JP2001116617A - 薄膜型装置及びその製造方法 - Google Patents
薄膜型装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2001116617A JP2001116617A JP29266099A JP29266099A JP2001116617A JP 2001116617 A JP2001116617 A JP 2001116617A JP 29266099 A JP29266099 A JP 29266099A JP 29266099 A JP29266099 A JP 29266099A JP 2001116617 A JP2001116617 A JP 2001116617A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- bottom layer
- etching window
- substrate
- detection element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Measuring Volume Flow (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フローティング領域の面積を増加できフロー
ティング領域と基材の粘着を発生しない薄膜型装置及び
その製造方法の提供。 【解決手段】 基材の上表面に底層を形成した後、まず
底層に第１エッチングウインドウを開設し、並びに犠牲
層を形成して第１エッチングウインドウに充填し、続い
て構造層を犠牲層の表面を被覆するように形成し、並び
に構造層に第２エッチングウインドウを開設する。最後
に第２エッチングウインドウを透過して犠牲層と基材に
エッチングを進行して第２エッチングウインドウを第１
エッチングウインドウに連通させ、並びに基材内に深く
進入する一つのピットを形成することにより、構造層に
ピット上方において一つのフローティング領域を形成し
てフローティング領域と基材との間を隔離する。
ティング領域と基材の粘着を発生しない薄膜型装置及び
その製造方法の提供。 【解決手段】 基材の上表面に底層を形成した後、まず
底層に第１エッチングウインドウを開設し、並びに犠牲
層を形成して第１エッチングウインドウに充填し、続い
て構造層を犠牲層の表面を被覆するように形成し、並び
に構造層に第２エッチングウインドウを開設する。最後
に第２エッチングウインドウを透過して犠牲層と基材に
エッチングを進行して第２エッチングウインドウを第１
エッチングウインドウに連通させ、並びに基材内に深く
進入する一つのピットを形成することにより、構造層に
ピット上方において一つのフローティング領域を形成し
てフローティング領域と基材との間を隔離する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一種の薄膜型装置及
びその製造方法に係り、特に犠牲層を採用して製造した
薄膜型装置とその製造方法に関する。
びその製造方法に係り、特に犠牲層を採用して製造した
薄膜型装置とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜型装置、例えばサーモパイル素子、
ボロメータ（Ｂｏｌｏｍｅｔｅｒ）、圧力検出器、流量
計及びガス検出器等の製造方法は、大きく正面エッチン
グプロセスと背面エッチングプロセスに分けられ、後者
の欠点は、特殊な整合露光装置を必要とすることにあ
る。周知の前者による薄膜型装置製造工程は、図１に示
されるとおりであり、まず、一つの基材１２の上表面に
順に、底層１３と構造層１４を形成し、続いて一つのエ
ッチングウインドウ１６を構造層１４と底層１３を貫通
するように形成し、それにより基材１２の表面の一部を
露出させ、その後、さらにこのエッチングウインドウ１
６を透過して基材１２に対して異方性エッチングを進行
し、基材１２にピット（ｐｉｔ）１８を形成し、底層１
３と構造層１４において基材１２から隔離されたフロー
ティング領域１９を形成する。
ボロメータ（Ｂｏｌｏｍｅｔｅｒ）、圧力検出器、流量
計及びガス検出器等の製造方法は、大きく正面エッチン
グプロセスと背面エッチングプロセスに分けられ、後者
の欠点は、特殊な整合露光装置を必要とすることにあ
る。周知の前者による薄膜型装置製造工程は、図１に示
されるとおりであり、まず、一つの基材１２の上表面に
順に、底層１３と構造層１４を形成し、続いて一つのエ
ッチングウインドウ１６を構造層１４と底層１３を貫通
するように形成し、それにより基材１２の表面の一部を
露出させ、その後、さらにこのエッチングウインドウ１
６を透過して基材１２に対して異方性エッチングを進行
し、基材１２にピット（ｐｉｔ）１８を形成し、底層１
３と構造層１４において基材１２から隔離されたフロー
ティング領域１９を形成する。
【０００３】しかし、このような製造方法により得られ
るフローティング領域１９の使用可能な面積率は小さ
く、ゆえにこの点を改善すべく、図２に示されるように
もう一つの周知の技術が提供されている。それによる
と、基材２２の上表面に底層２３を形成した後に、底層
２３の表面に一つの犠牲層２４を形成し、その後、さら
に構造層２６を犠牲層２４の表面を被覆するよう形成
し、続いて構造層２６にエッチングウインドウ２８を開
設し、並びにエッチング鵜引導２８を透過して犠牲層２
４をエッチングして除去し、構造層２６と底層２３の間
にギャップ２９を形成し、これにより構造層２６にフロ
ーティング領域２６２を形成して底層２３との間を隔離
している。
るフローティング領域１９の使用可能な面積率は小さ
く、ゆえにこの点を改善すべく、図２に示されるように
もう一つの周知の技術が提供されている。それによる
と、基材２２の上表面に底層２３を形成した後に、底層
２３の表面に一つの犠牲層２４を形成し、その後、さら
に構造層２６を犠牲層２４の表面を被覆するよう形成
し、続いて構造層２６にエッチングウインドウ２８を開
設し、並びにエッチング鵜引導２８を透過して犠牲層２
４をエッチングして除去し、構造層２６と底層２３の間
にギャップ２９を形成し、これにより構造層２６にフロ
ーティング領域２６２を形成して底層２３との間を隔離
している。
【０００４】このような製造方法により得られるフロー
ティング領域２６２の面積は比較的大きいが、しかし構
造層２６の下垂によりフローティング領域２６２と底層
２３の粘着（ｓｔｉｃｋｉｎｇ）が発生した。
ティング領域２６２の面積は比較的大きいが、しかし構
造層２６の下垂によりフローティング領域２６２と底層
２３の粘着（ｓｔｉｃｋｉｎｇ）が発生した。
【０００５】このため周知の薄膜型装置の製造方法には
さらに改良の必要があった。
さらに改良の必要があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の主要な目的は
フローティング領域の面積を増加できる一種の薄膜型装
置及びその製造方法を提供することにある。
フローティング領域の面積を増加できる一種の薄膜型装
置及びその製造方法を提供することにある。
【０００７】本発明のもう一つの目的は、フローティン
グ領域と底層の粘着の問題を有さず製品の信頼度を高め
ることができる一種の薄膜型装置及びその製造方法を提
供することにある。
グ領域と底層の粘着の問題を有さず製品の信頼度を高め
ることができる一種の薄膜型装置及びその製造方法を提
供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、一つ
の上表面を具えた基材、該基材の上表面より該基材内に
深く進入するピット、該基材の上表面に形成された底
層、該底層の上に形成されて一部が該ピットの上方にフ
ローティングする構造層とされ、該底層の一部が該構造
層のフローティング領域の下方に接合して一つの補強構
造を形成し、該補強構造の面積が該フローティング領域
の面積より小さいか或いは大きい、上記構造層、該底層
及び該構造層を貫通して該ピットに連通するエッチング
ウインドウ、以上を具備することを特徴とする、薄膜型
装置としている。請求項２の発明は、前記基材がシリコ
ンとされたことを特徴とする、請求項１に記載の薄膜型
装置としている。請求項３の発明は、前記構造層がサー
モパイル素子、ボロメータ（Ｂｏｌｏｍｅｔｅｒ）素
子、圧力検出素子、流量検出素子、ガス検出素子或いは
電子デバイスを具備することを特徴とする、請求項１に
記載の薄膜型装置としている。請求項４の発明は、前記
構造層が一層或いは多層の誘電材料、半導体材料、金属
材料、金属酸化物、金属窒化物或いは金属けい化物を具
備したことを特徴とする、請求項１に記載の薄膜型装置
としている。請求項５の発明は、前記底層がサーモパイ
ル素子、ボロメータ（Ｂｏｌｏｍｅｔｅｒ）素子、圧力
検出素子、流量検出素子、ガス検出素子或いは電子デバ
イスを具備することを特徴とする、請求項１に記載の薄
膜型装置としている。請求項６の発明は、前記底層が一
層或いは多層の誘電材料、半導体材料、金属材料、金属
酸化物、金属窒化物或いは金属けい化物を具備したこと
を特徴とする、請求項１に記載の薄膜型装置としてい
る。請求項７の発明は、基材、該基材の上表面に形成さ
れ第１エッチングウインドウが開設された底層、該第１
エッチングウインドウより該基材内に深く進入するピッ
ト、該底層の上に形成されて一部が該ピットの上方にフ
ローティングする構造層とされ、該フローティング領域
の下表面が該ピットに隣接して該底層及び該基材との間
に隔離が形成された、上記構造層、該構造層を貫通して
該ピットに連通する第２エッチングウインドウ、以上を
具備することを特徴とする、薄膜型装置としている。請
求項８の発明は、前記基材がシリコンとされたことを特
徴とする、請求項７に記載の薄膜型装置としている。請
求項９の発明は、前記構造層がサーモパイル素子、ボロ
メータ（Ｂｏｌｏｍｅｔｅｒ）素子、圧力検出素子、流
量検出素子、ガス検出素子或いは電子デバイスを具備す
ることを特徴とする、請求項７に記載の薄膜型装置とし
ている。請求項１０の発明は、前記構造層が一層或いは
多層の誘電材料、半導体材料、金属材料、金属酸化物、
金属窒化物或いは金属けい化物を具備したことを特徴と
する、請求項７に記載の薄膜型装置としている。請求項
１１の発明は、前記底層がサーモパイル素子、ボロメー
タ（Ｂｏｌｏｍｅｔｅｒ）素子、圧力検出素子、流量検
出素子、ガス検出素子或いは電子デバイスを具備するこ
とを特徴とする、請求項７に記載の薄膜型装置としてい
る。請求項１２の発明は、前記底層が一層或いは多層の
誘電材料、半導体材料、金属材料、金属酸化物、金属窒
化物或いは金属けい化物を具備したことを特徴とする、
請求項７に記載の薄膜型装置としている。請求項１３の
発明は、薄膜型装置の製造方法であって、基材を提供す
るステップ、該基材の上表面に底層を形成するステッ
プ、該底層に第１エッチングウインドウを開設するステ
ップ、犠牲層を形成して該第１エッチングウインドウに
充填するステップ、構造層を該底層と該犠牲層の表面に
形成するステップ、該構造層に第２エッチングウインド
ウを開設して該犠牲層の一部を露出させるステップ、該
第２エッチングウインドウを透過して該犠牲層と該基材
に対してエッチングを進行するステップ、以上のステッ
プを具備することを特徴とする薄膜型装置の製造方法と
している。請求項１４の発明は、薄膜型装置の製造方法
であって、基材を提供するステップ、該基材の上表面に
底層を形成するステップ、該底層に第１エッチングウイ
ンドウを開設して該底層に該第１エッチングウインドウ
により画定された少なくとも一つの保留領域を形成する
ステップ、犠牲層を形成して該第１エッチングウインド
ウに充填するステップ、構造層を該犠牲層と該保留領域
の表面に形成するステップ、該構造層に第２エッチング
ウインドウを開設して該犠牲層の一部を露出させるステ
ップ、該第２エッチングウインドウを透過して該犠牲層
と該基材に対してエッチングを進行するステップ、以上
のステップを具備することを特徴とする薄膜型装置の製
造方法としている。
の上表面を具えた基材、該基材の上表面より該基材内に
深く進入するピット、該基材の上表面に形成された底
層、該底層の上に形成されて一部が該ピットの上方にフ
ローティングする構造層とされ、該底層の一部が該構造
層のフローティング領域の下方に接合して一つの補強構
造を形成し、該補強構造の面積が該フローティング領域
の面積より小さいか或いは大きい、上記構造層、該底層
及び該構造層を貫通して該ピットに連通するエッチング
ウインドウ、以上を具備することを特徴とする、薄膜型
装置としている。請求項２の発明は、前記基材がシリコ
ンとされたことを特徴とする、請求項１に記載の薄膜型
装置としている。請求項３の発明は、前記構造層がサー
モパイル素子、ボロメータ（Ｂｏｌｏｍｅｔｅｒ）素
子、圧力検出素子、流量検出素子、ガス検出素子或いは
電子デバイスを具備することを特徴とする、請求項１に
記載の薄膜型装置としている。請求項４の発明は、前記
構造層が一層或いは多層の誘電材料、半導体材料、金属
材料、金属酸化物、金属窒化物或いは金属けい化物を具
備したことを特徴とする、請求項１に記載の薄膜型装置
としている。請求項５の発明は、前記底層がサーモパイ
ル素子、ボロメータ（Ｂｏｌｏｍｅｔｅｒ）素子、圧力
検出素子、流量検出素子、ガス検出素子或いは電子デバ
イスを具備することを特徴とする、請求項１に記載の薄
膜型装置としている。請求項６の発明は、前記底層が一
層或いは多層の誘電材料、半導体材料、金属材料、金属
酸化物、金属窒化物或いは金属けい化物を具備したこと
を特徴とする、請求項１に記載の薄膜型装置としてい
る。請求項７の発明は、基材、該基材の上表面に形成さ
れ第１エッチングウインドウが開設された底層、該第１
エッチングウインドウより該基材内に深く進入するピッ
ト、該底層の上に形成されて一部が該ピットの上方にフ
ローティングする構造層とされ、該フローティング領域
の下表面が該ピットに隣接して該底層及び該基材との間
に隔離が形成された、上記構造層、該構造層を貫通して
該ピットに連通する第２エッチングウインドウ、以上を
具備することを特徴とする、薄膜型装置としている。請
求項８の発明は、前記基材がシリコンとされたことを特
徴とする、請求項７に記載の薄膜型装置としている。請
求項９の発明は、前記構造層がサーモパイル素子、ボロ
メータ（Ｂｏｌｏｍｅｔｅｒ）素子、圧力検出素子、流
量検出素子、ガス検出素子或いは電子デバイスを具備す
ることを特徴とする、請求項７に記載の薄膜型装置とし
ている。請求項１０の発明は、前記構造層が一層或いは
多層の誘電材料、半導体材料、金属材料、金属酸化物、
金属窒化物或いは金属けい化物を具備したことを特徴と
する、請求項７に記載の薄膜型装置としている。請求項
１１の発明は、前記底層がサーモパイル素子、ボロメー
タ（Ｂｏｌｏｍｅｔｅｒ）素子、圧力検出素子、流量検
出素子、ガス検出素子或いは電子デバイスを具備するこ
とを特徴とする、請求項７に記載の薄膜型装置としてい
る。請求項１２の発明は、前記底層が一層或いは多層の
誘電材料、半導体材料、金属材料、金属酸化物、金属窒
化物或いは金属けい化物を具備したことを特徴とする、
請求項７に記載の薄膜型装置としている。請求項１３の
発明は、薄膜型装置の製造方法であって、基材を提供す
るステップ、該基材の上表面に底層を形成するステッ
プ、該底層に第１エッチングウインドウを開設するステ
ップ、犠牲層を形成して該第１エッチングウインドウに
充填するステップ、構造層を該底層と該犠牲層の表面に
形成するステップ、該構造層に第２エッチングウインド
ウを開設して該犠牲層の一部を露出させるステップ、該
第２エッチングウインドウを透過して該犠牲層と該基材
に対してエッチングを進行するステップ、以上のステッ
プを具備することを特徴とする薄膜型装置の製造方法と
している。請求項１４の発明は、薄膜型装置の製造方法
であって、基材を提供するステップ、該基材の上表面に
底層を形成するステップ、該底層に第１エッチングウイ
ンドウを開設して該底層に該第１エッチングウインドウ
により画定された少なくとも一つの保留領域を形成する
ステップ、犠牲層を形成して該第１エッチングウインド
ウに充填するステップ、構造層を該犠牲層と該保留領域
の表面に形成するステップ、該構造層に第２エッチング
ウインドウを開設して該犠牲層の一部を露出させるステ
ップ、該第２エッチングウインドウを透過して該犠牲層
と該基材に対してエッチングを進行するステップ、以上
のステップを具備することを特徴とする薄膜型装置の製
造方法としている。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明によると、基材の上表面に
底層を形成した後、まず底層に第１エッチングウインド
ウを開設し、並びに犠牲層を形成して第１エッチングウ
インドウに充填し、続いて構造層を犠牲層の表面を被覆
するように形成し、並びに構造層に第２エッチングウイ
ンドウを開設する。最後に第２エッチングウインドウを
透過して犠牲層と基材にエッチングを進行して第２エッ
チングウインドウを第１エッチングウインドウに連通さ
せ、並びに基材内に深く進入する一つのピットを形成す
ることにより、構造層にピット上方において一つのフロ
ーティング領域を形成してフローティング領域と基材と
の間を隔離する。
底層を形成した後、まず底層に第１エッチングウインド
ウを開設し、並びに犠牲層を形成して第１エッチングウ
インドウに充填し、続いて構造層を犠牲層の表面を被覆
するように形成し、並びに構造層に第２エッチングウイ
ンドウを開設する。最後に第２エッチングウインドウを
透過して犠牲層と基材にエッチングを進行して第２エッ
チングウインドウを第１エッチングウインドウに連通さ
せ、並びに基材内に深く進入する一つのピットを形成す
ることにより、構造層にピット上方において一つのフロ
ーティング領域を形成してフローティング領域と基材と
の間を隔離する。
【００１０】
【実施例】図３は本発明の一つの実施例の工程フローを
示す。まず、基材３２の上表面に底層３３を形成する。
続いて底層３３に第１エッチングウインドウ３４を開設
し、並びに犠牲層３６、例えば多結晶シリコン或いは酸
化シリコンを形成して第１エッチングウインドウ３４に
充填する。犠牲層３６の形成完成後に、構造層３７を形
成してその表面を被覆し、並びに構造層３７に第２エッ
チングウインドウ３８を開設して犠牲層３６の表面の一
部を露出させる。そのうち、底層３３と構造層３７は単
層或いは多層材料で組成され、例えば誘電材料、半導体
材料、金属材料、金属酸化物、金属窒化物、或いは金属
けい化物とされ、その内に電子素子、例えばサーモパイ
ル素子、ボロメータ（Ｂｏｌｏｍｅｔｅｒ）、圧力検出
器、流量計及びガス検出器或いは電子デバイスを有す
る。その後、第２エッチングウインドウ３８を透過して
犠牲層３６と基材３２に対してエッチングを進行し、一
つのピット３９を形成し、第１エッチングウインドウ３
６を深く基材３２中に進入させ、並びに第２エッチング
ウインドウ３８をピット３９と連通させ、これにより構
造層３７にピット３９の上方においてフローティング領
域３７２を形成させ、且つフローティング領域３７２の
下表面をピット３９に隣接させ、両者間にその他の界面
を存在させず、即ちフローティング領域３７２と底層３
３及び基材３２の間にいずれも隔離を形成する。
示す。まず、基材３２の上表面に底層３３を形成する。
続いて底層３３に第１エッチングウインドウ３４を開設
し、並びに犠牲層３６、例えば多結晶シリコン或いは酸
化シリコンを形成して第１エッチングウインドウ３４に
充填する。犠牲層３６の形成完成後に、構造層３７を形
成してその表面を被覆し、並びに構造層３７に第２エッ
チングウインドウ３８を開設して犠牲層３６の表面の一
部を露出させる。そのうち、底層３３と構造層３７は単
層或いは多層材料で組成され、例えば誘電材料、半導体
材料、金属材料、金属酸化物、金属窒化物、或いは金属
けい化物とされ、その内に電子素子、例えばサーモパイ
ル素子、ボロメータ（Ｂｏｌｏｍｅｔｅｒ）、圧力検出
器、流量計及びガス検出器或いは電子デバイスを有す
る。その後、第２エッチングウインドウ３８を透過して
犠牲層３６と基材３２に対してエッチングを進行し、一
つのピット３９を形成し、第１エッチングウインドウ３
６を深く基材３２中に進入させ、並びに第２エッチング
ウインドウ３８をピット３９と連通させ、これにより構
造層３７にピット３９の上方においてフローティング領
域３７２を形成させ、且つフローティング領域３７２の
下表面をピット３９に隣接させ、両者間にその他の界面
を存在させず、即ちフローティング領域３７２と底層３
３及び基材３２の間にいずれも隔離を形成する。
【００１１】図３に示される工程フローにより製造した
薄膜型装置は十分に大きな面積のフローティング領域３
７２を獲得できる。フローティング領域３７２の下方に
底層３３が存在せず、且つピット３９がフローティング
領域３７２と基材３２の間に適宜高さを持たせるため
に、フローティング領域３７２が底層３３或いは基材３
２と粘着せず、薄膜型装置の信頼度を高めることができ
る。
薄膜型装置は十分に大きな面積のフローティング領域３
７２を獲得できる。フローティング領域３７２の下方に
底層３３が存在せず、且つピット３９がフローティング
領域３７２と基材３２の間に適宜高さを持たせるため
に、フローティング領域３７２が底層３３或いは基材３
２と粘着せず、薄膜型装置の信頼度を高めることができ
る。
【００１２】図４は本発明のもう一つの実施例の工程フ
ローを示す。それと図３に示される工程フローはほぼ同
じである。まず基材４２の表面に底層４３を形成し、並
びに底層４３に第１エッチングウインドウ４４を開設し
て、底層４３に第１エッチングウインドウ４４により画
定された保留領域４３２を形成する。続いて犠牲層４６
を形成して第１エッチングウインドウ４４に充填し、さ
らに犠牲層４６及び保留領域４３２の表面に構造層４７
を形成し、並びに構造層４７に第２エッチングウインド
ウ４８を開設し、第２エッチングウインドウ４８を透過
して犠牲層４６及び基材４２に対してエッチングを進行
し、基材４２に基材４２の表面から基材４２に深く進入
する一つのピット４９を形成して第２エッチングウイン
ドウ４８に底層４３を貫通させてピット４９に連通さ
せ、構造層４７にフローティング領域４７２を形成さ
せ、且つフローティング領域４７２の下表面に保留領域
４３２を貼付させる。そのうち、保留領域４３２の形成
によりフローティング領域４７２に十分な応力補償が提
供され、保留領域４３２の面積はフローティング領域４
７２の面積より小さいか或いは大きく、フローティング
領域４７２の破裂を防止する作用を提供する。
ローを示す。それと図３に示される工程フローはほぼ同
じである。まず基材４２の表面に底層４３を形成し、並
びに底層４３に第１エッチングウインドウ４４を開設し
て、底層４３に第１エッチングウインドウ４４により画
定された保留領域４３２を形成する。続いて犠牲層４６
を形成して第１エッチングウインドウ４４に充填し、さ
らに犠牲層４６及び保留領域４３２の表面に構造層４７
を形成し、並びに構造層４７に第２エッチングウインド
ウ４８を開設し、第２エッチングウインドウ４８を透過
して犠牲層４６及び基材４２に対してエッチングを進行
し、基材４２に基材４２の表面から基材４２に深く進入
する一つのピット４９を形成して第２エッチングウイン
ドウ４８に底層４３を貫通させてピット４９に連通さ
せ、構造層４７にフローティング領域４７２を形成さ
せ、且つフローティング領域４７２の下表面に保留領域
４３２を貼付させる。そのうち、保留領域４３２の形成
によりフローティング領域４７２に十分な応力補償が提
供され、保留領域４３２の面積はフローティング領域４
７２の面積より小さいか或いは大きく、フローティング
領域４７２の破裂を防止する作用を提供する。
【００１３】異なる実施例において、基材、底層或いは
構造層中に電子回路を製造可能であり、これについては
薄膜型装置に習熟した者が熟知するところであるため、
詳細な説明は行わない。
構造層中に電子回路を製造可能であり、これについては
薄膜型装置に習熟した者が熟知するところであるため、
詳細な説明は行わない。
【００１４】以上は本発明の特徴を説明するために例示
された実施例であって、本発明に基づきなしうる細部の
修飾或いは改変であって本発明と同じ効果を達成しうる
ものはいずれも本発明の請求範囲に属するものとする。
された実施例であって、本発明に基づきなしうる細部の
修飾或いは改変であって本発明と同じ効果を達成しうる
ものはいずれも本発明の請求範囲に属するものとする。
【００１５】
【発明の効果】本発明の薄膜型装置及びその製造方法
は、フローティング領域の面積を増加でき、また、周知
の技術におけるフローティング領域と底層の粘着の問題
を有さず薄膜型装置の信頼度を高めることができる。
は、フローティング領域の面積を増加でき、また、周知
の技術におけるフローティング領域と底層の粘着の問題
を有さず薄膜型装置の信頼度を高めることができる。
【図１】周知の正面エッチング工程による薄膜型装置製
造フロー表示図である。
造フロー表示図である。
【図２】周知の犠牲層を採用した薄膜型装置製造フロー
表示図である。
表示図である。
【図３】本発明の製造方法の一つの実施例の工程フロー
表示図である。
表示図である。
【図４】本発明の製造方法のもう一つの実施例の工程フ
ロー表示図である。
ロー表示図である。
１２ 基材 １３ 底層 １４ 構造層 １６ エッチングウインドウ １８ ピット １９ フローティング領域 ２２ 基材 ２３ 底層 ２４ 犠牲層 ２６ 構造層 ２６２ フローティング領域 ２８ エッチ
ングウインドウ ２９ ギャップ ３２ 基材 ３３ 底層 ３４ 第１エ
ッチングウインドウ ３６ 犠牲層 ３７ 構造層 ３７２ フローティング領域 ３８ 第２エ
ッチングウインドウ ３９ ピット ４２ 基材 ４３ 底層 ４３２ 保留
領域 ４４ 第１エッチングウインドウ ４６ 犠牲層 ４７ 構造層 ４７２ フロ
ーティング領域 ４８ 第２エッチングウインドウ ４９ ピット
ングウインドウ ２９ ギャップ ３２ 基材 ３３ 底層 ３４ 第１エ
ッチングウインドウ ３６ 犠牲層 ３７ 構造層 ３７２ フローティング領域 ３８ 第２エ
ッチングウインドウ ３９ ピット ４２ 基材 ４３ 底層 ４３２ 保留
領域 ４４ 第１エッチングウインドウ ４６ 犠牲層 ４７ 構造層 ４７２ フロ
ーティング領域 ４８ 第２エッチングウインドウ ４９ ピット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 35/32 Ｈ０１Ｌ 35/32 Ａ ４Ｍ１１２ 37/00 37/00 // Ｇ０１Ｆ 1/68 Ｇ０１Ｆ 1/68 Ｆターム(参考） 2F030 CA10 CH01 CH05 2F035 EA08 2F055 DD05 EE11 GG01 2G046 AA01 BA01 BB04 EA02 EA08 2G065 AB02 BA11 BA12 DA20 4M112 AA01 CA02 DA04
Claims (14)
- 【請求項１】 一つの上表面を具えた基材、 該基材の上表面より該基材内に深く進入するピット、 該基材の上表面に形成された底層、 該底層の上に形成されて一部が該ピットの上方にフロー
ティングする構造層とされ、該底層の一部が該構造層の
フローティング領域の下方に接合して一つの補強構造を
形成し、該補強構造の面積が該フローティング領域の面
積より小さいか或いは大きい、上記構造層、 該底層及び該構造層を貫通して該ピットに連通するエッ
チングウインドウ、 以上を具備することを特徴とする、薄膜型装置。 - 【請求項２】 前記基材がシリコンとされたことを特徴
とする、請求項１に記載の薄膜型装置。 - 【請求項３】 前記構造層がサーモパイル素子、ボロメ
ータ（Ｂｏｌｏｍｅｔｅｒ）素子、圧力検出素子、流量
検出素子、ガス検出素子或いは電子デバイスを具備する
ことを特徴とする、請求項１に記載の薄膜型装置。 - 【請求項４】 前記構造層が一層或いは多層の誘電材
料、半導体材料、金属材料、金属酸化物、金属窒化物或
いは金属けい化物を具備したことを特徴とする、請求項
１に記載の薄膜型装置。 - 【請求項５】 前記底層がサーモパイル素子、ボロメー
タ（Ｂｏｌｏｍｅｔｅｒ）素子、圧力検出素子、流量検
出素子、ガス検出素子或いは電子デバイスを具備するこ
とを特徴とする、請求項１に記載の薄膜型装置。 - 【請求項６】 前記底層が一層或いは多層の誘電材料、
半導体材料、金属材料、金属酸化物、金属窒化物或いは
金属けい化物を具備したことを特徴とする、請求項１に
記載の薄膜型装置。 - 【請求項７】 基材、 該基材の上表面に形成され第１エッチングウインドウが
開設された底層、 該第１エッチングウインドウより該基材内に深く進入す
るピット、 該底層の上に形成されて一部が該ピットの上方にフロー
ティングする構造層とされ、該フローティング領域の下
表面が該ピットに隣接して該底層及び該基材との間に隔
離が形成された、上記構造層、 該構造層を貫通して該ピットに連通する第２エッチング
ウインドウ、 以上を具備することを特徴とする、薄膜型装置。 - 【請求項８】 前記基材がシリコンとされたことを特徴
とする、請求項７に記載の薄膜型装置。 - 【請求項９】 前記構造層がサーモパイル素子、ボロメ
ータ（Ｂｏｌｏｍｅｔｅｒ）素子、圧力検出素子、流量
検出素子、ガス検出素子或いは電子デバイスを具備する
ことを特徴とする、請求項７に記載の薄膜型装置。 - 【請求項１０】 前記構造層が一層或いは多層の誘電材
料、半導体材料、金属材料、金属酸化物、金属窒化物或
いは金属けい化物を具備したことを特徴とする、請求項
７に記載の薄膜型装置。 - 【請求項１１】 前記底層がサーモパイル素子、ボロメ
ータ（Ｂｏｌｏｍｅｔｅｒ）素子、圧力検出素子、流量
検出素子、ガス検出素子或いは電子デバイスを具備する
ことを特徴とする、請求項７に記載の薄膜型装置。 - 【請求項１２】 前記底層が一層或いは多層の誘電材
料、半導体材料、金属材料、金属酸化物、金属窒化物或
いは金属けい化物を具備したことを特徴とする、請求項
７に記載の薄膜型装置。 - 【請求項１３】 薄膜型装置の製造方法であって、 基材を提供するステップ、 該基材の上表面に底層を形成するステップ、 該底層に第１エッチングウインドウを開設するステッ
プ、 犠牲層を形成して該第１エッチングウインドウに充填す
るステップ、 構造層を該底層と該犠牲層の表面に形成するステップ、 該構造層に第２エッチングウインドウを開設して該犠牲
層の一部を露出させるステップ、 該第２エッチングウインドウを透過して該犠牲層と該基
材に対してエッチングを進行するステップ、 以上のステップを具備することを特徴とする薄膜型装置
の製造方法。 - 【請求項１４】 薄膜型装置の製造方法であって、 基材を提供するステップ、 該基材の上表面に底層を形成するステップ、 該底層に第１エッチングウインドウを開設して該底層に
該第１エッチングウインドウにより画定された少なくと
も一つの保留領域を形成するステップ、 犠牲層を形成して該第１エッチングウインドウに充填す
るステップ、 構造層を該犠牲層と該保留領域の表面に形成するステッ
プ、 該構造層に第２エッチングウインドウを開設して該犠牲
層の一部を露出させるステップ、 該第２エッチングウインドウを透過して該犠牲層と該基
材に対してエッチングを進行するステップ、 以上のステップを具備することを特徴とする薄膜型装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29266099A JP2001116617A (ja) | 1999-10-14 | 1999-10-14 | 薄膜型装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29266099A JP2001116617A (ja) | 1999-10-14 | 1999-10-14 | 薄膜型装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001116617A true JP2001116617A (ja) | 2001-04-27 |
Family
ID=17784664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29266099A Pending JP2001116617A (ja) | 1999-10-14 | 1999-10-14 | 薄膜型装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001116617A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009058389A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | New Cosmos Electric Corp | ガス検知素子 |
| CN110146136A (zh) * | 2019-06-21 | 2019-08-20 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 热堆式气体质量流量传感器及其制备方法 |
| WO2020158156A1 (ja) * | 2019-01-31 | 2020-08-06 | オムロン株式会社 | 検出素子の形成方法及び検出装置 |
| JP2020122747A (ja) * | 2019-01-31 | 2020-08-13 | オムロン株式会社 | 検出装置 |
-
1999
- 1999-10-14 JP JP29266099A patent/JP2001116617A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009058389A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | New Cosmos Electric Corp | ガス検知素子 |
| WO2020158156A1 (ja) * | 2019-01-31 | 2020-08-06 | オムロン株式会社 | 検出素子の形成方法及び検出装置 |
| JP2020122747A (ja) * | 2019-01-31 | 2020-08-13 | オムロン株式会社 | 検出装置 |
| CN110146136A (zh) * | 2019-06-21 | 2019-08-20 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 热堆式气体质量流量传感器及其制备方法 |
| CN110146136B (zh) * | 2019-06-21 | 2020-08-28 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 热堆式气体质量流量传感器及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0319871B1 (en) | Thin film orthogonal microsensor for air flow and method for its fabrication | |
| EP2750176A2 (en) | Formation of through-wafer electrical interconnections and other structures using an etch stop layer | |
| CN101452875B (zh) | 在半导体器件中形成隔离层的方法 | |
| JP5318634B2 (ja) | チップサイズパッケージ状の半導体チップ及び製造方法 | |
| US20210090941A1 (en) | Apparatus with overlapping deep trench and shallow trench and method of fabricating the same with low defect density | |
| US4895616A (en) | Method for making thin film orthogonal microsensor for air flow | |
| EP0129915B1 (en) | A method of manufacturing an integrated circuit device | |
| JP2001116617A (ja) | 薄膜型装置及びその製造方法 | |
| US7533564B2 (en) | Micro sample heating apparatus and method of making the same | |
| EP0435550B1 (en) | Semiconductor device having dielectric isolation region of U-groove structure and process for fabricating the same | |
| JPH08213392A (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
| TW200414409A (en) | Method of manufacturing an accelerometer | |
| US5696020A (en) | Method for fabricating semiconductor device isolation region using a trench mask | |
| JP2000124465A (ja) | 半導体力学量センサの製造方法 | |
| JP2001144173A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5958838A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6038831A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH07142572A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6346429B1 (en) | Method for fabricating integrated sensors | |
| CN1154195C (zh) | 薄膜型装置及其制作方法 | |
| TW451261B (en) | Method for making the thin-film type devices | |
| JPS6016446A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH10148592A (ja) | 圧力検出器の製造方法 | |
| JP2000294623A (ja) | 誘電体分離基板の製造方法 | |
| JPS6025247A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040127 |