉末の金属粉末調整品を含み、前記金
属粉末の調整品に、レニウム、コバルト、ニッケル、ル
テニウム、プラジウム、ロジウム、イリジウム、プラチ
ニウム及びこれらの合金により形成されるグループから
選択した貴金属を含む粉末のコーティング層が形成さ
れ、前記電子放出材料が、カルシウム酸化物、ストロン
チウム酸化物、バリウム酸化物により形成されるグルー
プから選択した少なくとも１つのアルカリ土類金属酸化
物を含むガス放電灯により達成される。
は、電極金属の支持体と、電子放出材料の第１の電極コ
ーティング層とを含む電極を具え、前記電子放出材料
が、アルミニウム、シリコン、チタニウム、ジルコニウ
ム、ハフニウム、タンタリウム、モリブデン、タングス
テン及びこれらの合金により形成されるグループから選
択した還元金属の粉末の金属粉末調整品を含み、前記金
属粉末の調整品に、レニウム、コバルト、ニッケル、ル
テニウム、プラジウム、ロジウム、イリジウム、プラチ
ニウム及びこれらの合金により形成されるグループから
選択した貴金属を含む粉末のコーティング層が形成さ
れ、前記電子放出材料が、カルシウム酸化物、ストロン
チウム酸化物、バリウム酸化物により形成されるグルー
プから選択した少なくとも１つのアルカリ土類金属酸化
物を含むガス放電灯により達成される。
【００１１】このような電極を具えるガス放電灯は長期
間にわたって均一な電子放出を行うことができる。この
理由は、貴金属を含む金属粉末上の粉末コーティング層
が、放電灯の製造工程の活性化処理中アルカリ土類酸化
物と還元金属との間で反応を妨げるように作用するから
である。還元金属だけが貴金属の粉末コーティング層を
経て拡散し、これによりガス放電灯の作動中アルカリ土
類酸化物が単体のアルカリ土類金属に還元される。アル
カリ土類材料が連続して供給される結果として、電子放
出材料の消耗が抑制され、ランプの作動中全体において
十分な量の金属アルカリ土類の供給が確実に行われる。
放出電流は等方的で且つ均一であり、ガス放電灯の保証
寿命が延長されることになる。
間にわたって均一な電子放出を行うことができる。この
理由は、貴金属を含む金属粉末上の粉末コーティング層
が、放電灯の製造工程の活性化処理中アルカリ土類酸化
物と還元金属との間で反応を妨げるように作用するから
である。還元金属だけが貴金属の粉末コーティング層を
経て拡散し、これによりガス放電灯の作動中アルカリ土
類酸化物が単体のアルカリ土類金属に還元される。アル
カリ土類材料が連続して供給される結果として、電子放
出材料の消耗が抑制され、ランプの作動中全体において
十分な量の金属アルカリ土類の供給が確実に行われる。
放出電流は等方的で且つ均一であり、ガス放電灯の保証
寿命が延長されることになる。
【００１２】これらのガス放電灯で用いられる電極は耐
毒化性も有する。これらの電極は再現可能な方法で製造
できるので、製造工程中で廃棄される割合は小さい。
毒化性も有する。これらの電極は再現可能な方法で製造
できるので、製造工程中で廃棄される割合は小さい。
【００１３】ガス放電灯の好適実施例として、支持体と
第１の電極コーティング層との間に、レニウム、コバル
ト、ニッケル、ルテニウム、プラジウム、ロジウム、イ
リジウム、プラチニウム及びこれらの合金により形成さ
れるグループから選択した貴金属の第２のコーティング
層を存在させる。このようなガス放電灯は点灯時間が短
く、放電灯内に収納される電極は小さい仕事関数を有
し、導電性も改善される。
第１の電極コーティング層との間に、レニウム、コバル
ト、ニッケル、ルテニウム、プラジウム、ロジウム、イ
リジウム、プラチニウム及びこれらの合金により形成さ
れるグループから選択した貴金属の第２のコーティング
層を存在させる。このようなガス放電灯は点灯時間が短
く、放電灯内に収納される電極は小さい仕事関数を有
し、導電性も改善される。
【００１４】粉末の調整品は、イリジウムの粉末コーテ
ィング層が形成されているタングステン−イリジウム合
金の粉末で造ることが好適である。
ィング層が形成されているタングステン−イリジウム合
金の粉末で造ることが好適である。
【００１５】電子放出材料が酸化ジルコニウムを含むこ
とも好適である。
とも好適である。
【００１６】本発明の別の好適実施例において、金属粉
末の調整品は、２．０≦ｄ≦３．０μｍの範囲の平均粒
子径ｄを有する。
末の調整品は、２．０≦ｄ≦３．０μｍの範囲の平均粒
子径ｄを有する。
【００１７】本発明のこれらの及び他の概念を後述する
実施例に基づいて説明する。
実施例に基づいて説明する。
【００１８】
【発明の実施の形態】ガス放電灯は低圧ランプと高圧ラ
ンプとに分けることができる。これらのランプは放電を
安定化させる方法において相違する。図１は、水銀の充
填剤を有する低圧放電灯、すなわち蛍光灯を一例として
示す。このガス放電灯はロッド状、リング状又はＵ字状
のガラス管１を具える。このガラス管の端部に電極２が
存在する。接続のためにデュアル−ピンキャップ３を用
いる。ガラス管の内側面に蛍光層４を設け、この蛍光層
の化学組成により光のスペクトル又はクロミナンスを決
定する。アルゴンの不活性ガスを充填する場合とは異な
り、このガラス管は少量の水銀又は水銀の蒸気を含み、
動作条件のもとで意図した輝度の場合紫外域の２５３．
７ｎｍの波長のＨｇ共鳴線を放出する。放出されたＵＶ
放射は蛍光層の蛍光体を励起し、これにより可視域の光
５を放出する。
ンプとに分けることができる。これらのランプは放電を
安定化させる方法において相違する。図１は、水銀の充
填剤を有する低圧放電灯、すなわち蛍光灯を一例として
示す。このガス放電灯はロッド状、リング状又はＵ字状
のガラス管１を具える。このガラス管の端部に電極２が
存在する。接続のためにデュアル−ピンキャップ３を用
いる。ガラス管の内側面に蛍光層４を設け、この蛍光層
の化学組成により光のスペクトル又はクロミナンスを決
定する。アルゴンの不活性ガスを充填する場合とは異な
り、このガラス管は少量の水銀又は水銀の蒸気を含み、
動作条件のもとで意図した輝度の場合紫外域の２５３．
７ｎｍの波長のＨｇ共鳴線を放出する。放出されたＵＶ
放射は蛍光層の蛍光体を励起し、これにより可視域の光
５を放出する。
【００１９】当該ランプは、例えば蛍光灯の安定器及び
スタータのような点灯及び動作手段も具える。
スタータのような点灯及び動作手段も具える。
【００２０】ガス放電灯は、電極金属の支持体及び電子
放出金属の第１の電極コーティングを含む電子放出電極
を具える。
放出金属の第１の電極コーティングを含む電子放出電極
を具える。
【００２１】電極金属の支持体は通常タングステン又は
タングスンテン合金で作られ、取り得る場合にはモリブ
デンのコア、モリブデンニォビウム、タンタル及びこれ
らの合金を含む。或いは、支持体は、ニッケル、プラチ
ナ、シリコン、マグネシウム、アルミニウム又はこれら
の合金で構成することができる。支持体は、ワイヤ、コ
イル、波状のワイヤ、管、リング、プレート又はテープ
の形態とすることができる。支持体は通常電流により直
接加熱される。
タングスンテン合金で作られ、取り得る場合にはモリブ
デンのコア、モリブデンニォビウム、タンタル及びこれ
らの合金を含む。或いは、支持体は、ニッケル、プラチ
ナ、シリコン、マグネシウム、アルミニウム又はこれら
の合金で構成することができる。支持体は、ワイヤ、コ
イル、波状のワイヤ、管、リング、プレート又はテープ
の形態とすることができる。支持体は通常電流により直
接加熱される。
【００２２】電極金属の支持体には、レニウム、コバル
ト、ルテニウム、パラジウム、ロジウム、イリジウムに
より構成されるグループから選択した貴金属のコーティ
ングを形成することができる。好ましくは、このコーテ
ィングは０．１〜２μｍの厚さのイリジウム又はレニウ
ムの層とする。
ト、ルテニウム、パラジウム、ロジウム、イリジウムに
より構成されるグループから選択した貴金属のコーティ
ングを形成することができる。好ましくは、このコーテ
ィングは０．１〜２μｍの厚さのイリジウム又はレニウ
ムの層とする。
【００２３】この支持体に電子放出金属としての露出金
属（raw metal ）を被着する。露出金属を用意するた
め、カルシウム、ストロンチウム及びバリウムのアルカ
リ土金属のカーボネートを粉砕し、必要な場合には互い
に混合し、ジロコニウム金属粉末と混合する。カルシウ
ムカーボネート：ストロンチウムカーボネート：バリウ
ムカーボネート：ジルコニウムの重量比は、典型的には
２５．２：３１．５：４０．３：３とする。さらに、ア
ルミニウム、シリコン、チタニウム、ハフニウム、タン
タリウム、モリブデン、タングステン、及びこれらの合
金により形成されるグループの金属の金属粉末には、レ
ニウム、ロジウム、プラジウム及びプラチニウムにより
構成されるグループの金属であってレニウム、ニッケ
ル、コバルト、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、又
はプラチニウムの貴金属の粉末有する金属が形成され
る。好ましくは、０．１〜０．２μｍの厚さの粉末コー
ティングが形成され２〜３μｍの平均粒径の金属粉末を
用いる。
属（raw metal ）を被着する。露出金属を用意するた
め、カルシウム、ストロンチウム及びバリウムのアルカ
リ土金属のカーボネートを粉砕し、必要な場合には互い
に混合し、ジロコニウム金属粉末と混合する。カルシウ
ムカーボネート：ストロンチウムカーボネート：バリウ
ムカーボネート：ジルコニウムの重量比は、典型的には
２５．２：３１．５：４０．３：３とする。さらに、ア
ルミニウム、シリコン、チタニウム、ハフニウム、タン
タリウム、モリブデン、タングステン、及びこれらの合
金により形成されるグループの金属の金属粉末には、レ
ニウム、ロジウム、プラジウム及びプラチニウムにより
構成されるグループの金属であってレニウム、ニッケ
ル、コバルト、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、又
はプラチニウムの貴金属の粉末有する金属が形成され
る。好ましくは、０．１〜０．２μｍの厚さの粉末コー
ティングが形成され２〜３μｍの平均粒径の金属粉末を
用いる。
【００２４】粉末コーティング法の場合、流動床ＣＶＤ
のようなＣＶＤ法を用いることができる。このコーティ
ングされた金属粉末を露出金属に付加する。
のようなＣＶＤ法を用いることができる。このコーティ
ングされた金属粉末を露出金属に付加する。
【００２５】露出金属は付加的にバインダと混合するこ
とができる。その後、ブラッシング、ディップコーティ
ング、永動堆積又はスプレイ法により露出金属を支持体
に被着する。
とができる。その後、ブラッシング、ディップコーティ
ング、永動堆積又はスプレイ法により露出金属を支持体
に被着する。
【００２６】コーティングされた電極は、ランプの端部
において密封する。電極はランプを真空にし充填する期
間中に形成する。電極ワイヤは、直接通電により１００
０〜１２００°Ｃの範囲の温度に加熱する。この温度に
おいて、アルカリ土類カーボネートはＣＯ及びＣＯ2 を
放出しながらアルカリ土類酸化物に変成され、多孔質の
焼結体を形成する。この電極の「バーンオフ」処理の
後、活性化処理を実行する。この活性化処理は、酸化物
中に過剰なアルカリ土類金属を供給するように作用す
る。この過剰なアルカリ土類金属は、アルカリ土類金属
酸化物を還元することにより形成される。実際の還元活
性化処理において、アルカリ土類金属酸化物は、放出さ
れるＣＯにより又は支持体金属により還元される。さら
に、通電活性化は、高温電気分解処理により得られる自
由アルカリ土類金属により達成される。
において密封する。電極はランプを真空にし充填する期
間中に形成する。電極ワイヤは、直接通電により１００
０〜１２００°Ｃの範囲の温度に加熱する。この温度に
おいて、アルカリ土類カーボネートはＣＯ及びＣＯ2 を
放出しながらアルカリ土類酸化物に変成され、多孔質の
焼結体を形成する。この電極の「バーンオフ」処理の
後、活性化処理を実行する。この活性化処理は、酸化物
中に過剰なアルカリ土類金属を供給するように作用す
る。この過剰なアルカリ土類金属は、アルカリ土類金属
酸化物を還元することにより形成される。実際の還元活
性化処理において、アルカリ土類金属酸化物は、放出さ
れるＣＯにより又は支持体金属により還元される。さら
に、通電活性化は、高温電気分解処理により得られる自
由アルカリ土類金属により達成される。
【００２７】最終的に形成される電子放出材料は、好ま
しいことに２〜２０重量％の金属粉末直接品を含むこと
ができる。ジルコニウム酸化物の含有量は０〜１０重量
％とすることができる。
しいことに２〜２０重量％の金属粉末直接品を含むこと
ができる。ジルコニウム酸化物の含有量は０〜１０重量
％とすることができる。
【００２８】実施例１ 三重コイルのタングステンワイヤに、１μｍの層厚でレ
ニウム層をコートする。電子放出材料をコーティングす
るため、３μｍの平均粒子径を有するタングステン粉末
に、流動床ＣＶＤ処理により０．１μｍの厚さのレニウ
ム層をコートする。カルシウムカーボネート、ストロン
チウムカーボネート及びバリウムカーボネートから構成
され１：１．２５：１．６の重量比のトリップルカーボ
ネートに、３重量％のジルコニウムの金属粉末、１０重
量％のレニウムがコートされたタングステン粉末、及び
セルロースナイトレートと酢酸ビニルとのバインダ調整
品を混合する。この電子放出材料をレニウムがコートさ
れたタングステンワイヤにブラシにより被着し、その後
このワイヤを管球内に導入し、１０００°Ｃに加熱す
る。当該電極が焼成されると、アルカリ土類金属のカー
ボネートはその酸化物に変成され、ジルコニウム金属粉
末はジルコニウム酸化物に変成される。このバーンイン
処理の後直ちに、還元活性化又は通電活性化により活性
化処理を実行する。このランプは短い点灯時間を有し、
そのエミッタ電極は１．４２ｅＶの低い仕事関数を有
し、導電率は２倍だけ改善された。
ニウム層をコートする。電子放出材料をコーティングす
るため、３μｍの平均粒子径を有するタングステン粉末
に、流動床ＣＶＤ処理により０．１μｍの厚さのレニウ
ム層をコートする。カルシウムカーボネート、ストロン
チウムカーボネート及びバリウムカーボネートから構成
され１：１．２５：１．６の重量比のトリップルカーボ
ネートに、３重量％のジルコニウムの金属粉末、１０重
量％のレニウムがコートされたタングステン粉末、及び
セルロースナイトレートと酢酸ビニルとのバインダ調整
品を混合する。この電子放出材料をレニウムがコートさ
れたタングステンワイヤにブラシにより被着し、その後
このワイヤを管球内に導入し、１０００°Ｃに加熱す
る。当該電極が焼成されると、アルカリ土類金属のカー
ボネートはその酸化物に変成され、ジルコニウム金属粉
末はジルコニウム酸化物に変成される。このバーンイン
処理の後直ちに、還元活性化又は通電活性化により活性
化処理を実行する。このランプは短い点灯時間を有し、
そのエミッタ電極は１．４２ｅＶの低い仕事関数を有
し、導電率は２倍だけ改善された。
【００２９】実施例２ 三重コイルのタングステンワイヤに、１μｍの層厚でレ
ニウム層をコートする。電子放出材料をコーティングす
るため、３μｍの平均粒子径を有するタングステン粉末
に、流動床ＣＶＤ処理により０．１μｍの厚さのレニウ
ム層をコートする。カルシウムカーボネート、ストロン
チウムカーボネート及びバリウムカーボネートから構成
され１：１．２５：１．６の重量比のトリップルカーボ
ネートに、３重量％のジルコニウムの金属粉末、１０重
量％のレニウムがコートされたタングステン粉末、及び
セルロースナイトレートと酢酸ビニルとのバインダ調整
品を混合する。この電子放出材料をレニウムがコートさ
れたタングステンワイヤにブラシにより被着し、その後
このワイヤを管球内に導入し、１０００°Ｃに加熱す
る。当該電極が焼成されると、アルカリ土類金属のカー
ボネートはその酸化物に変成され、ジルコニウム金属粉
末はジルコニウム酸化物に変成される。
ニウム層をコートする。電子放出材料をコーティングす
るため、３μｍの平均粒子径を有するタングステン粉末
に、流動床ＣＶＤ処理により０．１μｍの厚さのレニウ
ム層をコートする。カルシウムカーボネート、ストロン
チウムカーボネート及びバリウムカーボネートから構成
され１：１．２５：１．６の重量比のトリップルカーボ
ネートに、３重量％のジルコニウムの金属粉末、１０重
量％のレニウムがコートされたタングステン粉末、及び
セルロースナイトレートと酢酸ビニルとのバインダ調整
品を混合する。この電子放出材料をレニウムがコートさ
れたタングステンワイヤにブラシにより被着し、その後
このワイヤを管球内に導入し、１０００°Ｃに加熱す
る。当該電極が焼成されると、アルカリ土類金属のカー
ボネートはその酸化物に変成され、ジルコニウム金属粉
末はジルコニウム酸化物に変成される。
【００３０】このランプは短い点灯時間を有し、そのエ
ミッタ電極は１．４２ｅＶの低い仕事関数を有し、導電
率は２倍だけ改善された。
ミッタ電極は１．４２ｅＶの低い仕事関数を有し、導電
率は２倍だけ改善された。
【００３１】本発明は蛍光灯について説明したが、本発
明の範囲はこの形式のガス放電灯に限定されず、本発明
は例えば他の低圧ガス放電灯にも適用することができ
る。
明の範囲はこの形式のガス放電灯に限定されず、本発明
は例えば他の低圧ガス放電灯にも適用することができ
る。
【図１】 本発明によるガス放電灯の一例の構成を示す
線図である。
線図である。
１ ガラス管 ２ 電極 ３ キャップ ４ 蛍光層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 590000248 Ｇｒｏｅｎｅｗｏｕｄｓｅｗｅｇ １, 5621 ＢＡ Ｅｉｎｄｈｏｖｅｎ， Ｔｈ ｅ Ｎｅｔｈｅｒｌａｎｄｓ (72)発明者 ウィレム ヤコブス ファン デン フー ク オランダ国 5656 アーアー アインドー フェン プロフ ホルストラーン ６
Claims (5)
- 【請求項１】 電極金属の支持体と、電子放出材料の第
１の電極コーティング層とを含む電極を具え、前記電子
放出材料が、アルミニウム、シリコン、チタニウム、ジ
ルコニウム、ハフニウム、タンタリウム、モリブデン、
タングステン及びこれらの合金により形成されるグルー
プから選択した還元金属の粉末の金属粉末調整品を含
み、前記金属粉末の調整品に、レニウム、コバルト、ニ
ッケル、ルテニウム、プラジウム、ロジウム、イリジウ
ム、プラチニウム及びこれらの合金により形成されるグ
ループから選択した貴金属を含む粉末のコーティング層
が形成され、前記電子放出材料が、カルシウム酸化物、
ストロンチウム酸化物、バリウム酸化物により形成され
るグループから選択した少なくとも１つのアルカリ土類
金属酸化物を含むガス放電灯。 - 【請求項２】 前記支持体と第１の電極コーティング層
との間に、レニウム、コバルト、ニッケル、ルテニウ
ム、プラジウム、ロジウム、イリジウム、プラチニウム
及びこれらの合金により形成されるグループから選択し
た貴金属の第２のコーティング層が存在することを特徴
とする請求項１に記載のガス放電灯。 - 【請求項３】 前記金属粉末の調整品が、タングステン
−イリジウム合金の粉末及びイリジウムの粉末コーティ
ング層から作られていることを特徴とする請求項１に記
載のガス放電灯。 - 【請求項４】 前記金属粉末の調整品が、２．０≦ｄ≦
３．０μｍの範囲の平均粒子径ｄを有することを特徴と
する請求項１に記載のガス放電灯。 - 【請求項５】 前記電子放出材料が、ジルコニウム酸化
物を付加的に含むことを特徴とする請求項１に記載のガ
ス放電灯。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
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| DE19956322A DE19956322A1 (de) | 1999-11-23 | 1999-11-23 | Gasentladungslampe mit Oxidemitter-Elektrode |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000355169A Pending JP2001155679A (ja) | 1999-11-23 | 2000-11-22 | ガス放電灯 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6674240B1 (ja) |
| EP (1) | EP1104005B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001155679A (ja) |
| DE (2) | DE19956322A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005538525A (ja) * | 2002-09-12 | 2005-12-15 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | ＢａＴｉＯ３と同類の電子エミッタ物質を具備する低圧ガス放電ランプ |
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|---|---|---|---|---|
| CN101297452A (zh) * | 2005-09-14 | 2008-10-29 | 力特保险丝有限公司 | 充气式电涌放电器、激活化合物、点火条及相应方法 |
| US7633226B2 (en) * | 2005-11-30 | 2009-12-15 | General Electric Company | Electrode materials for electric lamps and methods of manufacture thereof |
| JP2008060056A (ja) * | 2006-08-04 | 2008-03-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 冷陰極蛍光ランプ用電極 |
| US20100301746A1 (en) * | 2007-05-10 | 2010-12-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Gas discharge lamp with a gas filling comprising chalcogen |
| DE102013215056A1 (de) * | 2013-07-31 | 2015-02-19 | Osram Gmbh | Niederdruckentladungslampe mit Entladungsgefäß und Elektrode |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5574052A (en) * | 1978-11-29 | 1980-06-04 | Toshiba Corp | Gas discharge lamp |
| DE4415748C2 (de) * | 1994-05-04 | 1998-08-13 | Matsushita Electric Works Ltd | Elektrode für eine Leuchtstofflampe |
| DE69507283T2 (de) * | 1994-11-08 | 1999-07-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V., Eindhoven | Niederdruckentladundslampe |
| US5847498A (en) * | 1994-12-23 | 1998-12-08 | Philips Electronics North America Corporation | Multiple layer composite electrodes for discharge lamps |
| JP2876591B2 (ja) * | 1996-11-29 | 1999-03-31 | 三菱電機株式会社 | 電子管用陰極 |
| DE69912937T2 (de) * | 1998-03-20 | 2004-09-02 | Hamamatsu Photonics K.K., Hamamatsu | Entladungsröhre zur Verwendung als Lichtquelle |
-
1999
- 1999-11-23 DE DE19956322A patent/DE19956322A1/de not_active Withdrawn
-
2000
- 2000-11-14 DE DE50013884T patent/DE50013884D1/de not_active Expired - Fee Related
- 2000-11-14 EP EP00204015A patent/EP1104005B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-11-20 US US09/716,875 patent/US6674240B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-11-22 JP JP2000355169A patent/JP2001155679A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005538525A (ja) * | 2002-09-12 | 2005-12-15 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | ＢａＴｉＯ３と同類の電子エミッタ物質を具備する低圧ガス放電ランプ |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE50013884D1 (de) | 2007-02-01 |
| EP1104005A1 (de) | 2001-05-30 |
| US6674240B1 (en) | 2004-01-06 |
| EP1104005B1 (de) | 2006-12-20 |
| DE19956322A1 (de) | 2001-05-31 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20070413 |
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| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20070413 |