JP2001116766A - Inspection board - Google Patents

Inspection board

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JP2001116766A
JP2001116766A JP29380999A JP29380999A JP2001116766A JP 2001116766 A JP2001116766 A JP 2001116766A JP 29380999 A JP29380999 A JP 29380999A JP 29380999 A JP29380999 A JP 29380999A JP 2001116766 A JP2001116766 A JP 2001116766A
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wiring
inspection
semiconductor device
wirings
external lead
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JP29380999A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroto Osaki
裕人 大崎
Zenichiro Tabuchi
善一郎 田渕
Tateo Sanemori
健郎 實盛
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To contrive the coexistence of the shortness of a current path between the outer lead of a semiconductor device and the wiring of an inspection board and the absorption of the irregularity of the height of the outer lead of the semiconductor device. SOLUTION: A plurality of pieces of wiring 11 are formed on the surface of a wiring board 10 having elasticity. An opening 10a is formed on an area opposed to the semiconductor device A in the wiring board 10, and a plurality of breaks 12 are passed between the pieces of the wiring 11 from the opening 10a to be radially formed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、複数の外部リード
を有する半導体装置の電気的特性を検査する検査用基板
に関し、特に高周波で動作する半導体装置の電気的特性
を検査する検査用基板に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an inspection substrate for inspecting electrical characteristics of a semiconductor device having a plurality of external leads, and more particularly to an inspection substrate for inspecting electrical characteristics of a semiconductor device operating at a high frequency.

【0002】[0002]

【従来の技術】通信技術の発達及び高度に情報化された
ニューメディアの発展に対応するため、衛星放送、携帯
電話、及び交通システムにおける非接触型の通信などの
分野においては高周波信号の利用状況は著しいものがあ
る。このため、6GHz程度以上の高周波数帯域で動作
する半導体装置の信頼性を向上させるため、該半導体装
置に対する品質保証が強く要望されている。
2. Description of the Related Art In order to respond to the development of communication technology and the development of highly computerized new media, the use of high-frequency signals in fields such as satellite broadcasting, mobile phones, and non-contact communication in transportation systems. Is remarkable. Therefore, in order to improve the reliability of a semiconductor device operating in a high frequency band of about 6 GHz or more, there is a strong demand for quality assurance of the semiconductor device.

【0003】このため、外部の検査装置から、半導体装
置に設けられている第1の外部リードを介して半導体装
置に電気信号を入力すると共に、半導体装置から第2の
外部リードを介して外部の検査装置に電気信号を出力さ
せることにより、外部の検査装置を用いて半導体装置の
電気的特性を正確に評価する必要がある。
For this reason, an electric signal is input from an external inspection device to the semiconductor device via a first external lead provided on the semiconductor device, and an external signal is input from the semiconductor device via a second external lead. It is necessary to accurately evaluate the electrical characteristics of the semiconductor device using an external inspection device by outputting an electric signal to the inspection device.

【0004】そこで、半導体装置の各外部リードと外部
の検査装置の各端子とを電気的に接続する複数の配線を
有する検査用基板が必要になる。
Therefore, an inspection board having a plurality of wirings for electrically connecting each external lead of the semiconductor device and each terminal of the external inspection device is required.

【0005】この場合、半導体装置の電気的特性を正確
に評価するために、半導体装置の各外部リードと検査用
基板の各配線とを確実に接続する必要があるので、検査
用基板には外部リードの半導体装置高さ方向のばらつき
を吸収する機能が必要になる。
In this case, in order to accurately evaluate the electrical characteristics of the semiconductor device, it is necessary to securely connect each external lead of the semiconductor device to each wiring of the inspection substrate. A function for absorbing variations in the height of the lead in the semiconductor device is required.

【0006】また、高周波数帯域で動作する半導体装置
の電気的特性を、ノイズの発生及び測定信号の減衰など
の影響を受けることなく安定して測定するためには、検
査用基板に形成される配線の長さつまり電流経路をでき
るだけ短くする必要がある。
Further, in order to stably measure the electrical characteristics of a semiconductor device operating in a high frequency band without being affected by generation of noise and attenuation of a measurement signal, the semiconductor device is formed on an inspection substrate. It is necessary to make the length of the wiring, that is, the current path as short as possible.

【0007】そこで、以下に説明するような検査用基板
が提案されている。
Therefore, an inspection board as described below has been proposed.

【0008】図6は第1の従来例に係る検査用基板の断
面構造を示しており、配線基板100の上には、半導体
装置Aを収納する複数のソケット101が並んで配置さ
れている。各ソケット101は、配線基板100に固定
されたソケット本体102と、ソケット本体102の上
部に設けられた収納部103と、ソケット本体103の
下部を貫通するように設けられ、収納部103に収納さ
れた半導体装置Aの外部リードBと接続される弾性を持
つ複数の検査用ピン104と、収納部103に収納され
た半導体装置Aをソケット本体102に押圧して外部リ
ードBを検査用ピン104に接触させる押圧部材105
とを備えており、検査用ピン104は配線基板100に
設けられた配線106と電気的に接続されている。
FIG. 6 shows a cross-sectional structure of an inspection board according to a first conventional example. On a wiring board 100, a plurality of sockets 101 for housing a semiconductor device A are arranged side by side. Each socket 101 is provided so as to penetrate a socket main body 102 fixed to the wiring board 100, a storage section 103 provided at an upper portion of the socket main body 102, and a lower portion of the socket main body 103, and is stored in the storage section 103. The plurality of elastic test pins 104 connected to the external leads B of the semiconductor device A, and the semiconductor device A housed in the housing 103 is pressed against the socket body 102 to make the external leads B into the test pins 104. Pressing member 105 to be brought into contact
The inspection pin 104 is electrically connected to the wiring 106 provided on the wiring board 100.

【0009】第1の実施形態によると、半導体装置Aの
外部リードBの高さのばらつきは検査用ピン104の弾
性変形によって吸収可能である。尚、押圧部材105が
半導体装置Aを押圧する押し込み量は、押圧部材105
の下面がソケット本体102の上面に接触する位置によ
り決定される。
According to the first embodiment, the variation in the height of the external lead B of the semiconductor device A can be absorbed by the elastic deformation of the inspection pin 104. The amount by which the pressing member 105 presses the semiconductor device A depends on the pressing member 105.
Is determined by a position where the lower surface of the socket contacts the upper surface of the socket body 102.

【0010】図7は第2の従来例に係る検査用基板の断
面構造を示しており、配線基板110の上にはPCR
(Pressure Contact Rubber )シート112が載置され
ており、該PCRシート112の内部には、半導体装置
Aの外部リードBと配線基板110の配線とを電気的に
接続する多数の導電性粒子113がシート厚さ方向に連
続して埋め込まれている。
FIG. 7 shows a cross-sectional structure of an inspection board according to a second conventional example.
A (Pressure Contact Rubber) sheet 112 is placed, and a large number of conductive particles 113 for electrically connecting the external leads B of the semiconductor device A and the wiring of the wiring board 110 are placed inside the PCR sheet 112. Embedded continuously in the sheet thickness direction.

【0011】第2の従来例によると、半導体装置Aの外
部リードBの高さのばらつきはPCRシート112の弾
性変形によって吸収可能である。また、PCRシート1
12の厚さを0.5mm以下に設定することにより電流
経路の短縮を図っている。
According to the second conventional example, the variation in the height of the external leads B of the semiconductor device A can be absorbed by the elastic deformation of the PCR sheet 112. In addition, PCR sheet 1
The current path is shortened by setting the thickness of T.12 to 0.5 mm or less.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、第1の
従来例においては半導体装置と配線基板との間に検査用
ピンが介在し、第2の従来例においては半導体装置と配
線基板との間にPCRシートが介在するため、高周波数
帯域で動作する半導体装置の電気的特性を検査する際に
インピーダンス特性を正確に測定できないという問題が
ある。すなわち、半導体装置と配線基板との間に検査用
ピン又はPCRシートが介在するため、電気信号の経路
長の短縮には限界があるので、検査用ピン又は導電性粒
子における抵抗及びリアクタンス、並びに隣接する検査
用ピン又は導電性粒子同士の間に発生する静電容量によ
って、インピーダンス特性を正確に測定できないという
問題が発生する。
However, in the first conventional example, an inspection pin is interposed between the semiconductor device and the wiring board, and in the second conventional example, between the semiconductor device and the wiring board. Since the PCR sheet is interposed, there is a problem that impedance characteristics cannot be accurately measured when inspecting electrical characteristics of a semiconductor device operating in a high frequency band. That is, since the inspection pin or the PCR sheet is interposed between the semiconductor device and the wiring board, there is a limit in shortening the path length of the electric signal. There is a problem that the impedance characteristics cannot be measured accurately due to the capacitance generated between the test pins or the conductive particles.

【0013】また、第2の従来例においては、PCRシ
ートがゴム製であるため、PCRシートが温度変化によ
って膨張若しくは収縮したり、又はPCRシートが導電
性粒子から機械的ストレスを受けたりして、導電性粒子
の位置がずれることがある。このため、PCRシートの
導電性粒子の位置が、半導体装置の外部リード又は配線
基板の配線の位置に対してずれるので、外部リードと配
線との電気的導通が損なわれるという問題がある。
In the second conventional example, since the PCR sheet is made of rubber, the PCR sheet expands or contracts due to a temperature change, or the PCR sheet receives mechanical stress from the conductive particles. In some cases, the position of the conductive particles may shift. For this reason, the position of the conductive particles of the PCR sheet is shifted with respect to the position of the external lead of the semiconductor device or the position of the wiring of the wiring board, and thus there is a problem that the electrical continuity between the external lead and the wiring is impaired.

【0014】そこで、電気信号の経路長の短縮を図ると
共に外部リードと配線との電気的導通を確実にするた
め、外部リードを配線にはんだ付けすることも考慮され
る。
Therefore, in order to shorten the path length of the electric signal and to ensure the electrical conduction between the external lead and the wiring, it is also considered to solder the external lead to the wiring.

【0015】しかしながら、外部リードを配線にはんだ
付けすると、検査の終了後にはんだ部分を溶融する工程
が避けられないので、検査工程に要する時間が長くなる
と共にコストが上昇するという新たな問題が発生するの
で、外部リードを配線にはんだ付けする方法は採用しが
たい。
However, when the external leads are soldered to the wiring, a step of melting the solder portion after the completion of the inspection is inevitable, so that a new problem occurs that the time required for the inspection process is increased and the cost is increased. Therefore, it is difficult to employ a method of soldering external leads to wiring.

【0016】前述の問題に鑑み、本発明は、半導体装置
の外部リードと検査用基板の配線との間の電流経路の短
縮と、半導体装置の外部リードの高さのばらつきの吸収
との両立を、検査工程の時間及びコストの増加を招くこ
となく実現することを目的とする。
In view of the above-mentioned problems, the present invention achieves both the reduction of the current path between the external lead of the semiconductor device and the wiring of the inspection substrate and the absorption of the variation in the height of the external lead of the semiconductor device. It is an object of the present invention to realize the inspection without increasing the time and cost of the inspection process.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明に係る第1の検査用基板は、複数の外部リー
ドを有する半導体装置の電気的特性を検査する検査用基
板を対象とし、複数の外部リードのそれぞれと接触する
複数の配線が形成された配線基板と、配線基板に設けら
れ、複数の配線を互いに独立して基板面に垂直な方向に
変位させる変位手段とを備えている。
In order to achieve the above object, a first inspection substrate according to the present invention is directed to an inspection substrate for inspecting electrical characteristics of a semiconductor device having a plurality of external leads. A wiring board on which a plurality of wirings in contact with each of the plurality of external leads are formed, and a displacement means provided on the wiring board and displacing the plurality of wirings independently of each other in a direction perpendicular to the substrate surface. I have.

【0018】第1の検査用基板によると、配線基板には
半導体装置の外部リードと接触する配線が設けられてい
るため、外部リードと配線とは直接に接触することがで
きるので、電気信号の経路長を限界まで低減することが
できる。
According to the first inspection board, since the wiring board is provided with the wiring that comes into contact with the external lead of the semiconductor device, the external lead and the wiring can come into direct contact with each other. The path length can be reduced to the limit.

【0019】また、配線基板には、複数の配線を互いに
独立して基板面に垂直な方向に変位させる変位手段が設
けられているため、相対的に高い外部リードと接触する
配線は相対的に低い外部リードと接触する配線に比べて
基板面に垂直な方向に大きく変位するので、外部リード
の高さのばらつきを吸収することができる。
Further, since the wiring board is provided with a displacement means for displacing a plurality of wirings independently of each other in a direction perpendicular to the substrate surface, the wiring which is in contact with the relatively high external lead is relatively small. Since the displacement is large in the direction perpendicular to the substrate surface as compared with the wiring contacting with the low external lead, variations in the height of the external lead can be absorbed.

【0020】第1の検査用基板において、変位手段は、
配線基板における配線同士の間に形成された切れ目であ
ることが好ましい。このようにすると、複数の配線を互
いに独立して基板面に垂直な方向に確実に変位させるこ
とができる。
In the first inspection board, the displacement means comprises:
It is preferable that the cut is formed between the wirings on the wiring board. With this configuration, the plurality of wirings can be reliably displaced independently of each other in a direction perpendicular to the substrate surface.

【0021】第1の検査用基板において、変位手段は、
配線基板の裏面における配線同士の間の領域に形成され
た切欠き部であることが好ましい。このようにすると、
複数の配線を互いに独立して基板面に垂直な方向に確実
に変位させることができる。
In the first inspection substrate, the displacement means includes:
The cutout is preferably formed in a region between the wirings on the back surface of the wiring board. This way,
The plurality of wirings can be reliably displaced independently of each other in a direction perpendicular to the substrate surface.

【0022】本発明に係る第2の検査用基板は、複数の
外部リードを有する半導体装置の電気的特性を検査する
検査用基板を対象とし、複数の外部リードのそれぞれと
接触する接触部を持つ複数の配線が形成された配線基板
と、複数の配線の各接触部に設けられた凹凸部とを備え
ている。
A second inspection substrate according to the present invention is intended for an inspection substrate for inspecting electrical characteristics of a semiconductor device having a plurality of external leads, and has a contact portion which comes into contact with each of the plurality of external leads. The semiconductor device includes a wiring board on which a plurality of wirings are formed, and a concave / convex portion provided at each contact portion of the plurality of wirings.

【0023】第2の検査用基板によると、配線における
外部リードとの接触部には凹凸部が設けられているた
め、配線における外部リードと接触する部位の面積が低
減するので、配線と外部リードとの接触圧力が増大す
る。このため、配線の変位量及び外部リードの変位量が
増大するので、外部リードの高さのばらつきを吸収する
ことができる。
According to the second inspection board, the contact portion of the wiring with the external lead is provided with an uneven portion, so that the area of the portion of the wiring that contacts the external lead is reduced. And the contact pressure increases. For this reason, the amount of displacement of the wiring and the amount of displacement of the external lead increase, so that variations in the height of the external lead can be absorbed.

【0024】第2の検査用基板において、凹凸部は、複
数の配線の各接触部に固定された多数の導電性粒子によ
り形成されていることが好ましい。このようにすると、
配線における外部リードとの接触部に凹凸部を簡易且つ
確実に設けることができる。
[0024] In the second inspection substrate, the concavo-convex portion is preferably formed by a large number of conductive particles fixed to each contact portion of the plurality of wirings. This way,
An uneven portion can be easily and reliably provided at a contact portion of the wiring with an external lead.

【0025】第2の検査用基板において、凹凸部は、複
数の配線の各接触部に対して、研削加工、研磨加工又は
メッキ加工を施すことにより形成されていることが好ま
しい。このようにすると、配線における外部リードとの
接触部に凹凸部を簡易且つ確実に設けることができる。
In the second inspection substrate, it is preferable that the uneven portion is formed by subjecting each contact portion of the plurality of wirings to grinding, polishing, or plating. With this configuration, it is possible to easily and reliably provide the uneven portion at the contact portion of the wiring with the external lead.

【0026】第2の検査用基板において、凹凸部の表面
にはメッキ層が形成されていることが好ましい。このよ
うにすると、凹凸部の表面強度が増すため、配線の耐久
性が向上して、検査用基板の寿命が長くなる。
In the second inspection substrate, it is preferable that a plating layer is formed on the surface of the uneven portion. In this case, since the surface strength of the uneven portion is increased, the durability of the wiring is improved, and the life of the inspection substrate is extended.

【0027】本発明に係る第3の検査用基板は、複数の
外部リードを有する半導体装置の電気的特性を検査する
検査用基板を対象とし、剛性を有する固定台と、固定台
の表面に設けられた弾性部材又は固定台の表面に弾性体
を介して設けられた可撓性部材の表面に形成され、複数
の外部リードのそれぞれと接触する複数の配線とを備え
ている。
A third inspection board according to the present invention is intended for an inspection board for inspecting electrical characteristics of a semiconductor device having a plurality of external leads, and has a rigid fixed base and a surface provided on the fixed base. A plurality of wirings formed on the surface of a flexible member provided on the surface of the elastic member or the fixed base via an elastic body, and in contact with each of the plurality of external leads.

【0028】第3の検査用基板によると、配線は固定台
の表面に設けられた弾性部材又は固定台の表面に弾性体
を介して設けられた可撓性部材の表面に設けられている
ため、相対的に高い外部リードと接触する配線は相対的
に低い外部リードと接触する配線に比べて基板面に垂直
な方向に大きく変位するので、外部リードの高さのばら
つきを吸収することができる。
According to the third inspection board, the wiring is provided on the surface of the elastic member provided on the surface of the fixed base or on the surface of the flexible member provided on the surface of the fixed base via an elastic body. Since the wiring that contacts the relatively high external lead is greatly displaced in the direction perpendicular to the substrate surface as compared with the wiring that contacts the relatively low external lead, the variation in the height of the external lead can be absorbed. .

【0029】[0029]

【発明の実施の形態】(第1の実施形態)以下、本発明
の第1の実施形態に係る検査用基板について、図1
(a)及び(b)を参照しながら説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS (First Embodiment) Hereinafter, an inspection substrate according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
This will be described with reference to (a) and (b).

【0030】図1(a)に示すように、樹脂を主成分と
し弾性を有する配線基板10の表面には、銅などの導電
性材料からなる複数の配線11が形成されており、各配
線11の内側の端部領域は半導体装置Aの外部リードB
と電気的に接続される。
As shown in FIG. 1A, a plurality of wirings 11 made of a conductive material such as copper are formed on the surface of a wiring substrate 10 having a resin as a main component and having elasticity. Is an external lead B of the semiconductor device A.
Is electrically connected to

【0031】第1の実施形態の特徴としては、配線基板
10における半導体装置Aと対向する領域(中央部の領
域)には開口部10aが形成されていると共に、該開口
部10aから配線11同士の間を通過し外側に向かって
放射状に複数の切れ目12が形成されており、該切れ目
12によって、複数の配線11を互いに独立して基板面
に垂直な方向に変位させる変位手段が構成されている。
As a feature of the first embodiment, an opening 10a is formed in a region (central region) of the wiring substrate 10 facing the semiconductor device A, and the wirings 11 are connected to each other through the opening 10a. A plurality of cuts 12 are formed radially outwardly through the gap, and the cuts 12 constitute a displacement means for displacing the plurality of wirings 11 independently of each other in a direction perpendicular to the substrate surface. I have.

【0032】切れ目12の形成方法としては、配線基板
10の所定部位をルータなどを用いて機械的に溝を形成
する方法、配線基板10の所定部位にレーザビームを照
射して溶融により溝を形成する方法などが挙げられる。
レーザビームにより切れ目12を形成する場合には、C
2 レーザ又はYAGレーザを用いると、細い溝を形成
することができるので、配線11のピッチが小さい場合
には有利である。尚、図1(a)においては、切れ目1
2は波線状であるが直線状であってもよい。
The method of forming the cut 12 is to form a groove in a predetermined portion of the wiring board 10 mechanically using a router or the like, or to irradiate a predetermined portion of the wiring board 10 with a laser beam to form a groove by melting. And the like.
When the cut 12 is formed by the laser beam, C
When an O 2 laser or a YAG laser is used, a thin groove can be formed, which is advantageous when the pitch of the wiring 11 is small. Incidentally, in FIG.
2 is wavy, but may be linear.

【0033】図1(b)は、第1の実施形態に係る検査
用基板を用いて半導体装置Aの電気的特性を検査する際
における検査用基板と半導体装置Aとの接触状態を示し
ており、配線基板10における半導体装置Aの外部リー
ドBと接触する領域は下側(裏面側)に弾性変形してい
る。この場合、図1(b)における右側の外部リードB
の高さは左側の外部リードBの高さよりも高い。つま
り、右側の外部リードBの下端部は左側の外部リードB
の下端部よりも下側に位置している。このため、配線基
板10における右側の外部リードBと接触している領域
は左側の外部リードBと接触している領域に比べて大き
く弾性変形するので、外部リードBの高さのばらつきを
吸収することができる。この場合、配線11における外
部リードBとの接触部と外部リードBとの接触圧は、配
線11を構成する材料の弾性率によって決定されるた
め、各配線11と各外部リードBとの接触圧力は半導体
装置Aのすべての配線11において等しくなる。このた
め、配線11と外部リードBとの接触抵抗が等しくなる
と共に、配線11が受ける機械的なストレスが等しくな
るため配線11ひいては検査用基板の寿命が長くなる。
FIG. 1B shows a contact state between the inspection substrate and the semiconductor device A when inspecting the electrical characteristics of the semiconductor device A using the inspection substrate according to the first embodiment. The area of the wiring board 10 that contacts the external leads B of the semiconductor device A is elastically deformed downward (back side). In this case, the external lead B on the right side in FIG.
Is higher than the height of the left external lead B. That is, the lower end of the right external lead B is
Is located below the lower end of the. For this reason, the area of the wiring board 10 that is in contact with the external lead B on the right side is greatly elastically deformed as compared with the area that is in contact with the external lead B on the left side, thereby absorbing the variation in the height of the external lead B. be able to. In this case, since the contact pressure between the contact portion of the wiring 11 and the external lead B and the external lead B is determined by the elastic modulus of the material forming the wiring 11, the contact pressure between each wiring 11 and each external lead B is determined. Is equal in all the wirings 11 of the semiconductor device A. For this reason, the contact resistance between the wiring 11 and the external lead B becomes equal, and the mechanical stress applied to the wiring 11 becomes equal, so that the life of the wiring 11 and, consequently, the inspection substrate becomes longer.

【0034】また、配線基板10は弾性を有しているた
め、外部リードBとの接触から解放されると、配線基板
10における弾性変形していた領域は当初の位置に戻る
ので、第1の実施形態に係る検査用基板は半導体装置A
の検査に繰り返し用いることができる。
Further, since the wiring board 10 has elasticity, when the wiring board 10 is released from contact with the external leads B, the elastically deformed area of the wiring board 10 returns to the initial position. The inspection substrate according to the embodiment is a semiconductor device A
Can be repeatedly used for inspection.

【0035】(第2の実施形態)以下、本発明の第2の
実施形態に係る検査用基板について、図2(a)及び
(b)を参照しながら説明する。尚、図2(b)は図2
(a)におけるIIb−IIb線の断面構造を示している。
(Second Embodiment) Hereinafter, an inspection substrate according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 (a) and 2 (b). Incidentally, FIG.
2A shows a cross-sectional structure taken along line IIb-IIb.

【0036】図2(a)及び(b)に示すように、樹脂
を主成分とし弾性を有する配線基板20の表面には、銅
などの導電性材料からなる配線21が形成されており、
該配線21の内側の端部は半導体装置Aの外部リードB
と電気的に接続される。
As shown in FIGS. 2A and 2B, a wiring 21 made of a conductive material such as copper is formed on the surface of a wiring substrate 20 having a resin as a main component and having elasticity.
An inner end of the wiring 21 is connected to an external lead B of the semiconductor device A.
Is electrically connected to

【0037】第2の実施形態の特徴として、中央部に位
置する方形状の領域と、該方形状の領域から配線11が
形成されている部位の間を通過し外側に向かって放射状
に延びる複数の帯状の領域とに架けて、配線基板20の
裏面が切り欠かれてなる切欠き部22が形成されてお
り、該切欠き部22によって、複数の配線21を互いに
独立して基板面に垂直な方向に変位させる変位手段が構
成されている。
As a feature of the second embodiment, a plurality of rectangular regions located at the center and a plurality of radially extending outwards passing between the rectangular regions and portions where the wirings 11 are formed. A notch 22 formed by cutting the back surface of the wiring board 20 is formed over the band-like region of the wiring board 20. The notch 22 allows the plurality of wirings 21 to be perpendicular to the board surface independently of each other. Displacement means for displacing in any direction.

【0038】切欠き部22の形成方法としては、配線基
板10の裏面における所定部位をルータなどを用いて機
械的に除去する方法が挙げられる。
As a method of forming the notch 22, there is a method of mechanically removing a predetermined portion on the back surface of the wiring board 10 using a router or the like.

【0039】第2の実施形態に係る検査用基板を用いて
半導体装置Aの電気的特性を検査する場合、第1の実施
形態と同様、配線基板10における相対的に高い外部リ
ードBと接触する領域は相対的に低い外部リードBと接
触する領域に比べて大きく弾性変形するので、外部リー
ドBの高さのばらつきを吸収することができる。また、
配線基板20は、弾性を有しているため、外部リードB
との接触から解放されると当初の形状に戻るので、半導
体装置Aの検査に繰り返し用いることができる。
When the electrical characteristics of the semiconductor device A are inspected by using the inspection substrate according to the second embodiment, as in the first embodiment, the semiconductor device A comes into contact with a relatively high external lead B on the wiring board 10. Since the region is elastically deformed to a greater extent than the region in contact with the relatively low external lead B, it is possible to absorb variations in the height of the external lead B. Also,
Since the wiring board 20 has elasticity, the external leads B
When the semiconductor device A is released from contact with the semiconductor device A, it returns to its original shape, and can be used repeatedly for testing the semiconductor device A.

【0040】(第3の実施形態)以下、本発明の第3の
実施形態に係る検査用基板について、図3を参照しなが
ら説明する。
(Third Embodiment) Hereinafter, an inspection substrate according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0041】第3の実施形態の特徴として、配線基板3
0上に形成された配線31の表面における半導体装置A
の外部リードBとの接触部には凹凸部が形成されてい
る。凹凸部の形成方法としては、配線31の表面を機械
的に研削若しくは研磨したり方法又は配線31の表面に
ロジウムなどをメッキしたりする方法などが挙げられ
る。
The feature of the third embodiment is that the wiring board 3
Semiconductor device A on the surface of wiring 31 formed on
An uneven portion is formed at a contact portion with the external lead B. Examples of the method of forming the uneven portion include a method of mechanically grinding or polishing the surface of the wiring 31 or a method of plating the surface of the wiring 31 with rhodium or the like.

【0042】第3の実施形態によると、配線31におけ
る外部リードBとの接触部に凹凸部が形成されているた
め、配線31における外部リードBと接触する部位の面
積が低減するので、配線31の表面と外部リードBとの
接触圧力が増大する。このため、配線31の変位量及び
外部リードBの変位量が増大するので、外部リードBの
高さにばらつきがあっても、配線31と外部リードBと
を確実に接触させることができる。
According to the third embodiment, since the uneven portion is formed at the contact portion of the wiring 31 with the external lead B, the area of the portion of the wiring 31 that contacts the external lead B is reduced. The contact pressure between the surface of the lead and the external lead B increases. Therefore, the amount of displacement of the wiring 31 and the amount of displacement of the external lead B increase, so that the wiring 31 and the external lead B can be reliably brought into contact even if the height of the external lead B varies.

【0043】尚、配線31の凹凸部の表面に、ニッケル
又はロジウムなどをメッキすると、凹凸部の表面強度が
増して配線31の耐久性が向上するので、検査用基板の
寿命が長くなる。
When nickel or rhodium is plated on the surface of the uneven portion of the wiring 31, the surface strength of the uneven portion is increased and the durability of the wiring 31 is improved, so that the life of the inspection substrate is extended.

【0044】(第4の実施形態)以下、本発明の第4の
実施形態に係る検査用基板について、図4を参照しなが
ら説明する。
(Fourth Embodiment) Hereinafter, an inspection board according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0045】第4の実施形態の特徴として、配線基板4
0上に形成された配線41の表面における半導体装置A
の外部リードBと接触部には例えばAuなどからなるバ
ンプ42が設けられており、これによって、配線41の
表面における半導体装置Aの外部リードBとの接触部に
は凹凸部が形成されている。
The feature of the fourth embodiment is that the wiring board 4
Semiconductor device A on the surface of wiring 41 formed on
A bump 42 made of, for example, Au or the like is provided at a contact portion of the semiconductor device A with the external lead B of the semiconductor device A, so that an uneven portion is formed on the surface of the wiring 41. .

【0046】第4の実施形態によると、配線41におけ
る外部リードBと接触する面にバンプ42が形成されて
いるため、配線41における外部リードBと接触する部
位の面積が低減するので、配線41の表面と外部リード
Bとの接触圧力が増大する。このため、配線41の変位
量及び外部リードBの変位量が増大するので、外部リー
ドBの高さにばらつきがあっても、配線41と外部リー
ドBとを確実に接触させることができる。
According to the fourth embodiment, since the bump 42 is formed on the surface of the wiring 41 that contacts the external lead B, the area of the wiring 41 that contacts the external lead B is reduced. The contact pressure between the surface of the lead and the external lead B increases. For this reason, since the displacement amount of the wiring 41 and the displacement amount of the external lead B increase, the wiring 41 and the external lead B can be surely brought into contact even if the height of the external lead B varies.

【0047】尚、バンプ42をAuなどのように比較的
に柔らかい金属により形成すると、バンプ42の硬度が
外部リードB及び配線41の硬度よりも小さくなるた
め、バンプ42が変形することにより、外部リードBの
高さのばらつきをより多く吸収することができる。
When the bumps 42 are formed of a relatively soft metal such as Au, the hardness of the bumps 42 becomes smaller than the hardness of the external leads B and the wirings 41. More variation in the height of the lead B can be absorbed.

【0048】また、図4に示すように、バンプ42を二
段重ね形状にすると、バンプ42の変形量がより大きく
なるため、外部リードBの高さのばらつきをより一層多
く吸収することができる。
Further, as shown in FIG. 4, when the bumps 42 are formed in a two-tiered shape, the amount of deformation of the bumps 42 becomes larger, so that the variation in the height of the external leads B can be further absorbed. .

【0049】(第5の実施形態)以下、本発明の第5の
実施形態に係る検査用基板について、図5を参照しなが
ら説明する。
(Fifth Embodiment) Hereinafter, an inspection substrate according to a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0050】第5の実施形態の特徴として、配線基板5
0上に形成された配線51の表面における半導体装置A
の外部リードBと接触する面には多数の導電性粒子52
が固定されており、これによって、配線51の表面にお
ける半導体装置Aの外部リードBとの接触部には凹凸部
が形成されている。
The feature of the fifth embodiment is that the wiring board 5
Semiconductor device A on the surface of wiring 51 formed on
A large number of conductive particles 52
Are fixed, and thereby, a concavo-convex portion is formed at a contact portion of the surface of the wiring 51 with the external lead B of the semiconductor device A.

【0051】導電性粒子52の固定方法の一例として
は、配線51の表面における外部リードBと接触する面
にメッキを施す方法が挙げられる。この場合、メッキ浴
などのメッキ条件の設定を変えることにより、導電性粒
子52の粒径を変えることができる。
As an example of a method of fixing the conductive particles 52, a method of plating a surface of the surface of the wiring 51 which is in contact with the external lead B can be cited. In this case, the particle size of the conductive particles 52 can be changed by changing the setting of plating conditions such as a plating bath.

【0052】第5の実施形態によると、配線51におけ
る外部リードBと接触する面に多数の導電性粒子52が
固定されているため、配線51における外部リードBと
接触する部位の面積が低減するので、配線51の表面と
外部リードBとの接触圧力が増大する。このため、配線
51の変位量及び外部リードBの変位量が増大するの
で、外部リードBの高さにばらつきがあっても、配線5
1と外部リードBとを確実に接触させることができる。
According to the fifth embodiment, since a large number of conductive particles 52 are fixed to the surface of the wiring 51 that contacts the external lead B, the area of the part of the wiring 51 that contacts the external lead B is reduced. Therefore, the contact pressure between the surface of the wiring 51 and the external lead B increases. For this reason, the displacement amount of the wiring 51 and the displacement amount of the external lead B increase.
1 and the external lead B can be reliably contacted.

【0053】尚、第3の実施形態においては配線31の
表面に凹凸部を形成し、第4の実施形態においては配線
41の表面にバンプ42を形成し、第5の実施形態にお
いては配線51の表面に多数の導電性粒子51を固定す
ることにより、配線の表面と外部リードBとの接触圧力
を増大して、配線の変位量及び外部リードBの変位量の
増大を図ったが、機械的若しくは化学的な研削、研磨又
は粗化などの適宜の方法により、配線における外部リー
ドBとの接触面積を低減して、配線の表面と外部リード
Bとの接触圧力を増大させてもよい。
In the third embodiment, an uneven portion is formed on the surface of the wiring 31. In the fourth embodiment, a bump 42 is formed on the surface of the wiring 41. In the fifth embodiment, the wiring 51 is formed. The contact pressure between the surface of the wiring and the external lead B was increased by fixing a large number of conductive particles 51 on the surface of the lead, thereby increasing the displacement of the wiring and the displacement of the external lead B. By an appropriate method such as mechanical or chemical grinding, polishing, or roughening, the contact area of the wiring with the external lead B may be reduced, and the contact pressure between the surface of the wiring and the external lead B may be increased.

【0054】(第6の実施形態)以下、本発明の第6の
実施形態に係る検査用基板について、図6を参照しなが
ら説明する。
(Sixth Embodiment) Hereinafter, an inspection board according to a sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0055】第6の実施形態の特徴として、剛性を有す
る固定台60の表面には弾性体61を介して、ポリイミ
ド又はカプトンなどからなりテープ状又はシート状の可
撓性部材62が貼着されており、該可撓性部材62の表
面に配線63が形成されている。
As a feature of the sixth embodiment, a tape-shaped or sheet-shaped flexible member 62 made of polyimide or Kapton is adhered to the surface of a rigid fixed base 60 via an elastic body 61. The wiring 63 is formed on the surface of the flexible member 62.

【0056】第6の実施形態によると、可撓性部材62
における相対的に高い外部リードBと接触する領域は相
対的に低い外部リードBと接触する領域に比べて大きく
撓む(基板面に垂直な方向に大きく変位する)ので、外
部リードBの高さのばらつきを吸収することができる。
According to the sixth embodiment, the flexible member 62
The area of contact with the relatively high external lead B in (1) is more flexed (largely displaced in the direction perpendicular to the substrate surface) than the area of contact with the relatively low external lead B. Can be absorbed.

【0057】尚、弾性体61を、適当な弾性係数を持つ
弾性材により形成することにより、外部リードBと配線
63との接触圧力を調整することができる。
The contact pressure between the external lead B and the wiring 63 can be adjusted by forming the elastic body 61 from an elastic material having an appropriate elastic coefficient.

【0058】また、第6の実施形態においては、固定台
60の表面に弾性体61を介して設けられた可撓性部材
62に配線63を設けたが、これに代えて、固定台60
の表面に設けられた弾性体61に直接に配線63を設け
てもよい。
Further, in the sixth embodiment, the wiring 63 is provided on the flexible member 62 provided on the surface of the fixed base 60 via the elastic body 61.
The wiring 63 may be provided directly on the elastic body 61 provided on the surface.

【0059】[0059]

【発明の効果】第1〜第3の検査用基板によると、基板
には半導体装置の外部リードと直接に接触する配線が設
けられているおり、電気信号の経路長を限界まで低減で
きるため、従来のように検査用ピン又は導電性粒子にお
ける抵抗及びリアクタンス並びに隣接する検査用ピン又
は導電性粒子同士の間の静電容量が生じないので、イン
ピーダンス特性を正確に測定することができる。
According to the first to third inspection substrates, the substrate is provided with the wiring which directly contacts the external leads of the semiconductor device, and the path length of the electric signal can be reduced to the limit. Since the resistance and reactance of the inspection pin or the conductive particle and the capacitance between the adjacent inspection pin or the conductive particle do not occur as in the related art, the impedance characteristic can be accurately measured.

【0060】また、第1又は第3の検査用基板において
は、配線が接触する外部リードの高さの変化に応じて基
板面と垂直な方向に変位することができ、また、第2の
検査用基板においては、配線の変位量及び外部リードの
変位量が従来よりも増大するので、外部リードの高さに
ばらつきがあっても、配線と外部リードとを確実に接触
させることができる。
Further, the first or third inspection board can be displaced in a direction perpendicular to the board surface in accordance with a change in the height of the external lead with which the wiring comes into contact. Since the amount of displacement of the wiring and the amount of displacement of the external lead in the substrate for use are larger than before, the wiring and the external lead can be reliably brought into contact even if the height of the external lead varies.

【0061】このため、第1〜第3の検査用基板による
と、半導体装置の外部リードと検査用基板の配線との間
の電流経路の短縮と、半導体装置の外部リードの高さの
ばらつきの吸収との両立を、検査工程の時間及びコスト
の増加を招くことなく実現することが可能になる。
Therefore, according to the first to third inspection substrates, the current path between the external lead of the semiconductor device and the wiring of the inspection substrate can be shortened, and the variation in the height of the external lead of the semiconductor device can be reduced. The compatibility with the absorption can be realized without increasing the time and cost of the inspection process.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)は本発明の第1の実施形態に係る検査用
基板の平面図であり、(b)は第1の実施形態に係る検
査用基板を用いて半導体装置の電気的特性の検査を行な
う方法を示す断面図である。
FIG. 1A is a plan view of an inspection substrate according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 1B is an electrical characteristic of a semiconductor device using the inspection substrate according to the first embodiment. FIG. 5 is a cross-sectional view showing a method of performing the inspection of FIG.

【図2】(a)は本発明の第2の実施形態に係る検査用
基板の平面図であり、(b)は(a)におけるIIb−II
b線における断面図である。
FIG. 2 (a) is a plan view of an inspection substrate according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 2 (b) is IIb-II in FIG.
It is sectional drawing in a b line.

【図3】本発明の第3の実施形態に係る検査用基板の断
面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view of an inspection substrate according to a third embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第4の実施形態に係る検査用基板の断
面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view of an inspection substrate according to a fourth embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第5の実施形態に係る検査用基板の断
面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view of an inspection substrate according to a fifth embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第6の実施形態に係る検査用基板の断
面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view of an inspection substrate according to a sixth embodiment of the present invention.

【図7】第1の従来例に係る検査用基板の断面図であ
る。
FIG. 7 is a sectional view of an inspection substrate according to a first conventional example.

【図8】第2の従来例に係る検査用基板の断面図であ
る。
FIG. 8 is a sectional view of an inspection substrate according to a second conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

A 半導体装置 B 外部リード 10 配線基板 10a 開口部 11 配線 12 切れ目 20 配線基板 21 配線 22 切欠き部 30 配線基板 31 配線 40 配線基板 41 配線 42 バンプ 50 配線基板 51 配線 52 導電性粒子 60 固定台 61 弾性体 62 可撓性部材 63 配線 A Semiconductor device B External lead 10 Wiring board 10a Opening 11 Wiring 12 Break 20 Wiring board 21 Wiring 22 Notch 30 Wiring board 31 Wiring 40 Wiring board 41 Wiring 42 Bump 50 Wiring board 51 Wiring 52 Conductive particles 60 Fixing table 61 Elastic body 62 Flexible member 63 Wiring

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 實盛 健郎 大阪府高槻市幸町1番1号 松下電子工業 株式会社内 Fターム(参考) 2G011 AA01 AA12 AA21 AB08 AC14 AC32 AE02 AF07  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing from the front page (72) Inventor Kenro Jinmori 1-1, Komachi, Takatsuki-shi, Osaka Matsushita Electronics Co., Ltd. F-term (reference) 2G011 AA01 AA12 AA21 AB08 AC14 AC32 AE02 AF07

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の外部リードを有する半導体装置の
電気的特性を検査する検査用基板であって、 前記複数の外部リードのそれぞれと接触する複数の配線
が形成された配線基板と、 前記配線基板に設けられ、前記複数の配線を互いに独立
して基板面に垂直な方向に変位させる変位手段とを備え
ていることを特徴とする検査用基板。
1. An inspection board for inspecting electrical characteristics of a semiconductor device having a plurality of external leads, wherein: a wiring board on which a plurality of wirings contacting each of the plurality of external leads is formed; An inspection substrate, comprising: a displacement means provided on the substrate and displacing the plurality of wirings independently of each other in a direction perpendicular to the substrate surface.
【請求項2】 前記変位手段は、前記配線基板における
前記配線同士の間に形成された切れ目であることを特徴
とする請求項1に記載の検査用基板。
2. The inspection board according to claim 1, wherein the displacement means is a cut formed between the wirings on the wiring board.
【請求項3】 前記変位手段は、前記配線基板の裏面に
おける前記配線同士の間の領域に形成された切欠き部で
あることを特徴とする請求項1に記載の検査用基板。
3. The inspection board according to claim 1, wherein the displacement means is a notch formed in a region between the wirings on the back surface of the wiring board.
【請求項4】 複数の外部リードを有する半導体装置の
電気的特性を検査する検査用基板であって、 前記複数の外部リードのそれぞれと接触する接触部を持
つ複数の配線が形成された配線基板と、 前記複数の配線の各接触部に設けられた凹凸部とを備え
ていることを特徴とする検査用基板。
4. An inspection board for inspecting electrical characteristics of a semiconductor device having a plurality of external leads, wherein a wiring board having a plurality of wirings having a contact portion that contacts each of the plurality of external leads is formed. And an uneven portion provided at each contact portion of the plurality of wirings.
【請求項5】 前記凹凸部は、前記複数の配線の各接触
部に固定された多数の導電性粒子により形成されている
ことを特徴とする請求項4に記載の検査用基板。
5. The inspection substrate according to claim 4, wherein the uneven portion is formed of a large number of conductive particles fixed to each contact portion of the plurality of wirings.
【請求項6】 前記凹凸部は、前記複数の配線の各接触
部に対して、研削加工、研磨加工又はメッキ加工を施す
ことにより形成されていることを特徴とする請求項4に
記載の検査用基板。
6. The inspection according to claim 4, wherein the uneven portion is formed by performing a grinding process, a polishing process, or a plating process on each contact portion of the plurality of wirings. Substrate.
【請求項7】 前記凹凸部の表面にはメッキ層が形成さ
れていることを特徴とする請求項4に記載の検査用基
板。
7. The inspection substrate according to claim 4, wherein a plating layer is formed on a surface of the uneven portion.
【請求項8】 複数の外部リードを有する半導体装置の
電気的特性を検査する検査用基板であって、 剛性を有する固定台と、 前記固定台の表面に設けられた弾性部材又は前記固定台
の表面に弾性体を介して設けられた可撓性部材の表面に
形成され、前記複数の外部リードのそれぞれと接触する
複数の配線とを備えていることを特徴とする検査用基
板。
8. An inspection board for inspecting electrical characteristics of a semiconductor device having a plurality of external leads, comprising: a fixed base having rigidity; an elastic member provided on a surface of the fixed base; An inspection substrate, comprising: a plurality of wirings formed on a surface of a flexible member provided on the surface via an elastic body, the wiring being in contact with each of the plurality of external leads.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2007309754A (en) * 2006-05-17 2007-11-29 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor inspection device

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