JP2001127663A - Static electricity protection circuit - Google Patents

Static electricity protection circuit

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JP2001127663A
JP2001127663A JP30807999A JP30807999A JP2001127663A JP 2001127663 A JP2001127663 A JP 2001127663A JP 30807999 A JP30807999 A JP 30807999A JP 30807999 A JP30807999 A JP 30807999A JP 2001127663 A JP2001127663 A JP 2001127663A
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JP
Japan
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static electricity
antenna
circuit
capacitor
protection circuit
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Application number
JP30807999A
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Japanese (ja)
Inventor
Toshitaka Hayakawa
俊高 早川
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Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a static electricity protection circuit that can protect a circuit network in a circuit module from static electricity without affecting adversely miniaturization and weight reduction of a mobile communication unit. SOLUTION: In an antenna switch 20 to which the static electricity protection circuit 20 is applied, the static electricity protection circuit 20a built in the antenna switch 20 comprises a capacitor C0 that is connected between an antenna terminal ANT, to which an antenna is electrically connected, and an input output terminal J of a switch circuit 20b and of an inductor L0 connected between the antenna terminal of the capacitor C0 and a case grounding FG. The inductor L0 and the capacitor C0 block intrusion of AC and DC components of at least a frequency lower than a communication frequency of the mobile phone. Since the static electricity intruding from the antenna escapes to the case grounding FG at the pre-stage of the switch circuit 20b, the static electricity can be blocked against the switch circuit 20b.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信機、例
えば携帯電話機、簡易型携帯電話機等のアンテナに接続
される回路モジュールを静電気から保護する静電気保護
回路に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electrostatic protection circuit for protecting a circuit module connected to an antenna of a mobile communication device, for example, a portable telephone, a simplified portable telephone or the like from static electricity.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、携帯電話機や簡易型携帯電話機
(いわゆるPHS)を代表とする移動体通信機器の軽薄
短小化はめざましく、その多くは衣服等のポケットに入
れて持ち歩いても違和感を感じないほどに向上してい
る。そのため、携帯電話機等を衣服のポケットやハンド
バック等の中に入れて持ち歩くスタイルは、その利用者
にとっては日常化しており、上着の内ポケットやハンド
バックから携帯電話機等を取り出して電話をかける風景
はよく見かけるところである。
2. Description of the Related Art In recent years, mobile communication devices typified by portable telephones and simplified portable telephones (so-called PHS) have been remarkably reduced in size and size, and many of them do not feel uncomfortable even when they are carried in pockets such as clothes. It has been improved. For this reason, the style of carrying a mobile phone or the like in a clothes pocket or handbag has become a common practice for its users. I can see it often.

【0003】ところで、合成繊維と乾燥した雰囲気とが
結びつくと静電気が発生しやすいことから、特に、空気
の乾燥しやすい季節(秋、冬)に衣類等が互いに擦れ合
う場合や自動車の座席から降りる場合等に静電気が起き
るということが日常的な経験により知られている。この
ような場合に発生する静電気の電圧は十数kVにも達す
るため、衣服等のポケットに入れた携帯電話機等のアン
テナに直接、静電気が飛び込むと、携帯電話機等の故障
原因につながるおそれがある。即ち、アンテナから携帯
電話機等内に侵入した静電気が、内部の回路モジュール
の性能を劣化させ得るのである。
[0003] By the way, static electricity tends to be generated when synthetic fibers are combined with a dry atmosphere. Therefore, especially when clothes and the like rub against each other in the season when the air is easy to dry (autumn and winter) or when getting off the car seat. It is known from everyday experience that static electricity occurs in such as. Since the voltage of the static electricity generated in such a case reaches as much as ten and several kV, if the static electricity jumps directly into an antenna of a mobile phone or the like put in a pocket of clothes or the like, it may lead to a failure cause of the mobile phone or the like. . That is, the static electricity that has entered the mobile phone or the like from the antenna can degrade the performance of the internal circuit module.

【0004】そのため、このような問題を解決するもの
として、特開平6−112850号公報に開示される静
電気保護回路がある。この静電気保護回路では、アンテ
ナと回路モジュール(送信用高周波増幅回路)との間に
使用周波数の (1/4)波長共振器を挿入することで、この
(1/4)波長共振器は使用周波数の信号に対してはインピ
ーダンスがほぼ無限大で回路モジュールには影響を与え
ず、一方、直流に対してはインピーダンスがほぼ0であ
ることから、アンテナに静電気による高電圧が印加され
ても、その電荷は (1/4)波長共振器を通って接地側へ流
れ、回路モジュールの破損を免れるというものである。
To solve such a problem, there is an electrostatic protection circuit disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 6-112850. In this static electricity protection circuit, a (1/4) wavelength resonator of the operating frequency is inserted between the antenna and the circuit module (transmission high-frequency amplifier circuit),
The (1/4) wavelength resonator has almost infinite impedance for the signal of the operating frequency and does not affect the circuit module. Even if a high voltage due to static electricity is applied, the charge flows through the (1/4) wavelength resonator to the ground side, thereby preventing damage to the circuit module.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た特開平6−112850号公報に開示される静電気保
護回路によると、 (1/4)波長共振器は、無損失分布定数
線路(例えばマイクロストリップライン)と、これに並
列接続された可変コンデンサとから構成される。そのた
め、これらから構成される (1/4)波長共振器を設けるた
めのスペースを確保する必要が生ずることから、静電気
保護回路を構成する回路部品の大きさ自体が前述した携
帯電話機等の小型軽量化を妨げるという問題がある。
However, according to the electrostatic protection circuit disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 6-112850, the (1/4) wavelength resonator uses a lossless distributed constant line (for example, a microstrip line). ) And a variable capacitor connected in parallel thereto. For this reason, it is necessary to secure a space for providing a (1/4) wavelength resonator composed of these components. There is a problem that hinders the conversion.

【0006】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的とするところは、移動体
通信機の小型軽量化を妨げることなくして、回路モジュ
ール内の回路網を静電気から保護し得る静電気保護回路
を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a circuit in a circuit module with static electricity without hindering reduction in size and weight of a mobile communication device. It is an object of the present invention to provide an electrostatic protection circuit capable of protecting from a static electricity.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1の静電気保護回路では、移動体通信機のア
ンテナに接続される回路モジュール内の回路網を静電気
から保護する静電気保護回路であって、前記回路モジュ
ールに前記アンテナが接続されるアンテナ接続側と前記
回路網に通信信号が入力または出力される信号入出力端
子との間に接続され、前記回路モジュールに内蔵される
コンデンサと、前記アンテナ接続側に接続される前記コ
ンデンサの一端側と接地との間に接続され、前記回路モ
ジュールに内蔵されるインダクタとを備え、前記インダ
クタおよび前記コンデンサにより、前記移動体通信機の
通信周波数よりも少なくとも低い周波数の交流成分およ
び直流成分の通過を阻止することを技術的特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an electrostatic protection circuit for protecting a circuit network in a circuit module connected to an antenna of a mobile communication device from static electricity. A capacitor connected between an antenna connection side where the antenna is connected to the circuit module and a signal input / output terminal to which a communication signal is input or output to the circuit network, and a capacitor built in the circuit module; An inductor that is connected between one end of the capacitor connected to the antenna connection side and ground and that is built in the circuit module, and that the inductor and the capacitor reduce a communication frequency of the mobile communication device. It is also a technical feature that at least a low frequency AC component and a DC component are blocked from passing.

【0008】また、請求項2の静電気保護回路では、請
求項1において、前記接地は、前記回路網の接地と直流
的に絶縁されていることを技術的特徴とする。
Further, in the electrostatic protection circuit according to a second aspect, in the first aspect, the ground is technically characterized in that the ground is insulated DC from the ground of the circuit network.

【0009】さらに、請求項3の静電気保護回路では、
請求項1または2において、前記インダクタおよび前記
コンデンサは、前記移動体通信機の通信信号の通過を許
容するバンドパスフィルタの少なくとも一部を構成する
ことを技術的特徴とする。
Further, in the electrostatic protection circuit according to the third aspect,
A technical feature according to claim 1 or 2, wherein the inductor and the capacitor constitute at least a part of a bandpass filter that allows a communication signal of the mobile communication device to pass.

【0010】さらにまた、請求項4の静電気保護回路で
は、請求項1〜3のいずれか一項において、前記回路モ
ジュールは、多層基板により構成され、前記インダクタ
または前記コンデンサの少なくとも一方は、前記多層基
板による積層構造により構成されることを技術的特徴と
する。
Further, in the electrostatic protection circuit according to a fourth aspect, the circuit module according to any one of the first to third aspects, wherein the circuit module is formed of a multilayer substrate, and at least one of the inductor and the capacitor is connected to the multilayer substrate. It is a technical feature that it is constituted by a laminated structure using a substrate.

【0011】請求項1の発明では、移動体通信機のアン
テナに接続される回路モジュールのアンテナ接続側とこ
の回路モジュール内の回路網の信号入出力端子との間に
接続されるコンデンサと、このコンデンサのアンテナ接
続側の一端側と接地との間に接続されるインダクタとを
回路モジュールに内蔵し、これらのインダクタおよびコ
ンデンサにより、移動体通信機の通信周波数よりも少な
くとも低い周波数の交流成分および直流成分の通過を阻
止する。即ち、回路モジュールに内蔵するインダクタお
よびコンデンサによって通信周波数よりも少なくとも低
い周波数の交流成分および直流成分の通過を阻止するハ
イパスフィルタを構成する。これにより、アンテナから
回路モジュール内に静電気が侵入しても、静電気の直流
成分および通信周波数よりも低い周波数の交流成分を、
インダクタにより接地側に逃がすとともにコンデンサに
より回路モジュールの回路網側への侵入を阻止すること
ができる。
According to the first aspect of the present invention, a capacitor connected between an antenna connection side of a circuit module connected to an antenna of a mobile communication device and a signal input / output terminal of a circuit network in the circuit module; An inductor connected between one end of the capacitor on the antenna connection side and the ground is incorporated in the circuit module, and the inductor and the capacitor allow the AC component and the DC having a frequency lower than the communication frequency of the mobile communication device to be at least lower. Block the passage of components. That is, a high-pass filter that blocks the passage of the AC component and the DC component at least lower than the communication frequency by the inductor and the capacitor built in the circuit module is configured. As a result, even if static electricity enters the circuit module from the antenna, the DC component of the static electricity and the AC component having a frequency lower than the communication frequency are reduced.
The inductor allows the circuit module to escape to the ground side, and the capacitor prevents the circuit module from entering the circuit network side.

【0012】請求項2の発明では、インダクタの接続さ
れる接地は、回路網の接地と直流的に絶縁されているこ
とから、インダクタを通して逃げた静電気の直流成分お
よび通信周波数よりも低い周波数の交流成分が、回路網
の接地を介して回路網側に回り込むことを防止すること
ができる。
According to the second aspect of the present invention, since the ground to which the inductor is connected is insulated in a DC manner from the ground of the circuit network, the DC component of the static electricity escaping through the inductor and the AC having a lower frequency than the communication frequency. Components can be prevented from wrapping around the network through the ground of the network.

【0013】請求項3の発明では、回路モジュールに内
蔵されるインダクタおよびコンデンサは、少なくとも移
動体通信機の通信信号の通過を許容するバンドパスフィ
ルタの一部を構成することから、このバンドパスフィル
タによって通信周波数よりも高い周波数の交流成分の通
過をも阻止することができる。
According to the third aspect of the present invention, since the inductor and the capacitor incorporated in the circuit module constitute at least a part of the band-pass filter that allows the communication signal of the mobile communication device to pass, the band-pass filter is provided. Accordingly, it is possible to prevent the passage of the AC component having a frequency higher than the communication frequency.

【0014】請求項4の発明では、回路モジュールに内
蔵されるインダクタまたはコンデンサの少なくとも一方
は、回路モジュールを構成する多層基板の積層構造によ
り構成されることから、これらのインダクタおよびコン
デンサを追加したことによる回路モジュール自体の大型
化を抑制することができる。
According to the fourth aspect of the present invention, at least one of the inductor and the capacitor incorporated in the circuit module is constituted by a laminated structure of a multilayer substrate constituting the circuit module. Therefore, these inductors and capacitors are added. This can suppress an increase in the size of the circuit module itself.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、本発明の静電気保護回路を
携帯電話機のアンテナスイッチに適用した一実施形態に
ついて図1〜図12を参照して説明する。まず、アンテ
ナスイッチ20を適用した携帯電話機の構成を図2に基
づいて説明する。図2に示す携帯電話機は、通信周波数
に880〜915MHz帯を使用し、その無線部は、主
に、送信部60、受信部70、アンテナ80、アンテナ
スイッチ20等から構成される。なお、図2には示さな
いが、携帯電話機はこの無線部の他に、マイクロコンピ
ュータを中心としたディジタル回路により構成される制
御部や、二次電池、電源回路等から構成される電源部等
を有する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment in which the electrostatic protection circuit of the present invention is applied to an antenna switch of a portable telephone will be described below with reference to FIGS. First, the configuration of a mobile phone to which the antenna switch 20 is applied will be described with reference to FIG. The mobile phone illustrated in FIG. 2 uses a communication frequency band of 880 to 915 MHz, and its wireless unit mainly includes a transmitting unit 60, a receiving unit 70, an antenna 80, an antenna switch 20, and the like. Although not shown in FIG. 2, in addition to the wireless unit, the mobile phone includes a control unit composed of a digital circuit centered on a microcomputer, a power supply unit composed of a secondary battery, a power supply circuit, and the like. Having.

【0016】送信部60は、無線送信周波数(880〜
915MHz帯)の高周波を発生可能な電圧制御型発振器
(以下「送信用VCO」という。)62、この送信用V
CO62から発生した高周波信号と変調器等から入力さ
れた源信号と混合し出力するミキサ63、このミキサ出
力を電力増幅する送信アンプ66、この送信アンプ66
の出力から無線送信周波数(915MHz帯)よりも高い
周波数成分を除去する低域通過フィルタ(以下「LP
F」という。)68、および、入出力を平衡線路とする
送信アンプ66に対し平衡・不平衡の入出力変換を行う
バラン64から構成される。送信部60から出力された
高周波信号は、アンテナスイッチ20を介してアンテナ
80側に振り分けられアンテナ80から空間に放射され
る。
The transmitting section 60 has a radio transmission frequency (880-800).
A voltage-controlled oscillator (hereinafter referred to as “transmission VCO”) 62 capable of generating a high frequency of 915 MHz band),
A mixer 63 for mixing and outputting a high-frequency signal generated from the CO 62 and a source signal input from a modulator or the like, a transmission amplifier 66 for amplifying the power of the mixer output, and a transmission amplifier 66
A low-pass filter (hereinafter referred to as “LP”) that removes a frequency component higher than the radio transmission frequency (915 MHz band) from the output of
F ". ) 68 and a balun 64 for performing balanced / unbalanced input / output conversion with respect to a transmission amplifier 66 having input / output balanced lines. The high-frequency signal output from the transmission unit 60 is distributed to the antenna 80 via the antenna switch 20 and is radiated from the antenna 80 to space.

【0017】受信部70は、アンテナ80により受信し
た高周波信号をアンテナスイッチ20を介して取り込み
必要な周波数成分の通過を許容する帯域通過フィルタ
(以下「BPF」という。)71、BPF71の出力信
号を増幅する受信アンプ73、この受信アンプ73の出
力から無線受信周波数(925〜960MHz帯)より所
定周波数だけシフトした高周波を発生可能な電圧制御型
発振器(以下「受信用VCO」という。)76、この受
信用VCO76から発生した高周波信号と受信アンプ7
3の出力とを混合し所定周波数の信号波を復調器に出力
するミキサ78、および、入出力を平衡線路とするミキ
サ78に対し平衡・不平衡の入出力変換を行うバラン7
4から構成される。受信部70によって所定周波数に変
換された信号波は、復調器等に入力されて音声帯域信
号、ディジタル信号等に復調される。
The receiving section 70 receives a high-frequency signal received by the antenna 80 via the antenna switch 20, and allows a band-pass filter (hereinafter, referred to as "BPF") 71 that allows passage of necessary frequency components, and outputs an output signal of the BPF 71. A receiving amplifier 73 for amplifying, a voltage-controlled oscillator (hereinafter referred to as “receiving VCO”) 76 capable of generating a high frequency shifted from the output of the receiving amplifier 73 by a predetermined frequency from a wireless receiving frequency (925-960 MHz band), and 76. High frequency signal generated from receiving VCO 76 and receiving amplifier 7
And a balun 7 for performing balanced / unbalanced input / output conversion with respect to the mixer 78 for mixing a signal wave of a predetermined frequency to the demodulator by mixing with the output of the mixer 3
4 The signal wave converted to a predetermined frequency by the receiving unit 70 is input to a demodulator or the like and demodulated into a voice band signal, a digital signal, or the like.

【0018】このように本実施形態に係る静電気保護回
路を内蔵したアンテナスイッチ20は、アンテナ80に
より受信した高周波信号を送信部60側に与えることな
く、受信部70側に送り込む一方で、送信部60により
送信する高周波信号を受信部70側に与えることなく、
アンテナ80に送り出して空中に放射するという、伝送
路を通過する高周波信号の振り分けを行う機能を有する
ものである。
As described above, the antenna switch 20 including the electrostatic protection circuit according to the present embodiment sends the high-frequency signal received by the antenna 80 to the receiving unit 70 without giving it to the transmitting unit 60 side, Without giving the high frequency signal transmitted by 60 to the receiving unit 70 side,
It has a function of distributing high-frequency signals passing through a transmission path, which is sent to the antenna 80 and radiated into the air.

【0019】次にアンテナスイッチ20の構成を図1、
図3〜図5等に基づいて説明する。図1に示すように、
アンテナスイッチ20は、静電気保護回路20aとスイ
ッチ回路20bとから構成されている。静電気保護回路
20aは、アンテナ80が電気的に接続されるアンテナ
端子ANT(アンテナ接続側)とスイッチ回路20bの
入出力端子Jとの間に接続されるコンデンサC0 と、こ
のコンデンサC0 のアンテナ端子ANT側に一端側と筐
体接地FGとの間に接続されるインダクタL0 と、から
構成されており、アンテナ80側から侵入した静電気
を、回路網としてのスイッチ回路20bの前段で筐体接
地FG側に逃がし、スイッチ回路20bに侵入すること
を阻止しようとするものである。
Next, the configuration of the antenna switch 20 is shown in FIG.
This will be described with reference to FIGS. As shown in FIG.
The antenna switch 20 includes an electrostatic protection circuit 20a and a switch circuit 20b. The electrostatic protection circuit 20a includes a capacitor C0 connected between an antenna terminal ANT (antenna connection side) to which the antenna 80 is electrically connected and the input / output terminal J of the switch circuit 20b, and an antenna terminal ANT of the capacitor C0. And an inductor L0 connected between one end and the housing ground FG, and discharges static electricity invading from the antenna 80 side to the housing ground FG side in front of the switch circuit 20b as a circuit network. And attempts to prevent it from entering the switch circuit 20b.

【0020】つまり、静電気の周波数成分はその大部分
が直流成分あるいは比較的周波数の低い交流成分である
ことが知られているため、インダクタL0とコンデンサ
C0とにより高域通過フィルタ(以下「HPF」とい
う。)を構成することで、後段のスイッチ回路20bに
まで静電気が侵入することを阻止するのである。ここ
で、インダクタL0は、コンデンサC0よりもアンテナ8
0側に位置させることにより、アンテナ80側から侵入
した静電気をコンデンサC0よりもアンテナ80側で筐
体接地FG側に逃がす構成を採る。これにより、コンデ
ンサC0をインダクタL0よりもアンテナ80側に位置さ
せて構成したHPFに較べて、静電気エネルギーがコン
デンサC0に蓄えられることがないため、静電気による
コンデンサC0の破壊を防ぐことができる。また、この
筐体接地FGは、後述するスイッチ回路20bの接地、
即ち信号接地SGと直流的に絶縁されている。これによ
り、インダクタL0を通して逃げた静電気が、静電気保
護回路20aの筐体接地FGを介してスイッチ回路20
b側に回り込むことを防止することができる。したがっ
て、アンテナスイッチ20内のスイッチ回路20bを静
電気からより確実に保護し得る効果もある。
That is, since it is known that most of the frequency component of static electricity is a DC component or an AC component having a relatively low frequency, a high-pass filter (hereinafter "HPF") is formed by the inductor L0 and the capacitor C0. ) Prevents static electricity from penetrating into the subsequent switch circuit 20b. Here, the inductor L0 is connected to the antenna 8 more than the capacitor C0.
By locating on the 0 side, a configuration is adopted in which static electricity that has entered from the antenna 80 side is released to the housing ground FG side on the antenna 80 side from the capacitor C0. As a result, compared with the HPF in which the capacitor C0 is located closer to the antenna 80 than the inductor L0, no static energy is stored in the capacitor C0, and thus the destruction of the capacitor C0 due to static electricity can be prevented. The housing ground FG is connected to a ground of a switch circuit 20b to be described later.
That is, it is DC-insulated from the signal ground SG. As a result, the static electricity that escaped through the inductor L0 is transferred to the switch circuit 20 via the housing ground FG of the static electricity protection circuit 20a.
It can be prevented from going around to the b side. Therefore, there is also an effect that the switch circuit 20b in the antenna switch 20 can be more reliably protected from static electricity.

【0021】また、インダクタL0とコンデンサC0とか
ら構成されるHPFによる減衰量が3dBに達する周波
数(以下「低域遮断周波数」という。)fCLは、例えば
携帯電話機の通信周波数が915MHzのときには、90
MHz前後に設定される(図10(A) 参照)。このように
HPFによる低域遮断周波数fCLを通信周波数の半分以
下、あるいは1/10以下に設定することによって、設
計時または製品試作時にHPF、即ち静電気保護回路2
0aの低域遮断周波数fCLを設定すれば、製品量産時に
個々に当該周波数の調整を行う必要がない。これによ
り、調整可能な機構を有する部品、例えば可変コンデン
サ等をコンデンサC0 に用いる必要がないので、静電気
保護回路20aによるアンテナスイッチ20の大型化を
抑制するとともに調整箇所の増加を防ぐことができる。
したがって、携帯電話機の小型軽量化を妨げることな
く、しかも調整工数の増加を招来せずにスイッチ回路2
0bを静電気から保護し得る効果がある。
The frequency fCL at which the attenuation by the HPF composed of the inductor L0 and the capacitor C0 reaches 3 dB (hereinafter referred to as "low-frequency cutoff frequency") is, for example, 90 when the communication frequency of the portable telephone is 915 MHz.
It is set to around MHz (see FIG. 10A). By setting the low-frequency cutoff frequency fCL by the HPF to less than half or less than 1/10 of the communication frequency, the HPF, that is, the static electricity protection circuit 2 is designed at the time of design or product trial production.
If the low cutoff frequency fCL of 0a is set, it is not necessary to individually adjust the frequency during mass production of the product. As a result, it is not necessary to use a component having an adjustable mechanism, for example, a variable capacitor for the capacitor C0, so that it is possible to prevent the antenna switch 20 from being enlarged by the electrostatic protection circuit 20a and to prevent an increase in the number of adjustment points.
Therefore, the switch circuit 2 can be used without hindering the reduction in size and weight of the mobile phone and without increasing the number of adjustment steps.
0b can be protected from static electricity.

【0022】図1に示すように、スイッチ回路20b
は、結合コンデンサC1 、C3 、C4、バイパスコンデ
ンサC2 、チョークコイルL1 、インダクタL2 、高周
波スイッチングダイオードD1 、D2 の回路素子から構
成されている。つまり、送信部70に接続される端子T
Xと静電気保護回路20aに接続される端子Jとの間の
伝送経路については、端子VCNT に制御電圧を加えるこ
とによって、端子TXに接続される結合コンデンサC1
から端子Jに接続される結合コンデンサC3 までが高周
波スイッチングダイオードD1 を介して交流的に確立さ
れるとともに、結合コンデンサC3 に接続されるインダ
クタL2 の高周波スイッチングダイオードD2 側が交流
的にも低インピーダンスになるように、結合コンデンサ
C1 、C3 、インダクタL2 、高周波スイッチングダイ
オードD1 、D2の回路素子が接続される。一方、受信
部60に接続される端子RXと静電気保護回路20aに
接続される端子Jとの間の伝送経路については、端子V
CNT に印加される制御電圧が断たれることによって、結
合コンデンサC3 に接続されるインダクタL2 の高周波
スイッチングダイオードD2 側が高インピーダンスにな
るため、結合コンデンサC3 からインダクタL2 を介し
て端子RXに接続される結合コンデンサC4 までが交流
的に確立されるとともに、結合コンデンサC1 から結合
コンデンサC3 までの伝送経路が高周波スイッチングダ
イオードD1 により遮断されるように、結合コンデンサ
C1 、C3 、C4 、インダクタL2 、高周波スイッチン
グダイオードD1 、D2 の回路素子が接続される。な
お、チョークコイルL1 は端子VCNT 側に高周波信号が
流れ込まないように阻止するインダクタで、バイパスコ
ンデンサC2 は端子VCNT 側に飛び込んだ高周波信号を
信号接地SGに逃がすためのコンデンサである。
As shown in FIG. 1, the switch circuit 20b
Is composed of circuit elements of coupling capacitors C1, C3, C4, a bypass capacitor C2, a choke coil L1, an inductor L2, and high-frequency switching diodes D1, D2. That is, the terminal T connected to the transmitting unit 70
As for the transmission path between X and the terminal J connected to the electrostatic protection circuit 20a, the coupling capacitor C1 connected to the terminal TX can be obtained by applying a control voltage to the terminal VCNT.
To the coupling capacitor C3 connected to the terminal J are AC-established via the high-frequency switching diode D1, and the high-frequency switching diode D2 side of the inductor L2 connected to the coupling capacitor C3 has a low impedance also in the AC. Thus, the circuit elements of the coupling capacitors C1 and C3, the inductor L2, and the high-frequency switching diodes D1 and D2 are connected. On the other hand, regarding the transmission path between the terminal RX connected to the receiving unit 60 and the terminal J connected to the electrostatic protection circuit 20a, the terminal V
When the control voltage applied to the CNT is cut off, the high frequency switching diode D2 side of the inductor L2 connected to the coupling capacitor C3 has a high impedance, so that the coupling capacitor C3 is connected to the terminal RX via the inductor L2. The coupling capacitors C1, C3, C4, the inductor L2, the high-frequency switching diode are connected so that the coupling capacitor C4 is established in an AC manner and the transmission path from the coupling capacitor C1 to the coupling capacitor C3 is cut off by the high-frequency switching diode D1. The circuit elements D1 and D2 are connected. The choke coil L1 is an inductor for preventing a high-frequency signal from flowing into the terminal VCNT, and the bypass capacitor C2 is a capacitor for releasing the high-frequency signal that has jumped to the terminal VCNT to the signal ground SG.

【0023】このようにスイッチ回路20bを構成する
ことによって、端子VCNT に制御電圧が印加されると、
チョークコイルL1 を介して高周波スイッチングダイオ
ードD1 、D2 に順方向電圧が印加されるところ、端子
TXから結合コンデンサC1、高周波スイッチングダイ
オードD1 、結合コンデンサC3 までの伝送経路が交流
的に確立されるとともに、高周波スイッチングダイオー
ドD2 側のインダクタL2 の一端が交流的にも信号接地
SGに接続されるので、端子TXから入力れた送信部6
0による高周波信号は、端子RX側に導かれることなく
結合コンデンサC3 および静電気保護回路20aを介し
てアンテナ端子ANTに接続されたアンテナ80から空
間に放射される。
By configuring the switch circuit 20b in this way, when a control voltage is applied to the terminal VCNT,
When a forward voltage is applied to the high-frequency switching diodes D1 and D2 via the choke coil L1, a transmission path from the terminal TX to the coupling capacitor C1, the high-frequency switching diode D1 and the coupling capacitor C3 is AC-established. One end of the inductor L2 on the side of the high-frequency switching diode D2 is also connected to the signal ground SG in an AC manner.
The high frequency signal of 0 is radiated to the space from the antenna 80 connected to the antenna terminal ANT via the coupling capacitor C3 and the electrostatic protection circuit 20a without being guided to the terminal RX side.

【0024】一方、端子VCNT に印加されていた制御電
圧が切断されると、チョークコイルL1 を介して印加さ
れていた高周波スイッチングダイオードD1 、D2 の順
方向電圧が断たれるところ、端子TXから結合コンデン
サC1 、高周波スイッチングダイオードD1 、結合コン
デンサC3 までの伝送経路が交流的に遮断されるととも
に、高周波スイッチングダイオードD2 側のインダクタ
L2 の一端が高インピーダンスになるので、端子Jから
入力された受信信号は、端子TX側に導かれることなく
結合コンデンサC3 、インダクタL2 および結合コンデ
ンサC4 を介して端子RXに接続された受信部60に伝
送される。
On the other hand, when the control voltage applied to the terminal VCNT is cut off, the forward voltage of the high-frequency switching diodes D1 and D2 applied via the choke coil L1 is cut off. Since the transmission path to the capacitor C1, the high-frequency switching diode D1, and the coupling capacitor C3 is cut off in an AC manner, and one end of the inductor L2 on the high-frequency switching diode D2 side has a high impedance, the received signal input from the terminal J is Is transmitted to the receiving unit 60 connected to the terminal RX via the coupling capacitor C3, the inductor L2 and the coupling capacitor C4 without being guided to the terminal TX side.

【0025】したがって、端子TXから端子Jまでの伝
送経路および端子Jから端子RXまでの伝送経路を確立
または遮断する高周波スイッチングダイオードD1 、D
2 がスイッチ回路20bの要となるが、高周波スイッチ
ングダイオードD1 、D2 は半導体により構成される。
そのため、静電気による十数kVの高電圧には極めて弱
く、静電気の印加によって、逆方向特性の劣化や素子自
体の破壊につながることが多い。そこで、前述した静電
気保護回路20aをスイッチ回路20bのアンテナ端子
ANT側前段に位置させることによって、携帯電話機の
アンテナ80から飛び込んだ静電気がアンテナ端子AN
Tを経由してアンテナスイッチ20に侵入しても、静電
気の直流成分および所定周波数以下の交流成分を、静電
気保護回路20aのインダクタL0により筐体接地FG
側に逃がすとともにコンデンサC0によりスイッチ回路
20b側への侵入を阻止することができる。したがっ
て、本実施形態においては、携帯電話機の小型軽量化を
妨げることなくして、アンテナスイッチ20内のスイッ
チ回路20bを静電気から保護し得る効果がある。
Accordingly, the high-frequency switching diodes D1 and D1 for establishing or blocking the transmission path from the terminal TX to the terminal J and the transmission path from the terminal J to the terminal RX.
2 is essential for the switch circuit 20b, and the high-frequency switching diodes D1 and D2 are made of semiconductor.
Therefore, it is extremely weak to a high voltage of more than ten kV due to static electricity, and application of static electricity often leads to deterioration of reverse characteristics and destruction of the element itself. Therefore, by disposing the above-described static electricity protection circuit 20a at a stage before the antenna terminal ANT of the switch circuit 20b, static electricity jumping from the antenna 80 of the mobile phone can be transmitted to the antenna terminal AN.
Even if the antenna switch 20 enters the antenna switch 20 via the T, the DC component of the static electricity and the AC component of a predetermined frequency or less are converted into the housing ground FG by the inductor L0 of the static electricity protection circuit 20a.
And the capacitor C0 can prevent intrusion into the switch circuit 20b. Therefore, in the present embodiment, there is an effect that the switch circuit 20b in the antenna switch 20 can be protected from static electricity without hindering reduction in size and weight of the mobile phone.

【0026】ここで、アンテナスイッチ20を多層基板
に実装した一例を図3〜図5に基づいて説明する。図3
に示すように、アンテナスイッチ20は、例えば14層
のガラスセラミック基板(以下「基板」という。)2
2、23、24、25、26、27、28、29、3
0、31、32、33、34、35を積層したセラミッ
ク積層構造からなり、例えば誘電体セラミックシートを
積層し、低温焼結することにより形成される。なお、図
4および図5には、積層構造を展開した様子が示されて
いる。
Here, an example in which the antenna switch 20 is mounted on a multilayer substrate will be described with reference to FIGS. FIG.
As shown in FIG. 1, the antenna switch 20 has, for example, a 14-layer glass ceramic substrate (hereinafter, referred to as “substrate”) 2.
2, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 3,
It has a ceramic laminated structure in which 0, 31, 32, 33, 34 and 35 are laminated, and is formed, for example, by laminating dielectric ceramic sheets and sintering them at a low temperature. FIGS. 4 and 5 show a state where the laminated structure is developed.

【0027】図4および図5に示すように、アンテナス
イッチ20を構成する基板は、コンデンサC1 、C3 、
C4 、インダクタL0 、L1 等の部品が実装される面側
から順に配線パターン22a、アースパターン22b、
22cを形成する基板22が位置し、その下に基板22
からのバイアホール41、42、43、44、45、4
6、47、48、49、50、51を形成する基板2
3、24がそれぞれ位置する。またこの基板24の下に
ベタアースのパターン25aを形成する基板25が位置
し、その下に基板22、23、24、25からのバイア
ホール41、42、43、44、45、46、47、4
8、49、51を形成する基板26、さらにはインダク
タL2 のパターン27a、28aをもそれぞれ形成する
基板27、28が、それぞれ位置する。そして、基板2
8の下に基板22、23、24、25、26、27、2
8からのバイアホール41、42、43、44、45、
46、47、48、49、51、52、53等を形成す
る基板29、30、31、32、さらにコンデンサC0
の電極パターン33aとその対向電極の役割も果たすベ
タアースのパターン34aをそれぞれ形成する基板3
3、34がそれぞれ位置し、最下層に基板35が位置す
る。なお、基板22、23、24、25、26、27、
28、29、30、31、32、33、34、35に形
成されるバイアホール41、42、43、44、45、
46、47、48、49、50、51、52、53は図
4および図5において黒丸と破線により示されている。
As shown in FIGS. 4 and 5, the substrate constituting the antenna switch 20 includes capacitors C1, C3,
The wiring pattern 22a, the ground pattern 22b, and the like are arranged in this order from the surface on which components such as C4 and inductors L0 and L1 are mounted.
The substrate 22 forming the substrate 22c is located under the substrate 22.
Via holes 41, 42, 43, 44, 45, 4 from
Substrate 2 for forming 6, 47, 48, 49, 50, 51
3 and 24 are respectively located. A substrate 25 for forming a solid earth pattern 25a is located below the substrate 24, and via holes 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 4 from the substrates 22, 23, 24, 25 are located thereunder.
The substrate 26 on which the patterns 8, 49 and 51 are formed, and the substrates 27 and 28 on which the patterns 27a and 28a of the inductor L2 are formed, respectively, are located. And the substrate 2
8, substrates 22, 23, 24, 25, 26, 27, 2
Via holes 41, 42, 43, 44, 45 from 8,
Substrates 29, 30, 31, 32 forming 46, 47, 48, 49, 51, 52, 53, etc .;
Substrate 3 on which an electrode pattern 33a and a solid earth pattern 34a also serving as a counter electrode thereof are formed.
3 and 34 are located respectively, and the substrate 35 is located at the lowermost layer. The substrates 22, 23, 24, 25, 26, 27,
Via holes 41, 42, 43, 44, 45 formed in 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35,
46, 47, 48, 49, 50, 51, 52 and 53 are indicated by black circles and broken lines in FIGS.

【0028】最下層に位置する基板35には、アンテナ
スイッチ20を携帯電話機を構成する基板に実装する必
要から、電極部35a、35b、35c、35d、35
e、35f、35g、35h、35i、35jが設けら
れており、平面周囲の形状が凹凸に形成されている。そ
して、電極部35aは端子TX、電極部35b、35
d、35f、35h、35i、35jは信号接地SGま
たは筐体接地FG、電極部35cは端子RX、電極部3
5eは端子VCNT 、電極部35gはアンテナ端子ANT
にそれぞれに対応する。また基板32、33、34の平
面形状は、基板35の平面形状に適合させることによ
り、これらの電極部35a〜35jに接続される内部配
線23a、30a、32a、32c、32d、32f、
32g、32h、32i、32j等を可能にしている。
Since it is necessary to mount the antenna switch 20 on the substrate constituting the mobile phone, the electrodes 35a, 35b, 35c, 35d, 35
e, 35f, 35g, 35h, 35i, and 35j are provided, and the shape around the plane is formed to be uneven. The electrode section 35a is connected to the terminal TX, the electrode sections 35b and 35.
d, 35f, 35h, 35i, 35j are signal ground SG or housing ground FG, electrode 35c is terminal RX, electrode 3
5e is a terminal VCNT, and the electrode portion 35g is an antenna terminal ANT.
Corresponding to each. The planar shapes of the substrates 32, 33, and 34 are adapted to the planar shape of the substrate 35, so that the internal wirings 23a, 30a, 32a, 32c, 32d, 32f, and 32f connected to these electrode portions 35a to 35j.
32g, 32h, 32i, 32j, etc. are possible.

【0029】なお、図4および図5に示すように、イン
ダクタL2 およびコンデンサC2 は多層基板による積層
構造によって構成されるが、インダクタL0 やコンデン
サC0 においてもインダクタL2 およびコンデンサC2
と同様に、多層基板により積層して構成しても良い。こ
れにより、インダクタL0 およびコンデンサC0 を追加
したことによるアンテナスイッチ20自体の大型化を抑
制することができる。したがって、携帯電話機の小型軽
量化を妨げることなくして、スイッチ回路20bを静電
気から保護し得る効果がある。また、アンテナスイッチ
20の積層構造は、低温焼成からなるガラスセラミック
基板であるから、比較的低い温度で焼成できる。これに
より、導体抵抗の低い銀、銅等をパターンに使用するこ
とができる。したがって、導体抵抗の低き、しかも高温
に耐えうるパラジウム、タングステン等を用いる必要が
ないため、アンテナスイッチ20の製造コストをも削減
し得る効果がある。
As shown in FIGS. 4 and 5, the inductor L2 and the capacitor C2 are formed in a multilayer structure with a multi-layer substrate, but the inductor L0 and the capacitor C0 also have the inductor L2 and the capacitor C2.
In the same manner as described above, it may be configured by laminating with a multilayer substrate. As a result, the size of the antenna switch 20 itself due to the addition of the inductor L0 and the capacitor C0 can be suppressed. Therefore, there is an effect that the switch circuit 20b can be protected from static electricity without hindering reduction in size and weight of the mobile phone. Further, since the laminated structure of the antenna switch 20 is a glass ceramic substrate formed by firing at a low temperature, it can be fired at a relatively low temperature. This makes it possible to use silver, copper, or the like having a low conductor resistance for the pattern. Therefore, there is no need to use palladium, tungsten, or the like that has low conductor resistance and can withstand high temperatures, and thus has the effect of reducing the manufacturing cost of the antenna switch 20.

【0030】次に、静電気試験器による静電気をアンテ
ナスイッチ20のアンテナ端子ANTに印加したときの
測定結果等を図1、図6〜図8に基づいて説明する。図
6に示すように、アンテナスイッチ20への静電気の印
加は、IEC1000−4−2:1995(静電気放電
イミュニティ試験基本EMC刊行物)に準拠する測定系
100により行っている。つまり、大地アースGに接続
されたグランドプレーン101に1MΩの抵抗103を
介してプレーン102を接続し、そのプレーン102の
上にアンテナスイッチ20を取り付けた治具110を載
置して入力端子110aに静電気ガン105で±16k
Vの静電気を所定回数印加している。なお、プレーン1
02は携帯電話機の筐体接地FGに相当し、抵抗103
は人体に相当するものである。また治具110に取り付
けられたアンテナスイッチ20のアンテナ端子ANT
は、治具110の入力端子110aに接続され、端子T
Xまたは端子RXは治具110の出力端子110bに接
続されている。
Next, a description will be given of the measurement results when static electricity is applied to the antenna terminal ANT of the antenna switch 20 by the static electricity tester with reference to FIGS. 1 and 6 to 8. As shown in FIG. 6, the application of static electricity to the antenna switch 20 is performed by a measurement system 100 that complies with IEC1000-4-2: 1995 (published in the basic EMC publication of electrostatic discharge immunity test). That is, the plane 102 is connected to the ground plane 101 connected to the ground G via the 1 MΩ resistor 103, the jig 110 having the antenna switch 20 mounted thereon is placed on the plane 102, and the input terminal 110 a is connected to the input terminal 110 a. ± 16k with electrostatic gun 105
V static electricity is applied a predetermined number of times. Plane 1
02 is equivalent to the housing ground FG of the mobile phone,
Is equivalent to a human body. The antenna terminal ANT of the antenna switch 20 attached to the jig 110
Is connected to the input terminal 110a of the jig 110 and the terminal T
X or the terminal RX is connected to the output terminal 110 b of the jig 110.

【0031】まず、アンテナスイッチ20のアンテナ端
子ANTに静電気を印加したときに端子TXまたは端子
RXに漏れ出る電圧を測定した。つまり、測定系100
において、治具110の入力端子110aの先端と静電
気ガン105との間で±16kVの静電気による気中放
電を約30回行い、そのときに出力端子110bから漏
れ出る電圧をオシロスコープ等によって測定した(サン
プル数は28個)。
First, a voltage leaked to the terminal TX or the terminal RX when static electricity was applied to the antenna terminal ANT of the antenna switch 20 was measured. That is, the measurement system 100
In the above, aerial discharge by static electricity of ± 16 kV was performed about 30 times between the tip of the input terminal 110a of the jig 110 and the electrostatic gun 105, and the voltage leaked from the output terminal 110b at that time was measured by an oscilloscope or the like ( The number of samples is 28).

【0032】その結果、端子TXまたは端子RXから漏
れ出る電圧の平均値は、静電気保護回路20aを備える
もので128Vであるのに対し、静電気保護回路20a
を備えないものでは288Vであることがわかった。こ
れにより、静電気保護回路20aを備えたアンテナスイ
ッチ20では、静電気保護回路20aによりアンテナ端
子ANTに侵入した静電気の一部を筐体接地FG側に逃
がすことができるため端子TX等に漏れ出た電圧が一般
的な半導体が静電気破壊され得る最小電圧150V以下
に抑えられていることが確認された。一方、静電気保護
回路20aを備えないものではそれが288Vであるこ
とから、アンテナスイッチ内の高周波スイッチングダイ
オード等の半導体や端子TXや端子RXの後段に接続さ
れ得る他の回路モジュール内の半導体等を静電気によっ
て破壊し得ることも判明した。
As a result, the average value of the voltage leaking from the terminal TX or the terminal RX is 128 V in the case where the static electricity protection circuit 20a is provided,
It was found that the voltage was 288 V for those having no. Accordingly, in the antenna switch 20 including the static electricity protection circuit 20a, a part of the static electricity that has entered the antenna terminal ANT can be released to the housing ground FG side by the static electricity protection circuit 20a. Was confirmed to be less than 150 V which is a minimum voltage at which a general semiconductor can be damaged by static electricity. On the other hand, when the static electricity protection circuit 20a is not provided, since the voltage is 288 V, a semiconductor such as a high-frequency switching diode in an antenna switch or a semiconductor in another circuit module that can be connected to a stage subsequent to the terminal TX or the terminal RX is used. It was also found that it could be destroyed by static electricity.

【0033】また、図7および図8に示すように、この
ような静電気の印加がアンテナスイッチ20の通過特性
にどのような影響を与えるかに確認した。即ち、前述し
た静電気印加前後のアンテナスイッチ20等の挿入損失
900MHzを中心にスペクトラムアナライザで測定し
た。なお、図7および図8において、(A) は静電気印加
前のもの、図8(B) は静電気印加後のもので、測定範囲
は800MHz〜1000MHzである。図7(A) 、(B) か
らわかるように、静電気保護回路20aを備えたアンテ
ナスイッチ20では、静電気の印加前後を問わず挿入損
失は変化していない。これに対し、図8(A) 、(B) か
ら、静電気保護回路20aを備えないアンテナスイッチ
では、静電気の印加前よりも静電気印加後の方が0.2
6dB程度の挿入損失が増加していることがわかる。こ
れは、前述したように静電気保護回路20aを備えない
ものではアンテナ端子ANTから印加された静電気によ
って、アンテナスイッチ内の高周波スイッチングダイオ
ードの破壊あるいは逆方向特性の劣化が生じたためであ
ると推測される。これにより、静電気保護回路20aを
備えるアンテナスイッチ20では、静電気保護回路20
aがアンテナスイッチ20内の高周波スイッチングダイ
オードD1 、D2 を保護していることが確認された。
Further, as shown in FIGS. 7 and 8, it was confirmed how the application of such static electricity affects the passing characteristics of the antenna switch 20. That is, the measurement was performed with a spectrum analyzer centering on the insertion loss of 900 MHz of the antenna switch 20 and the like before and after the application of the static electricity. In FIGS. 7 and 8, (A) shows a state before applying static electricity, and FIG. 8 (B) shows a state after applying static electricity. The measurement range is 800 MHz to 1000 MHz. As can be seen from FIGS. 7A and 7B, in the antenna switch 20 including the static electricity protection circuit 20a, the insertion loss does not change before and after the application of static electricity. On the other hand, from FIGS. 8A and 8B, it can be seen from FIG. 8A that the antenna switch without the static electricity protection circuit 20a has 0.2% more static electricity after applying static electricity than before applying static electricity.
It can be seen that the insertion loss is increased by about 6 dB. This is presumed to be due to the fact that the static electricity applied from the antenna terminal ANT caused the destruction of the high-frequency switching diode in the antenna switch or the deterioration of the reverse characteristics in the case where the static electricity protection circuit 20a was not provided as described above. . Accordingly, in the antenna switch 20 including the static electricity protection circuit 20a, the static electricity protection circuit 20
It was confirmed that a protected the high-frequency switching diodes D1 and D2 in the antenna switch 20.

【0034】続いてアンテナスイッチ20を構成する静
電気保護回路20aの変形例を図9に基づいて、また静
電気保護回路20aに静電気を500回印加した場合に
おける静電気信号レベルの周波数分布特性とを図10〜
図12に基づいて説明する。図9に示すように、静電気
保護回路20aの一変形例として、静電気保護回路20
aのインダクタL0 およびコンデンサC0 が携帯電話機
の通信周波数の通過を許容するBPFの少なくとも一部
を構成する静電気保護回路40aが挙げられる。つま
り、静電気保護回路40aを構成するインダクタL21お
よびコンデンサC20が静電気保護回路20aを構成する
インダクタL0およびコンデンサC0にそれぞれ対応する
ことでHPFを形成し、その後段にコンデンサC21、C
23、インダクタL20により形成するLPFを付加するこ
とによって、全体としてBPFを構成している。これに
より、このBPFによって通信周波数よりも高い周波数
の交流成分の通過をも阻止することができる。したがっ
て、携帯電話機の小型軽量化を妨げることなくして、通
信周波数よりも高い周波数の交流成分を持つ静電気から
もアンテナスイッチ20内のスイッチ回路20bを保護
し得る効果がある。
Next, a modification of the static electricity protection circuit 20a constituting the antenna switch 20 will be described with reference to FIG. 9, and the frequency distribution characteristics of the static electricity signal level when static electricity is applied to the static electricity protection circuit 20a 500 times will be described with reference to FIG. ~
This will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 9, as a modification of the static electricity protection circuit 20a, the static electricity protection circuit 20a
The static electricity protection circuit 40a in which the inductor L0 and the capacitor C0 constitute at least a part of the BPF that allows the communication frequency of the mobile phone to pass therethrough. That is, the inductor L21 and the capacitor C20 constituting the static electricity protection circuit 40a correspond to the inductor L0 and the capacitor C0 constituting the static electricity protection circuit 20a, respectively, to form an HPF, and the capacitors C21, C
23. A BPF is formed as a whole by adding an LPF formed by the inductor L20. As a result, the BPF can also prevent the passage of an AC component having a frequency higher than the communication frequency. Therefore, there is an effect that the switch circuit 20b in the antenna switch 20 can be protected from static electricity having an AC component having a frequency higher than the communication frequency without hindering reduction in size and weight of the mobile phone.

【0035】この静電気保護回路40aによるBPFの
低域遮断周波数fCLは、例えば携帯電話機の通信周波数
が915MHzのときには、90MHz前後に設定され、ま
たLPFによる減衰量が3dBに達する周波数(以下
「高域遮断周波数」という。)fCHは1.3GHz前後に
設定される(図10(B) 参照)。このようにBPFによ
る低域遮断周波数fCLと高域遮断周波数fCHとを通信周
波数帯幅よりも余裕をもって設定することにより、設計
時または製品試作時に静電気保護回路40aの低域遮断
周波数fCLおよび高域遮断周波数fCHを設定すれば、製
品量産時に個々に当該周波数の調整を行う必要がない。
これにより、調整可能な機構を有する部品、例えば可変
コンデンサ等をコンデンサC20、C21、C23に用いる必
要がないので、静電気保護回路20aと同様、静電気保
護回路40aによるアンテナスイッチ40の大型化を抑
制するとともに調整箇所の増加を防ぐことができる。
For example, when the communication frequency of the portable telephone is 915 MHz, the low cutoff frequency fCL of the BPF by the electrostatic protection circuit 40a is set to about 90 MHz, and the frequency at which the attenuation by the LPF reaches 3 dB (hereinafter referred to as "high band"). FCH is set to about 1.3 GHz (see FIG. 10B). By setting the low-frequency cutoff frequency fCL and the high-frequency cutoff frequency fCH by the BPF with a margin more than the communication frequency bandwidth, the low-frequency cutoff frequency fCL and the high-frequency If the cutoff frequency fCH is set, it is not necessary to individually adjust the frequency during mass production of the product.
This eliminates the need to use a component having an adjustable mechanism, such as a variable capacitor, for the capacitors C20, C21, and C23, and thus suppresses the enlargement of the antenna switch 40 due to the static electricity protection circuit 40a, similarly to the static electricity protection circuit 20a. In addition, it is possible to prevent an increase in the number of adjustment points.

【0036】このように構成された静電気保護回路40
aの静電気阻止能力を静電気保護回路20aと比較する
ため、静電気保護回路20a、40aに静電気を500
回印加した場合における静電気信号レベルの周波数分布
特性を測定した。この測定は、スペクトラムアナライザ
に40dB減衰器を介して静電気保護回路20a、40
aを接続し、静電気保護回路20aまたは40aのアン
テナ端子ANTに+3kVの静電気による気中放電を5
00回繰り返すことにより行い、図11、12に示す結
果は、それをスペクトラムアナライザで蓄積記録したも
のである。なお、両図とも(B) は、静電気保護回路20
aあるいは静電気保護回路40aを介することなく、直
接、+3kVの静電気による気中放電を行ったものであ
る。
The static electricity protection circuit 40 thus configured
In order to compare the static electricity blocking capability of the static electricity protection circuit 20a with the static electricity protection circuit 20a, the static electricity protection circuits 20a and 40a are charged with 500 static electricity.
The frequency distribution characteristic of the static signal level when the voltage was applied once was measured. This measurement is performed by a spectrum analyzer via a 40 dB attenuator.
a is connected to the antenna terminal ANT of the static electricity protection circuit 20a or 40a, and air discharge due to static electricity of +3 kV is applied to the antenna terminal ANT.
The results are shown in FIGS. 11 and 12, which are stored and recorded by a spectrum analyzer. In both figures, (B) shows the static electricity protection circuit 20.
a or aerial discharge directly by +3 kV static electricity without passing through the static electricity protection circuit 40a.

【0037】図11(A) に示す測定結果は、静電気保護
回路20a単体に静電気を印加した場合における静電気
信号レベルの周波数分布特性である。これと図11(B)
とを比較すると、0Hz付近、即ち直流成分および数百Hz
の交流成分が40dB程度減衰していることに加え、5
0MHz前後までの交流成分が10dB程度減衰している
ことがわかる。つまり、静電気保護回路20aによるH
PFの効果が現れていることが、この測定においても確
認された。また、図12(A) に示す測定結果は、静電気
保護回路40a単体に静電気を印加した場合における静
電気信号レベルの周波数分布特性である。これと図12
(B) とを比較すると、静電気保護回路20aによる結果
(図11(A) )と同様、直流成分および数百Hzの交流成
分が40dB程度減衰している。またこの静電気保護回
路40aによると、2MHz〜300MHzまで周波数の交
流成分においても静電気保護回路20aによる結果(図
11(A) )に較べて減衰していることがわかる。これ
は、静電気保護回路40aによるBPFの方が、静電気
保護回路20aによるHPFよりも挿入損失が大きいこ
との現れであり、その分、静電気の通過を阻止できるこ
とが確認された。
The measurement results shown in FIG. 11A are the frequency distribution characteristics of the static electricity signal level when static electricity is applied to the static electricity protection circuit 20a alone. This and FIG. 11 (B)
And 0 Hz, that is, DC component and several hundred Hz
In addition to the fact that the AC component of
It can be seen that the AC component up to about 0 MHz is attenuated by about 10 dB. That is, H by the static electricity protection circuit 20a
It was also confirmed in this measurement that the effect of PF appeared. The measurement results shown in FIG. 12A are the frequency distribution characteristics of the static signal level when static electricity is applied to the static electricity protection circuit 40a alone. This and FIG.
11B, the DC component and the AC component of several hundred Hz are attenuated by about 40 dB, as in the result obtained by the electrostatic protection circuit 20a (FIG. 11A). Further, according to the static electricity protection circuit 40a, it can be seen that the AC component having a frequency from 2 MHz to 300 MHz is attenuated as compared with the result of the static electricity protection circuit 20a (FIG. 11A). This indicates that the BPF formed by the static electricity protection circuit 40a has a larger insertion loss than the HPF formed by the static electricity protection circuit 20a, and it has been confirmed that the passage of static electricity can be prevented accordingly.

【0038】以上説明したように、本実施形態に係る静
電気保護回路20aを適用したアンテナスイッチ20に
よると、アンテナスイッチ20に内蔵される静電気保護
回路20aは、アンテナ80が電気的に接続されるアン
テナ端子ANT(アンテナ接続側)とスイッチ回路20
bの入出力端子Jとの間に接続されるコンデンサC0
と、このコンデンサC0 のアンテナ端子ANT側に一端
側と筐体接地FGとの間に接続されるインダクタL0
と、から構成されており、インダクタL0およびコンデ
ンサC0により、携帯電話機の通信周波数よりも少なく
とも低い周波数の交流成分および直流成分の通過を阻止
する。これにより、アンテナ80側から侵入した静電気
を、スイッチ回路20bの前段で筐体接地FG側に逃が
素ことができるので、スイッチ回路20bに侵入する静
電気を阻止し得る効果がある。
As described above, according to the antenna switch 20 to which the static electricity protection circuit 20a according to the present embodiment is applied, the static electricity protection circuit 20a built in the antenna switch 20 includes the antenna to which the antenna 80 is electrically connected. Terminal ANT (antenna connection side) and switch circuit 20
b connected to the input / output terminal J
And an inductor L0 connected between one end of the capacitor C0 and the antenna ground FG on the antenna terminal ANT side.
And the inductor L0 and the capacitor C0 prevent passage of AC and DC components at least lower than the communication frequency of the mobile phone. Thus, static electricity that has entered from the antenna 80 side can escape to the case grounding FG side before the switch circuit 20b, so that there is an effect that static electricity that enters the switch circuit 20b can be prevented.

【0039】[0039]

【発明の効果】請求項1の発明では、移動体通信機のア
ンテナに接続される回路モジュールのアンテナ接続側と
この回路モジュール内の回路網の信号入出力端子との間
に接続されるコンデンサと、このコンデンサのアンテナ
接続側の一端側と接地との間に接続されるインダクタと
を回路モジュールに内蔵し、これらのインダクタおよび
コンデンサにより、移動体通信機の通信周波数よりも少
なくとも低い周波数の交流成分および直流成分の通過を
阻止する。即ち、回路モジュールに内蔵するインダクタ
およびコンデンサによって通信周波数よりも少なくとも
低い周波数の交流成分および直流成分の通過を阻止する
ハイパスフィルタを構成する。これにより、アンテナか
ら回路モジュール内に静電気が侵入しても、静電気の直
流成分および通信周波数よりも低い周波数の交流成分
を、インダクタにより接地側に逃がすとともにコンデン
サにより回路モジュールの回路網側への侵入を阻止す
る。したがって、移動体通信機の小型軽量化を妨げるこ
となくして、回路モジュール内の回路網を静電気から保
護し得る効果がある。
According to the first aspect of the present invention, a capacitor connected between an antenna connection side of a circuit module connected to an antenna of a mobile communication device and a signal input / output terminal of a circuit network in the circuit module is provided. An inductor connected between one end of this capacitor on the antenna connection side and the ground is incorporated in the circuit module, and the inductor and the capacitor allow an AC component having a frequency at least lower than the communication frequency of the mobile communication device. And block the passage of DC components. That is, a high-pass filter that blocks the passage of the AC component and the DC component at least lower than the communication frequency by the inductor and the capacitor built in the circuit module is configured. As a result, even if static electricity enters the circuit module from the antenna, the DC component of the static electricity and the AC component having a lower frequency than the communication frequency are released to the ground side by the inductor and the capacitor enters the circuit network side of the circuit module by the capacitor. To block. Therefore, there is an effect that the circuit network in the circuit module can be protected from static electricity without hindering reduction in size and weight of the mobile communication device.

【0040】請求項2の発明では、インダクタの接続さ
れる接地は、回路網の接地と直流的に絶縁されているこ
とから、インダクタを通して逃げた静電気の直流成分お
よび通信周波数よりも低い周波数の交流成分が、回路網
の接地を介して回路網側に回り込むことを防止すること
ができる。したがって、移動体通信機の小型軽量化を妨
げることなくして、回路モジュール内の回路網を静電気
からより確実に保護し得る効果がある。
According to the second aspect of the present invention, since the ground to which the inductor is connected is insulated from the ground of the circuit network in a DC manner, the DC component of the static electricity escaping through the inductor and the AC of a frequency lower than the communication frequency are reduced. Components can be prevented from wrapping around the network through the ground of the network. Therefore, there is an effect that the circuit network in the circuit module can be more reliably protected from static electricity without hindering reduction in size and weight of the mobile communication device.

【0041】請求項3の発明では、回路モジュールに内
蔵されるインダクタおよびコンデンサは、少なくとも移
動体通信機の通信信号の通過を許容するバンドパスフィ
ルタの一部を構成することから、このバンドパスフィル
タによって通信周波数よりも高い周波数の交流成分の通
過をも阻止することができる。したがって、移動体通信
機の小型軽量化を妨げることなくして、通信周波数より
も高い周波数の交流成分を持つ静電気からも回路モジュ
ール内の回路網を保護し得る効果がある。
According to the third aspect of the present invention, since the inductor and the capacitor incorporated in the circuit module constitute at least a part of the band-pass filter that allows the communication signal of the mobile communication device to pass, the band-pass filter is provided. Accordingly, it is possible to prevent the passage of the AC component having a frequency higher than the communication frequency. Therefore, there is an effect that the circuit network in the circuit module can be protected from static electricity having an AC component having a frequency higher than the communication frequency without hindering the reduction in size and weight of the mobile communication device.

【0042】請求項4の発明では、回路モジュールに内
蔵されるインダクタまたはコンデンサの少なくとも一方
は、回路モジュールを構成する多層基板の積層構造によ
り構成されることから、これらのインダクタおよびコン
デンサを追加したことによる回路モジュール自体の大型
化を抑制することができる。したがって、移動体通信機
の小型軽量化を妨げることなくして、回路モジュール内
の回路網を静電気から保護し得る効果がある。
According to the fourth aspect of the present invention, at least one of the inductor and the capacitor incorporated in the circuit module is constituted by a laminated structure of a multilayer substrate constituting the circuit module. This can suppress an increase in the size of the circuit module itself. Therefore, there is an effect that the circuit network in the circuit module can be protected from static electricity without hindering reduction in size and weight of the mobile communication device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態に係る静電気保護回路を適
用したアンテナスイッチの回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram of an antenna switch to which an electrostatic protection circuit according to an embodiment of the present invention is applied.

【図2】本実施形態に係るアンテナスイッチを用いる携
帯電話機の回路構成を示すブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram showing a circuit configuration of a mobile phone using the antenna switch according to the embodiment.

【図3】本実施形態に係るアンテナスイッチの積層状態
を示す模式的断面図である。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view illustrating a stacked state of the antenna switch according to the embodiment.

【図4】本実施形態に係るアンテナスイッチの各層展開
状態を示す斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view showing an expanded state of each layer of the antenna switch according to the embodiment.

【図5】本実施形態に係るアンテナスイッチの各層展開
状態を示す斜視図である。
FIG. 5 is a perspective view showing an expanded state of each layer of the antenna switch according to the embodiment.

【図6】本実施形態に係るアンテナスイッチに静電気を
印加したときの測定系を示す模式図である。
FIG. 6 is a schematic diagram showing a measurement system when static electricity is applied to the antenna switch according to the embodiment.

【図7】本実施形態に係るアンテナスイッチの通過特性
を示す特性図で、図7(A) は静電気印加前のもの、図7
(B) は静電気印加後のものである。
FIG. 7A is a characteristic diagram showing a transmission characteristic of the antenna switch according to the present embodiment. FIG.
(B) is after the application of static electricity.

【図8】静電気保護回路を備えないアンテナスイッチの
通過特性を示す特性図で、図8(A) は静電気印加前のも
の、図8(B) は静電気印加後のものである。
8A and 8B are characteristic diagrams showing the pass characteristics of an antenna switch having no static electricity protection circuit. FIG. 8A is a diagram before the static electricity is applied, and FIG. 8B is a diagram after the static electricity is applied.

【図9】本実施形態に係る静電気保護回路の変形例で、
BPFを構成した場合の回路図である。
FIG. 9 is a modification example of the electrostatic protection circuit according to the embodiment;
FIG. 3 is a circuit diagram when a BPF is configured.

【図10】本実施形態に係る静電気保護回路の通過特性
を示す特性図で、図10(A) はHPFのもの、図10
(B) BPFのものである。
FIG. 10A is a characteristic diagram showing a pass characteristic of the electrostatic protection circuit according to the present embodiment. FIG.
(B) BPF.

【図11】本実施形態に係る静電気保護回路に静電気を
印加した場合における静電気信号レベルの周波数分布特
性をスペクトラムアナライザで測定した特性図で、図1
1(A) はHPFのもの、図11(B) 直結(HPFなし)
のものである。
FIG. 11 is a characteristic diagram of a frequency distribution characteristic of an electrostatic signal level measured by a spectrum analyzer when static electricity is applied to the electrostatic protection circuit according to the present embodiment.
1 (A) is for HPF, FIG. 11 (B) is directly connected (no HPF)
belongs to.

【図12】本実施形態に係る静電気保護回路に静電気を
印加した場合における静電気信号レベルの周波数分布特
性をスペクトラムアナライザで測定した特性図で、図1
2(A) はBPFのもの、図12(B) 直結(BPFなし)
のものである。
FIG. 12 is a characteristic diagram of a frequency distribution characteristic of an electrostatic signal level measured by a spectrum analyzer when static electricity is applied to the electrostatic protection circuit according to the present embodiment.
2 (A) is for BPF, Fig. 12 (B) directly connected (no BPF)
belongs to.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

20 アンテナスイッチ(回路モジュール) 20a 静電気保護回路(HPF) 20b スイッチ回路(回路網) 21、22、23、24、25、26、27、28、2
9、30、31、32、33、34 ガラスセラミック
基板(多層基板) 40a 静電気保護回路(BPF) 60 送信部 70 受信部 80 アンテナ L0 インダクタ C0 コンデンサ ANT アンテナ端子 J 端子(信号入出力端子) FG 筐体接地(接地) SG 信号接地(回路網の接地)
Reference Signs List 20 antenna switch (circuit module) 20a electrostatic protection circuit (HPF) 20b switch circuit (circuit network) 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 2
9, 30, 31, 32, 33, 34 Glass ceramic substrate (multilayer substrate) 40a Static electricity protection circuit (BPF) 60 Transmitter 70 Receiver 80 Antenna L0 Inductor C0 Capacitor ANT Antenna terminal J terminal (signal input / output terminal) FG housing Body ground (ground) SG Signal ground (network ground)

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 移動体通信機のアンテナに接続される回
路モジュール内の回路網を静電気から保護する静電気保
護回路であって、 前記回路モジュールに前記アンテナが接続されるアンテ
ナ接続側と前記回路網に通信信号が入力または出力され
る信号入出力端子との間に接続され、前記回路モジュー
ルに内蔵されるコンデンサと、 前記アンテナ接続側に接続される前記コンデンサの一端
側と接地との間に接続され、前記回路モジュールに内蔵
されるインダクタとを備え、 前記インダクタおよび前記コンデンサにより、前記移動
体通信機の通信周波数よりも少なくとも低い周波数の交
流成分および直流成分の通過を阻止することを特徴とす
る静電気保護回路。
1. An electrostatic protection circuit for protecting a circuit network in a circuit module connected to an antenna of a mobile communication device from static electricity, comprising: an antenna connection side where the antenna is connected to the circuit module; Connected between a signal input / output terminal through which a communication signal is input or output, and a capacitor built in the circuit module, and connected between one end of the capacitor connected to the antenna connection side and ground. And an inductor built in the circuit module, wherein the inductor and the capacitor block the passage of an AC component and a DC component at least lower than a communication frequency of the mobile communication device. Static electricity protection circuit.
【請求項2】 前記接地は、前記回路網の接地と直流的
に絶縁されていることを特徴とする請求項1記載の静電
気保護回路。
2. The static electricity protection circuit according to claim 1, wherein the ground is DC-insulated from the ground of the network.
【請求項3】 前記インダクタおよび前記コンデンサ
は、 前記移動体通信機の通信信号の通過を許容するバンドパ
スフィルタの少なくとも一部を構成することを特徴とす
る請求項1または2記載の静電気保護回路。
3. The static electricity protection circuit according to claim 1, wherein the inductor and the capacitor constitute at least a part of a band-pass filter that allows a communication signal of the mobile communication device to pass. .
【請求項4】 前記回路モジュールは、多層基板により
構成され、 前記インダクタまたは前記コンデンサの少なくとも一方
は、前記多層基板による積層構造により構成されること
を特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の静電
気保護回路。
4. The circuit module according to claim 1, wherein the circuit module includes a multilayer substrate, and at least one of the inductor and the capacitor includes a multilayer structure including the multilayer substrate. Static electricity protection circuit described in the section.
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