JP2001126998A - Treatment apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、処理装置に関す
る。[0001] The present invention relates to a processing apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば半導体装置の製造においては、被
処理体例えば半導体ウエハに酸化、拡散、アニール、Ｃ
ＶＤ等の処理を施す半導体製造装置として、各種の処理
装置が用いられている。この処理装置は、処理容器内に
被処理体を収容して所定のガス雰囲気下で処理するよう
に構成されている。2. Description of the Related Art For example, in the manufacture of a semiconductor device, an object to be processed, such as a semiconductor wafer, is oxidized, diffused, annealed, and cooled.
Various processing apparatuses are used as semiconductor manufacturing apparatuses that perform processing such as VD. This processing apparatus is configured to store an object to be processed in a processing container and perform processing under a predetermined gas atmosphere.
【０００３】また、前記ガスの導入部にガスを供給する
配管として、フレキシブル（柔軟）で耐久性、耐食性等
に優れた樹脂配管を使用することが検討されている。例
えば、処理装置の一つである縦型熱処理装置において
は、処理容器の下端の開口部を開閉する蓋体を有し、こ
の蓋体には被処理体を回転させる回転導入部をシールす
るために不活性ガスを導入するガス導入部が設けられて
いる。このガス導入部にガスを供給する配管としては、
蓋体の昇降動を許容するためにステンレス製のフレキシ
ブル管が使用されているが、繰り返し応力により割れが
発生し易いため、樹脂配管を使用することが好ましい。[0003] As a pipe for supplying a gas to the gas introduction section, use of a resin pipe which is flexible and has excellent durability and corrosion resistance has been studied. For example, a vertical heat treatment apparatus, which is one of the processing apparatuses, has a lid that opens and closes an opening at the lower end of the processing container. This lid is used to seal a rotation introduction unit that rotates the object to be processed. Is provided with a gas introduction unit for introducing an inert gas. As a pipe for supplying gas to this gas introduction part,
Although a flexible tube made of stainless steel is used to allow the lid to move up and down, it is preferable to use a resin tube because cracks are easily generated by repeated stress.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記処
理装置においては、処理容器内を大気圧よりも低い圧力
に減圧して処理する場合があり、この場合、配管内も大
気圧よりも低い圧力になるため、配管に樹脂配管を使用
すると、樹脂配管の内外の圧力差によって、樹脂配管の
外部の大気中から大気成分例えば酸素、窒素、アルゴ
ン、二酸化炭素、水蒸気が樹脂配管の管壁を透過して樹
脂配管内に侵入し、処理容器内に導入されてしまう。こ
のため、処理の種類によっては、大気成分が被処理体に
対する汚染源ないしコンタミガスとなり、処理に悪影響
を及ぼす恐れがある。However, in the above-mentioned processing apparatus, there is a case where the pressure inside the processing vessel is reduced to a pressure lower than the atmospheric pressure in the processing, and in this case, the pressure in the piping is also reduced to a pressure lower than the atmospheric pressure. Therefore, when a resin pipe is used for the pipe, due to a pressure difference between the inside and the outside of the resin pipe, atmospheric components such as oxygen, nitrogen, argon, carbon dioxide, and water vapor pass through the pipe wall of the resin pipe from the outside of the resin pipe. And enters the resin pipe and is introduced into the processing container. For this reason, depending on the type of treatment, atmospheric components may become a source of contamination or contaminant gas for the object to be treated, and may adversely affect the treatment.
【０００５】本発明は、前記事情を考慮してなされたも
ので、樹脂配管の管壁からの大気成分の透過侵入を防止
し、大気成分の侵入による被処理体の汚染を防止するこ
とができる処理装置を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and can prevent permeation and intrusion of atmospheric components from the pipe wall of a resin pipe, thereby preventing contamination of a workpiece due to invasion of atmospheric components. It is an object to provide a processing device.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明のうち、請求項１
に係る発明は、処理容器内に被処理体を収容して所定の
ガス雰囲気下で処理する処理装置において、前記ガスを
供給する配管として樹脂配管を使用し、該樹脂配管より
も下流にオリフィスを設け、前記樹脂配管内にガスを大
気圧以上の圧力で供給するようにしたことを特徴とす
る。Means for Solving the Problems In the present invention, claim 1 is provided.
The invention according to the invention relates to a processing apparatus that accommodates an object to be processed in a processing vessel and performs processing under a predetermined gas atmosphere, wherein a resin pipe is used as a pipe for supplying the gas, and an orifice is provided downstream of the resin pipe. A gas is supplied into the resin pipe at a pressure higher than the atmospheric pressure.
【０００７】請求項２に係る発明は、処理容器内に被処
理体を収容して所定のガス雰囲気下で処理する処理装置
において、前記処理容器は下端の開口部を開閉する蓋体
を有し、該蓋体には被処理体を回転させるための回転導
入部が設けられ、該回転導入部はシール用の不活性ガス
を導入するガス導入部を有し、該ガス導入部にガスを供
給する配管として樹脂配管を使用し、該樹脂配管よりも
下流にオリフィスを設け、樹脂配管内に不活性ガスを大
気圧以上の圧力で供給するようにしたことを特徴とす
る。According to a second aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus for processing an object to be processed in a processing container under a predetermined gas atmosphere, wherein the processing container has a lid for opening and closing an opening at a lower end. The cover is provided with a rotation introducing portion for rotating the object to be processed, the rotation introducing portion has a gas introduction portion for introducing an inert gas for sealing, and supplies gas to the gas introduction portion. A resin pipe is used as a pipe to be used, an orifice is provided downstream of the resin pipe, and an inert gas is supplied into the resin pipe at a pressure higher than the atmospheric pressure.
【０００８】請求項３に係る発明は、請求項１または２
記載の処理装置において、前記オリフィスが管継手の内
部に設けられていることを特徴とする。The invention according to claim 3 is the invention according to claim 1 or 2
The above-mentioned processing apparatus, wherein the orifice is provided inside a pipe joint.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を添
付図面に基いて詳述する。図１は本発明を縦型熱処理装
置に適用した実施の形態を示す概略的構成図、図２はオ
リフィスの取付構造を示す拡大断面図、図３は図１の縦
型熱処理装置の縦断面図である。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment in which the present invention is applied to a vertical heat treatment apparatus, FIG. 2 is an enlarged sectional view showing an orifice mounting structure, and FIG. 3 is a vertical sectional view of the vertical heat treatment apparatus in FIG. It is.
【００１０】図１において、１は半導体製造装置である
処理装置例えば縦型熱処理装置における熱処理炉を構成
する処理容器としての反応管で、この反応管１はその下
端の開口部を開閉する蓋体１０を備えている。前記反応
管１は、図３に示すように、多数例えば１５０枚程度の
被処理体例えば半導体ウエハｗを上下方向に所定間隔で
配列支持したボート（支持具）２を収容して所定のガス
雰囲気下で半導体ウエハｗに所定の処理例えばＣＶＤ処
理を施すのに適するように構成されている。In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a reaction tube as a processing vessel constituting a heat treatment furnace in a processing apparatus such as a semiconductor manufacturing apparatus, for example, a vertical heat treatment apparatus, and the reaction tube 1 is a lid for opening and closing an opening at a lower end thereof. 10 is provided. As shown in FIG. 3, the reaction tube 1 accommodates a boat (support) 2 in which a large number of, for example, about 150 workpieces, for example, semiconductor wafers w are arranged and supported at predetermined intervals in a vertical direction, and has a predetermined gas atmosphere. It is configured to be suitable for performing a predetermined process, for example, a CVD process on the semiconductor wafer w below.
【００１１】この反応管１の周囲には、炉内を所望の温
度例えば８００〜１２００℃程度に加熱する加熱手段で
あるヒータ３が設けられている。このヒータ３は、反応
管１の周囲を取り囲む円筒状の断熱材４の内周に線状の
発熱抵抗体５を高さ方向に螺旋状もしくは周方向に蛇行
状に配設して構成されている。前記ヒータ３は、高さ方
向に複数のゾーンに分割され、各ゾーン毎に独立して温
度制御可能に構成されている。断熱材４の外側は、図示
しない水冷ジャケットで覆われている。Around the reaction tube 1, a heater 3 is provided as a heating means for heating the inside of the furnace to a desired temperature, for example, about 800 to 1200 ° C. The heater 3 is configured by arranging a linear heating resistor 5 on the inner periphery of a cylindrical heat insulating material 4 surrounding the periphery of the reaction tube 1 helically in the height direction or meandering in the circumferential direction. I have. The heater 3 is divided into a plurality of zones in the height direction, and is configured such that the temperature can be independently controlled for each zone. The outside of the heat insulating material 4 is covered with a water cooling jacket (not shown).
【００１２】前記ヒータ３は、ベースプレート６上に設
置されている。なお、ヒータ３は、反応管２とヒータ３
との間の空間に冷却空気を送風し、且つ、断熱材４の天
井部に設けられた図示しない強制排気機構により強制排
気することにより、炉を急速に冷却し得るようにした強
制空冷ヒータであってもよい。強制空冷ヒータを採用す
ることにより、縦型熱処理装置を急速昇降温炉として構
成することができる。The heater 3 is provided on a base plate 6. The heater 3 includes the reaction tube 2 and the heater 3
A forced air-cooled heater that can cool the furnace rapidly by blowing cooling air into the space between the furnace and the forced exhaust by a forced exhaust mechanism (not shown) provided on the ceiling of the heat insulating material 4. There may be. By employing the forced air-cooled heater, the vertical heat treatment apparatus can be configured as a rapid temperature raising / lowering furnace.
【００１３】前記反応管１は、耐熱性および耐食性を有
する材料例えば石英からなり、上端が閉塞され、下端が
開放された縦長円筒状に形成されている。本実施の形態
では、炉内を減圧した熱処理例えば減圧ＣＶＤ処理が可
能なように炉口を高気密構造とするために、反応管１の
下端部に短円筒状のマニホールド７が取付けられてい
る。このマニホールド７は、耐熱性および耐食性を有す
る材料例えばステンレスからなっている。The reaction tube 1 is made of a material having heat resistance and corrosion resistance, for example, quartz, and is formed in a vertically long cylindrical shape having a closed upper end and an open lower end. In the present embodiment, a short-cylindrical manifold 7 is attached to the lower end of the reaction tube 1 in order to make the furnace port a highly airtight structure so that heat treatment in which the pressure inside the furnace is reduced, for example, reduced pressure CVD processing can be performed. . The manifold 7 is made of a material having heat resistance and corrosion resistance, for example, stainless steel.
【００１４】マニホールド７の側壁には、炉内に処理ガ
スや不活性ガスを導入するガス導入部（ガス導入ポー
ト）８と、炉内を排気する排気部（排気ポート）９とが
設けらている。ガス導入部８には、ガスを供給する配管
１９が接続され、この配管１９は図示しない流量制御機
構を介してガス供給源に接続されている。排気部９に
は、反応管１内を所定の減圧（陰圧）に制御する圧力制
御機構を備えた排気管が接続され、この排気管は工場排
気系に接続されている（図示省略）。A gas introduction section (gas introduction port) 8 for introducing a processing gas or an inert gas into the furnace and an exhaust section (exhaust port) 9 for exhausting the inside of the furnace are provided on the side wall of the manifold 7. I have. A pipe 19 for supplying gas is connected to the gas introduction unit 8, and the pipe 19 is connected to a gas supply source via a flow control mechanism (not shown). An exhaust pipe provided with a pressure control mechanism for controlling the inside of the reaction tube 1 to a predetermined reduced pressure (negative pressure) is connected to the exhaust unit 9, and this exhaust pipe is connected to a factory exhaust system (not shown).
【００１５】前記マニホールド７の上端部はベースプレ
ート６に取付固定され、マニホールド７の下端部は炉口
として開放されている。反応管１の下方には、マニホー
ルド７の下部開口端に図示しない気密材例えばＯリング
を介して当接されて炉口を気密に閉塞する前記蓋体１０
が昇降機構１３により昇降可能に設けられている。この
蓋体１０上には前記ボート２が保温筒１４を介して載置
されている。昇降機構１３により、反応管１内へのボー
ト２の搬入搬出と前記蓋体１０の開閉が行われるように
なっている。The upper end of the manifold 7 is attached and fixed to the base plate 6, and the lower end of the manifold 7 is opened as a furnace port. Below the reaction tube 1, the lid 10 is brought into contact with a lower opening end of the manifold 7 via an unillustrated hermetic material such as an O-ring to hermetically close the furnace port.
Is provided so as to be able to move up and down by a lifting mechanism 13. The boat 2 is placed on the lid 10 via a heat retaining tube 14. The lifting mechanism 13 is used to carry the boat 2 into and out of the reaction tube 1 and open and close the lid 10.
【００１６】また、蓋体１０の上面部には、半導体ウエ
ハｗを面内均一に処理するべく回転させるために前記保
温筒１４の載置部としてターンテーブル１５が設けら
れ、蓋体１０の外側にはターンテーブル１５を回転させ
るために回転力を導入する回転導入部（回転導入機構）
１７が設けられている。この回転導入部１７は、ケーシ
ング内に回転軸１６を回転自在に備えており、その回転
軸１６が蓋体１０を貫通してターンテーブル１５に連結
されている。回転導入部１７には、回転軸１６を回転駆
動する図示しない駆動部が連結されている。A turntable 15 is provided on the upper surface of the lid 10 as a mounting portion for the heat retaining cylinder 14 for rotating the semiconductor wafer w so as to uniformly process the semiconductor wafer w. Has a rotation introducing unit (rotation introducing mechanism) for introducing a rotational force to rotate the turntable 15.
17 are provided. The rotation introducing section 17 has a rotating shaft 16 rotatably provided in a casing, and the rotating shaft 16 penetrates through the lid 10 and is connected to the turntable 15. A drive unit (not shown) that drives the rotation shaft 16 to rotate is connected to the rotation introduction unit 17.
【００１７】回転導入部１７には、回転軸１６が貫通す
る部分を軸シールするために、不活性ガス例えば窒素ガ
ス（Ｎ2）を導入するガス導入部（ガス導入ポート）１
８が設けられ、このガス導入部１８には不活性ガスを供
給する配管１１が接続されている。この配管１１は、図
１に示すように、流量制御機構１２を介してガス供給源
に接続されている。The rotation introducing section 17 has a gas introducing section (gas introduction port) 1 for introducing an inert gas, for example, nitrogen gas (N 2 ) in order to seal a portion through which the rotating shaft 16 passes.
The gas inlet 18 is connected to a pipe 11 for supplying an inert gas. This pipe 11 is connected to a gas supply source via a flow control mechanism 12, as shown in FIG.
【００１８】一方、本実施の形態の反応管１は、内管１
ａと外管１ｂからなる二重管構造とされている。前記外
管１ｂは、上端が閉塞され、下端が開口され、その開口
端にフランジ部１ｆを有している。この外管１ｂは、そ
の開口端を前記マニホールド７の上端面（上部開口端）
に図示しない気密部材例えばＯリングを介して当接さ
せ、フランジ部１ｆをフランジ押え２０で固定すること
により、マニホールド７上に気密に設置されている。On the other hand, the reaction tube 1 of the present embodiment comprises an inner tube 1
a and an outer tube 1b. The outer tube 1b has a closed upper end and an open lower end, and has a flange portion 1f at the open end. The outer tube 1b has its open end connected to the upper end surface of the manifold 7 (upper open end).
Is mounted on the manifold 7 in an airtight manner by abutting an unillustrated airtight member, for example, an O-ring, and fixing the flange portion 1f with the flange retainer 20.
【００１９】前記内管１ａは、上端および下端が開口さ
れている。この内管１ａは、その下端をマニホールド７
の下端開口部（炉口）側の内周に係合載置することによ
り、外管１ｂの内側に非接触状態で配置されている。The upper and lower ends of the inner tube 1a are open. The lower end of this inner tube 1a is
Is placed in a non-contact state on the inner side of the outer tube 1b by being mounted on the inner periphery of the lower end opening (furnace port) side.
【００２０】前記回転導入部１７のガス導入部１８に接
続された配管１１として、図１に示すように、フレキシ
ブル（柔軟）で耐久性、耐熱性、耐食性等に優れた樹脂
配管１１ａが使用されている。この樹脂配管１１ａとし
ては、フッ素樹脂例えばパーフロロアルコキシポリマー
（ＰＦＡ）製のチューブが好ましい。As shown in FIG. 1, a resin pipe 11a which is flexible and has excellent durability, heat resistance, corrosion resistance and the like is used as the pipe 11 connected to the gas introduction section 18 of the rotation introduction section 17. ing. As the resin pipe 11a, a tube made of a fluororesin, for example, a perfluoroalkoxy polymer (PFA) is preferable.
【００２１】そして、樹脂配管１１ａよりも下流にはオ
リフィス２１が設けられ、前記樹脂配管１１ａ内にはガ
ス例えば不活性ガスである窒素（Ｎ2）ガスが大気圧
（１０１３ｈＰａ）以上の圧力例えば１０６４ｈＰａ以
上（８００Ｔｏｒｒ以上）でガス供給源側から供給され
るようになっている。すなわち、樹脂配管１１ａの管壁
からの大気成分の透過侵入を防止するため、樹脂配管１
１ａ内にはガスが大気圧以上の圧力に加圧されて供給さ
れるようになっている。An orifice 21 is provided downstream of the resin pipe 11a. In the resin pipe 11a, a gas such as a nitrogen (N 2 ) gas, which is an inert gas, is at a pressure higher than the atmospheric pressure (1013 hPa), for example, 1064 hPa. As described above (800 Torr or more), the gas is supplied from the gas supply source side. That is, in order to prevent permeation and penetration of atmospheric components from the pipe wall of the resin pipe 11a, the resin pipe 1
The gas is supplied to the inside 1a by being pressurized to a pressure higher than the atmospheric pressure.
【００２２】この場合、反応管内１を減圧例えば３３Ｐ
ａ（０．２５Ｔｏｒｒ）に保つために、樹脂配管１１ａ
よりも下流、図示例では樹脂配管１１ａとガス導入管１
８との接続部には、樹脂配管１１ａ側とガス導入管１８
側との間に圧力差を生じさせてガスの圧力を反応管１内
とほぼ同じ圧力に減圧するためのオリフィス２１が設け
られている。ガス供給源からの不活性ガス例えば窒素ガ
スは、流量制御機構１２により所定の流量例えば０．０
１リットル毎分（５〜１０ｓｃｃｍ）と設定されてい
る。In this case, the pressure in the reaction tube 1 is reduced to, for example, 33P.
a (0.25 Torr), the resin piping 11a
Further downstream, in the illustrated example, the resin pipe 11a and the gas introduction pipe 1
8 is connected to the resin pipe 11 a and the gas introduction pipe 18.
An orifice 21 is provided for reducing the pressure of the gas to substantially the same pressure as that in the reaction tube 1 by generating a pressure difference between the gas supply side and the gas supply side. The inert gas such as nitrogen gas from the gas supply source is supplied at a predetermined flow rate, for example, 0.0
It is set to 1 liter per minute (5-10 sccm).
【００２３】前記オリフィス２１は、図２に示すよう
に、例えば管継手２２の内部に設けられていることが好
ましい。この管継手２２としては、例えばユニオン継手
が好ましい。図示例の管継手２２は、樹脂配管１１ａと
ステンレス配管１１ｂとを接続するユニオン継手からな
っている。このユニオン継手（管継手）２２は、両端部
にねじ部２２ａを有するユニオン本体２２ｂと、このユ
ニオン本体２２ｂの両端部に着脱可能に螺着されたユニ
オンナット２２ｃとから主に構成されている。The orifice 21 is preferably provided, for example, inside a pipe joint 22, as shown in FIG. As the pipe joint 22, for example, a union joint is preferable. The pipe joint 22 in the illustrated example is a union joint that connects the resin pipe 11a and the stainless steel pipe 11b. The union joint (pipe joint) 22 mainly includes a union body 22b having screw portions 22a at both ends, and a union nut 22c detachably screwed to both ends of the union body 22b.
【００２４】ユニオン本体２２ｂの一端には、オリフィ
ス２１を介してガス導入管１８がユニオンナット２２ｃ
により接続され、ユニオン本体２２ｂの他端には、樹脂
配管１１ａがユニオンナット２２ｃにより接続されてい
る。オリフィス２１は、例えばステンレス製の円板２１
ｄの中央に小径（例えば４０μｍ）の穴２１ｈを設けた
オリフィス板からなっている。At one end of the union body 22b, a gas introduction pipe 18 is connected via an orifice 21 to a union nut 22c.
The resin pipe 11a is connected to the other end of the union body 22b by a union nut 22c. The orifice 21 is, for example, a stainless steel disc 21.
An orifice plate having a small diameter (for example, 40 μm) hole 21h in the center of d.
【００２５】以上の構成からなる縦型熱処理装置によれ
ば、反応管１内に半導体ウエハｗを収容し、所定のガス
および減圧雰囲気下で半導体ウエハｗに所定の処理を施
すようになっており、前記反応管１は下端の開口部を開
閉する蓋体１０を有し、この蓋体１０には半導体ウエハ
ｗを回転させるための回転導入部１７が設けられ、この
回転導入部１７はシール用の不活性ガス例えば窒素ガス
を導入するガス導入部１８を有し、このガス導入部１８
にガスを供給する配管１９として樹脂配管１９ａを使用
し、この樹脂配管１９ａよりも下流にオリフィス２１を
設け、樹脂配管１９ａに不活性ガス例えば窒素ガスを大
気圧以上の圧力で供給するように構成されている。この
ため、ステンレス製のフレキシブル管と異なり樹脂配管
１９ａは蓋体１０の開閉に伴う繰返し応力による割れが
生じにくく、耐久性の向上が図れると共に、不活性ガス
の圧力を大気圧以上にすることにより樹脂配管１９ａの
管壁からの大気成分の透過侵入を防止することが可能と
なり、大気成分の侵入による被処理体例えば半導体ウエ
ハｗの汚染を防止することが可能となる。また、前記オ
リフィス２１が管継手２２の内部に設けられているた
め、配管１１にオリフィス２１を容易に設けることが可
能となる。According to the vertical heat treatment apparatus having the above structure, the semiconductor wafer w is accommodated in the reaction tube 1 and the semiconductor wafer w is subjected to a predetermined process under a predetermined gas and reduced pressure atmosphere. The reaction tube 1 has a lid 10 for opening and closing an opening at a lower end. The lid 10 is provided with a rotation introducing portion 17 for rotating the semiconductor wafer w, and the rotation introducing portion 17 is used for sealing. And a gas introduction unit 18 for introducing an inert gas such as nitrogen gas.
A resin pipe 19a is used as a pipe 19 for supplying a gas to the air, and an orifice 21 is provided downstream of the resin pipe 19a so that an inert gas such as nitrogen gas is supplied to the resin pipe 19a at a pressure higher than the atmospheric pressure. Have been. Therefore, unlike the flexible pipe made of stainless steel, the resin pipe 19a is unlikely to be cracked due to the repetitive stress accompanying opening and closing of the lid 10, thereby improving the durability and increasing the pressure of the inert gas to the atmospheric pressure or higher. It is possible to prevent permeation and penetration of atmospheric components from the tube wall of the resin pipe 19a, and it is possible to prevent contamination of a target object, for example, a semiconductor wafer w due to penetration of atmospheric components. Further, since the orifice 21 is provided inside the pipe joint 22, the orifice 21 can be easily provided in the pipe 11.
【００２６】前記実施の形態では、回転導入部の配管に
本発明を適用した一例が示されているが、本発明は処理
容器にガスを導入する配管にも適用することができる。
この場合、図３に示すように、処理容器である反応管１
のガス導入部８には配管１９が接続されているが、この
配管１９として樹脂配管１１ａを使用し、この樹脂配管
１１ａよりも下流、例えばガス導入管８と樹脂配管１１
ａの接合部にオリフィス２１を設ける。そして、前記樹
脂配管１１ａ内にガスを大気圧以上の圧力で供給するよ
うに構成する。In the above-described embodiment, an example in which the present invention is applied to the pipe of the rotation introducing section is shown, but the present invention can also be applied to a pipe for introducing a gas into a processing container.
In this case, as shown in FIG.
A pipe 19 is connected to the gas introducing section 8. A resin pipe 11 a is used as the pipe 19, and for example, the gas introducing pipe 8 and the resin pipe 11
An orifice 21 is provided at the joint of a. The gas is supplied into the resin pipe 11a at a pressure higher than the atmospheric pressure.
【００２７】このように構成された縦型熱処理装置によ
れば、反応管１内に半導体ウエハｗを収容して所定のガ
ス雰囲気下で処理するようになっており、前記ガスを供
給する配管１１として樹脂配管１１ａを使用し、該樹脂
配管１１ａよりも下流にオリフィス２１を設け、前記樹
脂配管１１ａ内にガスを大気圧以上の圧力で供給するよ
うにしているため、樹脂配管１１ａの管壁からの大気成
分の透過侵入を防止することができ、大気成分の侵入に
よる半導体ウエハｗの汚染を防止することができる。According to the vertical heat treatment apparatus configured as described above, the semiconductor wafer w is accommodated in the reaction tube 1 and processed under a predetermined gas atmosphere. Since the resin pipe 11a is used as the base, the orifice 21 is provided downstream of the resin pipe 11a, and the gas is supplied into the resin pipe 11a at a pressure higher than the atmospheric pressure. Of the semiconductor wafer w due to the intrusion of the atmospheric component can be prevented.
【００２８】前記実施の形態では、オリフィスを一つ設
けた例が示されているが、圧力差を大きくするためにオ
リフィスを複数設けてもよい。図４は管継手にオリフィ
スを二つ設けた構造を示している。この管継手例えばユ
ニオン継手２２においては、ユニオン本体２２ｂの一端
に第１のオリフィス２１ａを介して樹脂配管１１ａがユ
ニットナット２２ｃにより接続されており、また、ユニ
ット本体２２ｂの他端に第２のオリフィス２１ｂを介し
てガス導入管１８が接続されている。In the above embodiment, an example in which one orifice is provided is shown, but a plurality of orifices may be provided in order to increase the pressure difference. FIG. 4 shows a structure in which two orifices are provided in a pipe joint. In this pipe joint, for example, the union joint 22, a resin pipe 11a is connected to one end of a union main body 22b via a first orifice 21a by a unit nut 22c, and a second orifice is connected to the other end of the unit main body 22b. The gas introduction pipe 18 is connected via 21b.
【００２９】以上、本発明の実施の形態を図面により詳
述してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、本発明が適用される
処理装置としては、縦型熱処理装置以外に、例えば横形
熱処理装置であってもよく、あるいは、枚葉式処理装置
であってもよい。被処理体としては、半導体ウエハ以外
に、例えばガラス基板やＬＣＤ基板等であってもよい。
また、樹脂配管を通して処理容器内に供給するガスとし
ては、不活性ガス以外の処理ガスであってもよい。処理
ガスを供給する場合、処理ガスの供給圧力が大気圧より
も高いと、処理ガス成分が極めて微量ではあるが樹脂配
管の管壁を透過して大気側に漏れるため、処理ガスの供
給圧力は樹脂配管の外部の圧力（大気圧）と同じ圧力と
することが好ましく、あるいは、処理ガスの供給圧力を
大気圧よりも高くする場合には、安全性を有する処理ガ
スを使用することが好ましい。Although the embodiment of the present invention has been described in detail with reference to the drawings, the present invention is not limited to the above embodiment, and various design changes and the like can be made without departing from the gist of the present invention. Is possible. For example, the processing apparatus to which the present invention is applied may be, for example, a horizontal heat processing apparatus other than the vertical heat processing apparatus, or may be a single wafer processing apparatus. The object to be processed may be, for example, a glass substrate or an LCD substrate other than the semiconductor wafer.
Further, the gas supplied into the processing vessel through the resin pipe may be a processing gas other than the inert gas. When supplying the processing gas, if the supply pressure of the processing gas is higher than the atmospheric pressure, the processing gas component is extremely small but permeates through the wall of the resin pipe and leaks to the atmosphere side. It is preferable to set the same pressure as the pressure (atmospheric pressure) outside the resin pipe, or when the supply pressure of the processing gas is higher than the atmospheric pressure, it is preferable to use a safe processing gas.
【００３０】[0030]
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な効果を奏することができる。In summary, according to the present invention, the following effects can be obtained.
【００３１】（１）請求項１に係る発明によれば、処理
容器内に被処理体を収容して所定のガス雰囲気下で処理
する処理装置において、前記ガスを供給する配管として
樹脂配管を使用し、該樹脂配管よりも下流にオリフィス
を設け、前記樹脂配管内にガスを大気圧以上の圧力で供
給するようにしているため、樹脂配管の管壁からの大気
成分の透過侵入を防止することができ、大気成分の侵入
による被処理体の汚染を防止することができる。(1) According to the first aspect of the present invention, in a processing apparatus for storing an object to be processed in a processing vessel and performing processing under a predetermined gas atmosphere, a resin pipe is used as a pipe for supplying the gas. Further, since an orifice is provided downstream of the resin pipe and gas is supplied into the resin pipe at a pressure higher than the atmospheric pressure, it is possible to prevent permeation of atmospheric components from the pipe wall of the resin pipe. Thus, contamination of the object to be processed due to intrusion of atmospheric components can be prevented.
【００３２】（２）請求項２に係る発明によれば、処理
容器内に被処理体を収容して所定のガス雰囲気下で処理
する処理装置において、前記処理容器は下端の開口部を
開閉する蓋体を有し、該蓋体には被処理体を回転させる
ための回転導入部が設けられ、該回転導入部はシール用
の不活性ガスを導入するガス導入部を有し、該ガス導入
部にガスを供給する配管として樹脂配管を使用し、該樹
脂配管よりも下流にオリフィスを設け、樹脂配管内に不
活性ガスを大気圧以上の圧力で供給するようにしたの
で、ステンレス製のフレキシブル管と異なり樹脂配管は
蓋体の開閉に伴う繰返し応力による割れが生じにくく、
耐久性の向上が図れると共に、不活性ガスの圧力を大気
圧以上にすることにより樹脂配管の管壁からの大気成分
の透過侵入を防止でき、大気成分の侵入による被処理体
の汚染を防止することができる。(2) According to the second aspect of the present invention, in the processing apparatus for processing an object to be processed in a processing container under a predetermined gas atmosphere, the processing container opens and closes an opening at a lower end. A cover, and a rotation introduction unit for rotating the object to be processed is provided on the cover, and the rotation introduction unit has a gas introduction unit for introducing an inert gas for sealing; A resin pipe is used as a pipe for supplying gas to the section, and an orifice is provided downstream of the resin pipe so that an inert gas is supplied at a pressure higher than the atmospheric pressure in the resin pipe. Unlike pipes, resin pipes are less prone to cracking due to repeated stress caused by opening and closing the lid,
The durability can be improved, and the pressure of the inert gas can be increased to the atmospheric pressure or higher, so that the permeation and invasion of atmospheric components from the pipe wall of the resin pipe can be prevented, and the contamination of the workpiece due to the invasion of atmospheric components can be prevented. be able to.
【００３３】（３）請求項３に係る発明によれば、前記
オリフィスが管継手の内部に設けられているため、配管
にオリフィスを容易に設けることができる。(3) According to the third aspect of the present invention, since the orifice is provided inside the pipe joint, the orifice can be easily provided in the pipe.
【図１】本発明を縦型熱処理装置に適用した実施の形態
を示す概略的構成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment in which the present invention is applied to a vertical heat treatment apparatus.
【図２】管継手の構造を示す拡大断面図である。FIG. 2 is an enlarged sectional view showing a structure of a pipe joint.
【図３】図１の縦型熱処理装置の縦断面図である。FIG. 3 is a vertical sectional view of the vertical heat treatment apparatus of FIG.
【図４】管継手にオリフィスを二つ設けた構造を示す拡
大断面図である。FIG. 4 is an enlarged sectional view showing a structure in which two orifices are provided in a pipe joint.
【符号の説明】 ｗ 半導体ウエハ（被処理体） １ 反応管（処理容器） １０ 蓋体 １１ 配管 １１ａ 樹脂配管 １７ 回転導入部 １８ ガス導入部 １９ 配管 １９ａ 樹脂配管 ２１ オリフィス ２２ 管継手[Description of Signs] w Semiconductor wafer (object to be processed) 1 Reaction tube (processing vessel) 10 Lid 11 Pipe 11a Resin pipe 17 Rotation introduction section 18 Gas introduction section 19 Pipe 19a Resin pipe 21 Orifice 22 Pipe joint
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 EA03 KA46 5F045 AA06 BB14 DP19 DQ05 EB10 EC02 EC08 EE01 EE14 EE17 EK06 EK22 EM10 Continued on the front page F term (reference) 4K030 EA03 KA46 5F045 AA06 BB14 DP19 DQ05 EB10 EC02 EC08 EE01 EE14 EE17 EK06 EK22 EM10
Claims (3)
ガス雰囲気下で処理する処理装置において、前記ガスを
供給する配管として樹脂配管を使用し、該樹脂配管より
も下流にオリフィスを設け、樹脂配管内にガスを大気圧
以上の圧力で供給するようにしたことを特徴とする処理
装置。In a processing apparatus for processing an object to be processed in a processing container under a predetermined gas atmosphere, a resin pipe is used as a pipe for supplying the gas, and an orifice is provided downstream of the resin pipe. A processing apparatus, wherein a gas is supplied into the resin pipe at a pressure higher than the atmospheric pressure.
ガス雰囲気下で処理する処理装置において、前記処理容
器は下端の開口部を開閉する蓋体を有し、該蓋体には被
処理体を回転させるための回転導入部が設けられ、該回
転導入部はシール用の不活性ガスを導入するガス導入部
を有し、該ガス導入部にガスを供給する配管として樹脂
配管を使用し、該樹脂配管よりも下流にオリフィスを設
け、樹脂配管内に不活性ガスを大気圧以上の圧力で供給
するようにしたことを特徴とする処理装置。2. A processing apparatus for storing an object to be processed in a processing container and performing processing under a predetermined gas atmosphere, wherein the processing container has a lid for opening and closing an opening at a lower end, wherein the lid has A rotation introduction unit for rotating the object to be processed is provided, the rotation introduction unit has a gas introduction unit for introducing an inert gas for sealing, and a resin pipe is used as a pipe for supplying gas to the gas introduction unit. A processing apparatus, wherein an orifice is provided downstream of the resin pipe so that an inert gas is supplied into the resin pipe at a pressure higher than the atmospheric pressure.
れていることを特徴とする請求項１または２記載の処理
装置。3. The processing apparatus according to claim 1, wherein the orifice is provided inside a pipe joint.
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