JP2001151837A - Insulating resin composition and method of manufacturing multilayer printed circuit board by using the same - Google Patents

Insulating resin composition and method of manufacturing multilayer printed circuit board by using the same

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JP2001151837A
JP2001151837A JP33993099A JP33993099A JP2001151837A JP 2001151837 A JP2001151837 A JP 2001151837A JP 33993099 A JP33993099 A JP 33993099A JP 33993099 A JP33993099 A JP 33993099A JP 2001151837 A JP2001151837 A JP 2001151837A
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resin composition
insulating
circuit board
insulating resin
printed circuit
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Japanese (ja)
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Shin Takanezawa
伸 高根沢
Shuichi Hatakeyama
修一 畠山
Masaki Morita
正樹 森田
Takako Watanabe
貴子 渡邉
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Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a insulating resin composition having high insulation reliability, excellent in sustainability of adhesive strength to plated copper at a high temperature and humidity, and to provide a method of manufacturing a multilayer printed circuit board by using the same. SOLUTION: This insulating resin composition comprises an epoxy resin which is modified with an acid anhydride and a heat-curing agent which generates a Lewis acid when heated. The method of manufacturing the multilayer printed circuit board comprises forming an insulating layer on an internal layer circuit board equipped with an internal layer circuit by using the insulating resin composition, laminating a photomask for masking an area excluding spots which will become via holes, exposing to light, and removing the unexposed resin composition on the spots with a developing solution to form the multilayer printed circuit board.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁材料組成物及
び多層配線板の製造方法に関するものである。
The present invention relates to an insulating material composition and a method for producing a multilayer wiring board.

【0002】[0002]

【従来の技術】通常の多層配線板は、内層回路を形成し
た絶縁基板上に、プリプレグと呼ばれるガラス布にエポ
キシ樹脂を含浸し、半硬化状態にした材料を銅箔と重ね
て熱プレスにより積層一体化した後、ドリルで層間接続
用のスルーホールと呼ばれる穴をあけ、スルーホール内
壁と銅箔表面上に無電解めっきを行って、必要ならば更
に電解めっきを行って回路導体として必要な厚さとした
後、不要な銅を除去して多層配線板を製造する。ところ
で、近年、電子機器の小型化、軽量化、多機能化が一段
と進み、これに伴い、LSIやチップ部品等の高集積化
が進みその形態も多ピン化、小型化へと急速に変化して
いる。この為、多層配線板は、電子部品の実装密度を向
上するために、微細配線化の開発が進められている。し
かしながら、配線幅の縮小には技術的に限界があり、現
在量産可能な配線幅は75〜100μmである。この
為、単に配線幅を縮小するだけでは大幅な配線密度の向
上が達成しにくい。また、配線密度向上の隘路となって
いるのが、直径300μm前後の面積を占めるスルーホ
ールである。このスルーホールは、一般的にメカニカル
ドリルで形成されるために比較的に寸法が大きく、この
為配線設計の自由度が乏しくなる。これらの問題を解決
するものとして、感光性を付与した絶縁樹脂を回路形成
した絶縁基板上に形成し、フォトプロセスにより絶縁樹
脂に微少なバイアホールを形成して層間接続する方法
が、特公平4−55555号公報や特開昭63−126
296号公報に開示されている。
2. Description of the Related Art A general multilayer wiring board is formed by impregnating a glass cloth called a prepreg with an epoxy resin on an insulating substrate on which an inner layer circuit is formed, laminating a semi-cured material with a copper foil and laminating by hot pressing. After integration, a hole called a through hole for interlayer connection is drilled, electroless plating is performed on the inner wall of the through hole and the copper foil surface, and if necessary, electrolytic plating is further performed to achieve the required thickness as a circuit conductor. After that, unnecessary copper is removed to manufacture a multilayer wiring board. By the way, in recent years, the miniaturization, weight reduction, and multifunctionality of electronic devices have been further advanced, and with this, the integration of LSIs and chip components has been advanced, and the form has rapidly changed to multipins and miniaturization. ing. For this reason, in order to improve the mounting density of electronic components, development of fine wiring has been promoted for multilayer wiring boards. However, there is a technical limit in reducing the wiring width, and the wiring width that can be mass-produced at present is 75 to 100 μm. For this reason, it is difficult to achieve a significant increase in the wiring density simply by reducing the wiring width. A bottleneck for improving the wiring density is a through hole occupying an area of about 300 μm in diameter. Since the through holes are generally formed by a mechanical drill, the dimensions thereof are relatively large, so that the degree of freedom in wiring design is reduced. In order to solve these problems, a method is known in which an insulating resin having photosensitivity is formed on an insulating substrate on which a circuit is formed, and fine via holes are formed in the insulating resin by a photo process to perform interlayer connection. -55555 and JP-A-63-126
No. 296.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】前記したように、フォ
トプロセスによって形成した微少なバイアホールで層間
接続する多層配線板は、従来抱えていた多層配線板の配
線密度向上の問題に関して大きく寄与するものである。
このフォトプロセス方式に用いる絶縁材料には、フォト
リソ機能とめっき材料機能及び絶縁性機能が必要であ
る。この為、絶縁材料には、多くの機能をバランスよく
付加させることが絶対条件となる。一般的に、フォトリ
ソ機能とめっき材料及び絶縁性機能を併せ持つために
は、光官能基を付与させた材料と熱硬化材料及び熱硬化
材料を加熱により硬化させる熱硬化剤が必要である。し
かしながら、光官能基を有する材料と熱硬化材料とをネ
ットワーク状に硬化させることは極めて困難である。こ
の理由は、フォトリソ機能を発現させるためには、光官
能基を有する材料を主体とした組成系にせざるを得ない
ためである。この大部分の光官能基を有する材料は、バ
イアホールを形成するための露光・現像工程により光反
応を生じるが、加熱硬化工程では既に光反応が生じてい
るために、熱硬化材料とネットワーク状に硬化が進行し
にくくなるためである。このため、絶縁材料層の硬化
は、光反応が主体となった熱的な安定性に乏しい硬化と
なりやすく、結果的に高い絶縁信頼性や高温・高湿下で
の接着強度に支障がきたしやすかった。
As described above, the multilayer wiring board connected between layers by the fine via holes formed by the photo process greatly contributes to the problem of improving the wiring density of the conventional multilayer wiring board. It is.
The insulating material used in this photo process requires a photolithography function, a plating material function, and an insulating function. Therefore, it is an absolute condition that many functions are added to the insulating material in a well-balanced manner. In general, in order to have both the photolithographic function and the plating material and the insulating function, a material having a photofunctional group, a thermosetting material, and a thermosetting agent for curing the thermosetting material by heating are required. However, it is extremely difficult to cure a material having a photofunctional group and a thermosetting material in a network. The reason for this is that in order to exhibit the photolithographic function, a composition system mainly comprising a material having a photofunctional group must be used. Most of the materials having photofunctional groups cause a photoreaction in the exposure and development processes for forming via holes, but the photoreaction has already occurred in the heat-curing process. This is because curing hardly proceeds. For this reason, the curing of the insulating material layer is likely to be hardened due to poor thermal stability mainly due to photoreaction, and as a result, high insulation reliability and adhesive strength under high temperature and high humidity are likely to be hindered. Was.

【0004】本発明は、高い絶縁信頼性を有し、高温・
高湿下でのめっき銅との接着強度の維持性に優れた多層
配線板用の絶縁樹脂組成物とそれを用いた多層配線板の
製造方法を提供することを目的とする。
The present invention has high insulation reliability,
An object of the present invention is to provide an insulating resin composition for a multilayer wiring board excellent in maintaining adhesive strength to plated copper under high humidity and a method for manufacturing a multilayer wiring board using the same.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明は、以下のことを
特徴とする。 (1)酸無水化合物で変性したエポキシ樹脂と、加熱に
よりルイス酸を発生する熱硬化剤からなる絶縁樹脂組成
物。 (2)内層回路を形成した内層回路板の上に、(1)に
記載の絶縁樹脂組成物で絶縁層を形成し、バイアホール
となる箇所以外の箇所をマスクするフォトマスクを重
ね、光を照射して、露光しなかった箇所を現像液で除去
する工程を有する多層配線板の製造方法。
The present invention is characterized by the following. (1) An insulating resin composition comprising an epoxy resin modified with an acid anhydride compound and a thermosetting agent that generates a Lewis acid upon heating. (2) On the inner circuit board on which the inner circuit is formed, an insulating layer is formed with the insulating resin composition described in (1), and a photomask for masking a portion other than a portion serving as a via hole is overlaid. A method for manufacturing a multilayer wiring board, comprising a step of irradiating and exposing unexposed portions with a developer.

【0006】[0006]

【発明の実施の形態】本発明で用いる酸無水物で変性し
たエポキシ樹脂は、エポキシ樹脂のエポキシ基をマレイ
ン酸無水物、テトラヒドロフタル酸無水物、イタコン酸
無水物、ヘキサヒドロフタル酸無水物、コハク酸無水
物、ナフタル酸無水物、シトラコン酸無水物、カルボン
酸無水物、メチルフタル酸無水物、ジクロロフタル酸無
水物、クロレンディック酸無水物、ブテニルテトラヒド
ロフタル酸無水物、メチルテトラヒドロフタル酸無水
物、アルケニル酸無水物、トリカルバリル酸無水物等で
変性した化合物が挙げられる。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The epoxy resin modified with an acid anhydride used in the present invention is obtained by modifying the epoxy group of the epoxy resin with maleic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, itaconic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, Succinic anhydride, naphthalic anhydride, citraconic anhydride, carboxylic anhydride, methylphthalic anhydride, dichlorophthalic anhydride, chlorendic anhydride, butenyltetrahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic acid Compounds modified with anhydrides, alkenyl anhydrides, tricarballylic anhydrides and the like can be mentioned.

【0007】また、酸無水物で変性するエポキシ樹脂
は、特に制限がなく、ビスフェノールA型、フェノール
ノボラック型、オルソ−クレゾールノボラック型、Br
化エポキシ樹脂、ビスフェノールF型、ビスフェノール
S型、サリチルアルデヒド型等が挙げられる。本発明で
用いる加熱によりルイス酸を発生する熱硬化剤は、カチ
オン反応型の潜在性熱硬化剤で有れば何れも使用可能で
ある。例えば、トリフェニルスルフォンヘキサフルオロ
アンチモネート、トリフェニルスルフォンヘキサフルオ
ロフォスフェート、P−メトキシベンゼンジアゾニウム
ヘキサフルオロフォスフェート、P−クロロベンゼンジ
アゾニウムヘキサフルオロフォスフェート、ジフェニル
ヨードニウムヘキサフルオロフォスフェート、4,4−
ジ−t−ブチルフェニルヨードニウムヘキサフルオロフ
ォスフェート、(1−6−n−クメン)(n−ジクロペ
ンタジニエル)鉄6フッ化リン酸が使用できる。
The epoxy resin modified with an acid anhydride is not particularly limited, and includes bisphenol A type, phenol novolak type, ortho-cresol novolak type, Br
Epoxy resin, bisphenol F type, bisphenol S type, salicylaldehyde type and the like. Any thermosetting agent that generates a Lewis acid by heating can be used as long as it is a cationic reaction type latent thermosetting agent. For example, triphenylsulfone hexafluoroantimonate, triphenylsulfone hexafluorophosphate, P-methoxybenzenediazonium hexafluorophosphate, P-chlorobenzenediazonium hexafluorophosphate, diphenyliodonium hexafluorophosphate, 4,4-
Di-t-butylphenyliodonium hexafluorophosphate, (1-6-n-cumene) (n-dichloropentadienyl) iron hexafluorophosphate can be used.

【0008】この加熱によりルイス酸を発生する熱硬化
剤の配合量は、酸無水物で変性したエポキシ樹脂100
重量部に対して、0.5〜15重量部の範囲で使用す
る。更に好ましくは、1.0〜10重量部の範囲であ
る。ルイス酸を発生する熱硬化剤の配合量が酸無水物で
変性したエポキシ樹脂100重量部に対して0.5重量
部未満では、酸無水物で変性したエポキシ樹脂の硬化が
弱く、高温・高湿度下での絶縁信頼性や絶縁層とめっき
銅との接着強度が低下する。また、15重量部以上では
反応に寄与されないルイス酸が存在し、回路導体の腐食
を増長する悪影響が発生する。以上説明した、酸無水物
で変性したエポキシ樹脂と加熱によりルイス酸を発生す
る熱硬化剤を必須成分とし、この他、ブタジエンアクリ
ロニトリルゴム、天然ゴム、SBR、カルボン酸変性ブ
タジエンアクリロニトリルゴム、カルボン酸変性アクリ
ルゴム、架橋NBR粒子、カルボン酸変性架橋NBR粒
子を加えることは可とう性が向上する点で好ましい。
The amount of the thermosetting agent that generates a Lewis acid upon heating is determined by the amount of epoxy resin 100 modified with an acid anhydride.
It is used in the range of 0.5 to 15 parts by weight with respect to parts by weight. More preferably, it is in the range of 1.0 to 10 parts by weight. If the blending amount of the thermosetting agent that generates a Lewis acid is less than 0.5 parts by weight based on 100 parts by weight of the epoxy resin modified with the acid anhydride, the epoxy resin modified with the acid anhydride is hardly cured, and the high temperature and high temperature The insulation reliability under humidity and the adhesive strength between the insulating layer and the plated copper are reduced. If the amount is more than 15 parts by weight, there is a Lewis acid which does not contribute to the reaction, and the adverse effect of increasing the corrosion of the circuit conductor occurs. As described above, the epoxy resin modified with an acid anhydride and the thermosetting agent which generates a Lewis acid upon heating are essential components. In addition, butadiene acrylonitrile rubber, natural rubber, SBR, carboxylic acid modified butadiene acrylonitrile rubber, carboxylic acid modified It is preferable to add acrylic rubber, crosslinked NBR particles, and carboxylic acid-modified crosslinked NBR particles in terms of improving flexibility.

【0009】また、フィラーを配合することもできる。
フィラーとしてはシリカ、溶融シリカ、タルク、アルミ
ナ、水和アルミナ、硫酸バリウム、水酸化カルシウム、
エーロジル、炭酸カルシウム等の無機微粒子、粉末状エ
ポキシ樹脂、粉末状ポリイミド粒子等の有機微粒子、粉
末状テフロン粒子等が挙げられる。これらのフィラーに
は、カップリング処理を施して有ってもよい。これらの
分散はニーダー、ボールミル、ビーズミル、3本ロール
等既知の混練方法によって達成される。
[0009] A filler can also be blended.
As filler, silica, fused silica, talc, alumina, hydrated alumina, barium sulfate, calcium hydroxide,
Examples include inorganic fine particles such as aerosil and calcium carbonate, organic fine particles such as a powdery epoxy resin and powdery polyimide particles, and powdery Teflon particles. These fillers may be subjected to a coupling treatment. These dispersions can be achieved by a known kneading method such as a kneader, a ball mill, a bead mill, and a three-roll mill.

【0010】本発明に用いる光重合開始剤は、市販の製
品を使用することができ、特に制限はない。さらに、絶
縁層に耐熱性を持たせるため、前記組成にエポキシ樹
脂、アクリレート変性エポキシ樹脂、メラミン樹脂、シ
アネートエステル樹脂等の熱硬化性樹脂をフォトプロセ
スにおける露光及び現像に悪影響しない範囲で併用する
ことも好ましい。
As the photopolymerization initiator used in the present invention, commercially available products can be used, and there is no particular limitation. Furthermore, in order to impart heat resistance to the insulating layer, a thermosetting resin such as an epoxy resin, an acrylate-modified epoxy resin, a melamine resin, and a cyanate ester resin is used in combination with the composition within a range that does not adversely affect exposure and development in a photo process. Is also preferred.

【0011】次に、図1を参照して、本発明の絶縁材料
組成物を用いて多層配線板を製造する工程を、例示して
説明する。先ず、絶縁基板2上に第1の回路層(1a)
を形成した回路板3を用意する(図1(a)参照)。絶
縁基板2は、通常の配線板において用いられている公知
の積層板、例えば、ガラス布−エポキシ樹脂、紙−フェ
ノール樹脂、紙−エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス紙−
エポキシ樹脂等が使用でき特に制限はない。また、回路
層1aを形成するための方法についても特に制限はな
く、銅箔と前記絶縁基板を張り合わせた銅張り積層板を
用い、銅箔の不要な部分をエッチング除去するサブトラ
クティブ法や、前記絶縁基板の必要な箇所に無電解めっ
きによって回路を形成するアディテブ法等、公知の配線
板の製造法を用いることができる。また、図1(a)に
は、絶縁基板2の片面に回路層1aを形成した例を示す
が、両面銅張り積層板を用いて回路層1aを絶縁基板2
の両面に形成することもできる。次に、回路層1aの表
面を接着性に適した状態に表面処理する。この手法も、
特に制限はなく、例えば、次亜塩素酸ナトリウムのアル
カリ水溶液により回路層1aの表面に酸化銅の針状結晶
を形成し、形成した酸化銅の針状結晶をジメチルアミン
ボラン水溶液に浸漬して還元するなど公知の製造方法を
用いることができる。
Next, with reference to FIG. 1, a process for manufacturing a multilayer wiring board using the insulating material composition of the present invention will be described by way of example. First, the first circuit layer (1a) is formed on the insulating substrate 2.
Is prepared (see FIG. 1A). The insulating substrate 2 is a known laminated board used in a normal wiring board, for example, glass cloth-epoxy resin, paper-phenol resin, paper-epoxy resin, glass cloth / glass paper-
An epoxy resin or the like can be used, and there is no particular limitation. There is no particular limitation on the method for forming the circuit layer 1a, and a subtractive method in which an unnecessary portion of the copper foil is removed by etching using a copper-clad laminate in which a copper foil and the insulating substrate are bonded, A known method of manufacturing a wiring board, such as an additive method of forming a circuit by electroless plating on a required portion of an insulating substrate, can be used. FIG. 1A shows an example in which a circuit layer 1a is formed on one surface of an insulating substrate 2, but the circuit layer 1a is formed by using a double-sided copper-clad laminate.
Can also be formed on both sides. Next, the surface of the circuit layer 1a is surface-treated to a state suitable for adhesiveness. This technique, too,
There is no particular limitation. For example, copper oxide needle-like crystals are formed on the surface of the circuit layer 1a with an aqueous solution of sodium hypochlorite, and the formed copper oxide needle-like crystals are immersed in a dimethylamine borane aqueous solution for reduction. For example, a known manufacturing method can be used.

【0012】次に、回路層1aの表面に、絶縁材料組成
物層4bを形成する(図1(b)参照)。絶縁材料4b
の形成方法は、液状の樹脂をロールコート、カーテンコ
ート、ディプコート等の方法で塗布する方式や、前記絶
縁樹脂をフィルム化してラミネートで張り合わせる方式
を用いることができる。また、絶縁材料組成物層4bの
厚さについては特に制限はなく、通常20〜150μm
の範囲で適宜選択される。
Next, an insulating material composition layer 4b is formed on the surface of the circuit layer 1a (see FIG. 1B). Insulating material 4b
Can be formed by a method in which a liquid resin is applied by a method such as roll coating, curtain coating, or dip coating, or a method in which the insulating resin is formed into a film and laminated by lamination. The thickness of the insulating material composition layer 4b is not particularly limited, and is usually 20 to 150 μm.
Is appropriately selected within the range.

【0013】次に、回路層1aと接続するバイアホール
7dを形成すべき箇所をマスクするように形成されたフ
ォトマスク5cを通して絶縁材料組成物層4bに光線6
cを照射する露光(光源としては通常紫外線が用いら
れ、通常の配線板のレジスト形成方法と同じ手法が用い
られる)を行う(図1(c)参照)。
Next, a light beam 6 is applied to the insulating material composition layer 4b through a photomask 5c formed so as to mask a place where a via hole 7d to be connected to the circuit layer 1a is to be formed.
Exposure to irradiate c (usually, ultraviolet light is used as a light source and the same method as that for forming a resist on a normal wiring board is used) is performed (see FIG. 1C).

【0014】次に、絶縁材料組成物層4bの未露光部分
を現像液により食刻する方法によって現像してバイアホ
ール7dを形成する(図1(d)参照)。現像液により
食刻する方法は、公知の方法によることができ特に制限
はない。例えば、現像液をスプレーするか又は現像液に
浸漬するなどが挙げられる。用いる現像液としては、絶
縁樹脂組成物をどのような現像タイプにすることで決定
されるが、アルカリ現像液、準水系現像液、溶剤現像液
など一般的なものを用いることができる。現像後、必要
に応じて後露光を行う。そして後加熱を行う。この後加
熱は、本発明の効果を発揮するために重要であり、温度
は130℃〜200℃の範囲で30分〜120分の時間
で行う。なお、基板が熱劣化により後工程に支障がきた
さない条件で、絶縁材料組成物層4bが最も効率よく硬
化する範囲が良く、望ましい後加熱範囲は130〜18
0℃の温度で45分〜90分である。この後加熱によ
り、後硬化を行った絶縁層を絶縁層8dとする。
Next, the unexposed portion of the insulating material composition layer 4b is developed by a method of etching with a developer to form a via hole 7d (see FIG. 1D). The method of etching with a developer can be a known method and is not particularly limited. For example, spraying a developer or dipping in a developer may be mentioned. The developing solution to be used is determined by what kind of developing type the insulating resin composition is, but a general developing solution such as an alkali developing solution, a semi-aqueous developing solution, and a solvent developing solution can be used. After development, post-exposure is performed if necessary. Then, post-heating is performed. Thereafter, the heating is important for exhibiting the effects of the present invention, and the temperature is in the range of 130 ° C. to 200 ° C. for 30 minutes to 120 minutes. In addition, the range in which the insulating material composition layer 4b is most efficiently cured under the condition that the substrate does not hinder the post-process due to thermal deterioration is good, and the preferable post-heating range is 130 to 18.
45 minutes to 90 minutes at a temperature of 0 ° C. The insulating layer that has been subjected to post-curing by heating is used as the insulating layer 8d.

【0015】次に、絶縁層8dの表面及びバイアホール
内を酸化性粗化液で処理する。酸化性粗化液としては、
クロム/硫酸粗化液、アルカリ過マンガン酸粗化液、フ
ッ化ナトリウム/クロム/硫酸粗化液、ホウフッ酸粗化
液などを用いることができる。次に、塩化第1錫の塩酸
水溶液に浸漬して、中和処理を行い、さらに、パラジウ
ムを付着させるめっき触媒付与処理を行う。めっき触媒
処理は、塩化パラジウム系のめっき触媒液に浸漬するこ
とにより行われる。次に、無電解めっき液に浸漬するこ
とにより、この上に厚さが0.3〜1.5μmの無電解
めっき層を析出させる。必要により、更に電気めっきを
行う。無電解めっきに使用する無電解めっき液は、公知
の無電解めっき液を使用することができ、特に制限はな
い。また、電気めっきについても公知の方法によること
ができ特に制限はない。次に、かくして形成された回路
加工を施すことにより、回路層1e及び回路層1aと回
路層1eとの層間接続を形成する(図1(e)参照)。
Next, the surface of the insulating layer 8d and the inside of the via hole are treated with an oxidizing roughening solution. As the oxidizing roughening liquid,
A chromium / sulfuric acid roughening solution, an alkali permanganic acid roughening solution, a sodium fluoride / chromium / sulfuric acid roughening solution, a borofluoric acid roughening solution, and the like can be used. Next, it is immersed in an aqueous solution of stannous chloride in hydrochloric acid to perform a neutralization treatment, and further, a plating catalyst application treatment for attaching palladium is performed. The plating catalyst treatment is performed by dipping in a palladium chloride-based plating catalyst solution. Next, by immersing in an electroless plating solution, an electroless plating layer having a thickness of 0.3 to 1.5 μm is deposited thereon. If necessary, electroplating is further performed. As the electroless plating solution used for the electroless plating, a known electroless plating solution can be used, and there is no particular limitation. Also, the electroplating can be performed by a known method, and there is no particular limitation. Next, by performing the circuit processing thus formed, the circuit layer 1e and the interlayer connection between the circuit layer 1a and the circuit layer 1e are formed (see FIG. 1E).

【0016】なお、回路層1eを形成するための手法と
しては、粗化した絶縁層表面に無電解めっき用の触媒を
付与して全面に無電解めっき銅を析出させ、必要な場合
には電気めっきによって回路導体を必要な厚さにして、
不要な箇所をエッチング除去して形成する方法や、めっ
き触媒を含有した絶縁層を用いて、めっきレジストを形
成して必要な箇所のみ無電解めっきにより回路形成する
方法、及びめっき触媒を含有しない絶縁層を粗化し、め
っき触媒を付与した後めっきレジストを形成して必要な
箇所のみ無電解めっきにより回路形成する法等を用いる
ことができる。以下、回路層1aの表面処理と同様にし
て回路層1eの表面処理を行い、以下層1eの形成と同
様にして絶縁材料組成物層4fを形成し(図1(f)参
照)、フォトマスク5gを通して絶縁材料4fに光線6
gを照射する露光を行い(図1(g)参照)、絶縁材料
4fの未露光部分を現像液に食刻する方法によって現像
してバイアホール7hを形成し、絶縁材料4fを硬化さ
せて絶縁層8hとし(図1(h)参照)、回路層1iを
形成(図1(i)参照)する。以下、更に同様の工程を
繰り返して層数の多い多層配線板を製造できる。
As a method for forming the circuit layer 1e, a catalyst for electroless plating is applied to the surface of the roughened insulating layer to deposit electroless plated copper on the entire surface. Make the circuit conductor the required thickness by plating,
A method in which unnecessary portions are removed by etching, a method in which a plating resist is formed using an insulating layer containing a plating catalyst, and a circuit is formed by electroless plating only in necessary portions, and an insulating method in which a plating catalyst is not contained. After roughening the layer and applying a plating catalyst, a plating resist is formed, and a circuit is formed by electroless plating only at a necessary portion. Thereafter, the surface treatment of the circuit layer 1e is performed in the same manner as the surface treatment of the circuit layer 1a, and thereafter, the insulating material composition layer 4f is formed in the same manner as the formation of the layer 1e (see FIG. 1 (f)). Light rays 6 pass through 5g to insulating material 4f.
g is exposed (see FIG. 1 (g)), and the unexposed portion of the insulating material 4f is developed by etching in a developer to form a via hole 7h, and the insulating material 4f is cured by insulating. The layer 8h is formed (see FIG. 1H), and the circuit layer 1i is formed (see FIG. 1I). Hereinafter, by repeating the same steps, a multilayer wiring board having a large number of layers can be manufactured.

【0017】[0017]

【実施例】実施例1 (1)銅箔の厚さ18μmの両面粗化箔を両面に有する
ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張り積層板であるMC
L−E−67(日立化成工業株式会社製、商品名)にエ
ッチングを施して片面に回路層(以下、第1回路層とす
る)を有する回路板を作製した。 (2)下記組成の絶縁樹脂をPETフィルム上に塗工
し、80℃−20分乾燥して絶縁樹脂付フィルムを作製
した。この絶縁樹脂付フィルムを、前記回路板の片面に
絶縁樹脂が回路層と接する面側にしてラミネーターを用
いて形成し、膜厚50μmの絶縁層を形成した。 ・テトラヒドロキシ無水フタル酸変性エポキシ樹脂: PCR−1050(日本化薬株式会社製、商品名) …50重量部 ・アクリレート変性エポキシ樹脂: YDV−1011(東都化成株式会社製、商品名) …20重量部 ・カルボン酸変成ブタジエン: ハイカーCTBN1300×13(宇部興産株式会社製、商品名)10重量部 ・カルボン酸変性アクリロニトリルブタジエンゴム: XER−31SK−25(JSR株式会社製、商品名) …8重量部 ・光開始剤: イルガギュア651(チバガイギー株式会社製、商品名) …5重量部 ・充填剤、水酸化アルミニウム: ハイジライトH−42M(昭和電工株式会社製、商品名) …10重量部 ・熱ルイス酸発生剤: SI−100L(三新化学株式会社製、商品名) …2重量部 (3)バイアホールとなる部分に遮蔽部を形成したフォ
トマスクを介して、露光量30mJ/cm2の紫外線を
照射して、さらに未露光部分を、2−2ブトキシエトキ
シエタノールを10vol%、4ホウ酸ナトリウム8g
/lを含んだ現像液で30℃−1分間スプレー処理をし
てバイアホールを形成した。 (4)メタルハライドランプ型コンベア式露光機(ラン
プ出力:80W/cm2、ランプ高さ:80cm、コー
ルドミラーなし、コンベア速度:1.5m/分)を用い
て、紫外線1000mJ/cm2を絶縁層に照射して後
露光を行う。 (5)150℃−1時間後加熱を行うことにより、バイ
アホールを有した絶縁層を形成した。 (6)絶縁層を化学粗化するために、粗化液として、K
MnO4:60g/l、NaOH:40g/lの水溶液
を作製し、70℃に加温して5分間浸漬処理する。引き
続き、中和液(SnCl2:30g/l、HCl:30
0ml/l)の水溶液に室温で5分間浸漬処理して中和
した。 (7)第1の絶縁層表面に第2の回路を形成するため
に、まず、PdCl2を含む無電解めっき触媒であるH
S−202B(日立化成工業株式会社製、商品名)に、
室温−10分間浸漬処理し、水洗し、無電解銅めっきで
あるL−59めっき液(日立化成工業株式会社製、商品
名)に70℃−30分間浸漬し、さらに硫酸銅電解めっ
きを行って、絶縁層表面上に厚さ20μmの導体層を形
成する。次に、めっき導体の不要な箇所をエッチング除
去するためにエッチングレジストを形成し、エッチング
し、その後エッチングレジストを除去して、第1の回路
と接続したバイアホールを含む第2の回路形成を行う。 (8)さらに、多層化するために、第2の回路導体表面
を、亜塩素酸ナトリウム:50g/l、NaOH:20
g/l、リン酸三ナトリウム10g/lの水溶液に85
℃−20分間浸漬し、水洗して、80℃−20分間乾燥
して第2の回路導体表面上に酸化銅の凹凸を形成する。 (9)(2)〜(7)の工程を繰り返して3層の多層配
線板を作製した。
Example 1 (1) MC which is a double-sided copper-clad laminate made of a glass cloth base epoxy resin having a double-sided roughened foil having a copper foil thickness of 18 μm on both sides.
LE-67 (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was subjected to etching to produce a circuit board having a circuit layer (hereinafter, referred to as a first circuit layer) on one surface. (2) An insulating resin having the following composition was applied on a PET film and dried at 80 ° C. for 20 minutes to produce a film with an insulating resin. This film with an insulating resin was formed on one surface of the circuit board on the side where the insulating resin was in contact with the circuit layer using a laminator to form an insulating layer having a thickness of 50 μm. -Tetrahydroxyphthalic anhydride-modified epoxy resin: PCR-1050 (Nippon Kayaku Co., Ltd., trade name) ... 50 parts by weight-Acrylate-modified epoxy resin: YDV-1011 (Toto Kasei Co., Ltd., trade name) ... 20 weight parts Part: Carboxylic acid-modified butadiene: Hiker CTBN1300 × 13 (manufactured by Ube Industries, Ltd., trade name) 10 parts by weight ・ Carboxylic acid-modified acrylonitrile butadiene rubber: XER-31SK-25 (manufactured by JSR Corporation, trade name) ... 8 parts by weight -Photoinitiator: Irgagua 651 (Ciba Geigy Co., Ltd., trade name) ... 5 parts by weight-Filler, aluminum hydroxide: Heidilite H-42M (Showa Denko Co., Ltd., trade name) ... 10 parts by weight-Thermal Lewis Acid generator: SI-100L (trade name, manufactured by Sanshin Chemical Co., Ltd.) 2 parts by weight (3) A 30 mJ / cm 2 ultraviolet ray is irradiated through a photomask in which a shielding portion is formed in a portion to be a hole, and the unexposed portion is further exposed to 10 vol% of 2-2 butoxyethoxy ethanol and 8 g of sodium borate.
Spray treatment was carried out at 30 ° C. for 1 minute with a developing solution containing / l to form via holes. (4) Using a metal halide lamp-type conveyor-type exposure machine (lamp output: 80 W / cm 2 , lamp height: 80 cm, no cold mirror, conveyor speed: 1.5 m / min), and insulates ultraviolet light at 1000 mJ / cm 2. To perform post-exposure. (5) After heating at 150 ° C. for one hour, an insulating layer having via holes was formed. (6) In order to chemically roughen the insulating layer, K
An aqueous solution of MnO 4 : 60 g / l and NaOH: 40 g / l is prepared, heated to 70 ° C. and immersed for 5 minutes. Subsequently, a neutralization solution (SnCl 2 : 30 g / l, HCl: 30
(0 ml / l) aqueous solution at room temperature for 5 minutes for neutralization. (7) In order to form a second circuit on the surface of the first insulating layer, first, H, an electroless plating catalyst containing PdCl 2 , is used.
S-202B (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., trade name)
Immersion treatment at room temperature for -10 minutes, washing with water, immersion in an L-59 plating solution (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), which is electroless copper plating, at 70 ° C. for 30 minutes, and further performing copper sulfate electrolytic plating Then, a conductor layer having a thickness of 20 μm is formed on the surface of the insulating layer. Next, an etching resist is formed to remove unnecessary portions of the plated conductor by etching, etching is performed, and then the etching resist is removed to form a second circuit including a via hole connected to the first circuit. . (8) Further, in order to form a multilayer, the surface of the second circuit conductor is made of sodium chlorite: 50 g / l, NaOH: 20
g / l, 10 g / l trisodium phosphate in aqueous solution
C. for 20 minutes, rinse with water, and dry at 80.degree. C. for 20 minutes to form copper oxide irregularities on the surface of the second circuit conductor. (9) The steps (2) to (7) were repeated to produce a three-layer multilayer wiring board.

【0018】実施例2 実施例1において、熱ルイス酸発生剤のSI−100L
(三新化学株式会社製、商品名)に代えて、CP−66
(旭電化工業株式会社製、商品名)を用いた。その他
は、実施例1と同様に行った。
Example 2 Example 1 was repeated except that the thermal Lewis acid generator SI-100L was used.
(Made by Sanshin Chemical Co., Ltd., trade name) instead of CP-66
(Trade name, manufactured by Asahi Denka Kogyo Co., Ltd.). Other than that, it carried out similarly to Example 1.

【0019】実施例3 実施例1において、テトラヒドロキシ無水フタル酸変性
エポキシ樹脂のPCR−1050(日本化薬株式会社
製、商品名)に代えて、ビスフェノールA型エポキシ樹
脂、エピコート1001(油化シェル株式会社製、商品
名)に無水マレイン酸(和光純薬株式会社製、試薬特
級)を130℃−20時間の条件下で変性したエポキシ
樹脂を作製し用いた。配合量は実施例1と同様であり、
その他も実施例1と同様に行った。
Example 3 In Example 1, a bisphenol A type epoxy resin, Epicoat 1001 (oiling shell) was used in place of PCR-1050 (trade name, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), a tetrahydroxyphthalic anhydride-modified epoxy resin. An epoxy resin was prepared by modifying maleic anhydride (trade name, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) under conditions of 130 ° C. for 20 hours. The compounding amount is the same as in Example 1,
Others were performed similarly to Example 1.

【0020】比較例1 実施例1において、熱ルイス酸発生剤のSI−100L
(三新化学株式会社製、商品名)を用いない組成とし
た。その他は実施例1と同様で行った。
Comparative Example 1 In Example 1, SI-100L, a thermal Lewis acid generator, was used.
(Trade name, manufactured by Sanshin Chemical Co., Ltd.). The other steps were the same as in Example 1.

【0021】比較例2 実施例3において、熱ルイス酸発生剤のSI−100L
(三新化学株式会社製、商品名)を用いない組成とし
た。その他は実施例1と同様で行った。
Comparative Example 2 In Example 3, the thermal Lewis acid generator SI-100L was used.
(Trade name, manufactured by Sanshin Chemical Co., Ltd.). The other steps were the same as in Example 1.

【0022】以上のようにして作製した多層配線板につ
いて、バイアホールの解像性、ピール強度(絶縁層とめ
っき銅との接着強度)及び層間絶縁抵抗を以下に示した
方法で述べた。その結果を表1に示す。 (バイアホールの解像性)実施例1の(3)に相当する
工程において、フォトマスクに、直径50〜150μm
で10μm間隔の円形黒丸の遮蔽部を設け、バイアホー
ルを形成した。なお、バイアホールを形成できた最小の
直径の評価は、実施例(6)に相当する工程を実施した
後、金属顕微鏡により評価した。 (ピール強度)L1回路層(第3回路層)の一部に幅1
0mm、長さ100mmの部分を形成し、この一端を剥
がしてつかみ具でつかみ、垂直方向に約50mm引き剥
がした時の荷重を測定した。表1には、常態及び121
℃、100%RHのプレッシャークッカーテスター中に
て48時間保持後(表1中においてPCT−48と表
記)について測定した結果を示す。 (層間絶縁抵抗)バイアホールによる回路層間の接続が
含まれないように切断した試験片を用いて、L1−L2
間(第3回路と第2回路間)の絶縁抵抗を測定した。表
1には、常態及び110℃、85%RHのプレッシャー
クッカーテスター中にて100時間保持後(表1中にお
いてPCT−100と表記)について測定した結果を示
す。
With respect to the multilayer wiring board manufactured as described above, the resolution of the via hole, the peel strength (the bonding strength between the insulating layer and the plated copper), and the interlayer insulation resistance were described by the following methods. Table 1 shows the results. (Resolution of Via Hole) In a process corresponding to (3) of Example 1, a photomask was formed with a diameter of 50 to 150 μm.
, A circular black circle shielding portion was provided at an interval of 10 μm to form a via hole. The minimum diameter at which the via hole could be formed was evaluated by a metallographic microscope after performing the process corresponding to Example (6). (Peel strength) L1 width on a part of L1 circuit layer (third circuit layer)
A portion having a length of 0 mm and a length of 100 mm was formed, and one end of the portion was peeled off, gripped with a gripper, and the load when the film was peeled off by about 50 mm in the vertical direction was measured. Table 1 shows normal and 121
It shows the result of measurement after holding for 48 hours in a pressure cooker tester at 100 ° C. and 100% RH (indicated as PCT-48 in Table 1). (Interlayer insulation resistance) L1-L2 was measured using a test piece cut so as not to include connection between circuit layers by via holes.
The insulation resistance between them (between the third circuit and the second circuit) was measured. Table 1 shows the results of measurements under normal conditions and after holding for 100 hours in a 110 ° C., 85% RH pressure cooker tester (indicated as PCT-100 in Table 1).

【0023】[0023]

【表1】 [Table 1]

【0024】表1からフォトプロセスにおいて重要な特
性であるバイアホール解像性は、実施例1〜3並びに比
較例1〜2になる3層の多層配線板において同等で有る
ことが示され、実施例1〜3になる3層の多層配線板に
おいては、121℃−100%RH又は110℃−85
%RHという高温・高湿下においてもピール強度と層間
絶縁抵抗の低下が少ないことが示された。一方、比較例
1〜2においての3層多層配線板においては、121℃
−100%RH又は110℃−85%RHという高温・
高湿下でのピール強度が実施例に比べて約0.3〜0.
4KN/m低下し、層間絶縁抵抗の低下の具合は実施例
と比較して約3桁大きいことが示された。
From Table 1, it is shown that the via hole resolution, which is an important characteristic in the photo process, is the same in the three-layered multilayer wiring boards of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2. In the three-layered multilayer wiring board according to Examples 1 to 3, 121 ° C.-100% RH or 110 ° C.-85
It was shown that the peel strength and interlayer insulation resistance did not decrease much even under high temperature and high humidity of% RH. On the other hand, in the three-layer multilayer wiring board in Comparative Examples 1 and 2, 121 ° C.
High temperature of -100% RH or 110 ° C-85% RH
The peel strength under high humidity is about 0.3 to 0.1 as compared with the embodiment.
It was shown that the degree of reduction of the interlayer insulation resistance was about 3 orders of magnitude higher than that of the example.

【0025】[0025]

【発明の効果】以上に説明したとおり、本発明によっ
て、高い絶縁信頼性を有し、高温・高湿下でのめっき銅
との接着強度の維持性に優れた多層配線板用の絶縁樹脂
組成物とそれを用いた多層配線板の製造方法を提供する
ことができる。
As described above, according to the present invention, an insulating resin composition for a multilayer wiring board having high insulation reliability and excellent in maintaining adhesive strength with plated copper under high temperature and high humidity. An object and a method for manufacturing a multilayer wiring board using the same can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)〜(i)は、多層配線板を製造する工程
を説明する断面図である。
FIGS. 1A to 1I are cross-sectional views illustrating steps for manufacturing a multilayer wiring board.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1a、1e、1i.回路層 2.絶縁基板 3.回路板 4b、4f.絶縁材料組成物 5c、5g.フォトマスク 6c、6g.光線 7d、7h.バイアホール 8d、8h.絶縁層 1a, 1e, 1i. Circuit layer 2. 2. Insulating substrate Circuit board 4b, 4f. Insulating material composition 5c, 5g. Photomask 6c, 6g. Rays 7d, 7h. Via hole 8d, 8h. Insulating layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森田 正樹 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社総合研究所内 (72)発明者 渡邉 貴子 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社総合研究所内 Fターム(参考) 2H096 AA26 BA20 EA02 GA08 HA01 HA03 JA04 4J027 AA08 AE01 AE02 AE03 AE04 CA08 CA10 CA14 CA16 CA18 CA26 CA27 CB10 CD06 CD10 4J036 AD08 AD20 AF06 AF08 AF36 CA19 CA20 FA03 FA04 FA05 FB03 FB05 FB14 FB19 GA26 HA02 JA09 5E346 AA05 AA06 AA12 AA43 CC09 DD02 DD22 DD32 EE31 EE38 FF04 GG15 GG17 GG22 GG27 GG28 HH11  ──────────────────────────────────────────────────の Continuing on the front page (72) Inventor Masaki Morita 1500 Oji Ogawa, Shimodate City, Ibaraki Prefecture Inside Hitachi Chemical Co., Ltd. (72) Inventor Takako Watanabe 1500 Ogawa Ogawa Shimodate City Ibaraki Prefecture F-term in Reference Laboratory (Reference) 2H096 AA26 BA20 EA02 GA08 HA01 HA03 JA04 4J027 AA08 AE01 AE02 AE03 AE04 CA08 CA10 CA14 CA16 CA18 CA26 CA27 CB10 CD06 CD10 4J036 AD08 AD20 AF06 AF08 AF36 CA19 CA20 FA03 FA04 FA05 FB03 FB03 5E346 AA05 AA06 AA12 AA43 CC09 DD02 DD22 DD32 EE31 EE38 FF04 GG15 GG17 GG22 GG27 GG28 HH11

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】酸無水化合物で変性したエポキシ樹脂と、
加熱によりルイス酸を発生する熱硬化剤からなる絶縁樹
脂組成物。
An epoxy resin modified with an acid anhydride compound,
An insulating resin composition comprising a thermosetting agent that generates a Lewis acid upon heating.
【請求項2】内層回路を形成した内層回路板の上に、請
求項1に記載の絶縁樹脂組成物で絶縁層を形成し、バイ
アホールとなる箇所以外の箇所をマスクするフォトマス
クを重ね、光を照射して、露光しなかった箇所を現像液
で除去する工程を有する多層配線板の製造方法。
2. An insulating layer is formed of the insulating resin composition according to claim 1 on an inner circuit board on which an inner circuit is formed, and a photomask for masking a portion other than a portion serving as a via hole is overlaid. A method for manufacturing a multilayer wiring board, comprising a step of irradiating light and removing a portion not exposed with a developing solution.
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