JP2001147339A

JP2001147339A - マルチビーム光源及び調芯方法

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Publication number: JP2001147339A
Application number: JP33136199A
Authority: JP
Inventors: Hiroko Yamamoto; 裕子山本; Shunichi Hayamizu; 俊一速水
Original assignee: Minolta Co Ltd
Current assignee: Minolta Co Ltd
Priority date: 1999-11-22
Filing date: 1999-11-22
Publication date: 2001-05-29

Abstract

(57)【要約】【課題】簡単な構成で、光導波路の基板に反りが発生し
ても、光ファイバーとの結合効率が低下したりばらつい
たりしないマルチビーム光源及び調芯方法を提供する。【解決手段】光ファイバーアレイ１と光導波路４とを結
合したマルチビーム光源において、光導波路４の反りに
より変化した光導波路４の複数のコア４ａ各々の位置に
相対するように、光ファイバーアレイ１の複数の光ファ
イバー２各々を所定位置に配設する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバーアレ
イと光導波路とを結合した構成の、導波路型マルチビー
ム光源に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年の情報ネットワークの発達及びデジ
タル化に伴い、レーザービームプリンタの高速化が強く
望まれてきている。この、レーザービームプリンタの高
速化を図る手段の一つとして、走査用のポリゴンミラー
の回転を高速化する事が挙げられる。ところが、現状で
はポリゴンミラーの回転数が５万回転近くになると、遠
心力によるポリゴン面の歪が生じるため、これ以上のポ
リゴンミラーの回転の高速化には限度があるとされてい
る。そこで、レーザービームプリンタの描画速度のさら
なる高速化を図るために、複数のレーザービームで感光
体面を走査する事が従来より行われている。

【０００３】具体的には、例えば特開平１０−２８２４
４１号公報，ＵＳＰ４６３７６７９号公報，ＵＳＰ４５
４７０３８号公報，ＵＳＰ４９５８８９３号公報等に記
載されている如く、偏光ビームスプリッタ，ハーフミラ
ー，プリズム面の反射等を利用して、複数のレーザービ
ームを適切な間隔に光学的に偏向して調整する構成が提
案或いは採用されている。しかしながら、これらの方法
では、レーザービームの本数が多くなると、アライメン
トが困難になり、部品が大きくなってコストがかかりす
ぎるという欠点があり、現在以上の高速化は非常に困難
な状況となっている。

【０００４】このため、複数のレーザー光源を微小ピッ
チで配置したいわゆるマルチビーム光源を構成する方法
が望まれている。その方法としては、例えば特開昭５４
−７３２８号公報に記載されている如く、複数のレーザ
ー光源として基板上に複数のレーザーダイオードを形成
したいわゆるアレイレーザーを使用する方法、光ファイ
バーより射出した光を二次光源として用いる方法、入射
側より射出側のピッチを狭小化した光導波路を用いる方
法がある。

【０００５】但し、アレイレーザーを使用する方法にお
いて、レーザーダイオードが配置されるピッチは、感光
体面上での結像状態を考えると、複数のレーザービーム
スポットを充分近接させるために、１００μｍ以下の微
小間隔である事が望ましいのであるが、このような微小
ピッチで基板上にレーザーダイオードを形成する事は、
発熱の問題があり、困難である。故に、上記他の方法で
ある光ファイバー或いは光導波路を用いる方法が有効で
あると考えられる。

【０００６】このようなマルチビーム光源においては、
例えば複数の光ファイバーを一列に配置した光ファイバ
ーアレイからの射出レーザー光を光導波路に入射させる
構成となっている。図５は、従来からのマルチビーム光
源の構成を模式的に示す斜視図である。同図（ａ）は全
体図、同図（ｂ）は光ファイバーアレイ射出端面の拡大
図、同図（ｃ）は光導波路入射端面の拡大図を示してい
る。同図において、１は光ファイバーアレイ、２は光フ
ァイバー、３はＶ溝基板、４は光導波路である。

【０００７】光ファイバーアレイ１は、Ｖ溝基板３上に
設けられた複数のＶ溝３ａに光ファイバー２をそれぞれ
配置してアレイ状としたものである。光ファイバー２
は、中央付近のコア２ａ及びそれを取り囲むクラッド２
ｂより構成される。また、光導波路４は複数のコア４ａ
を有しており、この入射側のピッチより射出側のピッチ
を狭くする事で、マルチビーム光源におけるレーザーピ
ッチの狭小化を図る事ができる。

【０００８】ここで、例えばレーザービームプリンタに
マルチビーム光源を使用する場合、その射出光の光量を
大きく、またビーム間の光量ばらつきを小さくする必要
がある。そのためには、光ファイバーアレイと光導波路
を結合する際に、互いの各コア同士を均一に効率良く結
合させなければならない。具体的には、例えば、同図に
示した各光ファイバー２のコア２ａと、光導波路４の各
コア４ａとを突き合わせて結合するといった方法が取ら
れる。このとき、光ファイバーアレイ１におけるＶ溝基
板３の射出端面３ｂ側のコアピッチ（コア２ａのピッ
チ）を、光導波路４の入射端面４ｂ側のコアピッチ（コ
ア４ａのピッチ）に合わせておく事が必要である。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような構成において、特に光導波路は、作製後に基板
が反ってしまうために、実際には光ファイバー及び光導
波路の互いのコア同士の位置がずれてしまうという問題
がある。光導波路は、膜（ＳｉＯ₂等）を基板（Ｓｉ
等）上に高温で成膜して作製するのが一般的であるが、
この基板と膜の熱膨張係数に差があるときは、高温で成
膜した後に室温に戻すと、基板と膜との間に応力が加わ
り、基板に反りが発生する。例えば、ＳｉＯ₂の熱膨張
係数は０．５×１０^-6Ｋ^-1であり、Ｓｉの熱膨張係数は
２．６×１０^-6Ｋ^-1であるので、室温に戻したときの基
板の収縮が膜より大きくなり、光導波路の基板は上面が
凸の状態で反る事になる。

【００１０】図６は、光導波路の基板が反ったときの様
子を模式的に示す図である。同図（ａ）は斜視図、同図
（ｂ）は入射端面側より見た正面図を示している。同図
（ｂ）において、４ｃは膜であり、４ｄは基板である。
同図に示すように、光導波路４の基板４ｄに反りが発生
すると、入射端面４ｂ側において膜４ｃ内で横一直線上
に並んでいる筈のコア４ａが、上方に凸の状態に並んで
配置される事になる。このとき、図７に示すように、光
ファイバーアレイ１については、Ｖ溝基板３の射出端面
３ｂ側において、各Ｖ溝３ａに配置された光ファイバー
２のコア２ａが、ほぼ横一直線上に並ぶ構成になってい
ると、コア２ａと上記コア４ａとは位置がずれてしまう
事となる。

【００１１】さらに、一般に光導波路は、膜厚が２０〜
６０μｍと厚いため、基板との間に加わる応力も大きく
なり、それに伴って光導波路の基板の反りも大きくな
る。例えば、５０ｍｍ角で厚さ０．４ｍｍのＳｉ基板上
に、クラッド層（ＳｉＯ₂，２０μｍ）とコア層（Ｓｉ
Ｏ₂−ＧｅＯ₂，８μｍ）をＣＶＤ法で作製した場合、成
膜温度は１０００℃であって、約５時間かけて室温まで
冷却したとき、冷却後の基板の反りについては、基板中
心部と外周部とで約０．８ｍｍの高低差となってしま
う。

【００１２】このように、各光ファイバーのコアが直線
状に配置された光ファイバーアレイから光導波路の各コ
アにレーザー光を入射させるときに、この光導波路の基
板の反りのために結合効率が低下したり、ビーム間の結
合効率にばらつきが生じたりする事が問題となってい
る。

【００１３】なお、このような光導波路の反りに対処す
るために、いくつかの提案が成されている。例えば、特
開平５−２３２３５２号公報に記載されている如く、光
導波路基板に光ファイバーを接続するための溝付基板に
おいて、溝付基板本体の溝形成面、又はその溝形成面と
反対面に、その溝付基板本体と熱膨張係数の異なる材料
の層を付着させて、その溝付き基板本体の反り量を制御
する構成としている。

【００１４】また、特開平６−２１４１２８号公報に記
載されている如く、光導波路の基板の裏面の一部若しく
は全面に、熱伝導性の応力付与膜が作製された構成とし
ている。また、特開平７−２８１０４６号公報に記載さ
れている如く、予め必要の長さより長く作製した光導波
路部品の光入出力端部部分を切り出し、その切り出した
部分の導波路部分に溝を形成した後、その溝内に光ファ
イバーを配置し固定する構成としている。

【００１５】しかし、これらの構成では、いずれも光導
波路及びそれを作製する装置の構成が大がかりとなり、
製造工数の増加やコストアップの要因となる。本発明
は、これらの問題点に鑑み、簡単な構成で、光導波路の
基板に反りが発生しても、光ファイバーとの結合効率が
低下したりばらついたりしないマルチビーム光源及び調
芯方法を提供する事を目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、光ファイバーアレイと光導波路とを結
合したマルチビーム光源において、前記光導波路の反り
により変化したその光導波路の複数のコア各々の位置に
相対するように、前記光ファイバーアレイの複数の光フ
ァイバー各々を所定位置に配設した事を特徴とする。

【００１７】また、前記複数の光ファイバー各々は、前
記光ファイバーアレイに設けたＶ溝各々に配置され、そ
のＶ溝の深さによりその光ファイバーの位置を調整する
事を特徴とする事もできる。

【００１８】或いは、光ファイバーアレイと光導波路と
を結合したマルチビーム光源において、前記光導波路の
反りにより変化したその光導波路の複数のコア各々の位
置が、前記光ファイバーアレイの複数の光ファイバー各
々の位置に相対するように、前記光導波路が反る前の所
定位置に前記複数のコア各々を配設した事を特徴とす
る。

【００１９】また、光ファイバーアレイの複数の光ファ
イバー各々のコアの位置と、光導波路の複数のコア各々
の位置とを突き合わせて調芯する調芯方法において、ま
ず両端に配列されたコアの位置を調芯し、前記光導波路
の両端のコアからの射出光量を互いに等しく保ったま
ま、コアの配列方向と垂直方向に前記光ファイバーアレ
イ及び前記光導波路を相対的に変位させ、前記光導波路
の各コアからの射出光量を略均一となるようにする調芯
方法を行う。

【００２０】また、上記マルチビーム光源における、光
ファイバーアレイの複数の光ファイバー各々のコアの位
置と、光導波路の複数のコア各々の位置とを突き合わせ
て調芯する調芯方法において、まず両端に配列されたコ
アの位置を調芯し、前記光導波路の両端のコアからの射
出光量を互いに等しく保ったまま、コアの配列方向と垂
直方向に前記光ファイバーアレイ及び前記光導波路を相
対的に変位させ、前記光導波路の各コアからの射出光量
を略均一となるようにする調芯方法を行う。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。まず、光導波路の基
板に反りが生じた場合でも、結合効率が低下しないマル
チビーム光源の構造二種類を以下に挙げる。続いて、光
導波路の基板に反りが生じた場合でも、マルチビーム光
源としての光量ばらつきを抑える効果がある、光導波路
と光ファイバーとの調芯方法を示す。

【００２２】図１は、本発明の一実施形態のマルチビー
ム光源の構造を示す説明図である。同図（ａ）は光導波
路の入射端面側より見た正面図、同図（ｂ）は光ファイ
バーアレイの射出端面側より見た正面図を示している。
ここでは同図（ａ）に示すような光導波路４の基板４ｄ
が反った後の膜４ｃ内のコア４ａの位置に合わせて、同
図（ｂ）に示すように光ファイバー２のコア２ａを配置
する。

【００２３】即ち、光ファイバーアレイ１における各光
ファイバー２の整列に用いるＶ溝基板３上に設けられた
Ｖ溝３ａの深さを変化させる事で、光ファイバー２が光
導波路４の基板４ｄの反りと同様の位置関係となるよう
にする。また、光ファイバー２を上部から押さえる押さ
え板５には、その下面に溝５ａを設け、各光ファイバー
２を偏りなく押さえる事ができるようにしている。

【００２４】具体的な構成例を以下に示す。光導波路４
の基板４ｄが反ったときのコア４ａの位置と、Ｖ溝基板
３のＶ溝３ａに光ファイバー２を配置したときのコア２
ａの位置とが同じになるように、Ｖ溝３ａの設計を行
う。作製する光ファイバーアレイ１は、４本の光ファイ
バー２をＶ溝基板３に設けたＶ溝３ａ上に並べ、押さえ
板５で上から押さえる構造である。Ｖ溝基板３の４つの
Ｖ溝３ａの内、両端の２つのＶ溝の深さを中央の２つの
Ｖ溝の深さより０．６μｍ深く設計する。

【００２５】また、光ファイバー２を上部から押さえる
押さえ板５も、光導波路４の基板４ｄの反りに合わせた
設計を行う。これは、本例のように溝５ａを設けた構成
としても良いし、基板４ｄの反りに合わせた曲面で押さ
える構成としても良い。光ファイバーアレイ１のＶ溝基
板３と押さえ板５は、それぞれの設計を基にして、ガラ
ス板のモールド成型や切削等により作製する。そして、
作製したＶ溝基板３のＶ溝３ａ上に光ファイバー２を４
本配置し、押さえ板５で上部から押さえて接着剤で接着
する。その後、光ファイバー２の射出端面をダイシング
して研磨を行う。

【００２６】なお、光ファイバーの配置はＶ溝に限定さ
れるものではなく、図２に示すように、光導波路の基板
の反りに合わせた形状を持つ溝３ｃ上に各光ファイバー
２を配設する構成としても良い。

【００２７】図３は、本発明の他の実施形態のマルチビ
ーム光源の構造を示す説明図である。同図（ａ）は光導
波路作製時の高温での入射端面側より見た正面図、同図
（ｂ）は光導波路を室温まで冷却したときの入射端面側
より見た正面図、同図（ｃ）は光ファイバーアレイの射
出端面側より見た正面図を示している。ここでは同図
（ａ）に示すように、光導波路４作製時の高温での膜４
ｃ内のコア４ａの位置を、基板４ｄが反る方向とは逆向
きに予め配置しておく。

【００２８】そして、同図（ｂ）に示すように、成膜温
度から室温まで冷却して基板４ｄが反ったときに、膜４
ｃ内のコア４ａの位置が直線状となるようにする。これ
により、同図（ｃ）に示すような、通常の光ファイバー
アレイ１のＶ溝基板３のＶ溝３ａ上に配置された光ファ
イバー２のコア２ａの位置と、同図（ｂ）に示すコア４
ａの位置とが略一致するようになる。このような構成の
光導波路４とするために、コア層を複数段階に分けて形
成し、多層構造とする。

【００２９】具体的な構成例を以下に示す。光導波路の
クラッド層，コア層を形成する膜の材料としては、石
英，ポリイミド樹脂，エポキシ樹脂等が使用されるが、
本実施形態では、石英系の材料を用いたもので例示して
いる。まず、膜の材料として基本的にはＴＥＯＳ（Tetr
a Ethyl Ortho Silicate：Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₄）を用
い、低温プラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ₂の各膜を形成
している。ここで、ＳｉＯ₂にドーピングを施す事によ
り、屈折率が変化する事はよく知られている。

【００３０】例えば、ＳｉＯ₂にＧｅをドープする事で
屈折率は増加し、Ｆをドープする事で屈折率は減少す
る。このとき、光導波路の各層の構成としての（クラッ
ド層／コア層／クラッド層）に対応して、（ＳｉＯ₂／
ＳｉＯ₂：Ｇｅ／ＳｉＯ₂）のようにＧｅをドープして屈
折率を増加させたコア層とするか、或いは（ＳｉＯ₂：
Ｆ／ＳｉＯ₂／ＳｉＯ₂：Ｆ）のようにＦをドープして屈
折率を減少させたクラッド層とする構成が考えられる。
ここではＦをドープする構成を例に挙げて説明する。

【００３１】図４は、本実施形態における光導波路の具
体的な作製プロセスの一例を示す模式図である。同図で
は、光導波路の具体的な構成を、光射出側から示してい
る。まず、同図（ａ）に示すように、Ｓｉ基板１１上面
に下部クラッド層１２ａを形成する。これは、Ｆドープ
ＳｉＯ₂膜を、上記Ｃ₂Ｆ₆を混合したＴＥＯＳにより約
１５μｍの厚さに形成するものである。

【００３２】次に、同図（ｂ）に示すように、下部クラ
ッド層１２ａ上面にコア層１３を形成する。これは、前
記Ｃ₂Ｆ₆を含んだＴＥＯＳのガス供給を停止し、残留ガ
スを真空引きした後、ノンドープＳｉＯ₂膜を、Ｃ₂Ｆ₆
を混合しないＴＥＯＳにより約３μｍの厚さに形成する
ものである。

【００３３】さらに、同図（ｃ）に示すように、コア層
１３上面に、マスク材料としてスパッタ法によりアモル
ファスシリコン膜１４を１μｍ形成する。そして、同図
（ｄ）に示すように、アモルファスシリコン膜１４上面
にレジストを０．２μｍ塗布し、フォトリソグラフィー
により、光導波路のコア形状となるようにパターニング
を行い、レジスト１５を形成する。

【００３４】（ｄ）の状態で、ＳＦ₆ガスを用いた反応
性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）
により、アモルファスシリコン膜１４をパターニングす
ると、同図（ｅ）に示すように、残った部分がアモルフ
ァスシリコンによるマスク１４ａとなる。続いて（ｅ）
の状態で、レジスト１５をアッシングにより除去した
後、ＣＨＦ₃ガスを用いたＲＩＥにより、コア層１３を
パターニングすると、同図（ｆ）に示すように、残った
部分がコア１３ａとなる。

【００３５】さらに（ｆ）の状態で、下部クラッド層１
２ａ上面に、コア１３ａも覆うように中部クラッド層１
２ｂを形成する。これは、再びＦドープＳｉＯ₂膜を、
上記Ｃ₂Ｆ₆を混合したＴＥＯＳにより約０．６μｍの厚
さに形成するものである。その結果、同図（ｇ）の状態
となる。

【００３６】そして、同図（ｈ）に示すように、中部ク
ラッド層１２ｂ上面にコア層１６を形成する。これは、
前記Ｃ₂Ｆ₆を含んだＴＥＯＳのガス供給を停止し、残留
ガスを真空引きした後、ノンドープＳｉＯ₂膜を、Ｃ₂Ｆ
₆を混合しないＴＥＯＳにより約３μｍの厚さに形成す
るものである。

【００３７】さらに、同図（ｉ）に示すように、コア層
１６上面に、マスク材料としてスパッタ法によりアモル
ファスシリコン膜１７を１μｍ形成する。そして、同図
（ｊ）に示すように、アモルファスシリコン膜１７上面
にレジストを０．２μｍ塗布し、フォトリソグラフィー
により、光導波路のコア形状となるようにパターニング
を行い、レジスト１８を形成する。

【００３８】（ｊ）の状態で、ＳＦ₆ガスを用いた反応
性イオンエッチング（ＲＩＥ）により、アモルファスシ
リコン膜１７をパターニングすると、同図（ｋ）に示す
ように、残った部分がアモルファスシリコンによるマス
ク１７ａとなる。続いて（ｋ）の状態で、レジスト１８
をアッシングにより除去し、ＣＨＦ₃ガスを用いたＲＩ
Ｅにより、コア層１６をパターニングすると、同図
（ｌ）に示すように、残った部分がコア１６ａとなる。

【００３９】さらに（ｌ）の状態で、中部クラッド層１
２ｂ上面に、コア１６ａも覆うように、上部クラッド層
１２ｃを形成する。これは、ＦドープＳｉＯ₂膜を、下
部クラッド層１２ａと同じ成膜条件で、約１５μｍの厚
さに形成するものである。この結果、同図（ｍ）に示す
ように、下部クラッド層１２ａ，中部クラッド層１２
ｂ，上部クラッド層１２ｃが一体化し、コア１３ａ，１
６ａを取り囲むクラッド１２が形成され、光導波路が作
製される。

【００４０】パターニングされた光導波路のコアの大き
さは、膜厚方向が５μｍであり、膜の面内のコア幅は入
射端で４μｍである。作製した光導波路のコアとクラッ
ドの屈折率差Δｎは０．３％であった。本実施形態で
は、コアが４つの場合の作製方法を示したが、例えばコ
アが６つであればコアの作製を３回行う。また、光導波
路のコアの上下方向の位置は、クラッド等の膜厚で制御
する事ができるので、光導波路の基板の反り量に合わせ
て、コア位置を変化させる事ができる。

【００４１】続いて、光導波路と光ファイバーの調芯方
法を以下に示す。上述した各実施形態のように、光ファ
イバーアレイのＶ溝の形状を光導波路の基板の反りに合
わせて作製したり、基板が反ったときにコアの位置が直
線状となるように光導波路を作製したりしても、４本全
ての光ファイバーのコア位置と光導波路のコア位置とを
正確に合わせる事は、実際には困難である。このような
事情により、マルチビーム光源における光量のばらつき
があると、きれいな画像が得られない。そこで、全体の
光量は下がったとしても、光量のばらつきは抑える事が
できるように、光導波路と光ファイバーの調芯を行う。

【００４２】以下に、具体的な調芯手順を示す。上記図
５で示した従来の構成に従って、ビームが４本の場合で
説明すると、まず、同図（ａ）に示すように、光ファイ
バーアレイ１のＶ溝基板３の射出端面３ｂと、光導波路
４の入射端面４ｂとを突き合わせる。次に、同図（ｂ）
に（１）で示すような一端にある光ファイバー２のコア
２ａ（第一芯）の入射端から光を入射させて、最終的に
光導波路４の射出端から光が射出するように、対応する
コア２ａと同図（ｃ）に示すコア４ａの位置を調整す
る。

【００４３】さらに、（４）で示すような他端にある光
ファイバー２のコア２ａ（第四芯）の入射端から光を入
射させて、最終的に光導波路４の射出端から光が射出す
るように、対応するコア２ａとコア４ａの位置を同様に
調整する。そして、第一芯及び第四芯からの射出光量が
最大になるように、光ファイバーアレイ１と光導波路４
の位置合わせを行う。

【００４４】最後に、第一芯及び第四芯からの光量が等
しくなるように保ったまま、光ファイバー２の配列方向
に垂直な方向、即ち同図（ａ）に示す矢印Ａ方向に光フ
ァイバーアレイ１を平行移動し、（１）〜（４）で示す
光ファイバー２にそれぞれ対応する光導波路４の４つの
コア４ａからの光量がほぼ等しくなるように、光ファイ
バーアレイ１と光導波路４の位置合わせを再度行う。こ
のように、調芯を２段階に分けて行う事により、光量ば
らつきの少ない結合を行う事ができる。

【００４５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
簡単な構成で、光導波路の基板に反りが発生しても、光
ファイバーとの結合効率が低下したりばらついたりしな
いマルチビーム光源及び調芯方法を提供する事ができ
る。

【００４６】具体的には、光ファイバーと光導波路の結
合効率が、複数のビーム間でばらつかなくなる事で、二
次光源としての光導波路からの射出光量のビーム間のば
らつきが減少する。その結果、感光体上での光量ばらつ
きが減少し、きれいな画像が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態のマルチビーム光源の構造
を示す説明図。

【図２】Ｖ溝基板の別の構成を示す説明図。

【図３】本発明の他の実施形態のマルチビーム光源の構
造を示す説明図。

【図４】光導波路の具体的な作製プロセスの一例を示す
模式図。

【図５】従来からのマルチビーム光源の構成を模式的に
示す斜視図。

【図６】光導波路の基板が反ったときの様子を模式的に
示す図。

【図７】光ファイバーのコアがほぼ横一直線上に並んだ
構成を模式的に示す図。

【符号の説明】

１光ファイバーアレイ２光ファイバー３Ｖ溝基板４光導波路５押さえ板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光ファイバーアレイと光導波路とを結合
したマルチビーム光源において、前記光導波路の反りに
より変化した該光導波路の複数のコア各々の位置に相対
するように、前記光ファイバーアレイの複数の光ファイ
バー各々を所定位置に配設した事を特徴とするマルチビ
ーム光源。
【請求項２】前記複数の光ファイバー各々は、前記光
ファイバーアレイに設けたＶ溝各々に配置され、該Ｖ溝
の深さにより該光ファイバーの位置を調整する事を特徴
とする請求項１に記載のマルチビーム光源。
【請求項３】光ファイバーアレイと光導波路とを結合
したマルチビーム光源において、前記光導波路の反りに
より変化した該光導波路の複数のコア各々の位置が、前
記光ファイバーアレイの複数の光ファイバー各々の位置
に相対するように、前記光導波路が反る前の所定位置に
前記複数のコア各々を配設した事を特徴とするマルチビ
ーム光源。
【請求項４】光ファイバーアレイの複数の光ファイバ
ー各々のコアの位置と、光導波路の複数のコア各々の位
置とを突き合わせて調芯する調芯方法において、まず両
端に配列されたコアの位置を調芯し、前記光導波路の両
端のコアからの射出光量を互いに等しく保ったまま、コ
アの配列方向と垂直方向に前記光ファイバーアレイ及び
前記光導波路を相対的に変位させ、前記光導波路の各コ
アからの射出光量を略均一となるようにする調芯方法。
【請求項５】請求項１〜請求項３のいずれかに記載の
マルチビーム光源における、光ファイバーアレイの複数
の光ファイバー各々のコアの位置と、光導波路の複数の
コア各々の位置とを突き合わせて調芯する調芯方法にお
いて、まず両端に配列されたコアの位置を調芯し、前記
光導波路の両端のコアからの射出光量を互いに等しく保
ったまま、コアの配列方向と垂直方向に前記光ファイバ
ーアレイ及び前記光導波路を相対的に変位させ、前記光
導波路の各コアからの射出光量を略均一となるようにす
る調芯方法。