KR102105225B1 - Thermal processing apparatus - Google Patents

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다이키 후지와라
츠네유키 오카베
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 스테인리스강의 플렉시블 배관과 동일한 유연한 성질을 확보하면서, 부식을 저감시킬 수 있는 열처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
열처리 장치는 열처리를 행하는 처리 용기(2)와,
당해 처리 용기와 이격하여 설치된 밸브 유닛(70)과,
당해 밸브 유닛과 상기 처리 용기의 소정의 가스 도입부 사이에 변형 가능하게 연결되어, 상기 밸브 유닛을 통해 처리 가스를 상기 처리 용기 내에 도입 가능한 불소 수지 튜브(50)를 갖는다.An object of the present invention is to provide a heat treatment device capable of reducing corrosion while securing the same flexible properties as flexible piping of stainless steel.
The heat treatment apparatus includes a processing container 2 for performing heat treatment,
A valve unit 70 installed spaced apart from the processing container;
It has a fluorine resin tube 50 that is deformably connected between the valve unit and a predetermined gas introduction portion of the processing container, and can introduce processing gas into the processing container through the valve unit.

Figure 112016026056022-pat00004
Figure 112016026056022-pat00004

Description

열처리 장치 {THERMAL PROCESSING APPARATUS}Heat treatment device {THERMAL PROCESSING APPARATUS}

본 발명은 열처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a heat treatment device.

종래부터, 기판을 수용하고, 배기로가 접속된 처리 용기에, 처리 가스 유로와, 처리 가스와 치환하기 위한 치환 가스 공급 유로를 돌입하고, 처리 가스 유로에 있어서의 처리 용기 근방에 밸브를 개재 설치하고, 배기로에는 압력 조정 수단을 개재 설치한 열처리 장치가 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).Conventionally, a processing gas flow path and a replacement gas supply flow path for substituting the processing gas are introduced into a processing container that receives a substrate and is connected to an exhaust path, and a valve is provided in the vicinity of the processing container in the processing gas flow path. In addition, a heat treatment apparatus in which a pressure adjusting means is provided through an exhaust passage is known (for example, see Patent Document 1).

처리 용기 근방의 처리 가스 유로의 배관에는, 일반적으로는 스테인리스강으로 이루어지는 플렉시블 배관이 사용되어 있고, 유지 보수 시에 제거가 용이한 구성으로 되어 있다. 즉, 유연성을 갖지 않고 단단한, 소위 리지드 배관을 사용하면, 처리 용기의 분해가 곤란해지므로, 처리 가스를 처리 용기에 도입하는 도입 배관에는, 스테인리스강으로 이루어지는 플렉시블 배관이 사용되는 경우가 많다.A flexible pipe made of stainless steel is generally used for piping of the processing gas flow path in the vicinity of the processing container, and has a structure that can be easily removed during maintenance. In other words, if a rigid so-called rigid pipe without flexibility is used, it is difficult to disassemble the treatment vessel, and therefore, flexible piping made of stainless steel is often used as the introduction pipe for introducing the treatment gas into the treatment vessel.

일본 특허 출원 공개 제2002-299327호 공보Japanese Patent Application Publication No. 2002-299327

그러나, 스테인리스강의 플렉시블 배관을 사용한 경우, 잔류 가스의 영향에 의해, 부식이 발생하는 경우가 있다는 문제가 있었다. 이러한 부식을 방지하기 위해, 도입 배관 내를 퍼지 가스로 치환하는 대응도 생각할 수 있지만, 플렉시블 배관은 리지드 배관에 비해 내면의 표면적이 크기 때문에, 도입 배관 내를 충분히 치환하기 위해서는 장시간을 필요로 한다는 문제가 있었다. 또한, 퍼지의 조건을 확립하는 것도 곤란하고, 어느 정도 퍼지를 행하면 충분해지는지의 파악도 곤란하여, 퍼지가 충분한 대책이 될 수는 없다는 문제도 있었다.However, when a stainless steel flexible pipe is used, there is a problem that corrosion may occur due to residual gas. In order to prevent such corrosion, it is also possible to consider the replacement of the inside of the introduction pipe with a purge gas, but since the flexible pipe has a larger inner surface area than the rigid pipe, it takes a long time to sufficiently replace the inside of the introduction pipe. There was. In addition, it is difficult to establish the conditions for purging, and it is difficult to grasp to what extent purging is sufficient, and there is also a problem that purging cannot be a sufficient measure.

한편, 도입 배관을 리지드 배관으로 하면, 퍼지에 의한 부식 방지도 가능해지지만, 리지드 배관에서는 처리 용기 등의 분해 및 조립이 곤란해지고, 유지 보수를 행하는 것이 곤란해지기 때문에, 현실적인 대책이 될 수는 없다는 문제가 있었다.On the other hand, if the introduction piping is a rigid piping, it is possible to prevent corrosion due to purge, but in the rigid piping, it is difficult to disassemble and assemble the processing vessel, etc. There was a problem.

따라서, 본 발명은 스테인리스강의 플렉시블 배관과 동일한 유연한 성질을 확보하면서, 부식을 저감시킬 수 있는 열처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a heat treatment device capable of reducing corrosion while securing the same flexible properties as flexible piping of stainless steel.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 형태에 관한 열처리 장치는 열처리를 행하는 처리 용기와,In order to achieve the above object, a heat treatment apparatus according to one embodiment of the present invention includes a processing container for performing heat treatment,

당해 처리 용기와 이격하여 설치된 밸브 유닛과,A valve unit spaced apart from the processing container,

당해 밸브 유닛과 상기 처리 용기의 소정의 가스 도입부 사이에 변형 가능하게 연결되고, 상기 밸브 유닛을 통해 처리 가스를 상기 처리 용기 내에 도입 가능한 불소 수지 튜브를 갖는다.It has a fluorine resin tube which is deformably connected between the valve unit and a predetermined gas introduction portion of the processing container, and can introduce processing gas into the processing container through the valve unit.

본 발명에 따르면, 유지 보수의 작업성을 확보하면서, 도입 배관의 부식을 저감시킬 수 있다.According to the present invention, corrosion of the introduced pipe can be reduced while ensuring workability of maintenance.

도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 열처리 장치의 일례를 도시하는 전체 개략도.
도 2는 본 발명의 실시 형태에 따른 열처리 장치의 일례의 처리 용기를 도시하는 종단면도.
도 3은 본 발명의 실시 형태에 따른 열처리 장치의 일례의 처리 용기의 수평 단면도.
도 4는 본 발명의 실시 형태에 따른 열처리 장치의 일례의 가스 도입 배관의 구성을 도시한 사시도.
도 5는 본 발명의 실시 형태에 따른 열처리 장치의 가스 도입 배관의 처리 용기측과 처리 용기 사이의 단관 및 조인트의 연결 구조의 일례를 도시한 도면.
도 6은 가스 도입 배관과 가스 도입부 사이에, 1개의 단관을 설치한 예를 도시한 도면.
도 7은 단관을 가스 도입부에 조인트를 통해 접속 고정하는 단계를 도시한 도면.
도 8은 단관과 가스 도입 배관을 조인트를 통해 접속하는 단계를 도시한 도면.
도 9는 단관과 단관을 조인트를 통해 접속하는 단계를 도시한 도면.
도 10은 본 발명의 실시 형태에 따른 열처리 장치의 일례의 가스 도입 배관의 단면 구성을 도시한 도면.
도 11은 본 발명의 실시 형태에 따른 열처리 장치의 다른 예의 가스 도입 배관의 단면 구성을 도시한 도면.1 is an overall schematic view showing an example of a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a longitudinal sectional view showing a processing container as an example of a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a horizontal sectional view of a processing container as an example of a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a perspective view showing the configuration of a gas introduction pipe as an example of a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.
5 is a view showing an example of a connection structure of a single pipe and a joint between the processing vessel side and the processing vessel of the gas introduction pipe of the heat treatment apparatus according to the embodiment of the present invention.
6 is a diagram showing an example in which one single pipe is provided between a gas introduction pipe and a gas introduction portion.
7 is a view showing a step of connecting and fixing a single pipe through a joint to a gas inlet.
8 is a view showing a step of connecting a single pipe and a gas introduction pipe through a joint.
9 is a view showing a step of connecting a single pipe and a single pipe through a joint.
10 is a view showing a cross-sectional configuration of a gas introduction pipe as an example of a heat treatment device according to an embodiment of the present invention.
11 is a diagram showing a cross-sectional configuration of a gas introduction pipe of another example of the heat treatment apparatus according to the embodiment of the present invention.

이하, 도면을 참조하여, 본 발명을 실시하기 위한 형태 설명을 행한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the form for implementing this invention is demonstrated, referring drawings.

도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 열처리 장치의 일례를 도시하는 전체 개략도이고, 여기서는 종형 열처리 장치를 사용한 경우를 예로 들어 설명을 행한다. 본 실시 형태에 따른 열처리 장치는 종형 열처리 장치 본체를 이루는 처리 용기(2)의 주변부와 그 배관계로 크게 구별할 수 있지만, 여기서는 우선 처리 용기(2)의 주변부에 대해 설명을 행한다.1 is an overall schematic diagram showing an example of a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention, and a description will be given taking the case where a vertical heat treatment apparatus is used as an example. The heat treatment apparatus according to the present embodiment can be largely distinguished from the peripheral portion of the processing vessel 2 constituting the vertical heat treatment apparatus main body and its piping system, but first, the peripheral portion of the processing vessel 2 will be described.

도 2는 본 발명의 실시 형태에 따른 열처리 장치의 일례의 처리 용기(2)를 도시하는 종단면도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 처리 용기(2)는, 예를 들어 석영에 의해 구성되는 반응관(21)을 갖는다. 반응관(21)은, 예를 들어 내관(22) 및 외관(23)으로 이루어지는 이중관 구조로 되어 있고, 외관(23)은 상단부를 막고 내관(22)과 동심원 상에 설치되고, 그 하방측에는 금속성의 통형상체인 매니폴드(24)가 기밀하게 접속되어 있다. 한쪽의 내관(22)은 상방측이 개방되고, 외관(23)과 적절히 간격을 형성하도록 설치되고, 매니폴드(24)의 내주면에 돌출되어 형성되어 있는 지지 링(25)에 지지되는 구성으로 되어 있다.2 is a longitudinal sectional view showing a processing container 2 as an example of a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention. As shown in Fig. 2, the processing container 2 has a reaction tube 21 made of, for example, quartz. The reaction tube 21 has, for example, a double tube structure composed of an inner tube 22 and an outer tube 23, and the outer tube 23 is provided on the inner tube 22 and concentric circles with the upper end blocked, and metallic on the lower side. The manifold 24, which is a cylindrical shape, is hermetically connected. One inner tube 22 has a configuration in which the upper side is opened, is provided to properly form a gap with the exterior 23, and is supported by a support ring 25 formed to protrude on the inner circumferential surface of the manifold 24 have.

내관(22)에는 보트 엘리베이터(26)에 의해 매니폴드(24) 하방측의 개구부로부터 웨이퍼 보트(보유 지지구)가 반입된다. 웨이퍼 보트(보유 지지구)(27)에는 웨이퍼(W)가 선반 형상으로 적재된다. 내관(22)은 이러한 웨이퍼(W)의 열처리 분위기를 형성한다. 보트 엘리베이터(26)에는 매니폴드(24) 하방측의 개구부를 막는 것이 가능한 덮개(28)가 설치되어 있다. 또한, 반응관(21)의 주위에는 이를 둘러싸도록 단열체(29a)가 설치되어 있고, 그 내벽면에는, 예를 들어 저항 가열체로 이루어지는 히터(29b)가 구비되어, 가열로(29)를 구성하고 있다.A wafer boat (holding support) is carried into the inner tube 22 from the opening on the lower side of the manifold 24 by the boat elevator 26. The wafer W (holding support) 27 is loaded with a wafer W in a shelf shape. The inner tube 22 forms an atmosphere of heat treatment of the wafer W. The boat elevator 26 is provided with a cover 28 capable of closing the opening on the lower side of the manifold 24. In addition, a heat insulator 29a is provided around the reaction tube 21 so as to surround it, and a heater 29b made of, for example, a resistance heating body is provided on the inner wall surface to constitute the heating furnace 29. Doing.

매니폴드(24)에 있어서의 지지 링(25)보다도 하방 부위의 외측면에는 처리 가스를 처리 용기(2) 내에 도입하기 위한 배관계를 이루는 복수의 가스 도입 배관(50)(도시의 편의상 하나만 그려져 있음)이 설치되어 있다. 가스 도입 배관(50)은 조인트(60, 62)를 통해 처리 용기(2)의 외측면의 하단부에 설치된 가스 도입부(35)에 접속되어 있다. 또한, 처리 용기(2)의 내부에는 인젝터(55)가 설치되고, 가스 도입 배관(50)과 조인트(60, 62, 64)를 통해 접속되어 있다. 인젝터(55)는 처리 가스를 내관(22)의 내측에 공급할 수 있도록, 그 선단부는 상방으로 굴곡된 구성으로 되어 있다. 또한, 가스 도입 배관(50)의 상류측은 조인트(61, 63)를 통해 밸브 유닛(70)에 접속되어 있다. 또한, 밸브 유닛(70)의 상류측은 가스 배관(80)을 통해, 가스 공급원(90)에 접속되어 있다.A plurality of gas introduction pipes 50 (only one is drawn for convenience of illustration) forming a piping system for introducing the processing gas into the processing container 2 on the outer surface of the portion below the support ring 25 in the manifold 24. ) Is installed. The gas introduction pipe 50 is connected to the gas introduction portion 35 provided at the lower end of the outer surface of the processing container 2 through the joints 60 and 62. In addition, an injector 55 is provided inside the processing container 2, and is connected to the gas introduction pipe 50 through the joints 60, 62, and 64. The injector 55 is configured such that its tip is bent upward so that the processing gas can be supplied to the inner side of the inner tube 22. In addition, the upstream side of the gas introduction pipe 50 is connected to the valve unit 70 via joints 61 and 63. In addition, the upstream side of the valve unit 70 is connected to the gas supply source 90 through the gas pipe 80.

한편, 매니폴드(24)에 있어서의 지지 링(25)보다도 상방 부위의 주위면에는 배기 포트(30)가 형성되고, 또한 내관(22)과 외관(23)의 박막의 부착을 방지하기 위해 질소 가스 도입용의 가스관(4)이 설치되어 있다.On the other hand, an exhaust port 30 is formed on the circumferential surface of the upper portion of the manifold 24 above the support ring 25, and nitrogen is also used to prevent adhesion of the thin film between the inner tube 22 and the outer cover 23. The gas pipe 4 for gas introduction is provided.

배기 포트(30)에는 배기로를 이루는 배기관(3)이 기밀하게 접속되어 있고, 이 배기관(3)의 하류측에는 압력 조정 수단(31)을 통해 진공 펌프(32)가 접속되어 있다. 압력 조정 수단(31)은 처리 용기(2) 내의 압력을 측정하는 압력계(101)로부터 얻은 압력 측정값에 따라, 제어부(100)에 의해 개방도 조정을 행하도록 구성되어 있다. 또한, 도시하지 않지만, 제어부(100)는 압력 조정 수단(31)의 개폐 제어뿐만 아니라, 본 실시 형태에 있어서 사용되는 모든 밸브에 대해서도 개폐 제어를 행한다.An exhaust pipe 3 constituting an exhaust path is hermetically connected to the exhaust port 30, and a vacuum pump 32 is connected to the downstream side of the exhaust pipe 3 via a pressure adjusting means 31. The pressure adjusting means 31 is configured to adjust the opening degree by the control unit 100 according to the pressure measurement value obtained from the pressure gauge 101 that measures the pressure in the processing container 2. In addition, although not shown, the control unit 100 not only controls the opening and closing of the pressure adjusting means 31, but also controls the opening and closing of all the valves used in the present embodiment.

다음에, 도 3을 참조하면서, 상술한 내관(22) 내측에 가스를 도입하기 위한 복수의 가스 도입 배관(50)에 대해 설명한다. 도 3은 본 발명의 실시 형태에 따른 열처리 장치의 일례의 처리 용기의 수평 단면도이다.Next, referring to Fig. 3, a plurality of gas introduction pipes 50 for introducing gas into the inner tube 22 described above will be described. 3 is a horizontal sectional view of a processing container as an example of a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3에 도시한 바와 같이, 가스 도입 배관(50)은 복수 설치되어도 된다. 도 3에 있어서는, 예시적으로 가스 도입 배관(50)이 3개 설치되어 있지만, 열처리를 행할 때, 처리 용기(2) 내에 도입되는 가스의 종류에 따라, 더 많은 개수가 설치되어도 된다.As shown in FIG. 3, a plurality of gas introduction pipes 50 may be provided. In FIG. 3, three gas introduction pipes 50 are exemplarily provided, but a larger number may be provided depending on the type of gas introduced into the processing container 2 when heat treatment is performed.

가스 도입 배관(50)은 처리 용기(2)의 외주면의 가스 도입부(35)에 접속되는 조인트(64)에, 복수의 조인트(60, 62)를 통해 선단부가 접속되어 있다. 조인트(64)는 처리 용기(2) 내의 인젝터(55)에 연통하고 있고, 가스 도입 배관(50)을 통해 공급된 처리 가스는 조인트(60, 62, 64)를 통해 인젝터(55)로부터 처리 용기(2)의 내부에 공급된다.The gas introduction pipe 50 is connected to a joint 64 connected to the gas introduction portion 35 on the outer circumferential surface of the processing container 2 through a plurality of joints 60 and 62, and a leading end portion is connected. The joint 64 communicates with the injector 55 in the processing container 2, and the processing gas supplied through the gas introduction pipe 50 is processed from the injector 55 through the joints 60, 62, and 64. (2) is supplied inside.

밸브 유닛(70)은 개개의 가스 도입 배관(50) 및 가스 배관(80)에 대응하여, 밸브 모듈(71)을 구비한다. 또한, 각각의 밸브 모듈(71)은, 도 1에 도시한 바와 같이 제1 개폐 수단인 밸브(72)와 제2 개폐 수단인 밸브(73)를 조합한 것이다.The valve unit 70 is provided with a valve module 71 corresponding to the individual gas introduction pipe 50 and the gas pipe 80. In addition, each valve module 71 is a combination of the valve 72 which is the first opening and closing means and the valve 73 which is the second opening and closing means as shown in FIG. 1.

밸브(72)는 가스 배관(80)과 가스 도입 배관(50)의 연통을 개폐하는 것이고, 밸브(73)는 밸브(72)의 바로 상류측으로부터 분기하여 배기관(3)에 합류하는 바이패스로(33)를 개폐하는 것이다. 또한 각각의 바이패스로(33)는 도중에 합류하여, 배기관(3)의 접속점 P1에서 접속된다.The valve 72 opens and closes the communication between the gas piping 80 and the gas introduction piping 50, and the valve 73 is a bypass branching from the upstream side of the valve 72 and joining the exhaust pipe 3 (33) is to open and close. Moreover, each bypass path 33 joins on the way, and is connected at the connection point P1 of the exhaust pipe 3.

이와 같이, 밸브 모듈(71)은 가스 배관(80)과 가스 도입 배관(50)의 연통을 개폐하는 밸브(72)와, 가스 배관(80)과 바이패스로(33)의 연통을 개폐하는 밸브(73)를 구비하고, 일체로 되어 밸브 모듈(71)을 구성하지만, 본 실시 형태에 따른 열처리 장치는 가스 도입 배관(50)의 구성에 특징을 갖고, 밸브(73)는 필요에 따라 설치되면 되고, 필수 구성은 아니므로, 이후의 설명에서는, 밸브(72)와의 관련성을 중심으로 설명한다.In this way, the valve module 71 is a valve 72 that opens and closes the communication between the gas pipe 80 and the gas introduction pipe 50, and a valve that opens and closes the communication between the gas pipe 80 and the bypass passage 33. (73) is provided, and integrally constitutes the valve module 71, but the heat treatment device according to the present embodiment has a feature in the configuration of the gas introduction pipe 50, and the valve 73 is installed as required. Since it is not an essential configuration, in the following description, the relationship with the valve 72 will be mainly described.

도 4는 본 발명의 실시 형태에 따른 열처리 장치의 일례의 가스 도입 배관(50)의 구성을 도시한 사시도이다. 가스 도입 배관(50)은 하류측의 단부가 조인트(60)에 접속되고, 상류측의 단부가 조인트(61)에 접속되어 있다. 가스 도입 배관(50)의 하류측은 조인트(60)에 추가하여, 다시 단관(51), 조인트(62), 단관(52) 및 조인트(64)를 통해 처리 용기(2)의 외측면의 하단부측의 가스 도입부(35)에 연결된다. 또한, 가스 도입 배관(50)의 상류측은 조인트(61)에 추가하여, 다시 단관(53) 및 조인트(63)를 통해 밸브 유닛(70)에 연결된다. 즉, 가스 도입 배관(50)은 밸브 유닛(70)과 처리 용기(2)를 연결 접속하고 있다.4 is a perspective view showing a configuration of a gas introduction pipe 50 as an example of a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention. In the gas introduction pipe 50, the downstream end is connected to the joint 60, and the upstream end is connected to the joint 61. The downstream side of the gas introduction pipe 50 is in addition to the joint 60, again the lower end side of the outer surface of the processing vessel 2 through the short pipe 51, the joint 62, the short pipe 52 and the joint 64 It is connected to the gas introduction portion 35 of. In addition, the upstream side of the gas introduction pipe 50 is connected to the valve unit 70 through the short pipe 53 and the joint 63 again in addition to the joint 61. That is, the gas introduction pipe 50 connects and connects the valve unit 70 and the processing container 2.

가스 도입 배관(50)은 불소 수지로 이루어지는 불소 수지 튜브로서 구성된다. 불소 수지 튜브는 스테인리스강(SUS)으로 이루어지는 플렉시블 배관과 같은 금속은 아니므로, 처리 가스의 잔류 가스에 의해 부식이 발생하는 경우는 거의 없다. 즉, 플렉시블 배관을 통해 처리 가스를 처리 용기(2) 내에 공급하여 열처리를 행하고, 열처리가 종료된 후에 불활성 가스를 흘려서 플렉시블 배관의 내표면이나 처리 용기(2) 내에 부착된 처리 가스를 퍼지하지만, 플렉시블 배관의 내표면적은 불소 수지 튜브의 내표면적에 비해 훨씬 크기 때문에, 약간 처리 가스가 잔류하는 경우가 있다. 이 경우, 유지 보수 등으로 처리 용기(2)를 개방했을 때에 대기 중의 수분 등이 플렉시블 배관에 들어가 버려, 잔류 가스와 수분 등이 반응하여 스테인리스강(SUS)으로 이루어지는 플렉시블 배관의 내표면이 부식되는 경우가 있다. 그러나, 본 발명의 실시 형태에 따른 가스 도입 배관(50)은 불소 수지 튜브를 사용하고 있으므로, 불소 수지 튜브의 내표면에 처리 가스가 잔류해도 부식되는 경우는 없다. 또한, 불소 수지 튜브의 내표면적은 플렉시블 배관에 비해 훨씬 작기 때문에, 퍼지에 필요로 하는 시간을 대폭으로 단축할 수 있다.The gas introduction pipe 50 is configured as a fluororesin tube made of fluororesin. Since the fluororesin tube is not a metal such as a flexible pipe made of stainless steel (SUS), corrosion rarely occurs due to residual gas in the processing gas. That is, the processing gas attached to the processing vessel 2 or the inner surface of the flexible piping is purged by supplying the processing gas to the processing container 2 through the flexible piping, and flowing an inert gas after the heat treatment is completed. Since the inner surface area of the flexible pipe is much larger than the inner surface area of the fluororesin tube, some processing gas may remain. In this case, when the processing container 2 is opened for maintenance or the like, moisture in the atmosphere or the like enters the flexible pipe, and residual gas and moisture react to corrode the inner surface of the flexible pipe made of stainless steel (SUS). There are cases. However, since the gas introduction pipe 50 according to the embodiment of the present invention uses a fluororesin tube, corrosion does not occur even if the processing gas remains on the inner surface of the fluororesin tube. In addition, since the inner surface area of the fluororesin tube is much smaller than that of flexible piping, the time required for purging can be significantly shortened.

또한, 불소 수지 튜브는 다양한 불소 수지로 구성되어도 되지만, PFA(테트라플루오로에틸렌ㆍ퍼플루오로알킬비닐에테르 공중합체) 또는 PTFE[폴리테트라플루오로에틸렌(4불화)]로 구성되어도 된다. 그 밖에, FEP[테트라플루오로에틸렌ㆍ헥사플루오로프로필렌 공중합체(4.6불화)], ETFE(테트라플루오로에틸렌ㆍ에틸렌 공중합체) 등도 사용 가능하다.Further, the fluororesin tube may be composed of various fluororesins, but may be composed of PFA (tetrafluoroethylene / perfluoroalkylvinyl ether copolymer) or PTFE (polytetrafluoroethylene (tetrafluoride)). In addition, FEP (tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer (4.6 fluoride)), ETFE (tetrafluoroethylene-ethylene copolymer), or the like can also be used.

이들 불소 수지 튜브는 변형 가능하므로, 처리 용기(2) 등을 유지 보수할 때도, 분해 및 조립이 용이해, 높은 작업성을 유지할 수 있다. 또한, 예를 들어 PFA 튜브는 260℃의 내열 성능을 겸비하고 있으므로, 종래의 SUS 배관과 동등한 150℃ 가온도 가능해, 충분한 내열성을 유지할 수 있다.Since these fluororesin tubes are deformable, it is easy to disassemble and assemble when maintaining the processing container 2 and the like, and high workability can be maintained. In addition, for example, since the PFA tube has a heat resistance of 260 ° C, a 150 ° C heating temperature equivalent to that of a conventional SUS pipe is possible, and sufficient heat resistance can be maintained.

또한, 도 4에 도시한 바와 같이, 가스 도입 배관(50)은 양단부가 조인트(60, 61)를 통해 단관(51, 53)에 각각 접속되어 있고, 가스 도입 배관(50)의 하류측은 다시 조인트(62)와 단관(52) 및 조인트(64)를 통해 처리 용기(2)에 접속되고, 가스 도입 배관(50)의 상류측은 조인트(63)를 통해 밸브 유닛(70)에 접속되어 있다. 단관(51 내지 53)은 금속으로 이루어지는 짧은 배관이고, 예를 들어 스테인리스강으로 구성된다. 가스 도입 배관(50)과 처리 용기(2) 및 가스 도입 배관(50)과 밸브 유닛(70) 사이에 단관(51 내지 53)을 설치함으로써, 조인트(60, 61)를 이용하여 가스 도입 배관(50)만을 용이하게 제거하는 것이 가능하고, 교환도 용이하다. 또한, 처리 용기(2)의 가스 도입부(35)의 바로 근처에서 조인트(60, 62, 64)를 준비하고, 배관을 복수의 단관(51, 52)으로 분할함으로써, 가스 도입 배관(50)의 착탈 시에 있어서의 처리 용기(2)의 부하를 경감할 수 있지만, 이 점의 상세에 대해서는 후술한다. 또한, 가스 도입 배관(50)에 PFA 튜브를 사용했을 경우에는, PFA 튜브용의 SUS 조인트(Ep-fit)를 사용하여, 진공과 대기압 사이의 압력 변동에도 충분히 대응 가능하다.In addition, as shown in FIG. 4, the gas introduction pipe 50 has both ends connected to the single pipes 51 and 53 through joints 60 and 61, respectively, and the downstream side of the gas introduction pipe 50 is again a joint. It is connected to the processing container 2 via 62 and the single pipe 52 and the joint 64, and the upstream side of the gas introduction pipe 50 is connected to the valve unit 70 through the joint 63. The short pipes 51 to 53 are short pipes made of metal, and are made of stainless steel, for example. By introducing the short pipes 51 to 53 between the gas introduction pipe 50 and the processing vessel 2, and the gas introduction pipe 50 and the valve unit 70, the gas introduction pipes using the joints 60 and 61 ( It is possible to easily remove only 50), and exchange is easy. Further, by preparing the joints 60, 62, 64 in the immediate vicinity of the gas introduction portion 35 of the processing container 2, and dividing the piping into a plurality of single pipes 51, 52, the gas introduction piping 50 Although the load on the processing container 2 at the time of attachment and detachment can be reduced, details of this point will be described later. In addition, when a PFA tube is used for the gas introduction pipe 50, it is possible to sufficiently cope with pressure fluctuations between vacuum and atmospheric pressure by using a SUS joint (Ep-fit) for the PFA tube.

또한, 도 4에는 가스 도입 배관(50)의 양단부에 조인트(60, 61)를 설치함과 함께, 처리 용기(2) 및 밸브 유닛(70)에도 조인트(64, 63)를 설치하고, 또한 조인트(60)와 조인트(64) 사이에 조인트(62)를 설치하는 구성을 도시하였지만, 조인트(60, 61)를 설치하지 않고, 처리 용기(2) 및 밸브 유닛(70)의 조인트(64, 63)에 직접 가스 도입 배관(50)의 양단부를 각각 접속하는 구성이어도 된다.In addition, in FIG. 4, joints 60 and 61 are provided at both ends of the gas introduction pipe 50, and joints 64 and 63 are also installed in the processing container 2 and the valve unit 70, and also joints. Although the configuration in which the joint 62 is provided between the 60 and the joint 64 is shown, the joints 64 and 63 of the processing container 2 and the valve unit 70 are provided without the joints 60 and 61 installed. ) May be configured to directly connect both ends of the gas introduction pipe 50 respectively.

또한, 도 4에 있어서, 부호가 부여된 가스 도입 배관(50)은 불소 수지 튜브를 사용하고 있지만, 비교를 위해, 다른 가스 도입 배관은 종래의 스테인리스강의 플렉시블 배관을 사용하고 있다. 이와 같이, 일부에 불소 수지 튜브를 사용해도 되지만, 바람직하게는 모든 가스 도입 배관(50)을 불소 수지 튜브로 구성하는 것이 바람직하다.In Fig. 4, the fluorine resin tube is used as the gas introduction pipe 50 to which the designation is given, but for comparison, the other gas introduction pipe uses a conventional stainless steel flexible pipe. As described above, a fluororesin tube may be used for a part, but preferably, all the gas introduction pipes 50 are made of a fluororesin tube.

다음에, 도 5 내지 도 9를 사용하여, 복수의 단관(51, 52)을 가스 도입 배관(50)과 처리 용기(2)의 가스 도입부(35) 사이에 설치하는 것의 이점에 대해 설명한다.Next, the advantages of providing a plurality of single pipes 51 and 52 between the gas introduction pipe 50 and the gas introduction portion 35 of the processing vessel 2 will be described with reference to FIGS. 5 to 9.

도 5는 본 발명의 실시 형태에 따른 열처리 장치의 가스 도입 배관(50)의 처리 용기(2)측과 처리 용기(2) 사이의 단관(51, 52) 및 조인트(60, 62, 64)의 연결 구조의 일례를 도시한 도면이다.5 is a view showing a single pipe 51, 52 and a joint 60, 62, 64 between the processing vessel 2 side and the processing vessel 2 of the gas introduction pipe 50 of the heat treatment apparatus according to the embodiment of the present invention. It is a figure showing an example of a connection structure.

도 5에 도시된 바와 같이, 처리 용기(2)(도시하지 않음)의 외측면의 하단부 부근에 설치된 가스 도입부(35)에 인젝터(55)가 연통하여 설치되고, 가스 도입부(35)에 조인트(64)가 직접 접속되어 있다. 그리고, 가스 도입 배관(50)의 조인트(60)와 조인트(64) 사이에는 2개의 단관(51, 52)이 설치되고, 조인트(62)를 통해 단관(51, 52)끼리가 접속됨과 함께, 조인트(60)를 통해 단관(51)과 가스 도입 배관(50)이 접속되고, 조인트(64)를 통해 단관(52)이 접속되어 있다. 단관(51, 52)은, 상술한 바와 같이 스테인리스강 등으로 이루어지는 금속으로 구성되어도 된다.As shown in Fig. 5, the injector 55 is installed in communication with the gas introduction portion 35 provided near the lower end of the outer surface of the processing vessel 2 (not shown), and the joint ( 64) is directly connected. Then, between the joint 60 and the joint 64 of the gas introduction pipe 50, two single pipes 51, 52 are installed, and the single pipes 51, 52 are connected to each other through the joint 62, The single pipe 51 and the gas introduction pipe 50 are connected through the joint 60, and the single pipe 52 is connected through the joint 64. The short pipes 51 and 52 may be made of a metal made of stainless steel or the like as described above.

도 6은 가스 도입 배관(50)과 가스 도입부(35) 사이에, 1개의 단관(53)을 설치한 예를 도시한 도면이다. 가스 도입 배관(50)이 불소 수지 튜브로 이루어지는 경우, 가스 도입 배관(50)이 유연한 재질이므로, 외력이 가해지면 단관(53)에도 작용해 버려(예를 들어, 도 6의 화살표와 같이), 인젝터(55)가 기울어질 우려가 있다.6 is a view showing an example in which one single pipe 53 is provided between the gas introduction pipe 50 and the gas introduction portion 35. When the gas introduction pipe 50 is made of a fluororesin tube, since the gas introduction pipe 50 is a flexible material, it acts also on the short pipe 53 when an external force is applied (for example, as shown in the arrow in FIG. 6), There is a fear that the injector 55 is tilted.

즉, 조인트(64)는 O-링 등의 시일 부재를 통해 인젝터(55)에 연결되는 구조로 되므로, 단관(53)에 외력이 가해졌을 때나 조인트(64)를 체결할 때, O-링을 통해 조인트(64)의 나사 결합 체결의 회전력이 인젝터(55)에 전달되어 버려, 인젝터(55)가 기울어질 우려가 있다. 인젝터(55)는 처리 용기(2)의 내주벽에 평행하게 연직 방향으로 연장되어 복수 설치되어 있으므로, 인젝터(55)가 기울어지면, 인젝터(55)끼리의 접촉이나, 인젝터(55)와 처리 용기(2)의 접촉이 발생할 우려가 있다. 처리 용기(2) 및 인젝터(55)는 석영으로 형성되어 있는 경우가 많으므로, 석영끼리가 접촉하면, 파티클이 발생할 우려가 있다. 따라서, 가스 도입 배관(50)을 처리 용기(2)에 연결할 때의 인젝터(55)의 기울어짐은 확실히 방지할 수 있는 구성인 것이 바람직하다.That is, since the joint 64 has a structure connected to the injector 55 through a sealing member such as an O-ring, when an external force is applied to the short pipe 53 or when the joint 64 is fastened, the O-ring Through the rotation force of the screw coupling fastening of the joint 64 is transmitted to the injector 55, there is a fear that the injector 55 is inclined. Since the injector 55 extends in a vertical direction parallel to the inner circumferential wall of the processing container 2, when the injector 55 is inclined, contact between the injectors 55 or the injector 55 and the processing container (2) Contact may occur. Since the processing container 2 and the injector 55 are often formed of quartz, when quartz are in contact with each other, there is a fear that particles are generated. Therefore, it is preferable that the injector 55 is inclined when the gas introduction pipe 50 is connected to the processing container 2, which can be prevented.

도 7 내지 도 9는 그와 같은 인젝터(55)의 기울어짐을 방지하는 가스 도입 배관(50)의 연결 구조 및 연결 수순의 일례를 도시하고 있다.7 to 9 show an example of the connection structure and the connection procedure of the gas introduction pipe 50 to prevent such inclination of the injector 55.

도 7은 단관(52)을 가스 도입부(35)에 조인트(64)를 통해 접속 고정하는 단계를 도시한 도면이다. 도 7에 도시한 바와 같이, 처음에, 단관(52)을 가스 도입부(35)에 조인트(64)를 통해 접속한다. 또한, 조인트(64)는 단관(52)을 유지 가능함과 함께, 외주측에 나사산이 형성된 구조를 가져도 되고, 가스 도입부(35)의 내주측에 형성된 나사산과 나사 결합 가능하게 구성되어도 된다. 가스 도입부(35)는 인젝터(55)가 연통 가능함과 함께, 단관(52)이 연통 가능한 연통 구멍(36)을 갖는다. 인젝터(55) 및 단관(52)을 가스 도입부(35)에 연결함으로써, 인젝터(55)와 단관(52)을 연통하는 것이 가능해진다. 또한, 단관(52)을 가스 도입부(35)에 접속할 때에는, 조인트(64)의 체결 시의 회전을 인젝터(55)에 영향을 미치지 않도록 작업을 행함으로써, 인젝터(55)의 기울어짐을 방지할 수 있다.7 is a view showing a step of connecting and fixing the short pipe 52 to the gas introduction part 35 through the joint 64. As shown in FIG. 7, initially, the short pipe 52 is connected to the gas introduction part 35 through the joint 64. As shown in FIG. Further, the joint 64 may hold the short pipe 52 and may have a structure in which threads are formed on the outer circumferential side, or may be configured to be screwable with threads formed on the inner circumferential side of the gas introduction part 35. The gas introduction part 35 has a communication hole 36 through which the injector 55 can communicate, and the short pipe 52 can communicate. By connecting the injector 55 and the short pipe 52 to the gas introduction part 35, it becomes possible to communicate the injector 55 and the short pipe 52. In addition, when the single pipe 52 is connected to the gas introduction portion 35, the injector 55 can be prevented from tilting by performing operations such that rotation at the time of fastening of the joint 64 does not affect the injector 55. have.

도 8은 단관(51)과 가스 도입 배관(50)을 조인트(60)를 통해 접속하는 단계를 도시한 도면이다. 도 8에 도시한 바와 같이, 가스 도입 배관(50)은 조인트(60)를 통해, 단관(51)에 용이하게 접속할 수 있다.8 is a view showing a step of connecting the short pipe 51 and the gas introduction pipe 50 through the joint 60. As shown in FIG. 8, the gas introduction pipe 50 can be easily connected to the short pipe 51 through the joint 60.

도 9는 단관(52)과 단관(51)을 조인트(62)를 통해 접속하는 단계를 도시한 도면이다. 도 9에 도시한 바와 같이, 2개의 단관(51, 52)을 설치함으로써, 최종적인 가스 도입 배관(50)의 가스 도입부(35)로의 연결은 단관(51, 52)끼리의 접속으로 할 수 있다. 단관(51, 52)은 금속으로 구성되어 있으므로, 충분한 강성을 갖는다. 단관(52)은 이미 가스 도입부(35)에 고정되어 있으므로, 단관(51)을 단관(52)에 접속할 때, 조인트(62)를 돌려도, 인젝터(55)는 기울어지지 않는다.9 is a view showing a step of connecting the short pipe 52 and the short pipe 51 through the joint 62. As shown in Fig. 9, by providing two short pipes 51 and 52, the final gas introduction pipe 50 can be connected to the gas introduction portion 35 by connecting the short pipes 51 and 52. . Since the single pipes 51 and 52 are made of metal, they have sufficient rigidity. Since the short pipe 52 is already fixed to the gas introduction part 35, when connecting the short pipe 51 to the short pipe 52, even if the joint 62 is turned, the injector 55 will not be inclined.

이와 같이, 가스 도입 배관(50)과 처리 용기(2)의 가스 도입부(35) 사이에 복수의 단관(51, 52)을 설치함으로써, 가스 도입 배관(50)을 가스 도입부(35)에 연결할 때에 인젝터(55)가 기울어지는 것을 방지할 수 있다. 또한, 도 7 내지 도 9에 있어서는, 2개의 단관(51, 52)으로 가스 도입 배관(50)과 가스 도입부(35)를 연결하는 예를 들어 설명하였지만, 단관(51, 52)은 복수 설치되어 있으면 되고, 2개 보다 많이 설치해도 된다. 단관(51, 52)은 용도에 따라 적절히 적절한 개수로 할 수 있다.In this way, when the plurality of short pipes 51 and 52 are provided between the gas introduction pipe 50 and the gas introduction portion 35 of the processing container 2, the gas introduction pipe 50 is connected to the gas introduction portion 35 It is possible to prevent the injector 55 from being tilted. 7 to 9, although the example of connecting the gas introduction pipe 50 and the gas introduction portion 35 with two single pipes 51 and 52 has been described, a plurality of single pipes 51 and 52 are provided. You may just have it, and you may install more than two. The single pipes 51 and 52 can be appropriately numbered according to the application.

도 10은 본 발명의 실시 형태에 따른 열처리 장치의 일례의 가스 도입 배관(50)의 단면 구성을 도시한 도면이다. 도 10에 도시한 바와 같이, 가스 도입 배관(50)은 불소 수지 튜브(51)의 외주면을 커버 부재(52)로 덮은 이중화 구조를 가져도 된다. 불소 수지 튜브(51)는 처리 가스의 내부식성은 우수하지만, 경우에 따라서는, 처리 가스를 미량으로 투과시켜 버릴 우려가 있다. 따라서, 그와 같은 투과의 우려가 있는 경우에는, 불소 수지 튜브(51)의 주위를, 투과성이 낮은 부재로 이루어지는 커버 부재(52)로 덮도록 해도 된다.10 is a diagram showing a cross-sectional configuration of a gas introduction pipe 50 as an example of a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention. As illustrated in FIG. 10, the gas introduction pipe 50 may have a dual structure in which the outer peripheral surface of the fluorine resin tube 51 is covered with a cover member 52. Although the fluororesin tube 51 has excellent corrosion resistance of the processing gas, in some cases, there is a fear that the processing gas may be transmitted through a trace amount. Therefore, when there is a possibility of such permeation, the periphery of the fluororesin tube 51 may be covered with a cover member 52 made of a member having low permeability.

커버 부재(52)는 처리 가스의 투과를 방지할 수 있으면, 다양한 재료로 구성되어도 되지만, 예를 들어 금속 재료로 구성되어도 된다. 상술한 바와 같이, 금속 재료는 처리 가스와의 반응에 의해 부식될 우려가 있는 재료이지만, 불소 수지 튜브(51)로부터 투과하는 처리 가스는 극히 미량이므로, 금속 재료를 커버 부재(52)에 사용해도, 부식에 이를 우려는 거의 없다. 금속 재료는 금속박이나 금속 테이프 등의, 커버 부재(52)로서 매우 용이하고, 또한 저렴하게 이용할 수 있는 것이 많이 존재하므로, 적절히 이용할 수 있다. 금속 재료의 종류로서는, 용도에 따라 적절한 금속을 적절히 선택할 수 있지만, 예를 들어 알루미늄으로 이루어지는 알루미늄박이나, 알루미늄 테이프 등을 커버 부재(52)로서 이용해도 된다.The cover member 52 may be made of various materials as long as it can prevent the permeation of the processing gas, but may be made of, for example, a metal material. As described above, the metal material is a material that may be corroded by reaction with the processing gas, but the processing gas permeating from the fluorine resin tube 51 is extremely small, so even if the metal material is used for the cover member 52 However, there is little risk of corrosion. The metal material is very easy to use as the cover member 52, such as a metal foil or a metal tape, and there are many that can be used inexpensively. As the type of the metal material, an appropriate metal can be appropriately selected depending on the application, but for example, an aluminum foil made of aluminum, an aluminum tape, or the like may be used as the cover member 52.

또한, 커버 부재(52)는 금속 재료 이외의 재료도, 처리 가스의 투과를 방지할 수 있으면 다양한 재료를 사용할 수 있다. 예를 들어, 커버 부재(52)를, 불소 수지 튜브로 구성하여, 불소 수지 튜브의 이중 구조로 해도 된다. 이중 구조로 하면, 불소 수지 튜브끼리의 조합이라도, 불소 수지 튜브(51)의 투과를 효과적으로 방지할 수 있다.The cover member 52 can be made of a variety of materials other than metal materials as long as it can prevent the permeation of the processing gas. For example, the cover member 52 may be composed of a fluororesin tube, and may have a double structure of a fluororesin tube. With the double structure, even if the fluororesin tubes are combined, the permeation of the fluororesin tube 51 can be effectively prevented.

도 11은 본 발명의 실시 형태에 따른 열처리 장치의 다른 예의 가스 도입 배관(50a)의 단면 구성을 도시한 도면이다. 도 11에 도시한 바와 같이, 가스 도입 배관(50a)은 불소 수지 튜브(51)의 외주면을, 관상의 커버 부재(53)로 덮은 이중관 구조를 가져도 된다. 관상의 커버 부재(53)는 처리 가스의 투과를 방지할 수 있으면, 다양한 재료로 구성되어도 되지만, 예를 들어 금속 재료로 구성되어도 된다. 관상의 커버 부재(53)는, 예를 들어 스테인리스강의 플렉시블 배관으로 구성되어도 되고, 이 경우도, 불소 수지 튜브(51)로부터의 처리 가스의 투과량은 극히 미량이므로, 부식의 우려 없이 SUS 플렉시블 배관을 사용할 수 있다. 또한, 관상의 커버 부재(53)에 대해서도, 금속 재료 이외의 재료도, 불소 수지 튜브를 포함하여, 처리 가스의 투과를 방지할 수 있으면 다양한 재료를 사용할 수 있는 것은 물론이다.11 is a diagram showing a cross-sectional configuration of a gas introduction pipe 50a of another example of the heat treatment apparatus according to the embodiment of the present invention. 11, the gas introduction pipe 50a may have a double pipe structure in which the outer circumferential surface of the fluororesin tube 51 is covered with a tubular cover member 53. As shown in FIG. The tubular cover member 53 may be made of various materials as long as it can prevent the permeation of the processing gas, but may be made of, for example, a metal material. The tubular cover member 53 may be formed of, for example, a flexible pipe made of stainless steel. In this case, the permeate amount of the processing gas from the fluorine resin tube 51 is extremely small, and thus the SUS flexible pipe can be used without fear of corrosion. Can be used. In addition, for the tubular cover member 53, it is needless to say that various materials can be used as long as materials other than metal materials, including fluorine resin tubes, can be prevented from permeating process gases.

이와 같이, 본 발명의 실시 형태에 따른 열처리 장치에 의하면, 가스 도입 배관(50)에 불소 수지 튜브(51)를 사용함으로써, 잔류 가스에 의한 부식을 방지하면서, 높은 유지 보수성을 유지할 수 있다.As described above, according to the heat treatment apparatus according to the embodiment of the present invention, by using the fluororesin tube 51 for the gas introduction pipe 50, it is possible to maintain high maintainability while preventing corrosion by residual gas.

또한, 도 2를 참조하여 본 발명의 실시 형태에 따른 열처리 장치의 동작을 설명한다. 먼저, 웨이퍼 보트(27)에 복수매의 웨이퍼(W)를 적재하고, 보트 엘리베이터(26)에 의해 매니폴드(24) 하방측의 개구부로부터 웨이퍼 보트(27)를 처리 용기(2) 내에 반입한다. 보트 엘리베이터(26)가 상승하면, 매니폴드(24) 하방측의 개구부는 덮개(28)에 의해 막힌다. 그리고, 히터(29b)로 웨이퍼(W)를 가열함과 함께, 가스 도입 배관(50)을 통해, 인젝터(55)로부터 처리 용기(2) 내에 처리 가스가 도입된다. 이와 같이 하여, 처리 가스를 공급하면서 웨이퍼(W)를 가열함으로써, 웨이퍼(W)의 표면 상에 성막이 행해진다. 열처리 후에는 보트 엘리베이터(26)를 하강시켜, 처리 완료된 웨이퍼(W)를 처리 용기(2)로부터 반출하고, 웨이퍼 보트(27)로부터 처리 완료된 웨이퍼(W)를 1매씩 더 반출한다. 예를 들어, 이와 같은 동작에 의해, 웨이퍼(W)의 열처리가 행해진다. 열처리를 행할 때, 가스 도입 배관(50)을 거쳐서 처리 가스가 처리 용기(2) 내에 도입되지만, 처리 가스가 가스 도입 배관(50)에 잔류해도, 가스 도입 배관(50)은 부식되기 어려운 불소 수지 튜브(51)가 사용되므로, 부식을 방지할 수 있다. 또한, 정기적인 유지 보수를 행하는 경우도, 가스 도입 배관(50)은 변형 가능한 불소 수지 튜브(51)를 사용하고 있으므로, 가스 도입 배관(50)의 착탈은 용이하다.In addition, the operation of the heat treatment apparatus according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 2. First, a plurality of wafers W are loaded on the wafer boat 27, and the wafer boat 27 is carried into the processing container 2 from the opening on the lower side of the manifold 24 by the boat elevator 26. . When the boat elevator 26 is raised, the opening on the lower side of the manifold 24 is closed by the cover 28. Then, while heating the wafer W with the heater 29b, the processing gas is introduced into the processing container 2 from the injector 55 through the gas introduction pipe 50. In this way, film formation is performed on the surface of the wafer W by heating the wafer W while supplying the processing gas. After the heat treatment, the boat elevator 26 is lowered, and the processed wafer W is taken out from the processing container 2, and the processed wafer W is further taken out from the wafer boat 27 one by one. For example, the heat treatment of the wafer W is performed by such an operation. When heat treatment is performed, the processing gas is introduced into the processing container 2 through the gas introduction pipe 50, but even if the processing gas remains in the gas introduction pipe 50, the gas introduction pipe 50 is hardly corroded with fluorine resin. Since the tube 51 is used, corrosion can be prevented. In addition, even in the case of regular maintenance, the gas introduction pipe 50 uses a deformable fluorine resin tube 51, and thus the gas introduction pipe 50 is easily detached.

이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해 상세하게 설명하였지만, 본 발명은 상술한 실시 형태로 제한되지 않고, 본 발명의 범위를 일탈하지 않고, 상술한 실시 형태에 다양한 변형 및 치환을 가할 수 있다.The preferred embodiments of the present invention have been described above in detail, but the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and substitutions can be made to the above-described embodiments without departing from the scope of the present invention.

2 : 처리 용기
27 : 웨이퍼 보트
50 : 가스 도입 배관
51 : 불소 수지 튜브
52, 53 : 커버 부재
55 : 인젝터
60, 61, 62, 63, 64 : 조인트
70 : 밸브 유닛
71 : 밸브 모듈
72, 73 : 밸브
80 : 가스 배관
90 : 가스 공급원2: processing container
27: wafer boat
50: gas introduction piping
51: fluorine resin tube
52, 53: cover member
55: injector
60, 61, 62, 63, 64: joint
70: valve unit
71: valve module
72, 73: valve
80: gas piping
90: gas supply

Claims (17)

열처리를 행하는 처리 용기와,
당해 처리 용기와 이격하여 설치된 밸브 유닛과,
당해 밸브 유닛과 상기 처리 용기의 소정의 가스 도입부 사이에 변형 가능하게 연결되어, 상기 밸브 유닛을 통해 처리 가스를 상기 처리 용기 내에 도입 가능한 불소 수지 튜브를 갖고,
상기 불소 수지 튜브는 상기 처리 용기 및 상기 밸브 유닛과, 적어도 1개의 조인트를 통해 착탈 가능하게 연결되어 있고,
상기 불소 수지 튜브와 상기 처리 용기 사이에는 상기 조인트를 통해, 금속으로 이루어지는 단관이 접속되고,
상기 처리 용기와 상기 불소 수지 튜브 사이의 상기 단관은 복수의 단관으로 이루어지고, 각각이 상기 조인트를 통해 접속되어 있는, 열처리 장치.A processing container for performing heat treatment,
A valve unit spaced apart from the processing container,
It has a fluororesin tube which is deformably connected between the valve unit and a predetermined gas introduction portion of the processing container, and can introduce processing gas into the processing container through the valve unit.
The fluororesin tube is detachably connected to the processing container and the valve unit through at least one joint,
Between the fluorine resin tube and the processing container, a single tube made of metal is connected through the joint,
The heat treatment apparatus, wherein the single pipe between the processing container and the fluororesin tube is composed of a plurality of single pipes, each of which is connected through the joint. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 처리 용기를 관통하여, 상기 처리 용기 내에 상기 처리 가스를 공급하는 인젝터를 갖고,
당해 인젝터는 상기 소정의 가스 도입부에 연결되고,
상기 복수의 단관의 1개는 상기 조인트를 통해 상기 소정의 가스 도입부에 직접 접속되어 있는, 열처리 장치.The method according to claim 1, having an injector penetrating the processing container and supplying the processing gas into the processing container,
The injector is connected to the predetermined gas introduction portion,
One of the plurality of single pipes is a heat treatment apparatus that is directly connected to the predetermined gas introduction portion through the joint. 제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 불소 수지 튜브와 상기 밸브 유닛 사이에는 상기 조인트를 통해, 금속으로 이루어지는 단관이 접속된, 열처리 장치.The heat treatment apparatus according to claim 1 or 5, wherein a single pipe made of metal is connected between the fluororesin tube and the valve unit through the joint. 제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 처리 용기의 상기 소정의 가스 도입부는 상기 처리 용기의 하단부 부근의 외측면에 설치되어 있는, 열처리 장치.The heat treatment apparatus according to claim 1 or 5, wherein the predetermined gas introduction part of the processing container is provided on an outer surface near the lower end of the processing container. 제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 불소 수지 튜브는 테트라플루오로에틸렌ㆍ퍼플루오로알킬비닐에테르 공중합체 또는 테트라플루오로에틸렌으로 이루어지는, 열처리 장치.The heat treatment apparatus according to claim 1 or 5, wherein the fluororesin tube is made of tetrafluoroethylene / perfluoroalkyl vinyl ether copolymer or tetrafluoroethylene. 제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 불소 수지 튜브의 외주면을 덮는 커버 부재를 더 갖는, 열처리 장치.The heat treatment apparatus according to claim 1 or 5, further comprising a cover member covering an outer circumferential surface of the fluororesin tube. 제9항에 있어서, 상기 커버 부재는 상기 불소 수지 튜브와 동일 재료로 이루어지는, 열처리 장치.The heat treatment apparatus according to claim 9, wherein the cover member is made of the same material as the fluororesin tube. 제9항에 있어서, 상기 커버 부재는 상기 불소 수지 튜브와 다른 재료로 이루어지는, 열처리 장치.The heat treatment apparatus according to claim 9, wherein the cover member is made of a material different from the fluororesin tube. 제11항에 있어서, 상기 커버 부재는 금속으로 이루어지는, 열처리 장치.The heat treatment apparatus according to claim 11, wherein the cover member is made of metal. 제12항에 있어서, 상기 커버 부재는 금속박 또는 금속 테이프인, 열처리 장치.The heat treatment apparatus according to claim 12, wherein the cover member is a metal foil or a metal tape. 제13항에 있어서, 상기 금속박 또는 금속 테이프는 알루미늄박 또는 알루미늄 테이프인, 열처리 장치.The heat treatment apparatus according to claim 13, wherein the metal foil or metal tape is an aluminum foil or aluminum tape. 제12항에 있어서, 상기 커버 부재는 금속관인, 열처리 장치.The heat treatment apparatus according to claim 12, wherein the cover member is a metal tube. 제15항에 있어서, 상기 금속관은 스테인리스강으로 이루어지는, 열처리 장치.The heat treatment apparatus according to claim 15, wherein the metal tube is made of stainless steel. 제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 밸브 유닛에는 복수의 상기 불소 수지 튜브가 집약적으로 접속된, 열처리 장치.The heat treatment apparatus according to claim 1 or 5, wherein a plurality of the fluororesin tubes are intensively connected to the valve unit.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6789171B2 (en) * 2017-04-21 2020-11-25 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing equipment, particle coating method in processing gas nozzle and substrate processing method
JP6925214B2 (en) * 2017-09-22 2021-08-25 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing method and substrate processing equipment

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001126998A (en) * 1999-10-28 2001-05-11 Tokyo Electron Ltd Treatment apparatus
JP2006112507A (en) * 2004-10-14 2006-04-27 Tohoku Univ Double layer fluororesin tube and method of manufacturing the same
JP2007088166A (en) * 2005-09-21 2007-04-05 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate treatment equipment

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH025172Y2 (en) * 1984-09-21 1990-02-07
JPS6294922A (en) * 1985-10-22 1987-05-01 Fuji Photo Film Co Ltd Film forming device using plasma cvd method
JPH06232080A (en) * 1993-02-01 1994-08-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Plasma processing device
JP4304323B2 (en) * 1998-09-07 2009-07-29 東京エレクトロン株式会社 Gas supply system
JP3403181B2 (en) * 2001-03-30 2003-05-06 東京エレクトロン株式会社 Heat treatment apparatus and heat treatment method
JP5501807B2 (en) * 2009-03-31 2014-05-28 東京エレクトロン株式会社 Processing equipment

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001126998A (en) * 1999-10-28 2001-05-11 Tokyo Electron Ltd Treatment apparatus
JP2006112507A (en) * 2004-10-14 2006-04-27 Tohoku Univ Double layer fluororesin tube and method of manufacturing the same
JP2007088166A (en) * 2005-09-21 2007-04-05 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate treatment equipment

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