JP2001119254A - 利得可変増幅回路および通信機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 受信信号の信号レベル全域において、ひずみ
特性の優れた性能を実現する。 【解決手段】 増幅用トランジスタＴ１は、入力された
受信信号を増幅して出力する。このとき、増幅用トラン
ジスタＴ１に入力される受信信号の割合を、分流用トラ
ンジスタＴ３によって、受信信号の信号レベルに応じて
変化させる。また、増幅用トランジスタＴ１に対する受
信信号の信号経路は、バイパス用トランジスタＴ５によ
って、受信信号の信号レベルに応じて切り換えられる。
これによりローノイズアンプ２１は、ＡＧＣ機能と信号
のバイパス機能を有する増幅回路を実現し、受信信号の
信号レベル全域において、ひずみ特性の優れた性能を実
現する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話機等にお
いて受信された受信信号を可変利得で増幅可能な利得可
変増幅回路およびこの利得可変増幅回路を備えた携帯電
話機等の通信機器に関する。

【０００２】

【従来の技術】携帯電話機等の通信機器において、希望
とする受信信号と共に、受信信号とは異なる周波数成分
の妨害信号が入力されると、各信号間で相互変調問題が
発生し、受信感度が低下する。そこで、例えば、ＣＤＭ
Ａ（Code Division Multiple Access ：符号分割多元接
続）方式の携帯電話機においては、受信感度が低下する
のを防止するために、「ＩＳ（Interim Standard）−
９５」という性能基準が規定されている。このＩＳ−９
５では、例えば、（１）受信信号レベルが−１０１ｄＢ
ｍで１つの妨害信号−３０ｄＢｍ、（２）受信信号レベ
ルが−１０１ｄＢｍで２つの妨害信号−４３ｄＢｍ、
（３）受信信号レベルが−９０ｄＢｍで２つの妨害信号
−３２ｄＢｍ、（４）受信信号レベルが−７９ｄＢｍで
２つの妨害信号−２１ｄＢｍ、の各条件下で感度が通信
に充分な値であること、という性能基準が規定されてい
る。

【０００３】このようなＩＳ−９５の性能基準を実現す
るためには、特に、受信系回路の高周波段に、３次ひず
み特性（デバイスの性能としては入力インタセプトポイ
ント( ＩＩＰ３) といわれる性能）が優れているローノ
イズアンプ（ＬＮＡ: 低雑音高周波増幅器）が必要とさ
れる。まず、−１０１ｄＢｍの受信信号レベルにおける
性能は、従来からある通常の技術を用いて、増幅用のト
ランジスタに１０ｍＡ程度の電流を流すような回路によ
ってローノイズアンプを構成すれば満足することができ
る。しかしながら、３次ひずみ特性を改善する手段とし
て、電流を多く流すという手法を用いるだけでは、−９
０ｄＢｍと−７９ｄＢｍの受信信号レベルにおける性能
を満足することはできない。また、最近開発されたシリ
コンゲルマニューム（ＳｉＧｅ）やガリウム砒素（Ｇａ
Ａｓ）のヘテロバイポーラ・トランジスタ（ＨＢＴ）を
適用しても、従来からある通常の利得一定の増幅動作だ
けでは、−９０ｄＢｍと−７９ｄＢｍの受信信号レベル
における性能は満足しない。

【０００４】現在、−７９ｄＢｍにおける性能を実現す
る方法として、例えば、図５に示すような回路を用いる
場合がある。同図に示した回路は、高周波の受信信号Ｉ
Ｎを増幅する高周波増幅回路１０１と、この高周波増幅
回路１０１に並列接続され、受信信号ＩＮを高周波増幅
回路１０１に対して選択的にバイパスさせるバイパスス
イッチ回路１０２とを備えている。高周波増幅回路１０
１とバイパススイッチ回路１０２は、受信信号ＩＮが入
力される入力端子１０３と、出力信号ＯＵＴを出力する
出力端子１０４とに接続されている。高周波増幅回路１
０１は、増幅用トランジスタを含んで構成され、利得一
定で動作するものである。バイパススイッチ回路１０２
は、スイッチング素子を含んで構成されるものである。
バイパススイッチ回路１０２は、高周波増幅回路１０１
に対してディスクリート部品（個別部品）で構成され
る。

【０００５】この回路では、例えば、受信信号ＩＮの信
号レベルが−７９ｄＢｍ以上のときに、バイパススイッ
チ回路１０２がオンし、信号レベルが−７９ｄＢｍより
小さいときには、バイパススイッチ回路１０２がオフ状
態となるように動作する。このとき、高周波増幅回路１
０１は、受信信号ＩＮの信号レベルが−７９ｄＢｍ以上
で増幅動作がオフ状態となり、信号レベルが−７９ｄＢ
ｍより小さいときには増幅動作がオン状態となるように
動作し、利得一定で受信信号ＩＮを増幅する。この回路
では、バイパススイッチ回路１０２がオンの状態では、
利得がないため、＋１０ｄＢｍ以上のＩＩＰ３特性を示
し、−７９ｄＢｍの性能を満足する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図５に
示した回路では、バイパススイッチ回路１０２が高周波
増幅回路１０１に並列に接続されていると共に、特に、
バイパススイッチ回路１０２が、高周波増幅回路１０１
に対してディスクリート部品で構成されているので、高
周波増幅回路１０１の増幅動作時における利得やＮＦ
（Noise Figure: 雑音指数）の性能のばらつきが大きく
なるという問題がある。

【０００７】また、図５に示した回路では、−９０ｄＢ
ｍにおける性能を充分に満足できないという問題があ
る。すなわち、高周波増幅回路１０１における利得一定
の動作では、動作電流をかなり大きく設定しても、現状
の入手可能なデバイスでは、−９０ｄＢｍにおける性能
を充分に満足できない。また、信号レベルが−９０ｄＢ
ｍのときに、バイパススイッチ回路１０２をオン状態に
した場合には、受信信号ＩＮの信号レベルが小さい状態
であるため、充分な感度が達成されない。

【０００８】上述のように従来のＬＮＡ回路は、利得一
定のアンプとバイパススイッチ回路で構成しているた
め、−９０ｄＢｍにおけるひずみ特性を満足していな
い。また、バイパススイッチ回路１０２がディスクリー
ト部品で構成されていたため、感度にバラツキが起こり
やすく、バイパススイッチ回路１０２が正帰還素子のふ
るまいをして、異常発振が起こるという問題がある。

【０００９】そこで、−９０ｄＢｍにおける性能を満足
するために、例えば、特開平11-196015 号公報では、高
周波増幅回路１０１として、ＡＧＣ（Automatic Gain C
ontrol: 自動利得制御）機能付きの利得可変増幅回路を
適用した回路が提案されている。この公報記載の発明で
は、受信レベルに応じて利得を可変的に制御することに
より、−９０ｄＢｍにおける性能を満足することができ
る。しかしながら、この公報では、利得可変増幅回路と
バイパススイッチ回路とを具体的にどのような回路で構
成するかについての言及がなく、実現性に乏しいという
問題がある。

【００１０】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、受信信号の信号レベル全域におい
て、ひずみ特性の優れた性能を実現することができるよ
うにした利得可変増幅回路および通信機器を提供するこ
とにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の利得可変
増幅回路は、入力された高周波の受信信号を増幅する増
幅用トランジスタと、増幅用トランジスタと共にカレン
トミラー回路を形成し、増幅用トランジスタの動作電流
を制御するための第１の制御用トランジスタと、増幅用
トランジスタに並列接続されると共に、受信信号の信号
レベルに応じて、増幅用トランジスタに入力される受信
信号の割合を変化させる分流用トランジスタと、分流用
トランジスタと共にカレントミラー回路を形成し、分流
用トランジスタの動作電流を制御するための第２の制御
用トランジスタと、増幅用トランジスタに並列接続され
ると共に、受信信号の信号レベルに応じてオン・オフ制
御され、増幅用トランジスタに対する受信信号の信号経
路を切り換えるためのスイッチング素子とを備えたもの
である。

【００１２】この利得可変増幅回路では、増幅用トラン
ジスタによって、入力された高周波の受信信号が増幅さ
れる。このとき、増幅用トランジスタに入力される受信
信号の割合は、受信信号の信号レベルに応じて、増幅用
トランジスタに並列接続された分流用トランジスタによ
って変化させられる。また、増幅用トランジスタに並列
接続されたスイッチング素子によって、受信信号の信号
レベルに応じて、増幅用トランジスタに対する受信信号
の信号経路が切り換えられる。

【００１３】請求項２記載の利得可変増幅回路は、請求
項１記載の利得可変増幅回路において、更に、外部から
入力された制御用信号に基づいて、受信信号の信号レベ
ルに応じて各トランジスタおよびスイッチング素子の動
作制御を行う制御回路を備え、制御回路が、スイッチン
グ素子がオン状態のときに、増幅用トランジスタおよび
分流用トランジスタに対して受信信号が非入力状態とな
り、スイッチング素子がオフ状態のときに、増幅用トラ
ンジスタおよび分流用トランジスタに対して受信信号が
入力状態となるように、各トランジスタおよびスイッチ
ング素子の動作制御を行うようにしたものである。

【００１４】この利得可変増幅回路では、制御回路によ
って、外部から入力された制御用信号に基づいて、受信
信号の信号レベルに応じて、スイッチング素子がオン状
態のときに、増幅用トランジスタおよび分流用トランジ
スタに対して受信信号が非入力状態となり、スイッチン
グ素子がオフ状態のときに、増幅用トランジスタおよび
分流用トランジスタに対して受信信号が入力状態となる
ように、各トランジスタおよびスイッチング素子の動作
制御が行われる。

【００１５】請求項３記載の利得可変増幅回路は、請求
項２記載の利得可変増幅回路において、制御回路が、受
信信号の信号レベルが所定値より小さいときに、スイッ
チング素子がオフ状態となり、受信信号の信号レベルが
所定値以上のときに、スイッチング素子がオン状態にな
るように、スイッチング素子の動作制御を行うようにし
たものである。

【００１６】この利得可変増幅回路では、制御回路によ
って、受信信号の信号レベルが所定値より小さいとき
に、スイッチング素子がオフ状態となり、受信信号の信
号レベルが所定値以上のときに、スイッチング素子がオ
ン状態になるように、スイッチング素子の動作制御が行
われる。

【００１７】請求項４記載の利得可変増幅回路は、請求
項２記載の利得可変増幅回路において、制御回路が、外
部から入力された第１の制御用信号に基づいて、増幅用
トランジスタの利得制御を行う第１の制御回路と、外部
から入力された第２の制御用信号に基づいて、スイッチ
ング素子をオン・オフ制御する第２の制御回路とを有し
たものである。

【００１８】この利得可変増幅回路では、第１の制御回
路によって、外部から入力された第１の制御用信号に基
づいて、増幅用トランジスタの利得制御が行われる。ま
た、第２の制御回路によって、外部から入力された第２
の制御用信号に基づいて、スイッチング素子がオン・オ
フ制御される。

【００１９】請求項５記載の利得可変増幅回路は、請求
項１記載の利得可変増幅回路において、増幅用トランジ
スタのベース端子を、高周波的に接地するようにしたも
のである。

【００２０】請求項６記載の利得可変増幅回路は、請求
項１記載の利得可変増幅回路において、増幅用トランジ
スタおよび分流用トランジスタに流れる動作電流の和
を、一定の通信環境下にある限りにおいて、受信信号の
信号レベルの変化に関わらず一定に保つようにしたもの
である。

【００２１】この利得可変増幅回路では、増幅用トラン
ジスタおよび分流用トランジスタに流れる動作電流の和
が、一定の通信環境下にある限りにおいて、受信信号の
信号レベルの変化に関わらず一定に保たれる。

【００２２】請求項７記載の利得可変増幅回路は、請求
項６記載の利得可変増幅回路において、増幅用トランジ
スタおよび分流用トランジスタに流れる動作電流の和
を、妨害信号の有無を含む通信環境の違いに応じて変化
させるようにしたものである。

【００２３】この利得可変増幅回路では、動作電流の和
が、妨害信号の有無を含む通信環境の違いに応じて変化
させられる。

【００２４】請求項８記載の通信機器は、受信信号に対
する信号処理を行う受信装置と、受信装置に入力された
高周波の受信信号を可変的に増幅する利得可変増幅回路
とを備えた通信機器であって、利得可変増幅回路が、入
力された高周波の受信信号を増幅する増幅用トランジス
タと、増幅用トランジスタと共にカレントミラー回路を
形成し、増幅用トランジスタの動作電流を制御するため
の第１の制御用トランジスタと、増幅用トランジスタに
並列接続されると共に、受信信号の信号レベルに応じ
て、増幅用トランジスタに入力される受信信号の割合を
変化させる分流用トランジスタと、分流用トランジスタ
と共にカレントミラー回路を形成し、分流用トランジス
タの動作電流を制御するための第２の制御用トランジス
タと、増幅用トランジスタに並列接続されると共に、受
信信号の信号レベルに応じてオン・オフ制御され、増幅
用トランジスタに対する受信信号の信号経路を切り換え
るためのスイッチング素子とを備えたものである。

【００２５】この通信機器では、利得可変増幅回路にお
ける増幅用トランジスタによって、入力された高周波の
受信信号が増幅される。このとき、増幅用トランジスタ
に入力される受信信号の割合は、受信信号の信号レベル
に応じて、増幅用トランジスタに並列接続された分流用
トランジスタによって変化させられる。また、増幅用ト
ランジスタに並列接続されたスイッチング素子によっ
て、受信信号の信号レベルに応じて、増幅用トランジス
タに対する受信信号の信号経路が切り換えられる。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。

【００２７】図１は、本発明の一実施の形態に係る通信
機器としての携帯電話機の構成を示すブロック図であ
る。なお、図では、携帯電話機の一構成例として、ＣＤ
ＭＡ方式とＦＭ方式のデュアルモードを有するものにつ
いて、高周波信号を扱う部分を中心に示している。この
図に示した携帯電話機は、送信信号に対する信号処理を
行う送信（ＴＸ）系回路１と、受信信号に対する信号処
理を行う受信（ＲＸ）系回路２と、送信系回路１に対し
て処理すべき送信信号を変調して出力すると共に、受信
系回路２において処理された受信信号が入力されるモデ
ム３と、送信信号および受信信号の分離を行うデュプレ
クサ４と、送信すべき信号電波の放射を行うと共に、図
示しない基地局からの信号電波を受信する共用アンテナ
５とを備えている。

【００２８】ここで、受信系回路２が、本発明における
「受信装置」の一具体例に対応する。

【００２９】送信系回路１は、モデム３から出力された
ベースバンド送信信号をＱＰＳＫ（Quadrature Phase S
hift Keying ：４相位相シフト）変調してＩＦ（Interm
ediate Frequency：中間周波数）信号を出力するＱＰＳ
Ｋ変調回路１１と、ＡＧＣ機能を有し、ＩＦ信号を送信
側ＩＦ用ＡＧＣ電圧（利得制御電圧）Ｖ_TX-AGCに応じて
可変的に増幅する送信側ＩＦ増幅回路１２と、増幅され
たＩＦ信号を、局部発振器１６からの局部発振信号と混
合してＲＦ（Radio Frequency ：高周波）信号に変換し
て出力するミキサ１３と、ＲＦ信号に含まれる不要信号
成分を除去するためのバンドパスフィルタ１４と、バン
ドパスフィルタ１４から出力されたＲＦ信号を増幅して
デュプレクサ４に出力するパワーアンプ（ＰＡ）１５と
を備えている。

【００３０】受信系回路２は、ＡＧＣ機能を有し、デュ
プレクサ４を介して入力されたＲＦ信号をＲＦ用ＡＧＣ
電圧Ｖ_L-AGC に応じて可変的に増幅するローノイズアン
プ（ＬＮＡ）２１と、ＲＦ信号に含まれる不要信号成分
を除去するためのバンドパスフィルタ２２と、ＲＦ信号
を局部発振器１６からの局部発振信号と混合してＩＦ信
号に変換するためのミキサ２３と、入力されたＩＦ信号
をＣＤＭＡ用の信号成分に変換するためのＣＤＭＡ用バ
ンドパスフィルタ２４と、入力されたＩＦ信号をＦＭ用
の信号成分に変換するためのＦＭ用バンドパスフィルタ
２５と、選択的に入力されたＣＤＭＡ用の受信信号およ
びＦＭ用のＩＦ信号を受信側ＩＦ用ＡＧＣ電圧（利得制
御電圧）Ｖ_RX-AGCに応じて可変的に増幅する受信側ＩＦ
増幅回路２６と、ＣＤＭＡ用バンドパスフィルタ２４お
よびＣＤＭＡ用バンドパスフィルタ２４を選択的に受信
側ＩＦ増幅回路２６に接続する切り換えスイッチ２８
と、受信側ＩＦ増幅回路２６で増幅された受信信号をＱ
ＰＳＫ復調するためのＱＰＳＫ復調回路２７とを備えて
いる。

【００３１】受信系回路２は、更に、ＡＧＣ電圧Ｖ
_L-AGC ，Ｖ_RX-AGCおよび切り換え制御信号Ｖ_SWを発生
し、ローノイズアンプ２１と受信側ＩＦ増幅回路２６と
における利得を制御する受信用制御電圧発生回路４０を
備えている。

【００３２】ここで、ローノイズアンプ２１が、本発明
における「利得可変増幅回路」の一具体例に対応する。
また、ＲＦ用ＡＧＣ電圧Ｖ_L-AGC および切り換え制御信
号Ｖ_SWが、本発明における「制御用信号」の一具体例に
対応する。

【００３３】モデム３は、入力された受信信号の強度
（受信強度）を検出するための受信信号強度検出回路
（ＲＳＳＩ）３３と、受信強度と強度基準データＤ１１
とを比較し、その差分を示す信号を出力する比較回路３
４と、ＩＦ用ＡＧＣ電圧Ｖ_TX-AGCを発生し、送信側ＩＦ
増幅回路１２の利得を制御する送信用制御電圧発生回路
３５とを備えている。

【００３４】比較回路３４からの差分を示す信号は、受
信用制御電圧発生回路４０に出力されるようになってい
る。また、比較回路３４からの差分を示す信号は、送信
出力補正回路３５にも出力される。送信出力補正回路３
５は、比較回路３４から入力された差分を示す信号と、
別途入力された送信出力補正データＤ１２とに基づい
て、ＩＦ用ＡＧＣ電圧Ｖ_TX-AGCを出力して送信側ＩＦ増
幅回路２６の利得を制御するようになっている。受信用
制御電圧発生回路４０は、比較回路３４からの信号によ
って示される差分が「０」になるように、ＩＦ用ＡＧＣ
電圧Ｖ_RX-AGCを出力して受信側ＩＦ増幅回路２６の利得
を制御するようになっている。また、受信用制御電圧発
生回路４０は、比較回路３４からの信号に応じて、ＲＦ
用ＡＧＣ電圧Ｖ_L-AGC および切り換え制御信号Ｖ_SWを発
生し、ローノイズアンプ２１の利得を制御するようにな
っている。

【００３５】ここで、本実施の形態における携帯電話機
は、実質的な通信の有無に関わらず、受信信号の信号レ
ベルの検出を行うために常時動作状態にある。なお、こ
こでいう「実質的な通信」とは、通話を伴う通信のこと
をいう。また、本実施の形態において、「受信信号」に
は、着信を伴わない単なる信号レベルのチェック用の信
号も含まれるものとする。

【００３６】図２は、本発明の特徴部分であるローノイ
ズアンプ２１の構成例を示す回路図である。この図に示
したローノイズアンプ２１は、入力信号ＩＮ（ＲＦ信
号）を可変的に増幅可能な可変増幅回路４１と、受信信
号の信号レベル等に応じて可変増幅回路４１における利
得の制御を行うコントロール回路部４２とを備えてい
る。コントロール回路部４２は、可変増幅回路４１にお
ける利得の制御を行うためのＡＧＣコントロール回路４
３と、可変増幅回路４１における入力信号ＩＮの信号経
路の制御を行うバイパスコントロール回路４４とを有し
ている。この図に示したローノイズアンプ２１には、入
力端子５４を介して入力信号ＩＮが入力されるようにな
っている。また、ローノイズアンプ２１には、コントロ
ール回路部４２の入力端子５２を介して受信用制御電圧
発生回路４０（図１）からのＲＦ用ＡＧＣ電圧Ｖ_L-AGC
（第１の制御用信号）が入力され、入力端子５１を介し
て受信用制御電圧発生回路４０からの切り換え制御信号
Ｖ_SW（第２の制御用信号）が入力されるようになってい
る。更に、ローノイズアンプ２１においては、出力端子
５６を介して可変増幅回路４１によって増幅された出力
信号ＯＵＴが出力されるようになっている。なお、同図
に示した回路には、複数のトランジスタが含まれるが、
ここでは各トランジスタをバイポーラ型のトランジスタ
で構成した例について説明する。

【００３７】なお、ここで、コントロール回路部４２
が、本発明における「制御回路」の一具体例に対応す
る。また、ＡＧＣコントロール回路４３が、本発明にお
ける「第１の制御回路」の一具体例に対応し、バイパス
コントロール回路４４が、本発明における「第２の制御
回路」の一具体例に対応する。

【００３８】まず、可変増幅回路４１の構成について説
明する。可変増幅回路４１は、入力信号ＩＮを増幅する
増幅用トランジスタＴ１と、増幅用トランジスタＴ１と
共にカレントミラー回路６３を形成し、増幅用トランジ
スタＴ１の動作電流Ｉ１を制御するための制御用トラン
ジスタＴ２と、増幅用トランジスタＴ１に並列接続され
ると共に、受信信号の信号レベルに応じて増幅用トラン
ジスタＴ１に入力される入力信号ＩＮの割合を変化させ
る分流用トランジスタＴ３と、分流用トランジスタＴ３
と共にカレントミラー回路６２を形成し、分流用トラン
ジスタＴ３の動作電流Ｉ３を制御するための制御用トラ
ンジスタＴ４と、増幅用トランジスタＴ１に並列接続さ
れると共に、コントロール回路部４２からの制御電流Ｉ
_SWによって受信信号の信号レベルに応じてオン／オフ制
御され、入力信号ＩＮの信号経路を切り換えるスイッチ
ング素子としてのバイパス用トランジスタＴ５とを有し
ている。可変増幅回路４１は、更に、抵抗Ｒ１〜Ｒ３
と、コンデンサＣ２，Ｃ３，Ｃ４とを有している。トラ
ンジスタＴ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４は、カレントミラー回
路を応用しているので、ＩＣ（integrated circuit: 集
積回路）技術により、同一のシリコン基板上に形成可能
である。

【００３９】この可変増幅回路４１において、カレント
ミラー回路６３を形成する一対のトランジスタＴ１，Ｔ
２のベース端子は、互いのベース端子に共通接続されて
いる。また、トランジスタＴ１，Ｔ２のベース端子は、
コントロール回路部４２のＡＧＣコントロール回路４３
に接続されている。更に、トランジスタＴ１，Ｔ２のベ
ース端子は、コンデンサＣ２の一端側に接続されてい
る。コンデンサＣ２の他端側は接地されており、トラン
ジスタＴ１，Ｔ２を高周波的に接地している。コンデン
サＣ２の容量値は、例えば２Ｇｈｚの高周波動作では、
３〜５ｐＦ程度に設定される。

【００４０】制御用トランジスタＴ２のコレクタ端子
は、自身のベース端子にダイオード接続されている。ま
た、制御用トランジスタＴ２のエミッタ端子は、接地さ
れている。一方、増幅用トランジスタＴ１のエミッタ端
子は、分流用トランジスタＴ３のエミッタ端子と、バイ
パス用トランジスタＴ５のエミッタ端子とに接続されて
いる。増幅用トランジスタＴ１のエミッタ端子は、ま
た、入力信号ＩＮが入力される入力端子５４と、ＤＣバ
イアス用に設けられたインダクタンスＬ２の一端側に接
続されている。インダクタンスＬ２の他端側は接地され
ている。また、増幅用トランジスタＴ１のコレクタ端子
は、コンデンサＣ４，Ｃ１の一端と、インダクタンスＬ
１の一端とに接続されている。増幅用トランジスタＴ１
には、カレントミラー回路６３を形成する制御用トラン
ジスタＴ２に流れる電流Ｉ２に比例した値の電流Ｉ１が
流れるようになっている。

【００４１】なお、コンデンサＣ１とインダクタンスＬ
１は、増幅用トランジスタＴ１のインピーダンス・マッ
チング用に設けられたものである。インダクタンスＬ１
の他端は、電源電圧Ｖｃｃが印加される入力端子５５に
接続されている。コンデンサＣ１の他端は、ＳＡＷ（Su
rface Acoustic Waves：表面弾性波）フィルタ４４の入
力側に接続されている。可変増幅回路４１において、端
子５４から入力された入力信号ＩＮは、増幅用トランジ
スタＴ１で増幅され、インダクタンスＬ１およびコンデ
ンサＣ１を介して、ＳＡＷフィルタ４４の入力側へ伝達
されるようになっている。ＳＡＷフィルタ４４の出力側
は、出力端子５６に接続されている。

【００４２】また、可変増幅回路４１において、カレン
トミラー回路６２を形成する一対のトランジスタＴ３，
Ｔ４のベース端子は、互いのベース端子に共通接続され
ている。また、トランジスタＴ３，Ｔ４のベース端子
は、コントロール回路部４２のＡＧＣコントロール回路
４３に接続されている。更に、トランジスタＴ３，Ｔ４
のベース端子は、コンデンサＣ３の一端側に接続されて
いる。コンデンサＣ３の他端側は接地されており、トラ
ンジスタＴ３，Ｔ４を高周波的に接地している。コンデ
ンサＣ３の容量値は、コンデンサＣ２と同様に、例えば
２Ｇｈｚの高周波動作では、３〜５ｐＦ程度に設定され
る。

【００４３】制御用トランジスタＴ４のコレクタ端子
は、自身のベース端子にダイオード接続されている。ま
た、制御用トランジスタＴ４のエミッタ端子は、接地さ
れている。分流用トランジスタＴ３のエミッタ端子は、
増幅用トランジスタＴ１のエミッタ端子と、バイパス用
トランジスタＴ５のエミッタ端子とに接続されている。
分流用トランジスタＴ３のエミッタ端子は、また、増幅
用トランジスタＴ１のエミッタ端子と共に、入力信号Ｉ
Ｎが入力される入力端子５４と、ＤＣバイアス用に設け
られたインダクタンスＬ２の一端側とに接続されてい
る。また、分流用トランジスタＴ３のコレクタ端子は、
電源電圧Ｖｃｃが印加される入力端子５５とインダクタ
ンスＬ１の他端との間に接続されている。入力端子５５
とインダクタンスＬ１の他端との間には、また、コンデ
ンサＣ５の一端側が接続されている。コンデンサＣ５の
他端側は接地されている。

【００４４】分流用トランジスタＴ３には、カレントミ
ラー回路６２を形成する制御用トランジスタＴ４に流れ
るコレクタ電流Ｉ４に比例した値のコレクタ電流Ｉ３が
流れるようになっている。ここで、分流用トランジスタ
Ｔ３に電流Ｉ３が流れていると、入力端子５４に入力さ
れた入力信号ＩＮは、増幅用トランジスタＴ１のみなら
ず分流用トランジスタＴ３にも分流して流れ、増幅用ト
ランジスタＴ１の利得を低下させるようになっている。
従って、可変増幅回路４１においては、増幅用トランジ
スタＴ１と分流用トランジスタＴ３に流れる電流の電流
比によって、増幅用トランジスタＴ１の利得が変わるこ
とになる。本実施の形態におけるローノイズアンプ２１
のＡＧＣ機能は、この増幅用トランジスタＴ１と分流用
トランジスタＴ３に流れる電流の電流比を利用してい
る。

【００４５】なお、可変増幅回路４１において、増幅用
トランジスタＴ１と分流用トランジスタＴ３は、例えば
同一セルサイズで構成されている。また、トランジスタ
Ｔ２とトランジスタＴ４も、同一セルサイズで構成され
ている。制御用トランジスタＴ２，Ｔ４は、それぞれト
ランジスタＴ１，Ｔ３に対して、例えば１／１０から１
／１００のセルサイズで構成されていることが望まし
い。制御用トランジスタＴ２，Ｔ４のセルサイズをトラ
ンジスタＴ１，Ｔ３に対して小さく設定することによ
り、制御用トランジスタＴ２，Ｔ４に流す電流が少なく
て済むので、少ない消費電流でトランジスタＴ１，Ｔ３
の動作を制御することができる。

【００４６】可変増幅回路４１において、バイパス用ト
ランジスタＴ５のベース端子は、抵抗Ｒ１を介してコン
トロール回路部４２のバイパスコントロール回路４４に
接続されており、バイパスコントロール回路４４からの
制御電流Ｉ_SWが入力されるようになっている。バイパス
用トランジスタＴ５のベース端子は、また、抵抗Ｒ２の
一端に接続されている。抵抗Ｒ２の他端は接地されてい
る。バイパス用トランジスタＴ５のコレクタ端子は、コ
ンデンサＣ４の他端に接続されている。バイパス用トラ
ンジスタＴ５のコレクタ端子とコンデンサＣ４の他端と
の間には、抵抗Ｒ３の一端が接続されている。抵抗Ｒ３
の他端は接地されている。なお、抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３
は、バイパス用トランジスタＴ５のバイアス用に設けら
れたものである。また、バイパス用トランジスタＴ５の
エミッタ端子は、増幅用トランジスタＴ１のエミッタ端
子および分流用トランジスタＴ３のエミッタ端子と共
に、入力端子５２と、インダクタンスＬ２の一端側とに
接続されている。

【００４７】ここで、バイパス用トランジスタＴ５のベ
ース端子にバイパスコントロール回路４４からの制御電
流Ｉ_SWが入力されると、バイパス用トランジスタＴ５が
オン状態となりコレクタ−エミッタ間のインピーダンス
が低くなって、入力端子５４に入力された入力信号ＩＮ
は、バイパス用トランジスタＴ５を介して、出力端子５
６側に伝達されるようになる。本実施の形態において
は、このバイパス用トランジスタＴ５がオン状態のとき
に、トランジスタＴ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４に流れる電流
がゼロとなるように電流制御し、入力信号ＩＮが増幅用
トランジスタＴ１によって増幅されることなくバイパス
用トランジスタＴ５を介して出力されるように設定され
ている。

【００４８】このように、可変増幅回路４１は、増幅用
トランジスタＴ１と分流用トランジスタＴ３に流れる電
流の電流比を利用したＡＧＣ機能により、入力信号ＩＮ
を可変的に増幅して出力することが可能であると共に、
バイパス用トランジスタＴ５のスイッチング機能によ
り、増幅用の回路部分をバイパスするように入力信号Ｉ
Ｎの信号経路を切り換え、入力信号ＩＮを増幅すること
なく、そのままの状態で出力することが可能となってい
る。

【００４９】なお、図２では、可変増幅回路４１におけ
るトランジスタＴ１〜Ｔ５を、全てバイポーラトランジ
スタで構成した例を示しているが、トランジスタＴ１〜
Ｔ５をＢｉＣＭＯＳ（Bipolar CMOS（Complementary Me
tal-Oxide Semiconductor ）) 回路を利用して構成する
ことも可能である。ＢｉＣＭＯＳ回路を利用する場合に
は、バイパス用トランジスタＴ５をＭＯＳトランジスタ
で構成しても、バイポーラトランジスタと同様な動作と
なる。

【００５０】次に、ＡＧＣコントロール回路４３の構成
について説明する。ＡＧＣコントロール回路４３は、可
変増幅回路４１に対するＡＧＣ機能を実現するための回
路である。このコントロール回路４３において、ＲＦ用
ＡＧＣ電圧Ｖ_L-AGC が入力される入力端子５２は、抵抗
Ｒ８０の一端に接続されている。抵抗Ｒ８０の他端は、
抵抗Ｒ８１，Ｒ８２の一端に接続され、抵抗Ｒ８１，Ｒ
８２と共に、トランジスタＴ１１のベース端子に接続さ
れている。従って、トランジスタＴ１１のベース端子に
は、抵抗Ｒ８０を介してＲＦ用ＡＧＣ電圧Ｖ_L-AGC が入
力される。抵抗Ｒ８１の他端は接地されている。抵抗Ｒ
８２の他端は、電源電圧Ｖｃｃが印加される入力端子５
３に接続されている。抵抗Ｒ８０，Ｒ８１，Ｒ８２は、
トランジスタＴ１１に入力されるＲＦ用ＡＧＣ電圧Ｖ
_L-AGC の範囲を調整するためのものである。

【００５１】トランジスタＴ１１は、トランジスタＴ１
２と共に差動増幅回路を形成している。トランジスタＴ
１１．Ｔ１２のエミッタ端子は、電流源となるトランジ
スタ５３のコレクタ端子に共通接続されている。トラン
ジスタＴ１１のコレクタ端子は、トランジスタＴ２１の
コレクタ端子に接続されている。一方、トランジスタＴ
１２のベース端子は、抵抗Ｒ１１の一端と抵抗Ｒ１２の
一端との間に接続されている。トランジスタＴ１２のベ
ース端子は、また、抵抗Ｒ１１を介して自身のコレクタ
端子にダイオード接続されている。抵抗Ｒ１１の他端
は、電源電圧Ｖｃｃが印加される入力端子５３に接続さ
れている。抵抗Ｒ１２の他端は接地されている。

【００５２】トランジスタＴ２１のベース端子は、トラ
ンジスタＴ２３，Ｔ２４のベース端子に共通接続されて
いる。トランジスタＴ２１は、トランジスタＴ２３，Ｔ
２４のそれぞれと、カレントミラー回路６４を形成して
いる。トランジスタＴ２１，Ｔ２３，Ｔ２４のそれぞれ
のエミッタ端子は、電源電圧Ｖｃｃが印加される入力端
子５３に接続されている。トランジスタＴ２３のコレク
タ端子は、可変増幅回路４１の制御用トランジスタＴ２
に接続されている。従って、トランジスタＴ２３に流れ
る電流が、可変増幅回路４１の制御用トランジスタＴ２
に流れる電流Ｉ２となる。

【００５３】トランジスタＴ２４のコレクタ端子は、ト
ランジスタＴ６４に接続されている。トランジスタＴ６
４は、トランジスタＴ６３のベース端子に接続され、ト
ランジスタＴ６３と共にカレントミラー回路６１を形成
している。トランジスタＴ６３，Ｔ６４のエミッタ端子
は接地されている。トランジスタＴ６３のベース端子
は、トランジスタＴ６４のベース端子に接続されると共
に、自身のコレクタ端子にダイオード接続されている。

【００５４】トランジスタＴ６３のコレクタ端子は、ト
ランジスタＴ６２のコレクタ端子に接続されている。ト
ランジスタＴ６２，Ｔ６３のコレクタ端子間には、可変
増幅回路４１における制御用トランジスタＴ４が接続さ
れる。トランジスタＴ６２は、ベース端子がトランジス
タＴ６１のベース端子に接続され、トランジスタＴ６１
と共にカレントミラー回路を形成している。トランジス
タＴ６２のエミッタ端子は、電源電圧Ｖｃｃが印加され
る入力端子５３に接続されていると共に、バイパスコン
トロール回路４４に接続されている。トランジスタＴ６
１のエミッタ端子は、電源電圧Ｖｃｃが印加される入力
端子５３に接続されている。トランジスタＴ６１のベー
ス端子は、トランジスタＴ６２のベース端子に接続され
ると共に、自身のコレクタ端子にダイオード接続されて
いる。トランジスタＴ６１のコレクタ端子は、トランジ
スタＴ６０のコレクタ端子に接続されている。

【００５５】ＡＧＣコントロール回路４３は、また、抵
抗Ｒ５７〜Ｒ６０と、スイッチ部ＳＷ１とを有してい
る。抵抗Ｒ５７〜Ｒ６０の一端は、スイッチ部ＳＷ１に
接続されている。抵抗Ｒ５７〜Ｒ６０の他端は、トラン
ジスタＴ５２のコレクタ端子に共通接続されている。ト
ランジスタＴ５２のベース端子は、自身のコレクタ端子
にダイオード接続されている。トランジスタＴ５２のエ
ミッタ端子は、トランジスタＴ５１のコレクタ端子に接
続されている。トランジスタＴ５１のエミッタ端子は、
接地されている。トランジスタＴ５１のベース端子は、
自身のコレクタ端子にダイオード接続されている。

【００５６】トランジスタＴ５１のベース端子は、更
に、トランジスタＴ５３，Ｔ６０のベース端子に共通接
続されている。トランジスタＴ５３，Ｔ６０のそれぞれ
のエミッタ端子は接地されている。ＡＧＣコントロール
回路４３において、トランジスタＴ５３，Ｔ６０のそれ
ぞれと、トランジスタＴ５１とで、カレントミラー回路
が形成されている。

【００５７】スイッチ部ＳＷ１は、複数のスイッチＳ１
〜Ｓ４を有している。スイッチＳ１〜Ｓ４は、例えば、
ＣＭＯＳ（Complementary MOS ）トランジスタ等のスイ
ッチング素子によって構成される。スイッチＳ１〜Ｓ４
は、それぞれ並列的に配置されている。スイッチＳ１〜
Ｓ４の一端は、電源電圧Ｖｃｃが印加される入力端子５
３に共通接続されている。抵抗Ｒ５７〜Ｒ６０は、それ
ぞれ並列的に配置されると共に、それぞれの一端が各ス
イッチＳ１〜Ｓ４に接続されている。抵抗Ｒ５７〜Ｒ６
０の他端は、トランジスタＴ５２のコレクタ端子に接続
されている。

【００５８】ＡＧＣコントロール回路４３において、ス
イッチＳ１〜Ｓ４を選択的にオン／オフ制御することに
より、トランジスタＴ５１，Ｔ５２に流れる電流Ｉ５１
を変更可能になっている。例えば、スイッチＳ１〜Ｓ４
を全てオン状態にすると、電流Ｉ５１の値を最も大きく
することができる。また、スイッチＳ１〜Ｓ４のいずれ
か一つでもオフ状態になると、電流Ｉ５１の値は、スイ
ッチＳ１〜Ｓ４が全てオン状態のときと比べて小さくな
る。このように、スイッチＳ１〜Ｓ４を選択的にオン／
オフ制御することにより、種々の電流値を設定可能であ
る。なお、スイッチＳ１〜Ｓ４は、図示しない回路設定
テーブルから出力された回路設定データにより、妨害信
号の有無等の通信環境に基づいて、オン／オフ制御され
るようになっている。

【００５９】ここで、電流Ｉ５１を変更可能にすること
により、トランジスタＴ５１とカレントミラー回路を形
成するトランジスタＴ５３のコレクタ電流Ｉ５３が変更
されるので、トランジスタＴ１１に流れる電流Ｉｔもス
イッチＳ１〜Ｓ４を選択的にオン／オフ制御することに
より変更可能である。

【００６０】また、ＡＧＣコントロール回路４３におい
て、トランジスタＴ６３に流れる電流Ｉ６は、後の動作
説明において詳述するが、トランジスタＴ２１，Ｔ２
４，Ｔ６３，Ｔ６４によって決定されるようになってお
り、電流Ｉｔに比例した値となる。また、トランジスタ
Ｔ６２に流れる電流Ｉ５は、トランジスタＴ６０，Ｔ６
１，Ｔ６２によって決定されるようになっている。可変
増幅回路４１における制御用トランジスタＴ４に流れる
電流Ｉ４は、トランジスタＴ６０，Ｔ６１，Ｔ６２で決
る電流Ｉ５から、トランジスタＴ２１，Ｔ２４，Ｔ６
３，Ｔ６４で決る電流Ｉ６を減じた値（Ｉ５−Ｉ６）に
よって決定される。

【００６１】なお、可変増幅回路４１の増幅用トランジ
スタＴ１および分流用トランジスタＴ３には、それぞれ
カレントミラー回路６３，６２を形成する制御用トラン
ジスタＴ２，Ｔ４に流れる電流Ｉ２，Ｉ４に比例した電
流Ｉ１，Ｉ３が流れるので、電流Ｉ２，Ｉ４の値を制御
することで、増幅用トランジスタＴ１に流れる電流Ｉ１
および分流用トランジスタＴ３に流れる電流Ｉ３を制御
することができる。ここで、ＡＧＣコントロール回路４
３は、制御用トランジスタＴ２，Ｔ４に流れる電流Ｉ
２，Ｉ４を制御することが可能となっており、増幅用ト
ランジスタＴ１に流れる電流Ｉ１および分流用トランジ
スタＴ３に流れる電流Ｉ３を制御することが可能であ
る。また、可変増幅回路４１において、電流Ｉ１，Ｉ３
の電流比によって増幅用トランジスタＴ１の利得が決定
されるので、結果的にＡＧＣコントロール回路４３は、
増幅用トランジスタＴ１の利得の制御を行うことが可能
となる。これにより、ＡＧＣコントロール回路４３は、
可変増幅回路４１に対するＡＧＣ機能を実現することが
可能となっている。

【００６２】なお、電流Ｉ１，Ｉ３と増幅用トランジス
タＴ１の利得との関係については、後に図面を参照して
詳述する。

【００６３】次に、バイパスコントロール回路４４の構
成について説明する。バイパスコントロール回路４４
は、可変増幅回路４１におけるバイパス用トランジスタ
Ｔ５の動作を制御することが可能となっている。このバ
イパスコントロール回路４４は、トランジスタＴ６５，
Ｔ６６，Ｔ６７と、抵抗Ｒ６１，Ｒ６３，Ｒ６４，Ｒ６
５とを有している。

【００６４】バイパスコントロール回路４４において、
抵抗Ｒ６１の一端は、受信用制御電圧発生回路４０（図
１）からの切り換え制御信号Ｖ_SWが入力される入力端子
５１に接続されている。抵抗Ｒ６１の他端は、トランジ
スタＴ６５，Ｔ６６のベース端子に共通接続されてい
る。抵抗Ｒ６１の他端と、トランジスタＴ６５との間に
は、抵抗Ｒ６５の一端が接続されいる。抵抗Ｒ６５の他
端とトランジスタＴ６５，Ｔ６６のエミッタ端子は接地
されている。トランジスタＴ６５のコレクタ端子には、
抵抗Ｒ６３の一端が接続されている。トランジスタＴ６
６のコレクタ端子は、ＡＧＣコントロール回路４３のト
ランジスタＴ５１，Ｔ５３，Ｔ６０のベース端子に接続
されている。

【００６５】抵抗Ｒ６３の他端は、抵抗Ｒ６４の一端に
接続されている。抵抗Ｒ６３の他端と抵抗Ｒ６４の一端
との間には、トランジスタＴ６７のベースが接続されて
いる。トランジスタＴ６７のエミッタ端子は、抵抗Ｒ６
４の他端と、ＡＧＣコントロール回路４３におけるトラ
ンジスタＴ６２のエミッタ端子に接続されている。トラ
ンジスタＴ６７のコレクタ端子は、可変増幅回路４１に
おける抵抗Ｒ１を介してバイパス用トランジスタＴ５の
ベース端子に接続されている。

【００６６】バイパスコントロール回路４４において
は、入力端子５１に入力された切り換え制御信号Ｖ_SWに
よって、受信信号の信号レベルに応じてトランジスタＴ
６７がオン／オフ制御され、トランジスタＴ６７に流れ
る電流Ｉ_SWが制御されるようになっている。ここで、電
流Ｉ_SWは、可変増幅回路４１のバイパス用トランジスタ
Ｔ５のベース端子に入力されるので、結果的に、制御信
号Ｖ_SWによってバイパス用トランジスタＴ５をオン／オ
フ制御することが可能となる。なお、バイパスコントロ
ール回路４４によるバイパス用トランジスタＴ５の制御
については、後の動作説明において、より詳細に説明す
る。また、バイパスコントロール回路４４においては、
トランジスタＴ６６をオンすることにより、ＡＧＣコン
トロール回路４３におけるトランジスタＴ１１に流れる
電流Ｉｔをゼロにし、結果的に可変増幅回路４１の増幅
用トランジスタＴ１をオフ状態にするような制御を行う
ようになっている。

【００６７】次に、上記のような構成の携帯電話機の動
作について説明する。

【００６８】まず、送信時の動作について説明する。モ
デム３により変調されたベースバンド送信信号は、ま
ず、送信系回路１のＱＰＳＫ変調回路１１に入力され
る。ＱＰＳＫ変調回路１１は、ベースバンド送信信号を
ＱＰＳＫ変調して、例えば、１３０ＭＨｚのＩＦ信号に
変換し、送信側ＩＦ増幅回路１２に出力する。次に、送
信側ＩＦ増幅回路１２は、ＩＦ信号を増幅し、ミキサ１
３に出力する。ミキサ１３は、増幅されたＩＦ信号を局
部発振器１６からの局部発振信号と混合し、例えば、８
００ＭＨｚのＲＦ信号に変換して、バンドパスフィルタ
１４に出力する。バンドパスフィルタ１４は、ＲＦ信号
に含まれる不要信号成分を除去した後、パワーアンプ１
５に出力する。パワーアンプ１５は、不要信号成分が除
去されたＲＦ信号を増幅して、デュプレクサ４に出力す
る。デュプレクサ４に出力されたＲＦ信号は、共用アン
テナ５から空間中に放射される。

【００６９】次に、受信時の動作について説明する。共
用アンテナ５によって捕捉された信号電波は、デュプレ
クサ４を介して、電気的なＲＦ信号に変換され、受信系
回路２のローノイズアンプ２１に出力される。ローノイ
ズアンプ２１は、入力されたＲＦ信号を可変的な利得で
増幅し、バンドパスフィルタ２２に出力する。バンドパ
スフィルタ２２は、ＲＦ信号に含まれる不要信号成分を
除去した後、ミキサ２３ａに出力する。ミキサ２３は、
ＲＦ信号を局部発振器１６からの局部発振信号と混合
し、例えば、８５ＭＨｚのＩＦ信号に変換して、ＣＤＭ
Ａ用バンドパスフィルタ２４とＦＭ用バンドパスフィル
タ２５とに出力する。ＣＤＭＡ用バンドパスフィルタ２
４およびＦＭ用バンドパスフィルタ２５は、それぞれ入
力されたＩＦ信号を、ＣＤＭＡ用の信号成分、ＦＭ用の
信号成分に変換する。ＣＤＭＡ用バンドパスフィルタ２
４およびＦＭ用バンドパスフィルタ２５によって変換さ
れたＣＤＭＡ用の受信信号およびＦＭ用の受信信号は、
切り換えスイッチ２８の作用により、設定モードに応じ
て、いずれか一方の信号成分のみが、次段の受信側ＩＦ
増幅回路２６に選択的に出力される。受信側ＩＦ増幅回
路２６は、選択的に入力されたＣＤＭＡ用の受信信号ま
たはＦＭ用の受信信号を増幅し、ＱＰＳＫ復調回路２７
に出力する。ＱＰＳＫ復調回路２７は、増幅された受信
信号をＱＰＳＫ復調してモデム３に出力する。

【００７０】モデム３内に入力された受信信号は、受信
信号強度検出回路３３によってその受信強度（信号レベ
ル）が検出される。受信信号強度検出回路３３によって
検出された受信強度を示す信号は、比較回路３４に出力
される。比較回路３４は、受信強度と、別途入力された
強度基準データＤ１１とを比較し、その差分を示す信号
を受信用制御電圧発生回路４０および送信出力補正回路
３５に出力する。受信用制御電圧発生回路４０は、比較
回路３４からの信号によって示された差分が「０」にな
るように、すなわち受信信号強度検出回路３３の出力が
強度基準データＤ１１と一致するようにＩＦ用ＡＧＣ電
圧Ｖ_RX-AGCを出力して受信側ＩＦ増幅回路２６の利得を
制御する。また、受信用制御電圧発生回路４０は、比較
回路３４からの信号に基づいて、ローノイズアンプ２１
の利得を制御するためのＲＦ用ＡＧＣ電圧Ｖ_L-AGC およ
びローノイズアンプ２１内におけるＲＦ信号の経路を切
り換えるための切り換え制御信号Ｖ_SWを発生する。

【００７１】送信出力補正回路３５は、比較回路３４か
ら入力された差分を示す信号と、別途入力された送信出
力補正データＤ１２とに基づいて、送信側ＩＦ増幅回路
１２の利得を制御する。なお、送信出力補正データＤ１
２は、携帯電話機と図示しない基地局との間の回線状況
に応じたデータである。また、送信出力補正回路３５に
よる利得の制御は、被変調信号が受信信号のレベルに逆
比例するように、且つ、送信出力補正データＤ１２に応
じた制御がなされるように送信側ＩＦ増幅回路１２にＩ
Ｆ用ＡＧＣ電圧Ｖ_TX-AGCを出力することにより行われ
る。

【００７２】次に、本発明の特徴部分であるローノイズ
アンプ２１の動作について説明する。

【００７３】図２に示したローノイズアンプ２１におい
て、入力端子５４から入力された入力信号ＩＮ（ＲＦ信
号）は、可変増幅回路４１の増幅用トランジスタＴ１で
増幅される。増幅用トランジスタＴ１で増幅された信号
は、インピーダンス・マッチング用に設けられたインダ
クタンスＬ１およびコンデンサＣ１を介して、ＳＡＷ４
４へ伝達され、出力端子５６から出力される。

【００７４】可変増幅回路４１において、増幅用トラン
ジスタＴ１には、カレントミラー回路６３を形成する制
御用トランジスタＴ２に流れる電流Ｉ２に比例した値の
電流Ｉ１が流れる。また、可変増幅回路４１において、
分流用トランジスタＴ３には、カレントミラー回路６２
を形成する制御用トランジスタＴ４に流れる電流Ｉ４に
比例した値の電流Ｉ３が流れる。ここで、分流用トラン
ジスタＴ３に電流Ｉ３が流れていると、入力端子５４に
入力された入力信号ＩＮは、増幅用トランジスタＴ１の
みならず分流用トランジスタＴ３にも分流して流れ、増
幅用トランジスタＴ１の利得を低下させる。従って、可
変増幅回路４１においては、増幅用トランジスタＴ１と
分流用トランジスタＴ３に流れる電流Ｉ１，Ｉ３の電流
比によって、増幅用トランジスタＴ１の利得が変化す
る。なお、制御用トランジスタＴ２，Ｔ４に流れる電流
Ｉ２，Ｉ４の値は、後述のように、コントロール回路部
４２によって決定される。

【００７５】また、可変増幅回路４１において、スイッ
チング素子としてのバイパス用トランジスタＴ５は、バ
イパスコントロール回路４４からの制御電流Ｉ_SWによっ
て、オン／オフ制御される。バイパス用トランジスタＴ
５のベース端子に、制御電流Ｉ_SWが入力されると、バイ
パス用トランジスタＴ５がオン状態となりコレクタ−エ
ミッタ間のインピーダンスが低くなって、入力端子５４
に入力された入力信号ＩＮが、バイパス用トランジスタ
Ｔ５を介して出力端子５６側に伝達される。ここで、バ
イパス用トランジスタＴ５がオン状態のときには、バイ
パスコントロール回路４４による電流制御により、制御
用トランジスタＴ２，Ｔ４に流れる電流Ｉ２，Ｉ４がゼ
ロとなり、トランジスタＴ１，Ｔ３に流れる電流がゼロ
となる。これにより、バイパス用トランジスタＴ５がオ
ン状態のときには、入力信号ＩＮが増幅用トランジスタ
Ｔ１によって増幅されることなくバイパス用トランジス
タＴ５をバイパスして出力される。

【００７６】このように、可変増幅回路４１では、増幅
用トランジスタＴ１と分流用トランジスタＴ３に流れる
電流の電流比を利用したＡＧＣ機能により、入力信号Ｉ
Ｎを可変的に増幅して出力することが可能とされると共
に、バイパス用トランジスタＴ５のスイッチング機能に
より、増幅用の回路部分をバイパスするように入力信号
ＩＮの経路を切り換え、入力信号ＩＮを増幅することな
く、そのままの状態で出力することが可能とされる。

【００７７】ローノイズアンプ２１において、受信用制
御電圧発生回路４０（図１）からのＲＦ用ＡＧＣ電圧Ｖ
_L-AGC は、ＡＧＣコントロール回路４３における入力端
子５２および抵抗Ｒ８０を介して、トランジスタＴ１１
に入力される。トランジスタＴ１１は、トランジスタＴ
１２と共に差動増幅回路を形成しており、ＲＦ用ＡＧＣ
電圧Ｖ_L-AGC が入力されると、差動増幅回路の電圧／電
流変換作用により、トランジスタＴ１１に、ＲＦ用ＡＧ
Ｃ電圧Ｖ_L-AGC の大きさに応じた電流Ｉｔが流れる。Ａ
ＧＣコントロール回路４３では、トランジスタＴ１１に
流れる電流Ｉｔが、ＲＦ用ＡＧＣ電圧Ｖ_L-AGC に対して
指数関数的に制御される。

【００７８】ＡＧＣコントロール回路４３において、ト
ランジスタＴ２１とトランジスタＴ２３は、カレントミ
ラー回路を形成しているので、トランジスタＴ２３から
可変増幅回路４１の制御用トランジスタＴ２に流れる電
流Ｉ２は、トランジスタＴ２１に流れる電流Ｉｔに流れ
る電流に比例した値となる。ここで、前述のように、増
幅用トランジスタＴ１には、制御用トランジスタＴ２に
流れる電流Ｉ２に比例した値の電流Ｉ１が流れるので、
電流Ｉｔを制御することで、結果的に、増幅用トランジ
スタＴ１に流れる電流Ｉ１が制御される。ここで、ロー
ノイズアンプ２１では、トランジスタＴ１１に流れる電
流Ｉｔが、ＲＦ用ＡＧＣ電圧Ｖ_L-AGC に対して指数関数
的に制御されているので、可変増幅回路４１における利
得は、ＲＦ用ＡＧＣ電圧Ｖ_L-AGC の直線的な変化に応じ
て直線的に変化する。

【００７９】また、ＡＧＣコントロール回路４３におい
て、トランジスタＴ２１, Ｔ２４およびトランジスタＴ
６３, Ｔ６４は、それぞれカレントミラー回路を形成し
ているので、トランジスタＴ２４，Ｔ６４に流れる電流
Ｉ２４が、トランジスタＴ２１に流れる電流Ｉｔに比例
した値となり、トランジスタＴ６３に流れる電流Ｉ６
が、電流Ｉ２４に比例した値となる。このように、トラ
ンジスタＴ６３に流れる電流Ｉ６は、トランジスタＴ２
１，Ｔ２４，Ｔ６３，Ｔ６４によって決定され、結果的
に、電流Ｉｔに比例した値となる。また、トランジスタ
Ｔ６２に流れる電流Ｉ５は、トランジスタＴ６０，Ｔ６
１，Ｔ６２によって決定される。可変増幅回路４１にお
ける制御用トランジスタＴ４に流れる電流Ｉ４は、以上
のように決定される電流Ｉ５から、電流Ｉ６を減じた値
（Ｉ５−Ｉ６）によって決定される。

【００８０】また、ＡＧＣコントロール回路４３におい
て、スイッチ部ＳＷ１のスイッチＳ１〜Ｓ４を選択的に
オン／オフ制御することにより、トランジスタＴ５１，
Ｔ５２に流れる電流Ｉ５１が変更される。例えば、スイ
ッチＳ１〜Ｓ４を全てオン状態にすると、電流Ｉ５１の
値が最も大きくなる。また、例えばスイッチＳ１〜Ｓ４
のいずれか一つでもオフ状態になると、電流Ｉ５１の値
は、スイッチＳ１〜Ｓ４が全てオン状態のときと比べて
小さくなる。このように、スイッチＳ１〜Ｓ４を選択的
にオン／オフ制御することにより、電流Ｉ５１の値は種
々の値に変更される。

【００８１】ここで、電流Ｉ５１が変更されると、トラ
ンジスタＴ５１と共にカレントミラー回路を形成してい
るトランジスタＴ５３のコレクタ電流Ｉ５３が変更され
るので、トランジスタＴ１１に流れる電流Ｉｔが変更さ
れる。このように、トランジスタＴ１１に流れる電流Ｉ
ｔの値は、スイッチ部ＳＷ１のスイッチＳ１〜Ｓ４を選
択的にオン／オフ制御することにより、受信信号のレベ
ル等に応じて適宜変更される。なお、スイッチＳ１〜Ｓ
４は、受信信号のレベルに応じてオン／オフ制御される
と共に、図示しない回路設定テーブルから出力された回
路設定データにより、周囲の温度、送信動作の有無また
は妨害電波の有無等の通信環境に基づいて、オン／オフ
制御される。図示しない回路設定テーブルから出力され
る回路設定データは、スイッチＳ１〜Ｓ４のオン／オフ
状態を指示するシリアルデータである。

【００８２】また、トランジスタＴ１１に流れる電流Ｉ
ｔが変更されると、最終的に、可変増幅回路４１のトラ
ンジスタＴ１，Ｔ３に流れる電流Ｉ１，Ｉ３が変更され
るので、スイッチＳ１〜Ｓ４を選択的にオン／オフ制御
することにより、トランジスタＴ１の利得を制御するこ
とが可能となる。

【００８３】バイパスコントロール回路４４では、入力
端子５１に入力された受信用制御電圧発生回路４０（図
１）からの切り換え制御信号Ｖ_SWによって、受信信号の
信号レベルに応じてトランジスタＴ６５，Ｔ６６，Ｔ６
７がオン／オフ制御され、トランジスタＴ６７に流れる
電流Ｉ_SWが制御される。ここで、電流Ｉ_SWは、可変増幅
回路４１における抵抗Ｒ１を介してバイパス用トランジ
スタＴ５のベース端子に入力されるので、結果的に、制
御信号Ｖ_SWによってバイパス用トランジスタＴ５がオン
／オフ制御される。より具体的には、トランジスタＴ６
５，Ｔ６６，Ｔ６７は、制御信号Ｖ_SWが“Ｈ（ハイ）”
レベルのときにオンとなり、“Ｌ（ロー）”レベルのと
きにオフとなる。従って、制御信号Ｖ_SWが“Ｈ”レベル
のときに、電流Ｉ_SWが流れ、バイパス用トランジスタＴ
５がオンされる。また、制御信号Ｖ_SWが“Ｌ”レベルの
ときには、バイパス用トランジスタＴ５がオフされる。

【００８４】また、バイパスコントロール回路４４にお
いて、トランジスタＴ６６のエミッタ端子が接地されて
いると共に、トランジスタＴ６６のコレクタ端子がトラ
ンジスタＴ５１，Ｔ５３，Ｔ６０のベース端子に接続さ
れているので、トランジスタＴ６６がオンすると、トラ
ンジスタＴ５３に流れる電流Ｉ５３がゼロになり、トラ
ンジスタＴ１１に流れる電流Ｉｔがゼロになる。可変増
幅回路４１の制御用トランジスタＴ２，Ｔ４に流れる電
流Ｉ２，Ｉ４は、電流Ｉｔに応じて流れる電流なので、
電流Ｉｔがゼロになると、電流Ｉ２，Ｉ４もゼロとな
る。電流Ｉ２，Ｉ４がゼロになると、トランジスタＴ
１，Ｔ３に流れる電流Ｉ１，Ｉ３がゼロになり、トラン
ジスタＴ１，Ｔ３がオフ状態、すなわち、トランジスタ
Ｔ１，Ｔ３に対して受信信号が非入力状態となる。

【００８５】従って、バイパスコントロール回路４４に
“Ｈ”レベルの制御信号Ｖ_SWが入力され、トランジスタ
Ｔ６６がオンすると、トランジスタＴ１１に流れる電流
Ｉｔがゼロになり、これに連動してトランジスタＴ１が
オフされるので、可変増幅回路４１における増幅動作は
停止する。逆に、バイパスコントロール回路４４に
“Ｌ”レベルの制御信号Ｖ_SWが入力され、トランジスタ
Ｔ６６がオフすると、トランジスタＴ１１に電流Ｉｔが
流れ、これに連動してトランジスタＴ１，Ｔ３にも電流
が流れるので、トランジスタＴ１，Ｔ３がオン状態、す
なわち、トランジスタＴ１，Ｔ３に対して受信信号が入
力状態となり、可変増幅回路４１における増幅動作が行
われる。

【００８６】このように、バイパス用トランジスタＴ５
がオン状態のときには、トランジスタＴ１がオフ状態と
なり、入力信号ＩＮが増幅用トランジスタＴ１によって
増幅されることなくバイパス用トランジスタＴ５をバイ
パスして出力される。

【００８７】次に、可変増幅回路４１のトランジスタＴ
１，Ｔ３に流れる電流Ｉ１，Ｉ３の具体的な設定例につ
いて説明する。

【００８８】図３は、ローノイズアンプ２１に入力され
るＲＦ用ＡＧＣ電圧Ｖ_L-AGC と、ローノイズアンプ２１
の増幅用トランジスタＴ１および分流用トランジスタＴ
３に流れる電流Ｉ１，Ｉ３との関係について示してい
る。同図において、横軸はＲＦ用ＡＧＣ電圧Ｖ_L-AGC の
値を示し、縦軸は電流値を示している。なお、同図で
は、電流の最大値を１に規格化して、電流Ｉ１，Ｉ３の
値とＡＧＣ電圧Ｖ_L-AGC の値との関係を相対的な値で示
している。本実施の形態においては、ＲＦ用ＡＧＣ電圧
Ｖ_L-AGC に対して、電流Ｉ１と電流Ｉ３との関係が、図
示したような値となるように設定されている。すなわ
ち、本実施の形態では、後述するように妨害信号等のレ
ベルが同じであるような一定の通信環境下にある限りに
おいては、電流Ｉ１と電流Ｉ３との和「Ｉ１＋Ｉ３」
を、受信信号の信号レベルの変化に関わらず一定となる
ようにして、電流Ｉ１，Ｉ３の値を制御している。

【００８９】このとき、ローノイズアンプ２１における
利得可変量ΔＰＧは、以下の式（１）によって表され
る。ローノイズアンプ２１では、一定の通信環境下で、
受信信号の信号レベル全域においてひずみ特性が満足で
きるような性能となるように、ＡＧＣコントロール回路
４３におけるトランジスタＴ５１，Ｔ５２，抵抗５７〜
６０の値の設定と、スイッチＳ１〜４のオン／オフ制御
とを行い、電流Ｉ１と電流Ｉ３との和「Ｉ１＋Ｉ３」の
最大電流が決定される。

【００９０】 ΔＰＧ＝２０１ｏｇ（Ｉ１／（Ｉ１＋Ｉ３））ｄＢ ……（１）

【００９１】以上のような設定条件を満足するならば、
ローノイズアンプ２１の可変増幅回路４１において、
「Ｉ３＝０，Ｉ１＋Ｉ３＝Ｉ１」のとき、すなわち、受
信信号が増幅用トランジスタＴ１に全て流れるような状
態となるときには、増幅用トランジスタＴ１の利得が最
大となる。また例えば、電流Ｉ１の値が、電流Ｉ１と電
流Ｉ３との和「Ｉ１＋Ｉ３」に対して１／１０のときに
は、増幅用トランジスタＴ１の利得は「Ｉ３＝０」の場
合と比較して、約１０ｄＢ低い値となる。また例えば、
電流Ｉ１の値が、電流Ｉ１と電流Ｉ３との和「Ｉ１＋Ｉ
３」に対して１／１００のときには、増幅用トランジス
タＴ１の利得は「Ｉ３＝０」の場合と比較して、約２０
ｄＢ低い値となる。

【００９２】次に、妨害信号の有無を含む通信環境の違
いを考慮した電流Ｉ１，Ｉ３の具体的な設定例について
説明する。

【００９３】図４は、ローノイズアンプ２１に入力され
る受信信号の信号レベルに対する利得ＰＧと３次ひずみ
特性（デバイスの性能としては入力インタセプトポイン
ト(ＩＩＰ３) ）との関係を示した図である。同図にお
いて、横軸は受信信号の信号レベル（ｄＢｍ）を示し、
縦軸はローノイズアンプ２１における利得ＰＧ( ｄＢ)
と３次ひずみ特性( ｄＢｍ) とを示している。また、同
図において、符号ＰＧ１で示した実線部分は、電流Ｉ１
と電流Ｉ３との和「Ｉ１＋Ｉ３」を約１０ｍＡとしたと
きの利得の特性を示し、符号ＰＧ２で示した波線部分
は、電流Ｉ１と電流Ｉ３との和「Ｉ１＋Ｉ３」を約２ｍ
Ａとしたときの利得の特性を示している。また、同図に
おいて、符号１１０で示した実線部分は、電流Ｉ１と電
流Ｉ３との和 「Ｉ１＋Ｉ３」を約１０ｍＡとしたとき
の３次ひずみ特性を示し、符号１２０で示した波線部分
は、電流Ｉ１と電流Ｉ３との和「Ｉ１＋Ｉ３」を約２ｍ
Ａとしたときの３次ひずみ特性を示している。

【００９４】ローノイズアンプ２１は、受信信号の信号
レベルが、所定値（例えば−８５ｄＢｍ〜−８０ｄＢ
ｍ）より小さいときには、バイパス用トランジスタＴ５
をオフにすると共に、増幅用トランジスタＴ１をオンに
してＡＧＣ機能による信号の増幅動作を行う。また、ロ
ーノイズアンプ２１は、受信信号の信号レベルが、所定
値以上であるときには、バイパス用トランジスタＴ５を
オンにすると共に、増幅用トランジスタＴ１をオフにし
て信号の増幅動作を行わない。

【００９５】ここで、本実施の形態におけるローノイズ
アンプ２１では、周囲の温度、送信動作の有無または妨
害信号の有無等の通信環境に基づいて、ＡＧＣコントロ
ール回路４３におけるスイッチＳ１〜Ｓ４をオン／オフ
制御することにより、電流Ｉ１と電流Ｉ３との和「Ｉ１
＋Ｉ３」の大きさを制御する。例えば、大きな妨害信号
があり、且つ送信動作を行っているときには、最も３次
ひずみ妨害を受けやすいため、電流Ｉ１と電流Ｉ３との
和「Ｉ１＋Ｉ３」の値が大きな値になるようにスイッチ
Ｓ１〜Ｓ４を設定する（例えばスイッチＳ１〜Ｓ４を全
てオンにする）。また例えば、妨害信号がなく、送信を
行っていないときには、ほとんど３次ひずみ妨害を受け
ないため、電流Ｉ１と電流Ｉ３との和「Ｉ１＋Ｉ３」の
値を非常に小さく、例えば１ｍＡ程度になるようにスイ
ッチＳ１〜Ｓ４を設定する。スイッチＳ１〜Ｓ４の制御
は、図示しない回路設定テーブルから出力された所定の
回路設定データにより行う。このようにローノイズアン
プ２１では、ＡＧＣコントロール回路４３における基準
電流を通信環境に応じて制御し、回路の消費電流が小さ
くなるように最適化する。

【００９６】なお、以上で説明したローノイズアンプ２
１におけるバイパス用トランジスタＴ５のオン／オフ制
御と、増幅用トランジスタＴ１を用いたＡＧＣ機能によ
る信号の増幅動作の制御は、図４に示したように、例え
ば、ＩＳ−９５によって規定されている性能を満足する
ように行う。すなわち、ローノイズアンプ２１は、図４
に示したように、信号レベルが大きくなるに従って利得
が減少し、所定値以上のときには、利得がゼロとなるよ
うに利得の制御を行う。このとき、電流Ｉ１と電流Ｉ３
との和「Ｉ１＋Ｉ３」が小さい方が利得は小さくなる。
また、ローノイズアンプ２１は、図４に示したように、
信号レベルが大きくなるに従って、３次ひずみ特性の値
を増加させ、所定値以上のときには、３次ひずみ特性の
値が一定となるように動作電流の制御を行う。このと
き、電流Ｉ１と電流Ｉ３との和「Ｉ１＋Ｉ３」が小さい
方が３次ひずみ特性の値は小さくなる。

【００９７】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、増幅用トランジスタＴ１に入力される受信信号の割
合を、受信信号の信号レベルに応じて、分流用トランジ
スタＴ３によって変化させて、増幅用トランジスタＴ１
に入力して増幅することによりＡＧＣ機能を持たせると
共に、増幅用トランジスタＴ１に対する受信信号の信号
経路を、バイパス用トランジスタＴ５によって、受信信
号の信号レベルに応じて切り換えることによりバイパス
機能を持たせるようにしたので、ＡＧＣ機能と信号のバ
イパス機能を有する増幅回路が実現でき、ＩＳ−９５に
よって規定されている−１０１ｄＢｍ，−９０ｄＢｍ，
−７９ｄＢｍの各信号レベルを含む受信信号の信号レベ
ル全域において、ひずみ特性の優れた性能を実現するこ
とができる。

【００９８】また、本実施の形態によれば、増幅用トラ
ンジスタＴ１および分流用トランジスタＴ３に流れる動
作電流Ｉ１，Ｉ３の和「Ｉ１＋Ｉ３」を、一定の通信環
境下にある限りにおいて、受信信号の信号レベルの変化
に関わらず一定に保つと共に、その動作電流の和「Ｉ１
＋Ｉ３」を、ＡＧＣコントロール回路４３におけるスイ
ッチＳ１〜Ｓ４を適宜オン／オフ制御して、妨害信号の
有無を含む通信環境の違いに応じて変化させるようにし
たので、優れたひずみ特性を実現しつつ、例えば、通信
環境の違いに応じて、回路の消費電流を小さくなるよう
に最適化することが可能となる。これにより、従来の携
帯電話機に比べて、電力供給源である電池の消耗を少な
くすることができるので、いわゆる待ち受け時間や通話
時間を従来よりも長くすることが可能になると共に、電
池の交換頻度を少なくすることが可能となる。

【００９９】また、本実施の形態によれば、ローノイズ
アンプ２１が、ＡＧＣ機能とバイパス機能を満足するた
めの回路素子を１つのシリコン基板上に形成することが
可能な回路構成となっているため、従来のようにバイパ
ス回路部分をディスクリート部品で構成したときに生じ
るＮＦ等の性能のバラツキを小さくすることができ、生
産性の向上を図ることが可能となる。

【０１００】なお、本発明は、上記実施の形態に限定さ
れず種々の変形実施が可能である。例えば、上記実施の
形態では、ＣＤＭＡ方式およびＦＭ方式のデュアルモー
ドで動作する場合について説明したが、本発明は、ＣＤ
ＭＡ方式およびＦＭ方式のうちのいずれか一方の方式の
みで動作する場合にも適用することが可能である。ま
た、ＣＤＭＡ方式やＦＭ方式に限らず、例えば、ＴＤＭ
Ａ（Time Division Multiple Access ：時間分割多元接
続）方式やＦＤＭＡ(Frequency Division Multiple Acc
ess ：周波数分割多重）方式等の他の方式の通信機器に
も適用することが可能である。更に、本発明の利得可変
増幅回路は、通信機器に限らず、内部に利得を制御する
ための回路を必要とするその他の機器全般に適用可能で
ある。

【０１０１】また、上記実施の形態では、受信側のＩＦ
増幅回路２６を、ＡＧＣ機能を有した利得可変型の増幅
回路であるものとして説明したが、ＩＦ増幅回路２６を
利得一定型の増幅回路で構成してもよい。

【０１０２】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１ないし７
のいずれか１項に記載の利得可変増幅回路または請求項
８記載の通信機器によれば、受信信号の割合を、受信信
号の信号レベルに応じて、増幅用トランジスタに並列接
続された分流用トランジスタによって変化させて、増幅
用トランジスタに入力して増幅すると共に、増幅用トラ
ンジスタに対する受信信号の信号経路を、スイッチング
素子によって、受信信号の信号レベルに応じて切り換え
るようにしたので、受信信号の信号レベル全域におい
て、ひずみ特性の優れた性能を実現することができると
いう効果を奏する。

【０１０３】特に、請求項７記載の利得可変増幅回路に
よれば、請求項６記載の利得可変増幅回路において、増
幅用トランジスタおよび分流用トランジスタに流れる動
作電流の和を、一定の通信環境下にある限りにおいて、
受信信号の信号レベルの変化に関わらず一定に保つと共
に、その動作電流の和を、妨害信号の有無を含む通信環
境の違いに応じて変化させるようにしたので、優れたひ
ずみ特性を実現しつつ、例えば、通信環境の違いに応じ
て、回路の消費電流を小さくなるように最適化すること
が可能となるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態に係る通信機器としての
携帯電話機の概略構成を示すブロック図である。

【図２】図１に示した携帯電話機におけるローノイズア
ンプの詳細な構成例を示す回路図である。

【図３】図２に示したローノイズアンプに入力されるＲ
Ｆ用ＡＧＣ電圧と、ローノイズアンプの増幅用トランジ
スタおよび分流用トランジスタに流れる電流との関係に
ついて示す説明図である。

【図４】図２に示したローノイズアンプにおける受信信
号の信号レベルに対する利得と３次ひずみ特性との関係
を示す説明図である。

【図５】従来の増幅回路の一例を示すブロック図であ
る。

【符号の説明】

Ｔ１ 増幅用トランジスタ Ｔ３ 分流用トランジスタ Ｔ５ バイパス用トランジスタ １ 送信系回路 ２ 受信系回路 ３ モデム ４ デュプレクサ ５ 共用アンテナ １１ ＱＰＳＫ変調回路 １２ 送信側ＩＦ増幅回路 １５ パワーアンプ（ＰＡ） １６ 局部発振器 ２１ ローノイズアンプ（ＬＮＡ） ２４ ＣＤＭＡ用バンドパスフィルタ ２５ ＦＭ用バンドパスフィルタ ２６ 受信側ＩＦ増幅回路 ２７ ＱＰＳＫ復調回路 ３３ 受信信号強度検出回路（ＲＳＳＩ） ３４ 比較回路 ４０ 受信用制御電圧発生回路 ４１ 可変増幅回路 ４２ コントロール回路部 ４３ ＡＧＣコントロール回路 ４４ バイパスコントロール回路 ６１〜６４ カレントミラー回路

フロントページの続き Ｆターム(参考） 5J090 AA01 CA21 CA36 FA11 FA18 GN08 HA08 HA10 HA19 HA25 HA29 HA33 HA38 HA39 KA00 KA09 KA17 KA32 KA44 KA53 KA55 MA19 SA13 TA01 TA02 5J100 AA14 AA26 BA05 BB01 BB15 BC02 CA23 DA06 EA02 FA02 JA01 KA05 LA00 LA09 QA01 QA03 SA02 5K061 AA10 BB00 CC00 CC08 CC45 CC52 JJ01 JJ04

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 入力された高周波の受信信号を増幅する
   増幅用トランジスタと、 前記増幅用トランジスタと共にカレントミラー回路を形
   成し、前記増幅用トランジスタの動作電流を制御するた
   めの第１の制御用トランジスタと、 前記増幅用トランジスタに並列接続されると共に、前記
   受信信号の信号レベルに応じて、前記増幅用トランジス
   タに入力される受信信号の割合を変化させる分流用トラ
   ンジスタと、 前記分流用トランジスタと共にカレントミラー回路を形
   成し、前記分流用トランジスタの動作電流を制御するた
   めの第２の制御用トランジスタと、 前記増幅用トランジスタに並列接続されると共に、前記
   受信信号の信号レベルに応じてオン・オフ制御され、前
   記増幅用トランジスタに対する前記受信信号の信号経路
   を切り換えるためのスイッチング素子とを備えたことを
   特徴とする利得可変増幅回路。
2. 【請求項２】 更に、外部から入力された制御用信号に
   基づいて、前記受信信号の信号レベルに応じて前記各ト
   ランジスタおよび前記スイッチング素子の動作制御を行
   う制御回路を備え、 前記制御回路は、前記スイッチング素子がオン状態のと
   きに、前記増幅用トランジスタおよび前記分流用トラン
   ジスタに対して前記受信信号が非入力状態となり、前記
   スイッチング素子がオフ状態のときに、前記増幅用トラ
   ンジスタおよび前記分流用トランジスタに対して前記受
   信信号が入力状態となるように、前記各トランジスタお
   よび前記スイッチング素子の動作制御を行うことを特徴
   とする請求項１記載の利得可変増幅回路。
3. 【請求項３】 前記制御回路は、前記受信信号の信号レ
   ベルが所定値より小さいときに、前記スイッチング素子
   がオフ状態となり、前記受信信号の信号レベルが所定値
   以上のときに、前記スイッチング素子がオン状態になる
   ように、前記スイッチング素子の動作制御を行うことを
   特徴とする請求項２記載の利得可変増幅回路。
4. 【請求項４】 前記制御回路は、 外部から入力された第１の制御用信号に基づいて、前記
   増幅用トランジスタの利得制御を行う第１の制御回路
   と、 外部から入力された第２の制御用信号に基づいて、前記
   スイッチング素子をオン・オフ制御する第２の制御回路
   とを有することを特徴とする請求項２記載の利得可変増
   幅回路。
5. 【請求項５】 前記増幅用トランジスタのベース端子
   は、高周波的に接地されていることを特徴とする請求項
   １記載の利得可変増幅回路。
6. 【請求項６】 前記増幅用トランジスタおよび前記分流
   用トランジスタに流れる動作電流の和が、一定の通信環
   境下にある限りにおいて、前記受信信号の信号レベルの
   変化に関わらず一定に保たれていることを特徴とする請
   求項１記載の利得可変増幅回路。
7. 【請求項７】 前記動作電流の和を、妨害信号の有無を
   含む通信環境の違いに応じて変化させることを特徴とす
   る請求項６記載の利得可変増幅回路。
8. 【請求項８】 受信信号に対する信号処理を行う受信装
   置と、前記受信装置に入力された高周波の受信信号を可
   変的に増幅する利得可変増幅回路とを備えた通信機器で
   あって、 前記利得可変増幅回路は、 入力された高周波の受信信号を増幅する増幅用トランジ
   スタと、 前記増幅用トランジスタと共にカレントミラー回路を形
   成し、前記増幅用トランジスタの動作電流を制御するた
   めの第１の制御用トランジスタと、 前記増幅用トランジスタに並列接続されると共に、前記
   受信信号の信号レベルに応じて、前記増幅用トランジス
   タに入力される受信信号の割合を変化させる分流用トラ
   ンジスタと、 前記分流用トランジスタと共にカレントミラー回路を形
   成し、前記分流用トランジスタの動作電流を制御するた
   めの第２の制御用トランジスタと、 前記増幅用トランジスタに並列接続されると共に、前記
   受信信号の信号レベルに応じてオン・オフ制御され、前
   記増幅用トランジスタに対する前記受信信号の信号経路
   を切り換えるためのスイッチング素子とを備えているこ
   とを特徴とする通信機器。