JP2001111351A

JP2001111351A - 電圧制御自励局部発振ミクサ、位相同期回路、およびこれらを用いた送受信機

Info

Publication number: JP2001111351A
Application number: JP28713599A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Ikematsu; 寛池松; Akio Iida; 明夫飯田
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1999-10-07
Filing date: 1999-10-07
Publication date: 2001-04-20
Anticipated expiration: 2019-10-07
Also published as: JP3502581B2

Abstract

(57)【要約】【課題】従来の偶高調波形の自励局部発振ミクサで
は、小形化が容易な反面、発振器の発振周波数の変動が
大きく、また、共振回路のＱ値が低いため高位相雑音で
あるといった問題があった。【解決手段】印加するバイアス電圧により、容量が変
化する可変容量ダイオードのような可変リアクタンス素
子を装荷することにより、自励局部発振ミクサの発振周
波数を制御できるようにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、マイクロ波帯あ
るいはミリ波帯の無線通信用の送受信機に用いられ、マ
イクロ波帯あるいはミリ波帯の周波数変換回路として用
いられる自励局部発振ミクサ、およびこのような自励局
部発振ミクサを用いた位相同期回路、さらにこれらの自
励発振ミクサおよび位相同期回路を用いた送受信機に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】図３０は例えば、１９９８年のIEEE Mic
rowave Theory and Technique Symposium Digest １９
９８のｐ．１４３５〜１４３８に記載された自励局部発
振ミクサの構成例である。図において１はＨＥＭＴなど
の半導体素子、３は無線周波数（以下、ＲＦと略す）端
子、５は中間周波数（以下、ＩＦと略す）端子、６はＲ
Ｆ周波数で１／４波長の電気長を有する先端開放スタ
ブ、１９は局部発振波（以下、ＬＯと略す）の周波数で
１／４波長の電気長を有する先端短絡スタブ、１５は伝
送線路、１６は先端開放スタブ、１７は伝送線路１５お
よび先端開放スタブ１６からなるＩＦ周波数での整合回
路、１８はＲＦ周波数で１／４波長の電気長を有する結
合線路である。

【０００３】ＲＦ周波数（f _r）の信号は、ＲＦ端子３
から入力され、ＲＦ信号のおよそ１／２の周波数（f _LO
≒１／２f _rf）のＬＯ波と周波数混合されることによ
り、ＩＦ信号（f _if＝f _r−２f _LO）をＩＦ端子５から
出力する。従って、このようなミクサは、機能として
は、アンチパラレルダイオードペアを用いた偶高調波ミ
クサと同等の機能を有する。

【０００４】次に動作を説明する。図３０に示す従来の
自励局部発振ミクサでは、ソース端子から見たＲＦ周波
数でのインピーダンスは、ＲＦ周波数で１／４波長の電
気長を有する先端開放スタブ６、ＬＯ周波数で１／４波
長の電気長を有する先端短絡スタブ７ともに短絡となる
ため短絡となる。一般的にＦＥＴおよびＨＥＭＴをゲー
トミクサとして動作させる場合には、これらの半導体素
子を用いた増幅器と同様に、ソース端子を短絡し、ゲー
ト端子より信号を入力することにより、ドレイン端子か
ら出力信号を得る。図３０に記載の自励局部発振ミクサ
でもＲＦ周波数では、ソース端子が高周波的に短絡され
ているため、ゲートミクサとして動作することとなる。

【０００５】一方で、ＬＯ周波数でのインピーダンス
は、先端短絡スタブ１９のインピーダンスが開放であ
り、先端開放スタブ６のインピーダンスが容量性となる
ため、全体としては容量性となる。従って、ＬＯ周波数
近傍では、半導体素子に正帰還が生ずるためＬＯ周波数
で発振させることができる。

【０００６】さらに、周波数変換の効率を高めるため、
結合線路１８によりＬＯ波がゲート端子側から漏洩する
ことを抑制するとともに、ＩＦ周波数での整合回路１７
により、ＲＦ信号およびＬＯ波のドレイン端子側への漏
洩を抑制している。

【０００７】このような偶高調波形の自励局部発振ミク
サでは、基本波形の自励局部発振ミクサと比較して、Ｒ
Ｆ周波数とＬＯ周波数の差が大きく、ＬＯ波の抑制が容
易である。また、自励局部発振ミクサでは、マイクロ波
の送受信機で一般的に用いられている発振器とミクサを
別個に用いた構成と異なり、小形化が容易であるという
利点がある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】このような従来の偶高
調波形の自励局部発振ミクサでは、小形化が容易な反
面、発振器の発振周波数の変動が大きく、また、共振回
路のＱが低いため位相雑音が出やすいといった問題があ
った。そのため、通信機器に使用しようとした場合に
は、良好な通信品質を得ることが出来ないという問題が
あった。

【０００９】この発明はかかる問題点を解決するために
なされたもので、小形の自励局部発振ミクサを実現する
とともに、低位相雑音化を可能とし、デジタル通信な
ど、良好な周波数安定度および位相雑音特性が要求され
る通信システムへ適用可能とするためのものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】この発明に係る電圧制御
自励局部発振ミクサは、トランジスタ、ＦＥＴ、あるい
はＨＥＭＴなどの半導体素子、この半導体素子のコレク
タ端子あるいはドレイン端子に一方の端子が接続された
ハイパスフィルタ、このハイパスフィルタの他方の端子
に接続された無線周波数端子、上記半導体素子のベース
端子あるいはゲート端子に一方の端子が接続されたロー
パスフィルタ、このローパスフィルタの他方の端子に接
続された中間周波数端子、上記半導体素子のエミッタ端
子あるいはソース端子に設けられた先端開放スタブ、上
記半導体素子のエミッタ端子あるいはソース端子に、上
記先端開放スタブと並列に一方の端子が接続された伝送
線路、この伝送線路の他方の端子に接続された可変リア
クタンス素子、この可変リアクタンス素子にバイアス電
圧を印加するバイアス線路およびバイアス端子を備えた
ものである。

【００１１】また、トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨ
ＥＭＴなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端
子あるいはドレイン端子に一方の端子が接続されたロー
パスフィルタ、このローパスフィルタの他方の端子に接
続された中間周波数端子、上記半導体素子のベース端子
あるいはゲート端子に一方の端子が接続されたハイパス
フィルタ、このハイパスフィルタの他方の端子に接続さ
れた無線周波数端子、上記半導体素子のエミッタ端子あ
るいはソース端子に設けられた先端開放スタブ、上記半
導体素子のエミッタ端子あるいはソース端子に、上記先
端開放スタブと並列に一方の端子が接続された伝送線
路、この伝送線路の他方の端子に接続された可変リアク
タンス素子、この可変リアクタンス素子にバイアス電圧
を印加するバイアス線路およびバイアス端子を備えたも
のである。

【００１２】また、トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨ
ＥＭＴなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端
子あるいはドレイン端子に一方の端子が接続されたキャ
パシタと、このキャパシタの他方の端子とシャント接続
されたインダクタと、このインダクタと一方の端子が接
続されたキャパシタとからなるハイパスフィルタ、この
ハイパスフィルタに接続された無線周波数端子、上記半
導体素子のベース端子あるいはゲート端子に一方の端子
が接続されたインダクタと、このインダクタの他方の端
子とシャント接続されたキャパシタと、このキャパシタ
と一方の端子が接続されたインダクタとからなるローパ
スフィルタ、このローパスフィルタの他方の端子に接続
された中間周波数端子、上記半導体素子のエミッタ端子
あるいはソース端子に設けられ、片端が接地されたイン
ダクタとキャパシタとからなる直列共振回路、上記半導
体素子のエミッタ端子あるいはソース端子に、上記直列
共振回路と並列に一方の接続点が接続されたインダクタ
とキャパシタからなる並列共振回路、この並列共振回路
の他方の接続点に接続されたインダクタ、このインダク
タの他方の端子とシャント接続されたインダクタ、この
インダクタの接地されていない方の端子と一方の端子が
接続されたキャパシタ、このキャパシタの他方の端子と
カソードが接続された可変容量ダイオード、この可変容
量ダイオードのカソード端子と接続されたインダクタな
どにより構成されるチョーク回路、このチョーク回路を
介して上記可変容量ダイオードにバイアス電圧を印加す
るバイアス端子を備えたものである。

【００１３】また、トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨ
ＥＭＴなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端
子あるいはドレイン端子に一方の端子が接続されたイン
ダクタと、このインダクタの他方の端子とシャント接続
されたキャパシタと、このキャパシタと一方の端子が接
続されたインダクタとからなるローパスフィルタ、この
ローパスフィルタに接続された中間周波数端子、上記半
導体素子のベース端子あるいはゲート端子に一方の端子
が接続されたキャパシタと、このキャパシタの他方の端
子とシャント接続されたインダクタと、このインダクタ
と一方の端子が接続されたキャパシタとからなるハイパ
スフィルタ、このハイパスフィルタの他方の端子に接続
された無線周波数端子、上記半導体素子のエミッタ端子
あるいはソース端子に設けられ、片端が接地されたイン
ダクタとキャパシタとからなる直列共振回路、上記半導
体素子のエミッタ端子あるいはソース端子に、上記直列
共振回路と並列に一方の接続点が接続されたインダクタ
とキャパシタからなる並列共振回路、この並列共振回路
の他方の接続点に接続されたインダクタ、このインダク
タの他方の端子とシャント接続されたインダクタ、この
インダクタの接地されていない方の端子と一方の端子が
接続されたキャパシタ、このキャパシタの他方の端子と
カソードが接続された可変容量ダイオード、この可変容
量ダイオードのカソード端子と接続されたインダクタな
どにより構成されるチョーク回路、このチョーク回路を
介して上記可変容量ダイオードにバイアス電圧を印加す
るバイアス端子を備えたものである。

【００１４】また、トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨ
ＥＭＴなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端
子あるいはドレイン端子に一方の端子が接続された、無
線周波数で１／４波長の電気長を有する結合線路、この
結合線路の他方の端子と接続された無線周波数端子、上
記半導体素子のベース端子あるいはゲート端子に一方の
端子が接続された中間周波数帯の整合回路、この整合回
路の他方の端子と接続された中間周波数端子、上記半導
体素子のエミッタ端子あるいはソース端子に設けられた
先端開放スタブ、上記半導体素子のエミッタ端子あるい
はソース端子に、上記先端開放スタブと並列に一方の端
子が接続された伝送線路、この伝送線路の他方の端子に
接続され、局部発振波の周波数で１／４波長の電気長を
有する先端短絡スタブ、この先端短絡スタブと上記伝送
線路の接続点に一方の端子が接続されたキャパシタ、こ
のキャパシタの他方の端子に接続されたインダクタ、こ
のインダクタと直列に接続され、局部発振波の周波数で
インピーダンスが短絡となるような可変容量ダイオー
ド、上記キャパシタと上記インダクタの接続点に接続さ
れ、局部発振波の周波数で１／４波長の電気長を有する
伝送線路、この伝送線路の他方の端子に接続された制御
電圧端子を備えたものである。

【００１５】また、トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨ
ＥＭＴなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端
子あるいはドレイン端子に一方の端子が接続された中間
周波数帯の整合回路、この整合回路の他方の端子と接続
された中間周波数端子、上記半導体素子のベース端子あ
るいはゲート端子に一方の端子が接続された、無線周波
数で１／４波長の電気長を有する結合線路、この結合線
路の他方の端子と接続された無線周波数端子、上記半導
体素子のエミッタ端子あるいはソース端子に設けられた
先端開放スタブ、上記半導体素子のエミッタ端子あるい
はソース端子に、上記先端開放スタブと並列に一方の端
子が接続された伝送線路、この伝送線路の他方の端子に
接続された、局部発振波の周波数で１／４波長の電気長
を有する先端短絡スタブ、この先端短絡スタブと上記伝
送線路の接続点に一方の端子が接続されたキャパシタ、
このキャパシタの他方の端子に接続されたインダクタ、
このインダクタと直列に接続され、局部発振波の周波数
でインピーダンスが短絡となるような可変容量ダイオー
ド、上記キャパシタと上記インダクタの接続点に接続さ
れ、局部発振波の周波数で１／４波長の電気長を有する
伝送線路、この伝送線路の他方の端子に接続された制御
電圧端子を備えたものである。

【００１６】また、半導体素子と無線周波数端子との間
に分波回路を設けることにより、無線周波数信号から局
部発振波を分離して取り出すようにしたものである。

【００１７】また、半導体素子と中間周波数端子との間
に分波回路を設けることにより、中間周波数信号から局
部発振波を分離して取り出すようにしたものである。

【００１８】また、トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨ
ＥＭＴなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端
子あるいはドレイン端子に一方の端子が接続されたハイ
パスフィルタ、このハイパスフィルタの他方の端子に接
続された無線周波数端子、上記半導体素子のコレクタ端
子あるいはドレイン端子に一方の端子が接続されたロー
パスフィルタ、このローパスフィルタに接続された局部
発振波の出力端子、上記半導体素子のベース端子あるい
はゲート端子に一方の端子が接続されたローパスフィル
タ、このローパスフィルタの他方の端子に接続された中
間周波数端子、上記半導体素子のエミッタ端子あるいは
ソース端子に設けられた先端開放スタブ、上記半導体素
子のエミッタ端子あるいはソース端子に、上記先端開放
スタブと並列に一方の端子が接続された伝送線路、この
伝送線路の他方の端子に接続された可変リアクタンス素
子、この可変リアクタンス素子にバイアス電圧を印加す
るバイアス線路およびバイアス端子を備えたものであ
る。

【００１９】また、トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨ
ＥＭＴなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端
子あるいはドレイン端子に一方の端子が接続されたハイ
パスフィルタ、このハイパスフィルタの他方の端子に接
続された無線周波数端子、上記半導体素子のベース端子
あるいはゲート端子に一方の端子が接続されたローパス
フィルタ、このローパスフィルタの他方の端子に接続さ
れた中間周波数端子、上記半導体素子のベース端子ある
いはゲート端子に一方の端子が接続されたハイパスフィ
ルタ、ハイパスフィルタに接続された局部発振波の出力
端子、上記半導体素子のエミッタ端子あるいはソース端
子に設けられた先端開放スタブ、上記半導体素子のエミ
ッタ端子あるいはソース端子に、上記先端開放スタブと
並列に一方の端子が接続された伝送線路、この伝送線路
の他方の端子に接続された可変リアクタンス素子、この
可変リアクタンス素子にバイアス電圧を印加するバイア
ス線路およびバイアス端子を備えたものである。

【００２０】また、トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨ
ＥＭＴなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端
子あるいはドレイン端子に一方の端子が接続されたロー
パスフィルタ、このローパスフィルタの他方の端子に接
続された中間周波数端子、上記半導体素子のコレクタ端
子あるいはドレイン端子に一方の端子が接続されたハイ
パスフィルタ、このハイパスフィルタに接続された局部
発振波の出力端子、上記半導体素子のベース端子あるい
はゲート端子に一方の端子が接続されたハイパスフィル
タ、このハイパスフィルタの他方の端子に接続された無
線周波数端子、上記半導体素子のエミッタ端子あるいは
ソース端子に設けられた先端開放スタブ、上記半導体素
子のエミッタ端子あるいはソース端子に、上記先端開放
スタブと並列に一方の端子が接続された伝送線路、この
伝送線路の他方の端子に接続された可変リアクタンス素
子、この可変リアクタンス素子にバイアス電圧を印加す
るバイアス線路およびバイアス端子を備えたものであ
る。

【００２１】また、トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨ
ＥＭＴなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端
子あるいはドレイン端子に一方の端子が接続されたロー
パスフィルタ、このローパスフィルタの他方の端子に接
続された中間周波数端子、上記半導体素子のベース端子
あるいはゲート端子に一方の端子が接続されたハイパス
フィルタ、このハイパスフィルタの他方の端子に接続さ
れた無線周波数端子、上記半導体素子のベース端子ある
いはゲート端子に一方の端子が接続されたローパスフィ
ルタ、このローパスフィルタに接続された局部発振波の
出力端子、上記半導体素子のエミッタ端子あるいはソー
ス端子に設けられた先端開放スタブ、上記半導体素子の
エミッタ端子あるいはソース端子に、上記先端開放スタ
ブと並列に一方の端子が接続された伝送線路、この伝送
線路の他方の端子に接続された可変リアクタンス素子、
この可変リアクタンス素子にバイアス電圧を印加するバ
イアス線路およびバイアス端子を備えたものである。

【００２２】また、トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨ
ＥＭＴなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端
子あるいはドレイン端子に一方の端子が接続されたキャ
パシタと、このキャパシタの他方の端子とシャント接続
されたインダクタと、このインダクタと一方の端子が接
続されたキャパシタとからなるハイパスフィルタ、この
ハイパスフィルタに接続された無線周波数端子、上記半
導体素子のコレクタ端子あるいはドレイン端子に一方の
端子が接続されたインダクタ、このインダクタの他方の
端子に接続された局部発振波の出力端子、上記半導体素
子のベース端子あるいはゲート端子に一方の端子が接続
されたインダクタと、このインダクタの他方の端子とシ
ャント接続されたキャパシタと、このキャパシタと一方
の端子が接続されたインダクタとからなるローパスフィ
ルタ、このローパスフィルタの他方の端子に接続された
中間周波数端子、上記半導体素子のエミッタ端子あるい
はソース端子に設けられ、片端が接地されたインダクタ
とキャパシタとからなる直列共振回路、上記半導体素子
のエミッタ端子あるいはソース端子に、上記直列共振回
路と並列に一方の接続点が接続されたインダクタとキャ
パシタからなる並列共振回路、この並列共振回路と一方
の端子が接続されたインダクタ、このインダクタの他方
の端子とシャント接続されたインダクタ、上記両インダ
クタの接続点に一方の端子が接続されたキャパシタ、こ
のキャパシタの他方の端子とカソードが接続された可変
容量ダイオード、この可変容量ダイオードのカソード端
子と接続されたインダクタなどにより構成されるチョー
ク回路、このチョーク回路を介して上記可変容量ダイオ
ードにバイアス電圧を印加するバイアス端子を備えたも
のである。

【００２３】また、トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨ
ＥＭＴなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端
子あるいはドレイン端子に一方の端子が接続されたキャ
パシタと、このキャパシタの他方の端子とシャント接続
されたインダクタと、このインダクタと一方の端子が接
続されたキャパシタとからなるハイパスフィルタ、この
ハイパスフィルタに接続された無線周波数端子、上記半
導体素子のベース端子あるいはゲート端子に一方の端子
が接続されたインダクタと、このインダクタの他方の端
子とシャント接続されたキャパシタと、このキャパシタ
と一方の端子が接続されたインダクタとからなるローパ
スフィルタ、このローパスフィルタの他方の端子に接続
された中間周波数端子、上記半導体素子のベース端子あ
るいはゲート端子に一方の端子が接続されたキャパシ
タ、このキャパシタの他方の端子に接続された局部発振
波の出力端子、上記半導体素子のエミッタ端子あるいは
ソース端子に設けられ、片端が接地されたインダクタと
キャパシタとからなる直列共振回路、上記半導体素子の
エミッタ端子あるいはソース端子に、上記直列共振回路
と並列に一方の接続点が接続されたインダクタとキャパ
シタからなる並列共振回路、この並列共振回路と一方の
端子が接続されたインダクタ、このインダクタの他方の
端子とシャント接続されたインダクタ、上記両インダク
タの接続点に一方の端子が接続されたキャパシタ、この
キャパシタの他方の端子とカソードが接続された可変容
量ダイオード、この可変容量ダイオードのカソード端子
と接続されたインダクタなどにより構成されるチョーク
回路、このチョーク回路を介して上記可変容量ダイオー
ドにバイアス電圧を印加するバイアス端子を備えたもの
である。

【００２４】また、トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨ
ＥＭＴなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端
子あるいはドレイン端子に一方の端子が接続されたイン
ダクタと、このインダクタの他方の端子とシャント接続
されたキャパシタと、このキャパシタと一方の端子が接
続されたインダクタとからなるローパスフィルタ、この
ローパスフィルタに接続された中間周波数端子、上記半
導体素子のコレクタ端子あるいはドレイン端子に一方の
端子が接続されたキャパシタ、このキャパシタの他方の
端子に接続された局部発振波の出力端子、上記半導体素
子のベース端子あるいはゲート端子に一方の端子が接続
されたキャパシタと、このキャパシタの他方の端子とシ
ャント接続されたインダクタと、このインダクタと一方
の端子が接続されたキャパシタとからなるハイパスフィ
ルタ、このハイパスフィルタの他方の端子に接続された
無線周波数端子、上記半導体素子のエミッタ端子あるい
はソース端子に設けられ、片端が接地されたインダクタ
とキャパシタとからなる直列共振回路、上記半導体素子
のエミッタ端子あるいはソース端子に、上記直列共振回
路と並列に一方の接続点が接続されたインダクタとキャ
パシタからなる並列共振回路、この並列共振回路と一方
の端子が接続されたインダクタ、このインダクタの他方
の端子とシャント接続されたインダクタ、上記両インダ
クタの接続点に一方の端子が接続されたキャパシタ、こ
のキャパシタの他方の端子とカソードが接続された可変
容量ダイオード、この可変容量ダイオードのカソード端
子と接続されたインダクタなどにより構成されるチョー
ク回路、このチョーク回路を介して上記可変容量ダイオ
ードにバイアス電圧を印加するバイアス端子を備えたも
のである。

【００２５】また、トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨ
ＥＭＴなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端
子あるいはドレイン端子に一方の端子が接続されたイン
ダクタと、このインダクタの他方の端子とシャント接続
されたキャパシタと、このキャパシタと一方の端子が接
続されたインダクタとからなるローパスフィルタ、この
ローパスフィルタに接続された中間周波数端子、上記半
導体素子のベース端子あるいはゲート端子に一方の端子
が接続されたキャパシタと、このキャパシタの他方の端
子とシャント接続されたインダクタと、このインダクタ
と一方の端子が接続されたキャパシタとからなるハイパ
スフィルタ、このハイパスフィルタの他方の端子に接続
された無線周波数端子、上記半導体素子のベース端子あ
るいはゲート端子に一方の端子が接続されたインダク
タ、このインダクタの他方の端子に接続された局部発振
波の出力端子、上記半導体素子のエミッタ端子あるいは
ソース端子に設けられ、片端が接地されたインダクタと
キャパシタとからなる直列共振回路、上記半導体素子の
エミッタ端子あるいはソース端子に、上記直列共振回路
と並列に一方の接続点が接続されたインダクタとキャパ
シタからなる並列共振回路、この並列共振回路に一方の
端子が接続されたインダクタ、このインダクタの他方の
端子とシャント接続されたインダクタ、上記両インダク
タの接続点に一方の端子が接続されたキャパシタ、この
キャパシタの他方の端子とカソードが接続された可変容
量ダイオード、この可変容量ダイオードのカソード端子
と接続されたインダクタなどにより構成されるチョーク
回路、このチョーク回路を介して上記可変容量ダイオー
ドにバイアス電圧を印加するバイアス端子を備えたもの
である。

【００２６】また、トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨ
ＥＭＴなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端
子あるいはドレイン端子に一方の端子が接続された、無
線周波数で１／４波長の電気長を有する結合線路、この
結合線路の他方の端子と接続された無線周波数端子、上
記半導体素子のコレクタ端子あるいはドレイン端子に一
方の端子が接続された、局部発振波の周波数で１／４波
長の電気長を有する結合線路を用いた方向性結合器、こ
の方向性結合器の結合ポートに接続された局部発振波の
出力端子、上記半導体素子のベース端子あるいはゲート
端子に一方の端子が接続された中間周波数帯の整合回
路、この整合回路の他方の端子と接続された中間周波数
端子、上記半導体素子のエミッタ端子あるいはソース端
子に設けられた先端開放スタブ、上記半導体素子のエミ
ッタ端子あるいはソース端子に、上記先端開放スタブと
並列に一方の端子が接続された伝送線路、この伝送線路
の他方の端子に接続された、局部発振波の周波数で１／
４波長の電気長を有する先端短絡スタブ、この先端短絡
スタブと上記伝送線路の接続点に一方の端子が接続され
たキャパシタ、このキャパシタの他方の端子に接続され
たインダクタ、このインダクタと直列に接続され、局部
発振波の周波数でインピーダンスが短絡となるような可
変容量ダイオード、上記キャパシタと上記インダクタの
接続点に接続され、局部発振波の周波数で１／４波長の
電気長を有する伝送線路、この伝送線路の他方の端子に
接続された制御電圧端子を備えたものである。

【００２７】また、トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨ
ＥＭＴなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端
子あるいはドレイン端子に一方の端子が接続された無線
周波数で１／４波長の電気長を有する結合線路、この結
合線路の他方の端子と接続された無線周波数端子、上記
半導体素子のベース端子あるいはゲート端子に一方の端
子が接続された中間周波数帯の整合回路、この整合回路
の他方の端子と接続された中間周波数端子、上記半導体
素子のベース端子あるいはゲート端子に一方の端子が接
続された、局部発振波の周波数で１／４波長の電気長を
有する結合線路を用いた方向性結合器、この方向性結合
器の結合ポートに接続された局部発振波の出力端子、上
記半導体素子のエミッタ端子あるいはソース端子に設け
られた先端開放スタブ、上記半導体素子のエミッタ端子
あるいはソース端子に、上記先端開放スタブと並列に一
方の端子が接続された伝送線路、この伝送線路の他方の
端子に接続された、局部発振波の周波数で１／４波長の
電気長を有する先端短絡スタブ、この先端短絡スタブと
上記伝送線路の接続点に一方の端子が接続されたキャパ
シタ、このキャパシタの他方の端子に接続されたインダ
クタ、このインダクタと直列に接続され、局部発振波の
周波数でインピーダンスが短絡となるような可変容量ダ
イオード、上記キャパシタと上記インダクタの接続点に
接続され、局部発振波の周波数で１／４波長の電気長を
有する伝送線路、この伝送線路の他方の端子に接続され
た制御電圧端子を備えたものである。

【００２８】また、トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨ
ＥＭＴなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端
子あるいはドレイン端子に一方の端子が接続された中間
周波数帯の整合回路、この整合回路の他方の端子と接続
された中間周波数端子、上記半導体素子のコレクタ端子
あるいはドレイン端子に一方の端子が接続された、局部
発振波の周波数で１／４波長の電気長を有する結合線路
を用いた方向性結合器、この方向性結合器の結合ポート
に接続された局部発振波の出力端子、上記半導体素子の
ベース端子あるいはゲート端子に一方の端子が接続され
た、無線周波数で１／４波長の電気長を有する結合線
路、この結合線路の他方の端子と接続された無線周波数
端子、上記半導体素子のエミッタ端子あるいはソース端
子に設けられた先端開放スタブ、上記半導体素子のエミ
ッタ端子あるいはソース端子に、上記先端開放スタブと
並列に一方の端子が接続された伝送線路、この伝送線路
の他方の端子に接続された、局部発振波の周波数で１／
４波長の電気長を有する先端短絡スタブ、この先端短絡
スタブと上記伝送線路の接続点に一方の端子が接続され
たキャパシタ、このキャパシタの他方の端子に接続され
たインダクタ、このインダクタと直列に接続され、局部
発振波の周波数でインピーダンスが短絡となるような可
変容量ダイオード、上記インダクタと上記キャパシタの
接続点に接続され、局部発振波の周波数で１／４波長の
電気長を有する伝送線路、この伝送線路の他方の端子に
接続された制御電圧端子を備えたものである。

【００２９】また、トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨ
ＥＭＴなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端
子あるいはドレイン端子に一方の端子が接続された中間
周波数帯の整合回路、この整合回路の他方の端子と接続
された中間周波数端子、上記半導体素子のベース端子あ
るいはゲート端子に一方の端子が接続された、無線周波
数で１／４波長の電気長を有する結合線路、この結合線
路の他方の端子と接続された無線周波数端子、上記半導
体素子のベース端子あるいはゲート端子に一方の端子が
接続された、局部発振波の周波数で１／４波長の電気長
を有する結合線路を用いた方向性結合器、この方向性結
合器の結合ポートに接続された局部発振波の出力端子、
上記半導体素子のエミッタ端子あるいはソース端子に設
けられた先端開放スタブ、上記半導体素子のエミッタ端
子あるいはソース端子に、上記先端開放スタブと並列に
一方の端子が接続された伝送線路、この伝送線路の他方
の端子に接続された、局部発振波の周波数で１／４波長
の電気長を有する先端短絡スタブ、この先端短絡スタブ
と上記伝送線路の接続点に一方の端子が接続されたキャ
パシタ、このキャパシタの他方の端子に接続されたイン
ダクタ、このインダクタと直列に接続され、局部発振波
の周波数でインピーダンスが短絡となるような可変容量
ダイオード、上記キャパシタと上記インダクタの接続点
に接続され、局部発振波の周波数で１／４波長の電気長
を有する伝送線路、この伝送線路の他方の端子に接続さ
れた制御電圧端子を備えたものである。

【００３０】また、トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨ
ＥＭＴなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端
子あるいはドレイン端子に一方の端子が接続された、無
線周波数で１／４波長の電気長を有する結合線路、この
結合線路の他方の端子と接続された無線周波数端子、上
記半導体素子のベース端子あるいはゲート端子に一方の
端子が接続された中間周波数帯の整合回路、この整合回
路の他方の端子と接続された中間周波数端子、上記半導
体素子のエミッタ端子あるいはソース端子に設けられた
先端開放スタブ、上記半導体素子のエミッタ端子あるい
はソース端子に、上記先端開放スタブと並列に一方の端
子が接続された伝送線路、この伝送線路と結合するよう
に配置された誘電体共振器、上記伝送線路の他方の端子
に接続された、局部発振波の周波数で１／４波長の電気
長を有する先端短絡スタブ、この先端短絡スタブと上記
伝送線路の接続点に一方の端子が接続されたキャパシ
タ、このキャパシタの他方の端子に接続されたインダク
タ、このインダクタと直列に接続され、局部発振波の周
波数でインピーダンスが短絡となるような可変容量ダイ
オード、上記キャパシタと上記インダクタの接続点に接
続され、局部発振波の周波数で１／４波長の電気長を有
する伝送線路、この伝送線路の他方の端子に接続された
制御電圧端子を備えたものである。

【００３１】また、トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨ
ＥＭＴなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端
子あるいはドレイン端子に一方の端子が接続された中間
周波数帯の整合回路、この整合回路の他方の端子と接続
された中間周波数端子、上記半導体素子のベース端子あ
るいはゲート端子に一方の端子が接続された、無線周波
数で１／４波長の電気長を有する結合線路、この結合線
路の他方の端子と接続された無線周波数端子、上記半導
体素子のエミッタ端子あるいはソース端子に設けられた
先端開放スタブ、上記半導体素子のエミッタ端子あるい
はソース端子に、上記先端開放スタブと並列に一方の端
子が接続された伝送線路、この伝送線路と結合するよう
に配置された誘電体共振器、上記伝送線路の他方の端子
に接続された、局部発振波の周波数で１／４波長の電気
長を有する先端短絡スタブ、この先端短絡スタブと上記
伝送線路の接続点に一方の端子が接続されたキャパシ
タ、このキャパシタの他方の端子に接続されたインダク
タ、このインダクタと直列に接続され、局部発振波の周
波数でインピーダンスが短絡となるような可変容量ダイ
オード、上記キャパシタと上記インダクタの接続点に接
続され、局部発振波の周波数で１／４波長の電気長を有
する伝送線路、この伝送線路の他方の端子に接続された
制御電圧端子を備えたものである。

【００３２】また、トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨ
ＥＭＴなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端
子あるいはドレイン端子に一方の端子が接続された無線
周波数で１／４波長の電気長を有する結合線路、この結
合線路の他方の端子と接続された無線周波数端子、上記
半導体素子のベース端子あるいはゲート端子に一方の端
子が接続された中間周波数帯の整合回路、この整合回路
の他方の端子と接続された中間周波数端子、上記半導体
素子のエミッタ端子あるいはソース端子に設けられた先
端開放スタブ、上記半導体素子のエミッタ端子あるいは
ソース端子に、上記先端開放スタブと並列に一方の端子
が接続された伝送線路、この伝送線路と結合するように
配置された誘電体共振器、この誘電体共振器と結合する
ように配置された先端開放スタブ、この先端開放スタブ
の一方の端子に接続された局部発振波の出力端子、上記
伝送線路の他方の端子に接続された、局部発振波の周波
数で１／４波長の電気長を有する先端短絡スタブ、この
先端短絡スタブと上記伝送線路の接続点に一方の端子が
接続されたキャパシタ、このキャパシタの他方の端子に
接続されたインダクタ、このインダクタと直列に接続さ
れ、局部発振波の周波数でインピーダンスが短絡となる
ような可変容量ダイオード、上記キャパシタと上記イン
ダクタの接続点に接続され、局部発振波の周波数で１／
４波長の電気長を有する伝送線路、この伝送線路の他方
の端子に接続された制御電圧端子を備えたものである。

【００３３】また、トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨ
ＥＭＴなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端
子あるいはドレイン端子に一方の端子が接続された中間
周波数帯の整合回路、この整合回路の他方の端子と接続
された中間周波数端子、上記半導体素子のベース端子あ
るいはゲート端子に一方の端子が接続された、無線周波
数で１／４波長の電気長を有する結合線路、この結合線
路の他方の端子と接続された無線周波数端子、上記半導
体素子のエミッタ端子あるいはソース端子に設けられた
先端開放スタブ、上記半導体素子のエミッタ端子あるい
はソース端子に、上記先端開放スタブと並列に一方の端
子が接続された伝送線路、この伝送線路と結合するよう
に配置された誘電体共振器、この誘電体共振器と結合す
るように配置された先端開放スタブ、この先端開放スタ
ブの一方の端子に接続された局部発振波の出力端子、上
記伝送線路の他方の端子に接続された、局部発振波の周
波数で１／４波長の電気長を有する先端短絡スタブ、こ
の先端短絡スタブと上記伝送線路の接続点に一方の端子
が接続されたキャパシタ、このキャパシタの他方の端子
に接続されたインダクタ、このインダクタと直列に接続
され、局部発振波の周波数でインピーダンスが短絡とな
るような可変容量ダイオード、上記キャパシタと上記イ
ンダクタの接続点に接続され、局部発振波の周波数で１
／４波長の電気長を有する伝送線路、この伝送線路の他
方の端子に接続された制御電圧端子を備えたものであ
る。

【００３４】また、デュアルゲートＦＥＴあるいはデュ
アルゲートＨＥＭＴのようなゲート端子を２つ備えた半
導体素子、この半導体素子のドレイン端子に一方の端子
が接続された、無線周波数で１／４波長の電気長を有す
る結合線路、この結合線路の他方の端子と接続された無
線周波数端子、上記半導体素子の第一ゲート端子に一方
の端子が接続された中間周波数帯の整合回路、この整合
回路の他方の端子と接続された中間周波数端子、上記半
導体素子の第二ゲート端子に一方の端子が接続された伝
送線路、この伝送線路に一方の端子が接続されたインダ
クタ、このインダクタと直列に接続され、局部発振波の
周波数でインピーダンスが短絡となるような可変容量ダ
イオード、上記伝送線路と上記インダクタとの接続点に
接続され、局部発振波の周波数で１／４波長の電気長を
有する伝送線路、この伝送線路に接続された、局部発振
波の周波数で１／４波長の電気長を有する先端開放スタ
ブ、上記伝送線路と上記先端開放スタブとの接続点に接
続された制御電圧端子、上記半導体素子のソース端子に
設けられた先端開放スタブ、上記半導体素子のソース端
子に、上記先端開放スタブと並列に一方の端子が接続さ
れた伝送線路を備えたものである。

【００３５】また、デュアルゲートＦＥＴあるいはデュ
アルゲートＨＥＭＴのようなゲート端子を２つ備えた半
導体素子、この半導体素子のドレイン端子に一方の端子
が接続された中間周波数帯の整合回路、この整合回路の
他方の端子と接続された中間周波数端子、上記半導体素
子の第一ゲート端子に一方の端子が接続された、無線周
波数で１／４波長の電気長を有する結合線路、この結合
線路の他方の端子と接続された無線周波数端子、上記半
導体素子の第二ゲート端子に一方の端子が接続された伝
送線路、この伝送線路に一方の端子が接続されたインダ
クタ、このインダクタと直列に接続され、局部発振波の
周波数でインピーダンスが短絡となるような可変容量ダ
イオード、上記伝送線路と上記インダクタとの接続点に
接続され、局部発振波の周波数で１／４波長の電気長を
有する伝送線路、この伝送線路に接続された、局部発振
波の周波数で１／４波長の電気長を有する先端開放スタ
ブ、上記伝送線路と上記先端開放スタブとの接続点に接
続された制御電圧端子、上記半導体素子のソース端子に
設けられた先端開放スタブ、上記半導体素子のソース端
子に、上記先端開放スタブと並列に一方の端子が接続さ
れた伝送線路を備えたものである。

【００３６】また、デュアルゲートＦＥＴあるいはデュ
アルゲートＨＥＭＴのようなゲート端子を２つ備えた半
導体素子、この半導体素子のドレイン端子に一方の端子
が接続された、無線周波数で１／４波長の電気長を有す
る結合線路、この結合線路の他方の端子と接続された無
線周波数端子、上記半導体素子の第一ゲート端子に一方
の端子が接続された中間周波数帯の整合回路、この整合
回路の他方の端子と接続された中間周波数端子、上記半
導体素子の第二ゲート端子に一方の端子が接続された先
端開放スタブ、この先端開放スタブに結合するように配
置された誘電体共振器、この誘電体共振器と結合するよ
う配置された先端開放スタブ、この先端開放スタブに一
方の端子が接続された可変容量ダイオード、この可変容
量ダイオードと上記先端開放スタブとの接続点に一方の
端子が接続された、局部発振波の周波数で１／４波長の
電気長を有する伝送線路、この伝送線路の他方の端子に
接続された、局部発振波の周波数で１／４波長の電気長
を有する先端開放スタブ、上記伝送線路と上記先端開放
スタブとの接続点に接続された制御電圧端子、上記半導
体素子のソース端子に設けられた先端開放スタブ、上記
半導体素子のソース端子に、上記先端開放スタブと並列
に一方の端子が接続された伝送線路を備えたものであ
る。

【００３７】また、デュアルゲートＦＥＴあるいはデュ
アルゲートＨＥＭＴのようなゲート端子を２つ備えたの
半導体素子、この半導体素子のドレイン端子に一方の端
子が接続された中間周波数帯の整合回路、この整合回路
の他方の端子と接続された中間周波数端子、上記半導体
素子の第一ゲート端子に一方の端子が接続された、無線
周波数で１／４波長の電気長を有する結合線路、この結
合線路の他方の端子と接続された無線周波数端子、上記
半導体素子の第二ゲート端子に一方の端子が接続された
先端開放スタブ、この先端開放スタブに結合するように
配置された誘電体共振器、この誘電体共振器と結合する
よう配置された先端開放スタブ、この先端開放スタブに
一方の端子が接続された可変容量ダイオード、この可変
容量ダイオードと上記先端開放スタブとの接続点に一方
の端子が接続された、局部発振波の周波数で１／４波長
の電気長を有する伝送線路、この伝送線路の他方の端子
に接続された、局部発振波の周波数で１／４波長の電気
長を有する先端開放スタブ、上記伝送線路と上記先端開
放スタブとの接続点に接続された制御電圧端子、上記半
導体素子のソース端子に設けられた先端開放スタブ、上
記半導体素子のソース端子に、上記先端開放スタブと並
列に一方の端子が接続された伝送線路を備えたものであ
る。

【００３８】また、半導体素子の第一のゲート端子と第
二のゲート端子を逆に用いたものである。

【００３９】また、半導体素子のコレクタ端子あるいは
ドレイン端子に一方の端子が接続された、局部発振波の
周波数で１／４波長の電気長を有する結合線路を用いた
方向性結合器から局部発振波を出力として取り出すよう
にしたものである。

【００４０】また、半導体素子のベース端子あるいはゲ
ート端子に一方の端子が接続された、局部発振波の周波
数で１／４波長の電気長を有する結合線路を用いた方向
性結合器から局部発振波を出力として取り出すようにし
たものである。

【００４１】また、この発明に係る位相同期回路は、上
記段落００１８乃至段落００２９および段落００３９の
いずれかに記載の自励局部発振ミクサの局部発振波の出
力端子に接続された周波数分周器、この周波数分周器の
分周出力端子に接続された位相比較器、この位相比較器
の基準信号入力部に設けれた基準信号入力端子、上記位
相比較器の誤差電圧の出力端子に接続されたループフィ
ルタを備え、このループフィルタの出力端子を自励局部
発振ミクサの制御電圧端子に接続したものである。

【００４２】また、上記段落００１８乃至段落００２９
および段落００３９のいずれかに記載の自励局部発振ミ
クサの局部発振波の出力端子設けられ、外部から供給さ
れる第二の局部発振波の２次以上の高次の高調波により
周波数混合を行う高調波ミクサ、この高調波ミクサの中
間周波数端子に接続された周波数分周器、この周波数分
周器の出力端子に接続された位相比較器、この位相比較
器の基準信号入力部に設けられた基準信号入力端子、上
記位相比較器の誤差電圧の出力端子に接続されたループ
フィルタを備え、このループフィルタの出力端子を自励
局部発振ミクサの制御電圧端子に接続したものである。

【００４３】また、この発明に係る送受信機は、上記段
落００１０乃至段落００４２のいずれかに記載の自励局
部発振ミクサおよびこれを用いた位相同期回路を用い、
アップコンバージョンあるいはダウンコンバージョンを
行うようにしたものである。

【００４４】

【発明の実施の形態】実施の形態１．以下、この発明の
実施の形態１を図について説明する。図１は本発明によ
る自励局部発振ミクサの一構成例であり、図３０に示す
ものと同一の部分あるいは相当する部分には同一の符号
を付しその説明は省略する。

【００４５】図１において、２はハイパスフィルタ、４
はローパスフィルタ、８は可変容量ダイオードなどの可
変リアクタンス素子、９はバイアス線路、１０は制御電
圧端子である。制御電圧端子１０に直流電圧を印加する
ことにより、可変リアクタンス素子８のリアクタンスが
変化する。

【００４６】本実施の形態による自励局部発振ミクサで
は、ＩＦ端子５から入力されたＩＦ信号は、ローパスフ
ィルタ４を介して半導体素子１に入力される。半導体素
子１では、本ミクサの発振周波数であるＬＯ波と周波数
混合され、ハイパスフィルタ２を介してＲＦ信号として
ＲＦ端子３から出力される。従って、本実施の形態の自
励局部発振ミクサの動作はアップコンバージョン動作と
なっている。また、本実施の形態においても、先端開放
スタブ６の線路長はＲＦ周波数でおよそ１／４波長とな
るように設定され、かつ、伝送線路７の線路長はＬＯ周
波数でおよそ１／４波長となるように設定されるため、
ＬＯ波の周波数は、従来例の場合と同じく、ＲＦ信号の
周波数のおよそ１／２の周波数となる。

【００４７】本実施の形態による自励局部発振ミクサで
は、制御電圧端子１０に印加する電圧を変化させること
により、半導体素子１のソース端子から伝送線路７を介
して見たインピーダンスを、開放から変化させることが
出来る。従って、先端開放スタブ６と合わせたインピー
ダンスも変化することになり、発振周波数を制御するこ
とが可能となる。

【００４８】実施の形態２．図２に本発明の実施の形態
２による自励局部発振ミクサの構成例を示す。本実施の
形態による自励局部発振ミクサでは、ＲＦ端子３から入
力されたＲＦ信号は、ハイパスフィルタ２を介して半導
体素子１に入力される。半導体素子１では、本ミクサの
発振周波数であるＬＯ波と周波数混合され、ＩＦ信号と
してローパスフィルタ４を介してＩＦ端子５から出力さ
れる。従って、本実施の形態においては、自励局部発振
ミクサの動作はダウンコンバージョン動作となってい
る。

【００４９】また、本実施の形態においても制御電圧端
子１０に印加する電圧を変化させることにより、半導体
素子１のソース端子から伝送線路７を介して見たインピ
ーダンスを開放から変化させることが出来る。従って、
先端開放スタブ６と合わせたインピーダンスも変化する
ことになり、発振周波数を制御することが可能となる。

【００５０】実施の形態３．図３に本発明の実施の形態
３による自励局部発振ミクサの構成例を示す。図３にお
いて、２ａ、２ｂはキャパシタ、２ｃはインダクタ、４
ａ、４ｂはインダクタ、４ｃはキャパシタ、６ａ、６ｂ
は直列共振回路を構成するインダクタおよびキャパシ
タ、７ａ、７ｂ、７ｃは共振回路を構成するインダクタ
およびキャパシタ、１２は直流電圧阻止用のキャパシ
タ、１３は直流電圧短絡用のインダクタ、１１は制御電
圧印加用のチョークコイル、１４は可変容量ダイオード
である。

【００５１】本実施の形態による自励局部発振ミクサで
は、ＩＦ端子５から入力されたＩＦ信号は、インダクタ
４ａ、４ｂとキャパシタ４ｃとから構成されるローパス
フィルタ４を介して半導体素子１に入力される。半導体
素子１では、本ミクサの発振周波数であるＬＯ波と周波
数混合され、ＲＦ信号としてキャパシタ２ａ、２ｂおよ
びインダクタ２ｃとから構成されるローパスフィルタ２
を介してＲＦ端子３から出力される。従って、本実施の
形態においては、自励局部発振ミクサの動作はアップコ
ンバージョン動作となっている。

【００５２】本実施の形態においては、インダクタ６ａ
およびキャパシタ６ｂからなる直列共振回路で、ＲＦ周
波数でインピーダンス短絡となるようにしている。ま
た、この直列共振回路はＬＯ周波数では容量性となる。
さらに、インダクタ７ａ、キャパシタ７ｂおよびインダ
クタ７ｃとからなる共振回路は、ＲＦ周波数では直列共
振回路、ＬＯ周波数では並列共振回路として振舞うよう
その値が設定される。これにより、この共振回路は、先
の実施の形態１および２に記載のＬＯ周波数で１／４波
長の電気長を有する伝送線路７と同様の機能を実現す
る。

【００５３】さらに、直流的に短絡するためのインダク
タ１３、直流電圧阻止用のキャパシタ１２により、直流
的に半導体素子１のソース端子は短絡となり、可変容量
ダイオード１４は、チョークコイル１１を介して制御電
圧端子１０より印加されるバイアス電圧によりリアクタ
ンスを変化させることが可能となる。従って、半導体素
子１のソース端子から見たインピーダンスは、ＲＦ周波
数では短絡、ＬＯ周波数では容量性であるが、可変容量
ダイオード１４に印加される制御電圧によりインピーダ
ンスが変化することになり、発振周波数を制御すること
が可能となる。

【００５４】実施の形態４．図４に本発明の実施の形態
４による自励局部発振ミクサの構成例を示す。本実施の
形態による自励局部発振ミクサでは、ＲＦ端子３から入
力されたＲＦ信号は、キャパシタ２ａ、２ｂおよびイン
ダクタ２ｃとから構成されるローパスフィルタ２を介し
て半導体素子１に入力される。半導体素子１では本ミク
サの発振周波数であるＬＯ波と周波数混合され、ＩＦ信
号としてインダクタ４ａ、４ｂとキャパシタ４ｃとから
構成されるローパスフィルタ４を介してＩＦ端子５から
出力される。従って、本実施の形態においては、自励局
部発振ミクサの動作はダウンコンバージョン動作となっ
ている。

【００５５】本実施の形態においても、ソース端子部に
設けられた共振回路の動作は実施の形態３の場合と同様
であり、可変容量ダイオード１４に印加される制御電圧
によりインピーダンスが変化することになり、発振周波
数を制御することが可能となる。

【００５６】上記の実施の形態３および４による自励局
部発振ミクサは、分布定数回路では伝送線路やスタブの
物理的な長さが大きくなり本発明によるミクサの構成が
困難な、比較的低周波のミクサを構成する場合に適した
構成である。

【００５７】実施の形態５．図５に本発明の実施の形態
５による自励局部発振ミクサの構成例を示す。図５にお
いて、１５は伝送線路、１６は先端開放スタブ、１７は
伝送線路１５と先端開放スタブ１６とで構成されるＩＦ
周波数での整合回路、１８はＲＦ周波数で１／４波長の
電気長を有する結合線路、２１はＬＯ周波数で１／４波
長の電気長を有する先端短絡スタブ、２２はインダク
タ、２３はＬＯ周波数で１／４波長の電気長を有するバ
イアス線路、２４はＬＯ周波数で１／４波長の電気長を
有する先端開放スタブである。

【００５８】本実施の形態による自励局部発振ミクサで
は、ＩＦ端子５から入力されたＩＦ信号は整合回路１７
を介して半導体素子１に入力される。半導体素子１で
は、本ミクサの発振周波数であるＬＯ波と周波数混合さ
れ、ＲＦ周波数で１／４波長の電気長を有する結合線路
１８を介して、ＲＦ信号としてＲＦ端子３から出力され
る。従って、本実施の形態の自励局部発振ミクサの動作
はアップコンバージョン動作となっている。

【００５９】また、本実施の形態においても、先端開放
スタブ６の線路長はＲＦ周波数でおよそ１／４波長とな
るように設定され、かつ、伝送線路７の線路長はＬＯ周
波数でおよそ１／４波長となるように設定されるため、
ＬＯ波の周波数は、従来例の場合と同じく、ＲＦ信号の
周波数のおよそ１／２の周波数となる。

【００６０】本実施の形態による自励局部発振ミクサで
は、直流的に短絡するための先端短絡スタブ２１、直流
電圧阻止用のキャパシタ１２により、直流的に半導体素
子１のソース端子は短絡となり、可変容量ダイオード１
４は、バイアス線路２３を介して制御電圧端子１０より
印加されるバイアス電圧によりリアクタンスを変化させ
ることが可能となる。従って、制御電圧端子１０に印加
する電圧を変化させることにより、半導体素子１のソー
ス端子から伝送線路７を介して見たインピーダンスを開
放から変化させることが出来る。これにより、先端開放
スタブ６と合わせたインピーダンスも変化することにな
り、発振周波数を制御することが可能となる。

【００６１】実施の形態６．図６に本発明の実施の形態
６による自励局部発振ミクサの構成例を示す。本実施の
形態による自励局部発振ミクサでは、ＲＦ端子３から入
力されたＲＦ信号は、ＲＦ周波数で１／４波長の電気長
を有する結合線路１８を介して半導体素子１に入力され
る。半導体素子１では、本ミクサの発振周波数であるＬ
Ｏ波と周波数混合され、整合回路１７を介してＩＦ信号
としてＩＦ端子５から出力される。従って、本実施の形
態の自励局部発振ミクサの動作はダウンコンバージョン
動作となっている。

【００６２】また、本実施の形態においても、先端開放
スタブ６の線路長はＲＦ周波数でおよそ１／４波長とな
るように設定され、かつ、伝送線路７の線路長はＬＯ周
波数でおよそ１／４波長となるように設定されるため、
ＬＯ波の周波数は、従来例の場合と同じく、ＲＦ信号の
周波数のおよそ１／２の周波数となる。

【００６３】本実施の形態による自励局部発振ミクサに
おいても、制御電圧端子１０に印加する電圧を変化させ
ることにより、半導体素子１のソース端子から伝送線路
７を介して見たインピーダンスを開放から変化させるこ
とが出来る。これにより、先端開放スタブ６と合わせた
インピーダンスも変化することになり、発振周波数を制
御することが可能となる。

【００６４】実施の形態７．図７に本発明の実施の形態
７による自励局部発振ミクサの構成例を示す。図７にお
いて、２５はローパスフィルタ、２６は局部発振波の出
力端子である。

【００６５】本実施の形態による自励局部発振ミクサで
は、基本的な動作は実施の形態１と同様である。ＩＦ端
子５から入力されたＩＦ信号は、ローパスフィルタ４を
介して半導体素子１に入力される。半導体素子１では、
本ミクサの発振周波数であるＬＯ波と周波数混合され、
ハイパスフィルタ２を介してＲＦ信号としてＲＦ端子３
から出力される。従って、本実施の形態の自励局部発振
ミクサの動作はアップコンバージョン動作となってい
る。

【００６６】また、本実施の形態においても、先端開放
スタブ６の線路長はＲＦ周波数のでおよそ１／４波長と
なるように設定され、かつ、伝送線路７の線路長はＬＯ
周波数でおよそ１／４波長となるように設定されるた
め、ＬＯ波の周波数は、従来例の場合と同じく、ＲＦ信
号の周波数のおよそ１／２の周波数となる。さらに、本
実施の形態においても制御電圧端子１０に印加する電圧
を変化させることにより、半導体素子１のソース端子か
ら伝送線路７を介して見たインピーダンスを開放から変
化させることが出来る。従って、先端開放スタブ６と合
わせたインピーダンスも変化することになり、発振周波
数を制御することが可能となる。

【００６７】また、本実施の形態による自励局部発振ミ
クサでは、局部発振波の出力端子２６から局部発振波を
取り出すことができる。ＲＦ信号はローパスフィルタ２
５により抑制されるため、局部発振波の出力端子２６に
は出力されない。

【００６８】実施の形態８．図８に本発明の実施の形態
８による自励局部発振ミクサの構成例を示す。図８にお
いて、２７はハイパスフィルタである。

【００６９】本実施の形態による自励局部発振ミクサで
は、基本的な動作は実施の形態７と同様である。本実施
の形態による自励局部発振ミクサでは、局部発振波の出
力端子２６から局部発振波を取り出すことができる。Ｉ
Ｆ信号はハイパスフィルタ２７により抑制されるため、
局部発振波の出力端子２６には出力されない。

【００７０】実施の形態９．図９に本発明の実施の形態
９による自励局部発振ミクサの構成例を示す。本実施の
形態による自励局部発振ミクサでは、基本的な動作は実
施の形態２と同様である。本実施の形態による自励局部
発振ミクサでは、ＲＦ端子３から入力されたＲＦ信号は
ハイパスフィルタ２を介して半導体素子１に入力され
る。半導体素子１では、本ミクサの発振周波数であるＬ
Ｏ波と周波数混合され、ＩＦ信号としてローパスフィル
タ４を介してＩＦ端子５から出力される。従って、本実
施の形態においては、自励局部発振ミクサの動作はダウ
ンコンバージョン動作となっている。

【００７１】また、本実施の形態においても制御電圧端
子１０に印加する電圧を変化させることにより、半導体
素子１のソース端子から伝送線路７を介して見たインピ
ーダンスを開放から変化させることが出来る。従って、
先端開放スタブ６と合わせたインピーダンスも変化する
ことになり、発振周波数を制御することが可能となる。

【００７２】本実施の形態による自励局部発振ミクサで
は、局部発振波の出力端子２６から局部発振波を取り出
すことができる。ＩＦ信号はハイパスフィルタ２７によ
り抑制されるため局部発振波の出力端子２６には出力さ
れない。

【００７３】実施の形態１０．図１０に本発明の実施の
形態１０による自励局部発振ミクサの構成例を示す。本
実施の形態による自励局部発振ミクサでは、基本的な動
作は実施の形態９と同様である。本実施の形態による自
励局部発振ミクサでは、局部発振波の出力端子２６から
局部発振波を取り出すことができる。ＲＦ信号はローパ
スフィルタ２５により抑制されるため局部発振波の出力
端子２６には出力されない。

【００７４】実施の形態１１．図１１に本発明の実施の
形態１１による自励局部発振ミクサの構成例を示す。図
１１において、２５ａはインダクタである。

【００７５】本実施の形態による自励局部発振ミクサで
は、基本的な動作は実施の形態３と同様であり、ＩＦ端
子５から入力されたＩＦ信号は、インダクタ４ａ、４ｂ
とキャパシタ４ｃとから構成されるローパスフィルタ４
を介して半導体素子１に入力される。半導体素子１では
本ミクサの発振周波数であるＬＯ波と周波数混合され、
ＲＦ信号としてキャパシタ２ａ、２ｂおよびインダクタ
２ｃとから構成されるローパスフィルタ２を介してＲＦ
端子３から出力される。従って、本実施の形態において
は、自励局部発振ミクサの動作はアップコンバージョン
動作となっている。

【００７６】本実施の形態においては、インダクタ６ａ
およびキャパシタ６ｂからなる直列共振回路で、ＲＦ周
波数でインピーダンス短絡となるようにしている。ま
た、この直列共振回路はＬＯ周波数では容量性となる。
さらに、インダクタ７ａ、キャパシタ７ｂおよびインダ
クタ７ｃとからなる共振回路は、ＲＦ周波数では直列共
振回路、ＬＯ周波数では並列共振回路として振舞うよう
その値を設定する。これにより、この共振回路は、先の
実施の形態１および２に記載のＬＯ周波数で１／４波長
の電気長を有する伝送線路と同様の機能を実現する。さ
らに、直流的に短絡するためのインダクタ１３、直流電
圧阻止用のキャパシタ１２により、直流的に半導体素子
１のソース端子は短絡となり、可変容量ダイオード１４
は、チョークコイル１１を介して制御電圧端子１０より
印加されるバイアス電圧により、リアクタンスを変化さ
せることが可能となる。従って、半導体素子１のソース
端子から見たインピーダンスは、ＲＦ周波数では短絡、
ＬＯ周波数では容量性であるが、可変容量ダイオード１
４に印加される制御電圧によりインピーダンスが変化す
ることになり、発振周波数を制御することが可能とな
る。

【００７７】本実施の形態による自励局部発振ミクサで
は、局部発振波の出力端子２６から局部発振波を取り出
すことができる。ＲＦ信号はインダクタ２５ａにより抑
制されるため、局部発振波の出力端子２６には出力され
ない。

【００７８】実施の形態１２．図１２に本発明の実施の
形態１２による自励局部発振ミクサの構成例を示す。２
７ａは局部発振波結合用のキャパシタである。

【００７９】本実施の形態による自励局部発振ミクサで
は、基本的な動作は実施の形態１１と同様である。本実
施の形態による自励局部発振ミクサでは、局部発振波の
出力端子２６から局部発振波を取り出すことができる。
ＩＦ信号はキャパシタ２７ａにより抑制されるため、局
部発振波の出力端子２６には出力されない。

【００８０】実施の形態１３．図１３に本発明の実施の
形態１３による自励局部発振ミクサの構成例を示す。本
実施の形態による自励局部発振ミクサでは、基本的な動
作は実施の形態４に示すものと同様である。ＲＦ端子３
から入力されたＲＦ信号は、キャパシタ２ａ、２ｂおよ
びインダクタ２ｃとから構成されるハイパスフィルタ２
を介して半導体素子１に入力される。半導体素子１では
本ミクサの発振周波数であるＬＯ波と周波数混合され、
ＩＦ信号としてインダクタ４ａ、４ｂとキャパシタ４ｃ
とから構成されるローパスフィルタ４を介してＩＦ端子
５から出力される。従って、本実施の形態においては、
自励局部発振ミクサの動作はダウンコンバージョン動作
となっている。

【００８１】また、本実施の形態においても、半導体素
子１のソース端子部に設けられた共振回路の動作は、実
施の形態３の場合と同様であり、可変容量ダイオード１
４に印加される制御電圧によりインピーダンスが変化す
ることになり、発振周波数を制御することが可能とな
る。

【００８２】本実施の形態による自励局部発振ミクサで
は、局部発振波の出力端子２６から局部発振波を取り出
すことができる。ＩＦ信号はキャパシタ２７ａにより抑
制されるため、局部発振波の出力端子２６には出力され
ない。

【００８３】実施の形態１４．図１４に本発明の実施の
形態１４による自励局部発振ミクサの構成例を示す。本
実施の形態による自励局部発振ミクサでは、基本的な動
作は実施の形態１３と同様である。本実施の形態による
自励局部発振ミクサでは、局部発振波の出力端子２６か
ら局部発振波を取り出すことができる。ＲＦ信号はイン
ダクタ２５ａにより抑制されるため、局部発振波の出力
端子２６には出力されない。

【００８４】実施の形態１５．図１５に本発明の実施の
形態１５による自励局部発振ミクサの構成例を示す。図
１５において、２８はＬＯ周波数で１／４波長の電気長
を有する結合線路を用いた方向性結合器である。

【００８５】本実施の形態による自励局部発振ミクサで
は、基本的な動作は実施の形態５によるものと同様であ
る。ＩＦ端子５から入力されたＩＦ信号は整合回路１７
を介して半導体素子１に入力される。半導体素子１では
本ミクサの発振周波数であるＬＯ波と周波数混合され、
ＲＦ周波数で１／４波長の電気長を有する結合線路１８
を介してＲＦ信号としてＲＦ端子３から出力される。従
って、本実施の形態の自励局部発振ミクサの動作はアッ
プコンバージョン動作となっている。

【００８６】また、本実施の形態においても、可変容量
ダイオード１４は、バイアス線路２３を介して制御電圧
端子１０より印加されるバイアス電圧によりリアクタン
スを変化させることが可能となる。従って、制御電圧端
子１０に印加する電圧を変化させることにより、半導体
素子１のソース端子から伝送線路７を介して見たインピ
ーダンスを開放から変化させることが出来る。これによ
り、先端開放スタブ６と合わせたインピーダンスも変化
することになり、発振周波数を制御することが可能とな
る。

【００８７】本実施の形態による自励局部発振ミクサで
は、局部発振波の出力端子２６から局部発振波を取り出
すことができる。ＲＦ信号は、ＬＯ周波数で１／４波長
の電気長を有する結合線路２８により抑制されるため、
局部発振波の出力端子２６には出力されない。

【００８８】実施の形態１６．図１６に本発明の実施の
形態１６による自励局部発振ミクサの構成例を示す。本
実施の形態による自励局部発振ミクサでは、基本的な動
作は実施の形態１５と同様である。本実施の形態による
自励局部発振ミクサでは、局部発振波の出力端子２６か
ら局部発振波を取り出すことができる。ＩＦ信号はＬＯ
周波数で１／４波長の電気長を有する結合線路２８によ
り抑制されるため、局部発振波の出力端子２６には出力
されない。

【００８９】実施の形態１７．図１７に本発明の実施の
形態１７による自励局部発振ミクサの構成例を示す。本
実施の形態による自励局部発振ミクサでは、ＲＦ端子３
から入力されたＲＦ信号は、ＲＦ周波数で１／４波長の
電気長を有する結合線路１８を介して半導体素子１に入
力される。半導体素子１では整合回路１７を介して本ミ
クサの発振周波数であるＬＯ波と周波数混合され、ＩＦ
信号としてＩＦ端子５から出力される。従って、本実施
の形態の自励局部発振ミクサの動作はダウンコンバージ
ョン動作となっている。

【００９０】また、本実施の形態においても、制御電圧
端子１０に印加する電圧を変化させることにより、半導
体素子１のソース端子から伝送線路７を介して見たイン
ピーダンスを開放から変化させることが出来る。これに
より、先端開放スタブ６と合わせたインピーダンスも変
化することになり、発振周波数を制御することが可能と
なる。

【００９１】本実施の形態による自励局部発振ミクサで
は、局部発振波の出力端子２６から局部発振波を取り出
すことができる。ＩＦ信号はＬＯ周波数で１／４波長の
電気長を有する結合線路２８により抑制されるため、局
部発振波の出力端子２６には出力されない。

【００９２】実施の形態１８．図１８に本発明の実施の
形態１８による自励局部発振ミクサの構成例を示す。本
実施の形態による自励局部発振ミクサでは、基本的な動
作は実施の形態１５と同様である。本実施の形態による
自励局部発振ミクサでは、局部発振波の出力端子２６か
ら局部発振波を取り出すことができる。ＲＦ信号はＬＯ
周波数で１／４波長の電気長を有する結合線路２８によ
り抑制されるため、局部発振波の出力端子２６には出力
されない。

【００９３】実施の形態１９．図１９に本発明の実施の
形態１９による自励局部発振ミクサの構成例を示す。図
１９において、２９は伝送線路２０と結合するように配
置されたＴＥ０１δモード共振器のようなＱ値の高い誘
電体共振器である。

【００９４】本実施の形態による自励局部発振ミクサで
は、基本的な動作は実施の形態５によるものと同様であ
る。ＩＦ端子５から入力されたＩＦ信号は、整合回路１
７を介して半導体素子１に入力される。半導体素子１で
は、本ミクサの発振周波数であるＬＯ波と周波数混合さ
れ、ＲＦ周波数で１／４波長の電気長を有する結合線路
１８を介してＲＦ信号としてＲＦ端子３から出力され
る。従って、本実施の形態の自励局部発振ミクサの動作
はアップコンバージョン動作となっている。

【００９５】また、本実施の形態においても、可変容量
ダイオード１４は、チョークコイル１１を介して制御電
圧端子１０より印加されるバイアス電圧によりリアクタ
ンスを変化させることが可能となる。従って、制御電圧
端子１０に印加する電圧を変化させることにより、半導
体素子１のソース端子から伝送線路７を介して見たイン
ピーダンスを開放から変化させることが出来る。これに
より、先端開放スタブ６と合わせたインピーダンスも変
化することになり、発振周波数を制御することが可能と
なる。

【００９６】本実施の形態による自励局部発振ミクサで
は、局部発振周波数は誘電体共振器２９により同調回路
部の負荷Ｑ値が高まるため、局部発振器の位相雑音を小
さくすることが出来る。

【００９７】実施の形態２０．図２０に本発明の実施の
形態２０による自励局部発振ミクサの構成例を示す。本
実施の形態による自励局部発振ミクサでは、ＲＦ端子３
から入力されたＲＦ信号は、ＲＦ周波数で１／４波長の
電気長を有する結合線路１８を介して半導体素子１に入
力される。半導体素子１では、整合回路１７を介して本
ミクサの発振周波数であるＬＯ波と周波数混合され、Ｉ
Ｆ信号としてＩＦ端子５から出力される。従って、本実
施の形態の自励局部発振ミクサの動作はダウンコンバー
ジョン動作となっている。

【００９８】また、本実施の形態においても、制御電圧
端子１０に印加する電圧を変化させることにより、半導
体素子１のソース端子から伝送線路７を介して見たイン
ピーダンスを開放から変化させることが出来る。これに
より、先端開放スタブ６と合わせたインピーダンスも変
化することになり、発振周波数を制御することが可能と
なる。さらに、本実施の形態による自励局部発振ミクサ
では、局部発振周波数は誘電体共振器２９により同調回
路部の負荷Ｑ値が高まるため、局部発振器の位相雑音を
小さくすることが出来る。

【００９９】実施の形態２１．図２１に本発明の実施の
形態２１による自励局部発振ミクサの構成例を示す。図
２１において、３０は誘電体共振器２９と結合するよう
に配置された先端開放スタブである。

【０１００】本実施の形態による自励局部発振ミクサで
は、基本的な動作は実施の形態１９によるものと同様で
ある。ＩＦ端子５から入力されたＩＦ信号は、整合回路
１７を介して半導体素子１に入力される。半導体素子１
では、本ミクサの発振周波数であるＬＯ波と周波数混合
され、ＲＦ周波数で１／４波長の電気長を有する結合線
路１８を介してＲＦ信号としてＲＦ端子３から出力され
る。従って、本実施の形態の自励局部発振ミクサの動作
はアップコンバージョン動作となっている。

【０１０１】また、本実施の形態においても、可変容量
ダイオード１４は、バイアス線路２３を介して制御電圧
端子１０より印加されるバイアス電圧によりリアクタン
スを変化させることが可能となる。従って、制御電圧端
子１０に印加する電圧を変化させることにより、半導体
素子１のソース端子から伝送線路７を介して見たインピ
ーダンスを開放から変化させることが出来る。これによ
り、先端開放スタブ６と合わせたインピーダンスも変化
することになり、発振周波数を制御することが可能とな
る。また、本実施の形態による自励局部発振ミクサで
は、局部発振周波数は、誘電体共振器２９により同調回
路部の負荷Ｑ値が高まるため、局部発振器の位相雑音を
小さくすることが出来る。

【０１０２】本実施の形態による自励局部発振ミクサで
は、誘電体共振器２９と結合した先端開放スタブ３０を
介して局部発振波の出力端子２６から局部発振波を取り
出すことができる。

【０１０３】実施の形態２２．図２２に本発明の実施の
形態２２による自励局部発振ミクサの構成例を示す。本
実施の形態による自励局部発振ミクサでは、ＲＦ端子３
から入力されたＲＦ信号は、ＲＦ周波数で１／４波長の
電気長を有する結合線路１８を介して半導体素子１に入
力される。半導体素子１では、本ミクサの発振周波数で
あるＬＯ波と周波数混合され、整合回路１７を介してＩ
Ｆ信号としてＩＦ端子５から出力される。従って、本実
施の形態の自励局部発振ミクサの動作はダウンコンバー
ジョン動作となっている。

【０１０４】また、本実施の形態においても、制御電圧
端子１０に印加する電圧を変化させることにより、半導
体素子１のソース端子から伝送線路７を介して見たイン
ピーダンスを開放から変化させることが出来る。これに
より、先端開放スタブ６と合わせたインピーダンスも変
化することになり、発振周波数を制御することが可能と
なる。さらに、本実施の形態による自励局部発振ミクサ
では、局部発振周波数は誘電体共振器２９により同調回
路部の負荷Ｑ値が高まるため、局部発振器の位相雑音を
小さくすることが出来る。

【０１０５】本実施の形態による自励局部発振ミクサで
は、誘電体共振器２９と結合した伝送線路３０を介して
局部発振波の出力端子２６から局部発振波を取り出すこ
とができる。

【０１０６】実施の形態２３．図２３に本発明の実施の
形態２３による自励局部発振ミクサの構成例を示す。図
２３において、３１はデュアルゲートＦＥＴなどのゲー
ト端子あるいはベース端子を２つ有する半導体素子、３
２は上記半導体素子３１の第２ゲート端子に接続された
伝送線路である。

【０１０７】本実施の形態による自励局部発振ミクサで
は、ＩＦ端子５から入力されたＩＦ信号は整合回路１７
を介して半導体素子３１に入力される。半導体素子３１
では、本ミクサの発振周波数であるＬＯ波と周波数混合
され、ＲＦ周波数で１／４波長の電気長を有する結合線
路１８を介してＲＦ信号としてＲＦ端子３から出力され
る。従って、本実施の形態の自励局部発振ミクサの動作
はアップコンバージョン動作となっている。

【０１０８】また、本実施の形態においても、可変容量
ダイオード１４は、伝送線路２３を介して制御電圧端子
１０より印加されるバイアス電圧によりリアクタンスを
変化させることが可能となる。従って、制御電圧端子１
０に印加する電圧を変化させることにより、半導体素子
３１の第２ゲート端子から伝送線路３２を介して見たイ
ンピーダンスを開放から変化させることが出来る。これ
により発振周波数を制御することが可能となる。

【０１０９】本実施の形態による自励局部発振ミクサで
は、半導体素子３１の第１ゲートと第２ゲートのゲート
端子間アイソレーションにより、良好なＬＯ波とＩＦ信
号間のアイソレーションを得ることが出来る。

【０１１０】実施の形態２４．図２４に本発明の実施の
形態２４による自励局部発振ミクサの構成例を示す。本
実施の形態による自励局部発振ミクサでは、ＲＦ端子３
から入力されたＲＦ信号は、ＲＦ周波数で１／４波長の
電気長を有する結合線路１８を介して半導体素子３１に
入力される。半導体素子３１では、本ミクサの発振周波
数であるＬＯ波と周波数混合され、整合回路１７を介し
てＩＦ信号としてＩＦ端子５から出力される。従って、
本実施の形態の自励局部発振ミクサの動作はダウンコン
バージョン動作となっている。

【０１１１】また、本実施の形態においても、制御電圧
端子１０に印加する電圧を変化させることにより、半導
体素子３１の第２ゲート端子から伝送線路３２を見たイ
ンピーダンスを開放から変化させることが出来る。これ
により、発振周波数を制御することが可能となる。さら
に、本実施の形態による自励局部発振ミクサでは、半導
体素子３１のゲート端子間のアイソレーションにより、
良好なＬＯ波とＩＦ信号間のアイソレーションを得るこ
とが出来る。

【０１１２】実施の形態２５．図２５に本発明の実施の
形態２５による自励局部発振ミクサの構成例を示す。図
２５において、３３、３４は誘電体共振器２９に結合す
るように配置された先端開放スタブである。

【０１１３】本実施の形態による自励局部発振ミクサで
は、ＩＦ端子５から入力されたＩＦ信号は整合回路１７
を介して半導体素子３１に入力される。半導体素子３１
では、本ミクサの発振周波数であるＬＯ波と周波数混合
され、ＲＦ周波数で１／４波長の電気長を有する結合線
路１８を介してＲＦ信号としてＲＦ端子３から出力され
る。従って、本実施の形態の自励局部発振ミクサの動作
はアップコンバージョン動作となっている。

【０１１４】また、本実施の形態においても、可変容量
ダイオード１４は、伝送線路２３を介して制御電圧端子
１０より印加されるバイアス電圧によりリアクタンスを
変化させることが可能となる。従って、制御電圧端子１
０に印加する電圧を変化させることにより、半導体素子
３１の第２ゲート端子から先端開放スタブ３３、３４を
介して見たインピーダンスを開放から変化させることが
出来る。これにより、発振周波数を制御することが可能
となる。本実施の形態による自励局部発振ミクサでは、
半導体素子３１のゲート端子間のアイソレーションによ
り、良好なＬＯ波とＩＦ信号間のアイソレーションを得
ることが出来る。

【０１１５】本実施の形態による自励局部発振ミクサで
は、半導体素子３１の第２ゲート端子に接続された伝送
線路と結合する誘電体共振器２９により、同調回路部の
負荷Ｑ値が高まるため、局部発振器の位相雑音を小さく
することが出来る。

【０１１６】実施の形態２６．図２６に本発明の実施の
形態２６による自励局部発振ミクサの構成例を示す。Ｒ
Ｆ信号はＲＦ端子３から、ＲＦ周波数で１／４波長の電
気長を有する結合線路１８を介して半導体素子３１に入
力される。半導体素子３１では、本ミクサの発振周波数
であるＬＯ波と周波数混合され、整合回路１７を介して
ＩＦ信号として出力端子５から出力される。従って、本
実施の形態の自励局部発振ミクサの動作はダウンコンバ
ージョン動作となっている。

【０１１７】また、本実施の形態においても、制御電圧
端子１０に印加する電圧を変化させることにより、半導
体素子３１の第２ゲート端子から先端開放スタブ３３、
３４を見たインピーダンスを開放から変化させることが
出来る。これにより、発振周波数を制御することが可能
となる。さらに、本実施の形態による自励局部発振ミク
サでは、局部発振周波数は誘電体共振器２９により、同
調回路部の負荷Ｑ値が高まるため、局部発振器の位相雑
音を小さくすることが出来る。

【０１１８】本実施の形態による自励局部発振ミクサで
は、半導体素子３１のゲート端子間のアイソレーション
により、良好なＬＯ波とＩＦ信号間のアイソレーション
を得ることが出来る。

【０１１９】実施の形態２７．図２７に本発明の実施の
形態２７による自励局部発振ミクサを用いた位相同期
（以下、ＰＬＬと略す）ループの構成例を示す。図２７
において、３５は周波数分周器、３６は位相比較器、３
７基準信号入力端子、３８はループフィルタである。

【０１２０】本実施の形態による自励局部発振ミクサを
用いたＰＬＬ回路では、ＩＦ端子５から入力されたＩＦ
信号は、ローパスフィルタ４を介して半導体素子１に入
力される。半導体素子１では、本ミクサの発振周波数で
あるＬＯ波と周波数混合され、ハイパスフィルタ２を介
してＲＦ信号としてＲＦ端子３から出力される。従っ
て、本実施の形態の自励局部発振ミクサの動作はアップ
コンバージョン動作となっている。

【０１２１】また、本実施の形態においても、可変リア
クタンス素子８は、バイアス線路９を介して印加される
バイアス電圧によりリアクタンスを変化させることが可
能となる。従って、制御電圧を変化させることにより、
半導体素子１のソース端子から伝送線路７を介して見た
インピーダンスを開放から変化させることが出来る。こ
れにより、先端開放スタブ６と合わせたインピーダンス
も変化することになり、発振周波数を制御することが可
能となる。ＬＯ波はローパスフィルタ２５を介して周波
数分周器３５で周波数分周された後、位相比較器３６で
基準信号入力端子３７に印加される基準信号と位相比較
される。これにより、自励局部発振ミクサの周波数安定
度は、基準信号と同一の安定度を有することとなる。

【０１２２】本実施の形態による自励局部発振ミクサを
用いたＰＬＬ回路では、上記のようにＰＬＬ回路を構成
することにより、良好な周波数安定度を有する周波数変
換回路を実現することが出来る。

【０１２３】実施の形態２８．図２８に本発明の実施の
形態２８による自励局部発振ミクサを用いたＰＬＬ回路
の構成例を示す。図２８において、３９は高調波ミク
サ、４０は高調波ミクサ３９のＬＯ入力端子である。

【０１２４】本実施の形態による自励局部発振ミクサを
用いたＰＬＬ回路では、基本的な動作は実施の形態２７
と同様であり、ＩＦ端子５から入力されたＩＦ信号はロ
ーパスフィルタ４を介して半導体素子１に入力される。
半導体素子１では、本ミクサの発振周波数であるＬＯ波
と周波数混合され、ハイパスフィルタ２を介してＲＦ信
号としてＲＦ端子３から出力される。ＬＯ波はローパス
フィルタ２５を介して高調波ミクサ３９で一旦低周波数
へダウンコンバージョンされた後、周波数分周器３５で
周波数分周され、位相比較器３６で基準信号入力端子３
７の基準信号と位相比較される。これにより、自励局部
発振ミクサの周波数安定度は基準信号と同一の安定度を
有することとなる。従って、本実施の形態による自励局
部発振ミクサを用いたＰＬＬ回路では、良好な周波数安
定度を有する周波数変換回路を実現することが出来る。

【０１２５】実施の形態２９．図２９に本発明の実施の
形態２９による自励局部発振ミクサを用いた送受信機の
構成例を示す。図２９において、４１はＩＦ帯の増幅
器、４２はＩＦ帯のバンドパスフィルタ、４３は本発明
の実施の形態による自励局部発振ミクサ、４４はＲＦ帯
のバンドパスフィルタ、４５はＲＦ帯の増幅器である。

【０１２６】本実施の形態による自励局部発振ミクサを
用いた送受信機では、通常の送受信機で必要なミクサと
局部発振器を組み合わせた周波数変換部の部分を自励局
部発振ミクサで置きかえることが出来るため、小形で、
低コストな送受信機を実現することが出来る。

【０１２７】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、基本
波形の自励局部発振ミクサと比較して、ＲＦ周波数とＬ
Ｏ周波数の差が大きく、ＬＯ波の抑制が容易で、マイク
ロ波の送受信機で一般的に用いられている発振器とミク
サを別個に用いた構成と異なり、小形化が容易な自励局
部発振ミクサを構成することが出来、かつ、印加するバ
イアス電圧により発振周波数を制御可能な自励局部発振
ミクサを構成することが出来る。

【０１２８】また、局部発振波とＲＦ信号、ＩＦ信号を
ろ波する回路を設け、局部発振波を容易にろ波し、取り
出すことができる。

【０１２９】また、共振回路を装荷することにより、発
振器としてのＱ値が高まり、位相雑音を低くすることが
出来る。これにより、ディジタル通信などの、良好な通
信品質を必要とするシステムに適用可能な自励局部発振
ミクサを得ることが出来る。

【０１３０】また、デュアルゲートＦＥＴなどの半導体
素子を用いることにより、容易に局部発振波とＲＦ信
号、ＩＦ信号とのアイソレーション特性の良好な自励局
部発振ミクサを得ることが出来る。

【０１３１】また、ＰＬＬ回路を構成することにより、
低位相雑音化を可能とし、良好な周波数安定度、位相雑
音特性を要求される通信システムへ適用可能とすること
が出来る。

【０１３２】また、この発明に係る自励局部発振ミクサ
を用いた送受信機では、通常の送受信機で必要なミクサ
と局部発振器を組み合わせた周波数変換部の部分を自励
局部発振ミクサで置きかえることが出来るため、小形
で、低コストな送受信機を実現することが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施の形態１に係る自励局部発振
ミクサを示す構成図である。

【図２】この発明の実施の形態２に係る自励局部発振
ミクサを示す構成図である。

【図３】この発明の実施の形態３に係る自励局部発振
ミクサを示す構成図である。

【図４】この発明の実施の形態４に係る自励局部発振
ミクサを示す構成図である。

【図５】この発明の実施の形態５に係る自励局部発振
ミクサを示す構成図である。

【図６】この発明の実施の形態６に係る自励局部発振
ミクサを示す構成図である。

【図７】この発明の実施の形態７に係る自励局部発振
ミクサを示す構成図である。

【図８】この発明の実施の形態８に係る自励局部発振
ミクサを示す構成図である。

【図９】この発明の実施の形態９に係る自励局部発振
ミクサを示す構成図である。

【図１０】この発明の実施の形態１０に係る自励局部
発振ミクサを示す構成図である。

【図１１】この発明の実施の形態１１に係る自励局部
発振ミクサを示す構成図である。

【図１２】この発明の実施の形態１２に係る自励局部
発振ミクサを示す構成図である。

【図１３】この発明の実施の形態１３に係る自励局部
発振ミクサを示す構成図である。

【図１４】この発明の実施の形態１４に係る自励局部
発振ミクサを示す構成図である。

【図１５】この発明の実施の形態１５に係る自励局部
発振ミクサを示す構成図である。

【図１６】この発明の実施の形態１６に係る自励局部
発振ミクサを示す構成図である。

【図１７】この発明の実施の形態１７に係る自励局部
発振ミクサを示す構成図である。

【図１８】この発明の実施の形態１８に係る自励局部
発振ミクサを示す構成図である。

【図１９】この発明の実施の形態１９に係る自励局部
発振ミクサを示す構成図である。

【図２０】この発明の実施の形態２０に係る自励局部
発振ミクサを示す構成図である。

【図２１】この発明の実施の形態２１に係る自励局部
発振ミクサを示す構成図である。

【図２２】この発明の実施の形態２２に係る自励局部
発振ミクサを示す構成図である。

【図２３】この発明の実施の形態２３に係る自励局部
発振ミクサを示す構成図である。

【図２４】この発明の実施の形態２４に係る自励局部
発振ミクサを示す構成図である。

【図２５】この発明の実施の形態２５に係る自励局部
発振ミクサを示す構成図である。

【図２６】この発明の実施の形態２６に係る自励局部
発振ミクサを示す構成図である。

【図２７】この発明の実施の形態２７に係る自励局部
発振ミクサを用いた位相同期回路を示す構成図である。

【図２８】この発明の実施の形態２８に係る自励局部
発振ミクサを用いた位相同期回路を示す構成図である。

【図２９】この発明の実施の形態２９に係る自励局部
発振ミクサを用いた送受信機を示す構成図である。

【図３０】従来の自励局部発振ミクサを示す構成図で
ある。

【符号の説明】

１半導体素子、２ハイパスフィ
ルタ、２ａ、２ｂキャパシタ、２ｃイン
ダクタ、３無線周波数端子、４ロー
パスフィルタ、４ａ、４ｂインダクタ、４
ｃキャパシタ、５中間周波数端子、
６先端開放スタブ、６ａインダクタ、
６ｂキャパシタ、７伝送線路、
７ａ、７ｃインダクタ、７ｂキャパシタ、
８可変リアクタンス素子、９バイア
ス線路、１０制御電圧端子、１１チ
ョークコイル、１２直流電圧阻止用キャ
パシタ、１３直流電圧短絡用インダクタ、１４可
変容量ダイオード、１５伝送線路、
１６先端開放スタブ、１７中間周波数整合回路、
１８結合線路、２０伝送線路、
２１先端短絡スタブ、２２インダクタ、
２３バイアス線路、２４先端開放ス
タブ、２５ローパスフィルタ、２５ａ
インダクタ、２６局部発振波出力端
子、２７ハイパスフィルタ、２７ａキャ
パシタ、２８方向性結合器、２９誘
電体共振器、３０先端開放スタブ、３１
半導体素子、３２伝送線路、３
３先端開放スタブ、３４先端開放スタブ、
３５周波数分周器、３６位相比較器、
３７基準信号入力端子、３８ループフィル
タ、３９高調波ミクサ、４０局部発振
波入力端子、４１中間周波数帯増幅器、４２
中間周波数帯バンドパスフィルタ、４３自励局部発
振ミクサ、４４無線周波数帯バンドパスフィルタ、４
５無線周波数帯増幅。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨＥＭ
Ｔなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端子あ
るいはドレイン端子に一方の端子が接続されたハイパス
フィルタ、このハイパスフィルタの他方の端子に接続さ
れた無線周波数端子、上記半導体素子のベース端子ある
いはゲート端子に一方の端子が接続されたローパスフィ
ルタ、このローパスフィルタの他方の端子に接続された
中間周波数端子、上記半導体素子のエミッタ端子あるい
はソース端子に設けられた先端開放スタブ、上記半導体
素子のエミッタ端子あるいはソース端子に、上記先端開
放スタブと並列に一方の端子が接続された伝送線路、こ
の伝送線路の他方の端子に接続された可変リアクタンス
素子、この可変リアクタンス素子にバイアス電圧を印加
するバイアス線路およびバイアス端子を備えたことを特
徴とする電圧制御自励局部発振ミクサ。
【請求項２】トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨＥＭ
Ｔなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端子あ
るいはドレイン端子に一方の端子が接続されたローパス
フィルタ、このローパスフィルタの他方の端子に接続さ
れた中間周波数端子、上記半導体素子のベース端子ある
いはゲート端子に一方の端子が接続されたハイパスフィ
ルタ、このハイパスフィルタの他方の端子に接続された
無線周波数端子、上記半導体素子のエミッタ端子あるい
はソース端子に設けられた先端開放スタブ、上記半導体
素子のエミッタ端子あるいはソース端子に、上記先端開
放スタブと並列に一方の端子が接続された伝送線路、こ
の伝送線路の他方の端子に接続された可変リアクタンス
素子、この可変リアクタンス素子にバイアス電圧を印加
するバイアス線路およびバイアス端子を備えたことを特
徴とする電圧制御自励局部発振ミクサ。
【請求項３】トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨＥＭ
Ｔなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端子あ
るいはドレイン端子に一方の端子が接続されたキャパシ
タと、このキャパシタの他方の端子とシャント接続され
たインダクタと、このインダクタと一方の端子が接続さ
れたキャパシタとからなるハイパスフィルタ、このハイ
パスフィルタに接続された無線周波数端子、上記半導体
素子のベース端子あるいはゲート端子に一方の端子が接
続されたインダクタと、このインダクタの他方の端子と
シャント接続されたキャパシタと、このキャパシタと一
方の端子が接続されたインダクタとからなるローパスフ
ィルタ、このローパスフィルタの他方の端子に接続され
た中間周波数端子、上記半導体素子のエミッタ端子ある
いはソース端子に設けられ、片端が接地されたインダク
タとキャパシタとからなる直列共振回路、上記半導体素
子のエミッタ端子あるいはソース端子に、上記直列共振
回路と並列に一方の接続点が接続されたインダクタとキ
ャパシタからなる並列共振回路、この並列共振回路の他
方の接続点に接続されたインダクタ、このインダクタの
他方の端子とシャント接続されたインダクタ、このイン
ダクタの接地されていない方の端子と一方の端子が接続
されたキャパシタ、このキャパシタの他方の端子とカソ
ードが接続された可変容量ダイオード、この可変容量ダ
イオードのカソード端子と接続されたインダクタなどに
より構成されるチョーク回路、このチョーク回路を介し
て上記可変容量ダイオードにバイアス電圧を印加するバ
イアス端子を備えたことを特徴とする電圧制御自励局部
発振ミクサ。
【請求項４】トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨＥＭ
Ｔなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端子あ
るいはドレイン端子に一方の端子が接続されたインダク
タと、このインダクタの他方の端子とシャント接続され
たキャパシタと、このキャパシタと一方の端子が接続さ
れたインダクタとからなるローパスフィルタ、このロー
パスフィルタに接続された中間周波数端子、上記半導体
素子のベース端子あるいはゲート端子に一方の端子が接
続されたキャパシタと、このキャパシタの他方の端子と
シャント接続されたインダクタと、このインダクタと一
方の端子が接続されたキャパシタとからなるハイパスフ
ィルタ、このハイパスフィルタの他方の端子に接続され
た無線周波数端子、上記半導体素子のエミッタ端子ある
いはソース端子に設けられ、片端が接地されたインダク
タとキャパシタとからなる直列共振回路、上記半導体素
子のエミッタ端子あるいはソース端子に、上記直列共振
回路と並列に一方の接続点が接続されたインダクタとキ
ャパシタからなる並列共振回路、この並列共振回路の他
方の接続点に接続されたインダクタ、このインダクタの
他方の端子とシャント接続されたインダクタ、このイン
ダクタの接地されていない方の端子と一方の端子が接続
されたキャパシタ、このキャパシタの他方の端子とカソ
ードが接続された可変容量ダイオード、この可変容量ダ
イオードのカソード端子と接続されたインダクタなどに
より構成されるチョーク回路、このチョーク回路を介し
て上記可変容量ダイオードにバイアス電圧を印加するバ
イアス端子を備えたことを特徴とする電圧制御自励局部
発振ミクサ。
【請求項５】トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨＥＭ
Ｔなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端子あ
るいはドレイン端子に一方の端子が接続された、無線周
波数で１／４波長の電気長を有する結合線路、この結合
線路の他方の端子と接続された無線周波数端子、上記半
導体素子のベース端子あるいはゲート端子に一方の端子
が接続された中間周波数帯の整合回路、この整合回路の
他方の端子と接続された中間周波数端子、上記半導体素
子のエミッタ端子あるいはソース端子に設けられた先端
開放スタブ、上記半導体素子のエミッタ端子あるいはソ
ース端子に、上記先端開放スタブと並列に一方の端子が
接続された伝送線路、この伝送線路の他方の端子に接続
され、局部発振波の周波数で１／４波長の電気長を有す
る先端短絡スタブ、この先端短絡スタブと上記伝送線路
の接続点に一方の端子が接続されたキャパシタ、このキ
ャパシタの他方の端子に接続されたインダクタ、このイ
ンダクタと直列に接続され、局部発振波の周波数でイン
ピーダンスが短絡となるような可変容量ダイオード、上
記キャパシタと上記インダクタの接続点に接続され、局
部発振波の周波数で１／４波長の電気長を有する伝送線
路、この伝送線路の他方の端子に接続された制御電圧端
子を備えたことを特徴とする電圧制御自励局部発振ミク
サ。
【請求項６】トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨＥＭ
Ｔなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端子あ
るいはドレイン端子に一方の端子が接続された中間周波
数帯の整合回路、この整合回路の他方の端子と接続され
た中間周波数端子、上記半導体素子のベース端子あるい
はゲート端子に一方の端子が接続された、無線周波数で
１／４波長の電気長を有する結合線路、この結合線路の
他方の端子と接続された無線周波数端子、上記半導体素
子のエミッタ端子あるいはソース端子に設けられた先端
開放スタブ、上記半導体素子のエミッタ端子あるいはソ
ース端子に、上記先端開放スタブと並列に一方の端子が
接続された伝送線路、この伝送線路の他方の端子に接続
された、局部発振波の周波数で１／４波長の電気長を有
する先端短絡スタブ、この先端短絡スタブと上記伝送線
路の接続点に一方の端子が接続されたキャパシタ、この
キャパシタの他方の端子に接続されたインダクタ、この
インダクタと直列に接続され、局部発振波の周波数でイ
ンピーダンスが短絡となるような可変容量ダイオード、
上記キャパシタと上記インダクタの接続点に接続され、
局部発振波の周波数で１／４波長の電気長を有する伝送
線路、この伝送線路の他方の端子に接続された制御電圧
端子を備えたことを特徴とする電圧制御自励局部発振ミ
クサ。
【請求項７】半導体素子と無線周波数端子との間に分
波回路を設けることにより、無線周波数信号から局部発
振波を分離して取り出すようにしたことを特徴とする請
求項１乃至請求項６のいずれか一項記載の電圧制御自励
局部発振ミクサ。
【請求項８】半導体素子と中間周波数端子との間に分
波回路を設けることにより、中間周波数信号から局部発
振波を分離して取り出すようにしたことを特徴とする請
求項１乃至請求項６のいずれか一項記載の電圧制御自励
局部発振ミクサ。
【請求項９】トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨＥＭ
Ｔなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端子あ
るいはドレイン端子に一方の端子が接続されたハイパス
フィルタ、このハイパスフィルタの他方の端子に接続さ
れた無線周波数端子、上記半導体素子のコレクタ端子あ
るいはドレイン端子に一方の端子が接続されたローパス
フィルタ、このローパスフィルタに接続された局部発振
波の出力端子、上記半導体素子のベース端子あるいはゲ
ート端子に一方の端子が接続されたローパスフィルタ、
このローパスフィルタの他方の端子に接続された中間周
波数端子、上記半導体素子のエミッタ端子あるいはソー
ス端子に設けられた先端開放スタブ、上記半導体素子の
エミッタ端子あるいはソース端子に、上記先端開放スタ
ブと並列に一方の端子が接続された伝送線路、この伝送
線路の他方の端子に接続された可変リアクタンス素子、
この可変リアクタンス素子にバイアス電圧を印加するバ
イアス線路およびバイアス端子を備えたことを特徴とす
る電圧制御自励局部発振ミクサ。
【請求項１０】トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨＥ
ＭＴなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端子
あるいはドレイン端子に一方の端子が接続されたハイパ
スフィルタ、このハイパスフィルタの他方の端子に接続
された無線周波数端子、上記半導体素子のベース端子あ
るいはゲート端子に一方の端子が接続されたローパスフ
ィルタ、このローパスフィルタの他方の端子に接続され
た中間周波数端子、上記半導体素子のベース端子あるい
はゲート端子に一方の端子が接続されたハイパスフィル
タ、ハイパスフィルタに接続された局部発振波の出力端
子、上記半導体素子のエミッタ端子あるいはソース端子
に設けられた先端開放スタブ、上記半導体素子のエミッ
タ端子あるいはソース端子に、上記先端開放スタブと並
列に一方の端子が接続された伝送線路、この伝送線路の
他方の端子に接続された可変リアクタンス素子、この可
変リアクタンス素子にバイアス電圧を印加するバイアス
線路およびバイアス端子を備えたことを特徴とする電圧
制御自励局部発振ミクサ。
【請求項１１】トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨＥ
ＭＴなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端子
あるいはドレイン端子に一方の端子が接続されたローパ
スフィルタ、このローパスフィルタの他方の端子に接続
された中間周波数端子、上記半導体素子のコレクタ端子
あるいはドレイン端子に一方の端子が接続されたハイパ
スフィルタ、このハイパスフィルタに接続された局部発
振波の出力端子、上記半導体素子のベース端子あるいは
ゲート端子に一方の端子が接続されたハイパスフィル
タ、このハイパスフィルタの他方の端子に接続された無
線周波数端子、上記半導体素子のエミッタ端子あるいは
ソース端子に設けられた先端開放スタブ、上記半導体素
子のエミッタ端子あるいはソース端子に、上記先端開放
スタブと並列に一方の端子が接続された伝送線路、この
伝送線路の他方の端子に接続された可変リアクタンス素
子、この可変リアクタンス素子にバイアス電圧を印加す
るバイアス線路およびバイアス端子を備えたことを特徴
とする電圧制御自励局部発振ミクサ。
【請求項１２】トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨＥ
ＭＴなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端子
あるいはドレイン端子に一方の端子が接続されたローパ
スフィルタ、このローパスフィルタの他方の端子に接続
された中間周波数端子、上記半導体素子のベース端子あ
るいはゲート端子に一方の端子が接続されたハイパスフ
ィルタ、このハイパスフィルタの他方の端子に接続され
た無線周波数端子、上記半導体素子のベース端子あるい
はゲート端子に一方の端子が接続されたローパスフィル
タ、このローパスフィルタに接続された局部発振波の出
力端子、上記半導体素子のエミッタ端子あるいはソース
端子に設けられた先端開放スタブ、上記半導体素子のエ
ミッタ端子あるいはソース端子に、上記先端開放スタブ
と並列に一方の端子が接続された伝送線路、この伝送線
路の他方の端子に接続された可変リアクタンス素子、こ
の可変リアクタンス素子にバイアス電圧を印加するバイ
アス線路およびバイアス端子を備えたことを特徴とする
電圧制御自励局部発振ミクサ。
【請求項１３】トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨＥ
ＭＴなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端子
あるいはドレイン端子に一方の端子が接続されたキャパ
シタと、このキャパシタの他方の端子とシャント接続さ
れたインダクタと、このインダクタと一方の端子が接続
されたキャパシタとからなるハイパスフィルタ、このハ
イパスフィルタに接続された無線周波数端子、上記半導
体素子のコレクタ端子あるいはドレイン端子に一方の端
子が接続されたインダクタ、このインダクタの他方の端
子に接続された局部発振波の出力端子、上記半導体素子
のベース端子あるいはゲート端子に一方の端子が接続さ
れたインダクタと、このインダクタの他方の端子とシャ
ント接続されたキャパシタと、このキャパシタと一方の
端子が接続されたインダクタとからなるローパスフィル
タ、このローパスフィルタの他方の端子に接続された中
間周波数端子、上記半導体素子のエミッタ端子あるいは
ソース端子に設けられ、片端が接地されたインダクタと
キャパシタとからなる直列共振回路、上記半導体素子の
エミッタ端子あるいはソース端子に、上記直列共振回路
と並列に一方の接続点が接続されたインダクタとキャパ
シタからなる並列共振回路、この並列共振回路と一方の
端子が接続されたインダクタ、このインダクタの他方の
端子とシャント接続されたインダクタ、上記両インダク
タの接続点に一方の端子が接続されたキャパシタ、この
キャパシタの他方の端子とカソードが接続された可変容
量ダイオード、この可変容量ダイオードのカソード端子
と接続されたインダクタなどにより構成されるチョーク
回路、このチョーク回路を介して上記可変容量ダイオー
ドにバイアス電圧を印加するバイアス端子を備えたこと
を特徴とする電圧制御自励局部発振ミクサ。
【請求項１４】トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨＥ
ＭＴなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端子
あるいはドレイン端子に一方の端子が接続されたキャパ
シタと、このキャパシタの他方の端子とシャント接続さ
れたインダクタと、このインダクタと一方の端子が接続
されたキャパシタとからなるハイパスフィルタ、このハ
イパスフィルタに接続された無線周波数端子、上記半導
体素子のベース端子あるいはゲート端子に一方の端子が
接続されたインダクタと、このインダクタの他方の端子
とシャント接続されたキャパシタと、このキャパシタと
一方の端子が接続されたインダクタとからなるローパス
フィルタ、このローパスフィルタの他方の端子に接続さ
れた中間周波数端子、上記半導体素子のベース端子ある
いはゲート端子に一方の端子が接続されたキャパシタ、
このキャパシタの他方の端子に接続された局部発振波の
出力端子、上記半導体素子のエミッタ端子あるいはソー
ス端子に設けられ、片端が接地されたインダクタとキャ
パシタとからなる直列共振回路、上記半導体素子のエミ
ッタ端子あるいはソース端子に、上記直列共振回路と並
列に一方の接続点が接続されたインダクタとキャパシタ
からなる並列共振回路、この並列共振回路と一方の端子
が接続されたインダクタ、このインダクタの他方の端子
とシャント接続されたインダクタ、上記両インダクタの
接続点に一方の端子が接続されたキャパシタ、このキャ
パシタの他方の端子とカソードが接続された可変容量ダ
イオード、この可変容量ダイオードのカソード端子と接
続されたインダクタなどにより構成されるチョーク回
路、このチョーク回路を介して上記可変容量ダイオード
にバイアス電圧を印加するバイアス端子を備えたことを
特徴とする電圧制御自励局部発振ミクサ。
【請求項１５】トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨＥ
ＭＴなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端子
あるいはドレイン端子に一方の端子が接続されたインダ
クタと、このインダクタの他方の端子とシャント接続さ
れたキャパシタと、このキャパシタと一方の端子が接続
されたインダクタとからなるローパスフィルタ、このロ
ーパスフィルタに接続された中間周波数端子、上記半導
体素子のコレクタ端子あるいはドレイン端子に一方の端
子が接続されたキャパシタ、このキャパシタの他方の端
子に接続された局部発振波の出力端子、上記半導体素子
のベース端子あるいはゲート端子に一方の端子が接続さ
れたキャパシタと、このキャパシタの他方の端子とシャ
ント接続されたインダクタと、このインダクタと一方の
端子が接続されたキャパシタとからなるハイパスフィル
タ、このハイパスフィルタの他方の端子に接続された無
線周波数端子、上記半導体素子のエミッタ端子あるいは
ソース端子に設けられ、片端が接地されたインダクタと
キャパシタとからなる直列共振回路、上記半導体素子の
エミッタ端子あるいはソース端子に、上記直列共振回路
と並列に一方の接続点が接続されたインダクタとキャパ
シタからなる並列共振回路、この並列共振回路と一方の
端子が接続されたインダクタ、このインダクタの他方の
端子とシャント接続されたインダクタ、上記両インダク
タの接続点に一方の端子が接続されたキャパシタ、この
キャパシタの他方の端子とカソードが接続された可変容
量ダイオード、この可変容量ダイオードのカソード端子
と接続されたインダクタなどにより構成されるチョーク
回路、このチョーク回路を介して上記可変容量ダイオー
ドにバイアス電圧を印加するバイアス端子を備えたこと
を特徴とする電圧制御自励局部発振ミクサ。
【請求項１６】トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨＥ
ＭＴなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端子
あるいはドレイン端子に一方の端子が接続されたインダ
クタと、このインダクタの他方の端子とシャント接続さ
れたキャパシタと、このキャパシタと一方の端子が接続
されたインダクタとからなるローパスフィルタ、このロ
ーパスフィルタに接続された中間周波数端子、上記半導
体素子のベース端子あるいはゲート端子に一方の端子が
接続されたキャパシタと、このキャパシタの他方の端子
とシャント接続されたインダクタと、このインダクタと
一方の端子が接続されたキャパシタとからなるハイパス
フィルタ、このハイパスフィルタの他方の端子に接続さ
れた無線周波数端子、上記半導体素子のベース端子ある
いはゲート端子に一方の端子が接続されたインダクタ、
このインダクタの他方の端子に接続された局部発振波の
出力端子、上記半導体素子のエミッタ端子あるいはソー
ス端子に設けられ、片端が接地されたインダクタとキャ
パシタとからなる直列共振回路、上記半導体素子のエミ
ッタ端子あるいはソース端子に、上記直列共振回路と並
列に一方の接続点が接続されたインダクタとキャパシタ
からなる並列共振回路、この並列共振回路に一方の端子
が接続されたインダクタ、このインダクタの他方の端子
とシャント接続されたインダクタ、上記両インダクタの
接続点に一方の端子が接続されたキャパシタ、このキャ
パシタの他方の端子とカソードが接続された可変容量ダ
イオード、この可変容量ダイオードのカソード端子と接
続されたインダクタなどにより構成されるチョーク回
路、このチョーク回路を介して上記可変容量ダイオード
にバイアス電圧を印加するバイアス端子を備えたことを
特徴とする電圧制御自励局部発振ミクサ。
【請求項１７】トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨＥ
ＭＴなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端子
あるいはドレイン端子に一方の端子が接続された、無線
周波数で１／４波長の電気長を有する結合線路、この結
合線路の他方の端子と接続された無線周波数端子、上記
半導体素子のコレクタ端子あるいはドレイン端子に一方
の端子が接続された、局部発振波の周波数で１／４波長
の電気長を有する結合線路を用いた方向性結合器、この
方向性結合器の結合ポートに接続された局部発振波の出
力端子、上記半導体素子のベース端子あるいはゲート端
子に一方の端子が接続された中間周波数帯の整合回路、
この整合回路の他方の端子と接続された中間周波数端
子、上記半導体素子のエミッタ端子あるいはソース端子
に設けられた先端開放スタブ、上記半導体素子のエミッ
タ端子あるいはソース端子に、上記先端開放スタブと並
列に一方の端子が接続された伝送線路、この伝送線路の
他方の端子に接続された、局部発振波の周波数で１／４
波長の電気長を有する先端短絡スタブ、この先端短絡ス
タブと上記伝送線路の接続点に一方の端子が接続された
キャパシタ、このキャパシタの他方の端子に接続された
インダクタ、このインダクタと直列に接続され、局部発
振波の周波数でインピーダンスが短絡となるような可変
容量ダイオード、上記キャパシタと上記インダクタの接
続点に接続され、局部発振波の周波数で１／４波長の電
気長を有する伝送線路、この伝送線路の他方の端子に接
続された制御電圧端子を備えたことを特徴とする電圧制
御自励局部発振ミクサ。
【請求項１８】トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨＥ
ＭＴなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端子
あるいはドレイン端子に一方の端子が接続された無線周
波数で１／４波長の電気長を有する結合線路、この結合
線路の他方の端子と接続された無線周波数端子、上記半
導体素子のベース端子あるいはゲート端子に一方の端子
が接続された中間周波数帯の整合回路、この整合回路の
他方の端子と接続された中間周波数端子、上記半導体素
子のベース端子あるいはゲート端子に一方の端子が接続
された、局部発振波の周波数で１／４波長の電気長を有
する結合線路を用いた方向性結合器、この方向性結合器
の結合ポートに接続された局部発振波の出力端子、上記
半導体素子のエミッタ端子あるいはソース端子に設けら
れた先端開放スタブ、上記半導体素子のエミッタ端子あ
るいはソース端子に、上記先端開放スタブと並列に一方
の端子が接続された伝送線路、この伝送線路の他方の端
子に接続された、局部発振波の周波数で１／４波長の電
気長を有する先端短絡スタブ、この先端短絡スタブと上
記伝送線路の接続点に一方の端子が接続されたキャパシ
タ、このキャパシタの他方の端子に接続されたインダク
タ、このインダクタと直列に接続され、局部発振波の周
波数でインピーダンスが短絡となるような可変容量ダイ
オード、上記キャパシタと上記インダクタの接続点に接
続され、局部発振波の周波数で１／４波長の電気長を有
する伝送線路、この伝送線路の他方の端子に接続された
制御電圧端子を備えたことを特徴とする電圧制御自励局
部発振ミクサ。
【請求項１９】トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨＥ
ＭＴなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端子
あるいはドレイン端子に一方の端子が接続された中間周
波数帯の整合回路、この整合回路の他方の端子と接続さ
れた中間周波数端子、上記半導体素子のコレクタ端子あ
るいはドレイン端子に一方の端子が接続された、局部発
振波の周波数で１／４波長の電気長を有する結合線路を
用いた方向性結合器、この方向性結合器の結合ポートに
接続された局部発振波の出力端子、上記半導体素子のベ
ース端子あるいはゲート端子に一方の端子が接続され
た、無線周波数で１／４波長の電気長を有する結合線
路、この結合線路の他方の端子と接続された無線周波数
端子、上記半導体素子のエミッタ端子あるいはソース端
子に設けられた先端開放スタブ、上記半導体素子のエミ
ッタ端子あるいはソース端子に、上記先端開放スタブと
並列に一方の端子が接続された伝送線路、この伝送線路
の他方の端子に接続された、局部発振波の周波数で１／
４波長の電気長を有する先端短絡スタブ、この先端短絡
スタブと上記伝送線路の接続点に一方の端子が接続され
たキャパシタ、このキャパシタの他方の端子に接続され
たインダクタ、このインダクタと直列に接続され、局部
発振波の周波数でインピーダンスが短絡となるような可
変容量ダイオード、上記インダクタと上記キャパシタの
接続点に接続され、局部発振波の周波数で１／４波長の
電気長を有する伝送線路、この伝送線路の他方の端子に
接続された制御電圧端子を備えたことを特徴とする電圧
制御自励局部発振ミクサ。
【請求項２０】トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨＥ
ＭＴなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端子
あるいはドレイン端子に一方の端子が接続された中間周
波数帯の整合回路、この整合回路の他方の端子と接続さ
れた中間周波数端子、上記半導体素子のベース端子ある
いはゲート端子に一方の端子が接続された、無線周波数
で１／４波長の電気長を有する結合線路、この結合線路
の他方の端子と接続された無線周波数端子、上記半導体
素子のベース端子あるいはゲート端子に一方の端子が接
続された、局部発振波の周波数で１／４波長の電気長を
有する結合線路を用いた方向性結合器、この方向性結合
器の結合ポートに接続された局部発振波の出力端子、上
記半導体素子のエミッタ端子あるいはソース端子に設け
られた先端開放スタブ、上記半導体素子のエミッタ端子
あるいはソース端子に、上記先端開放スタブと並列に一
方の端子が接続された伝送線路、この伝送線路の他方の
端子に接続された、局部発振波の周波数で１／４波長の
電気長を有する先端短絡スタブ、この先端短絡スタブと
上記伝送線路の接続点に一方の端子が接続されたキャパ
シタ、このキャパシタの他方の端子に接続されたインダ
クタ、このインダクタと直列に接続され、局部発振波の
周波数でインピーダンスが短絡となるような可変容量ダ
イオード、上記キャパシタと上記インダクタの接続点に
接続され、局部発振波の周波数で１／４波長の電気長を
有する伝送線路、この伝送線路の他方の端子に接続され
た制御電圧端子を備えたことを特徴とする電圧制御自励
局部発振ミクサ。
【請求項２１】トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨＥ
ＭＴなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端子
あるいはドレイン端子に一方の端子が接続された、無線
周波数で１／４波長の電気長を有する結合線路、この結
合線路の他方の端子と接続された無線周波数端子、上記
半導体素子のベース端子あるいはゲート端子に一方の端
子が接続された中間周波数帯の整合回路、この整合回路
の他方の端子と接続された中間周波数端子、上記半導体
素子のエミッタ端子あるいはソース端子に設けられた先
端開放スタブ、上記半導体素子のエミッタ端子あるいは
ソース端子に、上記先端開放スタブと並列に一方の端子
が接続された伝送線路、この伝送線路と結合するように
配置された誘電体共振器、上記伝送線路の他方の端子に
接続された、局部発振波の周波数で１／４波長の電気長
を有する先端短絡スタブ、この先端短絡スタブと上記伝
送線路の接続点に一方の端子が接続されたキャパシタ、
このキャパシタの他方の端子に接続されたインダクタ、
このインダクタと直列に接続され、局部発振波の周波数
でインピーダンスが短絡となるような可変容量ダイオー
ド、上記キャパシタと上記インダクタの接続点に接続さ
れ、局部発振波の周波数で１／４波長の電気長を有する
伝送線路、この伝送線路の他方の端子に接続された制御
電圧端子を備えたことを特徴とする電圧制御自励局部発
振ミクサ。
【請求項２２】トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨＥ
ＭＴなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端子
あるいはドレイン端子に一方の端子が接続された中間周
波数帯の整合回路、この整合回路の他方の端子と接続さ
れた中間周波数端子、上記半導体素子のベース端子ある
いはゲート端子に一方の端子が接続された、無線周波数
で１／４波長の電気長を有する結合線路、この結合線路
の他方の端子と接続された無線周波数端子、上記半導体
素子のエミッタ端子あるいはソース端子に設けられた先
端開放スタブ、上記半導体素子のエミッタ端子あるいは
ソース端子に、上記先端開放スタブと並列に一方の端子
が接続された伝送線路、この伝送線路と結合するように
配置された誘電体共振器、上記伝送線路の他方の端子に
接続された、局部発振波の周波数で１／４波長の電気長
を有する先端短絡スタブ、この先端短絡スタブと上記伝
送線路の接続点に一方の端子が接続されたキャパシタ、
このキャパシタの他方の端子に接続されたインダクタ、
このインダクタと直列に接続され、局部発振波の周波数
でインピーダンスが短絡となるような可変容量ダイオー
ド、上記キャパシタと上記インダクタの接続点に接続さ
れ、局部発振波の周波数で１／４波長の電気長を有する
伝送線路、この伝送線路の他方の端子に接続された制御
電圧端子を備えたことを特徴とする電圧制御自励局部発
振ミクサ。
【請求項２３】トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨＥ
ＭＴなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端子
あるいはドレイン端子に一方の端子が接続された無線周
波数で１／４波長の電気長を有する結合線路、この結合
線路の他方の端子と接続された無線周波数端子、上記半
導体素子のベース端子あるいはゲート端子に一方の端子
が接続された中間周波数帯の整合回路、この整合回路の
他方の端子と接続された中間周波数端子、上記半導体素
子のエミッタ端子あるいはソース端子に設けられた先端
開放スタブ、上記半導体素子のエミッタ端子あるいはソ
ース端子に、上記先端開放スタブと並列に一方の端子が
接続された伝送線路、この伝送線路と結合するように配
置された誘電体共振器、この誘電体共振器と結合するよ
うに配置された先端開放スタブ、この先端開放スタブの
一方の端子に接続された局部発振波の出力端子、上記伝
送線路の他方の端子に接続された、局部発振波の周波数
で１／４波長の電気長を有する先端短絡スタブ、この先
端短絡スタブと上記伝送線路の接続点に一方の端子が接
続されたキャパシタ、このキャパシタの他方の端子に接
続されたインダクタ、このインダクタと直列に接続さ
れ、局部発振波の周波数でインピーダンスが短絡となる
ような可変容量ダイオード、上記キャパシタと上記イン
ダクタの接続点に接続され、局部発振波の周波数で１／
４波長の電気長を有する伝送線路、この伝送線路の他方
の端子に接続された制御電圧端子を備えたことを特徴と
する電圧制御自励局部発振ミクサ。
【請求項２４】トランジスタ、ＦＥＴ、あるいはＨＥ
ＭＴなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端子
あるいはドレイン端子に一方の端子が接続された中間周
波数帯の整合回路、この整合回路の他方の端子と接続さ
れた中間周波数端子、上記半導体素子のベース端子ある
いはゲート端子に一方の端子が接続された、無線周波数
で１／４波長の電気長を有する結合線路、この結合線路
の他方の端子と接続された無線周波数端子、上記半導体
素子のエミッタ端子あるいはソース端子に設けられた先
端開放スタブ、上記半導体素子のエミッタ端子あるいは
ソース端子に、上記先端開放スタブと並列に一方の端子
が接続された伝送線路、この伝送線路と結合するように
配置された誘電体共振器、この誘電体共振器と結合する
ように配置された先端開放スタブ、この先端開放スタブ
の一方の端子に接続された局部発振波の出力端子、上記
伝送線路の他方の端子に接続された、局部発振波の周波
数で１／４波長の電気長を有する先端短絡スタブ、この
先端短絡スタブと上記伝送線路の接続点に一方の端子が
接続されたキャパシタ、このキャパシタの他方の端子に
接続されたインダクタ、このインダクタと直列に接続さ
れ、局部発振波の周波数でインピーダンスが短絡となる
ような可変容量ダイオード、上記キャパシタと上記イン
ダクタの接続点に接続され、局部発振波の周波数で１／
４波長の電気長を有する伝送線路、この伝送線路の他方
の端子に接続された制御電圧端子を備えたことを特徴と
する電圧制御自励局部発振ミクサ。
【請求項２５】デュアルゲートＦＥＴあるいはデュア
ルゲートＨＥＭＴのようなゲート端子を２つ備えた半導
体素子、この半導体素子のドレイン端子に一方の端子が
接続された、無線周波数で１／４波長の電気長を有する
結合線路、この結合線路の他方の端子と接続された無線
周波数端子、上記半導体素子の第一ゲート端子に一方の
端子が接続された中間周波数帯の整合回路、この整合回
路の他方の端子と接続された中間周波数端子、上記半導
体素子の第二ゲート端子に一方の端子が接続された伝送
線路、この伝送線路に一方の端子が接続されたインダク
タ、このインダクタと直列に接続され、局部発振波の周
波数でインピーダンスが短絡となるような可変容量ダイ
オード、上記伝送線路と上記インダクタとの接続点に接
続され、局部発振波の周波数で１／４波長の電気長を有
する伝送線路、この伝送線路に接続された、局部発振波
の周波数で１／４波長の電気長を有する先端開放スタ
ブ、上記伝送線路と上記先端開放スタブとの接続点に接
続された制御電圧端子、上記半導体素子のソース端子に
設けられた先端開放スタブ、上記半導体素子のソース端
子に、上記先端開放スタブと並列に一方の端子が接続さ
れた伝送線路を備えたことを特徴とする電圧制御自励局
部発振ミクサ。
【請求項２６】デュアルゲートＦＥＴあるいはデュア
ルゲートＨＥＭＴのようなゲート端子を２つ備えた半導
体素子、この半導体素子のドレイン端子に一方の端子が
接続された中間周波数帯の整合回路、この整合回路の他
方の端子と接続された中間周波数端子、上記半導体素子
の第一ゲート端子に一方の端子が接続された、無線周波
数で１／４波長の電気長を有する結合線路、この結合線
路の他方の端子と接続された無線周波数端子、上記半導
体素子の第二ゲート端子に一方の端子が接続された伝送
線路、この伝送線路に一方の端子が接続されたインダク
タ、このインダクタと直列に接続され、局部発振波の周
波数でインピーダンスが短絡となるような可変容量ダイ
オード、上記伝送線路と上記インダクタとの接続点に接
続され、局部発振波の周波数で１／４波長の電気長を有
する伝送線路、この伝送線路に接続された、局部発振波
の周波数で１／４波長の電気長を有する先端開放スタ
ブ、上記伝送線路と上記先端開放スタブとの接続点に接
続された制御電圧端子、上記半導体素子のソース端子に
設けられた先端開放スタブ、上記半導体素子のソース端
子に、上記先端開放スタブと並列に一方の端子が接続さ
れた伝送線路を備えたことを特徴とする電圧制御自励局
部発振ミクサ。
【請求項２７】デュアルゲートＦＥＴあるいはデュア
ルゲートＨＥＭＴのようなゲート端子を２つ備えた半導
体素子、この半導体素子のドレイン端子に一方の端子が
接続された、無線周波数で１／４波長の電気長を有する
結合線路、この結合線路の他方の端子と接続された無線
周波数端子、上記半導体素子の第一ゲート端子に一方の
端子が接続された中間周波数帯の整合回路、この整合回
路の他方の端子と接続された中間周波数端子、上記半導
体素子の第二ゲート端子に一方の端子が接続された先端
開放スタブ、この先端開放スタブに結合するように配置
された誘電体共振器、この誘電体共振器と結合するよう
配置された先端開放スタブ、この先端開放スタブに一方
の端子が接続された可変容量ダイオード、この可変容量
ダイオードと上記先端開放スタブとの接続点に一方の端
子が接続された、局部発振波の周波数で１／４波長の電
気長を有する伝送線路、この伝送線路の他方の端子に接
続された、局部発振波の周波数で１／４波長の電気長を
有する先端開放スタブ、上記伝送線路と上記先端開放ス
タブとの接続点に接続された制御電圧端子、上記半導体
素子のソース端子に設けられた先端開放スタブ、上記半
導体素子のソース端子に、上記先端開放スタブと並列に
一方の端子が接続された伝送線路を備えたことを特徴と
する電圧制御自励局部発振ミクサ。
【請求項２８】デュアルゲートＦＥＴあるいはデュア
ルゲートＨＥＭＴのようなゲート端子を２つ備えたの半
導体素子、この半導体素子のドレイン端子に一方の端子
が接続された中間周波数帯の整合回路、この整合回路の
他方の端子と接続された中間周波数端子、上記半導体素
子の第一ゲート端子に一方の端子が接続された、無線周
波数で１／４波長の電気長を有する結合線路、この結合
線路の他方の端子と接続された無線周波数端子、上記半
導体素子の第二ゲート端子に一方の端子が接続された先
端開放スタブ、この先端開放スタブに結合するように配
置された誘電体共振器、この誘電体共振器と結合するよ
う配置された先端開放スタブと、この先端開放スタブに
一方の端子が接続された可変容量ダイオード、この可変
容量ダイオードと上記先端開放スタブとの接続点に一方
の端子が接続された、局部発振波の周波数で１／４波長
の電気長を有する伝送線路、この伝送線路の他方の端子
に接続された、局部発振波の周波数で１／４波長の電気
長を有する先端開放スタブ、上記伝送線路と上記先端開
放スタブとの接続点に接続された制御電圧端子、上記半
導体素子のソース端子に設けられた先端開放スタブ、上
記半導体素子のソース端子に、上記先端開放スタブと並
列に一方の端子が接続された伝送線路を備えたことを特
徴とする電圧制御自励局部発振ミクサ。
【請求項２９】半導体素子の第一のゲート端子と第二
のゲート端子を逆に用いたことを特徴とする請求項２５
乃至請求項２８のいずれか一項記載の電圧制御自励局部
発振ミクサ。
【請求項３０】半導体素子のコレクタ端子あるいはド
レイン端子に一方の端子が接続された、局部発振波の周
波数で１／４波長の電気長を有する結合線路を用いた方
向性結合器から局部発振波を出力として取り出すように
したことを特徴とする請求項２０乃至請求項２９のいず
れか一項記載の電圧制御自励局部発振ミクサ。
【請求項３１】半導体素子のベース端子あるいはゲー
ト端子に一方の端子が接続された、局部発振波の周波数
で１／４波長の電気長を有する結合線路を用いた方向性
結合器から局部発振波を出力として取り出すようにした
ことを特徴とする請求項２０乃至請求項２９のいずれか
一項記載の電圧制御自励局部発振ミクサ。
【請求項３２】請求項９乃至請求項２０および請求項
３０のいずれかに記載の電圧制御自励局部発振ミクサの
局部発振波の出力端子に接続された周波数分周器、この
周波数分周器の分周出力端子に接続された位相比較器、
この位相比較器の基準信号入力部に設けれた基準信号入
力端子、上記位相比較器の誤差電圧の出力端子に接続さ
れたループフィルタを備え、このループフィルタの出力
端子を電圧制御自励局部発振ミクサの制御電圧端子に接
続したことを特徴とする位相同期回路。
【請求項３３】請求項９乃至請求項２０および請求項
３０のいずれかに記載の電圧制御自励局部発振ミクサの
局部発振波の出力端子設けられ、外部から供給される第
二の局部発振波の２次以上の高次の高調波により周波数
混合を行う高調波ミクサ、この高調波ミクサの中間周波
数端子に接続された周波数分周器、この周波数分周器の
出力端子に接続された位相比較器、この位相比較器の基
準信号入力部に設けられた基準信号入力端子、上記位相
比較器の誤差電圧の出力端子に接続されたループフィル
タを備え、このループフィルタの出力端子を電圧制御自
励局部発振ミクサの制御電圧端子に接続したことを特徴
とする位相同期回路。
【請求項３４】請求項１乃至請求項３３のいずれかに
記載の電圧制御自励局部発振ミクサおよびこれを用いた
位相同期回路を用い、アップコンバージョンあるいはダ
ウンコンバージョンを行うようにしたことを特徴とする
送受信機。