JP2001134911A - 薄膜磁気ヘッド、ヘッドサスペンションアセンブリ、磁気ディスク装置及びそれらの製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘッド、ヘッドサスペンションアセンブリ、磁気ディスク装置及びそれらの製造方法

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JP2001134911A
JP2001134911A JP31120899A JP31120899A JP2001134911A JP 2001134911 A JP2001134911 A JP 2001134911A JP 31120899 A JP31120899 A JP 31120899A JP 31120899 A JP31120899 A JP 31120899A JP 2001134911 A JP2001134911 A JP 2001134911A
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thin
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film magnetic
insulating layer
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Toru Inoue
亨 井上
Yoshihiko Yano
義彦 矢野
Koichi Terunuma
幸一 照沼
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 製造時のＥＳＤに対する耐性が高い薄膜磁気
ヘッド、この薄膜磁気ヘッドを備えたヘッドサスペンシ
ョンアセンブリ、このヘッドサスペンションアセンブリ
を備えた磁気ディスク装置及びそれらの製造方法を提供
する。 【解決手段】 少なくとも一部の絶縁層が、紫外線照射
時に電気伝導度の増大する絶縁材料で形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばスピンバル
ブ磁気抵抗効果（ＳＶＭＲ）等を利用した巨大磁気抵抗
効果（ＧＭＲ）素子やトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）
素子等の磁気抵抗効果（ＭＲ）素子を備えた薄膜磁気ヘ
ッド、この薄膜磁気ヘッドを備えたヘッドサスペンショ
ンアセンブリ、このヘッドサスペンションアセンブリを
備えた磁気ディスク装置及びそれらの製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク装置として知られる磁気記
録装置においては、外部磁場の変化に応じて磁性材料の
抵抗が変化する、いわゆるＭＲ素子を用いた薄膜磁気ヘ
ッドが広く用いられている。ＭＲ素子の材料としては、
ＮｉＦｅ合金（パーマロイ）が使用されてきた。
【０００３】近年、磁気記録媒体の小型化及び大容量化
の要求が顕著になっており、より強力な磁気抵抗効果が
得られるＧＭＲ素子の実用化が急速に進行してきてお
り、また、トンネル磁気抵抗効果を利用したＴＭＲ素子
の開発も急激に進んでいる。
【０００４】ＧＭＲ素子の主流は、多層構造を有するス
ピンバルブ（ＳＶ）膜である。ＳＶ膜は、非磁性層を挟
んだ２つの強磁性層の一方の磁化を固定しておき、他方
の強磁性層を外部磁界により磁化反転させ、これら２つ
の強磁性層間の相対的な磁化方向角度の変化によって大
きな磁気抵抗効果を得ようとするものである。このよう
なＧＭＲ素子は従来のＭＲ素子に比べて低磁場で磁化の
飽和が生じるため、より高密度な情報の読み取りを行う
ことができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】小型化及び大容量化の
要求への対応は、磁性材料の面からは、上述のごとき素
子材料の変更によってなされている。また、同時に素子
構造のダウンサイジングも試みられている。
【０００６】ダウンサイジングの最も典型的な例は、書
き込み素子と読み取り素子との間隔を縮小する事であ
る。ＧＭＲ素子やＴＭＲ素子を含む薄膜磁気ヘッドは、
薄膜積層プロセスを用いて製造されている。そのため、
各構成膜厚の減少が全体的な傾向として進んでいる。
【０００７】一般的に、ＧＭＲ素子及びＴＭＲ素子は、
磁気的なシールドを行う２つのシールド層、即ち下部シ
ールド層及び上部シールド層で挟まれている。これら下
部シールド層及び上部シールド層とＧＭＲ素子との間に
は、下部及び上部シールドギャップ層と呼ばれており電
気的絶縁を確保するための絶縁層がそれぞれ設けられて
いる。
【０００８】近年の素子全体のダウンサイジングに従っ
て、これら下部及び上部シールドギャップ層の膜厚も極
端に薄くなっており、従来のＭＲ素子では１００ｎｍ以
上の膜厚であったものが、５０〜６０ｎｍと半分近い膜
厚に成っている。今後、これらシールドギャップ層がさ
らに薄層化することは、必然的なものと考えられてい
る。
【０００９】こうした下部及び上部シールドギャップの
薄層化は、従来から問題になってきたＥＳＤ（静電気放
電）による故障の発生を、より大きな問題とすることは
明らかである。
【００１０】静電気は人体や物体等の表面に静止した電
荷を言うが、人体と物体とが接触と解離を行った際の電
荷移動によって電子素子に生じる故障がＥＳＤ故障であ
る。ＥＳＤ故障は１つの素子が何らかの帯電物質と接触
した場合には充分に起こりうるが、それらは素子と接触
する材料の制限や帯電防止処理によってある程度対応で
きる。最も制御が困難な要因は、作業者自身の帯電であ
る。
【００１１】人間が何らかの動作を取ることによって、
人体には静電気が生ずる。人体の静電電位は湿度環境に
よって上下するが、例えばカーペットの上を歩くという
簡単な動作は、相対湿度１０％の雰囲気において約３５
０００Ｖという高い静電電位を人体に生じせしめる。床
がビニールの場合、同じ雰囲気では約１２０００Ｖの静
電電位が生じる。
【００１２】現在広く用いられている各種電子デバイス
が、ＥＳＤに対しどの程度の耐久性を有しているか、多
くの研究を通じて明らかにされている。例えば、単純な
トランジスタでは３００〜２５００Ｖ、保護回路を設け
たＣＭＯＳの場合に５０〜１０００Ｖ、ＭＯＳ−ＦＥＴ
では１０〜１００Ｖ、従来のＭＲヘッドではわずか５〜
１０Ｖの電位で破壊される。さらにダウンサイジングが
進んだＧＭＲ素子の場合は、より低い静電電位で破壊が
生ずることは明らかである。
【００１３】ＥＳＤによって素子が破壊されることのみ
ならず、ＧＭＲ素子やＴＭＲ素子では、わずかなＥＳＤ
によって一方の強磁性層の磁化固定方向（ピンド方向）
が反転してしまう可能性もある。
【００１４】従って本発明の目的は、製造時のＥＳＤに
対する耐性が高い薄膜磁気ヘッド、この薄膜磁気ヘッド
を備えたヘッドサスペンションアセンブリ、このヘッド
サスペンションアセンブリを備えた磁気ディスク装置及
びそれらの製造方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、少なく
とも一部の絶縁層が、紫外線照射時に電気伝導度の増大
する絶縁材料で形成されている薄膜磁気ヘッド、その薄
膜磁気ヘッドを備えたヘッドサスペンションアセンブ
リ、及びそのヘッドサスペンションアセンブリを少なく
とも１つ備えた磁気ディスク装置が提供される。
【００１６】薄膜磁気ヘッドを構成する絶縁層の一部又
は全てが、紫外線照射時に電気伝導度の増大する、即ち
紫外線に対して光導電効果（内部光電効果）を有する、
絶縁材料で形成されている。従って、薄膜磁気ヘッド、
ヘッドサスペンションアセンブリ又は磁気ディスク装置
を作業者がハンドリングする際に、これを紫外線照射環
境で実施することによって、ハンドリング時のみ絶縁層
の電気抵抗を低下させることができ、ＥＳＤによる種々
の問題、即ちＥＳＤ故障、ピンド方向反転等の不都合、
の発生を防止することができる。
【００１７】少なくとも一部の絶縁層が薄膜磁気ヘッド
の素子形成面を覆うオーバーコート層を含むことが好ま
しい。
【００１８】薄膜磁気ヘッドが、シールドギャップ層に
挟まれた、ＭＲ膜及びこのＭＲ膜に接続されたリード導
体を有するＭＲ素子を備えており、上述した少なくとも
一部の絶縁層がシールドギャップ層を含むことも好まし
い。
【００１９】ＭＲ素子がＧＭＲ素子であるかＴＭＲ素子
であることも好ましい。
【００２０】上述した少なくとも一部の絶縁層が、Ｇａ
Ｎ膜を含んでいることが好ましく、さらに、ＡｌＮ膜を
下地膜としたＧａＮ膜を含んでいることがより好まし
い。
【００２１】本発明によれば、さらに、少なくとも一部
の絶縁層を紫外線照射時に電気伝導度の増大する絶縁材
料で形成し、以後の少なくとも一部の工程を薄膜磁気ヘ
ッドに紫外線を照射しつつ実施する薄膜磁気ヘッドの製
造方法が提供される。
【００２２】またさらに本発明によれば、薄膜磁気ヘッ
ドの少なくとも一部の絶縁層を紫外線照射時に電気伝導
度の増大する絶縁材料で形成し、以後の少なくとも一部
の工程を薄膜磁気ヘッドに紫外線を照射しつつ実施する
ヘッドサスペンションアセンブリの製造方法が提供され
る。
【００２３】このように、薄膜磁気ヘッド、ヘッドサス
ペンションアセンブリ又は磁気ディスク装置を作業者が
ハンドリングする際に、これを紫外線照射環境で実施す
ることによって、ハンドリング時のみ絶縁層の電気抵抗
を低下させることができ、ＥＳＤによる種々の問題、即
ちＥＳＤ故障、ピンド方向反転等の不都合、の発生を防
止することができる。
【００２４】さらに本発明によれば、薄膜磁気ヘッドの
少なくとも一部の絶縁層を紫外線照射時に電気伝導度の
増大する絶縁材料で形成し、以後の少なくとも一部の工
程を薄膜磁気ヘッドに紫外線を照射しつつ実施する磁気
ディスク装置の製造方法も提供される。
【００２５】薄膜磁気ヘッドの素子形成面を覆うオーバ
ーコート層を紫外線照射時に電気伝導度の増大する絶縁
材料で形成することが好ましい。
【００２６】薄膜磁気ヘッドが、シールドギャップ層に
挟まれた、ＭＲ膜及びこのＭＲ膜に接続されたリード導
体を有するＭＲ素子を備えており、シールドギャップ層
を紫外線照射時に電気伝導度の増大する絶縁材料で形成
することも好ましい。
【００２７】ＭＲ素子がＧＭＲ素子であるかＴＭＲ素子
であることも好ましい。
【００２８】上述した少なくとも一部の絶縁層が、Ｇａ
Ｎ膜を含んでいることが好ましく、さらに、ＡｌＮ膜を
下地膜としたＧａＮ膜を含んでいることがより好まし
い。
【００２９】この場合、ＡｌＮ膜をＥＣＲ（電子サイク
ロトロン共鳴）スパッタリングにより成膜し、ＧａＮ膜
を高純度液体ターゲットを用いた反応性スパッタリング
により高配向性に成膜することが好ましい。
【００３０】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施形態におけ
る薄膜磁気ヘッドの構成を概略的に示す断面図であり、
図２は図１の薄膜磁気ヘッドの一部を浮上面（ＡＢＳ）
方向から見た平面図である。
【００３１】これらの図において、１０はスライダを構
成する基板、１０ａはスライダ１０のＡＢＳ、１１は基
板１０上に絶縁層１２を介して形成された下部シールド
層、１３はＳＶＭＲ多層膜、１４は上部シールド層を兼
用するインダクティブ素子の下部磁極層、１５及び１６
は下部シールド層１１及び上部シールド層１４間に設け
られており、ＳＶＭＲ多層膜１３及びそのリード導体
（１９）を間に挟む下部シールドギャップ層及び上部シ
ールドギャップ層、１７はインダクティブ素子のコイ
ル、１８はインダクティブ素子の上部磁極層、１９はＳ
ＶＭＲ多層膜１３の両端にそれらの一端が接続されてい
る一対のリード導体、２０はリード導体１９の他端が接
続されており、薄膜磁気ヘッドの素子形成面に露出して
いるＳＶＭＲ素子用の一対の端子電極、２１は図示しな
い一対のリード導体を介してコイル１７の両端に接続さ
れているインダクティブ素子用の一対の端子電極をそれ
ぞれ示している。
【００３２】図３は図１の薄膜磁気ヘッドを組み込んだ
磁気ディスク装置の一例の要部構成を概略的に示す斜視
図である。
【００３３】同図において、３０は動作中は軸回転する
複数の磁気ディスク、３１は薄膜磁気ヘッドを磁気ディ
スクのトラック上に位置決めするためのアセンブリキャ
リッジ装置をそれぞれ示している。アセンブリキャリッ
ジ装置３１は軸３２を中心にして回動可能なキャリッジ
３３と、このキャリッジ３３を回動駆動する例えばボイ
スコイルモータ等のアクチュエータ３４とから主として
構成されている。キャリッジ３３には、軸３２に沿った
方向にスタックされた複数の駆動アーム３５の基部が取
り付けられている。各駆動アーム３５の先端部には、ヘ
ッドサスペンションアセンブリ３６が固着されている。
各ヘッドサスペンションアセンブリ３６は、その先端部
に薄膜磁気ヘッド３７を備えており、各薄膜磁気ヘッド
３７のＡＢＳが各磁気ディスク３０の表面に対向するよ
うに駆動アーム３５に取り付けられている。通常、最上
部及び最下部の駆動アーム３５には、１つのヘッドサス
ペンションアセンブリがそれぞれ設けられており、磁気
ディスク３０間に挿入されるその間の駆動アーム３５に
は２つのヘッドサスペンションアセンブリが上下に設け
られている。
【００３４】特に本実施形態においては、薄膜磁気ヘッ
ドのＳＶＭＲ多層膜１３及びそのリード導体１９を間に
挟む下部シールドギャップ層１５及び上部シールドギャ
ップ層１６が、紫外線照射時に電気伝導度の増大する、
換言すれば紫外線に対して光導電効果（内部光電効果）
を有する、絶縁材料で形成されている。
【００３５】即ち、本願の発明者等は、ＭＲ素子のＥＳ
Ｄ耐性、特に作業者が薄膜磁気ヘッドをハンドリングす
る際のＥＳＤ耐性を向上せしめる方法として、ＭＲ素子
のリード導体部分に設けられる絶縁層の材料を紫外線領
域の波長においてエネルギバンドギャップを有する材料
とし、ハンドリングを紫外線照射環境において実施する
ことによって、ハンドリング時のみ絶縁層の電気抵抗を
低下させることが非常に有効であることを見出した。こ
れにより、紫外線照射状態のみ有効なバイパス回路が発
生し、静電電位を、素子の破壊に至る前に逃がすことが
可能となる。
【００３６】下部及び上部シールドギャップ層に従来の
絶縁材料を用いると、静電電位に起因する電荷が上部及
び下部シールド層やリード導体及びＳＶＭＲ多層膜に面
した絶縁層界面部分に蓄積される。この電荷が臨界を超
える、図２の２２に示すように、これら電荷がエッジ部
分を主に通って開放されるので、絶縁破壊が生じる。こ
れに対して、本実施形態のような絶縁材料を用いて紫外
線照射していれば、下部及び上部シールドギャップ層に
電荷が蓄積されることはなく、図２の２３に示すよう
に、上部及び下部シールド層に挟まれた領域全体が導電
層となるから電子は自由に導通できることとなる。
【００３７】特にその絶縁材料として、液体材料をター
ゲットしてスパッタリング成膜されたＧａＮ（窒化ガリ
ウム）薄膜を用いることが有効であり、さらに、ＥＣＲ
スパッタリングによって成膜したＡｌＮ（窒化アルミニ
ウム）を下地として配向性制御を行なうことがより有効
である。
【００３８】このような絶縁材料、即ち紫外線領域の波
長においてエネルギバンドギャップを有する材料として
は、次式の関係を参考として選定することができる。
【００３９】 Ｅ（ｅＶ）＝１．２４／λ（μｍ）＝ｈｃ／λ（μｍ） （１） ここで、Ｅ（ｅＶ）は電子エネルギ、λ（μｍ）は光の
波長、ｈはプランク定数＝６．６３×１０−３４（Ｊ
ｓ）、ｃは光速＝３×１０８（ｍ／ｓ）である。
【００４０】作業環境に設置することを考慮すると、紫
外線の光源は自ずと限定される。本実施形態では、市販
のハンディＵＶランプ（短波長タイプ、２５４ｎｍ）を
用いて必要工程時に薄膜磁気ヘッド、ヘッドサスペンシ
ョンアセンブリ又は磁気ディスク装置へ紫外線照射を行
った。
【００４１】前述したように、本発明が利用する物理現
象は、光導電効果（内部光電効果）である。光導電効果
には、荷電子帯トップの電子がエネルギギャップＥｇを
超えて伝導帯に例起し、導電性を向上させる真性形と、
ドナーやアクセプタを利用する外因形がある。外因形は
小さな例起エネルギーで反応するため、赤外線のような
長波長、低エネルギでも使用可能となるが、不純物導入
の必要から成膜プロセスが複雑となるため好ましくな
い。本発明には、紫外線領域の光エネルギーに真性形光
電効果を示し、かつ簡便なプロセスで成膜可能な材料が
必要となる。
【００４２】前述した（１）式より、検討対象とする２
５４ｎｍの波長は、約４．９０ｅＶのエネルギに相当す
る。従ってこの値よりも狭いバンドギャップを有し、か
つ真性形の半導体材料を選定すればよい。言うまでもな
く、通常の作業環境、換言すれば可視光環境で導電性と
なる材料では、絶縁層として機能しない。従って、可視
光（波長が３８０〜７７０ｎｍと定義）に相当するエネ
ルギ準位の材料は用いることが出来ない。それゆえ、必
要なバンドギャップは約３．２６ｅＶ〜約４．９０ｅＶ
となる。光による励起効率を考慮すれば、この幅は約
３．２６ｅＶ〜約４．００ｅＶの大きさとなる。
【００４３】以上の条件を満たす材料としては、ＺｎＳ
（３．６ｅＶ）、ＺｎＯ（３．２ｅＶ）、ＧａＮ（３．
４ｅＶ）等が考えられるが、磁気ヘッド絶縁膜材料の選
定には、磁性膜とのフィッティングに問題が無いこと、
さらに成膜プロセスの簡便さを検討する必要がある。磁
性膜とのフィッティングとして、ＺｎＳは、鉄系材料へ
のＳの拡散が極端に顕著であるためあまり好ましくな
い。ＺｎＯは３．２ｅＶという可視光領域と紫外線領域
との中間に位置するバンドギャップを有するため、環境
の変動によっては絶縁特性の変化が予想されるので最適
でない。また、一部のＴｉＯ２も使用可能かと考えられ
るが、可視光条件下における光触媒として用いられてい
ることから、ＺｎＯと同様に絶縁特性の変化が予想され
る。
【００４４】従って、最も好ましい材料としては、Ｇａ
Ｎということになる。しかしながら、ＧａＮは、成膜プ
ロセス温度の点で問題がある。
【００４５】即ち、ＧａＮ薄膜の光導電性を効率よく応
用しようとする場合、単結晶に近い膜質が求められる。
この目的のために発光素子等で用いられる方法として、
窒素原料として反応性に富んだアンモニアを用いる有機
金属化合物気相成長法(ＯＭＶＰＥ法)、又は活性窒素を
用いる分子線エピタキシ法(ＭＢＥ法)がよく知られてい
る。これらＯＭＶＰＥ法やＭＢＥ法によるＧａＮ成膜で
は、５００〜１０００℃の基板加熱を要し、かつサファ
イアなどの単結晶基板が必要である。しかし、薄膜磁気
ヘッドの製造プロセスでは、２５０℃以下の温度環境で
プロセスを進行する必要が有り、また、磁性膜を単結晶
化することはできない。従って、薄膜磁気ヘッドの製造
においては、これらのプロセスは使用できない。
【００４６】一方、絶縁層の低温成膜で用いられる方法
として、反応性スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法が
ある。これらは試料基板を室温から２５０℃に保持して
成膜することが可能であるが、単結晶に近い配向性を有
する膜を成膜することは困難である。加えて、低温成膜
の場合には、原料の純度が問題となる。高温プロセスの
場合は、反応エネルギの相違から不純物の少ない単結晶
膜の成膜が可能であるが、低温においては不純物が混在
した状態で成膜が進行し、膜の純度及び結晶性を阻害す
る。ＣＶＤ法で用いられるＴＭＧは有機金属であり、不
純物を含む。即ち、高純度Ｇａを出発原料としたスパッ
タリング法を用いる必要がある。
【００４７】高純度Ｇａ金属は液体として存在する。本
実施形態では、公知のスパッタリング法である、るつぼ
状のターゲットホルダに高純度Ｇａ材料を収納し、Ｎ２
ガスによるスパッタリング法を用い、純度の高いＧａＮ
膜を得ることができた。
【００４８】ＧａＮの結晶性を向上させる方法として、
高配向性のＡｌＮ膜を下地として用いてもよい。室温で
容易に（００２）配向性を持ったＡｌＮ膜を作成でき
る、ＥＣＲスパッタ法を用いて下地を作成し、低温で、
非常に配向性のよいＧａＮ薄膜を得ることができた。こ
のＡｌＮ／ＧａＮ薄膜は、本発明における絶縁層用とし
て非常に有効である。
【００４９】本実施形態におけるＧａＮの単層膜の形成
及びＡｌＮ／ＧａＮ膜の形成の詳細については、後述す
る実施例１及び２を参照されたい。
【００５０】ＳＶＭＲ多層膜１３及びそのリード導体１
９を間に挟む下部シールドギャップ層１５及び上部シー
ルドギャップ層１６が、紫外線に対して光導電効果を有
する絶縁材料で形成される点を除いて、薄膜磁気ヘッド
のウエハプロセス（集積工程）は、従来技術の場合とほ
ぼ同様である。
【００５１】ただし、ＭＲ素子形成後のウエハを作業者
がハンドリングする等してＥＳＤによる悪影響が生じる
恐れのある工程では、紫外線照射の環境で作業を行う。
また、 集積工程後の、ウエハからバーへの切り出し、
ＡＢＳの加工、研磨、薄膜磁気ヘッド単体への分離等を
含む工程（加工工程）、さらに、薄膜磁気ヘッドのサス
ペンションへの実装（ヘッドサスペンションアセンブリ
の形成）及びヘッドサスペンションアセンブリの磁気デ
ィスク装置への組み付け（組み立て工程）等において、
作業者がハンドリングする等してＥＳＤによる悪影響が
生じる恐れのある工程においても紫外線照射の環境で作
業を行う。
【００５２】本実施形態における紫外線照射に関して、
以下説明する。紫外線光源は、前述した市販のハンディ
ＵＶランプ（短波長タイプ、２５４ｎｍ）を用いてい
る。このＵＶランプは複数用意され、各種作業条件に応
じたホルダ、スタンド等に適宜固定した上で使用され
る。
【００５３】各種作業環境に紫外線照射を導入する場
合、人体への影響は慎重に考慮されねばならない。まず
作業者は、目の保護のために紫外線防止眼鏡又はマス
ク、ゴーグル等を装着しなければならない。顔面全体の
保護という観点からは、面帯形式の保護具の使用が好ま
しい。皮膚の紫外線被曝についても充分な予防対策が必
要である。本実施形態では、加工工程をクリーンルーム
内で行ない、作業者が全身を覆う形式の防塵服を着用し
ているため、紫外線被曝に関しては充分な対策が完了し
ているといえる。ただし、加工工程、組み立て工程等を
クリーンルーム外で実施しようとする場合は、被曝に対
する充分な対策が必要となる。
【００５４】紫外線対策は、直接の作業者に限らず、一
般作業者への影響についても考慮されねばならない。本
発明者らは、クリーンルーム内にパーティションを用い
て隔壁を設け、紫外線作業区域とした。この作業区域へ
の一般作業者の立ち入りを制限することによって、安全
対策とした。
【００５５】紫外線作業区域には、切断加工や結線、最
終評価などに用いる大型機材を持ち込むことは物理的に
不可能である。また、クリーンルーム全体を紫外線作業
区域に指定することは、安全対策上よしとしない。この
作業区域内で行われる作業は、サスペンションヘの実装
の他、ウエハ状態、バー状態又はピース状態の薄膜磁気
ヘッドを、各種加工、評価機材専用治具への固定とすれ
ば管理が容易である。
【００５６】一般に、静電破壊防止対策を施した専用治
具におけるウエハ、バー又はピースとの接点には、ジル
コニア系セラミクス部材が装着されており、このような
治具に装着されている限り磁気ヘッドが直接的に巨大な
電界の影響を被ることはない。従って、作業区域内で治
具に固定された磁気ヘッドは、通常光の元で、各種加
工、評価機材の元へ安全に移送することができる。
【００５７】図４は本発明の他の実施形態における薄膜
磁気ヘッド及びサスペンションの一部の構成を概略的に
示す断面図であり、図５は図４の薄膜磁気ヘッド及びサ
スペンションの一部の斜視図である。
【００５８】これらの図において、４０はスライダを構
成する基板、４０ａはスライダ４０のＡＢＳ、４１は基
板４０上に絶縁層４２を介して形成された下部シールド
層、４３はＳＶＭＲ多層膜、４４は上部シールド層を兼
用するインダクティブ素子の下部磁極層、４５及び４６
は下部シールド層４１及び上部シールド層４４間に設け
られており、ＳＶＭＲ多層膜４３及びそのリード導体
（４９）を間に挟む下部シールドギャップ層及び上部シ
ールドギャップ層、４７はインダクティブ素子のコイ
ル、４８はインダクティブ素子の上部磁極層、４９はＳ
ＶＭＲ多層膜４３の両端にそれらの一端が接続されてい
る一対のリード導体、５０はリード導体４９の他端が接
続されており、薄膜磁気ヘッドの素子形成面に露出して
いるＳＶＭＲ素子用の一対の端子電極、５１は図示しな
い一対のリード導体を介してコイル４７の両端に接続さ
れているインダクティブ素子用の一対の端子電極、５２
はこの薄膜磁気ヘッド５３の素子形成面５３ａ上に形成
されたオーバーコート層、５４は薄膜磁気ヘッド５３が
固着された導電性のサスペンションをそれぞれ示してい
る。
【００５９】この薄膜磁気ヘッド５３を組み込んだ磁気
ディスク装置の構成は、前述した図３に示すものとほぼ
同様である。
【００６０】特に本実施形態においては、薄膜磁気ヘッ
ド５３の素子形成面５３ａ上に形成されたオーバーコー
ト層５２が、紫外線照射時に電気伝導度の増大する、換
言すれば紫外線に対して光導電効果（内部光電効果）を
有する、絶縁材料で形成されている。
【００６１】即ち、本願の発明者等は、ＭＲ素子のＥＳ
Ｄ耐性、特に作業者が薄膜磁気ヘッドをハンドリングす
る際のＥＳＤ耐性を向上せしめる方法として、薄膜磁気
ヘッドの素子形成面上に紫外線領域の波長においてエネ
ルギバンドギャップを有する絶縁材料によるオーバーコ
ート層５２を形成し、ハンドリングを紫外線照射環境に
おいて実施することによって、ハンドリング時のみこの
オーバーコート層の電気抵抗を低下させることが非常に
有効であることを見出した。これにより、紫外線照射状
態のみ有効なバイパス回路が発生し、静電電位を、素子
の破壊に至る前に逃がすことが可能となる。
【００６２】薄膜磁気ヘッドの素子形成面上に本実施形
態のような絶縁材料によるオーバーコート層を形成し、
紫外線照射していれば、素子の表面から印加された電荷
は、図５の５５に示すように、このオーバーコート層を
通ってサスペンション側へ逃げ、素子内で絶縁破壊は生
じない。なお、ＭＲ素子及びインダクティブ素子はこの
オーバーコート層内に埋め込まれることとなるが、オー
バーコート層の断面積が圧倒的に大きいため、素子内で
静電破壊が生じることはない。
【００６３】本実施形態においても、オーバーコート層
５２は、ＧａＮの単層膜又はＡｌＮ／ＧａＮ膜で構成さ
れている。これらＧａＮの単層膜及びＡｌＮ／ＧａＮ膜
の形成の詳細については、後述する実施例１及び２を参
照されたい。
【００６４】紫外線に対して光導電効果を有する絶縁材
料によるオーバーコート層５２が素子形成面上に積層さ
れる点を除いて、本実施形態における薄膜磁気ヘッドの
ウエハプロセス（集積工程）は、従来技術の場合とほぼ
同様である。
【００６５】ただし、ＭＲ素子形成後のウエハを作業者
がハンドリングする等してＥＳＤによる悪影響が生じる
恐れのある工程では、紫外線照射の環境で作業を行う。
また、 集積工程後の、ウエハからバーへの切り出し、
ＡＢＳの加工、研磨、薄膜磁気ヘッド単体への分離等を
含む工程（加工工程）、さらに、薄膜磁気ヘッドのサス
ペンションへの実装（ヘッドサスペンションアセンブリ
の形成）及びヘッドサスペンションアセンブリの磁気デ
ィスク装置への組み付け（組み立て工程）等において、
作業者がハンドリングする等してＥＳＤによる悪影響が
生じる恐れのある工程においても紫外線照射の環境で作
業を行う。
【００６６】以上述べた２つの実施形態を組み合わせて
もよい。即ち、下部シールドギャップ層及び上部シール
ドギャップ層を紫外線に対して光導電効果を有する絶縁
材料で形成すると共に、紫外線に対して光導電効果を有
する絶縁材料によるオーバーコート層を素子形成面上に
積層するようにしてもよい。その方が、製造時のＥＳＤ
に対する耐性より高めることができる。また、以上の実
施形態と公知の他のＥＳＤ対策技術とを組み合わせても
よいことも明らかである。
【００６７】なお、上述した実施形態では、下部及び上
部シールドギャップ層及び／又はオーバーコート層のみ
を紫外線に対して光導電効果を有する絶縁材料で形成し
ているが、薄膜磁気ヘッドの全ての絶縁層を紫外線に対
して光導電効果を有する絶縁材料で形成してもよい。
【００６８】さらに、ＭＲ素子として、ＳＶＭＲ素子以
外のＧＭＲ素子、又はＴＭＲ素子を用いた薄膜磁気ヘッ
ドについても同様に適用可能であることはもちろんであ
る。
【００６９】
【実施例】実施例１ この実施例１では、液体ターゲットを用いたスパッタリ
ング法により、ＧａＮ単層膜を成膜し、特性を評価して
いる。
【００７０】図６は、成膜に用いたスパッタリング装置
の概略的な構成を示している。このスパッタリング装置
は、一般的な平行平板型のスパッタリング装置である。
【００７１】同図に示すように、成膜室６０には、下部
電極６１上に設けられたるつぼ６２内にＧａの高純度液
体６３が保持される。被成膜基板６４は上部電極６５に
保持されている。基板６４とＧａの高純度液体６３をこ
れら所定の位置に設置した後、成膜室６０はロータリー
ポンプ６６及び油拡散ポンプ６７によって排気される。
所定の真空度まで排気を確認の後、Ｎ２（窒素）ガス６
８が導入される。この時、プロセスガスとしてＡｒ（ア
ルゴン）とＮ２（窒素）との混合ガスを用いてもよい。
【００７２】窒素ガス６８が所定の圧力まで導入された
後、工業周波数である１３．５６ＭＨｚの電磁波が印加
される。この電磁波は、高周波電源６９からマッチング
回路７０を経て下部電極６１に供給される。
【００７３】成膜室６０内に導入された窒素ガス６８及
び電磁波によって上部電極６５と下部電極６１との間に
放電が形成される。目視及び高周波電源６９の状態から
放電の安定が確認された後、シャッタ７１を開く。所定
の成膜時間が終了後、シャッタ７１を閉じて成膜を完了
する。この後、成膜室６０内を所定の初期真空度まで排
気し、大気開放の後に基板６４を回収する。
【００７４】基板６４として、５０ｎｍのＮｉＦｅ膜を
成膜してある３インチＳｉ（１００）基板を用いた。Ｎ
ｉＦｅ膜は絶縁特性評価の際に下部電極として機能す
る。このＮｉＦｅ膜上に、上述したスパッタリング装置
及び工程を用いて２０ｎｍの膜厚を有するＧａＮ薄膜を
形成した。
【００７５】このようにして得られた試料について、結
晶性及び絶縁特性を評価した。絶縁特性評価は次の手順
で行なった。ＧａＮ膜表面にメタルマスタを用いて形
成したアルミニウム電極を陰極とし、基板上に形成した
ＮｉＦｅ膜を陽極として直流電圧に対する漏洩電流を測
定する。電極面積と膜厚を元に、電界に対する比抵抗
変化の形に変換する。
【００７６】図７は実施例１の試料について得られた反
射形高速電子回折（ＲＨＥＥＤ）写真である。
【００７７】一般にＲＨＥＥＤ写真では、結晶性に起因
するリングやスポットが観測される。図７の写真では、
若干ブロードとはいえ、結晶性を示すリングを充分に観
察することができる。この結果から、本実施例１の膜は
結晶性を有するＧａＮ膜であることが分かる。
【００７８】図８は、実施例１の試料の電界に対する比
抵抗ρの測定結果を示す特性図である。
【００７９】同図の黒丸は、自然光下において測定した
データである。実際の薄膜磁気ヘッド素子において印加
される電界は、概ね０．１〜２ＭＶ／ｃｍである。この
電界領域における膜の比抵抗ρは、１０１０〜１０１１
Ωｃｍであり、実用上問題ない値である。絶縁膜におけ
る絶縁破壊は、比抵抗値が絶縁体から半導体に変わった
電界によって表わされる。文献に従えば、その値は１０
９Ωｃｍであり、本実施例の試料では約６ＭＶ／ｃｍと
なる。
【００８０】同図の白丸は、同じ試料を紫外線照射下で
評価したデータである。測定に用いた光源は、８Ｗの２
５４ｎｍの放射源管を２本装着したものである。全体的
に比抵抗が最大で２桁程度低下していること、絶縁破壊
が約８ＭＶ／ｃｍの電界で生じていることが分かる。本
実施例の結果は、ＧａＮ膜の光導電性が、結晶性に乏し
い状態でも起こり得ることを示している。
【００８１】実施例２ 実施例２では、ＡｌＮ下地上に実施例１と同じスパッタ
リング装置を用いて、高配向性ＧａＮ膜を成膜し、特性
を評価している。
【００８２】上部ＧａＮ膜の成膜装置は、実施例１と同
じである。ＡｌＮ下地膜の成膜には、ＥＣＲスパッタリ
ング装置を用いた。
【００８３】図９は成膜に用いたＥＣＲスパッタリング
装置の概略的な構成を示している。このスパッタリング
装置は、一般的なＥＣＲプラズマを利用したスパッタリ
ング装置である。
【００８４】同図において、９０はプラズマ生成室、９
１は磁界発生用コイル、９２は矩形導波管、９３は石英
窓、９４はターゲット、９５はターゲット９４用の電
源、９６は試料室、９７はプラズマ流、９８は被スパッ
タ基板をそれぞれ示している。プラズマ生成室９０は、
２．４５ＧＨｚで電子サイクロトロン共鳴条件となるよ
うに、磁界発生用コイル９１で８７５Ｇの磁界が印加さ
れている。プラズマ生成室９０と試料室９６との間に穴
があり、その穴の周りにプラズマ流９７を囲むようにタ
ーゲット９４が配置されている。本実施例では、ターゲ
ット９４として５ＮのＡｌ（アルミニウム）が用いられ
ている。このターゲット９４には、１３．５６ＭＨｚの
高周波バイアス電界が電源９５から与えられている。プ
ラズマ中のイオンがターゲット９４に衝突してスパッタ
され、その中性粒子はプラズマ中でイオン化されプラズ
マ流９７と共に基板９８の方向へ加速されて成膜が行わ
れる。なお、本実施例では、Ａｒ（アルゴン）とＮ
２（窒素）との混合ガスにより反応性スパッタリングを
行っている。
【００８５】図１０はこのＥＣＲスパッタリング装置に
よって成膜した、１００ｎｍの膜厚のＡｌＮ膜のＸ線回
折（ＸＲＤ）特性図である。同図において、横軸は２θ
（試料に対するＸ線の入射及び反射間の角度を表す）、
縦軸はＸ線の検出強度（カウンタ値）をそれぞれ示して
いる。この図から、ＡｌＮ膜が強い（００２）配向性を
有していることが分かる。本実施例では、２０ｎｍのＧ
ａＮ膜の下地として、約２ｎｍのＡｌＮ膜を形成してい
る。両者の著しい膜厚差から言って、図１０が下地であ
るＡｌＮ膜の結晶性を直接証明しているとはいえない。
しかし、従来の平行平板型スパッタリング装置を用いた
場合には、このような強い（００２）配向性を得るため
には数μｍまでの成長が必要である。従って、図１０
は、ＥＣＲスパッタリングを用いた成膜により、配向性
に富んだＡｌＮ膜が形成されることを示している。
【００８６】図１１は、ＡｌＮ膜(約２ｎｍ)上に形成し
たＧａＮ膜(約２０ｎｍ)のＲＨＥＥＤ像を示している。
実施例１の図７と比較すると、結晶性を示すリングがよ
り明確になっており、ＧａＮ膜の結晶性が向上している
ことが分かる。この結果は、間接的に、結晶性に対する
ＡｌＮ下地膜の効果を示唆している。
【００８７】図１２は、実施例２の試料の電界に対する
比抵抗ρの測定結果を示す特性図である。
【００８８】同図の黒丸は、実施例１の場合と同様に自
然光下において測定したデータである。０.１〜２ＭＶ
／ｃｍの電界領域における膜の比抵抗ρは、こちらも１
０１ ０〜１０１１Ωｃｍであり、この実施例２の膜も実
用的な絶縁膜であることがわかる。実施例２の試料にお
いて絶縁破壊が生ずる電界は、約８ＭＶ／ｃｍとなる。
これは、結晶性の向上によってより明確になった結晶粒
界において生ずる、ホッピング等の様々な伝導機構によ
るものと考えられる。
【００８９】同図の白丸は、紫外線照射下で評価したデ
ータである。測定に用いた光源は、実施例２の場合と同
様である。全体の電気抵抗が１０４〜１０６Ωｃｍ付近
に低下しており、著しい導電性が生じている。結晶性の
向上によって、光導電性がより顕著になったことが分か
る。
【００９０】なお、紫外線照射後の試料を、再び可視光
領域で測定してみたところ、同図の黒丸とほぼ同一のデ
ータが得られた。このことは、可視光環境と紫外光環境
を往復することによってＡｌＮ／ＧａＮ膜の電気特性は
絶縁体と導電体とを行き来し、その特性変化は良好な可
逆性を示すことを意味している。
【００９１】実施例３ 実施例３では、実施例２のＡｌＮ／ＧａＮ膜をリード絶
縁層に実装し、製品としての歩留まりを評価した。ここ
でいうリード絶縁層とは、薄膜磁気ヘッドのＭＲ素子部
分の絶縁を行なうシールドギャップ層であり、ＭＲ膜、
ＧＭＲ多層膜又はＴＭＲ多層膜とそのリード導体部分
を、上部及び下部シールド層と電気的に絶縁するための
ものである。
【００９２】下部シールド層上に、絶縁膜下地となるＡ
ｌＮ膜を、ＥＣＲスパッタリングによって２ｎｍ厚に形
成した。さらにその上に、高純度液体Ｇａをターゲット
とする反応性スパッタリング法によってＧａＮ膜を２０
ｎｍ厚に形成した。ＧＭＲ多層膜とそのリード導体とを
形成した後、再びＡｌＮ膜を２ｎｍ厚に、ＧａＮ膜を２
０ｎｍ厚に成膜した。リード絶縁層の形成以降、上部シ
ールド層を形成し、インダクティブ書き込み素子形成工
程が実行される。上部シールド層形成以降の工程に関し
ては、従来の公知の工程に準拠するものであるため、本
明細書では説明を省略する。
【００９３】通常、薄膜磁気ヘッドの製造工程は、ウエ
ハ上への集積によって素子を作り込んで行く工程（集積
工程）と、集積が完了したウエハからバーへの切り出
し、ＡＢＳの加工、研磨、薄膜磁気ヘッド単体への分離
等を含む工程（加工工程）とに大きく分けられ、さら
に、薄膜磁気ヘッドのサスペンションへの実装（ヘッド
サスペンションアセンブリの形成）及びヘッドサスペン
ションアセンブリの磁気ディスク装置への組み付け（組
み立て工程）がこれに続く。これらの工程において、作
業者の直接ハンドリングが集中するのは、主にウエハ集
積以降の工程である。
【００９４】本実施例で以下に評価する歩留まりは、ピ
ース状態で良品とされた試料をサスペンションへ実装し
た時の歩留まりである。本実施例では、比較の意味を含
めて以下の４つの評価水準を用意し、各水準について１
００個の薄膜磁気ヘッド試料を用意した。 リード絶縁層を従来のＡｌ２Ｏ３膜とし、サスペンシ
ョンヘの固定を通常の条件で行なう(これを試料１とす
る)。 リード絶縁層を従来のＡｌ２Ｏ３膜とし、サスペンシ
ョンヘの固定を紫外線照射条件下で行なう(これを試料
２とする)。 リード絶縁層をＡｌＮ／ＧａＮ膜とし、サスペンショ
ンヘの固定を通常の条件で行なう(これを試料３とす
る)。 リード絶縁膜をＡｌＮ／ＧａＮ膜とし、サスペンショ
ンヘの固定を紫外線照射条件下で行なう(これを試料４
とする)。ただし、ここで言う通常条件とは、一般的な
蛍光ランプを光源とする作業を言う。
【００９５】試料１〜４の、サスペンション固定作業に
おける歩留まりを次の表１に示す。
【００９６】
【表１】
【００９７】従来のＡｌ２Ｏ３膜について比較すると、
試料１では７８％、試料２では８２％とほとんど差異は
ない。絶縁層をＡｌＮ／ＧａＮ膜とした試料３でも７９
％という、Ａｌ２Ｏ３膜との有為差が認められない結果
となった。それに対して紫外線照射状態でサスペンショ
ンヘの固定を行なったＡｌＮ／ＧａＮ膜の試料４では、
９４％まで歩留まりが増大した。
【００９８】通常、リード絶縁層が露出したＡＢＳに
は、ＤＬＣ（ダイアモンドライクカーボン）膜が保護膜
として形成されている。ＤＬＣ膜は紫外線に対して不透
明であることが知られているが、本実施例の試料の場
合、ＤＬＣの膜厚は１０ｎｍ以下であり、紫外線遮蔽の
効果が著しく低かったものと思われる。
【００９９】実施例４ 実施例４では、実施例２のＡｌＮ／ＧａＮ膜をオーバー
コート層として実装し、製品としての歩留まりを評価し
た。
【０１００】オーバーコート層は、全集積工程の終了後
に素子全体を封止する目的で形成される、数十μｍ程度
の厚さの保護膜をいう。外部からの電気的又は環境的に
素子を保護することをその目的としている。なお、オー
バーコート層材料として一般には、Ａｌ２Ｏ３膜が用い
られている。
【０１０１】実施例３の結果で明らかなように、リード
絶縁膜をＡｌ２Ｏ３膜からＡｌＮ／ＧａＮ膜に置きか
え、紫外線照射環境において取り扱うことによって、Ｅ
ＳＤに起因すると思われる破壊を大幅に低減することが
できる。しかし、構造的に考えて、紫外線照射の効果を
より大きくするためには、露出面積そのものがより大き
い方が好ましい。また、数十μｍという厚さは、光伝導
性によって導入される回路の断面積を著しく大きくする
ものである。従って、ＥＳＤ耐性の向上効果がより大き
くなることが期待される。
【０１０２】本実施例ではオーバーコート層の材料変更
による歩留まりへの影響を評価した。リード絶縁層につ
いては、従来のＡｌ２Ｏ３膜とした。
【０１０３】オーバーコート層の膜厚は、素子の大きさ
により決定され、一般に２０〜６０μｍ程度の成膜がな
される。成膜直後のオーバーコート層は、素子形状を反
映した凹凸を有するので、何らかの機械的精密研磨をも
って平坦化がなされることが多い。本実施例でも、成膜
後の研磨による表面平坦化を行ない、基板表面部分から
数十μｍのオーバーコート層を得ている。
【０１０４】試料１は、従来のＡｌ２Ｏ３膜を平行平板
形電極の高周波スパッタリング装置によって成膜し、約
５０μｍオーバーコート層を形成し、次いで表面平坦化
のための研磨を行ない、基板表面から４０μｍのオーバ
ーコート層を有する試料としている。
【０１０５】試料２は、素子表面に対して実施例１〜３
と同様のＥＣＲスパッタリングによりＡｌＮ膜を１０ｎ
ｍ厚に成膜し、下地層とした。次に、液体高純度Ｇａを
ターゲットとする反応性スパッタリング装置によって約
５０μｍのＧａＮ膜を形成し、試料１と同様の研磨を行
なって、基板表面から４０μｍのオーバーコート層を有
する試料としている。この時の膜厚は、ＡｌＮ膜の膜厚
とＧａＮ膜の膜厚との合計である。ただし、ＡｌＮ膜の
膜厚は試料１と比較して充分に無視できるものである。
【０１０６】回路断面積の影響を検討するため、試料２
に対してＡｌＮ／ＧａＮ膜の膜厚を減少させた試料を作
成した。これが試料３である。この試料３は、試料２の
成膜工程をそのまま実行した後、表面平坦化研磨の時間
のみを長くした。これにより、基板表面から２０μｍの
膜厚を有するオーバーコート層を作成した。
【０１０７】試料１〜３から切り出された薄膜磁気ヘッ
ドから各２００個ずつを用意した。その内の各々１００
個ずつを通常光条件下で、残りの１００個を紫外線照射
環境においてサスペンション固定作業を行なった。光源
の条件は実施例１〜３の場合と同様である。本実施例に
おける試料１〜３の、サスペンション固定作業における
歩留まりを次の表２に示す。
【０１０８】
【表２】
【０１０９】従来のＡｌ２Ｏ３膜をオーバーコート層と
した試料１においては、紫外線照射の如何に寄らず歩留
まりは約８０％である。それに対して、オーバーコート
層をＡｌＮ／ＧａＮ膜とした試料２及び試料３では、通
常条件では試料１と同じく歩留まりが約８０％である
が、紫外線照射状態で作業を行なった場合には、試料２
で９８％、試料３でも９６％まで歩留まりを増加させる
ことができた。
【０１１０】以上述べた実施形態は全て本発明を例示的
に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明
は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することがで
きる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均
等範囲によってのみ規定されるものである。
【０１１１】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、薄膜磁気ヘッドを構成する絶縁層の一部又は全て
が、紫外線照射時に電気伝導度の増大する、即ち紫外線
に対して光導電効果を有する、絶縁材料で形成されてい
る。従って、薄膜磁気ヘッド、ヘッドサスペンションア
センブリ又は磁気ディスク装置を作業者がハンドリング
する際に、これを紫外線照射環境で実施することによっ
て、ハンドリング時のみ絶縁層の電気抵抗を低下させる
ことができ、ＥＳＤによる種々の問題、即ちＥＳＤ故
障、ピンド方向反転等の不都合、の発生を防止すること
ができる。
【０１１２】特に、薄膜磁気ヘッドの絶縁層材料を、Ｅ
ＣＲスパッタリングによるＡｌＮ膜を下地とし、高純度
液体ターゲットを用いた反応性スパッタリングによる高
配向性ＧａＮ膜とすることにより、ＥＳＤによる素子の
歩留まり低下を大幅に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態における薄膜磁気ヘッドの
構成を概略的に示す断面図である。
【図２】図１の薄膜磁気ヘッドの一部をＡＢＳ方向から
見た平面図である。
【図３】図１の薄膜磁気ヘッドを組み込んだ磁気ディス
ク装置の一例の要部構成を概略的に示す斜視図である。
【図４】本発明の他の実施形態における薄膜磁気ヘッド
及びサスペンションの一部の構成を概略的に示す断面図
である。
【図５】図４の薄膜磁気ヘッド及びサスペンションの一
部の斜視図である。
【図６】実施例１において成膜に用いたスパッタリング
装置の概略的な構成を示す図である。
【図７】実施例１の試料について得られた反射形高速電
子回折（ＲＨＥＥＤ）写真である。
【図８】実施例１の試料の電界に対する比抵抗の測定結
果を示す特性図である。
【図９】実施例２において成膜に用いたＥＣＲスパッタ
リング装置の概略的な構成を示す図である。
【図１０】実施例２の試料におけるＡｌＮ膜のＸ線回折
（ＸＲＤ）特性図である。
【図１１】実施例２の試料について得られた反射形高速
電子回折（ＲＨＥＥＤ）写真である。
【図１２】実施例２の試料の電界に対する比抵抗の測定
結果を示す特性図である。
【符号の説明】
１０、４０ 基板 １０ａ、４０ａ ＡＢＳ １１、４１ 下部シールド層 １２、４２ 絶縁層 １３、４３ ＳＶＭＲ多層膜 １４、４４ 上部シールド層（下部磁極層） １５、４５ 下部シールドギャップ層 １６、４６ 上部シールドギャップ層 １７、４７ コイル １８、４８ 上部磁極層 １９、４９ リード導体 ２０、２１、５０、５１ 端子電極 ３０ 磁気ディスク ３１ アセンブリキャリッジ装置 ３２ 軸 ３３ キャリッジ ３４ アクチュエータ ３５ 駆動アーム ３６ ヘッドサスペンションアセンブリ ３７、５３ 薄膜磁気ヘッド ５２ オーバーコート層 ５４ サスペンション
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 照沼 幸一 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティー ディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 2G017 AC00 AC03 AC06 AD55 AD65 5D033 AA02 BA21 BB43 CA08 5D034 BA02 BA15 BA18 BB01 BB08 BB12 CA07 5E049 AC00 AC05 BA12 CB01 EB05 GC01

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 少なくとも一部の絶縁層が、紫外線照射
    時に電気伝導度の増大する絶縁材料で形成されているこ
    とを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
  2. 【請求項２】 前記少なくとも一部の絶縁層が当該薄膜
    磁気ヘッドの素子形成面を覆うオーバーコート層を含む
    ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
  3. 【請求項３】 前記薄膜磁気ヘッドが、シールドギャッ
    プ層に挟まれた、磁気抵抗効果膜及び該磁気抵抗効果膜
    に接続されるリード導体を有する磁気抵抗効果素子を備
    えており、前記少なくとも一部の絶縁層が該シールドギ
    ャップ層を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載
    の薄膜磁気ヘッド。
  4. 【請求項４】 前記磁気抵抗効果素子が巨大磁気抵抗効
    果素子であることを特徴とする請求項３に記載の薄膜磁
    気ヘッド。
  5. 【請求項５】 前記磁気抵抗効果素子がトンネル磁気抵
    抗効果素子であることを特徴とする請求項３に記載の薄
    膜磁気ヘッド。
  6. 【請求項６】 前記少なくとも一部の絶縁層がＧａＮ膜
    を含んでいることを特徴とする請求項１から５のいずれ
    か１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
  7. 【請求項７】 前記少なくとも一部の絶縁層がＡｌＮ膜
    を下地膜としたＧａＮ膜を含んでいることを特徴とする
    請求項１から５のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッ
    ド。
  8. 【請求項８】 請求項１から７のいずれか１項に記載の
    薄膜磁気ヘッドを備えたことを特徴とするヘッドサスペ
    ンションアセンブリ。
  9. 【請求項９】 請求項８に記載のヘッドサスペンション
    アセンブリを少なくとも１つ備えたことを特徴とする磁
    気ディスク装置。
  10. 【請求項１０】 少なくとも一部の絶縁層を紫外線照射
    時に電気伝導度の増大する絶縁材料で形成し、以後の少
    なくとも一部の工程を薄膜磁気ヘッドに紫外線を照射し
    つつ実施することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
  11. 【請求項１１】 薄膜磁気ヘッドの少なくとも一部の絶
    縁層を紫外線照射時に電気伝導度の増大する絶縁材料で
    形成し、以後の少なくとも一部の工程を該薄膜磁気ヘッ
    ドに紫外線を照射しつつ実施することを特徴とするヘッ
    ドサスペンションアセンブリの製造方法。
  12. 【請求項１２】 薄膜磁気ヘッドの少なくとも一部の絶
    縁層を紫外線照射時に電気伝導度の増大する絶縁材料で
    形成し、以後の少なくとも一部の工程を該薄膜磁気ヘッ
    ドに紫外線を照射しつつ実施することを特徴とする磁気
    ディスク装置の製造方法。
  13. 【請求項１３】 当該薄膜磁気ヘッドの素子形成面を覆
    うオーバーコート層を紫外線照射時に電気伝導度の増大
    する絶縁材料で形成することを特徴とする請求項１０か
    ら１２のいずれか１項に記載の製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記薄膜磁気ヘッドが、シールドギャ
    ップ層に挟まれた、磁気抵抗効果膜及び該磁気抵抗効果
    膜に接続されるリード導体を有する磁気抵抗効果素子を
    備えており、該シールドギャップ層を紫外線照射時に電
    気伝導度の増大する絶縁材料で形成することを特徴とす
    る請求項１０から１３のいずれか１項に記載の製造方
    法。
  15. 【請求項１５】 前記磁気抵抗効果素子が巨大磁気抵抗
    効果素子であることを特徴とする請求項１４に記載の製
    造方法。
  16. 【請求項１６】 前記磁気抵抗効果素子がトンネル磁気
    抵抗効果素子であることを特徴とする請求項１４に記載
    の製造方法。
  17. 【請求項１７】 前記少なくとも一部の絶縁層をＧａＮ
    膜で形成することを特徴とする請求項１０から１６のい
    ずれか１項に記載の製造方法。
  18. 【請求項１８】 前記少なくとも一部の絶縁層がＡｌＮ
    膜を下地膜としたＧａＮ膜で形成することを特徴とする
    請求項１０から１６のいずれか１項に記載の製造方法。
  19. 【請求項１９】 前記ＡｌＮ膜をＥＣＲスパッタリング
    により成膜し、前記ＧａＮ膜を高純度液体ターゲットを
    用いた反応性スパッタリングにより高配向性に成膜する
    ことを特徴とする請求項１８に記載の製造方法。
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