JP2001142051A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JP2001142051A
JP2001142051A JP32410799A JP32410799A JP2001142051A JP 2001142051 A JP2001142051 A JP 2001142051A JP 32410799 A JP32410799 A JP 32410799A JP 32410799 A JP32410799 A JP 32410799A JP 2001142051 A JP2001142051 A JP 2001142051A
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liquid crystal
layer
display device
crystal display
dielectric constant
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JP32410799A
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English (en)
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Katsuhiko Kishimoto
克彦 岸本
Osamu Sakai
道 酒井
Nobuaki Yamada
信明 山田
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Original Assignee
Sharp Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 クロストーク現象に起因する表示品位の低下
を抑制・防止したプラズマアドレス液晶表示装置を提供
する。 【解決手段】 複数の電極および複数の電極間と液晶層
との間に形成された高比誘電率層を有する。高比誘電率
層は液晶層に含まれる液晶材料の比誘電率の異方性(Δ
ε)の絶対値よりも大きな比誘電率を有する材料から形
成されている。高比誘電率層は、隣接する電極に発生す
る横電界を選択的に高比誘電率層内に導くように作用す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に関
し、液晶セルとプラズマセルとを互いに積層したフラッ
トパネル構造を有するプラズマアドレス液晶表示装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】大型で薄型の平面ディスプレイの実現を
目指して、プラズマアドレス液晶表示装置の開発が行わ
れている。プラズマアドレス液晶表示装置は、例えば、
特開平1−217396号公報に開示されている。
【0003】図3に従来のプラズマアドレス液晶表示装
置200を模式的に示す。
【0004】プラズマアドレス液晶表示装置200は、
液晶セル201とプラズマセル202が中間の誘電体シ
ート203を介して積層された構造を有している。さら
に、液晶セル201およびプラズマセル202を挟持す
る一対の偏光板213および214を有し、典型的には
プラズマセル202の背面にバックライト(不図示)が
設けられる。
【0005】プラズマセル202は、互いに平行な複数
のストライプ状の溝205が形成された絶縁性基板20
4と誘電体シート203とを有する。誘電体シート20
3は、後述する様に、液晶セル201の一部としても機
能する。基板204上に形成されている複数の溝205
のそれぞれは、誘電体シート203によって密封されて
いる。この密封された空間には、放電によってイオン化
が可能なガスが封入されており、プラズマチャネル20
5を形成する(プラズマチャネルを溝と同じ参照符号で
示す)。各溝205の底部には、1対のプラズマ電極2
06および207が形成されている。一方をアノード
A、他方をカソードKとして、封入されているガスに電
圧を印加し、イオン化することによって、プラズマ放電
を発生させる。プラズマ放電が起こり、プラズマチャネ
ル205内のガスをイオン化することを、プラズマチャ
ネル205を「活性化」するということもある。
【0006】液晶セル201は、基板208と誘電体シ
ート203と、これらの間に挟持された液晶層209と
を有している。基板208の液晶層209側には、互い
に平行なストライプ状の複数の電極(列電極)210が
形成されている。この電極210は、プラズマチャネル
205と交差するように配列されている。基板208の
液晶層209側には、さらに、電極210に対応して設
けられる着色層(不図示)と、各着色層間に形成された
ブラックマトリクス212とを備えている。着色層は、
典型的には、赤、緑、青色層である。
【0007】電極210とプラズマチャネル205とが
交差する領域に絵素領域が形成される。絵素領域内の液
晶層209は、電極210とプラズマチャネル205と
の間に印加された電圧に応じて配向状態を変化し、絵素
領域を通過する光の量が変化する。マトリクス状に配置
された絵素領域内の液晶層209に画像信号を印加する
ことによって、それぞれの絵素領域を通過する光の量を
制御し、画像の表示を行う。本願明細書においては、表
示における最小単位を「絵素」とし、「絵素」に対応す
る液晶表示装置の領域を「絵素領域」という。絵素領域
は、プラズマチャネル205と電極210とが交差する
領域に存在する。ブラックマトリクスを有する典型的な
従来の液晶表示装置においては、絵素領域はブラックマ
トリクスの開口部内に存在する。すなわち、ブラックマ
トリクスの開口部が絵素領域の外延を規定する。本来
「絵素」および「絵素領域」は互いに重ならない。しか
しながら、後述するように、プラズマアドレス液晶表示
装置においてクロストーク現象が発生した場合、実際の
表示動作において規定される「絵素」および「絵素領
域」が隣接する「絵素」および「絵素領域」の少なくと
も一部と重なる。すなわち、実際の表示動作上の「絵素
領域」が、設計上(構造上)の「絵素領域」と一致しな
い。本願明細書においては、両者を区別するために、
「設計上の絵素領域」および「表示動作上の絵素領域」
という用語を用いることがある。また、電極および絵素
領域のそれぞれの辺のうちプラズマチャネルの伸長方向
に交差する辺を「端辺」と称する。電極は、典型的には
それぞれが矩形でストライプ状に配置されており、絵素
領域は、典型的にはそれぞれが矩形でマトリクス状に配
置されている。それぞれ対向する一対の「端辺」の間の
距離を「幅」と称する。絵素領域の端辺を含む領域を
「端辺領域」と称する。
【0008】上述した従来のプラズマアドレス液晶表示
装置200は、例えば、プラズマチャネル205が行走
査単位となり、電極210が列駆動単位となる。プラズ
マチャネル205を行毎に逐次選択的に活性化すること
によって、線順次走査が実行される。これと同期して、
列駆動単位を構成する各電極210に画像信号が印加さ
れる。選択的に活性化されたプラズマチャネル205内
には、イオン化されたガスが充満しているので、活性化
されたプラズマチャネル205全体がアノード電位
(「基準電位」ともいう。)となる。誘電体シート20
3と液晶層209とを介して互いに対向するプラズマチ
ャネル205と電極210に駆動電圧(画像信号電圧に
対応)が印加されると、誘電体シート203の下面(プ
ラズマチャネル205側の面、以下「誘電体シート下面
203S」と記す。)203Sに、アノード電位と駆動
電圧の電位との差に応じた量の電荷が誘導・蓄積され
る。次に、このプラズマチャネル205が非選択(プラ
ズマ放電が中止)とされると、プラズマチャネル205
内は絶縁状態となる。プラズマチャネル205が再び選
択され活性化されるまで、誘電体シート下面203Sに
電荷は蓄積されたままの状態が維持される。その結果、
誘電体シート下面203Sと電極210との間の電位差
(電圧)は維持される。すなわち、プラズマチャネル2
05が選択されたときに対向する電極210に印加され
ていた駆動電圧に応じた電圧(アノード電位が接地電位
の場合、駆動電圧そのものもの)が、誘電体シート下面
203S/誘電体シート203/液晶層209/電極2
10によって形成される容量によって、サンプルホール
ドされる。このように、プラズマチャネル205は、誘
電体シート下面203Sとアノード電極207との電気
的な接続/非接続とを制御するスイッチング素子として
機能する。また、誘電体シート下面203Sは仮想的な
電極として機能する。もちろん、行と列を逆にしても良
く、プラズマチャネル205のアノード電極207に駆
動電圧を印加し、電極210に走査電圧を印加してもよ
い。
【0009】プラズマアドレス液晶表示装置200の一
絵素領域は、図4に示す等価回路を用いて表すことがで
きる。図4に示したように、プラズマアドレス液晶表示
装置200の一絵素領域は、誘電体シート下面203S
と誘電体シート203とを含む容量CG(誘電体シート
容量)と、容量CGに直列に接続された液晶層209と
電極210とを含む容量CLC(液晶容量)と、誘電体シ
ート下面203SにスイッチS(プラズマチャネル20
5)を介して接続されるアノード電極207とを有し、
電極210に外部から駆動電圧VDが印加される構成を
有している。スイッチSがON状態になると、誘電体シ
ート下面203Sと電極210間に駆動電圧(交流電
圧;絶対値をVD)VDが印加される。このときに、絵素
領域の表示状態(絵素領域内に存在する液晶層209の
液晶分子の配向状態)に直接的に影響する電圧は、液晶
容量CLCに印加される電圧VLCであり、電圧VLCは、次
式(1)で与えられる。
【0010】 VLC=VD×{CG/(CLC+CG)} (1) すなわち、駆動電圧は、直列に接続されている容量CLC
と容量CGとによって容量分割される。ここで、液晶層
209の厚さをdLC、誘電体シート203の厚さをdG
とし、液晶層209と誘電体シート(典型的にはガラ
ス)203との比誘電率が互いに等しいと近似すると、
VLCは式(2)で与えられる。
【0011】 VLC=VD×{dLC/(dLC+dG)} (2) 典型的には、プラズマアドレス液晶表示装置200の液
晶層209の厚さdLCは約5μm、誘電体シート(ガラ
スシート)の厚さdGは約50μmであるので、液晶層2
09に例えば4Vの電圧を印加するためには(VLC=4
V)、駆動電圧VDとして約40Vの電圧を印加する必
要があることが式(2)から分かる。
【0012】プラズマアドレス液晶表示装置200は、
薄膜トランジスタを用いる液晶表示装置に比べて簡単な
プロセスで製造できるなどの理由から、特に大型の液晶
表示装置として期待されている。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
プラズマアドレス液晶表示装置200には、クロストー
ク現象が発生しやすいという問題があった。
【0014】プラズマアドレス液晶表示装置におけるク
ロストーク現象は、上述したように大きな駆動電圧が誘
電体シートおよび液晶層に印加されることに起因してい
ると考えられる。以下に、図5Aおよび図5Bを参照し
ながら、プラズマアドレス液晶表示装置200における
クロストーク現象を説明する。
【0015】図5Aおよび図5Bは、プラズマアドレス
液晶表示装置200を模式的に示した図であり、1つの
プラズマチャネル205に沿った3つの連続した絵素領
域Pを示している。ここで、絵素領域Pは、設計上の絵
素領域を示している。図5Aは断面図であり、図5Bは
上面図である。
【0016】図5Aに示したように、従来のプラズマア
ドレス液晶表示装置200の互いに隣接する電極210
Gと電極210Bとの間に電位差(例えば、40V)が
あると、例えば、電極210Gから電極210Bへ横方
向の電界(電気力線)Eが発生する。この横電界Eによ
って、電極210B近傍に存在する本来OFF状態にあ
るべき液晶分子209aの配向がON状態となる。
【0017】誘電異方性が負の液晶分子209aを用い
たノーマリブラックモードの液晶表示装置においてクロ
ストーク現象が発生すると、液晶分子209aは横電界
に対して垂直に配向しようとするので、図5Bに示した
ように、本来黒表示状態(OFF状態)となるべき隣接
絵素領域の一部の領域(端辺領域)が白表示(ON状
態)となる。カラー表示においては、本来黒状態にある
べき隣接する絵素領域の端辺領域が白表示状態になる
と、色純度が低下するので、表示品位の低下が顕著とな
る。モノクロ表示においては輪郭のぼやけを引き起こ
す。このクロストーク現象による表示品位の低下は、隣
接する2つの絵素領域間にのみ発生するのではなく、電
極の伸長方向(例えば列方向)に平行に線状に発生し、
明るい(白ぽい)縞として観察される。図5Bにおいて
は、電極210Bおよび電極210R(0Vが印加され
ている)によって規定される列状に配列された絵素領域
内の、電極210G(40Vが印加されている)側の一
部の領域(端辺領域)がON状態となり、白い線状に図
示されている。
【0018】ノーマリホワイトモードの液晶表示装置に
おいてクロストーク現象が発生すると、本来白表示状態
(OFF状態)となるべき隣接絵素領域の一部の領域
(端辺領域)が黒表示(ON状態)となるので、黒い縞
が観察される。
【0019】なお、横電界によるクロストーク現象を本
明細書においては、特に横隣接クロストーク(Side
to Side Crosstalk:SSC)と呼
ぶことにする。
【0020】特開平6−222341号公報は、所定の
誘電率異方性を有する液晶材料を選択し、横電界に対す
る液晶分子の応答性を鈍くすることによって、上述した
クロストーク現象を抑制する方法を開示している。この
方法によると、液晶材料の選択の範囲が狭くなるので、
クロストーク現象の抑制と他の表示特性とのトレードオ
フとなる。従って、他の表示特性を犠牲にすることな
く、クロストーク現象を抑制・防止することが困難であ
る。
【0021】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであり、クロストーク現象に起因する表示品
位の低下を抑制・防止したプラズマアドレス液晶表示装
置を提供することを目的とする。
【0022】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマアドレ
ス液晶表示装置は、基板と、誘電体層と、前記基板と前
記誘電体層との間に挟持された液晶層と、前記基板の前
記液晶層側に設けられ、第1方向に平行に配設されたス
トライプ状の複数の電極と、前記液晶層および前記誘電
体層を介して前記複数の電極に対向するように設けら
れ、前記第1方向と異なる第2方向に平行に配設された
ストライプ状の複数のプラズマチャネルとを備え、前記
複数の電極と前記複数のプラズマチャネルとが交差する
領域にそれぞれが形成される複数の絵素領域を有し、前
記複数の絵素領域のそれぞれに含まれる液晶層は、前記
電極と前記プラズマチャネルとの間に印加された電圧に
応じて配向状態を変化し、前記複数の絵素領域を通過し
た光を用いて表示を行う液晶表示装置であって、前記複
数の電極および前記複数の電極間と前記液晶層との間に
高比誘電率層をさらに有し、前記高比誘電率層は前記液
晶層に含まれる液晶材料の比誘電率の異方性(Δε)の
絶対値よりも大きな比誘電率を有する材料から形成され
ており、そのことによって上記目的が達成される。
【0023】前記高比誘電率層の前記液晶層側にさらに
配向層を有する構成としてもよい。
【0024】前記高比誘電率層の厚さは、0.5μm以
上で2.0μm以下であることが好ましい。
【0025】以下、本発明の作用を説明する。
【0026】本発明による液晶表示装置において、電極
と液晶層との間に形成された高比誘電率層は、液晶層を
構成する液晶材料の比誘電率の異方性(Δε)の絶対値
よりも大きな比誘電率を有するので、隣接する電極に発
生する横電界を選択的に高比誘電率層内に導くように作
用する。すなわち、液晶層中に横電界が生成されること
を抑制・防止する。その結果、横電界によるクロストー
クが抑制・防止される。
【0027】高比誘電率層のさらに液晶層側に配向層を
形成してもよいし、高比誘電率層と配向膜とを兼用して
も良い。高比誘電率層は、厚さが0.5μm以上あれ
ば、横電界を閉じ込める効果を発揮し得る。高比誘電率
層の厚さが液晶層の厚さの1/2程度を越えると液晶層
に印加される本来の電圧が小さくなりすぎるので好まし
くない。具体的には、高比誘電率層の厚さは、0.5μ
m〜2.0μmの範囲内にあることが好ましい。
【0028】ノーマリブラックモードにおいてクロスト
ーク現象が発生すると、表示品位が著しく低下するの
で、本発明の効果はノーマリブラックモードの液晶表示
装置において顕著である。
【0029】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
による実施形態を説明する。
【0030】(実施形態1)図1Aおよび図1Bに、実
施形態1のプラズマアドレス液晶表示装置100を示
す。プラズマアドレス液晶表示装置100は、上述した
従来のプラズマアドレス液晶表示装置200と同様に、
垂直配向した負の誘電異方性を有する液晶材料を用い
た、ノーマリブラックモードで表示を行う液晶表示装置
である。図1Aおぶよび図1Bは、それぞれ図5Aおよ
び図5Bに対応する。なお、本発明は、表示モード、液
晶材料の種類やプラズマセルの構造に関係なく、公知の
プラズマアドレス液晶表示装置に広く適用できる。
【0031】プラズマアドレス液晶表示装置100は、
液晶セル101とプラズマセル102が中間の誘電体シ
ート103を介して積層された構造を有している。液晶
セル101およびプラズマセル102を挟持する一対の
偏光板113および114を有し、典型的にはプラズマ
セル102の背面にバックライト(不図示)が設けられ
る。偏光板としては、例えば、日東電工社製NPF−G
1220Gを用いることができる。
【0032】プラズマセル102は、互いに平行な複数
のストライプ状の溝105が形成された絶縁性基板10
4と誘電体シート103とを有する。基板104上に形
成されている複数の溝105のそれぞれは、誘電体シー
ト103によって密封されている。この密封された空間
には、放電によってイオン化が可能なガス(例えば、ヘ
リウム、ネオン、アルゴン、キセノン、およびこれらの
いずれか2つ以上を含む混合ガス、さらにこれらのガス
に水素を添加したガス)が封入されており、プラズマチ
ャネル105を形成する(プラズマチャネルを溝と同じ
参照符号で示す)。各溝105の底部には、1対のプラ
ズマ電極(不図示)が形成されている。
【0033】液晶セル101は、基板108と誘電体シ
ート103と、これらの間に挟持された液晶層109と
を有している。液晶層の厚さは、例えば6μmである。
液晶材料として、例えば、Δε=−4.0(ε//=3.
5およびε⊥=7.5)、Δn=0.08、カイラル剤
を添加することによって厚さ6μmで90°ツイストす
るように調整したものが用いられる。また、液晶分子を
垂直に配向させるための配向膜(不図示)に、例えば、
日本合成ゴム社製JALS−204が用いられる。配向
膜は、液晶層109に接するように液晶層109の両側
に設けられている。
【0034】基板108の液晶層109側には、互いに
平行なストライプ状の複数の電極(列電極)110が形
成されている。この電極110は、プラズマチャネル1
05と交差するように配列されている。電極110とプ
ラズマチャネル105とが交差する領域に絵素領域Pが
形成される。電極110は、例えば、インジウム錫酸化
物(ITO)を用いて常法に従って形成される。電極の
幅は例えば142μmで、電極間隔は20μmである。
さらに、この電極110の間には幅20μmブラックマ
トリクス112が形成されている。ブラックマトリクス
112は例えばクロム等の遮光性を有する金属材料を用
いて形成される。もちろん、電極110とブラックマト
リクス112とは電気的に絶縁(例えば不図示のシリコ
ン酸化膜を用いて)されている。基板108の液晶層1
09側には、さらに、電極110に対応して設けられる
着色層(不図示)が形成されている。着色層は、典型的
には、赤、緑、青色層である。着色層は、電極110の
基板108側または電極110の液晶層109側に形成
され得る。
【0035】プラズマアドレス液晶表示装置100の設
計上の絵素領域Pは、上述した従来のプラズマアドレス
液晶表示装置200と同様に規定される。すなわち、絵
素領域Pのプラズマチャネル105の伸長方向に沿った
幅は、ブラックマトリクス112の開口部で規定され、
図示の例では電極110の幅WELと同じである。一方、
絵素領域Pの電極110の伸長方向に沿った幅は、プラ
ズマチャネル105の幅WPCで規定される(図1B参
照)。この例では、設計上の絵素領域Pの、短冊状の電
極110の伸長方向に平行な(プラズマチャネル105
の伸長方向に交差する)端辺PSは、ブラックマトリク
ス112の辺(この例では電極110の辺と一致)で規
定されている。後述するように、プラズマアドレス液晶
表示装置100は、高比誘電率層120を有するので、
クロストーク現象は実質的に発生せず、実際の表示動作
上の絵素領域は設計上の絵素領域Pと一致する。すなわ
ち、実際の表示において、隣接する電極210(例えば
210Gと210B)によってそれぞれ規定される絵素
領域の列同士が互いに重なることが無い。
【0036】プラズマアドレス液晶表示装置100は、
基板108の液晶層109側に高比誘電率層120を有
している。高比誘電率層120は、電極110を覆うよ
うに、基板108の液晶層109側の表面ほぼ全面に形
成されている。高比誘電率層120は、例えば、触媒化
成工業株式会社製のRTZ−1(ε≒10)などの無機
薄膜を用いて形成することができる。高比誘電率層12
0の厚さは、例えば1μmである。
【0037】液晶分子109aの比誘電率の異方性(Δ
ε)の絶対値よりも大きな比誘電率εを有する材料を用
いて形成された高比誘電率層120を設けると、電極1
10G(ON状態)と電極110Rおよび110B(O
FF状態)との電位差によって発生する電気力線を、液
晶層109内よりも多く高比誘電率層120内に導くこ
とができる。すなわち、電位差を有する隣接する電極1
10間に生成する横方向の電気力線を選択的に高比誘電
率層120内に導き、液晶層109内に生成される電気
力線の数(電界強度)を減らすことができる。その結
果、横電界による液晶分子109aの配向乱れを防止す
ることができる。特に、負の誘電異方性を有する液晶材
料を用いたノーマリブラックモードのプラズマアドレス
液晶表示装置においては、クロストーク現象は隣接絵素
領域の白表示として観察されるので、表示品位を大きく
低下させる。従って、本発明によるクロストーク現象の
抑制・防止効果が顕著となる。
【0038】図5Bを参照しながら上述したように、従
来のプラズマアドレス液晶表示装置200では、電極2
10Gに含まれる中央の絵素領域Pを選択的にON状態
とすると、構造上の絵素領域Pの幅を超えて、隣接する
電極210Rおよび210Bに含まれる隣接絵素領域P
(絵素領域の列)の一部までON状態となるクロストー
ク現象が発生した。すなわち、表示動作上の絵素領域が
隣接する絵素領域の少なくとも一部に重なった。それに
対し、本実施形態1のプラズマアドレス液晶表示装置1
00では、図1Bに示したように、電極110Gに含ま
れる中央の絵素領域PをON状態にしたときに、実際に
ON状態となる領域の幅は、隣接する絵素領域Pにまで
は至らない。これは、高比誘電率層120によって、隣
接する電極(互いに異なる電位)間に発生する横電界が
高比誘電率層120内に実質的に閉じ込められ、液晶層
109内にほとんど発生しないからである。
【0039】図1Bに示した例では、電極110間にブ
ラックマトリクス112が形成されているので、実際に
ON状態とされる領域の端辺OSがブラックマトリクス
112上に位置するように高比誘電率層120を設けれ
ば、表示動作上の絵素領域が構造上の絵素領域Pと一致
する。すなわち、クロストーク現象の発生を防止できる
とともに、隣接するブラックマトリクス112の間の領
域全体を表示に利用することができる。
【0040】比較のために、従来のプラズマアドレス液
晶表示装置におけるブラックマトリクスの幅を広げるこ
とによって、クロストーク現象を抑制・防止したプラズ
マアドレス液晶表示装置200Aを図2Aおよび図2B
に示す。図2Aおよび図2Bはそれぞれ図5Aおよび図
5Bに対応する。
【0041】プラズマアドレス液晶表示装置200Aの
ブラックマトリクス212Aの幅は、図5Bに示した従
来のプラズマアドレス液晶表示装置200のブラックマ
トリクス212の幅よりも広い。ブラックマトリクス2
12A以外の構成要素はプラズマアドレス液晶表示装置
200と同じなので、同じ参照符号で示し、説明を省略
する。
【0042】ブラックマトリクス212Aは、隣接する
電極210間に発生する横電界によってON状態とされ
る領域の全てを隠すように形成されている。従って、プ
ラズマアドレス液晶表示装置200Aにおいては、クロ
ストーク現象は発生しないものの、絵素領域Pの幅は著
しく狭く、暗い表示しか行えない。
【0043】これに対し、本発明によるプラズマアドレ
ス液晶表示装置100においては、高比誘電率層120
を設けることによって、横電界が液晶分子109aの配
向に影響する幅(図1B中のON領域の幅)が従来のプ
ラズマアドレス液晶表示装置200Aにおける幅(図2
B中のON領域の幅)よりも狭くなっている。図1Bに
は、液晶層109内に発生する横電界がブラックマトリ
クス112を越えて、隣接する絵素領域内の液晶層10
9に影響を与えていない例を示した。もちろん、ブラッ
クマトリクス112の幅を広くすれば表示輝度(開口
率)が低下するので、図1Bに示した構成とすることが
好ましいが、必ずしもこのように構成する必要はない。
すなわち、高比誘電率層120を設けることによって、
横電界が液晶分子109aの配向に影響する幅(図5B
中のON領域の幅)を狭くすれば、プラズマアドレス液
晶表示装置200Aのブラックマトリクス212Aより
も幅の狭いブラックマトリクス(図1B中のブラックマ
トリクス112の幅よりは広いが)を設けることによっ
て、クロストーク現象の発生を抑制することができる。
従って、本発明によれば、クロストーク現象の発生が抑
制・防止され、且つ図2Aに示したプラズマアドレス液
晶表示装置200Aよりも高い開口率を有するプラズマ
アドレス液晶表示装置が得られる。
【0044】高比誘電率層120の比誘電率は、液晶層
109の液晶分子109aの比誘電率の異方性(Δε)
の絶対値よりも大きければ効果が得られるが、横電界を
選択的に高比誘電率層120内にさらに有効に導くため
には、比誘電率の異方性(Δε)の絶対値よりも10%
以上大きいことが好ましく、液晶材料の比誘電率(ε//
およびε⊥)の大きい方よりも大きいことがさらに好ま
しい。
【0045】また、高比誘電率層120の厚さは、0.
5μm以上あれば液晶層109内に発生する横電界を減
少させる(液晶層109内の横電界の強度を低下させ
る)ことができる。高比誘電率層120が厚いほど、横
電界を閉じ込める効果は大きくなるが、高比誘電率層1
20があまり厚すぎると、液晶層109に印加される本
来の電圧(電極110と誘電体シート下面103Sとの
間に印加される電圧を容量分割した電圧)が低下するの
で好ましくない。高比誘電率層120の厚さは、液晶層
120の厚さの1/2以下であることが好ましく、1/
3以下であることがさらに好ましい。実用的な液晶層1
09の厚さが4〜6μmであることを考慮すると、高比
誘電率層120の厚さは2〜4μmの範囲内にあること
が好ましい。
【0046】高比誘電率層120は、電極110の全体
を覆うように基板108のほぼ全面に形成されるので、
パターニングする必要がなく、公知の成膜方法を用いた
簡便なプロセスで形成することができる。高比誘電率層
120を形成する材料は、上記の比誘電率の関係を満足
する材料を広く利用することができる。但し、高比誘電
率層120は絵素領域内にも形成されるので、可視光に
対する透過率が低いと、表示の輝度を低下させる。従っ
て、高比誘電率層120の可視光透過率は95%以上あ
ることが好ましい。高比誘電率層120の材料として
は、上述した無機薄膜の他に、透明な高分子材料(例え
ば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂)が
好適に用いられる。
【0047】液晶分子の配向を制御するために配向膜を
用いる場合、配向膜が上記の条件を満足すれば、配向膜
と高比誘電率層120とを兼用することができる。例え
ば、ポリイミド樹脂のうち比誘電率が5〜7のものを用
い、例えば、液晶材料として比誘電率の異方性(Δε)
が4以下のものを用いれば、垂直配向膜を高比誘電率層
120としても機能させ得る。配向膜を高比誘電率層1
20として機能させれば、従来の製造方法における配向
膜形成工程において、配向膜の厚さを調整するだけで、
クロストーク現象を抑制・防止されたプラズマアドレス
液晶表示装置を製造することができる。
【0048】上述したように、本発明によるクロストー
ク現象の抑制・防止効果は、ノーマリブラックモード
(特に負の誘電異方性を有する液晶材料を用いた)のプ
ラズマアドレス液晶表示装置において顕著である。しか
しながら、本発明の効果は、ノーマリホワイトモードの
プラズマアドレス液晶表示装置においても得られる。
【0049】例えば、以下に説明する構成を有するプラ
ズマアドレス液晶表示装置100においても、本発明に
よるクロストーク現象の抑制・防止効果が得られる。こ
こでは、水平配向膜と正の誘電異方性を有する液晶材料
を用いた例を説明する。
【0050】液晶層109の厚さ5μm;液晶材料とし
て、誘電異方性Δε=2.7、ε//=6.7、ε⊥=
4.0(例えば、メルク社製ZLI−4792とZLI
−3089との重量比1:1の混合物にカイラル剤S8
11を0.2wt%添加して、5μm厚で90°ツイス
トに調整);水平配向膜として、オプトマーAL125
4(日本合成ゴム社製)にラビング処理を施したもの;
高比誘電率層120としてアクリル系樹脂、厚さ1μm
で比誘電率ε=3.5;を用いて作製されたプラズマア
ドレス液晶表示装置100においても、クロストーク現
象を抑制ことができる。
【0051】
【発明の効果】本発明によると、クロストーク現象に起
因する表示品位の低下を抑制・防止したプラズマアドレ
ス液晶表示装置が提供される。
【0052】本発明によると、液晶層と電極との間に液
晶分子の比誘電率の異方性(Δε)の絶対値よりも大き
な比誘電率を有する高比誘電率層を形成するだけで、ク
ロストーク現象の発生が抑制・防止されたプラズマアド
レス液晶表示装置が得られる。本発明によるプラズマア
ドレス液晶表示装置は、特別な液晶材料を必要とせず、
公知のプラズマアドレス液晶表示装置に広く適用でき
る。特に、本発明によると簡単な構成および製造プロセ
スでクロストークを抑制・防止することができるので、
本発明は30型以上の高精細なプラズマアドレス液晶表
示装置に好適に適用できる。
【0053】本発明によるクローストーク現象の抑制効
果は、ノーマリブラックモードのプラズマアドレス液晶
表示装置において顕著であり、特に、そのなかでも、負
の誘電異方性を有する液晶材料を用いたプラズマアドレ
ス液晶表示装置において顕著である。
【0054】また、本発明は、プラズマアドレス液晶表
示装置以外の表示装置であっても、横電界によるクロス
トーク現象が発生する表示装置に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【図1A】本発明の実施形態によるプラズマアドレス液
晶表示装置100を模式的に示す断面図である。
【図1B】プラズマアドレス液晶表示装置100を模式
的に示す上面図である。
【図2A】比較例のプラズマアドレス液晶表示装置20
0Aを模式的に示す断面図である。
【図2B】プラズマアドレス液晶表示装置200Aを模
式的に示す上面図である。
【図3】従来のプラズマアドレス液晶表示装置200を
模式的に示す図である。
【図4】プラズマアドレス液晶表示装置200の一絵素
領域の等価回路を示す図である。
【図5A】従来のプラズマアドレス液晶表示装置200
を模式的に示す断面図である。
【図5B】プラズマアドレス液晶表示装置200を模式
的に示す上面図である。
【符号の説明】
100 プラズマアドレス液晶表示装置 101、201 液晶セル 102、202 プラズマセル 103、203 誘電体シート 103S、203S 誘電体シート下面(仮想電極) 104、108、204、208 基板 105、205 溝(プラズマチャネル) 109、209 液晶層 109a、209a 液晶分子 110、110R、110G、110B 電極(列電
極) 112、212 ブラックマトリクス 113、114、213、214 偏光板 120 高比誘電率層 200、200A プラズマアドレス液晶表示装置 210、210R、210G、210B 電極(列電
極)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 信明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 Fターム(参考) 2H089 HA36 QA16 TA04 TA07 TA13 2H090 HA03 HB07Y HB19X LA04 LA16 2H093 NA79 ND15 NE02 NE04 5C094 AA09 BA43 CA19 CA24 DA03 DA14 EA04 EB02 ED14 ED20 FB12 FB15 FB16 GA10

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板と、誘電体層と、前記基板と前記誘
    電体層との間に挟持された液晶層と、前記基板の前記液
    晶層側に設けられ、第1方向に平行に配設されたストラ
    イプ状の複数の電極と、前記液晶層および前記誘電体層
    を介して前記複数の電極に対向するように設けられ、前
    記第1方向と異なる第2方向に平行に配設されたストラ
    イプ状の複数のプラズマチャネルとを備え、前記複数の
    電極と前記複数のプラズマチャネルとが交差する領域に
    それぞれが形成される複数の絵素領域を有し、前記複数
    の絵素領域のそれぞれに含まれる液晶層は、前記電極と
    前記プラズマチャネルとの間に印加された電圧に応じて
    配向状態を変化し、前記複数の絵素領域を通過した光を
    用いて表示を行う液晶表示装置であって、 前記複数の電極および前記複数の電極間と前記液晶層と
    の間に高比誘電率層をさらに有し、前記高比誘電率層は
    前記液晶層に含まれる液晶材料の比誘電率の異方性(Δ
    ε)の絶対値よりも大きな比誘電率を有する材料から形
    成されている液晶表示装置。
  2. 【請求項2】 前記高比誘電率層の前記液晶層側にさら
    に配向層を有する請求項1に記載の液晶表示装置。
  3. 【請求項3】 前記高比誘電率層の厚さは、0.5μm
    以上で2.0μm以下である請求項1または2に記載の
    液晶表示装置。
  4. 【請求項4】 ノーマリブラックモードで動作する請求
    項1から3のいずれかに記載の液晶表示装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005316001A (ja) * 2004-04-27 2005-11-10 Sony Corp 液晶表示素子および投射型表示装置
US6984851B2 (en) * 2000-06-21 2006-01-10 Showa Denko Kabushiki Kaisha Group-III nitride semiconductor light-emitting diode, light-emitting diode lamp, light source, electrode for group-III nitride semiconductor light-emitting diode, and method for producing the electrode

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