JP2001144079A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JP2001144079A JP2001144079A JP2000145487A JP2000145487A JP2001144079A JP 2001144079 A JP2001144079 A JP 2001144079A JP 2000145487 A JP2000145487 A JP 2000145487A JP 2000145487 A JP2000145487 A JP 2000145487A JP 2001144079 A JP2001144079 A JP 2001144079A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】多プラズマ生成空間を真空チャンバー内に多数
のプラズマ生成空間を形成できる多電極型のプラズマ処
理装置を提供する。 【解決手段】本発明によるプラズマ処理装置は、真空チ
ャンバー内の中央部に、アース電位に接続され、放電空
間を制御するアノード電極を配置し、このアノード電極
の両側においてアノード電極に対向させて複数の高周波
電極をそれぞれ配置し、各高周波電極をそれぞれの真空
コンデンサまたはＬＣ回路及び共通のマッチング回路網
を介して共通の高周波電源に接続するように構成され
る。
のプラズマ生成空間を形成できる多電極型のプラズマ処
理装置を提供する。 【解決手段】本発明によるプラズマ処理装置は、真空チ
ャンバー内の中央部に、アース電位に接続され、放電空
間を制御するアノード電極を配置し、このアノード電極
の両側においてアノード電極に対向させて複数の高周波
電極をそれぞれ配置し、各高周波電極をそれぞれの真空
コンデンサまたはＬＣ回路及び共通のマッチング回路網
を介して共通の高周波電源に接続するように構成され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一つの真空チャン
バー内に複数の電極を設け、各電極にそれぞれ処理すべ
き基板を装着し、真空チャンバー内に発生されたプラズ
マを利用して例えばエッチング、スパッタリングまたは
化学気相成長（化学蒸着）などの所定の処理を行うよう
にしたプラズマ処理装置に関するものである。
バー内に複数の電極を設け、各電極にそれぞれ処理すべ
き基板を装着し、真空チャンバー内に発生されたプラズ
マを利用して例えばエッチング、スパッタリングまたは
化学気相成長（化学蒸着）などの所定の処理を行うよう
にしたプラズマ処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体や電子部品における薄膜形
成や機能膜形成、パターン形成にプラズマを利用した種
々の装置が用いられている。このような装置の従来例と
しては、大面積の電極上に処理すべき複数の基板を装着
し、一括処理するように構成したものや、多数の真空チ
ャンバーで枚葉処理するように構成したものが知られて
いる。大面積の電極上に処理すべき複数の基板を装着
し、一括処理する方式のものでは、単位面積当たりの必
要電力を換算すると、処理枚数に見合う高い入力電力が
必要である。電圧のピーク値は、生成されるプラズマ体
積に電子、イオンの各密度を掛けた分上昇する。そのた
め、処理すべき基板の温度の上昇は大きくなり、またプ
ラズマのダメージも大きくなるという問題がある。従っ
てこの方式は、実際問題として、温度管理の必要な基板
や電気的にプラズマによるダメージを許容できない基板
の処理には適さない。そのためこのような基板の処理に
は、多室構造で枚葉処理する方式が採用されてきた。
成や機能膜形成、パターン形成にプラズマを利用した種
々の装置が用いられている。このような装置の従来例と
しては、大面積の電極上に処理すべき複数の基板を装着
し、一括処理するように構成したものや、多数の真空チ
ャンバーで枚葉処理するように構成したものが知られて
いる。大面積の電極上に処理すべき複数の基板を装着
し、一括処理する方式のものでは、単位面積当たりの必
要電力を換算すると、処理枚数に見合う高い入力電力が
必要である。電圧のピーク値は、生成されるプラズマ体
積に電子、イオンの各密度を掛けた分上昇する。そのた
め、処理すべき基板の温度の上昇は大きくなり、またプ
ラズマのダメージも大きくなるという問題がある。従っ
てこの方式は、実際問題として、温度管理の必要な基板
や電気的にプラズマによるダメージを許容できない基板
の処理には適さない。そのためこのような基板の処理に
は、多室構造で枚葉処理する方式が採用されてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】多室構造で枚葉処理す
る方式においては、真空排気系及びプラズマ励起系を処
理室毎に一台ずつ設ける必要があり、装置設備に掛かる
コストが高くつくという問題がある。そのため近年この
種の分野において求められている装置の低コスト化の要
求を満足させることはできない。
る方式においては、真空排気系及びプラズマ励起系を処
理室毎に一台ずつ設ける必要があり、装置設備に掛かる
コストが高くつくという問題がある。そのため近年この
種の分野において求められている装置の低コスト化の要
求を満足させることはできない。
【０００４】一方、装置のコストを低減するために、真
空チャンバー内に設けられる複数の高周波電極を共通の
マッチング回路網及び高周波励起電源に接続する構成の
装置も提案されてきたが、それぞれの電極容量及び電極
を装着している接続板（通常銅製）のインダクタンスの
ばらつきのために一番インピーダンスの低下する電極に
放電が集中し、パワー分配が不均一となり、高周波励起
の利点である安定したプラズマの生成が困難となる。
空チャンバー内に設けられる複数の高周波電極を共通の
マッチング回路網及び高周波励起電源に接続する構成の
装置も提案されてきたが、それぞれの電極容量及び電極
を装着している接続板（通常銅製）のインダクタンスの
ばらつきのために一番インピーダンスの低下する電極に
放電が集中し、パワー分配が不均一となり、高周波励起
の利点である安定したプラズマの生成が困難となる。
【０００５】そこで、本発明は、真空チャンバー内に多
数のプラズマ生成空間を形成できる多電極型のプラズマ
処理装置を提供することを目的としている。
数のプラズマ生成空間を形成できる多電極型のプラズマ
処理装置を提供することを目的としている。
【０００６】上記目的を達成するために、本発明によれ
ば、一つの真空チャンバー内に設けられた複数の高周波
電極のそれぞれに処理すべき基板を装着し、真空チャン
バー内に発生されたプラズマを利用して所定の処理を行
うようにしたプラズマ処理装置において、真空チャンバ
ー内の中央部に、アース電位に接続され、放電空間を制
御するアノード電極を配置し、このアノード電極の両側
においてアノード電極に対向させて複数の高周波電極を
それぞれ配置し、各高周波電極をそれぞれの真空コンデ
ンサ及び共通のマッチング回路網を介して共通の高周波
電源に接続したことを特徴としている。
ば、一つの真空チャンバー内に設けられた複数の高周波
電極のそれぞれに処理すべき基板を装着し、真空チャン
バー内に発生されたプラズマを利用して所定の処理を行
うようにしたプラズマ処理装置において、真空チャンバ
ー内の中央部に、アース電位に接続され、放電空間を制
御するアノード電極を配置し、このアノード電極の両側
においてアノード電極に対向させて複数の高周波電極を
それぞれ配置し、各高周波電極をそれぞれの真空コンデ
ンサ及び共通のマッチング回路網を介して共通の高周波
電源に接続したことを特徴としている。
【０００７】代りに、本発明によれば、一つの真空チャ
ンバー内に設けられた複数の高周波電極のそれぞれに処
理すべき基板を装着し、真空チャンバー内に発生された
プラズマを利用して所定の処理を行うようにしたプラズ
マ処理装置において、真空チャンバー内の中央部に、ア
ース電位に接続され、放電空間を制御するアノード電極
を配置し、このアノード電極の両側においてアノード電
極に対向させて複数の高周波電極をそれぞれ配置し、各
高周波電極をそれぞれのＬＣ回路及び共通のマッチング
回路網を介して共通の高周波電源に接続したことを特徴
としている。
ンバー内に設けられた複数の高周波電極のそれぞれに処
理すべき基板を装着し、真空チャンバー内に発生された
プラズマを利用して所定の処理を行うようにしたプラズ
マ処理装置において、真空チャンバー内の中央部に、ア
ース電位に接続され、放電空間を制御するアノード電極
を配置し、このアノード電極の両側においてアノード電
極に対向させて複数の高周波電極をそれぞれ配置し、各
高周波電極をそれぞれのＬＣ回路及び共通のマッチング
回路網を介して共通の高周波電源に接続したことを特徴
としている。
【０００８】好ましくは、各高周波電極は、水冷本体と
静電吸着電極とを備え、また各高周波電極における静電
吸着電極はそれぞれの高周波カットフィルタを介して共
通の直流電源に接続され得る。
静電吸着電極とを備え、また各高周波電極における静電
吸着電極はそれぞれの高周波カットフィルタを介して共
通の直流電源に接続され得る。
【０００９】さらに本発明においては、各高周波電極に
より生成されるプラズマの生成空間を仕切るアース電位
の仕切り部材が設けられ得る。
より生成されるプラズマの生成空間を仕切るアース電位
の仕切り部材が設けられ得る。
【００１０】本発明において、それぞれの高周波電極に
接続された真空コンデンサは、装置の製作上伴い得る高
周波電極の容量のばらつき及び高周波電極の装着される
接続基体のインダクタンスのばらつきを補正してそれぞ
れの高周波電極に高周波電力を均一に分配するように
し、それにより各高周波電極と組合さった放電空間に満
足な放電が発生され得る。
接続された真空コンデンサは、装置の製作上伴い得る高
周波電極の容量のばらつき及び高周波電極の装着される
接続基体のインダクタンスのばらつきを補正してそれぞ
れの高周波電極に高周波電力を均一に分配するように
し、それにより各高周波電極と組合さった放電空間に満
足な放電が発生され得る。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の実施の形態を説明する。
の実施の形態を説明する。
【００１２】図１及び図２には、プラズマエッチング装
置として実施した本発明の一実施の形態を示す。図示プ
ラズマエッチング装置においては、長方形の真空チャン
バー１の下側壁とそれに対向した上側壁にはそれぞれカ
ソード電極すなわち高周波電極２が四つずつ対称的に設
けられている。そして真空チャンバー１内において上下
両側の高周波電極２の中間位置すなわち真空チャンバー
１の長手方向中央軸線位置に沿って共通のアノード電極
３が配置されている。アノード電極３はアース電位に接
続されている。上下各側の高周波電極２は二つずつ対を
成してそれぞれの可変真空コンデンサ４を介して共通の
マッチング回路網及び13．56MHz 、３ｋＷの高周波電源
５に接続されている。従って、図示実施の形態において
は八つの高周波電極２に対してその半分の四つの高周波
電源６が設けられる。マッチング回路網には、インピー
ダンスを完全に整合するために、ＬＣ回路（図示してい
ない）が接続される。
置として実施した本発明の一実施の形態を示す。図示プ
ラズマエッチング装置においては、長方形の真空チャン
バー１の下側壁とそれに対向した上側壁にはそれぞれカ
ソード電極すなわち高周波電極２が四つずつ対称的に設
けられている。そして真空チャンバー１内において上下
両側の高周波電極２の中間位置すなわち真空チャンバー
１の長手方向中央軸線位置に沿って共通のアノード電極
３が配置されている。アノード電極３はアース電位に接
続されている。上下各側の高周波電極２は二つずつ対を
成してそれぞれの可変真空コンデンサ４を介して共通の
マッチング回路網及び13．56MHz 、３ｋＷの高周波電源
５に接続されている。従って、図示実施の形態において
は八つの高周波電極２に対してその半分の四つの高周波
電源６が設けられる。マッチング回路網には、インピー
ダンスを完全に整合するために、ＬＣ回路（図示してい
ない）が接続される。
【００１３】また、各高周波電極２の両側と中央のアノ
ード電極３との間には図示したように、孔径が３mm以下
のパンチングメタルまたはメッシュメタルから成るアー
ス電位の仕切り部材６がそれぞれ設けられている。これ
らの仕切り部材６は、各高周波電極２と中央のアノード
電極３との間に画定された空間内に生成される放電プラ
ズマを閉じこめる働きをすると共に、隣接高周波電極２
間の高周波干渉を抑制する。
ード電極３との間には図示したように、孔径が３mm以下
のパンチングメタルまたはメッシュメタルから成るアー
ス電位の仕切り部材６がそれぞれ設けられている。これ
らの仕切り部材６は、各高周波電極２と中央のアノード
電極３との間に画定された空間内に生成される放電プラ
ズマを閉じこめる働きをすると共に、隣接高周波電極２
間の高周波干渉を抑制する。
【００１４】図２には、図１の装置における一つの高周
波電極２とアノード電極３との関連構成の詳細を拡大し
て示す。高周波電極２は真空チャンバー１の壁に設けた
開口部に例えばテフロン（登録商標）から成る絶縁部材
７を介して真空密封的に取付けられている。また高周波
電極２は内部に水冷チャネル８を備えている。高周波電
極２の表面すなわちアノード電極３に対向した面上には
アルミニウム製の台座９が固着手段10によって固定さ
れ、その上に静電吸着電極11が設けられ、この静電吸着
電極11上に処理すべき基板、例えばフイルム状基板（図
示ていない）がアルミナ製のクランプ12によって装着さ
れる。この場合、各静電吸着電極11上には一枚の基板が
装着されているが、代りに複数枚の基板を装着するよう
にしてもよい。一般に、静電吸着電極11による吸着力
は、処理すべき基板の表面形状に依存し、使用される基
板としては吸着すべき導体に制限があり、しかもパター
ン形成のためにレジストマスクを用いる表面に凸凹があ
るので、強くできない。また、基板の導体パターンでは
強く、それ以外の部分では弱い。さらに基板の熱膨張は
材質により異なり、基板の導体パターンでは熱膨張も大
きく、プラズマ処理中に膨みが発生し易い。この皺寄せ
が基板の端面に生じると、基板の端部で異常放電が生じ
ることになる。また静電吸着電極11の表面材がプラズマ
でエッチングされ、その結果寿命が短くなる。これらの
課題を解決するため、アルミナ製のクランプ12は、図示
したように基板の周囲縁部を覆うように構成され、また
熱膨張を吸収するために基板との間に隙間を残すように
構成され得る。さらに静電吸着電極11はリード線13を介
して直流電源（図示していない）に接続され、この直流
電源は好ましくは全てまたは幾つかの静電吸着電極11に
対して共通に設けられ得る。また、静電吸着電極11には
それぞれ高周波カットフィルタ（図示していない）が接
続される。
波電極２とアノード電極３との関連構成の詳細を拡大し
て示す。高周波電極２は真空チャンバー１の壁に設けた
開口部に例えばテフロン（登録商標）から成る絶縁部材
７を介して真空密封的に取付けられている。また高周波
電極２は内部に水冷チャネル８を備えている。高周波電
極２の表面すなわちアノード電極３に対向した面上には
アルミニウム製の台座９が固着手段10によって固定さ
れ、その上に静電吸着電極11が設けられ、この静電吸着
電極11上に処理すべき基板、例えばフイルム状基板（図
示ていない）がアルミナ製のクランプ12によって装着さ
れる。この場合、各静電吸着電極11上には一枚の基板が
装着されているが、代りに複数枚の基板を装着するよう
にしてもよい。一般に、静電吸着電極11による吸着力
は、処理すべき基板の表面形状に依存し、使用される基
板としては吸着すべき導体に制限があり、しかもパター
ン形成のためにレジストマスクを用いる表面に凸凹があ
るので、強くできない。また、基板の導体パターンでは
強く、それ以外の部分では弱い。さらに基板の熱膨張は
材質により異なり、基板の導体パターンでは熱膨張も大
きく、プラズマ処理中に膨みが発生し易い。この皺寄せ
が基板の端面に生じると、基板の端部で異常放電が生じ
ることになる。また静電吸着電極11の表面材がプラズマ
でエッチングされ、その結果寿命が短くなる。これらの
課題を解決するため、アルミナ製のクランプ12は、図示
したように基板の周囲縁部を覆うように構成され、また
熱膨張を吸収するために基板との間に隙間を残すように
構成され得る。さらに静電吸着電極11はリード線13を介
して直流電源（図示していない）に接続され、この直流
電源は好ましくは全てまたは幾つかの静電吸着電極11に
対して共通に設けられ得る。また、静電吸着電極11には
それぞれ高周波カットフィルタ（図示していない）が接
続される。
【００１５】中央のアノード電極３は内部に水冷チャネ
ル14が設けられている。またアノード電極３と各高周波
電極２との間の空間において中央のアノード電極３寄り
にエッチングガス供給用ガスパイプ15が設けられてい
る。エッチングガスとしてはフッ素を含むハロゲンガス
とＯ２やＮ２の混合ガス、或いはこの混合ガスにさらに
ＣＨＦ３などのＣＨを含むガスを混合したものなどが使
用され得る。
ル14が設けられている。またアノード電極３と各高周波
電極２との間の空間において中央のアノード電極３寄り
にエッチングガス供給用ガスパイプ15が設けられてい
る。エッチングガスとしてはフッ素を含むハロゲンガス
とＯ２やＮ２の混合ガス、或いはこの混合ガスにさらに
ＣＨＦ３などのＣＨを含むガスを混合したものなどが使
用され得る。
【００１６】各高周波電極２の両側に設けら、プラズマ
領域を限定する仕切り部材６は、高周波プラズマによっ
て誘起される電位を最小にするために上述のようにアー
ス電位に接続され、また各高周波電極２毎のガスの移動
すなわちガスの導入及び排気を容易にするため、仕切り
部材６は好ましくは開口率45％程度、しかもプラズマの
漏れを抑制するため各孔の径３mm以下のメッシュやパン
チングメタルで構成される。
領域を限定する仕切り部材６は、高周波プラズマによっ
て誘起される電位を最小にするために上述のようにアー
ス電位に接続され、また各高周波電極２毎のガスの移動
すなわちガスの導入及び排気を容易にするため、仕切り
部材６は好ましくは開口率45％程度、しかもプラズマの
漏れを抑制するため各孔の径３mm以下のメッシュやパン
チングメタルで構成される。
【００１７】ところで、図示実施の形態では、高周波電
極２は片側に四つずつ設けられているが、二つまたは三
つ或いは四つ以上設けてもよい。また図示実施の形態で
は、二つの高周波電極２に対して一つの高周波電源５が
用いられているが、必要により三つ以上の高周波電極２
を一つの高周波電源に接続するように構成することもで
きる。また、図示装置はバッチ型の装置として実施して
いるが、当然ロードロック式の装置として実施すること
もできる。さらに、本発明においては、真空コンデンサ
の代りにＬＣ回路を用いても同様な作用効果を得ること
ができる。
極２は片側に四つずつ設けられているが、二つまたは三
つ或いは四つ以上設けてもよい。また図示実施の形態で
は、二つの高周波電極２に対して一つの高周波電源５が
用いられているが、必要により三つ以上の高周波電極２
を一つの高周波電源に接続するように構成することもで
きる。また、図示装置はバッチ型の装置として実施して
いるが、当然ロードロック式の装置として実施すること
もできる。さらに、本発明においては、真空コンデンサ
の代りにＬＣ回路を用いても同様な作用効果を得ること
ができる。
【００１８】次に、本発明に従って、片側に八つずつ全
部で16個の高周波電極を設け、四つ一組として図１に示
すように共通の高周波電極に接続して構成した装置を用
意し、真空コンデンサの有無による放電状態及び真空コ
ンデンサの容量の調整を下表に示す。装置の動作条件と
して真空チャンバー内にＣＦ４とＯ２をそれぞれ1000SC
CM、200SCCM ずつ流し、圧力を10Pa〜30Paとし、投入高
周波電力を0.5kW 〜2.5kWとして放電状態を観察した。
部で16個の高周波電極を設け、四つ一組として図１に示
すように共通の高周波電極に接続して構成した装置を用
意し、真空コンデンサの有無による放電状態及び真空コ
ンデンサの容量の調整を下表に示す。装置の動作条件と
して真空チャンバー内にＣＦ４とＯ２をそれぞれ1000SC
CM、200SCCM ずつ流し、圧力を10Pa〜30Paとし、投入高
周波電力を0.5kW 〜2.5kWとして放電状態を観察した。
【００１９】 電源 高周波 真空コンデンサ 真空コンデンサ 真空コンデ 電極 なし （1000PF） サの調整値 （PF） １ １ 放 電 強い放電 ６１０ ２ 放 電 放 電 ６４０ ３ 放電せず 弱い放電 ８５０ ４ 極めて弱い放電 放 電 ６５０ ２ ５ 放電せず 放 電 ７９０ ６ 放電せず 弱い放電 ８４０ ７ 放 電 普通の放電 ６７０ ８ 放 電 普通の放電 ６４０ ３ ９ 放 電 強い放電 ６２０ 10 放 電 普通の放電 ６５０ 11 極めて弱い放電 普通の放電 ７６０ 12 放電せず 普通の放電 ８８０ ４ 13 放 電 普通の放電 ６６０ 14 放 電 普通の放電 ６５０ 15 放電せず 普通の放電 ７８０ 16 放電せず 弱い放電 ７６０
【００２０】16個の高周波電極に直列に接続した真空コ
ンデンサの容量の値を上の表に示したように調整して、
投入高周波電力を2.5kW とした場合の真空チャンバー内
圧力10Paと20Paの時のＳｉＯ２基板のエッチングレート
（オングストローム／分）を測定したところ下記の結果
が得られた。 基 板 圧力10Paの場合の 圧力20Paの場合の 電極内５点平均値 電極内５点平均値 ａ ６１８±３％ ６５１±１２．８％ ｂ ６２３±３．２％ ６６２±１３．１％ ｃ ６１７±２．８％ ６４８±１２．４％ ｄ ６２８±２．１％ ６６９±１１．９％ ｅ ６０９±４．１％ ６３１±１３．８％ ｆ ６１２±１．２％ ６４７±１１．１％ ｇ ６２５±３．２％ ６７１±１３．１％ ｈ ６１９±２．９％ ６６２±１２．１％ ｉ ６３１±２．８％ ６７２±１２．２％ ｊ ６１１±２．９％ ６５３±１１．５％ ｋ ６０７±２．７％ ６５４±１１．９％ ｌ ６０８±１．８％ ６４８±１０．８％ ｍ ６１９±３．２％ ６６６±１２．４％ ｏ ６２５±４．１％ ６６９±１３．３％ ｐ ６２３±１．８％ ６６５±１０．７％ ｑ ６３１±１．１％ ６７４±１０．６％
ンデンサの容量の値を上の表に示したように調整して、
投入高周波電力を2.5kW とした場合の真空チャンバー内
圧力10Paと20Paの時のＳｉＯ２基板のエッチングレート
（オングストローム／分）を測定したところ下記の結果
が得られた。 基 板 圧力10Paの場合の 圧力20Paの場合の 電極内５点平均値 電極内５点平均値 ａ ６１８±３％ ６５１±１２．８％ ｂ ６２３±３．２％ ６６２±１３．１％ ｃ ６１７±２．８％ ６４８±１２．４％ ｄ ６２８±２．１％ ６６９±１１．９％ ｅ ６０９±４．１％ ６３１±１３．８％ ｆ ６１２±１．２％ ６４７±１１．１％ ｇ ６２５±３．２％ ６７１±１３．１％ ｈ ６１９±２．９％ ６６２±１２．１％ ｉ ６３１±２．８％ ６７２±１２．２％ ｊ ６１１±２．９％ ６５３±１１．５％ ｋ ６０７±２．７％ ６５４±１１．９％ ｌ ６０８±１．８％ ６４８±１０．８％ ｍ ６１９±３．２％ ６６６±１２．４％ ｏ ６２５±４．１％ ６６９±１３．３％ ｐ ６２３±１．８％ ６６５±１０．７％ ｑ ６３１±１．１％ ６７４±１０．６％
【００２１】上記測定結果から圧力10Paの場合の電極間
のばらつきは±１．９％であり、圧力20Paの場合の電極
間のばらつきは±３．３％であり、低圧の方がより一様
なエッチングレートが得られることが認められる。
のばらつきは±１．９％であり、圧力20Paの場合の電極
間のばらつきは±３．３％であり、低圧の方がより一様
なエッチングレートが得られることが認められる。
【００２２】図３には、ポリイミドの高速エッチングプ
ロセスにおける作業ガスの種類及び流量とエッチング速
度との関係を示す。
ロセスにおける作業ガスの種類及び流量とエッチング速
度との関係を示す。
【００２３】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明による
プラズマ処理装置においては、真空チャンバー内の中央
部に、アース電位に接続され、放電空間を制御するアノ
ード電極を配置し、このアノード電極の両側においてア
ノード電極に対向させて複数の高周波電極をそれぞれ配
置し、各高周波電極をそれぞれの真空コンデンサまたは
ＬＣ回路及び共通のマッチング回路網を介して共通の高
周波電源に接続するように構成しているので、全高周波
電極に高周波電力を均一に分配することができると共
に、電源及びマッチング回路網の数を大幅に（実際には
半分以下に）削減することができるようになる。その結
果、装置のコストを大幅に低減させることができるだけ
でなく、装置の重量も低減でき、さらにはメンテナンス
のための十分な空間が確保できるなどの効果が得られ
る。
プラズマ処理装置においては、真空チャンバー内の中央
部に、アース電位に接続され、放電空間を制御するアノ
ード電極を配置し、このアノード電極の両側においてア
ノード電極に対向させて複数の高周波電極をそれぞれ配
置し、各高周波電極をそれぞれの真空コンデンサまたは
ＬＣ回路及び共通のマッチング回路網を介して共通の高
周波電源に接続するように構成しているので、全高周波
電極に高周波電力を均一に分配することができると共
に、電源及びマッチング回路網の数を大幅に（実際には
半分以下に）削減することができるようになる。その結
果、装置のコストを大幅に低減させることができるだけ
でなく、装置の重量も低減でき、さらにはメンテナンス
のための十分な空間が確保できるなどの効果が得られ
る。
【図１】本発明の一つの実施の形態によるプラズマ処理
装置を示す概略平面図。
装置を示す概略平面図。
【図２】図２に示すプラズマ処理装置の細部の構造を示
す拡大縦断面図。
す拡大縦断面図。
【図３】本発明によるプラズマ処理装置によるポリイミ
ドの高速エッチングプロセスにおける作業ガスの種類及
び流量とエッチング速度との関係を示すグラフ。
ドの高速エッチングプロセスにおける作業ガスの種類及
び流量とエッチング速度との関係を示すグラフ。
１：真空チャンバー ２：高周波電極 ３：アノード電極（対向電極） ４：真空コンデンサ ５：共通のマッチング回路網及び高周波電源 ６：仕切り部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｃ (72)発明者 太田 賀文 千葉県山武郡山武町横田523 日本真空技 術株式会社千葉超材料研究所内 (72)発明者 菊池 正志 神奈川県茅ケ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内 (72)発明者 池田 均 神奈川県茅ケ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内 (72)発明者 大園 雅 神奈川県茅ケ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内 Ｆターム(参考） 4K030 DA04 FA03 GA02 KA12 KA14 KA15 KA26 KA30 4K057 DA16 DA19 DB06 DB20 DD03 DD08 DM03 DM06 DM16 DM17 DM33 DM35 DM38 DM39 DN01 5F004 AA16 BA06 BB13 BB22 BC06 BD04 CA02 CA03 DA01 DA25 DA26 DB03 5F045 AA08 AC11 AC15 BB08 EH04 EH06 EH13
Claims (5)
- 【請求項１】一つの真空チャンバー内に設けられた複数
の高周波電極のそれぞれに処理すべき基板を装着し、真
空チャンバー内に発生されたプラズマを利用して所定の
処理を行うようにしたプラズマ処理装置において、 真空チャンバー内の中央部に、アース電位に接続され、
放電空間を制御するアノード電極を配置し、このアノー
ド電極の両側においてアノード電極に対向させて複数の
高周波電極をそれぞれ配置し、 各高周波電極をそれぞれの真空コンデンサ及び共通のマ
ッチング回路網を介して共通の高周波電源に接続したこ
とを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】各高周波電極が水冷本体と静電吸着電極と
を備えていることを特徴とする請求項１に記載のプラズ
マ処理装置。 - 【請求項３】各高周波電極における静電吸着電極をそれ
ぞれの高周波カットフィルタを介して共通の直流電源に
接続したことを特徴とする請求項２に記載のプラズマ処
理装置。 - 【請求項４】さらに各高周波電極により生成されるプラ
ズマの生成空間を仕切りるアース電位の仕切り部材を設
けたことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装
置。 - 【請求項５】一つの真空チャンバー内に設けられた複数
の高周波電極のそれぞれに処理すべき基板を装着し、真
空チャンバー内に発生されたプラズマを利用して所定の
処理を行うようにしたプラズマ処理装置において、 真空チャンバー内の中央部に、アース電位に接続され、
放電空間を制御するアノード電極を配置し、このアノー
ド電極の両側においてアノード電極に対向させて複数の
高周波電極をそれぞれ配置し、 各高周波電極をそれぞれのＬＣ回路及び共通のマッチン
グ回路網を介して共通の高周波電源に接続したことを特
徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000145487A JP4528418B2 (ja) | 1999-09-03 | 2000-05-17 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24992699 | 1999-09-03 | ||
| JP11-249926 | 1999-09-03 | ||
| JP2000145487A JP4528418B2 (ja) | 1999-09-03 | 2000-05-17 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001144079A true JP2001144079A (ja) | 2001-05-25 |
| JP4528418B2 JP4528418B2 (ja) | 2010-08-18 |
Family
ID=26539556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000145487A Expired - Lifetime JP4528418B2 (ja) | 1999-09-03 | 2000-05-17 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4528418B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2010066151A1 (zh) * | 2008-12-09 | 2010-06-17 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 等离子体加工设备 |
| US9736919B2 (en) | 2010-07-30 | 2017-08-15 | Plasmart, Inc. | RF power distribution device and RF power distribution method |
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-
2000
- 2000-05-17 JP JP2000145487A patent/JP4528418B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4528418B2 (ja) | 2010-08-18 |
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