JP2001127233A - Resin-sealed semiconductor device - Google Patents

Resin-sealed semiconductor device

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To support a semiconductor chip stably by supporting a die pad at four spots, in place of ordinary one-point supporting. SOLUTION: Since supporting spots for semiconductor chip 35 are four in number, and approach the end parts of the semiconductor chip 35. By forming four chip-supporting parts 34 of approximately the same height by press working using a lead frame as original material, so as to protrude from the exposed fundamental part 33 of a die pad 32, and supporting the semiconductor chip 35 by the supporting parts 34, a mounted posture of the semiconductor chip 35 is stabilizes, and a possibility of generation of inconvenience in a manufacturing process is diminished. Besides, the semiconductor chip 35 can be thinned, and consequently it becomes possible to thin a semiconductor device, since rigidity which is required by the semiconductor chip 35 becomes smaller by the increase of the supporting points.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレームを
使用する樹脂封止型半導体装置であり、その中でもダイ
パッドの裏面側が露出する放熱タイプの樹脂封止型半導
体装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resin-encapsulated semiconductor device using a lead frame, and more particularly to a heat-dissipation-type resin-encapsulated semiconductor device in which the back side of a die pad is exposed.

【0002】[0002]

【従来の技術】まず、図22、図23を用いて、従来の
樹脂封止型半導体装置の構成について述べる。なお、説
明で用いる図は必ずしも実物を等倍に拡大したものでは
なく、理解を容易にするために高さ方向に一部誇張した
描き方をしている。このことは、後述の発明の実施の形
態の説明で用いる図についても同様である。
2. Description of the Related Art First, the structure of a conventional resin-encapsulated semiconductor device will be described with reference to FIGS. Note that the drawings used in the description are not necessarily the same size as the actual ones, but are partially exaggerated in the height direction for easy understanding. This is the same for the drawings used in the description of the embodiments of the invention described later.

【0003】図22、図23はそれぞれ従来の樹脂封止
型半導体装置の正面断面図、底面図である。図22は図
23のA−A1箇所の断面を示している。図22、図2
3において、11は樹脂封止型半導体装置全体を表すと
する。12は中央部にあるダイパッドであり、露出する
基本部13とチップ支持部14から成る。15は半導体
チップ、16は半導体チップ15をチップ支持部14に
固着させるためのダイボンド剤である。17はダイパッ
ド12を囲むように設けられた端子(リード)、18は
半導体チップ15の電極パッド(図示せず)と端子17
とを接続するワイヤーである。19は全体を保護する封
止樹脂である。この半導体装置11は、放熱型のQFN
(Quad Flat Non−leaded pac
kage)タイプのものであり、ダイパッド12の底面
が露出し、端子17の上側のみが樹脂封止部となり、ま
た樹脂封止型半導体装置本体部の側面から横に長く出る
アウタリード部がなく、端子17の下面が外部端子とし
てプリント配線板への実装面となる。
FIGS. 22 and 23 are a front sectional view and a bottom view, respectively, of a conventional resin-encapsulated semiconductor device. FIG. 22 shows a cross section taken along the line AA1 in FIG. FIG. 22, FIG.
In 3, it is assumed that 11 indicates the entire resin-sealed semiconductor device. Reference numeral 12 denotes a die pad at the center, which comprises a basic portion 13 and a chip supporting portion 14 which are exposed. Reference numeral 15 denotes a semiconductor chip, and 16 denotes a die bonding agent for fixing the semiconductor chip 15 to the chip supporting portion 14. Reference numeral 17 denotes a terminal (lead) provided so as to surround the die pad 12. Reference numeral 18 denotes an electrode pad (not shown) of the semiconductor chip 15 and the terminal 17.
Is a wire that connects 19 is a sealing resin for protecting the whole. This semiconductor device 11 has a heat dissipation type QFN.
(Quad Flat Non-leaded pac
Kage) type, the bottom surface of the die pad 12 is exposed, only the upper side of the terminal 17 becomes a resin sealing portion, and there is no outer lead portion extending laterally from the side surface of the resin sealing type semiconductor device main body. The lower surface of 17 is a mounting surface on a printed wiring board as an external terminal.

【0004】次に図24を用いて、従来の樹脂封止型半
導体装置を構成するリードフレームについて説明する。
図24は従来のリードフレームの基本単位の斜視図であ
る。
Next, a lead frame constituting a conventional resin-encapsulated semiconductor device will be described with reference to FIG.
FIG. 24 is a perspective view of a basic unit of a conventional lead frame.

【0005】図24において、20はリードフレーム全
体を指すとする。21は2箇所で曲げられておりダイパ
ッド12を4方向で支持するダイパッドサポート、22
は封止工程で樹脂止めの役割をするダムバー、23は製
造工程での熱の影響を緩和するスリットである。
In FIG. 24, it is assumed that reference numeral 20 indicates the entire lead frame. Reference numeral 21 denotes a die pad support which is bent at two places and supports the die pad 12 in four directions.
Is a dam bar that serves as a resin stopper in the sealing process, and 23 is a slit that reduces the influence of heat in the manufacturing process.

【0006】このダイパッド12の詳細について説明す
る。チップ支持部14は、リードフレーム20を元材料
として高さ方向に突出するように加工形成されている。
チップ支持部14と基本部13との間には高さ差がある
ために、半導体装置11の完成品の状態では、半導体チ
ップ15のうちのチップ支持部14からはずれた片持ち
支持部分と基本部13との間には封止樹脂19が介在す
ることになる。このことにより、半導体チップ15の上
下を封止樹脂19が覆うバランスのとれた構造になって
いる。また、基本部13と封止樹脂19との境界は水分
浸入経路となる可能性があるが、半導体チップ15に至
るまでの経路は、平面のダイパッドに直接半導体チップ
15を載せた場合に比べてチップ支持部14を高さ方向
に突出させたことにより長くなっており、信頼性の高い
構造となっている。
The details of the die pad 12 will be described. The chip supporting portion 14 is formed using the lead frame 20 as an original material so as to protrude in the height direction.
Since there is a height difference between the chip support portion 14 and the basic portion 13, in the state of the completed semiconductor device 11, the cantilever support portion of the semiconductor chip 15 which is separated from the chip support portion 14 and the basic portion. The sealing resin 19 intervenes between the portion 13. As a result, the semiconductor chip 15 has a well-balanced structure in which the top and bottom of the semiconductor chip 15 are covered with the sealing resin 19. Further, the boundary between the basic portion 13 and the sealing resin 19 may be a moisture infiltration path, but the path to the semiconductor chip 15 is smaller than that when the semiconductor chip 15 is directly mounted on a flat die pad. The length is increased by projecting the chip supporting portion 14 in the height direction, and the structure is highly reliable.

【0007】なお、樹脂封止型半導体装置11の製造工
程は、チップ支持部14にダイボンド剤16を塗布し
て、そこに半導体チップ15を押付けて配置した後、固
着させるダイボンド工程、半導体チップ15の電極パッ
ド(図示せず)と端子17を金属のワイヤー18を用い
て接続するワイヤーボンド工程、リードフレーム20を
半導体装置11の外形状をした金型にセットして溶融し
た封止樹脂19を流し込み、その後硬化させる封止工
程、樹脂封止型半導体装置11となる部分をリードフレ
ーム20全体から切取る製品加工工程からなる。
The manufacturing process of the resin-encapsulated semiconductor device 11 includes a die bonding process in which a die bonding agent 16 is applied to the chip supporting portion 14, the semiconductor chip 15 is pressed and arranged thereon, and then fixed. A wire bonding step of connecting an electrode pad (not shown) to the terminal 17 with a metal wire 18, and setting the lead frame 20 to a mold having an outer shape of the semiconductor device 11 and melting the sealing resin 19. It includes a sealing step of pouring and then curing, and a product processing step of cutting a portion to be the resin-sealed semiconductor device 11 from the entire lead frame 20.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来の構成では半導体チップが大きくなっても、半導体チ
ップの支持はダイパッドの中心部のみでしか行わないの
で、ダイボンド時に大きな半導体チップに対しては押付
ける力のバランスが崩れやすく、わずかに傾斜したとし
ても半導体チップが大きければ、その端部における傾斜
量は大きくなる。このことによる第1の問題としてワイ
ヤーボンド時にボンド高さが異なり均一な接合ができな
くなったり、封止時に樹脂の流れがスムーズでなくなる
という問題や片持ち支持長が増加することでワイヤーボ
ンド時に大きなモーメントが加わるので、薄い半導体チ
ップでは損傷に至るという問題があった。
However, in such a conventional structure, even if the semiconductor chip becomes large, the semiconductor chip is supported only at the center of the die pad. The balance of the pressing force tends to be lost, and even if the semiconductor chip is slightly inclined, if the semiconductor chip is large, the amount of inclination at the end becomes large. As a first problem due to this, there is a problem that uniform bonding cannot be performed due to a difference in bond height at the time of wire bonding, a resin flow is not smooth at the time of sealing, and a large cantilevered support length increases wire bonding. Since a moment is applied, there is a problem that a thin semiconductor chip is damaged.

【0009】また、従来の構成ではチップ支持部をリー
ドフレームを元材料として加工形成したものである。こ
のため第2の問題として、半導体チップの支持位置と支
持高さには加工限界からくる制約があり、必ずしも最適
な構造とはならないという問題があった。
In the conventional configuration, the chip supporting portion is formed by processing the lead frame as a raw material. For this reason, as a second problem, there is a problem in that the support position and the support height of the semiconductor chip are limited due to the processing limit, and the structure is not always optimal.

【0010】さらに、従来の構成では半導体チップの支
持部は1箇所のみである。このため第3の問題として、
複数の半導体チップを搭載しようとしても支持部が1つ
のため、複数の半導体チップを搭載できないという問題
があった。
Further, in the conventional configuration, there is only one supporting portion for the semiconductor chip. Therefore, as a third problem,
Even if an attempt is made to mount a plurality of semiconductor chips, there is a problem that a plurality of semiconductor chips cannot be mounted because there is only one support portion.

【0011】本発明は前記従来の課題を解決するもの
で、まずダイパッドに対して半導体チップを複数箇所で
安定した支持をして、製造工程での不都合の発生する可
能性をなくし、また半導体チップを薄くすることでの半
導体装置の薄型化を図ることを第1の目的とする。ま
た、ダイパッドに一体的に固定した別部材で半導体チッ
プを支持することで、より適切な構造とすることを第2
の目的とする。さらに、半導体チップの支持部を複数箇
所設けることで複数の半導体チップを搭載可能とするこ
と、さらにはより密度の高い搭載を行うことを第3の目
的とする。
The present invention solves the above-mentioned conventional problems. First, a semiconductor chip is stably supported at a plurality of positions on a die pad to eliminate the possibility of inconvenience in a manufacturing process. A first object is to reduce the thickness of a semiconductor device by reducing the thickness of the semiconductor device. In addition, by supporting the semiconductor chip with another member integrally fixed to the die pad, it is necessary to improve the structure of the semiconductor chip.
The purpose of. Further, a third object is to enable mounting of a plurality of semiconductor chips by providing a plurality of support portions of the semiconductor chip, and to perform mounting with higher density.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】そこで第1の目的を達成
するために本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体チ
ップを支持したダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に
その先端が配置された端子と、前記半導体チップと前記
端子とを電気的に接続した部材と、前記ダイパッドの底
面を露出させて前記半導体チップの外囲を封止した封止
樹脂とよりなる樹脂封止型半導体装置であって、前記ダ
イパッドは前記封止樹脂の外部に露出する基本部と、前
記基本部と一体で形成され、前記基本部とは別のほぼ同
じ高さの複数の支持部とを有し、前記複数の支持部によ
り前記半導体チップが支持されている樹脂封止型半導体
装置である。
In order to achieve the first object, a resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention comprises a die pad supporting a semiconductor chip and a terminal having a tip disposed around the die pad. And a member that electrically connects the semiconductor chip and the terminal, and a sealing resin that exposes a bottom surface of the die pad and seals an outer periphery of the semiconductor chip. The die pad has a basic portion exposed to the outside of the sealing resin, and a plurality of support portions formed integrally with the basic portion and having substantially the same height as the basic portion, and The semiconductor device is a resin-sealed semiconductor device in which the semiconductor chip is supported by the support portion.

【0013】これにより、半導体チップの姿勢が安定す
るので製造工程での不都合が発生する可能性がなくな
る。また、支持点がふえるので半導体チップを薄くして
もよく、半導体装置の薄型化が図れることになる。
As a result, the posture of the semiconductor chip is stabilized, so that there is no possibility that inconvenience occurs in the manufacturing process. Further, since the number of support points increases, the semiconductor chip may be thinned, and the thickness of the semiconductor device can be reduced.

【0014】また第2の目的を達成するために本発明の
樹脂封止型半導体装置は、半導体チップを支持したダイ
パッドと、前記ダイパッドの周囲にその先端が配置され
た端子と、前記半導体チップと前記端子とを電気的に接
続した部材と、前記ダイパッドの底面を露出させて前記
半導体チップの外囲を封止した封止樹脂とよりなる樹脂
封止型半導体装置であって、前記ダイパッドはその底面
が前記封止樹脂の外部に露出するとともに、支持部を有
する補助部材を別に有し、前記支持部により前記半導体
チップが支持されている樹脂封止型半導体装置である。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a resin-encapsulated semiconductor device, comprising: a die pad supporting a semiconductor chip; a terminal having a tip disposed around the die pad; A resin-encapsulated semiconductor device comprising: a member electrically connected to the terminal; and a sealing resin that exposes a bottom surface of the die pad and seals an outer periphery of the semiconductor chip. A resin-sealed semiconductor device in which a bottom surface is exposed to the outside of the sealing resin, an auxiliary member having a supporting portion is separately provided, and the semiconductor chip is supported by the supporting portion.

【0015】これにより、半導体チップの支持位置と支
持高さを自由にとれるので、バランスのよい構造が実現
できて、温湿度変化に対する形状維持性、つまりは信頼
性の向上が図れることになる。
Thus, since the supporting position and the supporting height of the semiconductor chip can be freely set, a well-balanced structure can be realized, and the shape retention, that is, the reliability, against the temperature and humidity changes can be improved.

【0016】また第3の目的を達成するための第1の手
段として本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体チッ
プを支持したダイパッドと、前記ダイパッドの周囲にそ
の先端が配置された端子と、前記半導体チップと前記端
子とを電気的に接続した部材と、前記ダイパッドの底面
を露出させて前記半導体チップの外囲を封止した封止樹
脂とよりなる樹脂封止型半導体装置であって、前記ダイ
パッドは封止樹脂の外部に露出する基本部と、前記基本
部と一体で形成され、前記基本部とは別の高さの複数の
支持部を有し、相互に平面的な重なりがない状態で前記
複数の支持部により複数の半導体チップが支持されてい
る樹脂封止型半導体装置である。
As a first means for achieving the third object, a resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention comprises a die pad supporting a semiconductor chip, and a terminal having a tip disposed around the die pad. A resin-sealed semiconductor device comprising: a member that electrically connects the semiconductor chip and the terminal; and a sealing resin that exposes a bottom surface of the die pad and seals an outer periphery of the semiconductor chip. The die pad has a basic portion exposed to the outside of the sealing resin, and is formed integrally with the basic portion, has a plurality of support portions having different heights from the basic portion, and has a planar overlap with each other. A resin-encapsulated semiconductor device in which a plurality of semiconductor chips are supported by the plurality of support portions in a non-existent state.

【0017】これにより、半導体装置に複数の半導体チ
ップを並べて搭載できるので、複数機能をワンパッケー
ジ化して実装面積と重量の削減が図れることになる。
Thus, since a plurality of semiconductor chips can be mounted side by side on the semiconductor device, a plurality of functions can be integrated into one package to reduce the mounting area and weight.

【0018】また第3の目的を達成するための第2の手
段として本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体チッ
プを支持したダイパッドと、前記ダイパッドの周囲にそ
の先端が配置された端子と、前記半導体チップと前記端
子とを電気的に接続した部材と、前記ダイパッドの底面
を露出させて前記半導体チップの外囲を封止した封止樹
脂とよりなる樹脂封止型半導体装置であって、前記ダイ
パッドはその底面が前記封止樹脂の外部に露出するとと
もに、2つ以上の支持部を有する補助部材を別に有し、
相互に平面的な重なりがない状態で前記複数の支持部に
より複数の半導体チップが支持されている樹脂封止型半
導体装置である。
As a second means for achieving the third object, a resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention comprises a die pad supporting a semiconductor chip, and a terminal having a tip disposed around the die pad. A resin-sealed semiconductor device comprising: a member that electrically connects the semiconductor chip and the terminal; and a sealing resin that exposes a bottom surface of the die pad and seals an outer periphery of the semiconductor chip. The die pad has a bottom surface exposed to the outside of the sealing resin, and has an auxiliary member having two or more support portions separately,
A resin-encapsulated semiconductor device in which a plurality of semiconductor chips are supported by the plurality of support portions in a state where they do not overlap with each other in a plane.

【0019】これにより、半導体チップの支持位置と支
持高さを自由にとって半導体装置に複数の半導体チップ
を並べて搭載できるので、バランスのよい構造にて複数
機能のワンパッケージ化が実現できて、実装面積と重量
の削減も図れることになる。
Thus, since a plurality of semiconductor chips can be mounted side by side on a semiconductor device while freely supporting a semiconductor chip at a supporting position and supporting height, a one-package of a plurality of functions can be realized with a well-balanced structure, and the mounting area can be increased. The weight can also be reduced.

【0020】また第3の目的を達成するための第3の手
段として本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体チッ
プを支持したダイパッドと、前記ダイパッドの周囲にそ
の先端が配置された端子と、前記半導体チップと前記端
子とを電気的に接続した部材と、前記ダイパッドの底面
を露出させて前記半導体チップの外囲を封止した封止樹
脂とよりなる樹脂封止型半導体装置であって、前記ダイ
パッドは封止樹脂の外部に露出する基本部と、前記基本
部と一体で形成され、前記基本部とは別の高さであって
2種類以上の高さの複数の支持部を有し、相互に平面的
に重なった状態で前記複数の支持部により複数の半導体
チップが支持されている樹脂封止型半導体装置である。
As a third means for achieving the third object, a resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention comprises a die pad supporting a semiconductor chip, and a terminal having a tip disposed around the die pad. A resin-sealed semiconductor device comprising: a member that electrically connects the semiconductor chip and the terminal; and a sealing resin that exposes a bottom surface of the die pad and seals an outer periphery of the semiconductor chip. The die pad has a basic portion exposed to the outside of the sealing resin, and a plurality of support portions formed integrally with the basic portion and having different heights from the basic portion and two or more heights. Further, a resin-encapsulated semiconductor device in which a plurality of semiconductor chips are supported by the plurality of support portions in a state of being overlapped with each other in a plane.

【0021】これにより、半導体装置に複数の半導体チ
ップを平面的な重なりがあるように搭載できるので、複
数機能を高密度にワンパッケージ化して実装面積と重量
の削減が図れることになる。
Thus, a plurality of semiconductor chips can be mounted on the semiconductor device so as to have a two-dimensional overlap, so that a plurality of functions can be packaged at a high density to reduce a mounting area and weight.

【0022】また第3の目的を達成するための第4の手
段として本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体チッ
プを支持したダイパッドと、前記ダイパッドの周囲にそ
の先端が配置された端子と、前記半導体チップと前記端
子とを電気的に接続した部材と、前記ダイパッドの底面
を露出させて前記半導体チップの外囲を封止した封止樹
脂とよりなる樹脂封止型半導体装置であって、前記ダイ
パッドはその底面が前記封止樹脂の外部に露出するとと
もに、高さが互いに異なる2つ以上の支持部を有する補
助部材を別に有し、相互に平面的に重なった状態で前記
複数の支持部により複数の半導体チップが支持されてい
る樹脂封止型半導体装置である。
As a fourth means for achieving the third object, the resin-encapsulated semiconductor device of the present invention comprises a die pad supporting a semiconductor chip, and a terminal having a tip disposed around the die pad. A resin-sealed semiconductor device comprising: a member that electrically connects the semiconductor chip and the terminal; and a sealing resin that exposes a bottom surface of the die pad and seals an outer periphery of the semiconductor chip. The die pad has a bottom surface exposed to the outside of the sealing resin, and has another auxiliary member having two or more support portions having different heights from each other, and the plurality of die pads overlap each other in a planar manner. This is a resin-encapsulated semiconductor device in which a plurality of semiconductor chips are supported by a support.

【0023】これにより、半導体チップの支持位置と支
持高さを自由にとって半導体装置に複数の半導体チップ
を平面的な重なりがあるように搭載できるので、バラン
スのよい構造にて複数機能の高密度なワンパッケージ化
が実現できて、実装面積と重量の削減も図れることにな
る。
With this arrangement, the semiconductor device can be mounted at a position where the semiconductor chip can be freely supported and the height at which the semiconductor chip can be mounted, so that the plurality of semiconductor chips can be mounted on the semiconductor device so as to have a two-dimensional overlap. A single package can be realized, and the mounting area and weight can be reduced.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】以下、本発明の樹脂封止型半導体
装置の一実施形態について図面を参照しながら説明す
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of a resin-sealed semiconductor device according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0025】まず本発明の第1の目的に対する第1の実
施形態について説明する。図1、図2を用いて、樹脂封
止型半導体装置の構成について述べる。
First, a first embodiment for the first object of the present invention will be described. The configuration of the resin-encapsulated semiconductor device will be described with reference to FIGS.

【0026】図1、図2はそれぞれ第1の目的に対する
第1の実施形態における樹脂封止型半導体装置の正面断
面図、底面図である。図1は図2のB−B1箇所の断面
を示している。なお、本発明で説明に引用する底面図に
おいては、一部透視した構成を破線で示している。
FIGS. 1 and 2 are a front sectional view and a bottom view, respectively, of a resin-sealed semiconductor device according to the first embodiment for the first purpose. FIG. 1 shows a cross section taken along a line B-B1 in FIG. In the bottom view cited in the description of the present invention, the configuration partially seen through is indicated by a broken line.

【0027】図において31は樹脂封止型半導体装置全
体を表すとする。32は中央部にあるダイパッドであ
り、基本部33と四つのほぼ同じ高さの一体で形成され
たチップ支持部34から成る。35は半導体チップ、3
6は半導体チップ35をチップ支持部34に固着させる
ためのダイボンド剤である。37はダイパッド32を囲
むように設けられた端子、38は半導体チップ35の電
極パッド(図示せず)と端子37(リード)とを接続す
るワイヤーである。39は全体を保護する封止樹脂であ
る。
In the figure, reference numeral 31 denotes the entire resin-sealed semiconductor device. Reference numeral 32 denotes a die pad at the center, which comprises a basic portion 33 and four integrally formed chip support portions 34 having substantially the same height. 35 is a semiconductor chip, 3
Reference numeral 6 denotes a die bonding agent for fixing the semiconductor chip 35 to the chip supporting portion 34. Reference numeral 37 denotes a terminal provided so as to surround the die pad 32, and reference numeral 38 denotes a wire for connecting an electrode pad (not shown) of the semiconductor chip 35 to the terminal 37 (lead). 39 is a sealing resin for protecting the whole.

【0028】以上のように本実施形態の樹脂封止型半導
体装置は、外部にその底面が露出した基本部33と、そ
の基本部33とは別の高さであって一体で形成された複
数の支持部34を持つダイパッド32と、複数のチップ
支持部34によりダイボンド剤36を介して支持された
半導体チップ35と、ダイパッド32の周囲にその先端
が配置された端子37と、端子37とダイパッド32上
に搭載した半導体チップ35とを電気的に接続した金線
などのワイヤー38と、半導体チップ35の外囲とし
て、ダイパッド32の底面と、端子37の一側面および
端子の底面を除く領域を封止した封止樹脂39とよりな
るものである。
As described above, the resin-encapsulated semiconductor device of the present embodiment has a basic portion 33 whose bottom surface is exposed to the outside, and a plurality of integrally formed monoliths having different heights from the basic portion 33. A die pad 32 having a support portion 34, a semiconductor chip 35 supported by a plurality of chip support portions 34 via a die bonding agent 36, a terminal 37 having its tip disposed around the die pad 32, a terminal 37 and a die pad. A wire 38 such as a gold wire that electrically connects the semiconductor chip 35 mounted on the semiconductor chip 32, and a region excluding the bottom surface of the die pad 32, one side surface of the terminal 37 and the bottom surface of the terminal as an outer periphery of the semiconductor chip 35. It is made of a sealing resin 39 which has been sealed.

【0029】本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、4
つの突出した支持部34をダイパッド32面内に一体形
成しているので、半導体チップ35を安定に支持するこ
とができ、また半導体チップ35裏面へも封止樹脂39
を形成できる構造のため信頼性を維持できるものであ
る。
The resin-encapsulated semiconductor device of the present embodiment has four
Since the two protruding support portions 34 are integrally formed in the surface of the die pad 32, the semiconductor chip 35 can be stably supported, and the sealing resin 39 is also provided on the back surface of the semiconductor chip 35.
The reliability can be maintained because of the structure capable of forming the.

【0030】次に図3を用いて、リードフレームについ
て説明する。図3は第1の目的に対する第1の実施形態
におけるリードフレームの基本単位の斜視図である。図
において40はリードフレーム全体を指すとする。41
は2箇所で曲げられておりダイパッド32を4方向で支
持するダイパッドサポート、42は封止工程で樹脂止め
の役割をするダムバー、43は製造工程での熱の影響を
緩和するスリットである。
Next, the lead frame will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a perspective view of a basic unit of the lead frame in the first embodiment for the first object. In the figure, 40 indicates the entire lead frame. 41
Is a die pad support that is bent at two places and supports the die pad 32 in four directions, 42 is a dam bar that serves as a resin stopper in the sealing process, and 43 is a slit that reduces the influence of heat in the manufacturing process.

【0031】ダイパッド32に設けられた4つのチップ
支持部34は、リードフレーム40を元材料として高さ
方向に突出するように加工形成されている。これにより
半導体チップ35の支持箇所が4箇所となり、しかも支
持箇所が半導体チップ35の端部に近付いている。チッ
プ支持部34の形成には、打ち抜きを途中でやめる加工
(半切断プレス)をしてもよいし、形状に対応した金型
を用意して形状がそれにならうようなプレス加工をして
もよい。
The four chip supporting portions 34 provided on the die pad 32 are formed using the lead frame 40 as an original material so as to protrude in the height direction. As a result, the number of support points of the semiconductor chip 35 becomes four, and the support point approaches the end of the semiconductor chip 35. In forming the chip supporting portion 34, a process of stopping punching (half-cut press) may be performed, or a die corresponding to the shape may be prepared and subjected to a press process that conforms to the shape. Good.

【0032】図3のようにダイパッド32の複数箇所で
チップ支持部34を突出させることは、ダイパッドを部
分的にハーフエッチングすることでも実現できる。ただ
し、その場合は半導体チップ35の支持高さが低くなる
ので、ダイパッドサポート41の高さ方向の寸法を変更
する必要が生じる。また、ダイパッドの裏面は凹凸のな
い同一面のままとなる。
Protrusion of the chip supporting portions 34 at a plurality of positions of the die pad 32 as shown in FIG. 3 can also be realized by partially half-etching the die pad. However, in this case, since the support height of the semiconductor chip 35 is reduced, it is necessary to change the dimension of the die pad support 41 in the height direction. Also, the rear surface of the die pad remains the same surface without any irregularities.

【0033】次に、第1の目的に対する第2の実施形態
の樹脂封止型半導体装置について説明する。なお、ダイ
パッドの形状以外は第1の実施形態と同様であるため、
ダイパッドの形状のみについて説明する。図4は第1の
目的に対する第2の実施形態におけるダイパッドの斜視
図である。図において、46はダイパッドであり、基本
部47と四つのほぼ同じ高さのチップ支持部48から成
る。49はスリットであり、チップ支持部48を加工可
能とするためにその両側に設けられている。チップ支持
部48は、リードフレームを元材料として高さ方向に突
出するように加工形成されている。このためには、まず
スリット49の部分をリードフレームから除去し、その
後チップ支持部48が用意した金型にならうようにプレ
ス加工をすればよい。
Next, a resin-sealed semiconductor device according to a second embodiment for the first object will be described. In addition, since it is the same as that of the first embodiment except for the shape of the die pad,
Only the shape of the die pad will be described. FIG. 4 is a perspective view of the die pad according to the second embodiment for the first purpose. In the figure, reference numeral 46 denotes a die pad, which comprises a basic portion 47 and four chip support portions 48 having substantially the same height. Reference numeral 49 denotes a slit, which is provided on both sides of the chip supporting portion 48 so that the chip supporting portion 48 can be processed. The chip supporting portion 48 is formed by using a lead frame as a raw material so as to protrude in the height direction. For this purpose, the slit 49 is first removed from the lead frame, and then the chip supporting portion 48 may be pressed so as to conform to the prepared die.

【0034】次に、第1の目的に対する第3の実施形態
の樹脂封止型半導体装置について説明する。ここでもダ
イパッドの形状のみについて説明する。図5は第1の目
的に対する第3の実施形態におけるダイパッドを示す斜
視図である。図において、51はダイパッドであり、基
本部52と4つのほぼ同じ高さのチップ支持部53から
成る。54は切り欠き部であり、チップ支持部53を加
工可能とするためにその両側に設けられている。チップ
支持部53は、リードフレームを元材料として高さ方向
に突出するように加工形成されている。このためには、
まず切り欠き部54をリードフレームから除去し、その
後チップ支持部53が用意した金型にならうようにプレ
ス加工をすればよい。なお、半導体チップを複数箇所で
支持しても、図のように基本部52からチップ支持部5
3に至る傾斜部55の方向をダイパッド51の中心から
放射する方向とすれば、半導体装置の構成材料の熱膨張
率の違いに起因して封止工程後に生じるダイパッド51
の反りが、チップ支持部53の位置が変化可能となり緩
和できる。また図5に示す構造では、チップ支持部53
自体は弾性を有するものであり、半導体チップを支持し
た際、チップ反り等を吸収した搭載が可能となり、信頼
性の高い樹脂封止型半導体装置を得ることができる。
Next, a resin-sealed semiconductor device according to a third embodiment for the first object will be described. Here, only the shape of the die pad will be described. FIG. 5 is a perspective view showing a die pad according to the third embodiment for the first purpose. In the figure, reference numeral 51 denotes a die pad, which comprises a basic portion 52 and four chip support portions 53 having substantially the same height. Reference numeral 54 denotes a notch, which is provided on both sides of the chip support 53 so that the chip support 53 can be processed. The chip supporting portion 53 is formed by using a lead frame as an original material so as to protrude in the height direction. To do this,
First, the notch portion 54 is removed from the lead frame, and then the chip support portion 53 may be pressed to conform to the prepared mold. It should be noted that even if the semiconductor chip is supported at a plurality of locations, as shown in FIG.
If the direction of the inclined portion 55 reaching 3 is the direction radiating from the center of the die pad 51, the die pad 51 generated after the sealing step due to the difference in the coefficient of thermal expansion of the constituent materials of the semiconductor device.
Warpage can be reduced because the position of the chip supporting portion 53 can be changed. Further, in the structure shown in FIG.
When the semiconductor chip is supported, the semiconductor chip can be mounted while absorbing a chip warp or the like, and a highly reliable resin-encapsulated semiconductor device can be obtained.

【0035】以上、第1の目的に対する第1〜第3の実
施形態では、いずれもチップ支持部を対称的な4箇所と
したが、対称的でなくてもよいし、2箇所以上ならいく
らでもよい。ただしチップ支持バランスとその熱的影響
を考慮して配置する。また、チップ支持部の形状は実施
形態で示した以外にも、リードフレームを元材料として
形成可能なもので種々変形可能である。要点はリードフ
レームを元材料として、裏面側が露出するダイパッドに
設けたほぼ同じ高さの複数のチップ支持部により半導体
チップを支持するということである。
As described above, in the first to third embodiments for the first object, the chip support portions are all four symmetrically. However, the chip support portions need not be symmetrical, and any number of two or more may be used. . However, it is arranged in consideration of the chip support balance and its thermal effect. In addition to the shape shown in the embodiment, the shape of the chip supporting portion can be variously deformed by using a lead frame as a raw material. The point is that a semiconductor chip is supported by a plurality of chip supporting portions of substantially the same height provided on a die pad whose back surface is exposed, using a lead frame as a base material.

【0036】本発明の第2の目的に対する第1の実施形
態について説明する。まず、図6、図7を用いて、本実
施形態の樹脂封止型半導体装置の構成について述べる。
図6、図7はそれぞれ第2の目的に対する第1の実施形
態における樹脂封止型半導体装置の正面断面図、底面図
である。図6は図7のC−C1箇所の断面を示してい
る。図において、61は樹脂封止型半導体装置全体を表
すとする。62は中央部にあって裏面側が露出したダイ
パッド、63はダイパッド62に一体的に固定した補助
部材であり、4つのチップ支持部64を有する。65は
半導体チップ、66は半導体チップ65をチップ支持部
64に固着させるためのダイボンド剤である。67はダ
イパッド62を囲むように設けられた端子、68は半導
体チップ65の電極パッド(図示せず)と端子67とを
接続するワイヤーである。69は全体を保護する封止樹
脂である。
A first embodiment for the second object of the present invention will be described. First, the configuration of the resin-sealed semiconductor device of the present embodiment will be described with reference to FIGS.
6 and 7 are a front sectional view and a bottom view, respectively, of the resin-sealed semiconductor device according to the first embodiment for the second purpose. FIG. 6 shows a cross section taken along the line CC of FIG. In the figure, 61 indicates the entire resin-sealed semiconductor device. Reference numeral 62 denotes a die pad having a back surface side exposed at the center, and 63 denotes an auxiliary member integrally fixed to the die pad 62, and has four chip support portions 64. Reference numeral 65 denotes a semiconductor chip, and 66 denotes a die bonding agent for fixing the semiconductor chip 65 to the chip supporting portion 64. Reference numeral 67 denotes a terminal provided to surround the die pad 62, and reference numeral 68 denotes a wire for connecting an electrode pad (not shown) of the semiconductor chip 65 to the terminal 67. 69 is a sealing resin for protecting the whole.

【0037】以上のように本実施形態の樹脂封止型半導
体装置は、外部にその底面が露出したダイパッド62
と、そのダイパッド62とは別の高さであってそのダイ
パッド62に固定されて複数のチップ支持部64を有す
る補助部材63と、補助部材63の複数の支持部64に
よりダイボンド剤66を介して支持された半導体チップ
65と、ダイパッド62の周囲にその先端が配置された
端子67と、端子67とダイパッド62上に搭載した半
導体チップ65とを電気的に接続した金線などのワイヤ
ー68と、半導体チップ65の外囲として、ダイパッド
62の底面と、端子の一側面および端子の底面を除く領
域を封止した封止樹脂69とよりなるものである。
As described above, in the resin-encapsulated semiconductor device of the present embodiment, the die pad 62 whose bottom surface is exposed to the outside is provided.
And an auxiliary member 63 having a height different from that of the die pad 62 and fixed to the die pad 62 and having a plurality of chip support portions 64, and a plurality of support portions 64 of the auxiliary member 63 via a die bonding agent 66. A supported semiconductor chip 65, a terminal 67 whose tip is disposed around the die pad 62, a wire 68 such as a gold wire electrically connecting the terminal 67 and the semiconductor chip 65 mounted on the die pad 62, As an outer periphery of the semiconductor chip 65, the semiconductor chip 65 includes a bottom surface of the die pad 62, and a sealing resin 69 sealing a region excluding one side surface and the bottom surface of the terminal.

【0038】次に図8を用いて、補助部材63を固定し
たリードフレームについて説明する。図8は第2の目的
に対する第1の実施形態における補助部材を固定したリ
ードフレームの基本単位の斜視図である。図において、
70はリードフレーム全体を指すとする。71は2箇所
で曲げられておりダイパッド62を支持するダイパッド
サポート、72は封止工程で樹脂止めの役割をするダム
バー、73は熱の影響を緩和するスリットである。
Next, a lead frame to which the auxiliary member 63 is fixed will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a perspective view of a basic unit of the lead frame to which the auxiliary member according to the first embodiment is fixed for the second object. In the figure,
70 indicates the entire lead frame. Reference numeral 71 denotes a die pad support that is bent at two places and supports the die pad 62, 72 denotes a dam bar that serves as a resin stopper in a sealing process, and 73 denotes a slit that reduces the influence of heat.

【0039】ダイパッド62に一体的に固定した補助部
材63は、円形の板金をエッチングして4箇所のチップ
支持部64を形成したものである。補助部材63の元材
料は、リードフレーム70とは別なので、形状や寸法に
制約がない。ここでは、チップ支持部64をダイパッド
62からはみ出すように設けて、半導体チップ65の端
部近くを支持している。支持高さも自由に設定でき、こ
こでは第1の目的に対する第1の実施形態よりも高くし
ている。また、補助部材63により、樹脂封止型半導体
装置61中の封止樹脂69の体積やその形状が大きく変
化している。補助部材63をダイパッド62に一体的に
固定する方法には、レーザ溶接、はんだ接合、接着等あ
るが、部材間での伝熱性がよいものが望ましい。
The auxiliary member 63 integrally fixed to the die pad 62 is formed by etching a circular sheet metal to form four chip support portions 64. Since the base material of the auxiliary member 63 is different from the lead frame 70, there is no restriction on the shape and dimensions. Here, the chip supporting portion 64 is provided so as to protrude from the die pad 62 to support the vicinity of the end of the semiconductor chip 65. The support height can also be freely set, and is set higher here than in the first embodiment for the first purpose. Further, the volume and the shape of the sealing resin 69 in the resin-sealed semiconductor device 61 are greatly changed by the auxiliary member 63. As a method of integrally fixing the auxiliary member 63 to the die pad 62, there are laser welding, solder bonding, adhesion, and the like, but a method having good heat transfer between the members is desirable.

【0040】次に、第2の目的に対する第2の実施形態
について説明する。なお、補助部材の形状以外は第1の
実施形態と同様であるため、補助部材を固定したダイパ
ッド部のみについて説明する。図9は第2の目的に対す
る第2の実施形態における補助部材を固定したダイパッ
ド部の斜視図である。ダイパッド74に一体的に固定し
た補助部材75は、十字形の板金を曲げ加工して4箇所
のチップ支持部76を形成したものである。ここでは、
チップ支持部76をダイパッド74から大きくはみ出す
ように設けて、半導体チップが大きくてもその端部を支
持できるようにしている。
Next, a second embodiment for the second purpose will be described. Since the configuration is the same as that of the first embodiment except for the shape of the auxiliary member, only the die pad portion to which the auxiliary member is fixed will be described. FIG. 9 is a perspective view of the die pad portion to which the auxiliary member according to the second embodiment is fixed for the second purpose. The auxiliary member 75 integrally fixed to the die pad 74 is formed by bending a cross-shaped sheet metal to form four chip support portions 76. here,
The chip supporting portion 76 is provided so as to protrude largely from the die pad 74 so that the end portion of the semiconductor chip can be supported even if it is large.

【0041】以上、第2の目的に対する第1、第2の実
施形態では、いずれもチップ支持部を対称的な4箇所と
したが、対称的でなくてもよいし、何箇所にしてもよ
い。チップ支持部を1箇所としても、元材料はリードフ
レームとは別なので、支持部のサイズは自由に設定でき
る。また、ダイパッドに固定した補助部材を1個とした
が、複数個としてもよい。また、補助部材は実施形態で
示した以外にも種々の材料と加工方法により形成される
種々の形状に変形可能であり、チップ支持位置、チップ
支持高さも種々変形可能である。要点は裏面側が露出す
るダイパッドに一体的に固定した補助部材により半導体
チップを支持するということである。
As described above, in each of the first and second embodiments for the second purpose, the chip support portion is provided at four symmetrical portions, but it may not be symmetrical or may be provided at any number of portions. . Even if the chip supporting portion is provided at one position, the size of the supporting portion can be freely set because the original material is different from the lead frame. Although one auxiliary member is fixed to the die pad, a plurality of auxiliary members may be used. The auxiliary member can be deformed into various shapes formed by various materials and processing methods other than those shown in the embodiments, and the chip supporting position and the chip supporting height can also be variously modified. The point is that the semiconductor chip is supported by an auxiliary member integrally fixed to the die pad whose back side is exposed.

【0042】本発明の第3の目的に対する第1の実施形
態について説明する。まず、図10、図11を用いて、
樹脂封止型半導体装置の構成について述べる。図10、
図11はそれぞれ第3の目的に対する第1の実施形態に
おける樹脂封止型半導体装置の正面断面図、底面図であ
る。図10は図11のD−D1箇所の断面を示してい
る。図において、81は樹脂封止型半導体装置全体を表
すとする。82は中央部にあるダイパッドであり、基本
部83と2つのチップ支持部84,85から成る。86
は半導体チップ87,88をそれぞれチップ支持部8
4,85に固着させるためのダイボンド剤である。89
はダイパッド82を囲むように設けられた端子、90は
半導体チップ87,88の電極パッド(図示せず)と端
子89とを接続するワイヤーである。91は全体を保護
する封止樹脂である。
A first embodiment for the third object of the present invention will be described. First, referring to FIGS. 10 and 11,
The configuration of the resin-sealed semiconductor device will be described. FIG.
FIG. 11 is a front sectional view and a bottom view of the resin-sealed semiconductor device according to the first embodiment for the third purpose. FIG. 10 shows a cross section taken along a line DD1 in FIG. In the figure, it is assumed that reference numeral 81 represents the entire resin-sealed semiconductor device. Reference numeral 82 denotes a die pad at the center, which comprises a basic portion 83 and two chip supporting portions 84 and 85. 86
Are the semiconductor chips 87 and 88, respectively,
This is a die bonding agent for fixing to 4,85. 89
Is a terminal provided so as to surround the die pad 82, and 90 is a wire connecting an electrode pad (not shown) of the semiconductor chips 87 and 88 and the terminal 89. Reference numeral 91 denotes a sealing resin for protecting the whole.

【0043】以上のように本実施形態の樹脂封止型半導
体装置は、外部にその底面が露出した基本部83と、そ
の基本部83とは別の高さであって一体で形成された複
数のチップ支持部84,85を持つダイパッド82と、
複数のチップ支持部84,85によりダイボンド剤86
を介して支持された複数の半導体チップ87,88と、
ダイパッド82の周囲にその先端が配置された端子89
と、端子89とダイパッド82上に搭載した各半導体チ
ップ87,88とを電気的に接続した金線などのワイヤ
ー90と、半導体チップ87,88の外囲として、ダイ
パッド82の底面と、端子89の一側面および端子の底
面を除く領域を封止した封止樹脂91とよりなるもので
ある。
As described above, the resin-encapsulated semiconductor device of the present embodiment has a basic portion 83 whose bottom surface is exposed to the outside, and a plurality of integrally formed monoliths having different heights from the basic portion 83. A die pad 82 having chip support portions 84 and 85 of
The die bonding agent 86 is formed by the plurality of chip supporting portions 84 and 85.
A plurality of semiconductor chips 87 and 88 supported via
Terminal 89 having its tip arranged around die pad 82
A wire 90 such as a gold wire for electrically connecting the terminal 89 to each of the semiconductor chips 87 and 88 mounted on the die pad 82; a bottom surface of the die pad 82 as an outer periphery of the semiconductor chips 87 and 88; And a sealing resin 91 that seals a region excluding one side surface and the bottom surface of the terminal.

【0044】次に図12を用いて、本実施形態の樹脂封
止型半導体装置で用いたリードフレームについて説明す
る。図12は第3の目的に対する第1の実施の形態にお
けるリードフレームの基本単位を示す斜視図である。9
2はリードフレーム全体を指すとする。93は2箇所で
曲げられておりダイパッド82を支持するダイパッドサ
ポート、94は封止工程で樹脂止めの役割をするダムバ
ー、95は熱の影響を緩和するスリットである。
Next, a lead frame used in the resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 12 is a perspective view showing a basic unit of the lead frame in the first embodiment for the third purpose. 9
2 indicates the entire lead frame. Reference numeral 93 denotes a die pad support that is bent at two places and supports the die pad 82; 94, a dam bar that functions as a resin stopper in a sealing process; and 95, a slit that reduces the influence of heat.

【0045】ダイパッド82に設けられたチップ支持部
84,85は、リードフレーム92を元材料として高さ
方向に突出するように加工形成されている。半導体チッ
プ87,88はともにその中央部をそれぞれチップ支持
部84,85により支持されている。チップ支持部8
4,85の形成には、打ち抜きを途中でやめる加工をし
てもよいし、形状に対応した金型を用意して形状がそれ
にならうようなプレス加工をしてもよい。
The chip supporting portions 84 and 85 provided on the die pad 82 are formed using the lead frame 92 as a raw material so as to protrude in the height direction. The semiconductor chips 87 and 88 are both supported at their central portions by chip support portions 84 and 85, respectively. Chip support 8
For the formation of 4, 85, the punching may be stopped in the middle, or a die corresponding to the shape may be prepared and the pressing may be performed to conform to the shape.

【0046】以上、第3の目的に対する第1の実施形態
では、半導体チップの中央部を1箇所で支持したが、中
央部でなくてもよいし、搭載する半導体チップの大きさ
に応じて支持が安定するように複数箇所で支持してもよ
い。また、チップ支持部84,85をダイパッド82の
辺に平行方向に設けたが、対角方向でもよいし、その他
にも種々の設け方が可能である。また、チップ支持部8
4,85の形状は実施形態で示した円形以外にも、矩
形,多角形等のリードフレームを元材料として形成可能
なもので種々変形可能である。さらに、樹脂封止型半導
体装置に搭載する半導体チップを2個としたが、チップ
支持部の数をふやして3個以上としてもよい。要点はリ
ードフレームを元材料として、裏面側が露出するダイパ
ッドの一部に複数箇所のチップ支持部を設けて、樹脂封
止型半導体装置に複数個の半導体チップを並べて搭載す
るということである。なお、搭載した半導体チップ間の
ワイヤーによる電気的接続は必要に応じて行えばよい。
As described above, in the first embodiment for the third object, the central portion of the semiconductor chip is supported at one place. However, the central portion may not be supported at the central portion, and may be supported according to the size of the semiconductor chip to be mounted. May be supported at a plurality of locations so that the position is stable. Further, although the chip support portions 84 and 85 are provided in a direction parallel to the side of the die pad 82, they may be provided in a diagonal direction, or may be provided in various other ways. In addition, the chip support 8
In addition to the circular shapes shown in the embodiment, the shapes of the materials 4 and 85 can be formed by using a lead frame such as a rectangle or a polygon as a raw material and can be variously modified. Further, although two semiconductor chips are mounted on the resin-encapsulated semiconductor device, the number of chip supporting portions may be increased to three or more. The point is that a plurality of chip supports are provided on a part of a die pad whose back surface is exposed using a lead frame as a base material, and a plurality of semiconductor chips are arranged and mounted on a resin-sealed semiconductor device. The electrical connection between the mounted semiconductor chips by wires may be made as needed.

【0047】本発明の第3の目的に対する第2の実施形
態について説明する。まず、図13、14を用いて、半
導体装置の構成について述べる。図13、図14はそれ
ぞれ第3の目的に対する第2の実施形態における半導体
装置の正面断面図、底面図である。図13は図14のE
−E1箇所の断面を示している。図において、101は
樹脂封止型半導体装置全体を表すとする。102は中央
部にあって裏面側が露出したダイパッド、103はダイ
パッド102に一体的に固定した補助部材であり、二つ
のチップ支持部104,105を有する。106は半導
体チップ107,108をそれぞれチップ支持部10
4,105に固着させるためのダイボンド剤である。1
09はダイパッド102を囲むように設けられた端子、
110は半導体チップ107,108の電極パッド(図
示せず)と端子109とを接続するワイヤーである。1
11は全体を保護する封止樹脂である。
A second embodiment for the third object of the present invention will be described. First, the configuration of the semiconductor device will be described with reference to FIGS. FIGS. 13 and 14 are a front sectional view and a bottom view, respectively, of the semiconductor device according to the second embodiment for the third purpose. FIG. 13 shows E in FIG.
The cross section at -E1 is shown. In the figure, reference numeral 101 denotes the entire resin-sealed semiconductor device. A die pad 102 is located at the center and has a back side exposed, and 103 is an auxiliary member integrally fixed to the die pad 102, and has two chip supporting portions 104 and 105. Reference numeral 106 designates the semiconductor chips 107 and 108 as chip support portions 10 respectively.
Die bonding agent for fixing to 4,105. 1
09 is a terminal provided to surround the die pad 102;
Reference numeral 110 denotes a wire that connects an electrode pad (not shown) of the semiconductor chips 107 and 108 to the terminal 109. 1
11 is a sealing resin for protecting the whole.

【0048】以上のように本実施形態の樹脂封止型半導
体装置は、外部にその底面が露出したダイパッド102
と、そのダイパッド102とは別の高さであってそのダ
イパッド102に固定されて複数のチップ支持部10
4,105を有する補助部材103と、補助部材103
の複数のチップ支持部104,105によりダイボンド
剤106を介して支持された半導体チップ107,10
8と、ダイパッド102の周囲にその先端が配置された
端子109と、端子109とダイパッド102上に搭載
した半導体チップ107,108とを電気的に接続した
金線などのワイヤー108と、半導体チップ107,1
08の外囲として、ダイパッド102の底面と、端子1
09の一側面および端子の底面を除く領域を封止した封
止樹脂111とよりなるものである。
As described above, the resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment has the die pad 102 whose bottom is exposed to the outside.
And a plurality of chip supporting portions 10 having a height different from that of the die pad 102 and fixed to the die pad 102.
And an auxiliary member 103 having
Semiconductor chips 107, 10 supported by a plurality of chip supporting portions 104, 105 via a die bonding agent 106
8, a terminal 109 having a tip disposed around the die pad 102, a wire 108 such as a gold wire electrically connecting the terminal 109 and the semiconductor chips 107 and 108 mounted on the die pad 102, and a semiconductor chip 107. , 1
08, the bottom surface of the die pad 102 and the terminal 1
09 and a sealing resin 111 which seals a region excluding the side surface and the bottom surface of the terminal.

【0049】次に図15を用いて、本実施形態の樹脂封
止型半導体装置で用いた補助部材を固定したリードフレ
ームについて説明する。図15は第3の目的に対する第
2の実施形態における補助部材を固定したリードフレー
ムの基本単位を示す斜視図である。図において、112
はリードフレーム全体を指すとする。113は2箇所で
曲げられておりダイパッド102を支持するダイパッド
サポート、114は封止工程で樹脂止めの役割をするダ
ムバー、115は熱の影響を緩和するスリットである。
Next, a lead frame to which an auxiliary member used in the resin-sealed semiconductor device of this embodiment is fixed will be described with reference to FIG. FIG. 15 is a perspective view showing a basic unit of a lead frame to which an auxiliary member is fixed in the second embodiment for the third purpose. In the figure, 112
Denotes the entire lead frame. Reference numeral 113 denotes a die pad support that is bent at two places and supports the die pad 102, 114 denotes a dam bar that serves as a resin stopper in a sealing process, and 115 denotes a slit that reduces the influence of heat.

【0050】ダイパッド102に一体的に固定した補助
部材103は、長方形の板金を曲げ加工して2箇所のチ
ップ支持部104,105を形成したものである。半導
体チップ107,108はともにその中央部をそれぞれ
チップ支持部104,105により支持されている。補
助部材103の元材料は、リードフレーム112とは別
なので、形状や寸法に制約がない。ここでは、チップ支
持部104,105をダイパッド102からはみ出すよ
うに設けて、半導体チップ107,108の中心間距離
を大きくとっている。半導体チップ107,108の支
持高さも自由に設定できるので、ここでは第3の目的に
対する第1の実施の形態よりも高くしている。また、補
助部材103により、半導体装置101中の封止樹脂1
11の体積やその形状が大きく変化している。補助部材
103をダイパッド102に一体的に固定する方法に
は、レーザ溶接、はんだ接合、接着等あるが、部材間で
の伝熱性がよいものが望ましい。
The auxiliary member 103 integrally fixed to the die pad 102 is formed by bending a rectangular sheet metal to form two chip supporting portions 104 and 105. The semiconductor chips 107 and 108 are both supported at their central portions by chip supporting portions 104 and 105, respectively. Since the base material of the auxiliary member 103 is different from the lead frame 112, there is no restriction on the shape and dimensions. Here, the chip supporting portions 104 and 105 are provided so as to protrude from the die pad 102, and the distance between the centers of the semiconductor chips 107 and 108 is increased. Since the supporting height of the semiconductor chips 107 and 108 can be set freely, the height is set higher than that of the first embodiment for the third purpose. Further, the sealing resin 1 in the semiconductor device 101 is formed by the auxiliary member 103.
The volume of 11 and its shape have changed greatly. As a method of integrally fixing the auxiliary member 103 to the die pad 102, there are laser welding, solder joining, adhesion, and the like, but a method having good heat conductivity between the members is desirable.

【0051】以上、第3の目的に対する第2の実施形態
では、半導体チップの中央部を1箇所で支持したが、中
央部でなくてもよいし、搭載する半導体チップの大きさ
に応じて支持が安定するように複数箇所で支持してもよ
い。チップ支持部を1箇所としても、元材料はリードフ
レームとは別なので、支持部のサイズは自由に設定でき
る。また、ダイパッドに固定した補助部材を1個とした
が、複数個としてもよい。また、チップ支持部をダイパ
ッドの辺に平行方向に設けたが、対角方向でもよいし、
その他にも種々の設け方が可能である。また、補助部材
は実施の形態で示した以外にも種々の材料と加工方法に
より形成される種々の形状に変形可能であり、チップ支
持位置、チップ支持高さも種々変形可能である。さら
に、半導体装置に搭載する半導体チップは2個とした
が、チップ支持部をふやすことで3個以上としてもよ
い。要点は裏面側が露出するダイパッドに補助部材を一
体的に固定して、半導体装置に複数の半導体チップを並
べて搭載するということである。なお、搭載した半導体
チップ間のワイヤーによる電気的接続は必要に応じて行
えばよい。
As described above, in the second embodiment for the third object, the central portion of the semiconductor chip is supported at one place. However, the central portion may not be located at the central portion, and may be supported depending on the size of the semiconductor chip to be mounted. May be supported at a plurality of locations so that the position is stable. Even if the chip supporting portion is provided at one position, the size of the supporting portion can be freely set because the original material is different from the lead frame. Although one auxiliary member is fixed to the die pad, a plurality of auxiliary members may be used. Further, the chip supporting portion is provided in a direction parallel to the side of the die pad, but may be in a diagonal direction,
Various other methods are also possible. The auxiliary member can be deformed into various shapes formed by various materials and processing methods other than those shown in the embodiments, and the chip supporting position and the chip supporting height can also be variously modified. Further, although two semiconductor chips are mounted on the semiconductor device, three or more semiconductor chips may be provided by increasing the chip supporting portion. The point is that an auxiliary member is integrally fixed to a die pad whose back surface is exposed, and a plurality of semiconductor chips are arranged and mounted on a semiconductor device. The electrical connection between the mounted semiconductor chips by wires may be made as needed.

【0052】本発明の第3の目的に対する第3の実施形
態について説明する。まず、図16、図17を用いて、
樹脂封止型半導体装置の構成について述べる。図16、
図17はそれぞれ第3の目的に対する第3の実施形態に
おける樹脂封止型半導体装置の正面断面図、底面図であ
る。図16は図17のF−F1箇所による断面を示して
いる。図において、121は樹脂封止型半導体装置全体
を表すとする。122は中央部にあるダイパッドであ
り、基本部123と二つのチップ支持部124,125
から成る。126は半導体チップ127,128をそれ
ぞれチップ支持部124,125に固着させるためのダ
イボンド剤である。129はダイパッド122を囲むよ
うに設けられた端子、130は半導体チップ127,1
28の電極パッド(図示せず)と端子129とを接続す
るワイヤーである。131は全体を保護する封止樹脂で
ある。
A third embodiment for the third object of the present invention will be described. First, referring to FIGS. 16 and 17,
The configuration of the resin-sealed semiconductor device will be described. FIG.
FIG. 17 is a front sectional view and a bottom view of a resin-sealed semiconductor device according to the third embodiment for the third purpose. FIG. 16 shows a cross section taken along a line FF1 in FIG. In the figure, it is assumed that 121 represents the entire resin-sealed semiconductor device. Reference numeral 122 denotes a die pad at the center, which is a basic part 123 and two chip supporting parts 124 and 125.
Consists of Reference numeral 126 denotes a die bonding agent for fixing the semiconductor chips 127 and 128 to the chip supporting portions 124 and 125, respectively. 129 is a terminal provided to surround the die pad 122, and 130 is a semiconductor chip 127, 1
These wires connect the electrode pads (not shown) and the terminals 129. 131 is a sealing resin for protecting the whole.

【0053】以上のように本実施形態の樹脂封止型半導
体装置は、外部にその底面が露出した基本部123と、
その基本部123とは別の高さであってその基本部12
3と一体で形成され、基本部123とは別の2種類以上
の高さのチップ支持部124,125を有するダイパッ
ド122と、互いに平面的な重なりがあるようにチップ
支持部124,125によりダイボンド剤126を介し
て支持された半導体チップ127,128と、ダイパッ
ド122の周囲にその先端が配置された端子129と、
端子129とダイパッド122上に搭載した半導体チッ
プ127,128とを電気的に接続した金線などのワイ
ヤー130と、半導体チップ127,128の外囲とし
て、ダイパッド122の底面と、端子129の一側面お
よび端子の底面を除く領域を封止した封止樹脂131と
よりなるものである。
As described above, the resin-encapsulated semiconductor device of the present embodiment has the basic portion 123 whose bottom is exposed to the outside,
The height of the basic portion 123 is different from that of the basic portion 123, and
3 and a die pad 122 having chip support portions 124 and 125 of two or more different heights from the basic portion 123, and die bonding by the chip support portions 124 and 125 so as to overlap each other in a plane. Semiconductor chips 127 and 128 supported via the agent 126, terminals 129 each having a tip disposed around the die pad 122,
A wire 130 such as a gold wire that electrically connects the terminal 129 and the semiconductor chips 127 and 128 mounted on the die pad 122, a bottom surface of the die pad 122 as an outer periphery of the semiconductor chips 127 and 128, and one side surface of the terminal 129. And a sealing resin 131 which seals a region excluding the bottom surface of the terminal.

【0054】次に図18を用いて、本実施形態の樹脂封
止型半導体装置で用いたリードフレームについて説明す
る。図18は第3の目的に対する第3の実施形態におけ
るリードフレームの基本単位を示す斜視図である。図に
おいて、132はリードフレーム全体を指すとする。1
33は2箇所で曲げられておりダイパッド122を支持
するダイパッドサポート、134は封止工程で樹脂止め
の役割をするダムバー、135は熱の影響を緩和するス
リットである。
Next, a lead frame used in the resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 18 is a perspective view showing a basic unit of the lead frame in the third embodiment for the third purpose. In the drawing, 132 indicates the entire lead frame. 1
Reference numeral 33 denotes a die pad support that is bent at two places and supports the die pad 122, 134 denotes a dam bar that functions as a resin stopper in a sealing process, and 135 denotes a slit that reduces the influence of heat.

【0055】ダイパッド122に設けられたチップ支持
部124,125は、リードフレーム132を元材料と
して異なる高さに形成されている。半導体チップ12
7,128はともにその中央部をそれぞれチップ支持部
124,125により支持されて平面的な重なりがある
ように半導体装置121に搭載されている。この場合は
チップ支持部124,125の配置に制約があるため
に、下側のチップサイズはあまり大きくできないし、搭
載できるチップサイズの組合せも少ない。チップ支持部
124,125の形成には、形状に対応した金型を用意
して形状がそれにならうようなプレス加工をしてもよい
し、打ち抜きを途中でやめる加工をしてもよい。ただ
し、打ち抜きを途中でやめる加工では形成できる高さに
限界があるので、この加工のみでは二つのチップ支持部
間の高さ差を半導体チップの厚さ以上にすることはでき
ない。
The chip supporting portions 124 and 125 provided on the die pad 122 are formed at different heights using the lead frame 132 as a raw material. Semiconductor chip 12
7 and 128 are mounted on the semiconductor device 121 such that their central portions are supported by chip supporting portions 124 and 125, respectively, and have a planar overlap. In this case, since the arrangement of the chip supporting portions 124 and 125 is restricted, the size of the lower chip cannot be so large, and the combination of chip sizes that can be mounted is also small. For the formation of the chip supporting portions 124 and 125, a die corresponding to the shape may be prepared and press working may be performed to conform to the shape, or punching may be stopped halfway. However, there is a limit to the height that can be formed by a process in which the punching is stopped halfway, so that the height difference between the two chip supporting portions cannot be made larger than the thickness of the semiconductor chip only by this process.

【0056】以上、第3の目的に対する第3の実施形態
では、半導体チップの中央部を1箇所で支持したが、中
央部でなくてもよいし、半導体チップの大きさに応じて
支持が安定するように複数箇所で支持してもよい。ま
た、チップ支持部をダイパッドの辺に平行方向に設けた
が、対角方向でもよいし、その他にも種々の設け方が可
能である。また、チップ支持部の形状は実施の形態で示
した以外にも、リードフレームを元材料として形成可能
なもので種々変形可能である。さらに、半導体装置に搭
載する半導体チップは2個としたが、チップ支持部をふ
やすことで3個以上としてもよい。要点はリードフレー
ムを元材料として、裏面側が露出するダイパッドの一部
に複数箇所のチップ支持部を設けて、半導体装置に複数
個の半導体チップを平面的な重なりがあるように搭載す
るということである。なお、搭載した半導体チップ間の
ワイヤーによる電気的接続は、下側の半導体チップが上
側の半導体チップに対して平面的に完全に隠れない限り
は可能であり、必要に応じて行えばよい。
As described above, in the third embodiment for the third object, the central portion of the semiconductor chip is supported at one place. However, the central portion may not be supported, and the support may be stable depending on the size of the semiconductor chip. It may be supported at a plurality of places as shown in FIG. Further, the chip supporting portion is provided in a direction parallel to the side of the die pad, but may be provided in a diagonal direction, and various other methods are also possible. In addition to the shape shown in the embodiment, the shape of the chip supporting portion can be variously deformed by using a lead frame as a raw material. Further, although two semiconductor chips are mounted on the semiconductor device, three or more semiconductor chips may be provided by increasing the chip supporting portion. The point is that using the lead frame as the original material, a plurality of chip support parts are provided on a part of the die pad where the back side is exposed, and a plurality of semiconductor chips are mounted on the semiconductor device so that they overlap in a plane. is there. Note that electrical connection between the mounted semiconductor chips by wires is possible as long as the lower semiconductor chip is not completely hidden in a plane from the upper semiconductor chip, and may be performed as needed.

【0057】本発明の第3の目的に対する第4の実施形
態について説明する。まず、図19、図20を用いて、
樹脂封止型半導体装置の構成について述べる。図19、
図20はそれぞれ第3の目的に対する第4の実施形態に
おける半導体装置の正面断面図、底面図である。図19
は図20のG−G1箇所の断面を示している。図におい
て、141は樹脂封止型半導体装置全体を表すとする。
142は中央部にあって裏面側が露出したダイパッド、
143はダイパッド142に一体的に固定した補助部材
であり、二つのチップ支持部144,145を有する。
146は半導体チップ147,148をそれぞれチップ
支持部144,145に固着させるためのダイボンド剤
である。149はダイパッド142を囲むように設けら
れた端子、150は半導体チップ147,148の電極
パッド(図示せず)と端子149とを接続するワイヤー
である。151は全体を保護する封止樹脂である。
A fourth embodiment for the third object of the present invention will be described. First, referring to FIGS. 19 and 20,
The configuration of the resin-sealed semiconductor device will be described. FIG.
FIG. 20 is a front sectional view and a bottom view of the semiconductor device according to the fourth embodiment for the third purpose. FIG.
Indicates a section taken along a line GG1 in FIG. In the figure, it is assumed that 141 represents the entire resin-sealed semiconductor device.
142 is a die pad in the center, the back side of which is exposed,
An auxiliary member 143 is integrally fixed to the die pad 142, and has two chip supporting portions 144 and 145.
146 is a die bonding agent for fixing the semiconductor chips 147 and 148 to the chip supporting portions 144 and 145, respectively. 149 is a terminal provided so as to surround the die pad 142, and 150 is a wire connecting the electrode pad (not shown) of the semiconductor chips 147 and 148 to the terminal 149. 151 is a sealing resin for protecting the whole.

【0058】以上のように本実施形態の樹脂封止型半導
体装置は、外部にその底面が露出したダイパッド142
と、そのダイパッド142とは別の高さであってそのダ
イパッド142に固定されて複数の段違いのチップ支持
部144,145を有する補助部材143と、平面的な
重なりがあるように補助部材143の複数のチップ支持
部144,145によりダイボンド剤146を介して支
持された半導体チップ147,148と、ダイパッド1
42の周囲にその先端が配置された端子149と、端子
149とダイパッド142上に搭載した半導体チップ1
47,148とを電気的に接続した金線などのワイヤー
150と、半導体チップ147,148の外囲として、
ダイパッド142の底面と、端子149の一側面および
端子の底面を除く領域を封止した封止樹脂151とより
なるものである。
As described above, in the resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment, the die pad 142 whose bottom is exposed to the outside is provided.
And an auxiliary member 143 having a height different from that of the die pad 142 and fixed to the die pad 142 and having a plurality of stepped chip supporting portions 144 and 145, and an auxiliary member 143 having a planar overlap. A semiconductor chip 147, 148 supported by a plurality of chip supports 144, 145 via a die bonding agent 146;
A terminal 149 having its tip disposed around 42 and the semiconductor chip 1 mounted on the terminal 149 and the die pad 142
47, 148, and a wire 150 such as a gold wire electrically connected to the semiconductor chips 147, 148.
It comprises a bottom surface of the die pad 142 and a sealing resin 151 which seals a region excluding one side surface of the terminal 149 and the bottom surface of the terminal.

【0059】次に図21を用いて、本実施形態の補助部
材を固定したリードフレームについて説明する。図21
は第3の目的に対する第4の実施形態における補助部材
を固定したリードフレームの基本単位を示す斜視図であ
る。図において、152はリードフレーム全体を指すと
する。153は2箇所で曲げられておりダイパッド14
2を支持するダイパッドサポート、154は封止工程で
樹脂止めの役割をするダムバー、155は熱の影響を緩
和するスリットである。
Next, a lead frame to which the auxiliary member of this embodiment is fixed will be described with reference to FIG. FIG.
FIG. 14 is a perspective view showing a basic unit of a lead frame to which an auxiliary member is fixed in a fourth embodiment for a third purpose. In the drawing, 152 indicates the entire lead frame. 153 is bent at two places and the die pad 14
The die pad support 154 supports the dam 2 and the dam bar 155 serves as a resin stopper in the sealing process. The slit 155 reduces the influence of heat.

【0060】ダイパッド142に一体的に固定した補助
部材143は、長方形の板金を曲げ加工して2箇所のチ
ップ支持部144,145を形成したものである。半導
体チップ147,148はともにその中央部をそれぞれ
チップ支持部144,145により支持されている。補
助部材143の元材料は、リードフレーム152とは別
なので、形状や寸法に制約がない。ここでは、チップ支
持部145をダイパッドからはみ出すように設けて、半
導体チップ147,148が平面的な重なりがあるよう
に半導体装置141に搭載している。この場合はチップ
支持部144,145の配置に制約がないために、下側
のチップサイズを大きくできるし、搭載できるチップサ
イズの組合せも多い。半導体チップ147,148の支
持高さも自由に設定できるので、ここでは第3の目的に
対する第3の実施形態よりも高くしている。補助部材1
43をダイパッド142に一体的に固定する方法には、
レーザ溶接、はんだ接合、接着等あるが、部材間での伝
熱性がよいものが望ましい。
The auxiliary member 143 integrally fixed to the die pad 142 is formed by bending a rectangular sheet metal to form two chip support portions 144 and 145. The semiconductor chips 147 and 148 are both supported at their central portions by chip support portions 144 and 145, respectively. Since the base material of the auxiliary member 143 is different from the lead frame 152, there is no restriction on the shape and dimensions. Here, the chip supporting portion 145 is provided so as to protrude from the die pad, and is mounted on the semiconductor device 141 such that the semiconductor chips 147 and 148 have a planar overlap. In this case, since there is no restriction on the arrangement of the chip support portions 144 and 145, the size of the lower chip can be increased, and there are many combinations of chip sizes that can be mounted. Since the supporting height of the semiconductor chips 147 and 148 can be freely set, the height is set higher than that of the third embodiment for the third purpose. Auxiliary member 1
43 is integrally fixed to the die pad 142.
Although there are laser welding, solder joining, adhesion, and the like, those having good heat conductivity between members are desirable.

【0061】以上、第3の目的に対する第4の実施形態
では、半導体チップの中央部を1箇所で支持したが、中
央部でなくてもよいし、半導体チップの大きさに応じて
支持が安定するように複数箇所で支持してもよい。チッ
プ支持部を1箇所としても、元材料はリードフレームと
は別なので、支持部のサイズは自由に設定できる。ま
た、チップ支持部をダイパッドの辺に平行方向に設けた
が、対角方向でもよいし、その他にも種々の設け方が可
能である。また、ダイパッドに固定した補助部材を1個
としたが、複数個としてもよい。また、補助部材は実施
の形態で示した以外にも種々の材料と加工方法により形
成される種々の形状に変形可能であり、チップ支持位
置、チップ支持高さも種々変形可能である。さらに、半
導体装置に搭載する半導体チップは2個としたが、チッ
プ支持部をふやすことで3個以上としてもよい。要点は
裏面側が露出するダイパッドに補助部材を一体的に固定
して、半導体装置に複数の半導体チップを平面的な重な
りがあるように搭載するということである。なお、搭載
した半導体チップ間のワイヤーによる電気的接続は、下
側の半導体チップが上側の半導体チップに対して平面的
に完全に隠れない限りは可能であり、必要に応じて行え
ばよい。
As described above, in the fourth embodiment for the third object, the central portion of the semiconductor chip is supported at one place. However, the central portion may not be supported, and the support may be stable depending on the size of the semiconductor chip. It may be supported at a plurality of places as shown in FIG. Even if the chip supporting portion is provided at one position, the size of the supporting portion can be freely set because the original material is different from the lead frame. Further, the chip supporting portion is provided in a direction parallel to the side of the die pad, but may be provided in a diagonal direction, and various other methods are also possible. Although one auxiliary member is fixed to the die pad, a plurality of auxiliary members may be used. The auxiliary member can be deformed into various shapes formed by various materials and processing methods other than those shown in the embodiments, and the chip supporting position and the chip supporting height can also be variously modified. Further, although two semiconductor chips are mounted on the semiconductor device, three or more semiconductor chips may be provided by increasing the chip supporting portion. The point is that the auxiliary member is integrally fixed to the die pad whose back side is exposed, and a plurality of semiconductor chips are mounted on the semiconductor device so as to overlap in a plane. Note that electrical connection between the mounted semiconductor chips by wires is possible as long as the lower semiconductor chip is not completely hidden in a plane from the upper semiconductor chip, and may be performed as needed.

【0062】なお、説明はQFNタイプのものについて
行ったが、この発明はリードフレームを使用する樹脂封
止型半導体装置のすべてのタイプに適用可能である。
Although the description has been given of the QFN type, the present invention is applicable to all types of resin-sealed semiconductor devices using a lead frame.

【0063】[0063]

【発明の効果】このように本発明の第1の目的を達成す
る樹脂封止型半導体装置によれば、外部に露出する基本
部とその基本部とは別のほぼ同じ高さの複数の支持部を
持つダイパッドと、複数の支持部により支持される半導
体チップとを有することにより、半導体チップをその面
積に応じて支持ができるので、半導体チップの搭載姿勢
が安定し、製造工程での不都合が発生する可能性がなく
なる。また、支持点が増えることで半導体チップに求め
られる剛性は小さくなるので、半導体チップを薄くして
もよく、半導体装置の薄型化が図れることになる。この
とき、半導体チップの支持点を半導体チップの端部に近
付けることができて安定した支持が可能で、しかも構造
の特徴であるダイパッドの露出部から半導体チップに至
る封止樹脂との境界経路が長く信頼性が高いという特徴
は維持される。
As described above, according to the resin-encapsulated semiconductor device which attains the first object of the present invention, the basic portion exposed to the outside and a plurality of supports having substantially the same height as the basic portion are provided. Since the semiconductor chip can be supported according to its area by having a die pad having a part and a semiconductor chip supported by a plurality of support parts, the mounting posture of the semiconductor chip is stabilized, and the inconvenience in the manufacturing process is reduced. Elimination of the possibility of occurrence. In addition, since the rigidity required for the semiconductor chip is reduced by increasing the number of support points, the semiconductor chip may be thinned, and the semiconductor device may be thinned. At this time, the support point of the semiconductor chip can be brought close to the end of the semiconductor chip, and stable support is possible. In addition, the boundary path from the exposed portion of the die pad to the semiconductor chip, which is a feature of the structure, is formed. The long and reliable feature is maintained.

【0064】また本発明の第2の目的を達成する樹脂封
止型半導体装置によれば、外部に露出するダイパッド
と、前記ダイパッドに固定されて支持部をもつ補助部材
と、前記支持部に支持される半導体チップとを有するこ
とにより、半導体チップをその面積に応じて支持できる
のは勿論のこと、半導体チップの支持位置と支持高さを
自由にとれるので、バランスのよい構造が実現できて温
湿度変化に対する形状維持性、つまりは信頼性の向上が
図れることになる。このとき、半導体チップの支持点を
半導体チップの端部として最も安定した支持ができる
し、同じサイズの半導体装置に対して端部を支持しなが
ら搭載できる半導体チップのサイズ範囲が広い。
According to the resin-encapsulated semiconductor device which achieves the second object of the present invention, a die pad exposed to the outside, an auxiliary member fixed to the die pad and having a support portion, and a support member supported by the support portion The semiconductor chip can be supported according to the area of the semiconductor chip, and the supporting position and the supporting height of the semiconductor chip can be freely set. The shape retention, that is, the reliability is improved with respect to the humidity change. At this time, the most stable support can be performed with the support point of the semiconductor chip as the end of the semiconductor chip, and the size range of the semiconductor chip that can be mounted on the same size semiconductor device while supporting the end is wide.

【0065】また本発明の第3の目的を達成する第1の
樹脂封止型半導体装置によれば、外部に露出する基本部
と前記基本部とは別の高さの複数の支持部を持つダイパ
ッドと、相互には平面的な重なりがないように前記複数
の支持部により支持される複数の半導体チップとを有す
ることにより、半導体装置に複数の半導体チップを並べ
て搭載できるので、複数機能をワンパッケージ化してプ
リント配線板への実装面積と重量の削減が図れることに
なる。つまり、複数の半導体チップをそれぞれ別の半導
体装置に搭載するのに比べて省スペース化が実現でき
る。
According to the first resin-sealed semiconductor device which achieves the third object of the present invention, the basic portion exposed to the outside and the plurality of support portions having different heights from the basic portion are provided. By having a die pad and a plurality of semiconductor chips supported by the plurality of support portions so that they do not overlap each other in a plane, a plurality of semiconductor chips can be mounted side by side on a semiconductor device, so that a plurality of functions can be implemented. By packaging, the mounting area and the weight on the printed wiring board can be reduced. That is, space saving can be realized as compared with mounting a plurality of semiconductor chips on different semiconductor devices.

【0066】また本発明の第3の目的を達成する第2の
樹脂封止型半導体装置によれば、外部に露出するダイパ
ッドと、前記ダイパッドに固定されて合計では2個以上
の支持部を有する1個以上の補助部材と、相互には平面
的な重なりがないように前記支持部に支持される複数の
半導体チップとを有することにより、半導体チップの支
持位置と支持高さを自由にとって半導体装置に複数の半
導体チップを並べて搭載できるので、バランスのよい構
造にて複数機能のワンパッケージ化が実現できて、実装
面積と重量の削減が図れることになる。このとき、半導
体チップの支持部の配置に制約がなく、同じサイズの半
導体装置に並べて搭載できる半導体チップサイズの組合
せが多く効果が大きい。
According to the second resin-encapsulated semiconductor device which achieves the third object of the present invention, it has a die pad exposed to the outside and a total of two or more support portions fixed to the die pad. A semiconductor device having at least one auxiliary member and a plurality of semiconductor chips supported by the supporting portion so that they do not overlap each other in a plane, allows a semiconductor chip to be freely supported at a supporting position and a supporting height. Since a plurality of semiconductor chips can be mounted side by side, a single package of a plurality of functions can be realized with a well-balanced structure, and the mounting area and weight can be reduced. At this time, there is no restriction on the arrangement of the support portions of the semiconductor chips, and there are many combinations of semiconductor chip sizes that can be mounted side by side on semiconductor devices of the same size, and the effect is large.

【0067】また本発明の第3の目的を達成する第3の
樹脂封止型半導体装置によれば、外部に露出する基本部
と前記基本部とは別の2種類以上の高さの支持部を持つ
ダイパッドと、平面的な重なりがあるように前記複数の
支持部により支持される複数の半導体チップとを有する
ことにより、半導体装置に複数の半導体チップが平面的
な重なりがあるように搭載できるので、複数機能を高密
度にワンパッケージ化して実装面積と重量の削減が図れ
ることになる。つまり、複数の半導体チップを並べて搭
載するのに比べて省スペース化が実現できる。
According to the third resin-encapsulated semiconductor device which achieves the third object of the present invention, the basic portion exposed to the outside and the support portion having two or more different heights from the basic portion are provided. Having a die pad and a plurality of semiconductor chips supported by the plurality of support portions so as to have a planar overlap, a plurality of semiconductor chips can be mounted on the semiconductor device so as to have a planar overlap. Therefore, a plurality of functions can be integrated into one package at high density to reduce the mounting area and weight. That is, space saving can be realized as compared with mounting a plurality of semiconductor chips side by side.

【0068】さらに本発明の第3の目的を達成する第4
の樹脂封止型半導体装置によれば、外部に露出するダイ
パッドと、前記ダイパッドに固定されて合計では2種類
以上の高さの支持部を有する1個以上の補助部材と、平
面的な重なりがあるように前記支持部により支持される
複数の半導体チップとを有することにより、半導体チッ
プの支持位置と支持高さを自由にとって半導体装置に複
数の半導体チップを平面的な重なりがあるように搭載で
きるので、バランスのよい構造にて複数機能の高密度な
ワンパッケージ化が実現できて、実装面積と重量の削減
も図れることになる。このとき、半導体チップの支持部
の配置に制約がなく、同じサイズの半導体装置に平面的
な重なりがあるように搭載できる半導体チップサイズの
組合せが多く効果が大きい。
Further, the fourth object for achieving the third object of the present invention is as follows.
According to the resin-encapsulated semiconductor device described above, the die pad exposed to the outside, the one or more auxiliary members fixed to the die pad and having two or more types of support portions in total, have a planar overlap. By having a plurality of semiconductor chips supported by the support portion as described above, a plurality of semiconductor chips can be mounted on the semiconductor device so as to have a two-dimensional overlap on a semiconductor device while freely supporting a semiconductor chip at a supporting position and supporting height. Therefore, a high-density one-package of a plurality of functions can be realized with a well-balanced structure, and the mounting area and weight can be reduced. At this time, there is no restriction on the arrangement of the supporting portions of the semiconductor chips, and there are many combinations of semiconductor chip sizes that can be mounted so that semiconductor devices of the same size are overlapped in a plane, and the effect is large.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の目的に対する第1の実施形態に
おける樹脂封止型半導体装置を示す断面図
FIG. 1 is a sectional view showing a resin-encapsulated semiconductor device according to a first embodiment of the present invention for a first object;

【図2】本発明の第1の目的に対する第1の実施形態に
おける樹脂封止型半導体装置を示す底面図
FIG. 2 is a bottom view showing the resin-encapsulated semiconductor device according to the first embodiment for the first object of the present invention;

【図3】本発明の第1の目的に対する第1の実施形態に
おけるリードフレームを示す斜視図
FIG. 3 is a perspective view showing a lead frame according to the first embodiment for the first object of the present invention;

【図4】本発明の第1の目的に対する第2の実施形態に
おけるリードフレームのダイパッドを示す斜視図
FIG. 4 is a perspective view showing a die pad of a lead frame according to a second embodiment for the first object of the present invention;

【図5】本発明の第1の目的に対する第3の実施形態に
おけるリードフレームのダイパッドを示す斜視図
FIG. 5 is a perspective view showing a die pad of a lead frame according to a third embodiment for the first object of the present invention;

【図6】本発明の第2の目的に対する第1の実施形態に
おける樹脂封止型半導体装置を示す断面図
FIG. 6 is a sectional view showing a resin-encapsulated semiconductor device according to the first embodiment for the second object of the present invention;

【図7】本発明の第2の目的に対する第1の実施形態に
おける樹脂封止型半導体装置を示す底面図
FIG. 7 is a bottom view showing the resin-encapsulated semiconductor device according to the first embodiment for the second object of the present invention;

【図8】本発明の第2の目的に対する第1の実施形態に
おける補助部材を固定したリードフレームを示す斜視図
FIG. 8 is a perspective view showing a lead frame to which an auxiliary member is fixed according to the first embodiment for the second object of the present invention;

【図9】本発明の第2の目的に対する第2の実施形態に
おける補助部材を固定したリードフレームのダイパッド
を示す斜視図
FIG. 9 is a perspective view showing a die pad of a lead frame to which an auxiliary member is fixed in a second embodiment for the second object of the present invention.

【図10】本発明の第3の目的に対する第1の実施形態
における樹脂封止型半導体装置を示す断面図
FIG. 10 is a sectional view showing a resin-encapsulated semiconductor device according to the first embodiment for the third object of the present invention;

【図11】本発明の第3の目的に対する第1の実施形態
における樹脂封止型半導体装置を示す底面図
FIG. 11 is a bottom view showing the resin-encapsulated semiconductor device according to the first embodiment for the third object of the present invention;

【図12】本発明の第3の目的に対する第1の実施形態
におけるリードフレームを示す斜視図
FIG. 12 is a perspective view showing a lead frame according to the first embodiment for the third object of the present invention;

【図13】本発明の第3の目的に対する第2の実施形態
における樹脂封止型半導体装置を示す断面図
FIG. 13 is a sectional view showing a resin-encapsulated semiconductor device according to a second embodiment for the third object of the present invention;

【図14】本発明の第3の目的に対する第2の実施形態
における樹脂封止型半導体装置を示す底面図
FIG. 14 is a bottom view showing the resin-encapsulated semiconductor device according to the second embodiment for the third object of the present invention;

【図15】本発明の第3の目的に対する第2の実施形態
における補助部材を固定したリードフレームを示す斜視
FIG. 15 is a perspective view showing a lead frame to which an auxiliary member is fixed in a second embodiment for the third object of the present invention;

【図16】本発明の第3の目的に対する第3の実施形態
における樹脂封止型半導体装置を示す断面図
FIG. 16 is a sectional view showing a resin-encapsulated semiconductor device according to a third embodiment for the third object of the present invention;

【図17】本発明の第3の目的に対する第3の実施形態
における樹脂封止型半導体装置を示す底面図
FIG. 17 is a bottom view showing a resin-sealed semiconductor device according to a third embodiment for the third object of the present invention;

【図18】本発明の第3の目的に対する第3の実施形態
におけるリードフレームを示す斜視図
FIG. 18 is a perspective view showing a lead frame according to a third embodiment for the third object of the present invention.

【図19】本発明の第3の目的に対する第4の実施形態
における樹脂封止型半導体装置を示す断面図
FIG. 19 is a sectional view showing a resin-encapsulated semiconductor device according to a fourth embodiment for the third object of the present invention;

【図20】本発明の第3の目的に対する第4の実施形態
における樹脂封止型半導体装置を示す底面図
FIG. 20 is a bottom view showing a resin-encapsulated semiconductor device according to a fourth embodiment for the third object of the present invention;

【図21】本発明の第3の目的に対する第4の実施形態
における補助部材を固定したリードフレームを示す斜視
FIG. 21 is a perspective view showing a lead frame to which an auxiliary member is fixed in a fourth embodiment for the third object of the present invention.

【図22】従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図FIG. 22 is a sectional view showing a conventional resin-encapsulated semiconductor device.

【図23】従来の樹脂封止型半導体装置を示す底面図FIG. 23 is a bottom view showing a conventional resin-encapsulated semiconductor device.

【図24】従来の樹脂封止型半導体装置のリードフレー
ムを示す斜視図
FIG. 24 is a perspective view showing a lead frame of a conventional resin-encapsulated semiconductor device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11,31,61,81,101,121,141 樹
脂封止型半導体装置 12,32,46,51,62,74,82,102,
122,142 ダイパッド 13,33,47,83,123 基本部 14,34,48,53,64,76,84,85,1
04,105,124,125,144,145 チッ
プ支持部 15,35,65,87,88,107,108,12
7,128,147,148 半導体チップ 16,36,66,86,106,126,146 ダ
イボンド剤 17,37,67,89,109,129,149 端
子 18,38,68,90,110,130,150 ワ
イヤー 19,39,69,91,111,131,151 封
止樹脂
11, 31, 61, 81, 101, 121, 141 Resin-sealed semiconductor device 12, 32, 46, 51, 62, 74, 82, 102,
122,142 Die pad 13,33,47,83,123 Basic part 14,34,48,53,64,76,84,85,1
04, 105, 124, 125, 144, 145 Chip support 15, 35, 65, 87, 88, 107, 108, 12
7, 128, 147, 148 Semiconductor chip 16, 36, 66, 86, 106, 126, 146 Die bonding agent 17, 37, 67, 89, 109, 129, 149 Terminal 18, 38, 68, 90, 110, 130, 150 wire 19, 39, 69, 91, 111, 131, 151 sealing resin

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4M109 AA01 BA02 CA21 DB03 FA01 FA04 5F047 AA11 AB00 AB06 5F067 AA01 AA03 AA04 AB04 BE00 BE02 BE06 BE08 CA02 CA03 DA05 DE09 DF16  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page F term (reference) 4M109 AA01 BA02 CA21 DB03 FA01 FA04 5F047 AA11 AB00 AB06 5F067 AA01 AA03 AA04 AB04 BE00 BE02 BE06 BE08 CA02 CA03 DA05 DE09 DF16

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体チップを支持したダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲にその先端が配置された端子と、
前記半導体チップと前記端子とを電気的に接続した部材
と、前記ダイパッドの底面を露出させて前記半導体チッ
プの外囲を封止した封止樹脂とよりなる樹脂封止型半導
体装置であって、前記ダイパッドは前記封止樹脂の外部
に露出する基本部と、前記基本部と一体で形成され、前
記基本部とは別のほぼ同じ高さの複数の支持部とを有
し、前記複数の支持部により前記半導体チップが支持さ
れていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
A die pad supporting a semiconductor chip;
A terminal whose tip is arranged around the die pad,
A resin-encapsulated semiconductor device comprising: a member that electrically connects the semiconductor chip and the terminal; and a sealing resin that exposes a bottom surface of the die pad and seals an outer periphery of the semiconductor chip. The die pad has a basic portion exposed to the outside of the sealing resin, and a plurality of support portions formed integrally with the basic portion and having substantially the same height as the basic portion, wherein the plurality of support portions are provided. A resin-encapsulated semiconductor device, wherein the semiconductor chip is supported by a portion.
【請求項2】 半導体チップを支持したダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲にその先端が配置された端子と、
前記半導体チップと前記端子とを電気的に接続した部材
と、前記ダイパッドの底面を露出させて前記半導体チッ
プの外囲を封止した封止樹脂とよりなる樹脂封止型半導
体装置であって、前記ダイパッドはその底面が前記封止
樹脂の外部に露出するとともに、支持部を有する補助部
材を別に有し、前記支持部により前記半導体チップが支
持されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
2. A die pad supporting a semiconductor chip,
A terminal whose tip is arranged around the die pad,
A resin-encapsulated semiconductor device comprising: a member that electrically connects the semiconductor chip and the terminal; and a sealing resin that exposes a bottom surface of the die pad and seals an outer periphery of the semiconductor chip. A resin-encapsulated semiconductor, wherein a bottom surface of the die pad is exposed to the outside of the sealing resin, an auxiliary member having a support portion is separately provided, and the semiconductor chip is supported by the support portion. apparatus.
【請求項3】 半導体チップを支持したダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲にその先端が配置された端子と、
前記半導体チップと前記端子とを電気的に接続した部材
と、前記ダイパッドの底面を露出させて前記半導体チッ
プの外囲を封止した封止樹脂とよりなる樹脂封止型半導
体装置であって、前記ダイパッドは封止樹脂の外部に露
出する基本部と、前記基本部と一体で形成され、前記基
本部とは別の高さの複数の支持部を有し、相互に平面的
な重なりがない状態で前記複数の支持部により複数の半
導体チップが支持されていることを特徴とする樹脂封止
型半導体装置。
3. A die pad supporting a semiconductor chip,
A terminal whose tip is arranged around the die pad,
A resin-encapsulated semiconductor device comprising: a member that electrically connects the semiconductor chip and the terminal; and a sealing resin that exposes a bottom surface of the die pad and seals an outer periphery of the semiconductor chip. The die pad is formed integrally with the basic portion exposed to the outside of the sealing resin and has a plurality of support portions having different heights from the basic portion, and has no planar overlap with each other. A plurality of semiconductor chips are supported by the plurality of support portions in a state.
【請求項4】 半導体チップを支持したダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲にその先端が配置された端子と、
前記半導体チップと前記端子とを電気的に接続した部材
と、前記ダイパッドの底面を露出させて前記半導体チッ
プの外囲を封止した封止樹脂とよりなる樹脂封止型半導
体装置であって、前記ダイパッドはその底面が前記封止
樹脂の外部に露出するとともに、2つ以上の支持部を有
する補助部材を別に有し、相互に平面的な重なりがない
状態で前記複数の支持部により複数の半導体チップが支
持されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
4. A die pad supporting a semiconductor chip,
A terminal whose tip is arranged around the die pad,
A resin-encapsulated semiconductor device comprising: a member that electrically connects the semiconductor chip and the terminal; and a sealing resin that exposes a bottom surface of the die pad and seals an outer periphery of the semiconductor chip. The die pad has a bottom surface exposed to the outside of the sealing resin, and has an auxiliary member having two or more support portions separately. A resin-encapsulated semiconductor device, wherein a semiconductor chip is supported.
【請求項5】 半導体チップを支持したダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲にその先端が配置された端子と、
前記半導体チップと前記端子とを電気的に接続した部材
と、前記ダイパッドの底面を露出させて前記半導体チッ
プの外囲を封止した封止樹脂とよりなる樹脂封止型半導
体装置であって、前記ダイパッドは封止樹脂の外部に露
出する基本部と、前記基本部と一体で形成され、前記基
本部とは別の高さであって2種類以上の高さの複数の支
持部を有し、相互に平面的に重なった状態で前記複数の
支持部により複数の半導体チップが支持されていること
を特徴とする樹脂封止型半導体装置。
5. A die pad supporting a semiconductor chip,
A terminal whose tip is arranged around the die pad,
A resin-encapsulated semiconductor device comprising: a member that electrically connects the semiconductor chip and the terminal; and a sealing resin that exposes a bottom surface of the die pad and seals an outer periphery of the semiconductor chip. The die pad has a basic portion exposed to the outside of the sealing resin, and is formed integrally with the basic portion, and has a plurality of support portions having different heights from the basic portion and two or more kinds of heights. A plurality of semiconductor chips are supported by the plurality of support portions in a state where the plurality of semiconductor chips overlap each other in a planar manner.
【請求項6】 半導体チップを支持したダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲にその先端が配置された端子と、
前記半導体チップと前記端子とを電気的に接続した部材
と、前記ダイパッドの底面を露出させて前記半導体チッ
プの外囲を封止した封止樹脂とよりなる樹脂封止型半導
体装置であって、前記ダイパッドはその底面が前記封止
樹脂の外部に露出するとともに、高さが互いに異なる2
つ以上の支持部を有する補助部材を別に有し、相互に平
面的に重なった状態で前記複数の支持部により複数の半
導体チップが支持されていることを特徴とする樹脂封止
型半導体装置。
6. A die pad supporting a semiconductor chip,
A terminal whose tip is arranged around the die pad,
A resin-encapsulated semiconductor device comprising: a member that electrically connects the semiconductor chip and the terminal; and a sealing resin that exposes a bottom surface of the die pad and seals an outer periphery of the semiconductor chip. The die pad has a bottom surface exposed to the outside of the sealing resin and has a height different from each other.
A resin-encapsulated semiconductor device, further comprising an auxiliary member having one or more support portions, wherein a plurality of semiconductor chips are supported by the plurality of support portions in a state of being mutually superimposed on a plane.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010034278A (en) * 2008-07-29 2010-02-12 Rohm Co Ltd Semiconductor device
JP2011060889A (en) * 2009-09-08 2011-03-24 Tokai Rika Co Ltd Package with electronic component
JP2013229358A (en) * 2012-04-24 2013-11-07 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device and method of manufacturing the same
DE102017218365A1 (en) 2016-10-19 2018-04-19 Mitsubishi Electric Corporation The pad, semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010034278A (en) * 2008-07-29 2010-02-12 Rohm Co Ltd Semiconductor device
JP2011060889A (en) * 2009-09-08 2011-03-24 Tokai Rika Co Ltd Package with electronic component
JP2013229358A (en) * 2012-04-24 2013-11-07 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device and method of manufacturing the same
DE102017218365A1 (en) 2016-10-19 2018-04-19 Mitsubishi Electric Corporation The pad, semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device
US10290563B2 (en) 2016-10-19 2019-05-14 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device including die pad with projections
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