JP2001153931A - Semiconductor testing circuit and testing device - Google Patents

Semiconductor testing circuit and testing device

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JP2001153931A
JP2001153931A JP33734099A JP33734099A JP2001153931A JP 2001153931 A JP2001153931 A JP 2001153931A JP 33734099 A JP33734099 A JP 33734099A JP 33734099 A JP33734099 A JP 33734099A JP 2001153931 A JP2001153931 A JP 2001153931A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a circuit for testing the operation of switching gain control signals, which controls the gain of each amplifier, in a semiconductor integrated circuit provided with a plurality of gain-controllable amplifiers, and to shorten the test time. SOLUTION: A semiconductor integrated circuit 1 provided with a plurality of gain-controllable amplifiers AMP1-AMPm to amplify and output inputted signals and a logic circuit part CLB to output gain control signals GSEL1- GSELm for controlling the gains of the plurality of amplifiers AMP1-AMPm is provided with switches SW1-SWm for selecting and extracting the outputs of the amplifiers AMP1-AMPm, a comparator CMP to compare the output of one amplifier extracted by each of the switches SW1-SWm with each output level of another amplifier, and an output holding means (D-type flip-flop) D-FF to hold and output the output of the compactor CMP to a test output terminal OUT0. By collating the output of the comparator CMP with expected-value data 11, it is possible to test whether the operation of switching gain control signals to each amplifier is normal or anomalous.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体テスト回路に
関し、特にデジタル信号でゲイン(利得)を可変制御で
きる複数のアンプを備える半導体集積回路について、各
アンプの動作を試験するための半導体テスト回路と、当
該半導体テスト回路でのテストを行うためのテスト装置
に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor test circuit, and more particularly, to a semiconductor test circuit for testing the operation of each amplifier in a semiconductor integrated circuit having a plurality of amplifiers whose gain can be variably controlled by digital signals. And a test apparatus for performing a test in the semiconductor test circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】複数のアンプを一体に有する半導体集積
回路では、各アンプのゲインをデジタル信号で可変制御
する構成が取られることがある。このような半導体集積
回路では、個々のアンプに対してそれぞれ正しいデジタ
ル信号が入力され、かつ入力されたデジタル信号に対応
したゲインで動作しているか否かを試験するためのテス
トが要求される。このようなテスト方法として、従来で
は図7に示すテスト方法が用いられている。図7におい
て、1はテスト対象となる半導体集積回路であり、それ
ぞれ入力端子IN1〜INmから入力される信号を増幅
して出力端子OUT1〜OUTmから出力する複数個の
アンプAMP1〜AMPmと、外部からの信号によって
前記各アンプAMP1〜AMPmにそれぞれNビットの
デジタル信号からなるゲイン制御信号GSEL1〜GS
ELmを出力するロジック回路部CLBとが内蔵されて
おり、各アンプAMP1〜AMPmはそれぞれ入力され
るゲイン制御信号GSEL1〜GSELmのデジタル値
に対応したゲインに設定されるようになっている。
2. Description of the Related Art In a semiconductor integrated circuit integrally including a plurality of amplifiers, a configuration may be adopted in which the gain of each amplifier is variably controlled by a digital signal. In such a semiconductor integrated circuit, a test is required to test whether a correct digital signal is input to each amplifier and whether the amplifier is operating with a gain corresponding to the input digital signal. Conventionally, a test method shown in FIG. 7 is used as such a test method. In FIG. 7, reference numeral 1 denotes a semiconductor integrated circuit to be tested, which includes a plurality of amplifiers AMP1 to AMPm for amplifying signals input from input terminals IN1 to INm and outputting the amplified signals from output terminals OUT1 to OUTm. AMP1 to AMPm, the gain control signals GSEL1 to GS each comprising an N-bit digital signal.
A logic circuit section CLB that outputs ELm is built in, and each of the amplifiers AMP1 to AMPm is set to have a gain corresponding to the digital value of the gain control signal GSEL1 to GSELm that is input.

【0003】このような半導体集積回路においては、ア
ンプ自体の異常が発生することは少ないが、各アンプに
ゲイン制御信号GSEL1〜GSELmを出力するロジ
ック回路部CLBにおいて異常が発生し、ゲイン制御信
号GSEL1〜GSELmを正しく出力せずに、各アン
プでのゲイン切り換えに異常が生じることをテストする
要求が高められている。このようなテストに際しては、
テスト対象となるアンプAMPx(xは1〜m)の入力
端子INxに所定の電圧VTを入力するとともに、当該
アンプAMPxの出力端子OUTxの電圧VDを測定す
るようにLSIテスタ10を接続した上で、ロジック回
路部CLBからは予め設定したゲインに対応するゲイン
制御信号GSELxを当該アンプAMPxに入力し、前
記入力端子INxと出力端子OUTxの電圧に基づいて
当該アンプAMPxのゲインが設定したゲインになって
いるかどうかをテストする。そして、このテストを、ゲ
イン設定を切り換えて複数回行い、ゲイン切り換え動作
が正常かどうかをテストしている。
In such a semiconductor integrated circuit, although the abnormality of the amplifier itself rarely occurs, an abnormality occurs in the logic circuit section CLB which outputs the gain control signals GSEL1 to GSELm to each amplifier, and the gain control signal GSEL1 There is an increasing demand for testing whether an error occurs in gain switching in each amplifier without correctly outputting .about.GSELm. For such tests,
A predetermined voltage VT is input to an input terminal INx of an amplifier AMPx (x is 1 to m) to be tested, and an LSI tester 10 is connected so as to measure a voltage VD of an output terminal OUTx of the amplifier AMPx. Then, a gain control signal GSELx corresponding to a preset gain is input from the logic circuit unit CLB to the amplifier AMPx, and the gain of the amplifier AMPx becomes the set gain based on the voltages of the input terminal INx and the output terminal OUTx. Test if you have. Then, this test is performed a plurality of times by switching the gain setting to test whether the gain switching operation is normal.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、このようなテ
スト方法では、テスト対象となるアンプAMPxのそれ
ぞれの入力端子と出力端子にLSIテスタの入力電圧源
や電圧計を接続し、あるいは切り離すための作業が必要
であり、テストに付帯する作業が煩雑なものになるとい
う問題がある。また、テストに際しては、複数のアンプ
AMPxのそれぞれに対してデジタル信号によりゲイン
を切り換えながら、入力端子INxと出力端子OUTx
の各電圧を個々に測定した上で個々のアンプのゲインを
演算し、これを設定したゲインと比較してアンプの良否
を判定する工程が必要とされるために、個々のアンプに
対するテスト工程数が多くなり、半導体集積回路に内蔵
されているアンプ数が多い場合には当該半導体集積回路
に対するテスト工程数が甚大となり、テスト時間の長大
化を招くことになる。
However, in such a test method, an input voltage source or a voltmeter of an LSI tester is connected to or disconnected from each input terminal and output terminal of the amplifier AMPx to be tested. Work is required, and there is a problem that work accompanying the test becomes complicated. In the test, the gain is switched by a digital signal for each of the plurality of amplifiers AMPx, and the input terminal INx and the output terminal OUTx are switched.
Is required to calculate each amplifier's voltage individually, calculate the gain of each amplifier, and compare this with the set gain to judge the quality of the amplifier. When the number of amplifiers built in the semiconductor integrated circuit is large, the number of test steps for the semiconductor integrated circuit becomes enormous, and the test time is lengthened.

【0005】本発明の主な目的は、ゲイン切り換えのテ
ストに際しての付帯作業を簡略化するとともに、個々の
アンプに要求とされるテスト時間を短縮し、半導体集積
回路に対するテスト時間の短縮化を図ることが可能な半
導体テスト回路とテスト装置を提供するものである。
A main object of the present invention is to simplify the additional work in the gain switching test, shorten the test time required for each amplifier, and shorten the test time for a semiconductor integrated circuit. The present invention provides a semiconductor test circuit and a test apparatus that can perform the test.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明の半導体テスト回
路は、入力される信号を増幅して出力するゲインが可変
な複数のアンプと、前記複数のアンプのゲインを制御す
るためのゲイン制御信号を出力するロジック回路部とを
備える半導体集積回路において、前記各アンプの出力側
に設けられ、前記各アンプの出力を選択して取り出すた
めのスイッチと、前記複数のアンプから前記スイッチに
より取り出した1つのアンプの出力と他の1つのアンプ
の出力の各レベルを比較するコンパレータと、前記コン
パレータの出力を保持して前記半導体集積回路に設けら
れたテスト出力端子に出力する出力保持手段とを備える
ことを特徴とする。
A semiconductor test circuit according to the present invention comprises a plurality of amplifiers having variable gains for amplifying and outputting an input signal, and a gain control signal for controlling the gains of the plurality of amplifiers. And a logic circuit section for outputting the output of each of the amplifiers, and a switch for selecting and extracting the output of each of the amplifiers, A comparator for comparing each level of an output of one amplifier with an output of another amplifier; and output holding means for holding an output of the comparator and outputting the output to a test output terminal provided in the semiconductor integrated circuit. It is characterized by.

【0007】また、本発明の他の半導体テスト回路は、
入力される信号を増幅して出力するゲインが可変な複数
のアンプと、前記複数のアンプのゲインを制御するため
のゲイン制御信号を出力するロジック回路部とを備える
半導体集積回路において、前記各アンプの出力側に設け
られ、前記各アンプの出力を選択して取り出すためのス
イッチと、前記複数のアンプから前記スイッチにより取
り出した1つのアンプの出力と他の1つのアンプの出力
の各レベルを比較するコンパレータと、前記コンパレー
タの出力と、前記ロジック回路部から出力される期待値
信号との排他的論理和をとる排他的論理和ゲートと、前
記排他的論理和ゲートの出力を保持する出力保持手段
と、前記出力保持手段の出力をセット入力とし前記ロジ
ック回路部からのリセット信号をリセット入力とするラ
ッチ手段とを備えることを特徴とする。
Further, another semiconductor test circuit of the present invention comprises:
A semiconductor integrated circuit comprising: a plurality of amplifiers each having a variable gain for amplifying and outputting an input signal; and a logic circuit unit for outputting a gain control signal for controlling the gain of the plurality of amplifiers. And a switch for selecting and extracting the output of each of the amplifiers, and comparing the levels of the output of one amplifier extracted from the plurality of amplifiers with the switches and the output of the other amplifier. A comparator, an exclusive OR gate for performing an exclusive OR of an output of the comparator, and an expected value signal output from the logic circuit unit, and an output holding unit for holding an output of the exclusive OR gate And a latch unit that uses the output of the output holding unit as a set input and a reset signal from the logic circuit unit as a reset input. And wherein the door.

【0008】ここで、前記ロジック回路部は、前記1つ
のアンプと、前記他の1つのアンプをそれぞれ異なるゲ
インに制御するためのゲイン制御信号を前記1つのアン
プと前記他の1つのアンプのそれぞれに出力する構成と
する。また、前記コンパレータの前記1つのアンプの出
力の入力端と、前記他の1つのアンプの出力の入力端の
それぞれに前記両入力端でのレベルに差をもたせるため
のオフセット調整回路を接続した構成とする。
Here, the logic circuit section may control a gain control signal for controlling the one amplifier and the other amplifier to have different gains, respectively, by the one amplifier and the other one amplifier. Output. Also, an offset adjustment circuit for providing a difference in level between the two input terminals to each of the input terminal of the output of the one amplifier of the comparator and the input terminal of the output of the other one amplifier is connected. And

【0009】さらに、本発明のテスト装置は、前記本発
明の半導体テスト回路に設けられている複数のアンプに
対して同一レベルの入力信号を入力する手段と、前記テ
スト出力端子の出力を期待値データと比較する手段とを
備え、前記ロジック回路部に対して前記期待値データに
対応するゲイン制御信号を出力させることを特徴とす
る。また、本発明の他のテスト装置は、前記本発明の半
導体テスト回路に設けられている複数のアンプに対して
同一レベルの入力信号を入力する手段と、前記テスト出
力端子の出力レベルを検出する手段とを備え、前記ロジ
ック回路部に対して前記期待値信号に対応するゲイン制
御信号を出力させ、かつ、テストの開始時にHighレ
ベルに変化する前記リセット信号を出力させることを特
徴とする。
Further, the test apparatus of the present invention comprises: means for inputting an input signal of the same level to a plurality of amplifiers provided in the semiconductor test circuit of the present invention; Means for comparing the expected value data with the logic circuit unit. According to another embodiment of the present invention, there is provided a test apparatus for inputting the same level input signal to a plurality of amplifiers provided in the semiconductor test circuit of the present invention, and detecting an output level of the test output terminal. Means for outputting a gain control signal corresponding to the expected value signal to the logic circuit section, and outputting the reset signal which changes to a high level at the start of a test.

【0010】本発明によれば、複数のアンプのうち、1
つのアンプと、他の1つのアンプに対してそれぞれ異な
るゲインとなるゲイン制御信号を入力し、かつこれらア
ンプの出力をコンパレータで比較した上で、その比較結
果を期待されたデータと照合することで、各アンプに対
するゲイン制御信号の切り換え動作が正常であるか、異
常であるかをテストすることが可能になる。あるいは、
コンバレータの比較結果によりラッチ手段をセットする
構成とし、ラッチ手段の出力を確認することで、各アン
プに対するゲイン制御信号の切り換え動作が正常である
か、異常であるかをテストすることが可能になる。
According to the present invention, one of a plurality of amplifiers
By inputting gain control signals with different gains to one amplifier and another amplifier, comparing the outputs of these amplifiers with a comparator, and comparing the comparison result with expected data. This makes it possible to test whether the switching operation of the gain control signal for each amplifier is normal or abnormal. Or,
By setting the latch means based on the comparison result of the converter and confirming the output of the latch means, it is possible to test whether the switching operation of the gain control signal for each amplifier is normal or abnormal. .

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図1は本発明の第1の実施形態の半
導体テスト回路のブロック図である。半導体集積回路1
は、複数のアンプAMP1〜AMPmを内蔵しており、
各アンプAMP1〜AMPmはそれぞれ入力端子IN1
〜INmに入力される電圧VTを増幅して出力端子OU
T1〜OUTmに出力するように構成されている。ま
た、前記各アンプAMP1〜AMPmは、詳細な説明は
省略するが、アンプに設けられた受動素子、例えば可変
抵抗器の抵抗値を調整することでそのゲインが可変制御
可能に構成されている。また、前記半導体集積回路1に
は、前記各アンプAMP1〜AMPmのゲインを制御す
るためのNビット(Nは任意の数)のゲイン制御信号G
SEL1〜GSELmを生成するロジック回路部CLB
を有している。このロジック回路部CLBは、外部から
入力される信号により前記各アンプAMP1〜AMPm
に対するゲインが設定され、その設定されたゲインに対
応するデジタル値のゲイン制御信号GSEL1〜GSE
Lmをそれぞれ各アンプAMP1〜AMPmに対して出
力する。なお、前記アンプAMP1〜AMPm及びロジ
ック回路部CLBの構成は、従来の回路構成と同様であ
る。
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram of a semiconductor test circuit according to the first embodiment of the present invention. Semiconductor integrated circuit 1
Has a plurality of amplifiers AMP1 to AMPm,
Each of the amplifiers AMP1 to AMPm has an input terminal IN1.
To INm to amplify the voltage VT inputted to the output terminal OU
It is configured to output to T1 to OUTm. Although the detailed description of each of the amplifiers AMP1 to AMPm is omitted, the gain of the amplifier AMP1 to AMPm can be variably controlled by adjusting the resistance value of a passive element provided in the amplifier, for example, a variable resistor. The semiconductor integrated circuit 1 has an N-bit (N is an arbitrary number) gain control signal G for controlling the gain of each of the amplifiers AMP1 to AMPm.
Logic circuit section CLB that generates SEL1 to GSELm
have. The logic circuit unit CLB is configured to receive the signals from the amplifiers AMP1 to AMPm in response to an externally input signal.
, And gain control signals GSEL1 to GSE1 of digital values corresponding to the set gain.
Lm is output to each of the amplifiers AMP1 to AMPm. The configurations of the amplifiers AMP1 to AMPm and the logic circuit unit CLB are the same as the conventional circuit configuration.

【0012】さらに、前記半導体集積回路1には、前記
各アンプAMP1〜AMPmの出力端子OUT1〜OU
Tmにつながる出力端にそれぞれスイッチSW1〜SW
mの各一端が接続されている。また、前記各スイッチS
W1〜SWmは、任意な組み合わせで、例えばこの実施
形態では、奇数番目のアンプAMP1,AMPm−1,
…の各スイッチSW1,SWm−1,…の他端を相互に
接続し、その接続端をコンパレータCMPの正入力端子
に接続している。また、偶数番目のアンプAMP2,A
MPm,…の各スイッチSW2,SWm,…の他端を相
互に接続し、その接続端をコンパレータCMPの負入力
端子に接続している。また、前記スイッチSW1〜SW
mは前記ロジック回路部CLBで作成される図外の制御
信号によりON,OFF制御されるように構成されてお
り、前記スイッチSW1〜SWmは、通常動作時はOF
Fされており、テスト時に隣合う奇数番目と偶数番目の
各スイッチSW1とSW2,…,SWm−1とSWmが
それぞれ対をなして同時にONするように制御される。
Further, the semiconductor integrated circuit 1 has output terminals OUT1 to OUT of the amplifiers AMP1 to AMPm.
Switches SW1 to SW at output terminals connected to Tm, respectively.
m is connected to one end. Further, each of the switches S
W1 to SWm are arbitrary combinations, for example, in this embodiment, odd-numbered amplifiers AMP1, AMPm-1,
The other ends of the switches SW1, SWm-1,... Are connected to each other, and the connection end is connected to the positive input terminal of the comparator CMP. Also, the even-numbered amplifiers AMP2, A
The other ends of the switches SW2, SWm,... Of MPm,... Are connected to each other, and the connection ends thereof are connected to the negative input terminal of the comparator CMP. The switches SW1 to SW
m is configured to be turned on and off by a control signal (not shown) generated by the logic circuit unit CLB. The switches SW1 to SWm are turned off during normal operation.
.., And SWm-1 and SWm, which are adjacent to each other, are turned on at the same time in a test.

【0013】前記コンパレータCMPでは、前記スイッ
チSW1〜SWmで選択された奇数番目と偶数番目の2
つのアンプの出力電位が比較され、コンパレータCMP
の正入力が負入力よりも高い電位になった場合、コンパ
レータCMPの出力はHighレベルとなり、コンパレ
ータCMPの正入力が、負入力よりも低い電位になった
場合、コンパレータCMPの出力はLowレベルとな
る。また、コンパレータCMPの正入力、負入力のそれ
ぞれにオフセット調整回路OS1,OS2が接続されて
いる。これは、テストを行っている2つのアンプのゲイ
ン制御信号GSEL1またはGSEL2が故障して、等
しい信号となった場合、2つのアンプの出力は等しい電
位となり、コンパレータCMPの正入力と負入力が等し
い電位となるが、この場合にも確実に故障を検出できる
様にするためである。このオフセット調整回路OS1,
OS2は、ロジック回路部CLBで作成される信号で制
御される。さらに、前記コンパレータCMPの出力が入
力されるD型フリップフロップD−FFが設けられてお
り、当該D型フリップフロップD−FFのクロック入力
には前記ロジック回路部CLBで作られる信号が接続さ
れる。また、前記D型フリップフロップD−FFの出力
は、前記半導体集積回路1に設けられたTEST出力端
子OUT0に接続されている。
In the comparator CMP, the odd-numbered and even-numbered two selected by the switches SW1 to SWm are used.
The output potentials of the two amplifiers are compared, and the comparator CMP
When the positive input of the comparator CMP has a higher potential than the negative input, the output of the comparator CMP has a high level. When the positive input of the comparator CMP has a lower potential than the negative input, the output of the comparator CMP has a low level. Become. Further, offset adjustment circuits OS1 and OS2 are connected to the positive input and the negative input of the comparator CMP, respectively. This is because if the gain control signals GSEL1 or GSEL2 of the two amplifiers under test fail and become equal, the outputs of the two amplifiers have the same potential, and the positive and negative inputs of the comparator CMP are equal. The potential is set, but in this case as well, it is to ensure that a failure can be detected. This offset adjustment circuit OS1,
OS2 is controlled by a signal generated by the logic circuit unit CLB. Further, a D-type flip-flop D-FF to which an output of the comparator CMP is input is provided, and a clock input of the D-type flip-flop D-FF is connected to a signal generated by the logic circuit unit CLB. . The output of the D-type flip-flop D-FF is connected to a TEST output terminal OUT0 provided in the semiconductor integrated circuit 1.

【0014】次に、図1の半導体テスト回路におけるテ
スト動作を図2のタイミング図を用いて説明する。図2
のタイミング図は、ロジック回路部CLBからのゲイン
制御信号GSEL1とGSEL2が3bitで、アンプ
AMP1とアンプAMP2についてテストしている場合
のものある。このとき、ロジック回路部CLBからの制
御信号によりスイッチSW1,SW2がONされてお
り、アンプAMP1の出力がコンパレータCMPの正入
力に接続され、アンプAMP2の出力がコンパレータC
MPの負入力に接続されるように設定されている。ま
た、各アンプの入力端子IN1,IN2には、それぞれ
LSIテスタ10から基準となる電圧VREFよりも低
い所定の電位でかつそれぞれ同電位の電圧VTが、LS
Iテスタ10から入力されている。さらに、前記半導体
集積回路1のTEST出力端子OUT0には、前記LS
Iテスタ10内に設けられて、当該TEST出力端子O
UT0から出力される電圧の経時変化データを、予め設
定した電圧の経時変化パターンからなる期待値データ1
1と照合し、両者が一致したときに正常(PASS)信
号を、一致しないときに異常(FAIL)信号を出力す
る照合回路12が接続されている。
Next, a test operation in the semiconductor test circuit of FIG. 1 will be described with reference to a timing chart of FIG. FIG.
In the timing chart of FIG. 7, the gain control signals GSEL1 and GSEL2 from the logic circuit unit CLB are 3 bits, and the amplifiers AMP1 and AMP2 are tested. At this time, the switches SW1 and SW2 are turned on by the control signal from the logic circuit unit CLB, the output of the amplifier AMP1 is connected to the positive input of the comparator CMP, and the output of the amplifier AMP2 is
It is set to be connected to the negative input of MP. The input terminals IN1 and IN2 of the amplifiers respectively receive a predetermined voltage lower than the reference voltage VREF from the LSI tester 10 and the same voltage VT as LS.
It is input from the I tester 10. Further, the TEST output terminal OUT0 of the semiconductor integrated circuit 1 has the LS
I tester 10 is provided in the TEST output terminal O
The time-dependent change data of the voltage output from UT0 is converted into expected value data 1 which is a predetermined time-dependent change pattern of the voltage.
A collation circuit 12 is connected to collate with a 1 and output a normal (PASS) signal when the two coincide with each other, and output an abnormal (FAIL) signal when they do not coincide with each other.

【0015】以上の設定を行った上で、まず、ロジック
回路部CLBでは予め設定されているゲインの経時変化
パターンに基づいてゲイン制御信号GSEL1,GSE
L2を各アンプAMP1,AMP2に入力する。ここで
は、GSEL1=「001」とGSEL2=「000」
に設定している。したがって、アンプAMP1,AMP
2が正常な場合には、アンプAMP1のゲインがアンプ
AMP2のゲインよりも高くなっており、アンプAMP
1の出力はアンプAMP2の出力より電位が高くなる。
つまり、コンパレータCMPの正入力が負入力よりも電
位が高くなり、コンパレータCMPの出力はHighレ
ベル出力となる。このコンパレータCMPの出力をD型
フリップフロップD−FFでラッチして半導体集積回路
1のTEST出力端子OUT0に出力しているため、T
EST出力端子OUT0にはHighレベルが出力され
る。
After the above settings are made, first, the logic circuit section CLB controls the gain control signals GSEL1 and GSE1 based on a predetermined gain change pattern with time.
L2 is input to each of the amplifiers AMP1 and AMP2. Here, GSEL1 = “001” and GSEL2 = “000”
Is set to Therefore, the amplifiers AMP1 and AMP
2 is normal, the gain of the amplifier AMP1 is higher than the gain of the amplifier AMP2.
1 has a higher potential than the output of the amplifier AMP2.
That is, the potential of the positive input of the comparator CMP becomes higher than that of the negative input, and the output of the comparator CMP becomes a High level output. Since the output of the comparator CMP is latched by the D-type flip-flop D-FF and output to the TEST output terminal OUT0 of the semiconductor integrated circuit 1, T
A high level is output to the EST output terminal OUT0.

【0016】次に、ゲイン制御信号GSEL1,GSE
L2を切り換えて、GSEL1=「010」とGSEL
2=「001」に設定を行う。このときも、各アンプA
MP1,AMP2が正常な場合には、アンプAMP1の
出力はアンプAMP2の出力より電位が高くなり、TE
ST出力端子OUT0にはHighレベルが出力され
る。次に、GSEL1=「100」とGSEL2=「0
11」を設定するが、同様に、TEST出力端子にはH
ighレベルが出力される。
Next, gain control signals GSEL1, GSE
By switching L2, GSEL1 = "010" and GSEL
2 = “001” is set. At this time, each amplifier A
When MP1 and AMP2 are normal, the output of the amplifier AMP1 has a higher potential than the output of the amplifier AMP2, and TE
A high level is output to the ST output terminal OUT0. Next, GSEL1 = “100” and GSEL2 = “0”
11 ", and similarly, the TEST output terminal
The high level is output.

【0017】次に、GSEL1=「000」とGSEL
2=「001」を設定する。このとき、アンプAMP
1,AMP2が正常な場合には、アンプAMP1のゲイ
ンがアンプAMP2のゲインより低くなっており、アン
プAMP1の出力はアンプAMP2の出力より電位が低
くなる。つまり、コンパレータCMPの正入力が負入力
よりも電位が低くなり、コンパレータCMPの出力はL
owレベル出力となり、TEST出力端子にはLowレ
ベルが出力される。同様に、GSEL1=「001」と
GSEL2=「010」、また、GSEL1=「01
1」とGSEL2=「100」の設定とするが、いずれ
もTEST出力端子にLowレベルが出力される。
Next, GSEL1 = “000” and GSEL1
2 = “001” is set. At this time, the amplifier AMP
1, when AMP2 is normal, the gain of the amplifier AMP1 is lower than the gain of the amplifier AMP2, and the output of the amplifier AMP1 has a lower potential than the output of the amplifier AMP2. That is, the potential of the positive input of the comparator CMP becomes lower than that of the negative input, and the output of the comparator CMP becomes L
The output becomes the low level, and the low level is output to the TEST output terminal. Similarly, GSEL1 = “001” and GSEL2 = “010”, and GSEL1 = “01”
1 ”and GSEL2 =“ 100 ”are set, and both output a low level to the TEST output terminal.

【0018】そして、前記TEST出力端子OUT0か
らの経時的に変化される出力をLSIテスタ10の照合
回路12において、前記ゲイン制御信号に対応して予め
設定されている期待値データ11と照合することによっ
て各アンプの出力の正常、または異常を検出することが
可能になる。図2のタイミング図では、TEST出力端
子OUT0の出力が期待値データ11と照合された場合
を示しており、このことからゲイン制御信号が正しく動
作していることが確認される。
Then, the output that changes with time from the TEST output terminal OUT0 is compared with expected value data 11 set in advance in the matching circuit 12 of the LSI tester 10 in accordance with the gain control signal. This makes it possible to detect the normal or abnormal output of each amplifier. The timing chart of FIG. 2 shows a case where the output of the TEST output terminal OUT0 is collated with the expected value data 11, which confirms that the gain control signal is operating correctly.

【0019】一方、TEST出力端子OUT0の出力レ
ベルが前記したHigh,Lowの各レベルとは異なる
レベルとして出力されたときには、アンプAMP1,A
MP2のいずれかのゲインがゲイン制御信号に対応した
ゲインにはならなくなる。図3はその一例であり、アン
プAMP1とアンプAMP2に対するゲイン制御信号に
異常が生じた場合を示している。ここでは、GSEL1
の最上位ビット(3ビット目)が「1」に故障した場合
である。この場合、アンプAMP1,AMP2の出力電
位は、同図のようになり、GSEL1=「000」とG
SEL2=「001」、GSEL1=「001」とGS
EL2=「010」、GSEL1=「011」とGSE
L2=「100」を設定しているところで、TEST出
力端子OUT0の出力がHighレベルとならなければ
いけないところが、Lowレベルの出力となっている。
このため、前記TEST出力端子OUT0の経時的に変
化される出力をLSIテスタ10の照合回路12におい
て、前記ゲイン制御信号に対応して予め設定されている
期待値データ11と照合すると、図3のタイミング図で
は、TEST出力端子OUT0の出力が期待値データ1
1と照合されておらず、ゲイン制御信号が異常であるこ
とが検出される。
On the other hand, when the output level of the TEST output terminal OUT0 is output as a level different from each of the above-mentioned High and Low levels, the amplifiers AMP1 and A2 are output.
Any one of the gains of MP2 does not become the gain corresponding to the gain control signal. FIG. 3 is an example of such a case, and shows a case where an abnormality has occurred in the gain control signals for the amplifiers AMP1 and AMP2. Here, GSEL1
Is the case where the most significant bit (third bit) has failed to “1”. In this case, the output potentials of the amplifiers AMP1 and AMP2 are as shown in FIG.
SEL2 = “001”, GSEL1 = “001” and GS
EL2 = “010”, GSEL1 = “011” and GSE
Where L2 = “100” is set, where the output of the TEST output terminal OUT0 must be at the high level, the output is at the low level.
For this reason, when the output that changes over time of the TEST output terminal OUT0 is compared with the expected value data 11 set in advance in the matching circuit 12 of the LSI tester 10 corresponding to the gain control signal, FIG. In the timing chart, the output of the TEST output terminal OUT0 is the expected value data 1
It is not collated with 1, and it is detected that the gain control signal is abnormal.

【0020】なお、コンパレータCMPの正入力と負入
力には、それぞれオフセット調整回路OS1,OS2が
接続されている。このオフセット調整回路OS1,OS
2は、ゲイン制御信号GSEL1>GSEL2の場合、
つまり、コンパレータCMPの正入力側が負入力側より
高くなる場合には、負入力側のオフセット調整回路OS
2へのロジック回路部CLBからの制御信号をHigh
レベルとし、コンパレータCMPの負入力の電位が上が
るようにする。ただし、このオフセットのレベルは、ア
ンプAMP1,AMP2の出力に発生する最小の電位差
以下のレベルでなければならない。このようにコンパレ
ータCMPの入力にオフセットレベルをつけることによ
り、故障が生じて、GSEL1=GSEL2となり、ア
ンプAMP1,AMP2の出力が等しくなった場合で
も、コンパレータCMPの正入力よりも負入力の電位が
高くなり、コンパレータCMPの出力はLowレベルと
なり、期待値と異なることになり、異常であることが検
出される。同様に、GSEL1<GSEL2の場合、つ
まり、コンパレータCMPの正入力側が負入力側より低
くなる場合には、正入力側のオフセット調整回路OS1
へのロジック回路部CLBからの制御信号をHighレ
ベルとし、コンパレータCMPの正入力の電位が上がる
ように設定を行う。この場合でも、故障によりGSEL
1=GSEL2となり、アンプAMP1,AMP2の出
力が等しくなった場合でも、コンパレータCMPの負入
力よりも正入力の電位が高くなり、コンパレータCMP
の出力はHighレベルとなり、期待値と異なることに
なり、異常であることが検出される。
The offset adjustment circuits OS1 and OS2 are connected to the positive and negative inputs of the comparator CMP, respectively. The offset adjustment circuits OS1, OS
2 is the case where the gain control signal GSEL1> GSEL2,
In other words, when the positive input side of the comparator CMP is higher than the negative input side, the offset adjustment circuit OS on the negative input side
2 from the logic circuit unit CLB to High
Level so that the potential of the negative input of the comparator CMP rises. However, the level of this offset must be lower than the minimum potential difference generated at the outputs of the amplifiers AMP1 and AMP2. By giving an offset level to the input of the comparator CMP in this way, even if a failure occurs and GSEL1 = GSEL2 and the outputs of the amplifiers AMP1 and AMP2 become equal, the potential of the negative input of the comparator CMP is higher than that of the positive input of the comparator CMP. As a result, the output of the comparator CMP becomes Low level, which differs from the expected value, and it is detected that the output is abnormal. Similarly, when GSEL1 <GSEL2, that is, when the positive input side of the comparator CMP is lower than the negative input side, the offset adjustment circuit OS1 on the positive input side
The control signal from the logic circuit unit CLB to the high level is set to a high level, and setting is performed so that the potential of the positive input of the comparator CMP increases. Even in this case, GSEL
1 = GSEL2, and even when the outputs of the amplifiers AMP1 and AMP2 become equal, the potential of the positive input becomes higher than the negative input of the comparator CMP, and the comparator CMP
Becomes high level, which is different from the expected value, and it is detected that the output is abnormal.

【0021】図4は、GSEL1とGSEL2が3bi
tの場合に、各bitが「0」または「1」に故障した
場合のTEST出力端子の出力のレベルH(Hig
h)、L(Low)を示しているが、このことから、ゲ
イン制御信号のいずれのbitが故障してもTEST出
力端子の出力が正常品と比べて異なった出力となり、ゲ
イン制御信号の切り換え動作が異常であることが検出で
きる。なお、ゲイン制御信号が4bit以上の場合にお
いても同様である。
FIG. 4 shows that GSEL1 and GSEL2 are 3 bi
In the case of t, when each bit fails to “0” or “1”, the output level H (Hig
h) and L (Low), which indicates that even if any bit of the gain control signal fails, the output of the TEST output terminal becomes different from that of a normal product, and the gain control signal is switched. It can be detected that the operation is abnormal. The same applies to the case where the gain control signal is 4 bits or more.

【0022】また、前記実施形態では、アンプAMP1
とアンプAMP2について説明したが、その他のアンプ
についてもアンプの対を構成し、当該対を構成した2つ
のアンプについて前記と同様のテストを行うことによ
り、ロジック回路部CLBでのゲイン制御信号のゲイン
切り換え動作の正常、異常をテストすることが可能とな
る。
In the above embodiment, the amplifier AMP1
And the amplifier AMP2, the other amplifiers constitute a pair of amplifiers, and a test similar to the above is performed on the two amplifiers constituting the pair to obtain the gain of the gain control signal in the logic circuit unit CLB. It is possible to test whether the switching operation is normal or abnormal.

【0023】図5は本発明の第2の実施形態の半導体テ
スト回路のブロック図であり、TEST出力端子の出力
についてさらに改善した例を示している。ここで、第1
の実施形態の図1の構成と同一部分には同一符号を付し
てある。この実施形態では、コンパレータCMPとD型
フリップフロップD−FFとの間に排他的論理和ゲート
XORが介挿されており、前記コンパレータCMPの出
力が前記排他的論理和ゲートXORの一方の入力に接続
されている。また、前記排他的論理和ゲートXORのも
う一方の入力には、ロジック回路部CLBで作られる期
待値信号が接続される。さらに、前記D型フリップフロ
ップD−FFの出力にはセット・リセットフリップフロ
ップで構成されるSRラッチ回路SR−Lのセット入力
が接続されており、このSRラッチ回路SR−Lのリセ
ット入力には前記ロジック回路部CLBからのリセット
信号が入力される。このリセット信号は、テスト開始時
に、LowからHighに変化する信号である。
FIG. 5 is a block diagram of a semiconductor test circuit according to the second embodiment of the present invention, showing an example in which the output of the TEST output terminal is further improved. Here, the first
The same parts as those in the configuration of FIG. In this embodiment, an exclusive OR gate XOR is interposed between the comparator CMP and the D-type flip-flop D-FF, and the output of the comparator CMP is connected to one input of the exclusive OR gate XOR. It is connected. The other input of the exclusive OR gate XOR is connected to an expected value signal generated by the logic circuit unit CLB. Further, the output of the D-type flip-flop D-FF is connected to the set input of an SR latch circuit SR-L composed of a set / reset flip-flop, and the reset input of this SR latch circuit SR-L is A reset signal is input from the logic circuit unit CLB. This reset signal changes from low to high at the start of the test.

【0024】この第2の実施形態では、第1の実施形態
と同様にアンプAMP1〜AMPmのテストを行うこと
で、コンパレータCMPからは同様な出力が出力され
る。そして、この出力は排他的論理和ゲートXORにお
いてロジック回路部CLBからの期待値信号との排他的
論理和がとられる。ここで、この期待値信号とコンパレ
ータCMPの出力が等しい場合、つまり正常動作が行わ
れている場合は、排他的論理和ゲートXORの出力はL
owレベルとなるが、期待値信号とコンパレータCMP
の出力が異なる場合、つまり異常の場合には、排他的論
理和ゲートXORの出力はHighレベルとなる。さら
に、前記排他的論理和ゲートXORの出力はD型フリッ
プフロップD−FFで保持された上で、SRラッチ回路
SR−Lのセット入力へ接続される。また、SRラッチ
回路SR−Lのリセット入力はロジック回路部CLBか
らのリセット信号が入力される。このリセット信号は、
前記したようにテスト開始時にLowからHighとな
る信号であるため、良品の場合には、D型フリップフロ
ップD−FFの出力はHighレベルにはならないため
に、SRラッチ回路SR−Lの出力は、Lowのままで
ある。一方、異常の場合には、コンパレータCMPの出
力とロジック回路部CLBで作られる期待値信号が異な
るところが出るため、D型フリップフロップD−FFの
出力がHighとなり、以降はこの出力が保持される。
In the second embodiment, the same output is output from the comparator CMP by testing the amplifiers AMP1 to AMPm as in the first embodiment. This output is exclusive-ORed with the expected value signal from the logic circuit unit CLB in the exclusive-OR gate XOR. Here, when the expected value signal is equal to the output of the comparator CMP, that is, when the normal operation is performed, the output of the exclusive OR gate XOR becomes L
low level, but the expected value signal and the comparator CMP
Are different from each other, that is, when the output is abnormal, the output of the exclusive OR gate XOR becomes High level. Further, the output of the exclusive OR gate XOR is held by a D-type flip-flop D-FF, and then connected to the set input of the SR latch circuit SR-L. A reset signal from the logic circuit unit CLB is input to the reset input of the SR latch circuit SR-L. This reset signal
As described above, since the signal changes from low to high at the start of the test, the output of the D-type flip-flop D-FF does not go to high level in the case of a good product. , Low. On the other hand, in the case of an abnormality, the output of the comparator CMP and the expected value signal generated by the logic circuit unit CLB are different from each other, so that the output of the D-type flip-flop D-FF becomes High, and this output is maintained thereafter. .

【0025】したがって、第1の実施形態で説明したよ
うに、ゲイン制御信号GSELの組み合わせを経時的に
変化させながらテストを行い、最後にSRラッチ回路S
R−Lの出力、つまりTEST出力端子OUT0の出力
の電位VDを測定して、当該出力がLowであるかHi
ghであるかを確認するだけで、ゲイン切り換え動作が
全て正常であるか、一部に異常が生じていたかを検出す
ることができる。
Therefore, as described in the first embodiment, a test is performed while changing the combination of the gain control signals GSEL with time, and finally the SR latch circuit S
The potential VD of the output of the RL, that is, the output of the TEST output terminal OUT0 is measured to determine whether the output is Low or Hi.
It is possible to detect whether all the gain switching operations are normal or whether some of the gain switching operations are abnormal only by checking whether the gain switching operation is gh.

【0026】[0026]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体集
積回路に設けられてゲイン制御される複数のアンプのう
ち、1つのアンプと、他の1つのアンプに対してそれぞ
れ異なるゲインとなるゲイン制御信号を入力し、かつこ
れらアンプの出力をコンパレータで比較した上で、その
比較結果を期待されたデータと照合することで、各アン
プに対するゲイン制御信号の切り換え動作が正常である
か、異常であるかをテストすることが可能になる。ある
いは、コンバレータの比較結果によりラッチ手段をセッ
トする構成とし、ラッチ手段の出力を確認することで、
各アンプに対するゲイン制御信号の切り換え動作が正常
であるか、異常であるかをテストすることが可能にな
る。これにより、本発明では、アンプのゲイン切り換え
動作をロジックファンクションテストとしてテストでき
るため、テスト工程を簡略化でき、テスト時間の短縮化
をはかることができる。
As described above, according to the present invention, among a plurality of amplifiers provided in a semiconductor integrated circuit and controlled in gain, gains different from each other for one amplifier and another amplifier are provided. By inputting control signals, comparing the outputs of these amplifiers with comparators, and comparing the comparison results with expected data, the switching operation of the gain control signal for each amplifier is normal or abnormal. It will be possible to test if there is. Alternatively, by setting the latch means according to the comparison result of the converter, and confirming the output of the latch means,
It is possible to test whether the switching operation of the gain control signal for each amplifier is normal or abnormal. Thus, according to the present invention, since the gain switching operation of the amplifier can be tested as a logic function test, the test process can be simplified and the test time can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態の半導体テスト回路の
ブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram of a semiconductor test circuit according to a first embodiment of the present invention.

【図2】第1の実施形態におけるゲイン制御信号の切り
換え動作が正常な場合のタイミング図である。
FIG. 2 is a timing chart when a switching operation of a gain control signal according to the first embodiment is normal.

【図3】第1の実施形態におけるゲイン制御信号の切り
換え動作が異常な場合のタイミング図である。
FIG. 3 is a timing chart when the switching operation of the gain control signal is abnormal in the first embodiment.

【図4】各ビットにおいて故障が生じた場合の出力の値
を示す図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating output values when a failure occurs in each bit.

【図5】本発明の第2の実施形態の半導体テスト回路の
ブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram of a semiconductor test circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図6】第2の実施形態におけるゲイン制御信号の切り
換え動作が正常な場合のタイミング図である。
FIG. 6 is a timing chart in a case where a gain control signal switching operation in the second embodiment is normal.

【図7】従来の半導体テスト回路の一例のブロック図で
ある。
FIG. 7 is a block diagram of an example of a conventional semiconductor test circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体集積回路 10 LSIテスタ 11 期待値データ 12 照合回路 AMP1〜AMPm アンプ IN1〜INm 入力端子 OUT0 TEST出力端子 OUT1〜OUTm 出力端子 CLB ロジック回路部 SW1〜SWm スイッチ CMP コンパレータ D−FF D型フリップフロップ XOR 排他的論理和ゲート GSEL1〜GSELm ゲイン制御信号 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor integrated circuit 10 LSI tester 11 Expected value data 12 Collation circuit AMP1-AMPm Amplifier IN1-INm Input terminal OUT0 TEST output terminal OUT1-OUTm Output terminal CLB Logic circuit part SW1-SWm Switch CMP Comparator D-FF D-type flip-flop XOR Exclusive OR gate GSEL1 to GSELm Gain control signal

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 入力される信号を増幅して出力するゲイ
ンが可変な複数のアンプと、前記複数のアンプのゲイン
を制御するためのゲイン制御信号を出力するロジック回
路部とを備える半導体集積回路において、前記各アンプ
の出力側に設けられ、前記各アンプの出力を選択して取
り出すためのスイッチと、前記複数のアンプから前記ス
イッチにより取り出した1つのアンプの出力と他の1つ
のアンプの出力の各レベルを比較するコンパレータと、
前記コンパレータの出力を保持して前記半導体集積回路
に設けられたテスト出力端子に出力する出力保持手段と
を備えることを特徴とする半導体テスト回路。
1. A semiconductor integrated circuit comprising: a plurality of amplifiers having variable gains for amplifying and outputting input signals; and a logic circuit unit for outputting a gain control signal for controlling gains of the plurality of amplifiers. A switch provided on the output side of each of the amplifiers for selecting and extracting the output of each of the amplifiers; an output of one of the amplifiers extracted from the plurality of amplifiers by the switch and an output of another of the amplifiers A comparator for comparing each level of
A semiconductor test circuit comprising: output holding means for holding an output of the comparator and outputting the output to a test output terminal provided in the semiconductor integrated circuit.
【請求項2】 入力される信号を増幅して出力するゲイ
ンが可変な複数のアンプと、前記複数のアンプのゲイン
を制御するためのゲイン制御信号を出力するロジック回
路部とを備える半導体集積回路において、前記各アンプ
の出力側に設けられ、前記各アンプの出力を選択して取
り出すためのスイッチと、前記複数のアンプから前記ス
イッチにより取り出した1つのアンプの出力と他の1つ
のアンプの出力の各レベルを比較するコンパレータと、
前記コンパレータの出力と、前記ロジック回路部から出
力される期待値信号との排他的論理和をとる排他的論理
和ゲートと、前記排他的論理和ゲートの出力を保持する
出力保持手段と、前記出力保持手段の出力をセット入力
とし前記ロジック回路部からのリセット信号をリセット
入力とするラッチ手段とを備えることを特徴とする半導
体テスト回路。
2. A semiconductor integrated circuit comprising: a plurality of variable gain amplifiers for amplifying and outputting an input signal; and a logic circuit unit for outputting a gain control signal for controlling the gain of the plurality of amplifiers. A switch provided on the output side of each of the amplifiers for selecting and extracting the output of each of the amplifiers; an output of one of the amplifiers extracted from the plurality of amplifiers by the switch and an output of another of the amplifiers A comparator for comparing each level of
An exclusive-OR gate that takes an exclusive-OR of an output of the comparator and an expected value signal output from the logic circuit unit; an output holding unit that holds an output of the exclusive-OR gate; A latch circuit for setting the output of the holding unit as a set input and setting a reset signal from the logic circuit unit as a reset input.
【請求項3】 前記ロジック回路部は、前記1つのアン
プと、前記他の1つのアンプをそれぞれ異なるゲインに
制御するためのゲイン制御信号を前記1つのアンプと前
記他の1つのアンプのそれぞれに出力することを特徴と
する請求項1または2に記載の半導体テスト回路。
3. The logic circuit section includes a gain control signal for controlling the one amplifier and the another amplifier to have different gains, respectively, for each of the one amplifier and the other one amplifier. The semiconductor test circuit according to claim 1, wherein the semiconductor test circuit outputs a signal.
【請求項4】 前記コンパレータの前記1つのアンプの
出力の入力端と、前記他の1つのアンプの出力の入力端
のそれぞれに前記両入力端でのレベルに差をもたせるた
めのオフセット調整回路を接続したことを特徴とする請
求項1ないし3のいずれかに記載の半導体テスト回路。
4. An offset adjusting circuit for providing a difference between the level of the input terminal of the one amplifier and the level of the input terminal of the other amplifier to the input terminal of the output of the one amplifier. 4. The semiconductor test circuit according to claim 1, wherein the semiconductor test circuit is connected.
【請求項5】 請求項1,3,4のいずれかに記載の半
導体テスト回路をテストするための装置であって、前記
複数のアンプに対して同一レベルの入力信号を入力する
手段と、前記テスト出力端子の出力を期待値データと比
較する手段とを備え、前記ロジック回路部に対して前記
期待値データに対応するゲイン制御信号を出力させるこ
とを特徴とする半導体テスト回路のテスト装置。
5. An apparatus for testing the semiconductor test circuit according to claim 1, wherein said means for inputting an input signal of the same level to said plurality of amplifiers is provided. Means for comparing the output of a test output terminal with expected value data, and causing the logic circuit unit to output a gain control signal corresponding to the expected value data.
【請求項6】 請求項2,3,4のいずれかに記載の半
導体テスト回路をテストするための装置であって、前記
複数のアンプに対して同一レベルの入力信号を入力する
手段と、前記テスト出力端子の出力レベルを検出する手
段とを備え、前記ロジック回路部に対して前記期待値信
号に対応するゲイン制御信号を出力させ、かつ、テスト
の開始時にHighレベルに変化する前記リセット信号
を出力させることを特徴とする半導体テスト回路のテス
ト装置。
6. An apparatus for testing a semiconductor test circuit according to claim 2, wherein said means for inputting an input signal of the same level to said plurality of amplifiers, Means for detecting the output level of a test output terminal, causing the logic circuit unit to output a gain control signal corresponding to the expected value signal, and the reset signal changing to a high level at the start of a test. A test device for a semiconductor test circuit, characterized by outputting.
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